KR101182248B1 - Positive photosensitive resin composition - Google Patents

Positive photosensitive resin composition Download PDF

Info

Publication number
KR101182248B1
KR101182248B1 KR1020090095882A KR20090095882A KR101182248B1 KR 101182248 B1 KR101182248 B1 KR 101182248B1 KR 1020090095882 A KR1020090095882 A KR 1020090095882A KR 20090095882 A KR20090095882 A KR 20090095882A KR 101182248 B1 KR101182248 B1 KR 101182248B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
formula
photosensitive resin
substituted
resin composition
Prior art date
Application number
KR1020090095882A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100039819A (en
Inventor
정민국
정지영
정두영
유용식
조현용
이종화
이길성
차명환
Original Assignee
제일모직주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제일모직주식회사 filed Critical 제일모직주식회사
Publication of KR20100039819A publication Critical patent/KR20100039819A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101182248B1 publication Critical patent/KR101182248B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00Photosensitive materials
    • G03C1/52Compositions containing diazo compounds as photosensitive substances
    • G03C1/61Compositions containing diazo compounds as photosensitive substances with non-macromolecular additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G03F7/0236Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/105Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having substances, e.g. indicators, for forming visible images

Abstract

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것으로서, 이 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 가지는 폴리벤즈옥사졸 전구체(polybenzoxazole precursor); (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 실란 화합물; (D) 페놀 화합물; 및 (E) 용매를 포함하며, 상기 폴리벤즈옥사졸 전구체의 한쪽 말단은 하기 화학식 2 내지 5로 표현되는 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 제1 모노카르복실산 할라이드로부터 유도되는 열중합성 관능기를 포함하고, 다른 쪽 말단은 하기 화학식 6으로 표현되는 제2 모노카르복실산 할라이드로부터 유도되는 열중합성 관능기를 포함한다. The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, the positive photosensitive resin composition comprising: (A) a polybenzoxazole precursor having a repeating unit represented by the following formula (1); (B) a photosensitive diazoquinone compound; (C) silane compound; (D) a phenol compound; And (E) a solvent, wherein one end of the polybenzoxazole precursor is thermally polymerizable derived from a first monocarboxylic acid halide selected from the group consisting of a compound represented by the following Chemical Formulas 2 to 5 and combinations thereof It includes a functional group, and the other end includes a thermopolymerizable functional group derived from a second monocarboxylic acid halide represented by the following formula (6).

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112009061818513-pat00001
Figure 112009061818513-pat00001

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112009061818513-pat00002
Figure 112009061818513-pat00002

[화학식 3](3)

Figure 112009061818513-pat00003
Figure 112009061818513-pat00003

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112009061818513-pat00004
Figure 112009061818513-pat00004

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112009061818513-pat00005
Figure 112009061818513-pat00005

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112009061818513-pat00006
Figure 112009061818513-pat00006

(상기 화학식 1 내지 6에서, 각 치환기의 정의는 명세서에 정의된 것과 동일하다.)(In the above Chemical Formulas 1 to 6, the definition of each substituent is the same as defined in the specification.)

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 열경화 시 효율적으로 가교를 형성할 수 있어 경화 전 고분자의 분자량을 저하시킬 수 있고, 경화 후 막의 기계적 물성, 해상도, 패턴 형상, 및 잔여물 제거성이 우수하고, 흡습성 및 막 수축률을 낮출 수 있다.The positive photosensitive resin composition of the present invention can form crosslinks efficiently during thermosetting, thereby lowering the molecular weight of the polymer before curing, and excellent in mechanical properties, resolution, pattern shape, and residue removal property of the film after curing. Hygroscopicity and membrane shrinkage can be lowered.

포지티브형, 폴리벤즈옥사졸, 말단 봉쇄 단량체, 알칼리 수용액, 페놀 화합물, 반도체 장치 Positive type, polybenzoxazole, terminal block monomer, alkali aqueous solution, phenolic compound, semiconductor device

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물{POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}Positive photosensitive resin composition {POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}

본 발명은 포지티브형(positive) 감광성 수지 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 고감도와 고해상도를 가지며, 패턴 형상이 양호하고, 잔여물 제거성이 뛰어나며, 막수축율이 낮고, 최종 경화 막이 우수한 기계적 물성 및 낮은 흡습성을 갖는 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다. The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, and more particularly has a high sensitivity and high resolution, good pattern shape, excellent residue removal properties, low film shrinkage, excellent mechanical properties and final cured film It relates to a positive photosensitive resin composition having low hygroscopicity.

종래부터 반도체 장치의 표면 보호막 및 층간 절연막에는 우수한 내열성과 전기 특성, 기계적 특성 등을 갖는 폴리이미드 수지가 사용되고 있다. 이러한 폴리이미드 수지는 최근 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 형태로 사용하여, 도포가 용이하며, 상기 폴리이미드 전구체 조성물을 반도체 장치상에 도포한 후, 자외선에 의한 패터닝, 현상, 및 열 이미드화 처리 등을 실시하여 표면 보호막, 층간 절연막 등을 쉽게 형성시킬 수 있다. 따라서, 종래 비감광성 폴리이미드 전구체 조성물에 비하여 대폭적인 공정 단축이 가능해진다는 특징을 갖고 있다. Conventionally, polyimide resins having excellent heat resistance, electrical properties, mechanical properties, and the like have been used for surface protection films and interlayer insulating films of semiconductor devices. This polyimide resin is recently used in the form of a photosensitive polyimide precursor composition, and is easy to apply. After applying the polyimide precursor composition on a semiconductor device, patterning by ultraviolet rays, development, and thermal imidization treatment are performed. It is possible to easily form a surface protective film, an interlayer insulating film and the like. Therefore, it has a feature that a process can be significantly shortened compared with the conventional non-photosensitive polyimide precursor composition.

감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 노광된 부분이 현상에 의해 용해되는 포지티브형과 노광된 부분이 경화되어 남는 네가티브형이 있는데, 포지티브형의 경우 무독성인 알칼리 수용액을 현상액으로 사용할 수 있어 바람직하다. 포지티브형 감 광성 폴리이미드 전구체 조성물은 폴리이미드 전구체인 폴리아미드산, 감광성 물질인 디아조나프토퀴논 등을 포함한다. 그러나 포지티브형 감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 사용된 폴리아미드산의 카르본산이 알칼리에 대한 용해도가 너무 커서 원하는 패턴을 얻지 못하는 문제점이 있다.The photosensitive polyimide precursor composition has a positive type in which the exposed part is dissolved by development and a negative type in which the exposed part is cured. In the positive type, a non-toxic aqueous alkali solution can be used as a developer. The positive photosensitive polyimide precursor composition includes polyamic acid as a polyimide precursor, diazonaphthoquinone as a photosensitive material, and the like. However, the positive photosensitive polyimide precursor composition has a problem in that the carboxylic acid of the polyamic acid used is too soluble in alkali to obtain a desired pattern.

이를 해결하기 위하여 폴리아미드산에 에스테르 결합을 통해서 수산기 1개 이상을 갖는 알코올 화합물을 반응시키는 내용(일본 특개 평10-307393호 참조) 등 카르본산 대신에 페놀성 수산기를 도입한 물질이 제안되었으나, 이 물질은 현상성이 불충분하며 막감소나 기재로부터 수지가 박리되는 문제점이 있다. In order to solve this problem, a substance in which a phenolic hydroxyl group is introduced instead of carboxylic acid, such as reacting an alcohol compound having at least one hydroxyl group through an ester bond with polyamic acid (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-307393), has been proposed. This material has insufficient developability and has a problem of reducing the film or peeling the resin from the substrate.

다른 방법으로 폴리벤즈옥사졸 전구체에 디아조나프토퀴논 화합물을 혼합한 재료(일본특허공고 소63-96162호 공보)가 최근 주목받고 있으나 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물을 실제로 사용하는 경우, 특히 현상시의 미노광부의 막감소량이 크기 때문에 현상 후의 원하는 패턴을 얻기 어렵다. 이를 개선하기 위해 폴리벤즈옥사졸 전구체의 분자량을 크게 하면 미노광부의 막감소량은 작아지나 현상시 노광부에 현상 잔류물(scum)이 발생하여 해상도가 불량해지며 노광부의 현상 시간이 길어지는 문제가 있었다. In another method, a material in which a diazonaptoquinone compound is mixed with a polybenzoxazole precursor (Japanese Patent Laid-Open No. 63-96162) has recently been attracting attention, but especially when the polybenzoxazole precursor composition is actually used, Since the film reduction amount of the unexposed part is large, it is difficult to obtain a desired pattern after development. In order to solve this problem, if the molecular weight of the polybenzoxazole precursor is increased, the film reduction amount of the unexposed part becomes small, but developing residues occur in the exposed part during development, resulting in poor resolution and long developing time of the exposed part. there was.

이런 문제를 해결하기 위하여, 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물에 특정한 페놀 화합물을 첨가함으로써 현상시의 미노광부의 막 감소량이 억제되는 것이 보고되어 있다(일본특허공개 평9-302221호 및 일본특허공개 제2000-292913호). 그러나 이 방법으로는 미노광부의 감소량을 억제하는 효과가 불충함에 따라, 현상 잔류물을 발생시키지 않으면서, 막 감소 억제 효과를 크게 하기 위한 연구가 계속 요구되고 있다. In order to solve this problem, it is reported that the amount of film reduction of unexposed portions during development is suppressed by adding a specific phenol compound to the polybenzoxazole precursor composition (Japanese Patent Laid-Open No. 9-302221 and Japanese Patent Laid-Open No. 2000). -292913). However, in this method, the effect of suppressing the reduction amount of the unexposed portion is insufficient, and there is a continuous demand for research to increase the film reduction suppression effect without generating development residues.

또한, 이런 폴리이미드 혹은 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물을 사용하여 형성된 열경화막은 반도체 장치에 지속적으로 잔류하여 표면보호막으로 작용하기 때문에, 인장강도, 신율, 영률 등의 막의 기계적 물성이 특히 중요한 요인이 된다. 특히 반도체 패키징 방법이 급속도로 발전함에 따라서 이들의 발전에 대응하기 위하여 표면보호막으로 사용되는 폴리이미드 혹은 폴리벤즈옥사졸 막의 기계적 물성은 매우 중요하다. 하지만, 일반적으로 사용되는 폴리이미드 혹은 폴리벤즈옥사졸 전구체의 경우 이런 기계적 물성, 좀 더 구체적으로는 신율이 적정 수준 이하가 되는 경우가 많고 이를 해결하기 위하여 다양한 첨가제를 사용하는 방법 혹은 열경화시 가교가 일어날 수 있는 구조의 전구체 화합물 등을 사용하는 예들이 보고되어 있다. In addition, since the thermosetting film formed using such a polyimide or polybenzoxazole precursor composition continuously remains in the semiconductor device and acts as a surface protective film, mechanical properties of the film such as tensile strength, elongation and Young's modulus are particularly important factors. . In particular, with the rapid development of semiconductor packaging methods, the mechanical properties of polyimide or polybenzoxazole films used as surface protective films are very important to cope with their development. However, in the case of polyimide or polybenzoxazole precursors that are generally used, such mechanical properties, more specifically, elongation often fall below an appropriate level, and various methods of using various additives or crosslinking during thermal curing to solve this problem. Examples have been reported of using precursor compounds and the like of which structures can occur.

하지만, 이들 연구의 경우 신율로 대표되는 기계적 물성을 개선할 수는 있지만, 감도, 해상도 등의 광특성 면에서 실용적인 수준에 다다르지 못하여서, 이런 광특성의 저하를 가져오지 않으면서 우수한 기계적 물성을 달성할 수 있는 방법에 대한 연구가 시급히 요구되고 있는 상황이다. However, in the case of these studies, the mechanical properties represented by elongation can be improved, but the optical properties such as sensitivity and resolution do not reach practical levels, and thus excellent mechanical properties are achieved without bringing down such optical properties. There is an urgent need for research on how to do this.

동시에 반도체 표면에 표면 보호막으로 계속 잔류해야 하는 이들 조성물의 특성상 이들의 열경화막은 내흡습성 및 내화학성이 특히 우수해야 한다. 일반적으로 사용되는 폴리이미드 및 폴리벤즈옥사졸 열경화막의 경우 어느 정도의 내흡습성 및 내화학성을 보여주지만, 말단 봉쇄 단량체를 사용하여 만들어진 폴리벤즈옥사졸 및 폴리이미드 전구체의 경우에는 아직 실용적인 수준의 값들이 얻어지지는 않고 있는 실정이다. At the same time, due to the nature of these compositions that must remain as surface protective films on the surface of the semiconductor, these thermosetting films should be particularly excellent in hygroscopicity and chemical resistance. The polyimide and polybenzoxazole thermosets used in general show some degree of hygroscopicity and chemical resistance, but are still of practical value for polybenzoxazole and polyimide precursors made using terminal block monomers. Are not obtained.

본 발명은 감도 및 해상도가 우수하고, 패턴 형상이 양호하며, 우수한 잔여물 제거성을 갖는 감광성 수지 조성물에 관한 것으로서, 특히 분자쇄 말단에 적절한 반응성과 구조를 갖는 말단 봉쇄 단량체(end-capping monomer)의 도입으로 고분자의 분자량을 저하시킴으로써 수지 조성물 중의 고형분 함량과 점도의 균형을 최적으로 유지하고, 경화후에는 낮은 막수축룰과 우수한 필름 특성을 발현할 수 있는 포지티브형 감광성 조성물을 제공하는 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photosensitive resin composition having excellent sensitivity and resolution, good pattern shape, and excellent residue removal properties, and particularly, an end-capping monomer having an appropriate reactivity and structure at the end of a molecular chain. By lowering the molecular weight of the polymer by the introduction of the present invention is to provide a positive photosensitive composition capable of optimally maintaining the balance between the solid content and the viscosity in the resin composition, and to exhibit low film shrinkage and excellent film properties after curing.

본 발명은 또한, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 보호막 또는 층간 절연막 등의 감광성 수지막을 제공하는 것이다. This invention also provides the photosensitive resin film, such as a protective film or an interlayer insulation film manufactured using the said positive photosensitive resin composition.

본 발명은 또한, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자를 제공하는 것이다. This invention also provides the semiconductor element containing the photosensitive resin film manufactured using the said positive photosensitive resin composition.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 구현예에 따르면, (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 가지는 폴리벤즈옥사졸 전구체(polybenzoxazole precursor); (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 실란 화합물; (D) 페놀 화합물; 및 (E) 용매를 포함하며, 상기 폴리벤즈옥사졸 전구체의 한쪽 말단은 하기 화학식 2 내지 5로 표현되는 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 제1 모노카르복실산 할라이드로부터 유 도되는 열중합성 관능기를 포함하고, 다른 쪽 말단은 하기 화학식 6으로 표현되는 제2 모노카르복실산 할라이드로부터 유도되는 열중합성 관능기를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다. According to an embodiment of the present invention, (A) polybenzoxazole precursor having a repeating unit represented by the following formula (1); (B) a photosensitive diazoquinone compound; (C) silane compound; (D) a phenol compound; And (E) a solvent, wherein one end of the polybenzoxazole precursor is heated from a first monocarboxylic acid halide selected from the group consisting of a compound represented by the following Chemical Formulas 2 to 5 and combinations thereof It provides a positive photosensitive resin composition comprising a synthetic functional group, and the other end thereof comprises a thermopolymerizable functional group derived from a second monocarboxylic acid halide represented by the following formula (6).

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112009061818513-pat00007
Figure 112009061818513-pat00007

(상기 화학식 1에서,(In the formula 1,

상기 X1은 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고, X 1 is an aromatic organic group or a 4 to 6-valent aliphatic organic group ,

상기 X2는 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이거나, 또는 하기 화학식 7로 표현되는 것일 수 있고,X 2 may be an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group, or may be represented by the following Chemical Formula 7,

상기 Y1 및 Y2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고,Y 1 and Y 2 are the same or different from each other, and each independently an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group,

상기 m1 및 m2는 몰비율로서, m1+m2는 100 몰%이고, M 1 and m 2 are molar ratios, m 1 + m 2 is 100 mol%,

상기 m1은 60 내지 100 몰%이고, M 1 is 60 to 100 mol%,

상기 m2는 0 내지 40 몰%이고,M 2 is 0 to 40 mol%,

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112009061818513-pat00008
Figure 112009061818513-pat00008

상기 화학식 7에서,In Chemical Formula 7,

R11, R12, R21 및 R22는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 및 하이드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 11 , R 12 , R 21 and R 22 are the same or different from each other, and each independently a group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a hydroxy group Is selected from,

R3 및 R4는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,R 3 and R 4 are the same or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkylene group, or a substituted or unsubstituted arylene group,

k1은 1 내지 50의 정수이다.)k 1 is an integer from 1 to 50.)

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112009061818513-pat00009
Figure 112009061818513-pat00009

[화학식 3](3)

Figure 112009061818513-pat00010
Figure 112009061818513-pat00010

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112009061818513-pat00011
Figure 112009061818513-pat00011

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112009061818513-pat00012
Figure 112009061818513-pat00012

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112009061818513-pat00013
Figure 112009061818513-pat00013

(상기 화학식 2 내지 6에서, (In Chemical Formulas 2 to 6,

Z1 내지 Z5는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 할라이드이고, Z 1 to Z 5 are the same or different from each other, and each independently a halide,

R16 내지 R22는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 및 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고, R 16 to R 22 are the same or different from each other, and are each independently selected from the group consisting of hydrogen and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms,

R23은 아릴기, 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 아릴기, 및 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 사이클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 23 is selected from the group consisting of an aryl group, a cycloalkyl group, an aryl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and a cycloalkyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms,

n8은 1 내지 9의 정수이고,n 8 is an integer from 1 to 9,

n9, n10, 및 n12는 1 내지 4의 정수이고,n 9 , n 10 , and n 12 are integers from 1 to 4,

n11 및 n14 1 내지 5의 정수이고n 11 and n 14 are Is an integer from 1 to 5

n13은 1 내지 3의 정수이다.)n 13 is an integer of 1 to 3.)

본 발명의 다른 구현예에 따르면, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.According to another embodiment of the present invention, a photosensitive resin film prepared by using the positive photosensitive resin composition is provided.

본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a semiconductor device including a photosensitive resin film prepared using the positive photosensitive resin composition.

기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.Other specific details of embodiments of the present invention are included in the following detailed description.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 열경화시 가교를 형성할 수 있어, 경화전 고분자의 분자량을 저하시킴으로써 수지 조성물 중의 고형분 함량과 점도의 균형을 최적으로 유지할 수 있고, 경화후에는 우수한 기계적 특성을 나타낼 수 있으며, 해상도가 우수하고, 낮은 막 수축율 및 흡습성을 나타낸다. Positive type photosensitive resin composition of this invention can form bridge | crosslinking at the time of thermosetting, and can maintain the balance of solid content and viscosity in a resin composition optimally by lowering the molecular weight of a polymer before hardening, and after hardening, it is excellent mechanical property It has good resolution, low film shrinkage and hygroscopicity.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is presented as an example, by which the present invention is not limited and the present invention is defined only by the scope of the claims to be described later.

본 발명의 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 가지는 폴리벤즈옥사졸 전구체(polybenzoxazole precursor); (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 실란 화합물; (D) 페놀 화합물; 및 (E) 용매를 포함한다. Photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention (A) polybenzoxazole precursor (polybenzoxazole precursor) having a repeating unit represented by the formula (1); (B) a photosensitive diazoquinone compound; (C) silane compound; (D) a phenol compound; And (E) a solvent.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, “치환된”이란, 본 발명의 작용기중의 하나 이상의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기(-NH2, -NH(R), -N(R')(R"), R, R'과 R"은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기임), 아미디노기, 히드라진 또는 히드라존기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알키닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 및 치환 또는 비치환 헤테로사이클릭기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환된 것을 의미한다.Unless stated otherwise in the present specification, "substituted" means that one or more hydrogen atoms in the functional group of the present invention is a halogen atom (F, Br, Cl, or I), hydroxy group, nitro group, cyano group, amino group (-NH 2 , -NH (R), -N (R ') (R "), R, R' and R" are independently of each other an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms), amidino group, hydrazine or hydrazone group, carboxyl group, A substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, a substituted or unsubstituted alkynyl group, a substituted or unsubstituted heteroaryl group, and a substituted or unsubstituted heterocyclic group Mean substituted by one or more substituents selected from the group.

또한, “알킬기”란 탄소수 1 내지 30의 알킬기를 의미하고, "알킬렌기"란 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기를 의미하고, "알케닐기”란 탄소수 2 내지 16의 알케닐기를 의미하고, "알키닐기"란 탄소수 2 내지 30의 알키닐기를 의미하고, "알콕시기"란 탄소수 1 내지 30의 알콕시기를 의미하고, "아릴기”란 탄소수 6 내지 30의 아릴기를 의미하고, "아릴렌기"란 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기를 의미하고, "헤테로아릴기"란 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기를 의미한다.In addition, "alkyl group" means an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, "alkylene group" means an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, "alkenyl group" means an alkenyl group having 2 to 16 carbon atoms, and "alky "Nyl group" means an alkynyl group having 2 to 30 carbon atoms, "alkoxy group" means an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, "aryl group" means an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, "arylene group" means It means an arylene group of 6 to 30, and "heteroaryl group" means a heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms.

또한 본 명세서에서 "지방족 유기기"란 탄소수 1 내지 30의 알킬, 탄소수 2 내지 30의 알케닐, 또는 탄소수 2 내지 30의 알키닐을 의미하며, "방향족 유기기"란 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기를 의미한다. In addition, the term "aliphatic organic group" used herein means alkyl having 1 to 30 carbon atoms, alkenyl having 2 to 30 carbon atoms, or alkynyl having 2 to 30 carbon atoms, and "aromatic organic group" means an aryl group having 6 to 30 carbon atoms. Or a heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms.

이하, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 각 구성 성분에 대하여 자세하게 설명하도록 한다Hereinafter, each structural component of the positive photosensitive resin composition will be described in detail.

(A) 폴리벤즈옥사졸 전구체(A) polybenzoxazole precursor

상기 폴리벤즈옥사졸 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 것으로서, 한쪽 말단은 하기 화학식 2 내지 5로 표현되는 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 제1 모노카르복실산 할라이드로부터 유도되는 열중합성 관능기를 포함하고, 다른 쪽 말단은 하기 화학식 6으로 표현되는 제2 모노카르복실산 할라이드로부터 유도되는 열중합성 관능기를 포함한다.The polybenzoxazole precursor has a repeating unit represented by the following Chemical Formula 1, and one end thereof is derived from a first monocarboxylic acid halide selected from the group consisting of a compound represented by the following Chemical Formulas 2 to 5 and a combination thereof And a thermally polymerizable functional group, the other end of which comprises a thermopolymerizable functional group derived from a second monocarboxylic acid halide represented by the following formula (6).

[화학식 1] [Formula 1]

Figure 112009061818513-pat00014
Figure 112009061818513-pat00014

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

상기 X1은 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고, X 1 is an aromatic organic group or a 4 to 6-valent aliphatic organic group ,

상기 X2는 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이거나, 또는 하기 화학식 7로 표현되는 것일 수 있고,X 2 may be an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group, or may be represented by the following Chemical Formula 7,

상기 Y1 및 Y2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고,Y 1 and Y 2 are the same or different from each other, and each independently an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group,

상기 m1 및 m2는 몰비율로서, m1+m2는 100 몰%이고, M 1 and m 2 are molar ratios, m 1 + m 2 is 100 mol%,

상기 m1은 60 내지 100 몰%이고, M 1 is 60 to 100 mol%,

상기 m2는 0 내지 40 몰%이고,M 2 is 0 to 40 mol%,

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112009061818513-pat00015
Figure 112009061818513-pat00015

상기 화학식 7에서,In Chemical Formula 7,

R11, R12, R21 및 R22는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 및 하이드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 11 , R 12 , R 21 and R 22 are the same or different from each other, and each independently a group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a hydroxy group Is selected from

R3 및 R4는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,R 3 and R 4 are the same or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkylene group, or a substituted or unsubstituted arylene group,

k1은 1 내지 50의 정수이다.k 1 is an integer from 1 to 50.

구체적으로는, 상기 X1은 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물로부터 유도될 수 있다.Specifically, X 1 is 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, bis (3- Amino-4-hydroxyphenyl) propane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) Sulfone, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxy Phenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, and combinations thereof.

바람직하게는 X1은 하기 화학식 8 또는 9로 표현되는 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Preferably, X 1 may be a compound represented by the following Chemical Formula 8 or 9, but is not limited thereto.

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112009061818513-pat00016
Figure 112009061818513-pat00016

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure 112009061818513-pat00017
Figure 112009061818513-pat00017

상기 화학식 8 및 9에서,In Chemical Formulas 8 and 9,

상기 A1은 O, CO, CR8R9, SO2, S, 및 단일결합으로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고, The A 1 may be selected from the group consisting of O, CO, CR 8 R 9 , SO 2 , S, and a single bond,

상기 R8 및 R9는 동일하거나 서로 독립적으로, 수소, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있으며, 바람직하게는 상기 R8 및 R9는 플루오로알킬이고,R 8 and R 9 may be the same or independently selected from hydrogen, and a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably R 8 and R 9 are fluoroalkyl,

상기 R5 내지 R7은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고,R 5 to R 7 are the same or different from each other, and each independently hydrogen, and may be selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group,

상기 n1은 1 내지 2의 정수일 수 있고,N 1 may be an integer of 1 to 2,

상기 n2 및 n3는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수일 수 있다.N 2 and n 3 may be the same or different from each other, and may each independently be an integer of 1 to 3.

대표적으로, 상기 X2는 방향족 디아민 또는 실리콘 디아민으로부터 유도될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Typically, the X 2 may be derived from an aromatic diamine or a silicone diamine, but is not limited thereto.

상기 방향족 디아민의 구체적인 예로는, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 벤지딘, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민 등의 방향족 아민; 또는 이 방향족 아민에서, 방향족환에 알킬기나 할로겐 원자로 치환한 화합물; 비스(4-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(3-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Specific examples of the aromatic diamine include 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane and 4,4'-diaminodiphenyl Methane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, benzidine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6- Aromatic amines such as naphthalenediamine; Or a compound in which the aromatic ring is substituted with an alkyl group or a halogen atom in the aromatic amine; Bis (4-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (3-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 1, 4-bis (4-aminophenoxy) benzene and the like, but are not limited thereto.

상기 실리콘 디아민의 구체적인 예로는, 비스(4-아미노페닐)디메틸실란, 비스(4-아미노페닐)테트라메틸실록산, 비스(p-아미노페닐)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1,4-비스(γ-아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 비스(4-아미노부틸)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라페닐디실록산, 1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Specific examples of the silicone diamine include bis (4-aminophenyl) dimethylsilane, bis (4-aminophenyl) tetramethylsiloxane, bis (p-aminophenyl) tetramethyldisiloxane, bis (γ-aminopropyl) tetramethyl Disiloxane, 1,4-bis (γ-aminopropyldimethylsilyl) benzene, bis (4-aminobutyl) tetramethyldisiloxane, bis (γ-aminopropyl) tetraphenyldisiloxane, 1,3-bis (aminopropyl Tetramethyldisiloxane And the like, but is not limited thereto.

또한, 상기 방향족 디아민 단량체는 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있으며, 방향족 디아민 단량체와 실리콘 디아민 단량체를 혼합하여 사용할 수도 있다.In addition, the aromatic diamine monomers may be used alone or in combination, and may be used by mixing the aromatic diamine monomer and the silicone diamine monomer.

대표적으로, 상기 Y1 및 Y2는 디카르복실산의 유도체의 잔기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Typically, Y 1 and Y 2 may be a residue of a derivative of dicarboxylic acid, but is not limited thereto.

상기 디카르복실산의 유도체의 구체적인 예로는 카르보닐 할라이드 유도체 또는 디카르복실산과 1-히드록시-1,2,3-벤조트리아졸 등을 반응시킨 활성 에스테르형 유도체인 활성 화합물을 들 수 있다. 구체적인 예로는 디페닐옥시디카르복실산클로라이드, 비스(페닐카르복실산클로라이드)술폰, 비스(페닐카르복실산클로라이드)에테르, 비스(페닐카르복실산클로라이드)페논, 프탈릭 카르복실산디클로라이드, 테레프탈릭산디클로라이드, 이소프탈릭 카르복실산디클로라이드, 카르복실산디클로라이드, 디페닐옥시디카르복실레이트 벤조트리아졸, 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the derivatives of the dicarboxylic acid include carbonyl halide derivatives or The active compound which is an active ester type derivative which made dicarboxylic acid and 1-hydroxy-1,2,3-benzotriazole react etc. is mentioned. Specific examples include diphenyloxydicarboxylic acid chloride, bis (phenylcarboxylic acid chloride) sulfone, bis (phenylcarboxylic acid chloride) ether, bis (phenylcarboxylic acid chloride) phenone, phthalic carboxylic acid dichloride, terephthal Rick di chloride, isophthalic carboxylic di chloride, di-carboxylic chloride, oxy diphenyl dicarboxylate benzotriazole, 4, 4'-oxydiphthalic benzo carbonyl chloride, and the compound selected from the group consisting of such as It may include, but is not limited thereto.

보다 바람직하게는, 상기 Y1 및 Y2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 하기 화학식 10 내지 12로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.More preferably, the Y 1 and Y 2 are the same or different from each other, and each independently may be selected from the group consisting of the following formula 10 to 12, but is not necessarily limited thereto.

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112009061818513-pat00018
Figure 112009061818513-pat00018

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112009061818513-pat00019
Figure 112009061818513-pat00019

[화학식 12][Chemical Formula 12]

Figure 112009061818513-pat00020
Figure 112009061818513-pat00020

상기 화학식 10 내지 12에서,In Chemical Formulas 10 to 12,

상기 R10 내지 R13은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고, R 10 to R 13 are the same or different from each other, and each independently hydrogen, and may be selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group,

상기 n4, n6, 및 n7은 1 내지 4의 정수일 수 있고, n5는 1 내지 3의 정수일 수 있고, N 4 , n 6 , and n 7 may be an integer of 1 to 4, n 5 may be an integer of 1 to 3,

상기 A2는 O, CR14R15, CO, CONH, S, 및 SO2로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있으며, 상기 R14 및 R15는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 및 플로오로알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.The A 2 may be selected from the group consisting of O, CR 14 R 15 , CO, CONH, S, and SO 2 , wherein R 14 and R 15 are the same or different from each other, and are each independently hydrogen, substituted or It may be selected from the group consisting of an unsubstituted alkyl group, and a fluoroalkyl group.

구체적으로, 상기 각각의 열중합성 관능기는 하기 화학식 2 내지 5 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 제1 모노카르복실산 할라이드 및 하기 화학식 6으로 표현되는 제2 모노카르복실산 할라이드의 혼합물로부터 유도되는 것이 바람직하다.Specifically, each of the thermopolymerizable functional groups is derived from a mixture of a first monocarboxylic acid halide selected from the group consisting of Formulas 2 to 5 and combinations thereof and a second monocarboxylic acid halide represented by Formula 6 It is desirable to be.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112009061818513-pat00021
Figure 112009061818513-pat00021

[화학식 3](3)

Figure 112009061818513-pat00022
Figure 112009061818513-pat00022

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112009061818513-pat00023
Figure 112009061818513-pat00023

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112009061818513-pat00024
Figure 112009061818513-pat00024

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112009061818513-pat00025
Figure 112009061818513-pat00025

상기 화학식 2 내지 6에서,In Chemical Formulas 2 to 6,

Z1 내지 Z5는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 할라이드이고, Z 1 to Z 5 are the same or different from each other, and each independently a halide,

R16 내지 R22는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 16 to R 22 are the same or different from each other, and are each independently selected from the group consisting of hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms,

R23은 아릴기, 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 아릴기, 및 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 사이클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고, R 23 is selected from the group consisting of an aryl group, a cycloalkyl group, an aryl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and a cycloalkyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms,

n8은 1 내지 9의 정수이고,n 8 is an integer from 1 to 9,

n9, n10, 및 n12는 1 내지 4의 정수이고,n 9 , n 10 , and n 12 are integers from 1 to 4,

n11 및 n14는 1 내지 5의 정수이고,n 11 and n 14 are integers from 1 to 5,

n13은 1 내지 3의 정수이다.n 13 is an integer of 1-3.

또한, 상기 제1 모노카르복실산 할라이드는 탄소-탄소 다중 결합을 갖는 모노카르복실산 할라이드인 것이 바람직하다.In addition, the first monocarboxylic acid halide is preferably a monocarboxylic acid halide having a carbon-carbon multiple bond.

또한, 상기 제1 모노카르복실산 할라이드 및 제2 모노 카르복실산 할라이드의 할라이드는 클로라이드인 것이 바람직하다.In addition, the halide of the first monocarboxylic acid halide and the second mono carboxylic acid halide is preferably chloride.

상기 화학식 3, 4, 및 5에 있어서, 상기 탄소-탄소 다중결합을 갖는 작용기와 카르복실산 할라이드 치환기는 벤젠링의 파라(para)위치에 치환되는 것이 보다 바람직하다. In Chemical Formulas 3, 4, and 5, the functional group and carboxylic acid halide substituent having the carbon-carbon multiple bond is more preferably substituted at the para position of the benzene ring.

상기 제1 모노카르복실산 할라이드의 대표적인 예로는, 5-노보넨-2-카르복실산 할라이드, 4-나디미도 벤조일 할라이드, 4-(2-페닐말레익이미도)벤조일 할라이드, 4-(4-페닐에티닐프탈이미도)벤조일할라이드, 4-(3-페닐에티닐프탈이미도)벤조일할라이드, 4-말레이미도 벤조일할라이드, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 들 수 있으며, 상기 제2 모노카르복실산 할라이드의 대표적인 예로는 벤조일할라이드, 사이클로헥실 할라이드, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Representative examples of the first monocarboxylic acid halide include 5-norbornene-2-carboxylic acid halide, 4-namidido benzoyl halide, 4- (2-phenylmaleimido) benzoyl halide, 4- (4 -Phenylethynylphthalimido) benzoyl halide, 4- (3-phenylethynylphthalimido) benzoyl halide, 4-maleimido benzoyl halide, And a combination thereof may be selected, and a representative example of the second monocarboxylic acid halide may be selected from the group consisting of benzoyl halide, cyclohexyl halide, and combinations thereof, It is not limited.

상기 제1 모노카르복실산 할라이드 단량체 및 제2 모노카르복실산 할라이드 단량체의 혼합비는 8 : 2 내지 2: 8인 것이 바람직하다. 상기 비율로 혼합되면, 감광성 수지막의 기계적 강도, 특히 영률 및 신율이 월등히 향상될 수 있어 바람직하다. The mixing ratio of the first monocarboxylic acid halide monomer and the second monocarboxylic acid halide monomer is preferably 8: 2 to 2: 8. When mixed in the above ratio, the mechanical strength, in particular Young's modulus and elongation of the photosensitive resin film can be significantly improved, which is preferable.

상기 폴리벤즈옥사졸 전구체의 중량평균 분자량(Mw)은 3,000 내지 300,000의 범위를 갖는 것이 바람직하며, 중량평균 분자량이 3,000 미만인 경우는 충분한 물성이 얻어지지 않아 바람직하지 않으며 300,000을 초과하면 유기 용매에 대한 용해성이 낮아져 취급이 매우 곤란해지기 때문에 바람직하지 않다. It is preferable that the weight average molecular weight (Mw) of the polybenzoxazole precursor is in the range of 3,000 to 300,000, and when the weight average molecular weight is less than 3,000, sufficient physical properties are not obtained. It is not preferable because solubility becomes low and handling becomes very difficult.

(B) 감광성 디아조퀴논 화합물(B) photosensitive diazoquinone compound

상기 감광성 디아조퀴논 화합물로는 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나 프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 이는 미국특허 제2,772,975호, 제2,797,213호, 제3,669,658호에 의해 공지된 물질이다.As said photosensitive diazoquinone compound, the compound which has a 1, 2- benzoquinone diazide structure or a 1, 2- or a ptoquinone diazide structure can be used preferably. This is a material known from US Pat. Nos. 2,772,975, 2,797,213 and 3,669,658.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 대표적인 예로는, 하기 화학식 13 내지 16으로 표현되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Representative examples of the photosensitive diazoquinone compound include compounds represented by the following Chemical Formulas 13 to 16, but are not limited thereto.

[화학식 13][Chemical Formula 13]

Figure 112009061818513-pat00026
Figure 112009061818513-pat00026

(상기 화학식 13에서, (In Chemical Formula 13,

R31 내지 R33은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 바람직하게는 CH3일 수 있고, R 31 to R 33 may be the same or different from each other, and may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably CH 3 ,

상기 D1 내지 D3는 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, D 1 to D 3 may be each independently OQ,

상기 Q는 수소, 하기 화학식 14a 또는 화학식 14b일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소일 수는 없고,Q may be hydrogen, Formula 14a or Formula 14b, wherein Q may not be hydrogen at the same time,

상기 n31 내지 n33은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.) N 31 to n 33 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 3.)

[화학식 14a][Formula 14a]

Figure 112009061818513-pat00027
Figure 112009061818513-pat00027

[화학식 14b][Formula 14b]

Figure 112009061818513-pat00028
Figure 112009061818513-pat00028

[화학식 15][Formula 15]

Figure 112009061818513-pat00029
Figure 112009061818513-pat00029

(상기 화학식 15에서, (In Chemical Formula 15,

R34는 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, 바람직하게 상기 알킬기는 CH3일 수 있으며,R 34 may be hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably the alkyl group may be CH 3 ,

상기 D4 내지 D6은 OQ일 수 있고,D 4 to D 6 may be OQ,

상기 Q는 화학식 13에 정의된 것과 동일하고, Q is the same as defined in Formula 13,

상기 n34 내지 n36은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.)N 34 to n 36 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 3.)

[화학식 16][Chemical Formula 16]

Figure 112009061818513-pat00030
Figure 112009061818513-pat00030

(상기 화학식 16에서,(In Chemical Formula 16,

A3는 CO 또는 CRR'일 수 있고, 상기 R 및 R'은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,A 3 may be CO or CRR ′ and R is And R 'are the same or different from each other, and each independently may be a substituted or unsubstituted alkyl group,

D7 내지 D10은 동일하거나 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, OQ, 또는 NHQ일 수 있고, D 7 to D 10 may be the same or independently of each other, hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, OQ, or NHQ,

상기 Q는 화학식 13에 정의된 것과 동일하고,Q is the same as defined in Formula 13,

상기 n37, n38, n39, 및 n40은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,N 37 , n 38 , n 39 , and n 40 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 4,

n37+n38 및 n39+n40은 각각 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있고,n 37 + n 38 and n 39 + n 40 may be each independently an integer of 5 or less,

단, 상기 D7 내지 D8중 적어도 하나는 OQ이며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 3개 포함될 수 있고, 이때 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 4개로 포함될 수 있다.)However, at least one of D 7 to D 8 may be OQ, and one aromatic ring may include 1 to 3 OQs, and the other aromatic ring may include 1 to 4 OQs.)

[화학식 17][Chemical Formula 17]

Figure 112009061818513-pat00031
Figure 112009061818513-pat00031

(상기 화학식 17에서, (In Formula 17,

R35 내지 R42는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, R 35 to R 42 may be the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n41 및 n42는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고, 보다 바람직하게는 2 내지 4의 정수일 수 있고, n 41 and n 42 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 1 to 5, more preferably an integer of 2 to 4,

Q는 화학식 13에 정의된 것과 동일하다.)Q is the same as defined in formula 13.)

상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량은 (A) 폴리벤즈옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 5 내지 100 중량부인 것이 바람직하다. 상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 5 내지 100 중량부로 포함될 때 노광에 의해 잔사 없이 패턴 형성이 잘되며, 현상시 막두께 손실이 없고 양호한 패턴을 얻을 수 있다.It is preferable that the content of the said photosensitive diazoquinone compound is 5-100 weight part with respect to 100 weight part of (A) polybenzoxazole precursors. When the content of the photosensitive diazoquinone compound is included in an amount of 5 to 100 parts by weight, the pattern is well formed without residue by exposure, and there is no loss of film thickness during development, and a good pattern can be obtained.

(C) 실란 화합물(C) silane compound

상기 실란 화합물은, 감광성 수지 조성물과 기판과의 밀착력을 향상시킬 수 있다. The said silane compound can improve the adhesive force of the photosensitive resin composition and a board | substrate.

상기 실란 화합물로는 하기 화학식 18로 표현되는 것을 사용할 수 있다.As the silane compound, one represented by the following formula (18) may be used.

[화학식 18][Chemical Formula 18]

Figure 112009061818513-pat00032
Figure 112009061818513-pat00032

(상기 화학식 18에서, (In Formula 18,

R61은 비닐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 및 치환 또는 비치환된 아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고, 바람직하게는 3-(메타)크릴옥시프로필, p-스티릴, 또는 3-(페닐아미노)프로필일 수 있다.R 61 may be selected from the group consisting of a vinyl group, a substituted or unsubstituted alkyl group, and a substituted or unsubstituted aryl group, and preferably 3- (meth) acryloxypropyl, p-styryl, or 3- (Phenylamino) propyl.

상기 R62 내지 R64는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 및 할로겐으로 이루어진 군에서 선택되는 것이며, 이때 R62 내지 R64 중 적어도 하나는 알콕시기 또는 할로겐이고, 바람직하게는 상기 알콕시기는 탄소수 1 내지 8의 알콕시기이고, 상기 알킬기는 탄소수 1 내지 20의 알킬기일 수 있다. R 62 to R 64 are the same or different from each other, and each independently selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted alkyl group, and halogen, wherein at least one of R 62 to R 64 Is an alkoxy group or halogen, preferably the alkoxy group is an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, the alkyl group may be an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

상기 실란 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 19 및 20으로 표현되는 화합물; 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐 트리클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란; 또는 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, p-스티릴 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란; 또는 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 등의 탄소-탄소 불포화 결합을 함유하는 실란 화합물을 들 수 있으며, 가장 바람직하게는 비닐트리메톡시실란 또는 비닐트리에톡시실란을 들 수 있 다.Representative examples of the silane compound include compounds represented by the following Chemical Formulas 19 and 20; Vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyl trichlorosilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane; Or 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, p-styryl trimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldie Oxysilane; Or a silane compound containing a carbon-carbon unsaturated bond such as trimethoxy [3- (phenylamino) propyl] silane, and most preferably vinyltrimethoxysilane or vinyltriethoxysilane. All.

[화학식 19][Formula 19]

Figure 112009061818513-pat00033
Figure 112009061818513-pat00033

(상기 화학식 19에서, (In Chemical Formula 19,

R65는 NH2 또는 CH3CONH이고, R66 내지 R68은 동일하거나 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 알콕시기이고, 바람직하게는 상기 알콕시기는 OCH3 또는 OCH2CH3일 수 있고, n61은 1 내지 5의 정수일 수 있다.)R 65 is NH 2 or CH 3 CONH, R 66 to R 68 are the same or independently of each other, a substituted or unsubstituted alkoxy group, preferably the alkoxy group may be OCH 3 or OCH 2 CH 3 , n 61 may be an integer from 1 to 5.)

[화학식 20][Chemical Formula 20]

Figure 112009061818513-pat00034
Figure 112009061818513-pat00034

(상기 화학식 20에서, (In the above formula (20)

R69 내지 R72는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알콕시기이고, 바람직하게는 OCH3일 수 있고, R 69 to R 72 are the same or different from each other, each independently represent a substituted or unsubstituted alkoxy group, preferably OCH 3 ,

상기 R73 및 R74는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아미노기이고, 바람직하게는 NH2 또는 CH3CONH일 수 있고R 73 and R 74 are the same or different from each other, each independently represent a substituted or unsubstituted amino group, preferably NH 2 or CH 3 CONH,

상기 n62 및 n63은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.)N 62 and n 63 may be the same or different from each other, and may each independently be an integer of 1 to 5.)

상기 실란 화합물의 함량은 폴리벤즈옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부인 것이 바람직하다. 상기 실란 화합물의 함량이 상기 범위인 경우, 상하부 막층간의 접착력이 우수하고, 현상 후 잔막이 거의 없으며, 광특성(투과율) 및 막의 기계적 물성(인장강도, 연신률, 영률)이 우수하여 바람직하다The content of the silane compound is preferably 0.1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor. When the content of the silane compound is within the above range, the adhesion between the upper and lower membrane layers is excellent, there is almost no residual film after development, and the optical properties (transmittance) and mechanical properties (tensile strength, elongation, Young's modulus) of the membrane are preferable.

(D) 페놀 화합물(D) Phenol compound

상기 페놀 화합물은, 알칼리 수용액으로 현상할 때, 노광부의 용해 속도 및 감도를 증가시킬 수 있으며, 현상시에 현상 잔류물 없이 고해상도로 패터닝이 가능하게 하는 역할을 한다.The phenolic compound may increase the dissolution rate and sensitivity of the exposed part when developing with an aqueous alkali solution, and serves to enable patterning at high resolution without developing residues during development.

또한, 본 발명의 페놀 화합물은 열중합이 가능한 관능기를 가지고 있어, 열경화시 (A) 폴리벤즈옥사졸 전구체와 가교를 형성할 수 있다In addition, the phenolic compound of the present invention has a functional group capable of thermal polymerization, and can form crosslinks with the (A) polybenzoxazole precursor during thermosetting.

이러한, 페놀 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 21 내지 26으로 표현되는 것을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Representative examples of such phenolic compounds include, but are not limited to, those represented by the following Chemical Formulas 21 to 26.

[화학식 21] [Chemical Formula 21]

Figure 112009061818513-pat00035
Figure 112009061818513-pat00035

(상기 화학식 21에서, (In the formula (21)

R91 내지 R93은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, R 91 to R 93 are the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

R94 내지 R98은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, OH, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, 바람직하게는 상기 알킬기는 CH3일 수 있으며,R 94 to R 98 are the same or different from each other, and each independently may be selected from the group consisting of hydrogen, OH, and a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably the alkyl group may be CH 3 ,

n91은 1 내지 5의 정수일 수 있다.)n 91 may be an integer from 1 to 5.

[화학식 22][Formula 22]

Figure 112009061818513-pat00036
Figure 112009061818513-pat00036

(상기 화학식 22에서, (In Chemical Formula 22,

상기 R99 내지 R104는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, OH, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택될 수 있고,R 99 to R 104 are the same or different from each other, and each independently may be selected from the group consisting of hydrogen, OH, and a substituted or unsubstituted alkyl group,

A4는 CR’R”또는 단일결합일 수 있고, 상기 R’및 R”은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, 바람직하게는 상기 알킬기는 CH3일 수 있으며,A 4 may be CR′R ″ or a single bond, and R ′ and R ″ may be the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group, and preferably the alkyl group is CH Can be 3 ,

n92+n93+n94 및 n95+n96+n97은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있다.)n 92 + n 93 + n 94 and n 95 + n 96 + n 97 are the same or different from each other, and may each independently be an integer of 5 or less.)

[화학식 23](23)

Figure 112009061818513-pat00037
Figure 112009061818513-pat00037

(상기 화학식 23에서, (In Chemical Formula 23,

상기 R105 내지 R107은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 105 to R 107 may be the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

상기 n98, n99,및 n102는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고,N 98 , n 99 , and n 102 may be the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 5,

상기 n100 및 n101은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있다.)N 100 and n 101 may be the same or different from each other, and may each independently be an integer of 0 to 4.)

[화학식 24]≪ EMI ID =

Figure 112009061818513-pat00038
Figure 112009061818513-pat00038

(상기 화학식 24에서,(In Chemical Formula 24,

R108 내지 R113은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, OH, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고,R 108 to R 113 are the same or different from each other, and each independently may be selected from the group consisting of hydrogen, OH, and a substituted or unsubstituted alkyl group,

n105 내지 n106은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고,n 105 to n 106 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 1 to 5,

단, n103+n105 및 n104+n106은 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.)Provided that n 103 + n 105 and n 104 + n 106 are each independently an integer of 5 or less.)

[화학식 25](25)

Figure 112009061818513-pat00039
Figure 112009061818513-pat00039

(상기 화학식 25에서,(In the formula (25)

R114는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 바람직하게는 CH3일 수 있고,R 114 may be a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably CH 3 ,

R115 내지 R117은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 115 to R 117 are the same or different from each other, and may each independently be hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n107, n109, 및 n111은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고,n 107 , n 109 , and n 111 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 1 to 5,

n108, n110, 및 n112는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있고,n 108 , n 110 , and n 112 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 0 to 4,

단, n107+n108, n109+n110, 및 n111+n112는 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.)Provided that n 107 + n 108 , n 109 + n 110 , and n 111 + n 112 are each independently an integer of 5 or less.)

[화학식 26](26)

Figure 112009061818513-pat00040
Figure 112009061818513-pat00040

(상기 화학식 26에서,(In the above formula (26)

R118, R119, 및 R120은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, 바람직하게는 CH3일 수 있고,R 118 , R 119 , and R 120 are the same or different from each other, and may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably CH 3 ,

R121 내지 R124는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알키기일 수 있고,R 121 to R 124 may be the same or different from each other, and may each independently be hydrogen or a substituted or unsubstituted alkoxy group,

n113, n115, 및 n118은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고, n 113 , n 115 , and n 118 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 1 to 5,

n114, n116, 및 n117은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있고,n 114 , n 116 , and n 117 are the same or different from each other, and each independently 0 to 4 Can be an integer,

n120은 1 내지 4의 정수일 수 있고,n 120 may be an integer from 1 to 4,

단, n113+n114, n115+n116, 및 n117+n118은 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.) However, n 113 + n 114, n 115 + n 116, and n 118 117+ n are each independently an integer of 5 or less.)

상기 페놀 화합물의 함량은 (A) 폴리벤즈옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여, 1 내지 30 중량부인 것이 바람직하다. 상기 범위에서는, 현상 잔류물의 발생이 거의 없어 우수한 프로파일을 얻을 수 있으며, 현상속도가 적절하여 명확한 패턴을 얻을 수 있고, 또한 열경화 후 막의 기계적 물성이 우수하여 바람직하다. The content of the phenol compound is preferably 1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the (A) polybenzoxazole precursor. In the above range, there is almost no development residue, and thus an excellent profile can be obtained. The development speed is appropriate, a clear pattern can be obtained, and the mechanical properties of the film after thermosetting are preferable.

(E) 용매(E) solvent

상기 용매로는 N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산 메틸, 락트산에틸, 락트산부틸, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 등을 사용할 수 있다. 상기 용매는 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl Ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol 3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxy propionate, etc. can be used. The solvents may be used alone or in combination of two or more thereof.

상기 용매의 함량은 (A) 폴리벤즈옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 200 내지 900 중량부인 것이 바람직하다. 상기 범위에서는 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있고, 용해도 및 코팅성이 우수하여 바람직하다. The content of the solvent is preferably 200 to 900 parts by weight based on 100 parts by weight of the (A) polybenzoxazole precursor. In the above range, a film having a sufficient thickness can be coated, and it is preferable because of excellent solubility and coating property.

(F) 기타 첨가제(F) Other additives

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (A) 내지 (D)의 성분 이외의 (F) 기타 첨가 제를 더욱 포함할 수도 있다.The photosensitive resin composition of this invention may further contain (F) other additives other than the component of (A)-(D).

상기 기타 첨가제로는 열잠재 산발생제를 들 수 있다. 상기 열잠재 산발생제로는 p-톨루엔 술폰산, 벤젠술폰산과 같은 알릴술폰산; 트리플루오르메탄술폰산, 플루오르부탄술폰산과 같은 퍼플루오르알킬 술폰산; 메탄 술폰산, 에탄 술폰산, 부탄 술폰산과 같은 알킬 술폰산; 및 이들의 혼합물을 바람직하게 사용할 수 있다. The other additives include heat latent acid generators. The heat latent acid generator includes allyl sulfonic acid such as p-toluene sulfonic acid and benzene sulfonic acid; Perfluoroalkyl sulfonic acids such as trifluoromethanesulfonic acid and fluorobutanesulfonic acid; Alkyl sulfonic acids such as methane sulfonic acid, ethane sulfonic acid, butane sulfonic acid; And mixtures thereof.

상기 열잠재 산발생제는 폴리벤즈옥사졸 전구체의 고리화 반응을 위한 촉매로써 경화온도를 낮추어도 고리화 반응을 원활히 진행할 수 있다.The heat latent acid generator is a catalyst for the cyclization reaction of the polybenzoxazole precursor, so that the cyclization reaction may proceed smoothly even if the curing temperature is lowered.

또한 막두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상하기 위하여 적당한 계면활성제 또는 레벨링제를 첨가제로 더욱 사용할 수 있다.In addition, in order to prevent staining of the film thickness or to improve developability, a suitable surfactant or leveling agent may be further used as an additive.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 패턴을 형성하는 공정은 포지티브형 감광성 수지 조성물을 지지 기판상에 도포하는 공정; 상기 도포된 조성물을 건조하여 감광성 폴리벤즈옥사졸 전구체 막을 형성하는 공정; 상기 폴리벤즈옥사졸 전구체 막을 노광하는 공정; 상기 노광된 폴리벤즈옥사졸 전구체막을 알칼리 수용액으로 현상하여 감광성 수지막을 제조하는 공정; 및 상기 감광성 수지막을 가열처리하는 공정을 포함한다. 상기 감광성 수지 조성물을 도포하고, 노광. 현상하여 패턴을 형성하는 공정상의 조성 등에 대하여는 당해 분야에 널리 알려진 사항이므로 본 명세서에서 자세한 설명은 생략하기로 한다. The process of forming a pattern using the positive photosensitive resin composition of this invention is a process of apply | coating a positive photosensitive resin composition on a support substrate; Drying the applied composition to form a photosensitive polybenzoxazole precursor film; Exposing the polybenzoxazole precursor film; Developing the exposed polybenzoxazole precursor film with an aqueous alkali solution to produce a photosensitive resin film; And a step of heat-treating the photosensitive resin film. The said photosensitive resin composition is apply | coated and exposed. The composition and the like in the process of developing a pattern to form a pattern is well known in the art, so detailed description thereof will be omitted.

또한, 본 발명의 다른 일 구현예는, 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 절연막 또는 보호막에 관한 것이다.In addition, another embodiment of the present invention relates to a photosensitive insulating film or a protective film manufactured using the photosensitive resin composition.

또한, 본 발명의 또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자에 관한 것으로서, 본 발명의 조성물은 반도체 소자에서 절연막, 페시베이셔층 또는 버퍼 코팅층에 유용하게 사용될 수 있다.In addition, another embodiment of the present invention relates to a semiconductor device comprising a photosensitive resin film prepared using the photosensitive resin composition, the composition of the present invention is useful for an insulating film, a passivator layer or a buffer coating layer in a semiconductor device Can be used.

즉, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 반도체 장치의 표면 보호막 및 층간 절연막으로도 유용하게 사용될 수 있다. That is, the photosensitive resin composition of this invention can also be usefully used also as a surface protection film and an interlayer insulation film of a semiconductor device.

이하에서 본 발명을 실시예 및 비교예를 통하여 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예 및 비교예는 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the following Examples and Comparative Examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the present invention.

<합성예 1>: 4-나디미도 벤조일클로라이드(EC-1)의 합성Synthesis Example 1 Synthesis of 4-namidido benzoyl chloride (EC-1)

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 4-아미노벤조익산 8.0g과 5-노보넨-2,3-디카르복실산 무수물 9.5g을 넣고 150ml의 아세트산을 가하여 혼합물을 만들었다. 이 혼합물을 1시간 동안 실온에서 교반한 후, 용매가 환류될 때까지 승온시키고, 추후 12시간을 더 교반하였다. 이어서 용액의 온도를 다시 실온으로 낮추고, 석출된 백색 고체를 여과한 후 차가운 에탄올로 3회 세척하였다. 얻어진 고체를 진공 하에서 100℃로 가열하면서 12시간 동안 건조하여, 4-나디미도 벤조익산을 생성하였고, 이의 1H-NMR을 측정한 결과를 도 1에 나타내었다.Add 150 ml of 4-aminobenzoic acid and 9.5 g of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride while passing nitrogen through a four-necked flask equipped with a stirrer, a thermostat, a nitrogen gas injection device, and a cooler. Acetic acid was added to make a mixture. The mixture was stirred at room temperature for 1 hour, then heated up to reflux of solvent, followed by further stirring for 12 hours. The temperature of the solution was then lowered to room temperature and the precipitated white solid was filtered and washed three times with cold ethanol. The solid obtained was dried for 12 hours while heating to 100 ° C. under vacuum to produce 4-namidido benzoic acid, and the result of measuring 1 H-NMR is shown in FIG. 1.

상기 고상의 4-나디미도 벤조익산을 교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장 치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 넣고, 질소를 통과시키면서 염화티오닐 50g을 가하였다. 염화 티오닐이 환류 될 때까지 용액을 승온시킨 후 추가로 4시간을 더 교반하였다. 이어서, 용액의 온도를 다시 실온으로 낮춘 후, 진공하에서 염화 티오닐을 모두 제거하여 백색의 고체를 얻었다. 이 백색 고체를 톨루엔으로 5회 세척한 후 진공하에서 50℃로 가열하면서 12시간 동안 건조하여 4-나디미도 벤조일클로라이드 말단 봉쇄 단량체(EC-1)를 제조하였고, 이의 1H-NMR을 측정한 결과를 도 2에 나타내었다. The solid 4-namidido benzoic acid was placed in a four-necked flask equipped with a stirrer, a temperature controller, a nitrogen gas injection device, and a cooler, and 50 g of thionyl chloride was added while passing nitrogen. The solution was heated to thionyl chloride at reflux, followed by further stirring for 4 hours. Subsequently, after lowering the temperature of the solution to room temperature again, all of the thionyl chlorides were removed under vacuum to obtain a white solid. The white solid was washed 5 times with toluene and then dried for 12 hours while heating to 50 ° C. under vacuum to prepare 4-namidido benzoyl chloride terminal block monomer (EC-1), which was measured by 1 H-NMR. Is shown in FIG. 2.

<합성예 2>: 4-(2-페닐에티닐프탈이미도)벤조일클로라이드(EC-2)의 합성Synthesis Example 2 Synthesis of 4- (2-phenylethynylphthalimido) benzoyl chloride (EC-2)

5-노보넨-2,3-디카르복실산 무수물 9.5g을 3-페닐에티닐프탈산 무수물 14.5g로 변경한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 실시하여, 4-(2-페닐에티닐프탈이미도) 벤조일클로라이드 말단 봉쇄 단량체(EC-2)를 합성하였다. Except for changing 9.5 g of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride to 14.5 g of 3-phenylethynylphthalic anhydride, the same procedure as in Synthesis Example 1 was carried out to provide 4- (2-phenylethynyl Phthalimido) benzoylchloride terminal blockade monomer (EC-2) was synthesized.

<합성예 3>: 4-(2-페닐말레이미도)벤조일클로라이드(EC-3)의 합성Synthesis Example 3 Synthesis of 4- (2-phenylmaleimido) benzoylchloride (EC-3)

5-노보넨-2,3-디카르복실산 무수물 9.5g을 2-페닐말레익산 무수물 10.1g로 변경한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 실시하여, 4-(2-페닐말레이미도) 벤조일클로라이드 말단 봉쇄 단량체(EC-3)를 합성하였다.Except for changing 9.5 g of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride to 10.1 g of 2-phenylmaleic anhydride, it was carried out in the same manner as in Synthesis example 1, and 4- (2-phenylmaleimido) Benzoylchloride terminal blockade monomer (EC-3) was synthesized.

<합성예 4>: 4-말레이미도 벤조일클로라이드(EC-4)의 합성Synthesis Example 4 Synthesis of 4-maleimido benzoyl chloride (EC-4)

5-노보넨-2,3-디카르복실산 무수물 9.5g을 말레익산 무수물 5.7g으로 변경한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 실시하여, 4-말레이미도 벤조일클로라이드 말단 봉쇄 단량체(EC-4)를 합성하였다.Except for changing 9.5 g of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride to 5.7 g of maleic anhydride, the same procedure as in Synthesis Example 1 was carried out to provide 4-maleimido benzoyl chloride terminal block monomer (EC- 4) was synthesized.

또한, 시판 중인 벤조일 클로라이드(TCI社)를 (EC-5)로 사용하였다.Commercially available benzoyl chloride (TCI, Inc.) was used as (EC-5).

<합성예 5>: 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-1)의 합성Synthesis Example 5 Synthesis of Polybenzoxazole Precursor (PA-1)

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3,-헥사플로 오로프로판 7g, 1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산 2g을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 72g을 넣어 용해시켰다. 이때, 얻어진 용액 중에서 고형분의 함량은 9중량% 이었다. 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3, while passing nitrogen through a four-necked flask equipped with a stirrer, a thermostat, a nitrogen gas injection device and a cooler 7 g of 3, -hexaflouropropane and 2 g of 1,3-bis (aminopropyl) tetramethyldisiloxane were added, and 72 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added to dissolve it. At this time, the content of solids in the obtained solution was 9% by weight.

고체가 완전 용해되면 피리딘을 3g 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드 6.3g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 55g에 넣어 용해시킨 용액을 30분간 천천히 적하시켰다. 적하 후 1시간 동안 온도 0 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 교반한 후에, 합성예 1에서 제조된 4-나디미도 벤조일클로라이드(EC-1) 0.75g 및 벤조일 클로라이드(EC-5) 0.25g을 가하고, 다시 17시간 동안 교반하여 반응을 종료하였다. 반응혼합물을 물에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후 온도 80℃의 진공하에서 건조를 24시간 이상 진행하여 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-1)를 제조하였 다. 제조된 폴리벤즈옥사졸 전구체의 1H-NMR을 측정하였고, 그 결과를 도 3에 나타내었다. When the solid was completely dissolved, 3 g of pyridine was added, and 6.3 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride was added to 55 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C. The solution was slowly added dropwise for 30 minutes. After dropping, the reaction was carried out at a temperature of 0 to 5 ° C. for 1 hour, and the temperature was raised to room temperature, followed by stirring for 1 hour, followed by 0.75 g of 4-namidido benzoyl chloride (EC-1) prepared in Synthesis Example 1 and benzoyl chloride. 0.25 g of (EC-5) was added, followed by stirring for 17 hours to complete the reaction. The reaction mixture was added to water to form a precipitate, and the precipitate was filtered, washed sufficiently with water, and dried under vacuum at a temperature of 80 ° C. for at least 24 hours to prepare a polybenzoxazole precursor (PA-1). 1 H-NMR of the prepared polybenzoxazole precursor was measured and the results are shown in FIG. 3.

<합성예 6>: 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-2)의 합성Synthesis Example 6 Synthesis of Polybenzoxazole Precursor (PA-2)

말단 봉쇄 단량체를 합성예 1에서 제조한 4-나디미도 벤조일클로라이드(EC-1) 0.5g 및 벤조일 클로라이드(EC-5) 0.5g의 혼합물로 변경한 것을 제외하고는 합성예 5와 동일하게 실시하여, 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-2)를 제조하였다.The terminal blockade monomer was carried out in the same manner as in Synthesis Example 5 except for changing the mixture of 0.5 g of 4-namidido benzoyl chloride (EC-1) and 0.5 g of benzoyl chloride (EC-5) prepared in Synthesis Example 1. , Polybenzoxazole precursor (PA-2) was prepared.

<합성예 7>: 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-3)의 합성Synthesis Example 7 Synthesis of Polybenzoxazole Precursor (PA-3)

말단 봉쇄 단량체를 합성예 1에서 제조한 4-나디미도 벤조일클로라이드(EC-1) 0.25g 및 벤조일 클로라이드(EC-5) 0.75g의 혼합물로 변경한 것을 제외하고는 합성예 5와 동일하게 실시하여, 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-3)를 제조하였다.The terminal blockade monomer was carried out in the same manner as in Synthesis Example 5 except for changing the mixture of 0.25 g of 4-namidido benzoyl chloride (EC-1) and 0.75 g of benzoyl chloride (EC-5) prepared in Synthesis Example 1. , Polybenzoxazole precursor (PA-3) was prepared.

<합성예 8>: 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-4)의 합성Synthesis Example 8 Synthesis of Polybenzoxazole Precursor (PA-4)

말단 봉쇄 단량체를 합성예 1에서 제조한 4-나디미도 벤조일클로라이드(EC-1) 0.4g 및 벤조일 클로라이드(EC-5) 0.6g의 혼합물로 변경한 것을 제외하고는 합성예 5와 동일하게 실시하여, 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-4)를 제조하였다.The terminal blockade monomer was carried out in the same manner as in Synthesis Example 5 except for changing the mixture of 0.4 g of 4-namidido benzoyl chloride (EC-1) and 0.6 g of benzoyl chloride (EC-5) prepared in Synthesis Example 1. , Polybenzoxazole precursor (PA-4) was prepared.

<합성예 9>: 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-5)의 합성Synthesis Example 9 Synthesis of Polybenzoxazole Precursor (PA-5)

말단 봉쇄 단량체를 벤조일 클로라이드(EC-5) 1g 단독으로 사용한 것을 제외 하고는 합성예 5와 동일하게 실시하여, 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-5)를 제조하였다. A polybenzoxazole precursor (PA-5) was prepared in the same manner as in Synthesis Example 5 except that the terminal blocking monomer was used alone in 1 g of benzoyl chloride (EC-5).

<합성예 10>: 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-6)의 합성Synthesis Example 10 Synthesis of Polybenzoxazole Precursor (PA-6)

말단 봉쇄 단량체를 사용하지 않은 것을 제외하고는 합성예 5와 동일하게 실시하여 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-6)를 제조하였다.A polybenzoxazole precursor (PA-6) was prepared in the same manner as in Synthesis Example 5 except that no terminal blocking monomer was used.

<합성예 11>: 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-7)의 합성Synthesis Example 11 Synthesis of Polybenzoxazole Precursor (PA-7)

말단 봉쇄 단량체로 5-노보넨-2,3-디카르복실산 무수물 4g을 사용한 것을 제외하고는 합성예 5와 동일하게 실시하여 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-7)을 제조하였다.A polybenzoxazole precursor (PA-7) was prepared in the same manner as in Synthesis Example 5 except that 4 g of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride was used as the terminal blocking monomer.

<실시예 1> &Lt; Example 1 >

합성예 5에서 제조한 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-1) 15g을 γ-부티로락톤(GBL) 35.0g과 N-메틸-2-피롤리돈 5.0g에 첨가하여 녹인 후 하기 화학식 13a로 표현되는 구조를 가지는 감광성 디아조퀴논 3g, 하기 화학식 18a의 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 0.75g, 하기 화학식 22a의 페놀화합물 0.75g을 넣고 용해한 후, 0.45㎛의 플루오르 수지제 필터로 여과하여 포지티브형 감광성 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물을 얻었다.15 g of the polybenzoxazole precursor (PA-1) prepared in Synthesis Example 5 was dissolved in 35.0 g of γ-butyrolactone (GBL) and 5.0 g of N-methyl-2-pyrrolidone, and expressed by the following Chemical Formula 13a. 3 g of photosensitive diazoquinone, 0.75 g of trimethoxy [3- (phenylamino) propyl] silane of the formula (18a) Filtration was carried out to obtain a positive photosensitive polybenzoxazole precursor composition.

[화학식 13a][Formula 13a]

Figure 112009061818513-pat00041
Figure 112009061818513-pat00041

(상기 식에서, Q1, Q2, 및 Q3 중에서 두 개는

Figure 112009061818513-pat00042
로 치환되어 있고, 나머지 하나는 수소이다.)Wherein two of Q 1 , Q 2 , and Q 3 are
Figure 112009061818513-pat00042
And the other is hydrogen.)

[화학식 18a][Formula 18a]

Figure 112009061818513-pat00043
Figure 112009061818513-pat00043

[화학식 22a][Formula 22a]

Figure 112009061818513-pat00044
Figure 112009061818513-pat00044

<실시예 2> <Example 2>

합성예 5에서 제조한 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-1)를 합성예 6에서 제조한 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-2)로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물을 얻었다.Positive in the same manner as in Example 1, except that the polybenzoxazole precursor (PA-1) prepared in Synthesis Example 5 was changed to the polybenzoxazole precursor (PA-2) prepared in Synthesis Example 6. A type photosensitive polybenzoxazole precursor composition was obtained.

<실시예 3> <Example 3>

합성예 5에서 제조한 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-1)를 합성예 7에서 제조한 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-3)로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물을 얻었다.Positive type was carried out in the same manner as in Example 1 except that the polybenzoxazole precursor (PA-1) prepared in Synthesis Example 5 was changed to the polybenzoxazole precursor (PA-3) prepared in Synthesis Example 7. The photosensitive polybenzoxazole precursor composition was obtained.

<실시예 4> <Example 4>

합성예 5에서 제조한 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-1)를 합성예 8에서 제조한 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-4)로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물을 얻었다.Positive type was carried out in the same manner as in Example 1 except for changing the polybenzoxazole precursor (PA-1) prepared in Synthesis Example 5 to the polybenzoxazole precursor (PA-4) prepared in Synthesis Example 8. The photosensitive polybenzoxazole precursor composition was obtained.

<비교예 1> &Lt; Comparative Example 1 &

합성예 5에서 제조한 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-1)를 합성예 9에서 제조한 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-5)로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물을 얻었다. Positive type was carried out in the same manner as in Example 1 except for changing the polybenzoxazole precursor (PA-1) prepared in Synthesis Example 5 to the polybenzoxazole precursor (PA-5) prepared in Synthesis Example 9. The photosensitive polybenzoxazole precursor composition was obtained.

<비교예 2> Comparative Example 2

합성예 5에서 제조한 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-1)를 합성예 10에서 제조한 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-6)로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시 하여 포지티브형 감광성 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물을 얻었다.Positive type was carried out in the same manner as in Example 1 except for changing the polybenzoxazole precursor (PA-1) prepared in Synthesis Example 5 to the polybenzoxazole precursor (PA-6) prepared in Synthesis Example 10. The photosensitive polybenzoxazole precursor composition was obtained.

<비교예 3> &Lt; Comparative Example 3 &

합성예 5에서 제조한 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-1)를 합성예 11에서 제조한 폴리벤즈옥사졸 전구체(PA-7)로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물을 얻었다.Positive type was carried out in the same manner as in Example 1 except that the polybenzoxazole precursor (PA-1) prepared in Synthesis Example 5 was changed to the polybenzoxazole precursor (PA-7) prepared in Synthesis Example 11. The photosensitive polybenzoxazole precursor composition was obtained.

상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3에서 제조된 각각의 감광성 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물의 조성을 하기 표 1에 정리하였다. The composition of each photosensitive polybenzoxazole precursor composition prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 is summarized in Table 1 below.

Figure 112009061818513-pat00045
Figure 112009061818513-pat00045

물성측정Property measurement

상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3에서 제조된 각각의 감광성 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물을 8인치 웨이퍼에 미카사제(1H-DX2) 스핀코터를 이용해 코팅하여 도포한 후, 핫플레이트 상에서 120℃, 4분간 가열하여 감광성 폴리이미드 전구체 필름을 형성하였다.Each of the photosensitive polybenzoxazole precursor compositions prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 was coated on an 8 inch wafer using a Mikasa (1H-DX2) spin coater, and then coated on a hot plate. It heated at 4 degreeC for 4 minutes, and formed the photosensitive polyimide precursor film.

상기 폴리이미드 전구체 필름에 필름에 다양한 크기의 패턴이 새겨진 마스크를 사용하여 일본 Nikon사제 I-line stepper(NSR i10C)로 250ms에서 노광한 후 상온에서 2.38%의 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 수용액에 60초, 2 퍼들(puddle)을 통해 노광부를 용해 제거한 후, 순수로 30초간 세척하였다. 이어서, 얻어진 패턴을 전기로를 이용하여 산소 농도 1000ppm 이하에서, 150℃/30분, 추가하여 320℃/30분으로 경화를 실시하여, 패턴이 형성된 필름을 제조하였다. The polyimide precursor film was exposed to 250 ms with an I-line stepper (NSR i10C) manufactured by Nikon Japan, using a mask engraved with a pattern of various sizes on the film, followed by 60 seconds in a 2.38% aqueous tetramethylammonium hydroxide solution at room temperature. After dissolving and removing the exposed part through 2 puddle, it was washed with pure water for 30 seconds. Next, the obtained pattern was cured at 150 ° C / 30 minutes, and further 320 ° C / 30 minutes at an oxygen concentration of 1000 ppm or less using an electric furnace to prepare a film with a pattern.

패턴이 형성된 필름에 대하여, 해상도, 막 두께 변화, 잔막률, 및 감도를 측정하였다. About the film in which the pattern was formed, the resolution, the film thickness change, the residual film ratio, and the sensitivity were measured.

완성된 필름 패턴의 해상도는 광학현미경을 통해 확인할 수 있었고, 예비 소성, 현상, 경화 후의 막 두께 변화는 코팅 두께는 KMAC사제(ST4000-DLX)장비를 이용해 측정하였다.The resolution of the finished film pattern could be confirmed by an optical microscope, and the film thickness change after preliminary baking, development, and curing was measured using a KMAC (ST4000-DLX) device.

또한, 현상 후의 막 두께에 대한 감소율이 현상성과 최종 막 두께에도 영향을 가져오며, 현상 시에도 막 두께 감소가 작아야 하는데, 이를 측정하기 위해 예비소성을 한 필름을 AZ-EM사의 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액에 시간별로 침지하고 물로 씻어내는 방법을 실시하고, 시간에 따른 막두께 변화를 측정하여 잔막률(현상 후 두께/현상전 두께, 단위 %)을 계산하였다.In addition, the reduction rate of the film thickness after development has an effect on the developability and the final film thickness, and the film thickness reduction should be small even during development, and the pre-fired film was measured by 2.38% tetramethylammonium company of AZ-EM. The method was immersed in an aqueous solution of hydroxide (TMAH) for each hour and washed with water, and the residual film rate (thickness after development / thickness, unit%) was calculated by measuring the change in film thickness with time.

감도는 노광 및 현상 후, 10um L/S 패턴이 1 대 1의 선폭으로 형성되는 노광시간을 구하여 이를 최적 노광 시간으로 하였으며, 해상도는 상기 최적 노광 시간에 있어서의 최소의 패턴 치수를 해상도로 하였다. After exposure and development, the sensitivity was obtained by determining an exposure time in which a 10 um L / S pattern was formed with a line width of 1 to 1, which was the optimum exposure time, and the resolution was the minimum pattern dimension at the optimum exposure time as the resolution.

상기 해상도 및 감도의 측정 결과, 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3의 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물의 감도는 300 내지 350mJ/cm2을 나타내었고, 해상도는 3um이었다.As a result of measuring the resolution and sensitivity, the sensitivity of the polybenzoxazole precursor compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 was 300 to 350 mJ / cm 2 , and the resolution was 3 μm.

또한, 패턴을 형성한 후 질소 분위기 하에서 120℃에서 30분 가열 후 320℃까지 1시간 동안 승온하여 320℃에서 1시간 가열하여 경화막을 제작하였다.In addition, after the pattern was formed, the mixture was heated at 120 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere, and then heated up to 320 ° C. for 1 hour, and heated at 320 ° C. for 1 hour to produce a cured film.

경화막에 대하여 기계적 물성(인장강도, 신율, 영률) 및 흡습성을 측정하였고, 이를 하기 표 2에 나타내었다.Mechanical properties (tensile strength, elongation, and Young's modulus) and hygroscopicity of the cured film were measured, and are shown in Table 2 below.

경화 후 필름의 기계적 물성은, 경화 후 필름이 덮여 있는 실리콘 웨이퍼를 2%의 HF 용액에 30분간 담가서 필름을 분리해내고, 6.0 cm × 1.0 cm의 리본 모양 조각으로 잘라서 기계적 물성을 측정하기 위한 시편을 제조한 후, 만능재료시험기(instron series IX)를 이용하여 측정하였다. After curing, the mechanical properties of the film were immersed in a 2% HF solution for 30 minutes in a film-covered silicon wafer to separate the film, and cut into 6.0 cm × 1.0 cm ribbon pieces to measure the mechanical properties. After the preparation, it was measured using a universal testing machine (instron series IX).

또한, 열경화 막의 흡습성은 JIS-K6911에 따라 측정하였다.In addition, the hygroscopicity of the thermosetting film was measured according to JIS-K6911.

Figure 112009061818513-pat00046
Figure 112009061818513-pat00046

상기 표 2를 참조하면, 실시예 1 내지 4의 감광성 수지 조성물을 경화하여 제조한 경화막이 비교예 1 내지 3과 비교하여 우수한 기계적 물성 및 낮은 흡습성을 나타냄을 확인할 수 있다. Referring to Table 2, it can be seen that the cured film prepared by curing the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 4 shows excellent mechanical properties and low hygroscopicity compared to Comparative Examples 1 to 3.

또한, 열가교성이 있는 것으로 알려진 5-노보넨-2,3-디카르복실산 무수물을 말단 봉쇄 단량체로 사용한 비교예 2의 경우, 흡습성은 낮았나 기계적 물성이 현저히 떨어짐을 확인할 수 있었다.In addition, in Comparative Example 2 using 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride, which is known to have thermal crosslinkability, as the terminal blocking monomer, it was confirmed that the hygroscopicity was low but the mechanical properties were remarkably inferior.

이상의 결과를 종합해 볼 때, 본 발명의 실시예 1 내지 4에 따르면, 비교예 1 내지 3과 비교하여 현저하게 뛰어난 기계적 물성 및 내흡습성을 갖는 두꺼운 막을 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예 1 내지 4는 비교예 1 내지 3과 비교하여 동등한 광특성을 보이기 때문에, 본 발명을 통하여 좋은 패턴성을 가지며, 동시에 우수한 기계적 성질을 가지는 반도체 층간 절연막 내지 표면 보호막을 쉽게 형성할 수 있음을 확인할 수 있었다. In summary, according to Examples 1 to 4 of the present invention, a thick film having remarkably excellent mechanical properties and hygroscopic resistance can be produced as compared with Comparative Examples 1 to 3. In addition, since Examples 1 to 4 of the present invention show the same optical characteristics as those of Comparative Examples 1 to 3, the present invention can easily form a semiconductor interlayer insulating film or a surface protective film having good patternability and at the same time having excellent mechanical properties. It could be confirmed that it could be formed.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And it goes without saying that the invention belongs to the scope of the invention.

도 1은 본 발명의 합성예 1에서 제조된 4-나디미도 벤조익산의 1H-NMR 구조를 나타낸 그래프이다.1 is a graph showing the 1 H-NMR structure of 4-namidido benzoic acid prepared in Synthesis Example 1 of the present invention.

도 2는 본 발명의 합성예 1에서 제조된 4-나디미도 벤조일클로라이드(EC-1)의 1H-NMR 구조를 나타낸 그래프이다.2 is a graph showing the 1 H-NMR structure of 4-namidido benzoyl chloride (EC-1) prepared in Synthesis Example 1 of the present invention.

도 3은 본 발명의 합성예 5에서 제조된 폴리벤즈옥사졸 전구체 (PA-1)의 1H-NMR 구조를 나타낸 그래프이다.3 is a graph showing the 1 H-NMR structure of the polybenzoxazole precursor (PA-1) prepared in Synthesis Example 5 of the present invention.

Claims (7)

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 가지는 폴리벤즈옥사졸 전구체(polybenzoxazole precursor); (A) polybenzoxazole precursor having a repeating unit represented by the following formula (1); (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (B) a photosensitive diazoquinone compound; (C) 실란 화합물; (C) silane compound; (D) 페놀 화합물; 및 (D) a phenol compound; And (E) 용매를 포함하며, (E) a solvent, 상기 폴리벤즈옥사졸 전구체의 한쪽 말단은 하기 화학식 2 내지 5로 표현되는 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 제1 모노카르복실산 할라이드로부터 유도되는 열중합성 관능기를 포함하고, 다른 쪽 말단은 하기 화학식 6으로 표현되는 제2 모노카르복실산 할라이드로부터 유도되는 열중합성 관능기를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.One end of the polybenzoxazole precursor includes a thermopolymerizable functional group derived from a first monocarboxylic acid halide selected from the group consisting of a compound represented by the following Chemical Formulas 2 to 5 and a combination thereof, and the other end is A positive photosensitive resin composition comprising a thermopolymerizable functional group derived from a second monocarboxylic acid halide represented by the following formula (6). [화학식 1][Formula 1]
Figure 112009061818513-pat00047
Figure 112009061818513-pat00047
(상기 화학식 1에서,(In the formula 1, 상기 X1은 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고, X 1 is an aromatic organic group or a 4 to 6-valent aliphatic organic group , 상기 X2는 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이거나, 또는 하 기 화학식 7로 표현되는 것일 수 있고,X 2 may be an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group, or may be represented by Formula 7 below. 상기 Y1 및 Y2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고,Y 1 and Y 2 are the same or different from each other, and each independently an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group, 상기 m1 및 m2는 몰비율로서, m1+m2는 100 몰%이고, M 1 and m 2 are molar ratios, m 1 + m 2 is 100 mol%, 상기 m1은 60 내지 100 몰%이고, M 1 is 60 to 100 mol%, 상기 m2는 0 내지 40 몰%이고,M 2 is 0 to 40 mol%, [화학식 7][Formula 7]
Figure 112009061818513-pat00048
Figure 112009061818513-pat00048
상기 화학식 7에서,In Chemical Formula 7, R11, R12, R21 및 R22는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 및 하이드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 11 , R 12 , R 21 and R 22 are the same or different from each other, and each independently a group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a hydroxy group Is selected from R3 및 R4는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,R 3 and R 4 are the same or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkylene group, or a substituted or unsubstituted arylene group, k1은 1 내지 50의 정수이다.)k 1 is an integer from 1 to 50.) [화학식 2][Formula 2]
Figure 112009061818513-pat00049
Figure 112009061818513-pat00049
[화학식 3](3)
Figure 112009061818513-pat00050
Figure 112009061818513-pat00050
[화학식 4][Formula 4]
Figure 112009061818513-pat00051
Figure 112009061818513-pat00051
[화학식 5][Chemical Formula 5]
Figure 112009061818513-pat00052
Figure 112009061818513-pat00052
[화학식 6][Formula 6]
Figure 112009061818513-pat00053
Figure 112009061818513-pat00053
(상기 화학식 2 내지 6에서, (In Chemical Formulas 2 to 6, Z1 내지 Z5는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 할라이드이고, Z 1 to Z 5 are the same or different from each other, and each independently a halide, R16 내지 R22는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 및 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 16 to R 22 are the same or different from each other, and are each independently selected from the group consisting of hydrogen and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, R23은 아릴기, 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 아릴기, 및 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 사이클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,R 23 is selected from the group consisting of an aryl group, a cycloalkyl group, an aryl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and a cycloalkyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, n8은 1 내지 9의 정수이고,n 8 is an integer from 1 to 9, n9, n10, 및 n12는 1 내지 4의 정수이고,n 9 , n 10 , and n 12 are integers from 1 to 4, n11 및 n14는 1 내지 5의 정수이고n 11 and n 14 are integers from 1 to 5 n13은 1 내지 3의 정수이다.)n 13 is an integer of 1 to 3.)
제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 모노카르복실산 할라이드는 5-노보넨-2-카르복실산 할라이드, 4-나 디미도 벤조일 할라이드, 4-(4-페닐에티니프탈이미도)벤조일 할라이드, 4-(3-페닐에틸니프탈이미도)벤조일 할라이드, 4-(2-페닐말레이미도)벤조일 할라이드, 4-말레이미도 벤조일 할라이드, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,The first monocarboxylic acid halide is 5-norbornene-2-carboxylic acid halide, 4-nadimido benzoyl halide, 4- (4-phenylethiniphthalimido) benzoyl halide, 4- (3-phenyl Ethylniphthalimido) benzoyl halide, 4- (2-phenylmaleimido) benzoyl halide, 4-maleimido benzoyl halide, and combinations thereof, 제2 모노카르복실산 할라이드는 벤조일 할라이드 또는 사이클로헥실 할라이드, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.The second monocarboxylic acid halide is selected from the group consisting of benzoyl halide or cyclohexyl halide, and combinations thereof. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 모노카르복실산 할라이드 단량체 및 상기 제2 모노카르복실산 할라이드 단량체의 혼합비는 8 : 2 내지 2: 8인 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.The positive photosensitive resin composition of claim 1, wherein the mixing ratio of the first monocarboxylic acid halide monomer and the second monocarboxylic acid halide monomer is 8: 2 to 2: 8. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 폴리벤즈옥사졸 전구체는 3,000 내지 300,000의 중량평균분자량(Mw)을 갖는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.The polybenzoxazole precursor is a positive photosensitive resin composition having a weight average molecular weight (Mw) of 3,000 to 300,000. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수지 조성물은The resin composition is 상기 (A) 폴리벤즈옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여Based on 100 parts by weight of the (A) polybenzoxazole precursor 상기 (B) 감광성 디아조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부;5 to 100 parts by weight of the (B) photosensitive diazoquinone compound; 상기 (C) 실란 화합물 0.1 내지 30 중량부;0.1 to 30 parts by weight of the (C) silane compound; 상기 (D) 페놀 화합물 1 내지 30 중량부; 및 1 to 30 parts by weight of the (D) phenol compound; And 상기 (E) 용매 200 내지 900 중량부200 to 900 parts by weight of the solvent (E) 를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.Positive photosensitive resin composition comprising a. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 감광성 수지막.The photosensitive resin film formed using the positive photosensitive resin composition of any one of Claims 1-5. 제6항의 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자.The semiconductor element containing the photosensitive resin film of Claim 6.
KR1020090095882A 2008-10-08 2009-10-08 Positive photosensitive resin composition KR101182248B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080098768 2008-10-08
KR20080098768 2008-10-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100039819A KR20100039819A (en) 2010-04-16
KR101182248B1 true KR101182248B1 (en) 2012-09-12

Family

ID=42216132

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090095882A KR101182248B1 (en) 2008-10-08 2009-10-08 Positive photosensitive resin composition

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101182248B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003248314A (en) 2002-02-25 2003-09-05 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd Positive photosensitive resin composition, method for producing pattern and electronic parts
JP2004062142A (en) 2002-03-28 2004-02-26 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd Positive photosensitive resin composition, method for manufacturing pattern, and electronic parts
JP2005290194A (en) 2004-03-31 2005-10-20 Kansai Paint Co Ltd Polybenzoxazole precursor
JP2005316117A (en) 2004-04-28 2005-11-10 Kansai Paint Co Ltd Photosensitive resin composition

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003248314A (en) 2002-02-25 2003-09-05 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd Positive photosensitive resin composition, method for producing pattern and electronic parts
JP2004062142A (en) 2002-03-28 2004-02-26 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd Positive photosensitive resin composition, method for manufacturing pattern, and electronic parts
JP2005290194A (en) 2004-03-31 2005-10-20 Kansai Paint Co Ltd Polybenzoxazole precursor
JP2005316117A (en) 2004-04-28 2005-11-10 Kansai Paint Co Ltd Photosensitive resin composition

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100039819A (en) 2010-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101247622B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR100914062B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR20120078324A (en) Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin layer
KR101333706B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR101400192B1 (en) Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin layer
KR101023089B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR100914064B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR101333698B1 (en) Positive photosensitive resin composition
KR101015857B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR101423539B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
TWI471362B (en) Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin layer
KR101311940B1 (en) Positive photosensitive resin composition
KR101015859B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR100995079B1 (en) Positive photosensitive resin composition
KR101015855B1 (en) Positive photosensitive resin composition
KR101182248B1 (en) Positive photosensitive resin composition
KR101257696B1 (en) Positive photosensitive resin composition
KR20120066923A (en) Novel phenol compounds and positive photosensitive resin composition including the same
KR101333705B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR101233382B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR100965549B1 (en) Positive photosensitive resin composition
KR101400188B1 (en) Positive type photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using positive type photosensitive resin composition, and semiconductor device including photosensitive resin layer
KR101400190B1 (en) Positive type photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using positive type photosensitive resin composition, and semiconductor device including photosensitive resin layer
KR101311939B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR20200026594A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150825

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160816

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170809

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee