KR20110025137A - Apparatus for treating substrates and method of treating substrates - Google Patents
Apparatus for treating substrates and method of treating substrates Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110025137A KR20110025137A KR1020100085441A KR20100085441A KR20110025137A KR 20110025137 A KR20110025137 A KR 20110025137A KR 1020100085441 A KR1020100085441 A KR 1020100085441A KR 20100085441 A KR20100085441 A KR 20100085441A KR 20110025137 A KR20110025137 A KR 20110025137A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- board
- processing liquid
- width direction
- nozzle body
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Spray Control Apparatus (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 액정 표시 장치 등에 이용되는 유리제(製)의 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판의 처리 장치 및 처리 방법에 관한 것이다.This invention relates to the processing apparatus and processing method of the board | substrate which process the glass substrate used for a liquid crystal display device etc. with a processing liquid.
액정 표시 장치에 이용되는 유리제의 기판에는 회로 패턴이 형성된다. 기판에 회로 패턴을 형성하기 위해서는 리소그래피 프로세스가 채용된다. 리소그래피 프로세스는 주지된 바와 같이 상기 기판에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트에 회로 패턴이 형성된 마스크를 통해 광을 조사한다.The circuit pattern is formed in the glass substrate used for a liquid crystal display device. Lithographic processes are employed to form circuit patterns on the substrate. The lithographic process applies a resist to the substrate as is well known and irradiates light through a mask in which a circuit pattern is formed on the resist.
다음에, 레지스트의 광이 조사되지 않는 부분 또는 광이 조사된 부분을 제거하고, 기판의 레지스트가 제거된 부분을 에칭하는 등의 일련의 공정을 복수회 반복함으로써 상기 기판에 회로 패턴을 형성한다.Subsequently, a circuit pattern is formed on the substrate by repeating a series of steps, such as removing portions of the resist to which light is not irradiated or portions to which light is irradiated, and etching portions of the substrate from which the resist is removed.
이러한 리소그래피 프로세스에서는, 상기 기판에 에칭액 또는 에칭 후에 레지스트를 제거하는 박리액, 또한 레지스트 제거 후에 기판을 세정하기 위한 세정액 등의 처리액에 의해 기판을 처리하는 공정이 필요하게 된다.In such a lithography process, the substrate is required to be treated with an etching solution or a stripping solution for removing resist after etching, or a processing liquid such as a cleaning solution for cleaning the substrate after removing the resist.
기판의 판면을 처리액에 의해 처리하는 경우, 예컨대 기판을 반송 롤러에 의해 미리 정해진 방향으로 반송하며, 반송 도중에 기판의 상측에 위치하는 노즐체로부터 상기 처리액을 분사하여 기판을 처리한다고 하는 일이 행해지고 있다.When processing the plate surface of a board | substrate with a process liquid, for example, conveying a board | substrate to a predetermined direction with a conveyance roller, and spraying the said process liquid from the nozzle body located in the upper side of a board | substrate in the middle of conveyance may process a substrate. It is done.
상기 노즐체는, 기판의 반송 방향 및 반송 방향과 교차하는 방향에 대하여 각각 미리 정해진 간격으로 배치되어 있다. 그리고, 상기 노즐체로부터는, 통상, 처리액을 원형 패턴으로 분사하며, 기판의 판면에 처리액이 분사되지 않은 부분이 생기지 않도록 하기 위해, 처리액이 인접하는 원형 패턴을 래핑시킨다고 하는 일이 행해지고 있다.The said nozzle bodies are arrange | positioned at predetermined intervals with respect to the direction which intersects the conveyance direction and conveyance direction of a board | substrate, respectively. And the said nozzle body is normally said to wrap the circular pattern which adjoins a process liquid in order to spray process liquid in a circular pattern, and to prevent the part which process liquid is not sprayed on the board surface of a board | substrate. .
특허문헌 1에는 처리액을 원형의 패턴으로 분사하여 기판 상에서 래핑시키는 것이 개시되고, 특허문헌 2에는 처리액을 사각형의 패턴으로 분사하여 기판 상에서 래핑시키는 것이 개시되어 있다.
그런데, 처리액의 패턴이 기판의 판면에서 래핑하도록 처리액을 노즐체로부터 분사시키면, 패턴이 래핑하지 않는 경우에 비해 처리액의 사용량이 증대한다고 하는 경우가 있어, 비용적으로 바람직하지 않다고 하는 일이 있다. 더구나, 패턴이 래핑하는 부분과, 래핑하지 않는 부분에서는 처리액의 공급량이 다르기 때문에, 처리액에 의한 처리가 균일하게 행해지지 않는다고 하는 일도 있다.By the way, when the processing liquid is injected from the nozzle body so that the pattern of the processing liquid wraps on the plate surface of the substrate, the amount of the processing liquid may be increased as compared with the case where the pattern is not wrapped, which is undesirable for cost. There is this. In addition, since the supply amount of the processing liquid is different between the portion that the pattern wraps and the portion that does not wrap, the processing by the processing liquid may not be uniformly performed.
그래서, 최근에서는 기판의 판면에 대하여 패턴이 래핑하지 않는 상태로 처리액을 노즐체로부터 분사시킨다고 하는 것이 생각되고 있다. 그러나, 노즐체로부터 분사되는 처리액의 패턴이 원형이면, 그 패턴을 래핑시키지 않고 기판의 판면에 분사 공급하면 인접하는 패턴 사이에 간극이 생긴다.Therefore, in recent years, it has been considered that the processing liquid is injected from the nozzle body in a state where the pattern does not wrap with respect to the plate surface of the substrate. However, if the pattern of the processing liquid jetted from the nozzle body is circular, when the injection is supplied to the plate surface of the substrate without wrapping the pattern, a gap is formed between adjacent patterns.
인접하는 원형의 패턴 사이에 간극이 생기면, 그 간극에 의해 처리액이 기판 상에서 유동하기 쉬워진다고 하는 경우가 있다. 처리액이 기판 상에서 유동하기 쉬워지면, 기판의 주변부, 특히 기판의 반송 방향과 교차하는 폭 방향의 양단부로부터 처리액이 흘러 떨어지기 쉽다고 하는 경우가 있다.If a gap is formed between adjacent circular patterns, the gap may easily flow on the substrate. When a process liquid becomes easy to flow on a board | substrate, a process liquid may fall easily from the peripheral part of a board | substrate, especially the both ends of the width direction which intersects the conveyance direction of a board | substrate.
그에 따라, 기판의 폭 방향의 양단부에 흐르는 처리액의 양이 다른 부분에 비해 많아지기 때문에, 기판의 폭 방향 양단부의 처리가 다른 부분보다도 진행하기 쉬워지고, 기판의 처리가 전체면에 걸쳐 균일하게 행해지지 않게 된다고 하는 경우가 있다.As a result, the amount of the processing liquid flowing at both ends in the width direction of the substrate increases compared to the other portions, so that the processing at both ends in the width direction of the substrate is easier to proceed than the other portions, and the processing of the substrate is uniformly spread over the entire surface. It may be said that it is not done.
또한, 기판의 판면이 이전 공정의 처리 등에 의해 소수면으로 되어 있는 경우, 처리액이 기판의 폭 방향의 양측부로부터 더욱 흘러 떨어지기 쉬워지기 때문에, 그와 같은 소수면의 기판의 경우에는 보다 한층 더, 처리에 얼룩이 생기기 쉽게 된다.Moreover, when the plate surface of a board | substrate becomes a hydrophobic surface by the process of a previous process etc., since a process liquid will flow more easily from both sides of the width direction of a board | substrate, in the case of such a hydrophobic surface board | substrate, The treatment tends to stain.
한편, 노즐체로부터 분사되는 처리액의 패턴이 사각형이면, 기판의 판면에 패턴 사이에 간극이 생기지 않는 상태로 처리액을 균일하게 분사 공급할 수 있다. 그러나, 기판의 판면의 전체에 처리액을 사각형의 패턴으로 간극 없이 균일하게 공급하면, 기판 상에서 각 패턴을 형성하는 처리액의 유동성이 저하하게 된다.On the other hand, if the pattern of the processing liquid sprayed from the nozzle body is a quadrangle, the processing liquid can be uniformly sprayed and supplied in a state where no gap is formed between the patterns on the plate surface of the substrate. However, if the processing liquid is uniformly supplied to the entire plate surface of the substrate in a rectangular pattern without a gap, the fluidity of the processing liquid for forming each pattern on the substrate is lowered.
기판의 판면에서의 처리액의 유동성이 저하하면, 기판의 상면에서 처리액에 침전물이 생기고, 새로운 처리액으로의 치환이 원활하게 행해지지 않게 된다고 하는 경우가 있다. 그에 따라, 처리액에 의한 기판의 처리가 균일하게 행해지지 않게 되거나, 처리 속도가 저하하는 등의 경우가 존재한다.When the fluidity | liquidity of the process liquid in the board surface of a board | substrate falls, a deposit may arise in a process liquid from the upper surface of a board | substrate, and replacement with a new process liquid may not be performed smoothly. As a result, the substrate may not be uniformly processed by the processing liquid, or the processing speed may decrease.
본 발명은 기판의 폭 방향의 양단부로부터 처리액이 흘러 떨어지기 어렵게 하고, 더구나 기판의 폭 방향 양단부의 사이의 부분에서는 처리액의 유동성을 확보할 수 있도록 함으로써, 기판의 처리를 판면 전체에 걸쳐 얼룩 없이 균일하게 행할 수 있도록 한 기판의 처리 장치 및 처리 방법을 제공하는 것이다.The present invention makes it difficult to flow the processing liquid from both ends in the width direction of the substrate, and furthermore, it is possible to secure the fluidity of the processing liquid in the portion between the width direction both ends of the substrate, thereby causing the substrate to be treated over the entire surface. It is to provide a processing apparatus and a processing method of a substrate that can be performed uniformly without.
본 발명은 기판의 판면에 처리액을 공급하여 이 판면을 처리하는 기판의 처리 장치로서,The present invention is a substrate processing apparatus which supplies a processing liquid to a plate surface of a substrate to treat the plate surface.
상기 기판을 미리 정해진 방향으로 반송하는 반송 수단과,Conveying means for conveying the substrate in a predetermined direction;
상기 기판의 반송 방향과 교차하는 폭 방향의 양단부에 상기 처리액을 간극이 생길 일 없는 조밀한 상태로 균일하게 분사 공급하는 제1 노즐체와,A first nozzle body which uniformly spray-feeds the processing liquid in a dense state without gaps at both end portions in the width direction intersecting the conveying direction of the substrate;
상기 기판의 상기 제1 노즐체에 의해 처리액이 공급된 폭 방향 양단부를 제외한 부분에 상기 처리액을 상기 기판의 반송 방향 및 반송 방향과 교차하는 방향에 대하여 간극이 생기는 성긴 상태로 분사 공급하는 제2 노즐체를 구비한 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치이다.An agent for spray-feeding the processing liquid in a sparse state in which a gap is formed in a direction intersecting the conveying direction and the conveying direction of the substrate to a portion except the width direction both ends of the substrate in which the processing liquid is supplied by the first nozzle body; It is a substrate processing apparatus characterized by including two nozzle bodies.
본 발명은 기판의 판면에 처리액을 공급하여 이 판면을 처리하는 기판의 처리 방법으로서,The present invention provides a substrate processing method for supplying a treatment liquid to a plate surface of a substrate to treat the plate surface.
상기 기판을 미리 정해진 방향으로 반송하는 공정과,Conveying the substrate in a predetermined direction;
상기 기판의 반송 방향과 교차하는 폭 방향의 양단부에 상기 처리액을 간극이 생길 일 없는 조밀한 상태로 균일하게 분사 공급하는 공정과,Uniformly spray-feeding the processing liquid in a dense state without gaps at both end portions in the width direction crossing the conveying direction of the substrate;
상기 기판의 폭 방향 양단부를 제외한 부분에 상기 처리액을 상기 기판의 반송 방향 및 반송 방향과 교차하는 방향에 대하여 간극이 생기는 성긴 상태로 분사 공급하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판의 처리 방법이다.And a step of spray-feeding the processing liquid in a sparse state in which a gap is formed in a direction intersecting the conveyance direction and the conveyance direction of the substrate at a portion except the width direction both ends of the substrate. .
본 발명에 따르면, 기판의 폭 방향의 양단부에 처리액을 간극이 생길 일 없는 조밀한 상태로 균일하게 분사 공급하고, 폭 방향 양단부를 제외한 부분에는 처리액을 기판의 반송 방향 및 반송 방향과 교차하는 방향에 대하여 간극이 생기는 성긴 상태로 분사 공급하도록 하였다.According to the present invention, the processing liquid is uniformly injected into both ends of the substrate in the width direction in a dense state without gaps, and the processing liquid is intersected with the conveying direction and the conveying direction of the substrate at the portions except the both ends in the width direction. Injection was supplied in a sparse state with a gap in the direction.
그 때문에, 기판의 폭 방향의 양단부에서는 처리액의 유동성이 저하하기 때문에, 기판의 판면이 소수성이어도, 그 판면의 폭 방향 양단부로부터 처리액이 흘러 떨어지기 어려워지고, 폭 방향 양단부를 제외한 부분에서는 분사 공급된 처리액이 유동성을 갖는 상태에 있기 때문에, 판면 전체에 처리액이 고루 미쳐 균일한 처리가 행해진다. 즉, 처리액이 기판의 폭 방향 양단부로부터 흘러 떨어지는 양을 증대시키지 않고, 전체면을 균일하게 처리하는 것이 가능해진다.Therefore, since the fluidity | liquidity of a process liquid falls in the both ends of the width direction of a board | substrate, even if the board surface of a board | substrate is hydrophobic, it becomes difficult to flow a process liquid from the width direction both ends of the board surface, and it sprays in the part except the width direction both ends. Since the supplied processing liquid is in a state of having fluidity, the processing liquid evenly spreads over the entire plate surface, and uniform processing is performed. That is, it becomes possible to process the whole surface uniformly, without increasing the quantity which the process liquid flows out from the width direction both ends of a board | substrate.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 처리조의 길이 방향을 따르는 개략적 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는 처리조의 폭 방향을 따르는 확대 단면도이다.
도 3은 처리조의 폭 방향 일단부의 확대도이다.
도 4a는 제1 노즐체의 노즐칩의 사시도이다.
도 4b는 제2 노즐체의 노즐칩의 사시도이다.
도 5는 제1, 제2 노즐체로부터 기판의 폭 방향으로 처리액을 분사하는 상태를 나타낸 사시도이다.
도 6은 제1, 제2 노즐체로부터 기판에 분사되는 처리액의 패턴을 나타내는 평면도이다.
도 7은 제1, 제2 노즐체로부터 기판에 처리액이 도 6에 나타내는 패턴과 다른 패턴으로 분사되는 상태를 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 7에 나타내는 사각형 패턴과 원형 패턴으로 에칭액을 분사한 경우와, 원형 패턴만을 지그재그형으로 분사한 경우의 에칭량을 비교한 그래프이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시형태를 나타내는 제1, 제2 노즐체로부터 기판의 폭 방향으로 처리액을 분사하는 상태를 나타낸 사시도이다.
도 10은 제1, 제2 노즐체로부터 기판에 분사되는 처리액의 패턴을 나타내는 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제3 발명의 형태를 나타내는 경사져 반송되는 기판의 도면이다.
도 12는 도 11에 나타내는 기판에 제1, 제2 노즐체로부터 분사되는 처리액의 패턴을 나타내는 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows schematic structure along the longitudinal direction of the processing tank which concerns on 1st Embodiment of this invention.
2 is an enlarged cross-sectional view along the width direction of the treatment tank.
3 is an enlarged view of one end portion in the width direction of the treatment tank.
4A is a perspective view of the nozzle chip of the first nozzle body.
4B is a perspective view of the nozzle chip of the second nozzle body.
5 is a perspective view showing a state in which the processing liquid is injected from the first and second nozzle bodies in the width direction of the substrate.
6 is a plan view showing a pattern of a processing liquid sprayed onto the substrate from the first and second nozzle bodies.
FIG. 7 is a plan view showing a state in which a processing liquid is sprayed onto the substrate from the first and second nozzle bodies in a pattern different from that shown in FIG. 6.
FIG. 8 is a graph comparing the etching amounts when the etching liquid is sprayed in the rectangular pattern and the circular pattern shown in FIG. 7, and when only the circular pattern is sprayed in a zigzag shape.
It is a perspective view which shows the state which sprays a process liquid in the width direction of a board | substrate from the 1st, 2nd nozzle body which shows 2nd Embodiment of this invention.
It is a top view which shows the pattern of the process liquid sprayed on a board | substrate from a 1st, 2nd nozzle body.
It is a figure of the board | substrate carried in the inclined conveyance which shows the form of 3rd invention of this invention.
It is a top view which shows the pattern of the process liquid sprayed from a 1st, 2nd nozzle body to the board | substrate shown in FIG.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring drawings.
도 1 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시형태를 나타낸다. 도 1에 나타내는 본 발명의 처리 장치는 챔버(1)를 구비하고 있다. 이 챔버(1)는 길이 방향 일단에 반입구(2), 타단에 반출구(3)가 형성되고, 내부에는 길이 방향에 대하여 미리 정해진 간격으로 복수의 반송축(4)이 회전 가능하게 설치되어 있다. 반송축(4)에는 복수의 반송 롤러(5)가 축 방향으로 미리 정해진 간격으로 설치되어 있다.1 to 8 show a first embodiment of the present invention. The processing apparatus of the present invention shown in FIG. 1 includes a
도 2와 도 3에 나타내는 바와 같이, 각 반송축(4)은 양단부가 베어링(6)에 의해 회전 가능하게 지지되어 있다. 복수의 반송축의 1개의 일단부에는 웜휠(7)이 장착되어 있다. 이 반송축(4)에 설치된 웜휠(7)은 웜기어(8)에 맞물려져 있다. 웜기어(8)는 챔버(1)의 길이 방향을 따라 배치된 종동축(9)에 장착되어 있다.As shown in FIG.2 and FIG.3, each
상기 종동축(9)에는 종동 풀리(11)가 설치되고, 이 종동 풀리(11)와 구동원(12)의 회전축(12a)에 장착된 구동 풀리(13)에는 체인(14)이 설치되어 있다. 그에 따라, 상기 구동 풀리(13)가 구동원(12)에 의해 회전 구동되면, 그 회전에 따라 상기 웜휠(7)이 설치된 반송축(4)이 종동축(9)을 통해 회전 구동되도록 되어 있다.A driven
각 반송축(4)의 일단부에는 도시하지 않는 스프로킷이 설치되어 있다. 각 스프로킷에는 도시하지 않는 체인이 설치되어 있다. 그에 따라, 웜휠(7)이 설치된 반송축(4)이 회전 구동되면, 그 회전에 다른 반송축(4)이 연동하도록 되어 있다.The sprocket which is not shown in figure is provided in the one end part of each
또한, 상기 구동원(12)은 도시하지 않는 제어 장치에 의해 구동이 제어되고, 상기 구동 풀리(13)의 회전 방향을 정회전 방향, 역회전 방향 및 정회전 방향과 역회전 방향을 교대로 회전시킬 수 있도록 되어 있다.In addition, the
상기 챔버(1)의 반입구(2)로부터는 액정 표시 장치에 이용되는 유리제의 직사각 형상의 기판(W)이 반입된다. 챔버(1) 내에 반입된 기판(W)은, 하면을 반송축(4)에 설치된 반송 롤러(5)에 접촉시켜 반송된다.The glass-shaped rectangular substrate W used for a liquid crystal display device is carried in from the
상기 반송축(4)의 상측에는, 양단부가 베어링(17)에 의해 회전 가능하게 지지된 압박축(18)이 배치되어 있다. 이 압박축(18)의 양단부에는, 상기 반송축(4)의 반송 롤러(5)에 의해 반송되는 상기 기판(W)의 폭 방향의 양단 가장자리의 상면을 압박하는 압박 롤러(19)가 설치되어 있다. 즉, 기판(W)은, 폭 방향 양단 가장자리의 하면과 상면이 상기 반송 롤러(5)와 압박 롤러(19)에 의해 유지되어 반송되도록 되어 있다.On the upper side of the conveying
상기 챔버(1) 내의 반송 롤러(5)에 의해 반송되는 기판(W)의 상측에는, 도 1에 나타내는 바와 같이 기판(W)의 반송 방향을 따라 막대형의 복수의 부착 부재(22)가 피치(P1)의 간격으로 배치되어 있다.On the upper side of the board | substrate W conveyed by the
도 2에 나타내는 바와 같이, 각 부착 부재(22)의 양단부, 즉 상기 기판(W)의 반송 방향과 교차하는 폭 방향의 양단부의 상측에 대향하는 부분에는 제1 노즐체(23)가 부착되고, 중도부에는 복수의 제2 노즐체(24)가 부착되어 있다. 이들 노즐체(23, 24)는 상기 부착 부재(22)의 길이 방향에 대하여 등간격, 이 실시형태에서는 피치(P2)의 간격으로 부착되어 있다. 여기서, P1=P2로 설정되어 있다.As shown in FIG. 2, the
또한, 기판(W)의 반송 방향에서, 인접하는 부착 부재(22)에 설치된 제1, 제2 노즐체(23, 24)는, 기판(W)의 반송 방향과 교차하는 폭 방향에 대하여 동일한 위치에 설치되어 있다.Moreover, in the conveyance direction of the board | substrate W, the 1st,
도 3과 도 4a, 도 4b에 나타내는 바와 같이, 제1, 제2 노즐체(23, 24)는 노즐칩(23a, 24a)을 갖는다. 제1 노즐체(23)의 노즐칩(23a)에는 도 4a에 나타내는 바와 같이 상기 노즐칩(23a)의 하면에 사각형, 이 실시형태에서는 정사각형으로 개구한 각추형의 분사 구멍(23b)이 형성되어 있다. 분사 구멍(23b)의 꼭대기부에는 원주형의 공급 구멍(23c)이 연통하고, 처리액은 이 공급 구멍(23c)으로부터 분사 구멍(23b)에 공급된다.As shown in FIG. 3, FIG. 4A, and FIG. 4B, the 1st,
상기 제2 노즐체(24)의 노즐칩(24a)에는 도 4b에 나타내는 바와 같이 상기 노즐칩(24a)의 하면에 원형으로 개구한 원추형의 분사 구멍(24b)이 형성되어 있다. 분사 구멍(24b)의 꼭대기부에는 원주형의 공급 구멍(24c)이 연통하고, 처리액은 이 공급 구멍(24c)으로부터 분사 구멍(24b)에 공급된다.In the
각 노즐체(23, 24)에 공급된 처리액은, 각 노즐칩(23a, 24a)의 분사 구멍(23b, 24b)의 형상에 대응한 형상, 즉 제1 패턴으로서의 정사각 형상의 사각형 패턴(S1)과, 제2 패턴으로서의 원형 패턴(S2)이 되어 기판(W)의 상면에 분사된다.The processing liquid supplied to each
상기 제1, 제2 노즐체(23, 24)가 설치된 부착 부재(22)의 높이를 후술하는 높이 조정 기구(25)에 의해 설정함으로써, 도 6에 나타내는 바와 같이 상기 기판(W)의 상면의 반송 방향과 교차하는 폭 방향의 양단부에는 한쌍의 제1 노즐체(23)로부터 처리액이 정사각형의 사각형 패턴(S1)으로 분사 공급되고, 한쌍의 사각형 패턴(S1)의 사이에는 복수의 제2 노즐체(24)로부터 처리액이 인접하는 원형 패턴(S2)으로 분사 공급된다. 이때, 사각형 패턴(S1)의 한변의 길이와, 원형 패턴(S2)의 직경은 동일한 치수로 된다.By setting the height of the
한편, 기판(W)의 반송 방향에 대하여 인접하는 부착 부재(22)에 설치된 제1 노즐체(23)의 분사 구멍(23b)으로부터 분사되는 처리액의 사각형 패턴(S1)은 상기 기판(W)의 반송 방향에 대하여 간극 없이 인접한 상태, 즉 「조밀」한 상태로 분사된다.On the other hand, the square pattern S1 of the processing liquid sprayed from the
인접하는 부착 부재(22)에 설치된 상기 제2 노즐체(24)의 분사 구멍(24b)으로부터 분사되는 처리액의 원형 패턴(S2)은 상기 사각형 패턴(S1)이 분사된 기판(W)의 폭 방향의 양단부 사이에서 행렬형으로 인접하여 분사 공급되게 된다.The circular pattern S2 of the processing liquid sprayed from the
사각형 패턴(S1)의 처리액이 기판(W)의 폭 방향 양단부에 기판의 반송 방향을 따라 인접한, 간극이 없는 조밀한 상태로 분사 공급되면, 기판(W)의 폭 방향 양단부에서는 처리액의 유동성이 저감한다. 그에 따라, 기판(W)의 판면이 소수면이어도, 기판(W)의 폭 방향 양단부에 공급된 처리액이 단부(端部)로부터 외측으로 흘러 떨어지기 어려워진다.When the processing liquid of the square pattern S1 is injected and supplied in a dense state without gaps adjacent to both ends of the width direction of the substrate W along the conveyance direction of the substrate, the fluidity of the processing liquid is provided at both ends of the width direction of the substrate W. This reduces. Therefore, even if the plate surface of the board | substrate W is a minority surface, it becomes difficult for the process liquid supplied to the width direction both ends of the board | substrate W to flow out from an edge part.
기판(W)의 폭 방향 양단부의 사각형 패턴(S1) 사이에는 원형 패턴(S2)의 처리액이 기판(W)의 폭 방향 및 반송 방향에 대하여 인접한 상태로 행렬형으로 분사 공급된다. 원형 패턴(S2)이 기판(W)의 폭 방향 및 반송 방향에 대하여 인접하여도, 인접하는 원형 패턴(S2) 사이에는 도 6에 C로 나타내는 간극이 생긴다. 즉, 기판(W)에는 원형 패턴(S2)이 간극(C)이 있는 「성긴」 상태로 분사 공급된다.The process liquid of circular pattern S2 is spray-supplyed in matrix form in the state adjacent to the width direction and the conveyance direction of the board | substrate W between the square patterns S1 of the width direction both ends of the board | substrate W. FIG. Even when the circular pattern S2 is adjacent to the width direction and the conveyance direction of the substrate W, a gap indicated by C in FIG. 6 occurs between the adjacent circular patterns S2. That is, the circular pattern S2 is spray-fed and supplied to the board | substrate W in the "coarse" state in which the clearance gap C exists.
원형 패턴(S2) 사이에 간극(C)이 있으면, 원형 패턴(S2)을 형성하는 처리액에는 상기 간극(C)을 향하는 흐름이 생긴다. 즉, 기판(W)의 폭 방향 양단부의 사각형 패턴(S1)의 사이에 공급된 원형 패턴(S2)의 처리액은 상기 간극(C)이 형성됨으로써 유동성을 갖는다. 그에 따라, 기판(W)의 폭 방향 양단부의 사각형 패턴(S1)의 사이에 공급된 원형 패턴(S2)의 처리액은 상기 간극(C)을 매립하도록 유동하면서 서로의 패턴(S2)이 섞여 균일하게 분포하게 된다.If there is a gap C between the circular patterns S2, a flow toward the gap C occurs in the processing liquid forming the circular pattern S2. That is, the processing liquid of the circular pattern S2 supplied between the square patterns S1 at both ends of the width direction of the substrate W has fluidity by forming the gap C. Accordingly, the processing liquid of the circular pattern S2 supplied between the square patterns S1 at both ends of the width direction of the substrate W flows to fill the gap C, and the patterns S2 of each other are uniformly mixed. Will be distributed.
상기 노즐체(23, 24)는, 상기 부착 부재(22)의 양단부에 설치된 상기 높이 조정 기구(25)에 의해 기판(W)의 판면에 대한 높이 조정을 할 수 있도록 되어 있다. 이 높이 조정 기구(25)는, 도 3에 나타내는 바와 같이 마운트 로드(27)를 갖는다. 이 마운트 로드(27)의 일단은 상기 부착 부재(22)의 양단에 연결 부재(26)를 통해 부착되어 있다. 마운트 로드(27)는 축선을 상기 부착 부재(22)의 축선과 평행하게 하여 설치되어 있다.The said
상기 챔버(1) 내의 폭 방향 양단에는 가이드 부재(28)가 L자형의 브래킷(29)을 통해 설치되어 있다. 이 브래킷(29)의 하단은 상기 챔버(1)의 측벽 하부에 고정되어 있다. 상기 가이드 부재(28)에는 상하 방향을 따라 가늘고 긴 가이드 구멍(31)이 상기 가이드 부재(28)의 두께 방향으로 관통하여 형성되어 있다.
상기 가이드 구멍(31)에는 가이드 부재(28)의 두께 방향 일단으로부터 상기 마운트 로드(27)의 타단부가 가이드 구멍(31)의 길이 방향을 따라 슬라이드 가능하게 삽입되어 있다. 상기 가이드 부재(28)의 두께 방향 타단으로부터는, 상기 마운트 로드(27)의 단면에 나비 나사(32)가 와셔(33)를 통해 나사 결합되어 있다.The other end of the
따라서, 상기 나비 나사(32)를 헐겁게 하면, 상기 부착 부재(22)를 가이드 부재(28)의 가이드 구멍(31)을 따라 상하 방향으로 슬라이드시킬 수 있고, 상기 나비 나사(32)를 꽉 죄면, 상기 부착 부재(22)를 미리 정해진의 위치에서 고정할 수 있도록 되어 있다.Therefore, if the
상기 마운트 로드(27)에는 조절 나사(34)가 나사 결합되어 있다. 이 조절 나사(34)는, 상단부가 상기 가이드 부재(28)의 상단에 설치된 지지 부재(35)에 회전 가능하게 삽입되고, 하단이 상기 가이드 부재(28)를 부착한 브래킷(29)의 상면에 회전 가능하게 지지되어 있다.The adjusting
상기 조절 나사(34)에는, 상기 지지 부재(35)의 상면측과 하면측에 위치하는 너트(36)가 나사 결합되어 있다. 한쌍의 너트(36) 중 어느 한쪽과 상기 마운트 로드(27)에 나사 결합된 나비 나사(32)를 헐겁게 하고, 상기 조절 나사(34)를 회전시키면, 상기 마운트 로드(27)를 통해 상기 부착 부재(22)의 높이를 상측 또는 하측으로 미세 조정할 수 있다. 즉, 상기 부착 부재(22)에 부착된 노즐체(23, 24)는 상기 높이 조정 기구(25)에 의해 상기 기판(W)의 판면에 대한 높이를 조정할 수 있도록 되어 있다.
노즐체(23, 24)의 높이를 변경함으로써, 각 노즐체(23, 24)로부터 분사되어 기판(W)의 상면에 도달하는 처리액의 사각형 패턴(S1) 및 원형 패턴(S2)의 면적을 바꿀 수 있다. 그에 따라, 기판(W)의 폭 방향 및 이 폭 방향과 교차하는 반송 방향에서, 상기 제1, 제2 패턴(S1, S2)을 도 6에 나타내는 바와 같이 기판(W)의 상면에 분사 공급할 수 있다.By changing the heights of the
또한, 도 6에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 반송 방향으로 미리 정해진 간격으로 배치된 복수의 부착 부재(22)에 설치된 상기 제1, 제2 노즐체(23, 24)로부터 분사되는 처리액의 기판(W)의 반송 방향에 대한 분사 영역(R)은, 기판(W)의 반송 방향을 따르는 길이 치수보다도 크게 설정되어 있다.Moreover, as shown in FIG. 6, the process liquid sprayed from the said 1st,
다음에, 상기 구성의 처리 장치에 의해 기판(W)을 처리하는 순서를 설명한다. 먼저, 구동원(12)을 작동시켜 기판(W)을 챔버(1)의 반입구(2)로부터 내부에 반입하고, 챔버(1) 내에 설치된 제1, 제2 노즐체(23, 24)로부터 처리액을 기판(W)의 판면을 향하여 분사한다.Next, a procedure of processing the substrate W by the processing apparatus of the above configuration will be described. First, the
기판(W)의 판면의 반송 방향과 교차하는 폭 방향의 양단부에는, 도 6에 나타내는 바와 같이 제1 노즐체(23)로부터 분사된 처리액이 기판(W)의 반송 방향에 대하여 인접하는 사각형 패턴(S1)에 의해 조밀한 상태로 공급되고, 기판(W)의 폭 방향의 양단부 사이, 즉 사각형 패턴(S1)의 사이의 부분에는 행렬형으로 인접하며, 또한 인접하는 패턴 사이에 간극(C)이 생기는 성긴 상태가 되는 원형 패턴(S2)에 의해 처리액이 분사 공급된다.As shown in FIG. 6, the processing liquid injected from the
기판(W)의 폭 방향의 양단부에 처리액이 사각형 패턴(S1)에 의해 기판(W)의 반송 방향에 대하여 간극이 없는 조밀한 상태로 공급되면, 처리액은 기판(W)의 반송 방향으로뿐만 아니라, 기판(W)의 폭 방향에 대해서도 유동성이 제한된다. 그에 따라, 기판(W)의 폭 방향 양단부에 공급된 처리액은, 폭 방향의 단부로부터 외측으로 흘러 떨어지기 어려워진다.When the processing liquid is supplied to both ends of the width direction of the substrate W in a dense state without a gap in the conveyance direction of the substrate W by the rectangular pattern S1, the processing liquid is transferred in the conveying direction of the substrate W. In addition, fluidity is also limited in the width direction of the substrate W. FIG. Therefore, the processing liquid supplied to the width direction both ends of the board | substrate W becomes difficult to flow out from the edge part of the width direction to the outside.
기판(W)의 폭 방향 양단부에 조밀한 상태로 공급된 사각형 패턴(S1)의 사이에, 간극(C)이 있는 성긴 상태로 행렬형으로 분사 공급된 원형 패턴(S2)의 처리액은, 각 원형 패턴(S2)을 형성하는 처리액이 상기 간극(C)을 매립하도록 유동한다.The processing liquid of the circular pattern S2 sprayed and supplied in the matrix form in the sparse state with the clearance gap C between the rectangular patterns S1 supplied in the dense state at the both ends of the width direction of the board | substrate W is each The processing liquid forming the circular pattern S2 flows to fill the gap C.
그에 따라, 기판(W)의 폭 방향 양단부의 사이의 부분에서는, 상기 간극(C)을 향하여 처리액이 흐름으로써, 처리액의 분포 상태가 균일하게 되며, 그 흐름에 의해 기판(W) 상에서의 침전물이 생기기 어려워지기 때문에, 처리액에 의한 처리가 얼룩 없이 균일하게 행해지기 쉬워진다.Therefore, in the part between the width direction both ends of the board | substrate W, a process liquid flows toward the said clearance gap C, and the distribution state of a process liquid becomes uniform, and the flow flows on the board | substrate W by the flow. Since the precipitate is less likely to occur, the treatment with the treatment liquid tends to be performed uniformly without staining.
즉, 기판(W)의 폭 방향의 양단부로부터 처리액이 흘러 떨어지기 어렵고, 더구나 다른 부분에서는 처리액이 유동하여 균일하게 분포하기 때문에, 결과적으로 기판(W)의 판면 전체가 균일하게 처리되게 된다.That is, since the processing liquid is less likely to flow from both ends of the width direction of the substrate W, and further, the processing liquid flows and is distributed uniformly at other portions, so that the entire plate surface of the substrate W is uniformly processed. .
통상, 상기 챔버(1)의 반입구(2)로부터 내부에 반입된 기판(W)은, 반출구(3)를 향하여 미리 정해진의 속도로 반송된다. 그리고, 기판(W)은 상기 챔버(1)를 통과하는 동안에, 제1, 제2 노즐체(23, 24)로부터 전술한 바와 같이 공급되는 처리액에 의해 처리된다.Usually, the board | substrate W carried in from the
한편, 기판(W)에 대한 에칭이나 세정 등의 처리를 확실하게 행하고자 하는 경우, 기판(W)을 처리액이 제1, 제2 노즐체(23, 24)로부터 분사되는 영역(R)(도 6에 나타냄)으로부터 벗어나는 일 없는 범위에서 왕복 동작을 반복하도록 하여도 좋다.On the other hand, in the case where the processing such as etching or cleaning of the substrate W is reliably performed, the region R in which the processing liquid is injected from the first and
상기 제1 실시형태에서는, 상기 기판(W)의 판면의 처리액이 사각형 패턴(S1)으로 분사 공급되는 양단부의 사이의 부분에, 처리액을 원형 패턴(S2)으로 행렬형으로 분사 공급하도록 하였지만, 상기 원형 패턴(S2)을 도 7에 나타내는 바와 같이 지그재그형이 되도록 분사 공급하여도 좋다.In the first embodiment, the processing liquid is sprayed and supplied in a matrix form in a circular pattern S2 to a portion between the both ends of the processing liquid on the plate surface of the substrate W which is sprayed and supplied in the rectangular pattern S1. The circular pattern S2 may be spray-fed so as to be in a zigzag shape as shown in FIG. 7.
원형 패턴(S2)의 처리액을 지그재그형으로 분사 공급하면, 원형 패턴(S2)의 수가 일렬마다 하나씩 적어진다. 그에 따라, 원형 패턴(S2)을 행렬형으로 분사 공급하는 경우에 비해, 수가 적은 열에서는 양단에 위치하는 원형 패턴(S2)과, 폭 방향 양단부에 분사 공급된 직사각형 패턴(S1)과의 사이에 생기는 간극(C2)이 다른 부분의 간극(C1)에 비해 커지기 때문에, 상기 간극(C2)에 의해 유동성이 적은 폭 방향 양단부에서의 처리액의 유동성을 크게 할 수 있다.When spraying and supplying the process liquid of circular pattern S2 in a zigzag form, the number of circular patterns S2 decreases one by one per line. Therefore, compared with the case where the circular pattern S2 is jet-fed and supplied in a matrix form, in a few rows, between the circular pattern S2 located at both ends and the rectangular pattern S1 jet-fed and supplied to both ends in the width direction, Since the clearance gap C2 becomes large compared with the clearance gap C1 of another part, the fluidity | liquidity of the process liquid in the width direction both ends of which the fluidity | liquidity is small by the said clearance gap C2 can be enlarged.
또한, 원형 패턴(S2)을 지그재그형으로 하면, 기판(W)의 반송 방향에 대하여 원형 패턴(S2)의 피치는 작아지기 때문에, 그 만큼, 인접하는 직사각형 패턴(S1)이 래핑하게 된다.In addition, when the circular pattern S2 is zigzag-shaped, the pitch of the circular pattern S2 becomes small with respect to the conveyance direction of the board | substrate W, and the adjacent rectangular pattern S1 wraps by that much.
도 8은 처리액으로서 에칭액을 이용하고, 도 7에 나타내는 바와 같이 사각형 패턴(S1)과 지그재그형으로 배치되는 원형 패턴(S2)으로 에칭액을 기판(W)에 분사 공급한 경우와, 원형 패턴(S2)만을 지그재그형으로 하여 분사 공급한 경우와의 에칭량을 복수의 포인트로 측정한 실험 결과를 나타낸다. 도 8에 A로 나타내는 꺽은선이 전자의 경우이며, B로 나타내는 꺽은선이 후자의 경우이다. 또한, 꺽은선(A)과 꺽은선(B)에서의 측정 포인트는, 각 처리에 이용된 각각의 기판(W)의 동일한 위치(장소)를 측정하고 있다.FIG. 8 shows the case where the etching solution is spray-fed onto the substrate W using the etching solution as the processing liquid, and the circular pattern S2 arranged in a zigzag pattern with the square pattern S1 as shown in FIG. The experimental result which measured the etching amount with the case where only S2) was made into the zigzag form and spray injection is shown by several points. The broken line shown by A in FIG. 8 is a case of the former, and the broken line shown by B is a case of the latter. In addition, the measurement point in the broken line A and the broken line B is measuring the same position (place) of each board | substrate W used for each process.
꺽은선(A)과 꺽은선(B)을 비교하면, 처리액을 기판(W)의 폭 방향 양단부에 사각형 패턴(S1)으로 공급하고, 그 사이의 부분에 원형 패턴(S2)을 지그재그형으로 하여 공급한 곡선(A) 쪽이, 전체면에 원형 패턴(S2)으로 지그재그형으로 공급한 경우보다도, 에칭량의 변동이 적은 것, 즉 에칭을 균일하게 행할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.Comparing the broken line A and the broken line B, the process liquid is supplied to the both ends of the width direction of the board | substrate W in the square pattern S1, and the circular pattern S2 is zigzag-shaped in the part between them. Thus, it was confirmed that the variation of the etching amount was smaller, that is, the etching could be performed more uniformly than the case where the supplied curve A was zigzag-shaped in the circular pattern S2 on the entire surface.
도 9와 도 10은 본 발명의 제2 실시형태를 나타낸다. 이 제2 실시형태에서는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 길이 방향을 기판(W)의 반송 방향과 교차하는 폭 방향을 따라 기판의 상측에 배치된 부착 부재(22)에는, 상기 기판(W)의 폭 방향 양단부에 대향하는 부분에, 각각 2개의 제1 노즐체(23)를 피치(P2)의 간격으로 설치하고, 제1 노즐체(23)의 사이의 부분에 복수의 제2 노즐체(24)를 마찬가지로 피치(P2)의 간격으로 설치하도록 하였다.9 and 10 show a second embodiment of the present invention. In this 2nd Embodiment, as shown in FIG. 9, in the
세부 사항은 나타내지 않지만, 기판(W)의 반송 방향에는, 전술한 바와 같이 제1 노즐체(23)와 제2 노즐체(24)가 설치된 복수의 부착 부재(22)가 피치(P1)의 간격으로 설치된다.Although the detail is not shown, in the conveyance direction of the board | substrate W, as mentioned above, the some
도 10은 도 9에 나타내는 바와 같이 제1 노즐체(23)와 제2 노즐체(24)가 설치된 복수의 부착 부재(22)의 하측에 반송되는 기판(W)에 분사되는 처리액의 패턴을 나타내고 있다.As shown in FIG. 9, the pattern of the process liquid sprayed on the board | substrate W conveyed below the some
제2 실시형태에 따르면, 기판(W)의 반송 방향과 교차하는 폭 방향의 양단부에, 각각 2개의 제1 노즐체(23)에 의해 사각형의 제1 패턴(S1)이 2열로 분사 공급되게 된다.According to the second embodiment, rectangular first patterns S1 are sprayed and supplied in two rows by two
따라서, 기판(W)의 폭 방향 양단부에 분사되는 제1 패턴(S1)이 1열의 경우에 비해 기판(W)의 폭 방향 양단부로부터 흘러 떨어지는 처리액의 양을 보다 한층 더, 저감시킬 수 있다.Therefore, compared with the case where the 1st pattern S1 sprayed in the width direction both ends of the board | substrate W flows from the width direction both ends of the board | substrate W, the quantity of the process liquid which can flow down can be further reduced.
상기 제2 실시형태에서, 기판(W)의 폭 방향 양단부에 병렬되는 사각형의 패턴은 기판의 크기 등에 따라서는 3열 이상이어도 좋고, 그 열의 수가 많을수록, 기판의 상면에 공급된 처리액이 폭 방향 양단부로부터 흘러 떨어지기 어려워진다. 즉, 기판(W)의 폭 방향 양단부에 병렬되는 사각형의 패턴의 열의 수는 1열에만 한정되지 않고, 복수열이어도 좋다.In the second embodiment, the quadrangle pattern parallel to both ends in the width direction of the substrate W may be three or more rows depending on the size of the substrate, and the larger the number of the rows, the more the treatment liquid supplied to the upper surface of the substrate in the width direction. It is difficult to flow from both ends. That is, the number of columns of the square pattern parallel to the both ends of the width direction of the board | substrate W is not limited to only one column, A plurality of rows may be sufficient.
도 11과 도 12는 본 발명의 제3 실시형태를 나타낸다. 이 제3 실시형태에서는, 도 11에 나타내는 바와 같이 반송 수단을 구성하는 반송 롤러(5)가 설치된 반송축(4)이 축선을 수평선(H)에 대하여 미리 정해진의 각도(θ), 예컨대 5∼10도의 각도로 경사져 배치되어 있다.11 and 12 show a third embodiment of the present invention. In this 3rd Embodiment, as shown in FIG. 11, the
그에 따라, 상기 반송 롤러(5)에 의해 반송되는 기판(W)은, 반송 방향과 교차하는 폭 방향에 대하여 5∼10도의 각도로 경사져 반송된다.Thereby, the board | substrate W conveyed by the said
상기 기판(W)의 상면에는 도 11과 도 12에 나타내는 바와 같이 기판(W)의 경사 방향의 상단측의 단부, 즉 폭 방향의 일단부에는 제1 노즐체(23)에 의해 처리액을 사각형 패턴(S1)에 의해 간극이 생길 일 없는 조밀한 상태로 분사 공급하고, 상기 일단부를 제외한 다른 부분에는 제2 노즐체(24)에 의해 처리액을 예컨대 원형 패턴(S2)에 의해 간극(C)이 생기는 성긴 상태로 분사 공급하도록 하고 있다. 상기 제1, 제2 노즐체(23, 24)는 제1 실시형태와 마찬가지로, 기판(W)의 반송 방향을 따라 피치(P1)의 간격으로 배치된 부착 부재(22)에 부착되어 있다.As shown in Fig. 11 and Fig. 12 on the upper surface of the substrate W, an end portion of the upper end side of the inclined direction of the substrate W, that is, one end in the width direction, forms a treatment liquid by the
또한, 기판(W)의 반송 방향에 대한 분사 영역(R)은, 제1 실시형태와 마찬가지로, 기판(W)의 반송 방향을 따르는 길이 치수보다도 크게 설정되어 있다.In addition, the injection region R with respect to the conveyance direction of the board | substrate W is set larger than the length dimension along the conveyance direction of the board | substrate W similarly to 1st Embodiment.
기판(W)을 반송 방향과 교차하는 폭 방향에 대하여 경사지게 반송하는 경우, 기판(W)의 상면에 분사 공급된 처리액의 일부는, 기판(W)의 경사 방향의 상단측이 되는 폭 방향의 일단부로부터 외측으로 흘러 떨어지기 어렵지만, 기판(W)의 경사 각도가 작은 경우에는 흘러 떨어지는 경우가 있다. 처리액의 일부가 기판(W)의 경사 방향의 상단측으로부터 흘러 떨어지면, 기판(W)의 판면이 균일하게 처리되지 않게 되는 경우가 있다.When conveying the board | substrate W inclined with respect to the width direction which crosses a conveyance direction, a part of the process liquid sprayed and supplied to the upper surface of the board | substrate W is the width direction used as the upper end side of the inclination direction of the board | substrate W. Although it is hard to flow out from one end part, when the inclination angle of the board | substrate W is small, it may flow. When a part of process liquid flows out from the upper end side of the inclination direction of the board | substrate W, the plate surface of the board | substrate W may not be processed uniformly.
그래서, 기판(W)의 폭 방향 일단부에 처리액을 사각형 패턴(S1)에 의해 간극이 생길 일 없는 조밀한 상태로 분사 공급하면, 기판(W)의 폭 방향 일단부로부터 처리액이 흘러 떨어지는 것을 방지하는 것이 가능해진다.Therefore, when spraying and supplying the process liquid to the width direction one end of the board | substrate W in the dense state without a clearance gap by the square pattern S1, a process liquid will flow out from the width direction one end of the board | substrate W. It becomes possible to prevent that.
그 결과, 기판(W)의 상면에 분사 공급된 처리액은, 기판(W)의 경사 방향 상단측으로부터 하단측을 향하여 균일하게 흘러 떨어지게 되기 때문에, 그 처리액의 흐름에 의해 기판(W)의 판면을 균일하게 처리할 수 있게 된다.As a result, the processing liquid jetted and supplied to the upper surface of the substrate W flows down uniformly from the upper end side in the oblique direction of the substrate W toward the lower end side, so that the processing liquid flows into the substrate W. The plate surface can be processed uniformly.
상기 각 실시형태에서는 사각형 패턴으로서 처리액이 정사각형의 패턴으로 분사 공급되는 경우에 대해서 설명하였지만, 사각형 패턴으로서는 정사각형이 아니라, 직사각형이어도 좋고, 요는 기판의 폭 방향의 양단부에 처리액을 조밀한 상태로 분사 공급할 수 있는 형상이면 좋다.In each of the above embodiments, a case has been described in which the treatment liquid is jet-fed and supplied in a square pattern as a rectangular pattern. However, the square pattern may be a rectangle instead of a square pattern, and the yoke is in a dense state at both ends in the width direction of the substrate. What is necessary is just a shape which can be injected and supplied by the furnace.
또한, 기판의 폭 방향의 양단부에 처리액을 분사하는 사각형 패턴은, 기판의 폭 방향의 단 가장자리로부터 일부가 외측으로 벗어난 상태여도 좋다.In addition, the rectangular pattern which inject | pours a process liquid in the both ends of the width direction of a board | substrate may be the state which partly deviated outward from the edge of the width direction of a board | substrate.
또한, 기판의 폭 방향 양단부를 제외한 부분에 처리액을 공급하는 패턴은, 원형 패턴 대신에 타원형 패턴이어도 좋고, 요는 처리액을 간극이 생기는 성긴 상태로 공급할 수 있는 형상이면 좋다.In addition, the pattern which supplies a process liquid to the part except the width direction both ends of a board | substrate may be an elliptical pattern instead of a circular pattern, and the shape may just be a shape which can supply a process liquid in the sparse state which produces a clearance gap.
또한, 제1, 제2 노즐체의 지지 높이를 변경하여, 인접하는 사각형 패턴(S1) 및 원형 패턴(S2)을 미리 정해진의 래핑값으로 래핑시켜 처리액을 공급하도록 하여도 좋다.Alternatively, the support heights of the first and second nozzle bodies may be changed to wrap the adjacent rectangular pattern S1 and the circular pattern S2 with a predetermined wrapping value to supply the treatment liquid.
4…반송축(반송 수단), 5…반송 롤러(반송 수단), 12…구동원(반송 수단), 23…제1 노즐체, 24…제2 노즐체, 23a, 24a…노즐칩, 23b, 24b…분사 구멍, S1…사각형 패턴, S2…원형 패턴.4… Conveying shaft (conveying means), 5... Conveying roller (conveying means), 12... Drive source (conveying means) 23. First nozzle body, 24... Second nozzle body, 23a, 24a... Nozzle chips, 23b, 24b... Spray hole, S1... Square pattern, S2... Circular pattern.
Claims (5)
상기 기판을 미리 정해진 방향으로 반송하는 반송 수단과,
상기 기판의 반송 방향과 교차하는 폭 방향의 양단부에 상기 처리액을 간극이 생길 일 없는 조밀한 상태로 균일하게 분사 공급하는 제1 노즐체와,
상기 기판의 상기 제1 노즐체에 의해 처리액이 공급된 폭 방향 양단부를 제외한 부분에 상기 처리액을 상기 기판의 반송 방향 및 반송 방향과 교차하는 방향에 대하여 간극이 생기는 성긴 상태로 분사 공급하는 제2 노즐체를 구비한 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치.A substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to a plate surface of a substrate to treat the plate surface,
Conveying means for conveying the substrate in a predetermined direction;
A first nozzle body which uniformly spray-feeds the processing liquid in a dense state without gaps at both end portions in the width direction intersecting the conveying direction of the substrate;
An agent for spray-feeding the processing liquid in a sparse state in which a gap is formed in a direction intersecting the conveying direction and the conveying direction of the substrate to a portion except the width direction both ends of the substrate in which the processing liquid is supplied by the first nozzle body; 2 nozzle body provided, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
상기 기판을 상기 미리 정해진 방향과 교차하는 폭 방향으로 경사지게 하여 상기 미리 정해진 방향으로 반송하는 반송 수단과,
상기 기판의 폭 방향 중 경사 방향 상단측의 일단부에 상기 처리액을 간극이 생길 일 없는 조밀한 상태로 균일하게 분사 공급하는 제1 노즐체와,
상기 기판의 상기 제1 노즐체에 의해 처리액이 공급된 폭 방향 일단부를 제외한 부분에 상기 처리액을 상기 기판의 반송 방향 및 반송 방향과 교차하는 방향에 대하여 간극이 생기는 성긴 상태로 분사 공급하는 제2 노즐체를 구비한 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치.As a processing apparatus of the board | substrate which processes a board surface by supplying a process liquid to a board surface, conveying a board | substrate to a predetermined direction,
Conveying means for inclining the substrate in a width direction intersecting the predetermined direction and conveying the substrate in the predetermined direction;
A first nozzle body for uniformly spraying and supplying the processing liquid to one end portion of an inclined direction upper end side in the width direction of the substrate in a dense state without a gap formed therein;
An agent for spray-feeding the processing liquid in a sparse state in which a gap is formed in a direction intersecting a conveying direction and a conveying direction of the substrate to a portion except a widthwise one end portion of the substrate in which the processing liquid is supplied by the first nozzle body; 2 nozzle body provided, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
상기 기판을 미리 정해진 방향으로 반송하는 공정과,
상기 기판의 반송 방향과 교차하는 폭 방향의 양단부에 상기 처리액을 간극이 생길 일 없는 조밀한 상태로 균일하게 분사 공급하는 공정과,
상기 기판의 폭 방향 양단부를 제외한 부분에 상기 처리액을 상기 기판의 반송 방향 및 반송 방향과 교차하는 방향에 대하여 간극이 생기는 성긴 상태로 분사 공급하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판의 처리 방법.As a processing method of the board | substrate which supplies a process liquid to the board surface of a board | substrate, and processes this board surface,
Conveying the substrate in a predetermined direction;
Uniformly spray-feeding the processing liquid in a dense state without gaps at both end portions in the width direction crossing the conveying direction of the substrate;
And a step of spray-feeding the processing liquid in a sparse state in which a gap is formed in a direction intersecting with a conveyance direction and a conveyance direction of the substrate at a portion except the width direction both ends of the substrate.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2009-202843 | 2009-09-02 | ||
JP2009202843A JP5352388B2 (en) | 2009-09-02 | 2009-09-02 | Substrate processing apparatus and processing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110025137A true KR20110025137A (en) | 2011-03-09 |
KR101153050B1 KR101153050B1 (en) | 2012-06-04 |
Family
ID=43809579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100085441A KR101153050B1 (en) | 2009-09-02 | 2010-09-01 | Apparatus for treating substrates and method of treating substrates |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5352388B2 (en) |
KR (1) | KR101153050B1 (en) |
CN (1) | CN102001834B (en) |
TW (1) | TWI431676B (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5317304B2 (en) * | 2012-01-31 | 2013-10-16 | 株式会社Nsc | Chemical polishing equipment |
JP2014110592A (en) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Toshiba Corp | Image processing device |
CN105967529A (en) * | 2016-05-13 | 2016-09-28 | 多氟多化工股份有限公司 | AG glass machining production line and glass conveying equipment thereof |
JP7312738B2 (en) * | 2020-12-11 | 2023-07-21 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing equipment |
CN113292246B (en) * | 2021-06-02 | 2022-05-17 | 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司 | Continuous production device for glass thinning |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3978065B2 (en) * | 2002-03-28 | 2007-09-19 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and processing method |
JP3689390B2 (en) * | 2002-06-25 | 2005-08-31 | 松下電工株式会社 | Substrate liquid treatment method |
JP2004055711A (en) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Tokyo Kakoki Kk | Substrate treating apparatus |
JP2004275989A (en) * | 2003-03-19 | 2004-10-07 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | Substrate processing apparatus |
JP4495618B2 (en) * | 2004-03-29 | 2010-07-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and processing method |
JP2006135162A (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Spraying method and apparatus thereof |
JP2007088289A (en) | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Sharp Corp | Device and method for processing substrate |
JP4859242B2 (en) * | 2006-07-27 | 2012-01-25 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing equipment |
-
2009
- 2009-09-02 JP JP2009202843A patent/JP5352388B2/en active Active
-
2010
- 2010-08-19 TW TW099127759A patent/TWI431676B/en active
- 2010-09-01 KR KR1020100085441A patent/KR101153050B1/en active IP Right Grant
- 2010-09-01 CN CN2010102706711A patent/CN102001834B/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5352388B2 (en) | 2013-11-27 |
JP2011054790A (en) | 2011-03-17 |
CN102001834B (en) | 2013-03-27 |
KR101153050B1 (en) | 2012-06-04 |
CN102001834A (en) | 2011-04-06 |
TWI431676B (en) | 2014-03-21 |
TW201137955A (en) | 2011-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101153050B1 (en) | Apparatus for treating substrates and method of treating substrates | |
KR101217371B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR100713235B1 (en) | Apparatus for treating surface of thin plate | |
KR101218449B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR100742678B1 (en) | Apparatus for treating substrates | |
KR20030072250A (en) | Liquid processing method and liquid processing apparatus | |
TWI505390B (en) | Floating on the coating device | |
KR20080096452A (en) | Apparatus for treating substrates | |
KR20140042782A (en) | Series of nozzles, and substrate treatment apparatus provided with series of nozzles | |
JP3978065B2 (en) | Substrate processing apparatus and processing method | |
KR19990023551A (en) | Substrate Processing Equipment | |
KR20020084121A (en) | Transfer type substrate treating device | |
KR100562724B1 (en) | Etching equipment of glass for Liquid Crystal Display and Plasma Display Panel | |
WO2012105382A1 (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
JP3907491B2 (en) | Pattern forming device | |
JP3916491B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP3981874B2 (en) | Chemical treatment method and chemical treatment apparatus | |
KR102245786B1 (en) | Wet etching device for mask sheet with vertical loading structure | |
KR20080062350A (en) | Apparatus for cleaning substrate | |
KR100854981B1 (en) | Wet processing treatment apparatus for manufacturing printed circuit board | |
KR101033938B1 (en) | Puddle knife for large area substrate | |
KR20090072360A (en) | Nozzle structure of slit coater | |
JP4251528B2 (en) | Etching method and etching apparatus | |
KR20220037355A (en) | Developer apparatus and developing method | |
KR20130058261A (en) | Apparatus for providing chemical liquid |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160225 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180516 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190228 Year of fee payment: 8 |