KR20100107352A - 화학기상증착장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 화학기상증착장치에 관한 것으로, 챔버, 상기 챔버의 내측에 설치되어 웨이퍼가 안착되는 스테이지, 상기 챔버 내측에 설치되어 상기 스테이지 방향으로 공정가스를 분사하는 분사노즐 그리고, 상기 공정가스의 외측 방향으로 이탈하는 것을 제한할 수 있도록, 상기 분사노즐의 외측에 설치되어 가이드 가스를 분사하는 가이드 노즐을 포함하는 화학기상증착장치를 제공한다.

이 경우, 공정가스가 챔버의 내측에서 확산되는 것이 줄어들면서, 반응성이 개선되고 그 결과 증착 효율을 개선하는 것이 가능하다.

Description

화학기상증착장치 {CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPRATUS}

본 발명은 화학기상증착장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 적어도 하나 이상의 공정 가스를 이용하여 박막을 증착시키는 화학기상증착장치에 관한 것이다.

일반적으로, 화학기상증착장치는 반응성이 좋은 공정가스를 챔버 안에 주입하고, 이를 빛, 열, 플라즈마, 마이크로 웨이브, X-ray, 전기장 등을 이용하여 공정가스를 활성화시켜 웨이퍼 위에 양질의 박막을 형성하도록 구성되는 장치이다.

최근에는 공정가스로서 금속 유기물 화합물 증기를 이용하는 금속 유기물 화합물 증착장치가 사용되고 있다. 이에 의할 경우, 단차 도포성(step coverage)가 우수하고, 기판이나 결정 표면에 손상이 감소하는 장점을 갖는다. 또한, 증착이 이루어지는 속도가 상대적으로 빨라져 공정시간을 단축시킬 수 있다. 따라서, 전광판 및 그래픽 등의 영상표시소자 및 강유전 물질을 이용하는 메모리 소자의 제작에 이용이 되고 있다.

일반적으로, 이와 같은 화학기상증착장치는 웨이퍼가 위치하는 챔버의 내측으로 적어도 하나 이상의 공정가스가 공급된다. 그리고, 상기 공정가스 간에 반응이 이루어지면서 웨이퍼 상에 증착이 수행된다.

다만, 종래의 경우, 공정가스는 해당 유로를 따라 챔버 내부로 진입한 후, 분산 또는 확산 등의 운동을 통해 이동하였다. 따라서, 공정가스가 챔버 내측을 따라 진행 할수록 공정가스의 일부가 진행 경로를 이탈하는 경우가 발생하였다. 이 경우, 각각의 공정가스가 기 설정된 경로와 상이하게 이동하면서 화학 반응이 감소하고, 나아가 이에 의한 적층이 감소하는 문제가 발생하였다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 상기 해당 공정가스가 기설정된 경로를 따라 진행하여 화학 반응과 증착이 원활하게 이루어질 수 있는 화학기상증착장치를 제공하기 위함이다.

상기한 본 발명의 목적은, 챔버, 상기 챔버의 내측에 설치되어 웨이퍼가 안착되는 스테이지, 상기 챔버 내측에 설치되어 상기 스테이지 방향으로 공정가스를 분사하는 분사노즐 그리고, 상기 분사노즐의 외측에 설치되어, 상기 공정가스가 상기 스테이지 방향으로 진행할 수 있도록 경로를 가이드 하는 가이드 가스를 분사하는 가이드 노즐을 포함하는 화학기상증착장치를 제공할 수 있다.

이때, 상기 가이드 노즐은 상기 분사노즐의 외측을 둘러싸도록 형성되는 것이 바람직하며, 상기 가이드 노즐에서 분사되는 가이드 가스는 상기 공급가스가 진행 방향의 외측 방향으로 분산되는 것을 차단하도록 구성될 수 있다.

상기한 본 발명의 목적은, 챔버, 상기 챔버의 내측에 설치되어 웨이퍼가 안착되는 스테이지, 상기 챔버 내측에 설치되어 상기 스테이지 방향으로 공정가스를 분사하는 분사노즐 그리고, 상기 공정가스의 외측 방향으로 이탈하는 것을 제한할 수 있도록, 상기 분사노즐의 외측에 설치되어 가이드 가스를 분사하는 가이드 노즐을 포함하는 화학기상증착장치에 의해 달성될 수 있다.

그리고, 상기 가이드 노즐에서 가이드 가스가 분사되는 단면은 상기 분사 노즐에서 공정가스가 분사되는 단면보다 작게 구성될 수 있다. 따라서, 상기 가이드 노즐은 상기 가이드 가스가 상기 분사노즐에서 분사되는 공정가스보다 높은 에너지로 진행하도록 분사하는 것이 가능하다.

한편, 상기 챔버의 상측에는 외부의 유로에서 공급되는 가스를 상기 챔버 내측으로 공급하는 샤워헤드를 더 포함하고, 상기 분사노즐은 상기 샤워헤드의 내측에 구비되고, 상기 가이드 노즐은 상기 샤워헤드의 외주면을 따라 형성될 수 있다.

한편, 상기한 본 발명의 목적은 챔버, 상기 챔버의 내측에 설치되어 웨이퍼가 안착되는 스테이지, 상기 스테이지의 상면에 설치되어 제1 공정가스를 상기 스테이지의 상면을 따라 분사하는 제1 샤워헤드 그리고, 상기 챔버의 상측으로부터 상기 제1 샤워헤드 방향으로 제2 공정가스를 분사하는 분사노즐 및 상기 제2 공정가스의 진행방향을 제어하도록 상기 분사노즐의 외측에서 가이드 가스를 분사하는 가이드 노즐이 구비되는 제2 샤워헤드를 포함하는 화학기상증착장치에 의해 달성될 수도 있다.

여기서, 상기 분사노즐은 상기 제2 샤워헤드의 내측에 설치되며, 상기 가이드 노즐은 상기 제2 샤워헤드의 원주를 따라 상기 분사노즐을 둘러싸도록 형성되는 것이 바람직하다.

한편, 상기 가이드 노즐은 상기 제2 공정가스의 외측을 둘러싸도록 가이드 가스를 분사하여 상기 제2 공정가스가 외측으로 이탈하는 것을 차단하도록 구성될 수 있다.

한편, 상기 가이드 노즐은 상기 가이드 가스가 상기 제2 공정가스보다 높은 에너지를 갖도록 분사하는 것이 바람직하고, 이를 위해 상기 가이드 노즐에서 상기 가이드 가스가 분사되는 단면은, 상기 분사노즐에서 상기 제2 공정가스가 분사되는 단면보다 작게 형성할 수 있다.

이때, 상기 가이드 가스는 상기 제1, 제2 공정가스와 각각 반응이 일어나지 않는 기체로 이루어지는 것이 바람직하여, 그 예로서, 상기 가이드 가스는 N₂ 또는 H₂로 이루어지는 것이 바람직하다.

본 발명에 의할 경우, 공정가스가 챔버의 내측에서 확산되는 것이 줄어들면서, 반응성이 개선되고 그 결과 증착 효율을 개선하는 것이 가능하다.

이하에서는 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 화학기상증착장치에 대하여 구체적으로 설명하도록 한다.

본 실시예에서는 유기 금속 화합물을 기체를 이용하는 화학기상증착장치(Metal Organic Chemical Vapor Deposition appratus, 이하 MOCVD)를 예로서 설명하고 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 이 이외에도 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 다른 방식의 화학기상증착장치에 적용될 수 있음은 물론이다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 화학기상증착장치의 단면을 도시 한 단면도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 화학기상증착장치는 챔버(10), 웨이퍼가 안착되는 스테이지(20), 그리고 제1 공정가스 및 제2 공정가스가 공급되는 제1, 제2 가스 공급라인(110, 120)을 포함하여 구성될 수 있다. 이하에서는 각각의 구성요소에 대하여 구체적으로 설명하도록 한다.

챔버(10)는 본 발명에 따른 화학기상증착장치의 외관을 형성하며, 내측에는 증착 공정이 수행되는 공간을 형성한다. 이때, 상기 챔버(10)는 증착시 능동적으로 제어되는 유로를 제외하고는 외부와 기밀을 유지하여 증착 효율을 높이도록 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 내부에 고온의 환경을 조성할 수 있도록 단열이 좋은 재질로 구성되는 것이 더욱 바람직하다.

한편, 챔버(10)의 내측에는 스테이지(20)가 구비될 수 있다. 그리고, 증착 공정이 이루어지는 웨이퍼는 스테이지(20)의 상면에 안착되어 위치한다. 이때, 복수개의 웨이퍼가 동시에 증착 공정이 수행될 수 있도록, 스테이지(20) 상면은 복수개의 안착부(23, 도 2 참조)가 구비될 수 있다. 그리고, 상기 스테이지(20)는 소정의 회전축(22)에 의해 챔버(10) 내측에서 회동 가능하게 설치될 수 있다. 이때, 챔버(10) 내측으로 공정가스가 유입되는 위치가 일측으로 편중된 경우, 이에 대응되는 위치로 스테이지를 회동시켜 각각의 웨이퍼 상에 균일하게 증착을 진행할 수 있다.

그리고, 상기 스테이지(20)의 내측에는 복수개의 열선(21)이 설치될 수 있다. 일반적으로, 화학적 증착방법은 웨이퍼를 소정 온도 이상으로 가열하고, 높은 증기압의 유기 금속화합물 공정가스를 공급하여 박막을 형성한다. 따라서, 본 실시예에서는 웨이퍼가 안착되는 스테이지(20) 상면과 인접하도록 복수개의 열선(21)을 설치하여 히팅 블록(Heating Block)을 형성할 수 있다.

한편, 제1, 제2 가스 공급라인(110, 120)은, 증착공정 진행시 상기 챔버(10)의 내측으로 제1 공정가스(C) 및 제2 공정가스(A)를 공급한다. 본 실시예에서는 암모니아(NH₃) 및 트리메틸갈륨(TMGa)을 제1, 제2 공정가스로 이용할 수 있다. 구체적으로, 암모니아를 제1 공정가스, 트리메틸갈륨을 제2 공정가스로 이용한다. 다만, 이는 일 실시예에 해당하는 것으로 본 발명이 상기 공정가스의 종류에 한정되는 것은 아니다.

따라서, 상기 제1, 제2 공정가스가 상기 챔버(10) 내측으로 공급되면 상기 암모니아의 질소(N)와 트리메탈갈륨의 갈륨(Ga)와 반응하여 질화갈륨(GaN)의 입자를 형성하고, 상기 질화갈륨이 웨이퍼 상에 증착이 이루어질 수 있다.

이때, 제1 가스 공급라인(110)과 제2 가스 공급라인(120)은 각각 제1 공정가스 및 제2 공정가스를 서로 다른 위치에서 공급하도록 구성될 수 있다. 즉, 챔버(10) 내측으로 공급되는 제1, 제2 공정가스가 챔버의 상측에서 만나 미리 반응이 일어나지 않고, 상기 스테이지(20) 상면에서 만나 반응이 일어나도록 제1, 제2 가스 공급라인(110, 120)의 위치를 설정하는 것이 바람직하다. 이 경우, 제1, 제2 공정가스가 웨이퍼에 도달하기 이전에 반응이 일어나 입자가 형성되는 것을 줄일 수 있고, 동시에 증착 효율을 개선할 수 있는 장점을 갖는다.

그, 일 예로서, 제1 가스 공급라인(110) 및 제2 가스 공급라인(120)은 서로 다른 높이에서 제1 공정가스 및 제2 공정가스를 챔버 내측으로 공급할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 가스 공급라인(110)은 상기 스테이지(20)의 하측으로부터 상기 스테이지(20) 상면을 따라 제1 공정가스(C)를 공급할 수 있고, 제2 가스 공급라인(120)은 상기 챔버(10)의 상측으로 제2 공정가스(A)를 공급할 수 있다. 따라서, 상기 제1, 제2 공정가스는 스테이지(20)의 상면에서 만나면서 화학 반응이 일어나고, 그 결과 생성되는 질화 갈륨(GaN)은 스테이지(20) 상면에 안착되는 웨이퍼 상에 증착되는 것이 가능하다.

도 2는 도 1의 스테이지로 공급되는 공정가스의 유로를 도시한 개략도이다.

도 2에 도시된 바와 같이, 제1 가스 공급라인(110)은 스테이지(20) 상면으로 노출되도록 형성되는 제1 샤워헤드(111)를 포함하여 구성될 수 있다. 제1 샤워헤드(111)는 스테이지(20) 상면의 내측에 설치되는 캡 형상의 부재로 구성될 수 있다.

이때, 제1 샤워헤드(121)는 스테이지(20) 외측 방향으로 형성되는 복수 개의 분사구(112)를 구비할 수 있다. 각각의 분사구(112)는 상기 제1 유로(113)와 연결되어, 제1 유로(113)를 따라 공급되는 제1 공정가스를 분사한다. 그리고, 이때 분사된 제1 공정가스는 도 2에 도시된 바와 같이 스테이지(20)의 상면을 따라 스테이지(20) 외측으로 진행될 수 있다.

즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서는 제2 공정가스(A)인 트리메탈 갈륨(TMGa)과 제1 공정가스(C)인 암모니아(NH₃)는 서로 다른 경로를 따라 진행하다가, 스테이지(20)의 상면, 즉 제1 샤워헤드(111)의 분사구(112)와 인접한 부분에서 최초로 접하게 된다. 그리고, 제1, 제2 공정가스는 스테이지(20)의 내측으로부터 외측방향으로 함께 진행하면서 반응이 일어나게 된다. 즉, 질화 갈륨(GaN)이 생성되면서 스테이지(20) 상면에 안착된 웨이퍼 상에 증착이 이루어지고, 나머지 제1, 제2 공정가스들은 스테이지(20)의 외측으로 진행한다.

한편, 지속적으로 제1, 제2 공정가스가 유입될 수 있도록, 상기 스테이지(20) 상면의 외측으로 진행한 제1, 제2 공정가스는 배기포트(30)를 통하여 외부로 배기될 수 있다. 그리고, 챔버(10) 내측 공간을 채우기 위해 공정 가스가 불필요하게 낭비되는 것을 방지할 수 있도록, 상기 배기포트(30)의 하측의 공간을 차폐하는 차폐부재(40)를 구비하는 것이 가능하다.

전술한 바와 같이, 본 실시예에 의한 화학기상증착장치는 제2 공정가스가 챔버 내측에서 하측으로 분사되면, 상기 스테이지 상면으로 공급되는 제1 공정가스(A)와 함께 반응이 이루어지면서 웨이퍼의 증착을 수행할 수 있다. 다만, 챔버 상측에서 제2 공정가스(C)가 하강하는 경우 배기포트로 배출되는 배기압 또는 가스 자체의 분산도 등에 의해 상기 제2 공정가스(C)가 하강하면서 외측으로 퍼질 수 있다. 이 경우, 스테이지(10) 상면에서 반응하는 공정가스의 양이 줄어들 뿐 아니라, 이로 인한 웨이퍼상에 증착량에도 문제가 발생할 수 밖에 없다.

따라서, 본 발명에서는 해당 공정가스가 진행 방향 이외의 방향으로 확산하는 것을 제한하고, 상기 스테이지 방향으로 공정가스가 진행할 수 있도록 경로를 가이드 하는 별도의 가이드 가스를 공급하는 것이 바람직하다. 즉, 해당 공정가스의 진행 경로를 폐곡선을 이루어면서 둘러싸도록 가이드 가스를 공급하는 경우, 상기 가이드 가스는 에어커튼(Air Curtain)을 형성하여 해당 공정가스가 지정된 경로로부터 이탈하는 것을 방지할 수 있다.

본 실시예에서, 제2 공정가스는 챔버 상측의 제2 샤워헤드에서 분사되어 스테이지 상면의 제1 샤워헤드와 인접한 위치로 공급되는 경로를 갖는다. 이때, 상기 기설정된 경로와 같이 제2 공정가스는 제1 샤워헤드의 분사구에 인접한 위치로 분사된 후 상기 제1 공정가스와 함께 스테이지 외측방향으로 진행할 때, 가장 높은 반응률 및 증착량을 얻을 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는 제2 샤워헤드에 별도의 가이드 가스를 공급할 수 있는 가이드 노즐을 구비할 수 있다.

이하에서는 도1 내지 도 3을 참고하여, 제1, 제2 가스 공급라인에 대하여 더욱 구체적으로 설명하도록 한다.

한편, 제1 가스 공급라인(110)은 스테이지(20) 내측에 형성되는 제1 유로(113), 스테이지(20) 상면에 설치되는 제1 샤워헤드(111)를 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 챔버(10)의 하측으로부터 공급되는 제1 공정가스는, 상기 스테이지(20) 내측을 관통하여 형성되는 제1 유로를 따라 공급된 후, 제1 샤워헤드(111)를 통해 챔버(10)의 내측으로 분사될 수 있다. 이때, 스테이지(20)가 내측의 회전 축(22)에 의하여 회동 가능하게 구성되는 경우, 상기 제1 유로는 회전축(22)의 내측에 고정되도록 설치되는 것도 가능하다.

한편, 본 실시예와 같이 트리메탈 갈륨(TMGa)과 암모니아(NH₃)를 제1, 제2 공정가스로 사용하는 경우, 각 공정가스 특히 암모니아(NH₃)를 고온 상태로 가열하여 공정가스 간의 화학 반응이 용이하게 진행될 수 있다.

본 실시예에서는 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 유로(113)의 외측으로 히터(130)를 구비한다. 따라서, 제1 유로를 통과하는 제1 공정가스는 300℃∼500℃ 이상의 온도로 가열되어 이온 또는 라디칼 상태로 분해되면서, 챔버(10) 내측으로 공급될 수 있다. 따라서, 제1 공정가스와 용이하게 반응할 수 있다.

한편, 제2 가스 공긍라인(120)은 챔버(10)의 상측으로 공급되는 제2 유로(122), 제2 유로로부터 제2 공정가스가 공급되는 백킹플레이트(backing plate, 미도시), 백킹플레이트에 장착되어 공정가스를 분사하는 제2 샤워헤드(111)를 포함하여 구성될 수 있다.

이때, 상기 제2 샤워헤드는 제2 공정가스를 분사할 수 있는 분사노즐(121a) 및 분사노즐의 외측에서 가이드 가스를 분사하는 가이드 노즐(121b)을 구비할 수 있다. 이때, 제2 유로(122)는 분사노즐과 연결되어 제2 공정가스인 트릴메틸 갈륨(TMGa)을 공급하는 유로(122a)와 더불어, 가이드 노즐(121b)과 연결되어 가이드 가스를 공급하는 유로(122b) 또한 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 상기 가이드 가스는 챔버 내측의 환경에서 제1, 제2 공정가스와 화학 반응이 발생하지 않도록 선 정하는 것이 바람직하며, 일반적으로 N₂, H₂, Ar 또는 Hr를 이용하여 구성할 수 있다.

한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 분사노즐(121a)은 상기 제2 샤워헤드의 내측에 구비되며, 상기 가이드 노즐(121b)은 분사노즐(121a)의 외측에 상기 제2 샤워헤드의 원주를 따라 형성될 수 있다. 따라서, 가이드 노즐(121b)은 상기 분사노즐(121a)에 의해 분사되는 제2 공정가스를 둘러싸는 형태로 가이드 가스를 공급하는 것이 가능하다.

이때, 가이드 노즐(121b)에 의해 공급되는 가이드 가스가 제2 공정가스보다 더 큰 에너지를 갖고 진행하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 가이드 가스의 분사압이 공정가스의 분사압보다 큰 경우, 상기 제2 공정가스는 자신을 둘러싼 상태로 분사되는 가이드 가스(B)의 경로를 관통하여 외측으로 분산되는 것이 곤란하게 된다. 따라서, 이 경우 상기 가이드 가스(B)는 상기 제2 공정가스 진행 경로의 에어 커튼 역할을 수행하는 것이 가능하다.

여기서, 가이드 가스의 분사압은 가이드 노즐로 공급되는 유로의 분사압에 의해 제어될 수 있다. 따라서, 가이드 노즐과 연결되는 유로는 분사노즐과 연결되는 유로에 비해 높은 분사압으로 가스를 공급하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 가이드 노즐(121b)에서 가이드 가스를 분사하는 단면의 크기는 상기 분사노즐에서 제2 공정가스를 분사하는 단면의 크기보다 작은 크기로 구성하 는 것도 가능하다. 이 경우, 동일한 압력으로 가스가 공급된다고 가정할 경우, 단면적이 작게 형성될수록 진행 방향으로 높은 에너지를 갖는 바, 에어 커튼의 역할을 효과적으로 수행할 수 있기 때문이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 가이드 노즐(121b)을 통해 분사되는 가이드 가스는 제2 공정가스를 둘러싸도록 공급되어 제2 공정가스의 진행 경로를 형성할 수 있다. 따라서, 제2 공정가스는 스테이지(20)의 상측에 인접할 때까지 외측으로 분산되지 않고 상기 제1 샤워헤드(111) 방향으로 진행할 수 있다. 그리고, 스테이지(20) 상측에 인접하면 상기 제1 샤워헤드(111)에서 분산되는 제1 공정가스와 함께 스테이지(20) 외측으로 진행하면서 화학반응이 일어나면서 웨이퍼 상에 증착이 일어날 수 있다.

도 4는 본 발명에 따른 제2 샤워헤드의 하면의 형상을 도시한 것이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 샤워헤드의 내측에는 제2 공정가스가 공급될 수 있는 분사노즐이 형성되고, 상기 분사노즐의 외측으로는 상기 제2 샤워헤드의 원주를 따라 가이드 노즐이 형성될 수 있다. 이때, 분사노즐 내측에는 제2 공정가스를 균일하게 공급하기 위한 리브 형상의 디퓨저(121c)를 구비하는 것도 가능하며(도 4a), 복수개의 통공을 구비하는 형상의 디퓨저(121c)를 구비하여 복수개의 분사노즐을 구성하는 것도 가능하다. 또한, 열선 또는 히터 등의 각 구성요소를 이용하여 챔버 내측으로 공급되는 공정가스의 특성을 조절하는 것도 가능하다.

전술한 본 실시예에서는 복수개의 공정가스가 서로 다른 위치에서 공급되는 화학기상증착장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니 다. 일반적인 화학기상증착장치와 같이 챔버의 상측에서 복수개의 노즐을 분사 통해 적어도 하나 이상의 공정가스가 공급되는 경우에도 본 발명을 적용하는 것이 가능하다. 이 경우, 상기 복수개의 분사노즐의 외측으로 에어커튼 역할을 수행할 수 있는 가이드 노즐을 구비하여 공정가스가 웨이퍼의 바깥 방향으로 분산되는 것을 방지하여 증착효율을 개선할 수 있는 실익이 있는 것으로 판단된다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 화학기상증착장치의 단면을 도시한 단면도이고,

도 2는 도 1의 스테이지로 공급되는 공정가스의 유로를 도시한 개략도이다.

도 3은 도 1의 제2 가스 공급라인을 구체적으로 도시한 단면도이고,

도 4는 본 발명에 따른 제2 샤워헤드의 하면의 형상을 도시한 것이다.

Claims (13)

1. 챔버;

   상기 챔버의 내측에 설치되어 웨이퍼가 안착되는 스테이지;

   상기 챔버 내측에 설치되어 상기 스테이지 방향으로 공정가스를 분사하는 분사노즐; 그리고,

   상기 분사노즐의 외측에 설치되어, 상기 공정가스가 상기 스테이지 방향으로 진행할 수 있도록 경로를 가이드 하는 가이드 가스를 분사하는 가이드 노즐;을 포함하는 화학기상증착장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 가이드 노즐은 상기 분사노즐의 외측을 둘러싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
3. 제2항에 있어서,

   상기 가이드 노즐에서 분사되는 가이드 가스는 상기 공급가스가 진행 방향의 외측 방향으로 분산되는 것을 차단하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
4. 제1항에 있어서,

   상기 가이드 노즐은 상기 분사노즐에서 분사되는 공정가스보다 높은 분사압 으로 상기 가이드 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
5. 제1항에 있어서,

   상기 가이드 노즐에서 가이드 가스가 분사되는 단면은 상기 분사 노즐에서 공정가스가 분사되는 단면보다 작게 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
6. 제1항에 있어서,

   상기 챔버의 상측에는 외부의 유로에서 공급되는 가스를 상기 챔버 내측으로 공급하는 샤워헤드를 더 포함하고,

   상기 분사노즐은 상기 샤워헤드의 내측에 구비되고, 상기 가이드 노즐은 상기 샤워헤드의 외주면을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
7. 챔버;

   상기 챔버의 내측에 설치되어 웨이퍼가 안착되는 스테이지;

   상기 스테이지에 설치된 분사구를 통해 상기 스테이지 상에 제1 공정가스를 공급하는 제1 가스 공급라인;

   상기 챔버의 상측으로부터 상기 스테이지 상의 분사구 방향으로 제2 공정가스를 분사하는 분사노즐 및 상기 제2 공정가스의 진행방향을 가이드하도록 상기 분사노즐의 외측에서 가이드 가스를 분사하는 가이드 노즐이 구비되는 샤워헤드를 포 함하는 화학기상증착장치.
8. 제7항에 있어서,

   상기 분사노즐은 상기 샤워헤드의 내측에 설치되며, 상기 가이드 노즐은 상기 샤워헤드의 원주를 따라 상기 분사노즐을 둘러싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
9. 제7항에 있어서,

   상기 가이드 노즐은 상기 제2 공정가스의 외측을 둘러싸도록 가이드 가스를 분사하여 상기 제2 공정가스가 외측으로 이탈하는 것을 차단하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
10. 제7항에 있어서,

    상기 가이드 노즐은 상기 분사노즐이 상기 제2 공정가스를 분사하는 분사압보다 더 높은 분사압으로 상기 가이드 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
11. 제7항에 있어서,

    상기 가이드 노즐에서 상기 가이드 가스가 분사되는 단면은, 상기 분사노즐에서 상기 제2 공정가스가 분사되는 단면보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
12. 제7항에 있어서,

    상기 가이드 가스는 상기 제1, 제2 공정가스와 각각 반응이 일어나지 않는 기체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
13. 제7항에 있어서,

    상기 가이드 가스는 N₂ 또는 H₂로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.

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