KR20100126030A - A method for manufacturing a template for forming solder bump - Google Patents

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KR20100126030A
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신동옥
정승호
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엘아이지에이디피 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a template for forming a solder bump is provided to reduce manufacturing costs by forming a protective layer using molybdenum which is inexpensive and has excellent anti-corrosive properties. CONSTITUTION: A protective film is formed by using molybdenum on the top of a substrate(S1). A pattern in formed on the protective film to correspond with the position of a groove(S2). The groove is formed by etching the substrate according to the pattern(S3). The protective film is removed from the substrate(S4).

Description

솔더 범프 형성용 템플릿의 제조방법 {A METHOD FOR MANUFACTURING A TEMPLATE FOR FORMING SOLDER BUMP}Manufacturing method of solder bump forming template {A METHOD FOR MANUFACTURING A TEMPLATE FOR FORMING SOLDER BUMP}

본 발명은 반도체 제조 공정중 솔더 범프 형성에 사용되는 템플릿을 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a template used to form solder bumps in a semiconductor manufacturing process.

한 쌍의 기판 사이에 데이터 또는 신호 전달을 위해서는 전기적으로 접속하는 것이 필요하다. 특히 단위 소자가 고밀도로 집적되어 이루어진 반도체를 기판에 접속하기 위해서는 미세한 단자의 크기 및 피치에 대해 정확한 위치에서 정밀하게 접속할 수 있는 기술이 필요하다.It is necessary to make an electrical connection between the pair of substrates for data or signal transmission. In particular, in order to connect a semiconductor in which unit elements are integrated at a high density to a substrate, a technology capable of precisely connecting at precise positions with respect to the size and pitch of a minute terminal is required.

이와 같이 한 쌍의 기판 사이에 미세한 단자를 상호 접속시키기 위한 접속 기술로 가장 일반적인 것을은 커넥터에 의한 접속이다. 커넥터로는 연성 인쇄회로(Flexible Printed Circuit : FPC)가 널리 사용되며, 다른 기술에 비해 접속이 용이하고, 반복하여 탈부착할 수 있다는 장점도 있다. 그러나, 커넥터가 차지하는 3차원적인 공간이 크므로 전자제품의 소형화에 장애가 되고, 현재 널리 사용되는 FPC의 단자간 피치가 0.3mm 정도이므로, 이보다 미세한 피치의 단자를 접속하는 데에는 어려움이 있다.As such, the most common connection technology for interconnecting fine terminals between a pair of substrates is connection by a connector. Flexible printed circuit (FPC) is widely used as a connector, and has the advantage of being easy to connect and detachable repeatedly than other technologies. However, since the three-dimensional space occupied by the connector is an obstacle to miniaturization of electronic products, and the pitch between terminals of FPC, which is widely used at present, is about 0.3 mm, it is difficult to connect a terminal having a finer pitch than this.

커넥터 이외의 접속방법으로 이방성 도전필름(Anisotropic Conductive Film : ACF)을 이용한 방법도 있다. ACF를 한쪽 기판의 단자부에 붙이고 그 위에 다른 기판의 단자를 겹쳐서 가압하면, 마주보는 두 전극 사이에 도전필름이 개재되므로, 이를 통해 전기적 접속이 이루어진다. ACF는 가압후 경화시킴으로써 접속 강도 또한 확보할 수 있고, 단자간 피치가 0.1mm정도라도 접속하는 것이 가능하다. 그러나 도전성 입자가 단자와 접속하는 것이므로 접속부의 저항치가 높은 편이고, 필름을 경화시킨 후에는 두 기판을 분리하는 것이 어려워 실질적으로 수리가 불가능하다는 단점이 있다.There is also a method using an anisotropic conductive film (ACF) as a connection method other than the connector. When the ACF is attached to the terminal portion of one substrate and the terminal of the other substrate is overlapped and pressed, a conductive film is interposed between two opposing electrodes, thereby making an electrical connection. By hardening after pressurizing, ACF can also ensure connection strength, and even if pitch between terminals is about 0.1 mm, it can connect. However, since the electroconductive particle connects with a terminal, the resistance of a connection part is high, and after hardening a film, it is difficult to separate two board | substrates, and it has a disadvantage that a repair is practically impossible.

이에 비해 솔더 범프에 의한 기판 간 접속은, 한쪽 기판의 단자에 솔더 범프를 형성하고, 여기에 다른 기판의 단자부를 겹쳐 리플로우(Reflow) 공정에 의해 접속하는 방법이다. 솔더 범프(Solder Bump)란 주석과 납을 주성분으로 하는 반구상의 돌기를 지칭하는 것으로, ACF에 비해 접속 저항이 양호하며 특히 표면실장(Surface Mount Technology : SMT) 부품의 접속에 유리한 특징이 있어 그 사용이 확대되고 있는 추세이다.On the other hand, the board-to-board connection by solder bump is a method of forming a solder bump in the terminal of one board | substrate, and superimposing the terminal part of another board | substrate here, and connecting it by a reflow process. Solder bump refers to hemispherical protrusions mainly composed of tin and lead, which have better connection resistance than ACF, and are particularly advantageous for the connection of surface mount technology (SMT) components. This is an expanding trend.

이때 솔더 범프를 형성하는 방법은 몇 가지가 알려져 있다. 그 중 템플릿(Template)를 이용하는 방법은, 솔더 범프를 형성하기 위한 솔더(Solder)를 템플릿 위에 배열한 다음, 템플릿을 기판으로 밀착시키고 가열하여 템플릿 상의 솔더가 기판의 전극 측으로 옮겨 붙도록 하는 것이다. 이를 위해 템플릿에는 미리 기판의 전극에 대응하는 위치에 복수 개의 수용홈을 형성해 두어, 수용홈에 솔더가 각각 수용되도록 해야 한다. At this time, several methods for forming solder bumps are known. The method using a template includes arranging a solder for forming solder bumps on the template, and then attaching and heating the template to the substrate so that the solder on the template is transferred to the electrode side of the substrate. To this end, a plurality of accommodating grooves must be formed in the template corresponding to the electrodes of the substrate in advance, so that solders are accommodated in the accommodating grooves, respectively.

일반적으로, 수용홈은 기판의 일면을 식각하여 구성된다. 이때 수용홈은 기판의 전극에 대응하여 정확한 위치에 형성되어야 하는 바, 기판 상에서 수용홈의 위치만이 식각될 수 있도록 기판의 다른 부분에는 보호막을 도포한 상태에서 식각 공정을 수행할 수 있다. 다만, 종래에 사용되는 보호막의 성분이 일반적으로 고가인 바 템플릿을 제조하는 비용이 증가하는 문제점이 발생하였다.In general, the receiving groove is formed by etching one surface of the substrate. At this time, the receiving groove should be formed at the correct position corresponding to the electrode of the substrate, so that only the position of the receiving groove on the substrate can be etched in a state where a protective film is applied to the other portion of the substrate. However, there is a problem in that the cost of manufacturing a template for the bar that is conventionally used as a component of the protective film is expensive.

본 발명의 목적은, 전술한 문제점을 해결하기 위하여, 비용이 저렴하면서도 보호막의 기능을 수행할 수 있는 재료를 이용하여 솔더 범프 형성용 템플릿을 제조하는 방법을 제공하기 위함이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a template for forming solder bumps using a material which is inexpensive and capable of performing the function of a protective film in order to solve the above problems.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판에 몰리브덴을 이용하여 보호막을 형성하고, 수용홈이 형성될 위치에 대응되도록 상기 보호막에 패턴을 형성하고, 상기 패턴에 따라 기판을 에칭하여 수용홈을 형성하고, 상기 보호막을 상기 기판에서 제거하는 단계를 포함하는 솔더 범프 형성용 템플릿의 제조방법을 제공할 수 있다.In order to achieve the above object, the present invention forms a protective film using molybdenum on the substrate, to form a pattern on the protective film to correspond to the position where the receiving groove is to be formed, and etching the substrate according to the pattern to accommodate the receiving groove Forming and removing the protective film from the substrate may provide a method for manufacturing a solder bump forming template.

이때, 상기 보호막의 두께는 1000 ~ 2000 Å로 구성할 수 있다.At this time, the thickness of the protective film may be configured to 1000 ~ 2000 kPa.

한편, 포토 리소그래피 공정에 의해 상기 보호막을 에칭하여 상기 패턴을 형성하는 것이 바람직하다.. On the other hand, it is preferable to form the pattern by etching the protective film by a photolithography process.

여기서, 염산(HCl) 및 과산화수소(H2O2)를 혼합한 용액을 이용하여 상기 보호막을 에칭하는 것도 가능하며, 황산(H2SO4), 질산(HNO3) 및 물을 혼합한 용액을 이용하여 상기 보호막을 에칭하는 것이 가능하다.Here, the protective film may be etched using a solution of hydrochloric acid (HCl) and hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), and a solution of sulfuric acid (H 2 SO 4 ), nitric acid (HNO 3 ), and water may be mixed. It is possible to etch the said protective film by using.

이 이외에도, 레이저 패터닝 공정에 의해 상기 보호막에 상기 패턴을 형성하거나, 임프린팅 공정 등을 이용하여 보호막에 따른 상기 패턴을 형성하는 것도 가 능하다.In addition to this, it is also possible to form the pattern on the protective film by a laser patterning process, or to form the pattern according to the protective film by using an imprinting process or the like.

나아가, 기판을 습식하는 공정은 불산을 이용하여 습식 에칭을 진행하는 것이 가능하다.Further, in the step of wetting the substrate, it is possible to proceed with wet etching using hydrofluoric acid.

본 발명에 의할 경우, 저렴하면서도 내부식성이 좋은 몰리브덴을 이용하여 보호막을 구성하는 바, 제조 원가를 절감하는 효과를 볼 수 있다. 나아가 보호막에 이용되는 다른 중금속에 비하여 환경 친화적인 바, 반복 사용으로 인한 환경 오염의 문제를 개선할 수 있다.According to the present invention, the protective film is formed by using molybdenum which is inexpensive and has good corrosion resistance, and thus the manufacturing cost can be reduced. Furthermore, it is environmentally friendly compared to other heavy metals used for the protective film, and thus can solve the problem of environmental pollution due to repeated use.

이하에서는 첨부된 도면을 참고하여 본 실시예에 따른 솔더 범프 형성용 템플릿의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a template for forming solder bumps according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 실시예에 따른 솔더 범프 형성용 템플릿의 제조 방법을 도시한 순서도이다.1 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a solder bump forming template according to the present embodiment.

솔더 범프 형성용 템플릿을 제조하기 위해, 먼저 기판(10)을 준비할 수 있다. 여기서, 기판(10)은 솔더 범프 형성용 템플릿의 몸체를 이루며, 상기 제조 공정에 의해 기판(10)의 일면에 솔더를 수용할 수 있는 복수개의 수용홈(10a)이 형성될 수 있다.In order to manufacture the template for forming the solder bumps, the substrate 10 may be prepared first. Here, the substrate 10 forms a body of a template for forming solder bumps, and a plurality of receiving grooves 10a may be formed on one surface of the substrate 10 by the manufacturing process.

기판(10)은 글래스 또는 웨이퍼를 이용하여 구성할 수 있으며, 이 이외에도 별도의 필름 적층 구조 또는 분말 성형 등의 방법을 이용하여 다양하게 구성할 수 있다.The substrate 10 may be configured using glass or a wafer. In addition, the substrate 10 may be configured in various ways using a separate film lamination structure or powder molding.

본 실시예에서는 글래스를 이용하여 기판(10)을 구성하며, 그 중에서도 무알칼리 유리로 이루어진 글래스를 이용할 수 있다. 무알칼리 유리는 내열성, 내화학성이 우수하고 기계적인 강도가 높으므로 솔더 범프 형성용 탬플릿의 기판 재료로서 적합하다. In the present embodiment, the substrate 10 is formed using glass, and among these, glass made of alkali-free glass can be used. Since alkali free glass is excellent in heat resistance, chemical resistance, and high mechanical strength, it is suitable as a board | substrate material of a template for solder bump formation.

한편, 준비된 기판(10)의 일면에 보호막(11)을 형성할 수 있다.(S1) 이때, 도 3에 도시된 단면의 형상과 같이 기판의 일면에 보호막이 피복된 형태를 갖는다.On the other hand, the protective film 11 may be formed on one surface of the prepared substrate 10. (S1) At this time, the protective film is coated on one surface of the substrate as shown in the cross-sectional shape shown in FIG.

일반적으로 기판(10)에 형성되는 보호막은 크롬(Cr)을 포함하는 중금속 화합물로 구성된다. 다만, 크롬(Cr)은 비용이 고가이기 때문에 솔더 범프 형성용 템플릿의 제조 비용이 증가하는 원인을 제공할 수 있다. 또한, 보호막은 에칭 공정시 기판(10)을 선택적으로 보호하기 위한 것으로, 에칭 공정이 완료되면 제거된다. 이때 제거되는 크롬(Cr) 성분은 환경에 유해한 영향을 미치는 원소로서, 이를 지속적으로 이용할 경우 환경 오염을 야기할 뿐 아니라, 이를 처리하기 위해 많은 비용이 요구되는 바 제조 비용이 더욱 상승할 우려가 있다.In general, the protective film formed on the substrate 10 is composed of a heavy metal compound containing chromium (Cr). However, since chromium (Cr) is expensive, the manufacturing cost of the solder bump forming template may be increased. In addition, the protective film is to selectively protect the substrate 10 during the etching process, and is removed when the etching process is completed. At this time, the chromium (Cr) component to be removed is an element that has a harmful effect on the environment, and if it is continuously used, it will not only cause environmental pollution, but also requires a high cost to deal with it. .

따라서, 본 발명에서는 상기 크롬(Cr)을 대체할 수 있는 재료로서, 몰리브덴(Mo)을 이용하여 기판(10)의 보호막(11)을 구성하는 것이 가능하다. 몰리브덴(Mo)은 원소 주기율표 6족에 속하는 은회색의 금속으로서, 내열성 및 내부식성이 뛰어나 에칭 공정시 에칭액에 의해 식각되지 않는 기판 부분을 보호하는 보호막(11)으로서 사용되기에 적합하다. 또한, 몰리브덴(Mo)이 주성분인 합금과 몰리브덴(Mo) 금속 자체는 대부분의 다른 금속이나 합금이 녹는점 이상의 고온에서도 강도가 유지될 수 있고, 나아가 내마모성이 뛰어나다. 따라서, 에칭액 이외의 다른 수단을 이용하여 기판(10)을 식각하는 경우에도 식각이 이루어지지 않은 부분을 효과적으로 보호할 수 있다.Therefore, in the present invention, as the material capable of replacing the chromium (Cr), it is possible to configure the protective film 11 of the substrate 10 by using molybdenum (Mo). Molybdenum (Mo) is a silver gray metal belonging to Group 6 of the Periodic Table of the Elements, and is suitable for use as a protective film 11 for protecting a portion of a substrate which is excellent in heat resistance and corrosion resistance and is not etched by an etching solution during an etching process. In addition, the alloy of molybdenum (Mo) and the molybdenum (Mo) metal itself can maintain the strength even at a high temperature above the melting point of most other metals or alloys, and further excellent wear resistance. Therefore, even when the substrate 10 is etched by using means other than the etchant, the portions not etched can be effectively protected.

이러한, 몰리브덴(Mo)의 원가는 크롬(Cr)에 비하여 현저히 저렴하다. 따라서, 크롬(Cr)을 이용하여 보호막을 구성하는 경우에 비해, 저렴한 비용으로 솔더 범프 형성용 템플릿을 제조하는 것이 가능하다. 또한, 몰리브덴(Mo)은 크롬(Cr)에 비하여 환경 오염에 미치는 영향이 미미할 뿐 아니라, 최근들어 과산화수소(H2O2) 등을 이용하여 몰리브덴(Mo)을 회수할 수 있는 청정 용해 기술이 다양하게 개발되고 있어, 크롬(Cr)을 이용하여 보호막을 구성하는 경우에 비해 친환경적인 제조 공정을 제공하는 것이 가능하다.The cost of molybdenum (Mo) is significantly lower than that of chromium (Cr). Therefore, compared with the case where a protective film is formed using chromium (Cr), it is possible to manufacture the template for solder bump formation at low cost. In addition, molybdenum (Mo) has a lesser impact on environmental pollution than chromium (Cr), and various clean dissolving technologies capable of recovering molybdenum (Mo) using hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) in recent years. It is being developed so, it is possible to provide an environmentally friendly manufacturing process compared to the case of forming a protective film using chromium (Cr).

이와 같이 몰리브덴(Mo)으로 구성되는 보호막(10)은 스퍼터링과 같은 공정에 의해 용이하게 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 1000 ~ 2000Å의 두께로 몰리브덴(Mo)을 기판(10)상에 증착하여 보호막을 형성하였다.As such, the protective film 10 made of molybdenum (Mo) may be easily formed by a process such as sputtering. In this embodiment, a protective film was formed by depositing molybdenum (Mo) on the substrate 10 to a thickness of 1000 ~ 2000Å.

한편, 전술한 바와 같이 보호막(11)이 형성되면, 솔더가 수용될 수용홈(10a)의 위치에 대응되도록 보호막(11)의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 단계를 수행할 수 있다. 즉, 상기 패턴은 최종적으로 기판(10) 상에 형성될 수용홈(10a)의 크기, 형상 및 배열 상태와 대응하도록 보호막(11)에 형성되는 통공으로 구성될 수 있다.On the other hand, when the protective film 11 is formed as described above, the step of forming a pattern by removing a portion of the protective film 11 to correspond to the position of the receiving groove (10a) to accommodate the solder can be performed. That is, the pattern may be formed of a through hole formed in the protective film 11 to correspond to the size, shape and arrangement of the receiving groove 10a to be finally formed on the substrate 10.

도 2는 본 실시예에서 보호막에 패턴을 형성하는 순서를 도시한 순서도이다. 이하에서는, 도 2를 참조하여 보호막(11)에 패턴을 형성하는 단계에 대하여 구체적 으로 설명한다.FIG. 2 is a flowchart showing a procedure of forming a pattern on the protective film in this embodiment. Hereinafter, a step of forming a pattern on the protective film 11 will be described in detail with reference to FIG. 2.

본 실시예에서는 포토 리소그래피 공정을 이용하여 보호막(11)에 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 보호막(11)에 감광제를 도포하여 감광제층을 형성한다. 여기서, 감광제층으로 선택적으로 노광이 이루어지면, 노광된 부분의 감광제층이 변성될 수 있다.In this embodiment, a pattern may be formed on the passivation layer 11 by using a photolithography process. Therefore, the photosensitive agent is apply | coated to the protective film 11, and a photosensitive agent layer is formed. Here, when the exposure is selectively made to the photosensitive layer, the photosensitive layer of the exposed portion may be modified.

따라서, 감광제층 상에 미리 패턴이 형성된 마스크를 배치한 상태에서 광을 조사하여 감광제층을 선택적으로 변성시킨다. 여기서, 상기 감광제는 빛에 대한 반응에 따라서 양성 감광제와 음성 괌광제를 선택적으로 사용 가능하고, 이에 대응하여 마스크의 패턴이 형성되는 것이 바람직하다. 이때, 감광제가 선택적으로 변성하면서 일부 감광제층이 제거되면서 소정의 패턴으로 보호막(11)이 노출될 수 있다. 즉, 감광제층에 형성되는 패턴에 의해 수용홈이 형성될 위치의 보호막(11)만이 외측으로 노출된다.Therefore, light is irradiated in the state which the mask in which the pattern was previously formed on the photosensitive agent layer is irradiated, and a photosensitive agent layer is selectively modified. Here, the photoresist may be selectively used as a positive photoresist and a negative Guam photoresist in response to the light, it is preferable that the pattern of the mask is formed correspondingly. In this case, while the photoresist is selectively denatured, the protective film 11 may be exposed in a predetermined pattern while some photoresist layers are removed. That is, only the protective film 11 at the position where the receiving groove is to be formed is exposed to the outside by the pattern formed in the photosensitive agent layer.

이후, 여기에 노출된 보호막(11)을 에칭시킬 수 있는 에천트를 투입하여 보호막을 제거할 수 있다. 여기서, 본 단계에서 사용되는 에천트는 몰리브덴(Mo)을 에칭할 수 있도록 조성되는 것이 바람직하다. 이를 위해 염산(HCl) 및 과산화수소(H2O2)를 1:1로 혼합한 용액을 에천트로 사용하는 것도 가능하며, 황산(H2SO4), 질산(HNO3) 및 물을 1:1:1로 혼합한 용액을 에천트로 사용하는 것도 가능하다. 물론, 전술한 용액의 각 성분비는 사용자가 선택적으로 조절하는 것이 가능하며, 전술한 용액 이외에 다른 에천트를 이용하여 보호막(11)을 에칭하는 것도 물론 가능하다.Thereafter, an etchant capable of etching the exposed protective film 11 may be added thereto to remove the protective film. Here, the etchant used in this step is preferably configured to etch molybdenum (Mo). To this end, it is also possible to use a mixture of hydrochloric acid (HCl) and hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) 1: 1 as an etchant, and sulfuric acid (H 2 SO 4 ), nitric acid (HNO 3 ) and water 1: 1. It is also possible to use the solution mixed with: 1 as an etchant. Of course, each component ratio of the above-described solution can be selectively adjusted by the user, it is also possible to etch the protective film 11 by using an etchant other than the above-described solution.

한편, 전술한 단계가 진행되면 이를 종료하고 보호막(11)에 남아있는 감광제층을 제거한다. 이러한 포토 리소그래피 공정을 통하여, 도 4에 도시된 바와 같이, 보호막(11)의 일부가 에칭되어 보호막(11) 상에 소정의 패턴이 형성된다.On the other hand, when the above-described step is carried out, this is terminated and the photoresist layer remaining in the protective film 11 is removed. Through this photolithography process, as shown in FIG. 4, a portion of the protective film 11 is etched to form a predetermined pattern on the protective film 11.

본 실시예에서는 보호막(11)의 패턴을 형성하는데 있어 포토 리소그래피 공정을 이용하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 아니다. 예를 들어, 미세한 단면 직경을 갖는 레이저를 조사하여 레이저에 노출되는 보호막의 일부를 직접 제거하는 방법으로 패턴을 형성하는 레이저 패터닝 공정을 이용하는 것도 가능하며, 별도의 스탬프 등을 이용하여 패턴을 형성하는 임프린팅 공정 등을 이용하여 보호막에 패턴을 형성하는 것도 가능하다. 나아가, 이 이외에도 미세 패턴 형성시 이용되는 기타 여러 방법들을 적용할 수 있다.In this embodiment, the photolithography process is used to form the pattern of the protective film 11, but the present invention is not limited thereto. For example, a laser patterning process may be used to form a pattern by directly removing a portion of the protective film exposed to the laser by irradiating a laser having a fine cross-sectional diameter, and forming a pattern using a separate stamp or the like. It is also possible to form a pattern on the protective film using an imprinting process or the like. Furthermore, in addition to this, various other methods used for forming a fine pattern may be applied.

이처럼, 보호막(11)에 패턴이 형성되면 해당 패턴의 위치로 기판(10)이 노출된다. 전술한 바와 같이 상기 보호막(11) 패턴은 수용홈(10a)이 형성되는 위치에 수용홈(10a)의 형상에 대응되는 형상으로 이루어지는 바, 상기 기판(10)이 노출되는 위치에 수용홈(10a)이 형성될 수 있다. As such, when a pattern is formed in the passivation layer 11, the substrate 10 is exposed to the position of the pattern. As described above, the protective film 11 pattern has a shape corresponding to the shape of the receiving groove 10a at the position where the receiving groove 10a is formed, and the receiving groove 10a at the position where the substrate 10 is exposed. ) May be formed.

이때, 도 5에 도시된 바와 같이, 수용홈(10a)은 에칭 공정에 의해 기판(10)이 식각되면서 형성될 수 있다(S3). 이때, 기판(10)의 재질 및 수용홈(10a)의 형상에 따라 습식 에칭 또는 건식 에칭 방식으로 진행할 수 있다. 본 실시예에서는, 일 예로서 무알칼리 유리 재질의 글래스 기판(10)을 이용하는 바, 불산(HF)을 에천트로 하여 습식 에칭을 수행하는 것이 가능하다.In this case, as shown in FIG. 5, the receiving groove 10a may be formed while the substrate 10 is etched by an etching process (S3). At this time, depending on the material of the substrate 10 and the shape of the receiving groove (10a) may proceed by a wet etching or dry etching method. In this embodiment, as an example, the glass substrate 10 made of an alkali-free glass material is used, and it is possible to perform wet etching using hydrofluoric acid (HF) as an etchant.

따라서, 기판(10)의 노출된 부분은 에칭 공정에 의해 식각되면서 수용 홈(10a)을 형성한다. 이때, 에칭 공정에 사용되는 에천트의 농도 및 에칭 시간을 정밀하게 제어하여 정확한 크기와 형상의 수용홈을 형성하는 것이 가능하다. 그리고, 수용홈(10a)이 형성되지 않은 부분은 내부식성 및 내화학성이 우수한 몰디브렌 보호막에 의해 보호되는 바, 식각이 이루어지는 부분과 인접한 부분에서의 식각 선택율이 양호하게 유지될 수 있다.Thus, the exposed portion of the substrate 10 is etched by the etching process to form the receiving groove 10a. At this time, it is possible to precisely control the concentration and etching time of the etchant used in the etching process to form a receiving groove of the correct size and shape. In addition, the portion in which the accommodating groove 10a is not formed is protected by a maldibrene protective film having excellent corrosion resistance and chemical resistance, so that the etching selectivity in the portion adjacent to the etching portion can be maintained well.

기판(10)이 원하는 형상으로 에칭되어 수용홈(10a)이 형성되면, 에칭을 중지한 후 세척하여 에천트를 제거한다. 그리고, 기판 상에 남아있는 보호막(11)을 제거하는 단계를 수행하여, 도 6에 도시된 바와 같이 솔더 범프용 템플릿을 구성하는 것이 가능하다.(S4). 여기서, 보호막을 제거하는 단계 또한 별도의 에칭 공정을 이용하여 수행할 수 있다.When the substrate 10 is etched into a desired shape to form the receiving groove 10a, the etching is stopped and washed to remove the etchant. Then, by performing the step of removing the protective film 11 remaining on the substrate, it is possible to configure a solder bump template as shown in Fig. 6 (S4). Here, the step of removing the protective film may also be performed using a separate etching process.

이와 같은 공정을 이용하여, 저렴한 비용으로 환경 오염을 방지할 수 있는 솔더 범프 형성용 템플릿을 제조하는 것이 가능하다. 다만, 전술한 실시예는 본 발명에 의한 일 예에 해당하는 것으로, 본 발명은 이외에도 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다.Using such a process, it is possible to manufacture a template for forming solder bumps that can prevent environmental pollution at low cost. However, the above-described embodiment corresponds to an example according to the present invention, and the present invention may be modified and modified in various forms.

도 1은 본 실시예에 따른 솔더 범프 형성용 템플릿의 제조 방법을 도시한 순서도,1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a template for forming solder bumps according to the present embodiment;

도 2는 본 실시예에서 보호막에 패턴을 형성하는 순서를 도시한 순서도이고,2 is a flowchart showing a procedure of forming a pattern on the protective film in this embodiment,

도 3 내지 도 6은 도 1의 각 단계를 도시한 단면도이다.3 to 6 are cross-sectional views illustrating each step of FIG. 1.

Claims (8)

기판에 몰리브덴을 이용하여 보호막을 형성하고, A protective film is formed on the substrate using molybdenum, 수용홈이 형성될 위치에 대응되도록 상기 보호막에 패턴을 형성하고,A pattern is formed in the passivation layer so as to correspond to the position where the accommodation groove is to be formed. 상기 패턴에 따라 기판을 에칭하여 수용홈을 형성하고,Etching the substrate according to the pattern to form a receiving groove, 상기 보호막을 상기 기판에서 제거하는 단계를 포함하는 솔더 범프 형성용 템플릿의 제조방법.And removing the protective film from the substrate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보호막의 두께는 1000 ~ 2000Å인 것을 특징으로 하는 솔더 범프 형성용 템플릿의 제조방법.The thickness of the protective film is a method for producing a solder bump forming template, characterized in that 1000 ~ 2000 1000. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 포토 리소그래피 공정에 의해 상기 보호막을 에칭하여 상기 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 솔더 범프 형성용 템플릿의 제조방법.And forming said pattern by etching said protective film by a photolithography process. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 염산(HCl) 및 과산화수소(H2O2)를 혼합한 용액을 이용하여 상기 보호막을 에칭하는 것을 특징으로 하는 솔더 범프 형성용 템플릿의 제조방법.The protective film is etched by using a solution in which hydrochloric acid (HCl) and hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) are mixed. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 황산(H2SO4), 질산(HNO3) 및 물을 혼합한 용액을 이용하여 상기 보호막을 에칭하는 것을 특징으로 하는 솔더 범프 형성용 템플릿의 제조방법.The protective film is etched using a solution of sulfuric acid (H 2 SO 4 ), nitric acid (HNO 3 ) and water. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 레이저 패터닝 공정에 의해 상기 보호막에 상기 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 솔더 범프 형성용 템플릿의 제조방법.And forming the pattern on the protective film by a laser patterning process. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 임프린팅 공정에 의해 상기 보호막에 따른 상기 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 솔더 범프 형성용 템플릿의 제조방법.Forming the pattern according to the protective film by an imprinting process, characterized in that the manufacturing method of the solder bump forming template. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 불산을 이용하여 기판을 습식 에칭하는 것을 특징으로 하는 솔더 범프 형성용 템플릿의 제조방법.A method for producing a solder bump forming template, characterized in that the substrate is wet etched using hydrofluoric acid.
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