KR101293993B1 - Led package and method for manufacturing the same - Google Patents

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KR101293993B1
KR101293993B1 KR1020120012664A KR20120012664A KR101293993B1 KR 101293993 B1 KR101293993 B1 KR 101293993B1 KR 1020120012664 A KR1020120012664 A KR 1020120012664A KR 20120012664 A KR20120012664 A KR 20120012664A KR 101293993 B1 KR101293993 B1 KR 101293993B1
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단성백
황진수
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Abstract

PURPOSE: An LED package and a manufacturing method thereof are provided to easily form a fine circuit by using a thin film deposition process for forming first and second dielectric thin films. CONSTITUTION: An electrode layer (20) is formed on the upper part of a substrate. A light emitting device is mounted on a light emitting device mounting region. A first dielectric thin film (30) is formed on the outer surface of the light emitting device mounting region. A second dielectric thin film (40) is formed on the upper part of the first dielectric thin film. The refractive index of the second dielectric thin film is different from the refractive index of the first dielectric thin film.

Description

엘이디 패키지 및 이의 제조 방법{LED package and method for manufacturing the same}LED package and manufacturing method therefor {LED package and method for manufacturing the same}

본 발명은 엘이디 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게, 본 발명은 발광 소자에서 외부로 방사되는 빛의 광추출 효과를 극대화하여, 전체적인 광효율을 향상시킨 엘이디 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an LED package and a method of manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to an LED package and a method for manufacturing the same, which maximize the light extraction effect of light emitted from the light emitting device to the outside, thereby improving the overall light efficiency.

발광다이오드(Light Emitting Diode, 이하, 엘이디라고 함)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN 및 AlGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로써 다양한 색을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다. 현재, 이와 같은 반도체 소자가 전자부품에 패키지 형태로 많이 채택되고 있다.Light emitting diodes (hereinafter referred to as LEDs) are semiconductor devices capable of realizing various colors by forming light emitting sources by changing compound semiconductor materials such as GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, and AlGaInP. Say. At present, many such semiconductor devices are adopted in the form of packages in electronic components.

엘이디를 포함하는 반도체 패키지 즉, 엘이디 패키지는 모바일 폰의 카메라 플래쉬 또는 소형 카메라 플래쉬 등과 같은 조명 모듈에 광원으로 주로 사용된다.The semiconductor package including the LED, that is, the LED package is mainly used as a light source in a lighting module such as a camera flash or a small camera flash of the mobile phone.

엘이디 패키지의 전체적인 광효율을 향상시키기 위하여, 기판의 상부에 형성되는 금속 전극층을 Ag으로 형성하였다. 하지만, 금속 전극층을 Ag으로 형성하는 경우, 황, 수분 등의 영향에 의하여 변색이 발생될 수 있어, 장기적으로 사용할 때에 엘이디 패키지의 전체적인 광특성이 저하되는 문제점이 있다. 특히, Ag 전극을 마스킹 코팅(Masking coating) 공법으로 형성하는 경우, 미세 회로 영역을 형성하는 것이 어렵다.In order to improve the overall light efficiency of the LED package, the metal electrode layer formed on the top of the substrate was formed of Ag. However, when the metal electrode layer is formed of Ag, discoloration may occur due to the influence of sulfur, moisture, etc., and thus there is a problem in that the overall optical characteristics of the LED package decreases when used for a long time. In particular, when the Ag electrode is formed by a masking coating method, it is difficult to form a fine circuit region.

따라서, 금속 전극층의 변색 등을 방지하고, 엘이디 패키지의 전체적인 광특성을 향상시키기 위하여, 한정된 구조에서 높은 광특성(Luminous Flux,Luminous Intensity, View Angle, Uniformity 등)을 구현하기 위한 기술 개발이 요구되어졌다. Accordingly, in order to prevent discoloration of the metal electrode layer and to improve the overall optical characteristics of the LED package, a technology development for realizing high optical characteristics (Luminous Flux, Luminous Intensity, View Angle, Uniformity, etc.) in a limited structure is required. lost.

본 발명의 목적은 고반사 특성을 갖는 엘이디 패키지를 구현하는 것이다.An object of the present invention is to implement an LED package having a high reflection characteristics.

그리고, 본 발명은 하부에 형성되는 기판의 재질에 관계없이 고반사 특성을 갖는 엘이디 패키지를 구현하는 것을 목적으로 한다. In addition, an object of the present invention is to implement an LED package having a high reflection characteristics irrespective of the material of the substrate formed on the bottom.

또한, 본 발명은 박막 증착 공정을 이용하여 제 1 유전체 박막 및 제 2 유전체 박막을 형성하여, 미세 회로 형성을 용이케 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to form a first dielectric thin film and a second dielectric thin film using a thin film deposition process to facilitate formation of a fine circuit.

또한, 본 발명은 반사층의 역할을 하는 제 1 유전체 박막 및 제 2 유전체 박막을 산화물 박막으로 형성하여, 금속으로 형성되는 전극층의 부식 및 변색을 방지하는 것을 목적으로 한다. In addition, an object of the present invention is to form a first dielectric thin film and a second dielectric thin film serving as a reflective layer as an oxide thin film to prevent corrosion and discoloration of an electrode layer formed of a metal.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 엘이디 패키지는 기판의 상부에 형성되며, 상부에 발광소자 실장 영역을 구비하는 전극층; 상기 전극층의 상기 발광소자 실장 영역에 실장되는 발광소자; 상기 기판의 상부 및 상기 전극층의 상기 발광소자 실장 영역의 외주연의 상부에 형성되는 제 1 유전체 박막; 및 상기 제 1 유전체 박막의 상부에 형성되며, 상기 제 1 유전체 박막과 다른 굴절률을 갖도록 형성되는 제 2 유전체 박막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
The LED package according to the present invention for achieving the above object is formed on the substrate, the electrode layer having a light emitting device mounting region on the top; A light emitting element mounted on the light emitting element mounting region of the electrode layer; A first dielectric thin film formed on the substrate and on an outer circumference of the light emitting device mounting region of the electrode layer; And a second dielectric thin film formed on the first dielectric thin film and formed to have a refractive index different from that of the first dielectric thin film.

또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 엘이디 패키지의 제조 방법은 상부에 발광소자 실장 영역을 구비하는 전극층을 기판의 상부에 형성하는 단계; 상기 기판의 상부 및 상기 전극층의 상기 발광소자 실장 영역의 외주연의 상부에 제 1 유전체 박막을 형성하는 단계; 상기 제 1 유전체 박막의 상부에, 상기 제 1 유전체 박막과 다른 굴절률을 갖도록 형성되는 제 2 유전체 박막을 형성하는 단계; 및 상기 전극층의 상기 발광소자 실장 영역에 발광소자를 실장하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, a method of manufacturing an LED package according to the present invention for achieving the above object comprises the steps of forming an electrode layer having a light emitting device mounting region on the upper portion of the substrate; Forming a first dielectric thin film on the substrate and on an outer circumference of the light emitting device mounting region of the electrode layer; Forming a second dielectric thin film on the first dielectric thin film, the second dielectric thin film being formed to have a refractive index different from that of the first dielectric thin film; And mounting a light emitting device in the light emitting device mounting region of the electrode layer.

본 발명에 따르면, 고반사 특성을 갖는 엘이디 패키지를 구현할 수 있다. 즉, 본 발명은 굴절률이 서로 다른 제 1 유전체 박막과 제 2 유전체 박막의 경계면에서 빛의 경로가 변화되도록 설계되어, 고반사 특성을 갖는 엘이디 패키지를 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to implement an LED package having a high reflection characteristics. That is, the present invention is designed to change the path of light at the interface between the first dielectric film and the second dielectric film having different refractive indices, thereby providing an LED package having high reflection characteristics.

그리고, 본 발명은 하부에 형성되는 기판의 재질에 관계없이 고반사 특성을 갖는 엘이디 패키지를 구현할 수 있다. 이 때, 본 발명은 기판을 고반사 금속으로 형성하는 경우, 보다 높은 고반사 특성을 갖는 엘이디 패키지를 구현할 수 있다.In addition, the present invention may implement an LED package having high reflection characteristics regardless of the material of the substrate formed on the bottom. At this time, when the substrate is formed of a high reflective metal, it is possible to implement an LED package having a higher high reflective characteristics.

또한, 본 발명은 박막 증착 공정을 이용하여 제 1 유전체 박막 및 제 2 유전체 박막을 형성할 수 있기 때문에, 미세 회로 형성을 용이케 한다. In addition, the present invention can form a first dielectric thin film and a second dielectric thin film using a thin film deposition process, thereby facilitating the formation of a fine circuit.

또한, 본 발명은 반사층의 역할을 하는 제 1 유전체 박막 및 제 2 유전체 박막이 산화물 박막으로 형성되어, 금속으로 형성되는 전극층의 부식 및 변색을 방지한다. In addition, in the present invention, the first dielectric thin film and the second dielectric thin film serving as the reflective layer are formed of an oxide thin film to prevent corrosion and discoloration of an electrode layer formed of a metal.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지를 도시한 분해 사시도이다.
도 3은 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지에 있어서의, 광반사 현상을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이다.
도 6 내지 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지의 제조 방법의 설명을 돕기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 엘이디 패키지를 도시한 사시도이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 엘이디 패키지에 있어서의, 광반사 현상을 설명하기 위한 도면이다.1 is a perspective view showing an LED package according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is an exploded perspective view of the LED package according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1.
4 is a view for explaining a light reflection phenomenon in the LED package according to an embodiment of the present invention.
5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention.
6 to 11 are views for explaining a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention.
12 is a perspective view illustrating an LED package according to another embodiment of the present invention.
13 is a view for explaining a light reflection phenomenon in the LED package according to another embodiment of the present invention.

본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서, 반복되는 설명, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능, 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 본 발명의 실시형태는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
The present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, a repeated description, a known function that may obscure the gist of the present invention, and a detailed description of the configuration will be omitted. Embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings and the like can be exaggerated for clarity.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지에 대하여 설명하도록 한다. Hereinafter will be described with respect to the LED package according to an embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지를 도시한 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지를 도시한 분해 사시도이다. 도 3은 도 1의 A-A' 단면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지에 있어서의, 광반사 현상을 설명하기 위한 도면이다.
1 is a perspective view showing an LED package according to an embodiment of the present invention. Figure 2 is an exploded perspective view of the LED package according to an embodiment of the present invention. 3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1. 4 is a view for explaining a light reflection phenomenon in the LED package according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지(100)는 기판(10), 전극층(20), 제 1 유전체 박막(30), 제 2 유전체 박막(40), 발광소자(50) 및 와이어(60)를 포함하여 구성된다. 그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지(100)는 하부 반사층(미도시) 및 렌즈(미도시)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
1 to 3, the LED package 100 according to an embodiment of the present invention may include a substrate 10, an electrode layer 20, a first dielectric thin film 30, a second dielectric thin film 40, and light emission. The element 50 and the wire 60 are comprised. In addition, the LED package 100 according to an embodiment of the present invention may further include a lower reflective layer (not shown) and a lens (not shown).

기판(10)은 판상으로 형성될 수 있다. 그리고, 기판(10)은 AlN, ZnO 및 Al2O3로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다. 이와 같이, 기판(10)은 반사도가 높은 재질로 형성되어, 전체적인 엘이디 패키지(100)의 광특성을 향상시킬 수 있다.The substrate 10 may be formed in a plate shape. The substrate 10 may include at least one selected from the group consisting of AlN, ZnO, and Al 2 O 3 . As such, the substrate 10 may be formed of a material having high reflectivity, thereby improving the optical characteristics of the overall LED package 100.

전극층(20)은 기판(10)의 상부에 형성되며, 상부에 발광소자 실장 영역을 구비한다. 전극층(20)은 전도성 물질인 Cu, Ag, 및 Au로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다. 이러한, 전극층(20)은 서로 다른 극성을 갖는 제 1 전극층(20a) 및 제 2 전극층(20b)으로 구성될 수 있다.The electrode layer 20 is formed on the substrate 10 and has a light emitting element mounting region thereon. The electrode layer 20 may include at least one selected from the group consisting of conductive materials Cu, Ag, and Au. The electrode layer 20 may be composed of a first electrode layer 20a and a second electrode layer 20b having different polarities.

제 1 유전체 박막(30)은 기판(10)의 상부 및 전극층(20)의 발광소자 실장 영역의 외주연의 상부에 형성된다. 즉, 제 1 유전체 박막(30)은 기판(10)의 상부에 있어서, 후술하는 발광소자(50)가 안착되는 영역을 제외한 영역에 형성될 수 있다. 이러한, 제 1 유전체 박막(30)은 SiO2 및 TiO2로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하여 형성될 수 있다. The first dielectric thin film 30 is formed on the top of the substrate 10 and on the outer circumference of the light emitting device mounting region of the electrode layer 20. That is, the first dielectric thin film 30 may be formed on the substrate 10 except for a region where the light emitting device 50 to be described later is mounted. The first dielectric thin film 30 may include at least one material selected from the group consisting of SiO 2 and TiO 2 .

제 2 유전체 박막(40)은 제 1 유전체 박막(30)의 상부에 형성된다. 이러한, 제 2 유전체 박막(40)은 SiO2 및 TiO2로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 그리고, 제 2 유전체 박막(40)은 제 1 유전체 박막(30)과 다른 굴절률을 갖도록 형성된다. 즉, 제 2 유전체 박막(40)을 형성하는 물질의 조성은 제 1 유전체 박막(50)을 형성하는 물질의 조성과 다르게 형성된다. The second dielectric thin film 40 is formed on the first dielectric thin film 30. The second dielectric thin film 40 may be formed to include at least one material selected from the group consisting of SiO 2 and TiO 2 . The second dielectric thin film 40 is formed to have a refractive index different from that of the first dielectric thin film 30. That is, the composition of the material forming the second dielectric thin film 40 is different from that of the material forming the first dielectric thin film 50.

제 1 유전체 박막(30) 및 제 2 유전체 박막(40)에 의한 반사도의 향상 효과를 설명하기 위하여 도 4를 함께 참조하면, 하부의 기판(10)으로 입사되는 빛(실선 화살표)은 제 1 유전체 박막(30)의 외부 경계면, 제 1 유전체 박막(30)과 제 2 유전체 박막(40)의 경계면, 제 2 유전체 박막(40)과 기판(10)의 경계면에서, 기판(10)의 상부측으로 반사된다(1점 쇄선 화살표 참조). 이는, 제 1 유전체 박막(30) 및 제 2 유전체 박막(40) 더 나아가 기판(10)이 상호 굴절률이 다른 물질로 형성되기 때문이다.Referring to FIG. 4 together to illustrate the effect of improving the reflectivity by the first dielectric thin film 30 and the second dielectric thin film 40, the light (solid line arrow) incident on the lower substrate 10 is the first dielectric film. Reflected toward the upper side of the substrate 10 at the outer interface of the thin film 30, the interface between the first dielectric film 30 and the second dielectric film 40, and the interface between the second dielectric film 40 and the substrate 10. (See the dashed-dotted arrow). This is because the first dielectric thin film 30 and the second dielectric thin film 40 and the substrate 10 are formed of materials having different mutual refractive indices.

그리고, 이러한 제 1 유전체 박막(30) 및 제 2 유전체 박막(40)은 산화물 박막으로 형성되어, 금속으로 형성되는 전극층(20)의 부식 및 변색을 방지하는 보호층의 역할을 한다.In addition, the first dielectric thin film 30 and the second dielectric thin film 40 are formed of an oxide thin film to serve as a protective layer to prevent corrosion and discoloration of the electrode layer 20 formed of a metal.

발광소자(50)는 전극층(20)의 발광소자 실장 영역에 실장된다. 그리고, 발광소자(50)는 전기 에너지를 빛 에너지로 전환하는 역할을 한다. 그리고, 발광소자(50)는 제 1 전극층(20a)의 상면에 위치하여, 제 1 전극층(20a)과 직접적으로 전기적 연결될 수 있다.The light emitting device 50 is mounted in the light emitting device mounting region of the electrode layer 20. In addition, the light emitting device 50 serves to convert electrical energy into light energy. In addition, the light emitting device 50 may be positioned on the upper surface of the first electrode layer 20a and may be electrically connected to the first electrode layer 20a directly.

와이어(60)는 발광소자(50)와 제 2 전극층(20b)을 전기적 연결하도록 형성될 수 있다.The wire 60 may be formed to electrically connect the light emitting device 50 and the second electrode layer 20b.

하부 반사층(미도시)은 기판(10)과 제 1 유전체 박막(30)의 사이에 형성될 수 있다. 이러한, 하부 반사층은 소정치 이상의 반사도를 갖는 금속층으로 형성될 수 있다. 이러한, 하부 반사층을 통하여, 엘이디 패키지(100)의 광반사도를 더욱 높일 수 있다. A lower reflective layer (not shown) may be formed between the substrate 10 and the first dielectric thin film 30. The lower reflective layer may be formed of a metal layer having a reflectivity of a predetermined value or more. Through the lower reflective layer, the light reflectivity of the LED package 100 may be further increased.

렌즈(미도시)는 발광소자(50)의 외주연에 돔 형태로 형성될 수 있다. 이러한, 렌즈는 원하는 광특성을 얻기 위하여, 다양한 형태로 설계된다.
The lens (not shown) may be formed in a dome shape on the outer circumference of the light emitting device 50. Such lenses are designed in various forms to obtain desired optical properties.

이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지의 제조 방법에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이다. 도 6 내지 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지의 제조 방법의 설명을 돕기 위한 도면이다.
5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention. 6 to 11 are views for explaining a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지의 제조 방법은 먼저, 상부에 발광소자 실장 영역을 구비하는 전극층(20)을 기판(10)의 상부에 형성한다(S100). 5 and 6, in the method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention, first, an electrode layer 20 having a light emitting device mounting region is formed on an upper portion of a substrate 10 (S100). .

그리고, 도 5 및 도 6 내지 도 11을 참조하면, 기판(10)의 상부 및 전극층(20)의 외주연의 상부에 제 1 유전체 박막(30)을 형성하고(S200), 제 1 유전체 박막(30)의 상부에 제 1 유전체 박막(30)과 다른 굴절률을 갖도록 형성되는 제 2 유전체 박막(40)을 형성한다(S300).5 and 6 to 11, the first dielectric thin film 30 is formed on the upper portion of the substrate 10 and the outer periphery of the electrode layer 20 (S200), and the first dielectric thin film ( A second dielectric thin film 40 formed to have a refractive index different from that of the first dielectric thin film 30 is formed on the upper portion 30 (S300).

단계 S200 및 단계 S300을 보다 상세히 설명하면, 먼저, 도 7과 같이, 기판(10) 및 전극층(20)의 상부에 포토레지스트층(PR)을 형성한다. 그리고, 도 8에 도시된 바와 같이, 전극층(20)의 발광소자 실장 영역에 대응되는 영역이 개구된 마스크(M)를 통해, 포토레지스트층(PR)에 빛을 조사한다. 그러면, 도 9와 같이 기판(10) 및 전극층(20)의 상부에 일부 포토레지스트층(PR')만이 남게 된다. 이후, 도 10과 같이, 기판(10), 전극층(20) 및 일부 포토레지스트층(PR')의 상부에 제 1 유전체 물질층(30a) 및 제 2 유전체 물질층(30b)을 적층한다. 그리고, 일부 포토레지스트층(PR')과 해당 일부 포토레지스트층(PR')의 상부에 형성된 제 1 유전체 물질층(30a) 및 제 2 유전체 물질층(30b)을 함께 제거하여, 도 11과 같이, 기판(10) 및 전극층(20)의 상부에 있어서, 발광소자 실장 영역을 제외한 영역에만 적층된 제 1 유전체 박막(30) 및 제 2 유전체 박막(40)을 형성한다.Steps S200 and S300 will be described in more detail. First, as shown in FIG. 7, the photoresist layer PR is formed on the substrate 10 and the electrode layer 20. As shown in FIG. 8, light is irradiated to the photoresist layer PR through the mask M in which a region corresponding to the light emitting element mounting region of the electrode layer 20 is opened. Then, as shown in FIG. 9, only some photoresist layer PR ′ remains on the substrate 10 and the electrode layer 20. Thereafter, as shown in FIG. 10, the first dielectric material layer 30a and the second dielectric material layer 30b are stacked on the substrate 10, the electrode layer 20, and some photoresist layer PR ′. Then, the photoresist layer PR ′ and the first dielectric material layer 30a and the second dielectric material layer 30b formed on the photoresist layer PR ′ are removed together, as shown in FIG. 11. In the upper portion of the substrate 10 and the electrode layer 20, the first dielectric thin film 30 and the second dielectric thin film 40 stacked only in regions except for the light emitting device mounting region are formed.

그리고, 전극층의 상부에 발광소자를 실장한다(S400). 이 후, 엘이디 패키지가 원하는 광특성을 나타내도록, 발광소자의 외주연에 돔 형상의 렌즈를 더 형성할 수 있다(S500).
The light emitting device is mounted on the electrode layer (S400). Thereafter, a dome-shaped lens may be further formed on the outer periphery of the light emitting device so that the LED package exhibits desired optical characteristics (S500).

이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 엘이디 패키지에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, an LED package according to another embodiment of the present invention will be described.

도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 엘이디 패키지를 도시한 사시도이다. 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 엘이디 패키지에 있어서의, 광반사 현상을 설명하기 위한 도면이다.
12 is a perspective view illustrating an LED package according to another embodiment of the present invention. 13 is a view for explaining a light reflection phenomenon in the LED package according to another embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 엘이디 패키지(200)는 도 1 내지 도 3에 따른 엘이디 패키지(100)와 제 1 유전체 박막(30) 및 제 2 유전체 박막(40)의 적층 구조가 다르게 형성된다. 따라서, 이하에서 본 발명의 다른 실시예에 따른 엘이디 패키지(200)는 제 1 유전체 박막(30) 및 제 2 유전체 박막(40)의 적층 구조를 중심으로 설명하며, 도 1에 따른 엘이디 패키지(100)와 동일한 구성에 대하여는 동일한 도면 부호를 병기하고 자세한 설명을 생략한다. Referring to FIG. 12, the LED package 200 according to another embodiment of the present invention is a stack of the LED package 100, the first dielectric thin film 30, and the second dielectric thin film 40 according to FIGS. 1 to 3. The structure is formed differently. Therefore, hereinafter, the LED package 200 according to another embodiment of the present invention will be described based on the laminated structure of the first dielectric thin film 30 and the second dielectric thin film 40, and the LED package 100 according to FIG. The same reference numerals denote the same components as those in the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

본 발명의 다른 실시예에 따른 엘이디 패키지(200)는 기판(10), 전극층(20), 반복하여 적층되는 제 1 유전체 박막(30) 및 제 2 유전체 박막(40), 발광소자(50) 및 와이어(60)를 포함하여 구성된다. 이러한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 엘이디 패키지(200)는 제 1 유전체 박막(30) 및 제 2 유전체 박막(40)이 반복하여 적층되어 더욱 높은 광반사도를 구현한다. 즉, 도 13과 함께 참조하면, 굴절률이 다른 물질들이 접하는 경계면이 보다 많이 형성되어, 기판(10)의 상부로 입사하는 광을 보다 많이 기판(10)의 상부로 반사시킬 수 있다.
The LED package 200 according to another embodiment of the present invention is a substrate 10, the electrode layer 20, the first dielectric thin film 30 and the second dielectric thin film 40, the light emitting device 50 and repeatedly stacked It comprises a wire 60. In the LED package 200 according to another embodiment of the present invention, the first dielectric thin film 30 and the second dielectric thin film 40 are repeatedly stacked to realize higher light reflectivity. That is, referring to FIG. 13, more interface surfaces in contact with materials having different refractive indices may be formed, and more light incident on the substrate 10 may be reflected to the upper portion of the substrate 10.

이상에서와 같이 본 발명에 따른 엘이디 패키지 및 이의 제조 방법은 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.As described above, the LED package and the manufacturing method thereof according to the present invention are not limited to the configuration and method of the embodiments described as described above, but the embodiments may be modified in various ways. All or part may be optionally combined.

100, 200; 엘이디 패키지
10; 기판
20; 전극층
30; 제 1 유전체 박막
40; 제 2 유전체 박막
50; 발광소자
60; 와이어100, 200; LED package
10; Board
20; Electrode layer
30; First dielectric thin film
40; Second dielectric thin film
50; Light emitting element
60; wire

Claims (12)

기판의 상부에 형성되며, 상부에 발광소자 실장 영역을 구비하는 전극층;
상기 전극층의 상기 발광소자 실장 영역에 실장되는 발광소자;
상기 기판의 상부 및 상기 전극층의 상기 발광소자 실장 영역의 외주연의 상부에 형성되는 제 1 유전체 박막; 및
상기 제 1 유전체 박막의 상부에 형성되며, 상기 제 1 유전체 박막과 다른 굴절률을 갖도록 형성되는 제 2 유전체 박막을 포함하며,
상기 기판 및 상기 제 1 유전체 박막 사이에 형성되며, 소정치 이상의 반사도를 갖는 하부 반사층이 더 형성되고, 상기 하부 반사층은 Al로 형성되는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.An electrode layer formed on the substrate and having a light emitting device mounting region thereon;
A light emitting element mounted on the light emitting element mounting region of the electrode layer;
A first dielectric thin film formed on the substrate and on an outer circumference of the light emitting device mounting region of the electrode layer; And
A second dielectric thin film formed on the first dielectric thin film and having a refractive index different from that of the first dielectric thin film,
An LED package, which is formed between the substrate and the first dielectric thin film, further has a lower reflecting layer having a reflectance of a predetermined value or more, and the lower reflecting layer is formed of Al. 청구항 1에 있어서,
상기 제 1 유전체 박막 및 상기 제 2 유전체 박막은 반복하여 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.The method according to claim 1,
The first dielectric thin film and the second dielectric thin film is an LED package, characterized in that stacked repeatedly. 청구항 1에 있어서,
상기 제 1 유전체 박막 또는 상기 제 2 유전체 박막은 SiO2 및 TiO2로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.The method according to claim 1,
And the first dielectric thin film or the second dielectric thin film includes at least one material selected from the group consisting of SiO 2 and TiO 2 . 청구항 1에 있어서,
상기 기판은 AlN, ZnO 및 Al2O3로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.The method according to claim 1,
The substrate is an LED package, characterized in that formed including at least one selected from the group consisting of AlN, ZnO and Al 2 O 3 . 삭제delete 삭제delete 상부에 발광소자 실장 영역을 구비하는 전극층을 기판의 상부에 형성하는 단계;
상기 기판의 상부 및 상기 전극층의 상기 발광소자 실장 영역의 외주연의 상부에 제 1 유전체 박막을 형성하는 단계;
상기 제 1 유전체 박막의 상부에, 상기 제 1 유전체 박막과 다른 굴절률을 갖도록 형성되는 제 2 유전체 박막을 형성하는 단계; 및
상기 전극층의 상기 발광소자 실장 영역에 발광소자를 실장하는 단계를 포함하며,
상기 전극층을 기판의 상부에 형성하는 단계와 상기 제 1 유전체 박막을 형성하는 단계 사이에, 상기 기판의 상부에 소정치 이상의 반사도를 갖는 하부 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 하부 반사층은 Al로 형성되는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조 방법.Forming an electrode layer on the substrate, the electrode layer having a light emitting device mounting region thereon;
Forming a first dielectric thin film on the substrate and on an outer circumference of the light emitting device mounting region of the electrode layer;
Forming a second dielectric thin film on the first dielectric thin film, the second dielectric thin film being formed to have a refractive index different from that of the first dielectric thin film; And
Mounting a light emitting device on the light emitting device mounting region of the electrode layer;
Between the forming of the electrode layer on the substrate and the step of forming the first dielectric thin film, forming a lower reflective layer having a reflectivity of a predetermined value or more on the upper portion of the substrate, wherein the lower reflective layer is Al Method for producing an LED package, characterized in that formed in. 청구항 7에 있어서,
상기 제 1 유전체 박막을 형성하는 단계와 상기 제 2 유전체 박막을 형성하는 단계를 반복 수행하여, 상기 제 1 유전체 박막과 상기 제 2 유전체 박막이 반복하여 적층되도록 하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조 방법.The method of claim 7,
Repeatedly forming the first dielectric thin film and forming the second dielectric thin film so that the first dielectric thin film and the second dielectric thin film are repeatedly stacked. . 청구항 7에 있어서,
상기 제 1 유전체 박막 또는 상기 제 2 유전체 박막은 SiO2 및 TiO2로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조 방법.The method of claim 7,
The first dielectric thin film or the second dielectric thin film is a method of manufacturing an LED package, characterized in that it comprises at least one material selected from the group consisting of SiO 2 and TiO 2 . 청구항 7에 있어서,
상기 기판은 AlN, ZnO 및 Al2O3로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조 방법.The method of claim 7,
The substrate is a method of manufacturing an LED package, characterized in that it comprises at least one selected from the group consisting of AlN, ZnO and Al 2 O 3 . 삭제delete 삭제delete
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