KR20110063156A - 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법과 이 방법으로 제조된 조명소자 - Google Patents

등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법과 이 방법으로 제조된 조명소자 Download PDF

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KR20110063156A
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Abstract

본 발명은 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법과 이 방법으로 제조된 조명소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법과 이 방법으로 제조된 조명소자는 기판 표면의 불순물과 이물질을 제거하는 기판세정단계; 상기 불순물과 이물질을 제거된 기판에 금속마스크를 부착하고, 그 위에 전도성금속물질을 증착하여 선택적으로 전도성금속물질이 제거된 애노드전극을 형성하는 애노드전극형성단계; 상기 애노드전극이 형성된 기판에 금속마스크를 부착하고, 그 위에 저분자유기물질을 증착하여 정공수송층과, 발광층과, 전자수송층을 차례로 형성하는 유기물증착단계; 상기 층들이 형성된 기판에 금속마스크를 부착하고, 그 위에 전도성금속물질을 증착하여 선택적으로 전도성물질이 제거된 캐소드전극을 형성하는 캐소드전극형성단계;를 포함하고, 조명소자가 이러한 방법으로 제조되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 공정을 간소화하고, 초기투자 비용 및 제조 원가를 절감할 수 있는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법과 이 방법으로 제조된 조명소자가 제공된다.
등기구, 유기발광다이오드, 기준휘도, 전력효율, 포토레지스트, 금속마스크

Description

등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법과 이 방법으로 제조된 조명소자{manufacturing method of OLED lighting element which is used in illuminating lamp, and OLED lighting element which is manufactured with this method}
본 발명은 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법과 이 방법으로 제조된 조명소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 금속마스크를 사용하여 선택적으로 증착함으로써, 공정을 간소화하고, 초기투자 비용 및 제조 원가를 절감하며, 저전압에서 구동되도록 할 수 있는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법과 이 방법으로 제조된 조명소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기발광다이오드(OLED, Organic Light Emitting Diodes)는 두께가 얇고, 고휘도의 구현이 가능하며, 인간에게 친숙한 자연광을 방출하는 발광소자로 사용되고 있다.
첨부 도면 도 1은 일반적인 유기발광다이오드를 도시한 단면도로써, 도 1을 참조하면, 유기발광다이오드는 기판 위에 애노드전극이 형성되고, 그 위에 정공수송층과 발광층과 전자수송층이 차례로 형성되고, 전자수송층 위에 캐소드전극이 형 성된다. 그리고 정공수송층과 발광층과 전자수송층을 카니스터(canister)를 이용하여 밀봉하게 된다. 이때, 카니스터는 점착제를 통해 캐소드전극까지 적층된 기판에 고정된다.
이러한 유기발광다이오드를 제조하기 위해 종래 기술에서는 포토레지스트 공정을 통해 애노드전극과 캐소드전극을 형성하게 된다. 이러한 포토레지스트 공정은 통상 기판 위에 ITO를 증착하고 포토레지스트를 코팅한 후 노광 및 에칭 공정을 거쳐 선택적으로 ITO막을 제거함으로써, 애노드전극과 캐소드전극을 형성하게 된다.
하지만, 종래 기술에 따른 제조 공정에서 보면, 애노드전극을 형성하기 위한 포토레지스 공정은 공정시간이 길고, 초기투자비용 및 제품의 원가를 상승시키는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 공정을 간소화하고, 초기투자 비용 및 제조 원가를 절감할 수 있는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법과 이 방법으로 제조된 조명소자를 제공함에 있다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법에 있어서, 기판 표면의 불순물과 이물질을 제거하는 기판세정단계; 상기 불순물과 이물질을 제거된 기판에 금속마스크를 부착하고, 그 위에 전도성금속물질을 증착하여 선택적으로 전도성금속물질이 제거된 애노드전극을 형성하는 애노드전극형성단계; 상기 애노드전극이 형성된 기판에 금속마스크를 부착하고, 그 위에 저분자유기물질을 증착하여 정공수송층과, 발광층과, 전자수송층을 차례로 형성하는 유기물증착단계; 상기 층들이 형성된 기판에 금속마스크를 부착하고, 그 위에 전도성금속물질을 증착하여 선택적으로 전도성물질이 제거된 캐소드전극을 형성하는 캐소드전극형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법에 의해 달성된다.
여기서 상기 캐소드전극이 형성된 기판에서 증착된 저분자유기물질의 주위에 점착제를 도포하고 캐니스터(canister)로 밀봉하는 밀봉단계;를 더 포함하도록 하는 것이 바람직하다.
여기서 상기 밀봉단계는 수분 5 ppm 이하로 유지되고, 진공이나 불활성 기체로 충진된 그로브박스 안에서 진행되도록 하는 것이 바람직하다.
여기서 상기 밀봉단계에서 밀봉된 조명소자의 캐니스터 내벽에는 건조제가 설치되도록 하는 것이 바람직하다.
여기서 상기 애노드전극형성단계를 거친 기판에 금속마스크를 부착하고, 그 위에 절연물질을 증착하여 상기 애노드전극과 연통되는 연통공이 형성된 절연층을 형성하는 절연층형성단계를 더 포함하고, 상기 절연층형성단계를 거친 기판에 상기 유기물증착단계를 진행하여 상기 연통공을 통해 상기 정공수송층과 상기 애노드전극이 결합되도록 하는 것이 바람직하다.
여기서 상기 유기물증착단계는 상기 애노드전극의 단부에 각각 정공수송층과 발광층과 전자수송층이 형성되도록 하는 금속마스크를 부착하여 저분자유기물질을 증착하도록 하는 것이 바람직하다.
여기서 상기 애노드전극형성단계와 상기 캐소드전극형성단계 중 적어도 어느 한 단계는 스퍼터(sputter)법으로 전도성금속물질을 기판에 직접 증착하도록 하는 것이 바람직하다.
여기서 상기 유기물증착단계는 열증착(thermal evaporation)법으로 상기 저분자유기물질을 기판에 직접 증착하도록 하는 것이 바람직하다.
여기서 상기 금속마스크가 부착되는 기판의 배면에는 자성체가 장착된 서셉터(susceptor)를 설치하도록 하는 것이 바람직하다.
여기서 각 단계에서 상기 금속마스크가 부착된 기판이 회전되면서 기판에 각 물질을 증착시키도록 하는 것이 바람직하다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 상술한 제조방법을 통해 제조된 등기구용 유기발광다이오드 조명소자에 의해 달성된다.
본 발명에 따르면, 공정을 간소화하고, 초기투자 비용 및 제조 원가를 절감할 수 있는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법과 이 방법으로 제조된 조명소자가 제공된다.
또한, 기준 휘도(1000 nit)에서의 구동전압하에서 조명소자의 전력효율을 상승시킬 수 있는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법과 이 방법으로 제조된 조명소자가 제공된다.
또한, 조명소자에 적층된 물질이 수분에 의해 오동작되는 것을 방지할 수 있는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법과 이 방법으로 제조된 조명소자가 제공된다.
또한, 각 단계별로 사용되는 금속마스크가 안정되게 부착되고, 각 단계별로 물질이 균일하게 증착되도록 할 수 있는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법과 이 방법으로 제조된 조명소자가 제공된다.
설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1실시예와 다른 구성에 대해서 설명하기로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법에 대하여 상세하게 설명한다.
첨부 도면 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 조명소자의 제조공정을 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따라 제조된 유기발광다이오드 조명소자를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2와 도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 유기발광다이오드 조명소자의 제조공정은 기판세정단계와 애노드전극형성단계와 유기물증착단계와 캐소드전극형성단계를 포함하고, 밀봉단계가 추가로 포함된다.
기판세정단계는 공급된 기판(1) 표면의 불순물과 이물질을 제거한다. 여기서 기판(1)은 등기구용으로 사용되는 유기발광다이오드의 기판(1)으로 대면적으로 구성될 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 기판(1)을 울트라소닉에 세정제(detergent)를 5% 희석하여 30분 가량 세정 후 17MΩ 이상의 순도에서 세척한 한 후 100도의 오븐에서 건조되도록 하였다. 여기서 건조된 기판(1)의 세정 정도를 검사하는 공정이 포함될 수 있다.
기판세정단계를 거친 기판(1)은 자성체가 장착된 서셉터(susceptor, 미도시)에 설치되도록 한다. 여기서 자성체는 전기석, 전자석, 영구자석 중 어느 하나로 구성될 수 있다.
애노드전극형성단계는 기판세정단계를 거쳐 불순물과 이물질이 제거된 기판(1)에 금속마스크(미도시)를 부착하고, 그 위에 전도성금속물질을 증착하여 선택 적으로 전도성금속물질이 제거된 애노드전극(2)을 형성한다. 본 발명의 실시예에서는 기판세정단계를 거친 기판(1)에 금속마스크를 부착하고 스퍼터(sputter)법을 사용하여 기판(1)에 전도성금속물질이 직접 증착되도록 하였다. 증착이 완료된 후 부착된 금속마스크를 제거함으로써, 선택적으로 전도성금속물질이 제거된 애노드전극(2)을 형성하게 된다. 전도성금속물질은 유기발광다이오드의 제조에 사용되는 증착 가능한 물질로써, 전도성금속물질의 성분을 한정하지 않는다.
여기서 기판(1)은 서셉터(susceptor, 미도시)에 설치되어 있으므로, 자성체에 의해 애노드전극(2)을 형성하려는 면에 금속마스크를 안정되게 고정시킬 수 있다. 또한, 기판(1) 표면을 플라즈마 처리 후 기판 온도를 높여서 전도성금속물질을 증착함으로써, 막질의 치밀성을 향상시킬 수 있다.
유기물증착단계는 애노드전극형성단계를 거쳐 애노드전극(2)이 형성된 기판(1)에 금속마스크를 부착하고, 그 위에 각각의 저분자유기물질을 증착하여 활성층(4)을 형성한다. 활성층(4)은 정공수송층(41)과, 발광층(42)과, 전자수송층(43)이 차례로 적층된 형태로 형성된다. 본 발명의 실시예에서는 애노드전극(2)이 형성된 기판(1)에 금속마스크를 부착하고, 열증착(thermal evaporation)법을 사용하여 기판(1)에 저분자유기물질이 직접 증착되도록 하였다. 증착이 완료된 후 부착된 금속마스크를 제거함으로써, 애노드전극(2)이 형성된 기판(1) 위에 각각의 저분자유기물질이 증착되어 정공수송층(41)과 발광층(42)과 전자수송층(43)을 차례로 형성하게 된다. 각각의 층에 대응되는 저분자유기물질은 유기발광다이오드의 제조에 사 용되는 증착 가능한 물질로써, 저분자금속물질의 성분을 한정하지 않는다.
여기서 기판(1)은 서셉터(susceptor, 미도시)에 설치되어 있으므로, 자성체에 의해 저분자유기물질을 증착하려는 면에 금속마스크를 안정되게 고정시킬 수 있다.
캐소드전극형성단계는 유기물증착단계를 거쳐 활성층(4)인 정공수송층(41)과 발광층(42)과 전자수송층(43)이 형성된 기판(1)에 금속마스크를 부착하고, 그 위에 전도성금속물질을 증착하여 선택적으로 전도성물질이 제거된 캐소드전극(5)을 형성한다. 본 발명의 실시예에서는 유기물증착단계를 거쳐 정공수송층(41)과 발광층(42)과 전자수송층(43)이 형성된 기판(1)에 금속마스크를 부착하고 스퍼터(sputter)법을 사용하여 기판(1)에 전도성금속물질이 직접 증착되도록 하였다. 증착이 완료된 후 부착된 금속마스크를 제거함으로써, 선택적으로 전도성금속물질이 제거된 캐소드전극(5)을 형성하게 된다. 여기서 형성된 캐소드전극(5)은 먼저 형성된 애노드전극(2) 중 일부와 연결되어 인가된 전원이 각 전극에 인가될 수 있게 된다. 전도성금속물질은 유기발광다이오드의 제조에 사용되는 증착 가능한 물질로써, 전도성금속물질의 성분을 한정하지 않는다.
여기서 기판(1)은 서셉터(susceptor, 미도시)에 설치되어 있으므로, 자성체에 의해 캐소드전극(5)을 형성하려는 면에 금속마스크를 안정되게 고정시킬 수 있다.
상술한 각 단계에서 금속마스크를 부착하고 증착할 때에는 금속마스크가 부착된 기판(1)을 회전시킴으로써, 증착되는 물질의 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상술한 스퍼터(sputter)법을 사용하는 각각의 전극형성단계에서는 기판(1)의 하부에 금속마스크를 부착하고, 전도성금속물질이 스퍼터(sputter)법에 의해 상승하여 기판(1)에 증착됨으로써, 증착되는 물질의 균일성을 향상시킬 수 있다.
상술한 금속마스크는 도시되지 않았지만, 각 물질의 증착 구조에 따라 변형된 형태를 갖는다. 그리고 상술한 금속마스크는 각 단계별로 교체되어 부착되도록 할 수 있다.
밀봉단계는 캐소드전극형성단계를 거쳐 캐소드전극(5)이 형성된 기판(1)에서 증착된 저분자유기물질의 주위에 점착제(61)를 도포하고 캐니스터(canister, 6)로 밀봉한다. 상술한 공정을 통해 증착이 완료된 유기발광다이오드 조명소자는 수분이나 산소에 매우 취약한 문제점으로 인해 진공이나 불활성 기체 내에서 밀봉단계를 수행함으로써, 신뢰성과 수명을 향상시킬 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 수분 5 ppm 이하로 유지되는 그로브박스(미도시) 안에서 밀봉단계가 수행되도록 하였다. 그로브박스(미도시) 안은 진공 상태로 형성되거나 불활성 기체로 충진될 수 있다. 여기서 밀봉된 조명소자의 캐니스터(6) 내벽에는 건조제(62)를 설치하여 밀봉함으로서, 밀봉단계를 거쳐 밀봉된 조명소자 내부의 잔존 수분을 제거할 수 있다.
상술한 제조공정을 통해 제조된 등기구용 유기발광다이오드 조명소자는 도 3 에 도시된 바와 같이 각 적층물의 모서리 부분에 잔존물이 형성될 수 있으나, 등기구용으로의 사용에는 영향을 미치지 않는다. 그리고 상술한 서셉터(susceptor, 미도시)와 같은 구성과 상술한 기판(1)의 회전 등에 의해 각 적층물의 모서리부분에서 잔존물이 형성되는 것을 억제 또는 제한할 수 있다.
다음으로 본 발명의 제2실시예에 따른 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법에 대하여 설명한다.
첨부 도면 도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 조명소자의 제조공정을 도시한 도면으로서, 도 4를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조공정은 상술한 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 조명소자의 제조공정과 같은 기판세정단계와 애노드전극형성단계와 유기물증착단계와 캐소드전극형성단계를 포함하고, 밀봉단계가 추가로 포함된다. 본 발명의 제2실시예에서는 상술한 본 발명의 제1실시예와 동일한 제조공정을 거치게 된다. 다만, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기물증착단계에서는 애노드전극(2)의 단부에 각각 저분자유기물질이 증착되도록 금속마스크를 형성하여 기판(1)에 부착하는 것에서 차이가 있다.
다음으로 본 발명의 제3실시예에 따른 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법에 대하여 설명한다.
첨부 도면 도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 유기발광다이오드 조명소자의 제조공정을 도시한 도면으로서, 도 5를 참조하면, 본 발명의 제3실시예에 따른 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조공정은 상술한 본 발명의 제1실시예 또는 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 조명소자의 제조공정과 같은 기판세정단계와 애노드전극형성단계와 유기물증착단계와 캐소드전극형성단계를 포함하고, 밀봉단계가 추가로 포함된다.
본 발명의 제3실시예에서는 상술한 본 발명의 제1실시예 또는 제2실시예와 동일한 제조공정을 거치게 된다. 다만, 본 발명의 제3실시예에 따른 제조공정에서는 애노드전극형성단계를 거친 기판(1)에 절연층(3)이 더 형성되도록 하는 절연층형성단계를 더 포함하고, 절연층(3)이 형성된 기판(1)에 유기물증착단계와 캐소드전극형성단계와 밀봉단계를 차례로 거치게 된다. 본 발명의 실시예에서 절연층형성단계는 애노드전극형성단계를 거친 기판(1)에 금속마스크를 부착하고, 스퍼터(sputter)법 또는 열증착(thermal evaporation)법을 사용하여 기판(1)에 절연물질이 직접 증착되도록 하였다. 증착이 완료된 후 부착된 금속마스크를 제거함으로서, 선택적으로 절연물질이 제거되어 연통공(31)이 형성된 절연층(3)을 형성하게 된다. 절연층(3)에 형성된 연통공(31)은 유기물증착단계에서 증착되는 정공수송층(41)이 애노드전극(2)과 연결(결합)될 수 있도록 한다. 절연물질은 유기발광다이오드의 제조에 사용되는 증착 가능한 물질로써,절연물질의 성분을 한정하지 않는다.
상술한 본 발명의 제조방법에서 알 수 있듯이 각 단계별로 금속마스크를 사 용하여 각 층을 형성하므로, 진공을 깨지 않고 각 단계별 이동이 가능하도록 할 수 있게 되어 전체 공정을 인라인화하고, 제품의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
지금부터 상술한 제조방법으로 제조된 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 특성을 살펴본다. 첨부 도면 도 6은 전압과 휘도의 관계를 도시한 그래프이고, 도 7은 전압과 전력효율의 관계를 도시한 그래프이다.
도 6을 참조하면, 종래 기술에 따른 유기발광다이오드 조명소자는 애노드전극과 캐소드전극이 포토레지스트 공정을 통해 제조된 유기발광다이오드 조명소자이다. 본 발명과 같은 유기발광다이오드 조명소자는 모든 제조공정에서 포토레지스트 공정이 없는 금속마스크에 의한 직접 증착을 통해 형성된 유기발광다이오드 조명소자이다. 종래 기술에 따른 유기발광다이오드 조명소자는 대략 7.5 V의 구동전압에서 일반적인 등기구의 기준휘도(1000 nit)와 같은 1000 nit 의 휘도를 나타내고, 본 발명과 같은 유기발광다이오드 조명소자는 대략 8 V의 구동전압에서 일반적인 등기구의 기준휘도(1000 nit)와 같은 1000 nit 의 휘도를 나타낸다.
도 7을 참조하면, 종래 기술에 따른 유기발광다이오드 조명소자는 10 V 내지 13 V 의 구동전압에서 대략 0.3 lm/W 의 최대전력효율을 나타내지만, 본 발명과 같은 유기발광다이오드 조명소자는 6 V 내지 10 V 의 구동전압에서 대략 1.5 lm/W 이상의 최대전력효율을 나타내고 있다.
결국, 도 6에 도시된 바와 같이 일반적인 등기구의 기준휘도(1000 nit)에서 본 발명에 따라 제조된 등기구용 유기발광다이오드 조명소자는 구동전압이 대략 8 V 로 종래 기술에 따른 유기발광다이오드 조명소자의 구동전압인 대략 7.5 V 와 구동전압의 차이는 미비하지만, 도 7에 도시된 바와 같이 상술한 구동전압이 포함되는 6 V 내지 10 V 의 구동전압에서 전력효율을 살펴보면, 본 발명에 따라 제조된 등기구용 유기발광다이오드 조명소자가 종래 기술에 따른 유기발광다이오드 조명소자에 비해 월등히 높은 전력효율을 나타내고 있다. 다시 말해, 일반적인 등기구의 기준휘도(1000 nit)에 충족되는 구동전압에서 본 발명의 등기구용 유기발광다이오드 조명소자는 종래보다 월등히 향상된 전력효율을 가지게 되는 것이다.
또한, 상술한 바와 같이 등기구용 유기발광다이오드 조명소자를 제조함에 있어서, 포토레지스트 공정이 없이 금속마스크를 이용하여 각 물질을 기판(1)에 직접 증착하므로, 공정을 단순화하고, 전체 공정 시간을 단축시키며, 초기투자 비용 및 제조 원가를 절감할 수 있다. 또한, 등기구용으로 제조된 본 발명의 유기발광다이오드 조명소자는 저가이고 대면적으로 양산할 수 있게 되어 기존의 형광램프와 가격 경쟁력을 가질 수 있을 것이다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.
도 1은 일반적인 유기발광다이오드를 도시한 단면도,
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 조명소자의 제조공정을 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따라 제조된 유기발광다이오드 조명소자를 개략적으로 도시한 도면,
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 조명소자의 제조공정을 도시한 도면,
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 유기발광다이오드 조명소자의 제조공정을 도시한 도면,
도 6은 전압과 휘도의 관계를 도시한 그래프,
도 7은 전압과 전력효율의 관계를 도시한 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 기판 2: 애노드전극 3: 절연층
31: 연통공 4: 활성층 41: 정공수송층
42: 발광층 43: 전자수송층 5: 캐소드전극
6: 캐니스터 61: 점착제 62: 건조제

Claims (11)

  1. 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법에 있어서,
    기판 표면의 불순물과 이물질을 제거하는 기판세정단계;
    상기 불순물과 이물질을 제거된 기판에 금속마스크를 부착하고, 그 위에 전도성금속물질을 증착하여 선택적으로 전도성금속물질이 제거된 애노드전극을 형성하는 애노드전극형성단계;
    상기 애노드전극이 형성된 기판에 금속마스크를 부착하고, 그 위에 저분자유기물질을 증착하여 정공수송층과, 발광층과, 전자수송층을 차례로 형성하는 유기물증착단계;
    상기 층들이 형성된 기판에 금속마스크를 부착하고, 그 위에 전도성금속물질을 증착하여 선택적으로 전도성물질이 제거된 캐소드전극을 형성하는 캐소드전극형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 캐소드전극이 형성된 기판에서 증착된 저분자유기물질의 주위에 점착제를 도포하고 캐니스터로 밀봉하는 밀봉단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 밀봉단계는 수분 5 ppm 이하로 유지되고, 진공이나 불활성 기체로 충진된 그로브박스 안에서 진행되는 것을 특징으로 하는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 밀봉단계에서 밀봉된 조명소자의 캐니스터 내벽에는 건조제가 설치된 것을 특징으로 하는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 애노드전극형성단계를 거친 기판에 금속마스크를 부착하고, 그 위에 절연물질을 증착하여 상기 애노드전극과 연통되는 연통공이 형성된 절연층을 형성하는 절연층형성단계를 더 포함하고,
    상기 절연층형성단계를 거친 기판에 상기 유기물증착단계를 진행하여 상기 연통공을 통해 상기 정공수송층과 상기 애노드전극이 결합되도록 하는 것을 특징으로 하는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기물증착단계는 상기 애노드전극의 단부에 각각 정공수송층과 발광층과 전자수송층이 형성되도록 하는 금속마스크를 부착하여 저분자유기물질을 증착하 는 것을 특징으로 하는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 애노드전극형성단계와 상기 캐소드전극형성단계 중 적어도 어느 한 단계는 스퍼터(sputter)법으로 전도성금속물질을 기판에 직접 증착하는 것을 특징으로 하는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기물증착단계는 열증착(thermal evaporation)법으로 상기 저분자유기물질을 기판에 직접 증착하는 것을 특징으로 하는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속마스크가 부착되는 기판의 배면에는 자성체가 장착된 서셉터(susceptor)를 설치하는 것을 특징으로 하는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법.
  10. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    각 단계에서 상기 금속마스크가 부착된 기판이 회전되면서 기판에 각 물질을 증착시키는 것을 특징으로 하는 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법.
  11. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 제조방법으로 제조된 등기구용 유기발광다이오드 조명소자.
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