KR20100137240A

KR20100137240A - 정확한 솔더링을 위한 프로브 조립체

Info

Publication number: KR20100137240A
Application number: KR1020090055565A
Authority: KR
Inventors: 인치훈; 윤석언
Original assignee: (주)티에스이
Priority date: 2009-06-22
Filing date: 2009-06-22
Publication date: 2010-12-30
Also published as: KR101043141B1

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼의 집적회로 소자 검사용 프로브 카드의 프로브 조립체에 관한 것으로서, 상부면에 복수의 전극패드를 포함하는 회로패턴이 형성된 배선기판 및 상기 복수의 전극패드 상의 각각에 접합되는 접합부를 구비하는 복수의 프로브를 포함하며, 상기 복수의 전극패드 각각의 상부면에는 상기 프로브의 접합부와 상기 전극패드와의 접합을 위한 솔더층(Solder Layer)이 형성된 것을 특징으로 한다.

상기 솔더층은 상기 프로브의 접합부가 삽입되어 고정되는 수용부로 형성되며, 상기 수용부는 상기 프로브의 접합부를 삽입하기 위해 상기 프로브의 접합부의 단면에 대응하는 형상을 가지도록 상기 수용부를 수직 관통하여 형성된 슬롯을 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 배선기판의 전극패드 상부면에 솔더층을 형성함으로써 냉납 또는 합선 등의 납땜 불량을 제거하여 납땜(Soldering) 공정에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

프로브 조립체, 포토레지스트, 솔더층, 땜납, 수용부, 슬롯

Description

정확한 솔더링을 위한 프로브 조립체{Probe Assembly For Accurate Soldering}

본 발명은 프로브 조립체에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 프로브를 배선기판의 전극패드 상에 접합 불량 없이 정확한 위치에 접합할 수 있도록 하는 프로브 조립체에 관한 것이다.

최근 반도체 기술 개발로 인한 반도체 칩 내 패드 간 간격이 지속적으로 축소됨에 따라 패드 간격에 따른 반도체 칩의 검사 장치의 발전이 뒤 따를 수 밖에 없다. 웨이퍼 조립 공정(Wafer Fabrication Process)을 거쳐 반도체 웨이퍼에 형성된 집적회로 칩들은 웨이퍼 상태에서 진행되는 전기적 특성 검사(EDS; Electrical Die Sorting)에 의해 양품과 불량품으로 분류된다. 그리고 전기적 특성 검사에는 검사 신호의 발생과 검사 결과의 판정을 담당하는 테스터(Tester)와 반도체 웨이퍼의 로딩(Loading)과 언로딩(Unloading)을 담당하는 프로브 스테이션(Probe Station) 및 반도체 웨이퍼와 테스터의 전기적 연결을 담당하는 프로브 카드(Probe Card)로 구성된 검사 장치가 주로 사용된다.

전술한 검사 장치에 있어서, 프로브 카드는 메인 보드(Main Board) 상에 세라믹 재질의 프로브 블록(Probe Block)이 고정되고, 그 프로브 블록에 에폭시 수지(epoxy resin)로 프로브가 고정된 구조가 일반적이었다. 특히, 반도체 소자의 직접도가 향상됨에 따라 이를 테스트하기 위한 프로브 카드도 고밀도, 고속 테스트가 가능하도록 요구되고 있다. 집적회로 칩들의 크기가 작아짐에 따라 테스트를 위한 테스트 채널의 밀도가 증가하게 되고 결국 프로브의 배열 조밀도가 또한 증가할 수 밖에 없다. 또한, 별도 제작된 프로브를 배선기판에 개별 접합을 하게 됨으로 접합 공정에서의 신뢰성 확보가 중요하다. 그리고 접합을 위해서는 접합을 위한 매계체로 솔더를 이용하게 되는데, 미세 패턴에 대한 극소량의 솔더를 도포해야 한다. 그러나 미세 패턴에 땜납을 정량 도포하기가 어려움이 있고, 종래에 사용되는 디스팬서를 이용하거나 솔더 프린팅을 할 경우 프로브 접합을 위한 충분한 땜납의 양을 확보하기 어려울 뿐만 아니라 땜납의 양이 부족할 경우, 프로브의 접합강도가 낮아지게 되어 탈락의 위험이 있으며, 땜납의 양이 과다할 경우 합선(Short)의 우려가 있다. 또한, 납땜 공정을 위해서 융제가 들어가게 되는데 상온에서 쉽게 굳어지기 때문에 프로브의 위치 정렬을 위한 시간이나 납땜을 위한 시간에 제약을 주게 된다.

따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 전극패드 상에서 프로브의 접합 불량을 방지할 수 있는 프로브 조립체를 제공함에 있다.

상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 프로브 조립체는, 상부면에 복수의 전극패드를 포함하는 회로패턴이 형성된 배선기판 및 상기 복수의 전극패드 상의 각각에 접합되는 접합부를 구비하는 복수의 프로브를 포함하며, 상기 복수의 전극패드 각각의 상부면에는 상기 프로브의 접합부와 상기 전극패드와의 접합을 위한 솔더층(Solder Layer)이 형성된 것을 특징으로 한다.

상기와 같은 본 발명에 따른 프로브 조립체는, 배선기판의 전극패드 상부면에 솔더층을 형성함으로써 냉납 또는 합선 등의 납땜 불량을 제거하여 납땜(Soldering) 공정에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

또한, 전극 패드의 상부면에 솔더층을 수용부로 형성함으로써 프로브를 정확한 위치에 정렬 및 접합할 수 있어 프로브 조립체의 제작을 용이하게 할 수 있는 이점이 있다.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이 때 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내 고 있음에 유의해야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다.

제 1 실시예

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 솔더층이 형성된 프로브 조립체의 구성을 나타내는 부분 사시도이고, 도 2는 도 1의 측면에서 본 측단면도이고, 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 솔더층의 제조 과정을 나타내는 부분 단면도이다.

도 1과 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 프로브 조립체(100)는 상기 복수의 프로브(10)와 배선기판(20) 및 솔더층(Solder Layer; 30)을 포함할 수 있다.

상기 프로브(10)는 외팔보 형태로써 접합부(13)와 몸체부(15) 그리고 접촉부(17)를 포함할 수 있다. 프로브(10)는 반도체 제조에서 응용되는 미세 박판 기술을 이용하여 제조할 수 있다. 접합부(13)는 사각판의 형상을 가지며 접합부(13)의 일단이 배선기판(20)의 전극패드(23)와 접합되어 전기적으로 연결되고 접합부(13)의 타단은 몸체부(15)의 일단과 연결될 수 있다. 몸체부(15)는 캔틸레버 구조를 가지며 몸체부(15)의 타단과 접촉부(17)의 일단이 연결될 수 있다. 접촉부(17)는 몸체부(15)의 타단에 수직하게 형성되고 접촉부(17)의 타단은 피검사체(도시되지 않음)와 접촉될 수 있는 접촉팁(19)을 포함할 수 있다. 그리고 프로브(10)는 니켈, 코발트 또는 니켈-코발트 합금 등의 금속을 적층하여 일체로 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 프로브(10)가 외팔보 형태지만 여기에 한정되지 않으며, 일자형으로 된 수직형 등 다양한 형태가 될 수 있다.

상기 배선기판(20)은 세라믹 등의 재질로 이루어질 수 있으며, 다층 기판 또는 양면 기판 등이 사용될 수 있다. 그리고 배선기판(20)은 프로브 카드의 메인회로 기판(미도시)위에 장착될 수 있으며 회로패턴(21)을 포함할 수 있다. 도 1과 도 2에서와 같이, 회로패턴(21)은 배선기판(20)의 상부면에 형성된 전극패드(23)와 트레이스(25) 및 비아홀패드(27)와 배선기판(20)의 하부면에 형성된 접점패드(28) 및 배선기판(20)의 상부면과 하부면의 회로를 전기적으로 연결시키기 위해 배선기판(20)을 수직 관통하여 형성된 비아홀(29)을 복수개 포함할 수 있다. 전극패드(23)는 프로브(10)가 접합되어 전기적으로 연결되며 트레이스(25)는 전극패드(23)와 비아홀패드(27)를 전기적으로 연결시켜 주기 위한 선로 역할을 하며 비아홀패드(27)는 비아홀(29)를 통해 배선기판(20) 하부면의 접점패드(28)와 연결될 수 있다.

여기서, 배선기판(20)의 전극패드(23)들 각각의 상부면에 프로브(10)들 각각을 접합하기 위한 복수의 솔더층(30)을 형성할 수 있다. 또한 솔더층(30)은 프로브(10)의 접합부(13) 단면의 형상을 가질 수 있으며 전극패드(23)의 둘레 안에 형성되는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 솔더층(30)들은 복수의 프로브(10)와 전극패드(23) 각각에 똑같이 적용되므로 도 2에서와 같이, 각각 한 개의 프로브(10)와 전극패드(23) 및 이에 적용되는 솔더층(30)에 대해서만 설명하기로 한다.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 전극패드(23) 상부면에 솔더층(30)을 형성하기 위해 먼저, 도 3(a)에서와 같이 전극패드(23)가 형성된 배선기판(20) 위에 포토리 소그래피(Photo Lithography) 기술에 따른 포토레지스트를 전면 도포하여 포토레지스트층(40)을 형성한다. 포토레지스트층(40)의 두께(T1)는 후술되는 솔더층(30)의 두께(T2)보다 크게 한다. 예를 들어 포토레지스트층(40)의 두께(T1)는 100㎛이상 ~ 120㎛이하 정도면 충분할 수 있다.

상기 포토레지스트층(40)을 형성한 후 도 3(b)에서와 같이, 포토마스크(43)를 이용하여 노광 공정(Photo Exposure Process)을 거친다. 상기 노광 공정에서는 먼저, 솔더층(30)을 형성하기 위한 솔더패턴(46)이 설계되고 상기 솔더패턴(46)을 이용하여 포토마스크(43)가 제작될 수 있다. 따라서 전극패드(23) 위에 솔더층(30)을 정확히 형성하기 위해서는 포토마스크(43)에 형성된 솔더패턴(46)이 전극패드(23)의 내부 영역 안에 들어오도록 정확히 정렬되어야 한다. 그러면 솔더패턴(46)이 노광에 의해 전극패드(23) 위치를 수직으로 대응시킨 포토레지스트층(40)의 상부면에 정확히 옮겨질 수 있다. 그리고 솔더패턴(46)은 프로브(10)의 접합부(13)의 단면 형상에 따라 다양한 형태를 가질 수 있다. 즉, 본 실시예의 솔더패턴(46)은 접합부(13)의 단면이 직사각형이므로 직사각형 모양이지만 프로브(10)의 접합부(13)의 단면이 원형일 경우는 솔더패턴(46)도 원형의 패턴을 가질 수 있다. 상기 포토마스크(43)의 솔더패턴(46)은 포토레지스트의 네거티브(Negative)와 포지티브(Positive)에 따라 그 제작 형태 즉 양각 또는 음각 형태로 제작되어 질 수 있다. 본 실시예에서는 포토레지스트의 네거티브 방식을 사용한 예를 들고 있다. 따라서 솔더패턴(46)도 양각으로 형성됨이 바람직하다. 그리고 포토레지스트 이외에도 감광성 재료로서 드라이필름 등을 사용할 수 있다. 상기 노광은 자외 선(ultraviolet; UV)을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 노광 공정이 끝난 후 도 3(c)의 현상 공정(Develop Process)을 거친다. 상기 현상 공정에서는 노광 공정에서 노광으로 인하여 포토레지스트가 빛(자외선)을 받은 부분과 빛을 받지 않은 부분으로 나누어지는데 빛을 받지 않은 부분을 현상액을 이용하여 녹여 없애면 전극패드(23) 상부면에 솔더패턴(46)의 형상이 형성될 수 있다.

상기 현상 공정이 끝난 후 도 3(d)에서와 같이, 솔더패턴(46)의 형상 자리에 전기도금 공정(Electroplating Process)을 이용하여 전기도금으로 솔더층(30)이 형성될 수 있다. 솔더층(30)은 전기도금에 의해 전극패드(23)와는 별도의 다른 층(Layer)으로 형성될 수 있다. 상기 솔더층(30)의 두께(T2)는 프로브(10)의 접합부(13)가 충분히 접합하는 데 필요한 양에 해당하는 두께로 도금함이 바람직하다. 예를 들어 솔도층(30)의 두께(T2)는 40㎛이상~60㎛이하 정도면 충분할 수 있다. 상기 전기도금에 사용되는 재료는 주석(Sn) 또는 주석을 기본으로 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 및 비스무스(Bismuth; Bi) 등 어느 한 종류 이상을 포함한 도전성 합금 소재로 구성될 수 있다. 상기 솔더층(30)을 형성하기 위해 본 실시예에서는 전기도금 공정을 이용하였으나 이외에도, 무전해도금(Electroless Plating) 공정, 화학기상증착(CVD; Chemical Vapor Deposition)공정 또는 물리기상증착(PVD; Physical Vapor Deposition)공정, 또는 플라즈마화학기상증착(PECVD; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)공정 등 다양한 공정에 의해 솔더층(30)을 형성할 수도 있다.

상기 전기도금 공정이 끝난 후 도 3(e)에서와 같이, 평탄화 공정(Planarization Process)에 들어갈 수 있다. 상기 평탄화 공정은 솔더층(30) 형성 과정에서 표면의 구조가 요철이 심화되어지고, 특히 합선의 원인을 제거하기 위해서 진행될 수 있다. 상기 평탄화 공정에는 화학적 기계연마 (CMP; Chemical Mechanical Polishing) 기술을 사용할 수 있다.

상기 평탄화 공정이 끝난 후 도 3(f)에서와 같이, 불필요한 포토레지스트를 제거하는 박리 공정(Stripping Process)을 진행할 수 있다. 상기 박리공정에는 황산용액 등과 같은 포토레지스트 제거용 케미칼 용액을 사용하여 포토레지스트층(40)을 제거할 수 있다. 지금까지, 상기의 제조 과정들을 거친 결과 전극패드(23) 상에 솔더층(30)을 완성할 수 있다.

상기 박리 공정이 끝난 후 도 3(g)에서와 같이, 솔더층(30) 각각에 접합부(13)들 각각이 대응되어 정렬되는 정렬 공정이 진행될 수 있다. 그리고 프로브(10)의 정렬은 기계작업 또는 수작업에 의해 이루어질 수 있다.

상기 정렬 공정이 끝나면 도 3(h)와 같이, 납땜 공정(Soldering Process)이 진행되며 상기 납땜 공정에서는 열(heat)을 가할 수 있는 납땜용 기구나 기계(미도시)로 솔더층(30)을 녹임으로써 프로브(10)의 접합부(13)를 전극패드(23)에 고정 결합시키는 땜납(37)이 될 수 있다. 상기 납땜용 기구나 기계는 레이저 또는 고주파 펄스 또는 열압착을 이용한 것으로써 솔더층(30)에 열을 가할 수 있는 기구나 기계이면 무엇이든 상관없다. 여기에 도 2를 참조하면, 프로브(10)의 접합부(13)의 양측면에 금으로 도금을 하여 금도금층(39)을 형성할 수 있다. 금도금층(39)은 땜 납(37)과의 접합력을 강하게 하여 효율적으로 납땜이 잘 이루어질 뿐만 아니라 프로브(10)의 접합부(13)의 부식을 막아 주어 내구성을 향상시킬 수 있다. 금도금층(39)은 상술한 전기도금 등에 의해 도금 되어질 수 있다. 상기 금 도금 외에도 은 또는 로듐(Rh) 또는 팔라듐(Pd) 도금이 상기 금 도금을 대신할 수도 있다. 그리고 후술되는 제 2 실시예 및 제 3 실시예의 프로브(10)에도 금도금층(39)의 형성을 공통으로 적용할 수 있다.

제 2 실시예

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 수용부가 형성된 프로브 조립체의 구성을 나타내는 분해 사시도이고, 도 5는 도 4의 측면에서 본 측단면도이고, 도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 조립체의 납땜 후의 형상을 나타내는 측단면도이다.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 제 2 실시예에서는 전술한 제 1 실시예의 솔더층(30)이 프로브(10)의 접합부(13)를 삽입하여 고정할 수 있는 수용부(33)로 형성될 수 있다. 수용부(33)는 상부면과 하부면이 개방되며, 전술한 제 1 실시예의 솔더층(30)과 마찬가지로 전극패드(23) 상에 전극패드(23)와는 별도의 다른 층으로 형성될 수 있다. 수용부(33)는 프로브(10)의 접합부(13)를 삽입하기 위해 프로브(10)의 접합부(13)와 대응되는 형상을 가지도록 수용부(33)를 수직으로 관통하여 형성된 슬롯(36)을 구비할 수 있다. 슬롯(36)은 프로브(10)의 접합부(13)의 전체 둘레를 충분히 수용하여 프로브(10)를 지지할 수 있도록 형성될 수 있다. 수용 부(33)는 전술한 제 1 실시예의 솔더층(30)과 동일한 재료로 구성되며, 전술한 제 1 실시예의 포토리소그래피 공정을 이용하여 전기도금으로 형성될 수 있다.

수용부(33)를 형성하기 위해서 먼저, 도 3(a)의 과정인 배선기판(20) 상부에 포토레지스트를 수용부(33)가 형성될 높이 이상으로 도포하여 포토레지스트층(40)을 형성한 후 수용부(33)의 수평 단면을 수용부패턴(미도시)으로 설계하여 포토마스크(43)를 제작한 후, 노광 공정과 현상 공정을 거쳐 수용부패턴에 해당되는 포토레지스트만 제거하는 네거티브 방식에 의해 수용부(33)의 형태를 만들 수 있다(도 3(b)와 도 3(c)과정 참조). 상기의 과정 후 도 3(d)의 전기도금 공정을 거쳐 수용부(33) 형태를 형성하고 도 3(e)의 평탄화 공정을 거쳐 수용부(33)를 완성할 수 있다. 상기 전금도금 공정은 이외에도 전술한 제 1 실시예의 무전해도금(Electroless Plating) 공정, 화학기상증착(CVD; Chemical Vapor Deposition)공정 또는 물리기상증착(PVD; Physical Vapor Deposition)공정, 또는 플라즈마화학기상증착(PECVD; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)공정 등 다양한 공정이 해당될 수 있다.

상기 도금 공정 후 전술한 제 1 실시예의 도 3(f)에서 도 3(h)까지의 과정을 거칠 수 있으며 이에 대한 구체적인 설명은 상술한 바와 같으므로 생략한다. 단, 도 3(g)의 프로브(10)의 정렬 공정에서 수용부(33)에 형성된 슬롯(36) 각각에 프로브(10)의 접합부(13)가 수용될 수 있다.

이와 같이, 수용부(33)를 형성함으로써 도 6에서 보는 바와 같이, 납땜 작업 후에는 땜납(37)이 프로브(10)의 접합부(13)를 측면 상부까지 고르게 감싸게 되어 충분한 결합과 고정을 할 수 있으며 납땜에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 수용부(33)의 슬롯(36)은 위치 결정용 슬롯(36)으로 이용하여 프로브(10)의 접합부(13)를 정확한 위치에 고정할 수 있는 가이드 역할까지도 수행할 수 있다.

한편, 도시되지는 않았지만, 수용부(33) 형성의 다른 방법으로는 전술한 제 1 실시예의 솔더층(30)을 수용부(33)의 높이에 해당하는 두께로 형성한 후 슬롯(36)에 해당하는 부분을 포토리소그래피 기술을 이용한 에칭 공정을 통해 형성할 수도 있다. 상기 에칭 공정은 공지된 기술이므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.

제 3 실시예

도 7은 제 3 실시예에 따른 솔더층 상부에 수용부가 형성된 프로브 조립체의 구성을 나타내는 측단면도이다.

도 3과 도 7를 참조하면, 제 3 실시예에서는 전극패드(23) 상부면에 솔더층(130)을 제조한 후 그 솔더층(130) 상부에 슬롯(136)이 형성된 수용부(133)를 제조하여 복합솔더층(135)을 형성할 수 있다. 여기서 솔더층(130)과 수용부(133)는 각각 별도의 다른 층으로 형성될 수 있다. 즉, 솔더층(130)은 전극패드(23)와 다른 층으로, 수용부(133)는 솔더층(130)과 다른 층으로 형성될 수 있다. 그리고 복합솔더층(135)의 솔더층(130)은 전술한 제 1 실시예와 같은 방식으로, 수용부(133)는 전술한 제 2 실시예와 같은 방식으로 재료 및 제조 공정을 동일하게 하여 제조될 수 있다.

좀 더 구체적으로 설명하면, 복합솔더층(135)을 형성하기 위해서 먼저, 배선기판(20) 상부에 포토레지스트층(40)를 형성한 후 평탄화 공정까지 진행하여 솔더층(30)을 형성할 수 있다(도 3(a)에서 도 3(e)까지의 과정 참조). 그 후 기존의 포토레지스트층(40) 위로 포토레지스트를 한번 더 도포하여 상기 제 2 포토레지스트층(미도시)을 형성한 후 수용부(133)를 전술한 제 2 실시예와 동일한 공정을 거쳐 완성함으로써 복합솔더층(135)을 형성할 수 있으며 이외의 다른 부분은 전술한 제 1 및 제 2 실시예에서 설명된 바 있으므로 이에 대한 설명은 생략한다.

이와 같이, 본 발명에 따른 전극패드(23) 상에 솔더층(30) 또는 수용부(33) 또는 복합솔더층(135)을 형성함으로써 불량 납땜으로 인한 냉납(Cold Soldering) 또는 합선 등을 방지할 수 있어 효율적인 납땜 작업을 할 수 있다.

이상으로 본 발명에 관하여 전술한 실시예들을 들어 설명하였지만 반드시 이에 한정하는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 범주 내에서는 얼마든지 수정 및 변형 실시가 가능하다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 솔더층이 형성된 프로브 조립체의 구성을 나타내는 부분 사시도이고,

도 2는 도 1의 측면에서 본 측단면도이고,

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 솔더층의 제조 과정을 나타내는 부분 단면도이고,

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 수용부가 형성된 프로브 조립체의 구성을 나타내는 분해 사시도이고,

도 5는 도 4의 측면에서 본 측단면도이고,

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 조립체의 납땜 후의 형상을 나타내는 측단면도이고,

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10:프로브 13:접합부

15:몸체부 17:접촉부

19:접촉팁 20:배선기판

21:회로패턴 23:전극패드

25:트레이스 27:비아홀패드

28:접점패드 29:비아홀

30:솔더층 33:수용부

36:슬롯 37:땜납

39:금도금층 40:포토레지스트층

43:포토마스크 46:솔더패턴

100:프로브 조립체 135:복합솔더층

Claims

상부면에 복수의 전극패드를 포함하는 회로패턴이 형성된 배선기판; 및

상기 복수의 전극패드 상의 각각에 접합되는 접합부를 구비하는 복수의 프로브를 포함하며,

상기 복수의 전극패드 각각의 상부면에는 상기 프로브의 접합부와 상기 전극 패드와의 접합을 위한 솔더층(Solder Layer)이 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 조립체.
제 1 항에 있어서,

상기 솔더층은,

상기 프로브의 접합부의 단면에 대응되는 형상을 가지며 상기 전극패드의 둘레를 벗어나지 않게 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 조립체.
제 2 항에 있어서,

상기 솔더층은 상기 전극패드의 상부에 별도의 다른 층(Layer)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 조립체.
제 1 항에 있어서,

상기 솔더층은 상기 프로브의 접합부가 삽입되어 고정되는 수용부로 형성되며,

상기 수용부는 상기 프로브의 접합부를 삽입하기 위해 상기 프로브의 접합부의 단면에 대응하는 형상을 가지도록 상기 수용부를 수직 관통하여 형성된 슬롯을 구비하는 것을 특징으로 하는 프로브 조립체.
제 4 항에 있어서,

상기 수용부는 상기 전극패드의 상부에 상기 전극패드와는 별도의 다른 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 조립체.
제 4 항에 있어서,

상기 수용부는 상기 솔더층의 상부면에 별도의 다른 층으로 형성되어 복합솔더층을 구성하는 것을 특징으로 하는 프로브 조립체.
제 1 항에 있어서,

상기 솔더층은 포토리소그래피 기술을 이용하여 전기도금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 조립체.
제 1 항에 있어서,

상기 솔더층은 주석 또는 주석에 금, 은, 구리 및 비스무스의 원소 중에서 적어도 어느 하나의 원소를 포함한 도전성 합금 소재로 구성된 것을 특징으로 하는 프로브 조립체.
제 1 항에 있어서,

상기 솔더층은 상기 프로브의 접합부를 삽입하기 위해 상기 프로브의 접합부의 단면에 대응되는 형상을 가지도록 상기 솔더층을 수직으로 관통하여 형성된 슬롯을 구비하는 것을 특징으로 하는 프로브 조립체.
제 9 항에 있어서,

상기 솔더층에 형성된 슬롯은 포토리소그래피 기술을 이용한 에칭공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 조립체.
제 1 항에 있어서,

상기 프로브의 접합부의 양측면에는 금도금층이 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 조립체.
제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 수용부는 포토리소그래피 기술을 이용하여 전기도금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 조립체.
제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 수용부는 상기 솔더층과 동일한 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 조립체.