KR20100110580A - Positive type photosensitive resin composition - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A positive photosensitive resin composition, a photosensitive resin film, and a semiconductor device using thereof are provided to secure the excellent sensitivity, resolution, and a residue elimination property of the composition. CONSTITUTION: A positive photosensitive resin composition includes a recurring unit marked with chemical formula 1, a polybenzoxazole precursor including a functional group induced from a substituted or non-substituted monoamine compound, a photosensitive diazoquinone compound, a silane compound, a phenolic compound, and a solvent. In the chemical formula 1, X is either an aromatic organo group or a tetravalent~hexavalent aliphatic organic group.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물{POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}Positive type photosensitive resin composition {POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}

본 기재는 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.The present substrate relates to a positive photosensitive resin composition.

종래부터 반도체 장치의 표면 보호막 및 층간 절연막에는 우수한 내열성과 전기 특성, 기계 특성 등을 갖는 폴리이미드 수지가 사용되고 있다.  이러한 폴리이미드 수지는 최근 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 형태로 사용하여, 도포가 용이하며, 상기 폴리이미드 전구체 조성물을 반도체 장치 상에 도포한 후, 자외선에 의한 패터닝, 현상, 열 이미드화 처리 등을 실시하여 표면 보호막, 층간 절연막 등을 쉽게 형성시킬 수 있다.  따라서, 종래 비감광성 폴리이미드 전구체 조성물에 비하여 대폭적인 공정 단축이 가능해진다는 특징을 갖고 있다.Conventionally, polyimide resins having excellent heat resistance, electrical properties, mechanical properties, and the like have been used for surface protection films and interlayer insulating films of semiconductor devices. Such polyimide resins have recently been used in the form of photosensitive polyimide precursor compositions, and are easy to apply. After applying the polyimide precursor composition onto a semiconductor device, patterning by ultraviolet rays, development, thermal imidization treatment, and the like are performed. Thus, the surface protective film, the interlayer insulating film and the like can be easily formed. Therefore, compared with the conventional non-photosensitive polyimide precursor composition, it has the characteristic that the process shortening is large.

감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 노광된 부분이 현상에 의해 용해되는 포지티브형과 노광된 부분이 경화되어 남는 네가티브형이 있는데, 포지티브형의 경우 무독성인 알칼리 수용액을 현상액으로 사용할 수 있어 바람직하다.  포지티브형 감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 폴리이미드 전구체인 폴리아미드산, 감광성 물질인 디아조나프토퀴논 등을 포함한다.  그러나 포지티브형 감광성 폴리이미드 전구 체 조성물은 사용된 폴리아미드산의 카르본산이 알칼리에 대한 용해도가 너무 커서 원하는 패턴을 얻지 못하는 문제점이 있다.The photosensitive polyimide precursor composition has a positive type in which the exposed part is dissolved by development and a negative type in which the exposed part is cured. In the positive type, a non-toxic aqueous alkali solution can be used as a developer. The positive photosensitive polyimide precursor composition includes polyamic acid as a polyimide precursor, diazonaphthoquinone as a photosensitive material, and the like. However, the positive photosensitive polyimide precursor composition has a problem in that the carboxylic acid of the polyamic acid used is so soluble in alkali that the desired pattern is not obtained.

이를 해결하기 위하여 폴리아미드산에 에스테르 결합을 통해서 수산기 1개 이상을 갖는 알코올 화합물을 반응시키는 내용(일본 특개 평10-307393호 참조) 등 카르본산 대신에 페놀성 수산기를 도입한 물질이 제안되었으나, 이 물질은 현상성이 불충분하며 막감소나 기재로부터 수지가 박리되는 문제점이 있다.In order to solve this problem, a substance in which a phenolic hydroxyl group is introduced instead of carboxylic acid, such as reacting an alcohol compound having at least one hydroxyl group through an ester bond with polyamic acid (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-307393), has been proposed. This material has insufficient developability and has a problem of reducing the film or peeling the resin from the substrate.

다른 방법으로 폴리벤즈옥사졸 전구체에 디아조나프토퀴논 화합물을 혼합한 재료(일본특허공고 소63-96162호 공보)가 최근 주목받고 있으나 이를 실제로 사용하는 경우, 현상시의 미노광부의 막감소량이 크기 때문에 현상 후의 원하는 패턴을 얻기 어렵다.  이를 개선하기 위해 폴리벤즈옥사졸 전구체의 분자량을 크게 하면 미노광부의 막감소량은 작아지나 현상시 노광부에 현상 잔여물(스컴)이 발생하여 해상도가 불량해지며 노광부의 현상 시간이 길어지는 문제가 있었다.In another way, a material in which a diazonaptoquinone compound is mixed with a polybenzoxazole precursor (Japanese Patent Laid-Open No. 63-96162) has recently attracted attention, but when it is actually used, the amount of film reduction in unexposed portions during development is large. Therefore, it is difficult to obtain a desired pattern after development. In order to improve this problem, if the molecular weight of the polybenzoxazole precursor is increased, the film reduction amount of the unexposed part becomes small, but developing residue (scum) occurs in the exposed part during development, resulting in poor resolution and longer developing time of the exposed part. there was.

이런 문제를 해결하기 위하여, 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물에 특정한 페놀 화합물을 첨가함으로써 현상시의 미노광부의 막 감소량이 억제되는 것이 보고되어 있다(일본특허공개 평9-302221호 및 일본특허공개 제2000-292913호).  그러나 이 방법으로는 미노광부의 감소량을 억제하는 효과가 불충분함에 따라, 현상 잔여물을 발생시키지 않으면서, 막 감소 억제 효과를 크게 하기 위한 연구가 계속 요구되고 있었다.In order to solve this problem, it is reported that the amount of film reduction of unexposed portions during development is suppressed by adding a specific phenol compound to the polybenzoxazole precursor composition (Japanese Patent Laid-Open No. 9-302221 and Japanese Patent Laid-Open No. 2000). -292913). However, with this method, the effect of suppressing the reduction amount of the unexposed portion is insufficient, and there has been a continuous demand for research to increase the film reduction suppression effect without generating development residues.

또한 감광성 폴리이미드/폴리벤즈옥사졸 조성물의 경우, 기존 비감광성 폴리이미드/폴리벤즈옥사졸 공정에 비하여, 감도가 떨어져서, 패터닝 공정에서의 소요 시간이 길고, 필연적으로 생산성이 저하되는 문제를 가지고 있다.In addition, the photosensitive polyimide / polybenzoxazole composition has a problem that the sensitivity is lower than that of the existing non-photosensitive polyimide / polybenzoxazole process, resulting in a long time required in the patterning process and inevitably decreases productivity. .

감도와 양호한 패턴성은 상충되는 관계에 있어서, 감도의 개선 및 우수한 잔여물 제거성을 위한 방법은 대부분 패턴성의 저하를 가지고 오게 되어, 반도체 장치의 신뢰성에 악영향을 끼치고, 패턴성을 양호하게 하기 위한 방법은 감도의 저하 및 잔여물의 발생을 수반하게 되어서, 생산성을 저하시킴에 따라 실용적인 이용에서는 부족한 점이 있었다.  따라서 감도의 개선을 이룩하여 생산성을 향상시키며, 동시에 양호한 패턴성으로 높은 신뢰성을 확보할 수 있는 감광성 폴리이미드/폴리벤즈옥사졸 조성물에 관한 연구가 시급한 실정이다.Since the sensitivity and the good patternability are in conflict, the methods for improving the sensitivity and the excellent residue removal property often have a decrease in the patternability, adversely affecting the reliability of the semiconductor device, and improving the patternability. Silver is accompanied by a decrease in sensitivity and generation of residues, and thus, there is a shortcoming in practical use as the productivity is lowered. Therefore, there is an urgent need for research on a photosensitive polyimide / polybenzoxazole composition capable of improving productivity by improving sensitivity and securing high reliability with good patternability.

본 발명의 일 구현예는 감도, 해상도, 패턴 형상성 및 잔여물 제거성이 우수한  포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다.One embodiment of the present invention is to provide a positive type photosensitive resin composition excellent in sensitivity, resolution, pattern shape and residue removal.

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공하는 것이다.Another embodiment of the present invention is to provide a photosensitive resin film prepared using the positive photosensitive resin composition.

본 발명의 또 다른 일 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 반도체 소자를 제공하는 것이다.Yet another embodiment of the present invention is to provide a semiconductor device manufactured using the positive photosensitive resin composition.

본 발명의 일 구현예는 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하고, 적어도 한 쪽의 말단 부분에 치환 또는 비치환된 모노아민 화합물로부터 유도되는 관능기를 가지는 폴리벤즈옥사졸 전구체(polybenzoxazole precursor), (B) 감광성 디아조퀴논 화합물, (C) 실란 화합물, (D) 페놀 화합물 및 (E) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다.One embodiment of the present invention (A) polybenzoxazole precursor (polybenzoxazole comprising a repeating unit represented by the formula (1), and having a functional group derived from a substituted or unsubstituted monoamine compound in at least one terminal portion The positive photosensitive resin composition containing precursor), (B) photosensitive diazoquinone compound, (C) silane compound, (D) phenolic compound, and (E) solvent is provided.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112009020297777-PAT00002
Figure 112009020297777-PAT00002

상기 화학식 1에서,In Chemical Formula 1,

X는 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고,X is an aromatic organic group or a 4-6 valent aliphatic organic group,

Y는 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고,Y is an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group,

n1은 반복 단위의 수를 나타내는 정수이다.n 1 is an integer indicating the number of repeating units.

상기 치환 또는 비치환된 모노아민 화합물의 구체적인 예로는 하기 화학식 7로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 8로 표시되는 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the substituted or unsubstituted monoamine compound include compounds represented by the following formula (7) and compounds represented by the following formula (8).

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112009020297777-PAT00003
Figure 112009020297777-PAT00003

상기 화학식 7에서,In Chemical Formula 7,

R8은 치환 또는 비치환된 아릴렌기일 수 있고,R 8 may be a substituted or unsubstituted arylene group,

D1은 OH 또는 SH일 수 있다.D 1 may be OH or SH.

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112009020297777-PAT00004
Figure 112009020297777-PAT00004

상기 화학식 8에서,In Chemical Formula 8,

R14는 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 지환족 유기기일 수 있고,R 14 may be a substituted or unsubstituted alkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group, or a substituted or unsubstituted alicyclic organic group,

D2는 COOH 또는 SO3H일 수 있다.D 2 may be COOH or SO 3 H.

상기 치환 또는 비치환된 모노아민 화합물의 더욱 구체적인 예로는 하기 화학식 9로 표시되는 4-아미노-m-크레졸, 하기 화학식 10으로 표시되는 4-아미노벤조 산, 하기 화학식 11로 표시되는 3-아미노벤조산, 하기 화학식 12로 표시되는 2-아미노벤조산, 하기 화학식 13으로 표시되는 알파 아미노산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 들 수 있다.More specific examples of the substituted or unsubstituted monoamine compound include 4-amino-m-cresol represented by the following Formula 9, 4-aminobenzoic acid represented by the following Formula 10, and 3-aminobenzoic acid represented by the following Formula 11 , 2-aminobenzoic acid represented by the following formula (12), alpha amino acid represented by the following formula (13), and a combination thereof.

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112009020297777-PAT00005
Figure 112009020297777-PAT00005

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112009020297777-PAT00006
Figure 112009020297777-PAT00006

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112009020297777-PAT00007
Figure 112009020297777-PAT00007

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112009020297777-PAT00008
Figure 112009020297777-PAT00008

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112009020297777-PAT00009
Figure 112009020297777-PAT00009

상기 화학식 13에서,In Chemical Formula 13,

R는 수소, 알킬기 또는 아릴기일 수 있다.R may be hydrogen, an alkyl group or an aryl group.

상기 폴리벤즈옥사졸 전구체는 3,000 내지 300,000의 중량평균 분자량(Mw)를 갖는 것일 수 있다.The polybenzoxazole precursor may be one having a weight average molecular weight (Mw) of 3,000 to 300,000.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상기 (A) 폴리벤즈옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여, 상기 (B) 감광성 디아조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부, 상기 (C) 실란 화합물 0.1 내지 30 중량부, 상기 (D) 페놀 화합물 1 내지 30 중량부 및 상기 (E) 용매 200 내지 900 중량부를 포함하는 것일 수 있다.The positive type photosensitive resin composition is 5 to 100 parts by weight of the (B) photosensitive diazoquinone compound, 0.1 to 30 parts by weight of the (C) silane compound, relative to 100 parts by weight of the (A) polybenzoxazole precursor. (D) may include 1 to 30 parts by weight of the phenol compound and 200 to 900 parts by weight of the solvent (E).

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.Another embodiment of the present invention provides a photosensitive resin film prepared using the positive photosensitive resin composition.

본 발명의 또 다른 일 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 반도체 소자를 제공한다.Another embodiment of the present invention provides a semiconductor device manufactured using the positive photosensitive resin composition.

기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.Other specific details of embodiments of the present invention are included in the following detailed description.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 알칼리성 현상액에 의한 현상을 촉진시킬 수 있어 우수한 감도, 해상도, 패턴 형상성 및 잔여물 제거성, 그리고 낮은 막 수축률을 얻을 수 있다.Positive type photosensitive resin composition of this invention can promote the image development by alkaline developing solution, and can obtain the outstanding sensitivity, resolution, pattern shape and residue removal property, and low film shrinkage rate.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다.  다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is presented as an example, by which the present invention is not limited and the present invention is defined only by the scope of the claims to be described later.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환" 내지 "치환된"이란, 본 발명의 작용기 중의 하나 이상의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기(NH2, NH(R') 또는 N(R'')(R''')이고, 여기서 R', R'' 및 R'''는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기임), 아미디노기, 히드라진기 또는 히드라존기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알키닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 및 치환 또는 비치환된 헤테로사이클릭기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환된 것을 의미한다.Unless stated otherwise in the present specification, "substituted" to "substituted" means that at least one hydrogen atom of the functional group of the present invention is a halogen atom (F, Br, Cl, or I), a hydroxy group, a nitro group, a cyano group, an amino group (NH 2 , NH (R ') or N (R'')(R'''), wherein R ', R''andR''' are the same or different from each other, each independently having 1 to 10 carbon atoms Amidino group, hydrazine group or hydrazine group, carboxyl group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted aryl group, substituted or unsubstituted alkenyl group, substituted or unsubstituted alkynyl group, substituted or It means substituted with one or more substituents selected from the group consisting of an unsubstituted heteroaryl group and a substituted or unsubstituted heterocyclic group.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 탄소수 1 내지 30의 알킬기를 의미하고, 더욱 구체적으로는 탄소수 1 내지 15의 알킬기를 의미하고, "사이클로알킬기"란 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기를 의미하고, 더욱 구체적으로는 탄소수 3 내지 18의 사이클로알킬기를 의미하고, "알콕시기"란 탄소수 1 내지 30의 알콕시기를 의미하고, 더욱 구체적으로는 탄소수 1 내지 18의 알콕시기를 의미하고, "아릴기"란 탄소수 6 내지 30의 아릴기를 의미하고, 더욱 구체적으로는 탄소수 6 내지 18의 아릴기를 의미하고, "알케닐기"란 탄소수 2 내지 30의 알케닐기를 의미하고, 더욱 구체적으로는 탄소수 2 내지 18의 알케닐기를 의미하고, "알킬렌기" 란 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기를 의미하고, 더욱 구체적으로는 탄소수 1 내지 18의 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기를 의미한다.Unless stated otherwise in the present specification, "alkyl group" means an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, more specifically, an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, and "cycloalkyl group" means a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms. It means, more specifically, a cycloalkyl group having 3 to 18 carbon atoms, "alkoxy group" means an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, more specifically means an alkoxy group having 1 to 18 carbon atoms, "aryl group Means an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, more specifically, an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, and an "alkenyl group" means an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, and more specifically 2 to 18 carbon atoms. Means an alkenyl group, and "alkylene group" means an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, more specifically, an alkylene group having 1 to 18 carbon atoms, and "arylene group" Means an arylene group having 6 to 30 carbon atoms.

또한 본 명세서에서 "지방족 유기기"란 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기 또는 탄소수 2 내지 30의 알키닐기를 의미하며, "지환족 유기기"란 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기, 탄소수 3 내지 30의 사이클로알케닐기 또는 탄소수 3 내지 30의 사이클로알키닐기를 의미하며, "방향족 유기기"란 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기를 의미한다.In addition, the term "aliphatic organic group" used herein means an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, or an alkynyl group having 2 to 30 carbon atoms, and an "alicyclic organic group" means a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms. , A cycloalkenyl group having 3 to 30 carbon atoms or a cycloalkynyl group having 3 to 30 carbon atoms, and "aromatic organic group" means an aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms.

또한 본 명세서에서 "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.In addition, in this specification, "*" means the part connected with the same or different atom or formula.

본 발명의 일 구현예에 따르면 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하고, 적어도 한 쪽의 말단 부분에 치환 또는 비치환된 모노아민 화합물로부터 유도되는 관능기를 가지는 폴리벤즈옥사졸 전구체, (B) 감광성 디아조퀴논 화합물, (C) 실란 화합물, (D) 페놀 화합물 및 (E) 용매를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the positive photosensitive resin composition includes (A) a repeating unit represented by the following Formula 1, and has a functional group derived from a substituted or unsubstituted monoamine compound in at least one terminal portion. Polybenzoxazole precursors, (B) photosensitive diazoquinone compounds, (C) silane compounds, (D) phenolic compounds, and (E) solvents.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (F) 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition may further include (F) other additives.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112009020297777-PAT00010
Figure 112009020297777-PAT00010

상기 화학식 1에서,In Chemical Formula 1,

X는 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기일 수 있고,X may be an aromatic organic group or a 4-6 valent aliphatic organic group,

Y는 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기일 수 있고,Y may be an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group,

n1은 반복 단위의 수를 나타내는 정수이다.n 1 is an integer indicating the number of repeating units.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (F) 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition may further include (F) other additives.

이하 각 구성 성분에 대하여 자세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, each component will be described in detail.

(A) (A) 폴리벤즈옥사졸Polybenzoxazole 전구체 Precursor

상기 폴리벤즈옥사졸 전구체는 상기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하고, 적어도 한쪽의 말단 부분에 치환 또는 비치환된 모노아민 화합물로부터 유도되는 관능기를 가진다.The polybenzoxazole precursor includes a repeating unit represented by Chemical Formula 1 and has a functional group derived from a substituted or unsubstituted monoamine compound in at least one terminal portion.

상기 화학식 1에서, X는 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In Formula 1, X may be an aromatic organic group or a 4 to 6-valent aliphatic organic group, but is not limited thereto.

X의 구체적인 예로는 하기 화학식 2  및 화학식 3으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.Specific examples of X include compounds represented by the following formula (2) and (3).

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112009020297777-PAT00011
Figure 112009020297777-PAT00011

[화학식 3](3)

Figure 112009020297777-PAT00012
Figure 112009020297777-PAT00012

상기 화학식 2 및 화학식 3에서,In Chemical Formulas 2 and 3,

A1은 O, CO, CR100R101, SO2, S 또는 단일결합일 수 있고, 상기 R100 및 R101은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, 구체적으로는 플루오로알킬기일 수 있으며,A 1 may be O, CO, CR 100 R 101 , SO 2 , S or a single bond, and R 100 and R 101 may be the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group. In particular, it may be a fluoroalkyl group,

R1 내지 R3은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 1 to R 3 are the same or different from each other, and each independently may be hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n2는 1 내지 2의 정수이고,n 2 is an integer of 1 to 2,

n3 및 n4는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.n 3 and n 4 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 3.

또한 X는 예를 들면 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)설폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)설폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비 스(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물일 수 있다.X may be, for example, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, bis (3-amino- 4-hydroxyphenyl) propane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2- Bis (3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-2-triflumethylphenyl) hexafluoropropane, 2 , 2-bis (4-amino-3-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl) hexafluoro Rolopane, 2,2-bis 4-amino-3-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-5-pentafluoroethylphenyl) hexafluoropropane, 2 -(3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) -2- (3-amino-4-hydroxy-5-pentafluoroethylphenyl) hexafluoropropane, 2- (3-amino -4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) -2- (3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2- (3-amino-4-hydroxy- 5-trifluoromethylphenyl) -2- (3-hydroxy-4-amino-6-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2- (3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl ) -2- (3-hydroxy-4-amino-2-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2- (3-amino-4-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl) -2- (3 -Hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2- (3-amino-4-hydroxy-6 -Trifluoromethylphenyl) -2- (3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane and a combination thereof.

상기 화학식 1에서, Y는 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In Chemical Formula 1, Y may be an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group, but is not limited thereto.

Y는 디카르복실산 또는 디카르복실산 유도체의 잔기일 수 있다.Y may be a residue of a dicarboxylic acid or dicarboxylic acid derivative.

상기 디카르복실산의 예로는 Y(COOH)2(여기서 Y는 상기 화학식 1의 Y와 동일함)을 들 수 있다.Examples of the dicarboxylic acid may include Y (COOH) 2 (where Y is the same as Y in Formula 1).

상기 디카르복실산 유도체의 예로는 카르복실산 할라이드 유도체 또는 Y(COOH)2와 1-히드록시-1,2,3-벤조트리아졸 등을 반응시킨 활성 에스테르형 유도체인 활성 화합물을 들 수 있다.  그 구체적인 예로는 4,4'-옥시디벤조일클로라이드, 디페닐옥시디카르보닐디클로라이드, 비스(페닐카르보닐클로라이드)술폰, 비스(페닐카르보닐클로라이드)에테르, 비스(페닐카르보닐클로라이드)페논, 프탈로일디클로라이드, 테레프탈로일디클로라이드, 이소프탈로일디클로라이드, 디카르보닐디클로라이드, 디페닐옥시디카르복실레이트디벤조트리아졸 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 들 수 있다.Examples of the dicarboxylic acid derivatives include active compounds that are carboxylic acid halide derivatives or active ester derivatives obtained by reacting Y (COOH) 2 with 1-hydroxy-1,2,3-benzotriazole and the like. . Specific examples thereof include 4,4'-oxydibenzoyl chloride, diphenyloxydicarbonyldichloride, bis (phenylcarbonyl chloride) sulfone, bis (phenylcarbonyl chloride) ether, bis (phenylcarbonyl chloride) phenone, And a compound selected from the group consisting of taloyldichloride, terephthaloyldichloride, isophthaloyldichloride, dicarbonyldichloride, diphenyloxydicarboxylate dibenzotriazole and combinations thereof.

또한 Y는 하기 화학식 4 내지 화학식 6으로 표시되는 화합물일 수 있다.In addition, Y may be a compound represented by Formula 4 to Formula 6.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112009020297777-PAT00013
Figure 112009020297777-PAT00013

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112009020297777-PAT00014
Figure 112009020297777-PAT00014

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112009020297777-PAT00015
Figure 112009020297777-PAT00015

상기 화학식 4 내지 화학식 6에서,In Chemical Formulas 4 to 6,

R4 내지 R7은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 4 to R 7 may be the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n5, n7 및 n8은 1 내지 4의 정수이고,n 5 , n 7 and n 8 are integers from 1 to 4,

n6은 1 내지 3의 정수이고,n 6 is an integer of 1 to 3,

A2는 O, CR102R103, CO, CONH, S 또는 SO2일 수 있으며, 상기 R102 및 R103은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, 구체적으로는 플로오로알킬기일 수 있다.A 2 may be O, CR 102 R 103 , CO, CONH, S or SO 2 , wherein R 102 and R 103 may be the same or different from each other, and each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, Specifically, it may be a fluoroalkyl group.

또한 상기 폴리벤즈옥사졸 전구체는 분자쇄 말단의 어느 한쪽 또는 양쪽에, 치환 또는 비치환된 모노아민 화합물로부터 유도되는 관능기를 포함한다.  상기 치환 또는 비치환된 모노아민 화합물로부터 유도되는 관능기는 알칼리성 현상액에 의하여 이온화되어 현상을 촉진할 수 있는 관능기일 수 있으며, 이로 인해 상기 관능기를 포함하는 본 발명의 일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 우수한 감도, 해상도, 패턴 형상성 및 잔여물 제거성을 나타낼 수 있다.In addition, the polybenzoxazole precursor includes a functional group derived from a substituted or unsubstituted monoamine compound at either or both ends of the molecular chain. The functional group derived from the substituted or unsubstituted monoamine compound may be a functional group which is ionized by an alkaline developer to promote development, and thus a positive photosensitive resin according to an embodiment of the present invention including the functional group. The composition can exhibit good sensitivity, resolution, pattern shape and residue removal.

상기 관능기는 기능성 말단 봉지제인 치환 또는 비치환된 모노아민 화합물로 부터 유도될 수 있다.  상기 치환 또는 비치환된 모노아민 화합물의 구체적인 예로는 하기 화학식 7 및 화학식 8로 표시되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The functional group may be derived from a substituted or unsubstituted monoamine compound which is a functional terminal encapsulant. Specific examples of the substituted or unsubstituted monoamine compound include, but are not limited to, compounds represented by the following Chemical Formulas 7 and 8.

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112009020297777-PAT00016
Figure 112009020297777-PAT00016

상기 화학식 7에서,In Chemical Formula 7,

R8은 치환 또는 비치환된 아릴렌기일 수 있고, 구체적으로는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이거나, 치환 또는 비치환된 나프탈렌기일 수 있고,R 8 may be a substituted or unsubstituted arylene group, specifically, a substituted or unsubstituted phenylene group, or may be a substituted or unsubstituted naphthalene group,

D1은 OH 또는 SH일 수 있다.D 1 may be OH or SH.

상기 R8의 구체적인 예로는 하기 화학식 7a 내지 화학식 7c로 표시되는 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the R 8 may be a compound represented by the following formula (7a) to formula (7c).

[화학식 7a][Formula 7a]

Figure 112009020297777-PAT00017
Figure 112009020297777-PAT00017

[화학식 7b][Formula 7b]

Figure 112009020297777-PAT00018
Figure 112009020297777-PAT00018

[화학식 7c][Formula 7c]

Figure 112009020297777-PAT00019
Figure 112009020297777-PAT00019

상기 화학식 7a 내지 화학식 7c에서,In Chemical Formulas 7a to 7c,

R9 내지 R13은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 9 to R 13 are the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n9, n12 및 n13은 1 내지 4의 정수이고,n 9 , n 12 and n 13 are integers from 1 to 4,

n10 및 n11은 1 내지 3의 정수이고,n 10 And n 11 is an integer of 1 to 3,

A3는 O, CO, CR104R105, SO2, S 또는 단일결합일 수 있고, 상기 R104 및 R105는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, 구체적으로는 플루오로알킬기일 수 있다.A 3 may be O, CO, CR 104 R 105 , SO 2 , S or a single bond, and R 104 and R 105 may be the same or different from each other, and each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, and Specifically, it may be a fluoroalkyl group.

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112009020297777-PAT00020
Figure 112009020297777-PAT00020

상기 화학식 8에서,In Chemical Formula 8,

R14는 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 지환족 유기기일 수 있고, 구체적으로는 상기 알킬렌기는 알킬기 또는 아릴기로 치환된 알킬렌기일 수 있고, 상기 아릴렌기는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이거나, 치환 또는 비치환된 나프탈렌기일 수 있고,R 14 may be a substituted or unsubstituted alkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group, or a substituted or unsubstituted alicyclic organic group, and specifically, the alkylene group may be an alkyl group substituted with an alkyl group or an aryl group, The arylene group may be a substituted or unsubstituted phenylene group, or a substituted or unsubstituted naphthalene group,

D2는 COOH 또는 SO3H일 수 있다.D 2 may be COOH or SO 3 H.

상기 R14의 구체적인 예로는 탄소수 1 내지 10의 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 예를 들어 탄소수 1 내지 5의 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 하기 화학식 8a 내지 화학식 8c로 표시되는 화합물, 탄소수 3 내지 18의 치환 또는 비치환된 사이클로알킬렌기, 예를 들어 탄소수 5 내지 10의 치환 또는 비치환된 사이클로알킬렌기를 들 수 있다.Specific examples of the R 14 is a substituted or unsubstituted alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, for example, a substituted or unsubstituted alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, a compound represented by the following Chemical Formulas 8a to 8c, and 3 to 18 substituted or unsubstituted cycloalkylene group, for example, a substituted or unsubstituted cycloalkylene group having 5 to 10 carbon atoms.

[화학식 8a][Formula 8a]

[화학식 8b][Formula 8b]

Figure 112009020297777-PAT00022
Figure 112009020297777-PAT00022

[화학식 8c][Formula 8c]

Figure 112009020297777-PAT00023
Figure 112009020297777-PAT00023

상기 화학식 8a 내지 화학식 8c에서,In Chemical Formulas 8a to 8c,

R15 내지 R19는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 15 to R 19 are the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n14, n17 및 n18은 1 내지 4의 정수이고,n 14 , n 17 and n 18 are integers from 1 to 4,

n15 및 n16은 1 내지 3의 정수이고,n 15 And n 16 is an integer from 1 to 3,

A4는 O, CO, CR106R107, SO2, S 또는 단일결합일 수 있고, 상기 R106 및 R107은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, 구체적으로는 플루오로알킬기일 수 있다.A 4 may be O, CO, CR 106 R 107 , SO 2 , S or a single bond, R 106 and R 107 may be the same or different from each other, and each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, and Specifically, it may be a fluoroalkyl group.

상기 치환 또는 비치환된 모노아민 화합물의 더욱 구체적인 예로는 하기 화학식 9로 표시되는 4-아미노-m-크레졸, 하기 화학식 10으로 표시되는 4-아미노벤조 산, 하기 화학식 11로 표시되는 3-아미노벤조산, 하기 화학식 12로 표시되는 2-아미노벤조산, 하기 화학식 13로 표시되는 알파 아미노산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 들 수 있다.More specific examples of the substituted or unsubstituted monoamine compound include 4-amino-m-cresol represented by the following Formula 9, 4-aminobenzoic acid represented by the following Formula 10, and 3-aminobenzoic acid represented by the following Formula 11 , 2-aminobenzoic acid represented by the following formula (12), alpha amino acid represented by the following formula (13), and a combination thereof.

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112009020297777-PAT00024
Figure 112009020297777-PAT00024

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112009020297777-PAT00025
Figure 112009020297777-PAT00025

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112009020297777-PAT00026
Figure 112009020297777-PAT00026

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112009020297777-PAT00027
Figure 112009020297777-PAT00027

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112009020297777-PAT00028
Figure 112009020297777-PAT00028

상기 화학식 13에서,In Chemical Formula 13,

R는 수소, 알킬기 또는 아릴기일 수 있다.R may be hydrogen, an alkyl group or an aryl group.

상기 폴리벤즈옥사졸 전구체의 중량평균 분자량(Mw)은 3,000 내지  300,000의 범위일 수 있다.  폴리벤즈옥사졸 전구체의 중량평균 분자량이 상기 범위 내인 경우 충분한 물성을 얻을 수 있으며, 동시에 유기용매에 대한 충분한 용해성을 가질 수 있다.The weight average molecular weight (Mw) of the polybenzoxazole precursor may be in the range of 3,000 to 300,000. When the weight average molecular weight of the polybenzoxazole precursor is within the above range, sufficient physical properties may be obtained, and at the same time, sufficient solubility in an organic solvent may be obtained.

(B) 감광성 (B) photosensitive 디아조퀴논Diazoquinone 화합물 compound

상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 1,2-벤조퀴논디아지드 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물일 수 있으며, 이는 미국특허 제2,772,975호, 제2,797,213호, 제3,669,658호에 의해 공지된 물질이다.  상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 구체적인 예로는 하기 화학식 14 및 화학식 16 내지 화학식 18로 표시되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The photosensitive diazoquinone compound may be a compound having a 1,2-benzoquinonediazide or 1,2-naphthoquinonediazide structure, which is known from US Patent Nos. 2,772,975, 2,797,213 and 3,669,658. Substance. Specific examples of the photosensitive diazoquinone compound may include compounds represented by the following Chemical Formula 14 and Chemical Formulas 16 to 18, but are not limited thereto.

[화학식 14][Formula 14]

Figure 112009020297777-PAT00029
Figure 112009020297777-PAT00029

상기 화학식 14에서,In Chemical Formula 14,

R20 내지 R22는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 구체적으로는 CH3일 수 있고,R 20 to R 22 may be the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group, specifically CH 3 ,

R23 내지 R25는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 수소, 하기 화학식 15a 또는 하기 화학식 15b일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소일 수는 없고,R 23 to R 25 may be the same or different from each other, and may each independently be OQ, wherein Q may be hydrogen, Formula 15a or Formula 15b, wherein Q may not be hydrogen at the same time,

n19 내지 n21은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.n 19 to n 21 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 3.

[화학식 15a][Formula 15a]

Figure 112009020297777-PAT00030
Figure 112009020297777-PAT00030

[화학식 15b][Formula 15b]

Figure 112009020297777-PAT00031
Figure 112009020297777-PAT00031

[화학식 16][Formula 16]

Figure 112009020297777-PAT00032
Figure 112009020297777-PAT00032

상기 화학식 16에서,In Chemical Formula 16,

R26은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 26 may be hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

R27 내지 R29는 OQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 14에서 정의된 것과 동일하고,R 27 to R 29 may be OQ, wherein Q is the same as defined in Formula 14,

n22 내지 n24는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.n 22 to n 24 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 3.

[화학식 17][Formula 17]

Figure 112009020297777-PAT00033
Figure 112009020297777-PAT00033

상기 화학식 17에서,In Chemical Formula 17,

A5는 CO 또는 CR108R109일 수 있고, 상기 R108 및 R109는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,A 5 may be CO or CR 108 R 109 , wherein R 108 and R 109 may be the same or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkyl group,

R30 내지 R33은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, OQ 또는 NHQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 14에서 정의된 것과 동일하고,R 30 to R 33 are the same or different from each other, and each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, OQ or NHQ, wherein Q is the same as defined in Formula 14,

n25 내지 n28은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,n 25 to n 28 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 4,

n25+n26 및 n27+n28은 각각 독립적으로 5 이하의 정수이고,n 25 + n 26 and n 27 + n 28 are each independently an integer of 5 or less,

단, 상기 R32 및 R33 중 적어도 하나는 OQ이며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 4개로 포함될 수 있다.However, at least one of R 32 and R 33 may be OQ, one aromatic ring may include 1 to 3 OQs, and the other aromatic ring may include 1 to 4 OQs.

[화학식 18][Formula 18]

Figure 112009020297777-PAT00034
Figure 112009020297777-PAT00034

상기 화학식 18에서,In Chemical Formula 18,

R34 내지 R41은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 34 to R 41 are the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n29 및 n30은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고,n 29 and n 30 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 1 to 5,

Q는 상기 화학식 14에서 정의된 것과 동일하다.Q is the same as defined in the formula (14).

상기 감광성 수지 조성물에서 상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량은 상기 폴리벤조옥사사졸 전구체 100 중량부에 대하여 5 내지 100 중량부일 수 있다.  상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 상기 범위 내인 경우 노광에 의해 잔사없이 패턴 형성이 잘되며, 현상시 막두께 손실이 없고 양호한 패턴을 얻을 수 있다.The content of the photosensitive diazoquinone compound in the photosensitive resin composition may be 5 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor. When the content of the photosensitive diazoquinone compound is within the above range, the pattern is well formed without residue by exposure, and there is no loss of film thickness during development, and a good pattern can be obtained.

(C) (C) 실란Silane 화합물 compound

상기 실란 화합물은 기판과의 밀착력을 향상시킬 수 있다.  상기 실란 화합물의 구체적인 예로는 하기 화학식 19 내지 화학식 21로 표시되는 화합물; 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란; 또는 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, p-스티릴 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란; 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 등의 탄소-탄소 불포화 결합 함유 실란 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The said silane compound can improve the adhesive force with a board | substrate. Specific examples of the silane compound include compounds represented by the following Chemical Formulas 19 to 21; Vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrichlorosilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane; Or 3-Macryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, p-styryl 스티 trimethoxysilane, # 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldie Oxysilane; Carbon-carbon unsaturated bond containing silane compounds, such as trimethoxy [3- (phenylamino) propyl] silane, are mentioned, but it is not limited to these.

[화학식 19][Formula 19]

Figure 112009020297777-PAT00035
Figure 112009020297777-PAT00035

상기 화학식 19에서,In Chemical Formula 19,

R42는 비닐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있고, 구체적으로는 3-(메타)크릴옥시프로필, p-스티릴 또는 3-(페닐아미노)프로필일 수 있으며,R 42 may be a vinyl group, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group, and specifically, may be 3- (meth) acryloxypropyl, p-styryl or 3- (phenylamino) propyl. And

R43 내지 R45는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 할로겐일 수 있고, 이때 R43 내지 R45 중 적어도 하나는 알콕시기 또는 할로겐이며, 구체적으로는 상기 알콕시기는 탄소수 1 내지 8의 알콕시기일 수 있고, 상기 알킬기는 탄소수 1 내지 20의 알킬기일 수 있다.R 43 to R 45 are the same or different from each other, and each independently may be a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted alkyl group, or halogen, wherein at least one of R 43 to R 45 is an alkoxy group or halogen In detail, the alkoxy group may be an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, and the alkyl group may be an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

[화학식 20][Formula 20]

Figure 112009020297777-PAT00036
Figure 112009020297777-PAT00036

상기 화학식 20에서,In Chemical Formula 20,

R46은 NH2또는 CH3CONH일 수 있고,R 46 may be NH 2 or CH 3 CONH,

R47 내지 R49는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알콕시기일 수 있고, 구체적으로는 상기 알콕시기는 OCH3 또는 OCH2CH3일 수 있고,R 47 to R 49 are the same or different from each other, and each independently represent a substituted or unsubstituted alkoxy group, specifically, the alkoxy group may be OCH 3 or OCH 2 CH 3 ,

n31은 1 내지 5의 정수이다.n 31 is an integer of 1 to 5;

[화학식 21][Formula 21]

Figure 112009020297777-PAT00037
Figure 112009020297777-PAT00037

상기 화학식 21에서,In Chemical Formula 21,

R50 내지 R53은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기일 수 있고, 구체적으로는 CH3또는 OCH3일 수 있고,R 50 to R 53 may be the same or different from each other, and may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted alkoxy group, specifically CH 3 or OCH 3 ,

R54 및 R55는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아미노기일 수 있고, 구체적으로는 NH2또는 CH3CONH일 수 있고,R 54 and R 55 are the same or different from each other, and may each independently be a substituted or unsubstituted amino group, specifically NH 2 or CH 3 CONH,

n32 및 n33은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이다.n 32 and n 33 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 5.

상기 실란 화합물의 함량은 상기 폴리벤즈옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부일 수 있다.  실란 화합물의 함량이 상기 범위 내인 경우 상하부 막 층과의 접착력이 우수하며, 현상 후 잔막이 남지 않고, 광특성(투과율) 및 인장강도, 연신률, 영률 등의 막의 기계적 물성을 향상시킬 수 있다.The content of the silane compound may be 0.1 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor. When the content of the silane compound is within the above range, the adhesion with the upper and lower membrane layers is excellent, and no residual film is left after development, and optical properties (transmittance) and mechanical properties of the membrane such as tensile strength, elongation, and Young's modulus can be improved.

(D) 페놀 화합물(D) phenolic compounds

상기 페놀 화합물은 감광성 수지 조성물로 패턴을 형성하기 위해 알칼리 수용액으로 현상시 노광부의 용해 속도 및 감도를 증가시킬 수 있고, 현상 시에 현상 잔여물 없이 고해상도로 패터닝할 수 있는 역할을 한다.The phenolic compound may increase the dissolution rate and sensitivity of the exposed portion during development with an aqueous alkali solution to form a pattern with the photosensitive resin composition, and may serve as a high resolution pattern without developing residues during development.

또한 상기 페놀 화합물은 열중합이 가능한 관능기를 가지고 있어서 열경화시에 상기 (A)항의 폴리벤즈옥사졸 전구체와 가교 형성이 가능하다.In addition, the phenolic compound has a functional group capable of thermal polymerization, so that it is capable of crosslinking with the polybenzoxazole precursor of the above item (A) at the time of thermosetting.

상기 페놀 화합물의 구체적인 예로는 하기 화학식 22 내지 화학식 27으로 표시되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the phenol compound may include compounds represented by the following Chemical Formulas 22 to 27, but are not limited thereto.

[화학식 22][Formula 22]

Figure 112009020297777-PAT00038
Figure 112009020297777-PAT00038

상기 화학식 22에서,In Chemical Formula 22,

R56 내지 R58은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 56 to R 58 are the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

R59 내지 R63은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 H, OH, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, 구체적으로는 상기 알킬기는 CH3일 수 있고,R 59 to R 63 are the same or different from each other, and each independently may be H, OH, or a substituted or unsubstituted alkyl group, specifically, the alkyl group may be CH 3 ,

n34는 1 내지 5의 정수이다.n 34 is an integer of 1 to 5.

[화학식 23][Formula 23]

Figure 112009020297777-PAT00039
Figure 112009020297777-PAT00039

상기 화학식 23에서,In Chemical Formula 23,

R64 내지 R69는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 H, OH, 또는 치 환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 64 to R 69 may be the same or different from each other, and may each independently be H, OH, or a substituted or unsubstituted alkyl group,

A6는 CR110R111 또는 단일결합일 수 있고, 상기 R110 및 R111은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, 구체적으로는 상기 알킬기는 CH3일 수 있고,A 6 may be CR 110 R 111 or a single bond, R 110 and R 111 may be the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group, and specifically, the alkyl group is CH Can be 3 ,

n35+n36+n37 및 n38+n39+n40은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.n 35 + n 36 + n 37 and n 38 + n 39 + n 40 are the same or different from each other, and each independently an integer of 5 or less.

[화학식 24][Formula 24]

Figure 112009020297777-PAT00040
Figure 112009020297777-PAT00040

상기 화학식 24에서,In Chemical Formula 24,

R70 내지 R72는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 70 to R 72 are the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n41, n42 및 n45는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이고,n 41 , n 42 and n 45 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 5,

n43 및 n44는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.n 43 and n 44 are the same or different from each other, and each independently an integer of 0 to 4;

[화학식 25][Formula 25]

Figure 112009020297777-PAT00041
Figure 112009020297777-PAT00041

상기 화학식 25에서,In Chemical Formula 25,

R73 내지 R78은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, OH, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 73 to R 78 are the same or different from each other, and each independently hydrogen, OH, or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n46 내지 n49는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고,n 46 to n 49 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 1 to 4,

단, n46+n48 및n47+n49은 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.Provided that n 46 + n 48 and n 47 + n 49 are each independently an integer of 5 or less.

[화학식 26][Formula 26]

Figure 112009020297777-PAT00042
Figure 112009020297777-PAT00042

상기 화학식 26에서,In Chemical Formula 26,

R79는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 구체적으로는 CH3일 수 있고,R 79 may be a substituted or unsubstituted alkyl group, specifically CH 3 ,

R80 내지 R82는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 80 to R 82 are the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n50, n52 및 n54는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이고,n 50 , n 52 and n 54 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 5,

n51, n53 및 n55는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,n 51 , n 53 and n 55 are the same or different from each other, and each independently an integer of 0 to 4,

단, n50+n51, n52+n53 및 n54+n55는 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.Provided that n 50 + n 51 , n 52 + n 53, and n 54 + n 55 are each independently an integer of 5 or less.

[화학식 27][Formula 27]

Figure 112009020297777-PAT00043
Figure 112009020297777-PAT00043

상기 화학식 27에서,In Chemical Formula 27,

R83 내지 R85는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치 환된 알킬기일 수 있고, 구체적으로는 CH3일 수 있고,R 83 to R 85 may be the same or different from each other, and may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group, specifically CH 3 ,

R86 내지 R89는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 86 to R 89 are the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n56, n58 및 n60은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이고,n 56 , n 58 and n 60 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 5,

n57, n59 및 n61은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,n 57 , n 59 and n 61 are the same or different from each other, and each independently an integer of 0 to 4,

n62는 1 내지 4의 정수이고,n 62 is an integer from 1 to 4,

단, n56+n57, n58+n59 및 n60+n61은 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.Provided that n 56 + n 57 , n 58 + n 59 and n 60 + n 61 are each independently an integer of 5 or less.

상기 페놀 화합물의 사용량은 폴리벤즈옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 1 내지 30 중량부일 수 있다.  페놀 화합물의 함량이 상기 범위 내인 경우 현상시 감도 저하를 유발하지 않고, 비노광부의 용해 속도를 적당하게 증가시켜 양호한 패턴을 얻을 수 있으며, 또한 냉동보관시 석출이 일어나지 않아 우수한 보관안정성을 나타낼 수 있다.The amount of the phenol compound may be 1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor. When the content of the phenolic compound is within the above range, it does not cause a decrease in sensitivity during development, and moderately increases the dissolution rate of the non-exposed part, thereby obtaining a good pattern, and may not exhibit precipitation during freezing storage, and thus may exhibit excellent storage stability. .

(E) 용매(E) solvent

상기 용매의 구체적인 예로는 N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌 글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프 로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트,  메틸락테이트, 에틸락테이트, 부틸락테이트, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 메틸피루베이트, 에틸피루베이트, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 및 이들의 조합에서 선택된 하나를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.  이러한 용매는 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다.Specific examples of the solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol Dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1, 3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxy propionate, and combinations thereof may be selected, but is not limited thereto. These solvents can be used alone or in combination of two or more thereof.

상기 용매의 사용량은 폴리벤즈옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 200 내지 900 중량부일 수 있다.  용매의 사용량이 상기 범위 내인 경우 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있고, 우수한 용해도 및 코팅성을 가질 수 있다.The amount of the solvent may be 200 to 900 parts by weight based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor. When the amount of the solvent used is within the above range, it is possible to coat a film of sufficient thickness, and may have excellent solubility and coating property.

(F) 기타 첨가제(F) other additives

본 발명의 일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 열잠재 산발생제를 첨가제로 더 포함할 수 있다.  상기 열잠재 산발생제의 구체적인 예로는 p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산과 같은 아릴술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 퍼플루오로부탄술폰산과 같은 퍼플루오로알킬 술폰산, 메탄술폰산, 에탄술폰산, 부탄술폰산과 같은 알킬술폰산을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.  상기 열잠재 산발생제는 폴리벤즈옥사졸 전구체의 페놀성 수산기 함유 폴리아미드의 탈수화 반응과, 고리화 반응을 위한 촉매로써 경화온도를 낮추어도 고리화 반응을 원활히 진행할 수 있다.The positive photosensitive resin composition according to the embodiment of the present invention may further include a heat latent acid generator as an additive. Specific examples of the heat latent acid generator include p-toluenesulfonic acid, arylsulfonic acid such as benzenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, perfluoroalkyl sulfonic acids such as perfluorobutanesulfonic acid, methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, butanesulfonic acid and the like. The same alkylsulfonic acid may be mentioned, but is not limited thereto. The heat latent acid generator can smoothly proceed the cyclization reaction even if the curing temperature is lowered as a catalyst for the dehydration reaction of the polyphenol benzoxazole precursor-containing polyamide and the cyclization reaction.

또한 막두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상하기 위해 적당한 계면활성제 또는 레빌링제를 첨가제로 더 사용할 수 있다.In addition, in order to prevent staining of the film thickness or to improve the developability, a suitable surfactant or reveling agent may be further used as an additive.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 패턴을 형성하는 공정은    포지티브형 감광성 수지 조성물을 지지 기판상에 도포하는 공정, 상기 도포된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 건조하여 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 형성하는 공정, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 노광하는 공정, 상기 노광된 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 알칼리 수용액으로 현상하여 감광성 수지막을 제조하는 공정 및 상기 감광성 수지막을 가열처리하는 공정을 포함한다.  패턴을 형성하는 공정상의 조건 등에 대하여는 당해 분야에 널리 알려진 사항이므로 본 명세서에서 자세한 설명은 생략하기로 한다.The process of forming a pattern using the positive photosensitive resin composition includes the steps of: (b) applying a positive photosensitive resin composition on a support substrate, drying the applied positive photosensitive resin composition to form a positive photosensitive resin composition film, Exposing the positive photosensitive resin composition film, developing the exposed positive photosensitive resin composition film with an aqueous alkali solution, and preparing a photosensitive resin film; and heating the photosensitive resin film. Process conditions for forming the pattern, etc. are well known in the art, so detailed description thereof will be omitted.

본 발명의 다른 일 구현예에 따르면 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.  상기 감광성 수지막은 절연막 또는 보호막일 수 있다.According to another embodiment of the present invention to provide a photosensitive resin film prepared using the positive photosensitive resin composition. The photosensitive resin film may be an insulating film or a protective film.

본 발명의 또 다른 일 구현예에 따르면 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 반도체 소자를 제공한다.  상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 반도체 소자에서 절연막, 패시베이션층 또는 버터 코팅층을 형성하는 데 유용하게 사용될 수 있다.  즉 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 반도체 장치의 표면 보호막 및 층간 절연막을 형성하는 데 유용하게 사용될 수 있다.According to another embodiment of the present invention provides a semiconductor device manufactured using the positive photosensitive resin composition. The positive photosensitive resin composition may be usefully used to form an insulating film, a passivation layer or a butter coating layer in a semiconductor device. That is, the positive photosensitive resin composition may be usefully used to form a surface protective film and an interlayer insulating film of a semiconductor device.

이하에서 본 발명을 실시예 및 비교예를 통하여 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예 및 비교예는 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the following Examples and Comparative Examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the present invention.

[[ 합성예Synthetic example 1]  One] 폴리벤즈옥사졸Polybenzoxazole 전구체( Precursor ( PBO1PBO1 )의 합성) Synthesis

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크 에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루 오로프로판 14.7g, 4-아미노벤조산 2.74g을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 152g을 넣어 용해시켰다.  이때 얻어진 용액 중에서, 고형분 함량은 15 중량%였다.Four-necked flask equipped with a stirrer, a thermostat, a nitrogen gas injector and a cooler was passed through the Ethnitrogen 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3, 14.7 g of 3-hexafluuropropane and 2.74 g of 4-aminobenzoic acid were added, and 152 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added to dissolve it. In the solution obtained at this time, solid content was 15 weight%.

고체가 완전 용해되면 피리딘을 9.5g 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 14.8g을 넣고 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 84g을 넣어 용해시킨 용액을 30분간 천천히 적하시켰다.  적하 후 1시간 동안 온도 0 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 교반한 후에 반응을 종료하였다.  반응혼합물을 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 온도 80℃, 진공하에서 건조를 24시간 이상 진행하여 폴리벤즈옥사졸 전구체(PBO1)를 제조하였다.When the solid was completely dissolved, 9.5 g of pyridine was added, 14.8 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride was added while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C, and 84 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added to dissolve it. The solution was slowly added dropwise for 30 minutes. After dropping, the reaction was carried out at a temperature of 0 to 5 ° C. for 1 hour, the temperature was raised to room temperature, followed by stirring for 1 hour, and then the reaction was terminated. The reaction mixture was poured into a solution of water / methanol = 10/1 (volume ratio) to form a precipitate, and the precipitate was filtered and washed sufficiently with water, and then dried under vacuum at a temperature of 80 ° C. for at least 24 hours to produce polybenzoxazole. Precursor (PBO1) was prepared.

[[ 합성예Synthetic example 2]  2] 폴리벤즈옥사졸Polybenzoxazole 전구체( Precursor ( PBO2PBO2 )의 합성) Synthesis

2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 14.7g, 4-아미노벤조산 1.37g, 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 13.3g을 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 진행하여 폴리벤즈옥사졸 전구체(PBO2)를 제조하였다.2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane 14.7 g, 4-37 benzoic acid 1.37 g, 4,4'-oxydi A polybenzoxazole precursor (PBO2) was prepared in the same manner as in Synthesis example 1, except that 13.3 g of benzoyl chloride was used.

[합성예 3] 폴리벤즈옥사졸 전구체(Synthesis Example 3 Polybenzoxazole Precursor ( PBO3PBO3 )의 합성) Synthesis

4-아미노벤조산을 대신하여, 3-아미노벤조산 2.74g을 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 진행하여 폴리벤즈옥사졸 전구체(PBO3)를 제조하였다.A polybenzoxazole precursor (PBO3) was prepared in the same manner as in Synthesis example 1, except that 2.74 g of 3-aminobenzoic acid was used instead of 4-aminobenzoic acid.

[[ 합성예Synthetic example 4]  4] 폴리벤즈옥사졸Polybenzoxazole 전구체( Precursor ( PBO4PBO4 )의 합성) Synthesis

4-아미노벤조산을 대신하여, 4-아미노-m-크레졸 2.5g을 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 진행하여 폴리벤즈옥사졸 전구체(PBO4)를 제조하였다.A polybenzoxazole precursor (PBO4) was prepared in the same manner as in Synthesis example 1, except that 2.5 g of 4-amino- m -cresol was used instead of 4-aminobenzoic acid.

[[ 합성예Synthetic example 5]  5] 폴리벤즈옥사졸Polybenzoxazole 전구체( Precursor ( PBO5PBO5 )의 합성) Synthesis

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루 오로프로판 18.3g을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 164g을 넣어 용해시켰다.  이때 얻어진 용액 중에서, 고형분 함량은 15 중량%였다.2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3, while passing nitrogen through a four-necked flask equipped with a stirrer, a thermostat, a nitrogen gas injection device and a cooler 18.3 g of 3-hexafluuropropane was added, and 164 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added to dissolve it. In the solution obtained at this time, solid content was 15 weight%.

고체가 완전 용해되면 피리딘을 8.3g 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 13.3g을 넣고 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 75g을 넣어 용해시킨 용액을 30분간 천천히 적하시켰다.  적하 후 1시간 동안 온도 0 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 교반한 후에 반응을 종료하였다.  반응혼합물을 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 온도 80℃, 진공하에서 건조를 24시간 이상 진행하여 폴리벤즈옥사졸 전구체(PBO5)를 제조하였다.When the solid is completely dissolved, 8.3 g of pyridine is added, 13.3 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride is added while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C, and 75 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) is added to dissolve it. The solution was slowly added dropwise for 30 minutes. After dropping, the reaction was carried out at a temperature of 0 to 5 ° C. for 1 hour, the temperature was raised to room temperature, followed by stirring for 1 hour, and then the reaction was terminated. The reaction mixture was poured into a solution of water / methanol = 10/1 (volume ratio) to form a precipitate, and the precipitate was filtered and washed sufficiently with water, and then dried under vacuum at a temperature of 80 ° C. for at least 24 hours to produce polybenzoxazole. Precursor (PBO5) was prepared.

[[ 실시예Example 1] One]

제조한 폴리벤즈옥사졸 전구체(PBO1) 15g, γ-부티로락톤(GBL) 35.0g을 첨가하여 녹인 후, 하기 화학식 14a의 구조를 가지는 감광성 디아조퀴논 3g, 실란커플링제로 하기 화학식 28의 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란(C) 0.75g, 하기 화학식 23a의 페놀화합물(D) 0.75g을 넣고 용해한 후 0.45㎛의 플루오르 수지제 필터로 여과하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.15 g of prepared polybenzoxazole precursor (PBO1) and 35.0 g of γ-butyrolactone (GBL) were added to dissolve it, and then 3 g of a photosensitive diazoquinone having a structure of Formula 14a and a silane coupling agent were used. 0.75 g of methoxy [3- (phenylamino) propyl] silane (C) and 0.75 g of a phenolic compound (D) of the following Chemical Formula 23a were added, dissolved, and filtered through a 0.45 μm fluorine resin filter to obtain a positive photosensitive resin composition. .

[화학식 14a][Formula 14a]

Figure 112009020297777-PAT00044
Figure 112009020297777-PAT00044

상기 화학식 14a에서,In Chemical Formula 14a,

Q는 상기 화학식 14에서 정의된 것과 동일하고, 상기 Q의 67%가 상기 화학식 15a로 표시되는 것으로 치환되어 있다.Q is the same as defined in Chemical Formula 14, and 67% of the Q is substituted with the chemical formula 15a.

[화학식 28][Formula 28]

Figure 112009020297777-PAT00045
Figure 112009020297777-PAT00045

[화학식 23a][Formula 23a]

Figure 112009020297777-PAT00046
Figure 112009020297777-PAT00046

상기 화학식 23a에서,In Chemical Formula 23a,

R90, R92, R93 및 R95는 H이고,R 90 , R 92 , R 93 and R 95 are H,

R91 및 R94는 OH이고,R 91 and R 94 are OH,

R96은 CH3이고,R 96 is CH 3 ,

R97은 H이다.R 97 is H.

[[ 실시예Example 2] 2]

폴리벤즈옥사졸 전구체(PBO1) 15g을 대신하여 폴리벤즈옥사졸 전구체(PBO2) 15g을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that 15 g of polybenzoxazole precursor (PBO2) was used instead of 15 g of polybenzoxazole precursor (PBO1).

[[ 실시예Example 3] 3]

폴리벤즈옥사졸 전구체(PBO1) 15g을 대신하여 폴리벤즈옥사졸 전구체(PBO3) 15g을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that 15 g of polybenzoxazole precursor (PBO3) was used instead of 15 g of polybenzoxazole precursor (PBO1).

[[ 실시예Example 4] 4]

폴리벤즈옥사졸 전구체(PBO1) 15g을 대신하여 폴리벤즈옥사졸 전구체(PBO4) 15g을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that 15 g of polybenzoxazole precursor (PBO4) was used instead of 15 g of polybenzoxazole precursor (PBO1).

[[ 비교예Comparative example  1]One]

폴리벤즈옥사졸 전구체(PBO1) 15g를 대신하여 폴리벤즈옥사졸 전구체(PBO5) 15g을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광 성 수지 조성물을 얻었다.A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that 15 g of polybenzoxazole precursor (PBO5) was used instead of 15 g of polybenzoxazole precursor (PBO1).

상기 실시예 1 내지 실시예 4 및 비교예 1의 포지티브형 감광성 수지 조성물의 구성을 하기 표 1에 나타낸다.The structures of the positive photosensitive resin compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 are shown in Table 1 below.

[표 1]TABLE 1

  폴리벤즈옥사졸 전구체Polybenzoxazole precursors 용매menstruum 감광성
디아조퀴논 화합물
Photosensitivity
Diazoquinone Compound
실란
화합물
Silane
compound
페놀
화합물
phenol
compound
  수지 종류Resin type 봉지제종류Encapsulant Type MwMw 실시예1Example 1 PBO1PBO1

Figure 112009020297777-PAT00047
Figure 112009020297777-PAT00047
12.1K12.1K GBLGBL With With With 실시예2Example 2 PBO2PBO2
Figure 112009020297777-PAT00048
Figure 112009020297777-PAT00048
10.9K10.9K GBLGBL With With With
실시예3Example 3 PBO3PBO3
Figure 112009020297777-PAT00049
Figure 112009020297777-PAT00049
11.2K11.2K GBLGBL With With With
실시예4Example 4 PBO4PBO4
Figure 112009020297777-PAT00050
Figure 112009020297777-PAT00050
11.3K11.3K GBLGBL With With With
비교예1Comparative Example 1 PBO5PBO5 -- 11.5K11.5K GBLGBL With With With

<물성 평가><Property evaluation>

상기 실시예 1 내지 실시예 4 및 비교예 1에 따라 제조된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 8인치 웨이퍼에 미카사제(1H-DX2) 스핀코터를 이용해 코팅하여 도포한 후, 핫플레이트 상에서 120℃, 4분간 가열하여 감광성 폴리이미드 전구체 필름을 형성하였다.The positive photosensitive resin composition prepared according to Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 was coated on an 8-inch wafer using a Mikasa (1H-DX2) spin coater, and then coated on a hot plate at 120 ° C., 4 Heating for minutes gave a photosensitive polyimide precursor film.

상기 폴리이미드 전구체 필름에 다양한 크기의 패턴이 새겨진 마스크를 사용하여 일본 Nikon사제 I-line stepper(NSR i10C)로 250ms에서 노광한 후 상온에서 2.38 중량%의 테트라메틸암모늄히드록사이드 수용액에 60초, 2퍼들(puddle)을 통해 노광부를 용해 제거한 후, 순수로 30초간 세척하였다.  이어서, 얻어진 패턴을 전기로를 이용하여 산소 농도 1000ppm 이하에서, 150℃에서 30분, 추가로 320℃에 서 30분 경화를 실시하여, 패턴이 형성된 필름을 제조하였다.After exposure to 250ms with I-line stepper (NSR i10C) manufactured by Nikon Japan, using a mask engraved with a pattern of various sizes on the polyimide precursor film at room temperature 60 seconds in a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, After dissolving and exposing the exposed portion through a puddle (puddle), and washed with pure water for 30 seconds. Subsequently, the obtained pattern was cured at an oxygen concentration of 1000 ppm or less for 30 minutes at 150 ° C and further 30 minutes at 320 ° C using an electric furnace to prepare a film with a pattern.

감도는 노광 및 현상 후 10㎛ L/S 패턴이 1대1의 선폭으로 형성되는 노광시간을 구하여 이를 최적 노광 시간으로 하며, 해상도는 상기 최적 노광 시간에 있어서의 최소의 패턴 치수를 해상도로 하여 측정하였다.  그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.  상기 해상도는 광학현미경을 통해 확인할 수 있었다.The sensitivity is obtained by obtaining an exposure time in which a 10 μm L / S pattern is formed with a line width of 1 to 1 after exposure and development, and is determined as an optimal exposure time, and the resolution is measured by using the minimum pattern dimension at the optimum exposure time as the resolution. It was. The results are shown in Table 2 below. The resolution could be confirmed through an optical microscope.

또한 현상 후의 막두께에 대한 감소율이 현상성과 최종 막두께에도 영향을 미치므로, 현상 시에 막두께 감소가 작아야 하는데 이를 측정하기 위해 예비소성을 한 필름을 2.38 중량% 테트라메틸암모늄히드록사이드(TMAH) 수용액에 시간별로 침지하고 물로 씻어내는 방법으로 현상을 실시하고, 시간에 따른 막두께 변화를 측정하여 잔막률(현상 후 두께/현상 전 두께, 단위 %)을 계산하여 하기 표 2에 나타내었다.  예비 소성, 현상, 경화 후의 막두께 변화는 KMAC사제(ST4000-DLX)장비를 이용해 측정하였다.In addition, since the reduction rate of the film thickness after development affects the developability and the final film thickness, the film thickness reduction should be small at the time of development, and a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) Development was carried out by immersing in an aqueous solution by time and rinsing with water, and the residual film ratio (thickness after development / thickness before development, unit%) was measured by measuring the change in film thickness over time, and is shown in Table 2 below. The film thickness change after preliminary baking, image development, and hardening was measured using the KMAC (ST4000-DLX) apparatus.

패턴을 형성한 후에 질소 분위기하에서 120℃에서 30분 가열한 후, 320℃까지 1시간 동안 승온하여 320℃에서 1시간 가열하여 경화막을 제작하였다.After the pattern was formed, the mixture was heated at 120 ° C for 30 minutes in a nitrogen atmosphere, and then heated up to 320 ° C for 1 hour, and heated at 320 ° C for 1 hour to produce a cured film.

상기 실시예 1 내지 실시예 4 및 비교예 1에서 제조한 포지티브형 감광성 수지 조성물을 실온에서 보관하면서, 동일한 코팅두께 및 노광성능을 보이는 시간, 즉 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 코팅한 코팅두께 및 노광성능이 이상 거동을 보일 때까지 경과된 날수를 계산하여 보관안정성이라 하여 하기 표 2에 나타내었다.While storing the positive photosensitive resin compositions prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 at room temperature, the same coating thickness and exposure time were exhibited, that is, the coating thickness coated using the positive photosensitive resin composition. And the number of days that elapsed until the exposure performance showed abnormal behavior was calculated in the storage stability shown in Table 2 below.

[표 2]TABLE 2

    막두께
(㎛)
Thickness
(Μm)
감도
(mJ/cm2)
Sensitivity
(mJ / cm 2 )
해상도
(㎛)
resolution
(Μm)
잔막률
(%)
Residual rate
(%)
보관
안정성
(일)
keep
stability
(Work)
  수지 종류Resin type 예비소성Preliminary firing 현상 후After phenomenon 실시예1Example 1 PBO1PBO1 11.9011.90 10.0010.00 385385 3.53.5 8484 88 실시예2Example 2 PBO2PBO2 11.7211.72 9.849.84 380380 33 8484 88 실시예3Example 3 PBO3PBO3 11.9411.94 10.0910.09 375375 3.53.5 84.584.5 88 실시예4Example 4 PBO4PBO4 11.6511.65 9.799.79 390390 33 8484 1010 비교예1Comparative Example 1 PBO5PBO5 11.6111.61 9.739.73 420420 4.04.0 83.883.8 33

상기 표 2에 나타난 바와 같이, 상기 실시예 1 내지 실시예 4의 감광성 수지 조성물을 사용한 경우에는 시간에 따른 잔막률 값이 비교예 1보다 높기 때문에, 알칼리 수용액으로 현상시 패턴을 보다 잘 형성할 수 있음을 알 수 있다.As shown in Table 2, when the photosensitive resin composition of Examples 1 to 4 is used, since the residual film ratio value with time is higher than that of Comparative Example 1, a pattern during development with an aqueous alkali solution may be better formed. It can be seen that.

실시예 1 내지 실시예 4의 경우가 비교예 1보다 우수한 감도 및 해상도를 보이기 때문에, 패턴 형성에 관한 모든 측면(감도, 해상도, 현상시 잔막률)에서 더 뛰어난 것을 알 수 있다.Since Examples 1 to 4 show better sensitivity and resolution than Comparative Example 1, it can be seen that they are superior in all aspects (sensitivity, resolution, residual film ratio during development) with respect to pattern formation.

패터닝 특성을 통하여 보관안정성을 평가하였을 때, 실시예 1 내지 실시예 4의 경우가 비교예 1보다 우수한 보관안정성을 보이는 것으로 나타난다.When storage stability was evaluated through the patterning characteristics, Examples 1 to 4 show better storage stability than Comparative Example 1.

현상 후 열경화를 통한 경화막 측면에 있어서는 실시예 및 비교예의 모든 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 얻어진 막들에서 현상 후 두께 대비 20% 가량의 두께 감소를 수반하여, 경화막을 형성하며, 각 포지티브형 감광성 수지 조성물간에 유의한 물성의 차이를 나타내지는 않는다.On the cured film side through thermal curing after development, in the films obtained using all the positive photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples, a cured film is formed with a thickness reduction of about 20% of the thickness after development, and each positive type There is no significant difference in physical properties between the photosensitive resin compositions.

따라서, 본 발명의 일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 기존의 포지티브형 감광성 폴리벤즈옥사졸 전구체를 사용한 수지 조성물보다 더 효율적인 패터닝을 통하여 우수한 성능을 가지는 반도체 절연막 또는 보호막을 형성할 수 있음을 확인할 수 있다.Therefore, the positive photosensitive resin composition according to the embodiment of the present invention can form a semiconductor insulating film or a protective film having excellent performance through more efficient patterning than a resin composition using a conventional positive photosensitive polybenzoxazole precursor. You can check it.

이상을 통해 본 발명의 일 구현예에 따른 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention. Naturally, it belongs to the scope of the invention.

Claims (7)

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하고, 적어도 한 쪽의 말단 부분에 치환 또는 비치환된 모노아민 화합물로부터 유도되는 관능기를 가지는 폴리벤즈옥사졸 전구체(polybenzoxazole precursor);(A) a polybenzoxazole precursor comprising a repeating unit represented by the following formula (1) and having a functional group derived from a substituted or unsubstituted monoamine compound in at least one terminal portion; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물;(B) photosensitive diazoquinone compound; (C) 실란 화합물;(C) silane compound; (D) 페놀 화합물; 및(D) phenolic compounds; And (E) 용매(E) solvent 를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물:Positive photosensitive resin composition comprising: [화학식 1][Formula 1]
Figure 112009020297777-PAT00051
Figure 112009020297777-PAT00051
상기 화학식 1에서,In Chemical Formula 1, X는 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고,X is an aromatic organic group or a 4-6 valent aliphatic organic group, Y는 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고,Y is an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group, n1은 반복 단위의 수를 나타내는 정수이다.n 1 is an integer indicating the number of repeating units.
제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 치환 또는 비치환된 모노아민 화합물은 하기 화학식 7 또는 하기 화학식 8로 표시되는 화합물인 포지티브형 감광성 수지 조성물:The substituted or unsubstituted monoamine compound is a positive photosensitive resin composition which is a compound represented by the following formula (7) or (8): [화학식 7][Formula 7]
Figure 112009020297777-PAT00052
Figure 112009020297777-PAT00052
상기 화학식 7에서,In Chemical Formula 7, R8은 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,R 8 is a substituted or unsubstituted arylene group, D1은 OH 또는 SH이며,D 1 is OH or SH, [화학식 8][Formula 8]
Figure 112009020297777-PAT00053
Figure 112009020297777-PAT00053
상기 화학식 8에서,In Chemical Formula 8, R14는 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 지환족 유기기이고,R 14 is a substituted or unsubstituted alkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group, or a substituted or unsubstituted alicyclic organic group, D2는 COOH 또는 SO3H이다.D 2 is COOH or SO 3 H.
제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 치환 또는 비치환된 모노아민 화합물은 하기 화학식 9로 표시되는 4-아 미노-m-크레졸, 하기 화학식 10으로 표시되는 4-아미노벤조산, 하기 화학식 11로 표시되는 3-아미노벤조산, 하기 화학식 12로 표시되는 2-아미노벤조산, 하기 화학식 13으로 표시되는 알파 아미노산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물:The substituted or unsubstituted monoamine compound is 4-amino-m-cresol represented by the following formula (9), 4-aminobenzoic acid represented by the following formula (10), 3-aminobenzoic acid represented by the following formula 11, formula 12 A positive type photosensitive resin composition selected from the group consisting of 2-aminobenzoic acid represented by the following, alpha amino acid represented by the following Chemical Formula 13 and combinations thereof: [화학식 9][Formula 9]
Figure 112009020297777-PAT00054
Figure 112009020297777-PAT00054
[화학식 10][Formula 10]
Figure 112009020297777-PAT00055
Figure 112009020297777-PAT00055
[화학식 11][Formula 11]
Figure 112009020297777-PAT00056
Figure 112009020297777-PAT00056
[화학식 12][Formula 12]
Figure 112009020297777-PAT00057
Figure 112009020297777-PAT00057
[화학식 13][Formula 13]
Figure 112009020297777-PAT00058
Figure 112009020297777-PAT00058
상기 화학식 13에서,In Chemical Formula 13, R는 수소, 알킬기 또는 아릴기이다.R is hydrogen, an alkyl group or an aryl group.  
제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 폴리벤즈옥사졸 전구체는 3,000 내지 300,000의 중량평균 분자량(Mw)를 갖는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.The polybenzoxazole precursor is a positive photosensitive resin composition having a weight average molecular weight (Mw) of 3,000 to 300,000. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수지 조성물은The resin composition is 상기 (A) 폴리벤즈옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여,Based on 100 parts by weight of the (A) polybenzoxazole precursor, 상기 (B) 감광성 디아조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부;5 to 100 parts by weight of the (B) photosensitive diazoquinone compound; 상기 (C) 실란 화합물 0.1 내지 30 중량부;0.1 to 30 parts by weight of the (C) silane compound; 상기 (D) 페놀 화합물 1 내지 30 중량부; 및1 to 30 parts by weight of the (D) phenol compound; And 상기 (E) 용매 200 내지 900 중량부200 to 900 parts by weight of the solvent (E) 를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.Positive photosensitive resin composition comprising a. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막.The photosensitive resin film manufactured using the positive photosensitive resin composition of any one of Claims 1-5. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 반도체 소자.The semiconductor device manufactured using the positive photosensitive resin composition of any one of Claims 1-5.
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