KR20110041984A - Decompression drying apparatus - Google Patents

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KR20110041984A
KR20110041984A KR1020100084761A KR20100084761A KR20110041984A KR 20110041984 A KR20110041984 A KR 20110041984A KR 1020100084761 A KR1020100084761 A KR 1020100084761A KR 20100084761 A KR20100084761 A KR 20100084761A KR 20110041984 A KR20110041984 A KR 20110041984A
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

PURPOSE: A reduced-pressure drying unit is provided to improve the quality of the spread layer by lowering the variation of the temperature of the atmosphere inside the chamber through the overall process time. CONSTITUTION: A chamber(40) be decompressed and has the space for accepting the substrate(G) to the horizontal state. A delivering apparatus has the roller carrier way continuing in outside and inside of the chamber. The delivering apparatus carries in the substrate into the roller return on the roller carrier way in the chamber, or it in other words takes out from the chamber. A substrate lift apparatus(60) support the substrate horizontally and has a plurality of lift pins arranged inside the chamber.

Description

감압건조장치{Decompression Drying Apparatus}Decompression Drying Apparatus

본 발명은, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막(도포막)에 감압 상태로 건조 처리를 가하는 감압건조장치에 관한 것이다.The present invention relates to a reduced pressure drying apparatus for applying a drying treatment in a reduced pressure state to a film (coating film) of a coating liquid formed on a substrate to be processed.

예를 들면 플랫 패널 디스플레이(FPD) 제조의 포토리소그래피 공정에서는, 유리 기판 등의 피처리기판상에 도포한 레지스트액의 도포막을 프리베이킹에 앞서 적절히 건조시키기 위해서 감압건조장치가 이용되고 있다.For example, in the photolithography process of flat panel display (FPD) manufacture, the pressure reduction drying apparatus is used in order to dry suitably the coating film of the resist liquid apply | coated on to-be-processed substrates, such as a glass substrate, before prebaking.

종래의 대표적인 감압건조장치는, 예를 들면 특허문헌 1에 기재된 바와 같이, 상면이 개구되어 있는 트레이 또는 바닥이 낮은 용기형태의 하부 챔버와, 이 하부 챔버의 상면에 기밀하게 밀착 또는 끼워맞춤 가능하게 구성된 덮개 형상의 상부 챔버를 가지고 있다. 하부 챔버 안에는 스테이지가 배치되어 있으며, 이 스테이지상에 기판을 수평으로 얹어놓고 나서, 챔버를 닫아(상부 챔버를 하부 챔버에 밀착시켜) 감압건조처리를 행하도록 하고 있다.The conventional representative pressure reduction drying apparatus is, for example, as described in Patent Document 1, and has a lower chamber in the form of a tray or a lower bottom container having an upper surface opened, and an airtight close contact or fit to the upper surface of the lower chamber. It has a lid-shaped upper chamber. The stage is arranged in the lower chamber, and the substrate is placed horizontally on the stage, and then the chamber is closed (adhering the upper chamber to the lower chamber) to perform the pressure reduction drying process.

그러나, 이러한 스테이지형의 감압건조장치는, 기판의 반출입을 행하기 위해서 반송 로봇이나 대규모의 상부 챔버 개폐 기구를 필요로 한다는 불리한 점이 기판의 대형화에 따라서 드러나고 있다.However, the disadvantage that such a stage type pressure reduction drying apparatus requires a transfer robot or a large upper chamber opening / closing mechanism to carry in and out of a substrate is revealed with the increase in size of the substrate.

이러한 문제점을 감안하여, 본 출원인은, 굴림대 반송에 의해 기판의 반출입을 효율적으로 안전하고 원활하게 행하여, 감압 건조 처리중에 핀 끝부분의 직경이 0.8mm 이하인 특수한 극세 리프트 핀으로 기판을 지지함으로써, 기판상의 도포막에 기판 접촉부의 전사 흔적이 남는 것을 최소한으로 억제하도록 한 감압건조장치를 개발하여, 이것을 특허문헌 2에 개시하고 있다.In view of such a problem, the present applicant can efficiently and safely carry out the substrate by the conveyance of the roller, and supports the substrate with a special micro lift pin having a diameter of the pin tip of 0.8 mm or less during the vacuum drying process. Patent Document 2 discloses a pressure reduction drying apparatus that minimizes the transfer trace of the substrate contact portion on the coating film on the substrate.

또한, 감압건조장치에서는, 감압 건조(진공 배기) 중에는 챔버 내의 분위기 온도가 초기 온도(통상적으로는 상온)로부터 급격하게 내려가고, 감압 건조(진공 배기)를 정지하고 챔버 내를 질소 가스 등으로 퍼징하면 이번에는 분위기 온도가 초기 온도보다도 월등하게 넘는 온도까지 대폭 상승하고, 퍼징을 정지하면 분위기 온도가 상온을 향하여 저하한다. 이러한 챔버 내의 분위기 온도의 변동에 따라서, 기판을 지지하는 핀의 온도도 변화하고, 이에 따라 레지스트막에 지지 핀의 전사 흔적(막두께 변동의 일종)이 남는 것이 문제시되고 있다.Further, in the vacuum drying apparatus, during the vacuum drying (vacuum exhaust), the ambient temperature in the chamber rapidly decreases from the initial temperature (usually room temperature), stops the vacuum drying (vacuum exhaust), and purges the chamber with nitrogen gas or the like. This time, the atmosphere temperature rises significantly to a temperature exceeding the initial temperature, and when the purging is stopped, the atmosphere temperature decreases toward room temperature. In response to such fluctuations in the ambient temperature in the chamber, the temperature of the fin supporting the substrate also changes, which leaves a transfer trace (a kind of variation in the film thickness) of the support fin in the resist film.

상기의 문제점을 감안하여, 본 출원인은, 굴림대 반송에 의해 기판의 반출입을 효율적으로 안전하고 원활하게 행하는 동시에, 지지 핀을 선단부가 폐색하고, 또한 측벽에 통기구멍이 형성된 속이 빈 통체로 구성하여, 지지 핀의 내부에 온도 조절용의 가스를 흐르게 함으로써, 지지 핀이 주위 또는 분위기 온도로부터 받는 열적 영향을 온도 보상하고, 나아가서는 기판이 지지 핀으로부터 받는 열적 영향을 적게 한 감압건조장치를 개발하여, 이것을 특허문헌 3에서 개시하고 있다.In view of the above problems, the present applicants can safely and smoothly carry out the substrates by conveying the rolls, and at the same time, the support pins are formed of a hollow cylinder having a tip end of the support pin and a vent hole formed in the side wall. By decompressing the gas for temperature control inside the support pins, a pressure reducing drying apparatus has been developed that compensates the thermal effects of the support pins from ambient or ambient temperatures, and further reduces the thermal effects of the substrate from the support pins. This is disclosed in Patent Document 3.

[특허문헌 1] 일본 공개특허 2000-181079 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-181079 [특허문헌 2] 일본 공개특허 2008-124366 공보[Patent Document 2] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-124366 [특허문헌 3] 일본 공개특허 2009-38231 공보[Patent Document 3] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-38231

본 출원인은, 상기 특허문헌 2, 3에서 개시한 감압건조장치와는 별도로, 온도조절기구가 부착되지 않은 보통의 염가의 지지 핀을 이용하여도, 기판상의 도포막이 지지 핀을 통해서 받는 열적 영향(특히 핀 전사 흔적)이 가급적으로 억제되는 감압건조장치를 개발한 결과, 그 성과의 하나로서 본 발명이 이루어졌다. The present applicant, apart from the decompression drying apparatus disclosed in the above Patent Documents 2 and 3, also uses a thermally inexpensive support pin without a temperature control mechanism, the thermal effect that the coating film on the substrate is received through the support pin ( In particular, as a result of the development of a reduced pressure drying apparatus in which pin transfer traces) are suppressed as much as possible, the present invention has been achieved as one of the results.

즉, 본 발명은, 굴림대 반송에 의해 기판의 반출입을 효율적으로 안전하고 원활하게 행하여, 감압 건조 처리중에 임의의 굵기의 핀(리프트 핀 또는 지지 핀)으로 기판을 지지하면서 기판상의 도포막에 기판 접촉부의 전사 흔적이 남는 것을 가급적으로 억제하도록 한 감압건조장치를 제공한다.That is, the present invention efficiently and safely carries out the substrate in and out by the roller conveyance, and supports the substrate with an arbitrary thickness pin (lift pin or support pin) during the vacuum drying process, while the substrate is coated on the coating film on the substrate. Provided is a reduced pressure drying apparatus for suppressing the transfer trace of the contact portion as possible.

또한, 본 발명은, 굴림대 반송에 의해 기판의 반출입을 효율적으로 안전하고 원활하게 행하는 동시에, 감압건조처리의 개시로부터 퍼징 종료까지의 전체 처리 공정 시간을 통하여 챔버 내의 분위기 온도의 변동을 작게 하여, 기판이 지지 핀을 통해서 받는 열적 영향을 저감하고, 도포막의 품질을 향상시키도록 한 감압건조장치를 제공한다.In addition, the present invention efficiently and safely carries out the loading and unloading of the substrate by the conveyance of the roller, and at the same time, the fluctuation of the ambient temperature in the chamber is reduced through the entire processing step from the start of the reduced pressure drying process to the end of purging, Provided is a reduced pressure drying apparatus for reducing the thermal effect of the substrate through the support pins and improving the quality of the coating film.

본 발명의 제1의 관점에서의 감압건조장치는, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압 상태로 건조 처리를 실시하는 감압건조장치로서, 상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가진 감압 가능한 챔버와, 상기 건조 처리를 위해서 상기 챔버 내를 밀폐 상태로 진공 배기하는 배기기구와, 상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와, 상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하며 오르내리기 위해서 상기 챔버 안에 이산적으로 배치된 다수의 리프트 핀을 가지며, 상기 건조 처리를 행할 때는 상기 리프트 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 기판을 지지하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 리프트 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하는 기판 리프트 기구와, 상기 건조 처리중에 진공 배기에 의해 상기 기판의 하방에 발생하는 기류가 상기 기판에 영향을 미치는 것을 방지하기 위한 차폐판을 가진다.A pressure reduction drying apparatus according to the first aspect of the present invention is a pressure reduction drying apparatus for performing a drying treatment in a reduced pressure state on a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed, wherein the pressure reduction drying apparatus has a space for accommodating the substrate in a horizontal state. A substrate having a possible chamber, an exhaust mechanism for evacuating the inside of the chamber in a hermetically sealed state for the drying process, and a roller conveyance path continuous in and out of the chamber; And a plurality of lift pins disposed discretely in the chamber to carry and move the substrate into or out of the chamber, and to support and move the substrate horizontally at the pin tip. In this case, the tip of the lift pin is made higher than the roller conveyance path to support the substrate, and the substrate is carried in and out. A substrate lift mechanism capable of lowering the pin tip of the lift pin than the roller conveyance path to enable the roller conveyance of the substrate by the conveying mechanism; and being generated below the substrate by vacuum evacuation during the drying process. It has a shielding plate for preventing the air flow to affect the substrate.

상기의 장치 구성에서는, 반송기구가 기판의 반출입을 굴림대 반송으로 행하고, 기판 리프트 기구가 챔버 내에서 기판을 굴림대 반송로의 반송면과 그것보다 높은 감압 건조 처리용의 높이 위치의 사이에서 오르내린다. 감압 건조 처리중에는, 배기기구의 진공 배기에 의해 챔버 내에서 기류가 발생한다. 이 때, 기판의 하방에서, 특히 리프트 핀의 주위에서 난기류가 발생하더라도, 기판에 근접하여 그 바로 아래에 차폐판이 배치되어 있기 때문에, 난기류는 차폐판에 의해 차단되어, 기판의 하면에 닿는 경우는 없다. 이에 따라, 기판에 대한 기류의 영향이 방지 또는 억제되며, 나아가서는 기판상의 도포막에 핀 전사 흔적(막두께 변동)이 남는 것이 방지 또는 억제된다.In the above apparatus configuration, the conveyance mechanism carries out the carrying out of the substrate by the roll conveyance, and the substrate lift mechanism raises the substrate in the chamber between the conveyance surface of the roll conveyance path and the height position for the reduced pressure drying process higher than that. Get off. During the vacuum drying process, airflow is generated in the chamber by vacuum evacuation of the exhaust mechanism. At this time, even if turbulence occurs below the substrate, particularly around the lift pins, since the shielding plate is disposed close to the substrate and directly below it, the turbulence is caused by the shielding plate. It is blocked and never touches the lower surface of the substrate. Thereby, the influence of the airflow on a board | substrate is prevented or suppressed, and also the pin trace trace (film thickness fluctuation) to remain in the coating film on a board | substrate is suppressed or suppressed.

본 발명의 제2의 관점에서의 감압건조장치는, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압 상태로 건조 처리를 실시하는 감압건조장치로서, 상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가진 감압 가능한 챔버와, 상기 건조 처리를 위해서 상기 챔버 내를 밀폐 상태로 진공 배기하는 배기기구와, 상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와, 상기 건조 처리중에 진공 배기에 의해 상기 기판의 하방에 발생하는 기류가 상기 기판에 영향을 미치는 것을 방지하기 위한 차폐판과, 상기 건조 처리중에 상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하기 위해서 상기 차폐판 상에 이산적으로 설치되는 다수의 지지 핀과, 상기 차폐판에 결합되어, 상기 건조 처리를 행할 때는 상기 지지 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 지지 핀에 의한 상기 기판의 지지를 가능하게 하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 지지 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하도록, 상기 차폐판을 승강 이동시키는 차폐판 승강기구를 가진다.A pressure reducing drying apparatus according to the second aspect of the present invention is a pressure reducing drying apparatus for performing a drying treatment in a reduced pressure state on a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed, wherein the pressure reducing drying apparatus has a space for accommodating the substrate in a horizontal state. A substrate having a possible chamber, an exhaust mechanism for evacuating the inside of the chamber in a hermetically sealed state for the drying process, and a roller conveyance path continuous in and out of the chamber; A conveyance mechanism for carrying the product into or out of the chamber, a shielding plate for preventing the airflow generated below the substrate from being affected by the vacuum exhaust during the drying process, and affecting the substrate. A plurality of support pins disposed discretely on the shielding plate to horizontally support the substrate at the pin tip during processing; It is coupled to a shielding plate, and the tip of the support pin is higher than the roller conveyance path when the drying process is performed to enable the support of the substrate by the support pin, the support when carrying in and out of the substrate And a shield plate elevating mechanism for raising and lowering the shield plate so that the pin tip of the pin is lower than the roller conveyance path so that the roller conveyance of the substrate can be carried by the conveying mechanism.

상기의 장치 구성에서는, 반송기구가 기판의 반출입을 굴림대 반송으로 행하고, 차폐판 승강기구가 차폐판과 지지 핀을 통해서 기판을 굴림대 반송로의 반송면과 그것보다 높은 감압 건조 처리용의 높이 위치의 사이에서 오르내린다. 감압 건조 처리중에는, 배기기구의 진공 배기에 의해 챔버 내에서 기류가 발생한다. 이 때, 기판의 하방에 난기류가 발생하더라도, 기판에 근접하여 그 바로 아래에 차폐판이 배치되어 있으므로, 난기류는 차폐판에 의해 차단되어, 기판의 하면에 닿는 경우는 없다. 이에 따라, 기판에 대한 기류의 영향이 방지 또는 억제되며, 나아가서는 기판상의 도포막에 핀 전사 흔적(막두께 변동)이 남는 것이 방지 또는 억제된다.In the above apparatus configuration, the conveyance mechanism carries out the carrying out of the substrate by the roll conveyance, and the shielding plate elevating mechanism moves the substrate through the shielding plate and the support pin to the conveying surface of the roll conveyance path and the height for the reduced pressure drying process higher than that. Move up and down between locations. During the vacuum drying process, airflow is generated in the chamber by vacuum evacuation of the exhaust mechanism. At this time, even if turbulence occurs below the substrate, since the shielding plate is disposed close to the substrate and directly below it, the turbulence is prevented by the shielding plate. It is blocked and never touches the lower surface of the substrate. Thereby, the influence of the airflow on a board | substrate is prevented or suppressed, and also the pin trace trace (film thickness fluctuation) to remain in the coating film on a board | substrate is suppressed or suppressed.

본 발명의 제3의 관점에서의 감압건조장치는, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압 상태로 건조 처리를 실시하는 감압건조장치로서, 상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가진 감압 가능한 챔버와, 상기 건조 처리를 위해서 상기 챔버 내를 밀폐 상태로 진공 배기하는 배기기구와, 상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와, 상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하며 오르내리기 위해서 상기 챔버 안에 이산적으로 배치된 다수의 리프트 핀을 가지며, 상기 건조 처리를 행할 때는 상기 리프트 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 기판을 지지하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 리프트 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하는 기판 리프트 기구와, 상기 건조 처리중에 진공 배기에 의해 상기 기판의 하방에 발생하는 기류가 상기 리프트 핀의 주위에서 상기 기판에 영향을 미치는 것을 방지하기 위해서 상기 리프트 핀에 일체로 부착되는 기류 차폐 부재를 가진다.A pressure reduction drying apparatus according to a third aspect of the present invention is a pressure reduction drying apparatus for performing a drying treatment in a reduced pressure state on a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed, wherein the pressure reduction drying apparatus has a space for accommodating the substrate in a horizontal state. A substrate having a possible chamber, an exhaust mechanism for evacuating the inside of the chamber in a hermetically sealed state for the drying process, and a roller conveyance path continuous in and out of the chamber; And a plurality of lift pins disposed discretely in the chamber to carry and move the substrate into or out of the chamber, and to support and move the substrate horizontally at the pin tip. In this case, the tip of the lift pin is made higher than the roller conveyance path to support the substrate, and the substrate is carried in and out. A substrate lift mechanism capable of lowering the pin tip of the lift pin than the roller conveyance path to enable the roller conveyance of the substrate by the conveying mechanism; and being generated below the substrate by vacuum evacuation during the drying process. And an airflow shielding member integrally attached to the lift pin to prevent the airflow from affecting the substrate around the lift pin.

상기의 장치 구성에서는, 반송기구가 기판의 반출입을 굴림대 반송으로 행하고, 기판 리프트 기구가 기판을 굴림대 반송로의 반송면과 그것보다 높은 감압 건조 처리용의 높이 위치의 사이에서 오르내린다. 감압 건조 처리중에는, 배기기구의 진공 배기에 의해 챔버 내에서 기류가 발생한다. 이 때, 기판의 하방에서, 특히 리프트 핀의 주위에서 난기류가 발생하더라도, 기판에 근접하는 높이 위치에서 리프트 핀에 기류 차폐 부재가 부착되어 있으므로, 리프트 핀 주위의 난기류는 기류 차폐 부재에 의해서 차단되어, 기판의 하면에 닿는 경우는 없다. 이에 따라, 기판에 대한 기류의 영향이 방지 또는 억제되며, 나아가서는 기판상의 도포막에 핀 전사 흔적(막두께 변동)이 남는 것이 방지 또는 억제된다.In the above apparatus configuration, the conveyance mechanism carries out the carrying out of the substrate by the roll conveyance, and the substrate lift mechanism raises and lowers the substrate between the conveyance surface of the roll conveyance path and the height position for the reduced pressure drying process higher than that. During the vacuum drying process, airflow is generated in the chamber by vacuum evacuation of the exhaust mechanism. At this time, even if turbulence occurs below the substrate, particularly around the lift pins, since the airflow shielding member is attached to the lift pins at a height position close to the substrate, the turbulence around the lift pins is blocked by the airflow shielding member. It does not touch the lower surface of a board | substrate. Thereby, the influence of the airflow on a board | substrate is prevented or suppressed, and also the pin trace trace (film thickness fluctuation) to remain in the coating film on a board | substrate is suppressed or suppressed.

본 발명의 제4 관점에서의 감압건조장치는, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압건조처리를 실시하는 감압건조장치로서, 상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가진 감압 가능한 챔버와, 상기 감압건조처리를 위해서 상기 챔버 내를 밀폐 상태로 진공 배기하는 배기기구와, 상기 챔버의 바깥과 안으로 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와, 상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하며 오르내리기 위해서 상기 챔버 안에 이산적으로 배치된 다수의 지지 핀을 가지며, 상기 건조 처리를 행할 때는 상기 지지 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 기판을 지지하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 지지 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하는 기판 리프트 기구와, 상기 감압건조처리를 종료시키기 위해서 상기 챔버 내에 퍼징 가스를 공급하는 퍼징 기구와, 상기 챔버 내의 분위기 온도의 변동을 저감시키기 위해서, 상기 굴림대 반송로의 근방에 상기 기판 아래를 덮는 위치에 설치된 차폐판을 가진다.A pressure reduction drying apparatus according to a fourth aspect of the present invention is a pressure reduction drying apparatus for performing a pressure reduction drying process on a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed, the pressure reducing chamber having a space for accommodating the substrate in a horizontal state; And an exhaust mechanism for evacuating the inside of the chamber in a closed state for the vacuum drying process, and a roller conveyance path continuous to the outside of the chamber and into the chamber, and transferring the substrate to the roller conveyance on the roller conveyance path. And a transport mechanism carried in or out of the chamber, and a plurality of support pins disposed discretely in the chamber for horizontally supporting and descending the substrate at the pin tip. When the tip of the support pin is higher than the roller conveyance path to support the substrate, and the carrying out of the substrate is performed, A substrate lift mechanism for lowering the pin tip of the support pin lower than the roller conveyance path to enable the roller conveyance of the substrate by the conveying mechanism; and supplying purging gas into the chamber to terminate the reduced pressure drying process. In order to reduce the fluctuation | variation of the atmospheric temperature in the said chamber, and a purge mechanism, it has a shielding board provided in the position which covers below the said board | substrate in the vicinity of the said roll conveyance path.

상기의 장치 구성에서는, 반송기구가 기판의 반출입을 굴림대 반송으로 행하고, 기판 리프트 기구가 챔버 내에서 기판을 굴림대 반송로의 반송면과 그것보다 높은 감압건조처리용의 높이 위치의 사이에서 오르내린다. 감압건조처리 중에는, 배기기구의 진공 배기에 의해 챔버 내에서 기류가 발생하여, 기판상의 도포막으로부터 액체(용제)가 휘발하여, 챔버 내의 분위기 온도가 초기 온도(예를 들면 상온)보다 낮아진다. 그리고, 감압건조처리를 종료시키기 위해서, 퍼징 기구로부터 퍼징 가스가 챔버 내에 공급되면, 챔버 내에서 퍼징 가스가 흘러, 챔버 내의 분위기 온도가 초기 온도를 넘는 높이까지 상승한다. 본 발명에서는, 굴림대 반송로의 근방에 기판 아래를 덮도록 차폐판을 배치하고 있으므로, 차폐판에 의해 챔버 내의 기류가 제어되어, 챔버 내의 분위기 온도의 변동이 감소한다. 이에 따라, 기판이 지지 핀을 통해서 받는 열적 영향이 저감되어, 기판상의 도포막의 막질이 향상한다.In the above apparatus configuration, the conveying mechanism carries out the loading and unloading of the substrate by the roller conveyance, and the substrate lift mechanism raises the substrate in the chamber between the conveying surface of the roller conveyance path and the height position for the reduced pressure drying process higher than that. Get off. During the vacuum drying process, airflow is generated in the chamber by vacuum exhaust of the exhaust mechanism, and a liquid (solvent) volatilizes from the coating film on the substrate, and the ambient temperature in the chamber is lower than the initial temperature (for example, room temperature). Then, in order to end the vacuum drying process, when the purging gas is supplied from the purging mechanism into the chamber, the purging gas flows in the chamber, and the atmosphere temperature in the chamber rises to a height exceeding the initial temperature. In this invention, since the shielding plate is arrange | positioned so that the board | substrate may be covered in the vicinity of a roller conveyance path, the airflow in a chamber is controlled by a shielding plate, and the fluctuation | variation of the atmospheric temperature in a chamber is reduced. Thereby, the thermal effect which a board | substrate receives through a support pin is reduced, and the film quality of the coating film on a board | substrate improves.

본 발명의 제5 관점에서의 감압건조장치는, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압건조처리를 실시하는 감압건조장치로서, 상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가진 감압 가능한 챔버와, 상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와, 상기 감압건조처리를 위해서 상기 챔버 내를 밀폐 상태로 진공 배기하는 배기기구와, 상기 감압건조처리를 종료시키기 위해서 상기 챔버 내에 퍼징용 가스를 공급하는 퍼징 기구와, 상기 감압건조처리 및 상기 퍼징중의 상기 챔버 내의 분위기 온도를 작게 하기 위해서, 상기 기판 아래를 덮도록 설치되는 차폐판과, 상기 감압건조처리중에 상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하기 위해서 상기 차폐판상에 이산적으로 설치되는 다수의 지지 핀과, 상기 차폐판에 결합되어, 상기 건조 처리를 행할 때는 상기 지지 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 지지 핀에 의한 상기 기판의 지지를 가능하게 하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 지지 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하도록, 상기 차폐판을 승강 이동시키는 차폐판 승강기구를 가진다.A pressure reduction drying apparatus according to a fifth aspect of the present invention is a pressure reduction drying apparatus for performing a pressure reduction drying process on a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed, the pressure reducing chamber having a space for accommodating the substrate in a horizontal state; And a conveying mechanism which has a roller conveyance path continuous outside and inside of the chamber, and which carries or transports the substrate into or out of the chamber by conveying rollers on the roller conveyance path. An exhaust mechanism for evacuating the inside of the chamber in a hermetically sealed state, a purging mechanism for supplying a purging gas into the chamber for terminating the reduced pressure drying process, and an atmospheric temperature in the chamber during the reduced pressure drying process and the purging In order to reduce the size, a shielding plate provided to cover the bottom of the substrate, and the tip of the substrate pins during the reduced pressure drying process A plurality of support pins discretely installed on the shielding plate for supporting horizontally, and the shielding plate, and when the drying process is performed, the tip of the support pin is higher than the roller conveyance path when the drying process is performed. In order to enable the support of the substrate by the pin, and to carry out the substrate, the pin tip of the support pin may be lower than the roller conveyance path to enable the conveyance of the substrate by the conveyance mechanism. And a shielding plate lift mechanism for lifting and lowering the shielding plate.

상기의 장치 구성에서는, 반송기구가 기판의 반출입을 굴림대 반송으로 행하여, 차폐판 승강기구가 차폐판과 지지 핀을 통하여 기판을 굴림대 반송로의 반송면과 그것보다 높은 감압건조처리용의 높이 위치의 사이에서 오르내린다. 감압건조처리 중에는, 배기기구의 진공 배기에 의해 챔버 내에서 기류가 발생하고, 기판상의 도포막으로부터 액체(용제)가 휘발하여, 챔버 내의 분위기 온도가 초기 온도(예를 들면 상온)보다 낮아진다. 그리고, 감압건조처리를 종료시키기 위해서, 퍼징 기구로부터 퍼징 가스가 챔버 내에 공급되면, 챔버 내에서 퍼징 가스가 흘러, 챔버 내의 분위기 온도가 초기 온도를 넘는 높이까지 상승한다. 본 발명에서는, 굴림대 반송로의 근방에 기판 아래를 덮도록 차폐판을 배치하고 있으므로, 차폐판에 의해 챔버 내의 기류가 제어되어, 챔버 내의 분위기 온도의 변동이 감소한다. 이로부터, 기판이 지지 핀을 통해서 받는 열적 영향이 저감되고, 기판상의 도포막의 막질이 향상한다.In the above device configuration, the transport mechanism carries out the transport of the substrate by the roll transport, and the shielding plate lift mechanism transports the substrate through the shield plate and the support pin to the transport surface of the transport transport path and the height for the reduced pressure drying process higher than that. Move up and down between locations. During the decompression drying process, airflow is generated in the chamber by vacuum evacuation of the exhaust mechanism, and the liquid (solvent) volatilizes from the coating film on the substrate, so that the ambient temperature in the chamber is lower than the initial temperature (for example, room temperature). Then, in order to end the vacuum drying process, when the purging gas is supplied from the purging mechanism into the chamber, the purging gas flows in the chamber, and the atmosphere temperature in the chamber rises to a height exceeding the initial temperature. In this invention, since the shielding plate is arrange | positioned so that the board | substrate may be covered in the vicinity of a roller conveyance path, the airflow in a chamber is controlled by a shielding plate, and the fluctuation | variation of the atmospheric temperature in a chamber is reduced. From this, the thermal effect which a board | substrate receives through a support pin is reduced, and the film quality of the coating film on a board | substrate improves.

본 발명의 제6 관점에서의 감압건조장치는, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압건조처리를 실시하는 감압건조장치로서, 상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가진 감압 가능한 챔버와, 상기 감압건조처리를 위해서 상기 챔버 내를 밀폐 상태로 진공 배기하는 배기기구와, 상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와, 상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하며 오르내리기 위해서 상기 챔버의 안에 이산적으로 배치된 다수의 리프트 핀을 가지며, 상기 건조 처리를 행할 때는 상기 리프트 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 기판을 지지하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 리프트 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하는 기판 리프트 기구와, 상기 감압건조처리를 종료시키기 위해서 상기 챔버 내에 퍼징 가스를 공급하는 퍼징 기구를 구비하고, 상기 퍼징 기구가, 상기 굴림대 반송로보다 높은 위치에서 상기 퍼징 가스를 분출하는 가스 분출부를 가진다.A pressure reduction drying apparatus according to a sixth aspect of the present invention is a pressure reduction drying apparatus for performing a pressure reduction drying process on a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed, the pressure reducing chamber having a space for accommodating the substrate in a horizontal state; And an exhaust mechanism for evacuating the inside of the chamber in a hermetically sealed state for the reduced pressure drying process, and a roller conveyance path that is continuous in and out of the chamber, and the substrate is conveyed by a roller conveyance on the roller conveyance path. And a conveying mechanism carried in or out of the chamber, and a plurality of lift pins disposed discretely in the chamber for horizontally supporting and descending the substrate at the pin tip. When the tip of the lift pin is higher than the roller conveyance path, the substrate is supported and the substrate is loaded and unloaded. A substrate lift mechanism capable of lowering the pin tip of the lift pin than the roller conveyance path to enable the roller conveyance of the substrate by the conveying mechanism; and purging gas supplied into the chamber to terminate the reduced pressure drying process. A purge mechanism is provided, and the purge mechanism has a gas ejection part for ejecting the purging gas at a position higher than the roller conveyance path.

상기의 장치 구성에서는, 반송기구가 기판의 반출입을 굴림대 반송으로 행하고, 기판 리프트 기구가 챔버 내에서 기판을 굴림대 반송로의 반송면과 그것보다 높은 감압건조처리용의 높이 위치의 사이에서 오르내린다. 감압건조처리 중에는, 배기기구의 진공 배기에 의해 챔버 내에서 기류가 발생하고, 기판상의 도포막으로부터 액체(용제)가 휘발하여, 챔버 내의 분위기 온도가 초기 온도(예를 들면 상온)보다 낮아진다. 그리고, 감압건조처리를 종료시키기 위해서, 퍼징 기구로부터 퍼징 가스가 챔버 내에 공급되면, 챔버 내에서 퍼징 가스가 흘러, 챔버 내의 분위기 온도가 초기 온도를 넘는 높이까지 상승한다. 본 발명에서는, 상기 퍼징 기구의 가스 분출부가, 굴림대 반송로보다 높은 위치에서 퍼징 가스를 분출하는 것에 의해, 챔버 내의 분위기 온도의 변동이 감소한다. 이에 따라, 기판이 지지 핀을 통해서 받는 열적 영향이 저감되어, 기판상의 도포막의 막질이 향상한다.In the above apparatus configuration, the conveying mechanism carries out the loading and unloading of the substrate by the roller conveyance, and the substrate lift mechanism raises the substrate in the chamber between the conveying surface of the roller conveyance path and the height position for the reduced pressure drying process higher than that. Get off. During the decompression drying process, airflow is generated in the chamber by vacuum evacuation of the exhaust mechanism, and the liquid (solvent) volatilizes from the coating film on the substrate, so that the ambient temperature in the chamber is lower than the initial temperature (for example, room temperature). Then, in order to end the vacuum drying process, when the purging gas is supplied from the purging mechanism into the chamber, the purging gas flows in the chamber, and the atmosphere temperature in the chamber rises to a height exceeding the initial temperature. In the present invention, the gas blowing portion of the purging mechanism blows out the purging gas at a position higher than the roller conveyance path, whereby the fluctuation in the ambient temperature in the chamber is reduced. Thereby, the thermal effect which a board | substrate receives through a support pin is reduced, and the film quality of the coating film on a board | substrate improves.

본 발명의 감압건조장치에 의하면, 상기와 같은 구성 및 작용에 의해, 굴림대 반송에 의해 기판의 반출입을 효율적으로 안전하고 원활하게 행하여, 감압 건조 처리중에 임의의 두께의 핀(리프트 핀 또는 지지 핀)으로 기판을 지지하면서 기판상의 도포막에 기판 접촉부의 전사 흔적이 남는 것을 가급적으로 방지 또는 억제할 수 있다.According to the reduced pressure drying apparatus of the present invention, by carrying out the transfer of the substrate efficiently and safely by the roller conveyance, the pins of any thickness (lift pins or support pins) during the reduced pressure drying process are carried out by the roller conveyance. It is possible to prevent or suppress the transfer trace of the substrate contact portion from remaining on the coating film on the substrate while supporting the substrate.

또한, 본 발명의 감압건조장치에 의하면, 상기와 같은 구성 및 작용에 의해, 굴림대 반송에 의해 기판의 반출입을 효율적으로 안전하고 원활하게 행하는 동시에, 감압건조처리의 개시로부터 퍼징 종료까지의 전체 처리 공정 시간을 통하여 챔버 내의 분위기 온도의 변동을 작게 하여, 지지 핀 내지 기판에 미치는 열적 영향을 저감하여, 처리 품질을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the reduced pressure drying apparatus of the present invention, carrying out of the substrate is efficiently and safely carried out by the conveyance of the rollers by the above-described configuration and operation, and at the same time, the whole process from the start of the reduced pressure drying process to the end of purging. Through the process time, the fluctuation of the ambient temperature in the chamber can be reduced, the thermal effect on the support pins or the substrate can be reduced, and the processing quality can be improved.

[도 1] 본 발명의 하나의 실시형태에서의 감압 건조 유닛(감압건조장치)을 조립해 넣은 레지스트 도포 장치의 구성을 나타내는 평면도이다.
[도 2] 상기 감압 건조 유닛내의 구성을 나타내는 평면도이다.
[도 3] 상기 감압 건조 유닛에서의 기판이 반출입할 때의 각 부의 상태를 나타내는 정면 종단면도이다.
[도 4] 상기 감압 건조 유닛에서의 감압 건조 처리중의 각 부의 상태를 나타내는 정면 종단면도이다.
[도 5] 실시형태에서의 차폐판의 구성을 나타내는 부분 확대 사시도이다.
[도 6] 상기 감압 건조 유닛에서의 감압 건조 처리중의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
[도 7] 상기 감압 건조 유닛에서의 기판이 반출입할 때의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
[도 8] 실시형태에서 감압 건조 처리중에 기판과 차폐판의 사이에 형성되는 클리어런스의 사이즈와 핀 전사 흔적의 발생의 유무와의 관계를 나타내는 사진이다.
[도 9] 제2 실시형태의 감압 건조 유닛에서의 기판이 반출입할 때의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
[도 10] 상기 감압 건조 유닛에서의 감압 건조 처리중의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
[도 11A] 제3 실시형태의 감압 건조 유닛에서의 기판이 반출입할 때의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
[도 11B] 상기 감압 건조 유닛에서의 감압 건조 처리중의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
[도 12] 본 발명의 제4 실시형태에서의 감압 건조 유닛(감압건조장치)내의 구성을 나타내는 평면도이다.
[도 13] 상기 감압 건조 유닛에서의 기판이 반출입할 때의 각 부의 상태를 나타내는 정면 종단면도이다.
[도 14] 상기 감압 건조 유닛에서의 감압 건조 처리중의 각 부의 상태를 나타내는 정면 종단면도이다.
[도 15] 상기 감압 건조 유닛에서의 감압건조처리중의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
[도 16] 상기 감압 건조 유닛에서의 퍼징중의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
[도 17] 제4 실시형태 및 비교예에서 챔버 내의 분위기 온도의 측정을 위해서 선택된 대표 측정점의 위치를 나타내는 개략 평면도이다.
[도 18] 제4 실시형태의 구성에서, 감압건조처리 및 퍼징중에 챔버 내의 분위기 온도 및 압력이 변화하는 특성을 나타내는 플롯도이다.
[도 19] 제1 변형예의 구성에서, 감압건조처리 및 퍼징중에 챔버 내의 분위기 온도 및 압력이 변화하는 특성을 나타내는 플롯도이다.
[도 20] 제2 변형예의 구성에서, 감압건조처리 및 퍼징중에 챔버 내의 분위기 온도 및 압력이 변화하는 특성을 나타내는 플롯도이다.
[도 21] 비교예(종래 기술)의 구성에서, 감압건조처리 및 퍼징중에 챔버 내의 분위기 온도 및 압력이 변화하는 특성을 나타내는 도면이다.
[도 22] 감압건조처리/퍼징 공정을 다수회 반복했을 때의 감압건조처리 직전의 리프트 핀 온도의 변화를 나타내는 도면이다.
[도 23] 제5 실시형태의 감압 건조 유닛에서의 기판이 반출입할 때의 각 부의 상태를 나타내는 정면 종단면도이다.
[도 24] 상기 감압 건조 유닛에서의 감압건조처리중의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows the structure of the resist coating apparatus which assembled the vacuum drying unit (pressure reduction drying apparatus) in one Embodiment of this invention.
Fig. 2 is a plan view showing the configuration of the pressure reduction drying unit.
It is a front longitudinal cross-sectional view which shows the state of each part at the time of carrying in and carrying out the board | substrate in the said pressure reduction drying unit.
It is a front longitudinal cross-sectional view which shows the state of each part during the pressure reduction drying process in the said pressure reduction drying unit.
FIG. 5 is a partially enlarged perspective view showing the configuration of the shielding plate in the embodiment. FIG.
Fig. 6 is a partial lateral longitudinal cross-sectional view showing the state of each part during the vacuum drying treatment in the vacuum drying unit.
Fig. 7 is a partial lateral longitudinal cross-sectional view showing the state of each part when the substrate in the vacuum drying unit is carried in and out.
FIG. 8 is a photograph showing the relationship between the size of the clearance formed between the substrate and the shielding plate and the presence or absence of occurrence of pin transfer traces during the vacuum drying treatment in the embodiment.
Fig. 9 is a partial lateral longitudinal cross-sectional view showing the state of each part when the substrate is carried in and out of the vacuum drying unit of the second embodiment.
Fig. 10 is a partial lateral longitudinal sectional view showing the state of each part during the vacuum drying treatment in the vacuum drying unit.
It is a partial side cross-sectional view which shows the state of each part at the time of carrying out the board | substrate in the pressure reduction drying unit of 3rd Embodiment.
Fig. 11B is a partial lateral longitudinal cross-sectional view showing the state of each part during the vacuum drying treatment in the vacuum drying unit.
It is a top view which shows the structure in the pressure reduction drying unit (pressure reduction drying apparatus) in 4th Embodiment of this invention.
It is a front longitudinal cross-sectional view which shows the state of each part at the time of carrying in / out of the board | substrate in the said pressure reduction drying unit.
It is a front longitudinal cross-sectional view which shows the state of each part during the pressure reduction drying process in the said pressure reduction drying unit.
Fig. 15 is a partial lateral longitudinal cross-sectional view showing the state of each part during the reduced pressure drying process in the reduced pressure drying unit.
Fig. 16 is a partial lateral longitudinal cross-sectional view showing the state of each part during purging in the reduced pressure drying unit.
FIG. 17 is a schematic plan view showing the positions of representative measurement points selected for measurement of the ambient temperature in the chamber in the fourth embodiment and the comparative example. FIG.
Fig. 18 is a plot showing the characteristic of changing the ambient temperature and pressure in the chamber during the reduced pressure drying process and purging in the configuration of the fourth embodiment.
Fig. 19 is a plot diagram showing the characteristic of changing the ambient temperature and pressure in the chamber during the reduced pressure drying process and purging in the configuration of the first modification.
Fig. 20 is a plot showing the characteristic of changing the ambient temperature and pressure in the chamber during the reduced pressure drying process and purging in the configuration of the second modification.
Fig. 21 is a view showing a characteristic in which the atmosphere temperature and pressure in the chamber change during the reduced pressure drying process and purging in the configuration of the comparative example (prior art).
It is a figure which shows the change of the lift fin temperature just before the pressure reduction drying process when the pressure reduction drying process / purging process is repeated many times.
It is a front longitudinal cross-sectional view which shows the state of each part at the time of carrying out the board | substrate in the pressure reduction drying unit of 5th Embodiment.
Fig. 24 is a partial lateral longitudinal cross-sectional view showing the state of each part during the reduced pressure drying process in the reduced pressure drying unit.

이하에, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, preferred embodiment of this invention is described with reference to an accompanying drawing.

도 1에, 본 발명의 감압건조장치를 적용할 수 있는 FPD 제조용의 레지스트 도포장치의 하나의 구성예를 나타낸다.Fig. 1 shows an example of the configuration of a resist coating apparatus for manufacturing FPD to which the reduced pressure drying apparatus of the present invention can be applied.

이 레지스트 도포장치는, 평류(平流) 방식의 레지스트 도포 유닛(10) 및 감압 건조 유닛(12)을 동일한 기판 반송 방향(X방향)으로 나열하여 병설하고 있다. 먼저, 레지스트 도포 유닛(10)의 구성 및 작용에 대하여 설명한다.This resist coating device is The flat application resist coating unit 10 and the vacuum drying unit 12 are arranged side by side in the same substrate conveyance direction (X direction). First, the structure and operation | movement of the resist coating unit 10 are demonstrated.

레지스트 도포 유닛(10)은, 피처리기판 예를 들어 유리 기판(G)을 공기의 압력으로 부상시켜 수평으로 지지하는 부상식의 스테이지(14)와, 이 부상 스테이지(14) 상에서 수평으로 떠 있는 기판(G)을 스테이지의 긴 방향(X방향)으로 반송하는 기판 반송기구(16)와, 부상 스테이지(14) 상에서 반송되는 기판(G)의 상면에 레지스트액을 공급하는 레지스트 노즐(18)과, 도포 처리의 중간에 레지스트 노즐(18)을 리프레시하는 노즐 리프레시부(20)를 가지고 있다.The resist coating unit 10 includes a floating stage 14 which floats a substrate to be processed, for example, a glass substrate G, and supports it horizontally, and floats horizontally on the floating stage 14. A substrate conveyance mechanism 16 for conveying the substrate G in the longitudinal direction (X direction) of the stage, a resist nozzle 18 for supplying a resist liquid to the upper surface of the substrate G conveyed on the floating stage 14; And a nozzle refresh section 20 for refreshing the resist nozzle 18 in the middle of the coating process.

부상 스테이지(14)의 상면에는 소정의 가스(예를 들면 에어)를 상방으로 분사하는 다수의 가스 분사구(22)가 설치되어 있으며, 그들 가스 분사구(22)로부터 분사되는 가스의 압력에 의해서 기판(G)이 스테이지 상면으로부터 일정한 높이로 부상하도록 구성되어 있다.On the upper surface of the floating stage 14, a plurality of gas injection holes 22 for injecting a predetermined gas (for example, air) upward are provided, and the substrate ( It is comprised so that G) may rise to a fixed height from the upper surface of a stage.

기판 반송기구(16)는, 부상 스테이지(14)를 사이에 두고 X방향으로 이어지는 한 쌍의 가이드 레일(24A,24B)과, 이들 가이드 레일(24A,24B)을 따라서 왕복이동 가능한 슬라이더(26)와, 부상 스테이지(14)상에서 기판(G)의 양측 단부를 탈착 가능하게 유지하도록 슬라이더(26)에 설치된 흡착 패드 등의 기판 유지 부재(도시하지 않음)를 구비하고 있으며, 직진 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 슬라이더(26)를 반송 방향(X방향)으로 이동시키는 것에 의해서, 부상 스테이지(14) 상에서 기판(G)의 부상 반송을 행하도록 구성되어 있다.The substrate transfer mechanism 16 includes a pair of guide rails 24A and 24B extending in the X direction with the floating stage 14 interposed therebetween, and a slider 26 capable of reciprocating along these guide rails 24A and 24B. And a substrate holding member (not shown), such as a suction pad, provided on the slider 26 so as to detachably hold both end portions of the substrate G on the floating stage 14. By moving the slider 26 in a conveyance direction (X direction) by the non-), it is comprised so that the floating conveyance of the board | substrate G on the floating stage 14 may be performed.

레지스트 노즐(18)은, 부상 스테이지(14)의 상방을 반송 방향(X방향)과 직교하는 수평방향(Y방향)으로 횡단하여 이어지는 장척형 노즐이며, 소정의 도포 위치에서 그 바로 아래를 통과하는 기판(G)의 상면에 대해서 슬릿 형상의 토출구로부터 레지스트액을 띠 형상으로 토출하도록 되어 있다. 또한, 레지스트 노즐(18)은, 이 노즐을 지지하는 노즐 지지 부재(28)와 일체로 X방향으로 이동 가능하도록, 또한 연직 방향(Z방향)으로 승강 가능하도록 구성되어 있으며, 상기 도포 위치와 노즐 리프레시부(20) 사이에서 이동할 수 있도록 되어 있다.The resist nozzle 18 is a long nozzle which crosses the upper side of the floating stage 14 in the horizontal direction (Y direction) orthogonal to the conveyance direction (X direction), and passes directly below it at a predetermined application position. The resist liquid is discharged in a band from the slit-shaped discharge port to the upper surface of the substrate G. Moreover, the resist nozzle 18 is comprised so that it may move to an X direction integrally with the nozzle support member 28 which supports this nozzle, and it may be able to raise / lower in a perpendicular direction (Z direction), The said application | coating position and a nozzle It is possible to move between the refresh units 20.

노즐 리프레시부(20)는, 부상 스테이지(14)의 상방의 소정 위치에서 지주 부재(30)에 유지되고 있으며, 도포 처리를 위한 사전 준비로서 레지스트 노즐(18)에 레지스트액을 토출시키기 위한 프라이밍 처리부(32)와, 레지스트 노즐(18)의 레지스트 토출구를 건조 방지의 목적으로부터 용제 증기의 분위기중에 유지하기 위한 노즐 배스(34)와, 레지스트 노즐(18)의 레지스트 토출구 근방에 부착한 레지스트를 제거하기 위한 노즐 세정기구(36)를 구비하고 있다.The nozzle refresh unit 20 is held on the support member 30 at a predetermined position above the floating stage 14 and is a priming processing unit for discharging the resist liquid to the resist nozzle 18 as a preparation for the coating process. (32), the nozzle bath 34 for maintaining the resist discharge port of the resist nozzle 18 in the atmosphere of solvent vapor from the purpose of drying prevention, and removing the resist adhering to the resist discharge port vicinity of the resist nozzle 18 For nozzle cleaning mechanism 36 is provided.

다음에, 레지스트 도포 유닛(10)에서의 주요 동작을 설명한다. 먼저, 전단의 처리부(도시하지 않음)로부터, 예를 들면 굴림대 반송으로 보내져 온 기판(G)이 스테이지(14) 상의 전단측에 설정된 반입부에 반입되고, 거기서 대기하고 있던 슬라이더(26)가 기판(G)을 유지하여 받아들인다. 부상 스테이지(14)상에서 기판(G)은 가스 분사구(22)로부터 분사되는 가스(에어)의 압력을 받아 대략 수평인 자세로 부상 상태를 유지한다.Next, the main operation in the resist coating unit 10 will be described. First, for example, the substrate G sent from the front end processing unit (not shown) to the roller conveyance is carried into the carrying-in part set on the front end side on the stage 14, and the slider 26 waiting there is The substrate G is held and received. On the floating stage 14, the substrate G receives the pressure of the gas (air) injected from the gas injection port 22 to maintain the floating state in a substantially horizontal posture.

그리고, 슬라이더(26)가 기판을 유지하면서 감압 건조 유닛(12)측을 향하여 반송 방향(X방향)으로 이동하고, 기판(G)이 레지스트 노즐(18) 아래를 통과할 때에, 레지스트 노즐(18)이 기판(G)의 상면을 향하여 레지스트액을 띠 형상으로 토출하는 것에 의해, 기판(G) 상에 기판 전단으로부터 후단을 향하여 융단이 깔리듯이 레지스트액의 액막이 한 면에 형성된다. 이렇게 해서 레지스트액이 도포된 기판(G)은, 그 후에도 슬라이더(26)에 의해서 부상 스테이지(14) 상을 부상 반송되어, 부상 스테이지(14)의 후단을 넘어 후술하는 굴림대 반송로(38)로 옮겨 타고, 거기서 슬라이더(26)에 의한 유지가 해제된다. 굴림대 반송로(38)로 옮겨 탄 기판(G)은 거기서부터 앞쪽은, 후술하는 바와 같이 굴림대 반송로(38) 상을 굴림대 반송으로 이동하여 후단의 감압 건조 유닛(12)에 반입된다.And the slider 26 moves to a conveyance direction (X direction) toward the pressure reduction drying unit 12 side, holding a board | substrate, and when the board | substrate G passes under the resist nozzle 18, the resist nozzle 18 By discharging the resist liquid in a band toward the upper surface of the substrate G, the liquid film of the resist liquid is formed on one surface as if the carpet was spread from the front end to the rear end of the substrate G on the substrate G. In this way, the substrate G coated with the resist liquid is subsequently conveyed onto the floating stage 14 by the slider 26, and the roller transfer path 38 described later beyond the rear end of the floating stage 14. The holding by the slider 26 is released there. Roll for conveying a carbon substrate (G) transferred to 38 is from there is the front, and is brought into the reduced pressure drying unit 12 of the later stage by moving the roll 38 to the stand carrying a roll for transport, as described below .

도포 처리가 끝난 기판(G)을 상기와 같이 하여 감압 건조 유닛(12)측으로 보낸 후, 슬라이더(26)는 다음 기판(G)을 받아들이기 위해서 부상 스테이지(14)의 전단측의 반입부로 돌아온다. 또한, 레지스트 노즐(18)은, 1회 또는 복수회의 도포 처리를 끝내면, 도포 위치(레지스트액 토출 위치)로부터 노즐 리프레시부(20)로 이동하고, 거기서 노즐 세정이나 프라이밍 처리 등의 리프레시 내지 사전 준비를 하고 나서 도포 위치로 돌아온다.After the application | coating process board | substrate G is sent to the pressure reduction drying unit 12 side as mentioned above, the slider 26 returns to the carry-in part of the front end side of the floating stage 14 in order to receive the next board | substrate G. As shown in FIG. In addition, the resist nozzle 18 moves from the application | coating position (resist liquid discharge position) to the nozzle refresh part 20, after completion | finish of application | coating process 1 time or several times, and refreshes or preparations, such as nozzle cleaning and a priming process, therefrom. After returning to the application position.

레지스트 도포 유닛(10)의 부상 스테이지(14)의 연장상(반송 방향의 하류측)에는, 굴림대 반송로(38)가 부설되어 있다. 이 굴림대 반송로(38)는, 감압 건조 유닛(12)의 챔버(40) 안과 바깥(전후)에서 연속하여 부설되고 있다.The roller conveyance path 38 is provided in the extended image (downstream of the conveyance direction) of the floating stage 14 of the resist coating unit 10. This roller conveyance path 38 is continuously provided in the chamber 40 of the pressure reduction drying unit 12, and outside (front and back).

아래에, 이 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)의 구성 및 작용을 설명한다.Below, the structure and effect | action of the pressure reduction drying unit 12 in this embodiment are demonstrated.

도 1에 나타내는 바와 같이, 감압 건조 유닛(12) 둘레의 굴림대 반송로(38)는, 챔버(40)의 반송 상류측, 즉 반입측에 부설되어 있는 반입측 굴림대 반송로(38A)와, 챔버(40) 내에 부설되어 있는 내부 굴림대 반송로(38B)와, 챔버(40)의 반송 하류측, 즉 반출측에 부설되어 있는 반출측 굴림대 반송로(38C)로 구성되어 있다.As shown in FIG. 1, the roller conveyance path 38 of the pressure reduction drying unit 12 circumference is 38 A of carrying-in roll side conveyance paths provided in the conveyance upstream of the chamber 40, ie, a carry-in side. And an internal roller transfer path 38B attached to the chamber 40 and a carrying side roller transfer path 38C attached to the transport downstream side of the chamber 40, that is, the carry-out side.

각 부의 굴림대 반송로(38A,38B,38C)는, 반송 방향(X방향)으로 각각 적당한 간격으로 배치된 복수개의 굴림대(42A,42B,42C)를 각각 독립 또는 공통의 반송 구동부에 의해 회전시켜, 기판(G)을 굴림대 반송으로 반송 방향(X방향)으로 보내도록 되어 있다. 여기서, 반입측 굴림대 반송로(38A)는, 레지스트 도포 유닛(10)의 부상 스테이지(14)로부터 부상 반송의 연장으로 반출된 기판(G)을 받아 들여, 감압 건조 유닛(12)의 챔버(40) 내에 굴림대 반송으로 보내도록 기능한다. 내부 굴림대 반송로(38B)는, 반입측 굴림대 반송로(38A)로부터 굴림대 반송으로 보내져 오는 기판(G)을 동일 속도의 굴림대 반송으로 챔버(40) 내로 끌어 들이는 동시에, 챔버(40) 내에서 감압건조처리가 끝난 기판(G)을 챔버(40)의 바깥(후단)으로 굴림대 반송으로 보내도록 기능한다. 반출측 굴림대 반송로(38C)는, 챔버(40) 내의 내부 굴림대 반송로(38B)로부터 보내져 오는 처리가 끝난 기판(G)을 동일 속도의 굴림대 반송으로 끌어내어 후단의 처리부(도시하지 않음)로 보내도록 기능한다.Each roll roller conveyance path 38A, 38B, 38C rotates several rolls 42A, 42B, 42C arrange | positioned at appropriate intervals, respectively in a conveyance direction (X direction) by independent or common conveyance drive parts, respectively. The board | substrate G is sent to a conveyance direction (X direction) by roller conveyance. Here, 38 A of carrying-in side roll conveyance paths accept | subject the board | substrate G carried out by the extension of floating conveyance from the floating stage 14 of the resist coating unit 10, and the chamber ( 40) to send to the roller conveyance. The internal roller conveyance path 38B draws the board | substrate G sent from the carry-in side roller conveyance path 38A by roller conveyance into the chamber 40 by the roller conveyance of the same speed, and the chamber ( It functions to send the board | substrate G which completed the pressure reduction drying process in 40) outside the chamber 40 by the roll conveyance. The unloading side roller conveyance path 38C draws the processed board | substrate G sent from the internal roller conveyance path 38B in the chamber 40 to the roller conveyance of the same speed, and is a process part of a rear end (not shown). Function).

도 1∼도 4에 나타내는 바와 같이, 감압 건조 유닛(12)의 챔버(40)는, 비교적 편평한 직방체로 형성되고, 그 안에 기판(G)을 수평으로 수용할 수 있는 공간을 가지고 있다. 이 챔버(40)의 반송 방향(X방향)에서 서로 마주보는 한 쌍(상류측 및 하류측)의 챔버 측벽에는, 기판(G)이 평류로 겨우 통과할 수 있는 크기로 형성된 슬릿 형상의 반입구(44) 및 반출구(46)가 각각 마련되어 있다. 또한, 이들 반입구(44) 및 반출구(46)를 각각 개폐하기 위한 게이트 기구(48,50)가 챔버(40)의 외벽에 부착되어 있다. 챔버(40)의 상부 벽부 또는 상부 덮개(52)는, 메인터넌스용으로 떼어낼 수 있도록 되어 있다.As shown in FIGS. 1-4, the chamber 40 of the pressure reduction drying unit 12 is formed in the comparatively flat rectangular parallelepiped, and has the space which can accommodate the board | substrate G horizontally in it. A slit-shaped inlet formed in the chamber sidewalls facing each other in the conveyance direction (X direction) of the chamber 40 in such a size that the substrate G can barely pass in flat flow. 44 and the discharge outlet 46 are provided, respectively. In addition, gate mechanisms 48 and 50 for opening and closing each of the inlet 44 and the outlet 46 are attached to the outer wall of the chamber 40. The upper wall portion or the upper lid 52 of the chamber 40 is detachable for maintenance.

각 게이트 기구(48,50)는, 도시는 생략하지만, 슬릿 형상의 반입·반출구 (44,46)를 기밀하게 폐색할 수 있는 덮개체 또는 밸브체와, 이 덮개체를 반입·반출구(44, 46)와 수평으로 대향하는 연직 왕동(往動)위치와 그것보다 낮은 연직 복동(復動)위치의 사이에서 승강 이동시키는 제1 실린더(도시하지 않음)와, 덮개체를 반입·반출구(44, 46)에 대해서 기밀하게 밀착하는 수평 왕동위치와 이간 분리하는 수평 복동위치의 사이에서 수평 이동시키는 제2 실린더(도시하지 않음)를 구비하고 있다.Although not shown, each gate mechanism 48 and 50 has a cover body or a valve body which can close the slit-shaped carry-in / out ports 44 and 46 in an airtight manner, and a carry-in / out port of this cover body ( 1st cylinder (not shown) which raises and lowers, and moves a cover body between the vertically reciprocating position which opposes 44 and 46 horizontally, and the vertical double-acting position lower than it, and a cover body is carried in and out. The second cylinder (not shown) which moves horizontally between the horizontal reciprocating position which closely closes to 44 and 46 and the horizontal double reciprocating position which separates apart is provided.

챔버(40) 내에서, 내부 굴림대 반송로(38B)를 구성하는 굴림대(42B)는, 반입·반출구(44,46)에 대응하는 높이 위치에서 반송 방향(X방향)으로 적당한 간격을 두고 일렬로 배치되어 있으며, 일부 또는 전부의 굴림대(42B)가 챔버(40)의 외부에 설치되어 있는 모터 등의 회전 구동원(54)에 적당한 전동기구의 회전축(56)을 통하여 접속되어 있다. 각 굴림대(42B)는, 비교적 가느다란 샤프트(43)에 소정의 간격을 두고 복수의 두꺼운 지름의 링 또는 롤러(45)를 고착하고 있으며, 샤프트(43)의 양단부가 챔버(40)의 좌우 양 측벽 또는 그 부근에 설치된 베어링(58)에 회전할 수 있도록 지지되어 있다.In the chamber 40, the roller 42B which comprises the internal roller conveyance path 38B has a moderate space | interval in a conveyance direction (X direction) at the height position corresponding to the carry-in / out port 44,46. Some or all of the rolls 42B are connected to the rotation drive source 54, such as a motor, provided outside the chamber 40 via the rotation shaft 56 of a suitable electric mechanism. Each roll 42B adheres a plurality of thick diameter rings or rollers 45 to a relatively thin shaft 43 at predetermined intervals, and both ends of the shaft 43 are left and right of the chamber 40. It is supported so that it may rotate to the bearing 58 provided in the both side walls or its vicinity.

반입측 굴림대 반송로(38A)의 굴림대(42A)도, 내부 굴림대 반송로(38B)의 굴림대(42B)와 동일한 구성을 가지고 있으므로 도시를 생략하지만, 그 양단부가 프레임 등에 고정된 베어링에 회전 가능하도록 지지되어, 상기 내부 굴림대 반송로 (38B)용의 회전 구동원(54)과 공통 또는 별개의 회전 구동원에 의해 회전 구동되도록 되어 있다. 반출측 굴림대 반송로(38C)의 굴림대(42C)도 동일하다. Since the roller 42A of the carry-in roller conveyance path 38A has the same structure as the roller 42B of the internal roller conveyance path 38B, illustration is abbreviate | omitted, but the both ends are fixed to the frame etc. It is rotatably supported at the inside, and is rotatably driven by the rotation drive source common or separate from the rotation drive source 54 for the said internal roller conveyance path 38B. The roll table 42C of the carry-out roll table conveyance path 38C is also the same.

이 감압 건조 유닛(12)은, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 챔버(40) 내에서 기판(G)을 수평으로 지지하며 오르내리기 위한 기판 리프트 기구(60)를 구비하고 있다. 이 기판 리프트 기구(60)는, 챔버(40) 내에 소정의 배치 패턴으로(예를 들면 매트릭스 형상으로) 이산적으로 배치된 복수개(바람직하게는 20개 이상)의 리프트 핀(지지 핀)(62)과, 이들 리프트 핀(62)을 소정의 조 또는 그룹마다 내부 굴림대 반송로(38B)보다 낮은 위치에서 지지하는 복수의 수평봉 또는 수평판의 핀 베이스(64)와, 각 핀 베이스(64)를 승강 이동시키기 위해서 챔버(40)의 외부(아래)에 배치된 1대 또는 복수대의 승강 구동원, 예컨대 실린더(66)를 가지고 있다.As shown in FIG. 3 and FIG. 4, this reduced pressure drying unit 12 includes a substrate lift mechanism 60 for horizontally supporting and lowering the substrate G in the chamber 40. The substrate lift mechanism 60 includes a plurality of lift pins (preferably 20 or more) 62 which are discretely arranged in a predetermined arrangement pattern (for example, in a matrix shape) in the chamber 40. ), A pin base 64 of a plurality of horizontal rods or horizontal plates which support these lift pins 62 at positions lower than the internal roller conveyance path 38B for each predetermined group or group, and each pin base 64. In order to move up and down, it has one or more lifting drive sources, such as the cylinder 66, arrange | positioned outside (below) of the chamber 40. As shown in FIG.

보다 상세하게는, 서로 인접하는 2개의 굴림대(42B,42B)의 빈틈에 굴림대 (42B)와 평행하게(Y방향으로) 일정 간격으로 복수개(바람직하게는 3개 이상)의 리프트 핀(62)을 연직으로 세워 일렬로 배치하고, 이러한 리프트 핀열을 반송 방향(X방향)으로 적당한 간격을 두고 복수열(바람직하게는 6열 이상) 마련하고, 각 핀 베이스(64)에 1조 또는 복수조(도시의 예는 2조)의 리프트 핀열을 지지시킨다. 그리고, 시일부재(68)를 사이에 끼워 챔버(40)의 바닥벽을 기밀하게 관통하는 승강 지지축(70)의 상단을 각 핀 베이스(64)의 하면에 결합하고, 챔버(40)의 외부(아래)에서 각 핀 베이스(64)의 하단을 공통의 수평 지지판(72)을 사이에 끼워 승강 구동원 (66)에 접속하고 있다.More specifically, the plurality of lift pins 62 (preferably three or more) at regular intervals in parallel with the roller 42B (in the Y direction) in the gap between two rollers 42B and 42B adjacent to each other. ) Are arranged in a vertical line, and a plurality of rows (preferably six or more rows) are provided at appropriate intervals in the conveying direction (X direction), and a pair or a plurality of sets of such lift pin rows are arranged in each pin base 64. The lift pin row (in the example shown in the figure 2) is supported. Then, the upper end of the elevating support shaft 70 which tightly penetrates the bottom wall of the chamber 40 with the sealing member 68 interposed therebetween, is coupled to the lower surface of each pin base 64, and the outside of the chamber 40. In (below), the lower end of each pin base 64 is connected to the elevating drive source 66 with the common horizontal support plate 72 interposed between them.

이러한 구성의 기판 리프트 기구(60)에서는, 승강 구동원(66)에 일정 스트로크의 전진(상승) 또는 후퇴(하강) 구동을 행하게 함으로써, 승강 지지축(70) 및 핀 베이스(64)를 통하여 전체 리프트 핀(62)을 핀 선단의 높이를 가지런히 하여, 도 3 및 도 7에 나타내는 바와 같이 핀 선단이 굴림대 반송로(38B)보다 낮아지는 복동(하강)위치와, 도 4 및 도 6에 나타내는 바와 같이 핀 선단이 굴림대 반송로(38B)보다 높아지는 왕동(상승)위치의 사이에서 승강 이동시킬 수 있도록 되어 있다.In the board | substrate lift mechanism 60 of such a structure, all the lifts are lifted through the lifting support shaft 70 and the pin base 64 by letting the lifting driving source 66 drive forward (upward) or backward (falling) driving of a fixed stroke. With the pin 62 at the height of the pin tip, as shown in FIGS. 3 and 7, the double-ended (falling) position where the pin tip is lower than the roller conveyance path 38B, and FIGS. 4 and 6 are shown. As described above, the tip of the pin is capable of lifting and lowering between the reciprocating (rising) positions that are higher than the roller conveyance path 38B.

바람직한 하나의 실시예로서, 리프트 핀(62)은, 공랭 가스를 빠져나가게 하는 온도조절 기구가 부착된 타입도 아니고, 특수한 극세 타입도 아니며, 예를 들면 스테인리스강(SUS)으로 이루어진 강체의 중공관으로 핀 끝부분의 직경이, 예를 들면 2mm 정도인 보통의 염가의 핀 구조를 가지고 있다. 이와 같이, 리프트 핀(62)이 비교적 굵고 강성이기 때문에, 기판 리프트 기구(60)가 기판(G)의 오르내림을 안정적이고 원활하게 행하는 데에 필요한 리프트 핀(62)의 개수는 특수 극세 타입의 것보다 현격히 적어도 된다. 무엇보다, 리프트 핀(62)에 상기 온도조절 기구 부착 타입 혹은 상기 특수 극세 타입의 지지 핀을 사용하는 것도 가능하다.In one preferred embodiment, the lift pin 62 is not a type with a temperature control mechanism for exiting the air-cooled gas, nor is it a special ultrafine type, and is a hollow hollow tube made of, for example, stainless steel (SUS). The diameter of the pin tip is, for example, about 2mm, and has a cheap structure. Since the lift pins 62 are relatively thick and rigid in this manner, the number of the lift pins 62 required for the substrate lift mechanism 60 to stably and smoothly move the substrate G up and down is of a special ultrafine type. It is at least significantly reduced. First of all, it is also possible to use the above-mentioned temperature adjusting mechanism attachment type or the special ultrafine type support pins for the lift pins 62.

챔버(40)의 바닥벽에는 1개소 또는 복수개소에 배기구(74)가 형성되어 있다. 이들 배기구(74)에는 배기관(76)을 사이에 두고 진공 배기 장치(78)가 접속되어 있다. 각 진공 배기 장치(78)는, 챔버(40) 내를 대기압 상태로부터 진공 흡인하여 소정 진공도의 감압 상태를 유지하기 위한 진공 펌프를 가지고 있다. 한편, 그들 복수의 진공 배기 장치(78)의 배기 능력의 격차를 평균화하기 위해서, 각각의 배기관 (76)끼리를 접속관(도시하지 않음)으로 연결해도 좋다.In the bottom wall of the chamber 40, the exhaust port 74 is formed in one place or a plurality of places. A vacuum exhaust device 78 is connected to these exhaust ports 74 with an exhaust pipe 76 interposed therebetween. Each vacuum exhaust device 78 has a vacuum pump for sucking the inside of the chamber 40 from an atmospheric pressure state and maintaining a reduced pressure state at a predetermined vacuum degree. On the other hand, in order to average the gap of the exhaust capacity of these vacuum evacuation apparatus 78, you may connect each exhaust pipe 76 with a connection pipe (not shown).

챔버(40) 내의 양단부, 즉 반입구(44) 및 반출구(46)의 근방에서 굴림대 반송로(38B)보다 낮은 위치(또는 높은 위치)에, Y방향으로 이어지는 원통 형상의 퍼징 가스 분출부(80)가 마련되어 있다. 이들 퍼징 가스 분출부(80)는, 예를 들면 금속 분말을 소결하여 이루어지는 다공질의 중공관으로 이루어지고, 배관(82)(도 2)을 사이에 두고 퍼징 가스 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 감압 건조 처리가 종료한 후에 챔버(40)를 밀폐한 채로 감압 상태로부터 대기압 상태로 되돌릴 때에, 이들 퍼징 가스 분출부(80)가 관의 전체둘레면으로부터 퍼징 가스를 분출하도록 되어 있다.Cylindrical purging gas ejection portion extending in the Y direction at both ends of the chamber 40, that is, at a position lower (or higher position) than the roller conveyance path 38B in the vicinity of the inlet 44 and the outlet 46. 80 is provided. These purge gas ejection parts 80 consist of a porous hollow tube which sinters a metal powder, for example, and is connected to the purging gas supply source (not shown) through the piping 82 (FIG. 2). have. After returning from the reduced pressure state to the atmospheric pressure state while the chamber 40 is closed after the reduced pressure drying process, these purge gas ejection portions 80 eject the purge gas from the entire circumferential surface of the tube.

이 감압 건조 유닛(12)은, 상기와 같이 기판(G)의 평류 반송을 행하는 굴림대 반송로(38)를 챔버(40) 내로 끌어들여, 챔버(40) 내에서 기판(G)을 리프트 핀 (62)으로 오르내리는 기판 리프트 기구(60)를 구비한 장치 구성에 있어서, 리프트 핀(62)의 핀 선단부보다도 다소(통상 10mm 이하) 낮은 위치에 차폐판(100)을 수평으로 마련하고, 이 차폐판(100)의 높이 위치를 차폐판 승강기구(102)에 의해 가변할 수 있도록 하고 있다.This vacuum drying unit 12 draws the roller conveyance path 38 which carries out the horizontal flow conveyance of the board | substrate G in the chamber 40 as mentioned above, and lifts the board | substrate G in the chamber 40, and lifts a pin. In the apparatus structure provided with the board | substrate lift mechanism 60 going up and down to 62, the shielding plate 100 is horizontally provided in the position somewhat lower (usually 10 mm or less) than the pin tip part of the lift pin 62, The height position of the shield plate 100 can be changed by the shield plate elevating mechanism 102.

차폐판(100)은, 임의의 재질 예를 들면 알루미늄판 또는 수지로 이루어지고, 기판(G)보다 한둘레 큰 면적을 가지고 있으며(도 1, 도 2), 리프트 핀(62)을 승강 가능하게 관통시키기 위한 원형의 개구(100a)와, 내부 굴림대 반송로(38B)의 롤러 (42B)와의 간섭을 피하기 위한 사각형의 개구(100b)를 가지고 있다(도 4 내지 도 6).The shielding plate 100 is made of any material, for example, aluminum plate or resin, has a larger area around the substrate G (FIGS. 1 and 2), and the lift pin 62 can be lifted and lowered. It has a circular opening 100a for penetrating and the rectangular opening 100b for avoiding interference with the roller 42B of the internal roller conveyance path 38B (FIGS. 4-6).

차폐판 승강기구(102)는, 챔버(40)의 외부(아래)에 배치된 1대 또는 복수대의 승강 구동원 예를 들면 실린더(104)를 수평 지지판(106) 및 승강 지지축(108)을 사이에 끼워 차폐판(100)에 접속하고 있다. 승강 지지축(108)은, 챔버(40)의 바닥벽을 시일부재(110)를 사이에 끼워 기밀하게 관통하고, 그 상단이 차폐판(100)의 하면에 결합되고 있다.The shielding plate elevating mechanism 102 includes one or more elevating drive sources, for example, a cylinder 104, disposed between the horizontal support plate 106 and the elevating support shaft 108 disposed outside (below) the chamber 40. Is connected to the shielding plate 100. The lifting support shaft 108 is hermetically passed through the bottom wall of the chamber 40 with the sealing member 110 interposed therebetween, and an upper end thereof is coupled to the lower surface of the shielding plate 100.

다음에, 이 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)의 작용을 설명한다.Next, the operation of the reduced pressure drying unit 12 in this embodiment will be described.

상기한 바와 같이, 상류측에 인접한 레지스트 도포 유닛(10)에서 레지스트액이 도포된 기판(G)은, 평류로 부상 스테이지(14) 상의 부상 반송로로부터 반입측 굴림대 반송로(38A)로 옮겨탄다. 그 후, 도 3에 나타내는 바와 같이, 기판(G)은 반입측 굴림대 반송로(38A) 상을 굴림대 반송으로 이동하고, 이윽고 감압 건조 유닛 (12)의 챔버(40) 안에 그 반입구(44)로부터 진입한다. 이 때, 게이트 기구(48)는 반입구(44)를 열어 둔다.As above-mentioned, the board | substrate G by which the resist liquid was apply | coated in the resist application | coating unit 10 adjacent to an upstream side moves from the floating conveyance path on the floating stage 14 to the carry-in roll side conveyance path 38A in the horizontal flow. Burn. Then, as shown in FIG. 3, the board | substrate G moves on 38 A of carrying-in side roll conveyance paths to a roll conveyance, and the delivery opening (in the chamber 40 of the pressure reduction drying unit 12) is carried out. 44). At this time, the gate mechanism 48 leaves the carrying in opening 44 open.

내부 굴림대 반송로(38B)도, 회전 구동원(54)의 회전 구동에 의해, 반입측 굴림대 반송로(38A)의 굴림대 반송 동작과 타이밍을 맞춘 동일 반송 속도의 굴림대 반송 동작을 행하여, 도 3에 나타내는 바와 같이, 반입구(44)로부터 들어온 기판 (G)을 굴림대 반송으로 챔버(40)의 안쪽으로 끌어들인다. 이 때, 기판 리프트 기구 (60)는, 전체 리프트 핀(62)을 각 핀 선단이 내부 굴림대 반송로(38B)의 반송면보다 낮아지는 복동(하강)위치에 대기시켜 둔다. 그리고, 기판(G)이 챔버(40) 내의 대략 중심의 소정 위치에 도착하면, 거기서 내부 굴림대 반송로(38B)의 굴림대 반송 동작이 정지한다. 이와 동시 또는 직전에 반입측 굴림대 반송로(38A)의 굴림대 반송 동작도 정지해도 좋다.The internal roller conveyance path 38B also performs the roller conveyance operation | movement of the same conveyance speed which matched the timing of the roller conveyance operation of the carry-in side roller conveyance path 38A by the rotation drive of the rotation drive source 54, As shown in FIG. 3, the board | substrate G drawn in from the delivery opening 44 is drawn in in the chamber 40 by roller conveyance. At this time, the board | substrate lift mechanism 60 makes all the lift pins 62 stand by the double acting (falling | falling) position where each pin tip becomes lower than the conveyance surface of the internal roller conveyance path 38B. And when the board | substrate G arrives at the predetermined position of the substantially center in the chamber 40, the roller conveyance operation | movement of the internal roller conveyance path 38B stops there. Simultaneously or immediately before this, the roll conveyance operation | movement of 38 A of carrying-in side roll conveyance paths may also be stopped.

한편, 상기와 같이 전단 또는 상류측에 인접한 레지스트 도포 유닛(10)으로부터 감압건조처리를 받아야 할 기판(G)이 챔버(40)에 반입될 때, 이와 동시(또는 직전)에, 도 3에 나타내는 바와 같이, 챔버(40) 내에서 감압건조처리를 막 받은 선행 기판(G)이 내부 굴림대 반송로(38B) 및 반출측 굴림대 반송로(38C) 상의 연속된 등속도의 굴림대 반송으로 반출구(46)로부터 챔버(40)의 바깥으로 나와 그대로 후단 또는 하류측에 인접한 처리부로 평류로 보내진다.On the other hand, when the substrate G to be subjected to the vacuum drying treatment from the resist coating unit 10 adjacent to the front end or the upstream side as described above is brought into the chamber 40, the same time (or immediately before) as shown in FIG. As described above, the preceding substrate G, which has just been subjected to the decompression drying process in the chamber 40, is returned to the continuous roller conveyance at a constant velocity on the internal roller transfer path 38B and the export-side roller transfer path 38C. It exits from the exit 46 out of the chamber 40 and is sent straight to the processing section adjacent to the rear or downstream side.

상기와 같이 하여, 레지스트 도포 유닛(10)에서 레지스트액이 도포되어 온 기판(G)이, 반입측 굴림대 반송로(38A) 및 내부 굴림대 반송로(38B)상의 연속적인 굴림대 반송에 의해서 감압 건조 유닛(12)의 챔버(40)에 반입된다. 이 직후에, 게이트 기구(48,50)가 작동하여, 그때까지 열려 있던 반입구(44) 및 반출구(46)를 각각 폐색하여, 챔버(40)를 밀폐한다.As mentioned above, the board | substrate G to which the resist liquid was apply | coated in the resist coating unit 10 is carried out by continuous roll conveyance on 38 A of carrying-in side roll conveyance paths, and the internal roll conveyance path 38B. It is carried in the chamber 40 of the pressure reduction drying unit 12. Immediately after this, the gate mechanisms 48 and 50 operate to close the delivery openings 44 and the delivery openings 46, which have been opened until then, to seal the chamber 40.

이어서, 기판 리프트 기구(60)가 승강 실린더(66)를 상승시키고, 챔버(40) 내에서 전체 리프트 핀(62)의 핀 선단이 내부 굴림대 반송로(38B)의 반송면을 넘는 소정의 높이 위치까지 전체 핀 베이스(64)를 일제히 소정 스트로크만큼 상승시킨다. 이 기판 리프트 기구(60)의 왕동(상승) 동작에 의해, 도 4에 나타내는 바와 같이, 기판(G)은 내부 굴림대 반송로(38B)로부터 수평 자세인 채로 리프트 핀(62)의 핀 끝에 옮겨 실려, 그대로 내부 굴림대 반송로(38B)의 상방으로 들어 올려진다. Subsequently, the substrate lift mechanism 60 raises and lowers the lifting cylinder 66, and the predetermined tip height of the entire lift pins 62 in the chamber 40 exceeds the conveyance surface of the internal roller conveyance path 38B. The entire pin base 64 is raised simultaneously by a predetermined stroke until the position. As shown in FIG. 4, the substrate G is moved from the internal roller transfer path 38B to the pin end of the lift pin 62 with the horizontal posture by the swinging operation of the substrate lift mechanism 60. It is lifted up and lifted upward of the internal roller conveyance path 38B as it is.

또한, 기판 리프트 기구(60)가 상기와 같이 리프트 핀(62)을 상승 이동시키는 것과 동시 또는 그 직후에, 차폐판 승강기구(102)가 차폐판(100)을 소정 스트로크만큼 상승시킨다.In addition, at the same time as or immediately after the substrate lift mechanism 60 moves the lift pin 62 upward as described above, the shield plate elevating mechanism 102 raises the shield plate 100 by a predetermined stroke.

이렇게 해서, 왕동위치로 상승한 리프트 핀(62)의 핀 끝에 실려 있는 기판 (G)의 상면과 챔버(40)의 천정(52)의 사이에 제1의 소망(예를 들면 4∼15mm)의 클리어런스(C1)이 형성되는 동시에, 상기 기판(G)의 하면과 왕동위치로 상승한 차폐판 (100)의 사이에 제2의 소망(예를 들면 2∼10mm)의 클리어런스(C2)가 형성된다(도 6).In this way, a first desired clearance (for example, 4 to 15 mm) is provided between the upper surface of the substrate G loaded on the pin end of the lift pin 62 and the ceiling 52 of the chamber 40 that are lifted to the reciprocating position. (C 1 ) is formed, and a second desired clearance (C 2 ) is formed between the lower surface of the substrate (G) and the shielding plate 100 that has risen to the reciprocating position. (FIG. 6).

한편, 챔버(40)가 밀폐된 직후부터 진공 배기 장치(78)가 작동하여, 챔버 (40) 내의 진공 배기가 개시된다. 이 진공 배기에 의해서 챔버(40) 내에 잔류하고 있던 가스(대부분이 공기)가 챔버(40)의 바닥부의 배기구(74)를 향하여 흘러, 챔버(40) 내의 각부에서 기류가 발생한다. 여기서 문제는, 챔버(40) 내에는 굴림대 반송로(38B)나 기판 리프트 기구(60)의 다양한 부재가 설치되어 있으며, 그들 부재에 기류가 닿아 난류가 되기 쉬운 점이다. 특히, 리프트 핀(62)의 주위에서 기류가 감겨 올라가기 쉽고, 이것이 기판(G)의 하면에 닿는 것이 기판상의 레지스트 도포막에 핀 전사 흔적(막두께 변동)이 남는 주원인이었다.On the other hand, immediately after the chamber 40 is closed, the vacuum exhaust device 78 operates to start evacuation of the chamber 40. By this vacuum exhaust, the gas (mostly air) remaining in the chamber 40 flows toward the exhaust port 74 at the bottom of the chamber 40, and airflow is generated in each part of the chamber 40. The problem here is that in the chamber 40, various members of the roller conveyance path 38B and the substrate lift mechanism 60 are provided, and airflow touches the members and tends to become turbulent. In particular, airflow is easily wound up around the lift pins 62, and it is the main reason that the pin transfer traces (film thickness fluctuations) remain in the resist coating film on the substrate because the airflow is easily wound up.

이 실시형태에서는, 왕동위치로 상승한 리프트 핀(62)의 핀 끝에 지지되어 감압건조처리를 받고 있는 기판(G)의 바로 아래에 차폐판(100)이 배치되어 있기 때문에, 리프트 핀(62)의 주위에서 기류가 감겨 올라가도 차폐판(100)에 의해서 그 난기류가 차단되어 기판(G)의 하면에 닿는 경우는 없다.In this embodiment, since the shielding plate 100 is arrange | positioned directly under the board | substrate G supported by the pin end of the lift pin 62 which rose to the reciprocating position, and undergoing a pressure reduction drying process, Even if the airflow is wound around, the turbulence is not blocked by the shielding plate 100 so that the bottom surface of the substrate G does not reach.

이와 같이, 감압 건조 처리중에 기판(G)의 하방에서, 특히 리프트 핀(62)의 주위에서, 난기류가 발생하더라도, 기판(G)의 하면에 난기류가 위쪽에 닿는 경우가 없기 때문에, 기판(G) 내지 레지스트 도포막에 대한 난기류의 영향이 방지되며, 나아가서는 기판(G)상의 레지스트 도포막에 핀 전사 흔적(막두께 변동)이 남는 것을 방지할 수 있다.As described above, even if turbulence occurs under the substrate G, particularly around the lift pin 62 during the vacuum drying process, the turbulence does not reach the lower surface of the substrate G, so that the substrate G ) And the influence of turbulence on the resist coating film can be prevented, and further, the traces of pin transfer (film thickness variation) can be prevented from remaining on the resist coating film on the substrate G.

한편, 기판(G)과 차폐판(100) 사이의 빈틈으로 기류가 흘러도, 거기의 클리어런스(C2)가 좁기 때문에(바람직하게는 10mm 이하), 기판(G)의 하면에 위쪽에 닿는 난기류가 이 빈틈에서 발생하는 경우는 없다.On the other hand, even if airflow flows into the gap between the substrate G and the shielding plate 100, since the clearance C 2 therein is narrow (preferably 10 mm or less), turbulence that reaches the lower surface of the substrate G upwards It does not happen in this gap.

또한, 도시한 예에서는, 감압건조처리중에 차폐판(100)의 높이 위치가 굴림대 반송로(38B)의 반송면보다 높아지고 있다. 그러나, 차폐판(100)의 높이 위치가 굴림대 반송로(38B)의 반송면보다 낮아서, 굴림대(42B)의 롤러(45)가 차폐판(100)의 개구(100b) 상에 일부 튀어 나와 있어도, 특별히 지장은 없다. 즉, 롤러(45)와 기판(G) 사이에 충분한(바람직하게는 20mm 이상의) 이간 간격이 확보되고 있는 한, 굴림대(42B)의 롤러(45)가 차폐판(100)의 개구(100b) 상에 일부는 튀어 나와 있지 않아도, 롤러(45)측으로부터 기판(G)에의 기류의 영향은 대부분 무시할 수 있다.In the illustrated example, the height position of the shielding plate 100 is higher than the conveying surface of the roller conveyance path 38B during the decompression drying process. However, even if the height position of the shielding plate 100 is lower than the conveyance surface of the roller conveyance path 38B, even if the roller 45 of the roller 42B sticks out on the opening 100b of the shielding plate 100 partially, There is no particular problem. That is, as long as a sufficient separation distance between the roller 45 and the substrate G (preferably 20 mm or more) is ensured, the roller 45 of the rolling table 42B opens the opening 100b of the shielding plate 100. Even if a part does not stick out, the influence of the airflow from the roller 45 side to the substrate G can be largely ignored.

감압 건조 처리중에는, 감압 상태하에서 기판(G)상의 레지스트액 막으로부터 용제(시너)가 증발하고, 이 기화열에 의해서 기판(G)의 온도는 상온보다 상당히 낮은 온도(예를 들어 약 10℃)까지 저하한다.During the reduced pressure drying process, the solvent (thinner) evaporates from the resist liquid film on the substrate G under reduced pressure, and the temperature of the substrate G is significantly lower than the normal temperature (for example, about 10 ° C.) by the heat of vaporization. Lowers.

이 감압 건조 처리는 일정 시간을 경과하면 종료하고, 진공 배기 장치(78)가 진공 배기 동작을 정지한다. 이것과 교대하여, 질소 가스 분출부(80)가 챔버(40) 내에 질소 가스를 흘려 넣는다. 그리고, 실내의 압력이 대기압까지 오르고 나서, 게이트 기구(48,50)가 작동하여 반입구(44) 및 반출구(46)를 개방한다. 이와 전후하여, 기판 리프트 기구(60)가 승강 실린더(66)를 복동시키고, 전체 리프트 핀(62)의 핀 선단이 내부굴림대 반송로(38B)의 반송면보다 낮아지는 소정의 높이 위치까지 전체 핀 베이스(64)를 일제히 소정 스트로크만큼 하강시킨다. 이 기판 리프트 기구(60)의 복동(하강) 동작에 의해, 기판(G)은 수평 자세로 리프트 핀(62)의 핀 끝으로부터 내부굴림대 반송로(38B)로 옮겨 실린다.This vacuum drying process is complete | finished after a fixed time passes, and the vacuum exhaust apparatus 78 stops a vacuum exhaust operation. Alternately with this, the nitrogen gas ejection part 80 flows nitrogen gas into the chamber 40. Then, after the pressure in the room rises to the atmospheric pressure, the gate mechanisms 48 and 50 operate to open the inlet 44 and the outlet 46. Before and after this, the board | substrate lift mechanism 60 doubles the lifting cylinder 66, and all the pins to the predetermined height position by which the pin front-end | tip of all the lift pins 62 becomes lower than the conveyance surface of the internal roller conveyance path 38B. The base 64 is lowered by a predetermined stroke all at once. By the double acting (falling) operation of the substrate lift mechanism 60, the substrate G is moved from the pin end of the lift pin 62 to the internal roller transfer path 38B in a horizontal position.

또한, 기판 리프트 기구(60)가 리프트 핀(62)을 하강시키는 동시에, 또는 그 직전에, 차폐판 승강기구(102)가 차폐판(100)을 하강시켜 본래의 높이 위치로 되돌려 둔다.In addition, while the board | substrate lift mechanism 60 lowers the lift pin 62, or just before, the shield plate elevating mechanism 102 lowers the shield plate 100, and returns it to the original height position.

상기한 바와 같이 기판(G)이 내부 굴림대 반송로(38B)에 옮겨 실린 직후에, 내부 굴림대 반송로(38B) 및 반출측 굴림대 반송로(38C)상에서 굴림대 반송 동작이 개시되어 감압 처리를 막 받은 상기 기판(G)은 반출구(46)로부터 굴림대 반송에 의해서 반출되어 그대로 후단의 처리부로 평류로 보내진다. 이 처리가 끝난 기판(G)의 반출 동작과 동시에, 도 3에 나타내는 바와 같이, 레지스트 도포 유닛(10)으로부터의 후속의 기판(G)이, 반입측 굴림대 반송로(38A) 및 내부 굴림대 반송로(38B)상의 연속적인 굴림대 반송에 의해서 반입구(44)로부터 챔버(40) 내로 반입된다.As described above, immediately after the substrate G is transferred to the internal roller conveyance path 38B, the roller conveyance operation is started on the internal roller conveyance path 38B and the unloading side conveyance path conveyance path 38C to reduce the pressure. The board | substrate G which just received the process is carried out by the conveyance stand conveyance from the carrying out opening 46, and is sent to flat processing directly as it is to a process part of a rear end. Simultaneously with this carrying out operation | movement of the processed board | substrate G, as shown in FIG. 3, the following board | substrate G from the resist application | coating unit 10 carries out 38 A of carrying-in side roll conveyance paths, and an internal roll base. It is carried in into the chamber 40 from the loading port 44 by continuous roller conveyance on the conveyance path 38B.

상기한 바와 같이, 이 감압 건조 유닛(12)은, 챔버(40) 내에서 건조 처리중에 진공 배기에 의해 기판(G)의 하방에 발생하는 기류가 기판(G)에 영향을 미치는 것을 방지하기 위한 차폐판(100)을 구비하고 있으므로, 기판 리프트 기구(60)로 보통 염가의 리프트 핀(62)을 사용함에도 불구하고, 기판(G)상의 레지스트 도포막에 핀 전사 흔적이 남는 것을 가급적으로 방지 또는 억제할 수 있다.As described above, the reduced pressure drying unit 12 is for preventing the airflow generated below the substrate G from affecting the substrate G by vacuum evacuation during the drying process in the chamber 40. Since the shielding plate 100 is provided, the pin transfer traces are preferably prevented from being left in the resist coating film on the substrate G despite the use of the inexpensive lift pin 62 as the substrate lift mechanism 60. It can be suppressed.

본 발명에서는, 차폐판(100)이 핀 전사 흔적을 방지하는 기류 차폐 효과를 발휘하는 데에, 기판(G)과 차폐판(100) 사이에 형성되는 빈틈 또는 클리어런스(C2)의 사이즈는 중요하다.In the present invention, the size of the gap or clearance C 2 formed between the substrate G and the shielding plate 100 is important for the shielding plate 100 to exhibit an airflow shielding effect that prevents the pin transfer trace. Do.

본 발명자가, 이 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)으로 실험을 행한 바, 상기 클리어런스(C2)를 5mm로 한 경우는, 도 8(a)에 나타내는 바와 같이 프리베이킹 처리후의 레지스트 막에 핀 전사 흔적이 그다지 남지 않았다. 그러나, 상기 클리어런스(C2)를 20mm로 한 경우는, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이 프리베이킹 처리후의 레지스트막에 핀 전사 흔적을 육안으로 볼 수 있는 크기로 명백히 나타났다.The resist film after pre-baking process, as the inventors, as shown in this embodiment carried out the experiment under a reduced pressure drying unit 12 in the form of bars, in the case where the clearance (C 2) in a 5mm, Figure 8 (a) There was not much trace of the pin warrior. However, in the case where the clearance C 2 was set to 20 mm, as shown in FIG. 8 (b), the traces of the pin transfer were apparently visible to the naked eye in the resist film after the prebaking treatment.

요컨대, 상기 클리어런스(C2)가 20mm 정도로 크면, 진공 배기중에 리프트 핀(62)의 주위에 난기류가 발생하기 쉬워져, 이것이 기판(G)의 하면에 닿는 것에 의해서 기판상의 레지스트 도포막이 국소적인 열영향을 받고, 따라서 핀 전사 흔적(막두께 변동)이 발생하는 것으로 생각된다.In other words, when the clearance C 2 is about 20 mm, turbulence tends to occur around the lift pin 62 during vacuum evacuation, and this causes contact with the bottom surface of the substrate G so that the resist coating film on the substrate is subjected to local heat. It is thought to be affected, and thus a pin transfer trace (film thickness variation) occurs.

한편, 이 감압 건조 유닛(12)에서, 리프트 핀(62)의 핀 끝에서 지지되는 기판(G)의 상면과 챔버(40)의 천정(52) 사이에 형성되는 클리어런스(C1)는, 감압 건조 처리의 중요한 프로세스 파라미터이며, 레지스트 도포의 사양이나 다른 조건과의 관계에서 여러가지 값으로 조절된다. 이 실시형태에서는, 리프트 핀(62) 및 차폐판 (100)을 기판 리프트 기구(60) 및 차폐판 승강기구(102)에 의해 개별적으로 승강 이동시키므로, 양 클리어런스(C1,C2)를 동시(각각 개별)에 최적화할 수 있다.On the other hand, in this reduced pressure drying unit 12, the clearance C 1 formed between the upper surface of the substrate G supported by the pin end of the lift pin 62 and the ceiling 52 of the chamber 40 is reduced in pressure. It is an important process parameter of the drying treatment, and is adjusted to various values in relation to the specification of the resist coating and other conditions. In this embodiment, since the lift pin 62 and the shielding plate 100 are moved up and down individually by the substrate lift mechanism 60 and the shielding plate lifting mechanism 102, both clearances C 1 and C 2 are simultaneously moved. Can be optimized for each individual.

도 9 및 도 10에, 제2 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)의 구성을 나타낸다. 이 제2 실시형태는, 기판 리프트 기구(60)를 구비하고 있지는 않고, 대신에 차폐판(100)의 상면에 고정의 지지 핀(112)을 이산적(예를 들어 매트릭스 형상)으로 다수개 부착하고 있다. 차폐판 승강기구(102)는, 건조 처리를 행할 때는 지지 핀 (112)의 선단을 굴림대 반송로(38B)보다 높게 하여 지지 핀(112)에 의한 기판(G)의 지지를 가능하게 하고(도 10), 기판(G)의 반출입을 행할 때는 지지 핀(112)의 핀 선단을 굴림대 반송로(38B)보다 낮게 하여 굴림대 반송기구에 의한 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하도록(도 9), 차폐판(100)의 승강 이동(오르내리기)을 행한다. 이 경우, 상기 클리어런스(C2)는, 지지 핀(112)의 높이(길이)에 의해서 정해져, 상기 제1 실시형태와 같이 바람직하게는 2∼10mm의 범위내로 설정되어도 좋다. 9 and 10 show the configuration of the reduced pressure drying unit 12 in the second embodiment. This second embodiment does not include the substrate lift mechanism 60, but instead, a plurality of fixed support pins 112 are attached discretely (for example, in a matrix form) to the upper surface of the shielding plate 100. Doing. The shielding plate elevating mechanism 102 enables the support of the substrate G by the supporting pin 112 by making the tip of the supporting pin 112 higher than the roller conveyance path 38B when performing the drying process ( 10) When carrying out the carrying out of the board | substrate G, the pin tip of the support pin 112 is made lower than the roll feed path 38B so that the roll feed of a board | substrate by a roll feed mechanism can be carried out (FIG. 9). ), Lifting and lowering (rising) of the shielding plate 100 is performed. In this case, the said clearance C 2 is decided by the height (length) of the support pin 112, and may be set in the range of 2-10 mm preferably like the said 1st Embodiment.

이 제2 실시형태에서도, 굴림대 반송에 의한 기판(G)의 반출입을 가능하게 하면서, 차폐판 승강기구(102)에 의해 챔버(40) 내에서 기판(G)을 굴림대 반송로(38)의 반송면과 그것보다 높은 건조 처리용의 높이 위치의 사이에서 오르내릴 수 있는 동시에, 건조 처리중에 진공 배기에 의해 기판(G)의 하방에 발생하는 기류가 기판(G)에 영향을 미치는 것을 차폐판(100)에 의해 방지하고, 기판(G)상의 레지스트 도포막에 핀 전사 흔적이 남는 것을 가급적으로 방지 또는 억제할 수 있다.Also in this 2nd Embodiment, the board | substrate G is rolled in the chamber 40 by the shielding board elevating mechanism 102, enabling the board | substrate G to carry in and out by roll conveyance conveyance 38. It is possible to move up and down between the conveying surface of and the height position for the drying process higher than that, and shielding that the airflow generated below the substrate G by the vacuum exhaust during the drying process affects the substrate G. It is prevented by the board | plate 100, and it can prevent or suppress as much as possible that a trace of pin transfer remains in the resist coating film on the board | substrate G.

도 11A 및 도 11B에, 제3 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)의 구성을 나타낸다. 이 실시형태는, 차폐판(100) 및 차폐판 승강기구(102)를 구비하고 있지는 않고, 대신에 각 리프트 핀(62)의 핀 선단보다 소정 거리(바람직하게는 2∼10mm)만큼 낮은 부위로부터 주위를 향하여 날밑 형상으로 이어지는 기류 차폐 부재(114)를 구비하고 있다. 이 경우, 상기 클리어런스(C2)는 리프트 핀(62)에서의 기류 차폐 부재 (114)의 부착 위치에 의해서 정해진다.11A and 11B show the configuration of the reduced pressure drying unit 12 in the third embodiment. This embodiment is not provided with the shielding plate 100 and the shielding plate lifting mechanism 102, but instead from a site lowered by a predetermined distance (preferably 2 to 10 mm) from the pin tip of each lift pin 62. It is provided with the airflow shielding member 114 which continues in a blade shape toward the circumference. In this case, the clearance C 2 is determined by the attachment position of the airflow shield member 114 at the lift pin 62.

이 제3 실시형태에서도, 굴림대 반송에 의한 기판(G)의 반출입을 가능하게 하면서, 기판 리프트 기구(60)에 의해 챔버(40) 내에서 기판(G)을 굴림대 반송로 (38)의 반송면과 그것보다 높은 건조 처리용의 높이 위치의 사이에 오르내릴 수 있는 동시에, 건조 처리중에 진공 배기에 의해 기판(G)의 하방에 발생하는 기류가 기판(G)에 영향을 미치는 것을 기류 차폐 부재(114)에 의해 방지하고, 기판(G)상의 레지스트 도포막에 핀 전사 흔적이 남는 것을 가급적으로 방지 또는 억제할 수 있다.Also in this 3rd Embodiment, the board | substrate G is moved in the chamber 40 by the board lift mechanism 60, and the board | substrate G of the roll carrier conveyance path 38 is made possible, carrying out the carrying out of the board | substrate G by roller conveyance. Airflow shielding that the airflow generated below the substrate G by the vacuum exhaust during the drying process can be raised and lowered between the conveying surface and the height position for drying processing higher than that. It is prevented by the member 114, and it can prevent or suppress as much as possible leaving a trace of pin transfer in the resist coating film on the board | substrate G.

한편, 도 12 내지 도 16에, 제4 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)의 구성을 나타낸다. 이 제4 실시형태는, 차폐판 승강기구(102)를 구비하고 있지는 않고, 대신에 챔버(40) 내에서 내부 굴림대 반송로(38B)의 좌우 양측에는, 챔버 측벽을 따라서 반송 방향(X방향)으로 이어지는 한 쌍의 퍼징 가스 분출부(80)가 설치되어 있다.12-16, the structure of the pressure reduction drying unit 12 in 4th Embodiment is shown. This fourth embodiment does not include the shielding plate elevating mechanism 102, but instead the conveying direction (X direction) along the chamber sidewalls on the left and right sides of the internal roller conveyance path 38B within the chamber 40. A pair of purging gas ejection parts 80 leading to) is provided.

이 실시형태에서의 특징중 하나로서 퍼징 가스 분출부(80)는, 내부 굴림대 반송로(38B)보다 높은 위치에 설치되고, 굴림대 반송면보다 높은 위치에서 퍼징 가스를 수평(또는 상방)으로 분출하도록 되어 있다. 바람직하게는, 퍼징 가스 분출부 (80)의 가스 분출구가 굴림대 반송로의 반송면보다 10mm 이상(보다 바람직하게는 20mm∼30mm) 높은 위치에 설치된다.As one of the features in this embodiment, the purging gas ejection part 80 is installed at a position higher than the internal roller conveyance path 38B and ejects purging gas horizontally (or upwards) at a position higher than the roller conveyance surface. It is supposed to be. Preferably, the gas ejection port of the purging gas ejection part 80 is provided at a position 10 mm or more (more preferably 20 mm to 30 mm) higher than the conveyance surface of the roller conveyance path.

이 감압 건조 유닛(12)은, 상기와 같이 기판(G)의 평류 반송을 행하는 굴림대 반송로(38)를 챔버(40) 내로 끌어들여, 챔버(40) 내에서 기판(G)을 리프트 핀 (62)으로 오르내림하는 기판 리프트 기구(60)를 구비한 장치 구성에 있어서, 챔버 (40) 내의 분위기 온도의 변동을 저감시키기 위해서, 굴림대 반송로 근방에 기판 (G) 아래를 덮도록 배치되는 차폐판(100)을 설치하고 있다.This vacuum drying unit 12 draws the roller conveyance path 38 which carries out the horizontal flow conveyance of the board | substrate G in the chamber 40 as mentioned above, and lifts the board | substrate G in the chamber 40, and lifts a pin. In the apparatus structure provided with the board | substrate lift mechanism 60 which moves up and down to 62, in order to reduce the fluctuation | variation of the atmospheric temperature in the chamber 40, it is arrange | positioned so that the board | substrate G may be covered in the vicinity of the roller conveyance path. The shielding plate 100 is provided.

바람직한 하나의 실시예로서 차폐판(100)은, 예를 들면 챔버(40)의 저면으로부터 수직 상방으로 이어지는 다수의 지지봉(103)에 의해서 일정한 높이 위치, 즉 굴림대(42B)의 샤프트(43)보다는 높고 롤러(45)의 정수리면(굴림대 반송면)보다는 낮은 위치에서, 수평으로 지지된다.In one preferred embodiment, the shielding plate 100 has a fixed height position, ie, the shaft 43 of the roller 42B, for example by means of a plurality of support rods 103 running vertically upwards from the bottom of the chamber 40. It is supported horizontally at a position higher than and lower than the parietal surface (rolling table conveying surface) of the roller 45.

이 실시형태의 굴림대 반송로는, 도 12∼도 14에 나타내는 바와 같이, 반입구(44), 반출구(46)의 통로 하면(또는 그 근방)에, 내부 굴림대 반송로(38B)와 외부(반입측·반출측) 굴림대 반송로(38A,38C)를 밀접하게 연결하기 위한 롤러식 굴림대(47,49)를 각각 설치하고 있다.As shown in FIGS. 12-14, the roller conveyance path of this embodiment is an internal roller conveyance path 38B and the lower surface (or the vicinity) of the passage 44 of the delivery opening 44 and the delivery opening 46, and Roller-type roller stands 47 and 49 for connecting the outside (loading-side and carrying-out side) roller conveyance paths 38A and 38C are provided, respectively.

다음에, 이 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)의 작용을 설명한다.Next, the operation of the reduced pressure drying unit 12 in this embodiment will be described.

상기 제1 실시형태에서와 같이, 레지스트 도포 유닛(10)에서 레지스트액이 도포되어 온 기판(G)이, 반입측 굴림대 반송로(38A) 및 내부 굴림대 반송로(38B)상의 연속적인 굴림대 반송에 의해서 감압 건조 유닛(12)의 챔버(40)에 반입된다. 이 직후에, 게이트 기구(48,50)가 작동하여, 그때까지 열려 있던 반입구(44) 및 반출구(46)를 각각 폐색하여, 챔버(40)를 밀폐한다.As in the first embodiment, the substrate G, to which the resist liquid has been applied in the resist coating unit 10, is continuously rolled on the carry-in roll table conveyance path 38A and the internal roll table conveyance path 38B. It carries in to the chamber 40 of the pressure reduction drying unit 12 by large conveyance. Immediately after this, the gate mechanisms 48 and 50 operate to close the delivery openings 44 and the delivery openings 46, which have been opened until then, to seal the chamber 40.

이어서, 기판 리프트 기구(60)가 승강 실린더(66)를 상승시키고, 챔버(40) 내에서 전체 리프트 핀(62)의 핀 선단이 내부 굴림대 반송로(38B)의 반송면을 넘는 소정의 높이 위치까지 전체 핀 베이스(64)를 일제히 소정 스트로크만큼 상승시킨다. 이 기판 리프트 기구(60)의 왕동(상승) 동작에 의해, 도 15에 나타내는 바와 같이, 기판(G)은 내부 굴림대 반송로(38B)로부터 수평 자세인 채로 리프트 핀(62)의 핀 끝에 옮겨 실려, 그대로 내부 굴림대 반송로(38B)의 상방으로 들어 올려진다. Subsequently, the substrate lift mechanism 60 raises and lowers the lifting cylinder 66, and the predetermined tip height of the entire lift pins 62 in the chamber 40 exceeds the conveyance surface of the internal roller conveyance path 38B. The entire pin base 64 is raised simultaneously by a predetermined stroke until the position. As shown in FIG. 15, the substrate G is moved from the internal roller transfer path 38B to the pin end of the lift pin 62 with the horizontal posture by the swinging operation of the substrate lift mechanism 60. It is lifted up and lifted upward of the internal roller conveyance path 38B as it is.

이렇게 해서, 왕동위치로 상승한 리프트 핀(62)의 핀 끝에 실려 있는 기판 (G)의 상면과 챔버(40)의 천정(52)의 사이에 소망(예를 들면 4∼15mm)의 클리어런스(H)가 형성된다(도 15).In this way, the clearance H of a desired (for example, 4-15 mm) is provided between the upper surface of the board | substrate G loaded on the pin end of the lift pin 62 which rose to the reciprocating position, and the ceiling 52 of the chamber 40. Is formed (FIG. 15).

한편, 챔버(40)가 밀폐된 직후에 진공 배기 장치(78)가 작동하여, 챔버(40) 내의 진공 배기가 개시된다. 이 진공 배기에 의해, 챔버(40) 내의 압력이 지금까지의 대기압(101325Pa)으로부터 진공 압력이 되며, 이 감압 상태의 분위기하에서 기판(G)상의 레지스트액막으로부터 용제(시너)가 증발하고, 이 기화열에 의해서 챔버 (40) 내의 분위기 온도가 지금까지의 상온(약 25℃)으로부터 급격하게 저하한다.On the other hand, immediately after the chamber 40 is closed, the vacuum exhaust device 78 is operated to start vacuum exhaust in the chamber 40. By this vacuum exhaust, the pressure in the chamber 40 becomes a vacuum pressure from the conventional atmospheric pressure 101325 Pa, and the solvent (thinner) evaporates from the resist liquid film | membrane on the board | substrate G in this atmosphere of reduced pressure, and this heat of vaporization As a result, the ambient temperature in the chamber 40 rapidly decreases from the conventional room temperature (about 25 ° C).

이 진공 배기중(특히 감압 건조 개시 직후)의 챔버 내의 분위기 온도의 하강 변동폭은, 장소에 따라서 다르고, 상당한 격차가 있다. 후술하는 바와 같이, 진공 배기중의 챔버 내의 분위기 온도가, 종래에는 약 -15℃까지 내려가는 경우도 있었지만(도 21), 이 실시형태에서는 가장 낮아도 영℃ 정도까지 밖에 내리지 않게 되어 있다(도 18).The fluctuation range of the fall of the atmospheric temperature in the chamber during the vacuum evacuation (especially immediately after the start of vacuum drying) varies depending on the place, and there is a considerable gap. As will be described later, the ambient temperature in the chamber during vacuum evacuation has conventionally lowered to about -15 ° C (FIG. 21). However, in this embodiment, the atmosphere temperature is only lowered to about 0 ° C (FIG. 18). .

진공 배기중에는, 챔버(40) 내에 잔류하고 있는 가스(대부분이 공기)가 챔버 (40)의 바닥부의 배기구(74)를 향하여 흘러, 챔버(40) 내의 각 부에서 기류가 발생한다(도 15). 이 실시형태에서는, 굴림대(42B)의 샤프트(43)보다 높은 위치에 차폐판(100)이 설치되어 있기 때문에, 샤프트(43)나 핀 베이스(64) 등의 주위에서 기류가 감겨 올라가도 차폐판(100)에 의해서 그 난기류가 차단되어 기판(G)의 하면에 닿는 경우는 없다.During vacuum evacuation, the gas (mostly air) remaining in the chamber 40 flows toward the exhaust port 74 at the bottom of the chamber 40, and airflow is generated in each part of the chamber 40 (FIG. 15). . In this embodiment, since the shielding plate 100 is provided in the position higher than the shaft 43 of the roller 42B, even if airflow is wound up around the shaft 43, the pin base 64, etc., a shielding plate The turbulence is blocked by the 100 so as not to touch the lower surface of the substrate G.

감압 건조(진공 배기)를 개시하고 나서 일정시간이 경과한 후에, 혹은 챔버(40) 내의 진공 압력이 설정치(예를 들어 약 30Pa)에 도달한 시점에서, 타이머 또는 압력 센서(도시하지 않음)의 출력 신호에 따라 작동하여 감압건조처리를 종료시킨다. 이 때문에, 기판 리프트 기구(60)가 승강 실린더(66)을 하강시키고, 전체 리프트 핀(62)의 핀 선단이 내부 굴림대 반송로(38B)의 반송면보다 낮아지는 소정의 높이 위치까지 전체 핀 베이스(64)를 일제히 소정 스트로크만큼 하강시킨다. 이 기판 리프트 기구(60)의 복동(하강) 동작에 의해, 기판(G)은 수평 자세로 리프트 핀(62)의 핀 끝으로부터 내부 굴림대 반송로(38B)로 옮겨 실린다. 그리고, 퍼징 기구가 작동하여, 퍼징 가스 분출부(80)로부터 챔버(40) 내에 퍼징 가스를 소정의 유량으로 공급한다. 이 실시형태에서는, 퍼징 가스 분출부(80)가, 굴림대 반송로 (38B)의 반송면보다 20∼30mm 높은 위치에서 퍼징 가스를 대략 수평으로 분출한다. 진공 배기 장치(78)의 배기 동작은, 퍼징의 개시와 동시에 정지하여도 좋지만, 소정 시간이 경과한 후에 정지하여도 된다. After a predetermined time has elapsed since the start of vacuum drying (vacuum exhaust) or when the vacuum pressure in the chamber 40 reached the set value (for example, about 30 Pa), the timer or the pressure sensor (not shown) It operates in accordance with the output signal to end the vacuum drying process. For this reason, the board | substrate lift mechanism 60 lowers the lifting cylinder 66, and the all pin base to the predetermined height position by which the pin front-end | tip of all the lift pins 62 becomes lower than the conveyance surface of the internal roller conveyance path 38B. The 64 is lowered by a predetermined stroke all at once. By the double acting (falling) operation of the substrate lift mechanism 60, the substrate G is moved from the pin end of the lift pin 62 to the internal roller conveyance path 38B in a horizontal posture. Then, the purging mechanism is operated to supply the purging gas from the purging gas ejection unit 80 into the chamber 40 at a predetermined flow rate. In this embodiment, the purging gas ejection part 80 ejects purging gas substantially horizontally in the position 20-30 mm higher than the conveyance surface of the roller conveyance path 38B. The exhaust operation of the vacuum exhaust device 78 may be stopped at the same time as the start of purging, but may be stopped after a predetermined time has elapsed.

퍼징 가스 분출부(80)로부터 대략 수평으로 분출된 퍼징 가스는, 도 16에 나타내는 바와 같이, 챔버(40)의 천정(52)과 기판(G) 사이의 최상부 공간(SP1), 기판 (G)과 차폐판(100) 사이의 중간 공간(SP2), 및 차폐판(100)과 챔버(40) 바닥면 사이의 최하부 공간(SP3)으로 나뉘어 보내진다. Purging a purging ejected in a substantially horizontal gas from the gas ejection portion 80, as shown in Fig. 16, the top spacing between the chamber 40, the ceiling 52 and the substrate (G) (SP 1), the substrate (G ) And an intermediate space SP 2 between the shield plate 100 and the bottom space SP 3 between the shield plate 100 and the bottom surface of the chamber 40.

최상부 공간(SP1)으로 보내진 퍼징 가스는, 이 공간(SP1)에 신속하게 널리 퍼지고 나서 기판(G) 전후의 빈틈을 하방으로 빠져나가, 챔버(40) 바닥부의 배기구 (74)를 향하여 흐른다.The purging gas sent to the uppermost space SP 1 rapidly spreads widely in this space SP 1 , then escapes the gaps before and after the substrate G downward, and flows toward the exhaust port 74 at the bottom of the chamber 40. .

중간 공간(SP2)으로 보내진 퍼징 가스는, 이 공간(SP2) 내에 확산하면서, 여기저기의 차폐판(100)의 개구(100a,100b)를 빠져나가거나, 혹은 기판(G)의 전후의 빈틈을 하방으로 빠져나가, 최하부 공간(SP3)으로 흘러내린다. The purging gas sent to the intermediate space SP 2 exits the openings 100a and 100b of the shielding plate 100 here and there while diffusing into the space SP 2 , or before and after the substrate G. The gap exits downward and flows to the bottom space SP 3 .

최하부 공간(SP3)으로 보내진 퍼징 가스, 및 중간 공간(SP2)으로부터 차폐판 (100)의 개구(100a,100b)를 빠져나가 최하부 공간(SP3)으로 내려온 퍼징 가스는, 최하부 공간(SP3) 내에서, 굴림대(42B)의 샤프트(43)나 핀 베이스(64) 등의 부재에 충돌하면서 챔버(40) 바닥부의 배기구(74)를 향하여 흐른다.The purging gas sent to the lowermost space SP 3 and the purging gas exiting the openings 100a and 100b of the shielding plate 100 from the intermediate space SP 2 and descending to the lowermost space SP 3 are the lowermost space SP. 3 ) flows toward the exhaust port 74 at the bottom of the chamber 40 while colliding with a member such as the shaft 43 of the roller 42B, the pin base 64, or the like.

이 퍼징에 의해서, 챔버(40) 내의 압력은 설정치 또는 최저치(약 30Pa)로부터 대기압을 향하여 단번에 상승하고, 그에 따라 챔버 내의 분위기 온도도 감압건조처리전의 온도(실온)를 훨씬 넘는 온도까지 급상승한다.By this purging, the pressure in the chamber 40 rises at once from the set value or the lowest value (about 30 Pa) toward the atmospheric pressure, so that the ambient temperature in the chamber also rapidly rises to a temperature far above the temperature (room temperature) before the decompression drying process.

이 퍼징에 의한 챔버 내의 분위기 온도의 상승 변동폭은, 장소에 따라서 다르고, 상당한 격차가 있다. 후술하는 바와 같이, 퍼징중의 챔버 내의 분위기 온도가, 종래에는 약 50℃를 넘는 경우도 있었지만(도 21), 이 실시형태에서는 가장 높아도 약 32℃까지 밖에 오르지 않게 되어 있다(도 18).The fluctuation range of the rise of the ambient temperature in the chamber by this purging varies considerably from place to place, and there is a considerable gap. As will be described later, although the ambient temperature in the chamber during purging has conventionally exceeded about 50 ° C. (FIG. 21), in this embodiment, the temperature rises only up to about 32 ° C. (FIG. 18).

이렇게 해서, 퍼징에 의해서 챔버(40) 내의 압력이 상승하고, 이윽고 대기압에 이르면, 압력 센서에 따라 작동하여, 이 타이밍(시점 Te)에서 퍼징 가스 분출부 (80)가 퍼징 가스의 공급을 정지한다. 챔버(40) 내에 퍼징 가스가 흐르지 않게 되면, 챔버 내의 분위기 온도가 챔버 내에 충만하고 있는 퍼징 가스의 온도(통상 실온과 대략 동일 온도)와 같아지도록 저하한다.In this way, when the pressure in the chamber 40 rises by purging and reaches atmospheric pressure, the purge gas ejection part 80 stops supply of the purging gas at this timing (time T e ). do. When the purging gas does not flow in the chamber 40, the atmosphere temperature in the chamber is lowered to be equal to the temperature of the purging gas (usually about the same as room temperature) filled in the chamber.

그리고, 퍼징 가스의 공급을 정지하고 나서 소정 시간이 경과한 후에 게이트 기구(48,50)가 작동하여 반입구(44) 및 반출구(46)를 개방한다. 이어서, 내부 굴림대 반송로(38B) 및 반출측 굴림대 반송로(38C) 상에서 굴림대 반송 동작이 개시되어 감압건조처리를 막 받은 상기 기판(G)은 반출구(46)로부터 굴림대 반송에 의해서 반출되어, 그대로 후단의 처리부로 평류로 보내진다. 이 처리가 끝난 기판(G)의 반출 동작과 동시에, 도 13에 나타내는 바와 같이, 레지스트 도포 유닛(10)으로부터의 후속의 기판(G)이, 반입측 굴림대 반송로(38A) 및 내부 굴림대 반송로(38B) 상의 연속적인 굴림대 반송에 의해서 반입구(44)로부터 챔버(40) 내에 반입된다.After a predetermined time has elapsed since the supply of the purging gas was stopped, the gate mechanisms 48 and 50 are operated to open the delivery port 44 and the delivery port 46. Subsequently, the roller conveyance operation is started on the internal roller conveyance path 38B and the export-side roller conveyance path 38C, and the substrate G which has just been subjected to the decompression drying process is transferred from the discharging opening 46 to the roller conveyance. It is taken out and sent to flat stream as it is to a process part of a later stage. Simultaneously with this carrying out operation | movement of the processed board | substrate G, as shown in FIG. 13, the following board | substrate G from the resist application | coating unit 10 carries out 38 A of carrying-in roll side conveyance paths, and an internal roll base. It is carried in into the chamber 40 from the loading port 44 by continuous roller conveyance on the conveyance path 38B.

상기한 바와 같이, 이 실시형태의 감압 건조 유닛(12)은, 굴림대 반송로의 근방에 기판(G) 아래를 덮는 위치에, 바람직하게는 굴림대(42B)의 샤프트(43)보다는 높고 롤러(45)의 정수리면(굴림대 반송면)보다는 낮은 위치에, 차폐판(100)을 수평으로 설치하고 있다. 이 차폐판(100)은, 챔버(40) 내에 기판(G)이 체재하고 있는 기간 중에는 물론, 챔버(40) 내에 기판(G)이 존재하고 있지 않은 기간중에도, 굴림대 반송로(38B)의 반송면보다 약간 낮은 일정한 높이 위치에서 챔버(40) 내의 공간을 상하로 분리하고 있다. 여기서 상하로 분리된 중간 공간(SP2)과 하부 공간 (SP3)은, 차폐판(100)의 개구(100a,100b) 및 차폐판(100)의 주위의 빈틈을 통하여 연이어 통하고 있다.As mentioned above, the pressure reduction drying unit 12 of this embodiment is higher than the shaft 43 of the roller 42B at the position which covers under the board | substrate G in the vicinity of the roller conveyance path, Preferably it is a roller The shielding plate 100 is provided horizontally at the position lower than the top surface (rolling surface conveyance surface) of (45). The shielding plate 100 is formed not only during the period in which the substrate G stays in the chamber 40 but also during the period in which the substrate G does not exist in the chamber 40. The space in the chamber 40 is separated up and down at a constant height position slightly lower than the carrying surface. Here, the intermediate space SP 2 and the lower space SP 3 separated up and down communicate with each other through the gaps around the openings 100a and 100b of the shielding plate 100 and the shielding plate 100.

또한, 이 실시형태의 감압 건조 유닛(12)은, 챔버(40)의 측벽 부근에 배치되는 퍼징 가스 분출부(80)의 가스 분출구를 굴림대 반송로(38)보다도 높은 위치(가장 바람직하게는 굴림대 반송면보다 20∼30mm 높은 위치)에 설치하고 있다. 이에 따라, 퍼징 가스 분출부(80)로부터 분출된 퍼징 가스는, 챔버(40)의 천정(52)과 기판(G) 사이의 상부 공간(SP1), 기판(G)과 차폐판(100)의 사이의 중간 공간(SP2), 및 차폐판(100)과 챔버(40)의 바닥면의 사이의 하부 공간(SP3)으로 나누어져 흐르게 되어 있다.Moreover, the pressure reduction drying unit 12 of this embodiment has the position (most preferably, higher than the roll conveyance path 38) of the gas ejection outlet of the purging gas ejection part 80 arrange | positioned near the side wall of the chamber 40. 20-30 mm higher than the roller conveyance surface). As a result, the purging gas ejected from the purging gas ejection unit 80 includes the upper space SP 1 , the substrate G, and the shielding plate 100 between the ceiling 52 and the substrate G of the chamber 40. It is divided into the intermediate space SP 2 between, and the lower space SP 3 between the shielding plate 100 and the bottom surface of the chamber 40.

이러한 구성에 의하면, 진공 배기중 및 퍼징중에 챔버(40) 내를 흐르는 기류가 기판(G)과 차폐판(100)에 의해서 격리된 최상부 공간(SP1), 중간 공간(SP2), 최하부 공간(SP3)의 각각으로 개별적으로 제어되어, 챔버 내의 분위기 온도의 변동이 현저하게 저감된다.According to this configuration, the airflow flowing in the chamber 40 during the vacuum evacuation and purging is separated from the top space SP 1 , the intermediate space SP 2 , and the bottom space by the substrate G and the shielding plate 100. Individually controlled by each of SP 3 , variations in the ambient temperature in the chamber are significantly reduced.

본 발명자는, 이 실시형태의 감압 건조 유닛(12)에서, 도 17에 나타내는 바와 같이 챔버(40) 내의 중심부, 중간부 및 주변부에 걸쳐서 분포하는 13개소의 대표 측정점(ch1∼ch13)을 선택하여, 동일한 조건으로 하기 4가지의 방법의 구성 A, B, C, D별로 감압건조처리 및 퍼징을 실험하였다. 이 실험 중에, 각 대표점에서의 감압건조처리 및 퍼징중의 챔버 내의 분위기 온도와 압력을 측정하여, 13개소(ch1∼ch13) 분의 분위기 온도 특성 J1∼J13 중에서, 최대 온도 Max를 기록한 특성(Ji)과 최저 온도 Min를 기록한 특성(Jj)의 2개를 추출하여 플롯한 바, 도 18∼도 21에 나타낸 결과를 얻을 수 있었다. 한편, 이 실험에서는, 각 대표 측정점 ch1∼ch13의 측정 높이 위치를 챔버(40)의 바닥면으로부터 120mm의 위치에 선택하여, 열전대인 온도 센서를 이용했다.In the vacuum drying unit 12 of this embodiment, the present inventors select 13 representative measurement points ch1 to ch13 distributed over the central part, the middle part, and the peripheral part in the chamber 40, as shown in FIG. Under the same conditions, the vacuum drying treatment and purging were performed for each of the following four methods A, B, C, and D. During this experiment, the atmospheric temperature and pressure in the chamber during the vacuum drying treatment and purging at each representative point were measured, and the maximum temperature Max was recorded among the atmospheric temperature characteristics J1 to J13 for 13 places (ch1 to ch13) ( Ji) and two of the characteristics (Jj) recording the minimum temperature Min were extracted and plotted to obtain the results shown in FIGS. 18 to 21. In addition, in this experiment, the measurement height position of each representative measuring point ch1-ch13 was selected at the position of 120 mm from the bottom surface of the chamber 40, and the temperature sensor which is a thermocouple was used.

A: [차폐판 있음, 반송로 위 퍼지] …도 18A: [with shield plate, purge on conveying path]. Figure 18

상기 실시형태와 같이, 차폐판(100)을 마련하여, 퍼징 가스 분출부(80)의 가스 분출구를 굴림대 반송로(38B)보다 높은 위치에 마련하는 구성이다.Like the said embodiment, it is the structure which provides the shielding plate 100, and arrange | positions the gas ejection opening of the purging gas ejection part 80 in the position higher than the roller conveyance path 38B.

B: [차폐판 있음, 반송로 아래 퍼지] …도 19B: [with shield board, purge under conveying path]. Figure 19

상기 실시형태와 마찬가지로 차폐판(100)을 마련하지만, 퍼징 가스 분출부 (80)의 가스 분출구를 굴림대 반송로(38B)보다 낮은 위치(반송면보다 약 100mm 낮은 위치)에 마련하는 구성이다. 상기 실시형태중 하나의 변형예(제1 변형예)이다.Although the shielding plate 100 is provided similarly to the said embodiment, it is a structure which arrange | positions the gas ejection opening of the purging gas ejection part 80 in the position lower than the roller conveyance path 38B (about 100 mm lower than a conveyance surface). It is a modification (1st modification) of one of the said embodiments.

C: [차폐판 없음, 반송로 위 퍼지] …도 20C: [no shielding plate, purge on return line]. Figure 20

상기 차폐판(100)을 마련하지 않지만, 퍼징 가스 분출부(80)의 가스 분출구를 굴림대 반송로(38B)보다 높은 위치에 마련하는 구성이다. 이것도, 상기 실시형태중 하나의 변형예(제2 변형예)이다.Although the said shielding plate 100 is not provided, it is a structure which provides the gas blowing port of the purging gas blowing part 80 in the position higher than the roller conveyance path 38B. This is also a modification (second modification) of one of the above embodiments.

D: [차폐판 없음, 반송로 아래 퍼지] …도 21D: [No shield plate, purge under conveyance path]. Figure 21

상기 차폐판(100)을 마련하지 않고, 게다가 퍼징 가스 분출부(80)의 가스 분출구를 굴림대 반송로(38B)보다 낮은 위치(반송면보다 약 100mm 낮은 위치)에 마련하는 구성이다. 이것은, 종래 기술의 구성에 상당한다.In addition, the shielding plate 100 is not provided, and the gas ejection opening of the purging gas ejection section 80 is provided at a position lower than the roller conveyance path 38B (about 100 mm lower than the conveying surface). This corresponds to the structure of the prior art.

도 18에 나타내는 바와 같이, 상기 A의 구성(실시형태)에서는, 진공 배기중의 챔버내 분위기온도의 최저치는 -0.2℃이고, 퍼징 중의 챔버 내의 분위기 온도의 최고치는 32℃이며, 최대 변동폭은 32.2℃이었다. As shown in FIG. 18, in the structure (embodiment) of said A, the minimum value of the atmospheric temperature in a chamber during vacuum exhaust is -0.2 degreeC, the maximum value of the atmospheric temperature in the chamber during purging is 32 degreeC, and the maximum fluctuation range is 32.2. ° C.

도 19에 나타내는 바와 같이, 상기 B의 구성에서는, 진공 배기중의 챔버 내의 분위기 온도의 최저치는 -2.0℃이고, 퍼징중의 챔버 내의 분위기 온도의 최고치는 39.0℃이며, 최대 변동폭은 41.0℃이었다.As shown in FIG. 19, in the structure of said B, the minimum value of the atmospheric temperature in the chamber in vacuum exhaust was -2.0 degreeC, the maximum value of the atmospheric temperature in the chamber in purging was 39.0 degreeC, and the maximum fluctuation range was 41.0 degreeC.

도 20에 나타내는 바와 같이, 상기 C의 구성에서는, 진공 배기중의 챔버 내의 분위기 온도의 최저치는 -15.0℃이고, 퍼징중의 챔버 내의 분위기 온도의 최고치는 36.7℃이며, 최대 변동폭은 51.7℃이었다.As shown in FIG. 20, in the structure of said C, the minimum of the atmospheric temperature in the chamber in vacuum exhaust was -15.0 degreeC, the maximum of the atmospheric temperature in the chamber in purging was 36.7 degreeC, and the maximum fluctuation range was 51.7 degreeC.

도 21에 나타내는 바와 같이, 상기 D의 구성에서는, 진공 배기중의 챔버 내의 분위기 온도의 최저치는 -16.0℃이고, 퍼징중의 챔버 내의 분위기 온도의 최고치는 49.3℃이며, 최대 변동폭은 65.3℃이었다.As shown in FIG. 21, in the structure of said D, the minimum value of the atmospheric temperature in the chamber in vacuum exhaust was -16.0 degreeC, the maximum value of the atmospheric temperature in the chamber in purging was 49.3 degreeC, and the maximum fluctuation range was 65.3 degreeC.

이와 같이, 상기 A(실시형태)의 구성에 의하면, 상기 D(종래 기술)의 구성에 비하여, 챔버 내의 분위기 온도의 최대 변동폭을 반감하는 것이 가능하다. 상기 B(제1 변형예)의 구성에서도, 상기 D(종래 기술)의 구성에 비하여, 챔버 내의 분위기 온도의 최대 변동폭을 약 60%로 저감할 수 있다. 또한, 상기 C(제2 변형예)의 구성에서도, 상기 D(종래 기술)의 구성에 비하여, 챔버 내의 분위기 온도의 최대 변동폭을 약 78%로 저감할 수 있다.Thus, according to the structure of said A (embodiment), compared with the structure of said D (prior art), it is possible to halve the maximum fluctuation range of the atmospheric temperature in a chamber. Also in the configuration of B (the first modification), the maximum variation in the ambient temperature in the chamber can be reduced to about 60% as compared to the configuration of D (prior art). Moreover, also in the structure of said C (2nd modification), compared with the structure of said D (prior art), the maximum fluctuation range of the atmospheric temperature in a chamber can be reduced to about 78%.

본 발명자는, 상기 실험의 연장으로서, 상기 구성 A, B, C, D별로, 동일 조건으로의 감압건조처리/퍼징의 공정을 일정한 주기에 복수회(9회) 반복하여, 각 회의 감압건조처리를 개시하기 직전의 리프트 핀(62)의 온도를 측정하여 플롯한 바, 도 22에 나타내는 특성을 얻을 수 있었다.As an extension of the above experiment, the inventor repeated the process of vacuum drying / purging under the same conditions for each of the above constitutions A, B, C, and D several times (9 times) at a constant cycle, and then each time the vacuum drying treatment. The temperature shown in FIG. 22 was obtained when the temperature of the lift pin 62 immediately before starting was measured and plotted.

도시한 바와 같이, 상기 A(실시형태)의 구성에 의하면, 첫회는 상온(약 25℃)의 리프트 핀 온도를 2회째부터는 상온보다 약간만 높은 26℃∼27℃의 범위로 안정화시킬 수 있다.As shown, according to the structure of said A (embodiment), the lift pin temperature of normal temperature (about 25 degreeC) can be stabilized to the range of 26 degreeC-27 degreeC only slightly higher than normal temperature from the 2nd time.

또한, 상기 B(제1 변형예)의 구성에서는, 리프트 핀 온도를 2회째에 26℃∼27℃의 범위에 멈추고, 3회째 이후에는 27℃∼28℃의 범위로 안정화시킬 수 있다.In addition, in the structure of said B (1st modification), lift pin temperature can be stopped in the range of 26 degreeC-27 degreeC on the 2nd time, and can stabilize to the range of 27 degreeC-28 degreeC after the 3rd time.

또한, 상기 C(제2 변형예)의 구성에서는, 리프트 핀 온도를 2회째부터 27℃∼28℃의 범위로 안정화시킬 수 있다.In addition, in the structure of said C (2nd modification), lift pin temperature can be stabilized in the range of 27 degreeC-28 degreeC from the 2nd time.

한편, 상기 D(종래 기술)의 구성에서는, 감압건조처리/퍼징 공정을 반복할 때마다 리프트 핀 온도가 점점 높아져, 안정화할 때까지 당분간 걸린다. 물론, 안정화(포화)할 무렵의 온도는 상당히 높아져, 30℃ 가까이가 된다.On the other hand, in the configuration of D (prior art), the lift pin temperature gradually increases every time the decompression drying treatment / purging step is repeated, and takes a while until stabilization. Of course, the temperature at the time of stabilization (saturation) becomes considerably high and becomes near 30 degreeC.

이와 같이, 상기 실시형태 및 그 변형예에 의하면, 감압건조처리 및 퍼징중의 챔버 내의 분위기 온도의 변동폭을 저감할 수 있으므로, 리프트 기구(60)의 각 리프트 핀(62)이 분위기 온도로부터 받는 열적 영향을 적게 하고, 나아가서는 기판(G)이 리프트 핀(62)으로부터 받는 열적 영향을 적게 하여, 기판(G)상의 레지스트 도포막에 핀 전사 흔적이 남는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라, 기판(G)상의 레지스트 도포막의 막질을 향상시킬 수 있다.Thus, according to the said embodiment and its modified example, since the fluctuation range of the atmospheric temperature in the chamber during pressure reduction drying process and purging can be reduced, the thermal which each lift pin 62 of the lift mechanism 60 receives from atmospheric temperature It is possible to reduce the influence and further reduce the thermal influence that the substrate G receives from the lift pins 62, thereby suppressing the trace of pin transfer on the resist coating film on the substrate G. Thereby, the film quality of the resist coating film on the board | substrate G can be improved.

도 23 및 도 24에, 제5 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)의 구성을 나타낸다. 이 제5 실시형태는, 제2 실시형태와 같이, 기판 리프트 기구(60)를 구비하고 있지는 않고, 대신에 차폐판(100)의 상면에 고정의 지지 핀(112)를 이산적(예를 들어 매트릭스 형상으로)으로 다수개 부착하고 있다. 상기 클리어런스(H)는, 지지 핀(112)의 높이(길이)에 의해서 정해진다. 차폐판(100)의 복동(하한) 높이 위치는, 굴림대(42B)의 샤프트(43)보다는 높고 롤러(45)의 정수리면(굴림대 반송면)보다는 낮은 위치로 설정된다.23 and 24 show the configuration of the reduced pressure drying unit 12 in the fifth embodiment. This fifth embodiment does not include the substrate lift mechanism 60 as in the second embodiment, and instead, the fixed support pin 112 is discretely disposed on the upper surface of the shielding plate 100 (for example, In matrix form). The clearance H is determined by the height (length) of the support pin 112. The double acting (lower limit) height position of the shielding plate 100 is set to a position higher than the shaft 43 of the roller 42B and lower than the top surface (rolling roller conveyance surface) of the roller 45.

이 제5 실시형태에서도, 제4 실시형태와 같이, 감압건조처리 및 퍼징중의 챔버 내의 분위기 온도의 변동폭을 저감하는 것이 가능하고, 차폐판(100) 상의 각 지지 핀(112)이 분위기 온도로부터 받는 열적 영향을 적게 하고, 나아가서는 기판(G)이 지지 핀(112)으로부터 받는 열적 영향을 적게 하여, 기판(G) 상의 레지스트 도포막에 핀 전사 흔적이 남는 것을 억제할 수 있다.Also in this fifth embodiment, as in the fourth embodiment, it is possible to reduce the fluctuation range of the ambient temperature in the chamber during the reduced pressure drying process and purging, and the respective support pins 112 on the shielding plate 100 are separated from the ambient temperature. The thermal effect received is reduced, and further, the thermal effect received by the substrate G from the support pin 112 can be reduced, so that the trace of the pin transfer on the resist coating film on the substrate G can be suppressed.

상기한 실시형태에서는, 차폐판(100)의 고정(또는 하한) 높이 위치를 굴림대 (42B)의 샤프트(43)보다 높은 위치로 설정하였다. 그러나, 차폐판(100)의 작용 효과가 어느 정도 감소하게 되지만, 굴림대(42B)의 샤프트(43)보다 조금 낮은 위치에 차폐판(100)의 고정(또는 하한) 높이 위치를 설정하는 것도 가능하다.In the above embodiment, the fixed (or lower limit) height position of the shielding plate 100 is set to a position higher than the shaft 43 of the roller 42B. However, although the effect of the shielding plate 100 is reduced to some extent, it is also possible to set the fixed (or lower limit) height position of the shielding plate 100 at a position slightly lower than the shaft 43 of the roller 42B. Do.

상기한 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)의 챔버(40)는, 반송 방향(X방향)으로 서로 마주 보는 한 쌍의 챔버 측벽에 반입구(44) 및 반출구(46)를 각각 마련하고, 기판(G)이 챔버(40)를 빠져나가는 구성으로 되어 있다. 그러나, 챔버(40)의 한 측벽에 마련한 1개의 반출입구로 반입구와 반출구를 겸용시키는 구성도 가능하고, 그 경우는 반입측 굴림대 반송로(38A)와 반출측 굴림대 반송로(38C)의 공용화도 도모할 수 있다.The chamber 40 of the pressure reduction drying unit 12 in the above-described embodiment is provided with the inlet 44 and the outlet 46, respectively, on a pair of chamber side walls facing each other in the conveying direction (X direction), The substrate G is configured to exit the chamber 40. However, it is also possible to combine the inlet and the outlet with one carrying in and out provided in one sidewall of the chamber 40, and in that case, the carry-in roll table conveyance path 38A and the carry-out roll conveyance path 38C are possible. Can also be used.

본 발명에서의 피처리기판은 LCD용의 유리 기판에 한정하는 것이 아니고, 다른 플랫 패널 디스플레이용 기판이나, 반도체 웨이퍼, CD기판, 포토마스크, 프린트 기판 등도 가능하다. 감압건조처리 대상의 도포액도 레지스트액에 한정하지 않고, 예를 들어 층간 절연 재료, 유전체 재료, 배선 재료 등의 처리액도 가능하다.The substrate to be processed in the present invention is not limited to the glass substrate for LCD, and other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, photomasks, printed substrates, and the like can also be used. The coating liquid to be subjected to the vacuum drying process is not limited to the resist liquid, but for example, a processing liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, a wiring material, or the like can be used.

Claims (19)

피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압 상태로 건조 처리를 실시하는 감압건조장치로서,
상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가진 감압 가능한 챔버와,
상기 건조 처리를 위해서 상기 챔버 내를 밀폐 상태로 진공 배기하는 배기기구와,
상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와,
상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하며 오르내리기 위해서 상기 챔버의 안에 이산적으로 배치된 다수의 리프트 핀을 가지며, 상기 건조 처리를 행할 때는 상기 리프트 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 기판을 지지하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 리프트 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하는 기판 리프트 기구와,
상기 건조 처리중에 진공 배기에 의해 상기 기판의 하방에 발생하는 기류가 상기 기판에 영향을 미치는 것을 방지하기 위한 차폐판을 가지는 감압건조장치.
A pressure reducing drying apparatus for performing a drying treatment under reduced pressure on a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed,
A pressure sensitive chamber having a space for accommodating the substrate in a horizontal state;
An exhaust mechanism for evacuating the inside of the chamber in a closed state for the drying treatment;
A conveying mechanism having a roll conveyance path continuous outside and inside of said chamber, and carrying or transferring said substrate to or from said chamber by a roll conveyance on said roll conveyance path;
It has a plurality of lift pins disposed discretely in the chamber to support and move the substrate horizontally at the pin tip, and when the drying process is performed, the tip of the lift pin is higher than the roller conveyance path A substrate lift mechanism for supporting a substrate and carrying the substrate by the conveyance mechanism by lowering the pin tip of the lift pin to the lower conveyance path when carrying out the substrate;
And a shielding plate for preventing the airflow generated below the substrate from affecting the substrate by vacuum evacuation during the drying process.
제 1 항에 있어서, 상기 차폐판은, 상기 건조 처리중에 상기 리프트 핀의 선단보다 낮아서 상기 기판에 근접하는 높이에 위치하는, 감압건조장치.The pressure reduction drying apparatus of Claim 1 in which the said shielding plate is located in the height which is lower than the front-end | tip of the said lift pin near the said board | substrate during the said drying process. 제 1 항에 있어서, 상기 건조 처리에서의 상기 기판과 상기 차폐판의 클리어런스가 2mm∼10mm의 범위내인, 감압건조장치.The pressure reduction drying apparatus of Claim 1 whose clearance of the said board | substrate and the said shielding plate in the said drying process exists in the range of 2 mm-10 mm. 제 1 항에 있어서, 상기 차폐판이, 상기 리프트 핀을 승강 가능하게 관통시키기 위한 제1 개구와, 상기 굴림대 반송로와의 간섭을 피하기 위한 제2 개구를 가지는, 감압건조장치.The pressure reduction drying apparatus according to claim 1, wherein the shielding plate has a first opening for allowing the lift pin to move up and down and a second opening for avoiding interference with the roller conveyance path. 제 1 항 내지 제 4 항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 건조 처리를 행할 때와 상기 굴림대 반송로상에서 상기 기판의 굴림대 반송을 행할 때에 상기 차폐판의 높이 위치를 바꾸는, 감압건조장치.The pressure reduction drying apparatus in any one of Claim 1 to 4 which changes the height position of the said shielding plate at the time of performing the said drying process, and at the time of conveying the roll of the said board | substrate on the said roll conveyance path. 제 5 항에 있어서, 차폐판의 높이 위치를 상기 리프트 핀으로부터 독립하여 가변하기 위한 차폐판 승강기구를 가지는, 감압건조장치.The pressure reduction drying apparatus of Claim 5 which has a shielding board lift mechanism for varying the height position of a shielding board independently of the said lift pin. 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압 상태로 건조 처리를 실시하는 감압건조장치로서,
상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가진 감압 가능한 챔버와,
상기 건조 처리를 위해서 상기 챔버 내를 밀폐 상태로 진공 배기하는 배기기구와,
상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와,
상기 건조 처리중에 진공 배기에 의해 상기 기판의 하방에 발생하는 기류가 상기 기판에 영향을 미치는 것을 방지하기 위한 차폐판과,
상기 건조 처리중에 상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하기 위해서 상기 차폐판 상에 이산적으로 설치되는 다수의 지지 핀과,
상기 차폐판에 결합되어, 상기 건조 처리를 행할 때는 상기 지지 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 지지 핀에 의한 상기 기판의 지지를 가능하게 하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 지지 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하도록, 상기 차폐판을 승강 이동시키는 차폐판 승강기구를 가지는 감압건조장치.
A pressure reducing drying apparatus for performing a drying treatment under reduced pressure on a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed,
A pressure sensitive chamber having a space for accommodating the substrate in a horizontal state;
An exhaust mechanism for evacuating the inside of the chamber in a closed state for the drying treatment;
A conveying mechanism having a roll conveyance path continuous outside and inside of said chamber, and carrying or transferring said substrate to or from said chamber by a roll conveyance on said roll conveyance path;
A shielding plate for preventing the airflow generated below the substrate from affecting the substrate by vacuum evacuation during the drying process;
A plurality of support pins discretely installed on the shielding plate to horizontally support the substrate at the pin tip during the drying process;
Coupled to the shielding plate, the tip of the support pin is made higher than the roller conveyance path when the drying process is performed to enable the support of the substrate by the support pin, and the support is carried out when carrying out the substrate. And a shielding plate elevating mechanism for moving the shielding plate up and down so that the tip of the pin is lower than the roller conveyance path so that the roller conveyance of the substrate can be carried by the conveying mechanism.
제 7 항에 있어서, 상기 건조 처리에서의 상기 기판과 상기 차폐판과의 클리어런스가 2mm∼10mm의 범위내인, 감압건조장치.The pressure reduction drying apparatus of Claim 7 whose clearance of the said board | substrate and the said shielding plate in the said drying process exists in the range of 2 mm-10 mm. 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압 상태로 건조 처리를 가하는 감압건조장치로서,
상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가진 감압 가능한 챔버와,
상기 건조 처리를 위해서 상기 챔버 내를 밀폐 상태로 진공 배기하는 배기기구와,
상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와,
상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하며 오르내리기 위해서 상기 챔버의 안에 이산적으로 배치된 다수의 리프트 핀을 가지며, 상기 건조 처리를 행할 때는 상기 리프트 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 기판을 지지하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 리프트 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하는 리프트 기구와,
상기 건조 처리중에 진공 배기에 의해 상기 기판의 하방에 발생하는 기류가 상기 리프트 핀의 주위에서 상기 기판에 영향을 미치는 것을 방지하기 위해서 상기 리프트 핀에 일체로 부착되는 기류 차폐 부재를 가지는 감압건조장치.
A pressure reducing drying apparatus for applying a drying treatment under reduced pressure to a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed,
A pressure sensitive chamber having a space for accommodating the substrate in a horizontal state;
An exhaust mechanism for evacuating the inside of the chamber in a closed state for the drying treatment;
A conveying mechanism having a roll conveyance path continuous outside and inside of said chamber, and carrying or transferring said substrate to or from said chamber by a roll conveyance on said roll conveyance path;
It has a plurality of lift pins disposed discretely in the chamber to support and move the substrate horizontally at the pin tip, and when the drying process is performed, the tip of the lift pin is higher than the roller conveyance path A lift mechanism for supporting a substrate and carrying the substrate in and out of the substrate by lowering the pin tip of the lift pin than the roller conveyance path;
And a airflow shielding member integrally attached to said lift pin in order to prevent the airflow generated below the substrate from being affected by the vacuum during the drying process affecting the substrate around the lift pin.
제 10 항에 있어서, 상기 기류 차폐 부재는, 상기 리프트 핀의 핀 선단보다 소정 거리만큼 낮은 부위로부터 주위를 향하여 날밑 형상으로 이어지는 감압건조장치.The pressure reduction drying apparatus according to claim 10, wherein the airflow shielding member extends in a blade shape toward the circumference from a portion lower by a predetermined distance from the pin tip of the lift pin. 제 10 항에 있어서, 상기 소정 거리가 2mm∼10mm의 범위내인, 감압건조장치.The pressure reduction drying apparatus according to claim 10, wherein the predetermined distance is in a range of 2 mm to 10 mm. 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압건조처리를 실시하는 감압건조장치로서,
상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가진 감압 가능한 챔버와,
상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와,
상기 감압건조처리를 위해서 상기 챔버 내를 밀폐 상태로 진공 배기하는 배기기구와,
상기 감압건조처리를 종료시키기 위해서 상기 챔버 내에 퍼징용 가스를 공급하는 퍼징 기구와,
상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하며 오르내리기 위해서 상기 챔버 안에 이산적으로 배치된 다수의 지지 핀을 가지며, 상기 감압건조처리를 행할 때는 상기 지지 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 기판을 지지하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 지지 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하는 기판 리프트 기구와,
상기 챔버 내의 분위기 온도의 변동을 저감시키기 위해서, 상기 굴림대 반송로 근방에 상기 기판 아래를 덮도록 설치되는 차폐판을 가지는 감압건조장치.
A pressure reducing drying apparatus for performing a vacuum drying treatment on a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed,
A pressure sensitive chamber having a space for accommodating the substrate in a horizontal state;
A conveying mechanism having a roll conveyance path continuous outside and inside of said chamber, and carrying or transferring said substrate to or from said chamber by a roll conveyance on said roll conveyance path;
An exhaust mechanism for evacuating the inside of the chamber in a closed state for the vacuum drying treatment;
A purging mechanism for supplying a purging gas into the chamber to terminate the reduced pressure drying process;
It has a plurality of support pins disposed discretely in the chamber to support the substrate horizontally up and down at the tip of the pin, when the pressure-drying process is performed, the tip of the support pin is higher than the roller conveyance path A substrate lift mechanism for supporting a substrate and carrying the substrate by the conveyance mechanism by lowering the pin tip of the support pin than the roller conveyance path when carrying out the substrate;
And a shielding plate provided to cover the bottom of the substrate in the vicinity of the roller conveyance path in order to reduce fluctuations in the ambient temperature in the chamber.
제 12 항에 있어서, 상기 차폐판이 일정한 높이 위치에 고정되어 설치되는, 감압건조장치.The pressure reduction drying apparatus according to claim 12, wherein the shielding plate is fixedly installed at a constant height position. 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압건조처리를 실시하는 감압건조장치로서,
상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가진 감압 가능한 챔버와,
상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와,
상기 감압건조처리를 위해서 상기 챔버 내를 밀폐 상태로 진공 배기하는 배기기구와,
상기 감압건조처리를 종료시키기 위해서 상기 챔버 내에 퍼징용 가스를 공급하는 퍼징 기구와,
상기 감압건조처리 및 상기 퍼징중의 상기 챔버 내의 분위기 온도를 작게 하기 위해서, 상기 기판 아래를 덮도록 설치되는 차폐판과,
상기 감압건조처리중에 상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하기 위해서 상기 차폐판상에 이산적으로 설치되는 다수의 지지 핀과,
상기 차폐판에 결합되어, 상기 건조 처리를 행할 때는 상기 지지 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 지지 핀에 의한 상기 기판의 지지를 가능하게 하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 지지 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하도록, 상기 차폐판을 승강 이동시키는 차폐판 승강기구를 가지는 감압건조장치.
A pressure reducing drying apparatus for performing a vacuum drying treatment on a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed,
A pressure sensitive chamber having a space for accommodating the substrate in a horizontal state;
A conveying mechanism having a roll conveyance path continuous outside and inside of said chamber, and carrying or transferring said substrate to or from said chamber by a roll conveyance on said roll conveyance path;
An exhaust mechanism for evacuating the inside of the chamber in a closed state for the vacuum drying treatment;
A purging mechanism for supplying a purging gas into the chamber to terminate the reduced pressure drying process;
A shielding plate provided to cover the bottom of the substrate in order to reduce the ambient temperature in the chamber during the vacuum drying and purging;
A plurality of support pins discretely installed on the shielding plate to horizontally support the substrate at the pin tip during the decompression drying process;
Coupled to the shielding plate, the tip of the support pin is made higher than the roller conveyance path when the drying process is performed to enable the support of the substrate by the support pin; And a shielding plate elevating mechanism for moving the shielding plate up and down so that the tip of the pin is lower than the roller conveyance path so that the roller conveyance of the substrate can be carried by the conveying mechanism.
제 12 항 내지 제 14 항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 차폐판이, 상기 지지 핀을 승강 가능하게 관통시키기 위한 제1 개구와, 상기 굴림대 반송로와의 간섭을 피하기 위한 제2 개구를 가지는, 감압건조장치.The said shielding plate has a 1st opening for penetrating the said support pin up and down, and a 2nd opening for avoiding interference with the said roll conveyance path, The said any one of Claims 12-14. Decompression Dryer. 제 12 항 내지 제 14 항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 퍼징 기구는, 상기 굴림대 반송로의 반송면보다 높은 위치에서 상기 퍼징 가스를 분출하는 퍼징 가스 분출부를 가지는, 감압건조장치.The pressure purge drying apparatus according to any one of claims 12 to 14, wherein the purging mechanism has a purging gas ejecting unit that ejects the purging gas at a position higher than a conveying surface of the roller conveying path. 제 16 항에 있어서, 상기 퍼징 가스 분출부의 가스 분출구가, 상기 굴림대 반송로의 반송면보다 20mm∼30mm 높은 위치에 설치되는, 감압건조장치.17. The reduced pressure drying apparatus according to claim 16, wherein a gas ejection port of the purging gas ejection section is provided at a position 20 mm to 30 mm higher than a conveyance surface of the roller conveyance path. 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압건조처리를 실시하는 감압건조장치로서,
상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가진 감압 가능한 챔버와,
상기 감압건조처리를 위해서 상기 챔버 내를 밀폐 상태로 진공 배기하는 배기기구와,
상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와,
상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하며 오르내리기 위해서 상기 챔버 속에 이산적으로 배치된 다수의 지지 핀을 가지며, 상기 감압건조처리를 행할 때는 상기 지지 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 기판을 지지하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 지지 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하는 기판 리프트 기구와,
상기 감압건조처리를 종료시키기 위해서 상기 챔버 내에 퍼징용 가스를 공급하는 퍼징 기구를 구비하고,
상기 퍼징 기구가, 상기 굴림대 반송로보다 높은 위치에서 상기 퍼징 가스를 분출하는 가스 분출부를 가지는, 감압건조장치.
A pressure reducing drying apparatus for performing a vacuum drying treatment on a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed,
A pressure sensitive chamber having a space for accommodating the substrate in a horizontal state;
An exhaust mechanism for evacuating the inside of the chamber in a closed state for the vacuum drying treatment;
A conveying mechanism having a roll conveyance path continuous outside and inside of said chamber, and carrying or transferring said substrate to or from said chamber by a roll conveyance on said roll conveyance path;
It has a plurality of support pins disposed discretely in the chamber to support and move the substrate horizontally at the tip of the pin, and when the decompression drying process is performed, the tip of the support pin is higher than the roller conveyance path A substrate lift mechanism for supporting a substrate and carrying the substrate by the conveyance mechanism by lowering the pin tip of the support pin than the roller conveyance path when carrying out the substrate;
A purging mechanism for supplying a purging gas into the chamber to terminate the reduced pressure drying process,
And the purging mechanism has a gas ejecting section for ejecting the purging gas at a position higher than the roller conveyance path.
제 18 항에 있어서, 상기 퍼징 가스 분출부의 가스 분출구가, 상기 굴림대 반송로의 반송면보다 20mm∼30mm 높은 위치에 설치되는, 감압건조장치.19. The reduced pressure drying apparatus according to claim 18, wherein a gas ejection port of the purging gas ejection section is provided at a position 20 mm to 30 mm higher than a conveyance surface of the roller conveyance path.
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