KR20100073093A - 플레어 계측 레티클, 플레어 센싱 모듈 및 극자외선 리소그래피를 위한 노광 장치 - Google Patents

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Abstract

노광과정에서 발생하는 플레어를 정확하게 계측함으로써 이를 노광과정에 피드백하여 플레어에 의한 패턴의 왜곡을 최소화할 수 있는 극자외선 리소그래피를 위한 노광장치는, 극자외선을 방출하기 위한 극자외선 광원과, 레티클 스테이지에 배치되어 플레어(flare) 계측에 사용되는 플레어 계측 레티클과, 플레어 계측 레티클의 하부에 배치된 투영 광학계, 및 투영 광학계 하부의 웨이퍼 스테이지에 배치되어, 투영 광학계를 지나 입사되는 극자외선의 광량을 센싱하는 플레어 센싱 모듈을 포함한다.
극자외선(EUV) 리소그래피, 플레어, 레티클, 센싱 모듈

Description

플레어 계측 레티클, 플레어 센싱 모듈 및 극자외선 리소그래피를 위한 노광 장치{Flare measurement reticle, flare sensing module, and exposurement apparatus for extreme ultraviolet lithography}
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 특히 플레어(flare)를 측정할 수 있는 플레어 계측 레티클, 플레어 센싱 모듈, 그리고 극자외선 리소그래피를 위한 노광 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정 중 리소그래피(lithography) 공정은 기판 상에 도포된 감광막에 광선을 조사하여 회로 패턴을 형성시키는 핵심 공정기술로서, 광원으로 주로 레이저를 사용하고 있으나 선폭이 급격히 축소됨에 따라 광학적으로 한계에 부딪히고 있다. 이에 따라 극자외선(extreme ultraviolet; EUV), 전자빔(electron beam), X-선, 이온빔 등의 새로운 광원이 모색되고 있으며, 이 가운데 극자외선과 전자빔이 차세대 노광 기술 방식으로 각광을 받고 있다.
현재 사용되고 있거나 연구개발 중인 리소그래피 공정은 KrF(248㎚) 광원 또는 ArF(193㎚) 광원을 사용하고, 블랭크 기판 상에 크롬(Cr) 등의 차광막 패턴이 형성된 투과형 마스크를 사용한다. 그러나, EUV 리소그래피 기술에서는 13.4nm에 이르는 극자외선 영역의 파장을 이용하는데, 극자외선 영역에서는 대부분의 물질이 큰 광 흡수성을 가지기 때문에 극자외선을 활용하기 위해서는 광학 시스템의 변경이 필요하다. i-라인, KrF 또는 ArF 광원을 사용하는 기존의 노광장치는 굴절 광학계를 사용해왔으나, 극자외선 노광장치는 반사경을 통해 광학계가 구성된다.
도 1은 극자외선 리소그래피를 수행하기 위한 노광장치를 나타내 보인 도면이다.
도 1을 참조하면, 광원(source)로부터 생성, 방출된 극자외선(100)은 여러 개의 반사경으로 이루어진 일루미네이터(110)을 지나 레티클 스테이지에 설치된 레티클(120)에 입사된다. 극자외선 리소그래피용 레티클(120)은 반사층과 흡수층을 포함하는데, 극자외선은 반사층의 표면에서 반사된 후 다수 개의 반사경으로 이루어진 투영광학계(130)를 지나 웨이퍼 스테이지에 장착된 웨이퍼(140)에 조사된다.
극자외선 리소그래피 공정의 여러 가지 변수 가운데 한계 해상도 이하에서 패턴 이미지를 형성해야 하는 상황에서 패턴의 임계 치수(Critical Dimension; CD)에 영향을 미치는 중요한 변수는 플레어 효과(flare effect)이다.
플레어(flare)는 리소그래피 시스템 중 노광 장치에 장착되는 투영 렌즈 등의 결함으로 인하여 리소그래피 공정에서 오노광이 발생되는 현상을 말한다. 즉, 렌즈 표면에 결함이 발생되면, 렌즈 결함 부위에서 광산란이 발생되어 레지스트 패턴의 형상 변형이 일어나는 것이다. 여기서, 렌즈의 표면 결함으로는 표면 오염, 스크래치(scratch) 또는 부분적인 굴절율 차이등을 들 수 있으며, 이러한 결함 부위에서 노광시 광이 렌즈를 통하여 집속되지 않고 산란이 발생된다.
광선의 완벽한 반사를 위해서는 모양과 표면 마무리에서 문제가 없는 반사경이 요구된다. 그러나, 연마 기술에 한계가 있기 때문에 반사경의 표면 거칠기에 의한 플레어(flare)를 피할 수가 없다. 특히, 극자외선 광학계의 경우 광원의 파장이 매우 짧고, 플레어의(flare)의 양은 파장의 제곱에 반비례하므로, 기존의 248nm나 193nm 파장의 광원을 사용할 때보다 플레어가 크게 발생하게 된다. 플레어(flare)의 양은 반사경의 갯수에 비례하고, 광원의 파장에 반비례하며, (mid frequency roughness)의 제곱에 비례하는 특성을 보인다. 반경의 갯수가 고정된 상태에서 반사경의 표면 거칠기와 ArF 광원에 비해 1/10 정도로 짧아진 파장은 극자외선 광학계에서 플레어(flare)가 공정에 큰 영향을 미치도록 한다. 플레어(flare)는 노광 과정에서 불필요한 노이즈(noise)로 작용하므로 레지스트 패턴의 임계 치수(CD)나 프로파일에 변화를 초래한다.
도 2는 플레어(flare)에 의한 영향을 나타낸 그래프로, 플레어의 유무에 따른 광 강도 레벨을 나타낸 그래프이다.
참조번호 "210"은 플레어가 없는 경우의 광 강도를 나타내고, "220"은 플레어가 존재하는 경우의 광 강도를 나타낸다. 플레어는 이미징에 불필요한 노이즈 성분으로 작용하므로 전체적인 광 강도 레벨이 상승한다. 이로 인해 노광 에너지가 변화할 경우 패턴의 임계치수(CD) 변동 폭을 크게 만들며 레티클의 투과도에 따른 근접효과의 의존성을 더욱 크게 한다. 특히, 주변에 패턴이 존재하지 않는 고립 패턴의 경우 플레어의 영향을 더욱 크게 받게 된다.
도 3 및 도 4는 플레어가 웨이퍼 패터닝에 미치는 영향을 설명하기 위하여 나타낸 도면으로, 도 3은 플레어가 5％ 미만인 경우의 SEM 사진이고, 도 4는 플레어가 10％ 이상인 경우의 SEM 사진이다. 도시된 바와 같이, 플레어의 양이 클수록 패턴의 왜곡이 심하게 나타나게 된다.
한편, 절대적인 플레어의 양을 줄이는 것도 필요하지만, 플레어에 의한 패턴의 왜곡을 최소화하기 위한 마스크 제작 기술은 극자외선 시스템의 한계를 극복할 수 있는 또다른 방법이 될 수 있다. 이를 위해서는 플레어의 크기를 패턴의 크기와 밀도를 고려하여 정량화할 수 있어야 한다. 그러나, 현재까지 극자외선 노광장치에서 플레어를 정량적으로 계측하고 이를 노광 과정에 피드백(feedback)할 수 있는 시스템이 존재하지 않는다. 웨이퍼 패터닝 결과를 이용하여 플레어를 측정하는 커크 방법(Kirk method)이 존재하지만 측정된 값의 오차 범위가 매우 크다. 커크 방법(Kirk method)은 빛이 차단되어야 하는 임의의 마스크 패턴에 대해서 패턴이 사라질 정도로 과노광되는 경우의 노광량을 구하여 플레어를 계산하는 방법이다. 이 방법은 노광된 웨이퍼에 대한 육안 관찰을 통해서 이루어지므로 부정확하면서도 시간이 많이 소요되는 단점이 있다. 극자외선은 슬릿의 위치뿐만 아니라 주변의 패턴 밀도의 차이에 의해서도 플레어가 공정에 미치는 정도가 크게 변한다. 따라서, 보다 가능한 변수를 모두 고려하여 정확하게 플레어를 계측할 수 있는 시스템이 절실히 필요한 실정이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 노광과정에서 발생하는 플레어를 정확하게 계측함으로써 이를 노광과정에 피드백하여 플레어에 의한 패턴의 왜곡을 최소화할 수 있는 극자외선 노광장치를 제공함에 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 노광 환경에 의한 변수를 고려하여 플레어를 측정하는 데 필요한 레티클 및 플레어 센싱 모듈을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에 따른 플레어 계측 레티클은, 복수 개의 하위 모듈이 매트릭스 형태로 배열되어 이루어진 단위 모듈을 포함하고, 하위 모듈은 복수 개의 라인/스페이스 패턴이 배열된 패턴영역과, 패턴영역 주변의 극자외선 차단영역을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 단위 모듈은, 상기 라인/스페이스 패턴이 수직 방향으로 배치된 하위 모듈 행과, 상기 라인/스페이스 패턴이 수평 방향으로 배치된 하위 모듈 행을 포함할 수 있다.
상기 매트릭스 형태로 배열된 하위 모듈은, 상기 라인/스페이스 패턴과 상기 극자외선 차단영역 사이에 극자외선 투광영역을 포함할 수 있다.
상기 하위 모듈에 포함된 상기 투광영역의 크기가 서로 다를 수 있다. 상기 투광영역의 크기는, 상기 단위 모듈의 좌측 상단으로부터 우측 하단으로 갈수록 점차로 일정한 비율로 작아질 수 있다.
상기 단위 모듈은 매트릭스 형태로 다수 개 배열될 수 있다.
상기 단위 모듈의 주변영역은 극자외선을 흡수하는 영역일 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에 따른 플레어 센싱 모듈은, 입사되는 극자외선의 광량을 센싱하는 광 센서가 다수 개 배열되어 이루어진 단위 모듈이 매트릭스 형태로 다수 개 배열되어, 입사되는 극자외선의 광량을 센싱하는 것을 특징으로 한다.
상기 광 센서는 포토 다이오드로 이루어질 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피를 위한 노광장치는, 극자외선을 방출하기 위한 극자외선 광원과, 레티클 스테이지에 배치되어 플레어(flare) 계측에 사용되는 플레어 계측 레티클과, 플레어 계측 레티클의 하부에 배치된 투영 광학계, 및 투영 광학계 하부의 웨이퍼 스테이지에 배치되어, 투영 광학계를 지나 입사되는 극자외선의 광량을 센싱하는 플레어 센싱 모듈을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 플레어 계측 레티클은, 복수 개의 하위 모듈이 매트릭스 형태로 배열되어 이루어진 단위 모듈을 포함하고, 상기 하위 모듈은 복수 개의 라인/스페이스 패턴이 배열된 패턴영역과, 상기 패턴영역 주변의 극자외선 차단영역을 포함할 수 있다.
상기 단위 모듈은, 상기 라인/스페이스 패턴이 수직 방향으로 배치된 하위 모듈 행과, 상기 라인/스페이스 패턴이 수평 방향으로 배치된 하위 모듈 행을 포함할 수 있다.
상기 매트릭스 형태로 배열된 하위 모듈은, 상기 라인/스페이스 패턴과 상기 극자외선 차단영역 사이에 극자외선 투광영역을 포함할 수 있다.
상기 투광영역의 크기는, 상기 단위 모듈의 좌측 상단으로부터 우측 하단으로 갈수록 점차로 일정한 비율로 작아질 수 있다.
상기 플레어 센싱 모듈은 입사되는 상기 극자외선의 광량을 센싱하는 광 센서가 다수 개 배열되어 이루어진 단위 모듈이 매트릭스 형태로 다수 개 배열되어, 입사되는 극자외선의 광량을 센싱할 수 있다.
상기 광 센서는 포토 다이오드로 이루어질 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다.
본 발명은 극자외선 리소그래피 장치의 레티클 스테이지에 플레어 계측을 위한 소정 구조의 레티클을 설치하고, 플레어 계측 레티클에 극자외선을 조사한 후, 투영 광학계를 통과하여 웨이퍼 스테이지에 도달하는 극자외선의 양을 플레어 센싱 모듈(flare sensing module)로 계측함으로써 플레어의 양을 측정한다. 플레어 계측 레티클에는 플레어의 양을 정량적으로 계측하기 위한 라인/스페이스 패턴들이 배치되고, 라인/스페이스 패턴의 주변에는 일정 간격을 두고 라인/스페이스 영역을 감싸는 광투과영역과 극자외선 차단 영역이 존재한다. 광투과영역의 크기에 따라 플 레어의 양이 달라지게 되므로, 플레어 센싱 모듈에 도달하는 극자외선의 양과 라인/스페이스 패턴을 분석함으로써 플레어의 크기를 정량화할 수 있다. 라인/스페이스를 감싸는 광투과영역의 크기를 변화시키면 패턴의 주위 환경에 따른 플레어의 크기를 측정할 수 있게 된다. 또한, 라인/스페이스 패턴의 배열을 수직 및 수평으로 변화시킴으로써 수직, 수평 방향으로의 플레어의 양을 측정할 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피를 위한 노광장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 극자외선 리소그래피를 수행하기 위한 극자외선 노광장치의 레티클 스테이지에 플레어 계측 레티클(300)을 장착한다. 플레어 계측 레티클(300)에는 플레어의 양을 측정하기 위한 패턴이 배치되어 있는데, 플레어 계측 레티클(300)의 구조에 대해서는 뒤에서 상세히 설명하기로 한다. 플레어 계측 레티클(300)의 하부에는 투영 광학계(400)가 설치되고, 투영 광학계(400) 하부의 웨이퍼 스테이지에는 플레어 센싱 모듈(500)이 장착된다. 투영 광학계(400)는 도 1에 도시된 것과 같이 다수 개의 반사경들로 이루어진다. 플레어 센싱 모듈(500)은 입사되는 극자외선의 양(intensity)을 측정하고 이로부터 플레어의 양을 산출한다.
극자외선(EUV)이 플레어 계측 레티클(300)과 투영 광학계(400)를 차례로 통과한 후 웨이퍼 스테이지에 장착된 플레어 센싱 모듈(500)에 도달하면, 플레어 센싱 모듈(500)은 입사된 극자외선의 양을 측정하고 이로부터 극자외선 노광장비의 플레어의 양을 산출하게 된다. 플레어는 노광 과정에서 불필요한 노이즈(noise)로 작용하여 레지스트 패턴의 CD나 프로파일의 변화를 초래하므로, 플레어의 양이 일 정 수준을 초과하면 광학계에 대한 세정 또는 교체를 결정함으로써 노광 과정에서의 플레어의 양을 최소화할 수 있다.
도 6은 본 발명에 따른 플레어 계측 레티클의 구성을 나타낸 도면이고, 도 7은 본 발명의 플레어 계측 레티클의 일부를 확대하여 나타낸 도면이다.
플레어 계측 레티클(300)에는 26mm×33mm 크기의 필드 내에 2mm×2mm 크기의 단위 모듈(310)이 7×9의 형태로 다수 개 배열된다. 수평으로 배열된 단위 모듈(310) 사이의 간격은 2mm, 수직으로 배열된 단위 모듈(310) 사이의 간격은 1.875mm이다.
각각의 단위 모듈(310)을 둘러싸는 주변 영역(320)은 극자외선을 흡수하는 층으로 이루어진다. 각 단위 모듈(310)은 다시 0.4mm×0.4mm 크기의 다수 개의 하위 모듈(311)로 구성된다. 수평으로 배열된 하위 모듈 사이의 간격은 0.1mm, 수직으로 배열된 하위 모듈 사이의 간격도 0.1mm이며, 4×4의 매트릭스 형태로 배열된다. 각각의 하위 모듈(311)을 둘러싸는 주변 영역(312)은 극자외선을 반사하는 층으로 이루어진다.
각 하위 모듈(311) 내에는 복수 개의 라인/스페이스 패턴(311a)이 수직 또는 수평 방향으로 배열되어 있다. 상단 두 줄의 하위 모듈은 수직 방향으로 배열된 패턴을 가지며, 하단 두 줄의 하위 모듈은 수평 방향으로 배열된 패턴을 갖는다. 상기 하위 모듈에 배열된 패턴(311a)들은 극자외선을 차단하는 물질로 이루어진 극자외선 차단영역으로 둘러싸여 있으며, 상기 단위 모듈(310)의 좌상으로부터 우하로 갈수록 극자외선 차단영역의 면적이 일정하게 감소하도록 구성된다. 하위 모 듈(311)에 대한 보다 상세한 구조가 도 8a 및 8b에 도시되어 있다.
도 8a 및 도 8b는 도 7에 도시된 플레어 계측 레티클의 하위 모듈(311)을 확대하여 나타낸 도면이다.
각각의 하위 모듈(311) 내에는 다수 개의 라인/스페이스 패턴(311a, 311b)이 수직 혹은 수평 방향으로 배열된다. 라인/스페이스 패턴(311a, 311b)들은 100㎛×100㎛ 크기의 영역 내에 배열되며 2㎛의 폭을 갖는다. 그리고, 최외곽에 배치된 라인 패턴은 하위 모듈(311)의 경계로부터 150㎛ 정도 이격 거리를 갖도록 배열된다. 라인/스페이스 패턴들(311a, 311b)은 극자외선을 차단하는 차단영역으로 둘러싸여 있다.
도 9a 내지 도 9c는 하위 모듈(311) 내 라인/스페이스 패턴이 배열된 패턴 영역과 주변 영역을 나타낸 도면으로, 라인/스페이스 패턴은 생략되었다.
하위 모듈(311) 내 라인/스페이스 패턴이 배열된 패턴 영역(340) 주변은 극자외선을 투과시키는 투광영역과 극자외선을 차단하는 물질로 이루어진 차광영역으로 이루어져 있는데, 도시된 바와 같이 투광영역(331, 332, 333)의 면적이 서로 다르게 설정되어 있다. 즉, 도 9a에 도시된 하위 모듈의 경우 패턴영역(340) 주위에 투광영역(331)만 있고 극자외선 차단영역이 없고, 도 9b의 하위 모듈은 투광영역(332)의 면적이 줄어든 반면에 차광영역이 형성되어 있으며, 도 9c의 하위 모듈은 투광영역(333)이 2㎛ 정도로 좁게 배치된 반면에 차광영역은 넓게 배치되어 있다. 이는, 패턴 주변의 투광영역의 크기에 따른 플레어의 양을 측정하기 위한 것이다.
이와 같이 패턴 주변의 투광영역 및 차광영역의 면적이 서로 다르게 배치된 하위 모듈을 매트릭스 형태로 다수 개 배치하여 레티클을 제작하면, 패턴 주변의 투광영역의 면적에 따른 플레어의 양을 계측할 수 있다.
도 10은 본 발명에 따른 극자외선 노광 장치의 플레어 센싱 모듈을 도시한 평면도이고, 도 11은 플레어 센싱 모듈의 단위 모듈을 확대하여 나타낸 도면이다.
플레어 센싱 모듈(500)에는 다수 개의 단위 모듈(510)들이 매트릭스 형태로 배열된다. 각 단위 모듈(510)은 100㎛ × 100㎛ 크기의 매트릭스 형태로 배열된 다수 개의 광 감지수단, 예를 들면 포토다이오드(511)로 이루어진다. 하나의 단위 모듈(510)은 100㎛ × 100㎛ 크기의 영역을 감지할 수 있으며, 플레어 센싱 모듈(500)은 도 7에 도시된 플레어 계측 레티클 내의 2mm × 2mm 크기의 단위 모듈 하나를 감지할 수 있다. 웨이퍼 스테이지를 스테핑으로 이동시키면서 도 6에 도시된 플레어 계측 레티클(300) 전체를 감지할 수 있다.
이와 같은 구조로 이루어진 플레어 계측 레티클(300)과 플레어 센싱 모듈(500)을 제작하여, 도 5에 도시된 것과 같이, 극자외선 노광 장치의 레티클 스테이지 및 웨이퍼 스테이지에 각각 설치한다. 실제 리소그래피에 사용되는 극자외선을 플레어 계측 레티클(300)에 조사한 후 투영 광학계(400)를 통과하여 플레어 센싱 모듈(500)에 도달된 극자외선의 강도(intensity)를 감지한다. 플레어 계측 레티클(300)의 라인/스페이스 패턴이 배열된 패턴영역 주변의 극자외선 투광영역이 클수록 플레어의 영향이 커지게 되고, 이에 따라 센싱 모듈(500)을 통해 받아들이는 극자외선의 강도가 증가하게 된다.
도 12a 및 도 12b는 플레어 센싱 모듈을 통해 감지된 극자외선의 강도(intensity)를 나타낸 그래프들이다. 도 12a의 경우 플레어의 크기가 작은 경우이고 도 12b는 플레어의 크기가 큰 경우를 나타낸다.
이와 같이 플레어 센싱 모듈을 통해 감지된 광량이 증가할수록 플레어의 크기도 증가한 것이므로 광량의 세기에 따라 플레어의 양을 정량화할 수 있다. 기준 이상의 플레어가 감지될 경우, 광학계에 오염 등의 문제가 기준 이상 발생한 것으로 판단하여 오염 물질에 대한 세정 또는 광학계를 교체하는지의 여부를 결정한다.
또한, 하위 모듈 내에 존재하는 수평 패턴 및 수직 패턴을 통해 패턴 방향에 따른 플레어 크기의 계측도 가능하다.
상술한 본 발명에 따르면, 극자외선 리소그래피를 위한 노광장치의 플레어의 정밀한 계측이 가능하고 플레어의 양을 정량화할 수 있으며, 이를 노광공정에 피드백하여 플레어의 영향을 최소화할 수 있으므로 패터닝 정확도를 증가시킬 수 있다. 또한, 정량화된 데이터를 바탕으로 플레어를 보상할 수 있는 OPC 기술의 개발을 가능하게 한다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.
도 1은 극자외선 리소그래피를 수행하기 위한 노광장치를 나타내 보인 도면이다.
도 2는 플레어(flare)의 유무에 따른 광 강도 레벨을 나타낸 그래프이다.
도 3 및 도 4는 플레어가 웨이퍼 패터닝에 미치는 영향을 설명하기 위하여 나타낸 도면들이다.
도 5는 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피를 위한 노광장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 플레어 계측 레티클의 구성을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 플레어 계측 레티클의 일부를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 8a 및 도 8b는 플레어 계측 레티클의 하위 모듈을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 9a 내지 도 9c는 하위 모듈 내 라인/스페이스 패턴이 배열된 패턴 영역과 주변 영역을 나타낸 도면들이다.
도 10은 본 발명에 따른 극자외선 노광 장치의 플레어 센싱 모듈을 도시한 평면도이다.
도 11은 플레어 센싱 모듈의 단위 모듈을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 12a 및 도 12b는 플레어 센싱 모듈을 통해 감지된 극자외선의 강도(intensity)를 나타낸 그래프들이다.

Claims (16)

  1. 복수 개의 하위 모듈이 매트릭스 형태로 배열되어 이루어진 단위 모듈을 포함하고,
    상기 하위 모듈은 복수 개의 라인/스페이스 패턴이 배열된 패턴영역과, 상기 패턴영역 주변의 극자외선 차단영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피를 위한 플레어 계측 레티클.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 단위 모듈은,
    상기 라인/스페이스 패턴이 수직 방향으로 배치된 하위 모듈 행과,
    상기 라인/스페이스 패턴이 수평 방향으로 배치된 하위 모듈 행을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피를 위한 플레어 계측 레티클.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 매트릭스 형태로 배열된 하위 모듈은,
    상기 라인/스페이스 패턴과 상기 극자외선 차단영역 사이에 극자외선 투광영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피를 위한 플레어 계측 레티클.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 하위 모듈에 포함된 상기 투광영역의 크기가 서로 다른 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피를 위한 플레어 계측 레티클.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 투광영역의 크기는,
    상기 단위 모듈의 좌측 상단으로부터 우측 하단으로 갈수록 점차로 일정한 비율로 작아지는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피를 위한 플레어 계측 레티클.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 단위 모듈은 매트릭스 형태로 다수 개 배열된 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피를 위한 플레어 계측 레티클.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 단위 모듈의 주변영역은 극자외선을 흡수하는 영역인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피를 위한 플레어 계측 레티클.
  8. 입사되는 극자외선의 광량을 센싱하는 광 센서가 다수 개 배열되어 이루어진 단위 모듈이 매트릭스 형태로 다수 개 배열되어, 입사되는 극자외선의 광량을 센싱 하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피를 위한 플레어 센싱 모듈.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 광 센서는 포토 다이오드로 이루어진 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피를 위한 플레어 센싱 모듈.
  10. 극자외선을 방출하기 위한 극자외선 광원;
    레티클 스테이지에 배치되어 플레어(flare) 계측에 사용되는 플레어 계측 레티클;
    상기 플레어 계측 레티클의 하부에 배치된 투영 광학계; 및
    상기 투영 광학계 하부의 웨이퍼 스테이지에 배치되어, 상기 투영 광학계를 지나 입사되는 상기 극자외선의 광량을 센싱하는 플레어 센싱 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피를 위한 노광 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 플레어 계측 레티클은,
    복수 개의 하위 모듈이 매트릭스 형태로 배열되어 이루어진 단위 모듈을 포함하고,
    상기 하위 모듈은 복수 개의 라인/스페이스 패턴이 배열된 패턴영역과, 상기 패턴영역 주변의 극자외선 차단영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소 그래피를 위한 노광 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 단위 모듈은,
    상기 라인/스페이스 패턴이 수직 방향으로 배치된 하위 모듈 행과,
    상기 라인/스페이스 패턴이 수평 방향으로 배치된 하위 모듈 행을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피를 위한 노광 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 매트릭스 형태로 배열된 하위 모듈은,
    상기 라인/스페이스 패턴과 상기 극자외선 차단영역 사이에 극자외선 투광영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피를 위한 노광 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 투광영역의 크기는,
    상기 단위 모듈의 좌측 상단으로부터 우측 하단으로 갈수록 점차로 일정한 비율로 작아지는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피를 위한 노광 장치.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 플레어 센싱 모듈은,
    입사되는 상기 극자외선의 광량을 센싱하는 광 센서가 다수 개 배열되어 이루어진 단위 모듈이 매트릭스 형태로 다수 개 배열되어, 입사되는 극자외선의 광량을 센싱하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피를 위한 노광 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 광 센서는 포토 다이오드로 이루어진 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피를 위한 노광 장치.
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