KR20100103432A - 발광소자 패키지 제조방법 및 그에 따른 발광소자 패키지 - Google Patents

발광소자 패키지 제조방법 및 그에 따른 발광소자 패키지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 발광소자 패키지 제조방법 및 그에 따른 발광소자 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광소자의 방열 성능을 향상시키고 제품의 구조를 간소화하며, 층 간 결합력 및 내구성을 향상시켜 제품의 신뢰성을 제고할 수 있는 발광소자 패키지 제조방법 및 그에 따른 발광소자 패키지에 관한 것이다.

Description

발광소자 패키지 제조방법 및 그에 따른 발광소자 패키지{MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE BY THE METHOD}
본 발명은 발광소자 패키지 제조방법 및 그에 따른 발광소자 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광소자의 방열 성능을 향상시키고 제품의 구조를 간소화하며, 층 간 결합력 및 내구성을 향상시켜 제품의 신뢰성을 제고할 수 있는 발광소자 패키지 제조방법 및 그에 따른 발광소자 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 발광소자로는 LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)를 들 수 있는데, 이는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 자외선의 형태로 변환시켜 신호를 보내고 받는 데 사용되는 소자이다.
LED는 고효율, 고속응답, 장수명, 소형화, 경량, 저소비 전력에 의한 에너지 절감 등의 장점과 함께, 일산화탄소 발생이 전혀 없고 무수은 광원이므로 폐기물 처리가 간편한 친환경 광원 등의 우수한 특징을 가지고 있어 자동차, 휴대단말기, LCD, 풀 컬러-LED 디스플레이 등 많은 분야에 응용되고 있다. 또한 점광원 및 초소형 광소자로 선, 면, 공간 디자인을 자유롭게 할 수 있어서 활용분야가 표시, 신호, 디스플레이, 조명, 바이오, 통신, 휴대전화, LCD, 자동차 산업 등 매우 넓게 지속 성장이 예상되고 있다.
LED 패키징 공정의 핵심기술은 방출 광을 최적으로 활용하기 위해서 칩 레벨에서부터 구조설계, 광학설계, 열 설계, 패키징 공정기술을 들 수가 있는데, 초소형, 고성능 모듈의 경우 패키징 공정에서 회로, 모듈구조 등 최종 용도의 요건을 고려하는 패키징 기술을 도입하고 있다. LED 패키징 기술의 발전 방향은 응용제품의 종류에 따라 초박형 또는 초소형화(백라이트), 고출력화(조명), 고집적화(디스플레이)의 방향으로 발전하고 있으며 공통적으로 해결해야 하는 기술은 방열구조 설계 및 제작기술이다.
LED 칩은 패키징 공정을 거쳐 광원 모듈로 제조되는데, 이 광원 모듈을 이용하여 각종의 LED 백라이트, LED 디스플레이, LED 조명 등이 만들어지며, 이때 LED 응용제품의 유형에 따라 칩을 패키징하는 원리와 공정기술이 크게 달라진다. 즉, 고출력 LED 광원을 얻기 위한 LED 광소자의 출력이 계속 향상됨에 따라 패키지 및 모듈의 최적 설계조건이 바뀌고 있어서, 응용 제품이 다양하고 표준규격이 없기 때문에 매우 많은 종류의 패키지 형태가 있으나 대표적으로 램프형, SMD(surface mount device), COB(chip on board), BLU(back light unit)가 있다.
이러한 LED 패키지는 기본적인 다이 본딩 및 와이어 본딩 공정 후에 몰딩 과정을 거쳐 광원모듈로 완성된다.
종래의 발광소자 패키지는 높은 출력의 광을 얻기 위해서 전류의 크기를 높일 경우에는 패키지 내의 방열 성능이 좋지 않아 높은 열이 발생하는 문제가 있고, 이와 같이 패키지 내부에 높은 열이 방열되지 않은 채 그대로 존재할 경우 저항이 매우 높아져 광 효율이 저하된다. 발광소자와 방열소자사이에 열 저항체들이 많이 존재하여 발광소자에서 발생하는 열이 쉽게 외부로 전달되지 않는 단점이 있다.
또한, 종래의 발광소자 패키지는 전극 형성을 위해 절연층과 전극층을 적층한 후 가열 가압하는 과정에서 전극의 위치가 틀어질 우려가 있다.
본 발명은 방열효과가 탁월하면서도 방열구조를 간소하고 경제적으로 구현할 수 있도록 하며, 해당 방열구조의 제조공정에서 제품의 결합력과 내구성을 획기적으로 개선시킬 수 있는 발광소자 패키지 제조방법 및 그에 따른 발광소자 패키지의 제공을 목적으로 한다.
본 발명은 발광소자의 열을 방출하기 위한 메탈베이스를 준비하고; 상기 메탈베이스 상면의 일부를 화학적 방법에 의해 하프에칭하여 상기 발광소자를 안착하기 위한 안착부를 돌출되게 형성하고; 상기 메탈베이스의 에칭면 상에 절연층을 형성하고; 상기 절연층 상부에 전극층을 형성하고; 상기 메탈베이스, 절연층, 전극층을 적층하여 가열 압착하고; 상기 전극층을 원하는 전극 형상으로 에칭하고; 상기 전극층 에칭공정에 의하여 노출된 절연층을 레지스트 인쇄하는 것을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법을 제공한다.
상기 메탈베이스는 압연동으로 구비하고, 상기 절연층 간의 결합은 Silane계 화합물을 이용하여 표면처리 함으로써 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 전극층은 상기 메탈베이스의 상면의 회로패턴과 동일한 형상으로 프레스 가공되어 상기 절연층을 개재시켜 상기 메탈 베이스 상면에 적층되어 가열 가압된 뒤, 상기 안착부의 절연층 및 전극층은 연마공정에 의하여 제거되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 공정이 완료된 상기 전극층을 금도금하는 것을 특징으로 한다.
상기 공정이 완료된 메탈베이스의 바닥면에 금도층을 형성할 수 있다.
상기 공정이 완료된 메탈베이스의 바닥면에 열확산잉크층을 형성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제조방법에 의하여 구현된 발광소자 패키지를 제공한다.
본 발명에 따르면, 하프에칭에 의하여 메탈 베이스 상에 안착부를 형성하기 때문에, 양산성이 우수하고 어떠한 형태나 크기의 회로패턴의 형성도 일괄적으로 구현할 수 있는 장점이 있다.
또한 본 발명의 표면처리공법에 의하여 층간 결합력이 획기적으로 개선되고 제품의 외면의 부식을 방지할 수 있어 제품의 완성도를 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조공정을 보인 제어흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 3 내지 도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조공정별 구성요소의 상세도이다.
도 1은 본 발명에서 제공하는 발광소자 패키지 제조방법에 대한 순서도이며, 도 2는 본 발명의 제조방법에 따라 구현되어 완성된 발광소자 패키지 일실시예의 단면도이다.
이하에서는 도 1의 제조공정에 따라 구현되는 발광소자 패키지의 구조에 대하여 각각의 상세도를 참조하여 설명한다.
첫 번째 공정(s100)으로서, 본 발명은 도 3에 도시된 바와 같이, 방열용 메탈베이스(10)를 구비한다.
메탈베이스(10)는 방열능력이 높은 열 전도성 금속 예를 들면 구리 또는 알루미늄 등으로 형성된다. 가장 바람직하게는 메탈베이스(10)는 1.5mm 이상의 두께로 된 압연동으로 형성된다.
다음으로 메탈베이스(10)에 대하여 발광소자가 솔더링될 부분인 안착부(1차회로)(11)를 형성한다(s200).
이 공정에 따르면, 도 4에 도시한 바와 같이, 발광소자를 안착하기 위한 안착부(11)가 메탈베이스(10) 상에 돌출되게 형성되는데, 메탈베이스(10)의 안착부(11)는 메탈베이스(10) 상면중 안착부(11)를 제외한 나머지 부분(에칭면)을 하프에칭하여 형성한다.
상기 하프에칭은 양산성을 높이기 위하여 기계식 약품분사장비를 이용한 화학적 식각방법을 이용하게 되는데, 약품분사량과 분사시점을 적절히 조절함으로써 상기 안착부가 상하 균일한 표면적이 되도록 하는 것이 중요하다.
상기 안착부 형성에 있어서, 화학적 방법에 의한 하프에칭을 적용하게 되면 어떠한 크기의 안착부에 대하여도 일괄적인 에칭이 가능하여 양산성을 충족시킬 수 있는 장점이 있다.
발광소자는 열 전도성 접착제에 의해 메탈베이스(10)에 직접 부착된다. 이외에도 발광소자는 칩 실장용 패드에 의해 메탈베이스(10)에 마련될 수 있다. 칩 실장용 패드는 발광소자를 실장하기 위한 실장영역을 제공하기 위한 것으로서 메탈베이스 위에 동박으로 패터닝하여 형성하면 된다. 메탈베이스(10)의 안착부(11)에는 발광소자가 솔더링 접합되기 때문에 발광소자에서 발생된 열을 보다 효과적으로 외부로 방출할 수 있으며, 에폭시 등의 접착층을 형성하여 발광소자를 부착시킨 것에 비해 접착층에서 열전달이 지연되는 것을 방지할 수 있어 방열 성능이 매우 우수하다.
다음 공정으로서, 메탈베이스(10) 상에 결할될 전극층(30)을 형성한다(s300).
전극층(30)은 상기 안착부(11)와 이격되어 있어야 하며, 발광소자와의 전기적인 연결이 가능한 도전 재질로서 조화처리가 용이한 전해동이 바람직하다.
상기 전극층(30)은 도 5에서 보는 바와 같이, 메탈베이스 상에 형성된 1차 회로와 동일한 형상의 회로(31)가 프레스로 가공(살짝 누르는 공정)되어 메탈베이스와 틈새 없이 밀착 결합할 수 있도록 한다. 즉, 전해동인 상기 전극층(30)을 메탈베이스(10)의 에칭된 회로패턴과 같이 돌기에 의한 단차가 형성되도록 프레스로 약간(e.g.30㎛) 가압하는 것이다.
상기 공정에 의하여 전극층(30)이 구비되면, 적층에 앞서서 안착부(11)를 제외한 상기 메탈베이스(10) 에칭면에 대하여 절연층과의 결합력 향상을 위한 표면처리가 수행된다(s400).
본 발명의 메탈베이스(10)는 두꺼운 압연동이기 때문에 일반적인 표면 조화처리로는 요구되는 인장력을 얻을 수 없는 바, 이런 조건하에서도 적층될 절연층(20)과의 결합력을 향상시키는 것이 제품의 신뢰성을 좌우하는 관건이 된다.
본 발명은 상기 메탈베이스(10)와 절연층(20) 간의 결합력을 강화하기 위하여, 도 6에 도시한 바와 같이, 메탈베이스 상면중 에칭면에 금속과 PP(프리프레그)를 결합을 도와주는 특성을 지닌 Silane계 화합물(12)을 도포함으로써, 동박의 종류 및 PP의 종류에 민감하지 않는 균일한 본딩(Bonding) 특성을 나타내고 동박에 대한 에칭을 배제하여 내-외층 패턴의 손상과 같은 부분을 발생 시키지 않도록 한다.
상기 Silane계 화합물(12)은 같은 자재의 조건에서 기존 Oxide계 프로세스보다 향상된 인장력(Peel Strength) 및 밀착 신뢰성을 확보할 수 있는 장점이 있다.
이와 같이, 발광소자의 열을 외부로 방출시키는 방열용 메탈베이스를 에칭하여 발광소자가 안착되는 안착부(11)를 형성하고 이 안착부(11) 주위에 발광소자와 전기적으로 연결되는 전극을 형성하기 위해 절연층(20)과 전극층(30)을 순차적으로 적층한 후 가열 압착하여 성형함으로써 발광소자 패키지를 제조한다.
즉, 메탈베이스(10)의 표면처리와 전극층(30)의 프레스 가공이 모두 완료되면, 가열 및 압착에 의한 층간 결합공정(적층공정)이 수행된다(s500).
상기 적층공정은 도 7에서 보는 바와 같이, 메탈베이스(10) 상에 절연층(20), 전극층(30) 순으로 적층하여 가열 가압함으로써 구현된다.
메탈베이스(10)의 안착부(11) 주위의 에칭면에 절연층(20)과 전극층(30)을 형성할 때 상기 가열 가압 공정 때문에 절연층(20)과 전극층(30)을 적층한 높이가 안착부(11)의 높이보다 일정수준 높게 형성한다. 이는 가열 가압시 절연층(20)과 전극층(30)이 메탈베이스(10)의 에칭면측으로 줄어들어 높이가 낮아지기 때문이다.
적층 후에는 도 8에 도시된 바와 같이, 안착부(11) 상에도 절연층과 전극층이 형성되는바, 안착부의 상면과 측면을 그림(도 8의 하단 그림)과 같이 연마하여 제거하도록 한다.
안착부(11)와 전극층(30)은 상호 절연되도록 이격되어야 하는바, 이는 상기 연마공정이나 후술하는 2차 회로 형성 단계에서 간격을 형성하면 된다.
이와 같이 연마 공정에 의하여 안착부 상면의 전극층을 제거하게 되면, 안착부와 전극층 간의 이격공간을 형성하면서도 연결구조가 견고하며 불량율이 적기 때문에 제품의 내구성 및 신뢰성이 향상되는 장점이 있다.
가열압착하여 층간 결합이 완료된 이후에는, 도 9와 같이, 상기 전극층(30)에 대하여 전극을 포함한 2차 회로를 에칭하여 형성한다(s600).
상기 전극층에 대한 에칭이 완료되면 도 10의 평면도에 도시한 바와 같이, 안착부(1차 회로)(빨간색으로 표시된 부분(A))과 전극층의 2차 회로(녹색으로 표시된 부분(B))가 모두 형성되는 것이다.
안착부(11)와 전극층(30) 간의 높이는 필요에 따라 조정될 수 있는 것으로서 도면에 국한되지 아니한다.
상기 전극층의 2차 회로 형성 후에는 도 11과 같이, 노출된 절연층을 막기 위하여 레지스트층(40)을 인쇄한다(s700).
상기 레지스트 인쇄를 포함한 모든 공정이 완료된 이후에는, 전극층(30)과 메탈베이스의 부식방지를 위하여, 상기 전극층의 상면(60a)과 상기 메탈베이스의 바닥면(60b)에는 도 2에 도시된 바와 같이, 금도금층(60)을 형성하며, 상기 메탈베이스의 바닥면(60b)은 상기 금도금층 이외에 열확산 잉크를 도포하여 열전도성을 강화하도록 한다.
10 : 메탈베이스 11: 안착부
12 : silane계 화합물 20 : 절연층
30 : 전극층 31 : 2차 회로
40 : 레지스트층 60 : 금 도금층

Claims (9)

  1. 발광소자의 열을 방출하기 위한 메탈베이스를 준비하고;
    상기 메탈베이스 상면의 일부를 화학적 방법에 의해 하프에칭하여 상기 발광소자를 안착하기 위한 안착부를 돌출되게 형성하고;
    상기 메탈베이스의 에칭면 상에 절연층을 형성하고;
    상기 절연층 상부에 전극층을 형성하고;
    상기 메탈베이스, 절연층, 전극층 순으로 적층하여 가열 압착하고;
    상기 전극층을 필요한 전극 형상으로 에칭하고;
    상기 전극층 에칭공정에 의하여 노출된 절연층을 레지스트 인쇄하는 것을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전극층은 상기 메탈베이스의 상면에 밀착하여 결합할 수 있는 형상으로 프레스 가공되어 상기 절연층을 개재시켜 상기 메탈 베이스 상면에 적층 결합한 뒤, 상기 안착부의 절연층 및 전극층은 연마공정에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 공정이 완료된 상기 전극층의 표면에 금도금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 공정이 완료된 메탈베이스의 바닥면에 금도금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 공정이 완료된 메탈베이스의 바닥면에 열확산잉크층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 메탈베이스는 압연동으로 구비하고, 상기 절연층 간의 결합은 Silane계 화합물을 이용하여 표면처리 함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 절연층 및 전극층의 형성시 상기 절연층과 전극층을 적층한 높이가 상기 안착부의 높이보다 높아지게 형성하는 것을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 전극층의 형성시 상기 전극층을 상기 안착부와 이격되게 형성하는 것을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 제조방법이 적용되어 구현된 발광소자 패키지.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102032419B1 (ko) * 2019-03-11 2019-10-15 주식회사 제이케이테크원 구리 베이스의 메탈 pcb 및 그 제조방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI239670B (en) * 2004-12-29 2005-09-11 Ind Tech Res Inst Package structure of light emitting diode and its manufacture method
KR100852100B1 (ko) * 2006-11-06 2008-08-13 주식회사 이츠웰 초박형 표면실장 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100888228B1 (ko) * 2007-06-22 2009-03-12 (주)웨이브닉스이에스피 금속베이스 광소자 패키지 모듈 및 그 제조방법
KR100877881B1 (ko) * 2007-09-06 2009-01-08 엘지이노텍 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102032419B1 (ko) * 2019-03-11 2019-10-15 주식회사 제이케이테크원 구리 베이스의 메탈 pcb 및 그 제조방법

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