KR20100113451A - 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100113451A
KR20100113451A KR1020100030705A KR20100030705A KR20100113451A KR 20100113451 A KR20100113451 A KR 20100113451A KR 1020100030705 A KR1020100030705 A KR 1020100030705A KR 20100030705 A KR20100030705 A KR 20100030705A KR 20100113451 A KR20100113451 A KR 20100113451A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light source
substrate
effective light
source distribution
line width
Prior art date
Application number
KR1020100030705A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101236127B1 (ko
Inventor
히로미 겜모꾸
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20100113451A publication Critical patent/KR20100113451A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101236127B1 publication Critical patent/KR101236127B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00—Photographic printing apparatus
    • G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/52—Details
    • G03B27/54—Lamp housings; Illuminating means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

원판을 조명하도록 구성되며 유효 광원 분포를 조정하는 조정 기구를 포함하는 조명 광학계와, 조명 광학계에 의해 조명된 원판의 패턴을 기판에 투영하는 투영 광학계를 포함하는 노광 장치에 의해 기판을 노광하는 방법이며, 노광 방법은, 노광에 의해 기판에 형성되는 패턴에 있어서의 선폭차와 유효 광원 분포 사이의 상관 관계를 나타내는 상관 관계 정보를 취득하는 단계, 상관 관계 정보에 기초하여 목표 선폭차에 대응하는 유효 광원 분포를 결정하는 단계, 결정 단계에서 결정된 유효 광원 분포가 얻어지도록 조정 기구를 제어하는 단계, 및 제어 단계 후에 기판을 노광하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.

Description

노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법{EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법에 관련된다.
반도체 디바이스 등의 디바이스를 제조하기 위하여, 노광 장치가 사용된다. 노광 장치는, 조명 광학계에 의해 원판(마스크 또는 레티클이라고도 불림)을 조명하고, 원판의 패턴을 투영 광학계에 의해 감광재가 도포된 기판(예를 들어, 웨이퍼 또는 유리판 등)에 투영해 기판을 노광한다. 이 동작으로써, 감광재에 잠상이 형성되고, 이 잠상은 현상 단계에 의해 물리적인 패턴으로 시각화된다. 기판 상에 형성되는 패턴을 미세화하기 위한 기술로서, 원판을 비스듬하게 조명하는 사입사 조명법이 알려져 있다. 사입사 조명법으로서는, 예를 들어, 윤대 조명(annular illumination) 및 사중극 조명(quadrupole illumination)이 알려져 있다. 윤대 조명에서는, 조명 광학계의 동공면(pupil plane)에 윤대 형상의 광강도 분포가 형성된다. 사중극 조명에서는, 조명 광학계의 동공면에 네 개의 극을 갖는 광강도 분포가 형성된다. 조명 광학계의 동공면에 형성되는 광강도 분포는, 종종 유효 광원 분포(effective light source distribution)라고 불린다. 투영 광학계의 동공면은 조명 광학계의 동공면과 공액(conjugate)이다.
이하의 설명에서, 기판의 면에 평행한 XY 평면을 가지고 투영 광학계의 광축에 평행한 방향의 Z축을 갖는 XYZ 좌표계를 기준으로 해서 방향이 규정된다. 유효 광원 분포의 X 방향의 분포와 Y 방향의 분포 사이에 차이가 있으면, 기판에 형성되는 X 방향으로 연장되도록 형성되는 패턴과 Y 방향으로 연장되도록 형성되는 패턴 사이의 선폭에 차이(선폭차)가 발생할 수 있다. 일본 공개 특허 출원 제2004-247527호 및 제2006-19702호는 유효 광원 분포를 조정하는 방법을 개시한다.
유효 광원 분포가 이상적으로 조정되었다고 해도, 노광 장치와 관련된 요인이 아닌 요인에 의해 선폭차가 발생할 수 있다. 이러한 선폭차를 그러한 요인의 제거에 의해 저감하는 것은 어렵다.
본 발명은, 유효 광원 분포를 조정함으로써, 상술된 선폭차를 제어한다.
본 발명의 양태 중 하나는 원판을 조명하도록 구성되며 유효 광원 분포를 조정하는 조정 기구를 포함하는 조명 광학계와, 조명 광학계에 의해 조명된 원판의 패턴을 기판에 투영하는 투영 광학계를 포함하는 노광 장치에 의해 기판을 노광하는 방법을 제공하며, 노광 방법은, 노광에 의해 기판에 형성되는 패턴에 있어서의 선폭차(line width difference)와 유효 광원 분포 사이의 상관 관계를 나타내는 상관 관계 정보를 취득하는 단계, 상관 관계 정보에 기초하여 목표 선폭차에 대응하는 유효 광원 분포를 결정하는 단계, 결정 단계에서 결정된 유효 광원 분포가 얻어지도록 조정 기구를 제어하는 단계, 및 제어 단계 후에 기판을 노광하는 단계를 포함하고, 선폭차는, 기판의 면을 따라 제1 방향으로 연장되는 패턴의 선폭과 기판의 면을 따라 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되는 패턴 사이의 선폭의 차이이다.
본 발명의 다른 특징들은 첨부 도면들을 참조하여 이하의 예시적인 실시예의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 노광 장치의 개략적인 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 원판 조명 방법을 도시하는 도면이다.
도 3a 내지 도 3d는 유효 광원 분포를 형성하는 방법을 도시하는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 유효 광원을 계측하는 계측 디바이스의 원리 및 개략 구성을 도시하는 도면들이다.
도 5a 내지 도 5c 각각은 노광에 의해 기판에 형성되는 패턴의 선폭차와 유효 광원 분포 사이의 상관 관계를 도시하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 노광 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 7a 및 도 7b는 상관 관계 정보를 생성하기 위한 방법을 도시하는 그래프이다.
도 8은 유효 광원 분포를 조정하기 위한 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 9a 및 도 9b는 조정 기구의 차광판의 위치를 도시하는 도면들이다.
도 1을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 노광 장치 EX를 설명한다. 도 1에 도시된 노광 장치 EX는, 스텝 앤드 스캔 노광 장치(스캐너)이지만, 본 발명에 따른 노광 장치는, 이것에 한정되지 않고, 예를 들어, 스테퍼일 수 있다. 노광 장치 EX는, 광원(101), 조명 광학계 IL, 원판(120)을 유지하고 구동하는 원판 구동 기구(124), 투영 광학계(121), 및 기판(122)을 유지하고 구동하는 기판 구동 기구(125)를 포함한다.
광원(101)은, 예를 들어, 펄스 레이저 광원(pulsed laser light source)이다. 예를 들어, ArF 펄스 레이저 광원은, 193nm의 파장을 갖는 광을 방사한다. 펄스 레이저 광원은, 예를 들어, 공진기로서 기능하는 프론트 미러, 광의 파장 범위를 협대화하는 협대화 모듈(narrow-band module), 파장의 안정성 및 스펙트럼 폭을 모니터하는 모니터 모듈, 및 셔터를 포함할 수 있다. 펄스 레이저 광원의 가스 교환 동작, 파장 안정화 동작, 및 방전 전압 등은, 주 제어 유닛(제어 유닛)(130)에 의해 제어될 수 있다.
조명 광학계 IL은, 예를 들어, 광학 부품(102 내지 119)을 포함할 수 있다. λ/2 판(102)은, 예를 들어, 수정 또는 불화 마그네슘 등의 복굴절 유리재로 제작되어, 광원(101)으로부터 공급된 광속을 미리 정해진 방향을 가리키는 전기장 벡터를 갖는 편광된 광으로 변환한다. 목표 노광량에 따라서 광강도를 조정하기 위해서 중성 농도 필터(neutral density filter)(103)가 사용된다. 마이크로 렌즈 어레이(104)는 특정한 각도 분포로 광을 출사하여, 광원(101)으로부터 공급된 광속이 바닥이나 노광 장치의 진동에 의해 조명 광학계 IL의 광축으로부터 이동되더라도, 마이크로 렌즈 어레이(104) 하류의 광학계에 입사하는 광의 특성이 변화되는 것을 방지한다.
제1 콘덴서 렌즈(105)는, 마이크로 렌즈 어레이(104)로부터의 광을 회절 광학 소자(106)에 유도한다. 터렛(turret)(107)은 복수의 회절 광학 소자(106)를 탑재한다. 액추에이터에 의해 터렛(107)을 회전시킴으로써 임의의 회절 광학 소자(106)를 광축 위에 끼워넣을 수 있다. 회절 광학 소자(106)로부터 빠져나오는 광은, 제2 콘덴서 렌즈(108)에 의해 집광되어, 회절 패턴면 A에 회절 패턴을 형성한다. 터렛(107)을 회전시킴으로써 광축 위에 끼워넣는 회절 광학 소자(106)를 변경함으로써, 회절 패턴을 변경할 수 있다.
회절 패턴면 A에 형성된 회절 패턴은, 프리즘 광학계(109) 및 제1 줌렌즈(111)에 의해 조정되는, 윤대 영역 비율 및 σ 값 등 조명광의 유효 광원 분포의 특성을 기술하는 파라미터를 갖는다. 터렛(110)은, 유효 광원 분포의 형상을 결정하는 복수의 프리즘 광학계(109)를 탑재한다. 액추에이터에 의해 터렛(110)을 회전시킴으로써 임의의 프리즘 광학계(109)를 광축 위로 배치할 수 있다. σ 값은, 여기서 투영 광학계(121)의 개구수에 대한 조명 광학계 IL의 개구수(유효 광원 분포의 직경)의 비의 값을 의미한다. 제1 줌렌즈(111)를 제어함으로써 유효 광원 분포의 직경을 변경할 수 있다. 이것은 σ 값을 목표값으로 설정할 수 있게 한다.
도 3a 내지 도 3d는, 프리즘 광학계(109)에 의해 유효 광원 분포를 제어하는 방법을 개략적으로 나타낸다. 도 3a는, 윤대 형상의 유효 광원 분포를 형성하는 방법을 도시한다. 광의 입사측에 오목한 원추면(또는 평면)(301)을 갖고, 광의 사출측에 볼록한 원추면(302)을 갖는 프리즘 광학계(109)에 의해 윤대 형상의 유효 광원 분포가 형성된다. 도 3b는, 사중극 형상의(quadrupole) 유효 광원 분포를 형성하는 방법을 나타낸다. 광의 입사측에 오목 사각뿔면(또는 평면)(303)을 갖고, 광의 사출측에 볼록 사각뿔면(304)을 갖는 프리즘 광학계(109)에 의해 사중극 형상의 유효 광원 분포가 형성된다. 도 3c 및 도 3d는 프리즘 광학계(109)가 한 쌍의 프리즘(109a 및 109b)을 포함하고, 프리즘들(109a 및 109b) 사이의 간격이 조정되는 경우를 도시한다. 프리즘들(109a 및 109b) 사이의 간격의 조정에 의해 다양한 종류의 유효 광원 분포가 형성될 수 있다. 도 3c 및 도 3d는 윤대 형상의 유효 광원 분포를 형성하는 프리즘 광학계(109)의 구성예를 도시한다. 도 3c에 도시된 바와 같이 프리즘들(109a 및 109b) 사이의 간격(305)이 작으면 유효 광원 영역이 넓은 폭(306)을 갖는 윤대 형상의 유효 광원 분포가 형성된다. 도 3d에 도시된 바와 같이 프리즘들(109a 및 109b) 사이의 간격(307)이 크면 유효 광원 영역이 좁은 폭(308)을 갖는 윤대 형상의 유효 광원 분포가 형성된다. 유효 광원 영역은, 유효 광원 분포의 광강도가 기준치보다 높은 영역을 의미한다.
다시 도 1을 참조하면, 회절 패턴면 A에 형성되는 회절 패턴은, 거의 유사한 형상이 유지되면서, 제1 줌렌즈(111)에 의해 확대 또는 축소되어, 이에 의해 유효 광원 분포의 σ 값을 조정한다. 제1 줌렌즈(111)를 통과한 광속은, 편광 광학 소자(112)에 의해 편광 상태가 변경되고, 파리의 눈 렌즈(114)의 입사면에 결상한다. 제2 줌렌즈(115)는 파리의 눈 렌즈(114)로 파면 분할(wavefront splitting)된 광속을 중첩하여 균일한 광 분포를 B면에 형성한다. 광로의 반거울(116)은, 원판(120)을 조명하는 광속의 일부 성분을 추출하여, 광량 검출기(117)를 향하여 분기시킨다(split). 릴레이 광학계(119)는 B면에 형성된 균일한 광 분포를 원판(120)에 투영한다.
원판(120)에는, 기판(122)에 전사해야 할 패턴이 형성된다. 가변 블라인드(118)는, 광축에 직교하는 면에서 구동되는 차광판을 포함하고, 원판(120)의 패턴 영역의 조명 영역을 규정한다. 도 2는 원판(120)의 조명 방법을 개략적으로 도시한다. 원판(120)은, 원판(120)의 패턴 영역(202)의 전체가 슬릿 형상 광속(203)에 의해 형성된 조명 영역을 가로지르도록 원판 구동 기구(124)에 의해 구동된다. 원판(120)의 패턴은, 투영 광학계(121)에 의해, 감광재(포토레지스트)가 도포된 기판에 축소 배율 β(β는, 예를 들어 1/4)로 축소 투영된다. 이때, 도 1의 화살표(스캔)에 의해 나타내지는 바와 같이, 원판(120) 및 기판(122)이 투영 광학계(121)와 슬릿 형상 광속(203)에 대하여, 투영 광학계(121)의 축소 배율 β와 동등한 속도 비율로 서로 역방향으로 구동된다. 이러한 동작에 의해, 원판(120)의 패턴 영역(202)에 형성된 패턴의 전체가 기판(122)에 전사된다.
광량 검출기(117)는 원판(120)을 조명하는 광의 강도(노광 에너지)에 대응하는 신호를 발생한다. 광량 검출기(117)로부터 출력되는 신호는, 광원(101)의 펄스 발광마다 광량을 적분하는 적분 회로(도시하지 않음)에 의해 펄스당 노광 에너지로 변환되어, 주 제어 유닛(130)에 공급된다. 주 제어 유닛(130)은, 기판(122)에 도포된 감광재에 따라서 정해진 적정 노광량에 일치하도록 광량 검출기(117)를 사용해서 노광량을 모니터하면서 광원(101)에 의한 발광량을 피드백 제어함으로써, 기판(122)의 노광량을 제어한다.
투영 광학계(121)의 동공면(원판(120)이 배치되는 물체면의 푸리에 변환면)에는, 원형의 개구부를 갖는 개구 조리개(도시하지 않음)가 위치된다. 모터 등을 포함하는 구동 기구에 의해 개구부의 직경이 목표값으로 설정될 수 있다. 투영 광학계(121)는, 투영 광학계(121)의 수차 및 투영 배율 등을 조정하는 광학 소자(123)를 포함한다. 광학 소자(123)는, 예를 들어, 공기압이나 압전 소자를 이용해서 위치, 자세, 및 형상이 제어될 수 있다.
기판 구동 기구(125)는, 6축 제어가 가능한 기판 스테이지를 포함한다. 기판 스테이지의 위치 및 자세는, 레이저 간섭계(126)에 의해 계측된다. 기판 스테이지는, 기판(122)을 유지하는 기판 척(substrate chuck)을 포함한다. 주 제어 유닛(130)은 레이저 간섭계(126)에 의해 얻어진 계측 결과에 기초하여 기판 스테이지의 위치 및 자세를 피드백 제어한다. 원판(120)과 기판(122)이 각각 미리 정해진 위치에 위치 결정된 후에, 주 제어 유닛(130)에 의해 광원(101), 기판 구동 기구(125) 및 원판 구동 기구(124)가 동기 제어되어, 원판(120)의 패턴 영역(202)의 패턴이 기판(122)의 숏 영역에 전사된다. 그 후, 원판(120)의 패턴 영역(202)의 패턴이 다음 숏 영역에 전사된다. 이와 같이 하여, 모든 숏 영역에 원판(120)의 패턴이 전사된다.
기판 구동 기구(125)의 기판 스테이지에는, 조도 검출기(128)가 탑재된다. 조도 검출기(128)는, 기판(122)의 표면, 혹은 투영 광학계(121)의 상면의 조도를 검출하도록 구성된다. 조도 검출기(128)는, 예를 들어, 몇백μm의 직경을 갖는 핀홀을 갖는 차광 부재와, 핀홀을 통과한 광을 검출하는 포토다이오드를 포함한다. 이 경우에 조도 검출기(128)는 상면의 조도를 검출한다.
기판 구동 기구(125)의 기판 스테이지에는, 유효 광원 분포를 계측하는 계측 디바이스(129)가 탑재된다. 도 4a 및 도 4b를 참조하여 계측 디바이스(129)의 원리 및 구성을 설명한다. 도 4a에 도시한 바와 같이, 계측 디바이스(129)는 예를 들어, 핀홀(403)을 갖는 차광 부재, 및 핀홀(403)을 통과한 광이 형성하는 상을 촬상하는 이미지 센서(예를 들어, CCD 센서)(405)를 포함한다. 핀홀(403)을 갖는 차광 부재는, 투영 광학계(121)의 상면(402)에 위치되고, 핀홀(403)의 직경은, 예를 들어 몇십μm이다. 핀홀(403)을 통과한 광이 이미지 센서(405)의 촬상면에 형성하는 상은, 상면에 유도된 광의 각도 분포에 대한 정보를 포함한다. 이러한 각도 분포와 투영 광학계(조명 광학계)의 동공면에 형성되는 광강도 분포는 설계상 등가이다. 이들 분포를 이하 유효 광원 분포라고 칭한다. 계측 디바이스(129)는 이들의 유효 광원 분포에 관한 정보를 취득하기 위해서 사용된다. 도 4b는, 이미지 센서(405)에 의해 촬상되는 유효 광원 분포를 개략적으로 도시한다. 격자를 구성하는 각 요소는, 이미지 센서(405)의 화소이다. 화소의 위치는, 좌표(x, y)로 표현되고, 좌표(x, y)에 위치된 화소의 값은 광강도 A(x, y)로 표현된다. 기판을 노광하기 전의 캘리브레이션에서, 유효 광원 분포를 계측하고, 그것이 목표 유효 광원 분포에 일치하도록 조정함으로써, 기판에 형성되는 패턴의 선폭을 고정밀도로 제어할 수 있다.
그러나, 유효 광원 분포가 목표 유효 광원 분포에 일치하도록 조정된다고 해도, 노광 장치에 관련된 프로세스 요인 이외의 프로세스 요인이나 원판에 형성되는 패턴의 제조 오차 등에 의해, 실제로 기판에 형성되는 패턴에는 선폭차가 발생할 수 있다. 여기서, 선폭차는, 기판에 형성되어 X 방향(제1 방향)으로 연장하는 패턴과 상기 기판에 형성되어 Y 방향(제2 방향)으로 연장하는 패턴 사이의 선폭 차이를 의미한다. 선폭차는, 0 또는 허용 한계 내인 것이 바람직하다. 그렇지만, 특수한 응용 예에서, 0 이외의 임의의 선폭차가 얻어지도록 유효 광원 분포가 조정되는 것이 바람직할 수 있다.
이하, 유효 광원 분포를 조정함으로써 선폭차를 제어하는 방법을 설명한다. 조명 광학계 IL은, 유효 광원 분포를 조정하는 조정 기구(131)를 포함한다. 조정 기구(131)는, 예를 들어, 복수의 차광판을 포함할 수 있다. 도 5a 내지 도 5c를 참조하면, a, e, 및 i는, 조정 기구(131) 및 유효 광원 분포(506)를 개략적으로 나타낸다. a, e, 및 i에서는, 조명 광학계의 광축이 Z축으로 규정되고, Z축에 수직한 평면이 XY 평면으로 규정된다. a, e, 및 i는 각각 차광판에 의해 마치 유효 광원 분포의 일부분이 제거되는 것처럼 유효 광원 분포를 도시하고 있지만, 실제로는, 도 1에 도시된 A면 상에서 광속의 윤대 형상을 유지한 상태에서, 조정 기구(131)는 광속의 강도(에너지)를 제어한다.
조정 기구(131)는 차광판들 XR, XL, YU, 및 YD와, 그것들을 개별적으로 구동하는 액추에이터들을 포함한다. 액추에이터는 주 제어 유닛(130)으로부터의 명령에 따라서 동작한다. 도 5a를 참조하면, a는 유효 광원 분포가 차광판 XR, XL, YU, 및 YD에 의해 영향을 받고 있는 상태를 도시한다. b는 a에 도시된 상태에 있어서의 유효 광원 분포의 X축(제1 방향)에 따른 분포(507)를 도시하고, c는 a에 도시된 상태에 있어서의 유효 광원 분포의 Y축(제2 방향)에 따른 분포(508)를 도시한다. b와 c에서 횡축은, 광축을 기준으로 하는 위치를 나타내고, 종축은 광강도를 나타낸다. 이 예에서, a에 도시된 상태에서는, X축(제1 방향)에 따른 유효 광원 분포의 분포와, 유효 광원 분포의 Y축(제2 방향)에 따른 유효 광원 분포의 분포가 동등하다.
도 5b를 참조하면, e는, X 방향으로 이동가능한 차광판들 XR 및 XL을 광축 방향으로 이동시킴으로써 X축(제1 방향)으로의 유효 광원 분포의 분포에서 광강도가 저하한 상태를 나타낸다. f는 e에 도시된 상태에 있어서의 유효 광원 분포의 X축(제1 방향)에 따른 분포(510)를 도시한다. 분포(510)는, 분포(507)의 광강도보다 낮은 광강도를 갖는다. g는 e에 도시된 상태에 있어서의 유효 광원 분포의 Y축(제2 방향)에 따른 분포(511)를 도시한다. 분포(511)는, 분포(508)의 광강도와 같은 광강도를 갖는다.
도 5c를 참조하면, i는, Y 방향으로 이동가능한 차광판 YU 및 YD를 광축 방향으로 이동시킴으로써 유효 광원 분포의 Y 방향(제2 방향)에 따른 분포에서의 광강도가 저하한 상태를 도시한다. j는, i에 도시된 상태에서 유효 광원 분포의 X축(제1 방향)에 따른 분포(513)를 도시한다. 분포(513)는, 분포(507)의 광강도와 같은 광강도를 갖는다. k는 i에 도시된 상태에서의 유효 광원 분포의 Y 방향(제2 방향)으로의 분포(514)를 도시한다. 분포(514)는, 분포(508)에서보다 낮은 광강도를 갖는다.
도 5a를 참조하면, d는 a에 도시된 상태에서 기판(122)을 노광해서 형성되는 패턴(잠상 패턴 또는 그것을 현상하여 얻어진 물리적인 패턴)을 도시한다. 도 5b를 참조하면, h는, e에 도시된 상태에서 기판(122)을 노광해서 형성되는 패턴을 도시한다. 도 5c를 참조하면, l은, i에 도시된 상태에서 기판(122)을 노광해서 형성되는 패턴을 도시한다. d에서는, X 방향(제1 방향)으로 연장하는 패턴(515)의 선폭(Y 방향을 따른 폭)이라고 Y 방향(제2 방향)으로 연장하는 패턴(516)의 선폭(X 방향을 따른 폭)이 동등하다(선폭차가 0). h에서는, X 방향(제1 방향)으로의 유효 광원 분포의 광강도의 저하에 의해, X 방향(제1 방향)으로 연장하는 패턴(517)의 선폭이 Y 방향(제2 방향)으로 연장하는 패턴(518)의 선폭보다 작아서, 선폭차가 발생한다. l에서는, Y 방향(제2 방향)으로의 유효 광원 분포의 광강도의 저하에 의해, Y 방향(제2 방향)으로 연장하는 패턴(520)의 선폭이 X 방향(제1 방향)으로 연장하는 패턴(519)의 선폭보다 작아서, 선폭차가 발생한다. 이상과 같이, 조정 기구(131)에 의해 유효 광원 분포를 조정함으로써 기판에 형성되는 패턴의 선폭차를 제어할 수 있다.
도 6을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 노광 방법을 설명한다. 이 노광 방법은, 주 제어 유닛(제어 유닛)(130)에 의해 제어될 수 있다. 단계 S601(취득 단계)에서, 주 제어 유닛(130)은, 인터페이스(입력 디바이스; 도시 안됨)를 통하여, 노광에 의해 기판에 형성되는 패턴에 있어서의 선폭차와 유효 광원 분포 사이의 상관 관계를 나타내는 상관 관계 정보를 취득한다. 여기서, 선폭차는, 기판면 내에서 X 방향(제1 방향)으로 연장하는 패턴의 선폭과 상기 기판면 내에서 X 방향에 수직한 Y 방향(제2 방향)으로 연장하는 패턴의 선폭 사이의 차이를 의미한다. 상기 상관 관계를 갖는 광강도 분포는, X 방향으로의 광강도 분포를 평가하기 위한 지표값과 Y 방향으로의 광강도 분포를 평가하기 위한 지표값과의 비(이하의 예에서는, X/Y 광량비)로 특정될 수 있다.
단계 S602(결정 단계)에서는, 주 제어 유닛(130)이 상관 관계 정보에 기초하여 목표 선폭차에 대응하는 유효 광원 분포를 결정한다. 여기에서 언급되는 목표 선폭차는 전형적으로 0 또는 허용 오차 내의 값이지만, 특수한 응용 예에 있어서는 임의의 값일 수 있다.
단계 S603(제어 단계)에서는, 주 제어 유닛(130)이, 단계 S602에서 결정된 유효 광원 분포를 취득하도록 조정 기구(131)를 제어한다. 단계 S603에서의 동작의 구체적인 예가, 도 8을 참조하여 후술된다. 이상의 방법으로, 목표 선폭차에 대응하는 선폭차로 기판에 패턴을 형성할 수 있는 유효 광원 분포가 설정된다. 단계 S604에서는, 주 제어 유닛(130)이, 설정된 유효 광원 분포로 기판을 노광한다.
도 7a 및 도 7b를 참조하여, 노광에 의해 기판에 형성되는 패턴의 선폭차와 유효 광원 분포 사이의 상관 관계를 나타내는 상관 관계 정보를 생성하는 방법을 설명한다. 하나의 구체예에서, 상기 상관 관계를 갖는 광강도 분포는, X 방향으로의 광강도 분포를 평가하기 위한 지표값과 Y 방향으로의 광강도 분포를 평가하기 위한 지표값 사이의 비의 일례인 X/Y 광량비로 특정된다.
도 7a는, 상관 관계 정보를 도시한다. 상관 관계 정보는 예를 들어, 수식, 표, 또는 다른 형식에 의해서 표현될 수 있다. 도 7a에서의 종축은, 기판에 형성되는 패턴(잠상 패턴 또는 그것을 현상하여 얻어진 물리적인 패턴)에 있어서의 선폭차를 나타낸다. 여기서, 선폭차는, X 방향(제1 방향)으로 연장하는 패턴의 선폭과 Y 방향(제2 방향)으로 연장하는 패턴의 선폭 사이의 차이를 의미한다. 도 7a의 횡축은, X/Y 광량비를 나타낸다. X/Y 광량비는, 계측 디바이스(129)를 사용해서 계측할 수 있다. 도 7b는 계측 디바이스(129)를 사용해서 계측된 유효 광원 분포(601)를 도시한다. 유효 광원 분포(601)는 이 예에서는, 윤대 형상의 유효 광원 영역을 갖는다.
본 예에서는, 계측 디바이스(129)로 촬상된 영역을, XY좌표계에서, 원점을 통과하고 X축과 ±45°를 이루는 2개의 직선을 이용하여 4개의 영역으로 분할하여 얻어진 분할 영역들 AXL, AXR, AYU, 및 AYD가 규정된다. 분할된 영역들 AXL, AXR, AYU, 및 AYD에 있어서의 적산 광량은 각각 AXL 광량, AXR 광량, AYU 광량, 및 AYD 광량으로서 계산된다. AXL 광량, AXR 광량, AYU 광량, AYD 광량에 기초하여, 수학식 1을 따라, X/Y 광량비가 계산된다.
<수학식 1>
X/Y 광량비=((AXL 광량)+(AXR 광량))/((AYU 광량)+(AYD 광량))
여기서, ((AXL 광량)+(AXR 광량))은 X 방향(제1 방향)으로의 유효 광원 분포를 평가하기 위한 지표값이며, ((AYU 광량)+(AYD 광량))은 Y 방향(제2 방향)으로의 유효 광원 분포를 평가하기 위한 지표값이다.
상관 관계 정보는, 예를 들어, 복수의 유효 광원 분포를 이용하여 기판의 테스트 노광을 수행하고, 기판에 형성되는 패턴을 계측하고, 각 유효 광원 분포를 계측 디바이스(129)로 계측해 그 계측 결과에 기초해서 X/Y 광량비를 계산함으로써 얻을 수 있다. 혹은, 상관 관계 정보는, 충분한 정밀도가 얻어질 수 있으면, 시뮬레이션에 의해 취득될 수 있다. 복수의 유효 광원 분포는, 조정 기구(131)에 입력하는 설정치를 변경함으로써 형성될 수 있다. 상관 관계 정보는, 개개의 원판에 대해서 제공될 수 있거나, 또는 개개의 프로세스에 대해서 제공될 수 있다(예를 들어, 감광재, 도포 디바이스, 또는 현상 디바이스의 유형). 개개의 원판에 대해서 상관 관계 정보를 제공하면, 개개의 원판에 있어서의 패턴의 묘화 오차(drawing errors)에 기인해서 기판상의 패턴에 발생하는 선폭차를 저감할 수 있다. 개개의 프로세스에 대해서 상관 관계 정보를 제공하면, 개개의 프로세스와 관련된 요인에 기인해서 기판상의 패턴에 발생하는 선폭차를 저감할 수 있다.
여기서, 일례로서, 단계 S601에서 주 제어 유닛(130)이 도 7a에 도시된 상관 관계 정보를 취득하고, 단계 S602에서, 목표 선폭차를 0으로 가정할 때, 그 목표 선폭차에 대응하는 유효 광원 분포를 결정할 경우를 생각한다. 이 경우는, 도 7a에서 선폭차가 0인 X/Y 광량비인 "1.05"가 유효 광원 분포를 특정하는 값으로서 결정된다. 이 경우, 단계 S603에서, "1.05"인 X/Y 광량비를 갖는 유효 광원 분포가 얻어지도록 조정 기구(131)가 제어 혹은 설정된다.
이하, 도 8을 참조하여 단계 S603의 구체적인 동작 예를 설명한다. 우선, 단계 S701에서, 주 제어 유닛(130)은, 유효 광원 분포를 특정하는 값으로서, 단계 S602에서 결정된 X/Y 광량비를 목표 X/Y 광량비로서 입력한다. 단계 S702에서는, 주 제어 유닛(130)은, 기판 노광을 위한 원판의 조명 조건을 설정한다. 예를 들어, 윤대 형상의 유효 광원 분포로 원판을 조명할 때, 주 제어 유닛(130)은, 지정된 σ 값이 얻어지도록 제1 줌렌즈(111)를 조정하고, 지정된 윤대 영역 폭(annular zone width)이 얻어지도록 프리즘 광학계(109)의 한 쌍의 프리즘(109a 및 109b)의 간격을 조정한다. 이 조명 조건의 설정 시에, 도 9a에 나타낸 바와 같이, 조정 기구(131)의 차광판들 XR, XL, YU 및 YD를 그것에 의해서 광이 차단되지 않는 위치에 후퇴시킨다(즉, 차광판들 XR, XL, YU, 및 YD를 개방 상태로 설정한다).
단계 S703에서는, 주 제어 유닛(130)이 X/Y 광량비를 계측한다. 더욱 구체적으로는, 주 제어 유닛(130)은, 계측 디바이스(129)가 유효 광원 분포를 계측하게 하여, 그 계측 결과에 기초하여, 수학식 1을 따라서 X/Y 광량비를 계산한다. 단계 S704에서는, 주 제어 유닛(130)이 단계 S701에서 입력된 목표 X/Y 광량비와 단계 S703에서 계측된 X/Y 광량비를 비교한다. 목표 X/Y 광량비가 계측 X/Y 광량비보다도 작을 경우에, 주 제어 유닛(130)은 프로세스를 단계 S705로 진행시킨다. 한편, 목표 X/Y 광량비가 계측 X/Y 광량비보다 큰 경우에, 주 제어 유닛(130)은 프로세스를 단계 S715로 진행시킨다. 단계들 S705 내지 S709의 프로세스들과, 단계들 S715 내지 S719의 처리들은, 제어될 차광판 이외는 동일한 처리이므로, 단계들 S715 내지 S719의 처리들에 관한 설명은 하지 않는다.
단계 S705에서는, 주 제어 유닛(130)은, 도 9b에 나타낸 바와 같이, 액추에이터가 차광판들 XL 및 XR을 광축 방향의 중간 위치로 구동하게 하고, 단계 S706에서 다시 유효 광원 분포를 계측해서 X/Y 광량비를 계산한다.
단계 S707에서는, 주 제어 유닛(130)은, 차광판들 XL 및 XR이 개방될 때 계측한 X/Y 광량비와, 차광판들 XL 및 XR이 중간 위치에 설정되었을 때 계측한 X/Y 광량비에 기초하여 차광판들 XL 및 XR의 이동량에 대하여 X/Y 광량비의 변화율(민감도)을 계산한다. 그 후, 주 제어 유닛(130)은, 목표 X/Y 광량비가 얻어지는 차광판들 XL 및 XR의 목표 위치들을 계산하고, 액추에이터가 차광판들 XL 및 XR을 구동하여, 계산된 목표 위치들에 차광판들이 위치 결정되게 한다.
단계 S708에서, 주 제어 유닛(130)은, 유효 광원 분포를 계측해서 X/Y 광량비를 계산한다. 단계 S709에서는, 주 제어 유닛(130)은, 현재의 유효 광원 분포의 X/Y 광량비가 목표 X/Y 광량비의 허용 오차 내인지의 여부를 판정한다. X/Y 광량비가 허용 오차 내가 아니면 프로세스를 단계 S707로 복귀시킨다. 이 경우, 주 제어 유닛(130)은, 이전에 계측한 X/Y 광량비와 차광 위치의 정보로부터 다시 X/Y 광량비의 변화율(민감도)을 재계산하고, 차광판들 XL 및 XR의 목표 위치들을 재계산하고, 그들이 계산된 목표 위치에 위치 결정되게 액추에이터가 차광판들 XL 및 XR을 구동하게 한다.
주 제어 유닛(130)은, X/Y 광량비가 목표 X/Y 광량비의 허용 오차 내일 때 프로세스를 단계 S710로 진행시킨다. 단계 S710에서, 주 제어 유닛(130)은 목표 X/Y 광량비에 대응하는 조정 기구(131)에 대한 설정치(차광판의 위치를 설정하기 위한 값)을 기록한다.
차광판들 XR, XL, YU 및 YD에 의해 유효 광원 분포를 조정할 때 기판의 노광량이 변화한다. 그리하여, 단계 S711에서, 주 제어 유닛(130)은, 노광량의 오차를 보정하기 위해서 보정 파라미터를 결정하고 기록한다. 보정 파라미터는, 기판 스테이지에 탑재된 조도 검출기(128)에 의해 얻어진 검출치와, 조명 광학계 IL에 끼워넣어진 광량 검출기(117)에 의해 얻어진 검출치에 기초하여 결정될 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 투영 광학계의 동공면에 형성되는 광강도 분포를 나타내는 유효 광원 형상을 조정함으로써 선폭차가 목표 선폭차의 허용 오차 내가 되도록 제어할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 디바이스 제조 방법은, 반도체 디바이스, 액정 디바이스 등의 디바이스를 제조하기 위하여 사용될 수 있다. 디바이스 제조 방법은, 감광제가 도포된 기판을 전술된 노광 방법에 따라서 노광하는 단계와, 노광된 기판을 현상하는 단계를 포함할 수 있다. 디바이스 제조 방법은, 이어지는 주지의 단계(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 제거, 다이싱, 본딩, 및 패키징 등)를 또한 포함할 수 있다.
본 발명이 예시적인 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 본 발명이 개시된 예시적인 실시예들에 한정되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 하기의 청구항들의 범위는 모든 그러한 변형들과, 등가의 구조들 및 기능들을 포괄하도록 최광의의 해석을 따라야 한다.
101: 광원
102: λ/2 판
103: 중성 농도 필터
105: 제1 콘덴서 렌즈
106: 회절 광학 소자
120: 원판
122: 기판
128: 조도 검출기

Claims (6)

  1. 원판을 조명하도록 구성되며 유효 광원 분포를 조정하는 조정 기구를 포함하는 조명 광학계와, 상기 조명 광학계에 의해 조명된 상기 원판의 패턴을 기판에 투영하는 투영 광학계를 포함하는 노광 장치에 의해 기판을 노광하는 방법이며,
    상기 노광 방법은,
    노광에 의해 기판에 형성되는 패턴에 있어서의 선폭차(line width difference)와 유효 광원 분포 사이의 상관 관계를 나타내는 상관 관계 정보를 취득하는 단계;
    상기 상관 관계 정보에 기초하여 목표 선폭차에 대응하는 유효 광원 분포를 결정하는 단계;
    상기 결정 단계에서 결정된 상기 유효 광원 분포가 얻어지도록 상기 조정 기구를 제어하는 단계; 및
    상기 제어 단계 후에 상기 기판을 노광하는 단계를 포함하고,
    상기 선폭차는, 상기 기판의 면 내에서 제1 방향으로 연장되는 패턴의 선폭과 상기 기판의 상기 면 내에서 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되는 패턴의 선폭 사이의 차이인, 노광 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상관 관계를 갖는 상기 유효 광원 분포는, 상기 유효 광원 분포의 상기 제1 방향으로의 분포를 평가하기 위한 지표값과 상기 유효 광원 분포의 상기 제2 방향으로의 분포를 평가하기 위한 지표값 사이의 비에 의해 특정되고,
    상기 조정 기구는, 상기 유효 광원 분포의 상기 제1 방향으로의 상기 분포를 조정하는 기구와, 상기 유효 광원 분포의 상기 제2 방향으로의 상기 분포를 조정하는 기구를 포함하며,
    상기 결정 단계에서, 상기 목표 선폭차에 대응하는 비를 결정하고,
    상기 제어 단계에서, 상기 결정 단계에서 결정된 비가 얻어지도록 상기 조정 기구를 제어하는, 노광 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 노광 장치는, 상기 유효 광원 분포를 계측하는 계측 디바이스를 더 포함하고,
    상기 제어 단계에서, 상기 계측 디바이스를 사용해서 상기 유효 광원 분포를 계측하면서 상기 조정 기구를 제어하는, 노광 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 조정 기구는, 상기 투영 광학계의 동공면(pupil plane)에 형성되는 광강도 분포의 형상을 규정하는 차광판을 포함하고,
    상기 제어 단계에서는, 상기 차광판의 위치를 제어하는, 노광 방법.
  5. 원판을 조명하도록 구성되며 유효 광원 분포를 조정하는 조정 기구를 포함하는 조명 광학계와, 상기 조명 광학계에 의해 조명된 상기 원판의 패턴을 기판에 투영하여 상기 기판을 노광하는 투영 광학계를 포함하는 노광 장치이며,
    상기 노광 장치는,
    노광에 의해 기판에 형성되는 패턴에 있어서의 선폭차와 광강도 분포 사이의 상관 관계를 나타내는 상관 관계 정보에 기초하여 목표 선폭차에 대응하는 유효 광원 분포를 결정하고, 결정된 상기 유효 광원 분포가 얻어지도록 상기 조정 기구를 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하고
    상기 선폭차는, 상기 기판의 면 내에서 제1 방향으로 연장되는 패턴의 선폭과 상기 기판의 면 내에서 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되는 패턴의 선폭 사이의 차이인, 노광 장치.
  6. 디바이스 제조 방법이며,
    상기 디바이스 제조 방법은,
    노광 장치를 조정하는 단계,
    조정된 상기 노광 장치를 이용하여 기판을 노광하는 단계; 및
    상기 기판을 현상하는 단계
    를 포함하고,
    상기 노광 장치는, 원판을 조명하도록 구성되며 유효 광원 분포를 조정하는 조정 기구를 포함하는 조명 광학계와, 상기 조명 광학계에 의해 조명된 상기 원판의 패턴을 기판에 투영하는 투영 광학계를 포함하고,
    상기 조정 단계는,
    노광에 의해 기판에 형성되는 패턴에 있어서의 선폭차와 유효 광원 분포 사이의 상관 관계를 나타내는 상관 관계 정보를 취득하는 단계;
    상기 상관 관계 정보에 기초하여 목표 선폭차에 대응하는 유효 광원 분포를 결정하는 단계;
    상기 결정 단계에서 결정된 상기 유효 광원 분포가 얻어지도록 상기 조정 기구를 제어하는 단계를 포함하고,
    상기 선폭차는, 상기 기판의 면 내에서 제1 방향으로 연장되는 패턴의 선폭과 상기 기판의 상기 면 내에서 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되는 패턴의 선폭 사이의 차이인, 디바이스 제조 방법.
KR1020100030705A 2009-04-13 2010-04-05 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 KR101236127B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2009-097390 2009-04-13
JP2009097390A JP4921512B2 (ja) 2009-04-13 2009-04-13 露光方法、露光装置およびデバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100113451A true KR20100113451A (ko) 2010-10-21
KR101236127B1 KR101236127B1 (ko) 2013-02-21

Family

ID=42934116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100030705A KR101236127B1 (ko) 2009-04-13 2010-04-05 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8300209B2 (ko)
JP (1) JP4921512B2 (ko)
KR (1) KR101236127B1 (ko)
TW (1) TWI417677B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5789135B2 (ja) * 2011-06-17 2015-10-07 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
JP5842251B2 (ja) * 2012-01-06 2016-01-13 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置及び露光済み材製造方法
JP6362095B2 (ja) * 2014-06-17 2018-07-25 キヤノン株式会社 照明装置、露光装置、調整方法、及び、物品の製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5335044A (en) 1992-02-26 1994-08-02 Nikon Corporation Projection type exposure apparatus and method of exposure
JP3277589B2 (ja) * 1992-02-26 2002-04-22 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
US6628370B1 (en) * 1996-11-25 2003-09-30 Mccullough Andrew W. Illumination system with spatially controllable partial coherence compensating for line width variances in a photolithographic system
US6534242B2 (en) * 1997-11-06 2003-03-18 Canon Kabushiki Kaisha Multiple exposure device formation
WO1999036832A1 (fr) * 1998-01-19 1999-07-22 Nikon Corporation Dispositif d'eclairement et appareil de sensibilisation
JP2003068604A (ja) * 2001-08-23 2003-03-07 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
TW554411B (en) 2001-08-23 2003-09-21 Nikon Corp Exposure apparatus
JP3962581B2 (ja) * 2001-11-27 2007-08-22 キヤノン株式会社 露光方法及びデバイス製造方法
JP2004111579A (ja) 2002-09-17 2004-04-08 Canon Inc 露光方法及び装置
JP4366948B2 (ja) 2003-02-14 2009-11-18 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
DE10308271B4 (de) * 2003-02-26 2007-07-19 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren und System zum Verbessern der Belichtungsgleichförmigkeit in einem schrittweisen Belichtungsprozess
JP5159027B2 (ja) 2004-06-04 2013-03-06 キヤノン株式会社 照明光学系及び露光装置
US7259829B2 (en) * 2004-07-26 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7713889B2 (en) * 2005-11-16 2010-05-11 Nikon Corporation Substrate processing method, photomask manufacturing method, photomask, and device manufacturing method
JP4968589B2 (ja) 2005-11-16 2012-07-04 株式会社ニコン 基板処理方法、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク、並びにデバイス製造方法
JP2008108851A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Canon Inc 照明装置及び当該照明装置を有する露光装置、並びに、デバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20100259740A1 (en) 2010-10-14
JP2010251431A (ja) 2010-11-04
US8300209B2 (en) 2012-10-30
TW201037466A (en) 2010-10-16
KR101236127B1 (ko) 2013-02-21
JP4921512B2 (ja) 2012-04-25
TWI417677B (zh) 2013-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100588117B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
US9030668B2 (en) Method for spatially multiplexing two or more fringe projection signals on a single detector
CN103345128A (zh) 微光刻投射曝光设备的照明系统
KR20070107811A (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JPH10135123A (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP6463935B2 (ja) 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
KR20110139138A (ko) 메트롤로지를 위한 카타디옵트릭 조명 시스템
CN106716256A (zh) 照射系统
JP4495115B2 (ja) リソグラフィ装置及びリソグラフィ方法
KR20170097186A (ko) 이동체의 제어 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 이동체 장치, 및 노광 장치
US9244364B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101236127B1 (ko) 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP2015079807A (ja) 投影露光装置及び露光条件計算装置
US8416389B2 (en) Exposure apparatus and method of manufacturing device
JP3414476B2 (ja) 投影露光装置
JPH08162397A (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP2004108989A (ja) 光学素子の透過率を測定する装置及び方法
JP2003318095A (ja) フレア計測方法及びフレア計測装置、露光方法及び露光装置、露光装置の調整方法
US9575413B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8237917B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2012234883A (ja) 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
US20230030661A1 (en) Measuring device, measuring method, substrate processing apparatus, and method of manufacturing product
JP3201025B2 (ja) 露光方法及び装置、並びに素子製造方法
JP2001118784A (ja) 露光装置及びその露光装置における疎密線幅差の補正方法並びに露光方法
JP2001284235A (ja) 投影露光装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160121

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170125

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180125

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190212

Year of fee payment: 7