KR100675639B1 - Fabrication method of organic thin film transistor and liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트전극을 포함하는 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트절연막 상에 배면 노광(back exposing)을 통해 유기 액티브층을 형성하는 단계 및 상기 액티브층 상에 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 유기 박막트랜지스터의 제조방법을 제공한다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic thin film transistor, comprising the steps of preparing a substrate, forming a gate electrode on the substrate, forming a gate insulating film on the entire surface of the substrate including the gate electrode, Forming an organic active layer through back exposing on the gate insulating film, and forming source and drain electrodes on the active layer.

Description

유기 박막트랜지스터 및 액정표시소자의 제조방법{FABRICATION METHOD OF ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic thin film transistor (TFT)

도1a ~ 도1e는 종래 유기 박막트랜지스터의 제조방법을 나타낸 공정단면도.1A to 1E are process sectional views showing a conventional organic thin film transistor manufacturing method.

도2a ~ 도2e는 본 발명에 의한 유기 박막트랜지스터의 제조방법을 나타내 공정단면도.2A to 2E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic thin film transistor according to the present invention.

도3a ~ 도3c는 본 발명의 액티브층을 형성방법을 상세하게 나타낸 공정단면도.3A to 3C are process cross-sectional views illustrating a method for forming an active layer of the present invention in detail.

도4는 본 발명에 의한 액정표시소자를 나타낸 단면도.4 is a sectional view showing a liquid crystal display element according to the present invention.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명***DESCRIPTION OF THE REFERENCE SYMBOLS

111,211: 게이트전극 115,215: 액티브층111, 211: gate electrode 115, 215: active layer

115',215': 무기패턴 116,216: 소스전극115 ', 215': inorganic pattern 116, 216: source electrode

117,217: 드레인전극 118,218: 보호막117, 217: drain electrode 118, 218:

125: 감광패턴 231: 블랙매트릭스125: photosensitive pattern 231: black matrix

233: 칼라필터 235: 공통전극233: Color filter 235: Common electrode

본 발명은 유기 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 특히 배면노광을 통해 액티브층을 형성함으로써, 액티브패턴을 정확하게 형성하고, 마스크 수를 절감할 수 있도록 한 유기 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic thin film transistor, and more particularly, to a method of manufacturing an organic thin film transistor capable of precisely forming an active pattern and reducing the number of masks by forming an active layer through back exposure.

통상적으로, 유기 반도체는 반도체 특성을 나타내는 공액성 유기 고분자인 폴리아세틸렌이 개발된 후, 합성방법의 다양함, 필름형태로 형성이 용이함, 유연성, 전도성, 저렴한 생산비와 같은 유기물의 특성 때문에 새로운 전기전자재료로서 기능성 전자소자 및 광소자등 광범위한 분야에서 활발한 연구가 이루어지고 있다.Conventionally, organic semiconductors have been developed as polyacetylene, which is a conjugated organic polymer exhibiting semiconductor characteristics, after various polyacetylenes have been developed. Because of the variety of synthesis methods, ease of formation in film form, flexibility, conductivity, Active research has been conducted in a wide range of fields such as functional electronic devices and optical devices as materials.

이러한 전도성 고분자를 이용한 소자 중에서, 유기물을 액티브층으로 사용하는 유기 박막트랜지스터(Organic Thin Film Transistor: OTFT)에 관한 연구가 1980년 이후부터 시작되었으며, 근래에는 전세계에서 많은 연구가 진행 중에 있다. 상기 OTFT는 Si-TFT와 구조적으로 거의 같은 형태로 반도체 영역에 Si 대신에 유기물을 사용한다는 차이점이 있다. 이러한 유기 박막트랜지스터는 기존의 Si박막을 형성하기 위한 플라즈마를 이용한 화학증착(CVD)을 대신하여 상압의 프린팅 공정으로 박막형성이 가능하며, 더 나아가서는 플라스틱 기판을 이용한 연속공정(Roll to Roll)이 가능하고 저가의 트랜지스터를 구현할 수 있는 장점이 있다.Among the devices using the conductive polymer, a study on an organic thin film transistor (OTFT) using an organic material as an active layer has been started since 1980, and many studies have been conducted in the world in recent years. The OTFT is structurally similar to the Si-TFT in that organic material is used instead of Si in the semiconductor region. Such an organic thin film transistor can be formed by a printing process at normal pressure instead of chemical vapor deposition (CVD) using a plasma for forming an existing Si thin film, and further, a continuous process using a plastic substrate (Roll to Roll) And it is possible to realize a low cost transistor.

따라서, 유기 박막트랜지스터 연구의 최종 목적은 박막트랜지스터의 모든층을 유기막으로 형성하고, 이를 통해 상압에서 유기 박막트랜지스터의 인쇄공정 및 연속공정이 가능하도록 하는데 있다. 그리고, 현재까지는, 액티브층을 유기막으로하는 유기 박막트랜지터의 연구가 시도되고 있는 상태이며, 계속해서 액티브층 이외에 증작장비 없이도 상압에서 유기 박막트랜지스터를 제작할 수 있는 연구가 진 행될 것이다.Therefore, the ultimate goal of the organic thin film transistor research is to form all the layers of the thin film transistor into an organic film, thereby enabling the printing process and the continuous process of the organic thin film transistor at normal pressure. In addition, studies on an organic thin film transistor using an active layer as an organic film have been attempted so far, and studies for fabricating an organic thin film transistor at atmospheric pressure without further development of an active layer will be continued.

도1a ~ 도1e는 종래 유기 박막트랜지스터의 제조공정을 나타낸 것으로, 특히, 액정표시소자에 적용되는 박막트랜지스터의 공정단면도를 나타낸 것이다.1A to 1E illustrate a conventional organic thin film transistor manufacturing process, and particularly show a process sectional view of a thin film transistor applied to a liquid crystal display device.

먼저, 도1a에 도시된 바와 같이, 투명한 기판(10)을 준비한 다음, 그 위에 제1금속물질을 증착하여 제1금속막을 형성한 후, 이를 패터닝하여 게이트전극(11)을 형성한다. 이때, 상기 게이트전극(11)의 패터닝공정은 사진식각 공정(photolithography)을 통해서 이루어진다. 사진식각 공정은 패턴을 형성하고자 하는 식각대상층 상에 감광막(photoresist film)을 도포하는 감광막 도포공정과, 상기 감광막 상에 마스크를 얼라인한 후, 상기 마스크를 통해 빛을 조사하는 노광공정(exposing process)과, 상기 노광된 감광막을 현상액에 작용시켜 식각대상층 상에 감광패턴을 형성하는 현상공정(developing process)과, 상기 감광패턴을 마스크로하여 상기 식각대상층을 식각함으로써 원하는 패턴을 형성하는 식각공정(etching process) 및 상기 패턴 상에 잔류하는 감광패턴을 제거하는 스트립공정(strip process)으로 이루어진다. 예를 들어, 상기 제1금속물질은 식각대상층이되며, 상기 게이트전극은 상기 제2금속물질이 식각되어 형성된 원하는 패턴이 되는 것이다.First, as shown in FIG. 1A, a transparent substrate 10 is prepared, a first metal material is deposited thereon to form a first metal film, and then a gate electrode 11 is formed by patterning the first metal film. At this time, the patterning process of the gate electrode 11 is performed through a photolithography process. The photolithography process includes a photoresist coating process for applying a photoresist film on an etch target layer to be patterned, an exposing process for irradiating light through the mask after aligning the mask on the photoresist film, A developing process of forming a photosensitive pattern on the etching target layer by causing the exposed photosensitive film to act on a developing solution, etching the etching target layer by using the photosensitive pattern as a mask, and a strip process for removing a photosensitive pattern remaining on the pattern. For example, the first metal material is a layer to be etched, and the gate electrode is a desired pattern formed by etching the second metal material.

이어서, 상기 게이트전극(11)을 포함하는 기판(10) 전면에 SiNx 또는 SiOx 등을 플라즈마 CVD 방법으로 증착하여 게이트절연막(13)을 형성한다. Then, a gate insulating film 13 is formed by depositing SiNx, SiOx, or the like on the entire surface of the substrate 10 including the gate electrode 11 by a plasma CVD method.

그리고, 상기 게이트절연막(13) 상부에 펜타센(pentacene)과 같은 저분자 유기물을 증착하여 도1b에 도시된 바와 같이, 게이트전극(11)과 대응하는 게이트절연막(13) 상에 액티브패턴(15)을 형성한다. 상기 펜타센은 감광막에 의해 그 전기적 특성이 변화되기 때문에, 일반적인 사진식각 공정을 사용할 수가 없다. 따라서, 상기 액티브패턴(15)은 쉐도우마스크(showdow mask)를 사용하여 형성할 수 있으며, 쉐도우마스크는 패턴을 형성하고자 하는 영역이 오픈되어 있는 것으로, 일반적으로 노광공정에서 사용하는 마스크와는 다른 개념을 가진다. 즉, 노광공정에서 사용하는 마스크는 광을 차단시키거나 투과시키는 영역으로 구분되는 반면에, 쉐도우마스크는 오픈된영역과 막힌영역으로 구분되어, 패턴을 형성하고자 하는 물질이 상기 오픈된영역을 통해서만 증착되어 오픈된영역과 동일한 형태를 가지는 패턴을 형성할 수가 있다. 그러나, 쉐도우마스크를 통해 형성된 패턴은 일반마스크를 사용한 패턴에 비해 정밀도가 매우 떨어진다.Then, a low-molecular organic material such as pentacene is deposited on the gate insulating film 13 to form an active pattern 15 on the gate insulating film 13 corresponding to the gate electrode 11, . Since the electrical characteristics of the pentacene are changed by the photosensitive film, a general photolithography process can not be used. Therefore, the active pattern 15 can be formed using a showdow mask. The shadow mask is a region in which a region to be patterned is opened. Generally, a mask different from the mask used in the exposure process . That is, the mask used in the exposure process is divided into areas for blocking or transmitting light, whereas the shadow mask is divided into an open area and a clogged area, so that the material to be patterned is deposited only through the open area A pattern having the same shape as that of the open area can be formed. However, the pattern formed through the shadow mask is much less precise than the pattern using the general mask.

다음으로, 상기한 바와 같은 방법을 통해 형성된 액티브층(15) 상에 제2금속물질을 증착하여, 제2금속막을 형성한 후, 상기 제2금속막을 패터닝함으로써, 도1c에 도시된 바와 같이, 액티브층(15) 상에 소스 및 드레인전극(16,17)을 각각 형성한다. 이때, 상기 소스 및 드레인전극(16,17)은 상기 게이트전극(11)과 마찬가지로, 제2금속막의 포토그소그래피 공정을 통해 형성될 수 있다. Next, a second metal material is deposited on the active layer 15 formed through the above-described method to form a second metal film, and then the second metal film is patterned. As shown in FIG. 1C, Source and drain electrodes 16 and 17 are formed on the active layer 15, respectively. At this time, the source and drain electrodes 16 and 17 may be formed through the photog- ography process of the second metal film, like the gate electrode 11.

이어서, 도1d에 도시된 바와 같이, 상기 소스 및 드레인전극(16,17)을 포함하는 기판 전면에 유기막 또는 무기막을 증착하여 보호막(18) 형성한 후에, 상기 보호막(18)을 패터닝하여 드레인전극(17)의 일부를 노출시키는 콘택홀(19)을 형성한다. 이때, 상기 콘택홀(19)은 사진식각 공정을 통해 형성된다.1D, an organic layer or an inorganic layer is deposited on the entire surface of the substrate including the source and drain electrodes 16 and 17 to form a passivation layer 18, and then the passivation layer 18 is patterned to form a drain Thereby forming a contact hole 19 for exposing a part of the electrode 17. At this time, the contact hole 19 is formed through a photolithography process.

마지막으로, 상기 콘택홀(19)을 포함하는 기판 전면에 ITO와 같은 투명한 전도성물질을 증착한 후에, 이를 패터닝함으로써, 도1e에 도시된 바와 같이, 상기 콘 택홀(19)을 통해 상기 드레인전극(17)과 전기적으로 접속하는 화소전극(20)을 형성한다. 이때에도, 상기 화소전극(20)은 사진식각 공정을 통해 형성된다.Finally, a transparent conductive material such as ITO is deposited on the entire surface of the substrate including the contact hole 19, and then patterned to form the drain electrode (not shown) through the contact hole 19 17 are electrically connected to each other. At this time, the pixel electrode 20 is formed through a photolithography process.

상기한 바와 같은 공정을 통해 형성된 유기 박막트랜지스터는 액티브층을 쉐도우 마스크를 사용하여 형성하기 때문에, 패턴의 정확성이 떨어지는 문제점이 있었다. The organic thin film transistor formed through the above-described processes has a problem that the accuracy of pattern is degraded because the active layer is formed using a shadow mask.

아울러, 상기 액티브층이 마스크를 통해 형성되기 때문에, 마스크의 수가 증가하는 문제점이 있었다.In addition, since the active layer is formed through the mask, the number of masks increases.

따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 정확한 패턴을 형성할 수 있는 유기 박막트랜지스터의 제조방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an organic thin film transistor capable of forming an accurate pattern.

본 발명의 다른 목적은 마스크 수를 절감할 수 있는 유기 박막트랜지스터의 제조방법을 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing an organic thin film transistor capable of reducing the number of masks.

기타 본 발명의 목적 및 특징은 이하의 발명의 구성 및 특허청구범위에서 상세히 기술될 것이다.Other objects and features of the present invention will be described in detail in the following description of the invention and claims.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트전극을 포함하는 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트절연막 상에 배면 노광(back exposing)을 통해 유기 액티브층을 형성하는 단계 및 상기 액티브층 상에 소스 및 드레인전 극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 유기 박막트랜지스터의 제조방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, including: preparing a substrate; forming a gate electrode on the substrate; forming a gate insulating film on the entire surface of the substrate including the gate electrode; Forming an organic active layer through a back exposing step and forming source and drain electrodes on the active layer. The present invention also provides a method of manufacturing an organic thin film transistor.

상기 유기 액티브층을 형성하는 단계는 상기 게이트절연막 상에 유기막 및 무기막을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 무기막 상에 감광막을 도포하는 단계와, 상기 기판의 배면을 통해 상기 감광막을 노광한 후, 이를 현상하여, 상기 게이트전극과 대응하는 영역에 감광패턴을 형성하는 단계 및 상기 감광패턴을 마스크로하여 상기 유기막 및 무기막을 식각함으로써, 액티브층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.Forming the organic active layer includes sequentially depositing an organic film and an inorganic film on the gate insulating film, applying a photosensitive film on the inorganic film, exposing the photosensitive film through the backside of the substrate, Forming the active layer by developing the organic film and the inorganic film using the photosensitive pattern as a mask, and forming the active layer by developing the organic film and the inorganic film using the photosensitive pattern as a mask.

그리고, 상기 유기막은 펜타센(pentacene) 또는 폴리아크릴아민(polyacrylamine;PAA)으로 형성할 수 있으며, 상기 무기막은 실리콘질화막(SiNx), 실리콘산화막(SiOx), 인듐산화막(InOx) 중 하나로 형성할 수 있다.The organic film may be formed of pentacene or polyacrylamine (PAA), and the inorganic film may be formed of one of a silicon nitride film (SiNx), a silicon oxide film (SiOx), and an indium oxide film (InOx) have.

또한, 상기 게이트전극은 Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금과 같은 금속물질을 증착한 후, 사진식각 공정을 통해 형성하거나, Ag 페이스트를 사용하여 형성할 수 있다.The gate electrode may be formed by depositing a metal material such as Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, or Al alloy through a photolithography process or by using an Ag paste.

아울러, 상기 게이트절연막은 PVP(poly-vinyl-prrolidone), PMMA(poly- methly-methacrylate) 중의 하나를 사용하여 형성할 수 있으며, 무기물질을 사용할 수도 있다.In addition, the gate insulating layer may be formed using one of poly-vinyl-prrolidone (PVP) and poly-methyl-methacrylate (PMMA), or an inorganic material may be used.

그리고, 상기 소스 및 드레인전극은 금속층으로 형성하거나, 전도성 고분자로 이루어진 유기물질로 형성할 수도 있다.The source and drain electrodes may be formed of a metal layer or an organic material of a conductive polymer.

한편, 상기 소스 및 드레인전극을 포함하는 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막 상에 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계 및 상기 보호막 상에 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지며, 상기 보호막은 유기물질은 아크릴(acryl) 또는 BCB(benzocyclobutene)로 형성하거나, 무기물질로 형성할 수 있다.Forming a protective film on the entire surface of the substrate including the source and drain electrodes; forming a contact hole exposing a part of the drain electrode on the protective film; And forming a pixel electrode electrically connected to the electrode. The organic layer may be formed of acryl or BCB (benzocyclobutene), or may be formed of an inorganic material.

상기 화소전극은 PEDOT(Poly Elyene Dioxty Thiospnene)와 같은 유기물질을 사용할 수 있으며, 상기 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 전도성물질로 형성할 수도 있다.The pixel electrode may be formed of an organic material such as PEDOT (Poly Elyene Dioxide Thiospinene), or may be formed of a conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

또한, 본 발명은 제1 및 제2기판을 준비하는 단계와, 상기 제1기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트전극을 포함하는 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트절연막 상에 유기막 및 무기막을 적층하는 단계와, 상기 무기막 상에 감광막을 도포하는 단계와, 상기 제1기판의 배면에 광을 조사하여 상기 감광막을 노광하는 단계와, 상기 감광막을 현상하여 상기 게이트전극과 대응하는 무기막 상에 감광패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광패턴을 마스크로하여 상기 유기막 및 무기막을 식각하여 액티브층을 형성하는 단계와, 상기 액티브층 상에 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계와, 상기 소스 및 드레인전극을 포함하는 기판 전면에 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막 상에 화소전극을 형성하는 단계 및 상기 제1 및 제2기판 상에 액정층을 형성하는 단계를 포함하는 이루어진다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, including: preparing first and second substrates; forming a gate electrode on the first substrate; forming a gate insulating film on the entire surface of the substrate including the gate electrode; A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: laminating an organic film and an inorganic film on an insulating film; applying a photoresist film on the inorganic film; exposing the photoresist film by irradiating light onto a back surface of the first substrate; Forming a photoresist pattern on the inorganic film corresponding to the gate electrode, etching the organic film and the inorganic film using the photoresist pattern as a mask to form an active layer, and forming source and drain electrodes on the active layer Forming a protective film exposing a part of the drain electrode on the entire surface of the substrate including the source and drain electrodes; Forming a predetermined electrode and made of a step of forming the first and the liquid crystal layer on the second substrate.

상기 유기막은 펜타센(pentacene) 또는 PAA(polyacrylamine) 중에 하나로 형 성할 수 있다.The organic layer may be formed of one of pentacene or polyacrylamide (PAA).

또한, 상기 제2기판 상에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와, 상기 블랙매트릭스 상에 칼라필터를 형성하는 단계 및 상기 칼라필터 상에 공통전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진다. 상기 제1기판 상에 화소전극과 공통전극을 함께 형성할 수도 있다.The method may further include forming a black matrix on the second substrate, forming a color filter on the black matrix, and forming a common electrode on the color filter. A pixel electrode and a common electrode may be formed on the first substrate.

상기한 바와 같이 이루어지는 본 발명의 유기 박막트랜지터는 쉐도우마스크 공정을 생략하고, 배면노광 공정을 통해 액티브층을 형성하기 때문에 종래에 비해 정확한 액티브패턴을 형성할 수 있는 잇점이 있다. 즉, 종래에는 액티브층으로 사용되는 유기막의 포토레지스트 공정이 불가능하기 때문에, 별도의 쉐도우마스크를 사용하여 유기 액티브패턴을 형성하였으나, 상기 쉐도우마스크는 특성상 미세한 패턴을 형성할 수 없기 때문에, 상기 액티브패턴을 정확하게 형성할 수 없는 문제점이 있었다. 반면에, 본 발명은 액티브층으로 사용되는 유기막(펜타센 또는 PAA) 상부에 무기막을 추가로 형성함으로써, 배면노광이 가능하여 미세한 패턴을 정확하게 형성할 수 있도록 한다. 즉, 상기 유기막은 감광막과 직접 접촉하게 되면, 그 전기적 특성이 변하여 액티브층으로써의 기능을 제대로 수행할 수 없기 때문에, 상기 유기막 상에 무기막을 증착한 후, 그 상부에 감광막을 도포하여 배면노광이 가능하도록 한 것이다.The organic thin film transistor of the present invention as described above has an advantage that accurate active patterns can be formed as compared with the conventional art because the shadow mask process is omitted and the active layer is formed through the back exposure process. That is, conventionally, an organic active pattern is formed using a separate shadow mask because a photoresist process for an organic layer used as an active layer is impossible. However, since the shadow mask can not form a fine pattern by its nature, Can not be accurately formed. On the other hand, according to the present invention, an inorganic film is further formed on an organic film (pentacene or PAA) used as an active layer, so that back exposure can be performed, so that a fine pattern can be accurately formed. That is, when the organic film is in direct contact with the photoresist film, its electrical characteristics change and the function as an active layer can not be properly performed. Therefore, an inorganic film is deposited on the organic film, a photoresist film is coated thereon, .

이하, 첨부된 도면을 통해 본 발명에 의한 유기 박막트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시소자의 제조방법에 대하여 더욱 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic thin film transistor according to the present invention and a method of manufacturing a liquid crystal display device using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도2a ~ 도2e는 본 발명에 의한 유기 박막트랜지스터의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다. 2A to 2E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic thin film transistor according to the present invention.

먼저, 도2a에 도시된 바와 같이, 투명한 제1기판(110)을 준비한 다음, 그 상부에 Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금과 같은 제1금속물질을 증착한 후, 이를 패터닝하여 게이트전극(111)을 형성한다. 이때, 상기 게이트전극(111)의 패터닝공정은 사진식각 공정(photolithography)을 통해서 이루어진다. 사진식각 공정은 패턴을 형성하고자 하는 식각대상층 상에 감광막(photoresist film)을 도포하는 감광막 도포공정과, 상기 감광막 상에 마스크를 얼라인한 후, 상기 마스크를 통해 빛을 조사하는 노광공정(exposing process)과, 상기 노광된 감광막을 현상액에 작용시켜 식각대상층 상에 감광패턴을 형성하는 현상공정(developing process)과, 상기 감광패턴을 마스크로하여 상기 식각대상층을 식각함으로써 의도한 패턴을 형성하는 식각공정(etching process) 및 상기 패턴 상에 잔류하는 감광패턴을 제거하는 스트립공정(strip process)으로 이루어진다. 예를 들어, 상기 제1금속물질은 식각대상층이되며, 상기 게이트전극(111)은 상기 제1금속물질이 식각되어 형성된 패턴이 되는 것이다.First, as shown in FIG. 2A, a transparent first substrate 110 is prepared, a first metal material such as Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, or Al alloy is deposited on the first substrate 110, And the gate electrode 111 is formed by patterning. At this time, the patterning process of the gate electrode 111 is performed through a photolithography process. The photolithography process includes a photoresist coating process for applying a photoresist film on an etch target layer to be patterned, an exposing process for irradiating light through the mask after aligning the mask on the photoresist film, A developing process in which the exposed photoresist layer is exposed to a developing solution to form a photoresist pattern on the photoresist layer, and an etching process for forming an intended pattern by etching the photoresist layer using the photoresist pattern as a mask etching process and a strip process for removing a photosensitive pattern remaining on the pattern. For example, the first metal material is an etching target layer, and the gate electrode 111 is a pattern formed by etching the first metal material.

한편, 상기 게이트전극(111)은 Ag 페이스트와 같은 전도성물질을 사용하여 사진식각공정과 같은 패터닝공정 없이 바로 기판 상에 게이트전극 패턴을 바로 인쇄할 수도 있다. 이와 같이, Ag 페이스트를 사용하는 경우, 상압에서 공정이 가능하기 때문에 사진식각공정에 의한 금속패턴을 형성하는 경우에 비해 공정이 훨씬 단순하며, 생산효율을 향상시킬 수 있는 잇점이 있다.Meanwhile, the gate electrode 111 may directly print a gate electrode pattern on a substrate without using a patterning process such as a photolithography process using a conductive material such as an Ag paste. As described above, in the case of using the Ag paste, since the process can be performed at normal pressure, the process is much simpler than in the case of forming the metal pattern by the photolithography process, and there is an advantage that the production efficiency can be improved.

상기한 바와 같이, 제1금속물질의 사진식각공정 또는 Ag 페이스트의 인쇄공정을 통해 투명기판(110) 상에 게이트전극(111)을 형성한 후에, 상기 게이트전극(111)을 포함하는 투명기판(110) 전면에 실리콘질화막(SiNx) 또는 실리콘산화막(SiOx)과 같은 무기물을 증착하여 게이트절연막(113)을 형성한다.As described above, after the gate electrode 111 is formed on the transparent substrate 110 through the photolithography process of the first metal material or the printing process of the Ag paste, the transparent substrate (including the gate electrode 111) An inorganic material such as a silicon nitride film (SiN x) or a silicon oxide film (SiO x) is deposited on the entire surface of the substrate 110 to form a gate insulating film 113.

한편, 상기 게이트절연막(113)은 PVP(poly-vinyl-prrolidone), PMMA(poly- methly-methacrylate)와 같은 유기물질을 사용하여 형성할 수도 있다. 이때, 상기 유기막은 코팅방법을 통해 형성할 수 있다. 이와 같이, 유기물질을 사용하는 경우 진공장비 없이 상압에서 바로 형성할 수 있기 때문에 공정효율을 더욱 향상시킬 수가 있다.Meanwhile, the gate insulating layer 113 may be formed using an organic material such as poly-vinyl-prrolidone (PVP) or poly-methyl-methacrylate (PMMA). At this time, the organic layer may be formed by a coating method. As described above, when an organic material is used, the process efficiency can be further improved because it can be formed at normal pressure without vacuum equipment.

다음으로, 상기 게이트절연막(113) 상에 유기막 및 무기막을 연속하여 증착한 후, 배면노광(back exposing)을 통해 패터닝함으로써, 도2b에 도시된 바와 같이, 유기패턴 이루어진 액티브층(115)과 무기패턴(115')을 형성한다. 즉, 상기 무기막 상에 감광막을 도포한 후, 상기 제1기판(110) 배면을 통해 광을 조사하여, 감광패턴을 형성하고, 상기 감광패턴을 마스크로 하여 무기막 및 유기막을 식각함으로써, 액티브층(115) 및 무기패턴(115')을 각각 형성할 수 있다. 이때, 상기 무기패턴(115')은 액티브층(115)을 보호하기 위해 형성된 것으로, 이하, 도3a ~ 도3c에 도시된 공정단면도를 통해 액티브층(115)의 형성방법을 더욱 구체적으로 설명하도록 한다.Next, an organic layer and an inorganic layer are successively deposited on the gate insulating layer 113 and then patterned through back exposing to form an active layer 115 having an organic pattern, as shown in FIG. 2B, Thereby forming an inorganic pattern 115 '. That is, after the photosensitive film is coated on the inorganic film, light is irradiated through the back surface of the first substrate 110 to form a photosensitive pattern, and the organic film and the organic film are etched using the photosensitive pattern as a mask, Layer 115 and inorganic pattern 115 ', respectively. Here, the inorganic pattern 115 'is formed to protect the active layer 115. Hereinafter, the method of forming the active layer 115 will be described in more detail with reference to the process sectional views shown in FIGS. 3A to 3C do.

먼저, 도3a에 도시된 바와 같이, 상기 게이트절연막(113) 상에 유기막(115a) 및 무기막(115'a)을 순차적으로 적층한 후, 상기 무기막(115'a) 상에 감광막(125a) 을 도포한다. 이때, 상기 유기막(115a)으로는 펜타센(pentacene)과 같은 저분자 유기물질을 증착방법을 통해 형성하거나, PAA(polyacrylamine)와 같은 유기물질을 코팅방법을 통해 형성할 수 있다. 그리고, 무기막(115'a)은 SiNx, SiOx 또는 산화인듐과 같은 무기물질 중에 하나를 선택하여 형성할 수 있다.First, as shown in FIG. 3A, an organic film 115a and an inorganic film 115'a are sequentially stacked on the gate insulating film 113, and then a photoresist film 115'a is formed on the inorganic film 115'a 125a. At this time, as the organic layer 115a, a low-molecular organic material such as pentacene may be formed through a deposition method, or an organic material such as PAA (polyacrylamine) may be formed through a coating method. The inorganic film 115'a can be formed by selecting one of inorganic materials such as SiNx, SiOx, or indium oxide.

상기 무기막(115'a)은 그 하부에 형성된 유기막(115a)을 보호하기 위해 형성된 것으로, 상기 유기막(115a)이 수분과의 접촉에 이해서 전기적 특성이 저하되기 때문에, 유기막(115a)을 수분으로부터 보호하기 위해 유기막(115a) 상부에 무기막(115'a)을 형성하는 것이다. 즉, 상기 유기막(115a)을 패터닝하기 위해 그 상부에 감광막을 도포해야 하는데, 상기 유기막(115a) 상에 감광막(125a)을 바로 도포하는 경우, 상기 감광막(125a) 내에 함유된 수분이 유기막(115a)에 침투되어 유기막(115a)의 전기적 특성을 저하시키게 된다. 따라서, 본 발명에서는 상기 유기막(115a)을 용이하게 패터닝하기 위해서 그 상부에 무기막(115'a)을 사용하며, 상기 무기막(115'a) 상부에 감광막(125a)을 도포한다.The inorganic film 115'a is formed to protect the organic film 115a formed under the organic film 115a. Since the organic film 115a is inferior in electrical contact with moisture, the organic film 115a Is formed on the organic film 115a in order to protect the organic film 115a from moisture. That is, in order to pattern the organic layer 115a, a photoresist layer must be coated on the photoresist layer 125a. When the photoresist layer 125a is directly applied on the organic layer 115a, And penetrates into the film 115a to lower the electrical characteristics of the organic film 115a. Therefore, in the present invention, the inorganic film 115'a is used on the organic film 115a in order to easily pattern the organic film 115a, and the photosensitive film 125a is coated on the inorganic film 115'a.

이어서, 상기 제1기판(110)의 배면을 통해 광(도면상에 화살표로 표기)을 조사함으로써, 감광막(125a)을 노광시킨다. 이때, 상기 제1기판(110) 상에 형성된 게이트전극(111)이 광을 블로킹(blocking)하기 때문에, 상기 게이트전극(111)과 대응하는 감광막(125a)에는 광이 조사되지 않는다. 이와 같이, 부분적으로 광이 조사된 감광막(125a)을 현상액에 작용시키게 되면, 도3b에 도시된 바와 같이, 상기 광이 조사된 영역이 제거되고, 광이 조사되지 않은 게이트전극(111) 상부 영역에 감광패턴(125)을 형성하게 된다.Then, the photosensitive film 125a is exposed by irradiating light (indicated by an arrow in the figure) through the back surface of the first substrate 110. [ At this time, since the gate electrode 111 formed on the first substrate 110 blocks light, no light is irradiated to the photoresist film 125a corresponding to the gate electrode 111. When the photosensitive film 125a partially irradiated with light is applied to the developing solution as described above, the region irradiated with the light is removed as shown in FIG. 3B, and the upper region of the gate electrode 111 where light is not irradiated Thereby forming a photosensitive pattern 125 on the photosensitive layer.

이어서, 상기 감광패턴(125)을 마스크로하여 상기 유기막(115a) 및 무기막(115'a)을 식각함으로써, 도3c에 도시된 바와 같이, 유기패턴으로 이루어진 액티브층(115)과 무기패턴(115')을 각각 형성한다. 이후에, 스트립공정(strip process)을 통해 상기 감광패턴(125)을 제거하게 된다. 상기 무기패턴(115')은 건식식각 공정을 통해 제거할 수 있으나, 굳이 제거하지 않아도 무방하다.Subsequently, the organic layer 115a and the inorganic layer 115'a are etched using the photosensitive pattern 125 as a mask to form an active layer 115 made of an organic pattern and an inorganic layer 115 ' (115 '). Thereafter, the photosensitive pattern 125 is removed through a strip process. The inorganic pattern 115 'may be removed through a dry etching process, but it is not necessary to remove the inorganic pattern 115'.

상기 도3a ~ 도3c의 공정을 통해 액티브층(115)이 완성되면, 상기 액티브층(115)을 포함하는 투명기판(110) 전면에 Cu, Mo, Ta, Al, Cr, Ti, Al 합금과 같은 제2금속물질을 증착한 후, 이를 패터닝하여 도2c에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층(115)과 접촉하는 소스전극(116) 및 드레인전극(117)을 각각 형성한다. 이때, 상기 소스 및 드레인전극(116,117)의 패터닝공정은 상기 게이트전극(111)과 마찬가지로, 사진식각공정(photolithography)을 통해서 이루어진다. Mo, Ta, Al, Cr, Ti, and Al alloys are formed on the entire surface of the transparent substrate 110 including the active layer 115, A source electrode 116 and a drain electrode 117 which are in contact with the active layer 115 are formed as shown in FIG. 2C, respectively. At this time, the patterning process of the source and drain electrodes 116 and 117 is performed through photolithography as in the case of the gate electrode 111.

한편, 상기 소스 및 드레인전극(116,117)은 전도성 고분자물질을 코팅방법 또는 인쇄방법를 통해 형성할 수도 있다. 이와 같이, 전도성 고분자물질을 사용하는 경우, 상압에서 공정이 가능하기 때문에 사진식각공정에 의해 금속패턴을 형성하는 경우에 비해 공정이 더욱 단순하며, 생산효율을 향상시킬 수 있는 잇점이 있다.The source and drain electrodes 116 and 117 may be formed of a conductive polymer material through a coating method or a printing method. As described above, when the conductive polymer material is used, since the process can be performed at normal pressure, the process is simpler than that in the case of forming the metal pattern by the photolithography process, and there is an advantage that the production efficiency can be improved.

이어서, 상기 소스 및 드레인전극(116,117)이 형성된 기판 전면에 SiNx 또는 SiOx와 같은 무기물질을 증착하거나, 또는 BCB 또는 아크릴과 같은 유기물질을 코팅하여 도2d에 도시된 바와 같이, 보호막(118)을 형성하고, 상기 보호막(118)의 일부를 제거하여 드레인전극(117)의 일부를 노출시키는 콘택홀(119)을 형성한다. 이 때, 상기 콘택홀(119)은 사진식각공정에 의해서 형성될 수 있으며, 상기 보호막(118)이 유기물질로 형성하는 경우, 상압에서 공정이 가능하기 때문에, 무기물질로 형성하는 것에 비해 공정이 간단한 잇점이 있다.Subsequently, an inorganic material such as SiNx or SiOx is deposited on the entire surface of the substrate on which the source and drain electrodes 116 and 117 are formed, or an organic material such as BCB or acrylic is coated to form a protective film 118, And a part of the passivation layer 118 is removed to form a contact hole 119 exposing a part of the drain electrode 117. In this case, the contact hole 119 can be formed by a photolithography process. In the case where the protective film 118 is formed of an organic material, since the process can be performed at normal pressure, There is a simple advantage.

다음으로, 상기와 같이 형성된 유기 박막트랜지스터를 액정표시소자에 적용하기 위해, 도2e에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(118) 상부에 상기 콘택홀(119)을 통해 상기 드레인전극(117)과 전기적으로 접속하는 화소전극(120)을 형성한다. 이때, 상기 화소전극(120)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명한 전도성 물질을 증착한 후, 사진식각공정을 통해 형성할 수 있다. 또는, 상기 화소전극(120)이 PEDOT(Poly Elyene Dioxty Thiospnene)과 같은 고분자 유기물질을 사용하여 형성할 수 있다. 이때에서, 화소전극(120)을 유기물질로 형성하는 경우, 상압에서 공정이 가능한 잇점이 있다.Next, in order to apply the organic thin film transistor formed as described above to the liquid crystal display device, the protective film 118 is electrically connected to the drain electrode 117 through the contact hole 119, The pixel electrode 120 is formed. The pixel electrode 120 may be formed by depositing a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), and then performing a photo etching process. Alternatively, the pixel electrode 120 may be formed using a polymer organic material such as PEDOT (Poly Elyene Dioxide Thiospinene). In this case, when the pixel electrode 120 is formed of an organic material, the process can be performed at normal pressure.

상기한 바와 같이, 유기 박막트랜지스터 및 화소전극이 형성된 제1기판(110)을 칼라필터 및 공통전극이 형성된 제2기판과 합착한 후, 그 사이에 액정층을 형성하게 되면, 액정표시소자가 완성된다.As described above, when the first substrate 110 on which the organic thin film transistor and the pixel electrode are formed is combined with the second substrate on which the color filter and the common electrode are formed and a liquid crystal layer is formed therebetween, do.

도4는 본 발명에 의한 유기 박막트랜지스터 액정표시소자를 나타낸 단면도로써, 도면에 도시된 바와 같이, 액정표시소자(200)는 도2a~도2e를 통해 유기 박막트랜지스터(OTFT) 및 화소전극(220)이 형성된 제1기판(210)을 준비한 다음, 이를 블랙매트릭스(231) 및 칼라필터(233) 그리고, 공통전극(235)이 형성한 제2기판(230)과 합착시키고, 그 사이에 액정층(240)을 형성함으로써, 제작할 수 있다.FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an organic thin film transistor liquid crystal display device according to the present invention. Referring to FIG. 4, the liquid crystal display device 200 includes an organic thin film transistor OTFT and a pixel electrode 220 The color filter 233 and the second substrate 230 formed by the common electrode 235 are bonded together and a liquid crystal layer 234 is formed therebetween. (240).

상기 제2기판(210)에 형성된 블랙매트릭스(231) 및 칼라필터(233) 그리고, 공통전극(235)의 형성방법에 대하여 구체적으로 언급하지 않았으나, 상기 블랙매트릭스(231)는 유기물 또는 금속물질로 형성될 수 있으며, 상기 공통전극(235)은 화소전극(220)과 마찬가지로, ITO, IZO와 같은 전도성물질이나 PEDOT와 같은 고분자 전도성물질로 형성할 수 있다.The method of forming the black matrix 231 and the color filter 233 and the common electrode 235 formed on the second substrate 210 is not specifically described but the black matrix 231 may be formed of an organic material or a metal material And the common electrode 235 may be formed of a conductive material such as ITO or IZO or a polymer conductive material such as PEDOT in the same manner as the pixel electrode 220.

한편, 도면에 나타내진 않았지만, 상기 공통전극(235) 및 화소전극(220)이 제1기판(210) 상에 형성될 수 있다. 이와 같이, 공통전극(235) 및 화소전극(220)이 동일한 기판(제1기판;210) 상에 형성되는 경우, 액정의 수평구동에 의해 시야각 특성을 개선시킬 수 있는 잇점이 있다.Although not shown in the drawing, the common electrode 235 and the pixel electrode 220 may be formed on the first substrate 210. Thus, when the common electrode 235 and the pixel electrode 220 are formed on the same substrate (first substrate) 210, there is an advantage that the viewing angle characteristic can be improved by the horizontal driving of the liquid crystal.

상기한 바와 같이, 본 발명은 유기 박막트랜지스터 및 이를 사용한 액정표시소자의 제조방법을 제공한다. 즉, 본 발명은 종래 유기 박막트랜지스터의 액티브층을 형성하기 위해 쉐도우마스크를 사용하는 종래 문제점을 해결하기 위해 도출된 것으로, 본 발명은 상기 액티브층을 형성하는 유기막 상에 무기막을 형성한 후, 상기 무기막 상에 감광막을 도포하고, 배면노광을 통해 게이트전극 상부에 감광패턴을 형성한다. 그리고, 상기 감광패턴을 마스크로하여 유기막 및 무기막을 식각해냄으로써, 종래에 비해 정확한 형태의 액티브패턴을 형성할 수가 있다.As described above, the present invention provides an organic thin film transistor and a method of manufacturing a liquid crystal display device using the organic thin film transistor. That is, the present invention has been made to solve the conventional problem of using a shadow mask to form an active layer of an organic thin film transistor. The present invention is characterized by forming an inorganic film on an organic film forming the active layer, A photosensitive film is coated on the inorganic film, and a photosensitive pattern is formed on the gate electrode through back exposure. By etching the organic film and the inorganic film using the photosensitive pattern as a mask, it is possible to form an active pattern of an accurate shape compared with the conventional one.

또한, 본 발명은 배면노광을 통해 액티브패턴을 형성함에 따라, 종래에 비해 마스크 수를 줄일 수가 있다. 즉, 종래 액티브패턴을 형성하기 위해 사용된 고가의 쉐도우마스크를 사용하지 않고도, 종래 보다 더욱 정확한 액티브패턴을 형성할 수가 있다. In addition, since the active pattern is formed through the back exposure, the number of masks can be reduced compared with the prior art. That is, it is possible to form a more accurate active pattern than in the prior art without using the expensive shadow mask used for forming the active pattern in the related art.

아울러, 본 발명에서는 상기 액티브패턴 뿐만 아니라, 게이트전극, 게이트절 연막, 소스/드레인전극 및 보호막도 유기물질 또는 페이스트를 사용하여 증착장비 없이도, 상압에서 코팅 또는 인쇄방법을 통해 형성할 수 있다.In addition, in the present invention, the gate electrode, the gate insulating film, the source / drain electrode, and the protective film, as well as the active pattern, can be formed using an organic material or paste by a coating or printing method at atmospheric pressure without a deposition equipment.

또한, 본 발명에서는 액정표시소자를 제작하기 위한 유기 박막트랜지스터의 제조방법이 설명되어 있으나, 본 발명의 기본개념은 배면노광을 통해 유기 박막트랜지스터의 액티브패턴을 형성하는 박막트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용한 모든 소자에 적용될 수 있을 것이다.Although a method of manufacturing an organic thin film transistor for manufacturing a liquid crystal display device is described in the present invention, the basic concept of the present invention is a method of manufacturing a thin film transistor that forms an active pattern of an organic thin film transistor through back exposure, It can be applied to all devices.

전술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 배면노광을 통해 유기 박막트랜지스터의 액티브패턴을 형성함으로써, 정확한 유기 액티브패턴을 형성할 수가 있다.As described above, according to the present invention, an active organic pattern can be formed by forming an active pattern of an organic thin film transistor through back exposure.

또한, 본 발명은 마스크 없이 액티브패턴을 형성함에 따라, 마스크 수의 절감에 따른 생산효율이 증대를 기대할 수 있다.In addition, since the active pattern is formed without a mask, the present invention can be expected to increase the production efficiency due to the reduction in the number of masks.

Claims (21)

기판을 준비하는 단계;Preparing a substrate; 상기 기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계;Forming a gate electrode on the substrate; 상기 게이트전극을 포함하는 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계;Forming a gate insulating film on the entire surface of the substrate including the gate electrode; 상기 게이트절연막 상에 배면 노광(back exposing)을 통해 차례로 적층된 유기막 및 무기막으로 이루어진 유기 액티브층을 형성하는 단계; 및Forming an organic active layer including an organic layer and an inorganic layer sequentially stacked on the gate insulating layer through back exposing; And 상기 액티브층 상에 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.And forming source and drain electrodes on the active layer. 제1항에 있어서, 상기 유기 액티브층을 형성하는 단계는,The method of claim 1, wherein forming the organic active layer comprises: 상기 게이트절연막 상에 유기막 및 무기막을 순차적으로 적층하는 단계;Sequentially stacking an organic film and an inorganic film on the gate insulating film; 상기 무기막 상에 상기 게이트전극과 대응하는 영역에 감광패턴을 형성하는 단계; 및Forming a photosensitive pattern on the inorganic film in a region corresponding to the gate electrode; And 상기 감광패턴을 마스크로하여 상기 유기막 및 무기막을 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.And etching the organic layer and the inorganic layer using the photosensitive pattern as a mask. 제2항에 있어서, 상기 유기막은 펜타센(pentacene)으로 형성하는 것을 특징 으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.3. The method of claim 2, wherein the organic layer is formed of pentacene. 제2항에 있어서, 상기 유기막은 PAA(polyacrylamine)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.3. The method of claim 2, wherein the organic layer is formed of polyacrylamide (PAA). 제2항에 있어서, 상기 무기막은 실리콘질화막(SiNx), 실리콘산화막(SiOx), 인듐산화막(InOx) 중 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.3. The method of claim 2, wherein the inorganic film is formed of one of a silicon nitride film (SiNx), a silicon oxide film (SiOx), and an indium oxide film (InOx). 제1항에 있어서, 상기 게이트전극은 Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금과 같은 금속물질을 증착한 후, 사진식각 공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지터의 제조방법.The organic thin film transistor according to claim 1, wherein the gate electrode is formed through a photolithography process after depositing a metal material such as Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, or Al alloy Way. 제1항에 있어서, 상기 게이트전극은 Ag 페이스트를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.The method of claim 1, wherein the gate electrode is formed using an Ag paste. 제1항에 있어서, 상기 게이트절연막은 유기물질을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.The method of claim 1, wherein the gate insulating layer is formed using an organic material. 제8항에 있어서, 상기 유기물질은 PVP(poly-vinyl-prrolidone), PMMA(poly- methly-methacrylate) 중의 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.9. The method of claim 8, wherein the organic material is one of poly-vinyl-prrolidone (PVP) and poly-methyl-methacrylate (PMMA). 제1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인전극은 전도성 고분자로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.The method of claim 1, wherein the source and drain electrodes are formed of a conductive polymer. 제1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인전극을 포함하는 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계;The method of claim 1, further comprising: forming a passivation layer on the entire surface of the substrate including the source and drain electrodes; 상기 보호막 상에 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 및Forming a contact hole exposing a part of the drain electrode on the protective film; And 상기 보호막 상에 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.And forming a pixel electrode electrically connected to the drain electrode through the contact hole on the passivation layer. 제11항에 있어서, 상기 보호막은 유기물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.12. The method of claim 11, wherein the passivation layer is formed of an organic material. 제12항에 있어서, 상기 유기물질은 아크릴(acryl) 및 BCB(benzocyclobutene) 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.13. The method of claim 12, wherein the organic material is one of acryl and benzocyclobutene (BCB). 제11항에 있어서, 상기 화소전극은 유기물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.12. The method of claim 11, wherein the pixel electrode is formed of an organic material. 제14항에 있어서, 상기 유기물질로 PEDOT(Poly Elyene Dioxty Thiospnene)를 사용하는 것을 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법.15. The method of claim 14, wherein the organic material is PEDOT (Poly Elyene Dioxide Thiospinene). 제1 및 제2기판을 준비하는 단계;Preparing a first substrate and a second substrate; 상기 제1기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계;Forming a gate electrode on the first substrate; 상기 게이트전극을 포함하는 제 1기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계;Forming a gate insulating film on the entire surface of the first substrate including the gate electrode; 상기 게이트절연막 상에 배면 노광(back exposing)을 통해 차례로 적층된 유기막 및 무기막으로 이루어진 유기 액티브층을 형성하는 단계;Forming an organic active layer including an organic layer and an inorganic layer sequentially stacked on the gate insulating layer through back exposing; 상기 유기 액티브층 상에 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계;Forming source and drain electrodes on the organic active layer; 상기 소스 및 드레인전극을 포함하는 기판 전면에 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 보호막을 형성하는 단계;Forming a protective film exposing a part of the drain electrode on the entire surface of the substrate including the source and drain electrodes; 상기 보호막 상에 화소전극을 형성하는 단계; 및Forming a pixel electrode on the passivation layer; And 상기 제1 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하는 이루어지는 액정표시소자의 제조방법.And forming a liquid crystal layer between the first and second substrates. 제16항에 있어서, 상기 유기막은 펜타센(pentacene) 또는 PAA(polyacrylamine) 중에 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.17. The method of claim 16, wherein the organic layer is formed of one of pentacene or polyacrylamide (PAA). 제16항에 있어서, 17. The method of claim 16, 상기 제2기판 상에 블랙매트릭스를 형성하는 단계;Forming a black matrix on the second substrate; 상기 블랙매트릭스 상에 칼라필터를 형성하는 단계; 및Forming a color filter on the black matrix; And 상기 칼라필터 상에 공통전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 액정표시소자의 제조방법.And forming a common electrode on the color filter. 제1기판;A first substrate; 상기 기판 상에 형성된 게이트전극;A gate electrode formed on the substrate; 상기 게이트전극을 포함하는 제1기판 전면에 형성된 게이트절연막;A gate insulating film formed on the entire surface of the first substrate including the gate electrode; 상기 게이트전극과 대응하는 게이트절연막 상부에 형성되며, 차례로 적층된 유기막 및 무기막으로 이루어진 유기 액티브층;An organic active layer formed on the gate insulating film corresponding to the gate electrode, the organic active layer comprising an organic film and an inorganic film sequentially stacked; 상기 유기 액티브층 상부에 형성된 무기패턴; 및An inorganic pattern formed on the organic active layer; And 상기 무기패턴 상부에 상기 액티브층과 전기적으로 접속하는 소스 및 드레인전극을 포함하여 구성된 유기 박막트랜지스터.And source and drain electrodes electrically connected to the active layer on the inorganic pattern. 제19항에 있어서, 상기 유기막은 펜타센(pentacene)으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터.The organic thin film transistor according to claim 19, wherein the organic layer is formed of pentacene. 제19항에 있어서, 상기 유기막은 PAA(polyacrylamine)로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터.The organic thin film transistor according to claim 19, wherein the organic layer is formed of polyacrylamide (PAA).
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