KR100995079B1 - Positive photosensitive resin composition - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것으로서, 이 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 가지며, 적어도 한쪽의 말단 부분에 열경화 전에는 친수성을 띄어 현상성을 증가시키고, 열 경화시에 열중합성 관능기로 변하는 말단 관능기를 갖는 폴리벤조옥사졸 전구체; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물;(C) 실란 화합물; (D) 페놀 화합물; 및 (E) 용매를 포함한다.The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, wherein the positive photosensitive resin composition (A) has a repeating unit represented by the following general formula (1), and exhibits hydrophilicity at least on one end thereof before heat curing to increase developability. Polybenzoxazole precursor which has a terminal functional group which changes into a thermopolymerizable functional group at the time of thermosetting; (B) photosensitive diazoquinone compound; (C) silane compound; (D) phenolic compounds; And (E) a solvent.

[화학식 1] [Formula 1]

Figure 112008068394394-pat00001
Figure 112008068394394-pat00001

(상기 화학식 1에서, 각 치환기의 명세서에서 정의한 바와 같다.)(In the general formula 1, as defined in the specification of each substituent.)

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 노광 부위의 현상성을 매우 높여 감도 개선 효과를 얻을 수 있으며, 패턴 형상이 양호하고, 우수한 해상도를 나타낼 수 있다. 또한, 열경화 시 효율적으로 가교를 형성할 수 있어 경화 전 고분자의 분자량을 저하시킬 수 있어, 경화 후 매우 우수한 막의 기계적 물성, 우수한 잔여물 제거성, 낮은 흡습성을 얻을 수 있다. Positive type photosensitive resin composition of this invention can raise the developability of an exposure site | part very much, can acquire a sensitivity improvement effect, a pattern shape is favorable and can exhibit the outstanding resolution. In addition, crosslinking can be efficiently formed during thermosetting, thereby lowering the molecular weight of the polymer before curing, thereby obtaining excellent mechanical properties, excellent residue removal property, and low hygroscopicity of the membrane after curing.

포지티브형, 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물, 용해조절제, 열중합 가 교제, 알칼리 수용액, 반도체 장치 Positive type, photosensitive polybenzoxazole precursor composition, dissolution controller, thermal polymerization crosslinker, aqueous alkali solution, semiconductor device

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물{POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}Positive photosensitive resin composition {POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 고감도 및 고해상도를 나타내며, 패턴 형상이 양호하고, 잔여물 제거성이 높으며, 열 경화후의 기계적 물성이 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다. The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, and more particularly, to a positive photosensitive resin composition exhibiting high sensitivity and high resolution, good pattern shape, high residue removal property, and excellent mechanical properties after thermal curing. .

종래부터 반도체 장치의 표면 보호막 및 층간 절연막에는 우수한 내열성과 전기적 특성, 기계적 특성 등을 갖는 폴리이미드 수지가 사용되고 있다. 이러한 폴리이미드 수지는 최근 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 형태로 사용하여, 도포가 용이하며, 상기 폴리이미드 전구체 조성물을 반도체 장치 상에 도포한 후, 자외선에 의한 패터닝, 현상, 열 이미드화 처리 등을 실시하여 표면 보호막, 층간 절연막 등을 쉽게 형성시킬 수 있다. 따라서, 종래 비감광성 폴리이미드 전구체 조성물에 비하여 대폭적인 공정 단축이 가능해진다는 특징이 있다. Conventionally, polyimide resins having excellent heat resistance, electrical properties, mechanical properties, and the like have been used for surface protection films and interlayer insulating films of semiconductor devices. Such polyimide resins have recently been used in the form of photosensitive polyimide precursor compositions, and are easy to apply. After applying the polyimide precursor composition onto a semiconductor device, patterning by ultraviolet rays, development, thermal imidization treatment, and the like are performed. Thus, the surface protective film, the interlayer insulating film and the like can be easily formed. Therefore, there is a feature that the process can be significantly shortened as compared with the conventional non-photosensitive polyimide precursor composition.

감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 노광된 부분이 현상에 의해 용해되는 포지티브형과 노광된 부분이 경화되어 남는 네가티브형이 있는데, 포지티브형의 경우 무독성인 알칼리 수용액을 현상액으로 사용할 수 있어 바람직하다. 포지티브형 감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 폴리이미드 전구체인 폴리아미드산, 감광성 물질인 디아조나프토퀴논 등을 포함한다. 그러나 포지티브형 감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 사용된 폴리아미드산의 카르본산이 알칼리에 대한 용해도가 너무 커서 원하는 패턴을 얻지 못하는 문제점이 있다.The photosensitive polyimide precursor composition has a positive type in which the exposed part is dissolved by development and a negative type in which the exposed part is cured. In the positive type, a non-toxic aqueous alkali solution can be used as a developer. The positive photosensitive polyimide precursor composition includes polyamic acid as a polyimide precursor, diazonaphthoquinone as a photosensitive material, and the like. However, the positive photosensitive polyimide precursor composition has a problem in that the carboxylic acid of the polyamic acid used is too soluble in alkali to obtain a desired pattern.

이를 해결하기 위하여 폴리아미드산에 에스테르 결합을 통해서 수산기 1개 이상을 갖는 알코올 화합물을 반응시키는 내용(일본 특개 평10-307393호 참조) 등 카르본산 대신에 페놀성 수산기를 도입한 물질이 제안되었으나, 이 물질은 현상성이 불충분하며 막감소나 기재로부터 수지가 박리되는 문제점이 있다. In order to solve this problem, a substance in which a phenolic hydroxyl group is introduced instead of carboxylic acid, such as reacting an alcohol compound having at least one hydroxyl group through an ester bond with polyamic acid (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-307393), has been proposed. This material has insufficient developability and has a problem of reducing the film or peeling the resin from the substrate.

다른 방법으로 폴리벤조옥사졸 전구체에 디아조나프토퀴논 화합물을 혼합한 재료(일본특허공고 소63-96162호 공보)은 최근 주목받고 있으나 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물을 실제로 사용하는 경우, 특히 현상시의 미노광부의 막감소량이 크기 때문에 현상 후의 원하는 패턴을 얻기 어렵다. 이를 개선하기 위해 폴리벤조옥사졸 전구체의 분자량을 크게 하면 미노광부의 막감소량은 작아지나 현상시 노광부에 현상 잔여물(스컴)이 발생하여 해상도가 불량해지며 노광부의 현상 시간이 길어지는 문제가 있었다. In another way, a material in which a diazonaptoquinone compound is mixed with a polybenzoxazole precursor (Japanese Patent Laid-Open No. 63-96162) has recently been attracting attention, but especially when the polybenzoxazole precursor composition is actually used, Since the film reduction amount of the unexposed part is large, it is difficult to obtain a desired pattern after development. In order to improve this problem, if the molecular weight of the polybenzoxazole precursor is increased, the film reduction amount of the unexposed part becomes small, but developing residue (scum) occurs in the exposed part during development, resulting in poor resolution and longer developing time of the exposed part. there was.

이런 문제를 해결하기 위하여, 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물에 특정한 페놀 화합물을 첨가함으로써 현상시의 미노광부의 막 감소량이 억제되는 것이 보고되어 있다(일본특허공개 평9-302221호 및 일본특허공개 제2000-292913호). 그러나 이 방법으로는 미노광부의 감소량을 억제하는 효과가 불충함에 따라, 현상 잔여물(스 컴)을 발생시키지 않으면서, 막 감소 억제 효과를 크게 하기 위한 연구가 계속 요구되고 있었다. 또한 용해도를 조절하기 위하여 사용하는 페놀이 열경화시의 높은 온도에서 분해하거나 부반응을 일으키거나 하는 등의 문제를 일으켜 결과적으로 얻어지는 경화막의 기계적 물성에 큰 손상을 입히기 때문에 이를 대체할 수 있는 용해조절제의 연구 또한 계속 요구되고 있다. In order to solve this problem, it is reported that the amount of film reduction of unexposed portions during development is suppressed by adding a specific phenolic compound to the polybenzoxazole precursor composition (Japanese Patent Laid-Open No. 9-302221 and Japanese Patent Laid-Open No. 2000). -292913). However, in this method, the effect of suppressing the reduction amount of the unexposed portion is insufficient, and there has been a continuous demand for research to increase the film reduction suppression effect without generating development residues (scum). In addition, the phenol used to control the solubility causes problems such as decomposition or side reactions at high temperatures during thermal curing, which causes great damage to the mechanical properties of the resulting cured film. Research is also continuing.

또한, 이런 감광성 폴리이미드 혹은 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물은 일반적인 포토레지스트에 비하여 두꺼운 두께의 막에 대해서 패턴을 형성시켜야 한다. 이 두꺼운 두께로 인하여 감도가 많이 떨어지는 측면이 있었으며, 동시에 이 두꺼운 막은 현상시 잔유물의 원인이 되기도 한다. 이런 문제를 해결하기 위하여 보다 친수성인 폴리이미드 혹은 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용하여 현상성을 높이는 방법을 생각해 볼 수 있지만, 이 경우 감도 및 현상성을 높일 수 있더라도 열경화 후 막의 내흡습성, 내화학성에서 문제가 생기기 때문에 실용적인 응용은 제한적인 상황이다.In addition, such photosensitive polyimide or polybenzoxazole precursor composition should form a pattern for a thick film compared to a general photoresist. Due to this thick thickness, there was a side where sensitivity was much lowered, and at the same time, this thick film also causes residues during development. In order to solve this problem, a method of improving developability by using a more hydrophilic polyimide or polybenzoxazole precursor can be considered, but in this case, even if the sensitivity and developability can be improved, the hygroscopic and chemical resistance of the film after thermosetting Because of this problem, practical applications are limited.

또한, 이런 폴리이미드 혹은 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물을 사용하여 형성된 열경화막은 반도체 장치에 지속적으로 잔류하여 표면보호막으로 작용하기 때문에, 인장강도, 신율, 영률 등의 막의 기계적 물성이 특히 중요한 요인이 된다. 특히 반도체 패키징 방법이 급속도로 발전함에 따라서 이들의 발전에 대응하기 위하여 표면보호막으로 사용되는 폴리이미드 혹은 폴리벤조옥사졸 막의 기계적 물성은 매우 중요하다. 하지만, 일반적으로 사용되는 폴리이미드 혹은 폴리벤조옥사졸 전구체의 경우 이런 기계적 물성, 좀 더 구체적으로는 신율이 적정 수준 이하가 되는 경우가 많고 이를 해결하기 위하여 다양한 첨가제를 사용하는 방법 혹은 열경화시 가교가 일어날 수 있는 구조의 전구체 화합물등을 사용하는 예들이 보고되어 있다. In addition, since the thermosetting film formed using such a polyimide or polybenzoxazole precursor composition continuously remains in the semiconductor device and functions as a surface protective film, mechanical properties of the film such as tensile strength, elongation and Young's modulus are particularly important factors. . In particular, with the rapid development of semiconductor packaging methods, the mechanical properties of polyimide or polybenzoxazole films used as surface protective films are very important in order to cope with their development. However, in the case of polyimide or polybenzoxazole precursors that are generally used, such mechanical properties, more specifically, elongation are often below an appropriate level. In order to solve this problem, various additives are used or crosslinking during thermal curing. Examples have been reported of using precursor compounds and the like of which structures can occur.

하지만, 이들 연구의 경우 신율로 대표되는 기계적 물성을 개선할 수는 있지만, 감도, 해상도 등의 광특성 면에서 실용적인 수준에 다다르지 못하여서, 이런 광특성의 저하를 가져오지 않으면서 우수한 기계적 물성을 달성할 수 있는 방법에 대한 연구가 시급히 요구되고 있는 상황이다. 이런 광특성의 부족은 감광성 폴리이미드 혹은 폴리벤조옥사졸 전구체를 스핀 코팅(spin coating)으로 기판 표면에 도입하였을 때에 높은 점도와 폴리이미드 혹은 폴리벤조옥사졸 전구체의 높은 표면장력으로 인하여 미세한 단차가 많이 발생하는 것에 큰 원인이 있다. 이 문제를 해결하기 위하여 다양한 평탄화제를 사용하는 것을 검토할 수 있지만, 기판 접착력, 기계적 물성 저하, 코팅(coating)시 기포 발생 등의 문제로 인하여 실용적으로 사용할 수 있는 수준에는 도달하지 못하고 있다.However, in the case of these studies, the mechanical properties represented by elongation can be improved, but the optical properties such as sensitivity and resolution do not reach practical levels, and thus excellent mechanical properties are achieved without bringing down such optical properties. There is an urgent need for research on how to do this. This lack of optical properties is due to the high viscosity and high surface tension of the polyimide or polybenzoxazole precursor when the photosensitive polyimide or polybenzoxazole precursor is introduced to the substrate surface by spin coating. There is a big cause for what happens. In order to solve this problem, the use of various planarizers can be considered, but due to problems such as substrate adhesion, mechanical property deterioration, and foaming during coating, coating has not reached a practically usable level.

본 발명은 폴리이미드 또는 폴리벤조옥사졸 전구체를 패터닝할 때 발생하는 두꺼운 막에서의 광특성 저하의 문제점, 특히 감도 및 해상도의 저하와 패턴 형상이 악화하는 문제점을 방지하며, 동시에 경화 후 막의 기계적 물성을 향상시킬 수 있는 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.The present invention prevents the problem of deterioration of optical properties in thick films generated when patterning polyimide or polybenzoxazole precursors, in particular, deterioration of sensitivity and resolution and deterioration of pattern shape, and at the same time, mechanical properties of the film after curing. It is for providing the photosensitive resin composition which can improve the performance.

본 발명은 또한, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a photosensitive resin film produced by using the positive photosensitive resin composition.

본 발명은 또한, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자를 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a semiconductor device comprising a photosensitive resin film produced using the positive photosensitive resin composition.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 구현예에 따르면, (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 가지며, 적어도 한쪽의 말단 부분에 열경화 전에는 친수성을 띄어 현상성을 증가시키고, 열 경화시에 열중합성 관능기로 변하는 말단 관능기를 갖는 폴리벤조옥사졸 전구체; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 실란 화합물; (D) 페놀 화합물; 및 (E) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다.According to one embodiment of the present invention, (A) has a repeating unit represented by the following formula (1), at least one of the end portion of the hydrophilic properties before heat curing to increase the developability, and change the thermopolymerizable functional group at the time of thermal curing Polybenzoxazole precursors having a terminal functional group; (B) photosensitive diazoquinone compound; (C) silane compound; (D) phenolic compounds; And (E) provides a positive photosensitive resin composition comprising a solvent.

[화학식 1] [Formula 1]

Figure 112008068394394-pat00002
Figure 112008068394394-pat00002

(상기 화학식 1에서,(In the formula 1,

X1은 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고,X 1 is an aromatic organic group or a 4-6 valent aliphatic organic group,

X2는 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이거나, 또는 하기 화학식 2로 표현되는 구조를 갖는 작용기이고, X 2 is an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group, or a functional group having a structure represented by the following formula (2),

Y1 및 Y2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고, Y 1 and Y 2 are the same or different from each other, and each independently an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group,

m1 및 m2은 각각의 몰비율로서 m1+m2=100몰%이고, m 1 and m 2 are each molar ratio m 1 + m 2 = 100 mol%,

m1은 60 내지 100몰%이고, m 1 is 60-100 mol%,

m2는 0 내지 40몰%이고,m 2 is 0-40 mol%,

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112008068394394-pat00003
Figure 112008068394394-pat00003

상기 화학식 2에서,In Chemical Formula 2,

R1 및 R2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 및 하이드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 1 and R 2 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a hydroxy group,

R3 및 R4는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,R 3 and R 4 are the same or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkylene group, or a substituted or unsubstituted arylene group,

k는 1 내지 50의 정수이다.)k is an integer from 1 to 50.)

본 발명의 다른 구현예에 따르면, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 제공하는 것이다.According to another embodiment of the present invention, to provide a photosensitive resin film prepared using the positive photosensitive resin composition.

본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자를 제공하는 것이다.According to another embodiment of the present invention, to provide a semiconductor device comprising a photosensitive resin film prepared using the positive photosensitive resin composition.

기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.Other specific details of embodiments of the present invention are included in the following detailed description.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 분자쇄 말단에 적절한 반응성 및 구조를 갖는 말단 봉쇄 단량체로부터 유도되는 말단 관능기를 도입하여, 폴리이미드 또는 폴리벤조옥사졸 전구체를 패터닝할 때 발생하는 두꺼운 막에서의 광특성 저하의 문제점, 특히 감도 및 해상도의 저하와 패턴 형상이 악화되는 문제점을 방지하며, 동시에 경화 후 막의 기계적 물성을 향상시킬 수 있다.Positive type photosensitive resin composition of this invention introduce | transduces terminal functional group derived from the terminal blockade monomer which has the appropriate reactivity and structure in the molecular chain terminal, and the light in the thick film | membrane which arises when patterning a polyimide or polybenzoxazole precursor is provided. It is possible to prevent the problem of deterioration of properties, in particular, deterioration of sensitivity and resolution, and deterioration of pattern shape, and at the same time, improve mechanical properties of the film after curing.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is presented as an example, by which the present invention is not limited and the present invention is defined only by the scope of the claims to be described later.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "4 내지 6가의 유기기" 또는 "2 내지 6가의 유기기"는 4 내지 6개의 작용기를 갖는 유기기 및 2 내지 6개의 작용기를 갖는 유기기로서, 수소를 제외한 작용기와 결합한다.Unless stated otherwise in the present specification, “4 to 6-valent organic group” or “2 to 6-valent organic group” is an organic group having 4 to 6 functional groups and an organic group having 2 to 6 functional groups. Combines with the functional groups except

본 명세서에서, 특별한 언급이 없는 한 "치환된"이란 화합물의 적어도 하나의 수소가 할로겐, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 아미노기, 및 알케닐기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 것을 의미한다.In this specification, unless specified otherwise, "substituted" means that at least one hydrogen of the compound is substituted with a substituent selected from the group consisting of halogen, alkyl group, aryl group, alkoxy group, amino group, and alkenyl group.

본 명세서에서, 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 탄소수 1 내지 30의 알 킬기를, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 15의 알킬기를, "알콕시기"란 탄소수 1 내지 30의 알콕시기를, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 18의 알콕시기를, "아릴기"란 탄소수 6 내지 30의 아릴기를, 보다 바람직하게는 탄소수 6 내지 18의 아릴기를, "알케닐기"란 탄소수 2 내지 30의 알케닐기를, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 18의 알케닐기를, "알킬렌기"란 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기를, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 18의 알킬렌기를, "아릴렌기"란 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기를, 보다 바람직하게는 탄소수 6 내지 18의 아릴렌기를 의미한다.In the present specification, unless otherwise specified, an "alkyl group" is an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, and an "alkoxy group" is an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms. Preferably, an alkoxy group having 1 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms as "aryl group", more preferably an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, and an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms as "alkenyl group" Preferably an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms is an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms as "alkylene group", more preferably an alkylene group having 1 to 18 carbon atoms, and an aryl having 6 to 30 carbon atoms as "arylene group". A rene group means more preferably an arylene group having 6 to 18 carbon atoms.

본 발명의 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 가지며, 적어도 한쪽의 말단 부분에 열경화 전에는 친수성을 띄어 현상성을 증가시키고, 열 경화시에 열중합성 관능기로 변하는 말단 관능기를 갖는 폴리벤조옥사졸 전구체; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 실란 화합물; (D) 페놀 화합물; 및 (E) 용매를 포함한다.Photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention (A) has a repeating unit represented by the formula (1), exhibits hydrophilicity before heat curing at least one end portion to increase the developability, and thermal polymerization at the time of thermal curing Polybenzoxazole precursors having terminal functional groups which change into functional groups; (B) photosensitive diazoquinone compound; (C) silane compound; (D) phenolic compounds; And (E) a solvent.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 (F) 기타 첨가제를 더욱 포함할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition of the present invention may further include (F) other additives.

이하, 각 구성성분에 대하여 상세히 살펴보도록 한다.Hereinafter, each component will be described in detail.

(A) (A) 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체 Precursor

상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 가지며, 적어도 한쪽의 말단 부분에 열경화 전에는 친수성을 띄어 현상성을 증가시키고, 열 경화시에 열중합성 관능기로 변하는 말단 관능기를 갖는다.The polybenzoxazole precursor has a repeating unit represented by the following formula (1), and at least one terminal portion exhibits hydrophilicity before thermosetting to increase developability, and has a terminal functional group that is changed to a thermopolymerizable functional group upon thermal curing.

[화학식 1] [Formula 1]

Figure 112008068394394-pat00004
Figure 112008068394394-pat00004

상기 화학식 1에서,In Chemical Formula 1,

상기 X1은 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고,X 1 is an aromatic organic group or a 4 to 6-valent aliphatic organic group,

상기 X2는 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고, 또는 하기 화학식 2로 표현되는 구조를 갖는 작용기이고,X 2 is an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group, or a functional group having a structure represented by the following Chemical Formula 2,

상기 Y1 및 Y2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고,Y 1 and Y 2 are the same or different from each other, and each independently an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group,

상기 m1 및 m2는 몰비율로서, m1+m2는 100 몰%이고, M 1 and m 2 are molar ratios, m 1 + m 2 is 100 mol%,

상기 m1은 60 내지 100 몰%이고, M 1 is 60 to 100 mol%,

상기 m2는 0 내지 40 몰%일 수 있고,M 2 may be 0 to 40 mol%,

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112008068394394-pat00005
Figure 112008068394394-pat00005

상기 화학식 2에서,In Chemical Formula 2,

R1 내지 R2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환 된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 및 하이드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 1 to R 2 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a hydroxy group,

R3 및 R4는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,R 3 and R 4 are the same or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkylene group, or a substituted or unsubstituted arylene group,

k는 1 내지 50의 정수이다.k is an integer of 1-50.

구체적으로, 상기 X1은 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물로부터 유도될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, X 1 is 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, bis (3-amino 4-hydroxyphenyl) propane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone , 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl ) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, and combinations thereof, but is not limited thereto.

또한, 바람직하게는 상기 X1은 하기 화학식 3 또는 4로 표현되는 화합물일 수 있다.Also, preferably, X 1 may be a compound represented by the following Chemical Formula 3 or 4.

[화학식 3](3)

Figure 112008068394394-pat00006
Figure 112008068394394-pat00006

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112008068394394-pat00007
Figure 112008068394394-pat00007

(상기 화학식 3 및 4에서,(In Chemical Formulas 3 and 4,

상기 A1은 O, CO, CR8R9, SO2, S, 및 단일결합으로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고, The A 1 may be selected from the group consisting of O, CO, CR 8 R 9 , SO 2 , S, and a single bond,

상기 R8 및 R9는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있으며, 바람직하게는 상기 R8 및 R9는 플루오로알킬기이고,R 8 and R 9 are the same or different from each other, and each independently may be selected from the group consisting of hydrogen, and a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably R 8 And R 9 is a fluoroalkyl group,

상기 R5 내지 R7은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 히드록시기, 카르복실산기, 및 티올기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고,R 5 to R 7 may be the same or different from each other, and may be each independently selected from the group consisting of hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, a hydroxy group, a carboxylic acid group, and a thiol group,

상기 n1은 1 내지 2의 정수일 수 있고,N 1 may be an integer of 1 to 2,

상기 n2 및 n3는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수일 수 있다.)N 2 and n 3 may be the same or different from each other, and may each independently be an integer of 1 to 3.)

또한, 상기 X2는 방향족 디아민 또는 실리콘 디아민으로부터 유도될 수 있다.X 2 can also be derived from aromatic diamines or silicone diamines.

상기 방향족 디아민의 구체적인 예로는, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 벤지딘, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민 등의 방향족 아민; 또는 이 방향족 아민에서, 방향족환에 알킬기나 할로겐 원자로 치환한 화합물; 비스(4-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(3-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들 방향족 디아민 단량체는 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다.Specific examples of the aromatic diamine include 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane and 4,4'-diaminodiphenyl Methane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, benzidine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6- Aromatic amines such as naphthalenediamine; Or a compound in which the aromatic ring is substituted with an alkyl group or a halogen atom in the aromatic amine; Bis (4-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (3-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 1, 4-bis (4-aminophenoxy) benzene and the like, but are not limited thereto. In addition, these aromatic diamine monomers can be used individually or in mixture.

상기 실리콘 디아민의 구체적인 예를 들면, 비스(4-아미노페닐)디메틸실란, 비스(4-아미노페닐)테트라메틸실록산, 비스(p-아미노페닐)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1,4-비스(γ-아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 비스(4-아미노부틸)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라페닐디실록산, 1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산 등을 들 수 있다. Specific examples of the silicone diamine include bis (4-aminophenyl) dimethylsilane, bis (4-aminophenyl) tetramethylsiloxane, bis (p-aminophenyl) tetramethyldisiloxane, bis (γ-aminopropyl) tetra Methyldisiloxane, 1,4-bis (γ-aminopropyldimethylsilyl) benzene, bis (4-aminobutyl) tetramethyldisiloxane, bis (γ-aminopropyl) tetraphenyldisiloxane, 1,3-bis (amino Propyl) tetramethyldisiloxane And the like.

물론, 상기 방향족 디아민 및 실리콘 디아민이 상기 화합물들로 한정되는 것은 아니다. Of course, the aromatic diamine and silicone diamine are not limited to the compounds.

또한, 상기 Y1 및 Y2는 디카르복실산의 유도체로부터 유도될 수 있다.In addition, the Y 1 and Y 2 may be derived from a derivative of dicarboxylic acid.

상기 디카르복실산 유도체의 구체적인 예로는 카르보닐 할라이드 유도체 또는 디카르복실산과 1-히드록시-1,2,3-벤조트리아졸 등을 반응시킨 활성 에스테르형 유도체인 활성 화합물을 들 수 있다. 그 예로는, 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드, 디페닐옥시디카르복실산클로라이드, 비스(페닐카르복실산클로라이드)술폰, 비스(페닐카르복실산클로라이드)에테르, 비스(페닐카르복실산클로라이드)페논, 프탈릭 카르복실산디클로라이드, 테레프탈릭산디클로라이드, 이소프탈릭 카르복실산디클로라이드, 카르복실산디클로라이드, 디페닐옥시디카르복실레이트 벤조트리아졸 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물 등을 들 수 있다Specific examples of the dicarboxylic acid derivatives include carbonyl halide derivatives or The active compound which is an active ester type derivative which made dicarboxylic acid and 1-hydroxy-1,2,3-benzotriazole react etc. is mentioned. Examples thereof include 4,4'-oxydibenzoyl chloride, diphenyloxydicarboxylic acid chloride, bis (phenylcarboxylic acid chloride) sulfone, bis (phenylcarboxylic acid chloride) ether and bis (phenylcarboxylic acid Chloride) phenone, phthalic carboxylic acid dichloride, terephthalic acid dichloride, isophthalic carboxylic acid dichloride, carboxylic acid dichloride, diphenyloxydicarboxylate benzotriazole and combinations thereof Can be mentioned

또한, 상기 Y1 및 Y2는 하기 화학식 5 내지 7로 이루어진 군에서 선택되는 화합물인 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that Y 1 and Y 2 are compounds selected from the group consisting of the following Chemical Formulas 5 to 7.

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112008068394394-pat00008
Figure 112008068394394-pat00008

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112008068394394-pat00009
Figure 112008068394394-pat00009

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112008068394394-pat00010
Figure 112008068394394-pat00010

(상기 화학식 5 내지 7에서, (In Chemical Formulas 5 to 7,

상기 R10 내지 R13은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고, R 10 to R 13 may be the same or different from each other, and may be each independently selected from the group consisting of hydrogen and a substituted or unsubstituted alkyl group,

상기 n4, n6, 및 n7은 1 내지 4의 정수일 수 있고, n5는 1 내지 3의 정수일 수 있고, N 4 , n 6 , and n 7 may be an integer of 1 to 4, n 5 may be an integer of 1 to 3,

상기, A2는 O, CRR', CO, CONH, S, SO2, 및 단일결합로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있으며, 상기 R 및 R'는 동일하거나 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 수소, 및 플로오로알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.) A 2 is O, CRR ′, CO, CONH, S, SO 2 , And it may be selected from the group consisting of a single bond, the R And R ′ may be the same or independently selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group, hydrogen, and a fluoroalkyl group.)

상기 폴리벤조옥사졸 전구체의 적어도 한쪽의 말단 부분에 위치하며, 열경화 전에는 친수성을 띄어 현상성을 증가시키고, 열경화시 열중합성 관능기로 변하는 말단 관능기는 한 개 이상의 알콕시기를 갖는 지방족 카르복실산 유도체로부터 유도될 수 있다. 상기 지방족 카르복실산의 알콕시기는 열경화를 거치면서 탄소-탄소 이중결합 또는 삼중 결합으로 변하여 반응성 관능기를 형성한다.It is located in at least one terminal portion of the polybenzoxazole precursor, the hydrophilic properties before heat curing to increase the developability, the terminal functional group is changed to a thermopolymerizable functional group during thermosetting aliphatic carboxylic acid derivative having one or more alkoxy groups Can be derived from. The alkoxy group of the aliphatic carboxylic acid is converted to a carbon-carbon double bond or triple bond through thermal curing to form a reactive functional group.

또한, 상기 지방족 카르복시산 유도체는 폴리벤조옥사졸 전구체의 말단과 효 율적으로 반응하기 위하여 활성화된 형태의 카르복시산 유도체인 것이 바람직하며, 그 예로는 카르복시산 할라이드 유도체를 들 수 있다.In addition, the aliphatic carboxylic acid derivative is preferably a carboxylic acid derivative in an activated form for efficiently reacting with the terminal of the polybenzoxazole precursor, and examples thereof include carboxylic acid halide derivatives.

상기 카르복실산 할라이드 유도체의 구체적인 예로는, 지방족 에테르로 치환된 하기 락틱산(lactic aicd) 클로라이드를 포함하는 하기 화학식 8의 화합물, 지방족 또는 지환족 에테르로 치환된 타타릭산(tataric acid) 클로라이드를 포함하는 하기 화학식 9 및 10의 화합물, 지환족 에테르로 치환된 글리세릭산 클로라이드를 포함하는 하기 화학식 11의 화합물 등을 들 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the carboxylic acid halide derivative include a compound represented by the following Chemical Formula 8 including lactic aicd chloride substituted with an aliphatic ether, and tataric acid chloride substituted with an aliphatic or alicyclic ether. To the compounds of the formulas (9) and (10), and the compound of the formula (11) including glyceric acid chloride substituted with an alicyclic ether, and the like, and the like.

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112008068394394-pat00011
Figure 112008068394394-pat00011

(상기 화학식 8에서,(In Formula 8,

R14은 탄소 수 1 내지 5의 알킬기 또는 알콕시 알킬기이고,R 14 is an alkyl or alkoxy alkyl group having 1 to 5 carbon atoms,

n8은 0 또는 1이다.) n 8 is 0 or 1)

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112008068394394-pat00012
Figure 112008068394394-pat00012

(상기 화학식 9에서(In Chemical Formula 9)

R15, R16, 및 R17은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 탄소 수 1 내 지 5의 알킬기 또는 알콕시 알킬기이고,R 15 , R 16 , and R 17 are the same or different from each other, each independently represent an alkyl group or alkoxy alkyl group having 1 to 5 carbon atoms,

n9 및 n10은 각각 독립적으로 0 또는 1이다.)n 9 and n 10 are each independently 0 or 1.)

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112008068394394-pat00013
Figure 112008068394394-pat00013

(상기 화학식 10에서, (In Chemical Formula 10,

R18 내지 R20은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬기이고,R 18 to R 20 are the same or different from each other, and each independently hydrogen or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms,

n11 및 n12는 각각 독립적으로 0 또는 1이다.)n 11 and n 12 are each independently 0 or 1.)

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112008068394394-pat00014
Figure 112008068394394-pat00014

(상기 화학식 11에서,(In Chemical Formula 11,

R21 및 R22는 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬기이다.)R 21 And R 22 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.)

상기 말단 관능기는 열경화시 열중합성 관능기로 변형된 후에 가교된다.The terminal functional groups are crosslinked after being transformed into thermally polymerizable functional groups upon thermal curing.

상기 화학식 8의 화합물로부터 유도되는 열중합성 관능기로는 하기 화학식 12 및 13의 화합물이 있을 수 있고, 상기 화학식 9의 화합물로부터 유도되는 열중 합성 관능기로는 하기 화학식 14 및 15의 화합물이 있을 수 있고, 상기 화학식 10의 화합물로부터 유도되는 열중합성 관능기로는 하기 화학식 16 내지 18의 화합물이 있을 수 있고, 상기 화학식 11의 화합물로부터 유도되는 열중합성 관능기로는 하기 화학식 19의 화합물이 있을 수 있다.The thermopolymerizable functional group derived from the compound of Formula 8 may be a compound of Formulas 12 and 13, and the thermosynthetic functional group derived from the compound of Formula 9 may be a compound of Formulas 14 and 15, The thermopolymerizable functional group derived from the compound of Formula 10 may be a compound of Formula 16 to 18, and the thermopolymerizable functional group derived from the compound of Formula 11 may be a compound of Formula 19.

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112008068394394-pat00015
Figure 112008068394394-pat00015

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112008068394394-pat00016
Figure 112008068394394-pat00016

[화학식 14][Formula 14]

Figure 112008068394394-pat00017
Figure 112008068394394-pat00017

[화학식 15][Formula 15]

Figure 112008068394394-pat00018
Figure 112008068394394-pat00018

[화학식 16][Formula 16]

Figure 112008068394394-pat00019
Figure 112008068394394-pat00019

[화학식 17][Formula 17]

Figure 112008068394394-pat00020
Figure 112008068394394-pat00020

[화학식 18][Formula 18]

Figure 112008068394394-pat00021
Figure 112008068394394-pat00021

[화학식 19][Formula 19]

Figure 112008068394394-pat00022
Figure 112008068394394-pat00022

또한, 상기 말단 관능기는 열중합이 가능한 모노 카르복시산 할라이드 말단 봉쇄 단량체와의 혼합물로부터 유도될 수 있다. 상기 모노 카르복실산 할라이드의 구체적인 예로는, 하기 화학식 20의 5-노보넨-2-카르복시산 할라이드, 하기 화학식 21의 4-나디미도 벤조일 할라이드, 하기 화학식 22의 4-(4-페닐에티닐프탈이미도)벤조일 할라이드, 하기 화학식 23의 4-(2-페닐말레익이미도)벤조일 할라이드 등을 들 수 있다. 또한, 이들은 단독으로 또는 서로 혼합하여 사용할 수 있다. In addition, the terminal functional group is a monocarboxylic acid halide capable of thermal polymerization From mixtures with terminal blockade monomers. Specific examples of the monocarboxylic acid halide include 5-norbornene-2-carboxylic acid halide of formula 20, 4-namidido benzoyl halide of formula 21, 4- (4-phenylethynylphthalimide of formula 22 Benzoyl halide, 4- (2-phenylmaleimido) benzoyl halide of formula (23), and the like. In addition, these can be used individually or in mixture with each other.

[화학식 20][Formula 20]

Figure 112008068394394-pat00023
Figure 112008068394394-pat00023

[화학식 21][Formula 21]

Figure 112008068394394-pat00024
Figure 112008068394394-pat00024

[화학식 22][Formula 22]

Figure 112008068394394-pat00025
Figure 112008068394394-pat00025

[화학식 23][Formula 23]

Figure 112008068394394-pat00026
Figure 112008068394394-pat00026

이와 같이, 한 개 이상의 알콕시기를 갖는 지방족 카르복시산 유도체와 열중합이 가능한 카르복시산 할라이드를 혼합하여 사용하는 경우, 상기 지방족 카르복시산 유도체는 40몰% 이상으로 사용되는 것이 바람직하다. 지방족 카르복시산 유도체의 함량이 상기 범위일 때, 첨가 효과가 적절히 발현될 수 있다.As described above, when an aliphatic carboxylic acid derivative having at least one alkoxy group is mixed with a carboxylic acid halide capable of thermal polymerization, the aliphatic carboxylic acid derivative is preferably used at 40 mol% or more. When the content of the aliphatic carboxylic acid derivative is in the above range, the addition effect can be properly expressed.

상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 중량평균 분자량(Mw)이 3,000 내지 300,000 의 범위를 갖는 것으로, 상기 범위 내에서는 충분한 물성이 얻어지며, 유기 용매에 대한 용해성이 우수하여 취급이 용이하여 바람직하다.The polybenzoxazole precursor has a weight average molecular weight (Mw) in the range of 3,000 to 300,000, and sufficient physical properties are obtained within the above range, and excellent in solubility in an organic solvent is preferred for easy handling.

(B) 감광성 (B) photosensitive 디아조퀴논Diazoquinone 화합물 compound

상기 감광성 디아조퀴논 화합물로는 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 이는 미국특허 제2,772,975호, 제2,797,213호, 제3,669,658호에 의해 공지된 물질이다.As the photosensitive diazoquinone compound, a compound having a 1,2-benzoquinonediazide structure or a 1,2-naphthoquinonediazide structure can be preferably used. This is a material known from US Pat. Nos. 2,772,975, 2,797,213 and 3,669,658.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 대표적인 예로는, 하기 화학식 24 내지 28로 표현되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Representative examples of the photosensitive diazoquinone compound include, but are not limited to, a compound represented by the following Chemical Formulas 24 to 28.

[화학식 24][Formula 24]

Figure 112008068394394-pat00027
Figure 112008068394394-pat00027

(상기 화학식 24에서, (In Chemical Formula 24,

R31 내지 R33은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 바람직하게는 CH3일 수 있고, R 31 to R 33 may be the same or different from each other, and may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably CH 3 ,

상기 D1 내지 D3는 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, D 1 to D 3 may be each independently OQ,

상기 Q는 수소, 하기 화학식 25-1 또는 25-2일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소일 수는 없고,Q may be hydrogen, Formula 25-1 or 25-2, wherein Q may not be hydrogen at the same time,

상기 n31 내지 n33은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.) N 31 To n 33 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 3.)

[화학식 25a][Formula 25a]

Figure 112008068394394-pat00028
Figure 112008068394394-pat00028

[화학식 25b][Formula 25b]

Figure 112008068394394-pat00029
Figure 112008068394394-pat00029

[화학식 26][Formula 26]

Figure 112008068394394-pat00030
Figure 112008068394394-pat00030

(상기 화학식 26에서,(In Formula 26,

R34는 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 D4 내지 D6은 OQ일 수 있고, R 34 is hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group, D 4 to D 6 may be OQ,

상기 Q는 화학식 24에 정의된 것과 동일하고, Q is the same as defined in Formula 24,

상기 n34 내지 n36은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.)N 34 to n 36 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 3.)

[화학식 27][Formula 27]

Figure 112008068394394-pat00031
Figure 112008068394394-pat00031

(상기 화학식 27에서, (In Chemical Formula 27,

A3는 CO 또는 CRR'일 수 있고, 상기 R 및 R'은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,A 3 may be CO or CRR ′ and R is And R 'are the same or different from each other, and each independently may be a substituted or unsubstituted alkyl group,

D7 내지 D10은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, OQ, 또는 NHQ일 수 있고, D 7 to D 10 are the same or different from each other, and each independently may be hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, OQ, or NHQ,

상기 Q는 화학식 24에 정의된 것과 동일하고,Q is the same as defined in Formula 24,

상기 n37, n38, n39, 및 n40은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,N 37 , n 38 , n 39 , and n 40 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 4,

n37+n38 및 n39+n40은 각각 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있고,n 37 + n 38 and n 39 + n 40 may be each independently an integer of 5 or less,

단, 상기 D7 내지 D8중 적어도 하나는 OQ이며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 4개로 포함될 수 있다.)However, at least one of D 7 to D 8 may be OQ, one aromatic ring may include 1 to 3 OQs, and the other aromatic ring may include 1 to 4 OQs.)

[화학식 28][Formula 28]

Figure 112008068394394-pat00032
Figure 112008068394394-pat00032

(상기 화학식 28에서, (In Chemical Formula 28,

R35 내지 R42는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, R 35 to R 42 may be the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n41 및 n42는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고, 보다 바람직하게는 2 내지 4의 정수일 수 있고, Q는 화학식 24에 정의된 것과 동일하다.)n 41 and n 42 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 1 to 5, more preferably an integer of 2 to 4, Q is the same as defined in formula (24).)

상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 상기 폴리벤조옥사사졸 전구체 100 중량부에 대하여 5 내지 100 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 상기 범위일 때는 노광에 의해 잔사없이 패턴 형성이 잘되며, 현상시 막두께 손실이 없고 양호한 패턴을 얻을 수 있다.The photosensitive diazoquinone compound is preferably included in an amount of 5 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor. When the content of the photosensitive diazoquinone compound is within the above range, the pattern is well formed without residue by exposure, and there is no film thickness loss during development, and a good pattern can be obtained.

(C) (C) 실란Silane 화합물 compound

상기 실란 화합물은, 감광성 수지 조성물과 기판과의 밀착력을 향상시킬 수 있다. The said silane compound can improve the adhesive force of the photosensitive resin composition and a board | substrate.

상기 실란 화합물로는 하기 화학식 29로 표현되는 것을 사용할 수 있다.As the silane compound, those represented by the following Chemical Formula 29 may be used.

[화학식 29][Formula 29]

Figure 112008068394394-pat00033
Figure 112008068394394-pat00033

상기 화학식 29에서, In Chemical Formula 29,

R61은 비닐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 및 치환 또는 비치환된 아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고, 바람직하게는 3-(메타)크릴옥시프로필, p-스티릴, 또는 3-(페닐아미노)프로필일 수 있다.R 61 may be selected from the group consisting of a vinyl group, a substituted or unsubstituted alkyl group, and a substituted or unsubstituted aryl group, and preferably 3- (meth) acryloxypropyl, p-styryl, or 3- (Phenylamino) propyl.

상기 R62 내지 R64는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 및 할로겐으로 이루어진 군에서 선택되는 것이며, 이때 R62 내지 R64 중 적어도 하나는 알콕시기 또는 할로겐이고, 바람직하게는 상기 알콕시기는 탄소수 1 내지 8의 알콕시기이고, 상기 알킬기는 탄소수 1 내지 20의 알킬기일 수 있다. R 62 to R 64 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted alkyl group, and halogen, wherein at least one of R 62 to R 64 Is an alkoxy group or halogen, preferably the alkoxy group is an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, the alkyl group may be an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

상기 실란 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 30 및 31로 표현되는 화합물; 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐 트리클로로실란, 비닐트리스 (β-메톡시에톡시)실란; 또는 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, p-스티릴 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디 에톡시실란; 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 등의 탄소-탄소 불포화 결합을 함유하는 실란 화합물을 들 수 있으며, 가장 바람직하게는 비닐트리메톡시실란 또는 비닐트리에톡시실란을 들 수 있다.Representative examples of the silane compound include compounds represented by the following Chemical Formulas 30 and 31; Vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyl trichlorosilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane; Or 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, p-styryl trimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldi Ethoxysilane; Silane compounds containing carbon-carbon unsaturated bonds, such as trimethoxy [3- (phenylamino) propyl] silane, are mentioned, Most preferably, vinyl trimethoxysilane or vinyl triethoxysilane is mentioned.

[화학식 30][Formula 30]

Figure 112008068394394-pat00034
Figure 112008068394394-pat00034

(상기 화학식 30에서, (In Chemical Formula 30,

R65는 NH2 또는 CH3CONH이고, R66 내지 R68은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알콕시기이고, 바람직하게는 상기 알콕시기는 OCH3 또는 OCH2CH3일 수 있고, n61은 1 내지 5의 정수일 수 있다.)R 65 is NH 2 or CH 3 CONH, R 66 to R 68 are the same or different from each other, each independently represent a substituted or unsubstituted alkoxy group, preferably the alkoxy group is OCH 3 or OCH 2 CH 3 And n 61 may be an integer of 1 to 5.)

[화학식 31][Formula 31]

Figure 112008068394394-pat00035
Figure 112008068394394-pat00035

(상기 화학식 31에서, (In Chemical Formula 31,

R69 내지 R72는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환 된 알킬기 및 치환 또는 비치환된 알콕시기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고, 바람직하게는 CH3 또는 OCH3일 수 있고, R 69 to R 72 are the same or different from each other, and each independently may be selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group and a substituted or unsubstituted alkoxy group, preferably CH 3 or OCH 3 ,

상기 R73 및 R74는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아미노기이고, 바람직하게는 NH2 또는 CH3CONH일 수 있고R 73 and R 74 are the same or different from each other, each independently represent a substituted or unsubstituted amino group, preferably NH 2 or CH 3 CONH,

상기 n62 및 n63은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.)N 62 and n 63 may be the same or different from each other, and may each independently be an integer of 1 to 5.)

상기 실란 화합물은, 상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부로 사용될 수 있다. 상기 실란 화합물의 함량이 상기 범위로 포함되는 경우, 상하부 막 층과의 접착력이 우수하며, 현상 후 잔막이 남지 않고, 광특성(투과율) 및 인장강도, 연신률, 영률 등의 막의 기계적 물성을 향상시킬 수 있어 바람직하다.The silane compound may be used in an amount of 0.1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the first polybenzoxazole precursor. When the content of the silane compound is included in the above range, the adhesion to the upper and lower membrane layers is excellent, and no residual film is left after development, and the optical properties (transmittance) and mechanical properties of the membrane such as tensile strength, elongation, and Young's modulus are improved. It is preferable to be able.

(D) 페놀 화합물(D) phenolic compounds

상기 페놀 화합물은, 알칼리 수용액으로 현상시 노광부의 용해 속도 및 감도를 증가시키며, 또한 현상 잔류물(scum)없이 고해상도로 패터닝할 수 있도록 돕는다.The phenolic compound increases the dissolution rate and sensitivity of the exposed portion when developing with aqueous alkali solution, and also helps to pattern at high resolution without developing scum.

이러한 페놀 화합물의 대표적인 예로는 2,6-디메톡시메틸-4-t-부틸페놀, 2,6-디메톡시메틸-p-크레졸, 2,6-디아세톡시메틸-p-크레졸 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Representative examples of such phenolic compounds include 2,6-dimethoxymethyl-4-t-butylphenol, 2,6-dimethoxymethyl-p-cresol, 2,6-diacetoxymethyl-p-cresol, and the like. However, the present invention is not limited thereto.

상기 페놀 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 32 내지 38로 표현되는 것 또는 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이들에 한정되지 않는다. Representative examples of the phenolic compound include those represented by the following Chemical Formulas 32 to 38 or Or combinations thereof, but is not limited thereto.

[화학식 32][Formula 32]

Figure 112008068394394-pat00036
Figure 112008068394394-pat00036

(상기 화학식 32에서, (In Chemical Formula 32,

R91 내지 R93은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 또는,치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, R 91 to R 93 are the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

R94 내지 R98는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 H, OH, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, 바람직하게는 상기 알킬기는 CH3일 수 있고, R 94 to R 98 are the same or different from each other, and each independently may be selected from the group consisting of H, OH, and a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably the alkyl group may be CH 3 ,

n91은 1 내지 5의 정수일 수 있다.)n 91 may be an integer from 1 to 5.

[화학식 33][Formula 33]

Figure 112008068394394-pat00037
Figure 112008068394394-pat00037

(상기 화학식 33에서, (In Chemical Formula 33,

상기 R99 내지 R104는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 H, OH, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택될 수 있고,R 99 to R 104 are the same or different from each other, and each independently may be selected from the group consisting of H, OH, and a substituted or unsubstituted alkyl group,

A4는 CR'R'' 또는 단일결합일 수 있고, 상기 R' 및 R''은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,A 4 may be CR′R ″ or a single bond, and R ′ and R ″ may be the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

바람직하게는 상기 알킬기는 CH3일 수 있고, Preferably the alkyl group may be CH 3 ,

n92+n93+n94 및 n95+n96+n97은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있다.)n 92 + n 93 + n 94 And n 95 + n 96 + n 97 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 5 or less.)

[화학식 34][Formula 34]

Figure 112008068394394-pat00038
Figure 112008068394394-pat00038

(상기 화학식 34에서, (In Chemical Formula 34,

상기 R105 내지 R107은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 105 to R 107 may be the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

상기 n98, n99, 및 n102은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고,N 98 , n 99 , and n 102 may be the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 5,

상기 n101 및 n102는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있다.)N 101 and n 102 may be the same or different from each other, and may each independently be an integer of 0 to 4.)

[화학식 35][Formula 35]

Figure 112008068394394-pat00039
Figure 112008068394394-pat00039

(상기 화학식 35에서,(In Chemical Formula 35,

R108 내지 R113은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, OH, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고,R 108 R 113 to the same or different from each other, each independently may be selected from the group consisting of hydrogen, OH, and a substituted or unsubstituted alkyl group,

n103 내지 n106은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고, n 103 to n 106 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 1 to 4,

단 n103+n105 및 n104+n106은 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.)N 103 + n 105 and n 104 + n 106 are each independently an integer of 5 or less.)

[화학식 36][Formula 36]

Figure 112008068394394-pat00040
Figure 112008068394394-pat00040

(상기 화학식 36에서,(In Formula 36,

R114는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 바람직하게는 CH3일 수 있고,R 114 may be a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably CH 3 ,

R115 내지 R117은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 115 to R 117 are the same or different from each other, and may each independently be hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n105, n107, 및 n109는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고,n 105 , n 107 , and n 109 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 1 to 5,

n106, n108, 및 n110는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있고,n 106 , n 108 , and n 110 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 0 to 4,

단, n105+n106, n107+n108, 및 n109+n110는 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.)Provided that n 105 + n 106 , n 107 + n 108 , and n 109 + n 110 are each independently an integer of 5 or less.)

[화학식 37][Formula 37]

Figure 112008068394394-pat00041
Figure 112008068394394-pat00041

(상기 화학식 37에서,(In Chemical Formula 37,

R118, R119, 및 R120은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, 바람직하게는 CH3일 수 있고,R 118 , R 119 , and R 120 are the same or different from each other, and may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably CH 3 ,

R121 내지 R124는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 121 to R 124 may be the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n111 , n113, 및 n117는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고, n 111 , n 113 , and n 117 are the same or different from each other, and each independently may be an integer from 1 to 5,

n112, n114, 및 n116은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있고,n 112 , n 114 , and n 116 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 0 to 4,

n115는 1 내지 5의 정수일 수 있고,n 115 may be an integer from 1 to 5,

단, n111+n112, n113 +n114, 및 n116+n117은 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.)Provided that n 111 + n 112 , n 113 + n 114 , and n 116 + n 117 are each independently an integer of 5 or less.)

[화학식 38][Formula 38]

Figure 112008068394394-pat00042
Figure 112008068394394-pat00042

(상기 화학식 38에서 (In Chemical Formula 38)

R125는 알킬기, 아릴기, 및 비닐기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.)R 125 may be selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, and a vinyl group.)

상기 페놀 화합물은 폴리아마이드 고분자 100 중량부에 대하여 1 내지 30 중량부로 사용되는 것이 바람직하다. 상기 페놀기 함유 화합물의 함량이 상기범위일 때는 현상시 감도 저하를 유발하지 않고, 비노광부의 용해 속도를 적당하게 증가시켜 양호한 패턴을 얻을 수 있으며, 또한 냉동보관시 석출이 일어나지 않아 우수한 보관안정성을 나타낼 수 있어 바람직하다.The phenolic compound is preferably used in 1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of polyamide polymer. When the content of the phenol group-containing compound is in the above range, it does not cause a decrease in sensitivity during development, and moderately increases the dissolution rate of the non-exposed part to obtain a good pattern, and does not cause precipitation during freezing storage, and thus excellent storage stability It is preferable because it can show.

(E)용매(E) Solvent

상기 용매로는 N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N, N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌 글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산 메틸, 락트산에틸, 락트산부틸, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 등을 들 수 있다. 상기 용매는 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl Ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol 3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxy propionate, etc. are mentioned. The solvents may be used alone or in combination of two or more thereof.

상기 용매는 (A) 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여, 200 내지 900 중량부로 사용될 수 있다. 상기 범위에서는 충분한 두께의 막을 형성할 수 있으며, 용해도 및 코팅성이 우수하여 바람직하다. The solvent may be used in an amount of 200 to 900 parts by weight based on 100 parts by weight of the (A) polybenzoxazole precursor. In the said range, the film | membrane of sufficient thickness can be formed and it is preferable because it is excellent in solubility and coating property.

(F) 기타 첨가제(F) other additives

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (A) 내지 (D)의 성분 이외의 (F) 기타 첨가제를 더욱 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition of this invention can further contain other additives (F) other than the component of (A)-(D).

상기 기타 첨가제로는 열잠재 산발생제를 들 수 있다. 상기 열잠재 산발생제로는 알릴술폰산, 퍼플루오로알킬 술폰산, 또는 알킬술폰산을 사용할 수 있다. 바람직하게는 상기 알릴술폰산으로는 p-톨루엔 술폰산 또는 벤젠술폰산을 들 수 있고, 퍼플루오르알킬 술폰산으로는 트리플루오르메탄술폰산 또는 플루오르부탄술폰산을 들 수 있으며, 알킬 술폰산으로는 메탄 술폰산, 에탄 술폰산, 또는 부탄 술폰산을 들 수 있다. 상기 열잠재 산발생제는 폴리벤조옥사졸 전구체의 페놀성 수산기 함유 폴리아미드의 구조가 탈수 반응을 일으키고, 고리화 촉매로써 경화온도를 낮춰도 고리화되는 정도가 낮아지는 현상을 막을 수 있다.The other additives include heat latent acid generators. As the heat latent acid generator, allyl sulfonic acid, perfluoroalkyl sulfonic acid, or alkyl sulfonic acid may be used. Preferably, the allyl sulfonic acid may include p-toluene sulfonic acid or benzene sulfonic acid, and the perfluoroalkyl sulfonic acid may include trifluoromethane sulfonic acid or fluorobutane sulfonic acid, and the alkyl sulfonic acid may be methane sulfonic acid, ethane sulfonic acid, or Butane sulfonic acid. The heat latent acid generator may prevent a phenomenon in which the structure of the phenolic hydroxyl group-containing polyamide of the polybenzoxazole precursor causes a dehydration reaction and decreases the degree of cyclization even when the curing temperature is lowered as a cyclization catalyst.

또한 막 두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상하기 위하여 적당한 계면활성제 또는 레벨링제를 첨가제로 더욱 사용할 수 있다. 상기의 기타첨가제는 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.In addition, a suitable surfactant or leveling agent may be further used as an additive to prevent staining of the film thickness or to improve developability. Said other additive can be used individually or in mixture of 2 or more types.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 패턴을 형성하는 공정 은 포지티브형 감광성 수지 조성물을 지지 기판상에 도포하는 공정; 상기 도포된 조성물을 건조하여 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 막을 형성하는 공정; 상기 폴리벤조옥사졸 전구체 막을 노광하는 공정; 상기 노광된 폴리벤조옥사졸 전구체 막을 알칼리 수용액으로 현상하여 감광성 수지막을 제조하는 공정; 및 상기 감광성 수지막을 가열하는 공정을 포함한다. 상기 감광성 수지 조성물을 도포하고, 노광, 현상하여 패턴을 형성하는 공정상의 조건 등에 대하여는 당해 분야에 널리 알려진 사항이므로 본 명세서에서 자세한 설명은 생략하기로 한다. The process of forming a pattern using the positive photosensitive resin composition of this invention is a process of apply | coating a positive photosensitive resin composition on a support substrate; Drying the applied composition to form a photosensitive polybenzoxazole precursor film; Exposing the polybenzoxazole precursor film; Developing the exposed polybenzoxazole precursor film with an aqueous alkali solution to produce a photosensitive resin film; And heating the photosensitive resin film. Process conditions for applying the photosensitive resin composition, exposing and developing the pattern, and the like are well known in the art, and thus detailed descriptions thereof will be omitted.

또한, 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 절연막 또는 보호막과 같은 감광성 수지막을 제공할 수 있다.In addition, a photosensitive resin film such as a photosensitive insulating film or a protective film manufactured by using the photosensitive resin composition may be provided.

또한, 본 발명의 다른 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 반도체 소자의 절연막, 보호층, 또는 버퍼코팅층 등에 유용하게 사용될 수 있다. 즉, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 반도체 장치의 표면 보호막 및 층간 절연막으로도 유용하게 사용될 수 있다. In addition, another embodiment of the present invention relates to a semiconductor device comprising a photosensitive resin film prepared using the photosensitive resin composition. The composition of the present invention can be usefully used for insulating films, protective layers, buffer coating layers, and the like of semiconductor devices. That is, the photosensitive resin composition of this invention can also be usefully used also as a surface protection film and an interlayer insulation film of a semiconductor device.

이하에서 본 발명을 실시예 및 비교예를 통하여 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예 및 비교예는 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the following Examples and Comparative Examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the present invention.

<< 합성예Synthetic example 1>:  1>: 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체( Precursor ( PAPA -1)의 합성Synthesis of -1)

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3,-헥사플로 오로프로판 17.4g, 1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산 0.86g 넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 280g을 넣어 용해시켰다. 이때 얻어진 용액 중에서, 고형분 함량은 9 중량% 이었다.Passing nitrogen through a four-necked flask equipped with a stirrer, temperature controller, nitrogen gas injector and cooler 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3, -hexaflouropropane 17.4 g, 1,3-bis (aminopropyl) tetramethyldisiloxane 0.86 g was added, and 280 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added to dissolve it. In the solution obtained at this time, solid content was 9 weight%.

고체가 완전 용해되면 피리딘을 9.9g 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드 13.3g를 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 142g을 넣어 용해시킨 용액을 30분간 천천히 적하하였다. 적하 후 1시간 동안 온도 0 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 반응을 수행하였다. When the solid is completely dissolved, 9.9 g of pyridine is added and 13.3 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride is added to 142 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C. The solution was slowly added dropwise for 30 minutes. After dropping, the reaction was carried out at a temperature of 0 to 5 ° C. for 1 hour, and the reaction was carried out for 1 hour by raising the temperature to room temperature.

여기에 (2,2-디메틸)-1,3-디옥솔란-4-카르보닐 클로라이드를 1.6g을 투입하고 70℃에서 24시간 교반하여 반응을 종료하였다. 반응혼합물을 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후. 온도 80℃, 진공하에서 24시간 이상 건조하여 중량평균 분자량(Mw)이 11,000인 폴리벤조옥사졸 전구체(PA-1)를 제조하였다. 1.6 g of (2,2-dimethyl) -1,3-dioxolane-4-carbonyl chloride was added thereto, followed by stirring at 70 ° C for 24 hours to terminate the reaction. The reaction mixture was poured into a solution of water / methanol = 10/1 (volume ratio) to form a precipitate, and the precipitate was filtered and sufficiently washed with water. A polybenzoxazole precursor (PA-1) having a weight average molecular weight (Mw) of 11,000 was prepared by drying at a temperature of 80 ° C. under vacuum for at least 24 hours.

<< 합성예Synthetic example 2>:  2>: 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체( Precursor ( PAPA -2)의 합성-2) synthesis

(2,2-디메틸)-1,3-디옥솔란-4-카르보닐 클로라이드 1.6g을 (2,2-디메틸)-1,3-디옥솔란-4-카르보닐 클로라이드 1.28g 및 4-나디미도 벤조일클로라이드 0.59g로 변경한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 실시하여 폴리벤조옥사졸 전구체(PA-2)를 제조하였다.1.6 g of (2,2-dimethyl) -1,3-dioxolane-4-carbonyl chloride; 1.28 g of (2,2-dimethyl) -1,3-dioxolane-4-carbonyl chloride and 4-namidido A polybenzoxazole precursor (PA-2) was prepared in the same manner as in Synthesis example 1 except for changing to 0.59 g of benzoyl chloride.

<< 합성예Synthetic example 3>:  3>: 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체( Precursor ( PAPA -3)의 합성-3) synthesis

(2,2-디메틸)-1,3-디옥솔란-4-카르보닐 클로라이드 1.6g을 (2,2-디메틸)-1,3-디옥솔란-4-카르보닐 클로라이드 0.8g 및 4-나디미도 벤조일클로라이드 1.47g로 변경한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 실시하여 폴리벤조옥사졸 전구체(PA-3)를 제조하였다.1.6 g of (2,2-dimethyl) -1,3-dioxolane-4-carbonyl chloride; 0.8 g of (2,2-dimethyl) -1,3-dioxolane-4-carbonyl chloride and 4-namidido A polybenzoxazole precursor (PA-3) was prepared in the same manner as in Synthesis example 1 except for changing to 1.47 g of benzoyl chloride.

<< 합성예Synthetic example 4>;  4>; 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체( Precursor ( PAPA -4)의 합성Synthesis of -4)

(2,2-디메틸)-1,3-디옥솔란-4-카르보닐 클로라이드 1.6g을 (2,2-디메틸)-1,3-디옥솔란-4-카르보닐 클로라이드 0.64g 및 4-나디미도 벤조일클로라이드 1.76g로 변경한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 실시하여 폴리벤조옥사졸 전구체(PA-4)를 제조하였다.1.6 g of (2,2-dimethyl) -1,3-dioxolane-4-carbonyl chloride, 0.64 g of (2,2-dimethyl) -1,3-dioxolane-4-carbonyl chloride and 4-namidido A polybenzoxazole precursor (PA-4) was prepared in the same manner as in Synthesis example 1 except for changing to 1.76 g of benzoyl chloride.

<< 합성예Synthetic example 5>:  5>: 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체( Precursor ( PAPA -5)의 합성-5) synthesis

(2,2-디메틸)-1,3-디옥솔란-4-카르보닐 클로라이드 1.6g을 (2,2-디메틸)-1,3-디옥솔란-4-카르보닐 클로라이드 0.32g 및 4-나디미도 벤조일클로라이드 2.35g로 변경한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 실시하여 폴리벤조옥사졸 전구체(PA-5)를 제조하였다.1.6 g of (2,2-dimethyl) -1,3-dioxolane-4-carbonyl chloride, 0.32 g of (2,2-dimethyl) -1,3-dioxolane-4-carbonyl chloride and 4-namidido A polybenzoxazole precursor (PA-5) was prepared in the same manner as in Synthesis example 1 except for changing to 2.35 g of benzoyl chloride.

<< 합성예Synthetic example 6>:  6>: 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체( Precursor ( PAPA -6)의 합성-6) synthesis

(2,2-디메틸)-1,3-디옥솔란-4-카르보닐 클로라이드 1.6g을 4-나디미도 벤조일클로라이드 2.94g로 변경한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 실시하여 폴리벤조옥사졸 전구체(PA-6)을 제조하였다.Polybenzoxazole was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 1.6 g of (2,2-dimethyl) -1,3-dioxolane-4-carbonyl chloride was changed to 2.94 g of 4-namidido benzoyl chloride. Precursor (PA-6) was prepared.

<< 실시예Example 1> 1>

합성예 1에서 얻어진 폴리벤조옥사졸 전구체(PA-1) 10g을 γ-부티로락톤(GBL) 35.0g에 첨가하여 녹인 후, 화학식 24a의 감광성 디아조퀴논 1g, 화학식 29a의 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 0.02g, 에틸레소시놀(ethylresorcinol) 0.5g을 넣고 용해한 후 0.45㎛의 플루오르 수지제 필터로 여과하여 포지티브형 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물을 제조하였다.10 g of the polybenzoxazole precursor (PA-1) obtained in Synthesis Example 1 was dissolved in 35.0 g of γ-butyrolactone (GBL), followed by melting 1 g of photosensitive diazoquinone of formula 24a and trimethoxy [3] of formula 29a. A positive photosensitive polybenzoxazole precursor composition was prepared by dissolving 0.02 g of-(phenylamino) propyl] silane and 0.5 g of ethylresorcinol, followed by dissolving with a 0.45 μm fluorine resin filter.

[화학식 24a][Formula 24a]

Figure 112008068394394-pat00043
Figure 112008068394394-pat00043

(상기 식에서, Q1, Q2, 및 Q3 중에서 두 개는 하기 화학식 25a로 치환되어 있고, 나머지 하나는 수소이다.)(In the above formula, two of Q 1 , Q 2 , and Q 3 are substituted with the following Formula 25a, and the other is hydrogen.)

[화학식 25a][Formula 25a]

Figure 112008068394394-pat00044
Figure 112008068394394-pat00044

[화학식 29a][Formula 29a]

Figure 112008068394394-pat00045
Figure 112008068394394-pat00045

<< 실시예Example 2>  2>

합성예 1에서 얻어진 폴리벤조옥사졸 전구체(PA-1) 10g을 합성예 2에서 얻어진 폴리벤조옥사졸 전구체(PA-2) 10g로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물을 제조하였다.A positive type was carried out in the same manner as in Example 1 except that 10 g of the polybenzoxazole precursor (PA-1) obtained in Synthesis Example 1 was changed to 10 g of the polybenzoxazole precursor (PA-2) obtained in Synthesis Example 2. A photosensitive polybenzoxazole precursor composition was prepared.

<실시예 3> <Example 3>

합성예 1에서 얻어진 폴리벤조옥사졸 전구체(PA-1) 10g을 합성예 3에서 얻어진 폴리벤조옥사졸 전구체(PA-3) 10g로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물을 제조하였다.Positive type in the same manner as in Example 1 except that 10 g of the polybenzoxazole precursor (PA-1) obtained in Synthesis Example 1 was changed to 10 g of the polybenzoxazole precursor (PA-3) obtained in Synthesis Example 3. A photosensitive polybenzoxazole precursor composition was prepared.

<< 실시예Example 4>  4>

합성예 1에서 얻어진 폴리벤조옥사졸 전구체(PA-1) 10g을 합성예 4에서 얻어 진 폴리벤조옥사졸 전구체(PA-4) 10g로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물을 제조하였다.Positive in the same manner as in Example 1 except that 10 g of the polybenzoxazole precursor (PA-1) obtained in Synthesis Example 1 was changed to 10 g of the polybenzoxazole precursor (PA-4) obtained in Synthesis Example 4. A type photosensitive polybenzoxazole precursor composition was prepared.

<< 비교예Comparative example 1>  1>

합성예 1에서 얻어진 폴리벤조옥사졸 전구체(PA-1) 10g을 합성예 6에서 얻어진 폴리벤조옥사졸 전구체(PA-6) 10g로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물을 제조하였다.A positive type was carried out in the same manner as in Example 1 except that 10 g of the polybenzoxazole precursor (PA-1) obtained in Synthesis Example 1 was changed to 10 g of the polybenzoxazole precursor (PA-6) obtained in Synthesis Example 6. A photosensitive polybenzoxazole precursor composition was prepared.

<물성측정><Measurement of properties>

(1) 막 두께 변화, 감도, 해상도, 수축률 측정(1) film thickness variation, sensitivity, resolution, shrinkage rate measurement

상기 실시예 1 내지 4, 및 비교예 1에서 제조된 각각의 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물을 8인치 웨이퍼에 미카사제(1H-DX2) 스핀코터를 이용해 코팅하여 도포한 후, 핫플레이트 상에서 130℃, 2분간 가열하여 감광성 폴리이미드 전구체 필름을 형성하였다.Each of the photosensitive polybenzoxazole precursor compositions prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 was coated on an 8-inch wafer with a Mikasa spin coater and applied, followed by 130 ° C. on a hot plate. It heated for 2 minutes and formed the photosensitive polyimide precursor film.

상기 폴리이미드 전구체 필름에 다양한 크기의 패턴이 새겨진 마스크를 사용하여 일본 Nikon사제 I-line stepper(NSR i10C)로 노광한 후 상온에서 2.38%의 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 수용액에 60초, 2 퍼들(puddle)을 통해 노광부를 용해 제거한 후, 순수로 30초간 세척하였다. 이어서, 얻어진 패턴을 전기로를 이용하여 산소 농도 1000ppm 이하에서, 150℃/30분, 추가하여 320℃/30분으로 경화를 실시하여, 패턴이 형성된 필름을 제조하였다. After exposure to I-line stepper (NSR i10C) manufactured by Nikon, Japan using a mask engraved with a pattern of various sizes on the polyimide precursor film, 60 seconds, 2 puddle in a 2.38% aqueous tetramethylammonium hydroxide solution at room temperature ( After dissolving and exposing the exposed portion through a puddle), it was washed with pure water for 30 seconds. Next, the obtained pattern was cured at 150 ° C / 30 minutes, and further 320 ° C / 30 minutes at an oxygen concentration of 1000 ppm or less using an electric furnace to prepare a film with a pattern.

완성된 필름 패턴의 해상도는 광학 현미경을 통해 확인할 수 있었고, 예비 소성, 현상, 경화 후의 막 두께 변화는 코팅 두께를 KMAC사제(ST4000-DLX)장비를 이용해 측정하였다.The resolution of the finished film pattern could be confirmed through an optical microscope, and the film thickness change after preliminary firing, development, and curing was measured using a KMAC (ST4000-DLX) device.

한편, 현상 후의 막 두께에 대한 감소율이 현상성과 최종 막 두께에도 영향을 가져오며, 현상 시에도 막 두께 감소가 작아야 하는데, 이를 측정하기 위해 예비소성을 한 필름을 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액에 시간별로 침지하고 물로 씻어 내는 방법을 실시하고, 막 두께 변화를 측정하여 하기 표 1에 정리하였다.On the other hand, the reduction rate of the film thickness after development has an effect on the developability and the final film thickness, and the film thickness reduction should be small even during development, and the prebaked film was measured to be 2.38% tetramethylammonium hydroxide ( TMAH) was immersed in an aqueous solution over time and washed with water, and the thickness change was measured and summarized in Table 1 below.

감도는 노광 및 현상 후, 10um L/S 패턴이 1 대 1의 선폭으로 형성되는 노광 시간을 구하여 이를 최적 노광 시간으로 하였으며, 해상도는 상기 최적 노광 시간에 있어서의 최소의 패턴 치수를 해상도로 하였다.After exposure and development, the sensitivity was obtained by determining an exposure time in which a 10 um L / S pattern was formed with a line width of 1 to 1, which was the optimum exposure time, and the resolution was the minimum pattern dimension in the optimum exposure time as the resolution.

또한 패턴을 형성한 후 질소 분위기 하에서 120℃에서 30분 가열한 후 320℃까지 1시간 동안 승온하여 320℃에서 1시간 가열하여 경화막을 제작하였다. 경화 전의 막 두께와 비교하여서 경화 후의 막의 두께가 상당히 줄어든다. 이때, 경화 후의 막두께는 경화 후 막이 버퍼코팅층, 층간 절연막, 표면 보호막으로 작용할 수 있기 위해서 매우 중요하며, 따라서 경화 전과 후의 막두께 변화가 적을 수록 유리하다. 이 정도를 베이크(bake)전의 막 두께와 베이크 후의 막 두께의 차이의 백분율인 수축률로 나타내며, 막 두께의 측정은 KMAC사제(ST4000-DLX)장비를 이용해 측정하였으며 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.Further, after the pattern was formed, the mixture was heated at 120 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere, and then heated up to 320 ° C. for 1 hour, and heated at 320 ° C. for 1 hour to produce a cured film. Compared with the film thickness before curing, the thickness of the film after curing is considerably reduced. At this time, the film thickness after curing is very important in order that the film after curing can act as a buffer coating layer, an interlayer insulating film, and a surface protective film. Therefore, the smaller the film thickness change before and after curing, the better. This degree is expressed as a percentage of shrinkage, which is a percentage of the difference between the film thickness before baking and the film thickness after baking, and the measurement of the film thickness was measured using a KMAC (ST4000-DLX) equipment, and the results are shown in Table 1 below. .

[표 1]TABLE 1



두께(㎛)

Thickness (㎛)

감도
(mJ/cm2)

Sensitivity
(mJ / cm 2 )

해상도
(㎛)

resolution
(Μm)

현상시
막두께 변화
(㎛)

Development
Change of film thickness
(Μm)

수축률
(%)

Shrinkage
(%)

예비소성

Preliminary firing

현상후

After phenomenon

열경화후

After thermosetting
실시예 1Example 1 9.39.3 8.08.0 6.246.24 240240 3.53.5 1.31.3 2222 실시예 2Example 2 9.59.5 8.28.2 6.486.48 250250 33 1.31.3 2121 실시예 3Example 3 9.39.3 8.18.1 6.326.32 270270 33 1.21.2 2222 실시예 4Example 4 9.39.3 8.18.1 6.326.32 250250 3.53.5 1.21.2 2222 비교예 1Comparative Example 1 9.19.1 7.77.7 5.935.93 340340 55 1.41.4 2323

상기 표 1을 참조하면, 열경화 전에는 친수성으로 현상성이 좋으나, 열 경화후에는 열중합성 관능기로 변하는 말단 관능기를 함유한 폴리벤조옥사졸 전구체를 포함하는 실시예 1 내지 4의 감광성 수지 조성물은 비교예 1의 감광성 수지 조성물과 비교하여 감도, 해상도, 및 수축률이 월등히 우수함을 확인할 수 있었다.Referring to Table 1 above, the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 4 including polybenzoxazole precursors containing terminal functional groups which are hydrophilic before thermosetting and hydrophilic, but which change into thermopolymerizable functional groups after thermal curing are compared. As compared with the photosensitive resin composition of Example 1, it was confirmed that the sensitivity, the resolution, and the shrinkage ratio were excellent.

(2) 기계적 강도 측정(2) mechanical strength measurement

경화 후 필름의 기계적 강도를 측정하기 위하여 경화 후의 필름이 덮여 있는 실리콘 웨이퍼를 2% HF 용액에 30분간 담가서 필름을 분리해낸 뒤에 6.0 cm × 1.0 cm의 리본 모양 조각으로 잘라내어서 기계적 물성을 측정하기 위한 시편을 제조하였다. 이 시편을 만능재료시험기(instrom series IX)를 사용하여 인장강도, 신율, 영률 등의 기계적 물성을 측정하였고, 그 결과를 하기의 표 2에 기재하였다. In order to measure the mechanical strength of the film after curing, the silicon wafer covered with the curing film was soaked in 2% HF solution for 30 minutes to separate the film, and then cut into a ribbon piece of 6.0 cm × 1.0 cm to measure mechanical properties. Specimen was prepared. The specimens were measured for mechanical properties such as tensile strength, elongation, and Young's modulus using a universal testing machine (instrom series IX), and the results are shown in Table 2 below.

[표 2]TABLE 2


인장 강도(kgf/mm2)

Tensile Strength (kgf / mm 2 )

신율 (%)

Elongation (%)

영률 (kgf/mm2)

Young's modulus (kgf / mm 2 )
실시예 1Example 1 12.012.0 7171 230230 실시예 2Example 2 11.711.7 7474 220220 실시예 3Example 3 12.512.5 7070 225225 실시예 4Example 4 12.112.1 7171 235235 비교예 1Comparative Example 1 12.112.1 7272 230230

상기 표 2를 참고하면, 실시예 1 내지 4의 감광성 수지 조성물을 열경화하여 얻어진 막은, 기계적 물성이 매우 우수한 것으로 알려진 말단 관능기를 갖는 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용한 비교예와 비교하여 동등수준의 기계적 물성을 나타냄을 확인할 수 있었다.Referring to Table 2 above, the film obtained by thermosetting the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 4 has the same mechanical level as compared with the comparative example using the polybenzoxazole precursor having a terminal functional group known to have excellent mechanical properties. It could be confirmed that the physical properties.

따라서, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 기계적 물성이 우수하고, 특히 감도, 해상도, 패턴성 등의 광특성이 매우 우수하므로, 기계적 강도가 우수하면서도 좋은 패턴성을 갖는 감광성 수지막으로 제조될 수 있다. Therefore, the photosensitive resin composition of the present invention is excellent in mechanical properties, and particularly excellent in optical properties such as sensitivity, resolution, patternability, and the like, and thus can be manufactured as a photosensitive resin film having excellent mechanical strength and good patternability.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the scope of the invention.

Claims (9)

삭제delete 삭제delete 삭제delete (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 가지며, 적어도 한 쪽의 말단 부분에 열경화 전에는 친수성을 띄어 현상성을 증진하고, 열경화 중에 열중합성 관능기로 변하는 말단 관능기를 갖는 폴리벤조옥사졸 전구체(Polybenzoxazole precursor); (A) A polybenzoxazole precursor having a repeating unit represented by the following formula (1), which has hydrophilicity at least on one end portion thereof before hydrosetting to improve developability, and has a terminal functional group which is changed into a thermopolymerizable functional group during thermosetting. (Polybenzoxazole precursor); (B) 감광성 디아조퀴논 화합물;(B) photosensitive diazoquinone compound; (C) 실란 화합물;(C) silane compound; (D) 페놀 화합물; 및(D) phenolic compounds; And (E) 용매(E) solvent 를 포함하고,Including, 상기 말단 관능기는 하기 화학식 8 내지 11로 표현되는 지방족 카르복실산 유도체로부터 유도되는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물:Positive terminal photosensitive resin composition wherein the terminal functional group is derived from an aliphatic carboxylic acid derivative represented by the following formulas (8) to (11): [화학식 1] [Formula 1]
Figure 112010061306641-pat00048
Figure 112010061306641-pat00048
상기 화학식 1에서,In Chemical Formula 1, 상기 X1은 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고,X 1 is an aromatic organic group or a 4 to 6-valent aliphatic organic group, 상기 X2는 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고, 또는 하기 화학식 2로 표현되는 구조를 갖는 작용기이고,X 2 is an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group, or a functional group having a structure represented by the following Chemical Formula 2, 상기 Y1 및 Y2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고,Y 1 and Y 2 are the same or different from each other, and each independently an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group, 상기 m1 및 m2는 몰비율로서, m1+m2는 100 몰%이고, M 1 and m 2 are molar ratios, m 1 + m 2 is 100 mol%, 상기 m1은 60 내지 100 몰%이고, M 1 is 60 to 100 mol%, 상기 m2는 0 내지 40 몰%일 수 있고,M 2 may be 0 to 40 mol%, [화학식 2][Formula 2]
Figure 112010061306641-pat00049
Figure 112010061306641-pat00049
상기 화학식 2에서,In Chemical Formula 2, R1 내지 R2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 및 하이드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 1 to R 2 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a hydroxy group, R3 및 R4는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,R 3 and R 4 are the same or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkylene group, or a substituted or unsubstituted arylene group, k는 1 내지 50의 정수이고,k is an integer from 1 to 50, [화학식 8][Formula 8]
Figure 112010061306641-pat00050
Figure 112010061306641-pat00050
상기 화학식 8에서,In Chemical Formula 8, R14은 탄소 수 1 내지 5의 알킬기 또는 알콕시 알킬기이고,R 14 is an alkyl or alkoxy alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, n8은 0 또는 1이고,n 8 is 0 or 1, [화학식 9][Formula 9]
Figure 112010061306641-pat00051
Figure 112010061306641-pat00051
상기 화학식 9에서In Chemical Formula 9 R15, R16, 및 R17은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 탄소 수 1 내지 5의 알킬기 또는 알콕시 알킬기이고,R 15 , R 16 , and R 17 are the same or different from each other, each independently represent an alkyl group or an alkoxy alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, n9 및 n10은 각각 독립적으로 0 또는 1이고,n 9 and n 10 are each independently 0 or 1, [화학식 10][Formula 10]
Figure 112010061306641-pat00052
Figure 112010061306641-pat00052
상기 화학식 10에서, In Chemical Formula 10, R18 내지 R20은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬기이고,R 18 to R 20 are the same or different from each other, and each independently hydrogen or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, n11 및 n12는 각각 독립적으로 0 또는 1이고,n 11 and n 12 are each independently 0 or 1, [화학식 11][Formula 11]
Figure 112010061306641-pat00053
Figure 112010061306641-pat00053
상기 화학식 11에서,In Chemical Formula 11, R21 및 R22는 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬기이다.R 21 and R 22 are hydrogen or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 3,000 내지 300,000의 중량평균분자량(Mw)을 갖는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.The polybenzoxazole precursor has a weight average molecular weight (Mw) of 3,000 to 300,000 positive type photosensitive resin composition. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 용매는 N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N, N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌 글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산 메틸, 락트산에틸, 락트산부틸, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.The solvent is N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether , Propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol-3 A positive photosensitive resin composition selected from the group consisting of monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxy propionate and combinations thereof. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 수지 조성물은,The resin composition, 상기 (A) 폴리벤조옥사졸 전구체 100중량부에 대하여Based on 100 parts by weight of the (A) polybenzoxazole precursor 상기 (B) 감광성 다이조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부;5 to 100 parts by weight of the (B) photosensitive dizoquinone compound; 상시 (C) 실란 화합물 0.1 내지 30 중량부;Always (C) 0.1 to 30 parts by weight of the silane compound; 상기 (D) 페놀 화합물 1 내지 30 중량부; 및1 to 30 parts by weight of the (D) phenol compound; And 상기 (F) 용매 200 내지 900 중량부200 to 900 parts by weight of the solvent (F) 를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.Positive photosensitive resin composition comprising a. 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 감광성 수지막.The photosensitive resin film formed using the positive photosensitive resin composition of any one of Claims 4-7. 제8항의 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자.The semiconductor element containing the photosensitive resin film of Claim 8.
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