KR20100128897A - Forming method of print pattern - Google Patents

Forming method of print pattern Download PDF

Info

Publication number
KR20100128897A
KR20100128897A KR1020090047563A KR20090047563A KR20100128897A KR 20100128897 A KR20100128897 A KR 20100128897A KR 1020090047563 A KR1020090047563 A KR 1020090047563A KR 20090047563 A KR20090047563 A KR 20090047563A KR 20100128897 A KR20100128897 A KR 20100128897A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
paste
width
temporary
temporary pattern
Prior art date
Application number
KR1020090047563A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김호종
김성일
박성모
전승훈
이종욱
Original Assignee
주식회사 동진디스플레이재료
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동진디스플레이재료 filed Critical 주식회사 동진디스플레이재료
Priority to KR1020090047563A priority Critical patent/KR20100128897A/en
Priority to CN201010189796.1A priority patent/CN101902885B/en
Publication of KR20100128897A publication Critical patent/KR20100128897A/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41FPRINTING MACHINES OR PRESSES
    • B41F1/00Platen presses, i.e. presses in which printing is effected by at least one essentially-flat pressure-applying member co-operating with a flat type-bed
    • B41F1/16Platen presses, i.e. presses in which printing is effected by at least one essentially-flat pressure-applying member co-operating with a flat type-bed for offset printing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41CPROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
    • B41C1/00Forme preparation
    • B41C1/02Engraving; Heads therefor
    • B41C1/025Engraving; Heads therefor characterised by means for the liquid etching of substrates for the manufacturing of relief or intaglio printing forms, already provided with resist pattern
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods

Abstract

PURPOSE: A method for forming printing patterns is provided to easily form minute printing patterns and to simplify a process compared to photolithography. CONSTITUTION: A method for forming printing patterns is as follows. Paste is spread on an object in specific patterns(161) using an offset printing method. Temporary patterns(16) are formed by hardening the spread paste. The width of the temporary patterns is reduced by cutting the surface of the temporary patterns. Printing patterns are formed by plasticizing the temporary patterns.

Description

인쇄 패턴 형성 방법 {FORMING METHOD OF PRINT PATTERN}How to Form a Print Pattern {FORMING METHOD OF PRINT PATTERN}

본 발명은 인쇄 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 미세 폭의 인쇄 패턴을 형성할 수 있는 인쇄 패턴 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a printing pattern forming method, and more particularly, to a printing pattern forming method capable of forming a fine width printing pattern.

표시 장치의 전극, 예를 들어 플라즈마 디스플레이 패널의 전극, 전자파 차폐용 필터의 메쉬(mesh)형 차폐 부재, 및 액정 표시 장치의 스페이서 등을 형성하기 위해 오프셋(off-set) 인쇄 방법이 널리 사용되고 있다.Off-set printing methods are widely used to form electrodes of display devices, for example, electrodes of plasma display panels, mesh-type shielding members of electromagnetic wave shielding filters, and spacers of liquid crystal display devices. .

오프셋 인쇄 방법에서는 피인쇄물에 직접 인쇄를 하지 않고, 그라비아 롤의 홈에 페이스트를 수용한 다음 중간 매개체인 블랭킷 롤을 이용하여 그라비아 롤로부터 페이스트를 떼어낸 후 이를 피인쇄물에 인쇄를 한다. 이러한 오프셋 인쇄 방법에서는 그라비아 롤의 홈 가공 한계 및 페이스트의 점탄성 특성 등으로 인해 미세 패턴을 구현하는데 어려움이 있다.In the offset printing method, the paste is accommodated in the groove of the gravure roll, and the paste is removed from the gravure roll using a blanket roll, which is an intermediate medium, and then printed on the printed matter. In such an offset printing method, it is difficult to implement a fine pattern due to the groove processing limit of the gravure roll and the viscoelastic properties of the paste.

공정 비용이 비교적 저렴한 오프셋 인쇄 방법을 이용하면서도 미세 폭의 인쇄 패턴을 용이하게 형성할 수 있는 인쇄 패턴 형성 방법을 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide a printing pattern forming method capable of easily forming a fine width printing pattern while using an offset printing method having a relatively low process cost.

본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄 패턴 형성 방법은, ⅰ) 피인쇄물 위에 페이스트를 특정 패턴으로 도포하는 단계와, ⅱ) 도포된 페이스트를 경화시켜 임시 패턴을 형성하는 단계와, ⅲ) 임시 패턴의 표면을 깎아 임시 패턴의 폭을 줄이는 단계와, ⅳ) 임시 패턴을 소성하여 인쇄 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.The printing pattern forming method according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: i) applying a paste on a to-be-printed object in a specific pattern; ii) curing the applied paste to form a temporary pattern; Cutting the surface to reduce the width of the temporary pattern; and iii) firing the temporary pattern to form a printed pattern.

페이스트를 도포하는 단계에서, 페이스트는 오프셋 인쇄로 도포될 수 있다. 페이스트는 도전성 물질과 유리 프릿을 포함할 수 있다.In the step of applying the paste, the paste may be applied by offset printing. The paste may comprise a conductive material and a glass frit.

임시 패턴을 형성하는 단계에서, 페이스트는 노광, 건조, 및 열 경화 중 어느 하나의 방법으로 경화될 수 있다. 임시 패턴은 피인쇄물과 멀어지는 방향을 향하여 볼록한 형상으로 형성될 수 있다.In the step of forming the temporary pattern, the paste may be cured by any one of exposure, drying, and thermal curing. The temporary pattern may be formed in a convex shape toward a direction away from the to-be-printed object.

임시 패턴의 폭을 줄이는 단계에서, 임시 패턴은 현상액과의 화학적 반응에 의해 표면이 깎일 수 있다. 임시 패턴의 폭을 줄이는 단계 이전에 측정한 임시 패턴의 폭을 1로 가정할 때 임시 패턴의 폭에 대한 인쇄 패턴의 폭 비율은 0.05 내지 0.95일 수 있다. In the step of reducing the width of the temporary pattern, the temporary pattern may be shaved by a chemical reaction with the developer. Assuming that the width of the temporary pattern measured before the step of reducing the width of the temporary pattern is 1, the ratio of the width of the printed pattern to the width of the temporary pattern may be 0.05 to 0.95.

인쇄 패턴은 표시 장치의 전극, 전자파 차폐용 필터의 메쉬형 차폐 부재, 액정 표시 장치의 스페이서, 및 알에프아이디(RFID; Radio Frequency IDentification) 태그 중 어느 하나로 사용될 수 있다.The printing pattern may be used as any one of an electrode of a display device, a mesh-type shielding member of an electromagnetic wave shielding filter, a spacer of a liquid crystal display device, and a radio frequency identification (RFID) tag.

포토리소그래피와 같이 공정이 복잡하고 공정 비용이 높은 패턴 형성법과 비교하여 공정 과정을 단순화하고, 공정 비용을 절감할 수 있으며, 수㎛ 내지 20㎛ 폭의 미세한 인쇄 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.Compared with the pattern formation method, which is complicated and has high process cost, such as photolithography, the process can be simplified, the process cost can be reduced, and fine printing patterns having a width of several μm to 20 μm can be easily formed.

첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 설명한다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 이해할 수 있는 바와 같이, 후술하는 실시예는 본 발명을 단지 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 형태로 변형될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As can be easily understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains, the following embodiments are only intended to illustrate the present invention, and various forms without departing from the spirit and scope of the present invention. It can be modified.

이하에서 사용되는 기술 용어 및 과학 용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어들은 관련 기술 문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.All terms including technical terms and scientific terms used hereinafter have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms defined in advance are further interpreted to have a meaning consistent with the related technical literature and the presently disclosed contents, and are not interpreted in an ideal or very formal sense unless defined.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄 패턴 형성 방법을 나타낸 공정 순서도이다.1 is a process flowchart showing a printing pattern forming method according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참고하면, 인쇄 패턴 형성 방법은, 피인쇄물 위에 페이스트를 특정 패턴으로 도포하는 제1 단계(S100)와, 도포된 페이스트를 경화시켜 임시 패턴을 형성하는 제2 단계(S200)와, 임시 패턴의 표면을 깎아 임시 패턴의 폭을 줄이는 제3 단계(S300)와, 임시 패턴을 소성하여 인쇄 패턴을 형성하는 제4 단계(S400)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the printing pattern forming method may include a first step S100 of applying a paste on a to-be-printed object in a specific pattern, a second step S200 of curing the applied paste to form a temporary pattern, and a temporary A third step (S300) of cutting the surface of the pattern to reduce the width of the temporary pattern, and a fourth step (S400) of firing the temporary pattern to form a printed pattern.

도 2는 도 1에 도시한 제1 단계(S100)의 페이스트를 나타낸 개략 단면도이 다. 도 2를 참고하면, 제1 단계(S100)에서 페이스트(12)를 도포하기 위해 오프셋 인쇄 장치를 이용할 수 있다.FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the paste of the first step S100 shown in FIG. Referring to FIG. 2, an offset printing apparatus may be used to apply the paste 12 in the first step S100.

오프셋 인쇄 장치(도시하지 않음)는 페이스트를 토출하는 디스펜서, 외표면에 홈을 형성하여 페이스트를 수용하는 그라비아 롤, 그라비아 롤로부터 페이스트를 떼어낸 후 이를 피인쇄물 위에 도포시키는 블랭킷 롤을 포함할 수 있다.The offset printing apparatus (not shown) may include a dispenser for discharging the paste, a gravure roll for forming a groove in the outer surface to receive the paste, and a blanket roll for removing the paste from the gravure roll and then applying it onto the substrate. .

페이스트(12)는 그라비아 롤에 형성된 홈의 패턴과 동일한 형태로 피인쇄물(14) 위에 도포된다. 페이스트(12)는 스트라이프(stripe) 형태, 메쉬(mesh) 형태, 또는 그 이외의 다양한 형태로 용이하게 도포될 수 있다. 또한, 페이스트(12)는 인쇄 패턴의 사용처에 따라 도전성 물질을 포함할 수 있다. 즉, 인쇄 패턴이 표시 장치의 전극이나 전자파 차폐용 필터의 차폐 부재로 사용되는 경우, 페이스트(12)는 도전성 물질을 포함한다.The paste 12 is applied on the to-be-printed object 14 in the same form as the pattern of the grooves formed in the gravure roll. The paste 12 may be easily applied in a stripe form, a mesh form, or various other forms. In addition, the paste 12 may include a conductive material depending on the use of the printed pattern. That is, when the printed pattern is used as the shield member of the electrode of the display device or the filter for shielding electromagnetic waves, the paste 12 contains a conductive material.

예를 들어, 인쇄 패턴이 전자파 차폐용 필터의 차폐 부재로 사용되는 경우, 페이스트(12)는 도전성 금속, 용제, 결합제, 및 탄성을 가진 유기물 등을 포함할 수 있다. 도전성 금속으로는 은, 구리, 니켈, 또는 이들의 합금을 사용할 수 있다. 용제로는 비점이 200℃ 이상인 고비점 물질과 비점이 200℃ 이하인 저비점 물질 중 하나를 선택적으로 사용하거나, 고비점 물질과 저비점 물질을 혼합하여 사용할 수 있다. 결합제로는 유리 프릿(glass frit)을 사용할 수 있다. 유기물로는 아크릴 수지, 아크릴레이트 수지, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 또는 올리고머 등을 사용할 수 있다. 이후의 소성 공정에서 유기물은 제거되고 유리 프릿은 소결된다.For example, when the printed pattern is used as a shielding member of the electromagnetic wave shielding filter, the paste 12 may include a conductive metal, a solvent, a binder, an organic material having elasticity, and the like. Silver, copper, nickel, or these alloys can be used as a conductive metal. As the solvent, one of a high boiling point material having a boiling point of 200 ° C. or higher and a low boiling point having a boiling point of 200 ° C. or lower may be selectively used, or a mixture of a high boiling point material and a low boiling point material may be used. As a binder, glass frit may be used. As an organic substance, an acrylic resin, an acrylate resin, polyester, a polyurethane, an oligomer, etc. can be used. In the subsequent firing process the organics are removed and the glass frit is sintered.

제1 단계(S100)에서 피인쇄물(14) 위에 도포된 페이스트(12)는 제1폭(w1)을 가진다. 제1폭(w1)은 그라비아 롤에 형성된 홈의 폭보다 작을 수 있다. 예를 들어, 그라비아 롤의 홈이 30㎛의 폭과 20㎛의 깊이를 가지는 경우, 피인쇄물(14) 위에 도포된 페이스트(12)는 30㎛보다 작은 폭을 가지며, 최소 20㎛의 폭을 가질 수 있다.The paste 12 coated on the to-be-printed object 14 in the first step S100 has a first width w1. The first width w1 may be smaller than the width of the groove formed in the gravure roll. For example, when the groove of the gravure roll has a width of 30 μm and a depth of 20 μm, the paste 12 applied on the substrate 14 has a width smaller than 30 μm and has a width of at least 20 μm. Can be.

도 3은 도 1에 도시한 제2 단계(S200)의 임시 패턴을 나타낸 개략 단면도이다. 도 3을 참고하면, 제2 단계(S200)에서 페이스트(12)를 경화시키기 위해 건조, 노광, 및 열 경화 중 어느 하나의 방법이 이용될 수 있다.3 is a schematic cross-sectional view illustrating a temporary pattern of the second step S200 illustrated in FIG. 1. Referring to FIG. 3, one of drying, exposure, and thermal curing may be used to cure the paste 12 in the second step S200.

건조의 경우, 페이스트(12)를 상온에서 자연 건조하거나 열 건조기 또는 적외선 건조기와 같은 건조 장치를 이용할 수 있다. 후자의 경우, 건조기의 온도는 30℃ 내지 150℃일 수 있다. 건조 온도가 높을수록, 건조 시간이 길수록, 급배기 유량을 크게 할수록 페이스트(12)를 효과적으로 경화시킬 수 있다.노광의 경우, 페이스트(12)의 조성에 따라 노광 조건을 다양하게 설정할 수 있다. 예를 들어, 노광 램프의 광량은 10mJ 내지 100mJ일 수 있으며, 광량이 클수록, 노광 시간이 길수록, 노광 횟수가 많을수록 페이스트(12)를 효과적으로 경화시킬 수 있다.In the case of drying, the paste 12 may be naturally dried at room temperature, or a drying apparatus such as a heat dryer or an infrared dryer may be used. In the latter case, the temperature of the dryer may be 30 ° C to 150 ° C. The higher the drying temperature, the longer the drying time, and the larger the supply / exhaust flow rate, the more effectively the paste 12 can be cured. In the case of exposure, the exposure conditions can be variously set according to the composition of the paste 12. For example, the light amount of the exposure lamp may be 10mJ to 100mJ, and the larger the light amount, the longer the exposure time, and the greater the number of exposures, the more effectively the paste 12 may be cured.

열 경화의 경우 또한 페이스트(12)의 조성에 따라 열 경화 조건을 다양하게 설정할 수 있다. 예를 들어, 열 경화기의 온도는 상온(대략 25℃) 내지 60℃일 수 있으며, 경화 온도가 높을수록, 진행 시간이 길수록, 급배기 유량을 크게 할수록 페이스트(12)를 효과적으로 경화시킬 수 있다.In the case of thermal curing, the thermal curing conditions can also be set in various ways according to the composition of the paste 12. For example, the temperature of the heat curing machine may be at room temperature (approximately 25 ° C.) to 60 ° C., and the higher the curing temperature, the longer the advancing time, and the greater the supply / exhaust flow rate, the more effectively the paste 12 may be cured.

페이스트(12)는 자외선 경화성 유기물을 포함할 수 있다. 이 경우 도포된 페이스트(12)에 자외선을 조사하여 페이스트(12)를 경화시킨다. 다른 한편으로, 페 이스트(12)는 열 경화성 유기물을 포함할 수 있다. 이 경우 도포된 페이스트(12)에 열을 가하여 페이스트(12)를 경화시킨다.The paste 12 may include an ultraviolet curable organic material. In this case, the applied paste 12 is irradiated with ultraviolet rays to cure the paste 12. On the other hand, the paste 12 may comprise a thermosetting organic material. In this case, heat is applied to the applied paste 12 to cure the paste 12.

제2 단계(S200)에서 페이스트(12)는 완전 경화되어 임시 패턴(16)을 형성하며, 임시 패턴(16)은 제1 단계(S100)의 페이스트(12)와 거의 유사한 형상을 유지한다. 임시 패턴(16)은 피인쇄물(14)과 멀어지는 방향을 향하여 볼록한 형상으로 형성될 수 있다. 임시 패턴(16)은 제2폭(w2)을 가진다. 제2폭(w2)은 제1폭(w1)(도 2 참조)과 같거나 이보다 약간 작을 수 있다.In the second step S200, the paste 12 is completely cured to form the temporary pattern 16, and the temporary pattern 16 maintains a shape substantially similar to the paste 12 of the first step S100. The temporary pattern 16 may be formed in a convex shape toward a direction away from the to-be-printed object 14. The temporary pattern 16 has a second width w2. The second width w2 may be equal to or slightly smaller than the first width w1 (see FIG. 2).

제2 단계(S200)에서 페이스트(12)를 완전 경화시켜 임시 패턴(16)을 형성함에 따라, 다음에 이어지는 제3 단계(S300)에서 임시 패턴(16)의 변형을 최소화할 수 있다. 만일 페이스트를 경화시키지 않거나 부분 경화시키는 경우를 가정하면, 다음에 이어지는 제3 단계에서 임시 패턴의 일부가 제거되거나 임시 패턴의 폭이 불균일해지는 등, 임시 패턴의 불량이 발생할 수 있다.As the temporary pattern 16 is formed by completely curing the paste 12 in the second step S200, deformation of the temporary pattern 16 may be minimized in the third step S300 that follows. If it is assumed that the paste is not cured or partially cured, defects in the temporary pattern may occur, such as part of the temporary pattern is removed in the following third step, or the width of the temporary pattern is uneven.

도 4는 도 1에 도시한 제3 단계(S300)의 임시 패턴을 나타낸 개략 단면도이다. 도 4를 참고하면, 제3 단계(S300)에서 임시 패턴(16)의 표면을 깎기 위해 현상액이 사용될 수 있다.4 is a schematic cross-sectional view illustrating a temporary pattern of the third step S300 illustrated in FIG. 1. Referring to FIG. 4, in the third step S300, a developer may be used to cut the surface of the temporary pattern 16.

현상액은 임시 패턴(16)에 대한 선택적 식각 특성을 지닌 용액으로서, 노즐(도시하지 않음)을 통해 피인쇄물(14) 위로 고르게 분사된다. 현상액은 임시 패턴(16)과 화학적으로 반응하므로, 현상액에 닿은 임시 패턴(16)의 표면이 현상액과의 화학적 반응에 의해 깎인다. 따라서 현상 후 임시 패턴(161)은 현상 전보다 작은 폭을 가진다.The developer is a solution having selective etching characteristics for the temporary pattern 16 and is evenly sprayed onto the substrate 14 through a nozzle (not shown). Since the developer reacts chemically with the temporary pattern 16, the surface of the temporary pattern 16 that contacts the developer is shaved by the chemical reaction with the developer. Thus, after development, the temporary pattern 161 has a smaller width than before development.

제3 단계(S300)를 거친 임시 패턴(161)은 제3폭(w3)을 가지며, 제3폭(w3)은 제2폭(w2)(도 3 참조)보다 작은 값을 가진다. 제3폭(w3)은 현상액의 조성, 현상액의 도포 방법 및 현상액 도포 시간 등을 제어하여 용이하게 조절할 수 있다. 현상액은 NaOH를 포함할 수 있으며, 노즐을 이용한 분사 방식을 적용할 수 있다. 분사 압력은 2Kgf 내지 5Kgf일 수 있고, 노즐의 스윙 각도는 60° 이내일 수 있다. 제3 단계(S300)에서 사용된 현상액은 세정 과정을 거쳐 제거되므로 피인쇄물(14) 위에 남지 않는다.The temporary pattern 161 that has passed through the third step S300 has a third width w3 and the third width w3 has a smaller value than the second width w2 (see FIG. 3). The third width w3 can be easily adjusted by controlling the composition of the developer, the method of applying the developer, and the developer application time. The developing solution may include NaOH, and a spray method using a nozzle may be applied. Injection pressure may be 2Kgf to 5Kgf, and the swing angle of the nozzle may be within 60 °. Since the developer used in the third step S300 is removed through a cleaning process, the developer is not left on the to-be-printed object 14.

도 5는 도 1에 도시한 제4 단계(S400)의 인쇄 패턴을 나타낸 개략 단면도이다. 도 5를 참고하면, 제4 단계(S400)에서 소성을 거쳐 인쇄 패턴(18)이 완성된다. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a printing pattern of the fourth step S400 illustrated in FIG. 1. Referring to FIG. 5, the printing pattern 18 is completed through firing in a fourth step S400.

소성 온도는 대략 350℃ 내지 600℃일 수 있다. 소성 과정에서 페이스트에 포함된 유기물은 제거되고, 유리 프릿이 소결되어 피인쇄물(14)에 대한 접착력이 강화된다. 소성 공정을 적용하기 위해 피인쇄물(14)은 유리 기판인 것이 바람직하다.The firing temperature may be approximately 350 ° C to 600 ° C. In the firing process, the organic matter contained in the paste is removed, and the glass frit is sintered to enhance adhesion to the substrate 14. In order to apply a baking process, it is preferable that the to-be-printed object 14 is a glass substrate.

제4 단계(S400)를 거친 인쇄 패턴(18)은 제4폭(w4)을 가지며, 제4폭(w4)은 현상 후 임시 패턴(161)의 제3폭(w3)(도 4 참조)보다 작은 값을 가진다. 현상 전 임시 패턴(16)의 제2폭(w2)(도 3 참조)과 완성된 인쇄 패턴(18)의 제4폭(w4)을 비교하면, 제2폭(w2)을 1로 가정할 때 제2폭(w2)에 대한 제4폭(w4)의 비율은 0.05 내지 0.95일 수 있다. 즉, 인쇄 패턴(18)의 제4폭(w4)은 최소 제2폭(w2)의 95%에서 최대 제2폭(w2)의 5%까지 축소될 수 있다.The printed pattern 18 that has passed through the fourth step S400 has a fourth width w4, and the fourth width w4 is larger than the third width w3 of the temporary pattern 161 after development (see FIG. 4). It has a small value. When the second width w2 of the temporary pattern 16 (see FIG. 3) before the development is compared with the fourth width w4 of the completed printed pattern 18, the second width w2 is assumed to be 1. The ratio of the fourth width w4 to the second width w2 may be 0.05 to 0.95. That is, the fourth width w4 of the printed pattern 18 may be reduced from 95% of the minimum second width w2 to 5% of the maximum second width w2.

제2폭(w2)에 대한 제4폭(w4)의 비율이 0.05 미만이 되도록 인쇄 패턴(18)을 형성하는 것도 가능하지만, 이 경우 인쇄 패턴(18)의 기능성이 저하될 수 있다. 예를 들어, 인쇄 패턴(18)이 표시 장치의 전극으로 사용되는 경우 전극의 저항이 증가하고, 전자파 차폐용 필터의 차폐 부재로 사용되는 경우 차폐 부재의 전자파 차폐 성능이 저하될 수 있다. 또한, 제2폭(w2)에 대한 제4폭(w4)의 비율이 0.95를 초과하도록 인쇄 패턴(18)을 형성하는 것도 가능하지만, 이 경우 인쇄 패턴(18)의 폭 감소비가 극히 작으므로 인쇄 패턴을 미세화시키는 효과가 미비하다.It is also possible to form the print pattern 18 such that the ratio of the fourth width w4 to the second width w2 is less than 0.05, but in this case, the functionality of the print pattern 18 may be degraded. For example, when the printed pattern 18 is used as an electrode of the display device, the resistance of the electrode may increase, and when used as a shielding member of the electromagnetic shielding filter, the electromagnetic shielding performance of the shielding member may be deteriorated. It is also possible to form the print pattern 18 such that the ratio of the fourth width w4 to the second width w2 exceeds 0.95, but in this case, the width reduction ratio of the print pattern 18 is extremely small, so that the printing The effect of miniaturizing the pattern is insignificant.

전술한 경화 공정 및 현상 공정의 조건을 변화시켜 인쇄 패턴(18)의 폭 감소 비율을 용이하게 제어할 수 있다. 예를 들어, 제1 단계(S100)에서 페이스트(12)를 대략 20㎛의 폭으로 도포한 경우, 제4 단계(S400)를 거친 인쇄 패턴(18)의 폭(w4)을 최대 1㎛까지 축소시킬 수 있다.By changing the conditions of the above-mentioned curing process and developing process, the width reduction ratio of the printed pattern 18 can be easily controlled. For example, when the paste 12 is applied in a width of approximately 20 μm in the first step S100, the width w4 of the print pattern 18 that has passed through the fourth step S400 is reduced to a maximum of 1 μm. You can.

본 실시예에서는 공정 비용이 비교적 저렴한 오프셋 인쇄 공정과 현상 공정을 이용하여 수㎛ 내지 100㎛ 폭의 인쇄 패턴(18)을 용이하게 형성할 수 있다. 즉, 본 실시예에서는 포토리소그래피와 같이 공정이 복잡하고 공정 비용이 높은 패턴 형성법과 비교하여 공정 과정을 단순화하고, 공정 비용을 절감시킬 수 있다.In the present embodiment, a printing pattern 18 having a width of several μm to 100 μm can be easily formed by using an offset printing process and a developing process having relatively low process costs. That is, in this embodiment, compared to the pattern formation method, which is complicated in process and high in process cost, such as photolithography, the process can be simplified and the process cost can be reduced.

하기 표에 공정 조건에 따른 임시 패턴과 인쇄 패턴의 폭 변화를 나타내었다.The following table shows the width change of the temporary pattern and the printing pattern according to the process conditions.

Figure 112009032629713-PAT00001
Figure 112009032629713-PAT00001

상기 표의 결과로부터, 동일한 노광 및 건조 과정을 거친 동일한 페이스트에 대해 현상 단계에서 분사 압력과 분사 속도를 조절함에 따라 인쇄 패턴의 폭을 다양하게 변화시킬 수 있음을 알 수 있다.From the results of the above table, it can be seen that the width of the printing pattern can be variously changed by controlling the spraying pressure and the spraying speed in the developing step for the same paste that has undergone the same exposure and drying process.

전술한 방법으로 완성된 인쇄 패턴(18)은 표시 장치, 예를 들어 플라즈마 디스플레이 패널의 전극, 표시 장치에 부착되는 전자파 차폐용 필터의 차폐 부재, 액정 표시 장치의 스페이서, 및 알에프아이디(RFID; Radio Frequency IDentification) 태그 등 다양한 분야에 적용될 수 있다.The printed pattern 18 completed by the above-described method includes a display device, for example, an electrode of a plasma display panel, a shielding member of an electromagnetic wave shielding filter attached to the display device, a spacer of a liquid crystal display device, and an RFID; Frequency IDentification) tag can be applied to various fields.

본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 설명하였지만, 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.Although the present invention has been described above, it will be readily understood by those skilled in the art that various modifications and variations are possible without departing from the spirit and scope of the claims set out below.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄 패턴 형성 방법을 나타낸 공정 순서도이다.1 is a process flowchart showing a printing pattern forming method according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시한 제1 단계의 페이스트를 나타낸 개략 단면도이다.FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the paste of the first step shown in FIG.

도 3은 도 1에 도시한 제2 단계의 임시 패턴을 나타낸 개략 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view showing the temporary pattern of the second step shown in FIG.

도 4는 도 1에 도시한 제3 단계의 임시 패턴을 나타낸 개략 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view showing the temporary pattern of the third step shown in FIG.

도 5는 도 1에 도시한 제4 단계의 인쇄 패턴을 나타낸 개략 단면도이다.FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the print pattern of the fourth step shown in FIG.

Claims (8)

피인쇄물 위에 페이스트를 특정 패턴으로 도포하는 단계,Applying a paste in a specific pattern on the substrate, 도포된 페이스트를 경화시켜 임시 패턴을 형성하는 단계,Curing the applied paste to form a temporary pattern, 상기 임시 패턴의 표면을 깎아 상기 임시 패턴의 폭을 줄이는 단계, 및Cutting the surface of the temporary pattern to reduce the width of the temporary pattern, and 상기 임시 패턴을 소성하여 인쇄 패턴을 형성하는 단계Firing the temporary pattern to form a printed pattern 를 포함하는 인쇄 패턴 형성 방법.Print pattern forming method comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 페이스트를 도포하는 단계에서, 상기 페이스트는 오프셋 인쇄로 도포되는 인쇄 패턴 형성 방법.In the step of applying the paste, the paste is printed pattern forming method is applied by offset printing. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 페이스트는 도전성 물질과 유리 프릿을 포함하는 인쇄 패턴 형성 방법.The paste includes a conductive material and a glass frit. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 임시 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 페이스트는 노광, 건조, 및 열 경화 중 어느 하나의 방법으로 경화되는 인쇄 패턴 형성 방법.In the step of forming the temporary pattern, the paste is cured by any one of the method of exposure, drying, and thermal curing. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 임시 패턴은 상기 피인쇄물과 멀어지는 방향을 향하여 볼록한 형상으로 형성되는 인쇄 패턴 형성 방법.And the temporary pattern is formed in a convex shape toward a direction away from the to-be-printed object. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 임시 패턴의 폭을 줄이는 단계에서, 상기 임시 패턴은 현상액과의 화학적 반응에 의해 표면이 깎이는 인쇄 패턴 형성 방법.In the step of reducing the width of the temporary pattern, the temporary pattern is a surface shaping pattern by the chemical reaction with the developer. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 임시 패턴의 폭을 줄이는 단계 이전에 측정한 상기 임시 패턴의 폭을 1로 가정할 때 상기 임시 패턴의 폭에 대한 상기 인쇄 패턴의 폭 비율은 0.05 내지 0.95인 인쇄 패턴 형성 방법. And assuming that the width of the temporary pattern measured before the step of reducing the width of the temporary pattern is 1, the width ratio of the print pattern to the width of the temporary pattern is 0.05 to 0.95. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 7, 상기 인쇄 패턴은 표시 장치의 전극, 전자파 차폐용 필터의 메쉬형 차폐 부재, 액정 표시 장치의 스페이서, 및 알에프아이디(RFID; Radio Frequency IDentification) 태그 중 어느 하나로 사용되는 인쇄 패턴 형성 방법.And the print pattern is used as one of an electrode of a display device, a mesh-type shielding member of an electromagnetic wave shielding filter, a spacer of a liquid crystal display device, and a radio frequency identification (RFID) tag.
KR1020090047563A 2009-05-29 2009-05-29 Forming method of print pattern KR20100128897A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090047563A KR20100128897A (en) 2009-05-29 2009-05-29 Forming method of print pattern
CN201010189796.1A CN101902885B (en) 2009-05-29 2010-05-26 Method for forming printing pattern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090047563A KR20100128897A (en) 2009-05-29 2009-05-29 Forming method of print pattern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100128897A true KR20100128897A (en) 2010-12-08

Family

ID=43227971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090047563A KR20100128897A (en) 2009-05-29 2009-05-29 Forming method of print pattern

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20100128897A (en)
CN (1) CN101902885B (en)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006027136A (en) * 2004-07-16 2006-02-02 Insatsu Yume Kobo Kk Printing method
KR20070106328A (en) * 2006-04-28 2007-11-01 엘지전자 주식회사 Filter for display apparatus and plasma display apparatus comprising the filter
US8530589B2 (en) * 2007-05-04 2013-09-10 Kovio, Inc. Print processing for patterned conductor, semiconductor and dielectric materials
KR20160040319A (en) * 2007-10-01 2016-04-12 씬 필름 일렉트로닉스 에이에스에이 Electrically Active Device and Method of Making The Same

Also Published As

Publication number Publication date
CN101902885B (en) 2015-06-03
CN101902885A (en) 2010-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI474377B (en) A method of patterning a substrate and a method of manufacturing a capacitive touch panel
KR20140020196A (en) Printed matter and method for manufacturing the same
US5229167A (en) Method of forming a film pattern on a substrate
KR100923724B1 (en) Fabricating method for Embo-printing layer and silk-screen for Embo printing
KR20100128897A (en) Forming method of print pattern
US20150104567A1 (en) Method for forming a functional pattern on a substrate
CN115279055A (en) Technological method for solving PAD on loose ink of PCB character jet printer
KR100930345B1 (en) Apparatus for manufacturing blanket sheet of sheet-type
JP2009137085A (en) High definition plastic letterpress printing plate
US20070120929A1 (en) Ink Jet Process
CN109515017A (en) Method for printing screen for intelligent terminal
KR20120128396A (en) Method for forming pattern of transparent electrode
KR20090061183A (en) Apparatus for roll printing
KR101226914B1 (en) Method for drawing fine pattern and cliche manufactured by using the same
JP2014128925A (en) Gravure offset printing method
JP2007227715A (en) Manufacturing method for patterning substrate
KR100505246B1 (en) A dam forming method of a plasma display panel and Apparatus
JP2009025764A (en) Method for manufacturing color filter substrate, and method for manufacturing color filter
KR101623000B1 (en) Processing method of mold for imprint
CN109633941A (en) Processing procedure production technology before a kind of LCD
KR100840273B1 (en) The painting method of interior or exterior material to be uv printed and interior or exterior material according to the method
JP5640321B2 (en) Method for forming arrangement of microsphere and spacer forming method for color filter for flat panel display using the same
KR20120119356A (en) Device and method of forming printing patterns on printing roll
JP2008204979A (en) Wiring formation method by ink jet system
KR20160063101A (en) method for manufacturing a bezel having sharp and fine pattern using UV curable ink for inkjet, a bezel pattern using the same method and electronic device comprising the bezel pattern

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E601 Decision to refuse application