KR20100076505A - 온도감지회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 높은 정확도를 가지며 적은 면적을 차지하는 온도감지회로를 제공하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 온도감지회로는, 온도에 따라 레벨이 변하는 복수의 온도전압을 생성하는 온도전압 생성부; 및 상기 복수의 온도전압 각각과 소정 전압의 레벨을 비교해 온도정보를 출력하는 비교부를 포함한다.
온도감지회로, 정확도, 밴드갭

Description

온도감지회로{TEMPERATURE SENSING CIRCUIT}
본 발명은 온도감지회로에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 온도감지회로의 면적을 줄이고, 높은 정확도로 온도를 감지하기 위한 기술에 관한 것이다.
온도감지회로는 반도체 칩(chip) 상에 적용되어 온도를 측정하는 회로를 말한다. 특히, 현재의 디램(DRAM)에는 온도감지회로가 적용되는데 온도감지회로가 디램에 어떻게 응용되고 있는지에 대해 알아보기로 한다.
디램의 셀(cell)은 스위치 역할을 하는 트랜지스터와 전하(데이터)를 저장하는 캐패시터로 구성되어 있다. 메모리 셀 내의 캐패시터에 전하가 있는가 없는가에 따라, 즉 캐패시터의 단자 전압이 높은가 낮은가에 따라 데이터의 '하이'(논리 1), '로우'(논리 0)를 구분한다.
데이터의 보관은 캐패시터에 전하가 축적된 형태로 있는 것이므로 원리적으로는 전력의 소비가 없다. 그러나 트랜지스터의 PN결합 등에 의한 누설 전류가 있어서 저장된 초기의 전하량이 소멸되므로 데이터가 소실될 수 있다. 이를 방지하기 위해서 데이터를 잃어버리기 전에 메모리 셀 내의 데이터를 읽어서 그 읽어낸 정보에 맞추어 다시금 정상적인 전하량을 재충전해 주어야 한다.
이 동작을 주기적으로 반복해야만 데이터의 기억이 유지되는데, 이러한 셀전하의 재충전과정을 리프레쉬(refresh) 동작이라 부르며, 리프레쉬 제어는 일반적으로 디램 콘트롤러(DRAM controller)에서 이루어진다. 그러한 리프레쉬 동작의 필요에 기인하여 디램에서는 리프레쉬 전력이 소모된다. 보다 저전력을 요구하는 배터리 오퍼레이티드 시스템(battery operated system)에서 전력 소모를 줄이는 것은 매우 중요하며 크리티컬(critical)한 이슈이기도 하다.
리프레쉬에 필요한 전력소모를 줄이는 시도 중 하나는 리프레쉬 주기를 온도에 따라 변화시키는 것이다. 디램에서의 데이터 보유 시간(data retention time)은 온도가 낮아질수록 길어진다. 따라서, 온도 영역을 여러 영역들로 분할하여 두고 낮은 온도영역에서는 리프레쉬 클럭의 주파수를 상대적으로 낮추어주면 전력의 소모든 줄어들 것임에 틀림없다. 따라서, 디램 내부에 온도를 정확하게 감지하고, 감지한 온도에 대한 정보를 출력해 줄 수 있는 온도감지회로가 필요하다.
또한, 디램은 그 집적레벨 및 동작속도가 증가함에 따라 디램 자체에서 많은 열을 발생한다. 이렇게 발생한 열은 디램 내부의 온도를 상승시켜 정상적인 동작을 방해하고, 자칫 디램의 불량을 초래할 수도 있다. 따라서 디램의 온도를 정확하게 감지하고, 감지한 온도에 대한 정보를 출력해 줄 수 있는 온도감지회로가 더욱 필요하다.
도 1은 종래의 온도감지회로의 구성을 도시한 도면이다.
온도감지회로는, 온도에 따라 변하는 온도전압(VTEMP)을 출력하는 온도전압 생성부(110)와, 온도전압(VTEMP)을 디지털 형태의 온도정보 코드(THERMAL CODE)로 변환하는 아날로그-디지털 변환부(120, Analog-Digital convertor)를 포함하여 구성된다.
구체적으로 온도전압 생성부(110)는 온도나 전원전압의 영향을 받지 않는 밴드갭(bandgap)회로 중에서 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT: Bipolar Junction Transistor)의 베이스-이미터(Vbe)의 변화가 약 -1.8mV/℃인 것을 이용함으로써 온도를 감지한다. 그리고 미세하게 변동하는 바이폴라 접합 트랜지스터의 베이스-이미터 전압(Vbe)을 증폭함으로써 온도에 1:1로 대응하는 전압(VTEMP)를 출력한다. 즉, 온도가 높을수록 낮아지는 바이폴라 접합 트랜지스터의 베이스-이미터 전압(Vbe)을 출력한다.
아날로그-디지털 변환부(Analog-Digital Converter)(120)는 온도전압 생성부(110)에서 출력된 전압(VTEMP)을 디지털 형태인 온도정보 코드(THERMAL CODE)로 변환하여 출력하는데, 일반적으로 추적형 아날로그-디지털 변환부(Tracking Analog-Digital Converter)가 많이 사용되고 있다.
도 2는 종래의 온도전압 생성부(110)의 구성도이다.
온도전압 생성부(110)는 밴드갭(bandgap)회로의 일종으로, 도면에는 온도전압(VTEMP)과 기준전압(VREF)을 생성하는 부분을 모두 도시하였다. 온도감지회로와 관련 있는 것은 온도전압(VTEMP)을 생성하는 부분뿐이지만, 일반적으로 밴드갭회로는 온도전압(VTEMP)과 기준전압(VREF)을 모두 생성하도록 설계되기 때문이다.
먼저, 온도전압(VTEMP)의 생성에 대해 살펴본다.
BJT 트랜지스터(Q2)의 VBE2 전압은 연산증폭기(101)에 입력되며, 버츄얼 쇼트(virtual short) 원리에 의해 연산증폭기(101)의 두 입력단(+,-)의 전압은 같아진다. 따라서 VTEMP=(1+R10/R9)*VBE2가 된다. BJT 트랜지스터(Q2)의 베이스-이미터 전압(VBE2)은 온도에 따라 변하는 전압이므로, 이것이 증폭된 전압인 온도전압(VTEMP) 역시 온도에 따라 변하는 전압이 된다.
이제, 기준전압(VREF)의 생성에 대해 알아본다.
N:1의 비를 가지는 두 BJT 트랜지스터(Q1, Q2)의 이미터 전류로 표현되는 식은 다음과 같다.
IQ1= IS*exp[VBE1/VT], IQ2=N*IS*exp[VBE2/VT] (VT 는 온도계수)
연산증폭기(101)에 의해서 VBE1과 X노드의 전위가 같은 경우 저항(R1)을 통해 흐르는 IPTAT 전류는 다음과 같다.
IPTAT=(VBE1-VBE2)/R1=ln(N*A)*VT/R1
그리고 동일한 상황 하에 R2저항을 통해 흐르는 ICTAT전류는 다음과 같다.
ICTAT=VBE1/R2
즉, IPTAT는 온도에 비례하여 증가하는 전류가 되며, ICTAT는 온도에 반비례하여 증가하는 전류가 된다.
동일한 크기의 MOS에 동일한 양의 전류가 흐른다는 가정하에서 M*IPTAT, K*ICTAT의 전류는 표시된 대로 M*IPTAT, K*ICTAT가 된다.
이를 바탕으로 출력되는 기준전압 VREF는 다음과 같이 표시된다.
VREF=K*R3/R2*(VBE1+(M*R3)/(K*R1)*ln(N*A)*VT)
온도 보상이 일어나도록 M, R1, R2, R3, K, M 값을 적절하게 조절해 주면 기준전압 VREF는 온도가 변화하더라도 항상 일정한 값을 가지게 된다. 일반적으로는 N, R1, R2, R3값은 고정하고 K, M값만을 조절하여 기준전압 VREF가 온도에 무관하게 일정한 값을 갖도록 조정한다.
이렇게 생성된 기준전압 VREF는 온도가 변하더라도 항상 일정한 값을 가지므로, 칩 내의 각종 회로에서 기준전압으로서 사용된다.
앞서 설명한 바와 같이, 온도전압(VTEMP)을 식으로 표현하면, VTEMP=(1+R10/R9)*VBE2가 되며, VBE2 값이 온도에 따라 변하므로 온도전압 역시 온도에 따라 변하는 전압이 된다.
그러나 VBE2 값은 온도의 변화에 의해서만 변하는 값이 아니다. VBE2 값은 공정변수의 영향도 받는다. BJT 트랜지스터의 공정변수에 의해 VBE2 값이 변하게 되면 온도전압도 역시 변하게 된다.
따라서 온도전압(VTEMP)을 이용해 온도정보(THERMAL CODE)를 출력하는 온도감지회로는 공정변수(process variation)에 영향을 받기 때문에 공정이 변할 때마다 측정 온도에 오차가 발생한다는 문제점이 있다.
도 3은 종래의 아날로그-디지털 변환부(120)의 구성도이다.
아날로그-디지털 변환부(120)는 전압비교수단(310), 카운터수단(320), 컨버팅수단(330)을 포함하여 구성되어 온도전압 생성부(110)에서 출력된 온도정보전압(VTEMP)을 디지털 코그인 온도정보코드(THERMAL CODE)로 변환해 출력한다.
아날로그-디지털 변환부(120)의 동작을 보면, 컨버팅수단(330)은 디지털-아날로그 변환기로서 카운터수단(320)으로부터 출력되는 디지털값인 온도정보코드(THERMAL CODE)에 응답하여 아날로그값인 전압(DACOUT)을 출력한다. 그리고 전압비교수단(310)은 온도전압(VTEMP)과 전압(DACOUT)을 비교하여 온도전압(VTEMP)의 전위레벨이 전압(DACOUT)보다 작은레벨일 경우 카운터수단(320)에서 온도정보코드(THERMAL CODE)값을 감소시키도록 하는 감소신호(DEC)를 출력하고, 온도전압(VTEMP)의 전위레벨이 전압(DACOUT)의 레벨보다 클 경우에는 카운터수단(320)의 온도정보코드(THERMAL CODE)를 증가시키도록 하는 증가신호(INC)를 출력한다. 또한, 카운터수단(320)은 전압비교수단(310)으로부터 증가신호(INC) 또는 감소신호(DEC)를 입력받아서 내부에 저장된 온도정보코드(THERMAL CODE)를 증가시키거나 감소시켜서 출력한다.
전체적인 동작을 정리하면, 아날로그-디지털 변환부(120)는 온도전압과 전압을 비교하여 온도정보코드를 증가시키거나 감소시키는 일을 반복하여, 전압이 온도전압을 추적하게 되고, 추적이 완료되었을 때의 온도정보코드는 온도전압을 디지털 변환한 값이 된다.
상술한 바와 같은, 추적형 아날로그-디지털 변환부는 전압비교수단(310), 카운터수단(320), 컨버팅수단(330) 등의 복잡한 논리회로를 포함하기에, 회로면적을 많이 차지한다는 단점이 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 공정변화 등의 변수가 생기더라도 온도에 따라 일정한 레벨을 갖는 온도전압을 생성하여 온도감지회로의 정확성을 높이고자 하는데 그 목적이 있다.
또한, 온도전압을 디지털 형태의 온도정보로 변환하는 회로를 간단히 구성하여 온도감지회로의 전체 면적을 줄이고자 하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 온도감지회로는, 온도에 따라 레벨이 변하는 복수의 온도전압을 생성하는 온도전압 생성부; 및 상기 복수의 온도전압 각각과 소정 전압의 레벨을 비교해 온도정보를 출력하는 비교부를 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 온도감지회로는, 온도에 따라 전류량이 변하는 온도전류를 생성하는 전류생성부; 상기 온도전류를 미러링하여, 미러링된 전류에 의해 생성되는 온도전압을 생성하는 전압생성부; 및 상기 온도전압과 소정전압의 레벨을 비교해 온도정보를 생성하는 비교부를 포함한다.
상기 전류생성부는, 제1트랜지스터와 제2트랜지스터를 포함하며, 상기 온도전류는 상기 제1트랜지스터의 베이스-이미터 전압과 상기 제2트랜지스터의 베이스-이미터 전압의 차이에 의해 흐르는 전류인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명은 다수의 온도전압을 생성하고, 이를 소정전압과 비교하는 방식으로 온도정보를 생성한다. 따라서 온도전압을 온도정보로 변환하는 회로의 면적을 크게 줄일 수 있게 된다.
또한, 본 발명은 두 트랜지스터의 베이스-이미터 전압차를 이용해 온도전류를 생성하고, 이를 미러링해 온도전압을 생성한다. 따라서 본 발명의 온도전압은 공정변화와 상관없이 항상 정확한 온도를 측정할 수 있다는 장점이 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명에 따른 온도감지회로의 일실시예 구성도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 온도감지회로는, 온도전압 생성부(410)와, 비교부(420)를 포함하여 구성된다.
온도전압 생성부(410)는, 복수의 온도전압(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)을 생성한다. 온도전압들(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)은 온도에 따라 레벨이 변하지만, 온도전압(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)마다 서로 다른 레벨을 가진다. 즉, 온도전압들(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)은 모두 온도의존성을 가지지만 동일 온도에서 온도전 압(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)마다 서로 다른 레벨을 가진다. 예를 들어, 온도전압들(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)은 모두 온도에 비례하여 증가하지만, 동일 온도에서 VTEMP1 > VTEMP2 > VTEMP3 의 레벨을 갖을 수 있다.
비교부(420)는 온도전압(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3) 각각과 소정 전압(VREF or VBE2)의 레벨을 비교해 온도정보(CODEA, CODEB, CODEC)를 출력한다. 소정전압으로는 항상 일정한 레벨을 유지하는 기준전압(VREF)이 사용될 수도 있으며, 온도에 반비례하여 증가하는 전압(VBE2)이 사용될 수도 있다. 비교부(420)는 도면과 같이, 복수의 온도전압(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3) 중 하나와 소정 전압(VREF or VBE2)을 입력받는 복수의 비교기(421, 422, 423)를 포함하여 구성될 수 있다.
도 4에는 온도전압 생성부(410)가 복수의 온도전압(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)을 생성하고, 이에 따라 비교부(420)도 복수의 비교기(421, 422, 423)를 포함하는 경우를 도시하였지만, 온도전압 생성부(410)가 하나의 온도전압(VTEMP1)만을 생성하고, 비교부(420)가 하나의 온도전압(VTEMP)과 소정 전압(VREF or VBE2)을 비교하는 비교기(421)만을 포함하도록 구성하는 것도 가능하다.
도 5는 도 4의 온도전압 생성부(410)의 일실시예 구성도이다.
온도전압 생성부(410)는 온도에 따라 전류량이 변하는 온도전류(IPTAT)를 생성하는 전류생성부(510); 및 온도전류(IPTAT)를 미러링하고 미러링된 전류(X*IPTAT, Y*IPTAT, Z*IPTAT)를 이용해 온도전압(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)을 생성하는 복수의 전압생성부(520, 530, 540)를 포함하여 구성된다. 여기서 복수의 전 압생성부(520, 530, 540) 각각은 미러링의 비율이 서로 달라 서로 다른 레벨의 온도전압(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)을 생성하게 된다.
전류생성부(510)는, 제1트랜지스터(Q1)의 베이스-이미터 전압(VBE1)과 제2트랜지스터(Q2)의 베이스-이미터 전압(VBE2)의 차이에 의해 흐르는 전류를 온도전류(IPTAT)로서 생성한다.
이러한 전류생성부(510)는 베이스와 콜렉터가 접지된 제1트랜지스터(Q1); 제1트랜지스터(Q1)의 이미터와 제1노드(X) 사이에 접속되는 저항(R1); 베이스와 콜렉터가 접지되며, 이미터가 제2노드(VBE1)에 연결된 제2트랜지스터(Q2); 제1노드(X)와 제2노드(VBE2)를 입력으로 하는 연산증폭기(511); 연산증폭기(511)의 출력에 응답해 제1노드(X)에 전류를 공급하는 제3트랜지스터(512); 및 연산증폭기(511)의 출력에 응답해 제2노드(VEB1)에 전류를 공급하는 제4트랜지스터(513)를 포함하여 구성된다.
전압생성부(520, 530, 540)는 미러링된 전류(Z*IPTAT, Y*IPTAT, X*IPTAT)가 저항(R11, R12, R13)에 흐르면서 일어나는 전압강하에 의해 생성되는 전압을 온도전압(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)으로 생성한다. 이러한 전압생성부(420)는 연산증폭기(511)의 출력에 응답해 전압생성부(520, 530, 540)에 전류를 공급하는 제5트랜지스터(521, 531, 541); 및 제5트랜지스터(521, 531, 541)와 접지단 사이에 접속되어 온도전압(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)을 제공하는 저항(R11, R12, R13)을 포함하여 구성된다. 온도전압 생성부(410)가 하나의 온도전압만(예, VTEMP1)을 생성하도록 구성되는 경우에는 전압생성부(520)도 하나만을 구비하도록 구성하면 된다.
이제 수식과 함께 온도전압 생성부(410)에서 온도전압(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)이 생성되는 과정을 살펴본다.
N:1의 비를 가지는 두 BJT 트랜지스터(Q1, Q2)의 이미터 전류로 표현되는 식은 다음과 같다.
(1) IQ1= IS*exp[VBE1/VT], IQ2=N*IS*exp[VBE2/VT]
그리고 IQ1과 IQ2 간에는 다음과 같은 관계식이 성립한다.
(2) IQ1=A* IQ2
연산증폭기(511)에 의해서 VBE1과 X노드의 전위가 같은 경우 저항(R1)을 통해 흐르는 IPTAT 전류는 다음과 같다.
(3) IPTAT=(VBE1-VBE2)/R1
(1), (2)를 이용해 (3) 식을 정리하면
(4) IPTAT=ln(N*A)*VT/R1 가 된다.
따라서 각각의 전압생성부 별로 미러링된 전류는 Z*IPTAT=Z*ln(N*A)*VT/R1, Y*IPTAT=Y*ln(N*A)*VT/R1, X*IPTAT=X*ln(N*A)*VT/R1이 되고, 이에 따라 생성되는 온도전압은 VTEMP1=(Z*(R11/R1)*VT)*ln(N*A), VTEMP2=(Y*(R12/R1)*VT)*ln(N*A), VTEMP3=(X*(R13/R1)*VT)*ln(N*A)가 된다.
종래의 온도전압 VTEMP(종래)=(1+R10/R9)*VBE2로 표현되었다(도 2 설명 참 조). 위 식에서 VBE2는 온도의 영향도 받지만 공정변화(process variation)의 영향도 많이 받기 때문에 종래의 온도전압에는 정확도의 문제가 존재했다.
그러나 본 발명에서의 온도전압은 VTEMP1=(Z*(R11/R1)*VT)*ln(N*A), VTEMP2=(Y*(R12/R1)*VT)*ln(N*A), VTEMP3=(X*(R13/R1)*VT)*ln(N*A)로 표현된다. 온도전압(VTEMP)에 관한 식에서 VBE2항이 사라졌기 때문에 공정변화에 의한 영향이 제거되었다. 따라서 본 발명의 온도전압(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)을 사용하면 공정변화가 있더라도 항상 정확한 온도를 측정할 수 있게 된다.
온도전압 생성부(410)와 같은 밴드갭회로 내에는 일반적으로 기준전압(VREF)을 생성하기 위한 부분도 포함하여 구성되는데, 기준전압(VREF)을 생성하는 부분에 대하여서는 배경기술 부분의 도 2에서 이미 설명하였으므로, 여기서는 그 도시와 설명을 생략하기로 한다.
도 6a와 도 6b는 온도전압(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)과 소정전압(VREF or VBE2) 그리고 이의 비교 결과에 따라 출력되는 온도정보(CODEA, CODEB, CODEC)의 논리레벨을 도시하였다.
도 6a에는 소정전압으로 VBE2가 사용된 경우를 도시하였는데, 도면을 보면 소정전압(VBE2)은 온도에 반비례하여 증가하고, 온도전압(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)은 서로 다른 레벨을 가지면서 온도에 비례하여 증가하는 것을 확인할 수 있다. 그리고 그 비교결과에 의해 온도가 올라갈수록 온도정보(CODEA, CODEB, CODEC)가 변 하는 것을 확인할 수 있다. 가장 낮은 온도에서는 온도정보(CODEA, CODEB, CODEC)가 (L,L,L)의 값을 가지며, 온도가 점차로 올라갈수록 온도정보(CODEA, CODEB, CODEC)는 (H,L,L), (H,H,L), (H,H,H)로 변해간다. 따라서 온도정보(CODEA, CODEB, CODEC)를 이용하여 현재의 온도를 확인할 수 있게 된다.
도 6b에는 소정전압으로 기준전압(VREF)이 사용된 경우를 도시하였는데, 도면을 보면 소정전압(VREF)은 항상 일정한 레벨을 유지하는 것을 확인할 수 있다. 그리고 소정전압(VREF)과 온도전압(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)의 비교결과에 따라 온도가 올라갈수록 온도정보(CODEA, CODEB, CODEC)가 (L,L,L), (H,L,L), (H,H,L), (H,H,H)로 변해가는 것을 확인할 수 있다.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 알 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 온도감지회로의 구성을 도시한 도면.
도 2는 종래의 온도전압 생성부(110)의 구성도.
도 3은 종래의 아날로그-디지털 변환부(120)의 구성도.
도 4는 본 발명에 따른 온도감지회로의 일실시예 구성도.
도 5는 도 4의 온도전압 생성부(410)의 일실시예 구성도
도 6a와 도 6b는 온도전압(VTEMP1, VTEMP2, VTEMP3)과 소정전압(VREF or VBE2) 그리고 이의 비교 결과에 따라 출력되는 온도정보(CODEA, CODEB, CODEC)의 논리레벨을 도시한 도면.

Claims (19)

  1. 온도에 따라 레벨이 변하는 복수의 온도전압을 생성하는 온도전압 생성부; 및
    상기 복수의 온도전압 각각과 소정 전압의 레벨을 비교해 온도정보를 출력하는 비교부
    를 포함하는 온도감지회로.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 온도전압은,
    각각 서로 다른 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 온도감지회로.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 소정 전압은 항상 일정한 전압 레벨을 유지하는 기준전압인 것을 특징으로 하는 온도감지회로.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 온도전압은 온도에 비례하여 증가하지만, 동일 온도에서 서로 다른 레벨을 가지며,
    상기 소정 전압은 온도에 반비례하여 증가하는 전압인 것을 특징으로 하는 온도감지회로.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 온도전압 생성부는,
    온도에 따라 전류량이 변하는 온도전류를 생성하는 전류생성부; 및
    상기 온도전류를 미러링하고, 미러링된 전류를 이용해 상기 온도전압을 생성하는 복수의 전압생성부를 포함하고,
    상기 복수의 전압생성부 각각은 미러링의 비율이 다른 것을 특징으로 하는 온도감지회로.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 전류생성부는,
    제1트랜지스터 및 제2트랜지스터를 포함하며,
    상기 온도전류는 상기 제1트랜지스터의 베이스-이미터 전압과 상기 제2트랜지스터의 베이스-이미터 전압의 차이에 의해 흐르는 전류인 것을 특징으로 하는 온 도감지회로.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 전류생성부는,
    베이스와 콜렉터가 접지된 제1트랜지스터;
    상기 제1트랜지스터의 이미터와 제1노드 사이에 접속되는 저항;
    베이스와 콜렉터가 접지되며, 이미터가 제2노드에 연결된 제2트랜지스터;
    상기 제1노드와 상기 제2노드를 입력으로 하는 연산증폭기;
    상기 연산증폭기의 출력에 응답해 상기 제1노드의 전류를 공급하는 제3트랜지스터; 및
    상기 연산증폭기의 출력에 응답해 상기 제2노드에 전류를 공급하는 제4트랜지스터
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도감지회로.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 복수의 전압생성부 각각은,
    상기 연산증폭기의 출력에 응답해 상기 전압생성부에 전류를 공급하는 제5트랜지스터; 및
    상기 제5트랜지스터와 접지단 사이에 접속되어 상기 온도전압을 제공하는 저항을 포함하고,
    상기 제5트랜지스터의 사이즈는 상기 복수의 전압생성부 마다 서로 다른 것을 특징으로 하는 온도감지회로.
  9. 제 5항에 있어서,
    상기 전압생성부는,
    상기 미러링된 전류에 의한 전압강하에 의해 생성되는 전압을 상기 온도전압으로서 제공하는 것을 특징으로 하는 온도감지회로.
  10. 제 6항 또는 7항에 있어서,
    상기 제1트랜지스터와 상기 제2트랜지스터는,
    서로 다른 사이즈를 갖는 것을 특징으로 하는 온도감지회로.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 비교부는,
    상기 복수의 온도전압 중 하나와 상기 소정 전압을 입력받는 복수의 비교기 를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도감지회로.
  12. 온도에 따라 전류량이 변하는 온도전류를 생성하는 전류생성부;
    상기 온도전류를 미러링하여, 미러링된 전류에 의해 생성되는 온도전압을 생성하는 전압생성부; 및
    상기 온도전압과 소정전압의 레벨을 비교해 온도정보를 생성하는 비교부
    를 포함하는 온도감지회로.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 소정전압은 항상 일정한 레벨을 유지하는 기준전압인 것을 특징으로 하는 온도감지회로.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 온도전압은 온도에 비례하여 증가하고, 상기 소정 전압은 온도에 반비례하여 증가하는 전압인 것을 특징으로 하는 온도감지회로.
  15. 제 12항에 있어서,
    상기 전류생성부는,
    제1트랜지스터 및 제2트랜지스터를 포함하며,
    상기 온도전류는 상기 제1트랜지스터의 베이스-이미터 전압과 상기 제2트랜지스터의 베이스-이미터 전압의 차이에 의해 흐르는 전류인 것을 특징으로 하는 온도감지회로.
  16. 제 12항에 있어서,
    상기 전류생성부는
    베이스와 콜렉터가 접지된 제1트랜지스터;
    상기 제1트랜지스터의 이미터와 제1노드 사이에 접속되는 저항;
    베이스와 콜렉터가 접지되며, 이미터가 제2노드에 연결된 제2트랜지스터;
    상기 제1노드와 상기 제2노드를 입력으로 하는 연산증폭기;
    상기 연산증폭기의 출력에 응답해 상기 제1노드의 전류를 공급하는 제3트랜지스터; 및
    상기 연산증폭기의 출력에 응답해 상기 제2노드의 전류를 공급하는 제4트랜지스터
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도감지회로.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 전압생성부는,
    상기 연산증폭기의 출력에 응답해 상기 전압생성부에 전류를 공급하는 제5트랜지스터; 및
    상기 제5트랜지스터와 접지단 사이에 접속되어 상기 온도전압을 제공하는 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도감지회로.
  18. 제 12항에 있어서,
    상기 전압생성부는,
    상기 미러링된 전류에 의한 전압강하에 의해 생성되는 전압을 상기 온도전압으로서 제공하는 것을 특징으로 하는 온도감지회로.
  19. 제 15항 또는 16항에 있어서,
    상기 제1트랜지스터와 상기 제2트랜지스터는,
    서로 다른 사이즈를 갖는 것을 특징으로 하는 온도감지회로.
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