KR20110012652A - 포집장치 - Google Patents

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KR20110012652A KR1020090070466A KR20090070466A KR20110012652A KR 20110012652 A KR20110012652 A KR 20110012652A KR 1020090070466 A KR1020090070466 A KR 1020090070466A KR 20090070466 A KR20090070466 A KR 20090070466A KR 20110012652 A KR20110012652 A KR 20110012652A
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Abstract

본 발명에 따른 포집장치는 가스 입력단 및 가스 출력단이 마련된 하우징과, 하우징의 내부 공간에서 상하로 이격 배치되어 미반응 가스를 증착시킴으로써, 상기 미반응 가스를 포집하는 복수의 포집부와, 복수의 포집부 사이에서 상기 하우징 내의 일측에 설치되어, 미반응 가스가 지그재그(zigzag)로 흐르도록 유도하는 유도판을 포함한다.
따라서, 본 발명에 의하면 유도판에 의해 미반응 가스의 이동 경로가 확대되어 반응 시간이 증가됨에 따라, 미반응 가스의 포집율이 향상된다. 이로 인해, 펌프로 유입되는 미반응 가스의 양이 최소화됨에 따라 펌프가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
포집장치, 챔버, 유도판, 미반응 가스, 파티클, 반응 부산물

Description

포집장치{trap appratus}
본 발명은 포집장치에 관한 것으로, 미반응 가스의 포집율을 향상시켜, 상기 미반응 가스에 의해 펌프가 손상되는 것을 방지하는 포집장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자 제조 장치를 이용한 반도체 제조 공정시 공정 챔버 내에는 해당 공정이 진행되는 동안 반응하지 않고, 잔류된 미반응 가스 및 반응이 진행되면서 부수적으로 발생하는 반응 부산물 등이 다량 존재하게 된다. 이러한 미반응 가스를 포함하는 반응 부산물은 공정 챔버의 일측에 형성된 배기 시스템에 의해 외부로 배기된다. 이를 간략히 설명하면 반응 챔버에 소정의 반응 가스를 유입시켜 소정의 반응 공정을 실시한 후, 미반응 가스 및 반응 부산물은 배기관을 통해 배기된다. 하지만, 고온의 반응 챔버 내의 미반응 가스가 저온의 배기관으로 배기되면, 상기 기체 상태의 미반응 가스가 고체 상태의 파티클로 변하게 된다. 이러한 미반응 가스에 의한 파티클 및 반응 부산물이 펌프 내부에 쌓이게 됨에 따라, 펌프의 수명이 급격하게 단축되는 현상이 발생된다.
이를 해결하기 위하여, 반응 챔버와 펌프 사이에 미반응 가스 및 반응 부산물을 포집하는 포집장치를 설치하여 미반응 가스 및 반응 불순물로 인한 펌프의 손 상을 방지하였다. 하지만, 포집장치가 설치된 종래의 배기 시스템에서는 미반응 가스 및 반응 부산물의 반응 시간이 짧아 상기 미반응 가스 및 반응 부산물이 미쳐 포집되지 못하고 배기관에 퇴적되거나 펌프로 투입되는 문제가 여전히 발생되었다.이러한, 미반응 가스에 의한 파티클 및 반응 부산물이 펌프의 동작을 방해함으로써, 챔버 내부의 압력에 변화를 주는 문제가 발생하였다.
상기의 문제점을 해결하기 위하여, 복수의 포집부 사이에 미반응 가스가 지그재그(zigzag)로 흐르도록 유도하는 유도판을 설치하여 상기 미반응 가스의 이동 경로를 증가시킴에 따라 미반응 가스의 포집율을 향상시키는 포집장치를 제공한다.
본 발명에 따른 포집장치는 가스 입력단 및 가스 출력단이 마련된 하우징과,상기 하우징의 내부 공간에서 상하로 이격 배치되어 미반응 가스를 증착시킴으로써, 상기 미반응 가스를 포집하는 복수의 포집부와, 상기 복수의 포집부 사이에서 상기 하우징 내의 일측에 설치되어, 미반응 가스가 지그재그(zigzag)로 흐르도록 유도하는 유도판을 포함한다.
상기 포집부는 유도판과 수직을 이루도록 배치되며, 일방향으로 나열되어 일정거리 이격되도록 설치되는 복수의 증착 플레이트 및 상기 복수의 증착 플레이트를 관통하도록 설치되어 상기 복수의 증착 플레이트를 가열하는 열선을 포함한다.
상기 열선은 복층으로 이루어지고, 상기 복층으로 이루어진 열선의 상층 및 하층 각각에 복수의 증착 플레이트가 장착된다.
상기 열선은 수직 및 수평 방향으로 복층 구조를 갖도록 제작되고, 상기 수직 방향의 열선 및 수평 방향의 열선 각각에 복수의 증착 플레이트가 장착된다.
상기 수직 복층 구조 및 수평 복층 구조의 열선에 각기 장착된 복수의 증착 플레이트가 서로 엇갈리도록 배치된다.
상기 복수의 포집부 사이에 설치된 유도판을 이용하여, 상기 하우징의 내부 공간이 적어도 2개의 포집 영역으로 분할된다.
상기 복수의 포집부 각각을 구성하는 열선의 단면적을 동일하게 하여, 분할된 복수의 포집 영역의 온도가 균일하도록 한다.
상기 복수의 포집부 사이 공간에 배치되는 복수의 유도판은 상기 하우징 내의 일측 및 타측에 엇갈리게 설치되어 미반응 가스의 이동 통로가 서로 교번되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 복수의 포집부 사이에 미반응 가스가 지그재그(zigzag)로 흐르도록 유도하는 유도판을 설치하여 상기 미반응 가스의 이동 경로를 확대한다. 이로 인해, 미반응 가스의 반응 시간이 증가됨에 따라, 상기 미반응 가스의 포집율이 향상된다. 따라서, 미반응 가스에 의한 파티클 발생을 억제할 수 있고, 또한 펌프로 유입되는 미반응 가스가 최소화 됨에 따라 펌프가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개념도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 내부 공간이 마련된 공정 챔버(100), 공정 챔버(100)와 접속되어 상기 공정 챔버(100) 내부를 배기하며, 미반응 가스을 포집하는 포집장치(500) 및 포집장치(500)에 접속된 펌프(400)를 구비하는 배기 시스템(600)을 포함한다.
공정 챔버(100)는 내부가 비어있는 사각통 형상으로 제작되며, 내부에는 기판을 처리할 수 있는 소정의 반응 공간이 마련된다. 제 2 실시예에서는 챔버를 사각 통 형상으로 제작하였으나, 이에 한정되지 않고 기판의 형상에 대응되도록 제작하는 것이 바람직하다. 이러한 공정 챔버(100)에는 도시되지는 않았지만, 그 내부에 기판이 장착되는 기판 지지부 및 기판 지지부와 대향 배치되어 소정의 반응 가스, 원료 가스 및 퍼지가스와 같은 다수의 가스를 공급하는 가스 공급 수단이 마련된다.
배기 시스템(600)은 공정 챔버(100) 내에서 반응하지 않은 가스 즉, 미반응 가스를 재가열하여 증착시킴으로써, 상기 미반응 가스를 포집하는 포집장치(500), 공정 챔버(100) 내부 및 포집장치(500) 내부를 펌핑하는 펌프(400), 공정 챔버(100)와 포집장치(500) 내부를 연통시키는 제 1 배관(200) 및 포집장치(500)와 펌프(400)를 연통시키는 제 2 배관(300)을 포함한다. 이때, 제 2 배관(300)을 통해 포집장치(500)에 연결된 펌프(400)로는 로터리 펌프를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 도시되지는 않았지만 제 1 및 제 2 배관(200, 300) 각각에는 밸브가 설치될 수 있으며, 공정 챔버(100)와 포집장치(500) 사이에 부스터 펌프(미도시)를 더 설 치할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포집장치의 단면도이다. 도 3은 제 1 실시예의 변형예에 포집장치를 나타낸 입체 도면이다.
도 2를 참조하면, 포집장치(500)는 일측에 가스 입력단(521)이 마련되고 타측에 가스 출력단(522)이 마련된 하우징(510), 상하로 이격 배치되어 미반응 가스를 증착시킴으로써, 상기 미반응 가스를 포집하는 제 1 및 제 2 포집부(540a, 540b), 제 1 포집부(540a)와 제 2 포집부(540b) 사이에 배치되어 미반응 가스가 지그재그(zigzag)로 흐르도록 유도하는 유도판(550)을 포함한다.
제 1 실시예에 따른 하우징(510)은 내부 공간이 마련된 사각통 형상으로 제작된다. 물론 이에 한정되지 않고, 다양한 모양의 하우징(510)을 사용할 수도 있다. 여기서, 제 1 포집부(540a), 제 2 포집부(540b) 및 유도판(550)을 제외한 하우징(510)의 내부 공간의 크기가 공정 챔버(100)와 연결된 제 1 배관(200) 및 펌프(400)와 연결된 제 2 배관(300)의 직경과 동일하도록 제작하는 것이 효과적이다. 이러한 하우징(510)의 내주면에는 상기 하우징(510) 내부의 열 손실을 최소화하기 위한 단열부재(511)가 설치된다. 이러한 하우징(510)의 상측 일단에는 미반응 가스가 입력되는 가스 입력단(521)이 마련되고, 하측 일단에는 소정의 가스가 출력되는 가스 출력단(522)이 마련된다. 이때, 제 1 실시예에 따른 가스 입력단(521) 및 가스 출력단(522)은 하우징(510)의 일측면 예컨데, 좌측면과 인접하도록 설치된다. 그리고 가스 입력단(521)은 공정 챔버(100)와 연통된 제 1 배관(200)과 연결되고, 가스 출력단(522)은 펌프(400)와 연통된 제 2 배관(300)과 연결된다.
제 1 및 제 2 포집부(540a, 540b)는 가스 입력단(521)으로부터 유입된 미반응 가스를 증착 온도로 재가열하여, 상기 미반응 가스를 포집하는 역할을 한다. 제 1 포집부(540a)는 가스 입력단(521)과 유도판(550)의 사이 공간에서 복층으로 형성되는 제 1 열선(542a) 및 유도판(550)과 수직을 이루도록 제 1 열선(542a)에 장착되고, 상기 제 1 열선(542a) 상에서 일방향으로 나열되어 상호 일정거리 이격 배치되는 복수의 제 1 증착 플레이트(541a)를 포함한다. 여기서, 실시예에 따른 제 1 열선(542a)은 상하로 이격 배치된 제 1 및 제 2 연장선과 상기 제 1 연장선과 제 2 연장선을 연결하는 이음부를 포함하는 'ㄷ'자 형상으로 제작된다. 즉, 단일의 제 1 열선(541a)을 수직 방향으로 절곡시켜 복층으로 이루어진 제 1 열선(541a)을 형성한다. 이때, 복층으로 이루어진 제 1 열선(542a)의 상층에 장착된 복수의 제 1 증착 플레이트(541a)와 하층에 장착된 복수의 제 1 증착 플레이트(541b)가 서로 엇갈리도록 배치한다. 물론 이에 한정되지 않고 다양한 형상으로 제 1 열선을 제작할 수 있다. 도 3을 참조하면, 제 1 열선은 상하로 이격된 복수의 연장선, 동일 수평면 상에서 상호 이격된 복수의 연장선 및 이를 연결하는 복수의 이음부를 포함하도록 제작할 수 있다. 즉, 단일의 제 1 열선(542b)이 수직 및 수평 방향으로 이격된 복수의 연장선과, 이를 연결하는 복수의 이음부를 포함하도록 제작할 수 있다. 본 실시예에서는 제 1 열선(542a)에 복수의 제 1 증착 플레이트(541a)가 직접 장착된다. 이와 같이, 제 1 열선(542a)에 복수의 제 1 증착 플레이트(541a)가 직접 취부됨에 따라, 상기 제 1 열선(542a)의 열을 복수의 제 1 증착 플레이트(541a)에 용이하게 전달할 수 있다. 그리고, 제 1 열선(542a)의 적어도 일단은 하우징(510)의 외부로 돌출되어 전원을 인가하는 전원 공급부(미도시)와 접속된다. 이에, 미반응 가스가 이동하면서 제 1 열선(542a)에 의해 증착 온도로 가열된 복수의 제 1 증착 플레이트(541a)에 접촉됨에 따라, 상기 미반응 가스가 복수의 제 1 증착 플레이트(541a)에 증착된다. 이와 같은 과정을 통해, 미반응 가스가 복수의 제 1 및 제 2 증착 플레이트(541a, 541b)에 증착됨으로써, 미반응 가스가 포집된다. 제 1 포집부(540a) 및 제 2 포집부(540b)는 동일한 구성 및 구조를 가지므로 하기에서는 제 2 포집부(540b)에 대한 설명은 생략한다. 이때, 제 1 포집부(540a) 및 제 2 포집부(540b) 각각의 제 1 열선(542a) 및 제 2 열선(542b)의 단면적을 동일하게 하여, 유도판(550) 상측의 포집 영역과 하측의 포집 영역의 온도를 균일하게 한다.
유도판(550)은 가스 입력단(521)으로 유입된 미반응 가스가 지그재그(zigzag) 형상으로 흐르도록 유도하여, 미반응 가스의 이동 경로를 연장시키는 역할을 한다. 즉, 미반응 가스의 이동 경로를 확대하여 상기 미반응 가스의 반응 시간을 연장시킴으로써, 상기 미반응 가스의 포집율을 향상시킨다. 이러한, 유도판(550)은 제 1 포집부(540a)와 제 2 포집부(540b) 사이에 배치된다. 따라서, 유도판(550)에 의해 하우징(510)의 내부 공간이 수평 방향으로 2개의 공간으로 분리된다. 물론 이에 한정되지 않고, 하우징(510)의 내부를 2개 이상의 공간으로 분할할 수도 있다. 또한, 유도판(550)의 일단은 하우징(510) 내의 일측에 접속되어 일방향으로 연장 설치되고, 타단은 하우징(510)의 타측과 소정 거리 이격되도록 한다. 이는 미반응 가스가 지그재그(zigzag)로 흐르도록 하여, 상기 미반응 가스가 제 1 및 제 2 포집부(540a, 540b)의 전 영역을 거쳐 흐르도록 유도하기 위함이다. 본 실시 예에 따른 유도판(550)의 일단은 하우징(510) 내부의 좌측면에 접속되어 우측 방향으로 연장 설치된다. 그리고, 상기 유도판(500)의 타단은 하우징(510)의 우측면과 소정거리 이격 배치된다. 이에, 가스 입력단(521)으로 입력된 미반응 가스는 제 1 포집부(540a)의 좌측 영역에서 우측 영역으로 흐른뒤, 유도판(550)의 우측 개방된 영역을 통해 상기 유도판(550)의 하측으로 이동한다. 이후, 상기 미반응 가스는 제 2 포집부(540b)의 우측 영역에서 좌측 영역으로 흘러 가스 출력단(522)으로 배기된다. 즉, 미반응 가스는 유도판(550)에 의해 지그재그(zigzag)로 흐르게 된다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포집장치 내에서 미반응 가스의 흐름을 설명하기 단면도이다.
하기에서는 도 1 및 도 4를 참조하여 제 1 실시예에 따른 포집장치를 이용하여 미반응 가스를 포집하는 방법을 설명한다.
공정 챔버(100) 내에 배치된 가스 공급 수단을 이용하여 소정의 원료 가스, 반응 가스 및 퍼지가스와 같은 다수의 가스를 공급하여, 기판 처리 공정을 실시한다. 그리고, 공정 챔버(100)에 접속된 배기 시스템(600)을 이용하여 상기 공정 챔버(100) 내에 잔류하는 미반응 가스를 배출시키고, 상기 공정 챔버(100) 내부를 일정 압력으로 유지한다. 즉, 공정 챔버(100) 하부에 마련된 배기구(미도시)를 개방한 후, 펌프(400)를 이용하여 미반응 가스를 포집장치(500)로 배기한다. 공정 챔버(100) 내부의 미반응 가스는 제 1 배관(200) 및 포집장치(500)의 가스 입력단(521)을 통해 상기 포집장치(500)의 하우징(510)으로 유입된다. 이때, 제 1 포집부(540a)의 복수의 제 1 증착 플레이트(541a) 및 제 2 포집부(540b)의 복수의 제 2 증착 플레이트(541b) 각각은 제 1 열선(542a) 및 제 2 열선(542b)에 의해 증착 온도로 가열되어 있는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 제 1 및 제 2 증착 플레이트(541a, 541b)를 200℃ 내지 900℃의 온도로 가열한다. 그리고, 도 3에 도시된 바와 같이, 미반응 가스는 가스 입력단(521)이 배치된 제 1 포집부(540a)의 좌측 영역에서 우측 영역으로 이동한다. 이때, 미반응 가스가 이동하면서 제 1 포집부(540a)의 가열된 복수의 제 1 증착 플레이트(541a)와 접속됨에 따라, 상기 미반응 가스는 복수의 제 1 증착 플레이트(541a)에 증착된다. 이후, 제 1 포집부(540a)에 의해 포집되지 않은 미반응 가스는 유도판(550)에 의해 개방된 영역을 통해 상기 유도판(550)의 하측으로 이동한다. 그리고, 상기 미반응 가스는 제 2 포집부(540b)의 우측 영역으로부터 좌측 방향으로 이동한다. 이러한 미반응 가스의 이동에 의해, 상기 미반응 가스가 가열된 복수의 제 2 증착 플레이트(541b)와 접촉됨으로써, 상기 미반응 가스는 복수의 제 2 증착 플레이트(541b)에 증착된다. 이와 같은 공정을 통해 가스 출력단(522)으로 배기되는 미반응 가스의 양을 최소화시킬 수 있다.
이와 같이, 본 실시예에서는 제 1 포집부(540a)와 제 2 포집부(540b) 사이에 유도판(550)을 배치시켜, 미반응 가스의 이동 경로를 연장시킴으로써, 미반응 가스의 포집율을 향상시킬 수 있다. 이로 인해, 가스 출력단(522)으로 출력되는 미반응 가스의 양을 최소화할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포집장치의 단면도이다. 하기에서는 제 1 실시예와 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 5를 참조하면, 포집장치(500)는 가스 입력단(521)과 가스 출력단(522)이 마련된 하우징(510), 상하로 이격 배치되어 미반응 가스를 증착시킴으로써, 상기 미반응 가스를 포집하는 제 1, 제 2 및 제 3 포집부(540a, 540b, 540c), 제 1 포집부(540a)와 제 2 포집부(540b) 사이 및 제 2 포집부(540b)와 제 3 포집부(540c) 사이에 각각 배치되어 미반응 가스가 지그재그(zigzag)로 흐르도록 유도하는 제 1 및 제 2 유도판(550a, 550b)을 포함한다.
제 2 실시예에서는 2개의 유도판(550)을 마련하여 하우징(510)의 내부 공간을 수평 방향으로 3개의 공간으로 분리한다. 또한, 제 1 및 제 2 유도판(550a, 550b)을 하우징(510)의 내측 및 타측에 엇갈리게 설치하여 미반응 가스의 이동 통로가 서로 교번하도록 설치한다. 제 2 실시예에 따른 제 1 유도판(550a)의 일단은 하우징(510) 내부의 좌측면에 접속되어 우측 방향으로 연장 설치된다. 그리고, 상기 제 1 유도판(550a)의 타단은 하우징(510)의 우측면과 소정 거리 이격 배치된다. 이에, 제 1 유도판(550a)의 타단의 우측 영역은 미반응 가스가 이동하는 통로가 된다. 또한, 제 2 유도판(550b)의 일단은 하우징(510) 내부의 우측면에 접속되어 좌측 방향으로 연장 설치된다. 그리고, 제 2 유도판(550b)의 타단은 하우징(510) 내의 좌측면과 소정 거리 이격 배치된다. 이에, 제 2 유도판(550a)의 타단의 좌측 영역은 미반응 가스가 이동하는 통로가 된다. 이로 인해, 제 1 및 제 2 유도판(550a, 550b)에 의한 미반응 가스의 이동 통로가 교번되도록 배치된다.
도 6은 제 2 실시예에 따른 포집장치 내에서 미반응 가스의 흐름을 설명하기 위한 단면도이다.
하기에서는 도 1 및 도 6을 참조하여, 제 2 실시예에 따른 포집장치를 이용하여 미반응 가스를 포집하는 방법을 설명한다.
공정 챔버(100) 내에 배치된 가스 공급 수단을 이용하여 소정의 원료 가스, 반응 가스 및 퍼지가스와 같은 다수의 가스를 공급하여, 기판 처리 공정을 실시한다. 그리고, 공정 챔버(100)에 접속된 배기 시스템(600)을 이용하여 상기 공정 챔버(100) 내에 잔류하는 미반응 가스를 배출시키고, 상기 공정 챔버(100) 내부를 일정 압력으로 유지한다. 즉, 공정 챔버(100) 하부에 마련된 배기구를 개방한 후, 펌프(400)를 이용하여 미반응 가스를 포집장치(500)로 배기한다. 공정 챔버(100) 내부의 미반응 가스는 제 1 배관(200) 및 포집장치(500)의 가스 입력단(521)을 통해 상기 포집장치(500)의 하우징(510) 내로 유입된다. 이때, 제 1, 제 2 및 제 3 포집부(540a, 540b, 540c)의 각각의 복수의 증착 플레이트(541a, 541b, 541c)는 각각의 열선(542a, 542b, 542c)에 의해 증착 온도로 가열되어 있는 것이 바람직하다. 제 2 실시예에서는 복수의 제 1 및 제 2 증착 플레이트(541a, 541b)를 200℃ 내지 900℃로 가열한다. 그리고, 도 6에 도시된 바와 같이, 미반응 가스는 가스 입력단(521)이 배치된 제 1 포집부(540a)의 좌측 영역에서 우측 영역으로 이동한다. 이때, 미반응 가스가 이동하면서 제 1 포집부(540a)의 가열된 복수의 제 1 증착 플레이트(541a)와 접속됨에 따라, 상기 미반응 가스는 복수의 제 1 증착 플레이트(541a)에 증착된다. 이후, 제 1 포집부(540a)에 의해 포집되지 않은 미반응 가스는 제 1 유도판(550a)에 의해 개방된 영역을 통해 상기 제 1 유도판(550a)의 하측으로 이동한다. 그리고, 상기 미반응 가스는 제 2 포집부(540b)의 우측 영역에서 좌측 영역 으로 이동한다. 이로 인해, 미반응 가스가 제 2 포집부(540b)의 가열된 복수의 제 2 증착 플레이트(541b)와 접속됨에 따라, 상기 미반응 가스는 복수의 제 2 증착 플레이트(541b)에 증착된다. 이후, 제 2 포집부(540b)에 의해 포집되지 않은 미반응 가스는 제 2 유도판(550b)에 의해 개방된 영역을 통해 상기 제 2 유도판(550b)의 하측으로 이동한다. 그리고, 상기 미반응 가스는 제 3 포집부(540c)의 좌측 영역에서 우측 영역으로 이동한다. 미반응 가스가 이동하면서 제 3 포집부(540c)의 가열된 복수의 제 3 증착 플레이트(541c)와 접속됨에 따라, 상기 미반응 가스는 복수의 제 3 증착 플레이트(541c)에 증착된다. 이와 같은 공정을 통해 가스 출력단(522)으로 배기되는 미반응 가스의 양을 최소화시킬 수 있다.
제 2 실시예에서는 상하로 이격된 3개의 포집부(540a, 540b, 540c) 및 상기 3개의 포집부(540a, 540b, 540c) 사이에 2개의 유도판(550a, 550b)을 각각 배치시켰으나, 이에 한정되지 않고 그 이상의 개수로 포집부 및 유도판을 설치할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개념도
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포집장치의 단면도
도 3은 제 1 실시예의 변형예에 포집장치를 나타낸 입체 도면
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포집장치 내에서 미반응 가스의 흐름을 설명하기 단면도
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포집장치의 단면도
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포집장치 내에서 미반응 가스의 흐름을 설명하기 위한 단면도
<도면의 주요부분의 부호에 대한 설명>
500: 하우징 521: 가스 입력단
522: 가스 출력단 530: 내부 공간
540a: 제 1 포집부 540b: 제 2 포집부
540c: 제 3 포집부 550: 유도판

Claims (8)

  1. 가스 입력단 및 가스 출력단이 마련된 하우징;
    상기 하우징의 내부 공간에서 상하로 이격 배치되어 미반응 가스를 증착시킴으로써, 상기 미반응 가스를 포집하는 복수의 포집부;
    상기 복수의 포집부 사이에서 상기 하우징 내의 일측에 설치되어, 미반응 가스가 지그재그(zigzag)로 흐르도록 유도하는 유도판을 포함하는 포집장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 포집부는 유도판과 수직을 이루도록 배치되며, 일방향으로 나열되어 일정거리 이격되도록 설치되는 복수의 증착 플레이트 및 상기 복수의 증착 플레이트를 관통하도록 설치되어 상기 복수의 증착 플레이트를 가열하는 열선을 포함하는 포집장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 열선은 복층으로 이루어지고, 상기 복층으로 이루어진 열선의 상층 및 하층 각각에 복수의 증착 플레이트가 장착되는 포집장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 열선은 수직 및 수평 방향으로 복층 구조를 갖도록 제작되고, 상기 수 직 방향의 열선 및 수평 방향의 열선 각각에 복수의 증착 플레이트가 장착되는 포집장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 수직 복층 구조 및 수평 복층 구조의 열선에 각기 장착된 복수의 증착 플레이트가 서로 엇갈리도록 배치되는 포집장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 포집부 사이에 설치된 유도판을 이용하여, 상기 하우징의 내부 공간이 적어도 2개의 포집 영역으로 분할되는 포집장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 복수의 포집부 각각을 구성하는 열선의 단면적을 동일하게 하여, 분할된 복수의 포집 영역의 온도가 균일하도록 하는 포집장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 포집부 사이 공간에 배치되는 복수의 유도판은 상기 하우징 내의 일측 및 타측에 엇갈리게 설치되어 미반응 가스의 이동 통로가 서로 교번되도록 배치되는 포집장치.
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