KR20100072969A - Method of fabricating cliche for roll print and method of fabricating liquid crystal display device using thereof - Google Patents

Method of fabricating cliche for roll print and method of fabricating liquid crystal display device using thereof Download PDF

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KR20100072969A
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남승희
이정훈
문태형
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A method of manufacturing a printing plate of roll print and a method for manufacturing a liquid crystal display device using the same are provided to prevent loss of a resist ink pattern by printing pressure. CONSTITUTION: A fixed mask pattern made of metal is formed on a glass. An edge part of a pattern is defined within a printing plate(200) by performing the first wet etching on the mask pattern shallowly. The second groove(h2) whose width is narrower and depth is deeper than the first groove by the second layer process in the pattern including the first groove(h1). The laser includes ND-YAG laser, Co2 laser, semiconductor laser, pico laser, and femto laser.

Description

롤 프린트용 인쇄판의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법{METHOD OF FABRICATING CLICHE FOR ROLL PRINT AND METHOD OF FABRICATING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THEREOF}Manufacturing method of printing plate for roll printing and manufacturing method of liquid crystal display device using the same {METHOD OF FABRICATING CLICHE FOR ROLL PRINT AND METHOD OF FABRICATING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THEREOF}

본 발명은 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 리버스 오프셋 방식의 롤 프린트용 인쇄판을 제작하는데 있어 레지스트잉크 패턴의 소실을 방지할 수 있는 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a printing plate for roll printing and a method of manufacturing a liquid crystal display device using the same, and more particularly, a roll capable of preventing the loss of a resist ink pattern in manufacturing a printing plate for a roll offset printing method. A manufacturing method of a printing plate for printing and a method of manufacturing a liquid crystal display device using the same.

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박막형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다. 특히, 이러한 평판표시장치 중 액정표시장치는 액정의 광학적 이방성을 이용하여 이미지를 표현하는 장치로서, 해상도와 컬러표시 및 화질 등에서 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터 등에 활발하게 적용되고 있다.Recently, with increasing interest in information display and increasing demand for using a portable information carrier, a lightweight flat panel display (FPD), which replaces a conventional display device, a cathode ray tube (CRT), is used. The research and commercialization of Korea is focused on. In particular, the liquid crystal display of the flat panel display device is an image representing the image using the optical anisotropy of the liquid crystal, and has been actively applied to notebooks and desktop monitors because of its excellent resolution, color display and image quality.

상기 액정표시장치는 크게 컬러필터(color filter) 기판과 어레이(array) 기 판 및 상기 컬러필터 기판과 어레이 기판 사이에 형성된 액정층(liquid crystal layer)으로 구성된다.The liquid crystal display is largely composed of a color filter substrate and an array substrate, and a liquid crystal layer formed between the color filter substrate and the array substrate.

상기 액정표시장치에 주로 사용되는 구동 방식인 액티브 매트릭스(Active Matrix; AM) 방식은 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(Amorphous Silicon Thin Film Transistor; a-Si TFT)를 스위칭소자로 사용하여 화소부의 액정을 구동하는 방식이다.The active matrix (AM) method, which is a driving method mainly used in the liquid crystal display device, is a method of driving a liquid crystal of a pixel part using an amorphous silicon thin film transistor (a-Si TFT) as a switching element. to be.

이하, 도 1을 참조하여 일반적인 액정표시장치의 구조에 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, a structure of a general liquid crystal display device will be described in detail with reference to FIG. 1.

도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 나타내는 분해사시도이다.1 is an exploded perspective view schematically illustrating a general liquid crystal display.

도면에 도시된 바와 같이, 상기 액정표시장치는 크게 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10) 및 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10) 사이에 형성된 액정층(liquid crystal layer)(30)으로 구성된다.As shown in the figure, the liquid crystal display device is largely a liquid crystal layer (liquid crystal layer) formed between the color filter substrate 5 and the array substrate 10 and the color filter substrate 5 and the array substrate 10 ( 30).

상기 컬러필터 기판(5)은 적(Red; R), 녹(Green; G) 및 청(Blue; B)의 색상을 구현하는 다수의 서브-컬러필터(7)로 구성된 컬러필터(C)와 상기 서브-컬러필터(7) 사이를 구분하고 액정층(30)을 투과하는 광을 차단하는 블랙매트릭스(black matrix)(6), 그리고 상기 액정층(30)에 전압을 인가하는 투명한 공통전극(8)으로 이루어져 있다.The color filter substrate 5 includes a color filter C composed of a plurality of sub-color filters 7 for implementing colors of red (R), green (G), and blue (B); A black matrix 6 that separates the sub-color filters 7 and blocks light passing through the liquid crystal layer 30, and a transparent common electrode that applies a voltage to the liquid crystal layer 30. 8)

또한, 상기 어레이 기판(10)은 종횡으로 배열되어 복수개의 화소영역(P)을 정의하는 복수개의 게이트라인(16)과 데이터라인(17), 상기 게이트라인(16)과 데이터라인(17)의 교차영역에 형성된 스위칭소자인 박막 트랜지스터(T) 및 상기 화소영 역(P) 위에 형성된 화소전극(18)으로 이루어져 있다.In addition, the array substrate 10 may be arranged vertically and horizontally to define a plurality of gate lines 16 and data lines 17 and a plurality of gate lines 16 and data lines 17 that define a plurality of pixel regions P. A thin film transistor T, which is a switching element formed in the cross region, and a pixel electrode 18 formed on the pixel region P are included.

이와 같이 구성된 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10)은 화상표시 영역의 외곽에 형성된 실런트(sealant)(미도시)에 의해 대향하도록 합착되어 액정표시패널을 구성하며, 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10)의 합착은 상기 컬러필터 기판(5) 또는 어레이 기판(10)에 형성된 합착키(미도시)를 통해 이루어진다.The color filter substrate 5 and the array substrate 10 configured as described above are joined to face each other by sealants (not shown) formed on the outer side of the image display area to form a liquid crystal display panel. 5) and the array substrate 10 are bonded through a bonding key (not shown) formed in the color filter substrate 5 or the array substrate 10.

상기 액정표시장치의 제조공정은 기본적으로 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이 기판 및 컬러필터 기판의 제작에 다수의 포토리소그래피(photolithography)공정을 필요로 한다.The manufacturing process of the liquid crystal display device basically requires a plurality of photolithography processes to manufacture an array substrate and a color filter substrate including a thin film transistor.

또한, 일반적으로 정보저장, 소형 센서, 광결정 및 광학 소자, 미세 전자기계 소자, 표시 소자, 디스플레이 및 반도체에 적용되는 소정의 패턴(pattern)을 형성하기 위해서는 빛을 이용하여 패턴을 형성하는 상기의 포토리소그래피공정을 이용하게 된다.In addition, in order to form a predetermined pattern generally applied to information storage, a small sensor, a photonic crystal and an optical element, a microelectromechanical element, a display element, a display, and a semiconductor, the above-mentioned photo-forming pattern is formed using light. The lithography process is used.

상기 포토리소그래피공정은 일종의 사진식각공정의 하나로 마스크에 그려진 패턴을 박막이 증착된 기판 위에 전사시켜 원하는 패턴을 형성하는 일련의 공정으로, 다음과 같이 감광액 도포, 정렬 및 노광, 현상공정 등 복잡한 다수의 공정으로 이루어져 있다.The photolithography process is a series of processes in which a pattern drawn on a mask is transferred onto a substrate on which a thin film is deposited to form a desired pattern as one of photolithography processes. It consists of a process.

먼저, 소정의 패턴을 형성하려는 박막 상에 감광물질인 포토레지스트를 도포한 후, 패턴이 형성된 포토마스크를 정렬하고 노광공정을 진행한다. 이때, 사용하는 포토마스크는 소정의 투과영역과 차단영역으로 구성되며, 상기 투과영역을 통과한 빛은 상기 포토레지스트를 화학적으로 변화시킨다.First, a photoresist as a photosensitive material is applied onto a thin film to form a predetermined pattern, and then the photomask on which the pattern is formed is aligned and an exposure process is performed. In this case, the photomask to be used is composed of a predetermined transmission region and a blocking region, and light passing through the transmission region chemically changes the photoresist.

상기 포토레지스트의 화학적 변화는 포토레지스트의 종류에 따라 달라지는데, 포지티브 타입의 포토레지스트는 빛을 받은 부분이 현상액에 의하여 용해되는 성질로 변화되며, 네거티브 타입의 포토레지스트는 반대로 빛을 받은 부분이 현상액에 용해되지 않는 성질로 변화된다. 여기서는 상기 포지티브 타입의 포토레지스트를 사용한 경우를 예를 들어 설명한다.The chemical change of the photoresist varies depending on the type of photoresist. The positive type photoresist is changed to a property in which the lighted part is dissolved by the developer, and the negative type photoresist is opposite to the developer. It is changed to a property that does not dissolve. Here, the case where the positive type photoresist is used is demonstrated as an example.

상기 노광공정에 이어서 포토레지스트의 노광된 부분을 현상액을 이용하여 제거하게 되면 박막 상에 소정의 포토레지스트패턴이 형성된다.When the exposed portion of the photoresist is removed using a developer following the exposure process, a predetermined photoresist pattern is formed on the thin film.

이후, 상기 포토레지스트패턴의 형태대로 상기 박막을 식각하고, 남은 포토레지스트패턴을 제거하면 소정 형태의 박막패턴이 형성되게 된다.Thereafter, the thin film is etched in the form of the photoresist pattern, and the remaining photoresist pattern is removed to form a thin film pattern of a predetermined shape.

이때, 패턴의 초미세화가 진행됨에 따라 고가의 노광 장비로 인하여 초기 투자비용이 증가하고 고해상도의 마스크가 요구되는 등 공정비용이 과다해지는 단점이 있다. 뿐만 아니라, 패턴을 형성할 때마다 노광, 노광 후 베이크, 현상, 현상 후 베이크, 식각공정, 세정공정 등 복잡한 공정을 수행해야만 하기 때문에 공정 시간이 오래 걸리고, 다수회의 포토공정을 반복해야만 하기 때문에 생산성이 저하되는 문제점이 있다.In this case, as the ultrafine pattern progresses, the initial investment cost is increased due to the expensive exposure equipment, and a high resolution mask is required. In addition, each time the pattern is formed, complex processes such as exposure, post-exposure bake, development, post-development bake, etching process, and cleaning process must be performed, resulting in a long process time and repeated photo processes. There is a problem of this deterioration.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 포토리소그래피 기술을 대체하여 비용과 공정이 단순한 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a printing plate for roll printing and a method of manufacturing a liquid crystal display device using the same by replacing photolithography technology.

본 발명의 다른 목적은 리버스 오프셋 방식의 롤 프린트용 인쇄판을 제작하는데 있어 레지스트잉크 패턴의 소실을 방지하도록 한 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a printing plate for roll printing and a method of manufacturing a liquid crystal display device using the same so as to prevent the loss of a resist ink pattern in manufacturing a printing plate for a reverse offset roll printing.

본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.Other objects and features of the present invention will be described in the configuration and claims of the invention described below.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법은 글라스 위에 금속으로 이루어진 소정의 마스크패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크패턴을 마스크로 낮은 깊이로 1차 습식식각을 진행하여 상기 인쇄판 내에 패턴의 에지부를 정의하는 단계; 및 1차 홈을 포함하는 상기 패턴 내에 레이저로 2차 가공하여 상기 1차 홈보다 폭이 좁고 깊이가 깊은 2차 홈을 형성하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, the manufacturing method of the printing plate for roll printing of the present invention comprises the steps of forming a predetermined mask pattern made of metal on the glass; Performing first wet etching to a low depth using the mask pattern as a mask to define edge portions of the pattern in the printing plate; And forming a secondary groove having a narrower width and a deeper depth than the primary groove by performing secondary processing with a laser in the pattern including the primary groove.

본 발명의 액정표시장치의 제조방법은 식각대상층이 형성된 컬러필터 기판과 어레이 기판을 제공하는 단계; 소정의 레지스트잉크를 롤에 도포하는 단계; 글라스 위에 금속으로 이루어진 소정의 마스크패턴을 형성하는 단계와 상기 마스크패턴을 마스크로 낮은 깊이로 1차 습식식각을 진행하여 상기 인쇄판 내에 패턴의 에지부를 정의하는 단계 및 1차 홈을 포함하는 상기 패턴 내에 레이저로 2차 가공하여 상기 1차 홈보다 폭이 좁고 깊이가 깊은 2차 홈을 형성하는 단계를 포함하여 볼록 패턴을 가진 인쇄판을 준비하는 단계; 상기 레지스트잉크가 도포된 롤을 상기 볼록 패턴이 형성된 인쇄판과 접촉시킨 상태에서 회전하여 상기 볼록 패턴과 접촉하는 레지스트잉크를 롤로부터 제거하여 상기 롤 표면에 소정의 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 롤을 컬러필터 기판과 어레이 기판에 작용시켜 상기 레지스트 패턴을 식각대상층 위에 전사하는 단계; 상기 전사된 레지스트 패턴을 이용하여 상기 식각대상층을 식각하여 상기 어레이 기판에 박막 트랜지스터 어레이를 형성하며, 상기 컬러필터 기판에 블랙매트릭스를 형성하는 단계; 및 상기 컬러필터 기판과 어레이 기판을 합착하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention includes providing a color filter substrate and an array substrate on which an etching target layer is formed; Applying a predetermined resist ink to a roll; Forming a predetermined mask pattern made of metal on glass, performing primary wet etching to a low depth with the mask pattern as a mask, defining an edge portion of the pattern in the printing plate, and in the pattern including primary grooves. Preparing a printing plate having a convex pattern, including forming a secondary groove having a width narrower and deeper than the primary groove by performing secondary processing with a laser; Forming a predetermined resist pattern on the surface of the roll by rotating the resist ink-coated roll in contact with the printing plate on which the convex pattern is formed to remove the resist ink in contact with the convex pattern from the roll; Transferring the roll onto the color filter substrate and the array substrate to transfer the resist pattern onto the etching target layer; Etching the etching target layer using the transferred resist pattern to form a thin film transistor array on the array substrate, and forming a black matrix on the color filter substrate; And bonding the color filter substrate and the array substrate.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법은 리버스 오프셋 방식의 롤 프린트용 인쇄판을 제작하는데 있어, 1차로 낮은 깊이로 습식식각을 진행하여 미세 선폭을 구현한 후 레이저로 패턴 내부를 2차 가공하여 패턴 깊이를 확보함으로써 인쇄압력에 의해 레지스트잉크 패턴이 소실되는 것을 방지할 수 있게 된다. 그 결과 롤 프린팅 패턴불량이 감소되는 한편, 미세 패턴을 정밀하고 균일하게 형성할 수 있게 되어 수율이 개선되는 효과를 제공한다. 또한, 인쇄압력의 공정마진이 넓어져 공정의 효율성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.As described above, the manufacturing method of the printing plate for roll printing according to the present invention and the manufacturing method of the liquid crystal display device using the same in manufacturing a reverse offset roll printing printing plate, by first performing wet etching to a low depth first After the line width is realized, the inside of the pattern is processed secondly with a laser to secure the pattern depth, thereby preventing the loss of the resist ink pattern due to the printing pressure. As a result, roll printing pattern defects are reduced, and fine patterns can be formed precisely and uniformly, thereby providing an effect of improving yield. In addition, the process margin of the printing pressure is widened to provide an effect of improving the efficiency of the process.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the manufacturing method of the printing plate for roll printing according to the present invention and the manufacturing method of the liquid crystal display device using the same.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 실시예에 따른 롤 프린트를 이용한 패턴형성방법을 순차적으로 나타내는 단면도이다.2A to 2E are cross-sectional views sequentially illustrating a pattern forming method using a roll print according to an embodiment of the present invention.

도 2a에 도시된 바와 같이, 우선 원통형 롤(150) 표면에 블랑켓(blanket)(155)을 형성한 다음, 레지스트잉크 공급장치(170)를 통해 상기 블랑켓(155) 표면에 레지스트잉크를 도포하여 레지스트잉크 막(160)을 형성한다.As shown in FIG. 2A, first, a blanket 155 is formed on the surface of the cylindrical roll 150, and then the resist ink is applied to the surface of the blanket 155 through a resist ink supply device 170. The resist ink film 160 is formed.

여기서, 본 발명의 실시예에 따른 롤 프린트 방법은 기존의 포토리소그래피 기술의 문제를 해결할 수 있는 방법으로써, 기존의 포토리소그래피공정에서 패턴을 형성시킬 때 사용되는 고해상도의 마스크 대신 실리콘 고분자와 클리체(cliche)를 사용하여 미세 패턴을 형성하고자 하는 기판에 직접적인 패턴 전사를 통해 미세 패턴을 형성하게 된다.Here, the roll printing method according to the embodiment of the present invention is a method for solving the problem of the conventional photolithography technology, and instead of the high-resolution mask used when forming a pattern in the conventional photolithography process, a silicone polymer and a cliché ( Using a cliche) to form a fine pattern through a direct pattern transfer to the substrate to form a fine pattern.

이때, 상기 롤 프린트 방법은 인쇄될 상(像)이 인쇄판 표면에 깎여 들어감으로써 새겨지는 요판(凹版) 인쇄의 그라비어(gravure) 오프셋 방식과 인쇄판의 볼록 패턴을 이용하여 필요 없는 부분을 제거하는 리버스 오프셋 방식이 있는데, 본 발명의 실시예의 경우에는 상기 리버스 오프셋 방식을 사용하는 경우를 예를 들고 있다. 다만, 본 발명이 상기 리버스 오프셋 롤 프린트 방식에 한정되는 것은 아니다.In this case, the roll printing method includes a gravure offset method of intaglio printing in which an image to be printed is cut into the printing plate surface and a reverse offset for removing unnecessary portions by using a convex pattern of the printing plate. There is a method, but the embodiment of the present invention uses the reverse offset method as an example. However, the present invention is not limited to the reverse offset roll print method.

이어서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 표면에 복수의 볼록 패턴이 형성된 인쇄판(100)을 준비한 다음, 상기 인쇄판(100) 표면에 레지스트잉크 막(160)이 형성된 롤(150)을 접촉시킨 상태에서 회전시킴에 따라, 인쇄판(100)의 볼록 패턴(101)과 접촉된 레지스트잉크가 상기 블랑켓(155)으로부터 제거되어 상기 인쇄판(100)의 볼록 패턴(101)과 접촉하지 않는 블랑켓(155) 표면에는 소정의 레지스트잉크 패턴(165)이 형성된다.Subsequently, as shown in FIG. 2B, after preparing a printing plate 100 having a plurality of convex patterns formed on the surface thereof, the roll 150 having the resist ink film 160 formed on the surface of the printing plate 100 is brought into contact with each other. As it rotates, the resist ink in contact with the convex pattern 101 of the printing plate 100 is removed from the blanket 155 and does not contact the convex pattern 101 of the printing plate 100. A predetermined resist ink pattern 165 is formed on the surface.

다음으로, 도 2c에 도시된 바와 같이, 소정의 패턴을 형성시킬 기판(110) 표면에 소정의 식각대상층(140a)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2C, a predetermined etching target layer 140a is formed on the surface of the substrate 110 on which the predetermined pattern is to be formed.

이때, 상기 식각대상층(140a)은 금속층이나 반도체층 또는 절연층이 될 수 있으며, 금속층의 경우 스퍼터링(sputtering)법에 의해 기판(110)상에 금속물질을 적층하고 반도체층의 경우 플라즈마 화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)법에 의해 기판(110)상에 실리콘 등과 같은 비정질반도체 또는 결정질반도체를 적층한다. 또한, 절연층의 경우 화학기상증착법에 의해 무기물질을 적층하거나 유기물질을 스핀코팅 등의 방법에 의해 도포하게 된다.In this case, the etching target layer 140a may be a metal layer, a semiconductor layer, or an insulating layer. In the case of the metal layer, a metal material is deposited on the substrate 110 by sputtering, and in the case of the semiconductor layer, plasma chemical vapor deposition. An amorphous semiconductor such as silicon or a crystalline semiconductor is deposited on the substrate 110 by a Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) method. In the case of the insulating layer, an inorganic material is laminated by chemical vapor deposition or an organic material is coated by spin coating or the like.

이어서, 표면에 레지스트잉크 패턴(165)이 남아 있는 롤(150)을 기판(110)의 식각대상층(140a)과 접촉한 상태에서 회전시킴에 따라 롤(150)에 남아 있는 레지스트잉크 패턴(165)이 상기 식각대상층(140a)의 표면으로 전사되며, 상기 식각대상층(140a)에 전사된 레지스트잉크 패턴(165)을 약 150℃의 온도에서 가열함으로써 상기 식각대상층(140a) 상에 레지스트 패턴(180)을 형성하게 된다.Subsequently, the resist ink pattern 165 remaining on the roll 150 is rotated by rotating the roll 150 in which the resist ink pattern 165 remains on the surface in contact with the etching target layer 140a of the substrate 110. The resist pattern 180 is transferred onto the etching target layer 140a by heating the resist ink pattern 165 transferred to the etching target layer 140a at a temperature of about 150 ° C. Will form.

이후, 도 2d에 도시된 바와 같이, 상기 레지스트 패턴(180)으로 식각대상층(140a)의 일부를 블로킹한 상태에서 식각액을 상기 식각대상층(140a)에 작용시켜 상기 식각대상층(140a)을 선택적으로 식각함으로써 상기 레지스트 패턴(180) 하부 에 소정의 패턴(140)을 형성한다.After that, as shown in FIG. 2D, the etching target layer 140a is selectively etched by applying an etchant to the etching target layer 140a while blocking a part of the etching target layer 140a with the resist pattern 180. As a result, a predetermined pattern 140 is formed under the resist pattern 180.

이때, 상기 식각대상층(140a)이 금속층이면 불산(HF)과 같은 산성의 식각액을 작용시켜 상기 식각대상층(140a)을 식각하며, 반도체층이나 절연층인 경우 식각가스를 이용하여 식각대상층(140a)을 식각하게 된다.In this case, when the etching target layer 140a is a metal layer, an acidic etching solution such as hydrofluoric acid (HF) is applied to etch the etching target layer 140a. In the case of a semiconductor layer or an insulating layer, the etching target layer 140a is etched using an etching gas. Will be etched.

이어서, 도 2e에 도시된 바와 같이, 상기 레지스트 패턴(180)을 제거(develop)하여 기판(110)상에 패턴(140)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 2E, the resist pattern 180 is removed to form the pattern 140 on the substrate 110.

일반적으로 상기의 롤 프린트 방식에 이용되는 인쇄판은 글라스(glass)로 이루어지며, 이때 상기 인쇄판을 제작하기 위해서는 글라스 위에 금속으로 패턴을 형성한 다음 HF 등을 이용한 습식식각(wet etch) 방식을 적용하게 된다.In general, the printing plate used in the roll printing method is made of glass, and in this case, in order to manufacture the printing plate, a pattern is formed of metal on the glass, and then a wet etching method using HF is applied. do.

이때, 상기 습식식각 방식은 등방성(isotropy) 특성을 가지고 있기 때문에 인쇄판의 깊이를 깊게 하면 할수록 CD(Critical Dimension)가 커져 인쇄판에 형성되는 오목 패턴의 폭이 넓어지게 된다.At this time, the wet etching method has an isotropy characteristic, so that the deeper the depth of the printing plate is, the larger the CD (Critical Dimension) becomes and the width of the concave pattern formed on the printing plate becomes wider.

여기서, 전술한 바와 같이 상기 리버스 오프셋 롤 프린트 인쇄방식은 인쇄판의 볼록한 부분, 즉 볼록 패턴을 이용하여 레지스트잉크 막의 필요 없는 부분을 제거하여 롤 위에 남아있는 레지스트잉크 패턴을 최종적으로 기판 위에 전사하는 방식이다. 이때, 인쇄판의 볼록한 부분은 롤 표면에 닿고, 상기 볼록한 부분 사이의 오목한 부분은 롤 표면에 닿지 않아야 레지스트잉크 패턴이 정확하게 형성되게 된다.Here, as described above, the reverse offset roll printing method is a method of transferring the resist ink pattern remaining on the roll to the substrate by finally removing the unnecessary portion of the resist ink film using the convex portion of the printing plate, that is, the convex pattern. . At this time, the convex portions of the printing plate touch the roll surface, and the concave portions between the convex portions do not touch the roll surface so that the resist ink pattern is formed accurately.

이때, 도 3을 참조하면, 상기 롤 프린트 방법에 의해 기판에 패터닝할 패턴의 폭은 다양하며, 이에 따라 인쇄판(100)에 형성된 볼록 패턴은 다양한 폭을 가지 게 된다. 또한, 상기 볼록 패턴들 사이에 형성되는 인쇄판(100)의 오목 패턴(예를 들어, A, B)들 역시 다양한 폭을 가지게 된다.At this time, referring to Figure 3, the width of the pattern to be patterned on the substrate by the roll printing method, and thus the convex pattern formed on the printing plate 100 has a variety of widths. In addition, concave patterns (eg, A and B) of the printing plate 100 formed between the convex patterns also have various widths.

여기서, 상기 롤 프린트 방법은 실리콘계열의 고무 탄성체(155)를 롤(150) 표면에 감은 상태에서 인쇄를 하기 때문에, 인쇄압력에 의해 상기 인쇄판(100)의 오목 패턴(A, B)에 실리콘고무가 닿아 일부의 레지스트잉크 패턴이 소실되는 문제가 발생하기도 한다.Here, in the roll printing method, since the rubber-based elastic body 155 of the silicon series is printed on the surface of the roll 150, the rubber is printed on the concave patterns A and B of the printing plate 100 by the printing pressure. May cause some of the resist ink patterns to be lost.

이와 같이 인쇄압력에 의해 실리콘고무가 찌그러지더라도 폭이 좁은 패턴(B)의 경우 인쇄판(100) 깊이가 얕더라도 실리콘고무가 바닥에 닿지 않지만, 폭이 넓은 패턴(A)의 경우 상기 실리콘고무가 바닥에 닿아 레지스트잉크 패턴의 일부가 소실되는 현상이 발생할 수 있다.Thus, even if the silicone rubber is crushed by the printing pressure, the narrow width pattern (B) does not reach the bottom even if the depth of the printing plate 100 is shallow, but in the case of the wide pattern (A), the silicone rubber A part of the resist ink pattern may be lost by touching the bottom.

이때, 인쇄판(100) 깊이가 깊거나 오목 패턴(A, B)의 폭이 좁을 경우 실리콘고무가 바닥에 닿아 패턴이 소실되는 문제는 없어진다. 그러나, 전술한 바와 같이 기판에 패터닝할 패턴은 폭이 좁은 패턴과 폭이 넓은 패턴이 공존하고 있으므로, 이에 따라 인쇄판(100)의 오목 패턴(A, B)들 역시 폭이 좁은 패턴(B)과 폭이 넓은 패턴(A)이 공존하며, 이때 폭이 넓은 패턴(A)에서는 폭이 좁은 패턴(B)보다 더 깊게 인쇄판을 형성하여야 한다.In this case, when the depth of the printing plate 100 is deep or the widths of the concave patterns A and B are narrow, there is no problem in that the silicone rubber reaches the bottom and the pattern is lost. However, as described above, the pattern to be patterned on the substrate coexists with a narrow pattern and a wide pattern. Accordingly, the concave patterns A and B of the printing plate 100 also have a narrow pattern B and a narrow pattern. A wide pattern (A) coexists, and in this case, the wide plate (A) has to form a printing plate deeper than the narrow pattern (B).

이에 본 발명의 실시예의 경우에는 1차로 낮은 깊이로 습식식각을 진행하여 미세 선폭을 구현한 다음 레이저를 이용하여 홈을 2차 가공함으로써 인쇄판 내부 패턴의 에지(edge)부의 형태는 살리면서 깊이를 확보할 수 있도록 하였는데, 이를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Accordingly, in the embodiment of the present invention, the wet etching is first performed at a low depth to realize a fine line width, and then the groove is second processed using a laser to secure the depth while maintaining the shape of the edge portion of the internal pattern of the printing plate. The present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 실시예에 따른 리버스 오프셋 방식의 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도로써, W1㎛와 W2㎛(W1<W2)의 선폭을 가진 패턴을 인쇄판에 형성하는 과정을 예를 들어 나타내고 있다.4A to 4D are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a roll offset printing plate for printing according to an embodiment of the present invention, wherein patterns having line widths of W1 μm and W2 μm (W1 <W2) are formed on the printing plate. The process of doing this is shown as an example.

도 4a에 도시된 바와 같이, 글라스로 이루어진 인쇄판(200) 표면에 금속으로 소정의 마스크패턴(300)을 형성한다.As shown in FIG. 4A, a predetermined mask pattern 300 is formed of metal on the surface of the printing plate 200 made of glass.

이때, 상기 마스크패턴(300)은 인쇄판(200) 내에 형성하여야 할 패턴의 선폭이 W1㎛와 W2㎛(W1<W2)인 경우 수직방향으로 식각되는 거리와 수평방향으로 식각되는 거리가 동일한 습식식각의 등방성을 고려하여 각각 W1'㎛와 W2'㎛의 폭으로 투과부를 형성하게 된다.At this time, the mask pattern 300 is wet etching having the same distance as the distance etched in the vertical direction and the distance etched in the horizontal direction when the line width of the pattern to be formed in the printing plate 200 is W1 μm and W2 μm (W1 <W2). In consideration of the isotropy of W1 '탆 and W2' 탆, a permeable portion is formed.

여기서, 좁은 선폭(W1)을 기준으로 d1의 깊이로 식각할 경우 상기 W1'㎛와 W2'㎛는 각각 (W1-2d1)㎛와 (W2-2d2)㎛로 선택할 수 있다. 예를 들어, W1과 W2가 각각 7㎛와 20㎛이며 d1은 2㎛인 경우 상기 W1'과 W2'은 각각 3㎛와 16㎛로 할 수 있다.In the case of etching to a depth of d1 based on the narrow line width W1, the W1 'mu m and the W2' mu m may be selected as (W1-2d1) mu m and (W2-2d2) mu m, respectively. For example, when W1 and W2 are 7 µm and 20 µm, and d1 is 2 µm, respectively, W1 'and W2' may be 3 µm and 16 µm, respectively.

다음으로, HF 등을 이용한 습식식각 방식으로 상기 d1의 깊이로 1차 식각할 경우, 도 4b에 도시된 바와 같이, 인쇄판(200) 내에 W1의 폭과 d1의 깊이를 가진 제 1 오목 패턴(B)과 W2의 폭과 d1의 깊이를 가진 제 2 오목 패턴(A')이 형성되게 된다.Next, when first etching to the depth of the d1 by the wet etching method using HF, etc., as shown in Figure 4b, the first concave pattern (B) having a width of W1 and a depth of d1 in the printing plate 200 ) And a second concave pattern A 'having a width of W2 and a depth of d1.

이때, 상기 W1의 폭을 가진 제 1 오목 패턴(B)은 패턴의 폭이 충분히 좁아 실리콘고무가 바닥에 닿을 염려가 없지만 20㎛이상의 상기 W2의 폭을 가진 제 2 오목 패턴(A')에서는 실리콘고무가 바닥에 닿아 패턴이 소실될 가능성이 존재한다.At this time, the first concave pattern (B) having a width of W1 has a narrow width of the pattern so that silicone rubber does not touch the bottom, but in the second concave pattern (A ') having a width of W2 of 20 μm or more, There is a possibility that the rubber will reach the bottom and the pattern will be lost.

따라서, 도 4c에 도시된 바와 같이, 넓은 폭을 가진 제 2 오목 패턴(A')의 바닥을 레이저를 이용하여 2차 가공하여 W2의 폭과 d2(10~100㎛)의 깊이를 가진 제 3 오목 패턴(A)을 형성한다.Therefore, as shown in FIG. 4C, the bottom of the second concave pattern A 'having a wide width is subjected to a second process using a laser, so that a third having a width of W2 and a depth of d2 (10-100 μm) is obtained. The concave pattern A is formed.

이때, 상기 습식식각에 의하여 제 2 오목 패턴(A')의 에지부는 직진(直進)성이 우수하므로 에지부에 손상이 가지 않도록 상기 제 2 오목 패턴(A')의 내부를 레이저로 가공하게 된다.At this time, since the edge portion of the second concave pattern (A ') has excellent straightness by the wet etching, the inside of the second concave pattern (A') is processed with a laser so as not to damage the edge portion. .

또한, 상기 레이저로는 ND-YAG 레이저, Co2 레이저, 반도체 레이저, 피코(pico) 레이저 및 펨토(femto) 레이저 등을 이용할 수 있다.In addition, an ND-YAG laser, a Co 2 laser, a semiconductor laser, a pico laser and a femto laser may be used as the laser.

이에 따라, 도 4d에 도시된 바와 같이, 제 3 오목 패턴(A)은 습식식각에 의하여 형성된 1차 홈(h1)과 레이저에 의해 상기 1차 홈(h1)보다 폭이 좁고 깊이(d2)가 깊게 가공된 2차 홈(h2)을 포함하게 된다.Accordingly, as shown in FIG. 4D, the third concave pattern A has a width narrower than the primary groove h1 by the primary groove h1 formed by wet etching and a laser and has a depth d2. The deep groove (h2) is to be processed.

참고로, 도 5는 레이저를 이용하여 가공된 글라스의 단면을 나타내는 사진으로써, 도면을 참조하면, 글라스 에지부의 직진(直進)성이 불량한 것을 알 수 있다.For reference, FIG. 5 is a photograph showing a cross section of a glass processed using a laser, and referring to the drawing, it can be seen that the straightness of the glass edge portion is poor.

따라서, 레이저를 이용하여 직접적으로 인쇄판에 미세 패턴을 형성하는 것은 어렵고, 습식식각으로 패턴의 에지부를 정의한 다음 패턴 내부, 즉 중앙부를 레이저를 이용하여 식각하여 원하는 깊이를 확보하여야 한다.Therefore, it is difficult to form a fine pattern on the printing plate directly by using a laser, it is necessary to define the edge portion of the pattern by wet etching, and then to etch the inside of the pattern, that is, the center portion using a laser to secure the desired depth.

이하, 상기와 같은 롤 프린트용 인쇄판을 이용하여 실제 액정표시장치를 제조하는 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing an actual liquid crystal display using the roll printing plate as described above will be described in detail.

도 6a 내지 도 6h는 본 발명의 실시예에 따른 롤 프린트용 인쇄판을 이용하 여 액정표시장치를 제조하는 방법을 순차적으로 나타내는 단면도이다.6A to 6H are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display using a roll printing plate according to an embodiment of the present invention.

우선, 도 6a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 물질로 이루어진 어레이 기판(210) 전면에 제 1 도전막으로 이루어진 제 1 식각대상층(240a)을 형성한다.First, as shown in FIG. 6A, the first etching target layer 240a including the first conductive layer is formed on the entire surface of the array substrate 210 made of a transparent material such as glass.

이때, 상기 제 1 도전막은 게이트전극을 형성하기 위해 알루미늄(aluminium; Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(tungsten; W), 구리(copper; Cu), 크롬(chromium; Cr), 몰리브덴(molybdenum; Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy) 등과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전막은 상기 저저항 도전물질이 두 가지 이상 적층된 다층구조로 형성할 수도 있다.In this case, the first conductive layer may be formed of aluminum (Al), aluminum alloy, tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), and molybdenum (Al) to form a gate electrode. Low resistance opaque conductive materials such as molybdenum (Mo), molybdenum alloy (Mo alloy) and the like can be used. In addition, the first conductive film may be formed in a multilayer structure in which two or more low-resistance conductive materials are stacked.

이어서, 소정의 레지스트잉크를 상기 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 롤 표면에 도포하고 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판에 의해 일부를 제거하여 레지스트잉크 패턴을 형성한 후, 상기 롤을 상기 제 1 식각대상층(240a)과 접촉한 상태에서 회전시킴으로써 레지스트잉크 패턴을 상기 제 1 식각대상층(240a) 위에 전사하여 제 1 레지스트 패턴(280a)을 형성한다.Subsequently, a predetermined resist ink is applied to the roll surface, as shown in FIGS. 2A and 2B, and a portion is removed by a printing plate according to an embodiment of the present invention to form a resist ink pattern. By rotating in contact with the first etching target layer 240a, the resist ink pattern is transferred onto the first etching target layer 240a to form a first resist pattern 280a.

이후, 상기 제 1 레지스트 패턴(280a)을 마스크로 상기 제 1 식각대상층(240a)의 일부를 블로킹한 상태에서 상기 상기 제 1 식각대상층(240a)을 선택적으로 식각함으로써, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판(210) 상에 상기 제 1 도전막으로 이루어진 게이트전극(211)을 형성한다.Thereafter, the first etching target layer 240a is selectively etched with the first resist pattern 280a as a mask and a part of the first etching target layer 240a is blocked, as shown in FIG. 6B. The gate electrode 211 including the first conductive layer is formed on the array substrate 210.

그리고, 상기 게이트전극(211)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 실리콘질화막이나 실리콘산화막으로 이루어진 게이트절연층(215a)을 형성한다. 이때, 상기 게이트절연층(215a)은 포토아크릴이나 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene; BCB)과 같은 유기절연막으로 형성할 수도 있다.A gate insulating layer 215a made of a silicon nitride film or a silicon oxide film is formed on the entire array substrate 210 on which the gate electrode 211 is formed. In this case, the gate insulating layer 215a may be formed of an organic insulating layer such as photoacryl or benzocyclobutene (BCB).

다음으로, 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(211)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 비정질 실리콘 박막 등을 증착한 후, 포토리소그래피공정을 통해 선택적으로 식각함으로써 상기 어레이 기판(210)의 게이트전극(221) 상부에 소정의 반도체층(224)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6C, after depositing an amorphous silicon thin film or the like on the entire surface of the array substrate 210 on which the gate electrode 211 is formed, the array substrate 210 is selectively etched through a photolithography process. A predetermined semiconductor layer 224 is formed over the gate electrode 221 of the gate.

이때, 상기 반도체층(224)은 본 발명의 롤 프린트 방법을 이용하여 형성할 수 있다.In this case, the semiconductor layer 224 may be formed using the roll printing method of the present invention.

이후, 상기 반도체층(224)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 제 2 도전막으로 이루어진 제 2 식각대상층(240b)을 형성한다.Thereafter, a second etching target layer 240b including a second conductive layer is formed on the entire surface of the array substrate 210 on which the semiconductor layer 224 is formed.

이때, 상기 제 2 도전막은 소오스전극과 드레인전극을 형성하기 위해 알루미늄, 알루미늄 합금, 텅스텐, 구리, 크롬, 몰리브덴, 몰리브덴 합금 등과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전막은 상기 저저항 도전물질이 두 가지 이상 적층된 다층구조로 형성할 수도 있다.In this case, the second conductive layer may use a low resistance opaque conductive material such as aluminum, aluminum alloy, tungsten, copper, chromium, molybdenum, molybdenum alloy, etc. to form the source electrode and the drain electrode. In addition, the second conductive layer may be formed in a multilayer structure in which two or more low-resistance conductive materials are stacked.

이어서, 소정의 레지스트잉크를 상기 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 롤 표면에 도포하고 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판에 의해 일부를 제거하여 레지스트잉크 패턴을 형성한 후, 상기 롤을 상기 제 2 식각대상층(240b)과 접촉한 상태에서 회전시킴으로써 레지스트잉크 패턴을 상기 제 2 식각대상층(240b) 위에 전사하여 제 2 레지스트 패턴(280b)을 형성한다.Subsequently, a predetermined resist ink is applied to the roll surface, as shown in FIGS. 2A and 2B, and a portion is removed by a printing plate according to an embodiment of the present invention to form a resist ink pattern. By rotating in contact with the second etching target layer 240b, the resist ink pattern is transferred onto the second etching target layer 240b to form a second resist pattern 280b.

이후, 상기 제 2 레지스트 패턴(280b)을 마스크로 상기 제 2 식각대상 층(240b)의 일부를 블로킹한 상태에서 상기 상기 제 2 식각대상층(240b)을 선택적으로 식각함으로써, 도 6d에 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판(210) 상에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 소오스전극(222)과 드레인전극(223)을 형성한다.Thereafter, the second etching target layer 240b is selectively etched with the second resist pattern 280b as a mask and a part of the second etching target layer 240b is blocked, as shown in FIG. 6D. Likewise, a source electrode 222 and a drain electrode 223 formed of the second conductive layer are formed on the array substrate 210.

그리고, 상기 소오스/드레인전극(222, 223)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 무기절연막이나 유기절연막으로 이루어진 보호층(215b)을 형성한 후, 상기 보호층(215b)의 일부영역을 식각하여 상기 드레인전극(223)의 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성한다.The protective layer 215b made of an inorganic insulating film or an organic insulating film is formed on the entire surface of the array substrate 210 on which the source / drain electrodes 222 and 223 are formed, and then a portion of the protective layer 215b is etched. A contact hole exposing a part of the drain electrode 223 is formed.

이때, 상기 콘택홀은 본 발명의 롤 프린트 방법을 이용하여 형성할 수 있다.In this case, the contact hole may be formed using the roll printing method of the present invention.

이후, 상기 보호층(215b)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 제 3 도전막으로 이루어진 제 3 식각대상층(240c)을 형성한다.Thereafter, a third etching target layer 240c including a third conductive layer is formed on the entire surface of the array substrate 210 on which the protective layer 215b is formed.

이때, 상기 제 3 도전막은 화소전극을 형성하기 위해 인듐-틴-옥사이드나 인듐-징크-옥사이드와 같은 투명한 도전물질을 사용할 수 있다.In this case, the third conductive layer may use a transparent conductive material such as indium tin oxide or indium zinc oxide to form a pixel electrode.

이어서, 소정의 레지스트잉크를 상기 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 롤 표면에 도포하고 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판에 의해 일부를 제거하여 레지스트잉크 패턴을 형성한 후, 상기 롤을 상기 제 3 식각대상층(240c)과 접촉한 상태에서 회전시킴으로써 레지스트잉크 패턴을 상기 제 3 식각대상층(240c) 위에 전사하여 제 3 레지스트 패턴(280c)을 형성한다.Subsequently, a predetermined resist ink is applied to the roll surface, as shown in FIGS. 2A and 2B, and a portion is removed by a printing plate according to an embodiment of the present invention to form a resist ink pattern. By rotating in contact with the third etching target layer 240c, the resist ink pattern is transferred onto the third etching target layer 240c to form a third resist pattern 280c.

이후, 상기 제 3 레지스트 패턴(280c)을 마스크로 상기 제 3 식각대상층(240c)의 일부를 블로킹한 상태에서 상기 상기 제 3 식각대상층(240c)을 선택적으로 식각함으로써, 도 6e에 도시된 바와 같이, 상기 콘택홀을 통해 드레인전 극(223)과 전기적으로 접속하는 화소전극(218)을 형성한다.Subsequently, the third etching target layer 240c is selectively etched with a portion of the third etching target layer 240c blocked using the third resist pattern 280c as a mask, as shown in FIG. 6E. The pixel electrode 218 is formed to be electrically connected to the drain electrode 223 through the contact hole.

한편, 컬러필터 기판을 제조하기 위해 도 6f에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 물질로 이루어진 컬러필터 기판(205)에 Cr의 단일층, Cr/CrO2의 이중층 또는 유기막으로 이루어진 제 4 식각대상층(240d)을 형성한다.On the other hand, as shown in Figure 6f to manufacture a color filter substrate, a fourth etching consisting of a single layer of Cr, a double layer of Cr / CrO 2 or an organic film on the color filter substrate 205 made of a transparent material such as glass The target layer 240d is formed.

그리고, 그 위에 소정의 레지스트잉크를 상기 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 롤 표면에 도포하고 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판에 의해 일부를 제거하여 레지스트잉크 패턴을 형성한 후, 상기 롤을 상기 제 4 식각대상층(240d)과 접촉한 상태에서 회전시킴으로써 레지스트잉크 패턴을 상기 제 4 식각대상층(240d) 위에 전사하여 제 4 레지스트 패턴(280d)을 형성한다.Then, a predetermined resist ink is applied thereon, as shown in Figs. 2A and 2B, and after removing a portion by a printing plate according to an embodiment of the present invention to form a resist ink pattern, the roll Is rotated in contact with the fourth etching target layer 240d to transfer the resist ink pattern onto the fourth etching target layer 240d to form a fourth resist pattern 280d.

이후, 상기 제 4 레지스트 패턴(280d)을 마스크로 상기 제 4 식각대상층(240d)의 일부를 블로킹한 상태에서 상기 상기 제 4 식각대상층(240d)을 선택적으로 식각함으로써, 도 6g에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터 기판(205) 위에 소정의 블랙매트릭스(206)를 형성한다.Thereafter, the fourth etching target layer 240d is selectively etched while the fourth etching target layer 240d is partially blocked using the fourth resist pattern 280d as a mask, as shown in FIG. 6G. The black matrix 206 is formed on the color filter substrate 205.

이후, 상기 블랙매트릭스(206)가 형성된 컬러필터 기판(205) 위에 적(Red; R), 녹(Green; G) 및 청(Blue; B)색의 서브-컬러필터로 이루어진 컬러필터층(207)을 형성하고, 그 위에 인듐-틴-옥사이드나 인듐-징크-옥사이드로 이루어진 공통전극(208)을 형성한다.Subsequently, a color filter layer 207 including a red (R), green (G), and blue (B) color sub-color filter on the color filter substrate 205 on which the black matrix 206 is formed. Next, a common electrode 208 made of indium tin oxide or indium zinc oxide is formed thereon.

다음으로, 도 6h에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터 기판(205)과 어레이 기판(210)을 합착한 후, 상기 컬러필터 기판(205)과 어레이 기판(210) 사이에 액정 층(230)을 형성함으로써 액정표시장치를 제작한다.Next, as shown in FIG. 6H, after the color filter substrate 205 and the array substrate 210 are bonded together, the liquid crystal layer 230 is disposed between the color filter substrate 205 and the array substrate 210. By forming, a liquid crystal display device is manufactured.

이때, 상기 액정층(230)은 컬러필터 기판(205)과 어레이 기판(210)을 합착한 후 그 사이에 액정을 주입하여 형성할 수도 있지만, 컬러필터 기판(205) 또는 어레이 기판(210) 위에 액정을 적하(dispensing)한 후, 상기 컬러필터 기판(205)과 어레이 기판(210)을 합착, 압력을 인가하여 적하된 액정을 합착된 컬러필터 기판(205)과 어레이 기판(210) 사이의 전체에 걸쳐 균일하게 분배함으로써 형성할 수 있다.In this case, the liquid crystal layer 230 may be formed by bonding the color filter substrate 205 and the array substrate 210 and then injecting liquid crystal therebetween, but on the color filter substrate 205 or the array substrate 210. After dispensing the liquid crystal, the color filter substrate 205 and the array substrate 210 are bonded together and a pressure is applied to the entire liquid crystal between the bonded color filter substrate 205 and the array substrate 210. It can form by distributing uniformly over.

이와 같은 특징을 가지는 본 발명의 실시예에 따른 롤 프린트용 인쇄판은 정보저장, 소형 센서, 광결정 및 광학 소자, 미세 전자기계 소자, 표시 소자, 디스플레이 및 반도체에 적용되는 미세 패턴을 형성하는데 이용될 수 있다.The printing plate for roll printing according to the embodiment of the present invention having the above characteristics can be used to form a fine pattern applied to information storage, small sensor, photonic crystal and optical element, microelectromechanical element, display element, display and semiconductor. have.

상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.Many details are set forth in the foregoing description but should be construed as illustrative of preferred embodiments rather than to limit the scope of the invention. Therefore, the invention should not be defined by the described embodiments, but should be defined by the claims and their equivalents.

도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 나타내는 분해사시도.1 is an exploded perspective view schematically showing a general liquid crystal display device.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 실시예에 따른 롤 프린트를 이용한 패턴형성방법을 순차적으로 나타내는 단면도.2A to 2E are cross-sectional views sequentially illustrating a pattern forming method using a roll print according to an embodiment of the present invention.

도 3은 리버스 오프셋 방식의 롤 프린트용 인쇄판을 제작하는데 있어, 인쇄압력에 의한 레지스트잉크 패턴이 소실되는 현상을 나타내는 단면도.3 is a cross-sectional view showing a phenomenon in which a resist ink pattern is lost due to printing pressure in producing a roll offset printing plate.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 실시예에 따른 리버스 오프셋 방식의 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도.4A to 4D are cross-sectional views sequentially showing a manufacturing method of a roll offset printing plate of a reverse offset method according to an embodiment of the present invention.

도 5는 레이저를 이용하여 가공된 글라스의 단면을 나타내는 사진.5 is a photograph showing a cross section of a glass processed using a laser.

도 6a 내지 도 6h는 본 발명의 실시예에 따른 롤 프린트용 인쇄판을 이용하여 액정표시장치를 제조하는 방법을 순차적으로 나타내는 단면도.6A through 6H are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device using a printing plate for roll printing according to an embodiment of the present invention.

** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS

100,200 : 인쇄판 110,210 : 기판100,200: printing plate 110,210: substrate

140a,240a~240d : 식각대상층 140 : 패턴140a, 240a ~ 240d: Etch target layer 140: Pattern

150 : 롤 155 : 블랑켓150: roll 155: blanket

160 : 레지스트잉크 막 165 : 레지스트잉크 패턴160: resist ink film 165: resist ink pattern

180 : 레지스트 패턴180: resist pattern

Claims (11)

글라스 위에 금속으로 이루어진 소정의 마스크패턴을 형성하는 단계;Forming a predetermined mask pattern made of metal on the glass; 상기 마스크패턴을 마스크로 낮은 깊이로 1차 습식식각을 진행하여 상기 인쇄판 내에 패턴의 에지부를 정의하는 단계; 및Performing first wet etching to a low depth using the mask pattern as a mask to define edge portions of the pattern in the printing plate; And 1차 홈을 포함하는 상기 패턴 내에 레이저로 2차 가공하여 상기 1차 홈보다 폭이 좁고 깊이가 깊은 2차 홈을 형성하는 단계를 포함하는 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법.And forming a secondary groove having a narrower depth and a deeper depth than the primary groove by performing secondary processing with a laser in the pattern including the primary groove. 제 1 항에 있어서, 상기 레이저는 ND-YAG 레이저, Co2 레이저, 반도체 레이저, 피코(pico) 레이저 및 펨토(femto) 레이저 등을 포함하는 것을 특징으로 하는 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법.The method of claim 1, wherein the laser comprises an ND-YAG laser, a Co 2 laser, a semiconductor laser, a pico laser, a femto laser, or the like. 제 1 항에 있어서, 상기 마스크패턴은 상기 인쇄판 내에 형성하여야 할 패턴의 선폭이 예를 들어, W1㎛와 W2㎛(W1<W2)인 경우 수직방향으로 식각되는 거리와 수평방향으로 식각되는 거리가 동일한 습식식각의 등방성을 고려하여 각각 W1'㎛와 W2'㎛의 폭으로 투과부가 형성된 것을 특징으로 하는 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법.According to claim 1, wherein the mask pattern has a line width of the pattern to be formed in the printing plate, for example, W1 ㎛ and W2 ㎛ (W1 <W2) the distance etched in the vertical direction and the distance etched in the horizontal direction A transmissive part is formed in the width of W1'micrometer and W2'micrometer respectively, considering the isotropy of the same wet etching, The manufacturing method of the printing plate for roll printing characterized by the above-mentioned. 제 3 항에 있어서, 좁은 선폭(W1)을 기준으로 d1의 깊이로 식각할 경우 상기 W1'㎛와 W2'㎛는 각각 (W1-2d1)㎛와 (W2-2d2)㎛로 선택하는 것을 특징으로 하는 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법.The method of claim 3, wherein when etching to a depth of d1 based on a narrow line width W1, the W1 ′ μm and the W2 ′ μm are selected to be (W1-2d1) μm and (W2-2d2) μm, respectively. The manufacturing method of the printing plate for roll printing. 제 4 항에 있어서, 상기 d1의 깊이로 1차 식각하여 상기 인쇄판 내에 W1의 폭과 d1의 깊이를 가진 제 1 오목 패턴과 W2의 폭과 d1의 깊이를 가진 제 2 오목 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법.The method of claim 4, wherein the first etching is performed to the depth of d1 to form a first concave pattern having a width of W1 and a depth of d1 and a second concave pattern having a width of W2 and a depth of d1 in the printing plate. The manufacturing method of the printing plate for roll printing which uses to be. 제 5 항에 있어서, 상기 넓은 폭을 가진 제 2 오목 패턴의 바닥을 레이저를 이용하여 2차 가공하여 W2의 폭과 d2(10~100㎛)의 깊이를 가진 제 3 오목 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법.The method of claim 5, wherein the bottom of the second wide concave pattern having a second width using a laser to form a third concave pattern having a width of W2 and a depth of d2 (10 ~ 100㎛). The manufacturing method of the printing plate for roll printing which uses to be. 제 1 항에 있어서, 상기 레이저로 2차 가공된 상기 2차 홈은 습식식각에 의해 형성된 1차 홈의 에지부에 손상을 주지 않도록 패턴 내부에 형성되는 것을 특징으로 하는 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법.The method of claim 1, wherein the secondary groove processed by the laser is formed inside the pattern so as not to damage the edge portion of the primary groove formed by wet etching. . 식각대상층이 형성된 컬러필터 기판과 어레이 기판을 제공하는 단계;Providing a color filter substrate and an array substrate on which an etching target layer is formed; 소정의 레지스트잉크를 롤에 도포하는 단계;Applying a predetermined resist ink to a roll; 글라스 위에 금속으로 이루어진 소정의 마스크패턴을 형성하는 단계와 상기 마스크패턴을 마스크로 낮은 깊이로 1차 습식식각을 진행하여 상기 인쇄판 내에 패 턴의 에지부를 정의하는 단계 및 1차 홈을 포함하는 상기 패턴 내에 레이저로 2차 가공하여 상기 1차 홈보다 폭이 좁고 깊이가 깊은 2차 홈을 형성하는 단계를 포함하여 볼록 패턴을 가진 인쇄판을 준비하는 단계;Forming a predetermined mask pattern made of metal on glass, performing first wet etching to a low depth using the mask pattern as a mask, defining an edge portion of the pattern in the printing plate, and the pattern including a first groove Preparing a printing plate having a convex pattern, including forming a secondary groove having a width narrower and deeper than the primary groove by performing secondary processing with a laser in the laser beam; 상기 레지스트잉크가 도포된 롤을 상기 볼록 패턴이 형성된 인쇄판과 접촉시킨 상태에서 회전하여 상기 볼록 패턴과 접촉하는 레지스트잉크를 롤로부터 제거하여 상기 롤 표면에 소정의 레지스트 패턴을 형성하는 단계;Forming a predetermined resist pattern on the surface of the roll by rotating the resist ink-coated roll in contact with the printing plate on which the convex pattern is formed to remove the resist ink in contact with the convex pattern from the roll; 상기 롤을 컬러필터 기판과 어레이 기판에 작용시켜 상기 레지스트 패턴을 식각대상층 위에 전사하는 단계;Transferring the roll onto the color filter substrate and the array substrate to transfer the resist pattern onto the etching target layer; 상기 전사된 레지스트 패턴을 이용하여 상기 식각대상층을 식각하여 상기 어레이 기판에 박막 트랜지스터 어레이를 형성하며, 상기 컬러필터 기판에 블랙매트릭스를 형성하는 단계; 및Etching the etching target layer using the transferred resist pattern to form a thin film transistor array on the array substrate, and forming a black matrix on the color filter substrate; And 상기 컬러필터 기판과 어레이 기판을 합착하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조방법.And attaching the color filter substrate and the array substrate to each other. 제 8 항에 있어서, 상기 식각대상층은 금속층, 반도체층 및 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.The method of claim 8, wherein the etching target layer comprises a metal layer, a semiconductor layer, and an insulating layer. 제 8 항에 있어서, 상기 전사된 레지스트 패턴을 이용하여 상기 식각대상층을 식각하여 상기 컬러필터 기판에 컬러필터층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.The method of claim 8, further comprising forming a color filter layer on the color filter substrate by etching the etching target layer using the transferred resist pattern. 제 8 항에 있어서, 소정의 컬러 잉크를 롤에 도포하는 단계;9. The method of claim 8, further comprising: applying a predetermined color ink to a roll; 형성할 컬러필터 패턴과 실질적으로 동일한 형태를 가진 볼록 패턴을 포함하는 인쇄판을 준비하는 단계;Preparing a printing plate including a convex pattern having a shape substantially the same as a color filter pattern to be formed; 상기 컬러 잉크가 도포된 롤을 상기 볼록 패턴이 형성된 인쇄판과 접촉시킨 상태에서 회전하여 상기 볼록 패턴과 접촉하는 컬러 잉크를 롤로부터 제거하여 상기 롤 표면에 서브-컬러필터 패턴을 형성하는 단계; 및Forming a sub-color filter pattern on the surface of the roll by rotating the color ink-coated roll in contact with the printing plate on which the convex pattern is formed to remove the color ink in contact with the convex pattern from the roll; And 상기 롤을 블랙매트릭스가 형성된 컬러필터 기판에 작용시켜 상기 서브-컬러필터를 상기 컬러필터 기판 위에 전사하여 컬러필터층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.And applying the roll to the color filter substrate having the black matrix formed thereon, thereby transferring the sub-color filter onto the color filter substrate to form a color filter layer.
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