KR100965549B1 - Positive photosensitive resin composition - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것으로서, 이 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 가지며, 적어도 한 쪽의 말단 부분에 열중합성 관능기를 갖는 폴리벤조옥사졸 전구체(polybenzoxazole precursor); (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 실란 화합물; (D) 페놀 화합물; (E) 하기 화학식 3으로 표현되는 반복단위를 포함하는 카도계 수지; 및 (F) 용매를 포함한다. The present invention relates to a positive type photosensitive resin composition, wherein the positive type photosensitive resin composition (A) has a repeating unit represented by the following general formula (1), and has a polybenzoxazole precursor having a thermopolymerizable functional group on at least one end portion thereof. (polybenzoxazole precursor); (B) photosensitive diazoquinone compound; (C) silane compound; (D) phenolic compounds; (E) cardo-based resin comprising a repeating unit represented by the following formula (3); And (F) a solvent.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112008074031120-pat00001
Figure 112008074031120-pat00001

[화학식 3](3)

Figure 112008074031120-pat00002
Figure 112008074031120-pat00002

(상기 화학식 1 및 3에서, 각 치환기의 정의는 명세서에 정의된 것과 동일하다.)(In Formulas 1 and 3, the definition of each substituent is the same as defined in the specification.)

포지티브형, 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물, 용해조절제, 열중합 가교제, 알칼리 수용액, 반도체 장치  Positive type, photosensitive polybenzoxazole precursor composition, dissolution regulator, thermal polymerization crosslinking agent, aqueous alkali solution, semiconductor device

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물{POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}Positive photosensitive resin composition {POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 고감도 및 고해상도를 가지며, 패턴 형상이 양호하고, 잔여물 제거성이 높으며, 낮은 막수축률을 가지고, 특히 열경화 후의 기계적 물성이 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a positive type photosensitive resin composition, and more particularly, has a high sensitivity and high resolution, a good pattern shape, a high residue removal property, a low film shrinkage rate, in particular a positive mechanical property after thermal curing It relates to a type photosensitive resin composition.

종래부터 반도체 장치의 표면 보호막 및 층간 절연막에는 우수한 내열성과 전기 특성, 기계 특성 등을 갖는 폴리이미드 수지가 사용되고 있다. 이러한 폴리이미드 수지는 최근 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 형태로 사용하여 도포가 용이하며, 상기 폴리이미드 전구체 조성물을 반도체 장치 상에 도포한 후, 자외선에 의한 패터닝, 현상, 열 이미드화 처리 등을 실시하여 표면 보호막, 층간 절연막 등을 쉽게 형성시킬 수 있다. 따라서, 종래 비감광성 폴리이미드 전구체 조성물에 비하여 대폭적인 공정 단축이 가능해진다는 특징을 갖고 있다. Conventionally, polyimide resins having excellent heat resistance, electrical properties, mechanical properties, and the like have been used for surface protection films and interlayer insulating films of semiconductor devices. Such polyimide resins are recently used in the form of a photosensitive polyimide precursor composition and are easy to apply. After applying the polyimide precursor composition onto a semiconductor device, patterning by ultraviolet rays, development, thermal imidization treatment, and the like are performed. The surface protective film, the interlayer insulating film and the like can be easily formed. Therefore, compared with the conventional non-photosensitive polyimide precursor composition, it has the characteristic that the process shortening is large.

감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 노광된 부분이 현상에 의해 용해되는 포지티브형과 노광된 부분이 경화되어 남는 네가티브형이 있는데, 포지티브형의 경우 무독성인 알칼리 수용액을 현상액으로 사용할 수 있어 바람직하다. 포지티브형 감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 폴리이미드 전구체인 폴리아미드산, 감광성 물질인 디아조나프토퀴논 등을 포함한다. 그러나 포지티브형 감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 사용된 폴리아미드산의 카르본산이 알칼리에 대한 용해도가 너무 커서 원하는 패턴을 얻지 못하는 문제점이 있다.The photosensitive polyimide precursor composition has a positive type in which the exposed part is dissolved by development and a negative type in which the exposed part is cured. In the positive type, a non-toxic aqueous alkali solution can be used as a developer. The positive photosensitive polyimide precursor composition includes polyamic acid as a polyimide precursor, diazonaphthoquinone as a photosensitive material, and the like. However, the positive photosensitive polyimide precursor composition has a problem in that the carboxylic acid of the polyamic acid used is too soluble in alkali to obtain a desired pattern.

이를 해결하기 위하여 폴리아미드산에 에스테르 결합을 통해서 수산기 1개 이상을 갖는 알코올 화합물을 반응시키는 내용(일본 특개 평10-307393호 참조) 등 카르본산 대신에 페놀성 수산기를 도입한 물질이 제안되었으나, 이 물질은 현상성이 불충분하며 막감소나 기재로부터 수지가 박리되는 문제점이 있다. In order to solve this problem, a substance in which a phenolic hydroxyl group is introduced instead of carboxylic acid, such as reacting an alcohol compound having at least one hydroxyl group through an ester bond with polyamic acid (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-307393), has been proposed. This material has insufficient developability and has a problem of reducing the film or peeling the resin from the substrate.

다른 방법으로 폴리벤조옥사졸 전구체에 디아조나프토퀴논 화합물을 혼합한 재료(일본특허공고 소63-96162호 공보)가 최근 주목받고 있으나 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물을 실제로 사용하는 경우, 특히 현상시의 미노광부의 막감소량이 크기 때문에 현상 후의 원하는 패턴을 얻기 어렵다. 이를 개선하기 위해 폴리벤조옥사졸 전구체의 분자량을 크게 하면 미노광부의 막감소량은 작아지나 현상시 노광부에 현상 잔여물(스컴)이 발생하여 해상도가 불량해지며 노광부의 현상 시간이 길어지는 문제가 있었다. In another way, a material in which a diazonaptoquinone compound is mixed with a polybenzoxazole precursor (Japanese Patent Laid-Open No. 63-96162) has recently been attracting attention, but especially when the polybenzoxazole precursor composition is actually used, Since the film reduction amount of the unexposed part is large, it is difficult to obtain a desired pattern after development. In order to improve this problem, if the molecular weight of the polybenzoxazole precursor is increased, the film reduction amount of the unexposed part becomes small, but developing residue (scum) occurs in the exposed part during development, resulting in poor resolution and longer developing time of the exposed part. there was.

이런 문제를 해결하기 위하여, 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물에 특정한 페놀 화합물을 첨가함으로써 현상시의 미노광부의 막 감소량이 억제되는 것이 보고되어 있다(일본특허공개 평9-302221호 및 일본특허공개 제2000-292913호). 그러나 이 방법으로는 미노광부의 감소량을 억제하는 효과가 불충함에 따라, 현상 잔여물(스 컴)을 발생시키지 않으면서, 막 감소 억제 효과를 크게 하기 위한 연구가 계속 요구되고 있다. 또한 용해도를 조절하기 위하여 사용하는 페놀이 열경화시의 높은 온도에서 분해하거나 부반응을 일으키거나 하는 등의 문제를 일으켜 결과적으로 얻어지는 경화막의 기계적 물성에 큰 손상을 입히기 때문에 이를 대체할 수 있는 용해조절제의 연구 또한 계속 요구되고 있다. In order to solve this problem, it is reported that the amount of film reduction of unexposed portions during development is suppressed by adding a specific phenolic compound to the polybenzoxazole precursor composition (Japanese Patent Laid-Open No. 9-302221 and Japanese Patent Laid-Open No. 2000). -292913). However, in this method, the effect of suppressing the reduction amount of the unexposed portion is insufficient, and there is a continuous demand for research to increase the film reduction suppression effect without generating development residues (scum). In addition, the phenol used to control the solubility causes problems such as decomposition or side reactions at high temperatures during thermal curing, which causes great damage to the mechanical properties of the resulting cured film. Research is also continuing.

또한, 이런 폴리이미드 혹은 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물을 사용하여 형성된 열경화막은 반도체 장치에 지속적으로 잔류하여 표면보호막으로 작용하기 때문에, 인장강도, 신율, 영률 등의 막의 기계적 물성이 특히 중요한 요인이 된다. 특히 반도체 패키징 방법이 급속도로 발전함에 따라서 이들의 발전에 대응하기 위하여 표면보호막으로 사용되는 폴리이미드 혹은 폴리벤조옥사졸 막의 기계적 물성은 매우 중요하다. 하지만, 일반적으로 사용되는 폴리이미드 혹은 폴리벤조옥사졸 전구체의 경우 이런 기계적 물성, 좀 더 구체적으로는 신율이 적정 수준이하가 되는 경우가 많고 이를 해결하기 위하여 다양한 첨가제를 사용하는 방법 혹은 열경화시 가교가 일어날 수 있는 구조의 전구체 화합물 등을 사용하는 예들이 보고되어 있다. In addition, since the thermosetting film formed using such a polyimide or polybenzoxazole precursor composition continuously remains in the semiconductor device and functions as a surface protective film, mechanical properties of the film such as tensile strength, elongation and Young's modulus are particularly important factors. . In particular, with the rapid development of semiconductor packaging methods, the mechanical properties of polyimide or polybenzoxazole films used as surface protective films are very important in order to cope with their development. However, in the case of polyimide or polybenzoxazole precursors that are generally used, such mechanical properties, more specifically, elongation often fall below an appropriate level, and in order to solve this problem, various additives are used or crosslinking during thermal curing. Examples have been reported of using precursor compounds and the like of which structures can occur.

하지만, 이들 연구의 경우 신율로 대표되는 기계적 물성을 개선할 수는 있지만, 감도, 해상도 등의 광특성 면에서 실용적인 수준에 다다르지 못하여서, 이런 광특성의 저하를 가져오지 않으면서 우수한 기계적 물성을 달성할 수 있는 방법에 대한 연구가 시급히 요구되고 있는 상황이다. 이러한 광특성의 부족은 감광성 폴리이미드 혹은 폴리벤조옥사졸 전구체를 스핀 코팅(spin coating)으로 기판 표면에 도입하였을 때에 높은 점도와 폴리이미드 혹은 폴리벤조옥사졸 전구체의 높은 표면장력으로 인하여 미세한 단차가 많이 발생하는 것에 큰 원인이 있다. 이 문제를 해결하기 위하여 다양한 평탄화제를 사용하는 것을 검토할 수 있지만, 기판 접착력, 기계적 물성 저하, 코팅시 기포 발생 등의 문제로 인하여 실용적으로 사용할 수 있는 수준에는 도달하지 못하고 있다.However, in the case of these studies, the mechanical properties represented by elongation can be improved, but the optical properties such as sensitivity and resolution do not reach practical levels, and thus excellent mechanical properties are achieved without bringing down such optical properties. There is an urgent need for research on how to do this. This lack of optical properties is due to the high viscosity and high surface tension of the polyimide or polybenzoxazole precursor when the photosensitive polyimide or polybenzoxazole precursor is introduced to the substrate surface by spin coating. There is a big cause for what happens. In order to solve this problem, the use of various planarizers can be considered, but due to problems such as substrate adhesion, mechanical property degradation, foaming during coating, and the like, the level of practical use has not been reached.

또한 반도체 표면에 표면 보호막으로 계속 잔류해야 하는 이들 조성물의 특성상 이들의 열경화막은 내흡습성 및 내화학성이 특히 우수해야 한다. 일반적으로 사용되는 폴리이미드 및 폴리벤조옥사졸 열경화막의 경우 어느 정도의 내흡습성 및 내화학성을 보여주지만, 말단 봉쇄 단량체를 사용하여 만들어진 폴리벤조옥사졸 및 폴리이미드 전구체의 경우에는 아직 실용적인 수준의 값들이 얻어지지는 않고 있는 실정이다. In addition, due to the properties of these compositions that must remain as a surface protective film on the surface of the semiconductor, these thermosetting films should be particularly excellent in hygroscopicity and chemical resistance. The polyimide and polybenzoxazole thermosets used generally show some degree of hygroscopicity and chemical resistance, but are still of practical value for polybenzoxazole and polyimide precursors made using terminal block monomers. Are not obtained.

본 발명은 폴리이미드 혹은 폴리벤조옥사졸 전구체를 기판 위에 코팅할 때 발생하는 미세 단차의 문제로 인한 광특성의 저하, 특히 감도, 해상도, 및 패턴 형상의 악화를 방지하고, 또한 경화 후 막의 기계적 물성을 더욱 개선할 수 있는 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다. The present invention prevents the deterioration of optical properties, in particular the deterioration of sensitivity, resolution, and pattern shape due to the problem of fine step occurring when coating polyimide or polybenzoxazole precursor on a substrate, and also the mechanical properties of the film after curing. To provide a photosensitive resin composition that can be further improved.

본 발명은 또한, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용한 제조된 감광성 수지막을 제공하는 것이다. This invention also provides the produced photosensitive resin film using the said positive photosensitive resin composition.

본 발명은 또한, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감 광성 수지막을 포함하는 반도체 소자를 제공하는 것이다. This invention also provides the semiconductor element containing the photosensitive resin film manufactured using the said positive photosensitive resin composition.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 구현예에 따르면 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 가지며, 적어도 한 쪽의 말단 부분에 열중합성 관능기를 갖는 폴리벤조옥사졸 전구체 (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 실란 화합물; (D) 페놀 화합물; (E) 하기 화학식 3으로 표현되는 반복단위를 갖는 카도계 수지; 및 (F) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다.According to one embodiment of the present invention (A) a polybenzoxazole precursor having a repeating unit represented by the following formula (1) and having a thermopolymerizable functional group in at least one terminal portion (B) photosensitive diazoquinone compound; (C) silane compound; (D) phenolic compounds; (E) cardo-based resin having a repeating unit represented by the following formula (3); And (F) it provides a positive photosensitive resin composition containing a solvent.

[화학식 1] [Formula 1]

Figure 112008074031120-pat00003
Figure 112008074031120-pat00003

(상기 화학식 1에서,(In the formula 1,

X1은 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고,X 1 is an aromatic organic group or a 4-6 valent aliphatic organic group,

X2는 방향족 유기기, 2 내지 6가의 지방족 유기기, 또는 하기 화학식 2로 표현되는 구조를 갖는 작용기이고, X 2 is an aromatic organic group, a 2 to 6-valent aliphatic organic group, or a functional group having a structure represented by the following formula (2),

Y1 및 Y2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고,Y 1 and Y 2 are the same or different from each other, and each independently an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group,

m1 및 m2는 각각의 몰비율로서, m 1 and m 2 are the molar ratios of

m1+m2=100몰%이고,m 1 + m 2 = 100 mol%,

m1은 60 내지 100몰%이고,m 1 is 60-100 mol%,

m2는 0 내지 40몰%이고,m 2 is 0-40 mol%,

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112008074031120-pat00004
Figure 112008074031120-pat00004

상기 화학식 2에서,In Chemical Formula 2,

R1 및 R2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 및 하이드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 1 and R 2 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a hydroxy group,

R3 및 R4는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,R 3 and R 4 are the same or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkylene group, or a substituted or unsubstituted arylene group,

k는 1 내지 50의 정수이다.)k is an integer from 1 to 50.)

[화학식 3](3)

Figure 112008074031120-pat00005
Figure 112008074031120-pat00005

(상기 화학식 3에서,(In Chemical Formula 3,

R24 내지 R27은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고, R 24 to R 27 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a halogen atom, and a substituted or unsubstituted alkyl group,

R28 및 R29는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 원자 및 CH2ORa(Ra는 비닐기, 아크릴기, 또는 메타크릴기)로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 28 and R 29 are the same or different from each other, and are each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom and CH 2 OR a (R a is a vinyl group, an acryl group, or a methacryl group),

R30은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아크릴기, 비닐기, 및 메타크릴기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 30 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, an acryl group, a vinyl group, and a methacryl group,

Z1은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 CO, SO2, CRbRc, SiRdRe(여기에서, Rb 내지 Re는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 플루오로알킬기, 및 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것임), O, 단일결합, 및 하기 화학식 39 내지 49로 표현되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,Z 1 is the same or different from each other, and each independently CO, SO 2 , CR b R c , SiR d R e (wherein R b to R e are the same or different from each other, and each independently hydrogen, fluoroalkyl group And, it is selected from the group consisting of an alkyl group), O, a single bond, and selected from the group consisting of compounds represented by the following formula 39 to 49,

Z2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 산무수물 또는 산이무수물 의 잔기이다.)Z 2 is the same or different from each other, and each independently a residue of an acid anhydride or acid dianhydride.)

[화학식 39][Formula 39]

Figure 112008074031120-pat00006
Figure 112008074031120-pat00006

[화학식 40][Formula 40]

Figure 112008074031120-pat00007
Figure 112008074031120-pat00007

[화학식 41][Formula 41]

Figure 112008074031120-pat00008
Figure 112008074031120-pat00008

[화학식 42][Formula 42]

Figure 112008074031120-pat00009
Figure 112008074031120-pat00009

[화학식 43][Formula 43]

Figure 112008074031120-pat00010
Figure 112008074031120-pat00010

(상기 화학식 43에서,(In Chemical Formula 43,

Rf는 수소 원자, 에틸기, C2H4Cl, C2H4OH, CH2CH=CH2, 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 것임)R f is selected from the group consisting of a hydrogen atom, an ethyl group, C 2 H 4 Cl, C 2 H 4 OH, CH 2 CH═CH 2 , and a phenyl group)

[화학식 44][Formula 44]

Figure 112008074031120-pat00011
Figure 112008074031120-pat00011

[화학식 45][Formula 45]

Figure 112008074031120-pat00012
Figure 112008074031120-pat00012

[화학식 46][Formula 46]

Figure 112008074031120-pat00013
Figure 112008074031120-pat00013

[화학식 47][Formula 47]

Figure 112008074031120-pat00014
Figure 112008074031120-pat00014

[화학식 48][Formula 48]

Figure 112008074031120-pat00015
Figure 112008074031120-pat00015

[화학식 49][Formula 49]

Figure 112008074031120-pat00016
Figure 112008074031120-pat00016

본 발명의 다른 구현예에 따르면 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 감광성 수지막을 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a photosensitive resin film formed using the positive photosensitive resin composition.

본 발명의 또 다른 구현예에 따르면 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자를 제공한다.According to another embodiment of the invention provides a semiconductor device comprising a photosensitive resin film prepared using the positive photosensitive resin composition.

기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.Other specific details of embodiments of the present invention are included in the following detailed description.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 분자쇄 말단에 적절한 반응성과 구조를 갖는 말단 봉쇄 단량체를 도입하고, 적절한 구조를 가지는 카도계 수지를 첨가제로 사용하여 폴리이미드 혹은 폴리벤조옥사졸 전구체를 기판 위에 코팅할 때 발생하는 미세 단차의 문제로 인한 광특성의 저하, 특히 감도, 해상도, 및 패턴 형상의 악화를 방지한다. 또한, 경화 후 막이 향상된 기계적 물성, 우수한 잔여물 제거성 및 낮은 막 수축율을 얻을 수 있다.Positive type photosensitive resin composition of this invention introduce | transduces the terminal blockade monomer which has a suitable reactivity and structure in the molecular chain terminal, and coats a polyimide or polybenzoxazole precursor on a board | substrate using the cardo resin which has a suitable structure as an additive. It is possible to prevent the degradation of optical characteristics, in particular the deterioration of sensitivity, resolution, and pattern shape, due to the problem of fine step that occurs. In addition, after curing, the film can obtain improved mechanical properties, good residue removal properties and low film shrinkage.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is presented as an example, by which the present invention is not limited and the present invention is defined only by the scope of the claims to be described later.

본 발명의 일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 가지며, 적어도 한 쪽의 말단 부분에 열중합성 관능기를 갖는 폴리벤조옥사졸 전구체; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 실란 화합물; (D) 페놀 화합물; (E) 하기 화학식 3으로 표현되는 반복단위를 갖는 카도계 수지; 및 (F) 용매를 포함한다.Positive type photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention (A) a polybenzoxazole precursor having a repeating unit represented by the following formula (1), having a thermopolymerizable functional group in at least one terminal portion; (B) photosensitive diazoquinone compound; (C) silane compound; (D) phenolic compounds; (E) cardo-based resin having a repeating unit represented by the following formula (3); And (F) a solvent.

[화학식 1] [Formula 1]

Figure 112008074031120-pat00017
Figure 112008074031120-pat00017

(상기 화학식 1에서,(In the formula 1,

X1은 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고,X 1 is an aromatic organic group or a 4-6 valent aliphatic organic group,

X2는 방향족 유기기, 2 내지 6가의 지방족 유기기, 또는 하기 화학식 2로 표현되는 구조를 갖는 작용기이고, X 2 is an aromatic organic group, a 2 to 6-valent aliphatic organic group, or a functional group having a structure represented by the following formula (2),

Y1 및 Y2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고,Y 1 and Y 2 are the same or different from each other, and each independently an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group,

m1 및 m2는 각각의 몰비율로서, m 1 and m 2 are the molar ratios of

m1+m2=100몰%이고,m 1 + m 2 = 100 mol%,

m1은 60 내지 100몰%이고,m 1 is 60-100 mol%,

m2는 0 내지 40몰%이고,m 2 is 0-40 mol%,

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112008074031120-pat00018
Figure 112008074031120-pat00018

상기 화학식 2에서,In Chemical Formula 2,

R1 및 R2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 및 하이드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 1 and R 2 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a hydroxy group,

R3 및 R4는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,R 3 and R 4 are the same or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkylene group, or a substituted or unsubstituted arylene group,

k는 1 내지 50의 정수이다.)k is an integer from 1 to 50.)

[화학식 3](3)

Figure 112008074031120-pat00019
Figure 112008074031120-pat00019

(상기 화학식 3에서,(In Chemical Formula 3,

R24 내지 R27은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고, R 24 to R 27 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a halogen atom, and a substituted or unsubstituted alkyl group,

R28 및 R29는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 원자 및 CH2ORa(Ra는 비닐기, 아크릴기, 또는 메타크릴기)로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 28 and R 29 are the same or different from each other, and are each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom and CH 2 OR a (R a is a vinyl group, an acryl group, or a methacryl group),

R30은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아크릴기, 비닐기, 및 메타크릴기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 30 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, an acryl group, a vinyl group, and a methacryl group,

Z1은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 CO, SO2, CRbRc, SiRdRe(여기에서, Rb 내지 Re는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 플루오로알킬기, 및 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것임), O, 단일결합, 및 하기 화학 식 39 내지 49로 표현되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,Z 1 is the same or different from each other, and each independently CO, SO 2 , CR b R c , SiR d R e (wherein R b to R e are the same or different from each other, and each independently hydrogen, fluoroalkyl group , And an alkyl group), O, a single bond, and a compound represented by the following Chemical Formulas 39 to 49,

Z2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 산무수물 또는 산이무수물의 잔기이다.)Z 2 is the same or different from each other, and each independently an acid anhydride or a residue of an acid dianhydride.)

[화학식 39][Formula 39]

Figure 112008074031120-pat00020
Figure 112008074031120-pat00020

[화학식 40][Formula 40]

Figure 112008074031120-pat00021
Figure 112008074031120-pat00021

[화학식 41][Formula 41]

Figure 112008074031120-pat00022
Figure 112008074031120-pat00022

[화학식 42][Formula 42]

Figure 112008074031120-pat00023
Figure 112008074031120-pat00023

[화학식 43][Formula 43]

Figure 112008074031120-pat00024
Figure 112008074031120-pat00024

(상기 화학식 43에서,(In Chemical Formula 43,

Rf는 수소 원자, 에틸기, C2H4Cl, C2H4OH, CH2CH=CH2, 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 것임)R f is selected from the group consisting of a hydrogen atom, an ethyl group, C 2 H 4 Cl, C 2 H 4 OH, CH 2 CH═CH 2 , and a phenyl group)

[화학식 44][Formula 44]

Figure 112008074031120-pat00025
Figure 112008074031120-pat00025

[화학식 45][Formula 45]

Figure 112008074031120-pat00026
Figure 112008074031120-pat00026

[화학식 46][Formula 46]

Figure 112008074031120-pat00027
Figure 112008074031120-pat00027

[화학식 47][Formula 47]

Figure 112008074031120-pat00028
Figure 112008074031120-pat00028

[화학식 48][Formula 48]

Figure 112008074031120-pat00029
Figure 112008074031120-pat00029

[화학식 49][Formula 49]

Figure 112008074031120-pat00030
Figure 112008074031120-pat00030

본 명세서에서, 특별한 언급이 없는 한 "치환된"이란 화합물의 적어도 하나의 수소가 할로겐, 알킬기, 사이클로알킬기, 아릴기, 알콕시기, 아미노기, 및 알케닐기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 것을 의미한다.In the present specification, unless otherwise specified, "substituted" means that at least one hydrogen of the compound is substituted with a substituent selected from the group consisting of halogen, alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, alkoxy group, amino group, and alkenyl group it means.

본 명세서에서, 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 탄소수 1 내지 30의 알킬기를 의미하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 15의 알킬기를 의미하고, "사이클로알킬기"란 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기를 의미하고, 보다 바람직하게는 탄소수 3 내지 18의 사이클로 알킬기를 의미하고, "알콕시기"란 탄소수 1 내지 30의 알콕시기를 의미하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 18의 알콕시기를 의미하고, "아릴기"란 탄소수 6 내지 30의 아릴기를 의미하고, 보다 바람직하게는 탄소수 6 내지 18의 아릴기를 의미하고, "알케닐기"란 탄소수 2 내지 30의 알케닐기를 의미하고, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 18의 알케닐기를 의미하고, "알킬렌기"란 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기를 의미하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 18의 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기를 의미하고, 보다 바람직하게는 탄소수 6 내지 18의 아릴렌기를 의미하고, "알리사이클릭기"란 탄소수 3 내지 40의 알리사이클릭기를 의미하고, 보다 바람직하게는 탄소수 3 내지 24의 알리사이클릭기를 의미한다.In the present specification, unless otherwise specified, "alkyl group" means an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, and "cycloalkyl group" means a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms. It means more preferably a cycloalkyl group having 3 to 18 carbon atoms, "alkoxy group" means an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably means an alkoxy group having 1 to 18 carbon atoms, "aryl Group ”means an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, more preferably an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, and“ alkenyl group ”means an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, and more preferably 2 to 30 carbon atoms. Mean an alkenyl group of 18, "alkylene group" means an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably means an alkylene group having 1 to 18 carbon atoms, "arylene Means an arylene group having 6 to 30 carbon atoms, more preferably an arylene group having 6 to 18 carbon atoms, and an "alicyclic group" means an alicyclic group having 3 to 40 carbon atoms, more preferably Means an alicyclic group having 3 to 24 carbon atoms.

이하, 본 발명의 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물의 각 성분에 대하여 구체적으로 살펴본다.Hereinafter, each component of the photosensitive resin composition according to one embodiment of the present invention will be described in detail.

(A) 폴리벤조옥사졸 전구체 ( A) polybenzoxazole precursor

상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 1로 표현되는 반복단위를 가지며, 적어도 한쪽의 말단에 열중합성 관능기를 갖는다.The polybenzoxazole precursor has a repeating unit represented by the following formula (1) and has a thermopolymerizable functional group at at least one end thereof.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112008074031120-pat00031
Figure 112008074031120-pat00031

(상기 화학식 1에서,(In the formula 1,

X1은 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고,X 1 is an aromatic organic group or a 4-6 valent aliphatic organic group,

X2는 방향족 유기기, 2 내지 6가의 지방족 유기기, 또는 하기 화학식 2로 표현되는 구조를 갖는 작용기이고, X 2 is an aromatic organic group, a 2 to 6-valent aliphatic organic group, or a functional group having a structure represented by the following formula (2),

Y1 및 Y2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고,Y 1 and Y 2 are the same or different from each other, and each independently an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group,

m1 및 m2는 각각의 몰비율로서 m1+m2=100몰%이고,m 1 and m 2 are each molar ratio m 1 + m 2 = 100 mol%,

m1은 60 내지 100몰%이고,m 1 is 60-100 mol%,

m2는 0 내지 40몰%이고,m 2 is 0-40 mol%,

[화학식 2][Formula 2]

상기 화학식 2에서,In Chemical Formula 2,

R1 내지 R2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 및 하이드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 1 to R 2 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a hydroxy group,

R3 및 R4는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,R 3 and R 4 are the same or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkylene group, or a substituted or unsubstituted arylene group,

k는 1 내지 50의 정수이다.)k is an integer from 1 to 50.)

구체적으로, 상기 X1은 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물로부터 유도될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, X 1 is 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, bis (3-amino 4-hydroxyphenyl) propane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone , 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl ) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, and combinations thereof, but is not limited thereto.

또한, 바람직하게는 상기 X1은 하기 화학식 4 또는 5로 표현되는 화합물일 수 있다.In addition, preferably X 1 may be a compound represented by the following formula (4) or (5).

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112008074031120-pat00033
Figure 112008074031120-pat00033

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112008074031120-pat00034
Figure 112008074031120-pat00034

(상기 화학식 4 및 5에서,(In Chemical Formulas 4 and 5,

A1은 O, CO, CR8R9, SO2, S, 및 단일결합으로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고, A 1 may be selected from the group consisting of O, CO, CR 8 R 9 , SO 2 , S, and a single bond,

R8 및 R9는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있으며, 바람직하게는 상기 R8 및 R9는 플루오로알킬기이고,R 8 and R 9 are the same or different from each other, and each independently may be selected from the group consisting of hydrogen and substituted or unsubstituted alkyl group, preferably R 8 and R 9 is a fluoroalkyl group,

R5 내지 R7은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 히드록시기, 카르복실산기, 및 티올기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고,R 5 to R 7 are the same or different from each other, and each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, It may be selected from the group consisting of a hydroxyl group, a carboxylic acid group, and a thiol group,

상기 n1은 1 또는 2의 정수일 수 있고,N 1 may be an integer of 1 or 2,

상기 n2 및 n3는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수일 수 있다.)N 2 and n 3 may be the same or different from each other, and may each independently be an integer of 1 to 3.)

또한, 상기 X2는 방향족 디아민, 실리콘 디아민, 및 지환족 디아민으로부터 유도될 수 있다.X 2 may also be derived from aromatic diamines, silicone diamines, and cycloaliphatic diamines.

상기 방향족 디아민의 구체적인 예로는, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 벤지딘, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 비스(4-아미노페녹시페닐)술 폰, 비스(3-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들 방향족 디아민 단량체는 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다.Specific examples of the aromatic diamine include 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane and 4,4'-diaminodiphenyl Methane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, benzidine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6- Naphthalenediamine, bis (4-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (3-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] Ether, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, and the like, but are not limited thereto. In addition, these aromatic diamine monomers can be used individually or in mixture.

상기 실리콘 디아민의 구체적인 예를 들면, 비스(4-아미노페닐)디메틸실란, 비스(4-아미노페닐)테트라메틸실록산, 비스(p-아미노페닐)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1,4-비스(γ-아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 비스(4-아미노부틸)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라페닐디실록산, 1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the silicone diamine include bis (4-aminophenyl) dimethylsilane, bis (4-aminophenyl) tetramethylsiloxane, bis (p-aminophenyl) tetramethyldisiloxane, bis (γ-aminopropyl) tetra Methyldisiloxane, 1,4-bis (γ-aminopropyldimethylsilyl) benzene, bis (4-aminobutyl) tetramethyldisiloxane, bis (γ-aminopropyl) tetraphenyldisiloxane, 1,3-bis (amino Propyl) tetramethyldisiloxane And the like, but is not limited thereto.

상기 지환족 디아민의 구체적인 예로는 시클로헥실디아민, 메틸렌비스시클로헥실아민 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the alicyclic diamine include, but are not limited to, cyclohexyldiamine, methylenebiscyclohexylamine, and the like.

또한, 상기 Y1 및 Y2는 디카르복실산의 유도체로부터 유도될 수 있다.In addition, the Y 1 and Y 2 may be derived from a derivative of dicarboxylic acid.

상기 디카르복실산 유도체의 구체적인 예로는 카르보닐 할라이드 유도체 또는 디카르복실산과 1-히드록시-1,2,3-벤조트리아졸 등을 반응시킨 활성 에스테르형 유도체인 활성 화합물을 들 수 있다. 그 예로는, 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드, 디페닐옥시디카르복실산클로라이드, 비스(페닐카르복실산클로라이드)술폰, 비스(페닐카르복실산클로라이드)에테르, 비스(페닐카르복실산클로라이드)페논, 프탈릭 카르복실산디클로라이드, 테레프탈릭산디클로라이드, 이소프탈릭 카르복실산디클로라 이드, 카르복실산디클로라이드, 디페닐옥시디카르복실레이트 벤조트리아졸 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물 등을 들 수 있다.Specific examples of the dicarboxylic acid derivative include an active compound which is a carbonyl halide derivative or an active ester derivative obtained by reacting dicarboxylic acid with 1-hydroxy-1,2,3-benzotriazole. Examples thereof include 4,4'-oxydibenzoyl chloride, diphenyloxydicarboxylic acid chloride, bis (phenylcarboxylic acid chloride) sulfone, bis (phenylcarboxylic acid chloride) ether and bis (phenylcarboxylic acid Chloride) phenone, phthalic carboxylic acid dichloride, terephthalic acid dichloride, isophthalic carboxylic acid dichloride, carboxylic acid dichloride, diphenyloxydicarboxylate benzotriazole and combinations thereof Compounds and the like.

또한, 상기 Y1 및 Y2는 하기 화학식 6 내지 8로 이루어진 군에서 선택되는 화합물인 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that Y 1 and Y 2 are compounds selected from the group consisting of the following Chemical Formulas 6 to 8.

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112008074031120-pat00035
Figure 112008074031120-pat00035

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112008074031120-pat00036
Figure 112008074031120-pat00036

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112008074031120-pat00037
Figure 112008074031120-pat00037

(상기 화학식 6 내지 8에서, (In Chemical Formulas 6 to 8,

상기 R10 내지 R13은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고, R 10 to R 13 may be the same or different from each other, and may be each independently selected from the group consisting of hydrogen and a substituted or unsubstituted alkyl group,

상기 n4, n6, 및 n7은 1 내지 4의 정수일 수 있고, n5는 1 내지 3의 정수일 수 있고, N 4 , n 6 , and n 7 may be an integer of 1 to 4, n 5 may be an integer of 1 to 3,

상기 A2는 O, CR14R15, CO, CONH, S, SO2, 및 단일결합로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있으며, 상기 R14 및 R15는 동일하거나 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 수소, 및 플로오로알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.) A 2 is O, CR 14 R 15 , CO, CONH, S, SO 2 , And it may be selected from the group consisting of a single bond, the R 14 and R 15 may be selected from the same or independently selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group, hydrogen, and fluoroalkyl group.)

상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 분자쇄 말단의 어느 한쪽 또는 양쪽에, 말단 봉쇄 단량체로부터 유도되는 열중합성 관능기를 갖는다. The polybenzoxazole precursor has a thermopolymerizable functional group derived from the terminal block monomer at either or both ends of the molecular chain terminal.

상기 말단 봉쇄 단량체로는 모노언하이드라이드류 또는 모노 카르복시산 할라이드류를 사용할 수 있다.As the terminal blocking monomer, monoanhydrides or monocarboxylic acid halides may be used.

상기 모노언하이드라이드류의 구체적인 예로는 하기 화학식 9로 표시되는 5-노보넨(norbornene)-2,3-디카르복시언하이드라이드, 하기 화학식 10으로 표시되는 3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라하이드로프탈릭언하이드라이드, 또는 하기 화학식 11로 표시되는 이소부테닐 숙시닉언하이드라이드, 말레익언하이드라이드, 아코니틱언하이드라이드(aconitic anhydride), 3,4,5,6-테트라하이드로프탈릭언하이드라이드(3,4,5,6-tetrahydrophthalic anhydride), 시스-1,2,3,6,-테트라하이드로프탈릭언하이드라이드(cis-1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride), 이타코닉언하이드라이드(itaconic anhydride: IA), 시트라코닉언하이드라이드(citraconicanhydride: CA), 2,3-디메틸말레익 언하이드라이드(2,3-dimethylmaleicanhydride: DMMA) 등을 들 수 있다.Specific examples of the monoanhydrides include 5-norbornene-2,3-dicarboxylic hydride represented by the following Chemical Formula 9, 3,6-epoxy-1,2, represented by the following Chemical Formula 10, 3,6-tetrahydrophthalic hydride or isobutenyl succinic hydride, maleic hydride, aconitic anhydride represented by the following formula (11), 3,4,5,6-tetra Hydrophthalic hydride (3,4,5,6-tetrahydrophthalic anhydride), cis-1,2,3,6, -tetrahydrophthalic anhydride (cis-1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride ), Itaconic anhydride (IA), citraconicanhydride (CA), 2,3-dimethylmaleic anhydride (DMMA) And the like.

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112008074031120-pat00038
Figure 112008074031120-pat00038

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112008074031120-pat00039
Figure 112008074031120-pat00039

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112008074031120-pat00040
Figure 112008074031120-pat00040

또한, 화학식 12 내지 16은 폴리벤조옥사졸 전구체의 말단에 결합하는 열중합성 관능기의 대표적인 예로서, 이러한 열중합성 관능기는 가열하는 공정에서 가교될 수 있다.In addition, Chemical Formulas 12 to 16 are representative examples of the thermopolymerizable functional group bonded to the terminal of the polybenzoxazole precursor, and the thermopolymerizable functional group may be crosslinked in the heating process.

[화학식 12] [Formula 12]

Figure 112008074031120-pat00041
Figure 112008074031120-pat00041

(상기 화학식 12에서, (In Chemical Formula 12,

R16은 H, CH2COOH, 또는 CH2CHCHCH3임)R 16 is H, CH 2 COOH, or CH 2 CHCHCH 3

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112008074031120-pat00042
Figure 112008074031120-pat00042

(상기 화학식 13에서, (In Chemical Formula 13,

R17 및 R18은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 H 또는 CH3이다.)R 17 and R 18 are the same or different from each other, and each independently H or CH 3. )

[화학식 14][Formula 14]

Figure 112008074031120-pat00043
Figure 112008074031120-pat00043

[화학식 15][Formula 15]

Figure 112008074031120-pat00044
Figure 112008074031120-pat00044

(상기 화학식 15에서, (In Chemical Formula 15,

R19는 H 또는 CH3이고, R20은 CH2 또는 O이다.)R 19 is H or CH 3 and R 20 is CH 2 or O.

[화학식 16][Formula 16]

Figure 112008074031120-pat00045
Figure 112008074031120-pat00045

(상기 화학식 16에서, (In Chemical Formula 16,

R21 및 R22는 동일하거나 서로 독립적으로, H, CH3 또는 OCOCH3이다.)R 21 and R 22 are the same or independently of each other, H, CH 3 or OCOCH 3. )

상기 모노 카르복실산 할라이드류로는 하기 화학식 17로 표시되는 것을 사용할 수 있다.As the mono carboxylic acid halides, those represented by the following formula (17) can be used.

[화학식 17][Formula 17]

Figure 112008074031120-pat00046
Figure 112008074031120-pat00046

(상기 화학식 17에서,(In Formula 17,

R23는 치환 또는 비치환된 알리사이클릭(alicyclic)기, 및 치환 또는 비치환된 아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있으며,R 23 may be selected from a group consisting of a substituted or unsubstituted alicyclic group, and a substituted or unsubstituted aryl group,

상기 치환된 알리사이클릭기 또는 치환된 아릴기는 치환 또는 비치환된 나디미도기, 치환 또는 비치환된 알리사이클릭기, 치환 또는 비치환된 알리사이클릭기와 아릴기의 융합링으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 치환된 것일 수 있으 며, 이때 알리사이클릭기는 말레이미드기인 것이 가장 바람직하고, The substituted alicyclic group or substituted aryl group is selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted namidido group, a substituted or unsubstituted alicyclic group, a substituted or unsubstituted alicyclic group and an aryl group fused ring. It may be substituted with a substituent, wherein the alicyclic group is most preferably a maleimide group,

상기 Z1은 F, Cl, Br, 또는 I이다)Z 1 is F, Cl, Br, or I)

상기 모노 카르복시산 할라이드류의 구체적인 예로는, 하기 18로 표시되는 5-노보넨-2-카르복시산 클로라이드, 하기 화학식 19로 표시되는 4-나디미도 벤조일 클로라이드, 하기 화학식 20으로 표시되는 4-(4-페닐에티닐프탈이미도)벤조일 클로라이드, 하기 화학식 21로 표시되는 4-(2-페닐말레익이미도)벤조일 클로라이드, 하기 화학식 22로 표시되는 벤조일클로라이드, 하기 화학식 23으로 표시되는 사이클로 벤조일 클로라이드, 4-(3-페닐에티닐프탈이미도)벤조일클로라이드, 4-말레이미도 벤조일클로라이드를 바람직하게 사용할 수 있다. 이들은 단독 또는 서로 혼합하여 사용하는 것도 가능하다.Specific examples of the monocarboxylic acid halides include 5-norbornene-2-carboxylic acid chloride represented by the following 18, 4-namidido benzoyl chloride represented by the following formula 19, and 4- (4-phenyl represented by the following formula 20: Ethynylphthalimido) benzoyl chloride, 4- (2-phenylmaleicimido) benzoyl chloride represented by the following formula 21, benzoyl chloride represented by the following formula 22, cyclo benzoyl chloride represented by the following formula 23, 4- (3-phenylethynylphthalimido) benzoyl chloride and 4-maleimido benzoyl chloride can be preferably used. These can also be used individually or in mixture with each other.

[화학식 18][Formula 18]

Figure 112008074031120-pat00047
Figure 112008074031120-pat00047

[화학식 19][Formula 19]

Figure 112008074031120-pat00048
Figure 112008074031120-pat00048

[화학식 20][Formula 20]

Figure 112008074031120-pat00049
Figure 112008074031120-pat00049

[화학식 21] [Formula 21]

Figure 112008074031120-pat00050
Figure 112008074031120-pat00050

[화학식 22][Formula 22]

Figure 112008074031120-pat00051
Figure 112008074031120-pat00051

[화학식 23][Formula 23]

Figure 112008074031120-pat00052
Figure 112008074031120-pat00052

본 발명에서 상기 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균 분자량(Mw)은 3,000 내지 300,000의 범위를 갖는 것이 바람직하다. 중량평균 분자량이 상기 범위인 경우, 충분한 물성이 얻어지며, 유기 용매에 대한 용해성이 높아 취급이 용이하여 바람직하다.In the present invention, the weight average molecular weight (Mw) of the polybenzoxazole precursor is preferably in the range of 3,000 to 300,000. When the weight average molecular weight is in the above range, sufficient physical properties are obtained, solubility in organic solvents is high, and handling is preferable.

(B) 감광성 디아조퀴논 화합물(B) photosensitive diazoquinone compound

상기 감광성 디아조퀴논 화합물로는 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 이는 미국특허 제2,772,975호, 제2,797,213호, 또는 제3,669,658호에 의해 공지된 물질이며, 이들 특허의 내용은 본 명세서에 참고로 언급되어 있다.As the photosensitive diazoquinone compound, a compound having a 1,2-benzoquinonediazide structure or a 1,2-naphthoquinonediazide structure can be preferably used. It is a material known by US Pat. Nos. 2,772,975, 2,797,213, or 3,669,658, the contents of which are incorporated herein by reference.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 24 내지 28로 표현되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Representative examples of the photosensitive diazoquinone compound may include a compound represented by the following Chemical Formulas 24 to 28, but is not limited thereto.

[화학식 24][Formula 24]

Figure 112008074031120-pat00053
Figure 112008074031120-pat00053

(상기 화학식 24에서, (In Chemical Formula 24,

R31 내지 R33은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 바람직하게는 CH3일 수 있고, R 31 to R 33 may be the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably CH 3 ,

상기 D1 내지 D3는 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, D 1 to D 3 may be each independently OQ,

상기 Q는 수소, 하기 화학식 25-1, 또는 화기 화학식 25-2로 표현되는 것일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소일 수는 없고,Q may be represented by hydrogen, Chemical Formula 25-1, or Chemical Formula 25-2, wherein Q may not be hydrogen at the same time,

상기 n31 내지 n33은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.) N 31 to n 33 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 3.)

[화학식 25-1][Formula 25-1]

Figure 112008074031120-pat00054
Figure 112008074031120-pat00054

[화학식 25-2][Formula 25-2]

Figure 112008074031120-pat00055
Figure 112008074031120-pat00055

[화학식 26][Formula 26]

Figure 112008074031120-pat00056
Figure 112008074031120-pat00056

(상기 화학식 26에서,(In Formula 26,

R34는 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 D4 내지 D6은 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, R 34 is hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group, and D 4 to D 6 may be each independently OQ,

상기 Q는 화학식 24에 정의된 것과 동일하고, Q is the same as defined in Formula 24,

상기 n34 내지 n36은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.)N 34 to n 36 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 3.)

[화학식 27][Formula 27]

Figure 112008074031120-pat00057
Figure 112008074031120-pat00057

(상기 화학식 27에서, (In Chemical Formula 27,

A3는 CO 또는 CRR'일 수 있고, 상기 R 및 R'은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,A 3 may be CO or CRR ′ and R is And R 'are the same or different from each other, and each independently may be a substituted or unsubstituted alkyl group,

D7 내지 D10은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, OQ, 또는 NHQ일 수 있고, D 7 to D 10 are the same or different from each other, and each independently may be hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, OQ, or NHQ,

상기 Q는 화학식 24에 정의된 것과 동일하고,Q is the same as defined in Formula 24,

상기 n37, n38, n39, 및 n40은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,N 37 , n 38 , n 39 , and n 40 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 4,

n37+n38 및 n39+n40은 각각 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있고,n 37 + n 38 and n 39 + n 40 may be each independently an integer of 5 or less,

단, 상기 D7 내지 D8중 적어도 하나는 OQ이며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 4개로 포함될 수 있다.)However, at least one of D 7 to D 8 may be OQ, one aromatic ring may include 1 to 3 OQs, and the other aromatic ring may include 1 to 4 OQs.)

[화학식 28][Formula 28]

Figure 112008074031120-pat00058
Figure 112008074031120-pat00058

(상기 화학식 28에서, (In Chemical Formula 28,

R35 내지 R42는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, R 35 to R 42 may be the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n41 및 n42는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고, 보다 바람직하게는 2 내지 4의 정수일 수 있고, n 41 and n 42 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 1 to 5, more preferably an integer of 2 to 4,

Q는 화학식 24에 정의된 것과 동일하다.)Q is the same as defined in formula 24.)

상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 상기 폴리벤조옥사사졸 전구체 100 중량부에 대하여 5 내지 100 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 상기 범위일 때는 노광에 의해 잔사 없이 패턴 형성이 잘되며, 현상시 막 두께 손실이 없고 양호한 패턴을 얻을 수 있다.The photosensitive diazoquinone compound is preferably included in an amount of 5 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor. When the content of the photosensitive diazoquinone compound is within the above range, the pattern is well formed without residue by exposure, and there is no loss of film thickness during development, and a good pattern can be obtained.

(C) 실란 화합물(C) silane compound

상기 실란 화합물은 감광성 수지 조성물과 기판과의 밀착력을 향상시킬 수 있다. The said silane compound can improve the adhesive force of the photosensitive resin composition and a board | substrate.

상기 실란 화합물로는 하기 화학식 29로 표현되는 것을 사용할 수 있다.As the silane compound, those represented by the following Chemical Formula 29 may be used.

[화학식 29][Formula 29]

Figure 112008074031120-pat00059
Figure 112008074031120-pat00059

상기 화학식 29에서, In Chemical Formula 29,

R61은 비닐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 및 치환 또는 비치환된 아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고, 바람직하게는 3-(메타)크릴옥시프로필, p-스티릴, 또는 3-(페닐아미노)프로필일 수 있다.R 61 may be selected from the group consisting of a vinyl group, a substituted or unsubstituted alkyl group, and a substituted or unsubstituted aryl group, and preferably 3- (meth) acryloxypropyl, p-styryl, or 3- (Phenylamino) propyl.

상기 R62 내지 R64는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 및 할로겐으로 이루어진 군에서 선택되는 것이며, 이때 R62 내지 R64 중 적어도 하나는 알콕시기 또는 할로겐이고, 바람직하게는 상기 알콕시기는 탄소수 1 내지 8의 알콕시기이고, 상기 알킬기는 탄소수 1 내지 20의 알킬기일 수 있다. R 62 to R 64 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted alkyl group, and halogen, wherein at least one of R 62 to R 64 Is an alkoxy group or halogen, preferably the alkoxy group is an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, the alkyl group may be an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

상기 실란 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 30 및 31로 표현되는 화합물; 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 등의 아릴기를 갖는 실란 화합물; 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐 트리클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란; 또는 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, p-스티릴 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디 에톡시실란 등의 탄소-탄소 불포화 결합을 함유하는 실란 화합물을 들 수 있으며, 가장 바람직하게는 비닐트리메톡시실란 또는 비닐트리에톡시실란을 들 수 있다.Representative examples of the silane compound include compounds represented by the following Chemical Formulas 30 and 31; Silane compounds having an aryl group such as trimethoxy [3- (phenylamino) propyl] silane; Vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyl trichlorosilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane; Or 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, p-styryl trimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldi Silane compounds containing carbon-carbon unsaturated bonds, such as ethoxysilane, are mentioned, Most preferably, vinyl trimethoxysilane or vinyl triethoxysilane is mentioned.

[화학식 30][Formula 30]

Figure 112008074031120-pat00060
Figure 112008074031120-pat00060

(상기 화학식 30에서, (In Chemical Formula 30,

R65는 NH2 또는 CH3CONH이고, R66 내지 R68은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알콕시기이고, 바람직하게는 상기 알콕시기는 OCH3 또는 OCH2CH3일 수 있고, n61은 1 내지 5의 정수일 수 있다.)R 65 is NH 2 or CH 3 CONH, R 66 to R 68 are the same or different from each other, each independently represent a substituted or unsubstituted alkoxy group, preferably the alkoxy group is OCH 3 or OCH 2 CH 3 And n 61 may be an integer of 1 to 5.)

[화학식 31][Formula 31]

Figure 112008074031120-pat00061
Figure 112008074031120-pat00061

(상기 화학식 31에서, (In Chemical Formula 31,

R69 내지 R72는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기 및 치환 또는 비치환된 알콕시기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고, 바람직하게는 CH3 또는 OCH3일 수 있고, R 69 to R 72 are the same or different from each other, and each independently may be selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group and a substituted or unsubstituted alkoxy group, preferably CH 3 or OCH 3 ,

상기 R73 및 R74는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아미노기이고, 바람직하게는 NH2 또는 CH3CONH일 수 있고R 73 and R 74 are the same or different from each other, each independently represent a substituted or unsubstituted amino group, preferably NH 2 or CH 3 CONH,

상기 n62 및 n63은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.)N 62 and n 63 may be the same or different from each other, and may each independently be an integer of 1 to 5.)

상기 실란 화합물은 상기 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부로 사용될 수 있다. 실란 화합물의 함량이 상기 범위인 경우 상하부 막 층과의 접착력이 우수하며, 현상 후 잔막이 남지 않고, 광특성(투과율) 및 인장강도, 연신률, 영률 등의 막의 기계적 물성을 향상시킬 수 있어 바람직하다.The silane compound may be used in an amount of 0.1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor. When the content of the silane compound is in the above range, the adhesion with the upper and lower membrane layers is excellent, and since the residual film does not remain after development, the optical properties (transmittance) and mechanical properties such as tensile strength, elongation, and Young's modulus can be improved. .

(D) 페놀 화합물(D) phenolic compounds

상기 페놀기 함유 화합물은 알칼리 수용액으로 현상시 노광부의 용해 속도 및 감도를 증가시킬 수 있고, 또한 현상시 잔류물(scum)없이 고해상도로 패터닝할 수 있는 역할을 한다.The phenol group-containing compound can increase the dissolution rate and sensitivity of the exposed portion during development with an aqueous alkali solution, and also serves to pattern at high resolution without a residue during development.

상기 페놀 화합물의 구체적인 예로는 하기 화학식 32 내지 38로 표현되는 것 등을 들 수 있으나, 이들에 한정되지 않는다.Specific examples of the phenolic compound may be represented by the following Chemical Formulas 32 to 38: Although these etc. are mentioned, It is not limited to these.

[화학식 32][Formula 32]

Figure 112008074031120-pat00062
Figure 112008074031120-pat00062

(상기 화학식 32에서, (In Chemical Formula 32,

R91 내지 R93은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, R 91 to R 93 are the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

R94 내지 R98는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 H, OH, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, 바람직하게는 상기 알킬기는 CH3일 수 있고, R 94 to R 98 are the same or different from each other, and each independently may be selected from the group consisting of H, OH, and a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably the alkyl group may be CH 3 ,

n91은 1 내지 5의 정수일 수 있다.)n 91 may be an integer from 1 to 5.

[화학식 33][Formula 33]

Figure 112008074031120-pat00063
Figure 112008074031120-pat00063

(상기 화학식 33에서, (In Chemical Formula 33,

상기 R99 내지 R104는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 H, OH, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택될 수 있고,R 99 to R 104 are the same or different from each other, and each independently may be selected from the group consisting of H, OH, and a substituted or unsubstituted alkyl group,

A4는 CR'R'' 또는 단일결합일 수 있고, 상기 R' 및 R''은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,A 4 may be CR′R ″ or a single bond, and R ′ and R ″ may be the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

바람직하게는 상기 알킬기는 CH3일 수 있고, Preferably the alkyl group may be CH 3 ,

n92+n93+n94 및 n95+n96+n97은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있다.)n 92 + n 93 + n 94 and n 95 + n 96 + n 97 are the same or different from each other, and may each independently be an integer of 5 or less.)

[화학식 34][Formula 34]

Figure 112008074031120-pat00064
Figure 112008074031120-pat00064

(상기 화학식 34에서, (In Chemical Formula 34,

상기 R105 내지 R107은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 105 to R 107 may be the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

상기 n98, n99, 및 n102은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고,N 98 , n 99 , and n 102 may be the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 5,

상기 n100 및 n101은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있다.)N 100 and n 101 may be the same or different from each other, and may each independently be an integer of 0 to 4.)

[화학식 35][Formula 35]

Figure 112008074031120-pat00065
Figure 112008074031120-pat00065

(상기 화학식 35에서,(In Chemical Formula 35,

R108 내지 R113은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, OH, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고,R 108 to R 113 are the same or different from each other, and each independently may be selected from the group consisting of hydrogen, OH, and a substituted or unsubstituted alkyl group,

n103 내지 n106은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고, n 103 to n 106 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 1 to 4,

단, n103+n105 및 n104+n106은 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.)Provided that n 103 + n 105 and n 104 + n 106 are each independently an integer of 5 or less.)

[화학식 36][Formula 36]

Figure 112008074031120-pat00066
Figure 112008074031120-pat00066

(상기 화학식 36에서,(In Formula 36,

R114는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 바람직하게는 CH3일 수 있고,R 114 may be a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably CH 3 ,

R115 내지 R117은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 115 to R 117 are the same or different from each other, and may each independently be hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n107, n109, 및 n111은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고,n 107 , n 109 , and n 111 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 1 to 5,

n108, n110, 및 n112는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있고,n 108 , n 110 , and n 112 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 0 to 4,

단, n107+n108, n109+n110, 및 n111+n112는 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.)Provided that n 107 + n 108 , n 109 + n 110 , and n 111 + n 112 are each independently an integer of 5 or less.)

[화학식 37][Formula 37]

Figure 112008074031120-pat00067
Figure 112008074031120-pat00067

(상기 화학식 37에서,(In Chemical Formula 37,

R118, R119, 및 R120은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, 바람직하게는 CH3일 수 있고,R 118 , R 119 , and R 120 are the same or different from each other, and may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably CH 3 ,

R121 내지 R124는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 121 to R 124 may be the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n113, n115, 및 n118은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고, n 113 , n 115 , and n 118 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 1 to 5,

n114, n116, 및 n117은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있고,n 114 , n 116 , and n 117 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 0 to 4,

n119는 1 내지 4의 정수일 수 있고,n 119 may be an integer from 1 to 4,

단, n113+n114, n115+n116, 및 n117+n118은 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.)Provided that n 113 + n 114 , n 115+ n 116 , and n 117 + n 118 are each independently an integer of 5 or less.)

[화학식 38][Formula 38]

Figure 112008074031120-pat00068
Figure 112008074031120-pat00068

(상기 화학식 38에서,(In Chemical Formula 38,

R125는 알킬기, 아릴기, 및 비닐기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.)R 125 may be selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, and a vinyl group.)

상기 페놀 화합물은 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 1 내지 30 중량부로 사용되는 것이 바람직하다. 상기 페놀 화합물의 함량이 상기범위일 때는 현상시 감도 저하를 유발하지 않고, 비노광부의 용해 속도를 적당하게 증가시켜 양호한 패턴을 얻을 수 있으며, 또한 냉동보관시 석출이 일어나지 않아 우수한 보관안정성을 나타낼 수 있어 바람직하다.The phenolic compound is preferably used in 1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor. When the content of the phenolic compound is in the above range, it does not cause a decrease in sensitivity during development, and moderately increases the dissolution rate of the non-exposed part to obtain a good pattern, and does not cause precipitation during freezing storage, thus showing excellent storage stability. It is preferable.

(E) 카도계 수지(E) cardo resin

상기 카도계 수지는 하기 화학식 3으로 표현되는 반복단위를 갖는 중합체이다.The cardo-based resin is a polymer having a repeating unit represented by the following formula (3).

[화학식 3](3)

Figure 112008074031120-pat00069
Figure 112008074031120-pat00069

(상기 화학식 3에서,(In Chemical Formula 3,

R24 내지 R27은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고, R 24 to R 27 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a halogen atom, and a substituted or unsubstituted alkyl group,

R28 및 R29는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 원자 및 CH2ORa(Ra는 비닐기, 아크릴기 또는 메타크릴기)로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 28 and R 29 are the same or different from each other, and are each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom and CH 2 OR a (R a is a vinyl group, an acryl group or a methacryl group),

R30은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아크릴기, 비닐기, 및 메타크릴기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 30 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, an acryl group, a vinyl group, and a methacryl group,

Z1은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 CO, SO2, CRbRc, SiRdRe(여기에서, Rb 내지 Re는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 플루오로 알킬기, 및 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것임), O, 단일결합, 및 하기 화학식 39 내지 49로 표현되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,Z 1 is the same or different from each other, and each independently CO, SO 2 , CR b R c , SiR d R e (wherein R b to R e are the same or different from each other, and each independently hydrogen, fluoroalkyl group And, it is selected from the group consisting of an alkyl group), O, a single bond, and selected from the group consisting of compounds represented by the following formula 39 to 49,

Z2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 산무수물 또는 산이무수물의 잔기이다.)Z 2 is the same or different from each other, and each independently an acid anhydride or a residue of an acid dianhydride.)

[화학식 39][Formula 39]

Figure 112008074031120-pat00070
Figure 112008074031120-pat00070

[화학식 40][Formula 40]

Figure 112008074031120-pat00071
Figure 112008074031120-pat00071

[화학식 41][Formula 41]

Figure 112008074031120-pat00072
Figure 112008074031120-pat00072

[화학식 42][Formula 42]

Figure 112008074031120-pat00073
Figure 112008074031120-pat00073

[화학식 43][Formula 43]

Figure 112008074031120-pat00074
Figure 112008074031120-pat00074

(상기 화학식 43에서,(In Chemical Formula 43,

Rf는 수소 원자, 에틸기, C2H4Cl, C2H4OH, CH2CH=CH2, 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 것임)R f is selected from the group consisting of a hydrogen atom, an ethyl group, C 2 H 4 Cl, C 2 H 4 OH, CH 2 CH═CH 2 , and a phenyl group)

[화학식 44][Formula 44]

Figure 112008074031120-pat00075
Figure 112008074031120-pat00075

[화학식 45][Formula 45]

Figure 112008074031120-pat00076
Figure 112008074031120-pat00076

[화학식 46][Formula 46]

Figure 112008074031120-pat00077
Figure 112008074031120-pat00077

[화학식 47][Formula 47]

Figure 112008074031120-pat00078
Figure 112008074031120-pat00078

[화학식 48][Formula 48]

Figure 112008074031120-pat00079
Figure 112008074031120-pat00079

[화학식 49][Formula 49]

Figure 112008074031120-pat00080
Figure 112008074031120-pat00080

상기 카도계 수지는 하기 화학식 50으로 표현되는 카도계 화합물을 테트라카르복실산 2무수물과 반응시켜 얻을 수 있다. The cardo-based resin may be obtained by reacting a cardo-based compound represented by Formula 50 with tetracarboxylic dianhydride.

[화학식 50][Formula 50]

Figure 112008074031120-pat00081
Figure 112008074031120-pat00081

상기 테트라카르복시산 2무수물은 방향족 테트라카르복시산 2무수물인 것이 바람직하다. 그 예로는 피로멜릭산 2무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복시산 2무수물, 2,3,3',4-비페닐테트라카르복시산 2무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복시산 2무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복시산 2무수물, 3,3',4,4'-비페닐에테르테트라카르복시산 2무수물, 3,3',4,4'-디페닐설폰테트라카르복시산 2무수물, 1,2,3,4-사이클로펜탄테트라카르복시산 2무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복시산 2무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복시산 2무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복시산 2무수물, 2,3,5,6-피리딘테트라카르복시산 2무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복시산 2무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 2무수물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.It is preferable that the said tetracarboxylic dianhydride is aromatic tetracarboxylic dianhydride. Examples include pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3', 4-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 3,3 '-Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenylethertetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4 , 4'-diphenylsulfontetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalene Tetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,5,6-pyridinetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2, 2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride and the like, but are not limited thereto.

상기 카도계 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 5 중량부 사용되는 것이 바람직하다. 상기 카도계 수지의 함량이 상기 범위일 때는, 평탄화 효과를 얻을 수 있어, 감도 및 패턴성 등의 광특성 향상 효과를 얻을 수 있 으며, 경화후 막의 접착력과 내열성이 우수하다. The cardo-based resin is preferably used 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor. When the content of the cardo-based resin is in the above range, it is possible to obtain a flattening effect, to obtain an optical characteristic improvement effect such as sensitivity and patternability, and excellent adhesion and heat resistance of the film after curing.

상기 카도계 수지는 고점도의 폴리이미드 또는 폴리벤조옥사졸 전구체를 포함하는 감광성 수지 조성물의 균일도를 높이며, 스핀 코팅(spin coating)시 위 화합물의 표면장력을 일정부분 완화시켜 얻어지는 막의 평탄화를 가능하게 한다. 이 평탄화 작용으로 인하여 기존 조성물 사용시 발생하던 미세 단차를 없앨 수 있어 노광시 막 표면에서 발생하는 난반사 또는 굴절 등의 해로운 영향을 방지할 수 있다. 따라서, 고감도, 해상도, 패턴성 향상 등의 효과를 얻을 수 있다. 또한, 열경화 후 제조되는 막이 기존 조성물을 이용할 때 보다 더욱 균일하여, 막의 기계적 물성이 향상될 수 있으며, 카도계 수지의 모노머에 포함되어 있는 아크릴 관능기가 폴리벤조옥사졸 말단의 열중합성 관능기와 가교하여 기계적 물성을 더욱 향상시킬 수 있다. The cardo-based resin increases the uniformity of the photosensitive resin composition including a high viscosity polyimide or polybenzoxazole precursor and enables flattening of the film obtained by partially relieving the surface tension of the compound during spin coating. . Due to the planarization effect, it is possible to eliminate the micro step generated when the existing composition is used, thereby preventing harmful effects such as diffuse reflection or refraction generated on the surface of the film during exposure. Therefore, effects such as high sensitivity, resolution, and patternability can be obtained. In addition, the film produced after thermal curing is more uniform than when using the existing composition, the mechanical properties of the film can be improved, and the acrylic functional group contained in the monomer of the cardo resin, crosslinked with the thermopolymerizable functional group at the end of the polybenzoxazole To further improve the mechanical properties.

(F) 용매(F) solvent

상기 용매는 유기용매를 사용하며, 바람직하게는 N-메틸-2-피롤리돈, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸아세테이트, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산부틸, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 용매는 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.The solvent is an organic solvent, preferably N-methyl-2-pyrrolidone, gamma-butyrolactone, N, N-dimethyl acetate, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl Ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1 , 3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxy propionate Etc. may be used, but the present invention is not limited thereto. The solvent may be used alone or in combination.

상기 용매는 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여, 200 내지 900 중량부로 사용되는 것이 바람직하다. 상기 용매의 함량이 상기 범위일 때는 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있으며, 용해도 및 코팅성이 우수하여 바람직하다. The solvent is preferably used in an amount of 200 to 900 parts by weight based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor. When the content of the solvent is in the above range, it is possible to coat a film of sufficient thickness, it is preferable because of excellent solubility and coating properties.

(G) 기타 첨가제(G) other additives

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (A) 내지 (F)의 성분 이외의 (G) 기타 첨가제를 더욱 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition of this invention can further contain (G) other additives other than the component of (A)-(F).

상기 기타 첨가제로는 열잠재 산발생제를 들 수 있다. 상기 열잠재 산발생제로는 p-톨루엔 술폰산, 벤젠술폰산과 같은 알릴술폰산; 트리플루오르메탄술폰산, 플루오르부탄술폰산과 같은 퍼플루오르알킬 술폰산; 메탄 술폰산, 에탄 술폰산, 부탄 술폰산과 같은 알킬 술폰산; 및 이들의 혼합물을 바람직하게 사용할 수 있다.The other additives include heat latent acid generators. Examples of the heat latent acid generator include allyl sulfonic acid such as p-toluene sulfonic acid and benzene sulfonic acid; Perfluoroalkyl sulfonic acids such as trifluoromethanesulfonic acid and fluorobutanesulfonic acid; Alkyl sulfonic acids such as methane sulfonic acid, ethane sulfonic acid, butane sulfonic acid; And mixtures thereof.

상기 열잠재 산발생제는 폴리벤조옥사졸 전구체의 페놀성 수산기 함유 폴리아마이드 구조의 탈수화 반응과, 고리화 반응을 위한 촉매로써 경화온도를 낮추어도 고리화 반응을 원활히 진행할 수 있다. The heat latent acid generator may smoothly proceed with the cyclization reaction even if the curing temperature is lowered as a catalyst for the dehydration reaction of the phenolic hydroxyl group-containing polyamide structure of the polybenzoxazole precursor and the cyclization reaction.

또한, 막 두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상하기 위해 적당한 계면활성제 또는 레빌링제를 첨가제로 더욱 사용할 수도 있다.Moreover, in order to prevent the film | membrane of a film thickness, or to improve developability, you may further use a suitable surfactant or reveling agent as an additive.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 패턴을 형성하는 공정은 포지티브형 감광성 수지 조성물을 지지 기판상에 도포하는 공정; 상기 도포된 조성물을 건조하여 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 막을 형성하는 공정; 상기 폴리벤조옥사졸 전구체 막을 노광하는 공정; 상기 노광된 폴리벤조옥사졸 전구체 막을 알칼리 수용액으로 현상하여 감광성 수지막을 제조하는 공정; 및 상기 감광성 수지막을 가열하는 공정을 포함한다. 감광성 수지 조성물을 도포하고, 노광, 현상하여 패턴을 형성하는 공정상의 조건 등에 대해서는 당해 분야에 널리 알려진 사항이므로 본 명세서에서 자세한 설명은 생략하기로 한다. The process of forming a pattern using the positive photosensitive resin composition of this invention is a process of apply | coating a positive photosensitive resin composition on a support substrate; Drying the applied composition to form a photosensitive polybenzoxazole precursor film; Exposing the polybenzoxazole precursor film; Developing the exposed polybenzoxazole precursor film with an aqueous alkali solution to produce a photosensitive resin film; And heating the photosensitive resin film. Process conditions for applying the photosensitive resin composition, exposing and developing the pattern, etc. are well known in the art, so detailed description thereof will be omitted herein.

본 발명의 다른 구현예에 따르면, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막이 제공된다. 상기 감광성 수지막의 바람직한 예로는 절연막 또는 보호막을 들 수 있다. 또한 본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자가 제공된다. 본 발명의 조성물은 반도체 소자에서 절연막, 페시베이션층, 또는 버퍼 코팅층에 유용하게 사용될 수 있다. 즉, 본 발명의 조성물은 반도체 장치의 표면 보호막 및 층간 절연막으로 유용하게 사용될 수 있다. According to another embodiment of the present invention, there is provided a photosensitive resin film prepared using the positive photosensitive resin composition. Preferable examples of the photosensitive resin film include an insulating film or a protective film. In addition, according to another embodiment of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising a photosensitive resin film prepared using the photosensitive resin composition of the present invention. The composition of the present invention can be usefully used for an insulating film, a passivation layer, or a buffer coating layer in a semiconductor device. That is, the composition of the present invention can be usefully used as a surface protective film and an interlayer insulating film of a semiconductor device.

이하, 실시예를 들어 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명할 것이나, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the following Examples are only preferred examples of the present invention, and the present invention is not limited to the following Examples.

<합성예 1>: 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-1)의 합성Synthesis Example 1 Synthesis of Polybenzoxazole Precursor (PBO-1)

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치, 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3,-헥 사플로 오로프로판 17.4g과 1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산 0.86g을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 280g을 넣어 용해시켰다. 이때 얻어진 용액 중에서 고형분 함량은 9 중량%이었다.While passing nitrogen through a four-necked flask equipped with a stirrer, a thermostat, a nitrogen gas injector, and a cooler 17.4 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3, -hexaflouropropane and 1,3-bis (aminopropyl) tetramethyldi 0.86 g of siloxane was added and 280 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added to dissolve it. Solid content in the solution obtained at this time was 9 weight%.

고체가 완전 용해되면 피리딘을 9.9g 투입하고, 온도를 0~5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드 13.3g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 142g에 넣어 용해시킨 용액을 30분간 천천히 적하하였다. 적하 후 1시간 동안 온도 0 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 반응을 수행하였다. When the solid is completely dissolved, 9.9 g of pyridine is added and 13.3 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride is added to 142 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C. The solution was slowly added dropwise for 30 minutes. After dropping, the reaction was carried out at a temperature of 0 to 5 ° C. for 1 hour, and the reaction was carried out for 1 hour by raising the temperature to room temperature.

여기에 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드를 1.6g을 투입하고 70℃에서 24시간 교반하여 반응을 종료하였다. 반응혼합물을 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후. 온도 80℃의 진공하에서 24시간 이상 건조하여 중량평균 분자량이 11,000인 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-1)을 제조하였다. 1.6 g of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic hydride was added thereto, followed by stirring at 70 ° C for 24 hours to complete the reaction. The reaction mixture was poured into a solution of water / methanol = 10/1 (volume ratio) to form a precipitate, and the precipitate was filtered and sufficiently washed with water. It dried under the vacuum of 80 degreeC for more than 24 hours, and produced the polybenzoxazole precursor (PBO-1) which has a weight average molecular weight of 11,000.

<실시예 1> &Lt; Example 1 >

합성예 1에서 얻은 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-1) 10g을 γ-부티로락톤(GBL) 35.0g에 첨가하여 녹인 후 하기 화학식 24a의 구조를 가지는 감광성 디아조퀴논 1g, 하기 화학식 29a의 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 0.02g, 에틸레소시놀(ethylresorcinol) 0.5g, 및 카도계 수지(NSCC, V-259ME) 0.1g을 넣고 용해한 후 0.45㎛의 플루오르 수지제 필터로 여과하여 포지티브형 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물을 얻었다.10 g of the polybenzoxazole precursor (PBO-1) obtained in Synthesis Example 1 was dissolved in 35.0 g of γ-butyrolactone (GBL), followed by melting 1 g of photosensitive diazoquinone having the structure of Formula 24a, and a tree of Formula 29a. 0.02 g of methoxy [3- (phenylamino) propyl] silane, 0.5 g of ethylresorcinol, and 0.1 g of cardo-based resin (NSCC, V-259ME) were added and dissolved in a 0.45 µm fluorine resin filter. Filtration gave a positive photosensitive polybenzoxazole precursor composition.

[화학식 24a][Formula 24a]

Figure 112008074031120-pat00082
Figure 112008074031120-pat00082

(상기 식에서, Q1, Q2 및 Q3 중 둘은 하기 화학식 25-1로 치환되어 있고, 나머지 하나는 수소이다.)(In the above formula, two of Q 1 , Q 2 and Q 3 are substituted with the following Formula 25-1, and the other is hydrogen.)

[화학식 25-1][Formula 25-1]

Figure 112008074031120-pat00083
Figure 112008074031120-pat00083

[화학식 29a][Formula 29a]

Figure 112008074031120-pat00084
Figure 112008074031120-pat00084

<실시예 2> <Example 2>

카도계 수지의 함량을 0.5g로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 감광성 수지 조성물을 얻었다.Except having changed the content of cardo resin to 0.5g, it carried out similarly to Example 1, and obtained the photosensitive resin composition.

<실시예 3> <Example 3>

카도계 수지의 함량을 0.05g로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 감광성 수지 조성물을 얻었다.The photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that the content of the cardo resin was changed to 0.05 g.

<실시예 4><Example 4>

카도계 수지의 함량을 0.01g로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 감광성 수지 조성물을 얻었다.Except having changed content of cardo resin to 0.01g, it carried out similarly to Example 1, and obtained the photosensitive resin composition.

<비교예 1>Comparative Example 1

카도계 수지를 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.Except not using a cardo resin, it carried out similarly to Example 1 and obtained the positive photosensitive resin composition.

물성측정Property measurement

상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1에서 제조된 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물을 8인치 웨이퍼에 미카사제(1H-DX2) 스핀코터를 이용해 코팅하여 도포한 후, 핫플레이트 상에서 130℃에서, 2분간 가열하여 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 필름을 형성하였다.The photosensitive polybenzoxazole precursor composition prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 was coated on an 8 inch wafer using a Mikasa (1H-DX2) spin coater, and then applied at 130 ° C. on a hot plate. Heating for minutes gave a photosensitive polybenzoxazole precursor film.

상기 폴리벤조옥사졸 전구체 필름에 다양한 크기의 패턴이 새겨진 마스크를 사용하여 일본 Nikon사제 I-line stepper(NSR i10C)로 노광한 후, 상온에서 2.38%의 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 수용액에 40초, 2 퍼들(puddle)을 통해 노광부를 용해 제거하고, 순수로 30초간 세척하였다. 이어서, 얻어진 패턴을 전기로를 이용하여 산소 농도 1000ppm 이하에서 150℃/30분 이어서, 320℃/30분 동안 경화를 실시하여, 패턴이 형성된 필름을 제조하였다.After exposure to I-line stepper (NSR i10C) manufactured by Nikon, Japan using a mask engraved with a pattern of various sizes on the polybenzoxazole precursor film, 40 seconds in an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at room temperature of 2.38%, The exposed portion was dissolved and removed through two puddles and washed with pure water for 30 seconds. Subsequently, the obtained pattern was cured at 150 ° C./30 minutes at an oxygen concentration of 1000 ppm or less, followed by 320 ° C./30 minutes using an electric furnace to prepare a film with a pattern.

감도는 노광 및 현상후 10um L/S 패턴이 1 대 1의 선폭으로 형성되는 노광 시간을 구하여 이를 최적 노광 시간으로 하였으며, 해상도는 상기 최적 노광 시간에 있어서의 최소의 패턴 치수를 해상도로 하여 측정하였다. 상기 해상도는 광학현미경을 통해 확인할 수 있었다. Sensitivity was determined to be the optimal exposure time by obtaining an exposure time in which a 10 um L / S pattern was formed with a line width of 1 to 1 after exposure and development, and the resolution was measured using the minimum pattern dimension at the optimum exposure time as the resolution. . The resolution could be confirmed through an optical microscope.

또한, 현상 후의 막 두께에 대한 감소율이 현상성과 최종 막 두께에도 영향을 가져오며 이는 현상 시에도 막 두께 감소가 작아야 하는데 이를 측정하기 위해 예비소성을 한 필름을 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액에 침지하고 물로 씻어 내는 방법을 현상을 실시하고, 시간에 따른 막 두께 변화를 측정하여 하기 표 1에 나타내었다. In addition, the reduction rate of the film thickness after development has an effect on the developability and the final film thickness, which also requires a small decrease in the film thickness during development, which is 2.38% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) ) The method of immersing in an aqueous solution and rinsing with water was developed, and the change in film thickness over time was measured and shown in Table 1 below.

패턴을 형성한 후 질소 분위기 하에서 120℃에서 30분 가열한 후 320℃까지 1시간 동안 승온하여 320℃에서 1시간 가열하여 경화막을 제작하였다. 경화 전과 비교하여 경화 후의 막은 두께면에서 상당히 줄어든다. 이때, 경화 후의 막두께는 경화 후 막이 버퍼코팅층, 층간 절연막, 표면 보호막으로 작용할 수 있기 위해서 매우 중요하며, 따라서 경화 전과 후의 막두께 변화가 적을 수록 유리하다. 이 정도를 베이크(bake)전의 막 두께와 베이크 후의 막 두께의 차이의 백분율인 수축률로 나타내며, 막 두께의 측정은 KMAC사제(ST4000-DLX)장비를 이용해 측정하였으며 그 결과를 하기 표1에 나타내었다. After the pattern was formed, the mixture was heated at 120 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere, and then heated up to 320 ° C. for 1 hour, and heated at 320 ° C. for 1 hour to prepare a cured film. Compared with before curing, the film after curing is considerably reduced in thickness. At this time, the film thickness after curing is very important in order that the film after curing can act as a buffer coating layer, an interlayer insulating film, and a surface protective film. Therefore, the smaller the film thickness change before and after curing, the better. This degree is expressed as a percentage of shrinkage, which is a percentage of the difference between the film thickness before baking and the film thickness after baking, and the measurement of the film thickness was measured using a KMAC (ST4000-DLX) equipment, and the results are shown in Table 1 below. .

또한, 경화 후 필름의 기계적 물성을 측정하기 위하여 경화 후의 필름이 덮여 있는 실리콘 웨이퍼를 2% HF 용액에 30분간 담가서 필름을 분리해낸 뒤에 6.0 cm × 1.0 cm의 리본 모양 조각으로 잘라 내어서 기계적 물성을 측정하기 위한 시편을 제조하였다. 이 시편을 만능재료시험기(instron series IX)로 인장강도, 신율, 영률 등의 기계적 물성을 측정하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.In addition, in order to measure the mechanical properties of the film after curing, the film-cured silicon wafer was immersed in a 2% HF solution for 30 minutes to separate the film, and then cut into a ribbon piece of 6.0 cm × 1.0 cm. Specimens were prepared for measurement. The specimens were measured for mechanical properties such as tensile strength, elongation, and Young's modulus with an universal material tester (instron series IX), and the results are shown in Table 1 below.

[표 1]TABLE 1



두께(um)

Thickness (um)

감도
(mJ/cm2)

Sensitivity
(mJ / cm 2 )

해상도
(um)

resolution
(um)

현상시
막 두께 변화
(um)

Development
Film thickness change
(um)

수축률(%)

Shrinkage (%)

예비소성

Preliminary firing

현상후

After phenomenon

열경화후

After thermosetting

실시예 1

Example 1

9.3

9.3

8.1

8.1

6.64

6.64

360

360

4

4

1.2

1.2

18%

18%

실시예 2

Example 2

9.5

9.5

8.1

8.1

6.80

6.80

320

320

3

3

1.4

1.4

16%

16%

실시예 3

Example 3

9.3

9.3

8.1

8.1

6.48

6.48

380

380

3

3

1.2

1.2

20%

20%

실시예 4

Example 4

9.3

9.3

8.2

8.2

6.48

6.48

390

390

3.5

3.5

1.1

1.1

20%

20%

비교예 1

Comparative Example 1

9.1

9.1

7.7

7.7

6.01

6.01

450

450

5

5

1.4

1.4

22%

22%

상기 표 1을 참조하면, 카도계 수지를 포함하는 실시예 1 내지 4의 감광성 수지 조성물은 비교예 1과 비교하여 감도, 해상도, 막 두께 변화, 수축률 등의 광특성이 월등히 우수함을 확인할 수 있었다.Referring to Table 1, it was confirmed that the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 4 containing cardo-based resins are excellent in optical properties such as sensitivity, resolution, film thickness change, shrinkage ratio, etc. as compared with Comparative Example 1.

[표 2]TABLE 2


인장 강도 (kgf/mm2)

Tensile Strength (kgf / mm 2 )

신율 (%)

Elongation (%)

영률 (kgf/mm2)

Young's modulus (kgf / mm 2 )

실시예 1

Example 1

12.0

12.0

71

71

230

230

실시예 2

Example 2

11.7

11.7

74

74

220

220

실시예 3

Example 3

12.5

12.5

70

70

225

225

실시예 4

Example 4

12.1

12.1

71

71

235

235

비교예 1

Comparative Example 1

10.9

10.9

42

42

209

209

상기 표 2를 참조하면, 카도계 수지를 포함하는 실시예 1 내지 4의 감광성 수지 조성물은 비교예 1과 비교하여 월등히 우수한 기계적 물성을 나타냄을 확인할 수 있었다. 특히, 매우 뛰어난 신율을 보임을 확인할 수 있었다. Referring to Table 2, it was confirmed that the photosensitive resin composition of Examples 1 to 4 including cardo-based resin exhibits excellent mechanical properties compared to Comparative Example 1. In particular, it was confirmed that the very excellent elongation.

따라서, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 감도, 해상도, 패턴성 등의 광특성이 우수하고, 기계적 물성을 갖는 두꺼운 막을 형성할 수 있음을 확인할 수 있었다. 즉, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하면 좋은 패턴성을 가지며, 기계적 성질이 우수한 반도체 층간 절연막 또는 표면 보호막 등의 감광성 수지막을 형성할 수 있음을 확인할 수 있었다.Therefore, it was confirmed that the photosensitive resin composition of the present invention is excellent in optical properties such as sensitivity, resolution, patternability, and the like, and can form a thick film having mechanical properties. That is, when the photosensitive resin composition of this invention was used, it was confirmed that the photosensitive resin film, such as a semiconductor interlayer insulation film or a surface protective film, which has a favorable pattern property and was excellent in mechanical property, can be formed.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.The present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made by those skilled in the art within the scope of the technical idea of the present invention. Do.

Claims (6)

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 가지며 적어도 한쪽 말단에 열중합성 관능기를 갖는 폴리벤조옥사졸 전구체; (A) a polybenzoxazole precursor having a repeating unit represented by the following formula (1) and having a thermopolymerizable functional group at at least one end thereof; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물;(B) photosensitive diazoquinone compound; (C) 실란 화합물;(C) silane compound; (D) 페놀 화합물(D) phenolic compounds (E) 하기 화학식 3으로 표현되는 반복단위를 갖는 카도계 수지; 및(E) cardo-based resin having a repeating unit represented by the following formula (3); And (F) 용매(F) solvent 를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.Positive photosensitive resin composition comprising a. [화학식 1] [Formula 1]
Figure 112008074031120-pat00085
Figure 112008074031120-pat00085
(상기 화학식 1에서,(In the formula 1, X1은 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고,X 1 is an aromatic organic group or a 4-6 valent aliphatic organic group, X2는 방향족 유기기, 2 내지 6가의 지방족 유기기, 또는 하기 화학식 2로 표현되는 구조를 갖는 작용기이고, X 2 is an aromatic organic group, a 2 to 6-valent aliphatic organic group, or a functional group having a structure represented by the following formula (2), Y1 및 Y2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고,Y 1 and Y 2 are the same or different from each other, and each independently an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group, m1 및 m2는 각각의 몰비율로서 m1+m2=100몰%이고,m 1 and m 2 are each molar ratio m 1 + m 2 = 100 mol%, m1은 60 내지 100몰%이고,m 1 is 60-100 mol%, m2는 0 내지 40몰%이고,m 2 is 0-40 mol%, [화학식 2][Formula 2]
Figure 112008074031120-pat00086
Figure 112008074031120-pat00086
상기 화학식 2에서,In Chemical Formula 2, R1 및 R2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 및 하이드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 1 and R 2 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a hydroxy group, R3 및 R4는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,R 3 and R 4 are the same or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkylene group, or a substituted or unsubstituted arylene group, k는 1 내지 50의 정수이다.)k is an integer from 1 to 50.) [화학식 3](3)
Figure 112008074031120-pat00087
Figure 112008074031120-pat00087
(상기 화학식 3에서,(In Chemical Formula 3, R24 내지 R27은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고, R 24 to R 27 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a halogen atom, and a substituted or unsubstituted alkyl group, R28 및 R29는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 원자 및 CH2ORa(Ra는 비닐기, 아크릴기 또는 메타크릴기)로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 28 and R 29 are the same or different from each other, and are each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom and CH 2 OR a (R a is a vinyl group, an acryl group or a methacryl group), R30은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아크릴기, 비닐기, 및 메타크릴기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 30 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, an acryl group, a vinyl group, and a methacryl group, Z1은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 CO, SO2, CRbRc, SiRdRe(여기에서, Rb 내지 Re는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 플루오로알킬기, 및 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것임), O, 단일결합, 및 하기 화학식 39 내지 49로 표현되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,Z 1 is the same or different from each other, and each independently CO, SO 2 , CR b R c , SiR d R e (wherein R b to R e are the same or different from each other, and each independently hydrogen, fluoroalkyl group And, it is selected from the group consisting of an alkyl group), O, a single bond, and selected from the group consisting of compounds represented by the following formula 39 to 49, Z2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 산무수물 또는 산이무수물 의 잔기이다.)Z 2 is the same or different from each other, and each independently a residue of an acid anhydride or acid dianhydride.) [화학식 39][Formula 39]
Figure 112008074031120-pat00088
Figure 112008074031120-pat00088
[화학식 40][Formula 40]
Figure 112008074031120-pat00089
Figure 112008074031120-pat00089
[화학식 41][Formula 41]
Figure 112008074031120-pat00090
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[화학식 42][Formula 42]
Figure 112008074031120-pat00091
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[화학식 43][Formula 43]
Figure 112008074031120-pat00092
Figure 112008074031120-pat00092
(상기 화학식 43에서,(In Chemical Formula 43, Rf는 수소 원자, 에틸기, C2H4Cl, C2H4OH, CH2CH=CH2, 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 것임)R f is selected from the group consisting of a hydrogen atom, an ethyl group, C 2 H 4 Cl, C 2 H 4 OH, CH 2 CH═CH 2 , and a phenyl group) [화학식 44][Formula 44]
Figure 112008074031120-pat00093
Figure 112008074031120-pat00093
[화학식 45][Formula 45]
Figure 112008074031120-pat00094
Figure 112008074031120-pat00094
[화학식 46][Formula 46]
Figure 112008074031120-pat00095
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[화학식 47][Formula 47]
Figure 112008074031120-pat00096
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[화학식 48][Formula 48]
Figure 112008074031120-pat00097
Figure 112008074031120-pat00097
[화학식 49][Formula 49]
Figure 112008074031120-pat00098
Figure 112008074031120-pat00098
제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 3,000 내지 300,000의 중량평균 분자량(Mw)을 갖는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.The polybenzoxazole precursor is a positive photosensitive resin composition having a weight average molecular weight (Mw) of 3,000 to 300,000. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 용매는 N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N, N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산 메틸, 락트산에틸, 락트산부틸, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.The solvent is N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether , Propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol-3 A positive photosensitive resin composition selected from the group consisting of monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxy propionate and combinations thereof. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 감광성 디아조퀴논 화합물은 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 5 내지 100 중량부로 포함되고,The photosensitive diazoquinone compound is included in an amount of 5 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor, 상기 실란 화합물은 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부로 포함되고,The silane compound is included in 0.1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor, 상기 페놀 화합물은 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 1 내지 30 중량부로 포함되고,The phenolic compound is included in 1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor, 상기 카도계 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 5 중량부로 포함되고,The cardo-based resin is included in 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor, 상기 용매는 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 200 내지 900 중량 부로 포함되는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.The solvent is a positive photosensitive resin composition which is included in 200 to 900 parts by weight based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 감광성 수지막.The photosensitive resin film formed using the positive photosensitive resin composition of any one of Claims 1-4. 제5항의 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자.A semiconductor device comprising the photosensitive resin film of claim 5.
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