KR20110055256A - 광전변환소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광전변환소자에 관한 것이다. 상기 광전변환소자는 광전극이 형성된 수광면 기판, 상기 광전극과 수광면 기판 사이에 형성된 제1 투명 도전막, 상기 수광면 기판과 마주하게 배치되는 것으로, 상대전극이 형성된 상대기판, 상기 상대전극과 상기 상대 기판 사이에 형성된 제2 투명 도전막, 상기 광전극 상에 형성된 것으로, 빛에 의해 여기되는 감광성 염료를 흡착한 반도체층, 상기 반도체 층과 상대전극 사이에 개재된 전해질층, 및 단차가 형성된 상기 제1 및 제2 투명 도전막과 접착면이 봉착된 실링부재를 포함한다.
본 발명에 의하면, 실링부재 하부 모재의 형상변화로 인하여 실링부재와 기판과의 접착력 및 기밀성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 기판과 실링부재의 접착력을 향상시키는 광전변환소자에 관한 것이다.
최근 화석연료를 대체하는 에너지의 원천으로서, 빛 에너지를 전기 에너지로 변화하는 광전변환소자에 대해 다양한 연구가 진행되고 있으며, 태양광을 이용하는 태양전지가 많은 주목을 받고 있다.
다양한 구동원리를 갖는 태양전지들에 대한 연구가 진행되고 있는데, 그 중에서 반도체의 p-n 접합을 이용하는 웨이퍼 형태의 실리콘 또는 결정질 태양전지는 가장 많이 보급되고 있으나, 고순도의 반도체 재료를 형성 및 취급한다는 공정의 특성상 제조단가가 높다는 문제가 있다.
실리콘 태양전지와 달리, 염료 감응형 태양전지는 가시광선의 파장을 갖는 빛이 입사하면 이를 받아 여기 전자를 생성할 수 있는 감광성 염료와, 여기된 전자를 받아들일 수 있는 반도체 물질, 그리고, 외부회로에서 일을 하고 돌아오는 전자와 반응하는 전해질을 주된 구성으로 하며, 종래 태양전지에 비해 비약적으로 높은 광전변환효율을 갖고 있어 차세대 태양전지로 기대되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적인 과제는 실링부재 접촉면의 투명 도전막의 두께를 낮추거나, 기판을 음각으로 가공하여 기판과 실링부재의 접착력을 향상시킬 수 있는 광전변환소자를 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제를 해결하기 위한 본 발명의 광전변환소자는 광전극이 형성된 수광면 기판; 상기 광전극과 수광면 기판 사이에 형성된 제1 투명 도전막; 상기 수광면 기판과 마주하게 배치되는 것으로, 상대전극이 형성된 상대기판; 상기 상대전극과 상기 상대 기판 사이에 형성된 제2 투명 도전막; 상기 광전극 상에 형성된 것으로, 빛에 의해 여기되는 감광성 염료를 흡착한 반도체층; 상기 반도체 층과 상대전극 사이에 개재된 전해질층; 및 단차가 형성된 상기 제1 및 제2 투명 도전막과 접착면이 봉착된 실링부재를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 레이저 등의 국부 가열 방식을 이용하여 상기 단차를 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 수광면 기판 또는 상기 상대기판 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 소정 깊이 및 폭으로 단차를 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 단차의 깊이는 상기 기판 두께의 50% 이하일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 투명 도전막 또는 상기 제2 투명 도전막 중 어 느 하나 또는 둘 다의 테두리에 소정 깊이 및 폭으로 단차를 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 단차의 깊이는 상기 투명 도전막 두께의 20% 이하일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 단차의 깊이는 상기 투명 도전막 두께의 100%일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 수광면 기판 또는 상기 제2 투명 도전막 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 소정 깊이 및 폭으로 단차를 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 단차의 깊이는 상기 기판 두께의 50% 이하이거나, 상기 투명 도전막 두께의 20% 이하일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 단차의 깊이는 상기 기판 두께의 50% 이하이거나, 상기 투명 도전막 두께의 100%일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 상대기판 또는 상기 제1 투명 도전막 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 소정 깊이 및 폭으로 단차를 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 단차의 깊이는 상기 기판 두께의 50% 이하이거나, 상기 투명 도전막 두께의 20% 이하일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 단차의 깊이는 상기 기판 두께의 50% 이하이거나, 상기 투명 도전막 두께의 100%일 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제를 해결하기 위한 본 발명의 광전변환소자는 광전극이 형성되고, 단차를 갖는 수광면 기판; 상기 수광면 기판과 마주하게 배치되는 것으로, 상대전극이 형성되고 단차를 갖는 상대기판; 상기 광전극 상에 형성된 것으로, 빛에 의해 여기되는 감광성 염료를 흡착한 반도체층; 상기 반도체층과 상대전극 사이에 개재된 전해질층; 및 테두리에 단차가 형성된 상기 수광면 기판 또는/및 상기 상대기판과 접착면이 봉착된 실링부재를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 레이저 등의 국부 가열 방식을 이용하여 상기 단차를 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 수광면 기판 또는 상기 상대기판 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 소정 깊이 및 폭으로 단차를 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 단차의 깊이는 상기 기판 두께의 50% 이하일 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 실링부재 하부 모재의 형상변화로 인하여 실링부재와 기판과의 접착력 및 기밀성을 향상시킬 수 있다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명한다. 하기의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명에 따른 동작을 이해하기 위한 것이며, 본 기술 분야의 통상의 기술자가 용이하게 구현할 수 있는 부분은 생략될 수 있다.
또한 본 명세서 및 도면은 본 발명을 제한하기 위한 목적으로 제공된 것은 아니고, 본 발명의 범위는 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다. 본 명세서에서 사용된 용어들은 본 발명을 가장 적절하게 표현할 수 있도록 본 발명의 기술적 사 상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
도 1에는 본 발명의 일 실시형태에 관한 광전변환소자의 분해 사시도가 도시되어 있다. 도면을 참조하면, 상기 광전변환소자는, 광전변환을 수행하기 위한 기능층(118,128)이 형성된 수광면 기판(110) 및 상대기판(120)을 서로 마주하게 배치하고, 수광면 기판(110) 및 상대기판(120) 사이의 가장자리를 따라 실링 부재(130)를 개재하여 양 기판(110,120)을 봉착시킨 후, 미도시된 전해질 주입구를 통하여 소자 내부로 전해질(미도시)을 주입시킴으로써 형성될 수 있다. 상기 실링 부재(130)는 전해질이 외부로 누설되지 않도록 전해질을 밀봉하며, 소자 내부의 광전변환 영역(P)과 소자 외부의 주변 영역(NP)을 경계짓는다.
예를 들어, 상기 수광면 기판(110) 및 상대기판(120)에 형성된 기능층(118,128)은 조사광으로부터 여기 전자들을 생성하기 위한 반도체층과, 생성된 전자들을 취합하여 외부로 인출해내기 위한 전극들을 포함한다. 예를 들어, 기능층(118,128)을 구성하는 전극구조의 일부는 외부회로와의 전기접속을 위해 실링 부재(130)의 외곽으로 연장되어 주변 영역(NP)으로 인출될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면도이다. 도면을 참조하면, 광전극(114)이 형성된 수광면 기판(110)과 상대전극(124)이 형성된 상대기판(120)이 서로 마주하게 배치되고, 상기 광전극(114) 상에는 빛(VL)에 의해 여기되는 감광성 염료를 흡착한 반도체층(117)이 형성되며, 상기 반도체층(117)과 상대전극(124) 사이에는 전해질(150)이 개재된다. 예를 들어, 광전극(114) 및 반도체층(117)은 수광면 기판(110) 측의 기능층(118)에 해당되고, 상대 전극(124)은 상대기판(120) 측의 기능층(128)에 해당된다.
상기 수광면 기판(110)과 상대기판(120)은 실링 부재(130)를 개재하여 소정간극을 사이에 두고 합착되고, 수광면 기판(110)과 상대기판(120) 사이로는 전해질(150)을 구성할 전해액이 충전될 수 있다. 상기 실링 부재(130)는 전해질(150)을 내포하도록 전해질(150) 주위에 형성되고 전해질(150)이 외부로 누설되지 않도록 밀봉하고 있다.
이러한 실링 부재(130)는 접착성을 가지는 다양한 재료를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 프릿으로 형성할 수 있다. 상기 프릿은 K2O, Fe2O3, Sb2O3, ZnO, P2O5, V2O5, TiO2, Al2O3, WO3, SnO, PbO, MgO, CaO, BaO, Li2O, Na2O, B2O3, TeO2, SiO2, Ru2O, Rb2O, Rh2O, CuO 및 Bi2O3로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 광전극(114)과 상대전극(124)은 도선(160)을 이용하여 접속되고, 외부회로(180)를 통하여 전기적으로 연결된다. 다만, 다수의 광전변환소자들이 직렬/병렬로 접속되어 모듈화되는 구성에서는 광전변환소자의 전극(114,124)들이 직렬 접속 또는 병렬 접속될 수 있고, 접속부의 양단이 외부회로(180)와 연결될 수 있다.
상기 수광면 기판(110)은 투명소재로 형성될 수 있고, 높은 광투과율을 갖는 소재로 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 수광면 기판(110)은 유리소재의 글라스 기판이나 수지필름으로 구성될 수 있다. 수지필름은 통상 가요성을 갖기 때문에 유연성이 요구되는 용도에 적합하다.
상기 광전극(114)은 투명 도전막(111)과 투명 도전막(111) 상에 형성된 그리드 패턴(113)을 포함할 수 있다. 상기 투명 도전막(111)은 투명성과 전기 전도성을 겸비한 소재로 형성되며, 예를 들어, ITO, FTO, ATO 등의 TCO(Transparent Conducting Oxide)로 형성될 수 있다. 상기 그리드 패턴(113)은 광전극(114)의 전기 저항을 낮추기 위해 도입된 것이며, 광전변환작용에 따라 생성된 전자들을 수취하여 저 저항의 전류패스를 제공하는 배선으로 기능한다. 예를 들어, 상기 그리드 패턴(113)은 전기 전도성이 우수한 금(Ag), 은(Au), 알루미늄(Al) 등의 금속소재로 형성될 수 있으며, 스트라이프 형상으로 패턴화될 수 있다.
상기 광전극(114)은 광전변환소자의 음극으로 기능하며, 높은 개구율을 갖는 것이 바람직하다. 광전극(114)을 통하여 입사된 빛(VL)은 반도체층(117)에 흡착된 감광성 염료의 여기원으로 작용하므로, 허용되는 많은 빛(VL)을 입사시킴으로써 광전변환효율을 높일 수 있다.
상기 그리드 패턴(113)의 외 표면에는 보호층(115)이 더 형성될 수 있다. 상기 보호층(115)은 그리드 패턴(113)이 전해질(150)과 접촉하여 반응함으로써 그리드 패턴(113)이 부식되는 등 전극 손상이 일어나는 것을 방지하는 기능을 한다. 상기 보호층(115)은 전해질(150)과 반응하지 않는 물질로 구성될 수 있으며, 예를 들어, 경화성 수지물질로 구성될 수 있다.
상기 반도체층(117) 자체는 종래 광전변환소자로 사용되던 반도체 소재를 이용하여 형성될 수 있으며, 예를 들어, Cd,Zn,In,Pb,Mo,W,Sb,Ti,Ag,Mn,Sn,Zr,Sr,Ga,Si,Cr 등의 금속 산화물로 형성될 수 있다. 상기 반도체층(117)은 감광성 염료를 흡착함으로써 광전변환효율을 높일 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체층(117)은 5nm ~ 1000nm 입경의 반도체 입자를 분산시킨 페이스트를 전극(114)이 형성된 기판(110) 위에 도포한 후, 소정의 열 또는 압력을 적용하는 가열 처리 또는 가압 처리를 거쳐 형성될 수 있다.
상기 반도체층(117)에 흡착된 감광성 염료는 수광면 기판(110)을 투과하여 입사된 빛(VL)을 흡수하고, 감광성 염료의 전자는 기저 상태로부터 여기 상태로 여기된다. 여기된 전자는 감광성 염료와 반도체층(117) 간의 전기적인 결합을 이용하여 반도체층(117)의 전도대로 전이된 후, 반도체층(117)을 통과하여 광전극(114)에 도달하고, 광전극(114)을 통하여 외부로 인출됨으로써 외부회로(180)를 구동하는 구동전류를 형성하게 된다.
예를 들어, 상기 반도체층(117)에 흡착되는 감광성 염료는 가시광 대역에서 흡수를 보이고, 광 여기 상태로부터 신속하게 반도체층(117)으로의 전자 이동을 야기하는 분자로 구성된다. 상기 감광성 염료는 액상, 반 고체의 겔 형상, 고체 형태 중의 어느 한 형태를 취할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체층(117)에 흡착되는 감광성 염료로는 루테늄(ruthenium) 계의 감광성 염료가 사용될 수 있다. 소정의 감광성 염료를 포함하는 용액 속에 반도체층(117)이 형성된 기판(110)을 침지시키는 방식으로, 감광성 염료를 흡착한 반도체층(117)을 얻을 수 있다.
상기 전해질(150)로는 한 쌍의 산화체와 환원체를 포함하는 레독스(Redox) 전해질이 적용될 수 있고, 고체형 전해질, 겔상 전해질, 액체형 전해질 등이 모두 사용될 수 있다.
한편, 수광면 기판(110)과 마주하게 배치되는 상대기판(120)은 투명성을 특히 요구하지는 않지만, 광전변환효율을 높이기 위한 목적으로 양편에서 빛(VL)을 받을 수 있도록 투명소재로 형성될 수 있고, 수광면 기판(110)과 동일한 소재로 형성될 수 있다. 특히, 상기 광전변환소자가 창틀 등의 구조물에 설치되는 BIPV(Building Integrated Photovoltaic) 용도로 활용되는 경우에는 실내로 유입되는 빛(VL)을 차단하지 않도록 광전변환소자의 양편으로 투명성을 갖는 것이 바람직하다.
상기 상대전극(124)은 투명 도전막(121)과 상기 투명 도전막(121) 상에 형성된 촉매층(122)을 포함할 수 있다. 상기 투명 도전막(121)은 투명성과 전기 전도성을 겸비한 소재로 형성되며, 예를 들어, ITO, FTO, ATO 등의 TCO(Transparent Conducting Oxide)로 형성될 수 있다. 상기 촉매층(122)은 전해질(150)에 전자를 제공하는 환원 촉매기능을 갖는 소재로 형성되며, 예를 들어, 백금(Pt), 금(Ag), 은(Au), 동(Cu), 알루미늄(Al) 등의 금속이나, 산화주석 등의 금속 산화물, 또는 그라파이트(graphite) 등의 카본계 물질로 구성될 수 있다.
상기 상대전극(124)은 광전변환소자의 양극으로 기능하며, 전해질(150)에 전자를 제공하는 환원촉매의 기능을 수행한다. 반도체층(117)에 흡착된 감광성 염료는 빛(VL)을 흡수하여 여기되고, 여기된 전자는 광전극(114)을 통하여 외부로 인출된다. 한편, 전자를 잃은 감광성 염료는 전해질(150)의 산화에 의해 제공되는 전자를 수취하여 다시 환원되고, 산화된 전해질(150)은 외부회로(180)를 거쳐서 상대전극(124)에 도달한 전자에 의해 다시 환원되어 광전변환소자의 작동과정이 완성된 다.
도 2에 도시된 제1 실시 예에서 수광면 기판(110), 상대 기판(120) 및 실링 부재(130)의 접착력을 향상시키기 위하여 수광면 기판(110)상에 형성되는 투명 도전막(111) 또는/및 상대 기판(120) 상에 형성되는 투명 도전막(121)의 테두리는 단차를 가질 수 있다. 이러한 단차는 레이저 등을 이용한 국부 가열방식으로 형성될 수 있으며, 이하 홈이라고 표기한다.
도 2에 도시된 제1 실시 예에서는 투명 도전막(111) 및 투명 도전막(121)의 테두리에 홈을 형성하고, 홈과 실링 부재(130)를 봉착한다. 그러나, 이에 한정되는 것이 아니라 투명 도전막(111) 및 투명 도전막(121) 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 홈을 형성하고 실링 부재(130)를 봉착할 수 있다. 이때 홈의 깊이는 투명 도전막(111,121) 두께의 20% 이하인 것이 바람직하다 그러나, 100% 즉, 투명 도전막(111,121) 완전히 제거하고 수광면 기판(110) 및 상대 기판(120) 사이에 실링 부재(130)를 봉착할 수 있다.
이와 같이 투명 도전막(111) 및 투명 도전막(121)의 테두리에 홈을 형성하고, 실링 부재(130)를 봉착함으로써 수광면 기판(110), 상대 기판(120) 및 실링 부재(130)의 접착력을 향상시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면도로서, 도 2와 동일한 설명은 생략한다.
도 3에 도시된 제2 실시 예에서 수광면 기판(110), 상대 기판(120) 및 실링 부재(130)의 접착력을 향상시키기 위하여 수광면 기판(110)의 테두리가 단차를 가 지며, 수광면 기판(110)상에 형성되는 투명 도전막(111)의 테두리 또한 단차를 가진다. 역시 상대 기판(120)의 테두리가 단차를 가지며, 상대 기판(120) 상에 형성되는 투명 도전막(121)의 테두리 또한 단차를 가진다. 이러한 단차는 레이저 등을 이용한 국부 가열방식으로 형성될 수 있으며, 이하 홈이라고 표기한다.
도 3에 도시된 제2 실시 예에서는 수광면 기판(110), 투명 도전막(111), 상대 기판(120) 및 투명 도전막(121)에 홈을 형성하고, 홈과 실링 부재(130)를 봉착한다. 그러나, 이에 한정되는 것이 아니라 수광면 기판(110) 및 상대 기판(120) 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 홈을 형성하고 실링 부재(130)를 봉착할 수 있다. 또한 투명 도전막(111) 및 투명 도전막(121) 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 홈을 형성하고 실링 부재(130)를 봉착할 수 있다. 또한 수광면 기판(110) 및 투명 도전막(121) 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 홈을 형성하고 실링 부재(130)를 봉착할 수 있다. 더 나아가 상대 기판(120) 및 투명 도전막(111) 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 홈을 형성하고 실링 부재(130)를 봉착할 수 있다.
수광면 기판(110) 및 상대 기판(120) 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 홈을 형성하는 경우 홈의 깊이는 기판(110, 120) 두께의 50% 이하인 것이 바람직하다. 투명 도전막(111) 및 투명 도전막(121) 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 홈을 형성하는 경우, 홈의 깊이는 투명 도전막(111,121) 두께의 20% 이하인 것이 바람직하나, 100% 즉, 투명 도전막(111,121) 완전히 제거하고 수광면 기판(110) 및 상대 기판(120) 사이에 실링 부재(130)를 봉착할 수 있다. 수광면 기판(110) 및 투명 도전막(121) 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 홈을 형성하거나, 상대 기 판(120) 및 투명 도전막(111) 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 홈을 형성하는 경우, 홈의 깊이는 기판(110, 120) 두께의 50% 이하이고, 투명 도전막(111,121) 두께의 20% 이하거나 100%일 수 있다.
이와 같이 투명 수광면 기판(110) 및/또는 상대 기판(120) 및/또는 도전막(111) 및/또는 투명 도전막(121)의 테두리에 홈을 형성하고, 실링 부재(130)를 봉착함으로써 수광면 기판(110), 상대 기판(120) 및 실링 부재(130)의 접착력을 향상시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면도로서, 도 2와 동일한 설명은 생략한다.
도 4에 도시된 제3 실시 예에서 수광면 기판(110), 상대 기판(120) 및 실링 부재(130)의 접착력을 향상시키기 위하여 수광면 기판(110) 및/또는 상대 기판(120)의 테두리가 단차를 가진다. 이러한 단차는 레이저 등을 이용한 국부 가열방식으로 형성될 수 있으며, 이하 홈이라고 표기한다.
도 4에 도시된 제3 실시 예에서는 수광면 기판(110) 및 상대 기판(120)에 홈을 형성하고, 홈과 실링 부재(130)를 봉착한다. 그러나, 이에 한정되는 것이 아니라 수광면 기판(110) 및 상대 기판(120) 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 홈을 형성하고 실링 부재(130)를 봉착할 수 있다. 수광면 기판(110) 및 상대 기판(120) 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 홈을 형성하는 경우 홈의 깊이는 기판(110, 120) 두께의 50% 이하인 것이 바람직하다.
이와 같이 투명 수광면 기판(110) 및/또는 상대 기판(120)의 테두리에 홈을 형성하고, 실링 부재(130)를 봉착함으로써 수광면 기판(110), 상대 기판(120) 및 실링 부재(130)의 접착력을 향상시킬 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시 예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 광전변환소자의 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면도이다.
Claims (17)
- 광전극이 형성된 수광면 기판;상기 광전극과 수광면 기판 사이에 형성된 제1 투명 도전막;상기 수광면 기판과 마주하게 배치되는 것으로, 상대전극이 형성된 상대기판;상기 상대전극과 상기 상대 기판 사이에 형성된 제2 투명 도전막;상기 광전극 상에 형성된 것으로, 빛에 의해 여기되는 감광성 염료를 흡착한 반도체층;상기 반도체층과 상대전극 사이에 개재된 전해질층; 및단차가 형성된 상기 제1 및 제2 투명 도전막과 접착면이 봉착된 실링부재를 포함하는 광전변환소자.
- 제 1항에 있어서,레이저 등의 국부 가열 방식을 이용하여 상기 단차를 형성하는 것을 특징으로 하는 광전변환소자.
- 제 1항에 있어서,상기 수광면 기판 또는 상기 상대기판 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 소정 깊이 및 폭으로 단차를 형성하는 것을 특징으로 하는 광전변환소자.
- 제 2항에 있어서,상기 단차의 깊이는 상기 기판 두께의 50% 이하인 것을 특징으로 하는 광전변환소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제1 투명 도전막 또는 상기 제2 투명 도전막 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 소정 깊이 및 폭으로 단차를 형성하는 것을 특징으로 하는 광전변환소자.
- 제 5항에 있어서,상기 단차의 깊이는 상기 투명 도전막 두께의 20% 이하인 것을 특징으로 하는 광전변환소자.
- 제 5항에 있어서,상기 단차의 깊이는 상기 투명 도전막 두께의 100%인 것을 특징으로 하는 광전변환소자.
- 제 1항에 있어서,상기 수광면 기판 또는 상기 제2 투명 도전막 중 어느 하나 또는 둘 다의 테 두리에 소정 깊이 및 폭으로 단차를 형성하는 것을 특징으로 하는 광전변환소자.
- 제 8항에 있어서,상기 단차의 깊이는 상기 기판 두께의 50% 이하이거나, 상기 투명 도전막 두께의 20% 이하인 것을 특징으로 하는 광전변환소자.
- 제 8항에 있어서,상기 단차의 깊이는 상기 기판 두께의 50% 이하이거나, 상기 투명 도전막 두께의 100%인 것을 특징으로 하는 광전변환소자.
- 제 1항에 있어서상기 상대기판 또는 상기 제1 투명 도전막 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 소정 깊이 및 폭으로 단차를 형성하는 것을 특징으로 하는 광전변환소자.
- 제 11항에 있어서,상기 단차의 깊이는 상기 기판 두께의 50% 이하이거나, 상기 투명 도전막 두께의 20% 이하인 것을 특징으로 하는 광전변환소자.
- 제 11항에 있어서,상기 단차의 깊이는 상기 기판 두께의 50% 이하이거나, 상기 투명 도전막 두 께의 100%인 것을 특징으로 하는 광전변환소자.
- 광전극이 형성되고, 단차를 갖는 수광면 기판;상기 수광면 기판과 마주하게 배치되는 것으로, 상대전극이 형성되고 단차를 갖는 상대기판;상기 광전극 상에 형성된 것으로, 빛에 의해 여기되는 감광성 염료를 흡착한 반도체층;상기 반도체층과 상대전극 사이에 개재된 전해질층; 및테두리에 단차가 형성된 상기 수광면 기판 또는/및 상기 상대기판과 접착면이 봉착된 실링부재를 포함하는 광전변환소자.
- 제 14항에 있어서,레이저 등의 국부 가열 방식을 이용하여 상기 단차를 형성하는 것을 특징으로 하는 광전변환소자.
- 제 14항에 있어서,상기 수광면 기판 또는 상기 상대기판 중 어느 하나 또는 둘 다의 테두리에 소정 깊이 및 폭으로 단차를 형성하는 것을 특징으로 하는 광전변환소자.
- 제 16항에 있어서,상기 단차의 깊이는 상기 기판 두께의 50% 이하인 것을 특징으로 하는 광전변환소자.
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