KR101211720B1 - Half-tone mask for fine pattern - Google Patents
Half-tone mask for fine pattern Download PDFInfo
- Publication number
- KR101211720B1 KR101211720B1 KR1020090131071A KR20090131071A KR101211720B1 KR 101211720 B1 KR101211720 B1 KR 101211720B1 KR 1020090131071 A KR1020090131071 A KR 1020090131071A KR 20090131071 A KR20090131071 A KR 20090131071A KR 101211720 B1 KR101211720 B1 KR 101211720B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pattern
- auxiliary
- halftone
- region
- light shielding
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
본 발명은 미세전사패턴을 구비한 하프톤 마스크에 관한 것으로, 특히 미세패턴 전사용 하프톤 마스크에 있어서, 투명기판상에 형성되는 전사용 패턴을 형성하는 차광패턴라인과 상기 차광패턴라인의 측면에 인접하여 형성되는 보조하프톤패턴영역을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a halftone mask having a fine transfer pattern. In particular, in a halftone mask for fine pattern transfer, a light shielding pattern line for forming a transfer pattern formed on a transparent substrate and a side surface of the light shielding pattern line are provided. And an auxiliary halftone pattern region formed adjacently.
본 발명에 따르면, 하프톤 마스크에 있어서 차광패턴을 따라 형성되는 보조하프톤패턴영역을 구비하여 미세 픽셀의 선폭을 구현함과 동시에, 패턴의 균일성(Uniformity)을 확보할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the halftone mask includes an auxiliary halftone pattern region formed along a light shielding pattern, thereby realizing the line width of the fine pixel and securing the uniformity of the pattern.
하프톤 마스크, 보조하프톤패턴영역 Halftone Mask, Secondary Halftone Pattern Area
Description
본 발명은 LCD 미세 픽셀의 구현을 위한 포토마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a photomask for the implementation of LCD fine pixels.
액정디스플레이(LCD)의 대형화 추세화 맞물려, LCD를 구성하는 픽셀패턴(Pixel pattern)의 미세화에 대한 관심이 증폭되고 있다.Increasingly, liquid crystal displays (LCDs) have become increasingly large in size, and interest in miniaturization of pixel patterns constituting LCDs has been amplified.
LCD의 미세 픽셀패턴을 구현하기 위하여 사용되는 포토마스크는 기본적으로 이러한 미세패턴을 구현하기 위하여 사용되는 포토마스크의 패턴을 미세화하는 공정이 선행적으로 필요하게 된다.A photomask used to implement a fine pixel pattern of an LCD basically requires a process of miniaturizing a pattern of a photomask used to implement such a fine pattern.
도 1a를 참조하면, (a) 이는 종래의 일반적인 투명기판(10) 상에 투과패턴(30)과 차광패턴(20)을 구비하는 포토마스크의 패턴 구조를 도시한 것으로, (b) 일반적인 패턴의 단면은 도시된 것과 같은 역 사다리꼴과 유사한 형태로 구현되게 된다(b)는 (a)의 차광패턴의 단면도를 도시한 것이다). (c) 그러나 이러한 차광패턴의 선폭(CD)가 극미세화 하는 과정에서는 미세 패턴의 구현과정에서 패턴이 유실되는 현상이 자주 발생하게 되어, 이러한 포토마스크를 가지고 제품에 패턴을 구현하는 포토리소그라피 공정을 수행한 결과 (c)에 도시된 것처럼, 패턴불량(P1)으로 이어지는 문제가 발생하게 된다.Referring to FIG. 1A, (a) illustrates a pattern structure of a photomask including a
이러한 문제를 해소하기 위하여, 도 1b의 (a) 및 (b)에 도시된 것과 같은 투명기판(10)의 투과패턴(30)과 미세 차광패턴(20)의 측면에 슬릿(40)을 포함하여 강한 노광량에 따른 패턴의 유실의 문제를 해결하고자 하였다.(b)는 (a)의 차광패턴의 단면도를 도시한 것이다). 그러나 1㎛ 이하의 미세 슬릿을 차광패턴을 따라 패터닝하는 공정은 극히 어려워, 제작공정에서 슬릿이 유실되거나, 오버 에칭으로 인해 손상을 입어 유실되거나, 슬릿 자체의 결함(defect)이 발생하여 패턴의 균일도(Uniformity)를 확보하기가 매우 어려운 문제가 발생하게 된다. 즉, (c)에 도시된 것처럼, 이러한 슬릿패턴의 결함이 발생하게 되는 경우, LCD에 전사한 후 이 결함에 따른 오류가 전사(P2, P3)되어 원하는 패턴을 형성하지 못하는 단점이 발생하게 된다.In order to solve this problem, the
본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은, 하프톤 마스크에 있어서 차광패턴을 따라 형성되는 보조하프톤패턴영역을 구비하여 미세 픽셀의 선 폭을 구현함과 동시에, 패턴의 균일성(Uniformity)을 확보할 수 있는 하프톤 마스크를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problem, and an object of the present invention is to provide an auxiliary halftone pattern region formed along a light shielding pattern in a halftone mask to realize a line width of a fine pixel, It is to provide a halftone mask that can ensure the uniformity of the pattern (uniformity).
상술한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명은 미세패턴 전사용 하프톤 마스크에 있어서, 투명기판상에 형성되는 전사용 패턴을 형성하는 차광패턴라인; 상기 차광패턴라인의 측면에 인접하여 형성되는 보조하프톤패턴영역;을 포함하여 이루어지는 미세패턴 전사용 하프톤 마스크를 제공할 수 있도록 한다.As a means for solving the above problems, the present invention provides a half-tone mask for fine pattern transfer, comprising: a light shielding pattern line for forming a transfer pattern formed on a transparent substrate; It is possible to provide a fine pattern transfer halftone mask comprising a; auxiliary halftone pattern region formed adjacent to the side surface of the light shielding pattern line.
특히, 상기 차광패턴을 따라 형성되는 상기 보조하프톤패턴영역은, 상기 차광패턴라인의 측면에 접하는 제1보조패턴; 상기 투명기판상에 형성되며, 상기 제1보조패턴의 수직방향으로 형성되는 제2보조패턴으로 형성될 수 있도록 한다.In particular, the auxiliary halftone pattern region formed along the light blocking pattern may include: a first auxiliary pattern in contact with a side surface of the light blocking pattern line; It is formed on the transparent substrate, it can be formed as a second auxiliary pattern formed in the vertical direction of the first auxiliary pattern.
아울러, 상기 보조하프톤패턴영역은, 상기 차광패턴라인의 측면으로부터 0.5~1.5㎛의 폭을 가지도록 형성할 수 있다.In addition, the auxiliary halftone pattern region may be formed to have a width of 0.5 μm to 1.5 μm from a side surface of the light blocking pattern line.
또한, 본 발명에 따른 상기 보조하프톤패턴영역은, 상기 제1 보조패턴과 연결되며, 상기 차광패턴라인의 상부를 덮는 제3보조패턴층을 더 포함하여 형성될 수 있다.The auxiliary halftone pattern region may further include a third auxiliary pattern layer connected to the first auxiliary pattern and covering an upper portion of the light blocking pattern line.
특히, 상술한 본 발명에 따른 보조하프톤 패턴영역은, Mo, Si, Ta, W, Al, Cr, Hf, Zr, Me, V, Ni, Nb, Co, Ti을 주원소로 하여, 상기 주원소물질 또는 상기 주원소들 중 적어도 두 개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주원소 또는 복합 물질에 COx,Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 이루어지질 수 있다. (단, x는 자연수이다.)In particular, the auxiliary halftone pattern region according to the present invention described above, Mo, Si, Ta, W, Al, Cr, Hf, Zr, Me, V, Ni, Nb, Co, Ti as the main element, At least two of the elemental materials or the main elements may be a mixed material, or at least one of CO x , O x , and N x may be added to the main element or the composite material. (Where x is a natural number)
또한, 상술한 구조와는 다른 실시예로서 하프톤 마스크를 구성하는 것도 가능하다. 구체적으로는 미세패턴 전사용 하프톤 마스크에 있어서, 투명기판상에 형성되는 반투과물질로 형성되는 보조하프톤패턴영역; 상기 보조하프톤패턴영역 상에 형성되는 차광패턴영역;을 포함하되, 상기 보조하프톤 영역은 차광패턴영역의 하부에 형성되는 제4보조패턴층과 상기 차광패턴영역의 외부로 돌출되는 제5보조패턴층으로 형성되는 구조로 형성할 수 있으며, 특히 이 경우 상기 제5보조패턴층의 폭(Y1)은 0.5~1.5㎛로 형성될 수 있도록 한다.It is also possible to construct a halftone mask as an embodiment different from the above-described structure. Specifically, a half-tone mask for fine pattern transfer, comprising: an auxiliary halftone pattern region formed of a semi-transparent material formed on a transparent substrate; A light blocking pattern region formed on the auxiliary halftone pattern region, wherein the auxiliary halftone region includes a fourth auxiliary pattern layer formed under the light blocking pattern region and a fifth auxiliary projecting to the outside of the light blocking pattern region; It can be formed in a structure formed of a pattern layer, in this case in particular in this case the width (Y 1 ) of the fifth auxiliary pattern layer to be formed to be 0.5 ~ 1.5㎛.
본 발명에 따르면, 하프톤 마스크에 있어서 차광패턴을 따라 형성되는 보조하프톤패턴영역을 구비하여 미세 픽셀의 선폭을 구현함과 동시에, 패턴의 균일성(Uniformity)을 확보할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the halftone mask includes an auxiliary halftone pattern region formed along a light shielding pattern, thereby realizing the line width of the fine pixel and securing the uniformity of the pattern.
특히, 보조하프톤패턴영역을 이용하여 종래의 슬릿방식의 필링(Peeling) 또는 범위(Range)과 대비하여 그 품질면에서 현저한 향상을 구현할 수 있다.In particular, by using the auxiliary halftone pattern region, it is possible to realize a significant improvement in quality in comparison with the conventional slit-based peeling or range.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구성 및 작용을 구체적 으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration and operation according to the present invention. In the description with reference to the accompanying drawings, the same components are given the same reference numerals regardless of the reference numerals, and duplicate description thereof will be omitted. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
도 2a는 본 발명에 따른 하프톤 마스크의 평면을 도시한 개념도이다.2A is a conceptual diagram illustrating a plane of a halftone mask according to the present invention.
(a)에 도시된 것처럼, 본 발명은 미세패턴 전사용 하프톤 마스크에 있어서, 투명기판상에 형성되는 전사용 패턴을 형성하는 차광패턴라인(110)이 구비되며, 특히 상기 차광패턴라인의 측면에 인접하여 형성되는 보조하프톤패턴영역(120)을 포함하여 형성될 수 있다. 즉 상기 보조하프톤패턴영역(120)은 종래의 슬릿(slit)의 형태가 빛의 회절현상을 이용하여 간섭되는 빛을 소멸시켜 광투과율을 조절하는 방식이 아닌 노광광의 투과율을 줄이는 방식으로 구현하는 것으로 미세패턴으로 형성되는 차광패턴에 노광에너지(Photo Energy)에 의해 오버 노광(over photo)되는 영역을 보상하여, 제품에 전사시에 (b)에 도시된 것처럼, 균일성(uniformity)이 확보된 픽셀패턴(Pixel pattern)을 구현할 수 있게 된다. 특히, 기 형성된 차광패턴상에 반투과물질층을 구현하는 방식으로 형성이 되는바, 패턴이 무너지거나 유실될 염려가 없어 신뢰성을 확보할 수 있게 된다.As shown in (a), the present invention includes a light
도 2b 및 도 2c는 본 발명에 따른 보조하프톤영역(120)을 구비한 도 2a의 (a)의 단면을 중심으로 하프톤마스크의 요부를 도시한 개념도이다.2B and 2C are conceptual views illustrating main parts of a halftone mask around a cross section of FIG. 2A (a) having an
구체적으로는 투명기판(100)상에 차광패턴라인(110)이 형성되며, 상기 차광 패턴라인의 측면과 상부면을 덮은 보조하프톤영역(120)이 형성된 구조이다. 그 외에는 광이 완전투과하는 투과부가 된다.Specifically, the light
특히, 상기 차광패턴라인(110)에 형성되는 보조하프톤영역(120)은 상기 차광패턴라인(110)의 측면에 접하는 제1보조패턴(X2)과 상기 제1보조패턴의 수직방향으로 형성되는 제2보조패턴(X1)이 형성된다. 상기 제1 및 제2보조패턴(X2)는 실제로는 도 2a에 도시된 것처럼 차광패턴라인을 따라서 형성되게 된다.In particular, the
특히, 바람직하게는 상기 제1 및 제2보조패턴의 폭(T1)은 상기 차광패턴라인의 측면으로부터 0.5㎛~1.5㎛의 폭을 가지는 것이 바람직하다.In particular, preferably, the width T 1 of the first and second auxiliary patterns has a width of 0.5 μm to 1.5 μm from the side surface of the light blocking pattern line.
물론, 본 발명에 따른 보조하프톤패턴영역은 차광패턴라인의 측면부를 둘러사는 제1보조패턴과 연결되는 상기 차광패턴라인의 상부를 덮는 제3보조패턴층(X3)을 포함하여 형성될 수 있다.Of course, the auxiliary halftone pattern region according to the present invention may include a third auxiliary pattern layer (X3) covering the upper portion of the light shielding pattern line connected to the first auxiliary pattern surrounding the side portion of the light shielding pattern line. .
이러한 구조의 본 발명에 따른 하프톤 마스크에 의하면, 노광되는 광(L)이 패턴이 형성되지 않는 투명기판영역인 투과부는 완전투과하며, 차광패턴라인(110)이 형성되는 부분은 차광되며, 보조하프톤패턴영역으로 제1 및 제2 보조패턴을 지나는 광은 그 투과율이 감소하게 되어 , 실제 노광후 제품(140) 상의 감광물질의 이미지(130)가 정확하게 구현되며, 이는 미세패턴화 되는 경우에도 노광에너지(Photo Energy)에 의해 오버 노광(over photo)되는 영역을 보상하여, 제품에 전사시에 도 2a의 (b)에 도시된 것처럼, 균일성(uniformity)이 확보된 픽셀패턴(Pixel pattern)을 구현할 수 있게 된다.According to the halftone mask according to the present invention having the above structure, the transmissive part, which is the transparent substrate region where the light L is exposed, is not formed with the pattern, is completely transmitted, and the part where the light
도 3은 본 발명에 따른 하프톤 마스크의 제조공정을 개략적으로 도시한 공정도이다.3 is a process diagram schematically illustrating a manufacturing process of a halftone mask according to the present invention.
본 발명에 따른 하프톤 마스크는, (S1) 우선, 투명기판상에 차광물질로 구현되는 메탈층(110')을 형성한다. 도시된 도면은 단면을 도시한 것이나, 원래는 대형화된 기판의 전면에 메탈층을 형성하게 된다. 상기 메탈층은 광을 완전차단하는 물질로 형성되는 것이 바람직하며, 일례로는 또는 CrO2재를 이용할 수 있다.In the halftone mask according to the present invention, (S 1 ), first, a
(S2) 다음으로, 상기 메탈층상에 감광물질을 도포하고, 노광 현상공정을 통해 차광패턴라인(110)을 형성한다. 이후 감광물질을 박리하는 공정이 더 수행될 수 있다.(S 2 ) Next, a photosensitive material is coated on the metal layer, and the light
(S3) 이후에는 상기 차광패턴라인이 형성된 투명기판에 전체적으로 반투과물질층(120')을 도포하여 형성한다. 상기 반투과물질층은 투과율이 10~99%의 성질을 가지는 것으로, 일예로서 Mo, Si, Ta, W, Al, Cr, Hf, Zr, Me, V, Ni, Nb, Co, Ti을 주원소로 하여, 상기 주원소물질(주원소로만 이루어진 물질) 또는 상기 주원소들 중 적어도 두 개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주원소 또는 복합 물질에 COx,Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질인 것이 바람직하다. 상기 첨자는 결합되는 주원소에 따라 변하는 자연수이다. 예를 들면 CrxOy, CrxCOy, CrxOyNz, SixOy, SixOyNz, SixCOy, SixCOyNz, MoxSiy, MoxOy,MoxOyNz, MoxCOy, MoxOyNz, MoxSiyOz, MoxSiyOzN MoxSiyCOzN, MoxSiyCOz, TaxOy, TaxOyNz, TaxCOy, TaxOyNz, AlxOy, AlxCOy, AlxOyNz, AlxCOyNz, TixOy, TixOyNz, TixCOy 중 어느 하나 또는 이들의 조합된 물질을 사용할 수 있다. 상기 첨자 x,y 및 z는 자연수로서 각 화학 원소의 개수를 의미한다.After S 3 , the
(S4)다음으로, 상기 반투과물질층(120')의 상부에 감광물질을 도포하고, 본 발명에 따른 제1보조패턴과 제2보조패턴이 보조하프톤패턴영역(120)을 구현되도록 노광, 현상한다.(S 4 ) Next, a photosensitive material is coated on the
상술한 제조공정에 따른 본 발명의 보조하프톤패턴영역을 이용한 하프톤 마스크는 미세 픽셀패턴 구현가능 및 패턴의 균일도(Uniformity) 확보할 수 있는 장점이 있으며, 특히 종래의 기술로서 슬릿방식이 갖는 제조상의 난점 및 적용상의 불량률의 증가의 문제를 일소하여 신뢰도 높은 미세 픽셀패턴을 형성할 수 있게 된다.Halftone mask using the auxiliary halftone pattern region of the present invention according to the above-described manufacturing process has the advantage that can implement a fine pixel pattern and ensure the uniformity of the pattern (Uniformity), in particular, the conventional technology has a slit method It is possible to form a highly reliable fine pixel pattern by eliminating the problem of difficulty and increasing the defective rate of application.
도 4는 상술한 본 발명의 실시예와는 다른 구조의 실시예를 도시한 것이다.Figure 4 shows an embodiment of a structure different from the above-described embodiment of the present invention.
즉, 상술한 구조와의 차이는 보조하프톤패턴영역(130)이 투명기판상(100)에 먼저 형성되고, 상기 보조하프톤패턴영역(130)의 상부에 차광패턴영역(140)이 형성되는 구조이다. 구체적으로는 상기 보조하프톤패턴영역(130)은 차광패턴영역의 하부에 형성되는 제4보조패턴층(폭: Y2)과 상기 차광패턴영역의 외부로 돌출되는 제5보조패턴층(폭:Y1)으로 형성되며, 상기 제5보조패턴층의 폭(Y1)은 0.5~1.5㎛로 형성될 수 있도록 한다. 아울러 상기 보조하프톤패턴영역을 형성하는 물질은 전술한 실시예의 보조하프톤패턴영역의 구성물질과 동일하게 적용가능하다.That is, the difference from the above structure is that the auxiliary
도 4의 제5보조하프톤패턴영역은 도 2a에서 나타난 평면도 상의 보조하프톤 영역(120)의 형상으로 도출되며, 동일한 기능을 수행할 수 있게 됨은 물론이다.The fifth auxiliary halftone pattern region of FIG. 4 is derived in the shape of the
전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 기술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the foregoing detailed description of the present invention, specific examples have been described. However, various modifications are possible within the scope of the present invention. The technical idea of the present invention should not be limited to the embodiments of the present invention but should be determined by the equivalents of the claims and the claims.
도 1a 및 도 1b는 종래의 미세패턴을 구현하는 포토마스크의 구조와 이에 따른 문제점을 도시한 도면이다.1A and 1B are diagrams illustrating a structure of a photomask that implements a conventional micropattern and a problem thereof.
도 2a는 본 발명에 따른 하프톤 마스크의 평면도, 도 2b는 본 발명의 요부의 단면도, 도 2c는 본 발명의 작용상태를 나타내는 개념도이다.2A is a plan view of a halftone mask according to the present invention, FIG. 2B is a sectional view of an essential part of the present invention, and FIG. 2C is a conceptual diagram showing an operating state of the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 하프톤 마스크의 제조공정도이다.3 is a manufacturing process diagram of a halftone mask according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 다른 실시예로서의 하프톤 마스크의 요부 개념도이다.4 is a conceptual diagram of main parts of a halftone mask as another embodiment according to the present invention.
Claims (7)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090131071A KR101211720B1 (en) | 2009-12-24 | 2009-12-24 | Half-tone mask for fine pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090131071A KR101211720B1 (en) | 2009-12-24 | 2009-12-24 | Half-tone mask for fine pattern |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110074175A KR20110074175A (en) | 2011-06-30 |
KR101211720B1 true KR101211720B1 (en) | 2012-12-12 |
Family
ID=44404580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090131071A KR101211720B1 (en) | 2009-12-24 | 2009-12-24 | Half-tone mask for fine pattern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101211720B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102119104B1 (en) * | 2012-09-12 | 2020-06-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | High Resolution Patterning Mask Having Single Wavelength Light Filter |
KR102004399B1 (en) | 2012-11-05 | 2019-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | Optical mask for forming pattern |
-
2009
- 2009-12-24 KR KR1020090131071A patent/KR101211720B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110074175A (en) | 2011-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101215742B1 (en) | Method for manufacturing gray tone mask and gray tone mask | |
KR100609678B1 (en) | graytone mask and method of manufacturing the same | |
KR100960746B1 (en) | Method for manufacturing gray tone mask | |
KR100965181B1 (en) | Gray tone mask and method for manufacturing the same | |
TWI345132B (en) | Pattern forming method and phase shift mask manufacturing method | |
KR100848815B1 (en) | Half tone mask and fabricating method and flat panel displayq | |
JP2005037933A (en) | Method for manufacturing gray tone mask and gray tone mask | |
KR101036438B1 (en) | A gray tone mask and a method for manufacturing the same | |
KR100970524B1 (en) | Mask for photolithography, method of forming thin film, and method of producing the liquid crystal display device | |
JP5668168B1 (en) | Proximity exposure photomask | |
KR101211720B1 (en) | Half-tone mask for fine pattern | |
TWI723258B (en) | Photomask and method for manufacturing display device | |
JPH04186244A (en) | Photomask and exposure | |
TWI721247B (en) | Photomask for use in manufacturing a display device and method of manufacturing a display device | |
JPH08334885A (en) | Halftone type phase shift mask and its production | |
KR101343256B1 (en) | Photomask manufacturing method, pattern transfer method, and display device manufacturing method | |
JP2007248943A (en) | Patterning method and method for forming gray tone mask | |
KR100787090B1 (en) | a half tone mask having multi?half permeation part and a method for manufacturing thereof | |
KR101186890B1 (en) | Half tone mask and method of manufacturig the same | |
KR101168409B1 (en) | Photo mask having multi half permeation part and Method for manufacturing thereof | |
KR20070101428A (en) | Half tone mask and method for manufactureing thereof | |
KR101095534B1 (en) | Half tone mask | |
KR20100125574A (en) | Half tone mask having multi half permeation part and manufacturing method of the same | |
KR101776317B1 (en) | half tone mask having multi half permeation part | |
KR100861197B1 (en) | Alternative phase shift mask and it's manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151105 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161104 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171107 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181112 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191111 Year of fee payment: 8 |