KR20110056994A

KR20110056994A - 유기발광다이오드 표시장치

Info

Publication number: KR20110056994A
Application number: KR1020090113518A
Authority: KR
Inventors: 김화경; 피성훈; 김창오
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2009-11-23
Filing date: 2009-11-23
Publication date: 2011-05-31
Also published as: KR101679850B1

Abstract

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 투명 기판 상에 형성된 데이터 라인과, 스캔 라인, 그리고 상기 데이터 라인과 평행하게 배열된 구동전류 배선과; 상기 데이터 라인, 스캔라인, 그리고 상기 구동전류 배선으로 정의되는 화소 영역과; 상기 화소 영역의 일부에 형성되어 상기 구동전류 배선으로부터 구동전류를 공급하는 구동 TFT와; 상기 데이터 라인, 상기 스캔라인, 상기 구동전류 배선 및 상기 구동 TFT를 덮는 보호막과; 상기 보호막 위에서 상기 데이터 라인, 스캔 라인, 구동전류 배선과 중첩되어 형성된 칼라 필터와; 상기 보호막 및 상기 칼라 필터를 포함하는 기판 전면을 덮는 오버코트 층과; 상기 오버코트 층 위의 상기 화소 영역에서 상기 데이터 라인, 상기 스캔라인 및 상기 구동전류 배선의 일부와 중첩되도록 형성된 제1 전극과; 상기 제1 전극이 형성된 기판 위에서 상기 데이터 라인, 상기 스캔라인, 상기 구동전류 배선을 포함하는 비 발광영역의 일부를 덮는 뱅크 패턴과; 상기 뱅크 패턴에 의해 노출된 애노드 전극인 발광 영역에 상기 제1 전극과 접촉하는 백색 유기발광층과; 상기 유기발광층 위에 형성된 제2 전극을 포함한다.

Description

유기발광다이오드 표시장치 {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODDE DESPLAY DEVICE}

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 개구율 향상을 위한 화소 구조를 갖는 유기발광다이오드 표시장치에 관련된 것이다.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치 (Electroluminescence Device, EL) 등이 있다.

전계발광장치는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광장치와 유기발광다이오드장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.

도 1은 유기발광다이오드의 구조를 나타내는 도면이다. 유기발광다이오드는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다.

유기발광다이오드는 애노드 전극(Anode)과 캐소드 전극(Cathode)에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다. 유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드의 발광층(EML)으로부터 발생되는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.

전계발광소자인 유기발광다이오드의 특징을 이용한 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLEDD)에는 패시브 매트릭스 타입의 유기발광다이오드 표시장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)와 액티브 매트릭스 타입의 유기발광다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)로 대별된다.

액티브 매트릭스 타입의 유기발광다이오드 표시장치(AMOLED)는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)를 이용하여 유기발광다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다.

도 2는 AMOLED에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도의 한 예이다. 도 3은 AMOLED에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 AMOLED의 구조를 나타내는 단면도이다.

도 2 내지 3을 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광다이오드 표시장치는 스위칭 박막트랜지스터(Thin Film Transistor: 이하 "TFT"라 함)(SWTFT), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DRTFT), 구동 TFT(DRTFT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.

스위칭 TFT(SWTFT)는 스캔 라인(SL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(SWTFT)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(SWTFT)는 스캔 라인(SL)에서 분기하는 게이트 전극(GSW)과, 반도체 층(ACTSW)과, 소스 전극(SSW)과, 드레인 전극(DSW)을 포함한다. 그리고, 구동 TFT(DRTFT)는 스위칭 TFT(SWTFT)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DRTFT)는 스위칭 TFT(SWTFT)의 드레인 전극(DSW)과 연결된 게이트 전극(GDR)과, 반도체층(ACTDR), 구동 전류 전송 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(SDR)과, 드레인 전극(DDR)을 포함한다. 구동 TFT(DRTFT)의 드레인 전극(DDR)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.

좀 더 상세히 살펴보기 위해 도 4를 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광다이오드 표시장치의 기판(SUBS) 상에 스위칭 TFT(SWTFT) 및 구동 TFT(DRTFT)의 게이트 전극(GSW, GDR)이 형성되어 있다. 그리고, 게이트 전극(GSW, GDR) 위에는 게이트 절연막(GI)이 덮고 있다. 게이트 전극(GSW, GDR)과 중첩되는 게이트 절연막(GI)의 일부에 반도체 층(ACTSW, ACTDR)이 형성되어 있다. 반도체 층(ACTSW, ACTDR) 위에는 일정 간격을 두고 소스 전극(SSW, SDR)과 드레인 전극(DSW, DDR)이 마주보고 형성된다. 스위칭 TFT(SWTFT)의 드레인 전극(DSW)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DRTFT)의 게이트 전극(GDR)과 접촉한다. 이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(SWTFT) 및 구동 TFT(DRTFT)을 덮는 보호층(PASSI)이 전면에 도포된다. 그리고, 보호층(PASSI) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 보호층(PASSI)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DRTFT)의 드레인 전극(DDR)과 연결된다.

애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(SWTFT), 구동 TFT(DRTFT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 비 발광영역과 유기발광다이오드(OLED)가 형성되는 발광 영역을 구분하는 뱅크패턴(BANK)을 형성한다.

뱅크 패턴(BANK)은 TFT(SWTFT, DRTFT) 및 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성되어 표면이 매끄럽지 못하고, 울퉁불퉁하게 단차가 형성된 표면 위에 유기막(EL)을 형성할 경우, 단차진 부분에서 유기물이 열화되는 것을 방지하기 위한 것이다. 즉, 스위칭 TFT(SWTFT) 및 구동 TFT(DRTFT), 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 비 발광영역과, 평탄한 기판 위에 단순히 박막층들만 적층되어 평탄한 발광 영역을 구분하기 위해 비 발광 영역 위에 뱅크 패턴(BANK)이 형성된다. 따라서, 뱅크 패턴(BANK)에 의해 화소 영역이 결정된다.

뱅크 패턴(BANK)에 의해 애노드 전극(ANO)이 노출된다. 뱅크 패턴(BANK)과 애노드 전극(ANO) 위에 유기층(EL)과 캐소드 전극층(CAT)이 순차적으로 적층된다. 이 때, 유기층(COEL)은 각 화소에 배정된 색상을 나타내는 칼라 유기층(COEL)이다.

도 3의 원형으로 표시한 부분 확대도에서는 뱅크 패턴(BANK)에 의해 결정되는 화소 영역에 대한 상세한 구조를 보여준다. 애노드 전극(ANO)이 데이터 라인(DL), 전단의 스캔 라인(SL), 및 구동 전류 배선(VDD)와 겹치지 않도록 형성하는 것이 바람직하다. 유기발광다이오드는 전류구동 방식이므로 애노드 전극(ANO)에는 구동 전류 배선(VDD)를 통해 인가된 상당히 큰 양의 전류가 인가된다. 따라서, 애노드 전극(ANO)이 주변에 있는 배선들(DL, SL, VDD)와 중첩되면, 그 사이에 개재된 보호막(PASSI)에 기생 용량이 형성될 가능성이 매우 높다. 일반적으로 보호막(PASSI)는 약 3000Å의 두께로 형성된다. 액정 표시장치와 같이 전압 구동인 경우, 화소전극이 3000Å의 두께를 갖는 보호막으로도 충분히 기생 용량을 방지할 수 있다. 특히, 유전율이 낮은 유기보호막을 사용할 경우, 액정 표시장치에서는 화소전극이 주변 배선들과 중첩되어도 기생용량이 발생하지 않아 개구율을 높일 수 있다. 하지만, 유기발광다이오드의 경우 3000Å 두께의 유기보호막을 사용하더라도, 애노드 전극(ANO)에 인가되는 전류량이 상당히 큰 편이어서, 기생 용량이 발생하기 쉽고 이는 유기발광다이오드 표시장치에 악영향을 준다.

그러므로, 도 3 및 도4에 표시한 것과 같이, 애노드 전극(ANO)를 형성할 때는, 패턴 공정에서의 정렬 마진(margin)을 고려하여 구동 전류배선(VDD)와 일정 간격(G1)을 두고 형성된다. 그리고, 애노드 전극(ANO) 위에 뱅크 패턴(BANK)을 형성할 때도, 패턴 공정 마진을 고려하여, 애노드 전극(ANO)의 경계선 보다 안쪽으로 일정 간격(G2)를 확보하도록 형성한다. 결국, 뱅크 패턴(BANK)은 애노드 전 극(ANO)의 일부분을 가린 채 형성되어, 도 3에서 일점 쇄선으로 그려진 사각형의 빗금친 내부 영역이 발광 영역이 된다. 그리고, 애노드 전극(ANO) 위에 컬러 유기층(COEL)이 형성되므로, 이 발광 영역이 개구율을 결정하게 된다. 즉, 구동 전류배선(VDD)에서 G1+G2만큼의 발광 손실 영역이 발생한다. 마찬가지로, 데이터 라인(DL)쪽에서도 동일하게 G1+G2만큼의 발광 손실 영역이 발생한다. 일반적으로 공정 마진은 약 1~3㎛ 정도 설정한다. 그렇다면, 전체적으로 공정 마진에 의한 전체 발광 손실 영역은 약 2~6㎛ 정도된다. 이러한 이유로 종래 기술에 의한 유기발광다이오드 표시장치에서의 개구율을 약 30%정도가 측정되고 있는 실정이다.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써 애노드 전극이 주변 배선 패턴과 중첩가능한 유기발광다이오드 표시장치를 제공하는데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 애노드 전극이 주변 배선 패턴과 중첩하여, 발광영역이 더 커져 높은 개구율을 갖는 유기발광다이오드 표시장치를 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 투명 기판 상에 형성된 데이터 라인과, 스캔 라인, 그리고 상기 데이터 라인과 평 행하게 배열된 구동전류 배선과; 상기 데이터 라인, 스캔라인, 그리고 상기 구동전류 배선으로 정의되는 화소 영역과; 상기 화소 영역의 일부에 형성되어 상기 구동전류 배선으로부터 구동전류를 공급하는 구동 TFT와; 상기 데이터 라인, 상기 스캔라인, 상기 구동전류 배선 및 상기 구동 TFT를 덮는 보호막과; 상기 보호막 위에서 상기 데이터 라인, 스캔 라인, 구동전류 배선과 중첩되어 형성된 칼라 필터와; 상기 보호막 및 상기 칼라 필터를 포함하는 기판 전면을 덮는 오버코트 층과; 상기 오버코트 층 위의 상기 화소 영역에서 상기 데이터 라인, 상기 스캔라인 및 상기 구동전류 배선의 일부와 중첩되도록 형성된 제1 전극과; 상기 제1 전극이 형성된 기판 위에서 상기 데이터 라인, 상기 스캔라인, 상기 구동전류 배선을 포함하는 비 발광영역의 일부를 덮는 뱅크 패턴과; 상기 뱅크 패턴에 의해 노출된 애노드 전극인 발광 영역에 상기 제1 전극과 접촉하는 백색 유기발광층과; 상기 유기발광층 위에 형성된 제2 전극을 포함한다.

상기 뱅크 패턴은 상기 데이터 라인의 경계선에서 1㎛ 이상 상기 데이터 라인 내부로 이격된 경계선을 갖는다.

상기 뱅크 패턴은 상기 스캔 라인의 경계선에서 1㎛ 이상 상기 스캔 라인 내부로 이격된 경계선을 갖는다.

상기 뱅크 패턴은 상기 구동 전류배선의 경계선에서 1㎛ 이상 상기 구동 전류배선 내부로 이격된 경계선을 갖는다.

상기 구동 TFT의 게이트 전극과 연결된 드레인 전극과; 상기 데이터 라인에서 분기된 소스 전극과; 상기 스캔 라인에서 분기된 게이트 전극을 포함하는 스위 칭 TFT를 더 포함한다.

상기 백색 유기발광층에서 발생한 빛은 하부에 있는 컬러 필터를 통과하여 색상을 구현하고; 상기 데이터 라인, 상기 스캔라인, 상기 구동전류 배선에 의해 유효 발광 영역이 결정된 후; 상기 투명 기판을 통해 방출되는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 애노드 전극을 주변 배선 패턴과 중첩 가능하여 발광 손실 영역을 최소화 함으로써 그 만큼 개구율이 증가하는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 애노드 전극이 주변 배선 패턴과 중첩하더라도 기생 용량이 발생하지 않는 양질의 화면을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 개구율이 수% 정도 더 증가함으로써, 종래 기술에 의한 유기발광다이오드 표시장치보다 적은 소비전력으로 동일한 밝기를 구현할 수 있다. 그 결과, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 오랜 시간 사용하더라도, 수명 저하를 줄이고 소자의 신뢰성을 계속 유지할 수 있다.

이하, 도 5 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시 예에 대하여 설명하기로 한다. 도 5는 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 평면도이다. 도 5의 원형으로 표시한 부분 확대도에서는 뱅크 패턴(BANKP)에 의해 결정되는 본 발명에 의한 화소 영역에 대한 상세한 구조를 보여준다. 도 6은 도 5의 절취선 II-II'로 자른 단면을 나타내는 도면이다.

본 발명의 실시 예에 의한 유기발광다이오드 표시장치는, 기판(SUBP) 상에 스캔 라인(SLP), 스캔 라인(SLP)에서 분기된 스위칭 TFT(SWTFTP)의 게이트 전극(GSWP), 및 구동 TFT(DRTFTP)의 게이트 전극(GDRP)이 형성되어 있다. 그리고, 스캔 라인(SLP)과 게이트 전극(GSWP, GDRP) 위에는 게이트 절연막(GIP)이 덮고 있다. 게이트 전극(GSWP, GDRP)과 중첩되는 게이트 절연막(GIP)의 일부에 반도체 층(ASWP, ADRP)이 형성되어 있다. 반도체 층(ASWP, ADRP) 위에는 일정 간격을 두고 소스 전극(SSWP, DSWP)과 드레인 전극(DSWP, DDRP)이 마주보고 형성된다. 스위칭 TFT(SWTFTP)의 드레인 전극(DSWP)은 게이트 절연막(GIP)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DRTFTP)의 게이트 전극(GDRP)과 접촉한다. 구동 TFT(DRTFTP)의 소스 전극(SDRP)은 구동 전류 전송배선(VDDP)에서 분기된다. 이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(SWTFTP) 및 구동 TFT(DRTFTP)을 덮는 보호층(PASSIP)이 전면에 도포된다.

그리고, 나중에 형성될 애노드 전극(ANOP)의 영역에 해당하는 부분에 칼라 필터(CF)가 형성된다. 칼라 필터(CF)는 가급적 넓은 면적을 차지하도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 데이터 라인(DLP), 구동 전류배선(VDDP) 및 전단의 스캔 라인(SLP)의 많은 영역과 중첩하도록 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 칼라 필터(CF)가 형성된 기판은 여러 구성요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다.

그리고, 오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLEDP)의 애노드 전극(ANOP)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANOP)은 오버코트 층(OC) 및 보호층(PASSIP)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DRTFTP)의 드레인 전극(DDRP)과 연결된다.

이 때, 상기 칼라 필터(CF)는 약 3㎛ 정도의 두께를 갖는다. 그리고, 오버 코트 층(OC)는 약 3~5㎛ 정도의 두께를 갖는다. 결과적으로, 화소 영역의 주변에 형성된 배선들(DLP, SLP, VDDP) 위에는 유기물질이 6㎛ 이상 도포된 결과를 갖는다. 이 정도의 유기물질은 유기발광다이오드 표시장치를 구동하는 전류를 인가하기 위한 애노드 전극(ANOP)과의 간섭을(기생 용량 등) 방지하기에 충분하다. 따라서, 오버코트 층(OC)위에 형성되는 애노드 전극(ANOP)은 주변 배선들(DLP, SLP, VDDP)과 중첩하여 형성할 수 있다. 또한, 오버 코트 층(OC)이 그 하부에 단차진 영역들을 평탄화시키는 기능을 하기 때문에, 오버 코트 층(OC) 윗 면은 기판 전면에 걸쳐서 거의 평탄한 표면을 갖는다.

애노드 전극(ANOP)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(SWTFTP), 구동 TFT(DRTFTP) 그리고 각종 배선들(DLP, SLP, VDDP)이 형성된 영역 위에 뱅크패턴(BANKP)을 형성한다.

뱅크 패턴(BANKP)에 의해 노출된 애노드 전극(ANOP)이 발광 영역이 된다. 뱅크 패턴(BANKP)에 의해 노출된 애노드 전극(ANOP) 위에 백색유기층(WEL)과 캐소드 전극층(CATP)이 순차적으로 적층된다. 이 때, 유기층(WEL)은 백색광을 발하는 유기물질로 이루어지지만, 아래에 위치한 칼라 필터(CFP)에 의해 각 화소에 배정된 색상을 나타낸다.

본 발명에서는 오버 코트 층(OC)으로 인해 기판의 표면 상태가 평탄화되어 있고, 애노드 전극(ANOP)이 주변 배선들(DLP, SLP, VDDP)과 중첩되어있으므로, 뱅크 패턴(BANKP)의 경계는 애노드 전극(ANOP)의 외곽선을 고려하지 않고, 화소 영역 주변의 각종 배선들(DLP, SLP, VDDP)의 경계선을 고려하여 형성할 수 있다. 구동 전류배선(VDDP) 측면에서 보았을 때, 애노드 전극(ANOP)이 구동 전류 배선(VDDP)과 중첩되어 있으므로, 패턴 공정에서의 정렬 마진(margin)을 고려할 때는 구동 전류배선(VDDP)과 일정 간격(G11)을 두고 뱅크 패턴(BANKP)을 형성한다. 특히, 발광 영역을 최대한으로 확보하기 위해 구동 전류배선(VDDP) 안쪽으로 뱅크 패턴(BANKP)을 형성하는 것이 바람직하다. 데이터 라인(DLP) 및 스캔 라인(SLP) 측면에서 보았을 때도, 애노드 전극(ANOP)의 패턴이 아닌 데이터 라인(DLP) 및 스캔 라인(SLP)의 경계선을 고려하여 뱅크 패턴(BANKP)을 형성한다. 결국, 도 5에서 일점 쇄선으로 표시한 사각형의 빗금친 내부 영역이 뱅크 패턴(BANKP)에 의해 정의된 발광 영역이 된다.

즉, 뱅크 패턴(BANKP)은 구동 전류배선(VDDP) 측면에서는 G11만큼 구동 전류배선(VDDP)을 개방한 상태가 된다. 일반적으로 공정 마진은 약 1~3㎛ 정도이므로, 뱅크 패턴(BANKP)에 의해 정의되는 발광 영역은 구동 전류배선(VDDP)과 약 1~3㎛ 정도 중첩된 크기를 갖는다. 마찬가지로, 데이터 라인(DLP)쪽에서도 동일하게 G11만큼의 데이터 라인(DLP)과 발광 영역이 중첩된다. 또한, 전단의 스캔 라인(SLP) 쪽에서도 스캔 라인(SLP)과 발광 영역이 G11만큼 중첩한다. 실제로 주변 배선 들(DLP, SLP, VDDP)은 불투명 금속재질로 실제 유효 발광 영역에는 기여를 하지 않는다. 하지만, 발광 영역이 주변 배선들(DLP, SLP, VDDP)과 중첩되어 있으므로, 실제 유효 발광 영역을 결정하는 것은 뱅크 패턴(BANKP)이 아니고 주변 배선들(DLP, SLP, VDDP)이다. 즉, 뱅크 패턴(BANKP)에 의해 발광 영역을 주변 배선들(DLP, SLP, VDDP)에 의해 결정된 화소 영역보다 적어도 1㎛ 이상 크게 형성함으로써, 유효 발광 영역을 최대한 확보할 수 있다.

본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 컬러 필터(CF)가 애노드 전극(ANOP) 하부에 위치하고 있으므로, 기판(SUBP) 쪽으로 표시광이 출사되는 하부발광(Bottom Emission) 구조를 갖는다. 본 발명에 의해 발광 영역은 데이터 라인(DLP), 구동 전류배선(VDDP) 및 전단의 스캔 라인(SLP)에 의해 정의되는 화소 영역보다 더 크게 확보하였다. 그리고, 하부 발광하기 때문에, 유효 발광 영역은 데이터 라인(DLP), 구동 전류배선(VDDP) 및 전단의 스캔 라인(SLP)에 의해 결정된다. 따라서, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치에서는 종래 기술에서 공정 마진으로 손실되었던 유효 발광 영역율을 모두 확보한다. 실험적으로 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치에서는 약 7% 이상 개구율이 더 향상되었음을 측정할 수 있다.

본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 공정 마진으로 손실된 발광 영역을 거의 모두 유효 발광 영역으로 확보함으로써 적은 구동 전류로 동일한 개구율을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치의 소비전력 및 수명 측면에서 보았을 때는 상당한 장점 및 이점을 얻을 수 있다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 즉, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

도 1은 유기발광다이오드소자를 나타내는 도면.

도 2는 AMOLED에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도.

도 3은 도 1에 의한 AMOLED에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.

도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 AMOLED의 구조를 나타내는 단면도.

도 5는 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 평면도.

도 6은 도 5의 절취선 II-II'로 자른 단면구조를 나타내는 단면도.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

DL, DLP: 데이터 라인 SL, SLP: 스캔 라인

VDD, VDDP: 구동 전류 전송배선 SWTFT, SWTFTP: 스위칭 TFT

DRTFT, DRTFTP: 구동 TFT OLED, OLEDP: 유기발광다이오드

CAT, CATP : 캐소드 전극층 ANO, ANOP : 애노드 전극층

BANK, BANKP : 뱅크패턴 COEL: 칼라 유기층

WOLE: 백색 유기층 SUB, SUBP: 기판

Claims

투명 기판 상에 형성된 데이터 라인과, 스캔 라인, 그리고 상기 데이터 라인과 평행하게 배열된 구동전류 배선과;

상기 데이터 라인, 스캔라인, 그리고 상기 구동전류 배선으로 정의되는 화소 영역과;

상기 화소 영역의 일부에 형성되어 상기 구동전류 배선으로부터 구동전류를 공급하는 구동 TFT와;

상기 데이터 라인, 상기 스캔라인, 상기 구동전류 배선 및 상기 구동 TFT를 덮는 보호막과;

상기 보호막 위에서 상기 데이터 라인, 스캔 라인, 구동전류 배선과 중첩되어 형성된 칼라 필터와;

상기 보호막 및 상기 칼라 필터를 포함하는 기판 전면을 덮는 오버코트 층과;

상기 오버코트 층 위의 상기 화소 영역에서 상기 데이터 라인, 상기 스캔라인 및 상기 구동전류 배선의 일부와 중첩되도록 형성된 제1 전극과;

상기 제1 전극이 형성된 기판 위에서 상기 데이터 라인, 상기 스캔라인, 상기 구동전류 배선을 포함하는 비 발광영역의 일부를 덮는 뱅크 패턴과;

상기 뱅크 패턴에 의해 노출된 애노드 전극인 발광 영역에 상기 제1 전극과 접촉하는 백색 유기발광층과;

상기 유기발광층 위에 형성된 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
제 1 항에 있어서,

상기 뱅크 패턴은 상기 데이터 라인의 경계선에서 1㎛ 이상 상기 데이터 라인 내부로 이격된 경계선을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
제 1 항에 있어서,

상기 뱅크 패턴은 상기 스캔 라인의 경계선에서 1㎛ 이상 상기 스캔 라인 내부로 이격된 경계선을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
제 1 항에 있어서,

상기 뱅크 패턴은 상기 구동 전류배선의 경계선에서 1㎛ 이상 상기 구동 전류배선 내부로 이격된 경계선을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
제 1 항에 있어서,

상기 구동 TFT의 게이트 전극과 연결된 드레인 전극과;

상기 데이터 라인에서 분기된 소스 전극과;

상기 스캔 라인에서 분기된 게이트 전극을 포함하는 스위칭 TFT를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
제 1 항에 있어서,

상기 백색 유기발광층에서 발생한 빛은 하부에 있는 컬러 필터를 통과하여 색상을 구현하고;

상기 데이터 라인, 상기 스캔라인, 상기 구동전류 배선에 의해 유효 발광 영역이 결정된 후;

상기 투명 기판을 통해 방출되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.