KR101084219B1 - 광전변환소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광전변환소자에 관한 것이다. 상기 광전변환소자는 서로 이격되게 배치되는 제1, 제2 기판과, 제2 기판과 마주하는 제1 기판의 일면 상에 배치되고 제1 기판의 실링영역으로부터 연장되며 서로에 대해 이격된 복수의 제1 전극들과, 제1 전극들 상에 배치되는 보호층을 포함하고, 실링영역 상의 보호층 단부는 적어도 둘 이상의 제1 전극들을 가로질러 연속적으로 연장된다.
본 발명에 의하면, 전해질의 누설이 효과적으로 방지되고, 내구성이 우수한 광전변환소자가 제공된다.
본 발명에 의하면, 전해질의 누설이 효과적으로 방지되고, 내구성이 우수한 광전변환소자가 제공된다.
Description
본 발명의 일 실시형태는 광전변환소자에 관한 것이다.
최근 화석연료를 대체하는 에너지의 원천으로서, 빛 에너지를 전기 에너지로 변화하는 광전변환소자에 대해 다양한 연구가 진행되고 있으며, 태양광을 이용하는 태양전지가 많은 주목을 받고 있다.
반도체의 p-n 접합을 이용하는 웨이퍼 형태의 실리콘 또는 결정질 태양전지는 가장 많이 보급되고 있으나, 고순도의 반도체 재료를 형성 및 취급한다는 공정의 특성상 제조단가가 높다는 문제가 있다.
실리콘 태양전지와 달리, 염료 감응형 태양전지는 가시광선의 파장을 갖는 빛이 입사하면 이를 받아 여기 전자를 생성할 수 있는 감광성 염료와, 여기된 전자를 받아들일 수 있는 반도체 물질, 그리고, 외부회로에서 일을 하고 돌아오는 전자와 반응하는 전해질을 주된 구성으로 하며, 종래 태양전지에 비해 비약적으로 높은 광전변환효율을 갖고 있어 차세대 태양전지로 기대되고 있다.
본 발명의 일 실시형태는 전해질의 누설이 효과적으로 방지되고, 내구성이 우수한 광전변환소자를 포함한다.
상기와 같은 목적 및 그 밖의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 광전변환소자는,
서로 이격되게 배치되는 제1, 제2 기판;
상기 제2 기판과 마주하는 제1 기판의 일면 상에 배치되며, 제1 기판의 실링영역으로부터 연장되며, 서로에 대해 이격된 복수의 제1 전극들; 및
상기 제1 전극들 상에 배치되는 보호층;을 포함하고,
상기 실링영역 상의 보호층 단부는 적어도 둘 이상의 제1 전극들을 가로질러 연속적으로 연장된다.
일 실시형태에서, 제1 기판의 광전변환영역 상의 보호층의 일부는 서로 이격된 복수의 부분들을 포함하고, 각 부분은 각 제1 전극을 커버한다.
일 실시형태에서, 제1 기판의 광전변환영역 상의 보호층의 일부는 적어도 둘 이상의 제1 전극들을 가로질러 연속적으로 연장된다.
일 실시형태에 따른 광전변환소자는 제1 기판의 실링영역과 주변영역 간의 경계를 따라 연장되며, 제1 전극들을 서로 결합시키는 제2 전극을 더 포함한다.
일 실시형태에서, 상기 보호층은 상기 제2 전극의 적어도 일부와 중첩된다.
일 실시형태에 따른 광전변환소자는 제1, 제2 기판 간의 실링부재를 더 포함하고, 상기 실링부재는 상기 보호층 단부와 적어도 부분적으로 중첩된다. 이때, 상기 보호층 단부는 상기 실링부재와 마주하는 실질적으로 평탄한 면을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 보호층은 수지계 물질을 포함한다.
일 실시형태에서, 이웃한 두 개의 제1 전극들 사이의 상기 보호층 단부의 두께는 적어도 제1 전극의 두께와 같다.
일 실시형태에 따른 광전변환소자는,
제1 기판과 마주하는 제2 기판의 일면 상에 배치되며, 제2 기판의 실링영역으로부터 연장되며, 서로에 대해 이격되어 있는 복수의 제3 전극들; 및
상기 제3 전극들 상에 배치되는 제2 보호층;을 더 포함하고,
상기 실링영역 상의 제2 보호층 단부는 적어도 둘 이상의 제3 전극들을 가로질러 연속적으로 연장된다.
일 실시형태에서, 제2 기판의 광전변환영역 상의 제2 보호층의 일부는 서로에 대해 이격된 다수의 부분들을 포함하고, 각 부분은 각 제3 전극을 커버한다.
일 실시형태에서, 제2 기판의 광전변환영역 상의 제2 보호층의 일부는 적어도 둘 이상의 제3 전극들을 가로질러 연속적으로 연장된다.
일 실시형태에 따른 광전변환소자는 제2 기판의 실링영역과 주변영역 간의 경계를 따라 연장되며, 상기 제3 전극들을 결합시키는 제4 전극을 더 포함한다.
일 실시형태에서, 제2 보호층은 상기 제4 전극의 적어도 일부와 중첩된다.
일 실시형태에서, 제2 보호층의 단부는 제1 기판과 마주하는 실질적으로 평탄한 면을 갖는다.
일 실시형태에서, 이웃한 두 개의 제3 전극들 사이의 상기 제2 보호층 단부의 두께는 적어도 상기 제3 전극의 두께와 같다.
본 발명에 의하면, 전해질의 누설이 효과적으로 방지되고, 내구성이 우수한 광전변환소자가 제공된다. 보다 구체적으로, 전극피치 간격으로 이격된 그리드 패턴들을 매립하는 보호층을 실링영역을 따라 일괄적으로 연속하여 형성함으로써, 그리드 패턴들 사이의 단차 부분을 매립하고 실링부재에 대한 평탄한 지지면을 제공할 수 있으며, 실링부재의 피복 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 광전변환소자의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면도이다.
도 3은 광전극이 형성된 수광면 기판의 사시도로서, 광전변환소자의 실링 구조를 보여주기 위한 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 수광면 기판의 평면도로서, 광전변환소자의 실링 구조를 보여주기 위한 도면이다.
도 5는 도 4의 V-V 선을 따라 취한 단면도이다.
도 6은 본 발명과 대비되는 비교예에 따른 광전변환소자의 단면도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면도이다.
도 3은 광전극이 형성된 수광면 기판의 사시도로서, 광전변환소자의 실링 구조를 보여주기 위한 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 수광면 기판의 평면도로서, 광전변환소자의 실링 구조를 보여주기 위한 도면이다.
도 5는 도 4의 V-V 선을 따라 취한 단면도이다.
도 6은 본 발명과 대비되는 비교예에 따른 광전변환소자의 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태에 관한 광전변환소자에 대해 설명하기로 한다. 도 1에는 본 발명의 일 실시형태에 관한 광전변환소자의 분해 사시도가 도시되어 있다. 도면을 참조하면, 상기 광전변환소자는, 광전변환을 수행하기 위한 기능층(118,128)이 형성된 수광면 기판(110) 및 상대기판(120)을 서로 마주하게 배치하고, 수광면 기판(110) 및 상대기판(120) 사이의 가장자리를 따라 실링부재(130)를 개재하여 양 기판(110,120)을 봉착시킨 후, 미도시된 전해질 주입구를 통하여 소자 내부로 전해질(미도시)을 주입시킴으로써 형성될 수 있다. 상기 실링부재(130)는 전해질이 외부로 누설되지 않도록 전해질을 밀봉하며, 소자 내부의 광전변환영역(P)과 소자 외부의 주변 영역(NP)을 경계짓는다.
예를 들어, 상기 수광면 기판(110) 및 상대기판(120)에 형성된 기능층(118,128)은 조사광으로부터 여기 전자들을 생성하기 위한 반도체층과, 생성된 전자들을 취합하여 외부로 인출해내기 위한 전극들을 포함한다. 예를 들어, 기능층(118,128)을 구성하는 전극구조의 일부는 외부회로와의 전기접속을 위해 실링부재(130)의 외곽으로 연장되어 주변 영역(NP)으로 인출될 수 있다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면도이다. 도면을 참조하면, 광전극(114)이 형성된 수광면 기판(110)과 상대전극(124)이 형성된 상대기판(120)이 서로 마주하게 배치되고, 상기 광전극(114) 상에는 빛(VL)에 의해 여기되는 감광성 염료를 흡착한 반도체층(117)이 형성되며, 상기 반도체층(117)과 상대전극(124) 사이에는 전해질(150)이 개재된다. 예를 들어, 광전극(114) 및 반도체층(117)은 수광면 기판(110) 측의 기능층(118)에 해당되고, 상대전극(124)은 상대기판(120) 측의 기능층(128)에 해당된다.
상기 수광면 기판(110)과 상대기판(120)은 실링부재(130)를 개재하여 소정간극을 사이에 두고 합착되고, 수광면 기판(110)과 상대기판(120) 사이로는 전해질(150)을 구성할 전해액이 충전될 수 있다. 상기 실링부재(130)는 전해질(150)을 내포하도록 전해질(150) 주위에 형성되고 전해질(150)이 외부로 누설되지 않도록 밀봉하고 있다.
상기 광전극(114)과 상대전극(124)은 도선(160)을 이용하여 접속되고, 외부회로(180)를 통하여 전기적으로 연결된다. 다만, 다수의 광전변환소자들이 직렬/병렬로 접속되어 모듈화되는 구성에서는 광전변환소자의 전극(114,124)들이 직렬 접속 또는 병렬 접속될 수 있고, 접속부의 양단이 외부회로(180)와 연결될 수 있다.
상기 수광면 기판(110)은 투명소재로 형성될 수 있고, 높은 광투과율을 갖는 소재로 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 수광면 기판(110)은 유리소재의 글라스 기판이나 수지필름으로 구성될 수 있다. 수지필름은 통상 가요성을 갖기 때문에 유연성이 요구되는 용도에 적합하다.
상기 광전극(114)은 투명 도전막(111)과 투명 도전막(111) 상에 형성된 그리드 패턴(113)을 포함할 수 있다. 상기 투명 도전막(111)은 투명성과 전기 전도성을 겸비한 소재로 형성되며, 예를 들어, ITO, FTO, ATO 등의 TCO(Transparent Conducting Oxide)로 형성될 수 있다. 상기 그리드 패턴(113)은 광전극(114)의 전기 저항을 낮추기 위해 도입된 것이며, 광전변환작용에 따라 생성된 전자들을 수취하여 저 저항의 전류패스를 제공하는 배선으로 기능한다. 예를 들어, 상기 그리드 패턴(113)은 전기 전도성이 우수한 금(Ag), 은(Au), 알루미늄(Al) 등의 금속소재로 형성될 수 있으며, 스트라이프 형상으로 패턴화될 수 있다.
상기 광전극(114)은 광전변환소자의 음극으로 기능하며, 높은 개구율을 갖는 것이 바람직하다. 광전극(114)을 통하여 입사된 빛(VL)은 반도체층(117)에 흡착된 감광성 염료의 여기원으로 작용하므로, 허용되는 많은 빛(VL)을 입사시킴으로써 광전변환효율을 높일 수 있다.
상기 그리드 패턴(113)의 외 표면에는 보호층(115)이 더 형성될 수 있다. 상기 보호층(115)은 그리드 패턴(113)이 전해질(150)과 접촉하여 반응함으로써 그리드 패턴(113)이 부식되는 등 전극 손상이 일어나는 것을 방지하는 기능을 한다. 상기 보호층(115)은 전해질(150)과 반응하지 않는 물질로 구성될 수 있으며, 예를 들어, 경화성 수지물질로 구성될 수 있다.
상기 반도체층(117)은 적합한 반도체 소재를 이용하여 형성될 수 있으며, 예를 들어, Cd,Zn,In,Pb,Mo,W,Sb,Ti,Ag,Mn,Sn,Zr,Sr,Ga,Si,Cr 등의 금속 산화물로 형성될 수 있다. 상기 반도체층(117)은 감광성 염료를 흡착함으로써 광전변환효율을 높일 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체층(117)은 5nm ~ 1000nm 입경의 반도체 입자를 분산시킨 페이스트를 전극(114)이 형성된 기판(110) 위에 도포한 후, 소정의 열 또는 압력을 적용하는 가열 처리 또는 가압 처리를 거쳐 형성될 수 있다.
상기 반도체층(117)에 흡착된 감광성 염료는 수광면 기판(110)을 투과하여 입사된 빛(VL)을 흡수하고, 감광성 염료의 전자는 기저 상태로부터 여기 상태로 여기된다. 여기된 전자는 감광성 염료와 반도체층(117) 간의 전기적인 결합을 이용하여 반도체층(117)의 전도대로 전이된 후, 반도체층(117)을 통과하여 광전극(114)에 도달하고, 광전극(114)을 통하여 외부로 인출됨으로써 외부회로(180)를 구동하는 구동전류를 형성하게 된다.
예를 들어, 상기 반도체층(117)에 흡착되는 감광성 염료는 가시광 대역에서 흡수를 보이고, 광 여기 상태로부터 신속하게 반도체층(117)으로의 전자 이동을 야기하는 분자로 구성된다. 상기 감광성 염료는 액상, 반 고체의 겔 형상, 고체 형태 중의 어느 한 형태를 취할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체층(117)에 흡착되는 감광성 염료로는 루테늄(ruthenium) 계의 감광성 염료가 사용될 수 있다. 소정의 감광성 염료를 포함하는 용액 속에 반도체층(117)이 형성된 기판(110)을 침지시키는 방식으로, 감광성 염료를 흡착한 반도체층(117)을 얻을 수 있다.
상기 전해질(150)로는 한 쌍의 산화체와 환원체를 포함하는 레독스(Redox) 전해질이 적용될 수 있고, 고체형 전해질, 겔상 전해질, 액체형 전해질 등이 모두 사용될 수 있다.
한편, 수광면 기판(110)과 마주하게 배치되는 상대기판(120)은 투명성을 특히 요구하지는 않지만, 광전변환효율을 높이기 위한 목적으로 양편에서 빛(VL)을 받을 수 있도록 투명소재로 형성될 수 있고, 수광면 기판(110)과 동일한 소재로 형성될 수 있다. 특히, 상기 광전변환소자가 창틀 등의 구조물에 설치되는 BIPV(Building Integrated Photovoltaic) 용도로 활용되는 경우에는 실내로 유입되는 빛(VL)을 차단하지 않도록 광전변환소자의 양편으로 투명성을 갖는 것이 바람직하다.
상기 상대전극(124)은 투명 도전막(121)과 상기 투명 도전막(121) 상에 형성된 촉매층(122)을 포함할 수 있다. 상기 투명 도전막(121)은 투명성과 전기 전도성을 겸비한 소재로 형성되며, 예를 들어, ITO, FTO, ATO 등의 TCO(Transparent Conducting Oxide)로 형성될 수 있다. 상기 촉매층(122)은 전해질(150)에 전자를 제공하는 환원 촉매기능을 갖는 소재로 형성되며, 예를 들어, 백금(Pt), 금(Ag), 은(Au), 동(Cu), 알루미늄(Al) 등의 금속이나, 산화주석 등의 금속 산화물, 또는 그라파이트(graphite) 등의 카본계 물질로 구성될 수 있다.
상기 상대전극(124)은 광전변환소자의 양극으로 기능하며, 전해질(150)에 전자를 제공하는 환원촉매의 기능을 수행한다. 반도체층(117)에 흡착된 감광성 염료는 빛(VL)을 흡수하여 여기되고, 여기된 전자는 광전극(114)을 통하여 외부로 인출된다. 한편, 전자를 잃은 감광성 염료는 전해질(150)의 산화에 의해 제공되는 전자를 수취하여 다시 환원되고, 산화된 전해질(150)은 외부회로(180)를 거쳐서 상대전극(124)에 도달한 전자에 의해 다시 환원되어 광전변환소자의 작동과정이 완성된다.
도 3 및 도 4는 광전극(114)이 형성된 수광면 기판(110)의 사시도 및 평면도이다. 도시된 바와 같이, 수광면 기판(110) 상에는 투명 도전막(110)과, 투명 도전막(110) 상에서 일 방향(Z1)을 따라 스트라이프(stripe) 패턴으로 평행하게 연장되는 그리드 패턴(113)들과, 상기 그리드 패턴(113)들을 가로지르는 방향(Z2)으로 연장되며 그리드 패턴(113)들을 하나의 공통 배선으로 취합하는 집전배선 패턴(116)이 형성된다. 도면부호 C, W는 그리드 패턴(113)의 전극피치와 선폭을 나타낸다.
실링영역(S)을 경계로 하여, 그리드 패턴(113)의 주된 부분은 광전변환영역(P) 내에 배치되고, 집전배선 패턴(116)은 주변 영역(NP)에 배치된다. 광전변환영역(P)의 개구율을 높이기 위한 목적으로, 불투명한 집전배선 패턴(116)을 주변 영역(NP)에 형성할 수 있다. 상기 실링영역(S)을 따라서는 실링부재(130)가 배치된다.
상기 그리드 패턴(113)들은 보호층(115)에 의해 매립된다. 그리드 패턴(113)을 덮는 보호층(115)은 집전배선 패턴(116) 상으로 확장 형성되어 집전배선 패턴(116)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 이때, 집전배선 패턴(116)의 취출 부분(116a)은 외부회로와의 접속을 위해 보호층(115)으로부터 노출될 수 있다.
상기 보호층(115)은 실링영역(S)을 따라 연속적으로 형성된다. 여기서, 연속적으로 형성된다는 것은 실링영역(S)을 따라 보호층(115)이 끊기지 않고 일괄적으로 연속하여 형성됨으로써 전극피치(C) 간격으로 이격된 그리드 패턴(113)들을 가로질러 연장되며, 그리드 패턴(113)들 사이의 단차 부분(T)을 매립한다는 것을 의미한다. 실링영역(S)의 보호층(115)은 그리드 패턴(113)을 보호하기 위한 목적 보다는, 그리드 패턴(113) 사이의 단차 부분(T)을 매립함으로써 실링부재(130)에 대해 평탄한 지지면을 제공하기 위한 목적에 기여한다.
도 5에는 도 4의 V-V 선을 따라 취한 광전변환소자의 수직 단면도가 도시되어 있다. 도면을 참조하면, 투명 도전막(111) 상에는 정해진 전극피치(C) 간격으로 배열되는 다수의 그리드 패턴(113)들이 배치된다. 상기 그리드 패턴(113)들 위로는 보호층(115)이 형성된다. 상기 보호층(115)은 다수의 그리드 패턴(113)들을 가로질러 형성되며, 그리드 패턴(113)들 사이의 투명 도전막(111) 부분을 매립한다.
그리드 패턴(113)은 투명 도전막(111) 위로 전극 두께에 상응하는 높이(T)를 형성하므로, 그리드 패턴(113)과 그 바탕을 이루는 투명 도전막(111) 간에는 소정의 단차가 형성된다. 이때, 실링영역(S)을 따라 보호층(115)이 일괄적으로 형성됨으로써 보호층(115)은 그리드 패턴(113)들 사이의 단차 부분(T)을 자연스럽게 매립하고, 그 결과 상기 보호층(115)은 평탄화된 상면을 제공하게 된다. 그리고, 평탄화된 보호층(115) 위로 실링부재(130)가 배치됨으로써 실링부재(130)가 안정적인 지지면을 확보할 수 있고, 실링의 신뢰성 및 내구성이 향상되는 효과를 거둘 수 있다. 즉, 실링부재(130)가 흡수해야 하는 단차 피복(step-coverage)을 줄임으로써 실링부재(130)의 긴밀한 봉착이 이루어지고, 전해질(150)의 누설이 효과적으로 방지될 수 있다.
도 6은 비교예에 따른 광전변환소자의 실링 구조를 보여주는 수직 단면도이다. 도면을 참조하면, 투명 도전막(11) 위에 다수의 그리드 패턴(13)들이 배치되고, 그리드 패턴(13) 위로 보호층(15)이 형성된다. 이때, 상기 보호층(15)은 개별적으로 그리드 패턴(13)들을 피복하도록 단속적으로 형성된다. 즉, 그리드 패턴(13)들 사이의 투명 도전막(11)은 보호층(15)에 의해 매립되지 않고 그대로 노출된다. 이때, 실링부재(30)가 보호층(15) 사이로 투명 도전막(11)과 맞닿는 단차 깊이(D)까지 침투하여 보호층(15) 사이의 단차 부분(T`)을 완전히 매립함으로써 전해질(150)이 밀봉된다. 따라서, 실링부재(30)에 높은 단차 피복(step-coverage)이 요구됨으로써 소재 및 가공방법 등의 선택에 제한을 받게 되고, 특히 실링부재(30)의 밀봉 특성이 떨어지게 됨으로써, 예를 들어, 실링부재(30)가 투명 도전막(11)으로부터 분리되어 전해질(150)이 외부로 누설된 위험이 크다.
도 3 내지 도 5에 제시된 구조에서는 그리드 패턴(113)들을 가로질러 연장되는 실링영역(S)을 따라 보호층(115)을 일괄적으로 연속하여 형성함으로써 그리드 패턴(113)들 간의 단차 부분(T)을 매립할 수 있고, 따라서 실링부재(130)에 대해 평탄한 지지면을 제공할 수 있다. 한편, 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명된 기술적 사항들은 상대전극(124)이 형성된 상대기판(120) 측에 대해서도 사실상 동일하게 적용될 수 있으며, 예를 들어, 상대전극(124)에 편성된 그리드 패턴(121)들을 가로질러 연속적으로 보호층(125)을 형성함으로써 실링부재(130)에 대해 평탄한 지지면을 제공하고, 실링부재(130)의 밀봉 특성을 향상시킬 수 있다.
일 실시형태에서, 수광면 기판(110)의 광전변환영역(P) 상의 보호층(115) 일부는 서로에 대해 이격된 다수의 부분들을 포함하고, 각 부분은 해당되는 각 그리드 패턴(131)을 커버한다.
다른 실시형태에서, 수광면 기판(110)의 광전변환영역(P) 상의 보호층(115) 일부는 적어도 둘 이상의 그리드 패턴(131)들을 가로질러 연속적으로 연장된다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
110 : 수광면 기판 111, 121 : 투명 도전막
113, 123 : 그리드 패턴 114 : 광전극
115, 125 : 보호층 116 : 집전배선 패턴
116a : 집전배선 패턴의 취출 부분 117 : 반도체층
118,128 : 기능층 120 : 상대기판
122 : 촉매층 124 : 상대전극
130 : 실링부재 150 : 전해질
160 : 도선 180 : 외부회로
P : 광전변환영역 NP : 주변 영역
S : 실링영역 T : 단차 부분
C : 그리드 패턴의 전극피치 W : 그리드 패턴의 선폭
113, 123 : 그리드 패턴 114 : 광전극
115, 125 : 보호층 116 : 집전배선 패턴
116a : 집전배선 패턴의 취출 부분 117 : 반도체층
118,128 : 기능층 120 : 상대기판
122 : 촉매층 124 : 상대전극
130 : 실링부재 150 : 전해질
160 : 도선 180 : 외부회로
P : 광전변환영역 NP : 주변 영역
S : 실링영역 T : 단차 부분
C : 그리드 패턴의 전극피치 W : 그리드 패턴의 선폭
Claims (16)
- 서로 이격되게 배치되는 제1, 제2 기판;
상기 제1, 제2 기판 사이의 가장자리를 따라 형성된 실링부재로서,
상기 실링부재를 따라 제1, 제2 기판 상에 형성된 실링영역과, 상기 실링영역을 경계로 하여, 제1, 제2 기판 내측의 광전변환영역과 제1, 제2 기판 가장자리의 주변영역을 구획하는 실링부재;
상기 제2 기판과 마주하는 제1 기판의 일면 상에 배치되고, 제1 기판의 실링영역으로부터 연장되며, 서로에 대해 이격된 복수의 제1 전극들; 및
상기 제1 전극들 상에 배치되는 보호층;을 포함하고,
상기 실링영역 상의 보호층 단부는 적어도 둘 이상의 제1 전극들을 가로질러 연속적으로 연장되는 것을 특징으로 하는 광전변환소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1 기판의 광전변환영역 상의 보호층의 일부는 서로 이격된 복수의 부분들을 포함하고, 각 부분은 각 제1 전극을 커버하는 것을 특징으로 하는 광전변환소자. - 제1항에 있어서,
제1 기판의 광전변환영역 상의 보호층의 일부는 적어도 둘 이상의 제1 전극들을 가로질러 연속적으로 연장되는 것을 특징으로 하는 광전변환소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1 기판의 실링영역과 주변영역 간의 경계를 따라 연장되며, 상기 제1 전극들을 서로 결합시키는 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환소자. - 제4항에 있어서,
상기 보호층은 상기 제2 전극의 적어도 일부와 중첩되는 것을 특징으로 하는 광전변환소자. - 제1항에 있어서,
상기 실링부재는 상기 보호층 단부와 적어도 부분적으로 중첩되는 것을 특징으로 하는 광전변환소자. - 제6항에 있어서,
상기 보호층 단부는 상기 실링부재와 마주하는 평탄한 면을 갖는 것을 특징으로 하는 광전변환소자. - 제1항에 있어서,
상기 보호층은 수지계 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환소자. - 제1항에 있어서,
이웃한 두 개의 제1 전극들 사이의 상기 보호층 단부의 두께는 상기 제1 전극의 두께와 같거나 또는 상기 제1 전극의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 광전변환소자. - 제1항에 있어서,
제1 기판과 마주하는 제2 기판의 일면 상에 배치되고, 제2 기판의 실링영역으로부터 연장되며, 서로에 대해 이격되어 있는 복수의 제3 전극들; 및
상기 제3 전극들 상에 배치되는 제2 보호층;을 포함하고,
상기 실링영역 상의 제2 보호층 단부는 적어도 둘 이상의 제3 전극들을 가로질러 연속적으로 연장되는 것을 특징으로 하는 광전변환소자. - 제10항에 있어서,
상기 제2 기판의 광전변환영역 상의 제2 보호층의 일부는 서로에 대해 이격된 다수의 부분들을 포함하고, 각 부분은 각 제3 전극을 커버하는 것을 특징으로 하는 광전변환소자. - 제10항에 있어서,
상기 제2 기판의 광전변환영역 상의 제2 보호층의 일부는 적어도 둘 이상의 제3 전극들을 가로질러 연속적으로 연장되는 것을 특징으로 하는 광전변환소자. - 제10항에 있어서,
제2 기판의 실링영역과 주변영역 간의 경계를 따라 연장되며, 상기 제3 전극들을 결합시키는 제4 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환소자. - 제13항에 있어서,
상기 제2 보호층은 상기 제4 전극의 적어도 일부와 중첩되는 것을 특징으로 하는 광전변환소자. - 제10항에 있어서,
상기 제2 보호층 단부는 제1 기판과 마주하는 평탄한 면을 갖는 것을 특징으로 하는 광전변환소자. - 제10항에 있어서,
이웃한 두 개의 제3 전극들 사이의 상기 제2 보호층 단부의 두께는 상기 제3 전극의 두께와 같거나 또는 상기 제3 전극의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 광전변환소자.
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