KR20110072479A

KR20110072479A - 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치 및 방법

Info

Publication number: KR20110072479A
Application number: KR1020090129430A
Authority: KR
Inventors: 정훈; 김종석; 김승택; 강성복; 변철수; 이석우
Original assignee: 한국생산기술연구원
Priority date: 2009-12-23
Filing date: 2009-12-23
Publication date: 2011-06-29

Abstract

본 발명은 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼를 용이하게 절단할 수 있는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단장치 및 방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로 살펴보면, 웨이퍼의 절단 시 사용되는 반도체 웨이퍼 절단 장치용 광섬유 레이저 조사 장치는 적어도 하나 이상의 레이저에서 레이저빔을 적어도 두 개 이상의 서로 다른 파장길이를 갖도록 펄스화시켜, 상기 웨이퍼에 전달되는 상기 레이저빔의 초점이 적어도 두 개 이상이 되도록 하는 것을 특징으로 한다.

이러한 구성에 의해, 본 발명은 반도체 웨이퍼의 절단 시, 웨이퍼 두께와 상관없이 절단이 가능하고, 절단 부분의 웨이퍼의 불량률을 감소시켜 제품생산의 양수율을 증대시킬 수 있다.

웨이퍼, 절단, 컷팅, 광섬유레이저, 파장제어, 색수차

Description

광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치 및 방법 {Wafer dicing apparatus and method using optical fiber laser}

본 발명은 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼를 용이하게 절단할 수 있는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단장치 및 방법에 관한 것이다.

반도체 산업의 급속한 발전으로 인하여 상기 반도체의 고집적화, 소형화의 요구가 현재 반도체 시장의 추세이다. 이러한 반도체 시장의 추세는 반도체 제조공정에서도 다양한 변화를 야기하고 있는데, 특히, 웨이퍼의 절단('다이싱(dicing)'이라고도 함.)하는 공정의 개선이 특히 요구되고 있다.

종래의 웨이퍼 절단 방법을 살펴보면 다음과 같다. 먼저 반도체 소자가 형성된 웨이퍼의 표면에 대하여 다이아몬드 블레이드를 이용하여 절단 또는 스크라이빙(scribing) 공정을 수행한 후, 브레이킹(breaking)하는 기계적인 절단 방법 또는 레이저를 이용한 레이저 절단 방법이 일반적으로 널리 행해지고 있다.

먼저, 상기 기계적인 절단 방법은 스크라이빙 공정을 통해 반도체 웨이퍼를 완전히 절단하지 않고 웨이퍼 상에 절단 홈을 형성한 후 브레이킹 공정을 통해 개별칩으로 절단하는 방법으로 이루어진다. 하지만 이러한 기계적인 절단 방법은 스크라이빙 공정 후 브레이킹 공정이 추가됨으로써, 추가 공정이 발생함에 따라 생산성이 저하되며, 절단 대상 웨이퍼의 두께가 너무 두껍거나 얇은 경우에 절단이 불가능한 문제점이 발생했다. 뿐만 아니라, 이러한 기계적인 절단 방법은 스크라이빙 공정 후, 개별 반도체 소자의 절단을 위해 수행되는 브레이킹 공정으로 인해, 상기 웨이퍼가 절단되는 부위에 파손이 발생함에 따라, 웨이퍼의 낭비가 발생되는 문제점이 생겨났다. 또한, 상기 브레이킹 공정에 따른 상기 웨이퍼의 절단 시, 웨이퍼의 잔 조각 또는 먼지 등이 발생함에 따라 웨이퍼의 추가 손실이 발생하는 문제점이 있다.

이와 달리 레이저를 이용한 절단 방법은 반도체 웨이퍼의 표면에 초점을 형성하고 형성된 초점으로 레이저를 조사하여 스크라이빙을 한 후 브레이킹을 하여 상기 웨이퍼를 절단하는 것을 말한다. 하지만 이러한 절단 방법은 상기 기계적인 절단 방법과 비슷하게 절단 단면에 burr나 debris가 발생하여 웨이퍼의 추가 손실이 발생하는 문제점을 여전히 안고 있다.

최근 상기 레이저 절단 방법의 문제점을 해결하기 위해 고출력의 레이저를 사용하여 레이저빔을 웨이퍼 내부에 초점이 맺히게 하여 웨이퍼 내부를 스크라이빙 한 후 브레이킹하는 절단방법이 개발되었다. 이러한 방법을 이용할 경우 표면에 burr나 debris가 발생하지 않아 웨이퍼의 추가 손실을 막을 수 있다. 하지만 이러 한 두 가지 레이저 절단 방법 모두 상기 웨이퍼의 두께가 일정 두께 이상 두꺼운 경우에, 한번의 스크라이빙 만으로는 브레이킹을 할 수 없어 두 번 이상의 스크라이빙을 통해 웨이퍼 절단을 해야 하는 문제점이 발생한다. 또한 이러한 문제점으로 인하여, 상기 웨이퍼에 대한 추가적인 브레이킹 공정이 발생하는 등의 문제점이 야기된다.

상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 웨이퍼를 용이하게 절단할 수 있는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단장치 및 방법을 제공하고자 한다.

위와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 한 특징에 따른 웨이퍼의 절단 시 사용되는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치는 적어도 하나 이상의 레이저에서 레이저빔을 적어도 두 개 이상의 서로 다른 파장길이를 갖도록 펄스화시켜, 상기 웨이퍼에 전달되는 상기 레이저빔의 초점이 적어도 두 개 이상이 되도록 하는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는 상기 레이저빔을 발생하는 광원부; 상기 레이저빔을 적어도 두 개 이상의 서로 다른 파장길이를 갖도록 상기 파장길이를 제어하는 파장제어부; 파 장길이가 제어된 상기 레이저빔에 대하여 적어도 두 개 이상의 파장을 교대로 갖도록 펄스화하는 펄스발생부; 및 상기 서로 다른 파장길이를 갖는 레이저빔을 렌즈모듈을 통해 상기 반도체 웨이퍼에 조사하는 조사부;를 포함할 수 있다.

특히 상기 레이저빔의 파장길이를 제어하여 상기 레이저빔의 색상을 변경하는 파장제어부를 포함할 수 있다.

바람직하게는 상기 서로 다른 파장길이를 갖는 레이저빔 중 짧은 파장길이를 갖는 레이저빔의 제1초점 거리는 긴 파장길이를 갖는 레이저빔의 제2초점거리보다 짧은 것을 포함하는 조사부를 포함할 수 있다.

바람직하게는 상기 반도체 웨이퍼의 상부면을 이동하면서 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 형성된 적어도 두 개의 초점에 상기 레이저빔을 조사하는 조사부를 포함할 수 있다.

특히 이테르븀(Ytterbium)을 포함하는 희토류원소가 첨가된 광섬유레이저를 포함하는 광원부를 포함할 수 있다.

위와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 특징에 따른 웨이퍼의 절단 시 용이하게 절단하는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 방법은 레이저빔을 적어도 두 개 이상의 서로 다른 파장길이를 갖도록 상기 파장길이를 제어하는 파장제어단계; 서로 다른 파장길이를 갖는 상기 레이저빔에 대하여 적어도 두 개 이상의 파장을 교대로 갖도록 펄스화하는 펄스발생단계; 상기 서로 다른 파장길이를 갖는 레이저빔을 렌즈모듈을 통해 반도체 웨이퍼 내 적어도 두 개의 초점에 조사한는 조사단계;를 포함한다.

바람직하게는 상기 레이저빔의 파장길이를 제어하여 상기 레이저빔의 색상을 변경하는 파장제어단계를 포함할 수 있다.

바람직하게는 상기 서로 다른 파장길이를 갖는 레이저빔 중 짧은 파장길이를 갖는 레이저빔의 제1초점 거리는 긴 파장길이를 갖는 레이저빔의 제2초점거리보다 짧은 것을 포함하는 조사단계를 포함할 수 있다.

바람직하게는 상기 반도체 웨이퍼의 상부면을 이동하면서 상기 반도체 웨이퍼의 내부로 적어도 두 개의 초점에 상기 레이저빔을 조사하는 조사단계를 포함할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치는 반도체 소자가 형성된 반도체 웨이퍼에 적어도 두 개의 초점을 형성하여 상기 초점으로 레이저빔을 조사함으로써, 상기 반도체 웨이퍼의 두께가 두꺼워지더라도 용이하게 상기 웨이퍼를 절단할 수 있다.

또한 본 발명의 광섬유레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치는 상기 웨이퍼 내부의 상부 및 하부에 각각 형성된 초점으로 상기 레이저빔이 조사되어 상기 웨이퍼의 하부도 완벽히 절단됨에 따라, 상기 웨이퍼가 두꺼워져 브레이킹 공정과 같은 추가공정이 필요하지 않으므로, 생산성 저하를 방지할 수 있다.

이에 따라, 본 발명의 광섬유레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치는 브레이킹 공정으로 인해 웨이퍼의 절단부위에 파손으로 인해 발생되는 웨이퍼의 낭비 를 줄일 수 있다.

이와 더불어, 본 발명의 광섬유레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치는 웨이퍼의 브레이킹 공정 시, 표면에 burr나 debris가 발생하지 않아 웨이퍼의 추가 손실을 방지할 수 있다.

이하, 본 발명을 바람직한 실시 예와 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되는 것은 아니다.

이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 한 실시 예에 따른 광섬유레이저를 이용한

반도체 웨이퍼 절단 장치를 개념적으로 살펴본다. 도 1은 본 발명의 한 실시 예에 따른 광섬유레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단장치의 개념도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 광섬유레이저를 이용한 반도체 웨이퍼

절단 장치(100)는 적어도 하나 이상의 레이저빔을 발생하여 상기 레이저빔이 적어도 두 개의 서로 다른 파장길이를 갖도록 상기 파장길이를 제어하고, 적어도 두 개 이상의 파장을 교대로 갖도록 펄스화한 후 적어도 두 개의 초점(A, B)이 작업스테이지(10) 상의 웨이퍼(20)에 형성되도록 함으로써, 상기 초점(A, B)으로 레이저빔을 조사하여 상기 웨이퍼(20)를 절단한다.

이하, 도 2를 참조하여 상기 광섬유레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장 치에 대하여 구체적으로 살펴본다. 도 2는 본 발명의 광섬유레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치의 블록도이다.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 광섬유레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치(100)는 광원부(120), 파장제어부(140), 펄스발생부(160) 및 조사부(180)를 포함한다.

광원부(120)는 웨이퍼의 절단에 사용되는 레이저빔을 발생하는데, 특히 이테르븀(Ytterbium)을 포함하는 희토류원소가 첨가된 광섬유레이저를 포함한다. 이와 같이, 상기 광섬유레이저에 이테르븀(Ytterbium)과 같은 희토류원소가 첨가됨에 따라, 레이저발진 및 광증폭이 증대될 수 있으며, 파장길이를 제어하는데 용이한 레이저빔을 발생한다.

파장제어부(140)는 상기 광원부(120)에서 발생된 레이저빔을 각 펄스 주기에 두 개의 파장을 교대로 가지도록 적어도 두 개 이상의 서로 다른 파장길이를 제어한다. 이러한 파장제어부(140)는 상기 레이저빔의 파장길이를 제어함에 따라, 상기 레이저빔의 색상을 변경한다. 이러한 파장길이 제어방식은 색수차를 이용하여 사용되는데, 상기 색수차는 빛의 파장에 따른 굴절률의 차이에 의해 발생되는 수차를 나타내는데, 긴 파장의 빛일수록 렌즈를 통과한 뒤에 상기 빛의 초점이 렌즈로부터 먼 쪽으로 맺히기 때문에 발생되는 현상을 말한다.

펄스발생부(160)는 적어도 두 개 이상의 서로 다른 파장길이가 제어된 레이저빔이 각 펄스마다 교대로 상기 서로 다른 파장길이에 대응하는 주파수를 갖도록 펄스화한다.

조사부(180)는 서로 다른 파장길이를 갖는 레이저빔을 렌즈모듈을 통해 반도체 웨이퍼의 내부에 형성된 적어도 두 개의 초점으로 조사한다.

이하, 도 3을 이용하여, 본 발명의 광섬유레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치를 이용한 초점 거리에 대하여 자세히 살펴보도록 한다. 도 3은 상기 광섬유레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치를 이용한 초점 거리를 나타낸 도면이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 조사부(180)는 서로 다른 파장길이를 갖는 레이저빔을 렌즈모듈(182)로 전달하고, 상기 렌즈모듈(182)을 통과한 레이저빔은 서로 다른 길이를 갖는 파장에 의해 각각 다른 초점으로 조사된다. 예를 들어, 상기 레이저빔이 1,000nm의 파장길이와 1,100nm의 파장길이를 갖는 이테르븀이 첨가된 광섬유 레이저인 경우, 상기 레이저빔은 렌즈모듈(182)로 입력되어 웨이퍼의 내부로 조사된다. 이 때, 상기 레이저빔의 초점 거리는 파장길이가 비교적 긴 1,100nm의 경우, B지점에 레이저빔이 포커싱이 되고, 상대적으로 파장길이가 짧은 1,000nm 의 경우, A지점에 레이저빔이 포커싱된다. 이에 따라, 상대적으로 긴 파장의 레이저빔은 웨이퍼 내부 중 하부에 해당하는 B지점으로, 상대적으로 짧은 파장의 레이저빔은 웨이퍼 내부 중 상부에 해당하는 A지점으로 조사된다.

특히, 이테르븀이 첨가된 광섬유 레이저를 2차 하모닉 생성(2^nd harmonic generation)하는 경우에, 532 nm 대역에서 레이저빔을 얻을 수 있고 532 nm 주변에서 상술한 바와 같이 파장길이가 서로 다른 레이저빔을 이용해서 웨이퍼 내부 중 상부와 하부를 동시에 조사할 수 있다.

또한 이테르븀이 첨가된 광섬유 레이저를 3차 하모닉 생성(3^rd harmonic generation)하는 경우에, 355 nm 대역에서 레이저빔을 얻을 수 있고 355 nm 주변에서 상술한 바와 같이 파장길이가 서로 다른 레이저빔을 이용해서 웨이퍼 내부 중 상부와 하부를 동시에 조사할 수 있다.

결과적으로, 조사부(180)에서 조사되는 레이저빔이 상기 웨이퍼(20)의 내부 중 거리차를 두고 상부와 하부에 중 설정된 펄스 주기에 따라 조사되므로 , 상기 웨이퍼(20)가 일정 두께 이상 두꺼워 지더라도 상기 웨이퍼의 절단을 용이하게 할 수 있다. 이러한 상기 펄스주기는 1kHz 내지 1GHz 사이에서 사용자 설정에 의해 조정된 주기를 갖는다.

이하, 도 4를 이용하여 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광섬유레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 방법에 대하여 살펴보도록 한다. 도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광섬유레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 방법의 순서도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 광섬유레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 방법은 광섬유레이저로부터 발생된 레이저빔에 대하여, 상기 레이저빔이 각 펄스 주기에 적어도 두 개 이상의 서로 다른 파장길이를 교대로 가지도록 상기 파장길이를 제어한다(S210). 이 때, 상기 레이저빔은 적어도 두 개 이상의 서로 다른 파장길이를 갖도록 제어됨에 따라, 상기 레이저빔의 색상이 변경된다.

적어도 두 개 이상의 서로 다른 파장길이를 갖도록 상기 레이저빔을 제어한 한 후, 각 펄스마다 교대로 상기 서로 다른 파장길이에 대응하는 주파수를 갖도록 상기 레이저빔을 펄스화한다(S220).

이와 같이, 적어도 두 개의 서로 다른 파장길이를 갖도록 제어된 레이저빔을 각 펄스 마다 상기 서로 다른 파장길이에 대응하는 주파수를 교대로 갖도록 펄스화한다(S220).

이와 같이, 서로 다른 파장길이를 갖도록 제어된 레이저빔을 렌즈모듈을 통해 반도체 웨이퍼 내 적어도 두 개의 초점에 조사한다(S230). 이러한 레이저빔의 조사과정은 서로 다른 파장길이를 갖는 레이저빔 중 짧은 파장길이를 갖는 레이저빔의 제1초점 거리는 긴 파장길이를 갖는 레이저빔의 제2초점 거리보다 짧게 형성된다.

예를 들어, 파장길이가 1020nm 및 1120nm 이고, 입력지름이 10mm인 레이저빔이 렌즈모듈로 전달된다. 이 때 상기 렌즈모듈은 두께가 100mm이고, 직경이 2.54cm의 BK7glass가 사용된 경우, 상기 렌즈모듈로 전달되는 레이저빔 중 파장길이가 1020nm인 레이저빔의 초점 거리는 99.144287mm이다. 또한, 상기 렌즈모듈로 전달되는 레이저빔 중 파장길이가 1120nm인 레이저빔의 초점 거리는 99.405782mm이다. 이에 따라, 상기 파장길이가 100nm의 차이를 갖는 레이저빔이 렌즈모듈로 전달되는 경우, 서로 약 261um의 거리차를 갖는 제1초점과 제2초점이 반도체 웨이퍼 내부에 형성되는 것을 확인할 수 있다.

결과적으로, 렌즈모듈로 전달되는 레이저빔의 파장길이를 제어함에 따라, 색수차에 의해 반도체 웨이퍼 내부의 초점 위치가 달라지게 되는 것을 알 수 있다.

이와 같이, 반도체 웨이퍼 내부의 상부와 하부에 적어도 두 개의 서로 다른 초점이 형성되고, 본 발명의 광섬유레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치는 상기 반도체 웨이퍼의 상부면을 이동하면서 상기 서로 다른 초점으로 레이저빔을 조사함으로써, 상기 웨이퍼를 절단한다.

이에 따라, 본 발명의 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치는 반도체 소자가 형성된 반도체 웨이퍼에 적어도 두 개의 초점을 형성하여 상기 초점으로 레이저빔을 조사함으로써, 상기 반도체 웨이퍼의 두께가 두꺼워지더라도 용이하게 상기 웨이퍼를 절단할 수 있다.

이에 따라, 본 발명의 광섬유레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치는 브레이킹 공정으로 인해 웨이퍼의 절단부위에 파손으로 인해 발생되는 웨이퍼의 낭비를 줄일 수 있다.

이와 더불어, 본 발명의 광섬유레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치는 웨이퍼의 브레이킹 공정 시, 웨이퍼의 표면에 burr나 debris가 발생하지 않아 웨이퍼의 추가 손실을 막을 수 있다. 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 첨부된 특허청구범위 에 속하는 것은 당연하다.

도 1은 본 발명의 한 실시 예에 따른 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치의 개념도이다.

도 2는 상기 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치의 블록도이다.

도 3은 상기 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치를 이용한 초점거리를 나타낸 도면이다.

도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 방법의 순서도이다.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명***

120: 광원부 140: 파장제어부

160: 펄스발생부 180: 조사부

Claims

웨이퍼의 절단 시 사용되는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치에 있어서,

적어도 하나 이상의 레이저빔을 적어도 두 개 이상의 서로 다른 파장길이를 갖도록 펄스화시켜, 상기 웨이퍼에 전달되는 상기 레이저빔의 초점이 적어도 두 개 이상이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치.
제1항에 있어서,

상기 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치는

적어도 하나 이상의 레이저빔을 발생하는 광원부;

상기 레이저빔을 적어도 두 개 이상의 서로 다른 파장길이를 갖도록 상기 파장길이를 제어하는 파장제어부;

파장길이가 제어된 상기 레이저빔에 대하여 적어도 두 개 이상의 파장을 교대로 갖도록 펄스화하는 펄스발생부; 및

상기 서로 다른 파장길이를 갖는 레이저빔을 렌즈모듈을 통해 상기 반도체 웨이퍼에 조사하는 조사부;

를 포함하는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치.
제2항에 있어서,

상기 파장제어부는

상기 레이저빔의 파장길이를 제어하여 상기 레이저빔의 색상을 변경하는 것을 특징으로 하는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치.
제2항에 있어서,

상기 조사부는

상기 서로 다른 파장길이를 갖는 레이저빔 중 짧은 파장길이를 갖는 레이저빔의 제1초점 거리는 긴 파장길이를 갖는 레이저빔의 제2초점거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치.
제4항에 있어서,

상기 조사부는

상기 반도체 웨이퍼의 상부면을 이동하면서 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 형성된 적어도 두 개의 초점에 상기 레이저빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치.
제2항에 있어서,

상기 광원부는

이테르븀(Ytterbium)을 포함하는 희토류원소가 첨가된 광섬유레이저를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 장치.
웨이퍼의 절단 시 사용되는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 방법에 있어서,

레이저빔을 적어도 두 개 이상의 서로 다른 파장길이를 갖도록 상기 파장길이를 제어하는 파장제어단계;

서로 다른 파장길이를 갖는 상기 레이저빔에 대하여 적어도 두 개 이상의 파장을 교대로 갖도록 펄스화하는 펄스발생단계;

상기 서로 다른 파장길이를 갖는 레이저빔을 렌즈모듈을 통해 반도체 웨이퍼 내 적어도 두 개의 초점에 조사하는 조사단계;

를 포함하는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 방법.
제7항에 있어서,

상기 파장제어단계는

상기 레이저빔의 파장길이를 제어하여 상기 레이저빔의 색상을 변경하는 것을 특징으로 하는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 방법.
제7항에 있어서,

상기 조사단계는

상기 서로 다른 파장길이를 갖는 레이저빔 중 짧은 파장길이를 갖는 레이저빔의 제1초점 거리는 긴 파장길이를 갖는 레이저빔의 제2초점거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 방법.
제9항에 있어서,

상기 조사단계는

상기 반도체 웨이퍼의 상부면을 이동하면서 상기 반도체 웨이퍼의 내부로 적어도 두 개의 초점에 상기 레이저빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 광섬유 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 방법.