CN112331588B - 半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备，其中，卡盘组件包括卡盘和遮挡部件，卡盘包括用于承载待加工件的承载面，遮挡部件包括与承载面相对的遮挡面，遮挡部件的遮挡面上设置有导流结构，卡盘内设置有进气部件，其中，进气部件用于在遮挡部件遮挡承载面时，向导流结构中输送吹扫气体；导流结构用于对输送至其中的吹扫气体进行导流，使吹扫气体对承载面进行吹扫。本发明提供的半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备，无需打开工艺腔室即可对卡盘上的污染物进行清理，以能够快捷的对卡盘上的污染物进行清理，并缩短污染物清理所需时间，从而提高半导体工艺设备的利用率。

Description

半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称PVD)工艺，是利用等离子体对靶材进行轰击，使金属原子从靶材中逸出并沉积在晶片上，从而在晶片上形成薄膜。

在实际应用中，从靶材中逸出的金属原子，不仅会沉积到晶片上，还会沉积到工艺腔室的内壁以及工艺腔室内的其它部件上形成颗粒污染物，当颗粒污染物掉落至工艺中用于吸附晶片的静电卡盘上时，会使得晶片与静电卡盘无法完全贴合，导致静电卡盘无法完全吸附晶片。因此，在物理气相沉积工艺的工艺腔室中，通常还会设置有遮挡盘，遮挡盘用于在工艺腔室完全不工作时，对静电卡盘进行遮挡，以防止颗粒污染物掉落至静电卡盘上。并且，为了节省晶片的消耗，在对新靶材进行轰击或者对工艺腔室进行预热时，通常会使用遮挡盘替代晶片，即，将遮挡盘放置在静电卡盘上方，以使从靶材中逸出的金属原子，沉积到遮挡盘上。

但是，由于在取放晶片的过程中，即，在将晶片从静电卡盘上移走并移出工艺腔室，以及将晶片传送至工艺腔室内并放置在静电卡盘上的过程中，为了避免遮挡盘与晶片产生干涉，遮挡盘并不会移动至静电卡盘上，并且，通常只有在工艺腔室空闲时间达到二十分钟以上，确保工艺腔室完全不工作时，遮挡盘才会对静电卡盘进行遮挡，因此，虽然工艺腔室中设置有遮挡盘对静电卡盘进行遮挡，但是沉积在工艺腔室内的颗粒污染物，仍然会掉落至静电卡盘上，而一旦静电卡盘上掉落有颗粒污染物，只能打开工艺腔室对静电卡盘进行擦拭，而每一次打开工艺腔室都需要十几个小时的时间对工艺腔室进行恢复，导致工艺腔室的正常使用受到非常严重的影响。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备，其无需打开工艺腔室即可对卡盘上的污染物进行清理，以能够快捷的对卡盘上的污染物进行清理，并缩短污染物清理所需时间，从而提高半导体工艺设备的利用率。

为实现本发明的目的而提供一种半导体设备中的卡盘组件，包括卡盘和遮挡部件，所述卡盘包括用于承载待加工件的承载面，所述遮挡部件包括与所述承载面相对的遮挡面，所述遮挡部件的所述遮挡面上设置有导流结构，所述卡盘内设置有进气部件，其中，所述进气部件用于在所述遮挡部件遮挡所述承载面时，向所述导流结构中输送吹扫气体；所述导流结构用于对输送至其中的所述吹扫气体进行导流，使所述吹扫气体对所述承载面进行吹扫。

优选的，所述导流结构包括多个径向尺寸不同的环形导流部，多个所述环形导流部相互间隔环绕设置，并均相对于所述遮挡面朝向所述承载面凸出；

且各所述环形导流部上均开设有通气口，所述通气口沿所述环形导流部的径向贯穿所述环形导流部，并贯通至所述环形导流部朝向所述承载面的一侧面，所述通气口用于使各所述环形导流部之间的空间连通，以形成供所述吹扫气体流过的气体通道。

优选的，各所述环形导流部上均开设有多个所述通气口，多个所述通气口沿所述环形导流部的周向间隔设置。

优选的，相邻的两个所述环形导流部上的所述通气口交错设置。

优选的，所述进气部件包括在所述卡盘中开设的通孔，且所述通孔贯通至所述承载面。

优选的，所述通孔贯通至所述承载面的一端对应于多个所述环形导流部中径向尺寸最小的所述环形导流部的内部空间。

优选的，各所述环形导流部的厚度的取值范围为2mm-5mm。

优选的，各所述环形导流部的宽度的取值范围为0.8mm-1.2mm。

本发明还提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室和设置在所述工艺腔室中的卡盘组件，其中，所述卡盘组件采用如本发明提供的所述卡盘组件。

优选的，所述半导体工艺设备还包括抽气部件，所述抽气部件与所述工艺腔室的内部连通，用于对所述工艺腔室的内部进行抽气。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的半导体设备中的卡盘组件，借助设置在卡盘内的进气部件，在遮挡部件遮挡卡盘用于承载待加工件的承载面时，向设置在遮挡部件与承载面相对的遮挡面上的导流结构输送吹扫气体，并借助导流结构对输送至其中的吹扫气体进行导流，使吹扫气体对承载面进行吹扫，从而无需打开工艺腔室即可对卡盘上的污染物进行清理，以能够快捷的对卡盘上的污染物进行清理，并且，由于无需打开工艺腔室即可对卡盘上的污染物进行清理，因此，省去了打开工艺腔室后需要对工艺腔室进行恢复的时间，以能够缩短污染物清理所需时间，从而提高半导体工艺设备的利用率。

本发明提供的半导体工艺设备，借助本发明提供的半导体设备中的卡盘组件，无需打开工艺腔室即可对卡盘上的污染物进行清理，以能够快捷的对卡盘上的污染物进行清理，并缩短污染物清理所需时间，从而提高半导体工艺设备的利用率。

附图说明

图1为本发明实施例提供的半导体设备中的卡盘组件的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的半导体设备中的卡盘组件的遮挡部件的结构示意图；

附图标记说明：

11-卡盘；111-承载面；12-遮挡部件；121-遮挡面；13-进气部件；141-第一环形导流部；142-第二环形导流部；143-第三环形导流部；15-气体通道；151-第一空间；152-第二空间；153-第三空间；16-工艺腔室；161-存储区域；17-旋转传输部件；18-抽气部件；19-波纹管。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备进行详细描述。

如图1所示，本实施例提供一种半导体设备中的卡盘组件，包括卡盘11和遮挡部件12，卡盘11包括用于承载待加工件的承载面111，遮挡部件12包括与承载面111相对的遮挡面121，遮挡部件12的遮挡面121上设置有导流结构，卡盘11内设置有进气部件13，其中，进气部件13用于在遮挡部件12遮挡承载面111时，向导流结构中输送吹扫气体；导流结构用于对输送至其中的吹扫气体进行导流，使吹扫气体对承载面111进行吹扫。

本实施例提供的半导体设备中的卡盘组件，借助设置在卡盘11内的进气部件13，在遮挡部件12遮挡卡盘11用于承载待加工件的承载面111时，向设置在遮挡部件12与承载面111相对的遮挡面121上的导流结构输送吹扫气体，并借助导流结构对输送至其中的吹扫气体进行导流，使吹扫气体对承载面111进行吹扫，从而无需打开工艺腔室16即可对卡盘11上的污染物进行清理，以能够快捷的对卡盘11上的污染物进行清理，并且，由于无需打开工艺腔室16即可对卡盘11上的污染物进行清理，因此，省去了打开工艺腔室16后需要对工艺腔室16进行恢复的时间，以能够缩短污染物清理所需时间，从而提高半导体工艺设备的利用率。

如图2所示，以本实施例提供的卡盘组件应用于物理气相沉积工艺的工艺腔室16中，用于进行物理气相沉积工艺为例进行说明。物理气相沉积工艺的工艺腔室16中设置有存储区域161和旋转传输部件17，卡盘11中还可以设置有可升降的顶针(图中未示出)，在进行物理气相沉积工艺时，卡盘11承载待加工件，待加工件可以为待进行物理气相沉积工艺的晶片，此时，卡盘11与待加工件接触的表面为承载面111，遮挡部件12被旋转传输部件17承载暂时存放于工艺腔室16的存储区域161中，以避免遮挡部件12对物理气相沉积工艺造成影响。

在需要使用遮挡部件12对承载面111进行遮挡时，旋转传输部件17旋转，将承载于其上的遮挡部件12传输至卡盘11的上方，卡盘11中的顶针上升从旋转传输部件17上托起遮挡部件12，之后旋转传输部件17旋转回到存储区域161中，顶针承载遮挡部件12下降，顶针可以下降至使遮挡部件12与卡盘11的承载面111完全接触，也可以使遮挡部件12与卡盘11的承载面111之间具有预设间隙，以通过遮挡部件12对承载面111进行遮挡，此时，遮挡部件12与承载面111相对的表面为遮挡面121。随后若卡盘11的承载面111上不存在污染物，则无需使用进气部件13向遮挡面121上的导流结构输送吹扫气体，若卡盘11的承载面111上存在污染物，并需要对污染物进行清理时，则使用卡盘11上的进气部件13向遮挡面121上的导流结构输送吹扫气体，此时，由于设置在遮挡面121上的导流结构能够对输送至其中的吹扫气体进行导流，使吹扫气体对承载面111进行吹扫，从而可以通过吹扫气体将承载面111上的污染物吹扫下，实现对卡盘11的清理。

在对卡盘11清理之后，且无需继续对承载面111进行遮挡时，卡盘11中的顶针上升将遮挡部件12顶起，随后旋转传输部件17从存储区域161中旋转至遮挡部件12的下方，顶针下降以将遮挡部件12降落至旋转传输部件17上，随后旋转传输部件17承载遮挡部件12旋转至存储区域161中。

可选的，吹扫气体可以包括氮气或惰性气体。

优选的，吹扫气体可以采用氩气，这是由于在物理气相沉积工艺中，氩气作为工艺气体使用，因此，采用氩气作为吹扫气体可以避免对物理气相沉积工艺造成影响。

但是，在实际应用中，本实施例提供的卡盘并不限于应用于物理气相沉积工艺的工艺腔室16中，也并不限于进行物理气相沉积工艺。

如图1和图3所示，在本发明一优选实施例中，导流结构可以包括多个径向尺寸不同的环形导流部，多个环形导流部相互间隔环绕设置，并均相对于遮挡面121朝向承载面111凸出；且各环形导流部上均开设有通气口，通气口沿环形导流部的径向贯穿环形导流部，并贯通至环形导流部朝向承载面111的一侧面，通气口用于使各环形导流部之间的空间连通，以形成供吹扫气体流过的气体通道15。

各环形导流部之间的空间包括多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间，以及相邻的两个环形导流部之间的环形空间，当进气部件13向导流结构中输送吹扫气体时，吹扫气体会首先进入多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间内，或者相邻的两个环形导流部之间的环形空间内，这可以通过调整进气部件13在卡盘11内的位置，以调整遮挡部件12遮挡卡盘11时，进气部件13与多个环形导流部的相对位置而调整。当遮挡部件12遮挡卡盘11时，进气部件13与多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间对应，则吹扫气体会首先进入多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间内，当遮挡部件12遮挡卡盘11时，进气部件13与相邻的两个环形导流部之间的环形空间对应，则吹扫气体会首先进入相邻的两个环形导流部之间的环形空间内。

在吹扫气体进入多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间内，或者相邻的两个环形导流部之间的环形空间内后，吹扫气体会由于环形导流部的限制以及导流，在其进入的空间内扩散，并对其进入的空间所对应的承载面111的部分进行吹扫，当吹扫气体在其进入的空间内扩散至环形导流部的通气口处时，吹扫气体会通过通气口扩散至与其首先进入的空间相邻的空间内，从而能够在由多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间，以及相邻的两个环形导流部之间的环形空间形成供吹扫气体流过的气体通道15内扩散，以对气体通道15所对应的承载面111进行吹扫。

并且，当吹扫气体通过通气口进入与其之前所处的空间相邻的空间内时，由于通气口贯通至环形导流部朝向承载面111的一侧面，因此，吹扫气体也可以将从承载面111上吹扫下的污染物吹扫至与其之前所处的空间相邻的空间内，直到吹扫气体通过多个环形导流部中径向尺寸最大的环形导流部上的通气口时，即，通过多个环形导流部中环绕在最外侧的环形导流部上的通气口时，吹扫气体就会将污染物吹扫至气体通道15之外，从而将污染物从气体通道15所对应的承载面111上吹扫下。

如图3所示，以多个径向尺寸不同的环形导流部包括三个，分别为第一环形导流部141、第二环形导流部142和第三环形导流部143，进气部件13与三个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间对应为例。其中，第一环形导流部141的径向尺寸最小，其内部空间称为第一空间151，第二环形导流部142的径向尺寸大于第一环形导流部141的径向尺寸，环绕在第一环形导流部141的周围，并与第一环形导流部141间隔设置，第二环形导流部142与第一环形导流部141之间的环形空间称为第二空间152，第三环形导流部143的径向尺寸大于第二环形导流部142的径向尺寸，环绕在第二环形导流部142的周围，并与第二环形导流部142间隔设置，第三环形导流部143与第二环形导流部142之间的环形空间称为第三空间153。但是，环形导流部的数量并不以此为限，可以是两个，也可以是更多个。

当进气部件13向遮挡面121输送吹扫气体时，由于进气部件13与三个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间对应，即，进气部件13与第一环形导流部141的内部空间第一空间151对应，因此，吹扫气体首先进入第一空间151中，在第一环形导流部141的限制以及导流下，吹扫气体在第一空间151中扩散，并对第一空间151所对应的部分承载面111进行吹扫，当吹扫气体扩散至第一环形导流部141上的通气口时，吹扫气体会通过第一环形导流部141上的通气口扩散至与第一空间151相邻的第二空间152中，并将从第一空间151对应的部分承载面111上吹扫下的污染物，通过第一环形导流部141上的通气口吹扫至第二空间152中。

随后，在第二环形导流部142的限制以及导流下，吹扫气体在第二空间152中扩散，并对第二空间152所对应的部分承载面111进行吹扫，当吹扫气体扩散至第二环形导流部142上的通气口时，吹扫气体会通过第二环形导流部142上的通气口扩散至与第二空间152相邻的第三空间153中，并将从第二空间152对应的部分承载面111上吹扫下的污染物，以及进入第二空间152的从第一空间151对应的部分承载面111上吹扫下的污染物，通过第二环形导流部142上的通气口吹扫至第三空间153中。

随后，在第三环形导流部143的限制以及导流下，吹扫气体在第三空间153中扩散，并对第三空间153所对应的部分承载面111进行吹扫，当吹扫气体扩散至第三环形导流部143上的通气口时，吹扫气体会通过第三环形导流部143上的通气口扩散至第三环形导流部143的外侧，并将从第三空间153对应的部分承载面111上吹扫下的污染物，以及进入第二空间152的从第一空间151对应的部分承载面111上吹扫下的污染物，以及进入第三空间153的从第二空间152对应的部分承载面111上吹扫下的污染物，通过第三环形导流部143上的通气口吹扫至第三环形导流部143的外侧，从而对第一空间151、第二空间152和第三空间153所对应的承载面111上吹扫下。

可选的，遮挡部件12的厚度与各环形导流部的厚度之和的取值范围可以为6mm-10mm。这样既可以给环形导流部留有足够的设计厚度，以使多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间，以及相邻的两个环形导流部之间的环形空间具有足够的深度，以使进入多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间，以及相邻的两个环形导流部之间的环形空间内的吹扫气体具有足够的进气量，以能够充分的对多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间，以及相邻的两个环形导流部之间的环形空间所对应的承载面111进行吹扫，并且，又可以避免由于遮挡部件12的厚度与环形导流部的厚度过大，导致遮挡部件12与环形导流部无法被存放至工艺腔室16的存储区域161中。

可选的，各环形导流部的厚度(如图1中厚度B所示)的取值范围可以为2mm-5mm。这样可以使环形导流部具有足够厚度，以使多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间，以及相邻的两个环形导流部之间的环形空间具有足够的深度，以使进入多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间，以及相邻的两个环形导流部之间的环形空间内的吹扫气体具有足够的进气量，以能够充分的对多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间，以及相邻的两个环形导流部之间的环形空间所对应的承载面111进行吹扫。

优选的，各环形导流部的厚度可以为3mm。

可选的，各环形导流部的宽度(如图1中宽度A所示)的取值范围可以为0.8mm-1.2mm。

优选的，各环形导流部的宽度可以为1mm。

如图3所示，在本发明一优选实施例中，各环形导流部上均可以开设有多个通气口，多个通气口沿环形导流部的周向间隔设置。这样可以使吹扫气体能够通过多个通气口同时扩散，以提高吹扫气体扩散的速度，提高吹扫污染物的效率，从而能够进一步快捷的对卡盘11上的污染物进行清理，并进一步缩短污染物清理所需时间，进而进一步提高半导体工艺设备的利用率。

如图3所示，在本发明一优选实施例中，相邻的两个环形导流部上的通气口可以交错设置。这样可以使吹扫气体从一个环形导流部上的通气口扩散至与其之前所处的空间相邻的空间内时，会扩散至相邻的环形导流部上，以能够通过相邻的环形导流部的限制，使吹扫气体在扩散后的空间内充分扩散，从而能够对扩散后的空间所对应的承载面111充分吹扫，以避免由于吹扫气体从一个环形导流部上的通气口扩散至与其之前所处的空间相邻的空间内时，直接从相邻的环形导流部上的通气口又扩散至相邻的空间内，而使得工艺气体无法在扩散后的空间内充分扩散，导致无法对扩散后的空间所对应的部分承载面111充分吹扫，进而提高对污染物清理的效果。

如图1和图2所示，在本发明一优选实施例中，进气部件13可以包括在卡盘11中开设的通孔，且通孔贯通至承载面111。具体的，通孔的一端可以与用于提供的工艺气体的气源连通(图中未示出)，另一端由于贯通至承载面111，因此，自通孔的一端进入的吹扫气体可以通过通孔，向设置在与承载面111相对的遮挡面121上的导流结构中输送吹扫气体。

可选的，通孔可以沿卡盘11的厚度方向贯通卡盘11。

如图1和图2所示，在本发明一优选实施例中，进气部件13可以还包括进气管路，卡盘11的底部可以设置有波纹管19，其中，进气管路的一端伸入至通孔中，另一端用于与气源连通，以能够将气源提供的吹扫气体输送向导流结构中，波纹管19套设在进气管路的周围，并贯穿工艺腔室16，用于对进气管路与工艺腔室16之间进行密封。由于波纹管19可伸缩，因此，在卡盘11为可升降的卡盘11，进气管路需要随卡盘11的升降而升降时，波纹管19可以随卡盘11和进气管路的升降而升降，从而能够在进气管路随卡盘11的升降而升降时，保持对进气管路与工艺腔室16之间的密封。

如图1和图2所示，通孔贯通至承载面111的一端可以对应于多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间。

这样可以使工艺气体首先进入多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间，由于多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部位于多个环形导流部的最中心，也就使得多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间位于，多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间，以及相邻的两个环形导流部之间的环形空间形成供吹扫气体流过的气体通道15的最中心，通过使通孔贯通至承载面111的一端对应于多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间，可以使工艺气体首先进入多个环形导流部中径向尺寸最小的环形导流部的内部空间，以使工艺气体可以首先进入气体通道15的最中心，之后从中心逐渐向外扩散(如图3中箭头所示)，以避免工艺气体在气体通道15发生乱流，从而能够进一步快捷的对卡盘11上的污染物进行清理，并进一步缩短污染物清理所需时间，进而进一步提高半导体工艺设备的利用率，并能够进一步提高对污染物清理的效果。

如图2所示，作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室16和设置在工艺腔室16中的卡盘组件，其中，卡盘组件采用如本发明实施例提供的卡盘组件。

本实施例提供的半导体工艺设备，借助本发明实施例提供的卡盘组件，无需打开工艺腔室16即可对卡盘11上的污染物进行清理，以能够快捷的对卡盘11上的污染物进行清理，并缩短污染物清理所需时间，从而提高半导体工艺设备的利用率。

如图2所示，半导体工艺设备可以还包括抽气部件18，抽气部件18与工艺腔室16的内部连通，用于对工艺腔室16的内部进行抽气。借助抽气部件18对工艺腔室16的内部进行抽气，能够及时的将从承载面111上吹扫下的污染物抽出工艺腔室16，从而避免污染物在工艺腔室16内积累，对工艺腔室16造成污染，进而避免污染物对卡盘11的二次污染。

可选的，抽气部件18可以包括冷泵。

综上，本发明实施例提供的半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备，无需打开工艺腔室16即可对卡盘11上的污染物进行清理，以能够快捷的对卡盘11上的污染物进行清理，并缩短污染物清理所需时间，从而提高半导体工艺设备的利用率。

可以解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种半导体设备中的卡盘组件，包括卡盘和遮挡部件，所述卡盘包括用于承载待加工件的承载面，所述遮挡部件包括与所述承载面相对的遮挡面，其特征在于，所述

遮挡部件的所述遮挡面上设置有导流结构，所述卡盘内设置有进气部件，其中，所述进气部件用于在所述遮挡部件遮挡所述承载面时，向所述导流结构中输送吹扫气体；所述导流结构用于对输送至其中的所述吹扫气体进行导流，使所述吹扫气体对所述承载面进行吹扫；

所述导流结构包括多个径向尺寸不同的环形导流部，多个所述环形导流部相互间隔环绕设置，并均相对于所述遮挡面朝向所述承载面凸出；

且各所述环形导流部上均开设有通气口，所述通气口沿所述环形导流部的径向贯穿所述环形导流部，并贯通至所述环形导流部朝向所述承载面的一侧面，所述通气口用于使各所述环形导流部之间的空间连通，以形成供所述吹扫气体流过的气体通道。

2.根据权利要求1所述的卡盘组件，其特征在于，各所述环形导流部上均开设有多个所述通气口，多个所述通气口沿所述环形导流部的周向间隔设置。

3.根据权利要求1所述的卡盘组件，其特征在于，相邻的两个所述环形导流部上的所述通气口交错设置。

4.根据权利要求1所述的卡盘组件，其特征在于，所述进气部件包括在所述卡盘中开设的通孔，且所述通孔贯通至所述承载面。

5.根据权利要求4所述的卡盘组件，其特征在于，所述通孔贯通至所述承载面的一端对应于多个所述环形导流部中径向尺寸最小的所述环形导流部的内部空间。

6.根据权利要求1所述的卡盘组件，其特征在于，各所述环形导流部的厚度的取值范围为2mm-5mm。

7.根据权利要求1所述的卡盘组件，其特征在于，各所述环形导流部的宽度的取值范围为0.8mm-1.2mm。

8.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室和设置在所述工艺腔室中的卡盘组件，其中，所述卡盘组件采用如权利要求1-7任意一项所述的卡盘组件。

9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括抽气部件，所述抽气部件与所述工艺腔室的内部连通，用于对所述工艺腔室的内部进行抽气。