KR20110058534A - 가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버 - Google Patents

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Abstract

가스 분사판의 변형 및 파손을 방지할 수 있는 가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버가 개시되어 있다. 가스분사장치는 가스 유입구가 형성된 지지판, 가스 분사판, 다수의 연결 블록들 및 차단막을 포함한다. 가스 분사판은 지지판으로부터 일정 거리 이격되게 배치되며, 가스 유입구를 통해 유입된 가스를 피처리 기판 방향으로 분사하기 위한 다수의 가스 분사홀들을 포함한다. 연결 블록들은 가스 분사판의 가장자리를 따라 서로 이격되게 배치되며, 일단부는 가스 분사판에 결합 고정되고 타단부는 가스 분사판의 열변형에 따라 유동되도록 지지판에 의해 지지된다. 차단막은 가스 분사판의 가장자리를 따라 상기 연결 블록들 사이에 형성되어 지지판과 가스 분사판 사이의 공간을 밀폐시킨다. 따라서, 가스 분사판의 열 변형에 따른 파손을 방지하고 증착 균일성을 향상시킬 수 있다.

Description

가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버{GAS DISTRIBUTION APPARATUS AND PROCESS CHAMBER HAVING THE SAME}
본 발명은 가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 대면적의 피처리 기판 상에 공정 가스를 균일하게 분사하는 가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치, 태양전지 등의 제품을 제조함에 있어서는 유리 기판 등의 피처리 기판 상에 여러 종류의 박막을 증착하는 공정과 증착된 박막을 식각하는 공정 등의 다양한 제조 공정을 거쳐야 하며, 이러한 공정들은 해당 공정의 진행에 최적의 조건을 제공하는 기판처리장치에서 이루어진다. 특히, 피처리 기판 상에 박막을 형성하는 공정은 플라즈마를 이용한 화학기상증착(Camical Vapor Deposition : CVD) 장치를 통해 주로 이루어진다.
통상적으로, CVD 장치는 공정 챔버의 내부 공간에 형성되어 피처리 기판을 지지 및 가열하기 위한 기판 지지부 및 기판 지지부의 상부에 형성되어 피처리 기판을 향해 공정 가스를 분사하는 가스분사장치를 포함한다. 가스분사장치는 가스 주입구가 형성된 지지판과, 지지판과 일정 거리 이격되도록 지지판에 결합되고 가 스의 분사를 위해 다수의 분사홀들이 형성된 가스 분사판을 포함한다. 지지판에 형성된 가스 유입구를 통해 유입된 가스는 지지판과 가스 분사판 사이의 공간에서 확산된 후, 가스 분사판의 분사홀들을 통해 피처리 기판으로 균일하게 분사된다.
한편, 박막증착의 효율을 향상시키기 위해 약 200℃ 이상의 고온 하에서 공정이 진행되므로, 공정 중에 가스 분사판 역시 가열되어 온도가 상승하게 된다. 지지판이나 챔버 몸체에 고정되어 있는 가스 분사판이 가열되면 열 팽착 및 수축에 의해 가스 분사판의 열 변형이 발생되는 문제가 있다. 특히, 피처리 기판의 대형화에 따라 가스 분사판 역시 대형으로 제작되기 때문에, 대형 가스 분사판의 경우 열에 의한 변형이 심해져 증착되는 박막의 두께 균일성을 떨어뜨릴 수 있으며, 심할 경우 가스 분사판이 찌져지는 등의 문제가 발생된다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명은 가스 분사판의 열 변형에 따른 파손을 방지하고 증착 균일성을 향상시킬 수 있는 가스분사장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기한 가스분사장치를 갖는 공정 챔버를 제공한다.
본 발명의 일 특징에 따른 가스분사장치는 가스 유입구가 형성된 지지판, 가스 분사판, 다수의 연결 블록들 및 차단막을 포함한다. 상기 가스 분사판은 상기 지지판으로부터 일정 거리 이격되게 배치되며, 상기 가스 유입구를 통해 유입된 가스를 피처리 기판 방향으로 분사하기 위한 다수의 가스 분사홀들을 포함한다. 상기 연결 블록들은 상기 가스 분사판의 가장자리를 따라 서로 이격되게 배치되며, 일단부는 상기 가스 분사판에 결합 고정되고 타단부는 상기 가스 분사판의 열변형에 따라 유동되도록 상기 지지판에 의해 지지된다. 상기 차단막은 상기 가스 분사판의 가장자리를 따라 상기 연결 블록들 사이에 형성되어 상기 지지판과 상기 가스 분사판 사이의 공간을 밀폐시킨다.
상기 지지판의 측면에는 내측으로 오목하게 홈부가 형성되며, 상기 연결 블록의 타단부에는 측면으로부터 돌출되어 상기 지지판에 의해 유동 가능하게 지지되도록 상기 홈부에 삽입되는 삽입부가 형성된다.
상기 연결 블록은 상기 삽입부가 형성된 측면의 수직한 측면에 형성되어 상 기 차단막의 단부가 삽입되는 결합홈을 포함할 수 있다.
상기 연결 블록과 상기 지지판 중 어느 하나에는 상기 지지판에 상기 삽입부가 지지되는 부분에 열팽창 방향을 규제하기 위한 방향규제 돌기가 형성되며, 상기 연결 블록과 상기 지지판 중 다른 하나에는 상기 방향규제 돌기가 삽입되는 방향규제 홈이 형성된다. 일 예로, 상기 방향규제 돌기는 상기 연결 블록의 상기 삽입부로부터 상기 일단부 방향으로 돌출되게 형성된다. 상기 방향규제 돌기가 형성된 상기 연결 블록은 상기 지지판의 4변 각각에 적어도 하나가 배치된다.
상기 연결 블록의 삽입부와 상기 지지판의 홈부 사이에는 마찰을 감소시키는 슬라이딩 패드가 형성될 수 있다.
상기 가스분사장치는 고주파 전원이 인가되는 상기 지지판과 상기 연결 블록을 전기적으로 연결하는 도전 부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버는 챔버 몸체, 상기 챔버 몸체의 내부에 설치되어 피처리 기판을 지지하는 기판 지지부 및 상기 챔버 몸체의 내부에 상기 기판 지지부와 대향하게 설치되어 상기 피처리 기판 방향으로 가스를 분사하는 가스분사장치를 포함한다. 상기 가스분사장치는 가스 유입구가 형성된 지지판, 가스 분사판, 다수의 연결 블록들 및 차단막을 포함한다. 상기 가스 분사판은 상기 지지판으로부터 일정 거리 이격되게 배치되며, 상기 가스 유입구를 통해 유입된 가스를 피처리 기판 방향으로 분사하기 위한 다수의 가스 분사홀들을 포함한다. 상기 연결 블록들은 상기 가스 분사판의 가장자리를 따라 서로 이격되게 배치되며, 일단부는 상기 가스 분사판에 결합 고정되고 타단부는 상기 가스 분사판의 열변형 에 따라 유동되도록 상기 지지판의 측면에 형성된 홈부에 삽입되어 지지된다. 상기 차단막은 상기 가스 분사판의 가장자리를 따라 상기 연결 블록들 사이에 형성되어 상기 지지판과 상기 가스 분사판 사이의 공간을 밀폐시킨다.
상기 연결 블록과 상기 지지판 중 어느 하나에는 상기 지지판에 상기 연결 블록이 지지되는 부분에 열팽창 방향을 규제하기 위한 방향규제 돌기가 형성되며, 상기 연결 블록과 상기 지지판 중 다른 하나에는 상기 방향규제 돌기가 삽입되는 방향규제 홈이 형성된다.
이와 같은 가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버에 따르면, 가스 분사판의 열 팽창에 따라 자유롭게 유동되도록 가스 분사판에 결합된 연결 블록들을 통해 지지판에 매달아 줌으로써, 가스 분사판의 변형에 따른 파손을 방지하고, 가스 분사판과 피처리 기판간의 간격을 일정하게 유지하여 증착 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 가스 분사판의 열 팽창이 균일한 방향으로 일어날 수 있도록 방향성을 부여함으로써, 가스 분사판의 두께 방향으로의 열 변형을 최소화시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 상술한 본 발명의 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명은 하기의 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 보다 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 기술적 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공된다. 도면들에 있어서, 각 장치 또는 막(층) 및 영역들의 두께는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 과장되게 도시되었으며, 또한 각 장치는 본 명세서에서 설명되지 아니한 다양한 부가 장치들을 구비할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버를 개략적으로 나타낸 도면이며, 도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 확대도이며, 도 3은 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 가스분사장치의 단면도이다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버(100)는 챔버 몸체(110), 챔버 몸체(110)의 내부에 설치되어 피처리 기판(122)을 지지하는 기판 지지부(120) 및 챔버 몸체(110)의 내부에 기판 지지부(120)와 대향하게 설치되어 피처리 기판(122) 방향으로 가스를 분사하는 가스분사장치(200)를 포함한다.
챔버 몸체(110)는 하부 몸체부(112) 및 하부 몸체부(112)의 상부에 개폐가능하게 결합되는 상부 몸체부(114)를 포함할 수 있다. 하부 몸체부(112)와 상부 몸체부(114)의 결합에 의해 챔버 몸체(110)의 내부에는 피처리 기판(122)에 대한 공정을 수행할 수 있는 공간이 마련된다. 챔버 몸체(110)의 바닥에는 챔버 몸 체(110)의 내부 공간을 진공으로 만들기 위한 배기구(116)가 형성된다.
기판 지지부(120)는 피처리 기판(122)을 지지하기 위한 것으로서, 챔버 몸체(110) 내부의 하부 공간에 설치된다. 기판 지지부(120)의 내부에는 공정 조건에 따라 피처리 기판(122)을 가열하기 위한 히터(미도시)가 형성될 수 있다.
가스분사장치(200)는 챔버 몸체(110) 내부의 상부 공간에 기판 지지부(120)와 대향하게 설치되어, 피처리 기판(122)을 향해 공정 가스를 균일하게 분사한다.
가스분사장치(200)는 지지판(210), 지지판(210)과 일정 거리 이격되게 배치된 가스 분사판(220), 지지판(210)과 가스 분사판(220)을 연결하는 다수의 연결 블록들(230) 및 연결 블록들(230) 사이에 배치된 차단막(240)을 포함한다.
지지판(210)은 챔버 몸체(110)의 상부 몸체부(114)에 고정되게 설치되어 챔버 몸체(110)의 내부 공간을 밀폐시킨다. 지지판(210)은 가스분사장치(200)와 기판 지지부(120) 사이의 공간에 플라즈마를 발생시키기 위한 전극의 기능을 가질 수 있다. 이를 위해, 지지판(210)은 전기 전도성을 갖는 알루미늄 등의 금속 재질로 형성되며, 지지판(210)에는 플라즈마의 발생을 위한 고주파 전원(RF 전원)이 인가된다. 금속으로 이루어진 지지판(210)과 상부 몸체부(114) 사이에는 전기적 절연을 위한 절연체(270)가 형성된다. 지지판(210)의 특정 영역 예를 들어, 중앙 부분에는 반응 가스, 원료 가스 등의 박막 증착에 필요한 공정 가스가 유입되는 적어도 하나의 가스 유입구(212)가 형성된다.
한편, 지지판(210)의 측면에는 연결 블록들(230)과의 연결을 위한 홈부(214)가 형성되어 있다. 홈부(214)는 지지판(210)의 모든 측면을 둘러싸게 형성되거나, 또는 연결 블록들(230)이 배치되는 영역에만 한정적으로 형성될 수 있다.
가스 분사판(220)은 지지판(210)의 하부에 일정 거리 이격되게 배치된다. 가스 분사판(220)은 가스 유입구(212)를 통해 유입된 가스를 피처리 기판(122) 방향으로 분사하기 위한 다수의 가스 분사홀들(222)을 포함한다. 가스 분사홀들(222)은 가스 분사판(220)의 전체 면적에 걸쳐 균일한 밀도로 형성되어 피처리 기판(122)으로 분사되는 가스의 양이 전체 영역에 걸쳐 일정하게 되도록 구성될 수 있다. 가스 분사판(220)은 전기 전도성을 갖는 알루미늄 등의 금속 재질로 형성될 수 있다. 가스 분사판(220)은 연결 블록들(230)과 전기적으로 연결되어 있으므로, 지지판(210)에 인가된 고주파 전원은 연결 블록들(230)을 통해 가스 분사판(220)에도 인가될 수 있다.
가스 분사판(220)은 연결 블록들(230)과의 결합을 통해 지지판(210)의 하부에 배치된다. 연결 블록들(230)은 가스 분사판(220) 및 지지판(210)의 가장자리를 따라 서로 이격되게 배치된다. 예를 들어, 지지판(210) 및 가스 분사판(220)이 사각형 형상을 가질 경우, 연결 블록들(230)은 가스 분사판(220)의 각 변에 대응하여 적어도 하나 이상이 배치된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 연결 블록을 구체적으로 나타낸 사시도이다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 연결 블록(230)은 가스 분사판(220) 측에 위치하는 일단부(232) 및 지지판(210) 측에 위치하는 타단부(234)를 포함한다. 연결 블록(230)의 일단부(232)는 나사 등의 결합 수단을 통해 가스 분사판(220)에 결합 고 정된다. 이를 위해, 연결 블록(230)의 일단부(232)에는 가스 분사판(220)과의 나사 결합을 위한 적어도 하나의 제1 결합공(233)이 형성될 수 있다.
연결 블록(230)의 타단부(234)는 가스 분사판(220)의 열변형에 따라 유동되도록 지지판(210)에 의해 지지된다. 이를 위해, 연결 블록(230)의 타단부(234)에는 측면으로부터 돌출되어 지지판(210)에 의해 유동 가능하게 지지되도록 지지판(210)의 홈부(214)에 삽입되는 삽입부(236)가 형성된다. 이에 따라, 연결 블록(230)은 실질적으로 "ㄱ"자의 형상을 갖는다. 연결 블록(230)의 타단부(234)에 형성된 삽입부(236)는 지지판(210)의 홈부(214)에 삽입되어 지지판(210)에 의해 지지될 뿐, 별도의 결합 수단에 의해 고정되지 않는다. 따라서, 연결 블록(230)은 가스 분사판(220)의 열팽창에 따라 평면 방향으로 자유롭게 유동될 수 있다.
한편, 가스분사장치(200)는 도 1에 도시된 바와 같이, 연결 블록(230)의 삽입부(236)와 지지판(210)의 홈부(214) 사이에 형성된 슬라이딩 패드(250)를 더 포함할 수 있다. 슬라이딩 패드(250)는 연결 블록(230)과 지지판(210) 사이의 마찰력을 감소시켜, 연결 블록(230)이 열 팽창에 의해 늘어날 경우, 자유롭게 슬라이딩될 수 있도록 돕는다.
이와 같이, 연결 블록들(230)의 일단부(232)를 가스 분사판(220)에 고정시킨 상태에서 타단부(234)를 유동 가능하게 지지판(210)에 매달아 두게 되면, 가스 분사판(220)의 열 팽창이 발생되어도 연결 블록들(230)의 슬라이딩을 통해 가스 분사판(220)의 변형을 최소화시킬 수 있다. 이에 따라, 가스 분사판(220)의 파손을 방지하고, 가스 분사판(220)과 피처리 기판(122)간의 간격을 일정하게 유지하여 증착 균일성을 향상시킬 수 있다.
한편, 연결 블록(230)은 차단막(240)과의 연결을 위한 결합홈(235)을 포함할 수 있다. 결합홈(235)은 삽입부(236)가 형성된 측면의 수직한 양측면에 형성되며, 결합홈(235)에는 차단막(240)의 단부가 삽입되어 결합된다. 또한, 연결 블록(230)은 삽입부(236)가 형성된 측면에 형성된 제2 결합공(237)을 포함할 수 있다. 제2 결합공(237)은 이후에 설명된 도전 부재(260, 도 6에 도시됨)와의 결합을 위한 것이다.
도 5는 도 3에 도시된 연결 블록과 차단막을 구체적으로 나타낸 도면이며, 도 6은 도 5의 B 부분을 확대한 확대도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 차단막(240)은 가스 분사판(220)의 가장자리를 따라 연결 블록들(230) 사이에 형성되어 가스 분사판(220)과 지지판(210) 사이의 공간을 밀폐시킨다. 차단막(240)은 가스 분사판(220)과 지지판(210) 사이의 공간을 밀폐시키기 위하여 실질적으로 연결 블록(230)과 동일한 높이로 형성되며, 상면은 지지판(210)에 밀착되며, 하면은 가스 분사판(220)에 밀착된다.
이와 같이, 연결 블록들(230) 및 차단막(240)을 통해 지지판(210)과 가스 분사판(220) 사이의 가장자리를 둘러싸면, 지지판(210)과 가스 분사판(220) 사이에는 가스 확산을 위한 밀폐된 공간이 마련된다. 이에 따라, 가스 유입구(212)를 통해 유입된 공정 가스는 지지판(210)과 가스 분사판(220) 사이의 공간에서 전 영역으로 확산된 후 가스 분사판(220)을 통해 피처리 기판(122)으로 균일하게 분사된다.
한편, 연결 블록(230)의 결합홈(235)과 차단막(240)의 단부가 결합되는 부분 에는 어느 정도의 유격이 존재하므로, 차단막(240)이 열 팽창하여도 특별한 변형없이 자유롭게 늘어날 수 있다.
연결 블록들(230)은 지지판(210) 및 가스 분사판(220)과 마찬가지로, 전기 전도성을 갖는 알루미늄 등의 금속 재질로 형성될 수 있다. 이에 따라, 지지판(210)에 인가된 고주파 전원은 연결 블록들(230)을 통해 가스 분사판(220)에 인가된다. 그러나, 연결 블록들(230)이 가스 분사판(220)과는 완전히 전기적으로 연결되는 반면, 지지판(210)에는 단순히 얹어져 지지되고 그 사이에 슬라이딩 부재(250) 등이 배치될 수 있으므로, 지지판(210)과 연결 블록들(230) 간의 전기적 연결이 불안할 수 있다. 따라서, 가스분사장치(200)는 지지판(210)과 연결 블록들(230) 간의 안전한 전기적 연결을 위해 도전 부재(260)를 더 포함할 수 있다.
도전 부재(260)는 전기 전도성을 갖는 금속 재질로 이루어지고, 얇은 판 형상으로 형성되어 지지판(210)과 연결 블록(230)을 전기적으로 연결한다. 예를 들어, 도전 부재(260)의 일단부는 연결 블록(230)의 측면에 나사 고정되며, 타단부는 지지판(210)의 하면에 나사 고정된다. 이와 같이, 별도의 도전 부재(260)를 이용하여 지지판(210)과 연결 블록(230)을 전기적으로 연결함으로써, 지지판(210)에 인가된 고주파 전원을 가스 분사판(220)에 안정적으로 인가할 수 있다.
한편, 가스 분사판(220)이 열 팽창함에 있어, 가스 분사판(220)의 열 팽창은 모든 방향으로 일어난다. 이때, 열 팽창의 방향성을 규제하여 줌으로써, 가스 분사판(220)의 열 변형을 최소화시킬 수 있다. 이를 위해, 가스 분사판(220)의 열 팽창에 의해 유동되는 연결 부재(230)에 유동의 방향성을 규제할 수 있는 수단이 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연결 블록을 나타낸 사시도이며, 도 8은 도 7에 도시된 연결 블록과 지지판과의 결합 관계를 나타낸 도면이다. 도 7에 도시된 연결 블록은 돌기가 형성된 것을 제외하고 도 4에 도시된 연결 블록과 실질적으로 동일한 구성을 가지므로, 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 그 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 3, 도 7 및 도 8을 참조하면, 연결 블록(230a)은 가스 분사판(220)의 열 팽창 방향을 규제하기 위해 지지판(210)에 지지되는 부분에 형성된 방향규제 돌기(238)를 포함한다. 구체적으로, 방향규제 돌기(238)는 연결 블록(230a)의 타단부(234)에 형성된 삽입부(236)로부터 일단부(232) 방향으로 돌출되게 형성된다. 한편, 지지판(210)의 홈부(214) 내에는 연결 블록(230a)의 방향규제 돌기(238)가 삽입되는 방향규제 홈(216)이 형성된다. 이와 달리, 연결 블록(230a)에 방향규제 홈이 형성되고, 지지판(210)에 방향규제 돌기가 형성될 수 있다.
방향규제 돌기(238)와 방향규제 홈(216)의 결합에 의해, 연결 블록(230a)의 길이 방향에 대한 유동이 제한되며, 방향규제 돌기(238)과 방향규제 홈(216)의 결합 방향으로만의 유동이 가능해 진다.
방향규제 돌기(238)가 형성된 연결 블록(230a)은 도 3에 도시된 바와 같이, 지지판(210)의 4변 각각에 대하여 적어도 하나가 배치되며, 바람직하게, 각 변의 중앙 부분에 배치된다. 이에 따라, 가스 분사판(220)의 열 팽창은 방향규제 돌기(238)가 형성된 연결 블록(230a)에 의해 방향성이 규제되며, 각 변에 수직한 방 향으로만 열 팽창이 일어나게 된다.
이와 같이, 가스 분사판(220)의 열 팽창이 4 방향으로 균일하게 일어날 수 있도록 방향성을 부여함으로써, 가스 분사판(220)의 두께 방향으로의 열 변형을 최소화시킬 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 확대도이다.
도 3은 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 가스분사장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 연결 블록을 구체적으로 나타낸 사시도이다.
도 5는 도 3에 도시된 연결 블록과 차단막을 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 도 5의 B 부분을 확대한 확대도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연결 블록을 나타낸 사시도이다.
도 8은 도 7에 도시된 연결 블록과 지지판과의 결합 관계를 나타낸 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 공정 챔버 110 : 챔버 몸체
120 : 기판 지지부 200 : 가스분사장치
210 : 지지판 214 : 홈부
216 : 방향규제 홈 220 : 가스 분사판
230 : 연결 블록 236 : 삽입부
238 : 방향규제 돌기 240 : 차단막

Claims (10)

  1. 가스 유입구가 형성된 지지판;
    상기 지지판으로부터 일정 거리 이격되게 배치되며, 상기 가스 유입구를 통해 유입된 가스를 피처리 기판 방향으로 분사하기 위한 다수의 가스 분사홀들이 형성된 가스 분사판;
    상기 가스 분사판의 가장자리를 따라 서로 이격되게 배치되며, 일단부는 상기 가스 분사판에 결합 고정되고 타단부는 상기 가스 분사판의 열변형에 따라 유동되도록 상기 지지판에 의해 지지되는 다수의 연결 블록들; 및
    상기 가스 분사판의 가장자리를 따라 상기 연결 블록들 사이에 형성되어 상기 지지판과 상기 가스 분사판 사이의 공간을 밀폐시키는 차단막을 포함하는 가스분사장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지판의 측면에는 내측으로 오목하게 홈부가 형성되며,
    상기 연결 블록의 타단부에는 측면으로부터 돌출되어 상기 지지판에 의해 유동 가능하게 지지되도록 상기 홈부에 삽입되는 삽입부가 형성된 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 연결 블록은 상기 삽입부가 형성된 측면의 수직한 측면에 형성되어 상기 차단막의 단부가 삽입되는 결합홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 연결 블록과 상기 지지판 중 어느 하나에는 상기 지지판에 상기 삽입부가 지지되는 부분에 열팽창 방향을 규제하기 위한 방향규제 돌기가 형성되며, 상기 연결 블록과 상기 지지판 중 다른 하나에는 상기 방향규제 돌기가 삽입되는 방향규제 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 방향규제 돌기는 상기 연결 블록의 상기 삽입부로부터 상기 일단부 방향으로 돌출된 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 방향규제 돌기가 형성된 상기 연결 블록은 상기 지지판의 4변 각각에 적어도 하나가 배치되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 연결 블록의 삽입부와 상기 지지판의 홈부 사이에 형성되어 마찰을 감 소시키는 슬라이딩 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
  8. 제2항에 있어서,
    고주파 전원이 인가되는 상기 지지판과 상기 연결 블록을 전기적으로 연결하는 도전 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
  9. 챔버 몸체;
    상기 챔버 몸체의 내부에 설치되어 피처리 기판을 지지하는 기판 지지부; 및
    상기 챔버 몸체의 내부에 상기 기판 지지부와 대향하게 설치되어 상기 피처리 기판 방향으로 가스를 분사하는 가스분사장치를 포함하며,
    상기 가스분사장치는,
    가스 유입구가 형성된 지지판,
    상기 지지판으로부터 일정 거리 이격되게 배치되며, 상기 가스 유입구를 통해 유입된 가스를 피처리 기판 방향으로 분사하기 위한 다수의 가스 분사홀들이 형성된 가스 분사판,
    상기 가스 분사판의 가장자리를 따라 서로 이격되게 배치되며, 일단부는 상기 가스 분사판에 결합 고정되고 타단부는 상기 가스 분사판의 열변형에 따라 유동되도록 상기 지지판의 측면에 형성된 홈부에 삽입되어 지지되는 다수의 연결 블록들; 및
    상기 가스 분사판의 가장자리를 따라 상기 연결 블록들 사이에 형성되어 상 기 지지판과 상기 가스 분사판 사이의 공간을 밀폐시키는 차단막을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 연결 블록과 상기 지지판 중 어느 하나에는 상기 지지판에 상기 연결 블록이 지지되는 부분에 열팽창 방향을 규제하기 위한 방향규제 돌기가 형성되며, 상기 연결 블록과 상기 지지판 중 다른 하나에는 상기 방향규제 돌기가 삽입되는 방향규제 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 공정 챔버.
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