KR20110026244A

KR20110026244A - 고주파 치료 장치 및 방법

Info

Publication number: KR20110026244A
Application number: KR1020090084054A
Authority: KR
Inventors: 표대영
Original assignee: 표대영
Priority date: 2009-09-07
Filing date: 2009-09-07
Publication date: 2011-03-15
Also published as: WO2011028082A2; KR101125200B1; WO2011028082A3

Abstract

본 발명은 고주파 치료 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 다수개의 전극판 중 한 쌍의 전극판 사이에서 발생되는 심부열 영역이 서로 교차하여 인체 내의 유해 조직 상에서만 집중적으로 심부열을 발생시키도록 함으로써, 인체 내의 정상 조직에서는 심부열에 의한 정상 세포의 손상이 발생되지 않으면서 인체 내의 유해 조직에서만 심부열의 증가로 유해 세포를 괴사시키는 고주파 치료 장치 및 방법에 관한 것이다.

고주파, 온열요법, 암치료, 심부열

Description

고주파 치료 장치 및 방법{Treatment Apparatus and Method Using High Frequency Current}

암(Cancer)이란 형질 전환된 하나의 세포로부터 유래된 비정상적인 세포가 통제를 벗어나 무제한 증식하고 확산되어 인체에 엄중한 위해를 주는 질환으로, 현대인의 건강을 위협하여 생명을 잃게 하는 무서운 질병이다.

이러한 암을 치료하는 방법은 암조직을 절제하는 외과적 방법, 암조직에 항암제를 투여하여 암세포를 괴사시키는 방법 및 암조직에 방사선을 쬐어 조직을 파괴하는 방법 등이 널리 사용되고 있다.

암조직을 절제하는 외과적 방법은 초기 암인 경우에는 확실한 치료 방법일 수 있지만, 암이 상당 수준 진행된 경우에는 위험 부담이 크고 암조직의 절제시 주변 정상 조직의 손상이 발생되는 등의 문제가 있으며, 항암제 치료의 경우에도 암이 상당 수준 진행되면 항암제 반응이 약하고 특히 환자의 면역력이 떨어진 허약한 환자들에게 적용하기 어려운 문제가 있다. 방사선 치료는 고 에너지 방사선을 암조직에 조사하여 암세포를 괴사시키는 치료 방법으로 외과적인 수술 없이도 비교적 그 치료 효과가 우수하여 최근 널리 사용되고 있는데, 이러한 방사선 치료는 방사선에 의해 정상 조직의 건강한 세포가 손상되는 부작용이 발생하는 문제가 있다. 특히, 방사선의 조사량이 정상 조직에는 최소화되도록 암조직에 조사되고 있지만, 그럼에도 불구하고 암조직 주변의 정상 조직 등에는 방사선에 의한 부작용이 크게 발생되고 있다.

따라서, 일반적으로 암의 치료 방법은 암의 진행 정도 및 환자의 건강 상태에 따라 여러 가지 다양한 치료 방법이 병행되고 있으며, 최근에는 각각의 치료 방법에 대한 문제점들을 보완하기 위한 많은 연구가 진행되고 있는 추세이다. 이러한 추세에 따라 최근에는 암치료를 위한 온열 요법이 새롭게 연구되고 있다.

암치료를 위한 온열 요법은 암조직에 열을 가하여 암세포를 괴사시키는 치료 방법으로, 모든 암세포는 42 ~ 43℃의 온도에서 생존률이 급격이 저하되는 현상을 이용하여 인위적으로 체내 온도를 상승시켜 암세포를 괴사시키기 위한 치료 방법이다. 그러나 이러한 온열 요법은 체내 온도 상승에 따라 발생할 수 있는 정상 조직 세포에 대한 부작용 없이 암조직 주변의 체내 온도를 국부적으로 상승시키기 어렵 고, 특히 암조직이 체내 깊숙히 위치한 경우에는 그 부위의 체내 온도를 42℃ 이상으로 상승시키기 어렵다는 점 등 주로 체내 온도 상승과 관련된 다양한 문제점들이 있어 실제 암을 치료하는 데에 널리 사용되지 못하고 있는 실정이다.

본 발명은 위에서 언급한 종래 암치료 방법이 가지는 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 목적은 암조직을 포함한 유해 조직에 집중되는 심부열에 의해 유해 조직 세포를 효과적으로 괴사시킬 수 있는 고주파 치료 장치 및 방법을 제공하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 다른 목적은 종래 외과적 수술 방법, 항암제 치료 방법, 방사선 치료 방법이 가지는 휴유증을 최대한 억제하면서 암조직 세포를 괴사시킬 수 있는 고주파 치료 장치 및 방법을 제공하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 또 다른 목적은 정상 조직 세포를 최대한 손상시키지 않으면서 유해 조직 세포만을 괴사시킬 수 있는 고주파 치료 장치 및 방법을 제공하는 것이다.

본 발명에 따른 고주파 치료 장치는 암조직을 포함한 유해 조직의 세포를 괴사시키는데 사용될 수 있으나, 이하에서는 설명의 명료화를 위해 유해 조직을 암조직으로 한정하여 설명한다.

본 발명에 따른 고주파 치료 장치는 고주파 전원과 기준 전원을 발생시키는 고주파 발생기와, 인체의 서로 다른 부위에 접촉되어 있으며 고주파 전원 또는 기준 전원이 인가되어 심부열을 발생시키는 다수개의 전극판 및 다수개의 전극판 중 고주파 전원이 인가되는 1개의 전극판과 기준 전원이 인가되는 1개의 전극판으로 조합된 전극 유닛을 적어도 2개 이상 선택하여 선택된 전극 유닛들에 의해 발생되는 심부열이 인체 내 특정 부위에 교차하여 집중되도록 제어하는 제어부를 구비한다.

이때, 제어부는 선택된 적어도 2개 이상의 전극 유닛의 고주파 전극판에 교대로 고주파 전원을 인가 제어하고 고주파 전원이 인가되는 고주파 전극판과 한 쌍을 이루는 기준 전극판에는 기준 전원이 인가되도록 제어하거나, 선택된 적어도 2개 이상의 전극 유닛의 고주파 전극판에 동시에 고주파 전원을 인가 제어하고 고주파 전원이 인가되는 고주파 전극판과 한 쌍을 이루는 기준 전극판에 기준 전원이 인가되도록 제어한다.

제어부는 선택된 적어도 2개 이상의 전극 유닛에 의해 교대로 또는 동시에 발생되는 심부열에 의해 인체 내 특정 부위의 온도가 암조직 세포를 괴사시킬 수 있는 42도 내지 43로 증가하도록 제어한다.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 치료 방법은 인체 내에 특정 조직에 대한 정보가 입력되는 단계와, 인체의 서로 다른 부위에 접촉하여 고주파 전원을 인가받아 인체 내에 심부열을 발생시키도록 2개가 쌍을 이루며 전극 유닛을 형성하는 다수개의 전극판을 인체에 접촉하도록 배치하는 배치 단계와, 다수개의 전극판을 통해 형성되는 다수개의 전극 유닛 중 각각의 심부열 발생 영역이 특정 조직 상에 교차되게 형성되는 적어도 2개 이상의 전극 유닛을 파악하는 연산 단계 및 연산 단계를 통해서 파악된 적어도 2개 이상의 전극 유닛에 고주파 전원을 인가하는 전원 인가 단계를 포함한다.

본 발명에 따른 고주파 치료 방법 및 장치는 종래 암치료 방법 및 장치와 비교하여 다음과 같은 다양한 효과들을 가진다.

첫째, 본 발명에 따른 고주파 치료 방법 및 장치는 인체에 접촉되어 배치된 다수개의 전극판 중 선택된 한 쌍의 전극판 사이에서 발생되는 심부열을 특정 유해 조직에 집중 발생시킴으로써, 유해 조직의 온도를 증가시켜 유해 조직의 세포를 효과적으로 괴사시킬 수 있다.

둘째, 본 발명에 따른 고주파 치료 방법 및 장치는 유해 조직에 심부열이 교차되어 집중 발생하도록 다수개의 전극판에서 적어도 2개 이상의 전극 유닛을 통해 순차적 또는 동시에 선택함으로써, 인체에 다양한 위치에 존재하는 유해 조직을 효과적으로 선택 괴사시킬 수 있다.

셋째, 본 발명에 따른 고주파 치료 방법 및 장치는 인체에 해로운 외과적 수술이나 항암제, 방사선을 인체에 적용하지 않고 단순히 인체 내 암조직에만 심부열을 집중 발생시킴으로써, 암치료에 따른 휴유증이나 부작용을 최소화시킬 수 있다.

넷째, 본 발명에 따른 고주파 치료 방법 및 장치는 인체 내 유해 조직만을 괴사 온도 이상으로 증가시키는 반면, 유해 조직 주변 세포에는 약한 심부열이 발생하여 유해 조직 주변 세포의 활성화를 도와준다.

다섯째, 본 발명에 따른 고주파 치료 방법 및 장치는 다수개의 전극판의 형상 및 배치 상태를 조절하여 심부열 영역이 교차되는 영역에 유해 조직 이외의 정상 조직이 최소로 포함되도록 함으로써, 교차 영역에서 심부열 증가로 인한 정상 조직의 손상이 최소화되는 효과가 있다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 치료 장치의 구성을 개념적으로 도시한 개념도이다.

일반적으로 고주파 의료 기기는 고주파 전원을 인체에 통전시켜 전기에너지를 생체에너지로 전환하고, 이러한 생체에너지를 이용하여 발생된 심부열을 통하여 지방대사와 근육운동을 촉진시킴으로써 비만치료나 근육강화, 피부관리, 모발촉진 또는 통증완화 등에 사용되는 의료용 기기이다. 고주파 전원은 인체조직에 통전될 때 진동 폭이 매우 짧기 때문에, 이온 운동이 거의 일어나지 않으며 전기화학적 반응 또는 전기 분해 현상이 발생되지 않는다. 이러한 고주파 전원이 인체 내에 통전되면 조직에서 열이 발생하고 이를 심부열이라 하는데, 이러한 심부열이 발생하는 이유는, 고주파의 전기 에너지가 가해지면 전원의 방향이 바뀔 때마다, 조직을 구 성하는 분자들이 진동하면서, 서로 마찰하게 되어 회전운동, 뒤틀림, 충돌운동에 의해 생체열을 발생시키기 때문이다. 따라서, 고주파 전원은 인체 내 불편함이나 근육수축을 일으키지 않으면서, 신체 조직 안의 특정부위를 가열할 수 있으며, 이와 같이 발생된 심부열은 조직의 온도를 상승시켜 세포의 기능을 증진시키고 혈류량을 증가시키는 등의 역할을 한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 치료 장치는 이러한 고주파 전원을 이용하여 인체 내에 심부열을 발생시키고, 암조직이 위치한 국소 부위에서 심부열의 반복을 통해 암세포가 괴사될 수 있는 정도의 온도로 예를 들면 42 ~ 43℃의 온도로 체내 온도를 상승시켜 체내 정상 조직에 대한 부작용 없이 암세포만 괴사되도록 하는 암치료 장치로 사용될 수 있다. 이하에서 암세포를 괴사시키는 42 ~ 43℃의 온도의 온도를 제1 임계값이라 언급한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 치료 장치는 도 1에 도시된 바와 같이 고주파 전원과 기준 전원을 발생시키는 고주파 발생기(100)와, 다수개의 전극판(210a, 210b)이 배치되어 있는 심부열 발생 유닛(200)과, 다수개의 전극판(210a, 210b)들 중 선택된 2개의 전극판이 전극 유닛(210)을 이루도록 다수개의 전극판(210a, 210b) 중 적어도 2개 이상의 전극 유닛(210)을 선택하고 선택한 각 전극 유닛(210)에 고주파 전원 또는 기준 전원을 교대로 또는 동시에 인가하여 인체(B) 내에 심부열이 발생되도록 제어하는 제어부(300)를 포함하여 구성된다.

고주파 발생기(100)는 암치료에 필요한 고주파 전원과 기준 전원을 생성하는 장치로서, 전극 유닛(210)을 형성하는 한 쌍의 전극판(210a, 210b) 중 하나에는 고 주파 전원을 인가하고 나머지 하나에는 기준 전원을 인가하는 방식으로 수행된다. 따라서, 전극 유닛(210)을 형성하는 한 쌍의 전극판(210a, 210b)은 고주파 발생기(100)로부터 고주파 전원을 인가받는 고주파 전극판(210a)과 이에 대응하여 기준 전원을 인가받는 기준 전극판(210b)으로 구성된다.

심부열 발생 유닛(200)에는 다수개의 전극판(210a, 210b)이 전기 절연성을 가지는 직사각형 모양의 플렉서블한 기판(220) 위에 배치되어 있는데, 고주파 치료시 심부열 발생 유닛(200)의 전극판(210a, 210b)은 치료하고자 하는 인체 피부에 접촉하며 심부열 발생 유닛(200)은 인체 내 특정 부위를 둘러싸도록 장착된다. 심부열 발생 유닛(200)은 치료하고자 하는 인체의 형상과 크기에 따라 서로 다른 크기와 형상으로 제작될 수 있다. 예를 들면, 도 2(a)에 도시되어 있는 것과 같이 플렉서블한 기판(220)에 동일한 크기의 전극판(210a, 210b)이 일정 간격 동일하게 이격되게 다수개 배치되는 방식으로 구성될 수도 있고, 도 2(b)에 도시된 바와 같이 서로 다른 크기의 전극판(210a, 210b)이 서로 교번하여 배치되는 방식으로 구성될 수도 있다.

고주파 발생기(100)로부터 전극 유닛(210)에 고주파 전원과 기준 전원이 인가되는 방식을 보다 구체적으로 살펴보면, 다수개의 전극판 중 전극 유닛(210)으로 선택된 2개의 전극판 중 하나의 전극판으로 고주파 전원이 인가되고 다른 하나의 전극판으로 기준 전원이 인가된다. 즉, 전극 유닛으로 선택된 2개의 전극판 중 하나는 고주파 전원이 인가되는 고주파 전극판(210a)으로 동작하며, 다른 하나의 전극판은 기준 전원이 인가되는 기준 전극판으로 동작한다. 이러한 구성에 따라 고 주파 전극판(210a)에 인가되는 고주파 전원의 극성이 양극과 음극 사이에서 변화되면 기준 전극판(210b)에 인가되는 기준 전원과 고주파 전원의 극성 차이로 인하여 인체(B) 내에서는 고주파 전극판(210a)과 기준 전극판(210b) 사이에 심부열이 발생된다.

이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 다수개의 전극판(210a,210b)은 제어부(300)를 통해 고주파 전원이 인가되는 고주파 전극판(210a)과 기준 전원이 인가되는 기준 전극판(210b)으로 선택적으로 사용될 수 있도록 구성되는 것이 바람직하지만, 이와 달리 사용자의 필요에 따라 다수개의 전극판 중 고주파 전원만이 인가되는 고주파 전극판(210a)와 기준 전원만이 인가되는 기준 전극판(210b)이 서로 분리되어 사용될 수 있다.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 치료 장치의 동작 상태 및 원리를 살펴본다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 치료 장치의 동작 상태를 개념적으로 도시한 개념도이다.

도 3을 참고로 본 발명에 따른 고주파 치료 장치의 기본적인 동작 상태를 살펴보면, 심부열 발생 유닛(200)에 장착되어 있는 다수개의 전극판들 중 한 쌍을 이루는 고주파 전극판(210a)과 기준 전극판(210b)이 전극 유닛(210)을 형성하고, 이러한 전극 유닛(210)을 형성하는 고주파 전극판(210a)과 기준 전극판(210b)은 인체(B)에서 심부열을 발생하도록 인체(B)의 피부에 접촉되어 배치된다. 전극 유 닛(210)을 구성하는 고주파 전극판(210a)로 고주파 전원이 인가되고 고주파 전극판(210a)에 대응하는 기준 전극판(210b)로 기준 전원이 인가되는 경우, 인체(B)에 접촉 배치된 한 쌍의 전극판(210a,210b) 사이에서는 심부열이 발생하게 된다. 이하에서 전극 유닛(210)을 구성하는 한 쌍의 전극판(210a, 210b) 사이에서 심부열이 발생하는 영역을 심부열 발생 영역(P)이라 언급한다.

제어부(300)의 제어에 따라 다수개의 전극판들 중 인체 내 암 조직(C)이 위치하는 부위에 제1 심부열 발생 영역(①)이 형성되도록 제1 전극 유닛을 선택하고, 다시 인체 내 암 조직(C)이 위치하는 부위로로 제2 심부열 발생 영역(②)이 형성되도록 제2 전극 유닛을 선택하고, 다시 인체 내 암 조직(C)이 위치하는 부위로 제3 심부열 발생 영역(③)이 형성되도록 제어함으로써, 제1 내지 제3 심부열 발생 영역이 교차하는 영역(Q)에서는 주변 영역보다 더 높은 심부열이 발생되게 된다. 따라서 제1 내지 제3 심부열 발생 영역이 교차하는 부위에 위치하는 암 조직(C)은 제1 임계값 이상으로 온도가 증가하여 괴사하게 된다.

제1 심부열 발생 영역 내지 제3 심부열 발생 영역(①②③)이 형성되는 방식의 일 예를 살펴보면, 제어부(300)는 제1 심부열 발생 영역(①)에서 심부열을 발생시키는 제1 전극 유닛, 제2 심부열 발생 영역(②)에서 심부열을 발생시키는 제2 전극 유닛 및 제3 심부열 발생 영역(③)에서 심부열을 발생시키는 제3 전극 유닛을 순차적으로 또는 교대로 선택한다. 순차적으로 또는 교대로 선택된 제1 전극 유닛 내지 제3 전극 유닛에 의해 발생되는 심부열이 상호 교차하는 인체 내 영역(Q)은 다른 영역보다 더 높은 온도로 상승하게 된다. 이로 인하여 심부열이 교차하는 인체 내 영역(Q)에 암조직(C)이 위치하는 경우, 암조직(C)의 온도를 제1 임계값 이상으로 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 제어부(300)는 제1 전극 유닛, 제2 전극 유닛, 제3 전극 유닛의 순으로 순차적으로 반복 선택하여 심부열을 발생시키거나 제1 전극 유닛, 제2 전극 유닛, 제1 전극 유닛, 제3 전극 유닛 등과 같이 교대로 선택하여 심부열을 발생시킨다.

제1 심부열 발생 영역 내지 제3 심부열 발생 영역이 형성되는 방식의 다른 예를 살펴보면, 제어부(300)는 제1 심부열 발생 영역(①)에서 심부열을 발생시키는 제1 전극 유닛, 제2 심부열 발생 영역(②)에서 심부열을 발생시키는 제2 전극 유닛 및 제3 심부열 발생 영역(③)에서 심부열을 발생시키는 제3 전극 유닛을 동시에 선택한다. 동시에 선택된 제1 전극 유닛 내지 제3 전극 유닛에 의해 발생되는 심부열이 상호 교차하는 인체 내 영역(Q)은 다른 영역보다 더 높은 온도로 상승하게 된다. 이로 인하여 심부열이 교차하는 인체 내 영역(Q)에 암조직(C)이 위치하는 경우, 암조직(C)의 온도를 제1 임계값 이상으로 증가시킬 수 있다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 치료 장치에서 암조직의 위치에 따라 심부열의 발생 위치를 제어하는 방법의 일 예를 도시하고 있다.

도 4(a)를 참고로, 인체(B) 내 암조직(C)이 오른쪽으로 치우쳐 위치하는 경우, 제어부(300)는 심부열 발생 유닛(200)에 장착되어 있으며 인체(B)의 피부에 접촉되어 있는 다수개의 전극판(210a, 210b)들 중 인체(B) 내 암조직(C)에 교차하여 심부열을 발생시키는 제1 전극 유닛 내지 제3 전극 유닛을 선택한다. 다수개의 전극판(210a, 210b)들 중 인체(B) 내 암조직(C)에 교차하여 심부열을 발생시키는 전극 유닛의 수는 암조직에 가하려고 하는 설정 온도, 암조직의 위치에 따라 다르게 선택 제어될 수 있다. 바람직하게, 인체(B) 내 암조직(C)이 오른쪽으로 치우쳐 위치하는 경우, 제어부(300)는 다수개의 전극판(210a, 210b)들 중 인체(B)의 오른쪽 피부에 접촉되어 있는 전극판들, 즉 인체(B) 내 암조직(C)에 가깝게 위치하는 전극판들로 구성된 전극 유닛을 선택하여 인체(B) 내 암조직(C)으로 심부열을 발생시킨다. 인체(B) 내 암조직(C)이 위치하는 영역에 가깝게 위치하는 전극판(210a,210b)으로 전극 유닛을 구성함으로써, 보다 높은 심부열이 인체(B) 내 암조직(C)에 교차하여 발생할 수 있다.

도 4(b)를 참고로, 인체(B) 내 암조직(C)이 왼쪽으로 치우쳐 위치하는 경우, 제어부(300)는 심부열 발생 유닛(200)에 장착되어 있으며 인체(B)의 피부에 접촉되어 있는 다수개의 전극판(210a, 210b)들 중 인체(B) 내 암조직(C)에 교차하여 심부열을 발생시키는 제1 전극 유닛 내지 제3 전극 유닛을 선택한다. 바람직하게, 인체(B) 내 암조직(C)이 왼쪽으로 치우쳐 위치하는 경우, 제어부(300)는 다수개의 전극판(210a, 210b)들 중 인체(B)의 왼쪽 피부에 접촉되어 있는 전극판들, 즉 인체(B) 내 암조직(C)에 가깝게 위치하는 전극판들로 구성된 전극 유닛을 선택하여 인체(B) 내 암조직(C)으로 심부열을 발생시킨다. 인체(B) 내 암조직(C)이 위치하는 영역에 가깝게 위치하는 전극판(210a,210b)으로 전극 유닛을 구성함으로써, 보다 높은 심부열이 인체(B) 내 암조직(C)에 교차하여 발생할 수 있다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 치료 장치에서 암조직의 위치에 따라 심부열의 발생 위치를 제어하는 방법의 다른 예를 도시하고 있다. 도 5에 도시되어 있는 심부열 발생 유닛(200)에는 동일한 크기의 전극판(210a, 210b)이 일정 간격 이격되게 다수개 배치되어 있는데, 배치되어 있는 전극판(210a, 210b)의 크기는 도 3에서 설명한 심부열 발생 유닛(200)에 배치되어 있는 전극판(210a, 210b)의 크기보다 상대적으로 작다.

먼저 도 5(a)를 참고로 살펴보면, 인체(B) 내 암조직(C)이 오른쪽으로 치우쳐 위치하고 있으며 인체(B) 내 암조직(C)의 크기가 비교적 작은 경우, 제어부(300)는 심부열 발생 유닛(200)에 장착되어 있으며 인체(B)의 피부에 접촉되어 있는 다수개의 전극판(210a, 210b)들 중 인체(B) 내 암조직(C)에 교차하여 심부열을 발생시키는 제1 전극 유닛 내지 제4 전극 유닛을 선택한다. 다수개의 전극판(210a, 210b)들 중 인체(B) 내 암조직(C)에 교차하여 심부열을 발생시키는 전극 유닛의 수는 암조직(C)에 가하려고 하는 설정 온도, 암조직의 위치와 크기에 따라 다르게 선택 제어될 수 있다. 바람직하게, 인체(B) 내 암조직(C)이 오른쪽으로 치우쳐 위치하는 경우, 제어부(300)는 다수개의 전극판(210a, 210b)들 중 인체(B)의 오른쪽 피부에 접촉되어 있는 전극판들, 즉 인체(B) 내 암조직(C)에 가깝게 위치하는 전극판들로 구성된 전극 유닛을 선택하여 인체(B) 내 암조직(C)으로 심부열을 발생시킨다. 인체(B) 내 암조직(C)이 위치하는 영역에 가깝게 위치하는 전극판(210a,210b)으로 전극 유닛을 구성함으로써, 보다 높은 심부열이 인체(B) 내 암조직(C)에 교차하여 발생할 수 있다. 더욱이 암조직(C)의 크기가 비교적 작은 경 우 작은 크기의 전극판(210a, 210b)이 장착되어 있는 심부열 발생 유닛(200)을 사용함으로써, 선택된 제1 전극 유닛 내지 제4 전극 유닛에 의해 발생되는 심부열의 교차 영역(Q)을 암조직(C)의 크기에 대응하는 크기로 제한할 수 있으며 암조직 주변 영역의 정상적인 조직의 손상을 최소화시킬 수 있다.

도 5(b)를 참고로 살펴보면, 인체(B) 내 암조직(C)이 왼쪽으로 치우쳐 위치하고 있으며 인체(B) 내 암조직(C)의 크기가 비교적 작은 경우, 제어부(700)는 심부열 발생 유닛(200)에 장착되어 있으며 인체(B)의 피부에 접촉되어 있는 다수개의 전극판(210a, 210b)들 중 인체(B) 내 암조직(C)에 교차하여 심부열을 발생시키는 제1 전극 유닛 내지 제4 전극 유닛을 선택한다. 바람직하게, 인체(B) 내 암조직(C)이 왼쪽으로 치우쳐 위치하는 경우, 제어부(300)는 다수개의 전극판(210a, 210b)들 중 인체(B)의 왼쪽 피부에 접촉되어 있는 전극판들, 즉 인체(B) 내 암조직(C)에 가깝게 위치하는 전극판들로 구성된 전극 유닛을 선택하여 인체(B) 내 암조직(C)으로 심부열을 발생시킨다. 인체(B) 내 암조직(C)이 위치하는 영역에 가깝게 위치하는 전극판(210a,210b)으로 전극 유닛을 구성함으로써, 보다 높은 심부열이 인체(B) 내 암조직(C)에 교차하여 발생할 수 있다. 더욱이 암조직(C)의 크기가 비교적 작은 경우 작은 크기의 전극판(210a, 210b)이 장착되어 있는 심부열 발생 유닛(200)을 사용함으로써, 선택된 제1 전극 유닛 내지 제4 전극 유닛에 의해 발생되는 심부열의 교차 영역(Q)을 암조직(C)의 크기에 대응하는 크기로 제한할 수 있으며 암조직 주변 영역의 정상적인 조직의 손상을 최소화시킬 수 있다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 치료 장치에서 암조직의 위치에 따라 심부열의 발생 위치를 제어하는 방법의 또 다른 예를 도시하고 있다.

도 6을 참고로 살펴보면, 심부열 발생 유닛(200)에는 서로 다른 크기를 가지는 다수개의 전극판(210a, 210b)이 교번하여 배치되어 있으며, 다수개의 전극판(210a, 210b)은 등간격 또는 서로 다른 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 제어부(300)는 심부열 발생 유닛(200)에 장착되어 있으며 인체(B)의 피부에 접촉되어 있는 다수개의 전극판(210a, 210b)들 중 인체(B) 내 암조직(C)에 교차하여 심부열을 발생시키는 제1 전극 유닛 내지 제3 전극 유닛을 선택한다. 선택되는 전극 유닛의 조합과 수는 인체(B) 내 위치하는 암조직(C)의 위치와 모양에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 제어부는 인체(B) 내 존재하는 암조직(C)의 위치가 인체(B) 내 중앙이며 암조직(C)의 모양이 세로로 긴 경우, 이러한 위치와 모양의 암조직(C)에 심부열을 교차하여 발생시키는 제1 전극 유닛 내지 제3 전극 유닛을 선택한다. 선택된 제1 전극 유닛 내지 제3 전극 유닛에 의해 제1 심부열 발생 영역 내지 제3 심부열 발생 영역(①②③)이 암조직(C)에 교차되도록 형성되며, 선택된 제1 전극 유닛 내지 제3 전극 유닛에 의해 발생되는 심부열이 교차하는 영역(Q)을 암조직(C)의 크기에 대응하는 크기로 제한할 수 있다. 암조직(C)이 길게 형성된 경우와 같이 더욱 다양한 형태의 암조직(C)에 대응하여 더욱 정확한 교차 영역(Q)을 형성할 수 있고 이에 따라 정상 조직의 손상을 최소화시키면서, 안전하고 효율적으로 암조직(C)만을 괴사시킬 수 있다.

앞서 도 4 내지 도 6을 참고로 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 고주파 치료 장치는 심부열 발생 영역(P)이 암조직(C) 상에 서로 교차되게 형성되도록 하여 암조직(C) 상에서 심부열 발생 영역(P)의 반복 또는 중첩에 의한 심부열의 증가로 암세포를 괴사시킨다. 이 경우 교차 영역(Q)에서 서로 다른 전극 유닛(200)에 의해 발생하는 심부열이 반복 또는 중첩됨에 따라 교차 영역(Q)에서 심부열이 계속적으로 증가하여 교차 영역(Q)에 위치하는 암세포를 괴사시킬 수 있다. 또한 본 발명에 따른 고주파 치료 장치는 인체(B) 내의 정상 조직에 손상이 없을 정도로 발생되는 약한 심부열을 교차 영역(Q)인 암조직(C) 상에서만 반복되게 발생시켜 심부열을 증가시킴으로써, 정상 조직에서 발생되는 약한 심부열은 세포 활성화에 도움을 주는 반면 암조직(C)의 암세포만 선택적으로 괴사시킬 수 있다.

도 7은 본 발명에 따른 제어부를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도면이다.

도 7을 참고로 살펴보면, 암조직의 위치와 모양 등과 같은 암조직에 대한 정보가 연산부(310)로 입력되면, 연산부(310)는 연산 데이터 저장부(320)에 저장되어 있는 데이터를 이용하여 암조직의 위치 또는 모양에 따라 암조직에 교차되는 심부열을 발생시키기 위한 전극 유닛을 선택한다. 암조직에 대한 정보는 사용자 인터페이스(미도시)를 통해 사용자에 의해 직접 입력되거나 인체 내 암조직을 촬영한 화면에서 사용자가 치료하고자 하는 부위를 특정함으로써 자동으로 입력될 수 있다. 연산 데이터 저장부(320)에는 암조직에 대한 정보에 따라 심부열 발생 유닛의 종류, 선택되어야 하는 전극 유닛의 조합, 선택된 전극 유닛에서 심부열을 발생하는 순서, 각 전극 유닛에 의해 발생되는 심부열의 발생 시간 등에 대한 정보가 저장되어 있다. 따라서 연산부(310)는 암조직에 대한 정보가 입력되는 경우, 입력된 암조직에 대한 정보에 가장 상응하는 연산 데이터를 추출한다. 본 발명이 이용되는 분야에 따라 사용자가 직접 암조직의 위치 또는 모양에 따라 전극 유닛의 수와 선택되는 전극 유닛의 조합, 선택된 전극 유닛에서 심부열을 발생하는 순서, 심부열의 발생 시간 등에 대한 정보를 설정할 수 있다.

선택 제어부(330)는 연산부(310)에서 추출한 연산 데이터 또는 또는 사용자에 의해 설정된 정보에 따라 다수개의 전극판들 중 전극 유닛을 선택하고, 선택한 전극 유닛을 통해 정해진 순서와 시간 동안 심부열을 발생시키도록 전극 유닛의 각 고주파 전극판과 기준 전극판에 각각 고주파 전원과 기준 전원을 제공하도록 제어한다. 스위치부(340)는 다수개의 전극판 각각과 고주파 발생기를 접속 제어하기 위한 스위치가 장착되어 있으며, 선택 제어부(330)의 제어에 따라 고주파 발생기에서 생성된 고주파 전원 또는 기준 전원를 고주파 전극판 또는 기준 전극판으로 제공한다.

도 8은 본 발명에 따른 심부열 발생 유닛의 다른 예를 도시하고 있는 도면이다.

도 8을 참고로 살펴보면, 본 발명에 따른 심부열 발생 유닛은 다수개의 전극판(210a,210b)이 인체(B)의 둘레를 따라 인체(B)에 접촉하도록 배치되는데, 이를 위해 본 발명의 일 실시예에 따라 다수개의 전극판(210a,210b)을 인체(B)에 접촉 및 접촉 해제시키는 별도의 장착 아암부(250)가 구비될 수 있다. 좀 더 자세히 살펴보면, 도 8에 도시된 바와 같이 다수개의 전극판(210a,210b)은 인체(B)에 접촉 및 접촉 해제될 수 있도록 각각 별도의 장착 아암부(250)에 결합될 수 있고, 이러한 장착 아암부(250)는 원형 프레임(230)의 외주면을 따라 고정 장착되어 있다. 이러한 원형 프레임(230)의 중심축 방향으로 치료 대상인 인체(B)가 위치하도록 구성될 수 있다. 장착 아암부(250)는 사람마다 서로 상이한 인체의 둘레, 치료하고자 하는 서로 상이한 부위에 따라 다수개의 전극판(210a, 210b)를 상하 운동시켜 인체(B) 피부에 정확하게 접촉시킨다. 장착 아암부(250)는 별도의 모터와 기어 등과 같은 다양한 기계 요소를 통해 다양하게 구성될 수 있다. 바람직하게, 장착 아암부(250)는 전극판(210a, 210b)과 피부의 접촉 상태를 감지하기 위한 감지 수단을 더 포함할 수 있다.

제어부(300)는 장착 아암부(250)를 선택적으로 작동시켜 선택된 전극판(210a,210b)만 또는 모든 전극판(210a, 210b)을 인체(B)에 접촉되도록 이동 제어한다.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 치료 방법의 동작 흐름을 나타내는 동작흐름도이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 치료 방법은 전술한 고주파 치료 장치를 이용한 것으로, 도 9에 도시된 바와 같이 먼저 인체 내에 암조직에 대한 정보가 입력되면(S1), 입력된 암조직 정보에 따라 암조직의 주변에 예를 들면 암조직이 위치하는 가상 평면상에서 인체의 둘레를 따라 배치되도록 다수개의 전극판(210a,210b)을 배치한다(S2). 이때, 전극 유닛은 인체의 서로 다른 부위에 접촉하여 고주파 전원이 인가되는 고주파 전극판(220a)과 기준 전원이 인가되는 기준 전극판(210b)으로 한 쌍을 이루며, 한 쌍의 전극판(210a,210b) 사이에서 인체 내에 심부열을 발생시킨다. 또한 이러한 전극 유닛(210)은 한 쌍의 전극판(210a,210b)을 상호 직선 연결하는 영역에서 심부열이 집중 발생되는 심부열 발생 영역(P)을 형성한다. 이와 같은 다수개의 전극판(210a,210b)을 배치하는 방법은 전술한 바와 같이 별도의 원형 프레임(500) 및 장착 아암부(400) 등을 통해 수행될 수 있다.

다음으로, 다수개의 전극판(210a,210b)을 배치한 상태에서, 다수개의 전극판(210a,210b)을 통해 형성되는 다수개의 전극 유닛(210) 중 각각의 심부열 발생 영역(P)이 하나의 암조직 상에 교차되게 형성되는 적어도 2개 이상의 전극 유닛(210)을 선택한다(S3). 이러한 전극 유닛(210)을 선택하기 위한 연산 단계(S3)는 암조직의 위치 및 전극 유닛(210)의 위치에 따라 다양한 선택 조합을 연산하는 방식으로 수행되는데, 이러한 다양한 선택 조합은 입력된 환자 암조직의 위치와 크기 또는 선택하고자 하는 교차 영역(Q)의 크기와 위치에 따라 제어부(300)를 통해 수행될 수 있을 것이다.

마지막으로, 이러한 연산 단계(S3)를 통해 파악된 적어도 2개 이상의 전극 유닛(200)의 고주파 전극판(210a)과 기준 전극판(210b)에 각각 고주파 전원과 기준 전원을 인가하는데(S4), 이러한 고주파 전원과 기준 전원의 인가를 통해 심부열 발생 영역(P)이 암조직 상에서 교차 또는 중첩 반복적으로 형성되도록 하여 암조직 상에서 심부열이 증가하고, 이에 따라 암조직의 암세포를 괴사시키는 방식으로 진행된다. 이때, 고주파 전원과 기준 전원을 인가하는 방식은 본 발명의 일 실시예 에 따라 적어도 2개 이상의 전극 유닛(210)의 고주파 전극판(210a)과 기준 전극판(210b)에 각각 고주파 전원과 기준 전원이 교대로 인가되는 방식으로 수행되며, 이에 따라 심부열 발생 영역이 모두 교차하는 암조직 상에서 심부열이 교차 반복 형성되어 심부열이 증가될 수 있을 것이다. 또한, 이러한 전원 인가 단계(S4)에서 적어도 2개 이상의 전극 유닛(210)의 고주파 전극판(210a)과 기준 전극판(210b)에 동시에 고주파 전원과 기준 전원이 인가되는 방식으로 수행되며, 이에 따라 심부열 발생 영역(P)이 교차하는 영역에서 반복되어 형성됨에 따라 심부열이 증가될 수 있다.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 예를 들어 다수개의 전극판의 크기나 모양 또는 다수개의 전극판에서 선택된 전극 유닛의 조합과 선택된 전극 유닛의 동작 순서의 제어는 암조직의 크기나 위치 및 시술 조건 등을 고려하여 다양하게 선택될 수 있다. 또한 본 발명에 따른 고주파 치료 장치는 암조직 뿐만 아니라 인체 내 특정 조직의 세포만을 괴사시킬 필요가 있는 경우 다양하게 사용될 수 있다.

따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하 여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

도 2는 본 발명에 따른 심부열 발생 유닛의 다양한 예를 도시하고 있다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 치료 장치에서 암조직의 위치에 따라 심부열의 발생 위치를 제어하는 방법의 다른 예를 도시하고 있다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100: 고주파 발생기 200: 심부열 발생 유닛

210: 전극 유닛 210a, 210b: 전극판

230: 원형 프레임 250: 장착 아암부

300: 제어부 310: 연산부

320: 연산 데이터 저장부 330: 선택 제어부

340: 스위치부

Claims

고주파 전원과 기준 전원을 발생시키는 고주파 발생기;

인체의 서로 다른 부위에 접촉되어 있으며 상기 고주파 전원 또는 기준 전원이 인가되어 심부열을 발생시키는 다수개의 전극판; 및

상기 다수개의 전극판 중 고주파 전원이 인가되는 1개의 전극판과 기준 전원이 인가되는 1개의 전극판으로 조합된 전극 유닛을 적어도 2개 이상 선택하여 상기 선택된 전극 유닛들에 의해 발생되는 심부열이 인체 내 특정 유해 조직에 교차하여 집중되도록 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파 치료 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 제어부는

상기 선택된 적어도 2개 이상의 전극 유닛의 고주파 전극판에 교대로 고주파 전원을 인가 제어하고 상기 고주파 전원이 인가되는 고주파 전극판과 한 쌍을 이루는 기준 전극판에는 기준 전원이 인가되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 고주파 치료 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 제어부는

상기 선택된 적어도 2개 이상의 전극 유닛의 고주파 전극판에 동시에 고주파 전원을 인가 제어하고, 상기 고주파 전원이 인가되는 고주파 전극판과 한 쌍을 이루는 기준 전극판에 기준 전원이 인가되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 고주파 치료 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제어부는

상기 선택된 적어도 2개 이상의 전극 유닛에 의해 교대로 또는 동시에 발생되는 심부열에 의해 상기 인체 내 특정 부위의 온도가 제1 임계값 이상으로 증가되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 고주파 치료 장치.
제 4 항에 있어서, 상기 인체 내 유해 조직은

암세포로 이루어직 조직인 것을 특징으로 하는 고주파 치료 장치.
제 4 항에 있어서,

상기 다수개의 전극판의 면적은 서로 동일한 것을 특징으로 하는 고주파 치료 장치
제 4 항에 있어서,

상기 다수개의 전극판의 면적은 서로 상이한 것을 특징으로 하는 고주파 치료 장치.
제 4 항에 있어서,

상기 다수개의 전극판은 서로 동일한 이격 거리로 떨어져 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 치료 장치.
제 4 항에 있어서,

상기 제어부의 선택 제어 명령에 따라 상기 다수개의 전극판 중 선택된 전극판을 인체에 접촉 및 접촉 해제시키는 장착 아암부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 치료 장치.
인체 내에 특정 유해 조직에 대한 정보가 입력되는 단계;

인체의 서로 다른 부위에 접촉하여 고주파 전원을 인가받아 인체 내에 심부열을 발생시키도록 2개가 쌍을 이루며 전극 유닛을 형성하는 다수개의 전극판을 인체에 접촉하도록 배치하는 배치 단계;

상기 다수개의 전극판을 통해 형성되는 다수개의 전극 유닛 중 각각의 심부열 발생 영역이 상기 유해 조직 상에 교차되게 형성되는 적어도 2개 이상의 전극 유닛을 선택하는 연산 단계;

상기 연산 단계를 통해서 선택된 적어도 2개 이상의 전극 유닛에 고주파 전원과 기준 전원을 인가하는 전원 인가 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 치료 방법.
제 10 항에 있어서, 상기 유해 조직은

인체 내 위치하는 암조직인 것을 특징으로 하는 고주파 치료 방법.