KR20100111266A - 소정의 열 조건 하에서의 시험 기판의 시험 방법과 열적으로 조절가능한 탐침기 - Google Patents

소정의 열 조건 하에서의 시험 기판의 시험 방법과 열적으로 조절가능한 탐침기 Download PDF

Info

Publication number
KR20100111266A
KR20100111266A KR1020107010266A KR20107010266A KR20100111266A KR 20100111266 A KR20100111266 A KR 20100111266A KR 1020107010266 A KR1020107010266 A KR 1020107010266A KR 20107010266 A KR20107010266 A KR 20107010266A KR 20100111266 A KR20100111266 A KR 20100111266A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
test
test substrate
probe
positioning
Prior art date
Application number
KR1020107010266A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101492408B1 (ko
Inventor
외르그 키제베터
스토잔 카네브
미하엘 테이히
카르스텐 슈톨
악셀 슈미트
Original Assignee
수스 마이크로텍 테스트 시스템즈 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 수스 마이크로텍 테스트 시스템즈 게엠베하 filed Critical 수스 마이크로텍 테스트 시스템즈 게엠베하
Publication of KR20100111266A publication Critical patent/KR20100111266A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101492408B1 publication Critical patent/KR101492408B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2891—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks related to sensing or controlling of force, position, temperature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 소정의 열 조건 하에서의 시험 기판의 시험 방법 및 장치에 관한 것인데, 시험되어질 시험 기판이 온도-제어가능 척에 의해서 지지되고 소정의 온도로 설정되고; 하나 이상의 위치 설정 장치에 의해서 시험 탐침들에 대한 상기 시험 기판의 위치가 정해지고; 그리고 상기 시험 탐침들이 시험 목적으로 상기 시험 기판과 접촉하게 된다. 본 발명에 의하면, 온도-제어된 시험 기판의 근처에 존재하는 상기 위치설정 장치의 하나 이상의 부품이 온도-제어 장치에 의해서 상기 시험 기판의 온도와 독립적인 온도로 설정되고 이러한 온도가 일정하게 유지되는 것이 제안된다.

Description

소정의 열 조건 하에서의 시험 기판의 시험 방법과 열적으로 조절가능한 탐침기{METHOD FOR TESTING A TEST SUBSTRATE UNDER DEFINED THERMAL CONDITIONS AND THERMALLY CONDITIONABLE PROBER}
[0001] 본 발명은 소정의 온도에서 전자 부품들을 체크하고 시험하는 역할을 하는 탐침기를 열적으로 조절하는 방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은 열적 조절을 실행하기 위한 탐침기에 관한 것이다.
[0002] 이하 탐침기를 전자 부품들의 전자 기능을 측정하는 시험 장치로서 정의한다. 탐침기는 다양한 제조 단계들에서 광범위한 전자 부품들을 체크하고 시험하는 데에 사용된다. 예를 들어, 이들 부품들은 웨이퍼 복합체(wafer composite) 내 반도체 부품들일 수 있고 또는 반도체 칩들, 하이브리드 부품들, 미세-기계 또는 광학 부품들 등과 같은 개별 부품들일 수 있는데, 이러한 이유로 시험되어질 전자 부품들을 이하 간단히 시험 기판으로서 지칭할 것이다.
[0003] 이러한 유형의 시험 기판은 일반적으로 매끄럽고 평면인 밑면(underside)을 포함하고, 그리고 탐침기의 본질적인 부분이고 상기 시험 기판을 수용하기 위한 매끄럽고 평면인 수납면을 구비하는 척 상에 적어도 간접적으로 배치되고 지지된다. 척 구동기에 의해서 작동 영역(working area) 내에서 상기 척과 함께 상기 시험 기판이 변위될 수 있고, 그 결과 탐침기의 시험 탐침들에 대한 위치가 정해질 수 있다. 시험 기판의 위치설정은 일반적으로 크로스-테이블에 의해서 수평면-즉, X-Y 평면-에서 실행되고(effected) 각도 지향(angular orientation)을 위한 장치에 의해서 수(a few) 도 범위에서 실행되고 그리고 예를 들어 시험 기판 위로 배열된 시험 탐침들의 방향으로의 상기 시험 기판의 인피드(infeed) 이동을 가능하게 만드는, 수직 이동- 즉 Z 리프트-에 의해서 실행된다.
[0004] 나아가, 시험 탐침들의 홀더들은 또한 그 자신의 위치설정 장치를 포함하는데, 이에 의해서 예를 들어 복수의 시험 탐침들이 서로에 대하여 또는 X, Y 및 Z 방향으로 시험 기판의 선취(preferential) 방향에 대하여 지향될 수 있거나 또는 시험 기판의 인피드 이동이 실행될 수 있다.
[0005] 시험 목적으로, 접촉 니들들의 형태를 가진 시험 탐침들이 시험 기판과 접촉하게 되고 이것에 시험 신호들이 인가되거나 또는 이것으로부터 시험 신호들이 픽-오프된다. 시험 신호들은 크게 바뀔(vary) 수 있다. 예컨데, 예를 들어 복수의 파장 범위에서의 방사선과 같은 서로 다른 입력 변수들에 의해서 출력 신호들이 생성될 수 있다. 일반적으로 시험 탐침들은 하우징의 윗 인클로저 상에서 작동 영역 외부에 위치되고 상기 하우징에서의 개구를 통해 상기 시험 기판과 접촉하게 된다.
[0006] 바람직하게는 해당 부품의 사용 조건에 상응하는 환경 조건 하에서 전자 부품들의 동작 신뢰성이 탐침기들에서 시험된다. 이러한 맥락에서 시험 기판을 소정의 온도로 설정하는 것이 주된 관심사이다. 시험 기판의 온도는 적절한 장치들에 의해서 가열되거나 냉각될 수 있는 척에 의해서 설정된다.
[0007] 시험 조건을 설정하기 위해서, 탐침기의 작동 영역은 일반적으로 하우징에 의해서 둘러싸인다. 이렇게 하우징에 의해서 둘러싸인 탐침기가 DE 4109908 C2로부터 알려져 있다. 이러한 탐침기에 있어서 하우징은 아랫 섹션들에서의 복수의 유입 개구들을 포함하고 그리고 유출 개구로서의 역할을 하고 또한 하우징의 윗 클로저에서의 시험 탐침들 접근(access)을 제공하는 역할을 하는 부가적인 개구를 포함한다. 낮은 온도 범위에서 시험될 때, 이들 개구들에 의해서 작동 영역을 통해 가스 유동이 제공되고 그 결과 시험 기판 상에 주변 분위기(surrounding atmosphere)로부터 수분이 뿌려지는 것을 막는다.
[0008] 시험 기판이 시험되어져야 할 온도까지 이르게 하기 위해서, 적절한 냉각제가 척에 적용된다. 온도를 조정하기 위해서 또는 척에서 훨씬 더 제어된 시험 조건을 설정하기 위해서, 상기 척은 매체 라인들에 의해서 작동 영역 외부에 위치된 해당 소스들에 연결된다. 이러한 탐침기에 있어서 척과 함께 열 교환기의 결과로서 또한 척 구동기가 냉각되는 반하여, DE 102 46 282 A1가 개시하는 탐침기에서 척 구동기 및 척의 수납면이 열적으로 거의 디커플링되고 그리고 시험 기판이 직접 냉각된 열 복사 쉴드에 의해서 주변의 냉각되지 않은 부품들의 열 복사로부터 차폐된다. 이전의 탐침기와 대조적으로, 열적인 분리는 시험 기판에 요구되는 정확도와 재현도로 척을 위치시키는 데에 필요한 시간과 노력의 크기를 상당히 줄일 수 있는데, 그 이유는 측정 환경에서의 열 평형의 시작에 의해서 측정 시간이 상당히 영향받을 수 있고 이러한 환경이 최소화되기 때문이다. 그런데, 후자의 탐침기의 경우에 있어서도, 측정 시간이 경과함에 따라서 위치설정 장치들의 열 조건의 진행하는 변화의 결과로서 이동 시퀀스들이 변화하는 것이 발견되고, 이로써 서로 다른 온도와 서로 다른 시간 경과에 있어서 시험의 정확도와 재현도가 달라지는 정도에 악영향을 미친다.
[0009] 이러한 기초에 계속되는 것으로서, 본 발명은 소정의 온도에서 기판들을 시험하는 것을 위해 의도된 탐침기를 제공하는 것의 문제점을 해결하고자 하는 것인데, 여기서 시험 기판에 대하여 그리고 상기 시험 기판에 연결된 탐침기의 부품들에 대하여 공간적으로 및 열적으로 정의되고 재현가능한 시험 조건들이 설정되어지고 최소의 시간 손실로 유지된다.
[0010] 이러한 문제점은 청구항 제1 항에 따른 방법과 청구항 제9 항에 따른 탐침기에 의해서 해결된다. 관련된 청구항들 제2 항 내지 제8 항 그리고 제10 항 내지 제16 항은 본 발명의 이로운 실시예들을 기술한다.
[0011] 이하 예시적인 실시예들과 연계하여 본 발명을 상세하게 설명한다. 각각의 도면들에 있어서,
도 1 및 도 2는 종래 기술에 따른 하우징과 함께 탐침기를 나타내고;
도 3은 위치설정 장치의 모든 부품들을 위한 열 교환기들과 함께 하우징과 온도 제어 장치를 포함하는 탐침기를 나타내고;
도 4는 하우징과 위치설정 장치의 모든 부품들을 위한 개개의 온도 제어 장치들을 포함하는 탐침기를 나타내고; 그리고
도 5는 도 4에 도시된 탐침기이되, 하우징 외부에 탐침 홀더와 그 조종자들이 배치된 탐침기를 나타낸다.
[0012] 소정의 온도로 설정될 수 있는, 시험 목적으로 시험 기판을 시험하기 위한 종래 기술에 따른, 탐침기는 EMC 쉴드로서 설계된 하우징(11) 내부에 온도 제어가능 척(chuck)(2)을 포함한다. 상기 척 상에 올려진 시험 기판이, 예를 들어 웨이퍼가, 수 백 도(a few hundred degrees)일 수 있거나 또는 낮은 온도 범위일 수도 있는 온도로 설정될 수 있도록, 상기 척은 냉각될 수 있거나 및/또는 가열될 수 있다.
[0013] 상기 척(2)은 척 구동기를 포함하는데, 상기 척 구동기에 의해서 시험 기판(1)이 X, Y 및 Z 방향으로 이동될 수 있고 또한 각도 세타 만큼 회전될 수 있다. X 방향으로의 이동 및 Y 방향으로의 이동은 각각의 경우에 X 고정자(stator)(8) 또는 Y 고정자(6) 각각과 관련된(in connection with) X 운반대(carriage)(7) 또는 Y 운반대(5) 각각에 의해서 실행되고 Z 방향으로의 이동은 Z 구동기(4)에 의해서 실행되고 회전은 세타 구동기(3)에 의해서 실행된다. 척과 그 상부에 올려진 시험 기판을 포함하는 척 구동기는 안정성의 목적상 베이스 플레이트(10) 상에 배치된다. 하우징은 그 자체가 프레임(16) 상에 올려진다.
[0014] 하우징(11)의 윗 인클로저는 탐침 홀더 플레이트(9)를 형성하고 그 상부에 시험 탐침들(32)과 함께 탐침 홀더들이 올려진다. 도 1에 따르는 각각의 탐침 홀더는 조종자(manipulator)를 포함하는데, 조종자는 X, Y 및 Z 방향으로 시험 탐침들(32)의 위치를 정하는 역할을 한다. 탐침 홀더들은 시험 탐침들(32)과 함께 흔히 소위 탐침 헤드들(13)이라고 불린다.
[0015] 탐침 홀더의 조종자들과 척 구동기 양자는 시험 탐침들(32)에 대하여 시험 기판(1)의 위치를 정하는 역할을 하고 따라서 탐침기의 위치 설정 장치를 이루는 부품들이다. 이러한 경우에 척 구동기 자체가 또한 이동의 개별적인 방향들을 실행하는 전술한 부품들을 구성한다. 탐침기에 있어서의 이동 시퀀스(sequence of movements)에 대한 설계 컨셉에 따라서, 탐침기의 위치설정 장치는 더 적은 수의 또는 부가적인 부품들을 포함할 수 있다.
[0016] 탐침 헤드들(13)에 대하여 시험 기판(1)의 EMC 차폐(shielding)를 성취하기 위하여, 플레이트 형상의 EMC 쉴드(12)가 탐침 홀더 플레이트(9) 아래에 그리고 시험 기판(1) 위에 올려진다. 시험 기판(1) 상에서의 시험 탐침들(32)의 팁들의 위치설정과 시험(testing) 자체가 카메라와 결합될 수 있는 현미경(15)에 의해서 보여질 수 있다. 이런 목적으로 현미경(15)이 EMC 쉴드(12) 및 탐침 홀더 플레이트(9) 내 개구(aperture) 위로 올려지고 그 자신의 현미경 구동기(14)에 의해서 X, Y 및 Z 방향으로 이동될 수 있다.
[0017] 도 2는 도 1에서의 탐침기의 일 실시예를 나타낸다. 도 2에 따른 탐침기는, 전술한 부품들에 더하여, 탑 챔버들(17)을 포함하는데, 이것은 탐침 헤드들을 덮어싸고 주변 환경에 대한 탐침기 체적의 전체적인 클로저(total closure)를 형성한다. 대물 렌즈 씰(18)에 의해서 현미경에 대한 클로저가 얻어진다. 이러한 유형의 구성은 예를 들어 낮은 온도들에서 시험들을 수행하는 데에 사용된다.
[0018] 도 3은 도 2에서의 탐침기를 나타내는데, 거기에 위치설정 장치의 부품들 모두에 대한 온도 제어 장치들이 부가되었다. 도 3에서의 본 발명에 따른 탐침기(3)는 X 고정자(8)를 포함하는데 그것은 X 및 Y 운반대 그리고 X 및 Y 고정자를 가열하거나 냉각시킬 수 있는 열 교환기(27)를 포함한다. 이런 목적으로 유입 및 유출 라인(23) 위로 열 교환기를 통해 온도-제어 유체가 전달된다. Z 구동기는 이런 방식으로 온도 제어된다. 본 실시예에 있어서, Z 및 세타 구동기(24)에 대한 온도 제어 유체의 유입 및 유출 라인들은 X 및 Y 구동기(23)에 대한 유입 및 유출 라인들로부터 분기되는데, 더 복잡한 제어 시스템들의 필요 없이도 모든 구동기들을 동일한 온도로 설정하기 위함이다. 물론 이러한 경우에 척 구동기의 개별적인 부품들의 온도를 서로로부터 독립적으로 설정할 수 있도록 별개의 유체 사이클들을 사용하는 것 또한 가능하다.
[0019] 그런데, 임의의 케이스에 있어서, 척(2)의 온도 설정 및 이로써 시험 기판(1)의 온도 설정과 독립적으로 위치설정 장치의 부품들의 온도를 설정하는 것이 가능하다. 이런 방식으로 척 구동기의 설정 온도가 시험 기판의 설정 온도와 상당히 다를 수 있고 그 결과 척 구동기를 이루는 물질들의 열 팽창 특성들을 소정의 방식으로 조정하는 것이 가능하다. 부품들의 온도에 의한 팽창 특성의 소정의 조정은 주변 온도에 근접한 온도에서 그리고 그와는 상당히 다른 열 조건들에서 열 팽창을 최소화하는 것을 포함한다. 그럼에도 불구하고, 일정하게 유지되는 온도의 결과, 탐침기의 다른 부품들과의 열 평형의 시작(onset)과 무관하게 상기 열 조건들은 일정하게 유지되고 그리고 이로써 전체 시험 구간에 걸쳐서 계산가능하다.
[0020] 일정하게 유지되는 척 구동기의 설정 온도가 긴 시간 구간 후에 열 교환기의 결과로서 열 평형에 도달할 온도와 상당히 다른 이상, 여전히 온도 제어 작업을 계속할 필요가 있다. 그런데, 평형 온도가 알려져 있거나 또는 예를 들어 샘플링에 의해서 결정될 수 있다면 상기 방법의 일 실시예는 이러한 평형 온도가 온도 제어 장치들에 의해서 목적된 방식으로 설정되고 열 평형 상태가 제공될 때까지 능동적으로(actively) 유지되는 것을 제공한다. 자연적인 열 평형의 경우와 비교하여 다시 말해서 시험 기판 또한 열 제어되는 시간 구간 후와 비교하여 이 경우에 평형 온도가 상당히 더 빠르게 도달된다. 이러한 실시예는 특히 긴 시험 구간들 동안 에너지 입력이 감소될 수 있다는 이점을 가지는데, 능동 온도 제어 구간이 짧아질 수 있고 보증되어야 하는 유일한 인자는 설정 온도가 유지될 수 있는 것이기 때문이다.
[0021] 개별적인 부품들의 온도를 설정 및 제어하기 위해서, 온도 제어되는 부품들 모두는 제어 회로의 측정 요소일 수 있는 온도 센서들(29, 30, 31)을 구비한다.
[0022] 도 3에 따르면 탐침기는 또한 탐침 홀더 플레이트에 대한 열 교환기들(20)을 포함한다. 또한 온도 제어 유체가 이들 열 교환기들을 통해 흐른다. 이런 방식으로 열 접촉이 그들의 조종자들과 함께 탐침 헤드들(13)의 온도를 제어한다. 잠재적인(potential) 온도들을 설정하기 위해서, 위치설정 장치의 다른 부품들의 온도를 제어하기 위해 전술한 바를 참조할 수 있다. 이러한 접근은 시험 동안 열 평형(balancing) 프로세스들 과정에서 열 팽창이 변화하는 결과로서 시험 기판(1) 상에서의 시험 탐침들(32)의 위치설정이 변하는 것을 막는 것을 가능하게 만든다. 동일한 바가 관찰 유닛(15)에 대하여도 성취될 수 있는데, 그 구동기(14) 또한 온도 제어 장치(22)를 구비한다는 점에서 그러하다. 동시에 이러한 온도 제어 프로세스는 위치설정에 영향을 미치지 아니하고 오히려 단지 관찰 위치에 영향을 미친다. 이런 이유로, 대안으로서, 현미경 구동기의 그러한 온도 제어를 구비하지 아니하는 것 또한 가능하다(도 4).
[0023] 본 발명의 부가적인 실시예는 또한 온도-제어되는 가스 유동에 의해서 소정의 온도를 설정하는 것에 대한 전술한 옵션들을 제공한다. 이 경우에 유출 요소들(26)은 위치설정 장치의 각각의 부품에서의 가스 유동을 목적으로 한다. 이런 방식으로 전체적인 척 구동기가 공통 온도 제어 장치에 의해서 도 4에 도시된 바와 같이 냉각되거나 가열될 수 있다. 물론, 개개의 온도 제어 장치들이, 다시 말해서 열 교환기들 또는 가스 유동 장치가, 탐침기의 위치설정 장치를 이루는 개개의 부품들에 대하여 논리적인 방식으로 결합될 수 있다(도 4).
[0024] 나아가, 개개의 탐침기 설계들에 대하여 전술한 온도-제어 장치들을 사용하는 것 또한 가능하다. 도 5는 본 발명에 따른 탐침기를 나타내는데, 여기서 척 구동기는 탐침 홀더 플레이트(9) 및 가스 유동에 의해서 열 교환기들을 통해 온도-제어되지만, 하우징 외부에 탐침 헤드들(13)이 배치된다.
1 시험 기판 ,웨이퍼
2 온도-제어가능 척
3 세타 구동기
4 Z 구동기
5 Y 운반대
6 Y 고정자
7 X 운반대
8 X 고정자
9 탐침 홀더 플레이트
10 베이스 플레이트
11 하우징
12 EMC 쉴드
13 탐침 헤드
14 현미경 구동기
15 관찰 유닛, 현미경
16 프레임
17 탑 챔버
18 대물 렌즈 씰
19 온도-제어 유체의 유입 및 유출 라인
20 탐침 홀더 플레이트에 대한 열 교환기
21 온도-제어 유체의 유입 및 유출 라인
22 열 교환기 현미경 구동기
23 온도-제어 유체의 유입 및 유출 라인
24 온도-제어 유체의 유입 및 유출 라인
25 유입 라인 온도 제어 가스
26 유출 요소들(outflow elements)
27 X-Y 구동기에 대한 열 교환기
28 세타 및 Z 구동기에 대한 열 교환기
29 온도 센서 T1
30 온도 센서 T2
31 온도 센서 T3
32 시험 탐침들

Claims (16)

  1. 시험되어질 시험 기판이 온도-제어가능 척에 의해서 지지되고 소정의 온도로 설정되고; 하나 이상의 위치 설정 장치에 의해서 시험 탐침들에 대한 상기 시험 기판의 위치가 정해지고; 그리고 상기 시험 탐침들이 시험 목적으로 상기 시험 기판과 접촉하게 되는, 소정의 열 조건 하에서의 시험 기판의 시험 방법으로서,
    온도-제어된 시험 기판의 근처에 존재하는 상기 위치설정 장치의 하나 이상의 부품이 온도-제어 장치에 의해서 상기 시험 기판의 온도와 독립적인 온도로 설정되고 이러한 온도가 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는,
    소정의 열 조건 하에서의 시험 기판의 시험 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 위치설정 장치의 부품이 탐침기의 열 평형 상태에서 상기 부품이 도달할 예상 온도로 설정되고; 그리고
    상기 시험 기판이 시험 온도로 온도-제어되는, 시간 구간 내에 이러한 온도에 도달하는 것을 특징으로 하는,
    소정의 열 조건 하에서의 시험 기판의 시험 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 위치설정 장치의 부품이 상기 시험 기판의 시험 온도로부터 많이 벗어난 온도로 설정되는 것을 특징으로 하는,
    소정의 열 조건 하에서의 시험 기판의 시험 방법.
  4. 제1 항 내지 제3 항 중의 어느 한 항에 따른 탐침기의 열 조절(thermal conditioning) 방법으로서,
    척 구동기에 의해서 상기 시험 기판의 위치가 정해지고; 그리고
    상기 척 구동기의 하나 이상의 부품이 원하는 온도로 설정되는 것을 특징으로 하는,
    탐침기의 열 조절 방법.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중의 어느 한 항에 따른 탐침기의 열 조절 방법으로서,
    조종자에 의해서 시험 탐침들의 위치가 정해지고; 그리고
    상기 조종자가 원하는 온도로 설정되는 것을 특징으로 하는,
    탐침기의 열 조절 방법.
  6. 제1 항 내지 제5 항 중의 어느 한 항에 따른 시험 기판의 시험 방법으로서,
    위치조정가능한 관찰 유닛에 의해서 상기 시험이 관찰되고;
    상기 관찰 유닛의 구동기가 온도 제어 장치에 의해서 상기 시험 기판의 온도와 독립적인 온도로 설정되고; 그리고
    이러한 온도가 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는,
    시험 기판의 시험 방법.
  7. 제1 항 내지 제6 항 중의 어느 한 항에 따른 시험 기판의 시험 방법으로서,
    열 교환기들에 의해서 온도 제어가 결과되는 것을 특징으로 하는,
    시험 기판의 시험 방법.
  8. 제1 항 내지 제7 항 중의 어느 한 항에 따른 시험 기판의 시험 방법으로서,
    온도-제어된 가스의 방향성(directed) 유동에 의해서 온도 제어가 결과되는 것을 특징으로 하는,
    시험 기판의 시험 방법.
  9. 시험 기판의 수용 및 온도-제어를 위한 온도 제어-가능 척을 포함하고, 상기 시험 기판의 접촉을 이루기 위한 시험 탐침들을 포함하고, 그리고 상기 시험 탐침들에 대하여 상기 시험 기판의 위치를 정하기 위한 위치설정 장치를 포함하는,
    열적으로 조절가능한 탐침기로서,
    온도-제어된 시험 기판의 근처에 존재하는 상기 위치설정 장치의 하나 이상의 부품이 온도-제어 장치를 포함하여서, 일정하게 유지될 그리고 상기 시험 기판의 온도와 독립적인 소정의 온도를 설정하는 것을 특징으로 하는,
    열적으로 조절가능한 탐침기.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 시험 기판의 위치가 정하기 위한 척 구동기를 상기 척이 포함하고; 그리고
    상기 척 구동기의 하나 이상의 부품이 온도 제어 장치에 의해서 원하는 온도로 설정될 수 있는 것을 특징으로 하는,
    열적으로 조절가능한 탐침기.
  11. 제9 항 또는 제10 항에 있어서,
    상기 탐침기는 시험 탐침들의 위치를 정하기 위한 하나 이상의 조종자를 포함하고 ; 그리고
    상기 조종자가 온도 제어 장치에 의해서 원하는 온도로 설정되는 것을 특징으로 하는,
    열적으로 조절가능한 탐침기.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 조종자가 탐침 홀더 플레이드 상에 올려지고, 상기 탐침 홀더 플레이드에 의해서 간접적으로 상기 온도-제어 장치에 의해서 원하는 온도로 설정될 수 있는 것을 특징으로 하는,
    열적으로 조절가능한 탐침기.
  13. 제9 항 내지 제12 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    온도-제어 장치가 열 교환기를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    열적으로 조절가능한 탐침기.
  14. 제9 항 내지 제13 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 위치설정 장치의 부품 상에 온도-제어된 가스의 유동을 생성하는 유동 장치를 온도-제어 장치가 포함하는 것을 특징으로 하는,
    열적으로 조절가능한 탐침기.
  15. 제9 항 내지 제14 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 탐침기가 상기 시험을 관찰하기 위한 이동가능한 관찰 유닛을 포함하고; 그리고
    일정하게 유지되고 상기 시험 기판의 온도와 독립적인 소정의 온도에 도달할 수 있도록, 상기 관찰 유닛의 구동기가 온도 제어 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    열적으로 조절가능한 탐침기.
  16. 제9 항 내지 제15 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 탐침기는,
    전자기 방사선을 차폐하고 적어도 부분적으로 상기 탐침기의 위치설정 장치를 둘러싸는 하우징을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    열적으로 조절가능한 탐침기.
KR1020107010266A 2007-10-10 2008-10-01 소정의 열 조건 하에서의 시험 기판의 시험 방법과 열적으로 조절가능한 탐침기 KR101492408B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007048815.9 2007-10-10
DE102007048815 2007-10-10
PCT/EP2008/063154 WO2009050038A1 (de) 2007-10-10 2008-10-01 Verfahren zur prüfung eines testsubstrats unter definierten thermischen bedingungen und thermisch konditionierbarer prober

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100111266A true KR20100111266A (ko) 2010-10-14
KR101492408B1 KR101492408B1 (ko) 2015-02-12

Family

ID=40394011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107010266A KR101492408B1 (ko) 2007-10-10 2008-10-01 소정의 열 조건 하에서의 시험 기판의 시험 방법과 열적으로 조절가능한 탐침기

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8497693B2 (ko)
JP (1) JP5555633B2 (ko)
KR (1) KR101492408B1 (ko)
DE (1) DE112008002615B4 (ko)
WO (1) WO2009050038A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210096590A (ko) * 2018-07-20 2021-08-05 폼팩터, 인크. 시험 중 장치의 광학적 이미지를 수집하기 위한 프로브 시스템들 및 방법들

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7999563B2 (en) * 2008-06-24 2011-08-16 Cascade Microtech, Inc. Chuck for supporting and retaining a test substrate and a calibration substrate
DE102008047337B4 (de) * 2008-09-15 2010-11-25 Suss Microtec Test Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Prüfung eines Testsubstrats in einem Prober unter definierten thermischen Bedingungen
JP5459907B2 (ja) * 2010-01-27 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 基板載置装置の評価装置、及びその評価方法、並びにそれに用いる評価用基板
US10281487B2 (en) 2013-09-17 2019-05-07 The Micromanipulator Company, Llc Probe system designed for probing of electronic parts mounted into application or test boards
US10060950B2 (en) * 2016-01-15 2018-08-28 Formfactor Beaverton, Inc. Shielded probe systems
JP6633949B2 (ja) * 2016-03-14 2020-01-22 ヤマハファインテック株式会社 基板検査装置及び基板検査方法
US9784763B1 (en) 2016-04-08 2017-10-10 Cascade Microtech, Inc. Shielded probe systems with controlled testing environments
US10459006B2 (en) * 2016-09-28 2019-10-29 Formfactor Beaverton, Inc. Probe systems and methods
JP7398930B2 (ja) * 2018-11-27 2023-12-15 東京エレクトロン株式会社 検査装置システム
US11054465B2 (en) 2019-10-21 2021-07-06 Star Technologies, Inc. Method of operating a probing apparatus
EP4062445A4 (en) 2019-11-19 2023-12-20 High Precision Devices Inc. CRYOGENIC WAFER TEST SYSTEM
US11378619B2 (en) * 2019-12-18 2022-07-05 Formfactor, Inc. Double-sided probe systems with thermal control systems and related methods
CN113533930B (zh) * 2020-04-22 2023-04-04 华为技术有限公司 单板测试装置和方法
US20230058964A1 (en) * 2021-08-18 2023-02-23 Mpi Corporation Optical detection system and alignment method for a predetermined target object

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0691142B2 (ja) * 1988-03-31 1994-11-14 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US5124639A (en) * 1990-11-20 1992-06-23 Motorola, Inc. Probe card apparatus having a heating element and process for using the same
DE4109908C2 (de) * 1991-03-26 1994-05-05 Erich Reitinger Anordnung zur Prüfung von Halbleiter-Wafern
US5653539A (en) * 1994-05-02 1997-08-05 Rosengaus; Eliezer Method and apparatus for remotely measuring the temperature of a surface
JP3172760B2 (ja) * 1997-03-07 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 バキュームコンタクタ
JPH10303257A (ja) * 1997-04-22 1998-11-13 Izumi Seiki Kk プローブステーション
JPH10332780A (ja) * 1997-05-27 1998-12-18 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体測定装置
US6111421A (en) * 1997-10-20 2000-08-29 Tokyo Electron Limited Probe method and apparatus for inspecting an object
JPH11145215A (ja) * 1997-11-11 1999-05-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体検査装置およびその制御方法
JPH11233572A (ja) * 1998-02-16 1999-08-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体試験装置
JP2002198405A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Seiko Epson Corp 半導体測定装置
DE10216786C5 (de) 2002-04-15 2009-10-15 Ers Electronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden
DE10246282B4 (de) * 2002-10-02 2005-12-29 Suss Microtec Test Systems Gmbh Prober zum Testen von Substraten bei tiefen Temperaturen
US7038441B2 (en) * 2002-10-02 2006-05-02 Suss Microtec Testsystems Gmbh Test apparatus with loading device
DE102005001163B3 (de) * 2005-01-10 2006-05-18 Erich Reitinger Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Halbleiterwafern mittels einer temperierbaren Aufspanneinrichtung
JP2007165390A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Fujitsu Ltd 検査装置及び方法
JP4936788B2 (ja) * 2006-05-16 2012-05-23 株式会社東京精密 プローバ及びプローブ接触方法
JP4901317B2 (ja) * 2006-06-07 2012-03-21 株式会社東京精密 プローバ及び平行度調整方法
DE102006038457B4 (de) 2006-08-16 2014-05-22 Cascade Microtech, Inc. Verfahren und Vorrichtung zum Temperieren elektronischer Bauelemente

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210096590A (ko) * 2018-07-20 2021-08-05 폼팩터, 인크. 시험 중 장치의 광학적 이미지를 수집하기 위한 프로브 시스템들 및 방법들

Also Published As

Publication number Publication date
US20100289511A1 (en) 2010-11-18
DE112008002615A5 (de) 2011-03-31
JP2011501403A (ja) 2011-01-06
JP5555633B2 (ja) 2014-07-23
US9395411B2 (en) 2016-07-19
US8497693B2 (en) 2013-07-30
KR101492408B1 (ko) 2015-02-12
WO2009050038A1 (de) 2009-04-23
US20140028337A1 (en) 2014-01-30
DE112008002615B4 (de) 2015-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101492408B1 (ko) 소정의 열 조건 하에서의 시험 기판의 시험 방법과 열적으로 조절가능한 탐침기
US7046025B2 (en) Test apparatus for testing substrates at low temperatures
US9632108B2 (en) Method for verifying a test substrate in a prober under defined thermal conditions
KR101185536B1 (ko) 온도가 조절될 수 있는 척 장치를 이용한 반도체 웨이퍼테스트 장치 및 방법
US6583638B2 (en) Temperature-controlled semiconductor wafer chuck system
TWI283451B (en) Probe apparatus for temperature control of the examined body and probe examining method
US10281487B2 (en) Probe system designed for probing of electronic parts mounted into application or test boards
TWI419195B (zh) 顯微鏡及具有噴灑冷卻之可變放大倍率光學系統
JP2019153717A (ja) 検査装置
JP2021532582A (ja) 試験中の装置の光学画像を収集するためのプローブシステムおよび方法
EP1628132B1 (en) Method and device for calibrating sensors
JP4820534B2 (ja) 低温時の基板を試験するプローバ
KR20070005786A (ko) 프로브 카드 홀더를 냉각하는 장치를 구비한 검사 장비
JP5469183B2 (ja) 負荷の下で基板を検査する装置
KR102012797B1 (ko) 열풍을 이용한 프로브 카드 예열이 가능한 웨이퍼 프로버
JPH06349909A (ja) プローブ検査装置
JP2021524023A (ja) トポグラフィック測定装置
JP2007134545A (ja) プローバ
KR20090046086A (ko) 자동 프로브 장치
JP4030413B2 (ja) ウエハプローバ
JP4947949B2 (ja) プローバ
JP4959669B2 (ja) プローブ装置
JP2022107576A (ja) 温度調整機構付きプロービング装置
TW202316118A (zh) 用於卡盤的屏蔽裝置、相應的卡盤和相應的晶圓探頭設置組
CN111929248A (zh) 半导体冷热台

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190129

Year of fee payment: 5