KR20110053064A - Light emitting diode chip and light emitting diode package each having distributed bragg reflector - Google Patents
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본 발명은 발광 다이오드 칩 및 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 분포 브래그 반사기를 갖는 발광 다이오드 칩 및 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode chip and a light emitting diode package, and to a light emitting diode chip and a light emitting diode package having a distributed Bragg reflector.
청색 또는 자외선을 방출하는 질화갈륨 계열의 발광 다이오드 칩이 다양한 응용에 적용되고 있으며, 특히, 백라이트 유닛 또는 일반 조명 등에 요구되는 혼색광, 예컨대 백색광을 방출하는 다양한 종류의 발광 다이오드 패키지가 시판되고 있다.BACKGROUND ART A gallium nitride-based light emitting diode chip emitting blue or ultraviolet rays is applied to various applications, and various kinds of light emitting diode packages emitting mixed color light, for example, white light, required for a backlight unit or general lighting, are commercially available.
발광 다이오드 패키지의 광 출력은 주로 발광 다이오드 칩의 광 효율에 의존하기 때문에 발광 다이오드 칩의 광 효율을 개선하려는 노력이 계속되고 있다. 특히, 발광 다이오드 칩의 광 추출 효율을 개선하려는 노력이 계속되고 있으며, 이러한 노력의 하나로, 사파이어와 같은 투명기판의 하부면에 금속 반사기 또는 분포 브래그 반사기를 형성하는 기술이 알려져 있다.Since the light output of the LED package mainly depends on the light efficiency of the LED chip, efforts are being made to improve the light efficiency of the LED chip. In particular, efforts have been made to improve light extraction efficiency of light emitting diode chips. As one of such efforts, a technique of forming a metal reflector or a distributed Bragg reflector on a lower surface of a transparent substrate such as sapphire is known.
도 1은 종래 사파이어 기판의 하부면에 알루미늄층을 형성하여 측정한 반사 율을 나타낸다.Figure 1 shows the reflectance measured by forming an aluminum layer on the lower surface of the conventional sapphire substrate.
도 1을 참조하면, 알루미늄층을 형성하지 않은 사파이어 기판의 경우 약 20%의 반사율을 나타내지만, 알루미늄층을 형성한 경우, 가시광선 영역의 전 파장에 걸쳐 약 80%의 반사율을 나타내는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 1, the sapphire substrate without the aluminum layer shows a reflectance of about 20%, but when the aluminum layer is formed, it shows that the reflectance is about 80% over the entire wavelength of the visible light region. have.
도 2는 종래 사파이어 기판의 하부면에 TiO2/SiO2를 주기적으로 반복하여 분포 브래그 반사기를 형성하여 측정한 반사율을 나타낸다.2 shows a reflectance measured by periodically repeating TiO 2 / SiO 2 on a lower surface of a conventional sapphire substrate to form a distributed Bragg reflector.
알루미늄층 대신에, 발광 다이오드 칩에서 방출되는 광, 예컨대 460nm의 피크 파장의 광에 대한 분포 브래그 반사기(DBR)를 설치한 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, 청색 파장 영역, 예컨대 400~500nm의 파장 영역에서 반사율이 거의 100%에 도달함을 알 수 있다.Instead of an aluminum layer, when a distributed Bragg reflector (DBR) is provided for light emitted from a light emitting diode chip, for example, light having a peak wavelength of 460 nm, as shown in FIG. It can be seen that the reflectance reaches almost 100% in the wavelength region.
그러나 DBR은 가시광선 영역 중 일부 영역에 대해 반사율을 높일 수 있을 뿐이며 다른 영역에 대한 반사율은 상당히 낮다. 즉, 도 2에 보이듯이, 약 520nm 이상의 파장에 대해 반사율이 급격히 감소하며, 550nm 이상에서는 대부분 반사율이 50% 미만이 된다.However, DBR can only increase the reflectance for some areas of visible light, while the reflectance for other areas is quite low. That is, as shown in Figure 2, the reflectance is rapidly reduced for a wavelength of about 520nm or more, the reflectance is less than 50% in most 550nm or more.
따라서 DBR을 적용한 발광 다이오드 칩을 백색광을 구현하는 발광 다이오드 패키지에 실장할 경우, 발광 다이오드 칩에서 방출된 청색 파장 영역의 광에 대해서는 높은 반사율을 나타내지만, 녹색 및/또는 적색 파장 영역의 광에 대해서는 DBR이 효과적인 반사 특성을 나타내지 못하며 따라서 패키지에서의 광 효율 개선에 한계가 있다. Therefore, when the light emitting diode chip with DBR is mounted on a light emitting diode package that implements white light, the light emitting diode chip exhibits high reflectance for light in the blue wavelength region emitted from the light emitting diode chip, but light for green and / or red wavelength region. The DBR does not exhibit effective reflection properties and therefore there is a limit to improving the light efficiency in the package.
한편, 발광 다이오드 패키지의 반사면에 DBR을 적용하려는 시도가 있지만, 종래의 DBR 증착 기술의 한계, 예컨대 증착 온도, 플라즈마 온도 등의 문제로 실현되지 못하고 있다.On the other hand, attempts have been made to apply the DBR to the reflective surface of the LED package, but this has not been realized due to the limitations of the conventional DBR deposition techniques, such as deposition temperature, plasma temperature, and the like.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 혼색광, 예컨대 백색광을 구현하는 발광 다이오드 패키지의 광 효율을 증가시킬 수 있는 발광 다이오드 칩을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a light emitting diode chip capable of increasing the light efficiency of a light emitting diode package for implementing mixed color light, for example, white light.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 광 효율을 증가시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting diode package capable of increasing light efficiency.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 넓은 파장 영역에 걸쳐 높은 반사율을 갖는 분포 브래그 반사기, 그것을 채택한 발광 다이오드 칩 및 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a distributed Bragg reflector having a high reflectance over a wide wavelength region, a light emitting diode chip and a light emitting diode package employing the same.
일 태양에 따르면, 분포 브래그 반사기를 갖는 발광 다이오드 칩이 개시된다. 이 발광 다이오드 칩은 기판, 상기 기판 상부에 위치하고, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광 구조체 및 상기 발광 구조체에서 방출된 광을 반사하는 분포 브래그 반사기를 포함한다. 상기 분포 브래그 반사기는 청색 파장 영역의 제1 파장의 광, 녹색 파장 영역의 제2 파장의 광 및 적색 파장 영역의 제3 파장의 광에 대해 90% 이상의 반사율을 갖는다.According to one aspect, a light emitting diode chip having a distributed Bragg reflector is disclosed. The light emitting diode chip includes a substrate, a light emitting structure positioned on the substrate, the active layer interposed between a first conductive semiconductor layer and a second conductive semiconductor layer, and a distributed Bragg reflector reflecting light emitted from the light emitting structure. It includes. The distributed Bragg reflector has a reflectance of at least 90% for light at a first wavelength in the blue wavelength region, light at a second wavelength in the green wavelength region, and light at a third wavelength in the red wavelength region.
상기 분포 브래그 반사기를 채택함에 따라, 상기 발광 다이오드 칩이 혼색광, 예컨대 백색광을 구현하는 발광 다이오드 패키지에 적용될 경우, 청색광, 녹색광 및 적색광을 효과적으로 반사시킬 수 있어 상기 발광 다이오드 패키지의 광 효 율을 향상시킬 수 있다.By adopting the distribution Bragg reflector, when the light emitting diode chip is applied to a light emitting diode package that implements mixed light, for example, white light, it is possible to effectively reflect blue light, green light, and red light, thereby improving the light efficiency of the light emitting diode package. You can.
상기 분포 브래그 반사기는 상기 기판의 하부에 위치할 수 있다. 특히, 상기 분포 브래그 반사기는 상기 기판의 하부면상에 형성되어 상기 기판의 하부면과 접촉할 수 있다. 이 경우, 상기 상기 기판의 하부면은 그 표면 거칠기가 3㎛ 이하인 것이 바람직하다.The distributed Bragg reflector may be located below the substrate. In particular, the distributed Bragg reflector may be formed on the bottom surface of the substrate to contact the bottom surface of the substrate. In this case, the lower surface of the substrate preferably has a surface roughness of 3 μm or less.
또한, 상기 기판은 그 상부면에 소정의 패턴을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판은 패터닝된 사파이어 기판일 수 있다.In addition, the substrate may include a predetermined pattern on an upper surface thereof. For example, the substrate may be a patterned sapphire substrate.
한편, 상기 기판은 그 면적이 90,000㎛2 이상일 수 있다. 예컨대, 상기 기판 면적은 300×300㎛2 이상, 또는 1×1㎜2 이상일 수 있다. 상대적으로 큰 기판 면적을 갖는 발광 다이오드 칩에서 넓은 면적에 걸쳐 상기 분포 브래그 반사기가 형성됨으로써 본 발명은 특히 유용하다.Meanwhile, the substrate may have an area of 90,000 μm 2 or more. For example, the substrate area may be 300 × 300 μm 2 or more, or 1 × 1 mm 2 or more. The present invention is particularly useful as the distributed Bragg reflector is formed over a large area in a light emitting diode chip having a relatively large substrate area.
또한, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 기판 상에 복수개의 발광셀들을 포함할 수 있다. 나아가, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 복수개의 발광셀들이 직렬연결된 적어도 하나의 발광셀 어레이를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting diode chip may include a plurality of light emitting cells on the substrate. Furthermore, the light emitting diode chip may include at least one light emitting cell array in which the plurality of light emitting cells are connected in series.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 분포 브래그 반사기는 제1 분포 브래그 반사기 및 제2 분포 브래그 반사기를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 분포 브래그 반사기는 적색 파장 영역의 광에 비해 청색 파장 영역의 광에 대한 반사율이 높고, 상기 제2 분포 브래그 반사기는 청색 파장 영역의 광에 비해 녹색 파장 영역 또는 적색 파장 영역의 광에 대한 반사율이 높을 수 있다.In some embodiments, the distribution Bragg reflector may include a first Distribution Bragg reflector and a second Distribution Bragg reflector. For example, the first distributed Bragg reflector has a higher reflectance for light in the blue wavelength region than the light in the red wavelength region, and the second distributed Bragg reflector has light in the green wavelength region or the red wavelength region compared to the light in the blue wavelength region. The reflectivity for may be high.
또한, 상기 분포 브래그 반사기의 위치는 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 상기 분포 브래그 반사기는 상기 기판의 하부에 위치할 수 있으며, 이 경우, 상기 제1 분포 브래그 반사기가 상기 제2 분포 브래그 반사기보다 상기 기판에 더 가깝게 위치할 수 있다. 또는, 상기 분포 브래그 반사기는 상기 기판과 상기 발광 구조체 사이에 위치할 수 있으며, 이 경우, 상기 제1 분포 브래그 반사기가 상기 제2 분포 브래그 반사기보다 상기 발광 구조체에 더 가깝게 위치할 수 있다.In addition, the position of the said distribution Bragg reflector is not specifically limited. For example, the distributed Bragg reflector may be located below the substrate, in which case the first Distributed Bragg reflector may be located closer to the substrate than the second Distributed Bragg reflector. Alternatively, the distributed Bragg reflector may be located between the substrate and the light emitting structure, and in this case, the first Distributed Bragg reflector may be located closer to the light emitting structure than the second distributed Bragg reflector.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 분포 브래그 반사기는 제1 광학 두께를 갖는 제1 재료층과 제2 광학 두께를 갖는 제2 재료층의 복수개의 쌍들과, 제3 광학 두께를 갖는 제3 재료층과 제4 광학 두께를 갖는 제4 재료층의 복수개의 쌍들을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 재료층의 굴절률은 상기 제2 재료층의 굴절률과 다르고, 상기 제3 재료층의 굴절률은 상기 제4 재료층의 굴절률과 다르다.In some embodiments, the distributed Bragg reflector includes a plurality of pairs of a first material layer having a first optical thickness and a second material layer having a second optical thickness, a third material layer having a third optical thickness; And a plurality of pairs of fourth material layers having a fourth optical thickness. Here, the refractive index of the first material layer is different from the refractive index of the second material layer, and the refractive index of the third material layer is different from the refractive index of the fourth material layer.
또한, 상기 제1 재료층 및 제2 재료층의 복수개의 쌍들이 상기 제3 재료층 및 제4 재료층의 복수개의 쌍들에 비해 상기 발광 구조체에 더 가깝에 위치할 수 있다. 나아가, 상기 제1 재료층 및 제2 재료층은 각각 상기 제3 재료층 및 제4 재료층과 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 광학 두께가 상기 제3 광학 두께에 비해 더 얇고, 상기 제2 광학 두께가 상기 제4 광학 두께에 비해 더 얇을 수 있다.In addition, the plurality of pairs of the first material layer and the second material layer may be located closer to the light emitting structure than the plurality of pairs of the third material layer and the fourth material layer. Furthermore, the first material layer and the second material layer may have the same refractive index as the third material layer and the fourth material layer, respectively. In addition, the first optical thickness may be thinner than the third optical thickness, and the second optical thickness may be thinner than the fourth optical thickness.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 제1 재료층 및 제2 재료층의 복수개의 쌍들과 상기 제3 재료층 및 제4 재료층의 복수개의 쌍들이 서로 섞여 있을 수 있다.In some embodiments, the plurality of pairs of the first material layer and the second material layer and the plurality of pairs of the third material layer and the fourth material layer may be mixed with each other.
한편, 상기 제1 광학 두께와 상기 제2 광학 두께는 정수배의 관계를 만족할 수 있으며, 또한, 상기 제3 광학 두께와 상기 제4 광학 두께는 정수배의 관계를 만족할 수 있다. 특히, 상기 제1 광학 두께와 제2 광학 두께는 서로 동일하고, 상기 제3 광학 두께와 제4 광학 두께는 서로 동일할 수 있다.The first optical thickness and the second optical thickness may satisfy an integer multiple, and the third optical thickness and the fourth optical thickness may satisfy an integer multiple. In particular, the first optical thickness and the second optical thickness may be equal to each other, and the third optical thickness and the fourth optical thickness may be equal to each other.
다른 태양에 따르면, 분포 브래그 반사기를 갖는 발광 다이오드 패키지가 제공된다. 이 발광 다이오드 패키지는, 발광 다이오드 칩을 실장하기 위한 실장면과, 상기 실장면 상에 실장된 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 광의 적어도 일부를 반사시키는 반사면을 포함한다. 상기 반사면의 적어도 일부에는 청색 파장 영역의 제1 파장의 광, 녹색 파장 영역의 제2 파장의 광 및 적색 파장 영역의 제3 파장의 광에 대해 90% 이상의 반사율을 갖는 분포 브래그 반사기가 설치되어 있다.According to another aspect, a light emitting diode package having a distributed Bragg reflector is provided. The light emitting diode package includes a mounting surface for mounting a light emitting diode chip, a light emitting diode chip mounted on the mounting surface, and a reflecting surface for reflecting at least a portion of the light emitted from the light emitting diode chip. At least a portion of the reflective surface is provided with a distributed Bragg reflector having a reflectivity of at least 90% of light of a first wavelength in a blue wavelength region, light of a second wavelength in a green wavelength region, and light of a third wavelength in a red wavelength region. have.
상기 분포 브래그 반사기는 예컨대 이온 보조 증착(ion assisted deposion) 기술을 사용하여 형성될 수 있다.The distributed Bragg reflector can be formed using, for example, ion assisted deposion techniques.
본 발명의 실시예들에 따르면, 가시광선의 넓은 영역에 걸쳐 반사율이 높은 분포 브래그 반사기가 제공되며, 이에 따라 혼색광, 예컨대 백색광을 구현하는 발광 다이오드 패키지의 광 효율을 향상시킬 수 있다. 나아가, 발광 다이오드의 패키지를 손상시키지 않고 패키지 상에 분포 브래그 반사기를 형성할 수 있는 기술을 채택함으로써 광 효율이 개선된 발광 다이오드 패키지가 제공될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a distributed Bragg reflector having a high reflectance over a large area of visible light is provided, thereby improving light efficiency of a light emitting diode package implementing mixed color light, for example, white light. Furthermore, a light emitting diode package having improved light efficiency can be provided by adopting a technique capable of forming a distributed Bragg reflector on a package without damaging the package of the light emitting diode.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided as examples to ensure that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And in the drawings, the width, length, thickness, etc. of the components may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 분포 브래그 반사기(45)를 갖는 다이오드 칩(20)을 설명하기 위한 단면도이고, 도 4는 도 3의 분포 브래그 반사기(45)를 확대하여 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a
도 3을 참조하면, 발광 다이오드 칩(20)은 기판(21), 발광 구조체(30), 분포 브래그 반사기(45)를 포함한다. 또한, 상기 발광 다이오드 칩(20)은 버퍼층(23), 투명 전극(31), p-전극 패드(33), n-전극 패드(35), 반사 금속층(51) 및 보호층(53)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the
상기 기판(21)은 투명 기판이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 사파이어 또는 SiC 기판일 수 있다. 상기 기판(21)은 또한, 상부면에 패터닝된 사파이어 기판(PSS)과 같이, 소정의 패턴을 가질 수 있다. 한편, 상기 기판(21)의 면적은 칩의 전체 면적으로 결정한다. 본 발명의 실시예들은 상기 발광 다이오드 칩의 면적이 상대적으로 클 수록 반사 효과가 증가한다. 따라서, 상기 기판(21)은 90,000㎛2 이상인 것이 바람직하며, 더 바람직하게는 1㎜2 이상이다.The
상기 기판(21) 상부에 발광 구조체(30)가 위치한다. 상기 발광 구조체(30)는 제1 도전형 반도체층(25), 제2 도전형 반도체층(29) 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층들(25, 29) 사이에 개재된 활성층(27)을 포함한다. 여기서, 제1 도전형과 제2 도전형은 서로 반대의 도전형으로, 제1 도전형이 n형이고, 제2 도전형이 p형일 수 있으며, 또는 그 반대일 수 있다.The
상기 제1 도전형 반도체층(25), 활성층(27) 및 제2 도전형 반도체층(29)은 질화갈륨 계열의 화합물 반도체 물질, 즉, (Al, In, Ga)N으로 형성될 수 있다. 상기 활성층(27)은 요구되는 파장의 광 예컨대 자외선 또는 청색광을 방출하도록 조성 원소 및 조성비가 결정된다. 상기 제1 도전형 반도체층(25) 및/또는 제2 도전형 반도체층(29)은, 도시한 바와 같이, 단일층으로 형성될 수 있으나, 다층 구조로 형성될 수도 있다. 또한, 활성층(27)은 단일 양자웰 또는 다중 양자웰 구조로 형성될 수 있다. 또한, 상기 기판(21)과 제1 도전형 반도체층(25) 사이에 버퍼층(23)이 개재될 수 있다.The first
상기 반도체층들(25, 27, 29)은 MOCVD 또는 MBE 기술을 사용하여 형성될 수 있으며, 사진 및 식각 공정을 사용하여 상기 제1 도전형 반도체층(25)의 일부 영역이 노출되도록 패터닝될 수 있다.The semiconductor layers 25, 27, and 29 may be formed using a MOCVD or MBE technique, and may be patterned to expose a portion of the first
한편, 투명전극층(31)이 제2 도전형 반도체층(29) 상에, 예컨대, ITO 또는 Ni/Au로 형성될 수 있다. 투명전극층(31)은 제2 도전형 반도체층(29)에 비해 비저항이 낮아 전류를 분산시키는 역할을 한다. 상기 투명전극층(31) 상에 p-전극 패드(33)가 형성되고, 제1 도전형 반도체층(25) 상에 n-전극 패드(35)가 형성된다. 상기 p-전극 패드(33)는 도시한 바와 같이, 투명전극층(31)을 통해 제2 도전형 반 도체층(29)에 접할 수 있다.Meanwhile, the
한편, 상기 기판(21)의 하부에 분포 브래그 반사기(45)가 위치한다. 상기 분포 브래그 반사기(45)는 제1 분포 브래그 반사기(40) 및 제2 분포 브래그 반사기(50)를 포함한다.Meanwhile, the distribution Bragg reflector 45 is positioned below the
도 4를 참조하면, 제1 분포 브래그 반사기(40)는 제1 재료층(40a)과 제2 재료층(40b)의 복수개의 쌍들이 반복하여 형성되고, 제2 분포 브래그 반사기(50)는 제3 재료층(50a)과 제4 재료층(50b)의 복수개의 쌍들이 반복하여 형성된다. 상기 제1 재료층(40a) 및 상기 제2 재료층(40b)의 복수개의 쌍들은 청색 파장 영역의 광에 비해 적색 파장 영역의 광, 예컨대 550nm 또는 630nm의 광에 대한 반사율이 상대적으로 높고, 상기 제2 분포 브래그 반사기(50)는 적색 또는 녹색 파장 영역의 광에 비해 청색 파장 영역의 광, 예컨대 460nm의 광에 대한 반사율이 상대적으로 높을 수 있다. 이때, 상기 제1 분포 브래그 반사기(40) 내의 재료층들(40a, 40b)의 광학 두께가 상기 제2 분포 브래그 반사기(50) 내의 재료층들(50a, 50b)의 광학 두께보다 두꺼우나, 이에 한정되는 것은 아니며 그 반대의 경우일 수도 있다.Referring to FIG. 4, the first distributed
상기 제1 재료층(40a)은 상기 제3 재료층(50a)과 동일한 재료, 즉 동일한 굴절률을 가질 수 있으며, 상기 제2 재료층(40b)은 상기 제4 재료층(50b)과 동일한 재료, 즉 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 예컨대, 상기 제1 재료층(40a) 및 제3 재료층(50a)은 TiO2(n: 약 2.5)로 형성될 수 있으며, 상기 제2 재료층(40b) 및 제4 재료층(50b)은 SiO2(n: 약 1.5)로 형성될 수 있다.The
한편, 상기 제1 재료층(40a)의 광학 두께(굴절률×두께)는 제2 재료층(40b)의 광학 두께와 실질적으로 정수배의 관계를 가지며, 바람직하게 이들의 광학 두께는 실질적으로 서로 동일할 수 있다. 또한, 상기 제3 재료층(50a)의 광학 두께는 제4 재료층(50b)의 광학 두께와 실질적으로 정수배의 관계를 가지며, 바람직하게 이들의 광학 두께는 실질적으로 서로 동일할 수 있다.On the other hand, the optical thickness (refractive index × thickness) of the
또한, 상기 제1 재료층(40a)의 광학 두께가 상기 제3 재료층(50a)의 광학 두께보다 더 두껍고, 상기 제2 재료층(40b)의 광학 두께가 상기 제4 재료층(50b)의 광학 두께보다 더 두껍다. 상기 제1 내지 제4 재료층들(40a, 40b, 50a, 50b)의 광학 두께는 각 재료층의 굴절률 및/또는 실제 두께를 조절하여 제어할 수 있다.In addition, the optical thickness of the
다시 도 3을 참조하면, 상기 분포 브래그 반사기(45)의 하부에 Al, Ag 또는 Rh 등의 금속 반사층(51)이 형성될 수 있으며, 상기 분포 브래그 반사기(45)를 보호하기 위한 보호층(53)이 형성될 수 있다. 상기 보호층(53)은 예컨대, Ti, Cr, Ni, Pt, Ta 및 Au에서 선택된 어느 하나의 금속층 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(53)은 분포 브래그 반사기(45)를 외부의 충격이나 오염으로부터 보호한다.Referring back to FIG. 3, a metal reflective layer 51 such as Al, Ag, or Rh may be formed below the distribution Bragg reflector 45, and a
본 실시예에 따르면, 상대적으로 장파장의 가시광선에 대해 반사율이 높은 제1 분포 브래그 반사기(40)와 상대적으로 단파장의 가시광선에 대해 반사율이 높은 제2 분포 브래그 반사기(50)가 서로 적층된 구조의 분포 브래그 반사기(45)가 제공된다. 분포 브래그 반사기(45)는 이들 제1 분포 브래그 반사기(40)와 제2 분포 브래그 반사기(50)의 조합에 의해 가시광선 영역의 대부분의 영역에 걸쳐 광에 대 한 반사율을 높일 수 있다.According to the present embodiment, a structure in which a first distributed
종래 기술에 따른 분포 브래그 반사기는 특정 파장 범위의 광에 대한 반사율은 높지만, 다른 파장 범위의 광에 대한 반사율이 상대적으로 낮기 때문에, 백색광을 방출하는 발광 다이오드 패키지에서 광 효율 향상에 한계가 있다. 그러나, 본 실시예에 따르면, 분포 브래그 반사기(45)가 청색 파장 영역의 광뿐만 아니라 녹색 파장 영역의 광 및 적색 파장 영역의 광에 대해서도 높은 반사율을 가질 수 있으므로, 발광 다이오드 패키지의 광 효율을 개선할 수 있다.Although the distribution Bragg reflector according to the prior art has a high reflectance for light in a specific wavelength range, the reflectance for light in a different wavelength range is relatively low, so there is a limit in improving light efficiency in a light emitting diode package emitting white light. However, according to the present embodiment, the distributed Bragg reflector 45 can have high reflectance not only for light in the blue wavelength region but also light in the green wavelength region and light in the red wavelength region, thereby improving the light efficiency of the LED package. can do.
더욱이, 상기 제1 분포 브래그 반사기(40)를 제2 분포 브래그 반사기(50)에 비해 기판(21)에 가깝게 배치함으로써, 그 역으로 배치할 경우에 비해, 분포 브래그 반사기(45) 내에서의 광 손실을 감소시킬 수 있다.Furthermore, by arranging the first distributed
본 실시예에 있어서, 제1 분포 브래그 반사기(40)와 제2 분포 브래그 반사기(50)의 두개의 반사기들에 대해 설명하지만, 더 많은 수의 반사기들이 사용될 수도 있다. 이 경우, 상대적으로 장파장에 대해 반사율이 높은 반사기들이 발광 구조체(30)에 상대적으로 가깝게 위치하는 것이 바람직하다.In the present embodiment, two reflectors of the first distributed
또한, 본 실시예에 있어서, 상기 제1 분포 브래그 반사기(40)내의 제1 재료층들(40a)의 두께는 서로 다를 수도 있으며, 또한, 제2 재료층들(40b)의 두께는 서로 다를 수도 있다. 또한, 상기 제2 분포 브래그 반사기(50) 내의 제1 재료층들(40a)의 두께는 서로 다를 수도 있으며, 또한, 제2 재료층들(50b)의 두께는 서로 다를 수 있다.In addition, in the present embodiment, the thicknesses of the
본 실시예에 있어서, 분포 브래그 반사기(45)가 기판(21)의 하부에 배치된 것으로 설명했지만, 상기 분포 브래그 반사기(45)는 기판(21)과 발광 구조체(30) 사이에 배치될 수도 있다. 이 경우, 제1 분포 브래그 반사기(40)가 제2 분포 브래그 반사기(50)에 비해 발광 구조체(30)측에 더 가깝게 배치되는 것이 바람직하다.In this embodiment, the distribution Bragg reflector 45 has been described as being disposed under the
본 실시예에 있어서, 상기 재료층들(40a, 40b, 50a, 50b)이 SiO2 또는 TiO2로 형성되는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 재료층들, 예컨대 Si3N4, 화합물 반도체 등으로 형성될 수도 있다. 다만, 상기 제1 재료층(40a)과 상기 제2 재료층(40b)의 굴절률 차이 및 상기 제3 재료층(50a)과 상기 제4 재료층(50b)의 굴절률 차이가 각각 0.5보다 큰 것이 바람직하다.In the present embodiment, the
또한, 상기 제1 분포 브래그 반사기(40) 내의 제1 재료층과 제2 재료층의 쌍들의 수 및 상기 제2 분포 브래그 반사기(50) 내의 제3 재료층과 제4 재료층의 쌍들의 수는 많을 수록 반사율이 증가하며, 이들 쌍들의 총 수는 20 이상일 수 있다.Further, the number of pairs of first and second material layers in the first distributed
이하에서, 상기 분포 브래그 반사기(45)의 제조방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the distributed Bragg reflector 45 will be described.
우선, 분포 브래그 반사기(45)를 형성하기 전, 기판(21) 표면의 거칠기를 제어한다. 예컨대, 상기 기판(21)이 사파이어 기판인 경우, 1차로 그라인딩(grinding)으로 기판(21)의 얇게 한다. 이때, 상기 기판(21) 표면은 상대적으로 매우 거친 표면을 갖는다. 그 후, 상기 기판(21) 표면을 작은 입자들의 슬러리를 이용하여 갈아낸다(lapping). 상기 래핑 공정에서 상기 기판(21) 표면 내 스크래치 등의 홈의 깊이가 3um 이하가 되도록 기판 표면의 거칠기를 조절한다. 그 후, 상기 기판(21) 표면은 추가적으로 화학 물질에 의해 표면처리될 수도 있다.First, before forming the distributed Bragg reflector 45, the roughness of the surface of the board |
이어서, 상기 기판(21) 표면에 TiO2, SiO2, Si3N4 등의 굴절률이 서로 다른 재료층들을 반복하여 증착한다. 상기 재료층들의 증착은 스퍼터링, 전자빔 증착, 플라즈마 강화 화학기상증착 등 공지의 다양한 방법이 사용될 수 있으며, 특히 이온 보조 증착법(ion assisted deposition)이 사용될 수 있다. 이온 보조 증착법은 기판(21)에 증착되는 재료층의 반사도를 측정하여 적합한 두께의 재료층을 형성하므로 분포 브래그 반사기의 재료층들을 형성하는데 특히 적합하다.Subsequently, material layers having different refractive indices such as TiO 2 , SiO 2 , and Si 3 N 4 are repeatedly deposited on the surface of the
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 분포 브래그 반사기(55)를 설명하기 위한 단면도이다. 앞서 도 3 및 도 4에서는, 분포 브래그 반사기(45)가 제1 분포 브래그 반사기(40)와 제2 분포 브래그 반사기(50)의 적층 구조로 도시 및 설명하였다. 이와 달리, 본 실시예에 따른 분포 브래그 반사기(55)에서는 제1 재료층(40a)과 제2 재료층(40b)의 복수개의 쌍들과 제3 재료층(50a)과 제4 재료층(50b)의 복수개의 쌍들이 서로 섞여 있다. 즉, 제3 재료층(50a)과 제4 재료층(50b)의 적어도 하나의 쌍이 제1 재료층(40a)과 제2 재료층(40b)의 복수개의 쌍들 사이에 위치하며, 또한, 제1 재료층(40a)과 제2 재료층(40b)의 적어도 하나의 쌍이 제3 재료층(50a)과 제4 재료층(50b)의 복수개의 쌍들 사이에 위치한다. 여기서, 상기 제1 내지 제4 재료층들(40a, 40b, 50a, 50b)의 광학 두께는 가시광선 영역의 넓은 범위에 걸쳐 광에 대한 높은 반사율을 갖도록 제어된다.5 is a cross-sectional view for describing a distributed
상기 분포 브래그 반사기(55)는 기판(21) 하부에 위치할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(21)과 발광 구조체(도 3의 30) 사이에 위치할 수도 있 다.The
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 사파이어 기판 상의 분포 브래그 반사기의 반사율을 보여주는 그래프이다. 여기서, 상기 분포 브래그 반사기는 TiO2/SiO2를 이용하여 형성되었으며, 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 분포 브래그 반사기(40)와 제2 분포 브래그 반사기(50)의 적층 구조를 갖도록 형성되었다. 또한, 가시광선의 전 파장 영역에 걸쳐 반사율을 측정하였으며, 동일한 샘플에 대해 7번 측정하였다. 상기 제1 분포 브래그 반사기(40)는 약 630nm의 중앙 파장을 갖고, 제2 분포 브래그 반사기(50)는 약 460nm의 중앙 파장을 갖는다. 도 6에 도시되듯이, 상기 분포 브래그 반사기를 채택함으로써 400~500nm의 청색 파장 영역의 광뿐만 아니라, 500~600nm의 녹색 파장 영역의 광 및 600~700nm의 적색 파장 영역의 광에 대해 90% 이상, 나아가 98% 이상의 반사율을 얻을 수 있음을 알 수 있다.6 is a graph showing the reflectance of the distributed Bragg reflector on the sapphire substrate according to an embodiment of the present invention. Here, the distributed Bragg reflector was formed using TiO 2 / SiO 2 , and as shown in FIG. 4, the distributed Bragg reflector was formed to have a stacked structure of the first distributed
한편, 도 6에서 400~700nm의 전 영역에 걸쳐 90% 이상의 높은 반사율을 얻었지만, 400~700nm의 영역 중 일부 중간 영역에서 90% 미만의 반사율이 얻어지는 경우에도, 두개 이상의 중앙 파장들을 갖는 분포 브래그 반사기를 채택하는 한 본 발명의 범위에 속한다.On the other hand, although a high reflectance of 90% or more was obtained over the entire region of 400 to 700 nm in FIG. As long as the reflector is adopted, it is within the scope of the present invention.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 칩(20a)을 설명하기 위한 단면도이다.7 is a cross-sectional view for describing a light emitting
도 7을 참조하면, 상기 발광 다이오드 칩(20a)은 기판(21) 상에 복수개의 발광셀들을 포함하며, 또한, 분포 브래그 반사기(45)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the
상기 기판(21) 및 상기 분포 브래그 반사기(45)는 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한 분포 브래그 반사기와 유사하므로 그 상세한 설명은 생략한다. 다만, 상기 기판(21)은 복수개의 발광셀들을 전기적으로 분리하기 위해 절연체인 것이 바람직하며, 예컨대 패터닝된 사파이어 기판일 수 있다.Since the
한편, 상기 복수개의 발광셀들(30)은 서로 이격되어 위치한다. 상기 복수개의 발광셀들(30) 각각은 도 3을 참조하여 설명한 발광 구조체(30)와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다. 또한, 발광셀들(30)과 기판(21) 사이에 버퍼층(23)이 개재될 수 있으며, 상기 버퍼층(23) 또한, 서로 이격되는 것이 바람직하다.Meanwhile, the plurality of light emitting
제1 절연층(37)이 발광셀들(30)의 전면을 덮는다. 제1 절연층(37)은 제1 도전형 반도체층들(25) 상에 개구부들을 가지며, 또한 제2 도전형 반도체층들(29) 상에 개구부들을 갖는다. 상기 발광셀들(30)의 측벽들은 제1 절연층(37)에 의해 덮인다. 제1 절연층(37)은 또한 발광셀들(30) 사이 영역들 내의 기판(21)을 덮는다. 제1 절연층(37)은 실리콘산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화막으로 형성될 수 있으며, 플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 200~300℃의 온도 범위에서 형성된 층일 수 있다. 이때, 상기 제1 절연층(37)은 4500Å~1㎛의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 4500Å보다 작은 두께로 형성될 경우, 발광셀들의 아래쪽에서 층덮힘 특성에 의해 상대적으로 얇은 두께의 제1 절연층이 형성되고, 제1 절연층 상에 형성되는 배선과 발광셀간에 전기적 단락이 발생될 수 있다. 한편, 제1 절연층은 두꺼울 수록 전기적 단락을 방지할 수 있지만, 광 투과율을 떨어뜨려 발광효율을 감소시키므로, 1㎛ 의 두께를 초과하지 않는 것이 바람직하다.The first insulating
한편, 배선들(39)이 제1 절연층(37) 상에 형성된다. 배선들(39)은 상기 개구부들을 통해 제1 도전형 반도체층들(25) 및 제2 도전형 반도체층들(29)에 전기적으로 연결된다. 상기 제2 도전형 반도체층들(29) 상에 투명전극층들(31)이 위치할 수 있으며, 상기 배선들은 상기 투명전극층들(31)에 접속될 수 있다. 또한 배선들(29)은 인접한 발광셀들(30)의 제1 도전형 반도체층들(25)과 제2 도전형 반도체층들(29)을 각각 전기적으로 연결하여 발광셀들(30)의 직렬 어레이를 형성할 수 있다. 이러한 어레이들이 복수개 형성될 수 있으며, 복수개의 어레이들이 서로 역병렬로 연결되어 교류전원에 연결되어 구동될 수 있다. 또한, 발광셀들의 직렬 어레이에 연결된 브리지 정류기(도시하지 않음)가 형성될 수 있으며, 상기 브리지 정류기에 의해 상기 발광셀들이 교류전원하에서 구동될 수도 있다. 상기 브리지 정류기는 상기 발광셀들(30)과 동일한 구조의 발광셀들을 배선들(29)을 이용하여 결선함으로써 형성할 수 있다.Meanwhile, the
이와 달리, 상기 배선들은 인접한 발광셀들의 제1 도전형 반도체층들(25)을 서로 연결하거나 제2 도전형 반도체층들(29)을 서로 연결할 수도 있다. 이에 따라, 직렬 및 병렬 연결된 복수개의 발광셀들(30)이 제공될 수 있다.Alternatively, the wirings may connect the first conductive semiconductor layers 25 of adjacent light emitting cells to each other or the second conductive semiconductor layers 29 to each other. Accordingly, a plurality of light emitting
상기 배선들(29)은 도전 물질, 예컨대 다결정 실리콘과 같은 도핑된 반도체 물질 또는 금속으로 형성될 수 있다. 특히, 상기 배선들(29)은 다층구조로 형성될 수 있으며, 예컨대, Cr 또는 Ti의 하부층과, Cr 또는 Ti의 상부층을 포함할 수 있다. 또한, Au, Au/Ni 또는 Au/Al의 금속층이 상기 하부층과 상부층 사이에 개재될 수 있다.The wirings 29 may be formed of a conductive material, for example, a doped semiconductor material or metal such as polycrystalline silicon. In particular, the interconnections 29 may be formed in a multi-layered structure, and may include, for example, a lower layer of Cr or Ti and an upper layer of Cr or Ti. In addition, a metal layer of Au, Au / Ni or Au / Al may be interposed between the lower layer and the upper layer.
제2 절연층(41)이 상기 배선들(39) 및 상기 제1 절연층(37)을 덮을 수 있다. 제2 절연층(41)은 배선들(39)이 수분 등에 의해 오염되는 것을 방지하며, 외부 충격에 의해 배선들(39) 및 발광셀들(30)이 손상되는 것을 방지한다.The second insulating
제2 절연층(41)은 제1 절연층(37)과 동일한 재질로, 실리콘산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화막으로 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(41)은, 제1 절연층과 같이, 플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 200~300℃의 온도 범위에서 형성된 층일 수 있다. 더욱이, 상기 제1 절연층(37) 플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 형성된 층일 경우, 상기 제2 절연층(41)은 상기 제1 절연층(37)의 증착 온도에 대해 -20% ~ +20%의 온도 범위 내에서 증착된 층인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 동일 증착온도에서 증착된 층인 것이 바람직하다.The second insulating
한편, 상기 제2 절연층(41)은 제1 절연층(37)에 비해 상대적으로 얇은 두께를 가지며, 500Å 이상의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 제2 절연층(41)이 제1 절연층(37)에 비해 상대적으로 얇기 때문에, 제2 절연층이 제1 절연층으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제2 절연층이 2500Å보다 얇을 경우, 외부충격 또는 습기 침투로부터 배선 및 발광셀을 보호하기 어렵다.On the other hand, the second insulating
한편, 형광체층(43)이 발광 다이오드 칩(20a) 상에 위치할 수 있다. 상기 형광체층(43)은은 수지에 형광체가 분산된 층이거나 또는 전기 영동법에 의해 증착된 층일 수 있다. 형광체층(43)은 제2 절연층(41)을 덮어 발광셀들(30)에서 방출된 광 을 파장변환시킨다.Meanwhile, the
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 분포 브래그 반사기를 갖는 발광 다이오드 칩을 실장한 발광 다이오드 패키지를 나타내는 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package mounted with a light emitting diode chip having a distributed Bragg reflector according to an embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 상기 발광 다이오드 패키지는 패키지 본체(60), 리드들(61a, 61b), 발광 다이오드 칩(20 또는 20a) 및 몰딩부(63)를 포함한다. 상기 패키지 본체(60)는 플라스틱 수지로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 8, the light emitting diode package includes a
상기 패키지 본체(60)는 발광 다이오드 칩(20)을 실장하기 위한 실장면(M)을 가지며 또한 발광 다이오드 칩(20)에서 방출된 광이 반사되는 반사면(R)을 갖는다. 한편, 상기 발광 다이오드 칩(20)은 실장면(M) 상에 실장되며, 본딩 와이어들을 통해 리드들(61a, 61b)에 전기적으로 연결된다.The
상기 발광 다이오드 칩(20)은 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 분포 브래그 반사기(45)를 갖거나, 도 5를 참조하여 설명한 분포 브래그 반사기(55)를 가질 수 있다.The light emitting
한편, 상기 발광 다이오드 패키지는 혼색광, 예컨대 백색광을 방출하며, 이를 위해 발광 다이오드 칩(20)에서 방출된 광을 파장변환시키기 위한 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 몰딩부(63) 내에 함유될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.On the other hand, the LED package emits mixed light, for example, white light, for this purpose may include a phosphor for wavelength conversion of the light emitted from the
상기 발광 다이오드 칩(20)이 분포 브래그 반사기(45 또는 55)를 포함하기 때문에, 상기 형광체에서 파장 변환된 광이 발광 다이오드 칩(20)을 통해 실장면(M)으로 향할 경우, 파장 변환된 광 또한 분포 브래그 반사기(45 또는 55)에 의 해 높은 반사율로 반사되어 외부로 방출된다. 이에 따라, 종래 발광 다이오드 패키지에 비해 광 효율이 높은 발광 다이오드 패키지가 제공될 수 있다.Since the light emitting
본 실시예에 있어서, 백색광을 구현하기 위해 발광 다이오드 칩(20)과 함께 형광체를 포함하는 패키지에 대해 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 백색광을 방출하기 위한 다양한 패키지가 공지되어 있으며, 상기 발광 다이오드 칩은 어느 패키지에도 적용가능하다.In the present embodiment, a package including a phosphor together with the light emitting
또한, 본 실시예에 있어서, 발광 다이오드 칩(20)이 실장된 것으로 설명하였지만, 도 7을 참조하여 설명한 발광 다이오드 칩(20a)이 실장면(M) 상에 실장될 수도 있다. 상기 발광 다이오드 칩(20a)이 형광체층(43)을 포함하는 경우, 상기 몰딩부(63) 내의 형광체는 생략될 수도 있다.In addition, although the light emitting
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 분포 브래그 반사기를 갖는 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.9 is a cross-sectional view for describing a light emitting diode package having a distributed Bragg reflector according to another embodiment of the present invention.
도 9를 참조하면, 상기 발광 다이오드 패키지는 도 8을 참조하여 설명한 발광 다이오드 패키지와 대부분 유사하며, 다만 반사면(M)에 분포 브래그 반사기(75)가 설치된 것에 차이가 있다. 또한, 본 실시예에 있어서, 발광 다이오드 칩(90)은 도 4 또는 도 5에서 설명한 분포 브래그 반사기(45 또는 55)를 갖지 않을 수도 있다.Referring to FIG. 9, the light emitting diode package is mostly similar to the light emitting diode package described with reference to FIG. 8, except that the
상기 분포 브래그 반사기(75)는 제1 분포 브래그 반사기(70)와 제2 분포 브래그 반사기(80)를 포함할 수 있다. 상기 제1 분포 브래그 반사기(70) 및 제2 분포 브래그 반사기(80)는 각각 도 4를 참조하여 설명한 제1 및 제2 분포 브래그 반사기 들(40, 50)과 동일한 재료층, 적층 구조를 가질 수 있다. 즉, 제1 분포 브래그 반사기(70)는 제1 재료층(70a) 및 제2 재료층(70b)의 복수개의 쌍들로 형성되고, 제2 분포 브래그 반사기(80)는 제3 재료층(80a) 및 제4 재료층(80b)의 복수개의 쌍들로 형성될 수 있으며, 이들 제1 내지 제4 재료층(70a, 70b, 80a, 80b)은 도 4를 참조하여 설명한 제1 내지 제4 재료층(40a, 40b, 50a, 50b)과 동일하므로, 여기서 구체적인 설명은 생략한다.The
상기 분포 브래그 반사기(75)에 의해 가시광선 영역의 넓은 파장 범위에 걸쳐 높은 반사율을 제공할 수 있으므로, 상기 발광 다이오드 패키지의 광 효율이 향상된다. Since the distributed
한편, 상기 분포 브래그 반사기는 도 5를 참조하여 설명한 바와 유사하게, 제1 및 제2 재료층들(70a, 70b)의 복수개의 쌍들과 제3 및 제4 재료층들(80a, 80b)의 복수개의 쌍들이 서로 섞여 형성될 수 있다.On the other hand, the distributed Bragg reflector is similar to that described with reference to Figure 5, a plurality of pairs of the first and second material layers (70a, 70b) and a plurality of third and fourth material layers (80a, 80b) Pairs may be mixed with one another.
상기 분포 브래그 반사기(75)는 상대적으로 낮은 온도에서 수행되는 이온 보조 증착법을 사용하여 형성될 수 있으며, 따라서 플라스틱 수지의 패키지 본체(60) 또는 리드들(61a, 61b)을 손상시킴 없이 형성될 수 있다. 상기 분포 브래그 반사기(75)는 와이어를 본딩하기 위한 리드 영역들을 제외한 전 영역에 형성될 수 있다.The
한편, 상기 발광 다이오드 칩(90)은, 도 7의 발광 다이오드 칩(20 또는 20a)과 같이 분포 브래그 반사기를 포함할 수 있으나, 그것에 한정되지 않으며, 종래의 일반적인 발광 다이오드 칩일 수도 있다.The light emitting
본 실시예에 따르면, 반사면에 청색 파장 영역의 광, 녹색 파장 영역의 광 및 적색 파장 영역의 광에 대해 90% 이상의 반사율을 갖는 분포 브래그 반사기를 설치함으로써, 광 효율이 개선된 발광 다이오드 패키지를 제공할 수 있다.According to the present embodiment, a light emitting diode package having improved light efficiency is provided by installing a distributed Bragg reflector having a reflectance of 90% or more for light in a blue wavelength region, light in a green wavelength region, and light in a red wavelength region. Can provide.
도 1은 종래 기술에 따른 사파이어 기판 상의 알루미늄의 반사율을 보여주는 그래프이다.1 is a graph showing the reflectance of aluminum on a sapphire substrate according to the prior art.
도 2는 종래 기술에 따른 사파이어 기판 상의 분포 브래그 반사기의 반사율을 보여주는 그래프이다.2 is a graph showing the reflectance of a distributed Bragg reflector on a sapphire substrate according to the prior art.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 분포 브래그 반사기를 갖는 발광 다이오드 칩을 보여주는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode chip having a distributed Bragg reflector according to an embodiment of the present invention.
도 4는 도 3의 분포 브래그 반사기를 확대한 단면도를 나타낸다.4 is an enlarged cross-sectional view of the distributed Bragg reflector of FIG. 3.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 분포 브래그 반사기를 설명하기 위한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a distributed Bragg reflector according to another embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 사파이어 기판 상의 분포 브래그 반사기의 반사율을 보여주는 그래프이다.6 is a graph showing the reflectance of the distributed Bragg reflector on the sapphire substrate according to an embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 칩을 설명하기 위한 단면도이다.7 is a cross-sectional view for describing a light emitting diode chip having a plurality of light emitting cells according to another embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 분포 브래그 반사기를 갖는 발광 다이오드 칩을 실장한 발광 다이오드 패키지를 나타내는 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package mounted with a light emitting diode chip having a distributed Bragg reflector according to an embodiment of the present invention.
도 9은 본 발명의 다른 실시예에 따른 분포 브래그 반사기를 갖는 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.9 is a cross-sectional view for describing a light emitting diode package having a distributed Bragg reflector according to another embodiment of the present invention.
Claims (26)
Priority Applications (18)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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