KR20100069021A

KR20100069021A - Manufacture of led package, led, blu, display device and lighting device

Info

Publication number: KR20100069021A
Application number: KR1020080127558A
Authority: KR
Inventors: 이형곤
Original assignee: 이형곤
Priority date: 2008-12-15
Filing date: 2008-12-15
Publication date: 2010-06-24

Abstract

PURPOSE: A light emitting package manufacturing method, a emitting package, a backlight unit, a display apparatus, and a lighting apparatus are provided to prevent the deterioration of product lifetime reliability due to overheating by minimizing heat resistance to a soldering point contact material formed on a radiant heat surface of a light emitting chip. CONSTITUTION: A vertical type light emitting chip(1) and/or a soldering point contact material(5) is prepared. A plurality of light emitting chips and/or soldering point contact material is mounted on a base material. A curable resin(9) is provided with a predetermined thickness on the base material. A part of among the base material and/or the curable resin is removed. The light emitting chip of the base material surface and/or a part of the soldering point contact material is exposed. A conductive thin film layer is formed on one surface of the light emitting chip and/or the soldering point contact material.

Description

Manufacturing method of light emitting package, light emitting package, backlight unit, display device and lighting device {MANUFACTURE OF LED PACKAGE, LED, BLU, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE}

본 발명은 발광패키지 제조방법과 발광패키지 및 이를 포함하여 제조되는 백라이트유닛과 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a light emitting package, a light emitting package, and a backlight unit and a display device manufactured by the same.

근래에 매우 다양한 분야에 걸쳐서 발광패키지가 사용되고 있다. 불과 몇 년 전까지만 해도 표시장치 중의 극히 제한적인 분야에서만 사용되어 오던 엘이디(LED)는 최근 들어 컴팩트한 크기를 갖는 모바일 장치의 광원이나 각종 영상표시장치의 백라이트유닛의 광원으로서 또는 각종 분야에 걸친 다양한 조명장치의 광원으로 사용되고 있다. Recently, a light emitting package has been used in a wide variety of fields. LED, which has been used only in a very limited field of display devices only a few years ago, has recently been used as a light source of a compact mobile device, a light source of a backlight unit of various image display devices, or a variety of fields. It is used as a light source for lighting devices.

엘이디는 환경친화적인 발광장치일 뿐 아니라 타의 추종을 불허할 만한 긴 수명을 갖는 에너지 절약형 발광장치라는 점에서 미래를 밝혀줄 발광장치로서 각광받고 있다.LED is attracting attention as a light emitting device that will illuminate the future in that it is not only an environmentally friendly light emitting device but also an energy-saving light emitting device having an unrivaled long life.

엘이디의 가장 대표적인 특성을 살펴보면 온도에 따른 특성의 저하문제를 들 수 있다. 이 문제는 매우 다양한 응용분야에서 해결해야 할 과제로 남아 있으며 매우 활발한 연구가 진행되고 있다. Looking at the most typical characteristics of the LED can be the problem of deterioration of the characteristic with temperature. This problem remains a challenge for a wide variety of applications and very active research is underway.

아울러 또 다른 해결과제로 남아 있는 문제는 높은 생산단가 문제이다. 상기에서 언급된 장점에도 불구하고 높은 생산단가가 또 하나의 해결과제로 남아 있는 상태로서 매우 다양한 연구 및 개발이 시도되고 있다.Another problem that remains is the high production cost problem. Despite the advantages mentioned above, a high variety of research and development have been attempted as high production costs remain another challenge.

본 발명은 상기에서 언급된 문제점들을 해결하고 경제적인 방법으로 생산되는 엘이디 제조방법과 엘이디 및 이를 포함하는 제품들을 제공하고자 한다.The present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide an LED manufacturing method and LED and products containing the same produced in an economical manner.

본 발명의 상기 해결과제를 달성하기 위하여 선행 기술에서 사용되고 있는 고전적 구조를 근본적으로 혁신한 특별한 구조를 적용하였다. 이를 위하여 특별히 발광패키지 내에 발광칩의 적어도 한 표면을 패키지의 솔더링포인트가 존재하는 전극단자와 전기적으로 연결하기 위해 적용되는 솔더링와이어(SOLDERING WIRE)를 제거하고 본 발명에서 개발된 특별한 방법과 박막전극층에 의해 달성된다.In order to achieve the above-mentioned problems of the present invention, a special structure is applied which fundamentally innovates the classical structure used in the prior art. For this purpose, the soldering wire applied to electrically connect at least one surface of the light emitting chip to the electrode terminal in which the soldering point of the package exists in the light emitting package is removed, and the method and thin film electrode layer developed in the present invention are removed. Is achieved by

본 발명에 의하여 발광패키지를 제조하면 우선 복잡한 공정이 생략되고 고단가의 원인이 되는 다양한 재료와 부품이 생략됨으로써 생산단가를 파격적으로 낮출 수 있으며, 또한 발광칩의 방열면에 형성되는 솔더링포인트 또는 솔더링포인트접점재까지의 열저항을 최소화할 수 있으므로 과열로 인한 특성저하나 수명단축과 같은 문제점이 해결될 수 있다.When manufacturing a light emitting package according to the present invention, a complicated process is omitted and various materials and components that cause high unit cost are omitted, thereby lowering the production cost dramatically, and also soldering points or soldering formed on the heat dissipating surface of the light emitting chip. Since the thermal resistance to the point contact material can be minimized, problems such as deterioration of characteristics or shortening of life due to overheating can be solved.

본 발명을 실시하기 위해 첫 번째 양태를 따라 와이어본딩 공정을 생략하고 수직형발광패키지를 경제적으로 제조하는 방법으로서, 수직형 발광칩과(또는) 솔더링포인트접점재를 준비하는 단계와 베이스기재를 준비하는 A단계와 적어도 두 개 이상 복 수 개의 상기 발광칩과(또는) 솔더링포인트접점재를 상기 베이스기재 위에 실장하는 B단계와 상기 A단계 또는 B단계 후에 상기 기재 위에 경화형수지를 미리 결정된 두께로 공급하는 단계와 상기 경화형수지를 경화시키는 경화단계와 적어도 상기 경화단계를 경과한 어느 한 단계 후에 상기 베이스기재와(또는) 상기 경화형수지 중의 일부분 이상을 제거하여 베이스기재 면 쪽의 상기 발광칩과(또는) 솔더링포인트접점재 일부 면을 노출시키는 단계와 상기 수지층 표면과 상기 발광칩과(또는) 솔더링포인트접점재의 적어도 한 표면에 한 층 이상의 도전박막층을 형성하는 코팅단계와 두 개 이상 복수 개의 상기 발광칩을 포함하는 상태의 발광패키지 집합으로부터 원하는 갯수의 발광칩을 포함하는 발광패키지유닛(UNIT)으로 분리하는 분리단계를 포함하여 이루어지며 상기 분리단계는 적어도 코팅단계 이후에 실시되는 것이고, 상기 도전박막층은 적어도 상기 발광칩의 발광면 일부를 포함하는 장소로부터 상기 경화형수지의 표면을 지나 상기 솔더링포인트 또는 솔더링포인트접점재에 이르기까지 연결된 상태로 형성된 것으로서 본딩와이어를 대체하는 박막전극층 기능을 갖도록 하여 이로써 상기 패키지가 회로기판 위에 실장될 때 회로기판의 솔더링 패드로 인가된 전원을 적어도 상기 발광칩의 (한 전극인) 발광면으로 전달하는 도전체 역할을 하는 것이며, 상기 발광면에 형성된 상기 도전박막층으로 인한 광차단율은 발광면 전체에 걸친 평균치가 35% 이하인 것을 특징으로 하는 발광패키지 제조방법이 제공된다. According to a first aspect of the present invention, a method of economically manufacturing a vertical light emitting package by omitting a wire bonding process, preparing a vertical light emitting chip and / or a soldering point contact material, and preparing a base substrate Step A and at least two or more of the plurality of the light emitting chip and (or) soldering point contact material is mounted on the base substrate, and the curable resin is supplied on the substrate after the step A or B in a predetermined thickness And the light emitting chip on the surface of the base substrate by removing at least a portion of the base substrate and / or the curable resin after the curing step of curing the curable resin and at least one step after the curing step. Exposing a part of the soldering point contact material and the surface of the resin layer and the light emitting chip and / or soldering point A coating step of forming at least one conductive thin film layer on at least one surface of the contact material and a set of light emitting packages in a state including two or more of the plurality of light emitting chips to a light emitting package unit (UNIT) including a desired number of light emitting chips. And a separating step, wherein the separating step is carried out at least after the coating step, and the conductive thin film layer passes through the surface of the curable resin from at least a portion of the light emitting surface of the light emitting chip. It is formed to be connected to the soldering point contact material and has a thin film electrode layer function that replaces the bonding wire, so that when the package is mounted on the circuit board, the power applied to the soldering pad of the circuit board is applied to at least one of the light emitting chips. Acts as a conductor to the light emitting surface And the light blocking rate caused by the conductive thin film layer formed on the light emitting surface is a method of manufacturing the light emitting package, it characterized in that the average value over the entire light-emitting surface 35% or less is provided.

상기 경화단계에서는 제한적인 조건은 아니지만 생산성 향상을 위하여 상기 발광칩과(또는) 솔더링포인트접점재의 적어도 일부분이 상기 경화수지층 외부 쪽으로 노 출된 상태로 유지하여 수지층이 묻지 않은 상태로 경화됨을 특징으로 하는 발광패키지 제조방법이 제공된다. 상기 광차단율에 관한 설명은 하기에서 언급하였다.The curing step is not a limiting condition, but at least a portion of the light emitting chip and / or soldering point contact material is exposed to the outside of the cured resin layer in order to improve productivity, so that the resin layer is cured without being buried. A light emitting package manufacturing method is provided. Description of the light blocking rate is mentioned below.

상기 반사박막은 상기 발광칩의 발광면(출광면) 쪽으로 드러난 상기 경화형수지의 표면에 코팅하여 형성하는 방법을 특징으로 하는 발광패키지 제조방법이 박막형성 공정 단순화를 위해 바람직하다. 즉 반대 면에 반사면을 형성할 경우에 비하여 한 면에만 박막을 형성하게 됨으로써 생산성이 향상되는 것이다. 상기 발광면 쪽으로 드러난 표면에 박막을 코팅한 후에 바람직하게는 형광물질, 연질 수지 등 부가재료를 추가로 부가한 후에 밀봉과 보강목적의 수지층을 추가로 형성할 수도 있다. A method of manufacturing a light emitting package is preferable for simplifying a thin film forming process, wherein the reflective thin film is formed by coating a surface of the curable resin exposed to a light emitting surface (light emitting surface) of the light emitting chip. In other words, the productivity is improved by forming a thin film on only one surface as compared with the case where the reflective surface is formed on the opposite surface. After coating a thin film on the surface exposed toward the light emitting surface, preferably, additional materials such as a fluorescent material and a soft resin may be further added, and then a resin layer for sealing and reinforcing purposes may be further formed.

상기 제조방법에서 각 단계는 기술된 순서와 상관없이 순서를 적절히 조합하여 사용할 수 있으며 다양한 목적에 따라 그 순서를 달리하여도 무방하다. 예를 들면 상기 경화형수지를 도포하는 단계 전에 먼저 상기 기재의 한 표면 위에 상기 발광칩을 미리 적층한 후에 기재의 표면으로 수지재료를 도입하는 단계가 이어짐을 특징으로 하는 제조방법과 같은 것이 그 것이다. 이러한 제조방법은 상기 경화단계 후에 상기 발광칩과(또는) 솔더링포인트접점재의 표면에 잔류할 수 있는 매우 얇은 층의 경화수지층을 방지하고자 할 때에 선택할 수 있는 제조방법이다.Regardless of the order described, each step in the manufacturing method may be used in any suitable combination, and the order may be changed according to various purposes. For example, before the step of applying the curable resin, such as the manufacturing method characterized in that the first step of laminating the light emitting chip on one surface of the substrate and then introducing the resin material to the surface of the substrate. This manufacturing method is a manufacturing method that can be selected when a very thin layer of hardening resin layer which can remain on the surface of the light emitting chip and / or soldering point contact material after the curing step is selected.

또한 상기 도전박막층은 경화수지층 위로 표면 일부가 드러난 상기 발광칩과(또는) 솔더링포인트접점재 표면을 포함하여 같은 쪽으로 표면을 드러낸 상기 경화수지층 표면 위에 형성될 수도 있지만, 그 반대 면, 즉 상기기재와(또는) 경화수지층의 일부 이상을 분리 또는 제거한 후에 기재 쪽으로 향해 있던 발광칩과(또는) 솔더링포인트접점재 표면을 포함하여 같은 쪽으로 표면을 드러낸 상기 경화수지층과(또는) 기재의 표면 위에 형성할 수도 있는 것이다. In addition, the conductive thin film layer may be formed on the surface of the cured resin layer exposed to the same side, including the light emitting chip and / or soldering point contact surface exposed part of the surface over the cured resin layer, the opposite side, that is, The surface of the cured resin layer and / or the substrate having its surface exposed to the same side, including the surface of the light emitting chip and / or the soldering point contact facing toward the substrate after separation or removal of at least a portion of the substrate and / or curable resin layer. It can also be formed on top.

본 발명의 또 다른 양태를 따라 상기 베이스기재 면 쪽에 있던 일부 면을 노출시키는 단계 후에 추가로 박막코팅 단계를 추가로 거쳐서 상기 발광칩과(또는) 솔더링포인트접점재 일부 면에도 상기 도전박막으로 이루어지는 박막전극층을 코팅하여 양면 모두에 박막전극층을 형성함으로써 양면발광 패키지로 제조됨을 특징으로 하는 발광패키지 제조방법이 제공된다. 이와 같은 양태에서도 반사재를 함께 형성하거나 부착하여 완성할 수 있다.According to still another aspect of the present invention, after exposing a portion of the surface of the base substrate surface, a thin film of the conductive thin film may be formed on the surface of the light emitting chip and / or the soldering point contact member by further performing a thin film coating step. A method of manufacturing a light emitting package is provided by coating an electrode layer to form a thin film electrode layer on both sides, thereby manufacturing a double side light emitting package. Even in such an aspect, a reflector can be formed together and affixed and completed.

상기 발광칩의 근접부위에 형성된 솔더링포인트와(또는) 솔더링포인트접점재는 회로기판의 솔더링(접착)패드부에 솔더링(접착)됨으로써 상기 회로기판의 솔더링패드부로 인가된 전원을 상기 도전박막층을 거쳐서 상기 발광칩의 적어도 한 표면으로 공급하기 위해 형성된 구성품이다. The soldering point and / or soldering point contact material formed in the vicinity of the light emitting chip is soldered (adhered) to the soldering pad portion of the circuit board, so that power applied to the soldering pad portion of the circuit board is passed through the conductive thin film layer. A component formed for supplying at least one surface of a light emitting chip.

본 발명의 또 다른 양태를 따라 상기 제조방법과 연관된 양태의 발광패키지로서, 하나 이상의 수직형 발광칩과 상기 발광칩의 적어도 한 표면 일부분을 포함하고 상기 표면을 벗어나는 주변부위까지 연속적으로 형성된 도전박막으로 이루어진 박막전극층과 상기 도전박막층 중에서 적어도 상기 발광칩 표면을 벗어나는 주변부위에 형성된 도전박막의 일부분 이상을 지지하고 보강해 주는 경화형수지층과 상기 경화형수지층에 접착된 상태와 상기 박막전극층과 전기적으로 연결된 상태로 형성된 솔더링포인트 또는 솔더링포인트접점재를 포함하여 이루어지되 발광패키지 내에 본딩와이어를 전혀 포함하지 않는 수직형발광패키지에 있어서, 상기 발광패키지는 적어도 두 곳 이상에 외부로 노출되는; 상태로 형성되어 회로기판의 솔더링 패드에 솔 더링(또는 접착)될 수 있도록; 솔더링포인트를 구비하는 것이고, 상기 솔더링포인트 중의 적어도 하나는 그 일부분 이상이 상기 발광칩의 표면을 벗어나는 부분(E)에 존재하는 것이고, 상기 경화형수지층은 미경화 상태로 상기 발광칩과(또는) 솔더링포인트접점재에 접촉된 후 경화된 것이며, 상기 도전박막층은 상기 경화 단계를 거쳐서 경화된 수지층 표면 일부분 이상을 포함하여 형성된 것이고, 본딩와이어를 대체하는 박막으로서 적어도 상기 발광칩의 발광면 일부를 포함하는 장소로부터 상기 경화형수지의 표면을 지나 상기 솔더링포인트 또는 솔더링포인트접점재에 이르기까지 전기적으로 연결된 상태로 형성된 것이고, 상기 발광칩의 발광면에 형성된 상기 도전박막층으로 인한 광차단율은 발광면 전체에 걸친 평균치가 35% 이하인 것을 특징으로 하는 발광패키지가 제공된다. According to still another aspect of the present invention, there is provided a light emitting package of an aspect related to the manufacturing method, comprising: at least one vertical light emitting chip and at least one surface portion of the light emitting chip, the conductive thin film being continuously formed to a peripheral portion beyond the surface. A curable resin layer and a state bonded to the curable resin layer and electrically connected to the curable resin layer to support and reinforce at least a portion of the conductive thin film formed on at least a peripheral portion of the thin film electrode layer and the conductive thin film layer, which is outside the surface of the light emitting chip. A vertical type light emitting package including a soldering point or a soldering point contact material formed in a state but not including any bonding wires in a light emitting package, wherein the light emitting package is exposed to at least two places; Formed so that it can be soldered (or glued) to a soldering pad of the circuit board; And a soldering point, wherein at least one of the soldering points is present at a portion E beyond the surface of the light emitting chip, and the curable resin layer is uncured and / or the light emitting chip. It is cured after contact with the soldering point contact material, the conductive thin film layer is formed to include at least a portion of the surface of the resin layer cured through the curing step, a thin film to replace the bonding wire at least a portion of the light emitting surface of the light emitting chip It is formed in an electrically connected state from the containing place to the soldering point or the soldering point contact material through the surface of the curable resin, the light blocking rate due to the conductive thin film layer formed on the light emitting surface of the light emitting chip is the entire light emitting surface The light emitting package is provided, characterized in that the average value over 35% .

상기에서 경화형수지층이 미경화상태로 상기 발광칩과(또는) 솔더링포인트접점재에 접촉된 후 경화되도록 하는 이유는 상기 부품(들)과 경화형수지층의 경계지점에 크레비스(CREVICE)가 생성되는 문제를 해결하기 위함이다. 폴리머수지 또는 도체나 반도체 재료의 서브마운트 재료를 미리 상기 발광칩의 형상에 맞추어 가공한 후 여기에 상기 발광칩을 실장하고 상기 두 부품의 한 면 위에 도전박막층을 형성함으로써 상기 발광칩의 한 표면으로부터 외측 방향으로 도전박막층을 인출하는 방법이 선택될 수도 있으나 이는 상기 서브마운트의 가공 공정이 복잡할 뿐 아니라 상기 두 부품의 고정이 어렵고 경계지점에 매우 예리하고 깊은 형상으로 크레비스가 생성될 수밖에 없다. 때문에 크레비스 부분을 통과하는 형태로 코팅된 상기 도전박막은 발광패키지의 열싸이클에 의한 수축과 팽창을 거듭하는 동안에 열화될 수밖에 없고 이에 따라 결국 절단현상으로 문제를 일으키게 된다. 이를 방지하기 위한 수단으로 경화형수지를 미경화 상태로 상기 부품(들)과 충분히 접촉시켜 크레비스가 생성되지 않은 상태에서 경화시키는 방법을 선택하였다. The reason why the curable resin layer is cured after contacting the light emitting chip and / or the soldering point contact material in an uncured state is that crevices are formed at the boundary between the component (s) and the curable resin layer. To solve the problem. After processing a polymer resin or a submount material of a conductor or a semiconductor material according to the shape of the light emitting chip in advance, the light emitting chip is mounted thereon and a conductive thin film layer is formed on one side of the two parts to form a surface from one surface of the light emitting chip. A method of drawing out the conductive thin film layer in the outward direction may be selected, but this may not only complicate the machining process of the submount, but also difficult to fix the two parts, and the crevice may be generated in a very sharp and deep shape at the boundary point. Therefore, the conductive thin film coated in the form of passing through the crevis is inevitably deteriorated during repeated contraction and expansion by the heat cycle of the light emitting package, and thus causes a problem in cutting. As a means to prevent this, the curable resin was selected in such a way that the curable resin was sufficiently contacted with the component (s) in an uncured state and cured in a state where crevis was not produced.

상기에서 반사박막층은 주로 도전금속재를 이용하여 형성되는 것이므로 이는 도선재의 역할을 충실히 수행할 수 있는 것이다. 따라서 반사박막층을 상기 박막전극층의 일부분으로 구성하면 도전율이 향상된 박막전극층을 제공할 수 있으므로 이와 같은 양태를 선호하게 된다. 즉 상기 도전박막층은 그 일부가 반사층을 포함하여 구성될 수 있는 것이다.Since the reflective thin film layer is mainly formed using a conductive metal material, it can faithfully perform the role of the conductive material. Therefore, when the reflective thin film layer is formed as a part of the thin film electrode layer, it is possible to provide a thin film electrode layer having improved electrical conductivity. That is, a part of the conductive thin film layer may include a reflective layer.

상기 솔더링포인트접점재를 생략한 양태의 발광패키지에 있어서, 상기 발광칩 주변의 경화형수지에 다수의 천공부를 형성한 후 박막 코팅하여 발광면 쪽과 상기 발광면 뒷면 쪽에 형성된 도전박막층이 상기 천공부 측면에 형성되는 도전박막층에 의해 전기적으로 서로 연결된 구조를 특징으로 하는 발광패키지가 제공된다.본 발명의 또 다른 양태에 의하면 상기의 발광패키지와 제조방법 보다 더 간단하고 경제적인 제조방법과 발광패키지가 제공될 수 있다. 이것은 발광칩 표면과 상기 박막전극층 사이에 상기의 발광패키지 보다는 다소 높은 접촉저항이 발생되는 양태이지만 매우 경제적인 발광패키지와 제조방법을 제공하여 주는 것이다. 그 대표적인 양태로서 와이어본딩 공정을 생략하고 수직형 발광패키지를 경제적으로 제조하는 방법에 있어서, 수직형 발광칩과(또는) 솔더링접점재를 준비하는 단계와 베이스기재를 준비하는 단계와 상기 베이스기재 위에 적어도 한 층 이상의 도전박막을 코팅하는 단계와 상기 발광칩 표면과 솔더링접점재 표면과 상기 베이스기재 위의 도전박막층 표면 중 한 면 이상에 접착제를 적용하는 단계와 상기 베이스기재 위의 도전박막층 표면에 적어도 두 개 이상 복수 개의 상기 발광칩과(또는) 솔더링접점재를 접착하는 단계와 상기 접착제를 경화시키는 단계와 두 개 이상 복수 개의 상기 발광칩을 포함하는 상태의 발광패키지 집합으로부터 원하는 갯수의 발광칩을 포함하는 발광패키지유닛(UNIT)으로 분리하는 분리단계를 포함하여 이루어지며, 상기 베이스기재와 접착된 상기 발광칩의 면은 발광면(출광면)으로서 발광층에서 방출된 빛의 적어도 일부분 이상은 상기 접착면 방향으로 출광되는 것이며, 상기 발광면(출광면)에 접착된 상기 도전박막층으로 인한 광차단율은 발광(출광)면 전체에 걸친 평균치가 35% 이하인 것이고, 상기 발광면 위에 접착된 접착제와 상기 박막전극층을 포함하여 모든 재료들로 인한 광차단율은 발광(출광)면 전체에 걸친 평균치가 40% 이하인 것이고, 상기 도전박막층은 본딩와이어를 대체하는 박막으로서 적어도 일부분은 상기 발광칩의 출광면 표면과 접착되어 전기적으로 연결된 것이며, 또 다른 한 부분은 솔더링포인트 또는 솔더링포인트접점재와 접착되어 전기적으로 연결된 것임을 특징으로 하는 발광패키지 제조방법이 제공된다. In the light emitting package of the embodiment in which the soldering point contact material is omitted, a plurality of perforations are formed on the curable resin around the light emitting chip, and then a thin film is coated to form a conductive thin film layer formed on the light emitting surface side and the back surface of the light emitting surface. There is provided a light emitting package characterized by a structure electrically connected to each other by a conductive thin film layer formed on the side. According to yet another aspect of the present invention is a simpler and more economical manufacturing method and light emitting package than the above light emitting package and manufacturing method Can be provided. This is an aspect in which contact resistance is generated between the surface of the light emitting chip and the thin film electrode layer rather than the light emitting package, but provides a very economical light emitting package and a manufacturing method. A typical aspect thereof is a method of economically manufacturing a vertical light emitting package by omitting a wire bonding process, the method comprising preparing a vertical light emitting chip and / or a soldering contact material, preparing a base material, and preparing a base material on the base material. Coating at least one conductive thin film, applying an adhesive to at least one of the surface of the light emitting chip, the surface of the soldering contact material, and the surface of the conductive thin film layer on the base substrate, and at least a surface of the conductive thin film layer on the base substrate. A desired number of light emitting chips may be obtained from the step of adhering two or more of the plurality of light emitting chips and / or soldering contact materials, curing the adhesive, and a set of light emitting packages including two or more of the plurality of light emitting chips. It comprises a separation step of separating into a light emitting package unit (UNIT) comprising, The surface of the light emitting chip bonded to the base material is a light emitting surface (light emitting surface) and at least a part or more of the light emitted from the light emitting layer is emitted toward the adhesive surface, and the conductive thin film layer adhered to the light emitting surface (light emitting surface). The light blocking rate due to the average value over the entire light emitting (light emitting) surface is 35% or less, and the light blocking rate due to all the materials including the adhesive and the thin film electrode layer adhered on the light emitting surface is the total light emitting (light emitting) surface. The average value is 40% or less, wherein the conductive thin film layer is a thin film that replaces the bonding wire, at least a part of which is electrically connected to the light emitting surface of the light emitting chip, and another part is bonded to the soldering point or the soldering point contact material. There is provided a light emitting package manufacturing method characterized in that the electrically connected.

상기와 같이 발광(출광)면으로 빛이 방출되는 형태로 제작될 때에는 광차단율을 최소화하기 위해 상기 베이스기재는 투명재인 것이 바람직하며, 상기 투명 기재는 웹형태로 권취된 필름인 것이 생산성을 높일 수 있다는 면에서 좋다. 특히 필름 중에서 선택되는 것이라면 내열성이 있는 것이 더욱 좋고, 전자재료로서 애용되고 있는 PPS이면 더욱 좋다. 또 다른 양태로서 상기 베이스기재는 상기 접착단계를 경화한 후 어느 단계에서 제거하여 없애는 방법도 제공될 수 있다.When the light is emitted to the light emitting (light emitting) surface as described above, in order to minimize the light blocking rate, the base material is preferably a transparent material, and the transparent substrate is a film wound in a web form to increase productivity. Good in that it is. Especially if it is chosen from a film, it is more preferable that it is heat resistant, and if it is PPS used habitually as an electronic material, it is still more preferable. In another embodiment, the base substrate may be provided with a method of removing the base substrate by removing it at any stage after curing the bonding step.

상기 투명기재는 발광칩이 솔더링(접착)될 면과 사각을 이루는 부분이 구비된 것이고 이 부분에 형성되는 박막층은 한 층 이상의 금속반사층을 포함하여 이루어진다면 제조공정을 단순화할 수 있어서 좋다.The transparent substrate is provided with a portion forming a square with a surface to be soldered (glued) the light emitting chip, the thin film layer formed on this portion may be made of a metal reflective layer of at least one layer can simplify the manufacturing process.

본 발명의 또 다른 양태에 따르면 상기와 같은 접착식 발광패키지 제조방법과 연관한 발광패키지가 제공된다. 이를 위하여 본딩와이어가 생략된 수직형 발광패키지에 있어서, 하나 이상의 수직형 발광칩과 상기 발광칩의 적어도 한 표면 일부분을 포함하고 상기 표면을 벗어나는 주변부위까지 연속적으로 형성된 도전박막으로 이루어진 박막전극층과 상기 도전박막층 중에서 적어도 상기 발광칩 표면을 벗어나는 주변부위에 형성된 도전박막의 일부분 이상을 지지하고 보강해 주는 베이스기재층과 상기 수직형 발광칩의 적어도 한 면과 상기 박막전극층 사이에 개입된 접착제층과 상기 박막전극층과 전기적으로 연결된 상태로 형성된 솔더링포인트 또는 솔더링포인트접점재를 포함하여 이루어지되 발광패키지 내에 본딩와이어를 전혀 포함하지 않는 수직형 발광패키지에 있어서, 상기 발광칩의 접착면은 적어도 발광(출광)면을 포함하며, 상기 발광패키지는 적어도 두 곳 이상에 외부로 노출되는; 상태로 형성되어 회로기판의 솔더링 패드에 솔더링(또는 접착)될 수 있도록; 솔더링포인트를 구비하는 것이고, 상기 솔더링포인트 중의 적어도 하나는 그 일부분 이상이 상기 발광칩의 표면을 벗어나는 부분(E)에 존재하는 것이고, 상기 도전박막은 먼저 상기 베이스기재 위에 코팅된 후에 상기 발광(출광)면과(또는) 솔더링포인트접점재에 상기 접착층에 의해 접착됨으로써 전기적으로 연결된 것임을 특징으로 하는 발광패키지가 제공된다. According to still another aspect of the present invention, there is provided a light emitting package associated with the adhesive light emitting package manufacturing method as described above. To this end, in a vertical light emitting package in which a bonding wire is omitted, a thin film electrode layer including at least one vertical light emitting chip and at least one surface portion of the light emitting chip and a conductive thin film continuously formed to a peripheral portion beyond the surface, and the An adhesive layer interposed between at least one surface of the vertical light emitting chip and the thin film electrode layer, the base substrate layer supporting and reinforcing at least a portion of the conductive thin film formed on at least a peripheral portion away from the light emitting chip surface among the conductive thin film layers; In a vertical light emitting package including a soldering point or a soldering point contact material formed in an electrically connected state with a thin film electrode layer, but not including any bonding wire in the light emitting package, the adhesive surface of the light emitting chip is at least light-emitting (light emitting) It includes a surface, the light emitting package is red Exposed to the outside at least two places; Formed so that it can be soldered (or glued) to a soldering pad of the circuit board; And a soldering point, wherein at least one of the soldering points is present in a portion E of which at least a portion thereof is out of the surface of the light emitting chip, and the conductive thin film is first coated on the base substrate, and then the light emission A light emitting package is provided, which is electrically connected to the surface and / or the soldering point contact material by the adhesive layer.

상기 패키지에 있어서, 상기 도전박막층은 본딩와이어를 대체하는 박막으로서 적어도 상기 발광층의 발광면 일부를 포함하는 장소로부터 상기 솔더링포인트 또는 솔더링포인트접점재에 이르기까지 전기적으로 연결된 상태로 형성된 것이고, 상기 발광칩의 발광면에 접착된 상기 도전박막층으로 인한 광차단율은 발광면 전체에 걸친 평균치가 35% 이하인 것을 특징으로 하는 발광패키지가 제공된다.In the package, the conductive thin film layer is a thin film to replace the bonding wire is formed in an electrically connected state from at least a portion of the light emitting surface of the light emitting layer to the soldering point or soldering point contact material, the light emitting chip The light blocking rate due to the conductive thin film layer adhered to the light emitting surface of the light emitting package is characterized in that the average value over the entire light emitting surface is 35% or less.

상기 패키지의 모든 경우에 있어서 상기 경화가 완료된 후에 상기 베이스기재와(또는) 접착제층의 일부분 이상을 제거함으로써 상기 도전박막(박막전극층)의 일부분 이상을 외부로 노출시키는 단계를 추가로 포함하여 제조할 수도 있다. In all cases of the package further comprising exposing at least a portion of the conductive thin film (thin electrode layer) to the outside by removing at least a portion of the base substrate and / or adhesive layer after the curing is completed. It may be.

상기에서 발광면에 접촉된 박막전극층의 광차단율이 35% 이하로 제한되는 이유는 35% 이상일 경우 지나친 광손실로 인해 조도가 심하게 떨어지게 되며, 상기 접착제를 비롯하여 발광면에 접착된 모든 부품들로 인한 광차단율이 40% 이하로 제한되는 이유는 그 이상일 경우 광손실이 과다하여 제품화가 어려워질 수 있기 때문이다.The reason why the light blocking rate of the thin film electrode layer in contact with the light emitting surface is limited to 35% or less is that the illumination intensity is severely decreased due to excessive light loss when the light emitting layer is 35% or more. The reason why the light blocking rate is limited to 40% or less is that it may be difficult to commercialize due to excessive light loss.

상기 도전박막은 투명도전박막을 포함하는 것일 수 있으며, 그 일부분은 금속 반사재로 형성된 것일 수 있다. 도전박막 중에서 특히 발광면에 첩촉되는 박막전극층은 광차단율이 낮고 투과율이 높을수록 바람직하므로 투명도전박막을 포함하는 것이 좋다.The conductive thin film may include a transparent conductive thin film, and a portion thereof may be formed of a metal reflective material. Among the conductive thin films, the thin film electrode layer particularly in contact with the light emitting surface is preferable because the light blocking rate is low and the transmittance is high.

상기 접착제와 경화형수지는 자외선경화 수지일 수 있으며, 접착제는 투명도전성 수지인 것을 사용할 수 있다. 아울러 상기 투명 기재는 형광체를 포함하거나 표면에 코팅하여 제조됨을 특징으로 하는 발광패키지가 제공될 수 있다. 상기 접착제와 경화형수지는 그 경화시간을 단축하고 특성을 향상하기 위해서 광경화형수지 특별 히 자외선경화수지일 수 있다.The adhesive and the curable resin may be an ultraviolet curable resin, and the adhesive may be a transparent conductive resin. In addition, the transparent substrate may be provided with a light emitting package, characterized in that it is prepared by including a phosphor or coated on the surface. The adhesive and the curable resin may be a photocurable resin, especially UV curable resins to shorten the curing time and improve properties.

측면발광 패키지를 완성하기 위하여 상기 반사재의 적어도 일부는 발광칩으로부터 출광되는 광선을 주로 측면 쪽으로 반사시키도록 발광면과 이루는 각도가 예각으로 형성된 것이 제공될 수 있다. 상기 반사재 이외에 하기의 다양한 요소들과 추가로 결합시킴으로써 엘씨디 표시장치나 평면조명장치 등에 유용하게 사용할 수 있다. 통상적인 경우 상기 반사재는 발광면과 이루는 각도가 둔각으로서 발광면과 대면하는 방향으로 주로 빛을 비추기 위하여 사용된다. 그러나 백라이트유닛(BLU)이나 평판형 표시장치의 부품 또는 평판형 조명장치에 사용될 경우에는 흔히 측면발광패키지를 제조하게 된다. 이를 위해서는 발광면과 예각을 이루는 반사재를 형성함으로써 발광면과 수직방향 또는 측면방향으로 빛의 출광방향을 바꾸어 줄 수 있다.In order to complete the side light emitting package, at least a part of the reflector may be provided with an angle formed with the light emitting surface at an acute angle to mainly reflect the light emitted from the light emitting chip toward the side surface. In addition to the reflective material, by additionally combining with the following various elements, it can be usefully used for an LCD display device or a planar lighting device. In a typical case, the reflector is an obtuse angle of the light emitting surface and is mainly used to shine light in a direction facing the light emitting surface. However, when used in a backlight unit (BLU), a flat panel display device, or a flat panel lighting device, a side light emitting package is often manufactured. To this end, by forming a reflective material that forms an acute angle with the light emitting surface, it is possible to change the light exit direction in the vertical direction or the lateral direction with the light emitting surface.

안정적인 솔더링작업을 위해서는 상기에서 발광칩 근접부위에 설치된 솔더링포인트접점재와 상기 또 다른 솔더링포인트 사이에는 솔더링방지를 위해 솔더마스크층이 형성되는 것이 바람직하다. 이는 경화형수지 또는 접착제 스스로가 그 기능을 가질 수도 있으나 그렇지 않을 경우에 실시되는 구조이다. 주로 솔더링포인트로 사용되는 두 전극 사이의 간격은 매우 가깝기 때문에 두 전극(솔더링포인트) 사이에는 솔더마스크층이 형성되는데 재료선택에 있어서 배려된다면 상기와 같이 접착제나 경화형수지 스스로가 솔더마스크로서의 기능을 제공할 수 있는 것이다. For stable soldering operation, it is preferable that a solder mask layer is formed between the soldering point contact material installed near the light emitting chip and the another soldering point to prevent soldering. This is a structure that is implemented when the curable resin or adhesive itself may have its function but otherwise. Since the spacing between two electrodes, which are mainly used as soldering points, is very close, a solder mask layer is formed between the two electrodes (soldering points). If consideration is given to the selection of materials, the adhesive or curable resin itself provides a function as a solder mask as described above. You can do it.

상기 발광칩의 전단측면으로 방출되는 빛도 충분히 반사시키기 위해서는 상기 반사층 단부의 두께방향 위치는 발광면의 앞쪽으로부터 적어도 발광칩의 발광(활성)층 깊이까지 형성된 것이 바람직하다. 반사재의 단부는 발광칩의 발광면과 떨어지지 않는 것이 광손실을 방지할 수 있다는 측면에서 바람직하며, 특별히 발광층(활성층)의 측면으로 방출되는 빛까지도 전면으로 반사하기 위해서 상기와 같이 반사층의 단부는 상기 발광층의 측면까지 형성되는 것이 더욱 바람직하다.In order to sufficiently reflect the light emitted to the front side of the light emitting chip, the thickness direction of the end of the reflective layer is preferably formed from the front of the light emitting surface to at least the light emitting (active) layer depth of the light emitting chip. The end of the reflector is preferably in view of not falling off from the light emitting surface of the light emitting chip to prevent light loss, and in particular, the end of the reflecting layer may be formed to reflect the light emitted to the side of the light emitting layer (active layer) to the front. More preferably, it is formed to the side of the light emitting layer.

상기에서 솔더링포인트의 적어도 하나를 발광칩의 표면을 벗어난 부분(E)에 형성하는 이유는 발광칩의 발광면 반대 면, 즉 방열면을 최대한 열방출수단 또는 열전달수단에 접촉시키기 위한 방편이다. 상기 열전달수단 또는 열방출수단은 구지 제한적으로 선택할 필요가 없으며 선행 기술에서 사용되는 것들 중에서 선택하거나 특별히 구성하는 것도 가능하다. 발광층(활성층)으로부터 솔더링포인트까지의 열저항을 최소로 하기 위해서는 상기 발광칩의 한면을 직접 솔더링포인트로 사용하는 것이 가장 바람직하지만 최상의 솔더링(접착)공정을 위해서 부가되는 부품이나 박막층에 형성하는 것도 가능하다. 그러나 이에 제한적인 것은 아니다.The reason why the at least one soldering point is formed on the portion E outside the surface of the light emitting chip is a method for contacting the opposite surface of the light emitting surface, that is, the heat dissipating surface, with the heat dissipating means or the heat transfer means. The heat transfer means or heat dissipation means need not be limited to be selected and may be selected or specifically configured from those used in the prior art. In order to minimize the thermal resistance from the light emitting layer (active layer) to the soldering point, it is most preferable to use one side of the light emitting chip directly as the soldering point, but it is also possible to form on the part or thin film layer added for the best soldering process. Do. However, this is not limiting.

상기에서 솔더링포인트접점재는 생략될 수 있으나, 이와 같이 생략될 경우에는 상기 박막전극층의 어느 한 부분에 솔더링포인트가 형성되거나 전기적으로 연결되도록 하여야 한다. 상기 솔더링포인트는 상기 박막전극층과 같은 구성과 같은 두께의 박막, 즉 상기 박막전극층의 일부면적을 솔더링포인트(접착 또는 솔더링되는 부위)로 사용할 수 있으나, 통상적으로는 박막전극층보다 두꺼운 박막층이 사용되는 것이 솔더링 후의 박막 특성 보존에 유리하다. 상기 솔더링포인트는 솔더(SOLDER)와 접착제, 도전성접착제, 투명접착제, 투명도전접착제 중의 하나 이상을 사용하여 솔더링되거나 접착되는 지점을 지칭하는 용어로서 납땜의 개념으로 제한되는 것은 아니다. 이것은 박막전극층의 표면과 발광칩의 표면, 솔더링포인트접점재의 표면 중 어느 한 지점 이상에 존재하게 되며 상기 표면이 도전성이 있을 경우에는 별도로 형성하지 않고 상기 표면 그대로를 솔더링포인트로 사용할 수도 있다. 첨부 도면 중에 별도로 형성된 것으로 도시되었을지라도 생략할 수 있는 요소라는 의미이다. 본 발명의 발광패키지 구조는 상기 발광칩 방열면을 직접 솔더링포인트로 사용할 수 있기 때문에 발광층(활성층)으로부터 방열면까지의 열저항을 최소화할 수 있는 구조가 되므로 생산성 향상은 물론 신뢰성과 수명시간을 높여줄 수 있는 수단을 제공하는 것이다. 상기와 같이 본 발명에서는 발광칩의 한 표면을 직접 솔더링포인트로 사용함으로써 열저항을 최소화할 수도 있으나, 이러한 양태로 제한하는 것은 아니다. 즉 사용 목적과 분야에 따라 발광칩의 방열면을 미리 지정된 양태의 히트슬러그(HEAT SLUG)나 히트싱크(HEAT SINK) 또는 부가기능의 다른 부품과 접합한 후에 본 발명의 제조방법을 적용하여 제조할 수도 있는 것이다. 물론 이러한 양태의 발광칩도 역시 본 발명에서 지칭하는 수직형 발광칩으로 간주된다. The soldering point contact material may be omitted in the above description, but if omitted, the soldering point contact material may be formed or electrically connected to any one portion of the thin film electrode layer. The soldering point may be a thin film having the same thickness as that of the thin film electrode layer, that is, a partial area of the thin film electrode layer may be used as a soldering point (a portion to be bonded or soldered), but a thin film layer thicker than the thin film electrode layer is generally used. It is advantageous for preservation of thin film properties after soldering. The soldering point is a term referring to the point where the solder (SOLDER) and the adhesive, the conductive adhesive, the transparent adhesive, the transparent conductive adhesive using one or more of the soldering or bonding is not limited to the concept of soldering. This may be present at any one or more points of the surface of the thin film electrode layer, the surface of the light emitting chip, and the surface of the soldering point contact material. If the surface is conductive, the surface may be used as the soldering point without being separately formed. Although illustrated as being separately formed in the accompanying drawings, it means that the elements can be omitted. Since the light emitting package structure of the present invention can directly use the light emitting chip heat dissipation surface as a soldering point, the light emitting package structure can minimize the thermal resistance from the light emitting layer (active layer) to the heat dissipation surface, thereby improving productivity as well as increasing reliability and life time. It is to provide a means to give. As described above, the present invention may minimize thermal resistance by directly using one surface of the light emitting chip as a soldering point, but is not limited thereto. That is, according to the purpose and field of use, the heat dissipating surface of the light emitting chip may be manufactured by applying the manufacturing method of the present invention after bonding the heat slug, heat sink, or other parts of additional functions of a predetermined form. It could be. Of course, the light emitting chip of this aspect is also regarded as a vertical light emitting chip referred to in the present invention.

상기 패키지는 최소한 하나 이상의 수직형 발광칩을 필수 요소로 포함하여야 한다는 것은 자명한 조건이다. Obviously, the package should include at least one vertical light emitting chip as an essential element .

도시하지는 않았지만 발광패키지나 발광장치 중 선행기술에서 흔히 사용되는 형광물질, 광학렌즈, 반사재, 광확산판이나 물질과 같은 다양한 요소들은 본 발명과 함께 결합하여 사용할 수 있는 요소들이다. 상기 발광칩은 에피텍셜 웨이퍼 (EPITAXIAL WAFER)를 그대로 절단한 것일 수 있지만, 상기 웨이퍼의 기재와(또는) 박막층 위에 부가적인 요소가 형성된 것을 절단한 발광칩일 수 있다. Although not shown , various elements such as fluorescent materials, optical lenses, reflectors, light diffusers, or materials commonly used in the prior art among light emitting packages or light emitting devices are elements that can be used in combination with the present invention. The light emitting chip may be obtained by cutting an epitaxial wafer (EPITAXIAL WAFER) as it is, but may be a light emitting chip obtained by cutting an additional element formed on the substrate and / or the thin film layer of the wafer .

또한 상기 발광칩은 그 절단측면에 별도의 절연재층을 형성한 것일 수도 있지만 본 발명의 공정과 구조를 이용하여 적절히 제조할 경우에는 별도의 절연재층을 생략할 수도 있다. In addition, the light emitting chip may have a separate insulating material layer formed on its cut side, but when appropriately manufactured using the process and structure of the present invention, the separate insulating material layer may be omitted .

상기 발광패키지를 포함하는 장치로서 매우 다양한 종류의 장치들이 도출될 수 있는데 그 일예로 상기 기재는 백라이트유닛(BLU)의 요소로 구성된 것일 수 있으며, 상기 기재의 일 면 이상에는 백라이트유닛의 요소부품이 부착된 것과, 상기의 발광패키지 혹은 이를 이용한 백라이트 유닛을 포함하여 제조되는 영상표시장치가 제공될 수 있다. As a device including the light emitting package, a wide variety of devices can be derived. For example, the substrate may be composed of elements of a backlight unit (BLU), and at least one surface of the substrate may include component parts of the backlight unit. An image display apparatus manufactured by attaching the light emitting package or the backlight unit using the same may be provided.

또 다른 양태로서 상기의 발광패키지를 포함하여 제조되는 조명장치가 제공된다. 뿐만 아니라 상기 발광패키지는 백라이트유닛의 요소부품과 결합되어 제조됨을 특징으로 하는 백라이트유닛으로 완성될 수도 있다. As another aspect, there is provided a lighting apparatus including the light emitting package described above. In addition, the light emitting package may be completed as a backlight unit, characterized in that the manufacturing is combined with the component parts of the backlight unit.

상기 발광패키지는 복수 개의 발광칩이 병열 또는 직열로 연결된 발광패키지 유닛으로 제조하여 넓은 면적의 발광장치로 구성하거나 구동전압이 높은 고전압용으로 제조할 수도 있다.The light emitting package may be manufactured as a light emitting package unit in which a plurality of light emitting chips are connected in parallel or in series to constitute a light emitting device having a large area, or may be manufactured for a high voltage having a high driving voltage.

또 다른 양태로서 상기 발광칩과 접착표면 중 적어도 한 표면은 접착 특성을 향상시키기 위해 접착면 중 한 표면 이상에 엠보싱(EMBOSSING) 또는 그루브(GROOVE)를 형성한 특징의 발광패키지가 제공될 수 있다. In another embodiment, at least one surface of the light emitting chip and the adhesive surface may be provided with a light emitting package having embossing or grooves formed on at least one surface of the adhesive surface to improve adhesive properties.

상기의 발광칩의 발광면 전방으로는 형광체, 유연성 수지, 실리콘 수지, 보강수지, 광학렌즈, 반사막, 난반사층, 확산판 중에서 하나 이상을 추가로 포함하여 제조될 수 있다.The light emitting surface of the light emitting chip may further include at least one of a phosphor, a flexible resin, a silicone resin, a reinforcement resin, an optical lens, a reflective film, a diffuse reflection layer, and a diffusion plate.

도 1(가),(나),(다),(라)는 경화형수지를 이용한 발광패키지 제조공정을 간략하게 도시한 그림Figure 1 (a), (b), (c), (d) is a simplified view showing a light emitting package manufacturing process using a curable resin

도 2(가),(나)는 접착형 발광패키지 제조공정을 간략하게 도시한 그림Figure 2 (a), (b) is a simplified illustration of the manufacturing process of the adhesive light emitting package

도 3(가),(나),(다)는 접착형 발광패키지의 다양한 형태를 도시한 그림Figure 3 (a), (b), (c) is a diagram showing the various forms of adhesive light emitting package

도 4(가),(나)는 발광면 전방으로 충분히 연장 형성된 금속반사층을 구비한 발광패키지를 도시한 그림4A and 4B illustrate a light emitting package having a metal reflecting layer formed sufficiently extending in front of a light emitting surface.

도 5(가),(나)는 솔더링포인트가 발광면 전방에 형성되는 발광패키지를 도시한 그림 (다)는 도5(가)의 ZOOM부분을 확대한 그림Figure 5 (a) and (b) shows a light emitting package in which the soldering point is formed in front of the light emitting surface (c) is an enlarged view of the zoom portion of Figure 5 (a).

도 6 (가),(나)는 금속반사층겸 박막전극층이 발광칩의 후면에 형성된 발광패키지를 도시한 그림6 (a) and (b) show a light emitting package in which a metal reflection layer and a thin film electrode layer are formed on the rear surface of the light emitting chip.

1;발광칩 3;솔더링포인트 도전재(생략가능) 5;솔더링포인트접점재(한 층 이상의 코팅층을 구비한 것일 수 있음) 7;베이스기재(이형성 재료이거나 이형층이 코팅된 것일 수 있음-쉬트형 또는 필름형이 선호됨) 9;경화형수지(또는 광경화형수지) 11;패터닝 후에 발광칩 위에 잔류되는 경화형수지 13;패터닝 후 솔더링포인트접점재 위에 잔류되는 경화수지 (11과 13은 유연성몰드를 사용할 경우 남지 않을 수도 있음) 15;잔류 경화수지 제거 후에 형성된 투명도전 박막전극층 17;투명도전 박막전극층 위에 형성된 금속반사층(저항을 더 줄여주는 역할을 겸함) 19;기재 위에 형성된 투명도전 박막전극층 21;투명도전 박막전극층 위에 형성된 금속반사층 23;베이스기재 25;(투명도전) 접착제층 27;(투명도전) 박막전극층 29;베이스기 재 31;절연재(혹은 절연보강재-생략가능) 33;박막전극층(반사층) 35;후면 박막전극층 37;절연 박막층(필름) 39;후면 박막전극층(반사층 겸함) 41;잔류 경화형수지 제거 후에 형성된 투명도전 박막전극층 43;투명도전 박막전극층 위에 형성된 금속박막전극층(저항을 더 줄여줌) 45;잔류 경화형수지 제거 후에 형성된 투명도전 박막전극층 47;투명도전 박막전극층 위에 형성된 금속박막 전극층(저항을 더 줄여줌) 103;솔더링포인트(생략가능-접착제 또는 도전접착제로 대체가능) 117;금속반사층(저항을 더 줄여주는 역할을 겸함) 123;피코팅기재 (전사필름과 같은 역할을 하며, 제거 후에는 히트슬러그나 위크가 접착되거나 형성되는 부분) 201;(pcb)기재 위에 형성된 투명도전(박막)층 203;pcb기재 위에 형성된 도전층 1; light emitting chip 3; soldering point conductive material (optional) 5; soldering point contact material (may have one or more coating layers) 7; base material (may be a release material or coated with a release layer-sheet Type or film type is preferred) 9; Curable resin (or photocurable resin) 11; Curable resin remaining on the light emitting chip after patterning 13; Curable resin remaining on soldering point contact material after patterning (11 and 13 May be left when used) 15; transparent conductive thin film electrode layer 17 formed after removal of the residual cured resin; metal reflective layer formed on the transparent conductive thin film electrode layer (which also serves to further reduce resistance) 19; transparent conductive thin film electrode layer 21 formed on the substrate; Metal reflective layer 23 formed on the transparent conductive thin film electrode layer 23; base material 25; (transparent conductive) adhesive layer 27; (transparent conductive) thin film electrode layer 29; base material 31; insulating material (or insulating reinforcement material) 33; thin film electrode layer (reflective layer) 35; rear thin film electrode layer 37; insulated thin film layer (film) 39; rear thin film electrode layer (reflective layer) 41; transparent conductive thin film electrode layer 43 formed after removal of residual curable resin 43; over transparent conductive thin film electrode layer Formed metal thin film electrode layer (reduces further resistance) 45; transparent conductive thin film electrode layer 47 formed after removal of residual curable resin; metal thin film electrode layer formed on transparent conductive thin film electrode layer (reduces further resistance) 103; soldering point (optional adhesive) 117; metal reflective layer (also serves to further reduce resistance) 123; coated substrate (same as transfer film, after which heat slug or wick is bonded or formed) 201 ; transparent conductive (thin film) layer formed on (pcb) substrate 203; conductive layer formed on pcb substrate

Claims

A method of economically manufacturing a vertical light emitting package by omitting a wire bonding process, the method comprising preparing a vertical light emitting chip and / or a soldering point contact material and preparing a base material, and at least two or more of the light emitting chips And / or after the step B of mounting a soldering point contact material on the base substrate and the step A or B, supplying curable resin with a predetermined thickness on the substrate, curing the curable resin, and at least the curing. After at least one step has passed, at least a portion of the base substrate and / or the curable resin is removed to remove the foot toward the base substrate surface.

Exposing a portion of an optical chip and / or soldering point contact material, and a coating step of forming one or more conductive thin film layers on the surface of the resin layer and at least one surface of the light emitting chip and / or soldering point contact material; And a separation step of separating the light emitting package set including the light emitting chip into a light emitting package unit (UNIT) including a desired number of light emitting chips, wherein the separating step is carried out at least after the coating step. The thin film layer is formed in a state connected from at least a portion of the light emitting surface of the light emitting chip to the soldering point or the soldering point contact material through the surface of the curable resin, and thus has a thin film electrode layer function to replace the bonding wire. When the package is mounted on the circuit board It serves as a conductor to transfer the power applied to the soldering pad of the substrate to at least the light emitting surface (which is one electrode) of the light emitting chip, the light blocking rate due to the conductive thin film layer formed on the light emitting surface is Method for manufacturing a light emitting package, characterized in that the average value is less than 35%

A thin film electrode layer comprising at least one vertical light emitting chip and at least one surface portion of the light emitting chip, and a conductive thin film continuously formed to a peripheral portion beyond the surface; Bonding in the light emitting package is made of a curable resin layer that supports and reinforces at least a portion of the conductive thin film and a soldering point or soldering point contact material formed in a state of being bonded to the curable resin layer and electrically connected to the thin film electrode layer. In a vertical light emitting package containing no wires, the light emitting package has at least two places.

And a soldering point formed to be exposed to the outside to be soldered (or bonded) to the soldering pad of the circuit board, wherein at least one of the soldering points is a portion of which at least a portion of the soldering point is out of the surface of the light emitting chip. (E), the curable resin layer is cured after contact with the light emitting chip and / or soldering point contact material in an uncured state, the conductive thin film layer is a portion of the surface of the cured resin layer through the curing step The thin film is formed in such a manner as to replace the bonding wire, and is electrically connected to the soldering point or the soldering point contact material through a surface of the curable resin from a place including at least part of the light emitting surface of the light emitting chip. Formed into the conductive thin film layer formed on the light emitting surface of the light emitting chip. One light blocking rate is a light emitting package characterized in that the average value over the entire light emitting surface is 35% or less.

The conductive thin film layer formed on the light emitting surface (light emitting surface) side and the light emitting surface back side by forming a plurality of perforations in the curable resin around the light emitting chip in the second light emitting chip is formed on the side of the perforated portion Light emitting package characterized in that the structure is electrically connected to each other by

A method of economically manufacturing a vertical light emitting package by omitting a wire bonding process, the method comprising preparing a vertical light emitting chip and / or a soldering contact material, preparing a base material, and conducting at least one layer of conductive material on the base material. Coating a thin film, applying an adhesive to at least one of the light emitting chip surface, the soldering contact surface, and the conductive thin film layer surface on the base substrate, and at least two or more surfaces of the conductive thin film layer surface on the base substrate. A light emitting package unit including a desired number of light emitting chips from the step of adhering the light emitting chip and / or soldering contact material, curing the adhesive, and a light emitting package set including at least two light emitting chips; And a separation step of separating (dividing) into UNIT) and contacting the base substrate. The surface of the light emitting chip is a light emitting surface (light emitting surface) at least a portion of the light emitted from the light emitting layer is emitted in the direction of the adhesive surface, the light blocking rate due to the conductive thin film layer bonded to the light emitting surface (light emitting surface) The average value over the entire light emitting (light emitting) surface is 35% or less, and the light blocking rate due to all materials including the adhesive and the thin film electrode layer adhered on the light emitting surface is 40% the average value over the whole light emitting (light emitting) surface. The conductive thin film layer is a thin film that replaces the bonding wire, at least a portion of which is electrically connected to the light emitting surface of the light emitting chip, and another portion of the conductive thin film layer is bonded to the soldering point or the soldering point contact material. Light emitting package manufacturing method characterized in that

The method of claim 4, wherein the base substrate further comprises a substrate removing step of removing and removing in a step after the step of curing the adhesive light-emitting package, characterized in that

The method of claim 1 or 4, wherein the transparent substrate is a light emitting chip has a portion that forms a square with the surface to be soldered (adhesive), the thin film layer formed on the inclined portion is characterized in that it comprises at least one metal reflection layer Light emitting package manufacturing method

A vertical light emitting package in which a bonding wire is omitted, wherein the thin film electrode layer and the conductive thin film layer are formed of one or more vertical light emitting chips and a conductive thin film that is formed at least one surface portion of the light emitting chip and continuously formed to a peripheral portion beyond the surface. An adhesive layer and the thin film electrode layer interposed between the base substrate layer and at least one surface of the vertical light emitting chip and the thin film electrode layer, which support and reinforce at least a portion of the conductive thin film formed on at least a peripheral portion beyond the surface of the light emitting chip. It consists of a soldering point or soldering point contact material formed in electrical connection with the

A vertical type light emitting package containing no bonding wires, wherein the adhesive surface of the light emitting chip includes at least a light emitting (light emitting) surface, and the light emitting package is exposed to at least two places; Formed so that it can be soldered (or glued) to a soldering pad of the circuit board; And a soldering point, wherein at least one of the soldering points is present in a portion E of which at least a portion thereof is out of the surface of the light emitting chip, and the conductive thin film is first coated on the base substrate, and then the light emission Light-emitting package, characterized in that electrically connected by bonding to the surface and / or soldering point contact material by the adhesive layer

8. The conductive thin film layer of claim 2, wherein the conductive thin film layer is a thin film that replaces the bonding wire and is electrically connected to the soldering point or the soldering point contact material from a place including at least part of the light emitting surface of the light emitting layer. The light blocking rate due to the conductive thin film layer adhered to the light emitting surface of the light emitting chip has an average value of 35% or less over the entire light emitting surface.

At least a portion of said base substrate and / or adhesive layer after said curing step; From the state of being adhered to the conductive thin film (thin electrode layer); Light-emitting package, characterized in that it was prepared by further performing the step of removing

The light emitting package of claim 2 or 7, wherein the conductive thin film comprises a transparent conductive thin film and / or a metal reflector.

The light emitting package of claim 2 or 7, wherein the transparent substrate is prepared by including a phosphor or coating a surface thereof.

The light emitting package of claim 2 or 7, wherein at least a part of the reflector is formed at an acute angle with the light emitting surface to mainly reflect the light emitted from the light emitting chip toward the side surface.

Back light unit, characterized in that it comprises a light emitting package as described in claim 2

An image display device comprising the light emitting package described in claim 2 or 7.

An illumination device comprising the light emitting package described in claim 2 or 7.

The method of claim 2 or 7, further comprising the step of calculating the number of light-emitting chips connected directly to meet the high voltage specified in the step before cutting the light emitting package, and cutting to include the light emitting chips according to the calculation. Light emitting package characterized in that it is cut and then configured to be suitable for high voltage application