KR20110029881A - 플라스틱 기판 및 이의 제조방법 - Google Patents

플라스틱 기판 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR20110029881A
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Abstract

플라스틱 기판 및 이의 제조 방법이 제공된다. 이 플라스틱 기판의 제조 방법은 유기 기판 상에 반응성 모노머들을 포함하는 조성물을 도포하는 단계 및 반응성 모노머들을 고분자화하여 보호막을 형성하는 단계를 포함한다. 보호막을 형성하기 위한 반응성 모노머들은 하기의 화학식 1 내지 화학식 3 중 선택될 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112009057080519-PAT00001
<화학식 2>
Figure 112009057080519-PAT00002
<화학식 3>
Figure 112009057080519-PAT00003
플라스틱 기판, 내화학성, 경직성

Description

플라스틱 기판 및 이의 제조방법{PLASTIC SUBSTRATES AND METHODS OF FORMING THE SAME}
본 발명은 플렉서블 기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스틱 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
전자기기 형태의 다양화에 따라 이에 포함되는 구성요소들의 형태 역시 다양하게 변화하고 있다. 예를 들어, 기존의 무기물을 이용한 기판 대신 유기물을 이용한 다양한 기판들이 개발되고 있다.
최근 플렉서블 소자에 대한 관심이 높아짐에 따라, 유기물을 이용한 기판이 더욱 선호되고 있다. 유기물을 이용한 기판은 무기물 기판과 달리 휘어지는 특성이 있어 플렉서블 소자에의 적용이 유리하다. 그러나, 유기물을 이용한 기판의 화학적 및 기계적 특성은 더욱 보완되어야할 필요가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 화학적 안정성 및 기계적 안정성이 개선된 플라스틱 기판 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 기판 손상이 최소화된 플라스틱 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상술한 기술적 과제들을 해결하기 위한 플라스틱 기판 및 이의 제조방법이 제공된다.
본 발명의 실시예에 따른 플라스틱 기판의 제조방법은, 유기 기판 상에 반응성 모노머들을 포함하는 조성물을 도포하는 단계 및 상기 반응성 모노머들을 고분자화하여 보호막을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 반응성 모노머들은 하기의 화학식 1 내지 3 중 선택된 적어도 하나일 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112009057080519-PAT00004
<화학식 2>
Figure 112009057080519-PAT00005
<화학식 3>
Figure 112009057080519-PAT00006
일 실시예에서, 상기 반응성 모노머들을 고분자화하는 단계는 상기 조성물 내에 하기의 화학식 4 및 5 중 선택된 적어도 하나를 첨가하는 것을 더 포함할 수 있다. 하기 화학식 4에서 X는 수소, 탄소수 3개 이하의 알킬기 또는 탄소수 3개 이하의 알케닐기에서 선택될 수 있다.
<화학식 4>
Figure 112009057080519-PAT00007
<화학식 5>
Figure 112009057080519-PAT00008
일 실시예서, 상기 조성물에 하기 화학식 6 내지 화학식 8 중 선택된 적어도 하나를 첨가하는 것을 더 포함할 수 있다. 하기 화학식 6 내지 화학식 8의 R1, R2, 및 R3는, 1 내지 30개의 탄소로 포함하며 말단에 3개 이하의 에폭시 그룹을 포함하는 아로마틱(aromatic) 또는 알리파틱(aliphatic) 그룹 중에서 선택될 수 있다.
<화학식 6>
Figure 112009057080519-PAT00009
<화학식 7>
Figure 112009057080519-PAT00010
<화학식 8>
Figure 112009057080519-PAT00011
일 실시예에서, 상기 조성물은 상기 조성물 내에 분산된 무기 나노 입자들을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 무기 나노 입자들은 상기 조성물 내에서 분산계를 구성한다.
일 실시예에서, 상기 무기 나노 입자들은 100nm이하의 직경을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 조성물 내의 상기 무기 나노 입자들의 함량은 5 내지 40 wt%일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 무기 나노 입자들은 실리콘 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘, 스멕타이트(smectite), 카올리나이트(kaolinite), 딕카이트(dickite), 나크라이트(nacrite), 할로이사이트(halloysite), 안티고라이트(antigorite), 크리소타일(chrysotile), 피로필라이트(pyrophyllite), 몬모릴로나이트(montmorillonite), 헥토라이트(hectorite), 테트라실릴릭마이카, 나트륨테니올라이트, 백운모, 진주운모, 활석, 버미큘라이트(vermiculite), 금운모, 잔소피라이트 및 녹니석 중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 조성물은 습식 공정에 의해 상기 기판 상에 도포될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 습식 공정은 스핀 코팅, 딥 코팅 및 바 코팅 중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 조성물은 중합 개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 중합 개시제는 광 개시제, 열 개시제, 라디칼 개시제 및 산 개시제 중 선택된 적어도 하 나일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판 상에 도포되는 조성물은 상기 반응성 모노머들이 용해되는 유기 용매를 더 포함하되, 상기 유기 용매는 상기 경화단계 동안 또는 상기 경화단계 이후 제거될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 플라스틱 기판은, 유기 기판 및 상기 유기 기판 상의 무기물 및 하기 화학식 1 내지 3 중 적어도 하나를 포함하는 반응성 모노머들에 의해 형성되는 유기 고분자를 포함하는 보호막을 포함한다.
<화학식 1>
Figure 112009057080519-PAT00012
<화학식 2>
Figure 112009057080519-PAT00013
<화학식 3>
Figure 112009057080519-PAT00014
일 실시예에서, 상기 보호막은 상기 보호막 내에 분산된 무기 나노 입자를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 유기 고분자는 하기 화학식 4 및 5 중 선택된 적어도 하나의 모노머를 더 포함하되, 하기 화학식 4에서 X는 수소, 탄소수 3개 이하의 알킬기 또는 탄소수 3개 이하의 알케닐기에서 선택될 수 있다.
<화학식 4>
Figure 112009057080519-PAT00015
<화학식 5>
Figure 112009057080519-PAT00016
일 실시예에서, 상기 유기 고분자는 하기 화학식 6 내지 화학식 8 중 선택된 적어도 하나의 모노머를 더 포함하되, 하기 화학식 6 내지 화학식 8의 R1, R2, 및 R3는, 1 내지 30개의 탄소로 포함하며 말단에 3개 이하의 에폭시 그룹을 포함하는 아로마틱(aromatic) 또는 알리파틱(aliphatic) 그룹 중에서 선택될 수 있다.
<화학식 6>
Figure 112009057080519-PAT00017
<화학식 7>
Figure 112009057080519-PAT00018
<화학식 8>
Figure 112009057080519-PAT00019
일 실시예에서, 상기 보호막의 두께는 0.1㎛ 내지 3㎛이하일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 보호막은 상기 유기 기판의 상부면 및 하부면 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 기판 상에 형성된 보호막에 의해 기판의 내화학성 및 경직성이 보완될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판을 사용하는 소자의 안정성 및 신뢰성이 증가될 수 있다.
이하, 참조된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 플라스틱 기판 및 그 제조방법이 설명된다. 설명되는 실시예들은 본 발명의 사상을 당업자가 용이하게 이해할 수 있도록 제공되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 한정되지 않는다. 본 발명의 실시예들은 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 다른 형태로 변형될 수 있다. 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다. 본 명세서에서 일 구성요소가 다른 구성요소 '상에' 위치한다는 것은 일 구성요소 상에 다른 구성요소가 직접 위치한다는 의미는 물론, 상기 일 구성요소 상에 제3 의 구성요소가 더 위치할 수 있다는 의미도 포함한다. 본 명세서 각 구성요소 또는 부분 등을 제1, 제2 등의 표현을 사용하여 지칭하였으나, 이는 명확한 설명을 위해 사용된 표현으로 이에 의해 한정되지 않는다. 도면에 표현된 구성요소들의 두께 및 상대적인 두께는 본 발명의 실시예들을 명확하게 표현하기 위해 과장된 것일 수 있다.
도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스틱 기판의 제조방법이 설명된다.
보호막용 조성물(132)이 준비된다. 상기 보호막용 조성물(132)을 준비하는 것은, 아크릴레이트계열의 저온 경화형 반응성 모노머들을 고분자화하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 보호막용 조성물(132)을 준비하는 것은, 하기의 화학식 1 내지 화학식 3 중 적어도 하나를 포함하는 반응성 모노머들을 고분자화하는 것을 포함할 수 있다. 상기 반응성 모노머들을 고분자화하기 위해, 하기 화학식 1 내지 화학식 3 중 선택된 반응성 모노머들은 유기 용매에 용해될 수 있다. 상기 유기 용매는 코팅 특성이 우수한 용매 중에서 선택될 수 있다. 이와 달리, 선택되는 상기 반응성 모노머들의 특성에 따라, 상기 유기 용매는 생략될 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112009057080519-PAT00020
<화학식 2>
Figure 112009057080519-PAT00021
<화학식 3>
Figure 112009057080519-PAT00022
일 실시예에서, 상기 반응성 모노머들을 고분자화의 효율성을 높이기 위해 안하이드라이드 계열 및/또는 에폭시 계열의 화합물들이 더 첨가될 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 고분자는 하기의 화학식 4 및 화학식 5 중 선택된 적어도 하나 및 /또는 하기의 화학식 6 내지 화학식 8 중 선택된 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
<화학식 4>
Figure 112009057080519-PAT00023
<화학식 5>
Figure 112009057080519-PAT00024
<화학식 6>
Figure 112009057080519-PAT00025
<화학식 7>
Figure 112009057080519-PAT00026
<화학식 8>
Figure 112009057080519-PAT00027
상기 화학식 4에서 X는 수소, 탄소수 3개 이하의 알킬기 또는 탄소수 3개 이하의 알케닐기에서 선택될 수 있다. 상기 화학식 6 내지 화학식 8에서 상기 R1, R2 및 R3는 탄소수 1 내지 30개의 아로마틱(aromatic) 또는 알리파틱(aliphatic) 그룹에서 선택되되, 상기 아로마틱 또는 알리파틱 그룹은 말단에 3개 이하의 에폭시 그룹을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 보호막용 조성물(132)에 무기 나노 입자(134)가 첨가될 수 있다. 상기 무기 나노 입자(134)는 상기 보호막용 조성물(132) 내에서 분산계를 구성할 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 나노 입자(134)는 상기 유기 고분자와 화학적으로 결합되지 않고, 상기 유기 고분자와 혼합된 상태로 존재할 수 있다.
상기 무기 나노 입자(134)는 가시광선 투광도가 높은 물질들 중에서 선택된 적어도 하나일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 나노 입자(134)는 실리콘 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘, 스멕타이트(smectite), 카올리나이트(kaolinite), 딕카이트(dickite), 나크라이트(nacrite), 할로이사이트(halloysite), 안티고라이트(antigorite), 크리소타일(chrysotile), 피로필라이 트(pyrophyllite), 몬모릴로나이트(montmorillonite), 헥토라이트(hectorite), 테트라실릴릭마이카(tetrasilicicmica), 나트륨테니올라이트(sodiumtaeniolite), 백운모(muscovite), 진주운모(margarite), 활석(talc), 버미큘라이트(vermiculite), 금운모(phlogophite), 잔소피라이트(xanthophyllite) 및 녹니석(chlorite) 중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 무기 나노 입자(134)는 평균 입자 직경이 가시광선의 파장(약 400 내지 700nm)보다 충분히 작을 수 있다. 상기 무기 나노 입자(134)의 평균 입자 직경은 100nm이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 나노 입자(134)의 평균 입자 직경은 50nm이하일 수 있다. 상기 보호막용 조성물(132) 내의 상기 무기 나노 입자(134)의 함량, 즉, 상기 보호막용 조성물(132)과 상기 무기 나노 입자(134)의 총 중량 중 상기 무기 나노 입자(134)의 중량비는 5 내지 40 wt.%일 수 있다.
도 1을 참조하면, 기판(120) 상에 상기 보호막용 조성물(132) 및 무기 나노 입자(134)가 도포된다. 상기 보호막용 조성물(132) 및 무기 나노 입자(134)는 습식 공정에 의해 상기 기판(120) 상에 도포될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호막용 조성물(132)은 스핀 코팅, 딥 코팅 및 바 코팅 중 선택된 적어도 하나의 공정을 수행하여 상기 기판(120) 상에 도포될 수 있다. 상기 보호막용 조성물(132) 및 무기 나노 입자(134)는 습식 공정에 의해 상기 기판(120) 상에 도포됨에 따라, 상기 보호막용 조성물(132)의 도포시 발생할 수 있는 상기 기판(120)의 손상이 최소화될 수 있다.
상기 기판(120)은 유기화합물을 포함하는 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(120)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리 에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리에테르에테르케톤(Polyetheretherketone, PEEK), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리에테르 술폰(polyether sulfone, PES), 폴리아릴라이트(polyarylite) 및 사이클릭 올레핀 코폴리머(cyclic olefin copolymer, COC) 중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 반응성 모노머들이 고분자화되어 보호막(130)이 형성될 수 있다. 상기 고분자화는 상기 반응성 모노머들의 가교 반응에 의해 수행될 수 있다. 상기 반응성 모노머들을 고분자화하기 위해 중합 개시제가 더 첨가될 수 있다. 상기 중합 개시제는 상기 반응 모노머들의 고분자화를 촉진할 수 있다. 상기 중합 개시제는 광 개시제, 열 개시제, 레독스 개시제 및 산 개시제 중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 광개시제는 1-하이드록시-사이크로헥실-펜틸-케톤(1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, Irgacure 907), 2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-모포리노프로판-1-원(2-methyl-1[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropane-1-one, Irgacure 184C), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온 (1-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propane-1-one, Darocur 1173), Irgacure 184C와 벤조페논(benzophenone)의 혼합 개시제(Irgacure 500), 이라가큐어 184C와 이라가큐어 1173의 혼합된 개시제(Irgacure 1000), 2-하이드록시-1-[4-(2-하이드록시에톡시)페닐]-2-메틸-1-프로파논(2-hydroxy-1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-methyl-1propanone, Irgacure 2959), 메틸벤조일포메이트(methylbenzoylformate, Darocur MBF), α,α-다이메톡시-알파-페닐아세토페논(α,α-dimethoxy-α-phenylacetophenone, Irgacure 651), 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-모포리닐)페닐]-1-부타논(2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-[4-(morpholinyl)phenyl]-1-butanone, Irgacure 369), 이라가큐어 369와 이라가큐어 651의 혼합 개시제(Irgacure 1300), 다이페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀 옥사이드(diphenyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phosphine oxide, Darocur TPO), 다로큐어 TPO와 다로큐어 1173의 혼합 개시제(Darocur 4265), 포스핀 옥사이드(phosphine oxide), 페닐 비스(2,4,6,-트리메틸 벤조일)(phenyl bis(2,4,6-trimethyl benzoyl), Irgacure 819), 이라가큐어 819와 다로큐어 1173의 혼합 개시제(Irgacure 2005), 이라가큐어 819와 다로큐어 1173의 혼합 개시제(Irgacure 2010), 이라가큐어 819와 다로큐어 1173의 혼합 개시제(Irgacure 2020), 비스(에타 5-2,4,-사이크로페타디엔-1-일) 비스[2,6-다이프루오르-3-(1H-피롤-1-일)페닐] 티타늄(bis(.eta.5-2,4-cyclopentadien-1-yl) bis[2,6-difluoro-3-(1H-pyrrol-1-yl)phenyl]titanium, Irgacure 784) 및 벤조페논이 함유된 혼합 개시제(HSP 188) 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 상기 열개시제는 벤조일 퍼옥사이드(benzoyl peroxide, BP), 아세틸 퍼옥사이드(acetyl peroxide, AP), 다이아우릴 퍼옥사이드(diauryl peroxide, DP), 다이-터셔리-부틸 퍼옥사이드(di-tert-butyl peroxide, t-BTP), 큐밀 하이드로퍼옥사이드(cumyl hydroperoxide, CHP), 하이드로젼 퍼옥사이드(hydrogen peroxide, HP), 포타슘 퍼옥사이드(potassium peroxide, PP), 2,2'-아조비스아이소부틸로나이트릴 및 (2,2'-azobisisobutyronitrile, AIBN), 아조화합물(azocompound) 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 상기 레독스 개시제는 알킬은(silver alkyls) 및 퍼설페이트 (K2S2O8) 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 보호막용 조성물(132)에 첨가제가 더 첨가될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호막용 조성물(132)에 자외선 안정제, 산화 방지제 및 대전 방지제 중 선택된 적어도 하나가 더 첨가될 수 있다.
상기 기판(120) 상에 도포된 상기 보호막용 조성물(132)이 상기 유기 용매를 포함하는 경우, 상기 유기 용매를 제거하는 공정이 더 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 용매를 제거하는 공정은 상기 보호막용 조성물(132)을 120 내지 150℃의 온도로 가열하는 것을 포함할 수 있다.
상기 보호막(130)의 두께는 0.1㎛이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 보호막(130)의 두께는 1 내지 3 ㎛일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 보호막(130)의 형성 공정은 반복적으로 수행될 수 있다. 상기 보호막(130)의 두께가 조절될 수 있다. 이에 의해 상기 보호막(130)을 포함하는 플라스틱 기판의 두께 및 경직성 등이 필요에 의해 조절될 수 있다.
도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예의 변형예가 설명된다. 도 2를 참조하면, 기판(120)의 하부면 및 상부면 상에 보호막들(110, 130)이 형성될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 상기 보호막들(110, 130)은 상기 기판(120)의 전면을 덮도록 형성될 수 있다. 상기 기판(120) 상의 보호막들(110, 130)은 보호막용 조성물들(112, 132)과 상기 보호막용 조성물들(112, 132) 내에 분산된 무기 나노 입자 들(114, 134)을 포함할 수 있다.
상기 보호막들(110, 130)이 형성되는 위치는 상기 보호막들(110, 130)의 형성방법 및/또는 상기 기판(120)의 용도에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 딥 코팅에 의해 상기 기판(120) 상에 보호막(110, 130)을 형성하는 경우, 상기 기판(120)의 하부면 및 상부면 상에 동시에 상기 보호막(110, 130)이 형성될 수 있다. 이와 달리, 복수의 스핀 코팅 공정을 수행하여 상기 기판(110)의 하부면 및 상부면에 상기 보호막(110)을 형성할 수도 있다.
다시 도 1을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스틱 기판이 설명된다. 앞서 설명된 사항은 생략될 수 있다.
도 1을 참조하면, 기판(120) 상에 보호막(130)이 배치된다. 상기 보호막(130)은 경화된 보호막용 조성물(132)과 상기 보호막용 조성물(132) 내에 분산된 무기 나노 입자들(134)을 포함할 수 있다. 상기 무기 나노 입자들(134)은 상기 보호막용 조성물(132)과 화학적으로 결합하지 않고 혼합된 상태로 상기 보호막(130) 내에 존재할 수 있다.
상기 보호막(130)에 의해 상기 기판(120)의 내화학성이 향상될 수 있다. 구체적으로, 상기 보호막(130)에 의해 상기 기판(120) 내로의 수분 및 산소의 침투가 억제될 수 있다. 이에 의해 상기 기판(120)의 안정성 및 신뢰성이 향상될 수 있다. 또한, 상기 보호막(130)에 의해 상기 기판(120)의 경직성이 향상될 수 있다. 예를 들어, 플라스틱 기판의 경우 두께가 1/2로 감소되는 경우 경직성은 1/8로 감소해 공정의 신뢰성 및 안정성이 크게 저하될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들에 따라, 상기 보호막(130)이 상기 기판(120) 상에 배치되는 경우 상기 기판(120)의 경직성이 향상되어 후속 공정의 신뢰성 및 안정성이 크게 향상될 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 보호막(110, 130)은 도 2에 도시된 바와 같이 상기 기판(120)의 하부면 및 상부면 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(120)의 하부면 및 상부면의 내화학성 및 경직성이 보다 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스틱 기판 및 이의 형성방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라스틱 기판 및 이의 형성방법을 설명하기 위한 도면이다.

Claims (18)

  1. 유기 기판 상에 반응성 모노머들을 포함하는 보호막용 조성물을 도포하는 단계; 및
    상기 반응성 모노머들을 고분자화하여 보호막을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 반응성 모노머들은 하기의 화학식 1 내지 3 중 선택된 적어도 하나의 화학식을 갖는 플라스틱 기판의 제조방법.
    <화학식 1>
    Figure 112009057080519-PAT00028
    <화학식 2>
    Figure 112009057080519-PAT00029
    <화학식 3>
    Figure 112009057080519-PAT00030
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 반응성 모노머들을 고분자화하는 단계는 상기 조성물 내에 하기의 화학식 4 및 5 중 선택된 적어도 하나를 첨가하는 것을 포함하되, 하기 화학식 4에서 X는 수소, 탄소수 3개 이하의 알킬기 또는 탄소수 3개 이하의 알케닐기에서 선택되는 플라스틱 기판의 제조방법.
    <화학식 4>
    Figure 112009057080519-PAT00031
    <화학식 5>
    Figure 112009057080519-PAT00032
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 반응성 모노머들을 고분자화하는 단계는 하기 화학식 6 내지 화학식 8 중 선택된 적어도 하나를 첨가하는 것을 더 포함하되,
    하기 화학식 6 내지 화학식 8의 R1, R2, 및 R3는, 1 내지 30개의 탄소로 포함하며 말단에 3개 이하의 에폭시 그룹을 포함하는 아로마틱(aromatic) 또는 알리파틱(aliphatic) 그룹 중에서 선택되는 플라스틱 기판의 제조방법.
    <화학식 6>
    Figure 112009057080519-PAT00033
    <화학식 7>
    Figure 112009057080519-PAT00034
    <화학식 8>
    Figure 112009057080519-PAT00035
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 조성물은 상기 조성물 내에 분산된 무기 나노 입자들을 더 포함하는 플라스틱 기판의 제조방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 무기 나노 입자들은 상기 조성물 내에서 분산계를 구성하는 플라스틱 기판의 제조방법.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 무기 나노 입자들은 100nm이하의 직경을 갖는 플라스틱 기판의 제조방법.
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 조성물 내의 상기 무기 나노 입자들의 함량은 5 내지 40 wt%인 플라스틱 기판의 제조방법.
  8. 청구항 4에 있어서,
    상기 무기 나노 입자들은 실리콘 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘, 스멕타이트(smectite), 카올리나이트(kaolinite), 딕카이트(dickite), 나크라이트(nacrite), 할로이사이트(halloysite), 안티고라이트(antigorite), 크리소타일(chrysotile), 피로필라이트(pyrophyllite), 몬모릴로나이트(montmorillonite), 헥토라이트(hectorite), 테트라실릴릭마이카, 나트륨테니올라이트, 백운모, 진주운모, 활석, 버미큘라이트(vermiculite), 금운모, 잔소피라이트 및 녹니석 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 플라스틱 기판의 제조방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 조성물은 습식 공정에 의해 도포되는 플라스틱 기판의 제조방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 습식 공정은 스핀 코팅, 딥 코팅 및 바 코팅 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 플라스틱 기판의 제조방법.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 조성물은 중합 개시제를 더 포함하되,
    상기 중합 개시제는 광 개시제, 열 개시제, 라디칼 개시제 및 산 개시제 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 플라스틱 기판의 제조방법.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 상에 도포되는 조성물은 상기 반응성 모노머들이 용해되는 유기 용매를 더 포함하되,
    상기 유기 용매는 상기 고분자화하는 단계 및/또는 상기 고분자화 이후에 제거되는 플라스틱 기판의 제조방법.
  13. 유기 기판;
    상기 유기 기판 상의 무기물 및 하기 화학식 1 내지 3 중 적어도 하나를 포함하는 반응성 모노머들에 의해 형성되는 유기 고분자를 포함하는 보호막을 포함하는 플라스틱 기판.
    <화학식 1>
    Figure 112009057080519-PAT00036
    <화학식 2>
    Figure 112009057080519-PAT00037
    <화학식 3>
    Figure 112009057080519-PAT00038
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 보호막은 상기 보호막 내에 분산된 무기 나노 입자를 더 포함하는 플라스틱 기판.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 유기 고분자는 하기 화학식 4 및 5 중 선택된 적어도 하나의 모노머를 더 포함하되, 하기 화학식 4에서 X는 수소, 탄소수 3개 이하의 알킬기 또는 탄소수 3개 이하의 알케닐기에서 선택되는 플라스틱 기판.
    <화학식 4>
    Figure 112009057080519-PAT00039
    <화학식 5>
    Figure 112009057080519-PAT00040
  16. 청구항 13에 있어서,
    상기 유기 고분자는 하기 화학식 6 내지 화학식 8 중 선택된 적어도 하나의 모노머를 더 포함하되,
    하기 화학식 6 내지 화학식 8의 R1, R2, 및 R3는, 1 내지 30개의 탄소로 포함하며 말단에 3개 이하의 에폭시 그룹을 포함하는 아로마틱(aromatic) 또는 알리파 틱(aliphatic) 그룹 중에서 선택되는 플라스틱 기판.
    <화학식 6>
    Figure 112009057080519-PAT00041
    <화학식 7>
    Figure 112009057080519-PAT00042
    <화학식 8>
    Figure 112009057080519-PAT00043
  17. 청구항 13에 있어서,
    상기 보호막의 두께는 0.1㎛ 내지 3㎛이하인 플라스틱 기판.
  18. 청구항 13에 있어서,
    상기 보호막은 상기 유기 기판의 상부면 및 하부면 상에 배치되는 플라스틱 기판.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104745026B (zh) * 2015-02-11 2016-09-14 长兴艾飞特科技股份有限公司 一种复合型抗菌水性光油的制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5989316A (ja) * 1982-11-12 1984-05-23 Mitsui Toatsu Chem Inc 紫外線硬化ソルダ−レジストインク組成物
JPH0895242A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物、感光性エレメント及びプリント配線板の製造法
US6025017A (en) * 1997-05-21 2000-02-15 Ncr Corporation Photopolymerizable coating formulation for thermal transfer media
US6358601B1 (en) * 1997-07-11 2002-03-19 3M Innovative Properties Company Antistatic ceramer hardcoat composition with improved antistatic characteristics
US6268695B1 (en) * 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
JP4558178B2 (ja) * 2000-11-30 2010-10-06 新日鐵化学株式会社 光又は熱硬化性樹脂組成物及びプリント配線基板
JP4714135B2 (ja) * 2002-03-29 2011-06-29 太陽ホールディングス株式会社 不飽和基含有多分岐化合物、それを含有する硬化性組成物及びその硬化物
KR100791186B1 (ko) * 2003-04-23 2008-01-02 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 광 도파로, 광전기 혼재 기판 및 이 광전기 혼재 기판의제조 방법
US8187726B2 (en) * 2005-08-09 2012-05-29 Sony Corporation Nanoparticle-resin composite material, light emitting device assembly, and filling material for the light-emitting device assembly
DE102006016642A1 (de) * 2006-04-08 2007-10-18 Bayer Materialscience Ag UV-härtende Schutzschicht für thermoplastische Substrate
US20070238804A1 (en) * 2006-04-11 2007-10-11 Encai Ho UV-curable hard coating compositions
JP2008226947A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Seiko Epson Corp 配線基板の製造方法及び製造装置

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