KR20110048605A - A cliche for printing ink and a method of fabricatingthereof - Google Patents

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KR20110048605A
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Abstract

PURPOSE: A cliche for printing ink and a method of fabricating the same are provided to enhance the transfer characteristics by increasing the depth and width of a fine pattern and to increase resolution by forming a fine pattern. CONSTITUTION: A method of fabricating cliche for printing ink comprises the steps of: forming metal pattern layer on a transparent substrate(S1); performing patterning through light exposure phenomenon by applying a photosensitive material on the metal pattern layer; and forming a metal pattern through the etching operation of the metal pattern layer and removing the photosensitive material.

Description

액정표시장치용 클리체 및 그 제조방법{A CLICHE FOR PRINTING INK AND A METHOD OF FABRICATINGTHEREOF}Cliché for liquid crystal display and its manufacturing method {A CLICHE FOR PRINTING INK AND A METHOD OF FABRICATINGTHEREOF}

본 발명은 액정표시장치의 제조시 레지스트패턴의 인쇄용 클리체의 제조공정에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a process for producing a cliché for printing a resist pattern in the manufacture of a liquid crystal display device.

액정표시소자(Liquid Crystal Display Device)와 같은 평판표시소자에서는 각각의 화소에 박막트랜지스터와 같은 소자가 구비되어 평판표시소자를 구동하게 된다. 그런데 액정표시소자와 같은 평판표시소자에 있어서 PR패턴형성 공정은 제조된 소자의 성능에 크게 영향을 미치는 중요한 공정이다. 이에 따라 최근에는 소자의 성능을 향상시킬 수 있는 연구가 진행되고 있는데, 특히 미세금속패턴을 형성하여 소자의 성능을 향상시키고자 하는 다양한 시도가 전개되고 있다. 현재까지 가장 일반적으로 PR패턴 형성 공정은 감광성 물질인 포토레지스트(photoresist, PR)를 도포하여 이를 마스크를 사용하여 노광하고 현상하는 방식을 사용하고 있으나, 이는 공정이 지나치게 복잡할 뿐만 아니라 복수 개의 패턴이 형성된 전기 소자의 경우에는 각 패턴을 형성하기 위해서 별도로 포토레지스트 공정이 각각 수행되어야 하기 때문에 제조비용이 상승하여 바람직하지 않다. 따라서, 최근에는 인쇄방법을 이용하여 PR패턴을 형성하는 방법이 제안되고 있다.In a flat panel display device such as a liquid crystal display device, a device such as a thin film transistor is provided in each pixel to drive the flat panel display device. However, in a flat panel display device such as a liquid crystal display device, the PR pattern forming process is an important process that greatly affects the performance of the manufactured device. Accordingly, researches to improve the performance of devices have been recently conducted. In particular, various attempts have been made to improve the performance of devices by forming fine metal patterns. Until now, the most common PR pattern forming process is to apply photoresist (PR), which is a photosensitive material, and to expose and develop the photoresist using a mask. In the case of the formed electrical element, since the photoresist process must be performed separately to form each pattern, the manufacturing cost increases, which is not preferable. Therefore, in recent years, a method of forming a PR pattern using a printing method has been proposed.

도 1a를 참조하면, 상술한 인쇄방법에 따른 포토레지스트의 프린팅방법은, 인쇄 패턴(P 1)이 형성되어 인쇄판(cliche)으로 쓰이는 제 1 투명 절연 기판(110)에서 직접 피 인쇄물인 제 2 투명 절연 기판(120) 상에 포토레지스트 패턴(P2)을 전사하지 않고, 표면이 실리콘 고무등으로 이루어져 매개물의 역할을 하는 블랭킷(100)에 일단 포토레지스트 패턴(P2)을 전이시킨 다음, 제 2 투명 절연 기판(120)을 피전사체로 하여 다시 포토레지스트 패턴(P2)을 전사시키는 것이다.Referring to FIG. 1A, the printing method of the photoresist according to the above-described printing method may include a second transparent material which is a printed object directly on the first transparent insulating substrate 110 on which a printing pattern P 1 is formed and used as a printing plate. Without transferring the photoresist pattern P2 onto the insulating substrate 120, the photoresist pattern P2 is once transferred to the blanket 100, which is a surface of which is made of silicon rubber or the like, and serves as a medium. The photoresist pattern P2 is transferred again using the insulating substrate 120 as a transfer target.

구체적으로는, 도 1b에 도시된 것처럼, (a) 제 1 투명 절연 기판(110) 상에 금속막(111)을 증착하는 단계, (b) 금속막(111)을 패터닝하기 위하여 포토레지스트(112)를 도포하는 단계, (c) 습식 식각을 통하여 금속막(111)을 식각하는 단계, (d)포토레지스트(112)를 제거(Strip)하는 단계, (e)제 1 투명 절연 기판(110)을 식각하여 인쇄 패턴(P1)을 형성하는 단계, (f) 금속막(111)을 식각하여 제거하는 단계로 이루어진다.Specifically, as shown in FIG. 1B, (a) depositing a metal film 111 on the first transparent insulating substrate 110, and (b) photoresist 112 to pattern the metal film 111. ), (C) etching the metal film 111 through wet etching, (d) stripping the photoresist 112, (e) first transparent insulating substrate 110 Etching to form the print pattern (P1), (f) etching and removing the metal film 111.

그러나 상술한 제조공정에서 사용되는 습식 식각은 결정면 방향에 상관없이 균일한 식각 특성을 보이는 등방성 식각 특성을 가지므로, 인쇄 패턴(P 1)의 형성 시, 일괄적인 습식 식각으로 인하여 최소 선폭(CD; Critical dimension)의 손실이 크게 발생하여 미세 패턴이 형성된 정밀한 인쇄판을 제작하기가 어려운 단점이 발생하게 된다. 즉, 제 1 투명 절연 기판(110) 상의 인쇄 패턴(P 1)이 a1의 정확한 폭으로 형성되는 것이 이상적이나, 습식 식각을 통하여 인쇄판을 제조하게 되면, a2 만큼의 손실이 양측으로 발생하게 되는 것이다.However, since the wet etching used in the above-described manufacturing process has an isotropic etching characteristic showing a uniform etching characteristic regardless of the crystal plane direction, the minimum line width (CD; The loss of critical dimension is large, which makes it difficult to manufacture a precise printed plate having a fine pattern. That is, the printing pattern P 1 on the first transparent insulating substrate 110 is ideally formed to have the correct width of a1. However, when the printing plate is manufactured by wet etching, the loss of a2 is generated on both sides. .

구체적으로는, 종래의 습식에칭을 할 경우, 등방성에칭의 특성상 에칭 깊이에 따라 동일하게 좌우의 손실폭(a2)이 늘어가게 되므로, 클리체의 움푹 들어간 부분의 깊이(d1)를 "1"로 했을 경우, 상부 폭(d2)는 최소 "2"의 비율로 형성할 수 밖에 없는 한계가 발생하게 된다. 즉, d1: d2=(1 이하):2 의 범위로 밖에 만들 수 없는 한계에 봉착하게 된다.Specifically, in the case of conventional wet etching, the left and right loss widths a2 increase in accordance with the etching depth in accordance with the characteristics of isotropic etching, so that the depth d1 of the recessed portion of the cliché is set to "1". In this case, the upper width d2 has a limit that can only be formed at a ratio of at least “2”. That is, it encounters the limit which can be made only in the range of d1: d2 = (1 or less): 2.

이는, 인쇄판에 식각되는 인쇄 패턴(P 1)은 폭은 좁고 깊이는 깊을수록, 깊이와 폭의 비가 클수록 인쇄 특성이 우수해지나, 종래의 습식 식각을 이용하는 방법은 깊이를 깊게 식각할수록 폭도 넓어지기 때문에 미세 패턴을 갖는 인쇄판을 제작하기에 불리하여 패턴 해상도 및 전사 특성을 향상시키기 어렵다는 문제로 귀착하게 된다.This is because the printing pattern P 1 etched on the printing plate has a narrower width and a deeper depth, and a greater ratio of depth and width results in better printing characteristics. Therefore, it is disadvantageous to manufacture a printing plate having a fine pattern, which results in a problem that it is difficult to improve pattern resolution and transfer characteristics.

아울러, 이러한 문제를 해결하기 위해 도 1c에서처럼, (a) 건식식각을 이용하는 방법에서는 투명기판상에 건식식각용물질막(210)을 형성하고, 투명기판의 하부에는 지지막을 형성한다. 이후 상기 건식식각용물질막(210) 상부에 포토레지스트를 도포하고, 이를 패터닝한다.In addition, to solve this problem, as shown in Figure 1c, (a) in the method of using a dry etching to form a dry etching material film 210 on a transparent substrate, a support film is formed on the lower portion of the transparent substrate. Thereafter, a photoresist is applied on the dry etching material layer 210 and patterned.

(b) 이후, 건식식각을 수행하여 건식식각용 물질막을 에칭하고, (c)에 도시된 것처럼, 기판상에 건식식각용물질막(210)을 제외한 포토레지스트(PR)를 제거하여 인쇄패턴을 형성하는 방법으로 구현된다.(b) Thereafter, dry etching is performed to etch the dry etching material film, and as shown in (c), the photoresist (PR) except for the dry etching material film 210 is removed on the substrate to remove the printed pattern. Implemented by way of forming.

즉, 종래 습식식각에서의 최소선폭의 문제를 건식식각용물질막을 별도로 형성하고, 이후에 전사용 물질막을 형성하는 공정을 통해 이러한 문제를 해결하고자 하였으나, 이 방법은 건식 식각용 물질막을 형성하는 공정과 건식식각 공정에 사용 되는 고가의 진공장비의 설비에 고가의 비용이 발생하게 되며, 클리체(인쇄판)을 개별적으로 제작해야 하기 때문에 제조비용을 더욱 증가시키는 단점이 발생하게 된다. 또한, 클리체의 사용대상이 컬러필터용으로 사용되는 경우에는 20㎛의 이상의 피치라서 습식에칭이 가능하나 등방성 에칭의 경우 20㎛이하 피치가 구현이 불가능하며, 나아가 TFT의 경우의 5㎛ / 5㎛의 피치를 등방성의 에칭의 경우 구현이 불가능한 단점이 발생하게 된다.That is, the problem of the minimum line width in the conventional wet etching has been attempted to solve this problem by forming a dry etching material film separately, and then forming a transfer material film, but this method is a process of forming a dry etching material film. Expensive costs are incurred in the installation of expensive vacuum equipment used in the dry etching process, and the manufacturing cost is further increased because the cliché (printing plate) must be manufactured separately. In addition, when the object of the cliché is used for a color filter, wet etching is possible because the pitch is 20 µm or more, but pitch is less than 20 µm for isotropic etching, and 5 µm / 5 for TFT In the case of an isotropic etching of a pitch of μm, there is a disadvantage that cannot be implemented.

본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 금속패턴을 식각 마스크로 하여 글라스 기판을 직접 건식식각함으로써, 미세패턴을 구현하고, 그에 따른 해상도를 향상시키며, 미세패턴의 깊이와 폭의 비율을 높여 전사특성을 향상시킬 수 있으며, 클리체 제조비용을 절감할 수 있는 제조공정을 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to dry-etch the glass substrate directly by using a metal pattern as an etching mask, to implement a fine pattern, thereby improving the resolution, It is possible to improve the transfer characteristics by increasing the ratio of depth and width, and to provide a manufacturing process that can reduce the cost of manufacturing the body.

상술한 과제를 해결하기 위한 수단으로, 본 발명은 투명기판상에 금속패턴을 마스크로 하여 상기 투명기판을 드라이 에칭을 통해 클리체패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 클리체 제조방법을 제공할 수 있도록 한다.As a means for solving the above-mentioned problems, the present invention provides a method for manufacturing a liquid crystal device for a liquid crystal display device, wherein the liquid substrate is formed by dry etching the transparent substrate using a metal pattern as a mask on the transparent substrate. Make it available.

이 경우, 상술한 상기 금속패턴은 Cr, Cu, Ni, Mo, a-Si, poly-Si 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. In this case, the above-described metal pattern may be made of any one of Cr, Cu, Ni, Mo, a-Si, and poly-Si.

또한, 이러한 금속패턴을 형성하는 공정은 투명기판상에 금속패턴층을 형성하는 단계; 상기 금속패턴층상에 감광물질을 도포하여 노광 현상을 통해 패터닝하는 단계; 상기 금속패턴층을 드라이 에칭하여 금속패턴을 형성하고, 감광물질을 제거하는 단계; 를 포함하여 이루어질 수 있다.In addition, the process of forming the metal pattern comprises the steps of forming a metal pattern layer on a transparent substrate; Applying a photosensitive material on the metal pattern layer and patterning the same through an exposure phenomenon; Dry etching the metal pattern layer to form a metal pattern and removing a photosensitive material; . ≪ / RTI >

특히, 상술한 공정 중에서 상기 금속패턴을 마스크로 상기 투명기판을 드라이 에칭하여 형성하는 클리체 패턴은, 그 깊이(d1)와 폭(d2)의 비율이 d1: d2=(0.5~5):1의 범위로 구현되도록 에칭을 수행하는 것이 바람직하다.In particular, in the above-described process, the cell pattern formed by dry etching the transparent substrate using the metal pattern as a mask has a ratio of the depth d1 and the width d2 of d1: d2 = (0.5 to 5): 1 It is preferable to perform etching so as to be implemented in the range of.

또한, 상술한 제조공정에서 상기 투명기판의 드라이 에칭 후에는 금속패턴을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include removing the metal pattern after the dry etching of the transparent substrate in the aforementioned manufacturing process.

상술한 제조공정에 따라 제조되는 클리체의 구조는 다음과 같이 형성될 수 있다. The structure of the cliché manufactured according to the above-described manufacturing process may be formed as follows.

구체적으로는 투명기판을 가공하여 형성되는 일정 깊이(d1)와 폭(d2)을 가지는 클리체 패턴을 구비하되, 상기 깊이(d1)와 폭(d2)의 비율은 d1: d2=(0.5~5):1의 범위를 구비하도록 구현될 수 있다. 또한, 클리체 패턴의 깊이(d1)와 폭(d2)은 1~20㎛로 구현할 수 있음은 물론이다.Specifically, a cliché pattern having a predetermined depth d1 and a width d2 formed by processing a transparent substrate is provided, and the ratio of the depth d1 and the width d2 is d1: d2 = (0.5 to 5). It can be implemented to have a range of ()): 1. In addition, the depth d1 and the width d2 of the cliché pattern may be realized in a range of 1 to 20 μm.

본 발명에 따르면, 금속패턴을 식각 마스크로 하여 글라스 기판을 직접 건식식각함으로써, 미세패턴을 구현하고, 그에 따른 해상도를 향상시키며, 미세패턴의 깊이와 폭의 비율을 높여 전사특성을 향상시킬 수 있으며, 클리체 제조비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, by directly dry etching the glass substrate using the metal pattern as an etching mask, it is possible to implement a fine pattern, thereby improving the resolution, and to improve the transfer characteristics by increasing the ratio of the depth and width of the fine pattern As a result, it is possible to reduce the cost of manufacturing the body.

특히, 글라스 기판 자체를 건식식각하여 종래의 전사용 물질막 코팅공정을 제거하여 클리체 제조비용을 절감할 수 있음은 물론, 글라스 기판 자체의 건식식각으로 인해 클리체가 액정표시장치의 투명절연기판과 동일한 표면특성을 가지도록 함으로써, 포토레지스트가 잘 접착되는 선택비를 가질 수 있도록 함으로써, 우수한 전사특성을 구현할 수 있는 효과도 있다.In particular, by dry etching the glass substrate itself, it is possible to reduce the manufacturing cost of the cliché by eliminating the conventional transfer material film coating process. By having the same surface properties, it is possible to have a selectivity that the photoresist is well bonded, there is an effect that can implement excellent transfer characteristics.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구성 및 작용을 구체적 으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration and operation according to the present invention. In the description with reference to the accompanying drawings, the same components are given the same reference numerals regardless of the reference numerals, and duplicate description thereof will be omitted.

본 발명은 액정표시장치용 인쇄판인 클리체를 제조함에 있어서, 글라스 기판 자체를 건식식각하여 일반적으로 사용되는 액정표시장치의 투명절연기판과 동일한 표면특성을 구비함으로써, 포토레지스트가 잘 접착되는 전사특성이 우수한 선택비의 클리체를 제조함과 동시에 미세패턴의 구현이 효율적인 제조공정을 제공함을 요지로 한다.In the present invention, in manufacturing a cliché which is a printing plate for a liquid crystal display device, the glass substrate itself is dry-etched and has the same surface characteristics as that of the transparent insulating substrate of a liquid crystal display device which is generally used, whereby the transfer property of the photoresist adheres well. It is a key point that the manufacture of this excellent selection ratio of clichés and the realization of fine patterns provide an efficient manufacturing process.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 이는 각각 본 발명에 따른 클리체의 제조공정 순서도 및 공정도를 도시한 것이다.Referring to Figures 2a and 2b, which shows the manufacturing process flow chart and process diagram of the cliché, respectively, according to the present invention.

본 발명에 따른 클리체의 제조공정은 우선 투명기판(10) 상에 금속패턴층(20)을 형성한다(S 1단계). In the manufacturing process of the cliché according to the present invention, first, the metal pattern layer 20 is formed on the transparent substrate 10 (step S1).

상기 금속패턴층의 형성은 스퍼터링(sputtering), 화학기상증착(CVD), 증착(evaporation), 전주도금 등의 다양한 방식이 이용될 수 있다.The metal pattern layer may be formed using various methods such as sputtering, chemical vapor deposition (CVD), evaporation, and electroplating.

상기 금속패턴층은 건식식각의 마스크 역할을 수행할 수 있도록 Cr, Cu, Ni, Mo, 비정질실리콘(a-Si), poly-Si 등의 물질을 사용할 수 있으며, 본 발명의 일 실시예에서는 Cr으로 형성된 층을 형성함이 바람직하다.The metal pattern layer may be made of a material such as Cr, Cu, Ni, Mo, amorphous silicon (a-Si), poly-Si to serve as a mask for dry etching, in one embodiment of the present invention It is preferable to form the layer formed by the.

이후 S 2단계에는 상기 금속패턴층(20)의 상부 면에 포토레지스트를 도포하고(S 21단계), 이를 노광, 현상하여 패터닝한 후(S 22단계), 상기 포토레지스트의 패턴을 매개로 상술한 금속패턴층(20)을 에칭하여 금속패턴을 형성한다(S 23단계). 금속패턴층의 에칭 공정은 건식 또는 습식식각의 방법으로 구현할 수 있다.Subsequently, in step S 2, a photoresist is applied to the upper surface of the metal pattern layer 20 (step S 21), and then exposed and developed and patterned (step S 22). The metal pattern layer 20 is etched to form a metal pattern (step S23). The etching process of the metal pattern layer may be implemented by a dry or wet etching method.

이후 상기 포토레지스트 패턴은 제거됨이 바람직하다(S 3단계).After that, the photoresist pattern is preferably removed (step S3).

그리고 상술한 금속패턴을 마스크 패턴으로 투명기판 자체에 대한 건식식각을 수행한다(S 4단계). Then, dry etching is performed on the transparent substrate itself using the above-described metal pattern as a mask pattern (step S4).

상술한 건식식각은 ICP-RIE mode를 이용하며, 이용 가스는 C4F8, O2를 사용하여 구현될 수 있다. 이처럼 투명기판 자체에 대한 건식식각이 이루어지는 경우, 식각된 클리체 패턴은 식각된 깊이(d1) 대비 폭(d2)의 비율이 d1:d2=(0.5~5):1 의 범위가 되도록 구현함이 바람직하다. 즉, 깊이의 비율을 종래의 습식에칭에서는 폭 대비 1 이하의 비율로 형성할 수 밖에 없는 한계점을 , 본 발명에서는 폭 대비 깊이의 비율을 0.5 이상의 비율로 형성할 수 있게 된다.The above-described dry etching uses the ICP-RIE mode, the gas used may be implemented using C 4 F 8 , O 2 . When dry etching is performed on the transparent substrate itself, the etched cliché pattern is implemented such that the ratio of the width (d2) to the etched depth (d1) is in the range of d1: d2 = (0.5 to 5): 1. desirable. In other words, in the conventional wet etching, the ratio of depth can only be formed at a ratio of 1 or less to the width, and in the present invention, a ratio of depth to depth can be formed at a ratio of 0.5 or more.

구체적으로는, 본 발명에 의해 구현되는 클리체의 패턴은 식각된 깊이(d1) 대비 폭(d2)의 비율이 (0.5~5):1의 범위를 구현할 수 있게 되며, 이는 전술한 종래의 습식에칭 시 발생하는 등방성 에칭으로 인한 에칭 깊이와 좌우 손실 폭이 동일하게 발생하여 최소 선폭 구현의 난점의 한계를 극복하여, 인쇄판에 식각되는 인쇄 패턴의 폭은 좁고 깊이는 깊게 형성할 수 있게 된다. 즉, 본 발명에 따른 클리체 패턴은 깊이와 폭의 비가 현저하게 크게 함으로써 인쇄 특성이 우수하게 구현할 수 있게 된다.Specifically, the pattern of the cliché embodied by the present invention enables the ratio of the width d2 to the etched depth d1 to be in the range of (0.5 to 5): 1, which is the aforementioned conventional wet type. Since the etching depth and the left and right loss width due to the isotropic etching generated during the etching are the same, the limitation of the difficulty of the minimum line width is overcome, and the width of the printed pattern etched on the printing plate can be narrow and deep. That is, the cliché pattern according to the present invention can realize excellent printing characteristics by remarkably increasing the ratio of depth and width.

이후에는 잔존하는 금속패턴을 에칭하여 제거하여 클리체를 완성한다(S 5단계).Thereafter, the remaining metal patterns are etched and removed to complete the cliché (step S5).

본 발명에 의한 클리체의 제조방법은 종래의 습식식각방법에 비해 미세패턴의 구현이 쉽고, 식각된 깊이와 폭의 비율을 높여 전사특성을 향상시킬 수 있는 장점이 구현된다. 특히 종래의 기술에서는 구현이 어려웠던 20㎛ 이하의 클리체 패턴의 구현을 용이하게 형성할 수 있게 된다.The manufacturing method of the cliché according to the present invention is easier to implement the micropattern than the conventional wet etching method, and the advantage of improving the transfer characteristics by increasing the ratio of the etched depth and width is realized. In particular, it is possible to easily form the implementation of the cliché pattern of 20㎛ or less that was difficult to implement in the prior art.

특히, 종래의 투명기판 자체에 대한 건식 식각이 이루어지도록 해, 클리체가 액정표시장치의 투명절연기판과 동일한 표면 특성을 가지도록 함으로써, 포토레지스트의 접착율이 매우 우수한 선택비를 가지도록 구현할 수 있게 된다.In particular, the dry etching of the transparent substrate itself is performed so that the cliché has the same surface characteristics as the transparent insulating substrate of the liquid crystal display device, so that the adhesion ratio of the photoresist can be realized with a very good selection ratio. do.

전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 기술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the foregoing detailed description of the present invention, specific examples have been described. However, various modifications are possible within the scope of the present invention. The technical idea of the present invention should not be limited to the embodiments of the present invention but should be determined by the equivalents of the claims and the claims.

도 1a 내지 도 1c는 종래의 기술에 따른 클리체의 제조방법을 도시한 도면이다.1A to 1C are views illustrating a method for manufacturing a cliché according to the related art.

도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 클리체의 제조공정 순서도 및 공정도를 도시한 것이다.2A and 2B show a manufacturing process flow chart and process diagram of the cliché according to the present invention.

Claims (7)

투명기판상에 금속패턴을 마스크로 하여 상기 투명기판을 드라이 에칭을 통해 클리체패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 클리체 제조방법.And forming a cliché pattern through dry etching the transparent substrate using a metal pattern as a mask on the transparent substrate. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 금속패턴은 Cr, Cu, Ni, Mo, a-Si, poly-Si 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 클리체 제조방법.And the metal pattern is made of any one of Cr, Cu, Ni, Mo, a-Si, and poly-Si. 청구항 1 또는 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 금속패턴의 형성은,Formation of the metal pattern, 투명기판상에 금속패턴층을 형성하는 단계;Forming a metal pattern layer on the transparent substrate; 상기 금속패턴층상에 감광물질을 도포하여 노광 현상을 통해 패터닝하는 단계;Applying a photosensitive material on the metal pattern layer and patterning the same through an exposure phenomenon; 상기 금속패턴층을 에칭하여 금속패턴을 형성하고, 감광물질을 제거하는 단계;Etching the metal pattern layer to form a metal pattern and removing a photosensitive material; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 클리체 제조방법.Cliché manufacturing method for a liquid crystal display device comprising a. 청구항 3에 있어서,The method of claim 3, 상기 금속패턴을 마스크로 상기 투명기판을 드라이 에칭하여 형성하는 클리체 패턴은,The cell pattern formed by dry etching the transparent substrate using the metal pattern as a mask, 그 깊이(d1)와 폭(d2)의 비율이 d1: d2=(0.5~5):1의 범위로 구현되도록 에칭을 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 클리체 제조방법.Etching is carried out so that the ratio of the depth (d1) and the width (d2) is implemented in the range of d1: d2 = (0.5-5): 1. 청구항 4에 있어서,The method according to claim 4, 상기 투명기판의 드라이 에칭 후에는 금속패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 클리체 제조방법.And removing the metal pattern after the dry etching of the transparent substrate. 투명기판을 가공하여 형성되는 일정 깊이(d1)와 폭(d2)을 가지는 클리체 패턴을 구비하되,It has a cliché pattern having a predetermined depth (d1) and width (d2) formed by processing a transparent substrate, 상기 깊이(d1)와 폭(d2)의 비율은 d1: d2=(0.5~5):1의 범위를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 클리체.And the ratio of the depth d1 and the width d2 has a range of d1: d2 = (0.5 to 5): 1. 청구항 6에 있어서,The method according to claim 6, 상기 깊이(d1)와 폭(d2)은 1~20㎛로 구현되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 클리체.The depth d1 and the width d2 are implemented in a liquid crystal display device, characterized in that implemented in 1 ~ 20㎛.
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