KR20130078782A - Positive type photosensitive resin composition - Google Patents

Positive type photosensitive resin composition Download PDF

Info

Publication number
KR20130078782A
KR20130078782A KR1020110147903A KR20110147903A KR20130078782A KR 20130078782 A KR20130078782 A KR 20130078782A KR 1020110147903 A KR1020110147903 A KR 1020110147903A KR 20110147903 A KR20110147903 A KR 20110147903A KR 20130078782 A KR20130078782 A KR 20130078782A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
formula
photosensitive resin
Prior art date
Application number
KR1020110147903A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101486568B1 (en
Inventor
윤은경
이종화
황은하
권지윤
김대윤
김상권
김상수
이준호
이진영
조현용
홍충범
Original Assignee
제일모직주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제일모직주식회사 filed Critical 제일모직주식회사
Priority to KR20110147903A priority Critical patent/KR101486568B1/en
Publication of KR20130078782A publication Critical patent/KR20130078782A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101486568B1 publication Critical patent/KR101486568B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00Photosensitive materials
    • G03C1/52Compositions containing diazo compounds as photosensitive substances
    • G03C1/61Compositions containing diazo compounds as photosensitive substances with non-macromolecular additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G03F7/0236Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G03F7/0758Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/105Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having substances, e.g. indicators, for forming visible images

Abstract

PURPOSE: A positive photosensitive resin composition is provided to be able to show an excellent cyclization rate by a low temperature curing reaction, and, therefore, to be able to manufacture a photosensitive resin film with an excellent mechanical property and insulation property. CONSTITUTION: A positive photosensitive resin composition comprises (A) alkali soluble resin selected from a polybenzoxazole precursor, and a polyimide precursor or their combination; (B) a photosensitive diazoquinone compound; (B) a thermoacid generator with a decomposition temperature of 150-200deg.C; and (D) a solvent. The polybenzoxazole precursor includes a repeating unit represented by Chemical formula 1, or both repeating units of Chemical formulas 1 and 2, and has a thermally polymerizable functional group on at least one terminal end.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물{POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}Positive type photosensitive resin composition {POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}

포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 경화막, 절연막, 반도체 장치 및 표시장치에 관한 것이다.  A positive photosensitive resin composition and a cured film, an insulating film, a semiconductor device, and a display device using the same.

감광성 폴리이미드 및 폴리벤조옥사졸 수지는 열적 기계적 특성이 우수하여 반도체 보호막 또는 층간 절연막 등으로 적용되고 있으며, 그 용도가 확대되어 디스플레이분야에서도 적용되고 있다. 특히, 내열성, 낮은 유전율 및 절연성으로 인해 유기 EL소자의 절연막 및 전극보호막으로 디스플레이장치 등에 적용되고 있다. 유기발광소자의 절연막으로 적용되는 감광성 폴리이미드 및 폴리벤조옥사졸은 또한 코팅 표면의 평탄화 특성이 좋고, 소자의 신뢰성을 저하하는 불순물의 함유량이 매우 낮으며, 미세 형상을 용이하게 만들 수 있는 장점이 있다.Photosensitive polyimide and polybenzoxazole resins have excellent thermal and mechanical properties, and have been applied to semiconductor protective films or interlayer insulating films. In particular, due to its heat resistance, low dielectric constant and insulation properties, it has been applied to display devices and the like as insulating films and electrode protective films of organic EL devices. The photosensitive polyimide and polybenzoxazole, which are applied as an insulating film of an organic light emitting device, also have good flattening properties of the coating surface, a very low content of impurities deteriorating the reliability of the device, and an advantage of making a fine shape easy. have.

그러나, 유기 EL소자와 같은 표시소자에서는 절연막에 대한 신뢰성 향상이 더욱 절실히 요구되게 되며 소자공정의 최소화 및 절연막의 양호한 형상 등이 요구된다. 특히, 절연막의 공정온도가 250℃ 이상이고, 경화시간이 1시간 이상으로 제조 공정이 진행되는 경우, 고온에서 지속적인 노출로 인해 표시소자에서 절연막의 하부기재와 상부기재 간의 접착력 저하와 전극의 에지 부분의 절연파괴 및 누설 전류의 발생할 수 있다. 따라서, 표시 소자에서 표시불량을 일으키지 않기 위하여, 저온에서 경화반응을 시키는 제조공정이 요구되고 있다.However, in display devices such as organic EL devices, the reliability improvement of the insulating film is urgently required, and the minimization of the device process and the good shape of the insulating film are required. Particularly, when the process temperature of the insulating film is 250 ° C. or more and the curing process is performed for 1 hour or more, the display device exhibits a decrease in adhesion between the lower and upper substrates of the insulating film and the edge portion of the electrode due to continuous exposure at high temperatures. Insulation breakdown and leakage current may occur. Therefore, in order not to cause display defects in a display element, the manufacturing process which hardens reaction at low temperature is calculated | required.

이에 본 발명자들은 저온 및 짧은 공정 시간 내에서 폴리벤조옥사졸 전구체의 폐환율을 상승시킴으로써, 표시소자의 불량율이 발생되는 문제점을 햐결하고, 경화 후 감광성 수지의 기계적 물성도 저해되지 않는 감광성 수지 조성물을 개발하여 본 발명을 완성하였다. Accordingly, the present inventors solve the problem that the defective rate of the display device is generated by increasing the closing rate of the polybenzoxazole precursor at low temperature and short process time, and the photosensitive resin composition which does not inhibit the mechanical properties of the photosensitive resin after curing. Developed to complete the present invention.

본 발명의 일 구현예는, 저온 경화반응에 의해서도 우수한 폐환율을 가짐으로써, 감광성 수지막 제조시 우수한 기계적 물성 및 절연성을 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하고자 한다. One embodiment of the present invention is to provide a positive photosensitive resin composition having excellent mechanical properties and insulation properties in the production of a photosensitive resin film by having a good ring-closure rate even by a low temperature curing reaction.

본 발명의 다른 구현예는  상기 포지티브형 감광성 수지 조성물이 적용된 절연막 및 이를 포함한 표시 소자를 제공하는 것이다. Another embodiment of the present invention is to provide an insulating film to which the positive photosensitive resin composition is applied and a display device including the same.

본 발명의 일 구현예는 (A) 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체 또는 이들의 조합에서 선택되는 알칼리 가용성 수지, (B) 감광성 디아조퀴아논 화합물, (C) 150℃ 내지 200℃의 분해온도를 갖는 열산발생제 및 (D) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다. One embodiment of the present invention is an alkali-soluble resin selected from (A) polybenzoxazole precursor, polyimide precursor or a combination thereof, (B) photosensitive diazoquianone compound, (C) decomposition temperature of 150 ℃ to 200 ℃ It provides a positive photosensitive resin composition comprising a thermal acid generator having a (D) solvent.

상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하거나 또는 하기 화학식 1 및 2의 반복단위를 모두 포함할 수 있다. The polybenzoxazole precursor may include a repeating unit represented by the following Formula 1 or may include both repeating units of the following Formulas 1 and 2.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 1 및 2에서, In the above Formulas 1 and 2,

X1은 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고,X 1 is an aromatic organic group or a 4-6 valent aliphatic organic group,

Y1 및 Y2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고, Y 1 and Y 2 are the same or different from each other, and each independently an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group,

X2는 방향족 유기기, 2 내지 6가의 지방족 유기기, 2 내지 6가의 지환족 유기기, 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 구조를 갖는 유기기이며,X 2 is an aromatic organic group, a 2-6 valent aliphatic organic group, a 2-6 valent alicyclic organic group, or an organic group having a structure represented by the following general formula (3),

[화학식 3](3)

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 3에서, In Formula 3,

R23 내지 R26은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 또는 하이드록시기이고, R 23 to R 26 are the same or different from each other, and each independently, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, or a hydroxy group,

R27 및 R28은 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고, k는 1 내지 50의 정수이다.R 27 and R 28 are the same or different, and each independently, a substituted or unsubstituted alkylene group, or a substituted or unsubstituted arylene group, k is an integer of 1 to 50.

상기 폴리이미드 전구체는 하기 화학식 50 및 화학식 51의 반복단위를 포함할 수 있다. The polyimide precursor may include repeating units represented by Formula 50 and Formula 51.

[화학식 50](50)

Figure pat00004
Figure pat00004

[화학식 51](51)

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 화학식 50 및 화학식 51에서, X3은 방향족 유기기, 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기이고, Y3 및 Y4는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 방향족 유기기, 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기이고, X4는 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지환족 유기기, 또는 상기 화학식 3으로 표시되는 작용기이고, R100 내지 R103은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기일 수 있다. In Formula 50 and Formula 51, X 3 is an aromatic organic group or a divalent to hexavalent alicyclic organic group, and Y 3 and Y 4 are the same or different from each other, and each independently an aromatic organic group, or tetravalent to hexavalent alicyclic an organic group, X 4 is an aromatic organic group, a divalent to hexavalent aliphatic organic group, or a group represented by the formula 3, R 100 to R 103 are the same as or different from each other, and are each independently , Hydrogen, or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group.

상기 열산발생제는 하기 화학식 22 내지 24로 표시되는 화합물 중 적어도 하나일 수 있다.The thermal acid generator may be at least one of compounds represented by the following Chemical Formulas 22 to 24.

[화학식 22][Chemical Formula 22]

Figure pat00006
Figure pat00006

[화학식 23](23)

Figure pat00007
Figure pat00007

[화학식 24] ≪ EMI ID =

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 화학식 22 내지 24에서, In Chemical Formulas 22 to 24,

R43 내지 R49는 할로겐원자, 알킬기, 알코올기 또는 알콕시기로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 사이클로알킬기 또는 이들의 조합이며, R50 내지 R53은 각각 독립적으로 수소원자이거나 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 사이클로알킬기 또는 이들의 조합이며, 상기 n은 1 내지 5 일 수 있다. R 43 to R 49 is a C1 to C30 alkyl group substituted or unsubstituted with a halogen atom, an alkyl group, an alcohol group or an alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 cycloalkyl group, or a R 50 to R 53 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 cycloalkyl group, or a combination thereof In combination, n may be 1 to 5.

또한, 상기 열산발생제는 하기 화학식 22a 또는 22b로 표시되는 화합물일 수 있다. In addition, the thermal acid generator may be a compound represented by the following Chemical Formula 22a or 22b.

[화학식 22a][Formula 22a]

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 화학식 22a에서, m1 및 m2는 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이며, 바람직하게는 0 내지 6 정수이며, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 C1 내지 C10 알콕시기 또는 수소원자이거나, 또는 할로겐원자, 알킬기, 알코올기 또는 알콕시기로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알키닐기 또는 이들의 조합이며,In Formula 22a, m1 and m2 are each independently an integer of 0 to 10, preferably 0 to 6, and Z 1 and Z 2 are each independently a C1 to C10 alkoxy group or a hydrogen atom, or a halogen atom , A C1 to C10 alkyl group substituted or unsubstituted with an alkyl group, an alcohol group or an alkoxy group, a substituted or unsubstituted C2 to C10 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkynyl group, or a combination thereof,

[화학식 22b][Formula 22b]

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 화학식 22b에서, R54는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기 또는 이들의 조합이며, R55는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 사이클로알킬기이며 또는 이들의 조합일 수 있다. In Formula 22b, R 54 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, or a combination thereof, and R 55 is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or It may be an unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 cycloalkyl group, or a combination thereof.

또한, 상기 열산발생제는 하기 화학식 25 내지 35 중 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있다.  In addition, the thermal acid generator may be a compound represented by any one of the following Formula 25 to 35.

[화학식 25](25)

Figure pat00011
Figure pat00011

[화학식 26](26)

Figure pat00012
Figure pat00012

[화학식 27](27)

Figure pat00013
Figure pat00013

[화학식 28]
(28)

*

Figure pat00014
*
Figure pat00014

[화학식 29][Formula 29]

Figure pat00015
Figure pat00015

[화학식 30](30)

Figure pat00016
Figure pat00016

[화학식 31](31)

Figure pat00017
Figure pat00017

[화학식 32](32)

Figure pat00018
Figure pat00018

[화학식 33](33)

Figure pat00019
Figure pat00019

[화학식 34][Formula 34]

Figure pat00020
Figure pat00020

[화학식 35](35)

Figure pat00021
Figure pat00021

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물는 (A) 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 (B) 감광성 디아조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부,(C) 열산발생제 1 내지 15 중량부 및 (D) 용매 100 내지 400 중량부를 포함할 수 있다. The positive photosensitive resin composition comprises (B) 5 to 100 parts by weight of (B) photosensitive diazoquinone compound, (C) 1 to 15 parts by weight of thermal acid generator, and (D) 100 to 400 solvents based on 100 parts by weight of alkali-soluble resin. It may include parts by weight.

본 발명의 다른 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 절연층을 포함하는 표시소자를 제공한다. Another embodiment of the present invention provides a display element comprising an insulating layer formed using the positive photosensitive resin composition.

본 발명의 또 다른 구현예는 상기 표시소자를 이용한 유기발광소자를 제공한다. Another embodiment of the present invention provides an organic light emitting device using the display device.

저온의 경화반응에 의해서도 우수한 폐환율을 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하여, 경화반응에서의 경화온도 및 경화 시간을 낮춤으로써, 기계적 물성 및 절연성이 현저히 개선된 절연막 및 이를 포함한 표시 소자를 구현한다. The present invention provides a positive photosensitive resin composition having an excellent ring-closure rate even by a low temperature curing reaction, and lowers the curing temperature and curing time in the curing reaction, thereby realizing an insulating film and a display device including the same having improved mechanical properties and insulation properties. .

도 1은 OLED 기판의 단면도를 나타낸 것이다.
도 2는 절연층의 개구부의 횡방향(X-X') 및 종방향(Y-Y')을 나타낸 것이다.
1 shows a cross-sectional view of an OLED substrate.
2 shows the transverse direction (X-X ') and the longitudinal direction (Y-Y') of the opening of the insulating layer.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다.  다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is presented as an example, by which the present invention is not limited and the present invention is defined only by the scope of the claims to be described later.

또한, 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한 "알킬기"란 C1 내지 C30 알킬기를, 좋게는 C1 내지 C16 알킬기를 의미하고, "알킬렌기"란 C1 내지 C30 알킬렌기를, 좋게는 C1 내지 C16 알킬렌기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C30 알케닐기를, 좋게는 C2 내지 C16 알케닐기를 의미하고, "알키닐기"란 C2 내지 C30 알키닐기를, 좋게는 C2 내지 C16 알키닐기를 의미하고, "사이클로알킬기"는 C3 내지 C30 사이클로알킬기를 의미하며, "알콕시기"란 C1 내지 C30 알콕시기를, 좋게는 C1 내지 C16 알콕시기를 의미하고, "알코올기"란 C1 내지 C30 알코올기를 의미하며, 좋게는 C1 내지 C16 알콕시기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C30 아릴기를, 좋게는 C6 내지 C18 아릴기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C30 아릴렌기를, 좋게는 C6 내지 C18 아릴렌기를 의미하고, "헤테로아릴기"란 C2 내지 C30 헤테로아릴기를, 좋게는 C1 내지 C16 헤테로아릴기를 의미하고, "헤테로사이클릭기"는 C2 내지 C30 헤테로사이클릭기를 의미하고, 좋게는 C2 내지 C18 헤테로사이클릭기를 의미한다.In addition, "alkyl group" means a C1 to C30 alkyl group, preferably C1 to C16 alkyl group, unless otherwise specified herein, "alkylene group" means a C1 to C30 alkylene group, preferably a C1 to C16 alkylene group "Alkenyl group" means a C2 to C30 alkenyl group, preferably C2 to C16 alkenyl group, "alkynyl group" means a C2 to C30 alkynyl group, preferably C2 to C16 alkynyl group, " Cycloalkyl group "means a C3 to C30 cycloalkyl group," alkoxy group "means a C1 to C30 alkoxy group, preferably C1 to C16 alkoxy group," alcohol group "means a C1 to C30 alcohol group, preferably C1 To C16 alkoxy group, “aryl group” means C6 to C30 aryl group, preferably C6 to C18 aryl group, “arylene group” means C6 to C30 arylene group, preferably C6 to C18 arylene group "Heteroaryl group" means C2 to C30 He Teraryl groups, preferably C1 to C16 heteroaryl groups, and "heterocyclic groups" mean C2 to C30 heterocyclic groups, preferably C2 to C18 heterocyclic groups.

또한 본 명세서에서 "지방족 유기기"란 C1 내지 C30 알킬, C2 내지 C30 알케닐, 또는 C2 내지 C30 알키닐을 의미하며, "지환족 유기기" 및 "지환족기"란 C3 내지 C30 사이클로알킬, C3 내지 C30 사이클로알케닐, 또는 C3 내지 C30 사이클로알키닐을 의미하며, "방향족 유기기"란 C6 내지 C30 아릴기 또는 C2 내지 C30 헤테로아릴기를 의미한다.In addition, the term "aliphatic organic group" herein refers to C1 to C30 alkyl, C2 to C30 alkenyl, or C2 to C30 alkynyl, "alicyclic organic group" and "alicyclic group" means C3 to C30 cycloalkyl, C3 To C30 cycloalkenyl, or C3 to C30 cycloalkynyl, and “aromatic organic group” means C6 to C30 aryl group or C2 to C30 heteroaryl group.

또한 본 명세서에서 “치환된”이란, 별도의 정의가 없는 한, 본 발명의 작용기 중의 하나 이상의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Cl, Br, 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 이미노기(=NH, =NR, R은 C1 내지 C10 알킬기임), 아미노기(-NH2, -NH(R'), -N(R")(R"'), R' 내지 R"'는 각각 독립적으로 C1 내지 C10 알킬기임), 아미디노기, 히드라진, 히드라존기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환된 것을 의미한다. In the present specification, "substituted" means, unless otherwise defined, at least one hydrogen atom of the functional group of the present invention is halogen atom (F, Cl, Br, or I), hydroxy group, nitro group, cyano group, imino group ( = NH, = NR, R is a C1 to C10 alkyl group, amino group (-NH2, -NH (R '), -N (R ") (R"'), R 'to R "' are each independently C1 To C10 alkyl group), amidino group, hydrazine, hydrazone group, carboxyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, substituted Or an unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group and a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group.

또한, 본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 고리 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.In addition, in the present specification, "hetero" means one to three hetero atoms selected from the group consisting of N, O, S, and P in one ring, and the remainder is carbon unless otherwise defined. .

또한, 본 명세서에서 "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다. In addition, in this specification, "*" means the part connected with the same or different atom or formula.

또한, 본 명세서에서 "이들의 조합"이란 별도의 정의가 없는 한, 둘 이상의 치환기가 단일 결합 또는 연결기로 결합되어 있거나, 둘 이상의 치환기가 축합하여 결합되어 있는 것을 의미한다.In addition, "combination thereof" in the present specification means that two or more substituents are bonded to a single bond or a linking group, or two or more substituents are condensed to each other unless otherwise defined.

본 발명의 일 구현예는 (A) 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체 또는 이들의 조합에서 선택되는 알칼리 가용성 수지, (B) 감광성 디아조퀴아논 화합물, (C) 150℃ 내지 200℃의 분해온도를 갖는 열산발생제, (D) 실란 화합물 및 (E) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다. 이하에서는 각 성분에 대해 구체적인 구현예를 살펴보기로 한다.  
One embodiment of the present invention is an alkali-soluble resin selected from (A) polybenzoxazole precursor, polyimide precursor or a combination thereof, (B) photosensitive diazoquianone compound, (C) decomposition temperature of 150 ℃ to 200 ℃ Provided is a positive photosensitive resin composition comprising a thermal acid generator having a (D) silane compound and a solvent (E). Hereinafter, a specific embodiment of each component will be described.

(A) 알칼리 가용성 수지(A) an alkali-soluble resin

상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체 또는 이들의 조합에서 선택된다.  The alkali-soluble resin is selected from polybenzoxazole precursors, polyimide precursors, or a combination thereof.

상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하거나 또는 하기 화학식 1 및 2의 반복단위를 포함할 수 있다.  포함하며, 적어도 한 쪽의 말단 부분에 열중합성 관능기를 갖는다.The polybenzoxazole precursor may include a repeating unit represented by the following Formula 1 or may include a repeating unit of the following Formulas 1 and 2. And at least one terminal portion has a thermopolymerizable functional group.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00022
Figure pat00022

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00023
Figure pat00023

상기 화학식 1 및 2에서, X1은 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고, Y1 및 Y2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고, X2는 방향족 유기기, 2 내지 6가의 지방족 유기기, 2 내지 6가의 지환족 유기기, 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 구조를 갖는 유기기이다.  In Formulas 1 and 2, X 1 is an aromatic organic group or a 4-6 valent aliphatic organic group, Y 1 and Y 2 are the same or different from each other, and each independently an aromatic organic group or a 2-6 valent aliphatic organic group , X 2 is an aromatic organic group, a 2-6 valent aliphatic organic group, a 2-6 valent alicyclic organic group, or an organic group having a structure represented by the following formula (3).

[화학식 3](3)

Figure pat00024
Figure pat00024

상기 화학식 3에서, R23 내지 R26은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 또는 하이드록시기이고, R27 및 R28은 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고, k는 1 내지 50의 정수이다.In Formula 3, R 23 to R 26 are the same or different from each other, and each independently, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, or a hydroxy group, R 27 and R 28 are the same or different, and each independently, a substituted or unsubstituted alkylene group, or a substituted or unsubstituted arylene group, k is an integer from 1 to 50.

상기 폴리벤조옥사졸 전구체의 형태는 특별히 한정되는 것은 아니며, 랜덤, 블럭, 또는 교호 공중합체 모두 가능하다.The form of the polybenzoxazole precursor is not particularly limited, and may be any random, block, or alternating copolymer.

또한 상기 폴리벤조옥사졸 전구체가 화학식 1의 반복단위와 화학식 2의 반복단위를 모두 포함하는 경우, 화학식 1의 반복단위는 60몰% 이상 100몰% 미만의 양으로 포함되는 것이 좋다.In addition, when the polybenzoxazole precursor includes both the repeating unit of Formula 1 and the repeating unit of Formula 2, the repeating unit of Formula 1 may be included in an amount of 60 mol% or more and less than 100 mol%.

상기 X1은 대표적으로, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(4-아미노-3-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(4-아미노-3-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(4-아미노-3-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2'-(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2'-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2'-(3-히드록시-4-아미노-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2'-(3-히드록시-4-아미노-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)-2'-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)-2'-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 및 이들의 조합으로부터 유도되는 잔기일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.X 1 is typically 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, bis (3-amino 4-hydroxyphenyl) propane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone , 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl ) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2'-bis (3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2 '-Bis (3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2'-bis (3-amino-4-hydroxy-2-triflumethylphenyl) hexafluoro Propane, 2,2'-bis (4-amino-3-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2'-bis (4-amino-3-hydroxy-6-trifluoro Chloromethylphenyl) hexafluoropropane, 2 , 2'-bis (4-amino-3-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2'-bis (3-amino-4-hydroxy-5-pentafluoroethylphenyl Hexafluoropropane, 2- (3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) -2 '-(3-amino-4-hydroxy-5-pentafluoroethylphenyl) hexafluoro Propane, 2- (3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) -2 '-(3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2- ( 3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) -2 '-(3-hydroxy-4-amino-6-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2- (3-amino-4 -Hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) -2 '-(3-hydroxy-4-amino-2-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2- (3-amino-4-hydroxy-2 -Trifluoromethylphenyl) -2 '-(3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2- (3-amino Residues derived from 4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl) -2 '-(3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, and combinations thereof It is not limited to this.

또한 상기 X1은 하기 화학식 4 및 5로 표시되는 화합물인 것이 좋다.In addition, X 1 is preferably a compound represented by the following formula (4) and (5).

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00025
Figure pat00025

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pat00026
Figure pat00026

(상기 화학식 4 및 5에서,(In Chemical Formulas 4 and 5,

A1은 O, CO, CR8R9, SO2, S, 및 단일결합으로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고, A 1 may be selected from the group consisting of O, CO, CR 8 R 9 , SO 2 , S, and a single bond,

R8 및 R9는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있으며, 좋게는 상기 R8 및 R9는 플루오로알킬기이고,R 8 And R 9 are the same or different from each other, and each independently hydrogen and a substituted or unsubstituted alkyl group may be selected, preferably R 8 And R 9 is a fluoroalkyl group,

R5 내지 R7은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 히드록시기, 카르복실산기, 및 티올기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고,R 5 to R 7 are the same or different from each other, and each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group,   It may be selected from the group consisting of a hydroxyl group, a carboxylic acid group, and a thiol group,

n1은 1 내지 2의 정수일 수 있고,n 1 may be an integer from 1 to 2,

n2 및 n3는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수일 수 있다.)n 2 and n 3 are the same or different from each other, and each independently may be an integer of 1 to 3.)

또한, 상기 X2는 방향족 디아민, 실리콘 디아민, 및 지환족 디아민으로 부터 유도될 수 있다.X 2 may also be derived from aromatic diamines, silicone diamines, and cycloaliphatic diamines.

상기 방향족 디아민의 구체적인 예로는, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 벤지딘, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 비스(4-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(3-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.  또한, 이들 방향족 디아민 단량체는 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다.Specific examples of the aromatic diamine include 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane and 4,4'-diaminodiphenyl Methane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, benzidine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6- Naphthalenediamine, bis (4-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (3-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether , 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, and the like, but is not limited thereto. In addition, these aromatic diamine monomers can be used individually or in mixture.

상기 실리콘 디아민의 구체적인 예를 들면, 비스(4-아미노페닐)디메틸실란, 비스(4-아미노페닐)테트라메틸실록산, 비스(p-아미노페닐)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1,4-비스(γ-아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 비스(4-아미노부틸)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라페닐디실록산, 1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the silicone diamine include bis (4-aminophenyl) dimethylsilane, bis (4-aminophenyl) tetramethylsiloxane, bis (p-aminophenyl) tetramethyldisiloxane, bis (γ-aminopropyl) tetra Methyldisiloxane, 1,4-bis (γ-aminopropyldimethylsilyl) benzene, bis (4-aminobutyl) tetramethyldisiloxane, bis (γ-aminopropyl) tetraphenyldisiloxane, 1,3-bis (amino Propyl) tetramethyldisiloxane   And the like, but is not limited thereto.

상기 지환족 디아민의 구체적인 예를 들면, 시클로헥실디아민, 메틸렌비스시클로헥실아민 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Specific examples of the alicyclic diamine include, but are not limited to, cyclohexyldiamine, methylenebiscyclohexylamine, and the like.

또한, 상기 방향족 디아민 단량체는 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있으며, 방향족 디아민 단량체, 실리콘 디아민 단량체, 또는 지환족 디아민을 적절히 혼합하여 사용할 수 있다.In addition, the said aromatic diamine monomer can be used individually or in mixture, and can use suitably the aromatic diamine monomer, a silicone diamine monomer, or an alicyclic diamine.

또한 상기 Y1 및 Y2는 대표적으로 디카르복실산 또는 디카르복실산 유도체의 잔기일 수 있다. In addition, Y 1 and Y 2 may be representative of a residue of a dicarboxylic acid or a dicarboxylic acid derivative.

상기 디카르복실산의 구체적인 예로는 Y(COOH)2(여기에서 Y는 상기 Y1 및 Y2와 동일함)을 들 수 있다.Specific examples of the dicarboxylic acid may be Y (COOH) 2 (where Y is Y 1 And Y 2 ).

상기 디카르복실산 유도체의 구체적인 예로는 카르보닐 할라이드 유도체 또는  Y(COOH)2와 1-히드록시-1,2,3-벤조트리아졸 등을 반응시킨 활성 에스테르형 유도체인 활성 화합물을 들 수 있다.  그 예로는, 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드, 디페닐옥시디카르복실산클로라이드, 비스(페닐카르복실산클로라이드)술폰, 비스(페닐카르복실산클로라이드)에테르, 비스(페닐카르복실산클로라이드)페논, 프탈릭 카르복실산디클로라이드, 테레프탈릭산디클로라이드, 이소프탈릭 카르복실산디클로라이드, 카르복실산디클로라이드, 디페닐옥시디카르복실레이트 벤조트리아졸 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물 등을 들 수 있다Specific examples of the dicarboxylic acid derivatives include carbonyl halide derivatives or   And active compounds which are active ester derivatives obtained by reacting Y (COOH) 2 with 1-hydroxy-1,2,3-benzotriazole and the like. Examples thereof include 4,4'-oxydibenzoyl chloride, diphenyloxydicarboxylic acid chloride, bis (phenylcarboxylic acid chloride) sulfone, bis (phenylcarboxylic acid chloride) ether and bis (phenylcarboxylic acid Chloride) phenone, phthalic carboxylic acid dichloride, terephthalic acid dichloride, isophthalic carboxylic acid dichloride, carboxylic acid dichloride, diphenyloxydicarboxylate benzotriazole and combinations thereof Can be mentioned

또한 상기 Y1 및 Y2는 하기 화학식 6 내지 8로 표시되는 화합물인 것이 좋다.In addition, it is preferable that Y 1 and Y 2 are compounds represented by the following Chemical Formulas 6 to 8.

[화학식 6][Formula 6]

Figure pat00027
Figure pat00027

[화학식 7][Formula 7]

Figure pat00028
Figure pat00028

[화학식 8][Formula 8]

Figure pat00029
Figure pat00029

(상기 화학식 6 내지 8에서,(In Chemical Formulas 6 to 8,

R10 내지 R13은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고, R 10 to R 13 are the same or different from each other, and each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n6, n8, 및 n9는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고, n7은 1 내지 3의 정수일 수 있고, n 6 , n 8 , and n 9 are the same or different and each independently can be an integer from 1 to 4, n 7 can be an integer from 1 to 3,

A2는 O, CR14R15, CO, CONH, S, 또는 SO2일 수 있으며, 상기 R14 및 R15는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 플로오로알킬기이다.) A 2 may be O, CR 14 R 15 , CO, CONH, S, or SO 2 , wherein R 14 And R 15 are the same or different and are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a fluoroalkyl group.)

또한 상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 분지쇄 말단의 어느 한쪽 또는 양쪽에, 반응성 말단봉쇄 단량체로부터 유도된 열중합성 관능기를 가질 수 있다. In addition, the polybenzoxazole precursor may have a thermopolymerizable functional group derived from a reactive endblocking monomer at either or both of the branched chain ends.

상기 반응성 말단봉쇄 단량체는 이중결합을 갖는 모노아민류, 이중결합을 갖는 모노언하이드라이드류, 또는 이들의 조합인 것이 좋다. The reactive terminal block monomer may be monoamines having a double bond, monoanhydrides having a double bond, or a combination thereof.

상기 이중결합을 갖는 모노아민류는 톨루이딘, 디메틸아닐린, 에틸아닐린, 아미노페놀, 아미노벤질알코올, 아미노인단(aminoindan), 아미노아세토페논, 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Monoamines having the double bond may be used toluidine, dimethylaniline, ethylaniline, aminophenol, aminobenzyl alcohol, amino indan (aminoindan), amino acetophenone, or a combination thereof, but is not limited thereto.

상기 이중결합을 갖는 모노언하이드라이드류는 하기 화학식 9의 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드, 하기 화학식 10의 3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라 하이드로프탈릭언하이드라이드, 하기 화학식 11의 이소부테닐숙시닉 언하이드라이드, 말레익 언하이드라이드, 아코니틱 언하이드라이드(aconitic anhydride), 4,5,6-테트라하이드로프탈릭 언하이드라이드(3,4,5,6-tetrahydrophthalic anhydride), 시스-1,2,3,6,-테트라하이드로프탈릭 언하이드라이드(cis-1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride), 이타코닉 언하이드라이드(itaconic anhydride: IA), 시트라코닉 언하이드라이드(citraconicanhydride: CA), 2,3-디메틸말레익 언하이드라이드(2,3-dimethylmaleicanhydride: DMMA) 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Mono-hydrides having the double bond are 5-norbornene-2,3-dicarboxylic hydride of formula 9, 3,6-epoxy-1,2,3,6-tetra hydride of formula 10 Loftalic anhydride, isobutenylsuccinic anhydride of formula 11, maleic anhydride, aconitic anhydride, 4,5,6-tetrahydrophthalic anhydride (3 , 4,5,6-tetrahydrophthalic anhydride, cis-1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride, itaconic anhydride (cis-1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride) itaconic anhydride (IA), citraconicanhydride (CA), 2,3-dimethylmaleic anhydride (DMMA) or a combination thereof   Or the like may be used, but the present invention is not limited thereto.

*[화학식 9]* [Formula 9]

Figure pat00030
Figure pat00030

[화학식 10][Formula 10]

Figure pat00031
Figure pat00031

[화학식 11][Formula 11]

또한, 하기 화학식 12 내지 16은 폴리벤조옥사졸 전구체의 말단에 위치하는 열중합성 관능기의 대표적인 예로서, 이러한 열중합성 관능기는 가열하는 공정에서 가교될 수 있다.  In addition, the following Chemical Formulas 12 to 16 are representative examples of the thermopolymerizable functional group positioned at the terminal of the polybenzoxazole precursor, and the thermopolymerizable functional group may be crosslinked in the heating process.  

 [화학식 12][Chemical Formula 12]

Figure pat00033
Figure pat00033

(상기 화학식 12에서, R16은 H, CH2COOH, 또는 CH2CHCHCH3이다.)(In Chemical Formula 12, R 16 is H, CH 2 COOH, or CH 2 CHCHCH 3. )

[화학식 13][Chemical Formula 13]

Figure pat00034
Figure pat00034

(상기 화학식 13에서, R17 및 R18은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 H 또는 CH3이다.)(In Formula 13, R 17 and R 18 are the same or different from each other, and each independently H or CH 3. )

[화학식 14][Formula 14]

Figure pat00035
Figure pat00035

[화학식 15][Formula 15]

Figure pat00036
Figure pat00036

(상기 화학식 15에서, R19는 H 또는 CH3이고, R20은 CH2 또는 산소 원자이다.)(In Formula 15, R 19 is H or CH 3 , R 20 is CH 2 or oxygen atom.)

[화학식 16][Chemical Formula 16]

Figure pat00037
Figure pat00037

(상기 화학식 16에서, R21 및 R22는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, H, CH3 또는 OCOCH3이다.)(In Formula 16, R 21 and R 22 are the same or different from each other, and each independently, H, CH 3 or OCOCH 3. )

상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 3,000 내지 300,000의 중량평균 분자량(Mw)을 가질 수 있다.  중량 평균 분자량이 상기 범위인 경우, 충분한 물성이 얻어질 수 있으며, 유기 용매에 대한 용해성이 우수하여 취급이 용이하다. The polybenzoxazole precursor may have a weight average molecular weight (Mw) of 3,000 to 300,000. When the weight average molecular weight is in the above range, sufficient physical properties can be obtained, and it is easy to handle because of excellent solubility in organic solvents.

상기 폴리이미드 전구체는 하기 화학식 50 및 화학식 51로 표시되는 반복단위를 포함할 수 있다.  하기 화학식 50로 표시되는 반복단위를 포함함으로써 고온경화 시 레진 경화가 신속하게 이루어질 수 있고, 하기 화학식 51로 표시되는 반복단위를 포함함으로써 고온경화 시 열적 특성을 향상시킬 수 있다.  The polyimide precursor may include a repeating unit represented by Formula 50 and Formula 51. By including a repeating unit represented by the following formula (50) can be quickly cured resin at high temperature curing, by including a repeating unit represented by the formula (51) can improve the thermal properties at high temperature curing.  

[화학식 50](50)

Figure pat00038
Figure pat00038

[화학식 51](51)

Figure pat00039
Figure pat00039

상기 화학식 50 내지 51에서, X3은 방향족 유기기, 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기이고, Y3 및 Y4는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 방향족 유기기, 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기이고, X4는 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지환족 유기기, 또는 상기 화학식 3으로 표시되는 작용기이고, R100 내지 R103은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이다. In Chemical Formulas 50 to 51, X 3 is an aromatic organic group or a divalent to hexavalent alicyclic organic group, Y 3 and Y 4 are the same or different from each other, and each independently an aromatic organic group, or tetravalent to 6 It is a valent alicyclic organic group, X 4 is an aromatic organic group, a divalent to hexavalent alicyclic organic group, or a functional group represented by the formula (3), R 100 to R 103 are the same or different from each other, each independently, Hydrogen or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물에서, 상기 화학식 50으로 표시되는 반복단위와 상기 화학식 51로 표시되는 반복단위의 합을 100 몰%로 하는 경우, 상기 화학식 50으로 표시되는 반복단위는 5 몰% 내지 50 몰%, 상기 화학식 51로 표시되는 반복단위는 50 몰% 내지 95 몰%로 포함될 수 있다. In the positive photosensitive resin composition, when the sum of the repeating unit represented by Formula 50 and the repeating unit represented by Formula 51 is 100 mol%, the repeating unit represented by Formula 50 is 5 mol% to 50 mol. %, The repeating unit represented by Formula 51 may be included in 50 mol% to 95 mol%.

상기 폴리이미드 전구체는 3,000 내지 300,000의 중량평균 분자량(Mw)을 가질 수 있다.
The polyimide precursor may have a weight average molecular weight (Mw) of 3,000 to 300,000.

(B) 감광성 (B) Photosensitive 디아조퀴논Diazoquinone 화합물 compound

상기 감광성 디아조퀴논 화합물로는 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 이는 미국특허 제2,772,975호, 제2,797,213호, 또는 제3,669,658호에 의해 공지된 물질이며, 이들 특허의 내용은 본 명세서에 참고로 언급되어 있다.As the photosensitive diazoquinone compound, a compound having a 1,2-benzoquinone diazide structure or a 1,2-naphthoquinone diazide structure can be preferably used. It is a material known by US Pat. Nos. 2,772,975, 2,797,213, or 3,669,658, the contents of which are incorporated herein by reference.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 17 및 화학식 19 내지 21로 표시되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Representative examples of the photosensitive diazoquinone compound include compounds represented by the following Chemical Formula 17 and Chemical Formulas 19 to 21, but are not limited thereto.

[화학식 17][Chemical Formula 17]

Figure pat00040
Figure pat00040

상기 화학식 17에서,In Formula 17,

R31 내지 R33은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로, 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 바람직하게는 CH3일 수 있고,R 31 to R 33 may be the same or different from each other and may each independently be hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably CH 3 ,

D1 내지 D3는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로, OQ일 수 있고, 상기 Q는 수소, 또는 하기 화학식 18a 또는 18b일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소일 수는 없고,D 1 to D 3 may be the same or different from each other, and each independently, may be OQ, and Q may be hydrogen, or Chemical Formula 18a or 18b, wherein Q may not be hydrogen at the same time,

n31 내지 n33은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.n 31 to n 33 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 3.

[화학식 18a][Formula 18a]

Figure pat00041
Figure pat00041

[화학식 18b][Formula 18b]

Figure pat00042
Figure pat00042

[화학식 19][Chemical Formula 19]

Figure pat00043
Figure pat00043

상기 화학식 19에서,In the above formula (19)

R34는 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고,R 34 is hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

D4 내지 D6은 OQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 17에 정의된 것과 동일하고,D 4 to D 6 may be OQ, wherein Q is the same as defined in Formula 17,

n34 내지 n36은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로, 1 내지 3의 정수이다.n 34 to n 36 are the same or different and are each independently an integer of 1 to 3.

[화학식 20][Chemical Formula 20]

Figure pat00044
Figure pat00044

상기 화학식 20에서,In the above formula (20)

A3는 CO 또는 CRR'일 수 있고, 상기 R 및 R'은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,A 3 may be CO or CRR ', and R and R' may be the same or different from each other, and each independently, a substituted or unsubstituted alkyl group,

D7 내지 D10은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, OQ, 또는 NHQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 17에 정의된 것과 동일하고,D 7 to D 10 are the same or different from each other, and each independently, may be hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, OQ, or NHQ, wherein Q is the same as defined in Formula 17,

n37, n38, n39 및 n40은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,n 37 , n 38 , n 39 and n 40 are the same or different from each other, and each independently an integer of 1 to 4,

n37+n38 및 n39+n40은 각각 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있고,n 37 + n 38 and n 39 + n 40 may be each independently an integer of 5 or less,

단, 상기 D7내지 D8중 적어도 하나는 OQ이며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 4개로 포함될 수 있다.Provided that at least one of the D 7 to D 8 is OQ, one aromatic ring has an OQ can contain 1 to 3, there is OQ can contain one to four and one of the aromatic ring.

[화학식 21][Chemical Formula 21]

Figure pat00045
Figure pat00045

상기 화학식 21에서,In Formula 21,

R35 내지 R42는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로, 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 35 to R 42 may be the same or different from each other, and may each independently be hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n41 및 n42는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로, 1 내지 5의 정수일 수 있고, 더욱 바람직하게는 2 내지 4의 정수일 수 있고,n 41 and n 42 may be the same or different from each other and may each independently be an integer of 1 to 5, more preferably an integer of 2 to 4,

Q는 상기 화학식 17에 정의된 것과 동일하다.Q is the same as defined in Formula 17 above.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 5 내지 100 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 상기 범위일 때는 노광에 의해 잔사 없이 패턴 형성이 잘 되며, 현상시 막 두께 손실이 없고 양호한 패턴을 얻을 수 있다.The photosensitive diazoquinone compound is preferably included in an amount of 5 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the photosensitive diazoquinone compound is within the above range, the pattern is well formed without residue by exposure, and a good pattern can be obtained without developing a film thickness loss during development.

 

(C) (C) 열산발생제Thermal acid generator

본 발명에 사용되는 열산발생제는 열에 의해 분해되면서 산을 발생함으로써, 경화반응을 촉진하는 화합물이다.  또한, 상기 열산발생제의 분해온도는 150 내지 250℃로서, 250℃ 이하의 온도에서도 산을 발생함으로써, 종래 250℃ 이상의 경화 온도를 요구하는 경화반응과 달리 상대적으로 낮은 온도에서도 상기 감광성 수지 조성물의 이미드화 반응을 촉진시킨다.The thermal acid generator used in the present invention is a compound which promotes a curing reaction by generating an acid while being decomposed by heat. In addition, the decomposition temperature of the thermal acid generator is 150 to 250 ℃, by generating an acid at a temperature of 250 ℃ or less, unlike the curing reaction requiring a curing temperature of 250 ℃ or more of the photosensitive resin composition even at a relatively low temperature Promotes the imidization reaction.

상기 열산발생제는 하기 화학식 22 내지 24 중 어느 하나로 표시될 수 있다. The thermal acid generator may be represented by any one of the following Chemical Formulas 22 to 24.

[화학식 22][Chemical Formula 22]

Figure pat00046
Figure pat00046

[화학식 23](23)

Figure pat00047
Figure pat00047

[화학식 24] ≪ EMI ID =

Figure pat00048
Figure pat00048

상기 화학식 22 내지 24에서, In Chemical Formulas 22 to 24,

R43 내지 R49는 할로겐원자, 알킬기, 알코올기 또는 알콕시기로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 사이클로알킬기 또는 이들의 조합이며, 예를 들면, -CF3, -CH3, -CH2CH2OCH3, 톨루엔기, 알코올기로 치환된 사이클로헥실기, 사이클로펜틸기 또는 페닐기 등일 수 있으며, R50 내지 R53은 각각 독립적으로 수소원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 사이클로알킬기 또는 이들의 조합이며, 상기 n은 1 내지 5 이다. R 43 to R 49 is a C1 to C30 alkyl group substituted or unsubstituted with a halogen atom, an alkyl group, an alcohol group or an alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 cycloalkyl group, or a And a combination, for example, -CF 3 , -CH 3 , -CH 2 CH 2 OCH 3 , toluene group, a cyclohexyl group substituted with an alcohol group, a cyclopentyl group or a phenyl group, and the like, wherein R 50 to R 53 are each Independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 cycloalkyl group, or a combination thereof, n is 1 to 5;

상기 화학식 22는 하기 화학식 22a로 표시되는 화합물일 수 있다. Formula 22 may be a compound represented by the following Formula 22a.

[화학식 22a][Formula 22a]

Figure pat00049
Figure pat00049

상기 화학식 22a에서, m1 및 m2는 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이며, 바람직하게는 0 내지 6 정수이며, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 C1 내지 C10 알콕시기 또는 수소원자이거나, 또는 할로겐원자, 알킬기, 알코올기 또는 알콕시기로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알키닐기 또는 이들의 조합이다.In Formula 22a, m1 and m2 are each independently an integer of 0 to 10, preferably 0 to 6, and Z 1 and Z 2 are each independently a C1 to C10 alkoxy group or a hydrogen atom, or a halogen atom , A C1 to C10 alkyl group substituted or unsubstituted with an alkyl group, an alcohol group or an alkoxy group, a substituted or unsubstituted C2 to C10 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkynyl group, or a combination thereof.

상기 화학식 22a는 구체적으로 하기 화학식 25 내지 27 중 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있다. Formula 22a may specifically be a compound represented by any one of the following Formulas 25 to 27.

[화학식 25](25)

Figure pat00050
Figure pat00050

[화학식 26](26)

Figure pat00051
Figure pat00051

[화학식 27](27)

Figure pat00052
Figure pat00052

또한, 상기 화학식 22는 구체적으로 하기 화학식 22b로 표시되는 화합물일 수 있다. . In addition, Chemical Formula 22 may specifically be a compound represented by Chemical Formula 22b. .

[화학식 22b][Formula 22b]

Figure pat00053
Figure pat00053

상기 화학식 22b에서, R54는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기 또는 이들의 조합이며, 예를 들면  2-히드록시사이클로헥실기, 2-히드록시사이클로헥실기, 3-히드록시사이클로헥실기, 3-히드록시사이클로헥실기, 4-히드록시사이클로헥실기, 2-메틸벤젠기, 3-메틸벤젠기, 2-히드록시벤젠기, 3-히드록시벤젠기이며, R55는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 사이클로알킬기이며 또는 이들의 조합이며, 예를 들면, -CF3, -CH3, 톨루엔기, -CH2CH2OCH3, -C5H3OH 등 일 수 있다. In Formula 22b, R 54 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, or a combination thereof, for example, 2-hydroxycyclohexyl group, 2-hydroxy Cyclohexyl group, 3-hydroxycyclohexyl group, 3-hydroxycyclohexyl group, 4-hydroxycyclohexyl group, 2-methylbenzene group, 3-methylbenzene group, 2-hydroxybenzene group, 3-hydroxy Hydroxybenzene group, R 55 is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 cycloalkyl group, or a combination thereof, for example -CF 3 ,   -CH 3 , toluene group, -CH 2 CH 2 OCH 3 ,   -C 5 H 3 OH and the like.

상기 화학식 22b는 구체적으로 하기 화학식 28 내지 31 중 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있다. Formula 22b may specifically be a compound represented by any one of the following Formulas 28 to 31.

[화학식 28](28)

Figure pat00054
Figure pat00054

[화학식 29][Formula 29]

Figure pat00055
Figure pat00055

[화학식 30](30)

Figure pat00056
Figure pat00056

[화학식 31](31)

Figure pat00057
Figure pat00057

상기 화학식 23은 구체적으로 하기 화학식 32 또는 33으로 표시되는 화합물일 수 있다. Formula 23 may specifically be a compound represented by the following Formula 32 or 33.

[화학식 32](32)

Figure pat00058
Figure pat00058

[화학식 33](33)

Figure pat00059
Figure pat00059

또한, 상기 화학식 24는 구체적으로 하기 화학식 34 또는 35으로 표시되는 화합물일 수 있다. In addition, Chemical Formula 24 may specifically be a compound represented by Chemical Formula 34 or 35.

[화학식 34][Formula 34]

Figure pat00060
Figure pat00060

[화학식 35](35)

Figure pat00061
Figure pat00061

상기 열산발생제는 150 내지 250℃의 온도에서 열 분해되어, 폴리벤조옥사졸 전구체 또는 폴리이미드 전구체가 폴리벤조옥사졸 또는 폴리이미드의 구조로 탈수 반응을 하여 환화되는 것을 촉진하므로,  경화온도를 내려도 환화되는 정도가 낮아지는 현상을 막을 수 있다. 따라서, 종래 경화반응의 온도 보다 낮은 온도에서도 비해 상대적으로 낮은 경화온도 및 짧은 경화시간의 경화반응 공정을 통해서도 우수한 폐환율을 가지는 감광성 수지 조성물을 제조할 수 있으므로, 제조 공정 비용 및 시간 면에서 더욱 유리한 이점을 가진다. 또한, 상기 낮은 경화온도에서는 경화 반응시의 가스 발생률이 감소되고, 형성된 절연막이 고온 환경에 장시간 노출될 염려가 없으므로, 절연막의 기계적 물성 및 절연성 등이 불가피하게 저하되는 것도 방지할 수 있다. The thermal acid generator thermally decomposes at a temperature of 150 to 250 ° C., so that the polybenzoxazole precursor or polyimide precursor is dehydrated into a structure of polybenzoxazole or polyimide to promote cyclization, and thus, the lower curing temperature is lowered. The degree of cyclization may be lowered. Therefore, since the photosensitive resin composition having an excellent cyclization rate can be produced even through a curing process having a relatively low curing temperature and a short curing time, even at a temperature lower than that of the conventional curing reaction, it is more advantageous in terms of manufacturing process cost and time. Has an advantage. In addition, at the low curing temperature, the gas generation rate during the curing reaction is reduced, and there is no fear that the formed insulating film is exposed to a high temperature environment for a long time, so that the mechanical properties and insulating properties of the insulating film can be inevitably lowered.

상기 열산발생제는 상기 알칼리 수용성 수지 100 중량부에 대하여, 1 내지 15 중량부, 바람직하게는 3 내지 10 중량부로 포함될 수 있다.  상기 열산발생제의 함량이 너무 적으면 절연막의 충분한 폐환이 일어나지 못해 절연막으로써 열적 및 기계적 물성의 저하가 일어나 표시소자의 불량을 초래할 수 있고, 너무 많으면 절연막 형성용 조성물의 보존 안정성이 저하된다. 또한, 노광 공정에서 감도가 저해될 우려가 있고,  경화 후 절연막에 열산발생제의 잔유물이 남아 있어 가스 발생률이 높아져 불량 표시 소자의 발생율이 높아진다. The thermal acid generator may be included in an amount of 1 to 15 parts by weight, preferably 3 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali water-soluble resin. When the content of the thermal acid generator is too small, sufficient closing ring of the insulating film may not occur, resulting in degradation of thermal and mechanical properties as the insulating film, which may cause a defect of the display device. When the content is too high, the storage stability of the composition for forming the insulating film is reduced. In addition, there is a possibility that the sensitivity may be impaired in the exposure step. After the curing, residues of the thermal acid generator remain in the insulating film to increase the gas generation rate, thereby increasing the generation rate of the defective display element.

상기 열산발생제는 경화 온도 조건에 따라 선택적으로 사용될 수 있으며, 1종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The thermal acid generator may be selectively used according to the curing temperature conditions, it may be used by mixing one or more kinds.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상기 열산발생제와 함께 p-톨루엔 술폰산, 벤젠술폰산 등과 같은 알릴술폰산, 트리플루오르메탄술폰산, 플루오르부탄술폰산 등과 같은 퍼플루오르알킬 술폰산, 메탄 술폰산, 에탄 술폰산, 부탄 술폰산 등과 같은 알킬 술폰산을 포함할 수 있다.
The positive photosensitive resin composition may be used together with the thermal acid generator such as allyl sulfonic acid such as p-toluene sulfonic acid and benzene sulfonic acid, perfluoroalkyl sulfonic acid such as trifluoromethane sulfonic acid, fluorobutane sulfonic acid, methane sulfonic acid, ethane sulfonic acid, butane sulfonic acid and the like. Alkyl sulfonic acids may be included.

* *

(D) 용매(D) Solvent

본 발명에 사용되는 용매로는 N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌 글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산 메틸, 락트산에틸, 락트산부틸, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 등을 들 수 있다.  이러한 용매는 단독으로 또는 2종 이상 병용하고 이용할 수 있다. The solvent used in the present invention is N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, di Ethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3- Butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxy propionate, and the like. These solvents may be used alone or in combination of two or more thereof.

본 발명의 감광성 수지 조성물에서 용매의 사용량은 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 100 내지 400 중량부가 바람직하다.  용매의 사용량이 이 범위에 포함되면 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있고, 용해도 및 코팅성이 우수하여 바람직하다.The amount of the solvent used in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 100 to 400 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the amount of the solvent used is included in this range, a film of sufficient thickness can be coated, and it is preferable because of excellent solubility and coating property.

 

(E) (E) 실란Silane 화합물 compound

상기 감광성 수지 조성물은 기판과의 밀착력을 향상시키기 위하여, 실란 화합물을 더 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may further include a silane compound in order to improve adhesion to the substrate.

상기 실란 화합물로는 하기 화학식 36로 표시되는 화합물을 사용할 수 있다.As the silane compound, a compound represented by the following Formula 36 may be used.

[화학식 36](36)

Figure pat00062
Figure pat00062

상기 화학식 36에서,In Chemical Formula 36,

R61은 비닐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있고, 바람직하게는 3-(메타크릴옥시)프로필, p-스티릴, 또는 3-(페닐아미노)프로필일 수 있다.R 61 may be a vinyl group, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group, preferably 3- (methacryloxy) propyl, p-styryl, or 3- (phenylamino) propylyl Can be.

R62 내지 R64는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 할로겐이고, 이때 상기 R62 내지 R64 중 적어도 하나는 알콕시기 또는 할로겐이고, 바람직하게는 상기 알콕시기는 C1 내지 C8 알콕시기이고, 상기 알킬기는 C1 내지 C20  알킬기일 수 있다.R 62 to R 64 are the same or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted alkyl group, or halogen, wherein at least one of R 62 to R 64 is an alkoxy group or halogen Preferably, the alkoxy group is a C1 to C8 alkoxy group, the alkyl group may be a C1 to C20 alkyl group.

상기 실란 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 37 및 38으로 표시되는 화합물; 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 등의 아릴기를 갖는 실란 화합물; 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐 트리클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란; 또는 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, p-스티릴 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디 에톡시실란 등의 탄소-탄소 불포화 결합을 함유하는 실란 화합물을 들 수 있으며, 가장 바람직하게는 비닐트리메톡시실란 또는 비닐트리에톡시실란을 들 수 있다.Representative examples of the silane compound include compounds represented by the following Chemical Formulas 37 and 38; Silane compounds having an aryl group such as trimethoxy [3- (phenylamino) propyl] silane; Vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyl trichlorosilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane; Or 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, p-styryl trimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldi Silane compounds containing carbon-carbon unsaturated bonds, such as ethoxysilane, are mentioned, Most preferably, vinyl trimethoxysilane or vinyl triethoxysilane is mentioned.

[화학식 37][Formula 37]

Figure pat00063
Figure pat00063

상기 화학식 37에서,In Chemical Formula 37,

R65는 NH2 또는 CH3CONH이고,R 65 is NH 2 or CH 3 CONH,

R66 내지 R68은 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 알콕시기이고, 바람직하게는 상기 알콕시기는 OCH3 또는 OCH2CH3일 수 있고,R 66 to R 68 are the same or different from each other, and each independently, a substituted or unsubstituted alkoxy group, preferably the alkoxy group may be OCH 3 or OCH 2 CH 3 ,

n61은 1 내지 5의 정수일 수 있다.n 61 may be an integer from 1 to 5.

[화학식 38](38)

Figure pat00064
Figure pat00064

상기 화학식 38에서,In Formula 38,

R69 내지 R72는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이고, 바람직하게는 CH3 또는 OCH3일 수 있고,  R73 및 R74는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아미노기이고, 바람직하게는 NH2 또는 CH3CONH일 수 있고, n62 및 n63은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.R 69 to R 72 are the same or different from each other, and each independently, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted alkoxy group, preferably CH 3 Or OCH 3 , R 73 and R 74 are the same or different from each other, each independently represent a substituted or unsubstituted amino group, preferably NH 2 or CH 3 CONH, and n 62 and n 63 are the same Or different from each other, and each independently may be an integer of 1 to 5.

상기 실란 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부로 사용될 수 있다.실란 화합물의 함량이 상기 범위인 경우 상하부 막 층과의 접착력이 우수하며, 현상 후 잔막이 남지 않고, 광특성(투과율) 및 인장강도, 연신률, 영율 등의 막의 기계적 물성을 향상시킬 수 있어 바람직하다.The silane compound may be used in an amount of 0.1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the silane compound is in the above range, the adhesion with the upper and lower film layers is excellent, and no residual film is left after development, and optical characteristics It is preferable because the mechanical properties of the film such as (transmittance) and tensile strength, elongation, and Young's modulus can be improved.

 

(F) 기타 첨가제(F) Other additives

본 발명의 감광성 수지 조성물은 열잠재 산발생제를 첨가제로 더욱 포함할 수도 있다.  상기 열잠재 산발생제로는 p-톨루엔 술폰산, 벤젠술폰산 등과 같은 알릴술폰산, 트리플루오르메탄술폰산, 플루오르부탄술폰산 등과 같은 퍼플루오르알킬 술폰산, 메탄 술폰산, 에탄 술폰산, 부탄 술폰산 등과 같은 알킬 술폰산을 바람직하게 사용할 수 있다.   상기 열잠재 산발생제는 폴리벤조옥사졸 전구체의 페놀성 수산기 함유 폴리아미드의 구조가 탈수 반응을 일으키고 환화를 촉매로서 경화온도를 내려도 환화되는 정도가 낮아지는 현상을 막을 수 있다.The photosensitive resin composition of this invention may further contain the thermal latent acid generator as an additive. The heat latent acid generator may preferably be an alkyl sulfonic acid such as allyl sulfonic acid such as p-toluene sulfonic acid, benzene sulfonic acid, perfluoroalkyl sulfonic acid such as trifluoromethane sulfonic acid, fluorobutane sulfonic acid, methane sulfonic acid, ethane sulfonic acid, butane sulfonic acid, and the like. Can be. The heat latent acid generator may prevent a phenomenon in which the structure of the polyphenol oxazole precursor-containing polyamide has a dehydration reaction and the degree of cyclization is lowered even when the curing temperature is lowered as a cyclization catalyst.

또한 본 발명의 감광성 수지 조성물은 막두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상하기 위해 적당한 계면활성제 또는 레빌링제를 첨가제로 더욱 포함할 수도 있다.Further, the photosensitive resin composition of the present invention may further contain a suitable surfactant or a levifying agent as an additive in order to prevent unevenness in film thickness or to improve developability.

 

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 패턴을 형성하는 공정은   포지티브형 감광성 수지 조성물을 지지 기판상에 도포하는 공정; 상기 도포된 조성물을 건조하여 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 막을 형성하는 공정;  상기 폴리벤조옥사졸 전구체 막을 노광하는 공정; 상기 노광된 폴리벤조옥사졸 전구체 막을 알칼리 수용액으로 현상하여 감광성 수지막을 제조하는 공정; 및 상기 감광성 수지막을 가열처리하는 공정을 포함한다.  패턴을 형성하는 공정상의 조건 등에 대하여는 당해 분야에 널리 알려진 사항이므로 본 명세서에서 자세한 설명은 생략하기로 한다.  The process of forming a pattern using the positive photosensitive resin composition of this invention is a process of apply | coating a positive photosensitive resin composition on a support substrate; Drying the applied composition to form a photosensitive polybenzoxazole precursor film; Exposing the polybenzoxazole precursor film; Developing the exposed polybenzoxazole precursor film with an aqueous alkali solution to produce a photosensitive resin film; And a step of heat-treating the photosensitive resin film. Process conditions for forming the pattern, etc. are well known in the art, so detailed description thereof will be omitted.

본 발명의 다른 구현예는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 절연층 및 이를 포함하는 표시소자를 제공한다. Another embodiment of the present invention provides an insulating layer formed using the positive photosensitive resin composition and a display device including the same.

본 발명의 또 다른 구현예는 상기 표시소자를 이용한 유기발광소자를 제공한다.   즉, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 반도체 장치의 표면 보호막 및 층간 절연막으로 유용하게 사용될 수 있다. Another embodiment of the present invention provides an organic light emitting device using the display device. That is, the positive photosensitive resin composition of the present invention can be usefully used as a surface protective film and an interlayer insulating film of a semiconductor device.

 

이하에서 본 발명을 실시예 및 비교예를 통하여 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예 및 비교예는 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the following Examples and Comparative Examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the present invention.

 

[[ 합성예Synthetic example 1]  One] 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체( Precursor ( PBOPBO -1)의 합성-1) Synthesis of

교반기, 온도조절 장치, 질소가스주입 장치, 및 냉각기가 장착 된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 12.4 g 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 125g을 넣어 용해시켰다. 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3 while passing nitrogen through a four-necked flask equipped with a stirrer, a thermostat, a nitrogen gas injection device, and a cooler 12.4 g of, 3-hexafluoropropane and 125 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) were added and dissolved.

고체가 완전 용해되면 촉매로서 피리딘을 4.2 g 투입하고 온도를 0 내지 5 ℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 9.4 g을 NMP 100g에 넣어 용해시킨 용액을 장착된 4구 플라스크에 30분간 천천히 적하시켰다. 적하가 완료된 후 1시간 동안 0 내지 5 ℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 반응을 시켰다.When the solid was completely dissolved, 4.2 g of pyridine was added as a catalyst and 9.4 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride was added to NMP 100 g while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C. in a four-necked flask equipped with a solution for 30 minutes. It was dripped slowly. After the dropping was completed, the reaction was carried out at 0 to 5 ° C. for 1 hour, and the reaction was carried out for 1 hour by raising the temperature to room temperature.

여기에 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드를 1.1g 을 투입하고 70 ℃에서 24시간 동안 교반한 후, 반응을 종료하였다. 반응혼합물은 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성시키고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 80 ℃ 온도의 진공 하에서 24 시간 이상 건조하여 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-1)를 제조하였다.  1.1 g of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic hydride was added thereto, stirred at 70 ° C. for 24 hours, and then the reaction was completed. The reaction mixture was added to a solution of water / methanol = 10/1 (volume ratio) to form a precipitate. The precipitate was filtered and washed sufficiently with water, and dried under vacuum at 80 ° C. for at least 24 hours to obtain a polybenzoxazole precursor ( PBO-1) was prepared.

 

[[ 합성예Synthetic example 2]  2] 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체( Precursor ( PBOPBO -2)의 합성-2)

5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드 대신 말레익언하이드라이드(maleic anhydride)을 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-2)를 제조하였다A polybenzoxazole precursor (PBO-2) was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1 except that maleic anhydride was used instead of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic hydride.

 

(포지티브형 감광성 수지 조성물의 합성)(Synthesis of Positive Photosensitive Resin Composition)

[[ 합성예Synthetic example 3]  3]

합성예 1에서 제조한 폴리베노옥사졸 전구체(PBO-1) 15g을 감마-부티로락톤(GBL) 35.0g에 첨가하여 녹인 후, 하기 화학식 25의 열산발생제 화합물 0.75g, 화학식  39의  구조를 가지는 광산 발생제로 감광성 디아조퀴논 3g, 하기 화학식 40의 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 0.75g을 넣고 용해한 후 0.45㎛의 플루오르 수지제 필터로 여과하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.15 g of the polybenooxazole precursor (PBO-1) prepared in Synthesis Example 1 was dissolved in 35.0 g of gamma-butyrolactone (GBL), followed by melting of 0.75 g of the thermal acid generator compound represented by the following Chemical Formula 25, and the structure of Chemical Formula # 39. 3 g of photosensitive diazoquinone and 0.75 g of trimethoxy [3- (phenylamino) propyl] silane represented by the following Chemical Formula 40 were dissolved as a photoacid generator, and then filtered through a 0.45 μm fluorine resin filter to obtain a positive photosensitive resin composition. .

 

[화학식 25](25)

Figure pat00065
Figure pat00065

[화학식 39][Chemical Formula 39]

Figure pat00066
Figure pat00066

(상기 화학식 39에서, Q1, Q2 및 Q3 중, 2개는

Figure pat00067
이며, 나머지는 수소이다.) (In Chemical Formula 39, Q 1 , Q 2 And Q 3 , two
Figure pat00067
And the rest is hydrogen.)

[화학식 40][Formula 40]

Figure pat00068

Figure pat00068

[[ 합성예Synthetic example 4]  4]

합성예 3에서 상기 화학식 25의 열산발생제 0.75g을 하기 화학식 27의 화합물 0.75g으로 변경한 것을 제외하고는 합성예 3과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Synthesis Example 3, except that 0.75 g of the thermal acid generator of Formula 25 was changed to 0.75 g of the compound of Formula 27, in Synthesis Example 3.

[화학식 27](27)

Figure pat00069
Figure pat00069

 

[[ 합성예Synthetic example 5]  5]

합성예 3에서 상기 화학식 25의 열산발생제 0.75g을 하기 화학식 28의 화합물 0.75g으로 변경한 것을 제외하고는 합성예 3과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Synthesis Example 3, except that 0.75 g of the thermal acid generator of Formula 25 was changed to 0.75 g of the compound of Formula 28, in Synthesis Example 3.

[화학식 28](28)

Figure pat00070
Figure pat00070

 

[[ 합성예Synthetic example 6]  6]

합성예 3에서 상기 화학식 25의 열산발생제 0.75g을 하기 화학식 30의 화합물 0.75g으로 변경한 것을 제외하고는 합성예 3과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Synthesis Example 3, except that 0.75 g of the thermal acid generator of Formula 25 was changed to 0.75 g of the compound of Formula 30, in Synthesis Example 3.

[화학식 30](30)

Figure pat00071
Figure pat00071

 

[[ 합성예Synthetic example 7]  7]

합성예 3에서 상기 화학식 25의 열산발생제 0.75g을 하기 화학식 32의 화합물 0.75g으로 변경한 것을 제외하고는 합성예 3과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Synthesis Example 3, except that 0.75 g of the thermal acid generator of Formula 25 was changed to 0.75 g of the compound of Formula 32 in Synthesis Example 3.

[화학식 32](32)

Figure pat00072
Figure pat00072

 

[[ 합성예Synthetic example 8]  8]

합성예 3에서  상기 화학식 25의 열산발생제 0.75g을 하기 화학식 33의 화합물 0.75g으로 변경한 것을 제외하고는 합성예 3과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.Synthesis Example 3 A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Synthesis Example 3, except that 0.75 g of the thermal acid generator of Chemical Formula 25 was changed to 0.75 g of the compound of Chemical Formula 33.

[화학식 33](33)

Figure pat00073
Figure pat00073

 
 

*[ 합성예 9] * [Synthesis Example 9]

합성예 3에서  상기 화학식 25의 열산발생제 0.75g을 하기 화학식 34의 화합물 0.75g으로 변경한 것을 제외하고는 합성예 4와 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.Synthesis Example 3 A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Synthesis Example 4, except that 0.75 g of the thermal acid generator represented by Chemical Formula 25 was changed to 0.75 g of the compound represented by the following Chemical Formula 34.

[화학식 34][Formula 34]

Figure pat00074
Figure pat00074

 

[[ 합성예Synthetic example 10]  10]

합성예 1에서 제조한 폴리베노옥사졸 전구체(PBO-1) 대신 합성예 2에서 제조한 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-2)을 사용한 것을 제외하고는 합성예 3과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.Positive photosensitive performance was performed in the same manner as in Synthesis Example 3, except that the polybenzoxazole precursor (PBO-2) prepared in Synthesis Example 2 was used instead of the polybenooxazole precursor (PBO-1) prepared in Synthesis Example 1. The resin composition was obtained.

 

[[ 합성예Synthetic example 11]  11]

합성예 1에서 제조한 폴리베노옥사졸 전구체(PBO-1) 대신 합성예 2에서 제조한 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-2을 사용한 것을 제외하고는 합성예 4와 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.Positive type photosensitive resin in the same manner as in Synthesis Example 4 except that the polybenzoxazole precursor (PBO-2) prepared in Synthesis Example 2 was used instead of the polybenooxazole precursor (PBO-1) prepared in Synthesis Example 1 A composition was obtained.

 

[[ 합성예Synthetic example 12]  12]

합성예 1에서 제조한 폴리베노옥사졸 전구체(PBO-1) 대신 합성예 2에서 제조한 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-2을 사용한 것을 제외하고는 합성예 5와 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.Positive type photosensitive resin in the same manner as in Synthesis Example 5 except that the polybenzoxazole precursor (PBO-2) prepared in Synthesis Example 2 was used instead of the polybenooxazole precursor (PBO-1) prepared in Synthesis Example 1 A composition was obtained.

 

[[ 합성예Synthetic example 13]  13]

합성예 1에서 제조한 폴리베노옥사졸 전구체(PBO-1) 대신 합성예 2에서 제조한 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-2을 사용한 것을 제외하고는 합성예 6과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.Positive type photosensitive resin in the same manner as in Synthesis Example 6 except that the polybenzoxazole precursor (PBO-2) prepared in Synthesis Example 2 was used instead of the polybenooxazole precursor (PBO-1) prepared in Synthesis Example 1 A composition was obtained.

 

[[ 합성예Synthetic example 14]  14]

합성예 1에서 제조한 폴리베노옥사졸 전구체(PBO-1) 대신 합성예 2에서 제조한 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-2을 사용한 것을 제외하고는 합성예 7과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.Positive type photosensitive resin was prepared in the same manner as in Synthesis Example 7 except that the polybenzoxazole precursor (PBO-2) prepared in Synthesis Example 2 was used instead of the polybenoxazole precursor (PBO-1) prepared in Synthesis Example 1 A composition was obtained.

 

[[ 합성예Synthetic example 15]  15]

합성예 1에서 제조한 폴리베노옥사졸 전구체(PBO-1) 대신 합성예 2에서 제조한 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-2을 사용한 것을 제외하고는 합성예 8과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.Positive photosensitive resin was prepared in the same manner as in Synthesis Example 8 except that the polybenzoxazole precursor (PBO-2) prepared in Synthesis Example 2 was used instead of the polybenooxazole precursor (PBO-1) prepared in Synthesis Example 1. A composition was obtained.

 

[[ 합성예Synthetic example 16]  16]

합성예 1에서 제조한 폴리베노옥사졸 전구체(PBO-1) 대신 합성예 2에서 제조한 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-2을 사용한 것을 제외하고는 합성예 9와 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.Positive type photosensitive resin in the same manner as in Synthesis Example 9, except that the polybenzoxazole precursor (PBO-2) prepared in Synthesis Example 2 was used instead of the polybenoxazole precursor (PBO-1) prepared in Synthesis Example 1 A composition was obtained.

 

[합성 [synthesis 비교예Comparative example 1]  One]

상기 화학식 25의 열산발생제를 사용하지 않은 것을 제외하고는 합성예 3과 동일하게 실시하여, 포지티브 감광성 수지 조성물을 얻었다.A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Synthesis example 3 except that the thermal acid generator of Chemical Formula 25 was not used.

 

[합성 [synthesis 비교예Comparative example 2]  2]

상기 화학식 25의 열산발생제를 사용하지 않은 것을 제외하고는 합성예 10과 동일하게 실시하여, 포지티브 감광성 수지 조성물을 얻었다.A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Synthesis example 10 except that the thermal acid generator of Chemical Formula 25 was not used.

 

상기 합성예 3 내지 16 및 합성비교예 1 및 2에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물에 사용된 폴리벤조옥사졸 전구체 및 열산발생제는 하기 표 1과 같다. The polybenzoxazole precursor and the thermal acid generator used in the positive photosensitive resin compositions according to Synthesis Examples 3 to 16 and Synthesis Comparative Examples 1 and 2 are shown in Table 1 below.

감광성 수지 조성물의 합성Synthesis of Photosensitive Resin Composition 폴리벤조옥사졸 전구체Polybenzoxazole precursors 열산발생제Thermal acid generator 수지종류Resin type 봉지제종류Encapsulant Type 실록산 디아민Siloxane diamine 합성예 3Synthesis Example 3 PBO-1PBO-1

Figure pat00075
Figure pat00075
 
 
 



Yes
Figure pat00076
Figure pat00076
합성예 4Synthesis Example 4
Figure pat00077
Figure pat00077
합성예 5Synthesis Example 5
Figure pat00078
Figure pat00078
합성예 6Synthesis Example 6
Figure pat00079
Figure pat00079
합성예 7Synthesis Example 7  
Figure pat00080
 
Figure pat00080
합성예 8Synthesis Example 8
Figure pat00081
Figure pat00081
합성예 9Synthesis Example 9
Figure pat00082
Figure pat00082
합성예 10Synthesis Example 10 PBO-2PBO-2
Figure pat00083
Figure pat00083
Yes
Figure pat00084
Figure pat00084
합성예 11Synthesis Example 11
Figure pat00085
Figure pat00085
합성예 12Synthesis Example 12
Figure pat00086
Figure pat00086
합성예 13Synthesis Example 13  
Figure pat00087
 
Figure pat00087
합성예 14Synthesis Example 14
Figure pat00088
Figure pat00088
합성예 15Synthesis Example 15
Figure pat00089
Figure pat00089
합성예 16Synthesis Example 16
Figure pat00090
Figure pat00090
비교합성예1Comparative Synthesis Example 1 PBO-1PBO-1
Figure pat00091
Figure pat00091
Yes No
비교합성예 2Comparative Synthesis Example 2 PBO-2PBO-2
Figure pat00092
Figure pat00092
Yes No

 

(감광성 (Photosensitive 수지막의Resinous 제조) Produce)

(( 실시예Example 1)  One)

     두께 0.5um의 무알칼리 유리 표면에 스퍼터링 증착법에 의해 두께 100nm의 ITO 투명 전극막이 형성된 유리 기판을 100mm X 100mm의 크기로 절단하였다. ITO 기판 상에 포토레지스트를 도포하고, 통상의 포토리소그래피법에 의한 노광, 현상에 의해 패터닝하였다. ITO의 불필요한 부분을 에칭 제거한 후, 포토레지스트를 제거함으로써 ITO막을 길이 80mm, 폭 20um의 스트라이프 형상으로 패터닝하였다. 이 스트라이프형 제 1전극은 100um 피치로 500개 배치되어 있다.The glass substrate in which the ITO transparent electrode film of thickness 100nm was formed on the alkali free glass surface of thickness 0.5um by the sputtering deposition method was cut | disconnected to the magnitude | size of 100 mm X 100 mm. The photoresist was apply | coated on the ITO board | substrate, and it patterned by exposure and image development by a normal photolithographic method. After the unnecessary portion of ITO was removed by etching, the ITO film was patterned into a stripe shape having a length of 80 mm and a width of 20 um by removing the photoresist. The stripe-type first electrodes are arranged 500 at a pitch of 100 um.

이어서, 상기 합성예 3에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 스핀코팅법에 의해 제 1 전극을 형성한 기판 상에 도포하고 핫 플레이트 상에서 120℃로 2분간 소프트 베이킹 하였다. 이 막에 포토마스크를 통해 UV 노광을 행한 후, 2.38% TMAH 수용액으로 노광 부분만을 용해시킴으로써 현상하고, 증류수로 세정하였다. 상기 패턴이 형성된 유리기판을 고온용 오븐에서 가열하여 경화하였다. 이 때, 합성예 3 에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물이 도포된 유기 기판을 200℃에서 30분간 경화시며 감광성 수지막을 형성하였다. Subsequently, the positive photosensitive resin composition according to Synthesis Example 3 was applied onto the substrate on which the first electrode was formed by spin coating and soft-baked at 120 ° C. for 2 minutes on a hot plate. The film was subjected to UV exposure through a photomask, and then developed by dissolving only the exposed portion with a 2.38% aqueous TMAH solution, followed by washing with distilled water. The glass substrate on which the pattern was formed was heated and cured in an oven for high temperature. At this time, the organic substrate to which the positive photosensitive resin composition according to Synthesis Example 3 was applied was cured at 200 ° C. for 30 minutes to form a photosensitive resin film.

 

(( 실시예Example 2 내지 14) 2 to 14)

합성예 3에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하는 대신, 합성예 4 내지 16에 따라 제조된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 실시예 2 내지 14에 따른 감광성 수지막을 형성하였다. Instead of using the positive photosensitive resin composition according to Synthesis Example 3, except for using the positive photosensitive resin composition prepared according to Synthesis Examples 4 to 16 Examples 2 to 14 by the same method as in Example 1 To form a photosensitive resin film.

 

(( 비교예Comparative example 1) One)

합성예 3에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하는 대신, 비교합성예 1에 따라 제조된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 감광성 수지막을 형성하였다. Instead of using the positive photosensitive resin composition according to Synthesis Example 3, a photosensitive resin film was formed in the same manner as in Example 1 except for using the positive photosensitive resin composition prepared according to Comparative Synthesis Example 1.

 

(( 비교예Comparative example 2)  2)

합성예 3에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하는 대신, 비교합성예 2에 따라 제조된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 감광성 수지막을 형성하였다. Instead of using the positive photosensitive resin composition according to Synthesis Example 3, a photosensitive resin film was formed in the same manner as in Example 1 except for using the positive photosensitive resin composition prepared according to Comparative Synthesis Example 2.

 

(( 비교예Comparative example 3) 3)

합성예 3에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하는 대신, 비교합성예 1에 따라 제조된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하고, 경화온도를 320℃로 하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 감광성 수지막을 형성하였다.Instead of using the positive photosensitive resin composition according to Synthesis Example 3, the same method as in Example 1 except for using a positive photosensitive resin composition prepared according to Comparative Synthesis Example 1, the curing temperature is 320 ℃ The photosensitive resin film was formed by this.

 

(( 비교예Comparative example 4)  4)

합성예 3에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하는 대신, 비교합성예 2에 따라 제조된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하고, 경화온도를 320℃로 하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 감광성 수지막을 형성하였다. Instead of using the positive photosensitive resin composition according to Synthesis Example 3, using the positive photosensitive resin composition prepared according to Comparative Synthesis Example 2, the same method as in Example 1 except that the curing temperature is 320 ℃ The photosensitive resin film was formed by this.

 

(( 절연층Insulating layer 및 이를 포함하는 표시 소자의 제조) And manufacturing a display device comprising the same)

상기 실시예 1 내지 14 및 비교예 1 내지 4에 따른 방법으로 제조된 감광성 수지막을 이용하여, 폭 10 ㎛, 길이 50 ㎛의 개구부를 가지는 OLED 절연층 기판을 얻었다.  각각의 개구부는 도 1에 나타낸 바와 같이 제 1 전극의 중앙부를 노출시키고, 제1 전극의 에지 부분을 피복하는 형상의 폴리이미드 막을 포함하는 절연층에 의하여 형성되었다. 상기 절연층 두께는 도 2에 나타난 바와 같이, X-X'부분(개구부 사이의 횡방향 절연층 두께)이 1.5 ㎛이고, Y-Y'부분(개구부 사이의 종방향 절연층 두께)이 3.1 ㎛이었다. Using the photosensitive resin film produced by the method according to Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 4, an OLED insulating layer substrate having an opening having a width of 10 μm and a length of 50 μm was obtained. Each opening was formed by an insulating layer comprising a polyimide film in a shape that exposes the central portion of the first electrode and covers the edge portion of the first electrode as shown in FIG. As shown in FIG. 2, the thickness of the insulating layer is 1.5 µm in the X-X 'portion (the transverse insulation layer thickness between the openings) and 3.1 µm in the Y-Y' portion (the longitudinal insulation layer thickness between the openings). It was.

이어서, 상기 절연층이 형성된 기판을 사용하여 유기 전계발광소자를 제조하였다. 발광층을 포함하는 박막층은 저항선 가열 방식에 의한 진공 증착법에 의해 형성하였다. 또한, 기판 증착시의 진공도는 5 X 10-4 Pa 이하이고, 증착 중에는 증착원에 대하여 기판을 회전시켰다. 우선, 구리프탈로시아닌을 15nm, 비스(N-에틸카르바졸)을 60nm, 기판 유효영역 전면에 증착시켜 전공 수송층을 형성하였다. 이 상태에서 0.3% 중량의 1,3,5,7,8-펜타메틸-4,4-디플루오르-4-보라-3a,4a-디아자-s-인다센을 도핑한 8-히드록시퀴놀린-알루미늄 착제(Alq3)를 21nm 증착하여 녹색발광층을 패터닝하였다.Subsequently, an organic electroluminescent device was manufactured using the substrate on which the insulating layer was formed. The thin film layer including the light emitting layer was formed by a vacuum deposition method by a resistance wire heating method. In addition, the vacuum degree at the time of vapor deposition is 5 X 10 <-4> Pa or less, and during vapor deposition, the substrate was rotated with respect to the vapor deposition source. First, 15 nm of copper phthalocyanine and 60 nm of bis (N-ethylcarbazole) were deposited on the entire surface of the substrate effective region to form a hole transport layer. 8-hydroxyquinoline doped with 0.3% weight of 1,3,5,7,8-pentamethyl-4,4-difluoro-4-bora-3a, 4a-diaza-s-indacene in this state -21 nm of aluminum complex (Alq3) was deposited and the green light emitting layer was patterned.

 

(물성 평가) (Property evaluation)

(1) (One) 폐환율Lung exchange rate 측정 Measure

상기와 같은 방법으로 실시예 1 내지 14 및 비교예 1 내지 4에 따라 형성된 감광성 수지막을 긁어내어, 적외선 분광분석기(IR: infrared spectrometer)을 측정한 후, 1710 cm-1 피크가 소멸 정도를 확인하여 폴리벤조옥사졸 전구체의 폐환율(경화 전의 1710 cm-1 피크에 대한 완전 경화 직전인 150 ℃에서의 1710 cm-1 피크의 소멸률)을 계산하였다. By scraping the photosensitive resin film formed according to Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 4 in the same manner as above, and measuring an infrared spectrometer (IR), the degree of disappearance of the 1710 cm -1 peak was confirmed. poly benzo waste rates for oxazole precursor (full cure extinction of 1710 cm -1 peak in the immediately preceding 150 ℃ for the 1710 cm -1 peak before curing) was calculated.

 

(2) 유전율 측정 (2) permittivity measurement

경화 후 형성된 상기 절연층의 절연성을 평가하기 위하여, 실시예 1 내지 14 및 비교예 1 내지 4에 따라 형성된 감광성 수지막 각각에 대하여, DEA(dielectric analyzer) 장비를 사용하여 유전율을 측정하였다. 확인하였다. In order to evaluate the insulation of the insulating layer formed after curing, the dielectric constant of each of the photosensitive resin films formed according to Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 4 was measured using a DEA (dielectric analyzer) equipment. Confirmed.

 

(3)  5% 중량 감소 온도(3) 5% weight loss temperature

상기 실시예 1 내지 14 및 비교예 1 내지 4에 따라 형성된의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성한 감광성 수지막이 코팅되어 있는 웨이퍼를 2 % 불산(HF) 수용액에 침지하여 수지막을 손상없이 분리하였다. 분리된 각각의 수지막을     TGA(thermogravimetric analyzer) 분석을 통하여 5% 중량 감소 온도를 측정하였다.Wafers coated with a photosensitive resin film formed using the positive photosensitive resin composition formed according to Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 4 were immersed in a 2% aqueous hydrofluoric acid (HF) solution to separate the resin film without damage. . 5% weight loss temperature of each separated resin film was measured by thermogravimetric analyzer (TGA) analysis.

 

(4) 유리전이온도((4) glass transition temperature ( TgTg ) 측정) Measure

상기 실시예 1 내지 14 및 비교예 1 내지 4의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성한 감광성 수지막이 코팅된 웨이퍼를 2 % 불산(HF) 수용액에 침지하여 수지막을 손상없이 분리하였다. 분리된 각각의 수지막의 TMA(thermo-mechanical analyzer)분석을 통하여 유리 전이 온도를 측정하였다. The wafers coated with the photosensitive resin film formed using the positive photosensitive resin compositions of Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 4 were immersed in a 2% hydrofluoric acid (HF) aqueous solution to separate the resin film without damage. The glass transition temperature was measured by TMA (thermo-mechanical analyzer) analysis of each resin film separated.

 

(5) (5) 테이퍼Taper 각도 측정  Angle measurement

또한, 제1 전극의 에지 부분을 피복하는 형상의 폴리이미드 막을 포함하는 절연층에 있어서, 개구부의 에지 부분에 위치한 절연막의 단면의 테이퍼 각도를 vertical SEM를 이용하여 확인하였다. Moreover, in the insulating layer containing the polyimide film of the shape which coat | covers the edge part of a 1st electrode, the taper angle of the cross section of the insulating film located in the edge part of an opening part was confirmed using vertical SEM.

 

상기 (1) 내지 (5)의 물성평가로부터 얻어진 실험 결과를 하기 표 2에 나타내었다. The experimental results obtained from the physical property evaluation of the above (1) to (5) are shown in Table 2 below.

 

  폴리벤조옥사졸 전구체Polybenzoxazole precursors 경화조건Curing condition 폐환율
(%)
Lung exchange rate
(%)
유전율permittivity 5% 중량 감소 온도
(℃)
5% weight loss temperature
(℃)
Tg
(℃)
Tg
(℃)
테이퍼
각도
(°)
Taper
Angle
(°)
경화온도
(℃)
Curing temperature
(℃)
경화시간
(분)
Curing time
(minute)
실시예1Example 1 PBO-1PBO-1 200200 3030 8080 3.33.3 350350 250250 3232 실시예2Example 2 200200 3030 8989 2.92.9 360360 270270 2929 실시예3Example 3 200200 3030 8787 3.23.2 350350 250250 3232 실시예4Example 4 200200 3030 8484 3.03.0 330330 240240 3434 실시예5Example 5 200200 3030 8585 3.03.0 400400 300300 3030 실시예6Example 6 200200 3030 8888 3.23.2 330330 240240 3131 실시예7Example 7 200200 3030 9090 3.03.0 370370 270270 3232 실시예8Example 8 PBO-2PBO-2 200200 3030 8282 3.33.3 330330 250250 3030 실시예9Example 9 200200 3030 8282 3.13.1 400400 300300 3232 실시예10Example 10 200200 3030 8585 3.03.0 350350 250250 3535 실시예11Example 11 200200 3030 8888 3.33.3 360360 280280 3030 실시예12Example 12 200200 3030 8686 3.23.2 360360 270270 3434 실시예13Example 13 200200 3030 7979 3.23.2 370370 270270 3232 실시예14Example 14 200200 3030 7777 3.03.0 340340 250250 2929 비교예1Comparative Example 1 PBO-1PBO-1 200200 3030 3535 4.14.1 230230 160160 3434 비교예2Comparative Example 2 PBO-2PBO-2 200200 3030 4141 3.93.9 250250 180180 3535 비교예3Comparative Example 3 PBO-1PBO-1 320320 3030 8181 3.23.2 470470 290290 3232 비교예4Comparative Example 4 PBO-2PBO-2 320320 3030 8484 3.03.0 500500 300300 3232

(* 폐환율은 완전경화조건을 380℃에서 1시간 경화한 제품을 100% 폐환되었다고 가정하고 실시예 및 비교예를 측정함.)(* The ring closure rate is measured by Example and Comparative Example assuming 100% ring closure of the product cured at 380 ° C. for 1 hour at full curing conditions.)

 

본 발명에 따른 열산발생제를 포함하는 실시예 1 내지 14에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 표 2에 나타난 바와 같이, 높은 폐환율과 우수한 기계적 특성 및 절연성을 가짐을 확인할 수 있었다. As shown in Table 2, the positive photosensitive resin composition according to Examples 1 to 14 including the thermal acid generator according to the present invention was confirmed to have a high closing rate and excellent mechanical properties and insulation.

특히, 열산발생제를 포함하는 것을 제외하고는 동일한 조건에서 경화반응을 실시한 비교예 1 및 2과 비교했을 때, 실시예 1 내지 14는 폐환율 및 절연성이 더욱  우수하고, 5% 중량 감소 온도 및 유리 전이 온도에서도 더욱 높은 수치를 가짐으로써 우수한 내열성 특성을 가지는 것으로 나타났다. In particular, when compared with Comparative Examples 1 and 2, which were subjected to a curing reaction under the same conditions except that the thermal acid generator was included, Examples 1 to 14 had better ring closure rates and insulation properties, and a 5% weight reduction temperature and Higher values also resulted in excellent heat resistance properties at glass transition temperatures.

한편, 비교예 3 및 4는 실시예 1 내지 14 보다 높은 경화온도(320℃)에서 이미드화 반응을 실시하였음에도, 실시예 1 내지 14 보다 더 낮거나 유사한 폐환율을 가졌다. 또한, 실시예 1 내지 14는 더 높은 온도에서 경화반응 한 비교예 3 내지 4와 유사한 테이퍼 각도를 구현하는 것으로 확인되었다.
On the other hand, Comparative Examples 3 and 4, although the imidization reaction was carried out at a curing temperature (320 ℃) higher than Examples 1 to 14, it had a lower or similar closing rate than Examples 1 to 14. In addition, Examples 1 to 14 were found to implement a taper angle similar to Comparative Examples 3 to 4 cured at higher temperatures.

상기 실험 결과로부터, 본 발명의 열산발생제를 포함하는 경우, 낮은 온도에서도 폴리벤조옥사졸 전구체의 이미드화 반응이 충분히 일어나, 저온에서도 절연성이 우수한 절연층을 제조할 수 있음을 알 수 있다. From the above experimental results, when the thermal acid generator of the present invention is included, the imidation reaction of the polybenzoxazole precursor occurs sufficiently even at a low temperature, and it can be seen that an insulating layer excellent in insulation can be produced even at a low temperature.

 

본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.  그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims. As will be understood by those skilled in the art. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

1: 제1전극 개구부
2: 제2전극 개구부
3: 캐쏘드
4: 유기 발광층
5: 절연층
6: 애노드
7: TFT 전극층
8: 글라스  
1: first electrode opening
2: second electrode opening
3: cathode
4: organic light emitting layer
5: insulation layer
6: anode
7: TFT electrode layer
8: glass

Claims (10)

(A) 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체 또는 이들의 조합에서 선택되는 알칼리 가용성 수지;  
(B) 감광성 디아조퀴아논 화합물;
(C) 150℃ 내지 200℃의 분해온도를 갖는 열산발생제; 및
(D) 용매
를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
(A) alkali-soluble resin selected from polybenzoxazole precursor, polyimide precursor, or a combination thereof;
(B) photosensitive diazoquianone compound;
(C) a thermal acid generator having a decomposition temperature of 150 ℃ to 200 ℃; And
(D) solvent
Positive photosensitive resin composition comprising a.
제1항에 있어서,
상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하거나 또는 하기 화학식 1 및 2의 반복단위를 모두 포함하는, 적어도 한 쪽의 말단 부분에 열중합성 관능기를 갖는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure pat00093

[화학식 2]
Figure pat00094

상기 화학식 1 및 2에서,
X1은 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고,
Y1 및 Y2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고,
X2는 방향족 유기기, 2 내지 6가의 지방족 유기기, 2 내지 6가의 지환족 유기기, 또는 하기 화학식 3으로 표현되는 구조를 갖는 유기기이며,
[화학식 3]
Figure pat00095

상기 화학식 3에서,
R23 내지 R26은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 또는 하이드록시기이고,
R27 및 R28은 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고, k는 1 내지 50의 정수이다.
The method of claim 1,
The polybenzoxazole precursor includes a repeating unit represented by the following formula (1) or a positive photosensitive resin having a thermopolymerizable functional group in at least one terminal portion including both repeating units of the following formulas (1) and (2). Composition:
[Formula 1]
Figure pat00093

(2)
Figure pat00094

In the above Formulas 1 and 2,
X 1 is an aromatic organic group or a 4-6 valent aliphatic organic group,
Y 1 and Y 2 are the same or different from each other, and each independently an aromatic organic group or a 2 to 6-valent aliphatic organic group,
X 2 is an aromatic organic group, a 2-6 valent aliphatic organic group, a 2-6 valent alicyclic organic group, or an organic group having a structure represented by the following general formula (3),
(3)
Figure pat00095

In Formula 3,
R 23 to R 26 are the same or different from each other, and each independently, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, or a hydroxy group,
R 27 and R 28 are the same or different, and each independently, a substituted or unsubstituted alkylene group, or a substituted or unsubstituted arylene group, k is an integer of 1 to 50.
제1항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체는 하기 화학식 50 및 화학식 51의 반복단위를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 50]
Figure pat00096

[화학식 51]
Figure pat00097

상기 화학식 50 및 화학식 51에서,
X3은 방향족 유기기, 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기이고,
Y3 및 Y4는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 방향족 유기기, 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기이고,
X4는 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지환족 유기기, 또는 상기 화학식 3으로 표시되는 작용기이고,
R100 내지 R103은 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로, 수소, 또는 치환되거나 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이다.
The method of claim 1,
The positive photosensitive resin composition wherein the polyimide precursor comprises a repeating unit represented by the following Chemical Formula 50 and Chemical Formula 51:
(50)
Figure pat00096

(51)
Figure pat00097

In Chemical Formula 50 and Chemical Formula 51,
X 3 is an aromatic organic group or a divalent to hexavalent alicyclic organic group,
Y 3 and Y 4 are the same or different from each other, and each independently an aromatic organic group or a tetravalent to hexavalent alicyclic organic group,
X 4 is an aromatic organic group, a divalent to hexavalent alicyclic organic group, or a functional group represented by Formula 3,
R 100 to R 103 are the same or different and are each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group.
제1항에 있어서,
상기 열산발생제가 하기 화학식 22 내지 24로 표시되는 화합물 중 적어도 하나인 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 22]
Figure pat00098

[화학식 23]
Figure pat00099

[화학식 24]
Figure pat00100

상기 화학식 22 내지 24에서,
R43 내지 R49는 할로겐원자, 알킬기, 알코올기 또는 알콕시기로 치환되거나 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환되거나 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환되거나 비치환된 C1 내지 C30 사이클로알킬기 또는 이들의 조합이며,
R50 내지 R53은 각각 독립적으로 수소원자이거나 또는 치환되거나 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환되거나 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환되거나 비치환된 C1 내지 C30 사이클로알킬기 또는 이들의 조합이며,
상기 n은 1 내지 5 이다.
The method of claim 1,
A positive photosensitive resin composition wherein the thermal acid generator is at least one of compounds represented by the following Chemical Formulas 22 to 24:
[Chemical Formula 22]
Figure pat00098

(23)
Figure pat00099

[Formula 24]
Figure pat00100

In Chemical Formulas 22 to 24,
R 43 to R 49 are C1 to C30 alkyl groups substituted or unsubstituted with a halogen atom, alkyl group, alcohol group or alkoxy group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 cycloalkyl group or their Combination,
R 50 to R 53 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 cycloalkyl group, or a combination thereof,
N is 1 to 5;
제1항에 있어서,
상기 열산발생제가 하기 화학식 22a 또는 22b로 표현되는 화합물인 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물: 
[화학식 22a]
Figure pat00101

상기 화학식 22a에서,
m1 및 m2는 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이며, 바람직하게는 0 내지 6 정수이며,
Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 C1 내지 C10 알콕시기 또는 수소원자이거나, 할로겐원자, 알킬기, 알코올기 또는 알콕시기로 치환되거나 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환되거나 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 치환되거나 비치환된 C1 내지 C10 알키닐기 또는 이들의 조합이며,
[화학식 22b]
Figure pat00102

상기 화학식 22b에서,
R54는 치환되거나 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환되거나 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기 또는 이들의 조합이며,
R55는 치환되거나 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환되거나 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환되거나 비치환된 C1 내지 C30 사이클로알킬기이며 또는 이들의 조합이다.
The method of claim 1,
Positive photosensitive resin composition wherein the thermal acid generator is a compound represented by the following formula 22a or 22b:
[Formula 22a]
Figure pat00101

In Chemical Formula 22a,
m1 and m2 are each independently an integer of 0 to 10, preferably 0 to 6 integer,
Z 1 and Z 2 are each independently a C1 to C10 alkoxy group or a hydrogen atom, a C1 to C10 alkyl group unsubstituted or substituted with a halogen atom, an alkyl group, an alcohol group or an alkoxy group, a substituted or unsubstituted C2 to C10 alkenyl group, A substituted or unsubstituted C1 to C10 alkynyl group or a combination thereof,
[Formula 22b]
Figure pat00102

In Chemical Formula 22b,
R 54 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, or a combination thereof,
R 55 is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 cycloalkyl group, or a combination thereof.
제1항에 있어서,
상기 열산발생제가 하기 화학식 25 내지 화학식 35 중 어느 하나로 표현되는 화합물인 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 25]
Figure pat00103

[화학식 26]
Figure pat00104

[화학식 27]
Figure pat00105
 
[화학식 28]
Figure pat00106

[화학식 29]
Figure pat00107

[화학식 30]
Figure pat00108

[화학식 31]
Figure pat00109

[화학식 32]
Figure pat00110

[화학식 33]
Figure pat00111

[화학식 34]
Figure pat00112

[화학식 35]
Figure pat00113
 
The method of claim 1,
Positive photosensitive resin composition wherein the thermal acid generator is a compound represented by any one of the following formulas (25) to (35):
(25)
Figure pat00103

(26)
Figure pat00104

(27)
Figure pat00105

(28)
Figure pat00106

[Formula 29]
Figure pat00107

(30)
Figure pat00108

(31)
Figure pat00109

(32)
Figure pat00110

(33)
Figure pat00111

(34)
Figure pat00112

(35)
Figure pat00113
제1항에 있어서,
실란 화합물을 더 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
Positive type photosensitive resin composition containing a silane compound further.
제1항에 있어서,
상기 수지 조성물은
(A) 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부;
(C) 열산발생제 1 내지 15 중량부; 및
(D) 용매 100 내지 400 중량부
를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The resin composition
(A) 100 parts by weight of alkali-soluble resin
(B) 5 to 100 parts by weight of the photosensitive diazoquinone compound;
(C) 1 to 15 parts by weight of the thermal acid generator; And
(D) 100 to 400 parts by weight of solvent
Positive photosensitive resin composition comprising a.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 절연층을 포함하는 표시소자. A display element comprising an insulating layer formed using the positive photosensitive resin composition of any one of claims 1 to 8. 제9항에 따른 표시소자를 이용한 유기발광소자. An organic light emitting device using the display device according to claim 9.
KR20110147903A 2011-12-30 2011-12-30 Positive type photosensitive resin composition KR101486568B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20110147903A KR101486568B1 (en) 2011-12-30 2011-12-30 Positive type photosensitive resin composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20110147903A KR101486568B1 (en) 2011-12-30 2011-12-30 Positive type photosensitive resin composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130078782A true KR20130078782A (en) 2013-07-10
KR101486568B1 KR101486568B1 (en) 2015-01-27

Family

ID=48991657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20110147903A KR101486568B1 (en) 2011-12-30 2011-12-30 Positive type photosensitive resin composition

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101486568B1 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104730861A (en) * 2013-12-19 2015-06-24 三星Sdi株式会社 Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and display device
KR20160012615A (en) * 2014-07-24 2016-02-03 삼성에스디아이 주식회사 Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same and display device
KR20160104379A (en) * 2015-02-26 2016-09-05 삼성에스디아이 주식회사 Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film and display device using the same
KR20170110909A (en) * 2016-03-24 2017-10-12 동우 화인켐 주식회사 Colored Photosensitive Resin Composition and Color Filter Comprising the Same
KR20180054188A (en) * 2016-11-15 2018-05-24 동우 화인켐 주식회사 Colored photosensitive resin composition, color filter, and image display apparatus comprising the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020243147A1 (en) * 2019-05-30 2020-12-03 Glo Ab Light emitting diode device containing a positive photoresist insulating spacer and a conductive sidewall contact and method of making the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7435525B2 (en) * 2004-05-07 2008-10-14 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic part
JP4682764B2 (en) 2005-09-15 2011-05-11 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 Positive photosensitive resin composition, pattern forming method, and electronic component

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104730861A (en) * 2013-12-19 2015-06-24 三星Sdi株式会社 Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and display device
KR20160012615A (en) * 2014-07-24 2016-02-03 삼성에스디아이 주식회사 Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same and display device
KR20160104379A (en) * 2015-02-26 2016-09-05 삼성에스디아이 주식회사 Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film and display device using the same
KR20170110909A (en) * 2016-03-24 2017-10-12 동우 화인켐 주식회사 Colored Photosensitive Resin Composition and Color Filter Comprising the Same
KR20180054188A (en) * 2016-11-15 2018-05-24 동우 화인켐 주식회사 Colored photosensitive resin composition, color filter, and image display apparatus comprising the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101486568B1 (en) 2015-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8198002B2 (en) Positive photosensitive resin composition
KR101423176B1 (en) Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin film
KR101486568B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR101333706B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR101354640B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR20120078324A (en) Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin layer
KR20120078325A (en) Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin layer
KR20110051617A (en) Positive photosensitive resin composition
KR101423539B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR20100036110A (en) Positive type photosensitive resin composition
KR20120077484A (en) Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin layer
KR101311940B1 (en) Positive photosensitive resin composition
KR101015859B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR20140087645A (en) Positive type photosensitive resin composition
KR102302050B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR102252997B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device
KR102302049B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR102275345B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device
KR101333690B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR102319968B1 (en) Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR102337564B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR102252996B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device
KR101400188B1 (en) Positive type photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using positive type photosensitive resin composition, and semiconductor device including photosensitive resin layer
KR101400189B1 (en) Positive type photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using positive type photosensitive resin composition, and semiconductor device including photosensitive resin layer
KR101400190B1 (en) Positive type photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using positive type photosensitive resin composition, and semiconductor device including photosensitive resin layer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171219

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181220

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200103

Year of fee payment: 6