JP5368277B2 - Light emitting module and light source device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent unevenness of luminance of a plurality of LED chips arranged in a line on a support substrate. <P>SOLUTION: In a light emitting module, a plurality of LED chips 12 are arranged in a line on a support substrate 11, and a first wiring pattern 14 and a second wiring pattern 15 having a first feeding terminal 14c and a second feeding terminal 15c, respectively, are provided, wherein each of the first and second feeding terminals is provided at a center in the longitudinal direction of the support substrate 11. A current is supplied from the first feeding terminal 14c in the first wiring pattern 14 to each LED chip 12, and flows to the second feeding terminal 15c in the second wiring pattern 15. While each current route for each LED chip 12 has equal wiring resistance per unit length, the current route becomes longer as a distance between the center in the arrangement direction of the LED chips 12 and each LED chip 12 becomes longer, so that the entire wiring resistance becomes larger. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、発光モジュール、および、発光モジュールを用いた光源装置に関する。   The present invention relates to a light emitting module and a light source device using the light emitting module.

各種照明器具に装着して使用される光源装置として、近年、LED(Light Emitting Diode)チップ等の半導体発光素子が実装基板上に実装されたLEDモジュール(発光モジュール)が、直下形、直管形蛍光灯の代替照明として使用されるようになっている。また、液晶テレビなどの液晶表示装置では、液晶パネルの背面に光を照射する光源装置(バックライトユニット)の線状光源としても、LEDモジュールが使用されるようになっている。   In recent years, LED modules (light-emitting modules) in which semiconductor light-emitting elements such as LED (Light Emitting Diode) chips are mounted on a mounting substrate are used as light source devices that are mounted on various lighting fixtures. It has come to be used as alternative lighting for fluorescent lamps. Further, in a liquid crystal display device such as a liquid crystal television, an LED module is also used as a linear light source of a light source device (backlight unit) that irradiates light on the back of a liquid crystal panel.

バックライトユニットでは、特許文献1に開示されているように、複数のLED(Light Emitting Diode)チップを用いた線状光源から導光板の側面に光を照射して、導光板の側面を通って内部に進入した光を、相互に対向する表面および裏面にて反射させて伝搬させる間に、導光板の表面から出射させて、液晶パネルに照射するエッジライト方式が知られている。   In the backlight unit, as disclosed in Patent Document 1, light is applied to the side surface of the light guide plate from a linear light source using a plurality of LED (Light Emitting Diode) chips, and the light passes through the side surface of the light guide plate. An edge light system is known in which light entering the inside is emitted from the surface of a light guide plate and irradiated onto a liquid crystal panel while being reflected and propagated on the front and back surfaces facing each other.

特許文献1に開示された光源装置では、導光板の側面に沿って複数の高輝度LEDを1列に配列した線状光源が使用されている。高輝度LEDは、異なる電圧が印加されるように2つのグループに分けられて、それぞれのグループ毎に直列接続されている。
また、液晶テレビのような大型の液晶パネルを使用する場合には、バックライトユニットの線状光源も大型になるために、多数のLEDチップを使用する必要がある。このような場合、製造工程の簡略化等のために、線状光源として、特許文献2に開示されているように、複数のLEDモジュールを使用するようになっている。各LEDモジュールは、所定個数のLEDチップを支持基板上に一定のピッチで直線状に配列して構成されている。
In the light source device disclosed in Patent Document 1, a linear light source in which a plurality of high-brightness LEDs are arranged in a line along the side surface of the light guide plate is used. The high-brightness LEDs are divided into two groups so that different voltages are applied, and are connected in series for each group.
When a large liquid crystal panel such as a liquid crystal television is used, the linear light source of the backlight unit is also large, and thus it is necessary to use a large number of LED chips. In such a case, a plurality of LED modules are used as a linear light source as disclosed in Patent Document 2 in order to simplify the manufacturing process. Each LED module is configured by linearly arranging a predetermined number of LED chips on a support substrate at a constant pitch.

図10は、バックライトユニットの線状光源として用いられるLEDモジュール60の概略構成を示す平面図である。このLEDモジュール60は、支持基板61と、この支持基板61上に、一定のピッチで支持基板の長手方向に沿って1列に配列された複数個のLEDチップ62とを有している。
支持基板61上には、各LEDチップ62に対して通電するための第1配線パターン64および第2配線パターン65が、支持基板61の幅方向の中央部を挟んだ両側に設けられている。第1配線パターン64は、支持基板11における長手方向に沿った直線状に形成された第1配線バス64aと、第1配線バス64aから各LEDチップ62に向ってそれぞれ分岐した複数の第1ボンディング部64bとを有している。
FIG. 10 is a plan view showing a schematic configuration of the LED module 60 used as a linear light source of the backlight unit. The LED module 60 includes a support substrate 61 and a plurality of LED chips 62 arranged on the support substrate 61 in a line at a constant pitch along the longitudinal direction of the support substrate.
On the support substrate 61, a first wiring pattern 64 and a second wiring pattern 65 for energizing each LED chip 62 are provided on both sides of the support substrate 61 across the central portion in the width direction. The first wiring pattern 64 includes a first wiring bus 64a formed in a linear shape along the longitudinal direction of the support substrate 11, and a plurality of first bondings branched from the first wiring bus 64a toward the LED chips 62, respectively. Part 64b.

第2配線パターン65も、同様に、支持基板11における長手方向に沿った直線状に形成された第2配線バス65aと、第2配線バス65aから各LEDチップ62に向ってそれぞれ分岐した複数の第2ボンディング部65bとを有している。
各LEDチップ62は、第1ボンディング部64bのそれぞれの先端部および第2ボンディング部65bのそれぞれの先端部と、第1ボンディングワイヤー18aおよび第2ボンディングワイヤー18bによって、それぞれ電気的に接続されている。
Similarly, the second wiring pattern 65 also includes a second wiring bus 65a formed in a straight line along the longitudinal direction of the support substrate 11, and a plurality of branches branched from the second wiring bus 65a toward the LED chips 62, respectively. And a second bonding portion 65b.
Each LED chip 62 is electrically connected to the respective leading end portions of the first bonding portion 64b and the respective leading end portions of the second bonding portion 65b by the first bonding wire 18a and the second bonding wire 18b. .

第1配線バス64aおよび第2配線バス65aには、各LEDチップ62に通電するための電流が供給される第1給電端子66および第2給電端子67が設けられている。第1給電端子66および第2給電端子67は、通常、支持基板11の長手方向の両側の各端部にそれぞれ配置されている。   The first wiring bus 64a and the second wiring bus 65a are provided with a first power feeding terminal 66 and a second power feeding terminal 67 to which a current for energizing each LED chip 62 is supplied. The first power supply terminal 66 and the second power supply terminal 67 are normally disposed at each end on both sides of the support substrate 11 in the longitudinal direction.

特開2006−127798号公報JP 2006-127798 A 特開2009−152209号公報JP 2009-152209 A

このような構成のLEDモジュール60では、それぞれのLEDチップ62に対して第1配線パターン64および第2配線パターン65によって形成される電流経路の長さは、第1配線バス64aにおける第1給電端子64cに接続された一方の端部から、各LEDチップ62を通って、2配線パターン65における第2給電端子67に接続された他方までの長さになる。従って、各LEDチップ62に対して形成されるそれぞれの電流経路の長さが等しくなっている。   In the LED module 60 having such a configuration, the length of the current path formed by the first wiring pattern 64 and the second wiring pattern 65 for each LED chip 62 is the first power supply terminal in the first wiring bus 64a. The length is from one end connected to 64c to the other connected to the second power supply terminal 67 in the two wiring patterns 65 through each LED chip 62. Therefore, the length of each current path formed with respect to each LED chip 62 is equal.

また、各LEDチップ62では、電流が供給されて発光状態になることにより発熱して高温になると発光効率が低下して、輝度が低下することが知られている。このために、図10に示すような構成のLEDモジュール60は、通常、支持基板61がヒートシンクに取り付けられて、各LEDチップ62にて発生する熱をヒートシンクによって放熱するようになっている。   Further, it is known that each LED chip 62 generates light and emits light when it is in a light emitting state, so that the light emitting efficiency decreases and the luminance decreases when the temperature rises. For this reason, the LED module 60 configured as shown in FIG. 10 is usually configured such that the support substrate 61 is attached to a heat sink and the heat generated in each LED chip 62 is dissipated by the heat sink.

この場合、支持基板61上の各LEDチップ62は、隣接するLEDチップ62との間隔が1mm以下と短くなっており、隣接するLEDチップ62が高温になると、その影響を受けて効率よく放熱することができないという問題がある。支持基板61の両側の端部に配置されたLEDチップ62は、片側にしかLEDチップが配置されていないために、比較的効率よく放熱されるが、支持基板61における長手方向の中央部に配置されたLEDチップ62は、周囲のLEDチップ62の発熱の影響を大きく受けることになり、効率よく放熱されない。   In this case, each LED chip 62 on the support substrate 61 is as short as 1 mm or less between the adjacent LED chips 62, and when the adjacent LED chips 62 become high temperature, the heat is efficiently dissipated under the influence. There is a problem that can not be. The LED chips 62 arranged at both ends of the support substrate 61 are radiated relatively efficiently because the LED chips are arranged only on one side, but are arranged at the center in the longitudinal direction of the support substrate 61. The formed LED chip 62 is greatly affected by the heat generated by the surrounding LED chips 62 and is not efficiently dissipated.

従って、支持基板61における長手方向の中央部に配置されたLEDチップ62は、支持基板61における長手方向の各端部に配置されたLEDチップよりも高温になり、低輝度になる。
図11(a)は、支持基板61における長手方向に沿って配置された全てのLEDチップ62における当該長手方向に沿った熱分布および輝度分布を示すグラフである。支持基板61における長手方向の各端部に配置されたLEDチップ62は、効率よく放熱されるために温度上昇が抑制され、高輝度になっている。これに対して、支持基板61における長手方向の中央部に配置されたLEDチップ62は、放熱効率が悪く、高温になるために低輝度になる。
Therefore, the LED chip 62 disposed at the center portion in the longitudinal direction of the support substrate 61 has a higher temperature and lower brightness than the LED chips disposed at each end portion of the support substrate 61 in the longitudinal direction.
FIG. 11A is a graph showing heat distribution and luminance distribution along the longitudinal direction of all LED chips 62 arranged along the longitudinal direction of the support substrate 61. The LED chip 62 disposed at each end in the longitudinal direction of the support substrate 61 is efficiently radiated to suppress a temperature rise and to have high luminance. On the other hand, the LED chip 62 disposed in the center portion in the longitudinal direction of the support substrate 61 has low heat dissipation efficiency and low brightness due to high temperature.

また、第1配線パターン64および第2配線パターン65は、通常、導電性のある材料(例えば、銅、タングステン等)によって一定幅および一定厚さにパターニングされるために、第1配線パターン64および第2配線パターン65は、単位長さ当たりの配線抵抗が全体にわたって一定になっている。従って、前述したように、各LEDチップ62に対するそれぞれの電流経路の長さが等しくなっていると、図11(b)に示すように、各LEDチップ62に対するそれぞれの電流経路の全体の配線抵抗が等しくなり、その結果、配線抵抗によっては各LEDチップ62それぞれの輝度は変化せず一定になる。   In addition, since the first wiring pattern 64 and the second wiring pattern 65 are usually patterned with a constant width and a constant thickness by a conductive material (for example, copper, tungsten, etc.), the first wiring pattern 64 and In the second wiring pattern 65, the wiring resistance per unit length is constant throughout. Therefore, as described above, if the length of each current path for each LED chip 62 is equal, the overall wiring resistance of each current path for each LED chip 62 is shown in FIG. As a result, the luminance of each LED chip 62 does not change depending on the wiring resistance and becomes constant.

以上のことから、LEDモジュール60における全LEDチップ62の輝度は、図11(a)および図11(b)のそれぞれにて示される分布状態になった輝度を合算したものとなる。その結果、図11(c)に示すように、各LEDチップ62は、放熱効率の影響によって、支持基板61の長手方向の中央部においては低輝度になり、両側の端部に近づくほど高輝度になる。従って、LEDモジュール60から照射される光は、支持基板61の長手方向に沿って輝度ムラが生じることになる。   From the above, the luminance of all the LED chips 62 in the LED module 60 is the sum of the luminance in the distribution state shown in each of FIGS. 11 (a) and 11 (b). As a result, as shown in FIG. 11C, each LED chip 62 has a low brightness at the center in the longitudinal direction of the support substrate 61 due to the influence of the heat dissipation efficiency, and the brightness increases as it approaches the ends on both sides. become. Therefore, the light emitted from the LED module 60 causes luminance unevenness along the longitudinal direction of the support substrate 61.

LEDモジュール60から照射される光に輝度ムラが生じると、LEDモジュール60をバックライトユニットとして使用する場合には、LEDモジュール60から導光板内に進入して、導光板の表面から液晶パネルに照射される光に輝度ムラが生じることになり、液晶パネルにおいて表示される画像の品位が低下するおそれがある。
なお、LEDモジュール60は、バックライトユニットとして使用する場合に限らず、直下形、直管形蛍光灯等の代替照明として使用する場合にも、輝度ムラが生じることにより、照明光源としての性能が低下することになる。
When uneven brightness occurs in the light emitted from the LED module 60, when the LED module 60 is used as a backlight unit, the LED module 60 enters the light guide plate and irradiates the liquid crystal panel from the surface of the light guide plate. As a result, luminance unevenness occurs in the emitted light, and the quality of an image displayed on the liquid crystal panel may be deteriorated.
Note that the LED module 60 is not limited to being used as a backlight unit, but also when used as alternative lighting such as a direct type or a straight tube type fluorescent lamp, the luminance unevenness occurs, so that the performance as an illumination light source is improved. Will be reduced.

本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、列状に配列された複数の半導体発光素子から照射される光に輝度ムラが生じることを防止することができる発光モジュールおよび光源装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to emit light that can prevent uneven brightness from occurring in light emitted from a plurality of semiconductor light emitting elements arranged in a row. It is to provide a module and a light source device.

上記目的を達成するため、本発明に係る発光モジュールは、基板上に複数の半導体発光素子が列状に配列された発光モジュールであって、前記基板上に、一対の給電端子を含む配線パターンが設けられており、当該配線パターンは、1個または隣り合う複数個の半導体発光素子毎に、一方の給電端子から他方の給電端子まで電流が流れる複数の電流経路を含み、前記複数の電流経路における配線抵抗は、配列方向の中央に位置する半導体発光素子に至る電流経路の配線抵抗が最も低く、当該中央からの距離が大きな半導体発光素子に至る電流経路ほど、配線抵抗が大きく設定されていることを特徴とする。   In order to achieve the above object, a light emitting module according to the present invention is a light emitting module in which a plurality of semiconductor light emitting elements are arranged in a row on a substrate, and a wiring pattern including a pair of power supply terminals is formed on the substrate. The wiring pattern includes a plurality of current paths through which current flows from one power supply terminal to the other power supply terminal for one or a plurality of adjacent semiconductor light emitting elements. The wiring resistance has the lowest wiring resistance in the current path leading to the semiconductor light emitting element located at the center in the arrangement direction, and the wiring resistance is set to be larger for the current path leading to the semiconductor light emitting element with a larger distance from the center. It is characterized by.

また、本発明に係る光源装置は、前記発光モジュールを有することを特徴とする。   Moreover, the light source device according to the present invention includes the light emitting module.

本発明の発光モジュールでは、それぞれの半導体発光素子に通電するための電流経路の配線抵抗が、配列方向の中央に位置する半導体発光素子が最も低く、当該中央からの距離が大きくなった半導体発光素子に至る電流経路ほど配線抵抗が大きく設定されているために、配列方向の中央に配置する半導体発光素子ほど高輝度になる。これにより、配列方向の中央に位置する半導体発光素子ほど、放熱効率が悪く低輝度になることによって全ての半導体発光素子の配列方向に沿って生じる輝度ムラを抑制することができる。   In the light emitting module of the present invention, the semiconductor light emitting element in which the wiring resistance of the current path for energizing each semiconductor light emitting element is the lowest in the semiconductor light emitting element located at the center in the arrangement direction, and the distance from the center is increased. Since the wiring resistance is set to be larger in the current path extending to, the semiconductor light emitting element arranged at the center in the arrangement direction has higher luminance. Thereby, as the semiconductor light emitting element located at the center in the arrangement direction has a lower heat dissipation efficiency and lower luminance, luminance unevenness generated along the arrangement direction of all the semiconductor light emitting elements can be suppressed.

本発明の実施形態に係るLEDモジュールが使用された光源装置(バックライトユニット)の概略構成を示す分解斜視図。The disassembled perspective view which shows schematic structure of the light source device (backlight unit) in which the LED module which concerns on embodiment of this invention was used. その光源装置における主要部の構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the principal part in the light source device. 図2に示す主要部を分解して示す斜視図。The perspective view which decomposes | disassembles and shows the principal part shown in FIG. その光源装置に使用されるLEDモジュールの平面図。The top view of the LED module used for the light source device. 図4のA−A線における断面図。Sectional drawing in the AA of FIG. (a)は、そのLEDモジュールの配線抵抗に基づく長手方向に沿った輝度分布を示すグラフ、(b)は、そのLEDモジュールの放熱効率に基づく長手方向に沿った輝度分布を示すグラフ、(c)は、そのLEDモジュールの配線抵抗および放熱効率を考慮した長手方向に沿った輝度分布を示すグラフ。(A) is a graph showing the luminance distribution along the longitudinal direction based on the wiring resistance of the LED module, (b) is a graph showing the luminance distribution along the longitudinal direction based on the heat dissipation efficiency of the LED module, (c) ) Is a graph showing the luminance distribution along the longitudinal direction in consideration of the wiring resistance and heat dissipation efficiency of the LED module. 本実施形態の変形例におけるLEDモジュールの平面図。The top view of the LED module in the modification of this embodiment. 本発明の別の実施形態におけるLEDモジュールの平面図。The top view of the LED module in another embodiment of this invention. 本発明のさらに別の実施形態におけるLEDモジュールの平面図。The top view of the LED module in another embodiment of this invention. 従来のLEDモジュールの平面図。The top view of the conventional LED module. (a)は、そのLEDモジュールの配線抵抗に基づく長手方向に沿った輝度分布を示すグラフ、(b)は、そのLEDモジュールの放熱効率に基づく長手方向に沿った輝度分布を示すグラフ、(c)は、そのLEDモジュールの配線抵抗および放熱効率を考慮した長手方向に沿った輝度分布を示すグラフ。(A) is a graph showing the luminance distribution along the longitudinal direction based on the wiring resistance of the LED module, (b) is a graph showing the luminance distribution along the longitudinal direction based on the heat dissipation efficiency of the LED module, (c) ) Is a graph showing the luminance distribution along the longitudinal direction in consideration of the wiring resistance and heat dissipation efficiency of the LED module.

以下、本発明の実施形態について説明する。
<第1実施形態>
図1は、本発明の実施形態に係る発光モジュール(LEDモジュール)が使用された光源装置の概略構成を示す分解斜視図である。図1において、X軸方向が光源装置の厚み方向(X軸(+)方向が光源装置の光取出方向)、Y軸方向が光源装置の左右方向(長手方向)、Z軸方向が光源装置の上下方向(幅方向)である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
<First Embodiment>
FIG. 1 is an exploded perspective view showing a schematic configuration of a light source device using a light emitting module (LED module) according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the X-axis direction is the thickness direction of the light source device (the X-axis (+) direction is the light extraction direction of the light source device), the Y-axis direction is the left-right direction (longitudinal direction) of the light source device, and the Z-axis direction is the light source device. The vertical direction (width direction).

図1に示すように、本実施形態に係る光源装置は、エッジライト(サイドライト)型のバックライトユニットであって、導光板30と、導光板30の一側面31に光を照射する線状光源として機能する複数のLEDモジュール(発光モジュール)10と、これら導光板30およびLEDモジュール10を内部に収容する筐体41とを有している。
各LEDモジュール10には、複数のLEDチップ(半導体発光素子)12(図3参照)が1列に配列されており、導光板30は、LEDモジュール10から照射される光を、光取出方向であるX軸(+)方向に出射する。
As shown in FIG. 1, the light source device according to the present embodiment is an edge light (side light) type backlight unit, and is a linear shape that irradiates light to a light guide plate 30 and one side surface 31 of the light guide plate 30. It has the some LED module (light emitting module) 10 which functions as a light source, and the housing | casing 41 which accommodates these light-guide plates 30 and LED module 10 inside.
Each LED module 10 has a plurality of LED chips (semiconductor light emitting elements) 12 (see FIG. 3) arranged in a line, and the light guide plate 30 emits light emitted from the LED module 10 in the light extraction direction. The light is emitted in a certain X-axis (+) direction.

筐体41は、例えば亜鉛メッキ鋼板等の金属によって、X軸方向の厚さが薄く、光取出方向であるX軸(+)方向に開放された箱型に形成されている。
筐体41内に収容された導光板30における光取出方向とは反対側の裏面(背面)には、反射シート46が積層されている。導光板30の光取出方向側の表面(正面)には、拡散シート42、プリズムシート43および、偏光シート44が、その順番で積層されている。偏光シート44上には、4つの枠材42a、42b、42c、42dによって長方形の枠状に形成された枠体45が配置されており、枠体45によって導光板30が筐体41内固定されている。
The casing 41 is formed of a metal such as a galvanized steel plate, for example, in a box shape that is thin in the X-axis direction and opened in the X-axis (+) direction that is the light extraction direction.
A reflection sheet 46 is laminated on the back surface (back surface) opposite to the light extraction direction in the light guide plate 30 accommodated in the housing 41. On the surface (front surface) of the light guide plate 30 on the light extraction direction side, a diffusion sheet 42, a prism sheet 43, and a polarizing sheet 44 are laminated in that order. On the polarizing sheet 44, a frame body 45 formed in a rectangular frame shape by four frame members 42a, 42b, 42c, and 42d is disposed, and the light guide plate 30 is fixed in the housing 41 by the frame body 45. ing.

導光板30の一側面31に沿って配置された複数のLEDモジュール10は、筐体41の内部に設けられたヒートシンク21に取り付けられており、全てのLEDモジュール10が、FPC(フレキシブルプリント配線板)22によって接続されている。
導光板30は、例えばPC(ポリカーボネート)樹脂製であり、X軸方向の寸法(厚み)が約4mm、Y軸方向の寸法(長手方向の寸法)が約1040mm、Z軸方向の寸法(短手方向の寸法)が約600mmの平板形状に構成されている。導光板30の一側面31には、LEDモジュール10からの光が照射され、その光が導光板30の内部に進入する。導光板30の表面(正面)には、LEDモジュール10からの距離に応じて表面の反射率が順次変化するようにドットパターン(不図示)が形成されている。
The plurality of LED modules 10 arranged along one side surface 31 of the light guide plate 30 are attached to a heat sink 21 provided inside the housing 41, and all the LED modules 10 are connected to an FPC (flexible printed wiring board). ) 22.
The light guide plate 30 is made of, for example, PC (polycarbonate) resin, and has a dimension (thickness) in the X-axis direction of about 4 mm, a dimension in the Y-axis direction (longitudinal dimension) of about 1040 mm, and a dimension in the Z-axis direction (short). The dimension in the direction) is approximately 600 mm. One side surface 31 of the light guide plate 30 is irradiated with light from the LED module 10, and the light enters the light guide plate 30. A dot pattern (not shown) is formed on the surface (front surface) of the light guide plate 30 so that the reflectance of the surface sequentially changes according to the distance from the LED module 10.

導光板30の背面に設けられた反射シート46は、例えばPET(ポリエチレンテレフタレート)製の略長方形のシートであって、導光板30の背面において光を反射させるようになっている。なお、反射シート46は、金属光沢を有する金属箔、Agシート等であっても良い。
拡散シート42は、例えばPETまたはPC樹脂によって略長方形状に形成されており、導光板30の正面にほぼ密着した状態になっている。
The reflection sheet 46 provided on the back surface of the light guide plate 30 is a substantially rectangular sheet made of, for example, PET (polyethylene terephthalate), and reflects light on the back surface of the light guide plate 30. The reflection sheet 46 may be a metallic foil having metallic luster, an Ag sheet, or the like.
The diffusion sheet 42 is formed in a substantially rectangular shape using, for example, PET or PC resin, and is in close contact with the front surface of the light guide plate 30.

拡散シート42に積層されたプリズムシート43は、例えばポリエステル樹脂からなる面材の一方の表面にアクリル樹脂で均一なプリズムパターンを成形してなる透光性を有する略長方形状の光学シートである。
プリズムシート43に積層された偏光シート44は、例えば、ポリカーボネート(PC)フィルム、あるいはPEN(ポリエチレンナフタレート)フィルムを延伸した位相差フィルムとポリエステルフィルムとをアクリル系樹脂によって接合したものであり、略長方形に形成されている。
The prism sheet 43 laminated on the diffusion sheet 42 is a substantially rectangular optical sheet having translucency obtained by forming a uniform prism pattern with an acrylic resin on one surface of a face material made of polyester resin, for example.
The polarizing sheet 44 laminated on the prism sheet 43 is obtained by bonding a retardation film obtained by stretching a polycarbonate (PC) film or a PEN (polyethylene naphthalate) film and a polyester film with an acrylic resin, for example. It is formed in a rectangle.

導光板30の内部に進入した光は、導光板30の正面および背面にて反射を繰り返すことによって導光板30の内部を伝搬し、その伝搬の間に、拡散および平均化されて、導光板30の正面から出射される。導光板30の正面から出射された光は、拡散シート42、プリズムシート43、および、偏光シート44を透過し、枠体45にて囲まれた領域である光取出口から、例えば液晶パネルに照射される。   The light that has entered the inside of the light guide plate 30 propagates through the light guide plate 30 by being repeatedly reflected on the front and back surfaces of the light guide plate 30, and is diffused and averaged during the propagation. Is emitted from the front. The light emitted from the front surface of the light guide plate 30 passes through the diffusion sheet 42, the prism sheet 43, and the polarizing sheet 44, and irradiates, for example, a liquid crystal panel from a light outlet that is surrounded by the frame body 45. Is done.

筐体41の背面には点灯回路48が取り付けられている。点灯回路48は、各LEDモジュール10に電流を供給し、また、各LEDモジュール10に流れる電流を制御する。なお、点灯回路48は筐体41の内部に設けてもよく、例えば、いずれかのLEDモジュール10に取り付ける構成としてもよい。このような構成では、点灯回路48と外部との接続ラインが、当該点灯回路48を動作させるための電源ライン、および、明るさを調整するための制御信号ラインだけとなり、結線を簡略化することができる。   A lighting circuit 48 is attached to the back surface of the casing 41. The lighting circuit 48 supplies a current to each LED module 10 and controls a current flowing through each LED module 10. The lighting circuit 48 may be provided inside the housing 41, and may be configured to be attached to any of the LED modules 10, for example. In such a configuration, the connection line between the lighting circuit 48 and the outside is only a power supply line for operating the lighting circuit 48 and a control signal line for adjusting the brightness, thereby simplifying the connection. Can do.

図2は、光源装置(バックライトユニット)におけるLEDモジュール10、ヒートシンク21、FPC22の構成を示す斜視図、図3は、その分解図である。
図2および図3に示すように、各LEDモジュール10は、それぞれ同様の構造になっており、複数のLEDモジュール10が、ヒートシンク21上に、導光板30の一つの側面31のほぼ全長にわたって対向するように、一直線に配列されている。
2 is a perspective view showing the configuration of the LED module 10, the heat sink 21, and the FPC 22 in the light source device (backlight unit), and FIG. 3 is an exploded view thereof.
As shown in FIG. 2 and FIG. 3, each LED module 10 has the same structure, and the plurality of LED modules 10 are opposed to the heat sink 21 over almost the entire length of one side 31 of the light guide plate 30. Are arranged in a straight line.

各LEDモジュール10は、表面が導光板30の一側面31に沿って長くなった支持基板11と、支持基板11における導光板30の一側面31に対向する表面上に搭載された複数個のLEDチップ(半導体発光素子)12とを備えており、全てのLEDチップ12が蛍光体含有樹脂19によって封止されている。
ヒートシンク21は、図3に示すように、各LEDモジュール10が搭載される搭載面21aを有しており、この搭載面21aに連続する一方の側面21bに沿うようにFPC22が配置されている。FPC22は、ヒートシンク21の側面21bにおいて各LEDモジュール10に沿って一直線に配置された本体部22fと、それぞれのLEDモジュール10における長手方向のほぼ中央部の裏面に対向するように、本体部22fからそれぞれ分岐した接続部22gとを有しており、各接続部22gが、ヒートシンク21に設けられた凹部21a内に嵌合されるように屈曲されて、各支持基板11の裏面に接続されている。
Each LED module 10 includes a support substrate 11 whose surface is elongated along one side surface 31 of the light guide plate 30, and a plurality of LEDs mounted on the surface of the support substrate 11 facing the one side surface 31 of the light guide plate 30. A chip (semiconductor light emitting element) 12 is provided, and all LED chips 12 are sealed with a phosphor-containing resin 19.
As shown in FIG. 3, the heat sink 21 has a mounting surface 21a on which each LED module 10 is mounted, and the FPC 22 is arranged along one side surface 21b continuous to the mounting surface 21a. The FPC 22 extends from the main body portion 22f so as to face the main body portion 22f arranged in a straight line along the LED modules 10 on the side surface 21b of the heat sink 21 and the back surface of the substantially central portion of each LED module 10 in the longitudinal direction. Each connection portion 22g is bent so as to be fitted into a recess 21a provided in the heat sink 21, and connected to the back surface of each support substrate 11. .

図4は、LEDモジュール10の平面図、図5は、図4のA−A線における断面図である。支持基板11は、例えば、セラミックによって、長さ50mm、幅5mm、厚さ10mmの帯板状に形成された単層構造である。支持基板11に設けられた各LEDチップ12は、導光板30の側面31に対向する表面が発光面になっており、支持基板11の幅方向の中央部に、一定の間隔(例えば1mm)をあけた状態で、それぞれ、ダイアタッチ剤17(図5参照)によってダイボンディングされている。   4 is a plan view of the LED module 10, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. The support substrate 11 has a single-layer structure formed, for example, from ceramic into a strip shape having a length of 50 mm, a width of 5 mm, and a thickness of 10 mm. Each LED chip 12 provided on the support substrate 11 has a light emitting surface on the surface facing the side surface 31 of the light guide plate 30, and a constant interval (for example, 1 mm) is provided at the center in the width direction of the support substrate 11. In the opened state, each is die-bonded with a die attach agent 17 (see FIG. 5).

支持基板11の表面には、一対の第1配線パターン14および第2配線パターン15が設けられている。図4に示すように、支持基板11の表面に設けられた第1配線パターン14は、支持基板11における長手方向に沿った一方の側縁部に、当該長手方向に沿って直線状に形成された第1配線バス14aを有している。この第1配線バス14aの長手方向の各端部は、支持基板11の長手方向両側に位置する各端部にそれぞれ配置されたLEDチップ12に対して、支持基板11の幅方向に隣接している。   A pair of first wiring patterns 14 and a second wiring pattern 15 are provided on the surface of the support substrate 11. As shown in FIG. 4, the first wiring pattern 14 provided on the surface of the support substrate 11 is formed linearly along the longitudinal direction on one side edge portion along the longitudinal direction of the support substrate 11. The first wiring bus 14a is also provided. Each end of the first wiring bus 14 a in the longitudinal direction is adjacent to the LED chip 12 disposed at each end located on both sides of the support substrate 11 in the width direction of the support substrate 11. Yes.

第1配線バス14aには、LEDチップ12毎に、支持基板11の幅方向に沿うように分岐する第1ボンディング部14bがそれぞれ設けられている。第1ボンディング部14bは、各LEDチップ12に対して、長手方向の片側の側方において支持基板11の幅方向に沿った状態で、各LEDチップ12のピッチに等しいピッチで分岐している。
第1ボンディング部14bは、それぞれ等しい幅寸法になっており、また、第1配線バス14aの幅寸法にも等しくなっている。第1ボンディング部14bのそれぞれの先端部は、各LEDチップ12の側方を通過して、支持基板11における第1配線バス14aが設けられた側縁部とは反対側の側縁部近傍にまで達している。
The first wiring bus 14 a is provided with a first bonding portion 14 b that branches along the width direction of the support substrate 11 for each LED chip 12. The first bonding portion 14b branches off with respect to each LED chip 12 at a pitch equal to the pitch of each LED chip 12 in a state along the width direction of the support substrate 11 on one side in the longitudinal direction.
The first bonding portions 14b have the same width dimension, and are also equal to the width dimension of the first wiring bus 14a. Each front end portion of the first bonding portion 14b passes through the side of each LED chip 12 and is in the vicinity of the side edge portion of the support substrate 11 opposite to the side edge portion on which the first wiring bus 14a is provided. Has reached.

第1配線バス14aおよび各第1ボンディング部14bは、所定の導電率を有する導電性材料(例えばAgペースト)によって、一定の厚さにおよび一定の幅寸法で、一体的にパターニングされている。従って、第1配線パターン14の単位長さ当たりの配線抵抗は、一定になっている。なお、本発明で使用可能な上記導電性材料としては、Agペーストに限定されるものではなく、例えば、タングステン、銅、Ag−Pdペースト、金ペーストなどであってもよい。   The first wiring bus 14a and the first bonding portions 14b are integrally patterned with a constant thickness and a constant width by a conductive material (eg, Ag paste) having a predetermined conductivity. Accordingly, the wiring resistance per unit length of the first wiring pattern 14 is constant. The conductive material that can be used in the present invention is not limited to Ag paste, and may be tungsten, copper, Ag-Pd paste, gold paste, or the like.

支持基板11の表面に設けられた第2配線パターン15は、第1配線パターン14が設けられた支持基板11の側縁部とは反対側の側縁部に、支持基板11の長手方向に沿って直線状に形成された第2配線バス15aを有している。この第2配線バス15aは、第1配線パターン14と同様に、支持基板11の長手方向両側の各端部にそれぞれ配置された各LEDチップ12に対して、支持基板11の幅方向に隣接している。   The second wiring pattern 15 provided on the surface of the support substrate 11 extends along the longitudinal direction of the support substrate 11 on the side edge opposite to the side edge of the support substrate 11 on which the first wiring pattern 14 is provided. The second wiring bus 15a is formed in a straight line. Similar to the first wiring pattern 14, the second wiring bus 15 a is adjacent to each LED chip 12 disposed at each end on both sides in the longitudinal direction of the support substrate 11 in the width direction of the support substrate 11. ing.

第2配線バス15aにも、各LEDチップ12に対して、第1ボンディング部14bとは反対側の側方を通過する第2ボンディング部15bが、それぞれ分岐している。第2ボンディング部15bは、それぞれ等しい幅方向寸法になっており、それぞれの先端部が、第1配線バス14aに近接するように延出している。
第2配線バス15aおよび各第2ボンディング部15bも、第1配線パターン14と同じ材料によって、第1配線パターン14の第1配線バス14aおよび第1ボンディング部14bの厚さおよび幅寸法にそれぞれ等しい厚さおよび幅寸法に形成されている。従って、第2配線パターン15も単位長さ当たりの配線抵抗は一定になっており、第1配線パターン14の単位長さ当たりの配線抵抗に等しくなっている。
Also in the second wiring bus 15a, a second bonding portion 15b that passes through the side opposite to the first bonding portion 14b with respect to each LED chip 12 is branched. The second bonding portions 15b have the same width direction dimensions, and the respective leading ends extend so as to be close to the first wiring bus 14a.
The second wiring bus 15a and each second bonding portion 15b are also made of the same material as the first wiring pattern 14 and are equal in thickness and width to the first wiring bus 14a and the first bonding portion 14b of the first wiring pattern 14, respectively. Thickness and width dimensions are formed. Accordingly, the wiring resistance per unit length of the second wiring pattern 15 is also constant, and is equal to the wiring resistance per unit length of the first wiring pattern 14.

各LEDチップ12は、例えば、光透過性の基板上にGaN系化合物半導体層が形成された青色光を発する発光ダイオードであり、各LEDチップ12における発光側の表面には、一対の第1電極および第2電極(図示せず)が設けられている。
各LEDチップ12の第1電極は、それぞれのLEDチップ12に近接する第1配線パターン14の各第1ボンディング部14bに、第1ボンディングワイヤー18aによって、ボンディングされている。各LEDチップ12の第2電極は、それぞれのLEDチップ12に近接する第2配線パターン15の各第2ボンディング部15bに、第2ボンディングワイヤー18aによって、ボンディングされている。第1ボンディングワイヤー18aおよび第2ボンディングワイヤー18bは、例えば金(Au)線によって構成されている。
Each LED chip 12 is, for example, a light emitting diode that emits blue light in which a GaN-based compound semiconductor layer is formed on a light-transmitting substrate, and a pair of first electrodes is formed on the light emitting side surface of each LED chip 12. And a second electrode (not shown).
The first electrode of each LED chip 12 is bonded to each first bonding portion 14b of the first wiring pattern 14 adjacent to each LED chip 12 by a first bonding wire 18a. The second electrode of each LED chip 12 is bonded to each second bonding portion 15b of the second wiring pattern 15 adjacent to each LED chip 12 by a second bonding wire 18a. The first bonding wire 18a and the second bonding wire 18b are made of, for example, gold (Au) wires.

図5に示すように、支持基板11の表面の各LEDチップ12、第1配線パターン14、第2配線パターン15、第1ボンディングワイヤー18aおよび第2ボンディングワイヤー18bが蛍光体含有樹脂19によって覆われている。蛍光体含有樹脂19は、例えば、シリコーン樹脂などの透光性材料に、蛍光体粒子が分散されており、LEDチップ12により発せられる青色光の一部を、蛍光体粒子によって前記青色光より長波長側の光に変換し、変換された長波長側の光と蛍光体粒子によって変換されなかった青色光との混色によって白色光を生成する。なお、蛍光体粒子としては、例えば珪窒化物よりなる赤蛍光体および緑蛍光体の混合物、YAG蛍光体等が挙げられる。   As shown in FIG. 5, each LED chip 12, first wiring pattern 14, second wiring pattern 15, first bonding wire 18 a and second bonding wire 18 b on the surface of the support substrate 11 is covered with the phosphor-containing resin 19. ing. In the phosphor-containing resin 19, for example, phosphor particles are dispersed in a translucent material such as silicone resin, and a part of blue light emitted by the LED chip 12 is longer than the blue light by the phosphor particles. The light is converted into light on the wavelength side, and white light is generated by mixing the converted long-wavelength side light and the blue light not converted by the phosphor particles. Examples of the phosphor particles include a mixture of a red phosphor and a green phosphor made of silicon nitride, a YAG phosphor, and the like.

図4に示すように、支持基板11には、長手方向の中央部に配置されたLEDチップ12を挟んで設けられた第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bに電気的に接続された第1スルーホール11aおよび第2スルーホール11bが設けられている。第1スルーホール11aおよび第2スルーホール11bは、第1配線バス14aに近接した側縁部から等しい距離だけ離れた位置に形成されている。   As shown in FIG. 4, the support substrate 11 is electrically connected to a first bonding portion 14b and a second bonding portion 15b provided with an LED chip 12 disposed in the central portion in the longitudinal direction. A first through hole 11a and a second through hole 11b are provided. The first through hole 11a and the second through hole 11b are formed at positions separated by an equal distance from the side edge adjacent to the first wiring bus 14a.

図5に示すように、支持基板11の裏面には、第1スルーホール11aおよび第2スルーホール11bを介して第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bにそれぞれ給電するための第1給電端子14cおよび第2給電端子15cがそれぞれ設けられている。
支持基板11の裏面に設けられた第1給電端子14cおよび第2給電端子15cは、支持基板11における第1配線バス14aが設けられた側縁部に沿って配置されたFPC22に接続されている。FPC22は、図2〜図4に示すように、各LEDモジュール10に沿って直線状に長く延びる本体部22fと、各LEDモジュール10の長手方向の中央部に向ってそれぞれ分岐した接続部22gとが設けられている。
As shown in FIG. 5, a first power supply terminal for supplying power to the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b through the first through hole 11a and the second through hole 11b on the back surface of the support substrate 11, respectively. 14c and the 2nd electric power feeding terminal 15c are each provided.
The first power supply terminal 14c and the second power supply terminal 15c provided on the back surface of the support substrate 11 are connected to the FPC 22 arranged along the side edge portion of the support substrate 11 where the first wiring bus 14a is provided. . As shown in FIGS. 2 to 4, the FPC 22 includes a main body portion 22 f that extends linearly along each LED module 10, and a connection portion 22 g that branches toward a central portion in the longitudinal direction of each LED module 10. Is provided.

FPC22の本体部22fにおける一方の端部には、コネクタ22dが設けられている。また、FPC22の各接続部22gには、第1配線22aおよび第2配線22bが設けられている。コネクタ22dに近接する接続部22gの第1配線22aは、本体部22fを通って、コネクタ22dに接続されている。各接続部22gの第2配線22bは、本体部22fを通って、コネクタ22dに対して離れる方向に隣接する接続部22gの第1配線22aに接続されている。本体部22fには、接続部22gの第2配線22bに接続された主配線22hが設けられている。   A connector 22d is provided at one end of the main body 22f of the FPC 22. Further, a first wiring 22a and a second wiring 22b are provided in each connection portion 22g of the FPC 22. The first wiring 22a of the connection portion 22g adjacent to the connector 22d is connected to the connector 22d through the main body portion 22f. The second wiring 22b of each connection portion 22g passes through the main body portion 22f and is connected to the first wiring 22a of the connection portion 22g adjacent in the direction away from the connector 22d. The main body portion 22f is provided with a main wiring 22h connected to the second wiring 22b of the connection portion 22g.

FPC22の第1配線22a、第2配線22b、主配線22hは、例えば銅(Cu)によって構成されており、これらの配線が、例えばポリイミドによって構成された絶縁フィルム22c(図5参照)によって相互に絶縁された状態で覆われている。
図4および図5に示すように、FPC22の各接続部22gは、支持基板11の裏面に沿って配置されており、その先端部において、第1配線22aが第1給電端子14cに接続され、第2配線22bが第2給電端子15c(図4参照)に接続されている。これにより、第1配線22aは、第1給電端子14c、第1スルーホール11aおよび第1ボンディング部14bを介して、第1配線バス14aに電気的に接続されており、第2配線22bが、第2給電端子15c、第2スルーホール11b、第2ボンディング部15bおよび第2ボンディング部15bを介して、第2配線バス15aに電気的に接続されている。
The first wiring 22a, the second wiring 22b, and the main wiring 22h of the FPC 22 are made of, for example, copper (Cu), and these wirings are mutually connected by an insulating film 22c (see FIG. 5) made of, for example, polyimide. Covered in an insulated state.
As shown in FIGS. 4 and 5, each connection portion 22g of the FPC 22 is disposed along the back surface of the support substrate 11, and the first wiring 22a is connected to the first power supply terminal 14c at the tip portion thereof. The second wiring 22b is connected to the second power supply terminal 15c (see FIG. 4). Thus, the first wiring 22a is electrically connected to the first wiring bus 14a via the first power supply terminal 14c, the first through hole 11a, and the first bonding portion 14b, and the second wiring 22b is The second power supply terminal 15c, the second through hole 11b, the second bonding portion 15b, and the second bonding portion 15b are electrically connected to the second wiring bus 15a.

導光板30の側面31に沿って配列されたそれぞれのLEDモジュール10は同様の構成になっており、支持基板11の裏面における長手方向の中央部が、ヒートシンク21に形成された凹部21cに対向するように、ヒートシンク21の搭載面21aに搭載されて、支持基板11の裏面に設けられた第1給電端子14cおよび第2給電端子15cが、FPC22の各接続部22gにおける第1配線22aおよび第2配線22bにそれぞれ接続されている。支持基板11は、通常、ビス27によって両側の端部がヒートシンク21に取り付けられている。   The LED modules 10 arranged along the side surface 31 of the light guide plate 30 have the same configuration, and the central portion in the longitudinal direction on the back surface of the support substrate 11 faces the recess 21 c formed in the heat sink 21. As described above, the first power supply terminal 14c and the second power supply terminal 15c that are mounted on the mounting surface 21a of the heat sink 21 and are provided on the back surface of the support substrate 11 are connected to the first wiring 22a and the second wiring 22a in the respective connection portions 22g of the FPC 22. Each is connected to the wiring 22b. The support substrate 11 is usually attached to the heat sink 21 at both ends by screws 27.

このような構成のLEDモジュール10は、例えば、FPC22のコネクタ22dから第1配線22aに供給される電流が、第1給電端子14c、第1スルーホール11aを介して、第1配線パターン14の長手方向の中央部に配置された第1ボンディング部14bに供給されるとともに、当該第1ボンディング部14bに接続された第1配線バス14aに供給される。   In the LED module 10 having such a configuration, for example, the current supplied from the connector 22d of the FPC 22 to the first wiring 22a is the length of the first wiring pattern 14 via the first power supply terminal 14c and the first through hole 11a. In addition to being supplied to the first bonding portion 14b disposed at the center of the direction, the first bonding bus 14a is connected to the first bonding portion 14b.

第1配線バス14aにおける長手方向の中央部に供給された電流は、第1配線バス14aの両側の各端部に向って流れる。この場合、第1配線バス14aを中央部から各端部に向って流れる電流は、第1配線バス14aに沿って順番に分岐している第1ボンディング部14bに順番に達することによって、それぞれの第1ボンディング部14bに順番に供給される。   The current supplied to the central portion in the longitudinal direction of the first wiring bus 14a flows toward each end on both sides of the first wiring bus 14a. In this case, the current flowing from the central portion toward each end of the first wiring bus 14a reaches each of the first bonding portions 14b that branch in order along the first wiring bus 14a in order, thereby It supplies to the 1st bonding part 14b in order.

第1ボンディング部14bのそれぞれに供給された電流は、第1ボンディング部14bに接続された第1ボンディングワイヤー18aによってLEDチップ12に供給されて、各LEDチップ12を通過して、第2ボンディングワイヤー18bによって、第2配線パターン15の第2ボンディング部15bに流れる。LEDチップ12は、内部を電流が流れることによって光が生成され、生成された光が発光面から出射される。   The current supplied to each of the first bonding portions 14b is supplied to the LED chips 12 by the first bonding wires 18a connected to the first bonding portions 14b, passes through the LED chips 12, and passes through the second bonding wires. 18 b flows to the second bonding portion 15 b of the second wiring pattern 15. The LED chip 12 generates light when an electric current flows through the LED chip 12, and the generated light is emitted from the light emitting surface.

各LEDチップ12を通過して第2配線パターン15の第2ボンディング部15bに供給された電流は、第2配線バス15aへと流入する。第2配線バス15aに流入した電流は、第2配線バス15aにおける長手方向の中央部に向って流れ、第2配線バス15aにおける長手方向の中央部に配置された第2ボンディング部15bに供給される。そして、第2ボンディング部15bから、第2スルーホール11bを介して第2給電端子15cに流れ、さらには、第2給電端子15cからFPC22の第2配線22bを通って、隣接する接続部22gの第1配線22aに供給される。全てのLEDチップ12を通過した電流は、FPC22の主配線22hを通ってコネクタ22dへと流れる。   The current supplied to the second bonding portion 15b of the second wiring pattern 15 through each LED chip 12 flows into the second wiring bus 15a. The current that has flowed into the second wiring bus 15a flows toward the central portion in the longitudinal direction of the second wiring bus 15a, and is supplied to the second bonding portion 15b disposed in the central portion in the longitudinal direction of the second wiring bus 15a. The Then, it flows from the second bonding portion 15b to the second power supply terminal 15c through the second through hole 11b, and further passes through the second wiring 22b of the FPC 22 from the second power supply terminal 15c to the adjacent connection portion 22g. It is supplied to the first wiring 22a. The current that has passed through all the LED chips 12 flows through the main wiring 22h of the FPC 22 to the connector 22d.

このように、支持基板11におけるそれぞれのLEDチップ12に対して、第1配線パターン14および第2配線パターン15によって電流経路が形成されて、それぞれの電流経路を流れる電流によって、各LEDチップ12が発光する。
この場合、支持基板11の長手方向中央部に配置されたLEDチップ12には、当該LEDチップ12の両側に配置された第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bによって電流経路が形成される。
As described above, a current path is formed by the first wiring pattern 14 and the second wiring pattern 15 with respect to each LED chip 12 on the support substrate 11, and each LED chip 12 is caused by a current flowing through each current path. Emits light.
In this case, a current path is formed in the LED chip 12 arranged at the center in the longitudinal direction of the support substrate 11 by the first bonding part 14b and the second bonding part 15b arranged on both sides of the LED chip 12.

これに対して、支持基板11の長手方向中央部に配置されたLEDチップ12以外の各LEDチップ12には、第1配線バス14aにおける長手方向の中央部から供給される電流が、順次第1配線バス14aから分岐する第1ボンディング部14bを介して供給され、また、各LEDチップ12を通過した電流がそれぞれのLEDチップ12に近接した第2ボンディング部15bから第2配線バス15aにおける長手方向の中央部に向って流れる。   On the other hand, the current supplied from the central portion in the longitudinal direction of the first wiring bus 14a is sequentially supplied to each LED chip 12 other than the LED chip 12 arranged in the central portion in the longitudinal direction of the support substrate 11 in order. Longitudinal direction in the second wiring bus 15a is supplied from the second bonding portion 15b that is supplied through the first bonding portion 14b branched from the wiring bus 14a and passes through each LED chip 12 from the second bonding portion 15b. It flows toward the center of the.

従って、それぞれのLEDチップ12に対して第1配線パターン14および第2配線パターン15によって形成される電流経路の長さは、支持基板11の長手方向(LEDチップ12の配列方向)の中央部に近接して配置されたLEDチップ12ほど短く、当該中央部から離れるほど長くなる。
支持基板11上に設けられた第1配線パターン14および第2配線パターン15は、それぞれ同一の材料によって、一定の厚さおよび幅寸法に形成されていることから、各LEDチップ12に対する電流経路の配線抵抗の単位長さ当たりの抵抗値は一定になっており、従って、各電流経路の第1給電端子14cから第2給電端子15cまでの全体の配線抵抗は、各電流経路の長さに比例して大きくなる。
Therefore, the length of the current path formed by the first wiring pattern 14 and the second wiring pattern 15 for each LED chip 12 is in the center of the longitudinal direction of the support substrate 11 (the arrangement direction of the LED chips 12). The LED chips 12 arranged close to each other are shorter, and the longer they are away from the central portion, the longer.
Since the first wiring pattern 14 and the second wiring pattern 15 provided on the support substrate 11 are formed of the same material with a certain thickness and width, the current path for each LED chip 12 is The resistance value per unit length of the wiring resistance is constant. Therefore, the entire wiring resistance from the first feeding terminal 14c to the second feeding terminal 15c of each current path is proportional to the length of each current path. And get bigger.

その結果、各LEDチップ12は、図6(a)に示すように、支持基板11の長手方向の中央部に配置されたLEDチップ12に対する電流経路の全体の配線抵抗が最も小さく、長手方向の中央部から各LEDチップ12までの距離が長くなるほど、それぞれのLEDチップ12に対する電流経路の全体の配線抵抗は増加する。
この場合の各LEDチップ12における輝度は、図6(a)に併記するように、LEDチップ12に対して形成される電流経路の全体の配線抵抗が大きくなるほど、LEDチップ12に供給される電流値が低下し、これにより、輝度が低下する。反対に、LEDチップ12に対して形成される電流経路の全体の配線抵抗が小さくなるほど、LEDチップ12の輝度は増加する。
As a result, as shown in FIG. 6A, each LED chip 12 has the smallest wiring resistance of the entire current path with respect to the LED chip 12 arranged in the center portion of the support substrate 11 in the longitudinal direction, As the distance from the central portion to each LED chip 12 increases, the overall wiring resistance of the current path for each LED chip 12 increases.
The luminance in each LED chip 12 in this case is the current supplied to the LED chip 12 as the overall wiring resistance of the current path formed with respect to the LED chip 12 increases as shown in FIG. The value decreases, thereby reducing the brightness. Conversely, the luminance of the LED chip 12 increases as the overall wiring resistance of the current path formed for the LED chip 12 decreases.

従って、各LEDチップ12の輝度は、それぞれのLEDチップ12に対する電流経路の長さに関しては、基板11の長手方向の中央部に配置されたLEDチップ12が最大になり、長手方向の中央部からの距離が長くなったLEDチップ12ほど、低下することになる。
なお、前述したように、支持基板11の長手方向中央部に配置されたLEDチップ12は効率よく放熱されないが、長手方向の中央部からの距離が長い両側の端部に配置されたLEDチップ12ほど効率よく放熱されることから、図6(b)に示すように、各LEDチップ12の輝度は、支持基板11の長手方向中央部からの距離が長くなったLEDチップ12ほど、増加することになる。
Accordingly, the brightness of each LED chip 12 is maximized with respect to the length of the current path for each LED chip 12, and the LED chip 12 disposed at the center in the longitudinal direction of the substrate 11 is maximized. The LED chip 12 whose distance becomes longer decreases.
Note that, as described above, the LED chip 12 disposed in the central portion in the longitudinal direction of the support substrate 11 does not efficiently dissipate heat, but the LED chip 12 disposed in both end portions having a long distance from the central portion in the longitudinal direction. As shown in FIG. 6B, the brightness of each LED chip 12 increases as the LED chip 12 whose distance from the central portion in the longitudinal direction of the support substrate 11 becomes longer, as shown in FIG. become.

従って、本実施形態においては、支持基板11の長手方向に沿って配置されたそれぞれのLEDチップ12は、それぞれのLEDチップ12の図6(a)および図6(b)に示された輝度分布を合算した輝度分布になり、放熱による輝度の変化と、それぞれの電流経路における配線抵抗による輝度の変化とが相殺されることになる。その結果、図6(c)のグラフに示すように、LEDモジュール10の長手方向にほぼ一定の輝度分布が得られ、LEDモジュール10から照射される光に、長手方向に沿って輝度ムラが発生することが抑制される。   Therefore, in the present embodiment, each LED chip 12 arranged along the longitudinal direction of the support substrate 11 has the luminance distribution shown in FIGS. 6A and 6B of each LED chip 12. Therefore, the luminance change due to heat dissipation cancels out the luminance change due to the wiring resistance in each current path. As a result, as shown in the graph of FIG. 6C, a substantially constant luminance distribution is obtained in the longitudinal direction of the LED module 10, and unevenness in luminance occurs along the longitudinal direction in the light emitted from the LED module 10. Is suppressed.

LEDモジュール10の各LEDチップ12から照射される光は、導光板30の側面31から導光板30の内部に進入し、導光板30の内部を、液晶パネルと対向する表面と裏面との間で反射しつつ伝搬する間に、液晶パネルと対向する表面から出射されて、液晶パネルに照射される。全てのLEDチップ12は、輝度ムラが抑制されており、ほぼ均一な輝度分布になっていることにより、均一な輝度分布の光が導光板30内に入射して、液晶パネルに照射されることから、液晶パネルにおいて表示される画像に輝度ムラが生じることが抑制され、高品位の画像が得られる。   The light irradiated from each LED chip 12 of the LED module 10 enters the light guide plate 30 from the side surface 31 of the light guide plate 30, and the inside of the light guide plate 30 is between the front surface and the back surface facing the liquid crystal panel. While propagating while reflecting, the light is emitted from the surface facing the liquid crystal panel and is irradiated onto the liquid crystal panel. All of the LED chips 12 are suppressed in luminance unevenness and have a substantially uniform luminance distribution, so that light with a uniform luminance distribution enters the light guide plate 30 and is irradiated on the liquid crystal panel. Therefore, the occurrence of luminance unevenness in the image displayed on the liquid crystal panel is suppressed, and a high-quality image can be obtained.

図7は、本実施形態の変形例におけるLEDモジュール10の平面図である。図7に示すLEDモジュール10では、支持基板11に設けられた第1配線パターン14の第1ボンディング部14bが、各LEDチップ12に向ってそれぞれ分岐している。第1ボンディング部14bの先端部は、対応するそれぞれのLEDチップ12に対して近接しており、当該先端部と、対応するLEDチップ12の第1電極とが、第1ボンディングワイヤー18aによって、それぞれボンディングされている。   FIG. 7 is a plan view of the LED module 10 in a modification of the present embodiment. In the LED module 10 shown in FIG. 7, the first bonding portions 14 b of the first wiring pattern 14 provided on the support substrate 11 are branched toward the LED chips 12. The tip of the first bonding portion 14b is close to the corresponding LED chip 12, and the tip and the first electrode of the corresponding LED chip 12 are respectively connected by the first bonding wire 18a. Bonded.

第2配線パターン15の第2ボンディング部15bも、各LEDチップ12に向ってそれぞれ分岐している。各第2ボンディング部15bの先端部も、対応するそれぞれのLEDチップ12に対して幅方向に近接しており、当該先端部と、対応するLEDチップ12の第2電極とが、第2ボンディングワイヤー18bによって、それぞれボンディングされている。   The second bonding portion 15 b of the second wiring pattern 15 is also branched toward each LED chip 12. The tip of each second bonding portion 15b is also close to the corresponding LED chip 12 in the width direction, and the tip and the second electrode of the corresponding LED chip 12 are connected to the second bonding wire. Each of them is bonded by 18b.

支持基板11には、第1配線バス14aにおける長手方向の中央部に対向するように、第1スルーホール11aが設けられており、支持基板11の裏面に、第1スルーホール11aを介して第1配線バス14aに電気的に接続された第1給電端子11cが設けられている。そして、第1給電端子14cに対して、第1FPC25の本体部25fから分岐した接続部25g介して電流が供給される。第1FPC25の各接続部25gには、本体部25fに設けられた第1配線25aから分岐した分岐配線25cが接続されている。第1FPC25の一方の端部には、コネクタ25cが設けられている。   The support substrate 11 is provided with a first through hole 11a so as to face the central portion in the longitudinal direction of the first wiring bus 14a. The first through hole 11a is provided on the back surface of the support substrate 11 through the first through hole 11a. A first power supply terminal 11c electrically connected to the one wiring bus 14a is provided. Then, a current is supplied to the first power supply terminal 14c through the connection portion 25g branched from the main body portion 25f of the first FPC 25. A branch wiring 25 c branched from the first wiring 25 a provided in the main body portion 25 f is connected to each connection portion 25 g of the first FPC 25. A connector 25 c is provided at one end of the first FPC 25.

また、支持基板11には、第2配線バス15aにおける長手方向の中央部に対向するように、第2スルーホール11bが設けられており、支持基板11の裏面に、第2スルーホール11bを介して第2配線バス15aに電気的に接続された第2給電端子11dが設けられている。そして、第2給電端子に対して、第2FPC26の本体部26fから分岐した接続部26g介して電流が供給される。第2FPC26の各接続部26gには、本体部26fに設けられた第2配線26aから分岐した分岐配線26cが接続されている。第2FPC26の一方の端部には、コネクタ26cが設けられている。   Further, the support substrate 11 is provided with a second through hole 11b so as to face the central portion in the longitudinal direction of the second wiring bus 15a, and the back surface of the support substrate 11 is interposed via the second through hole 11b. A second power supply terminal 11d electrically connected to the second wiring bus 15a is provided. Then, a current is supplied to the second power supply terminal via the connection portion 26g branched from the main body portion 26f of the second FPC 26. A branch wiring 26 c branched from the second wiring 26 a provided in the main body portion 26 f is connected to each connection portion 26 g of the second FPC 26. A connector 26 c is provided at one end of the second FPC 26.

その他の構成は、図4および図5に示すLEDモジュール10の構成と同様になっている。
このような構成のLEDモジュール10でも、支持基板11の長手方向に沿って配置されたそれぞれのLEDチップ12に通電するそれぞれの電流経路の長さが、支持基板11の長手方向の中央部からの距離が長いLEDチップ12に対する電流経路ほど長くなっているために、配線抵抗が大きくなっている。従って、支持基板11の長手方向に沿って配置されたそれぞれのLEDチップ12は、放熱効率に基づく輝度の変化と、それぞれの電流経路における配線抵抗に基づく輝度の変化とが相殺されることになり、それぞれのLEDチップ12の輝度分布は、図6(c)のグラフに示すように、ほぼ均一になる。これにより、LEDモジュール10から照射される光に、長手方向に沿って輝度ムラが発生することを抑制することができる。
Other configurations are the same as those of the LED module 10 shown in FIGS. 4 and 5.
Even in the LED module 10 having such a configuration, the length of each current path for energizing each LED chip 12 arranged along the longitudinal direction of the support substrate 11 is different from the lengthwise central portion of the support substrate 11. Since the current path to the LED chip 12 with a longer distance is longer, the wiring resistance is larger. Therefore, each LED chip 12 arranged along the longitudinal direction of the support substrate 11 cancels out the luminance change based on the heat dissipation efficiency and the luminance change based on the wiring resistance in each current path. The luminance distribution of each LED chip 12 is substantially uniform as shown in the graph of FIG. Thereby, it can suppress that the brightness nonuniformity generate | occur | produces in the light irradiated from the LED module 10 along a longitudinal direction.

なお、本実施形態においては、単層構造の支持基板11を使用する構成であったが、多層構造の支持基板11を使用して、第1配線パターン14の第1配線バス14aおよび第2配線パターン15の第2配線バス15aを内層に形成し、第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bを多層基板の表面に形成して、それぞれの第1ボンディング部14bと第1配線バス14aとをスルーホールまたはビアによって電気的に接続し、それぞれの第2ボンディング部15bと第2配線バス15aとをスルーホールまたはビアによって電気的に接続するように構成してもよい。   In the present embodiment, the support substrate 11 having a single-layer structure is used. However, the first wiring bus 14a and the second wiring of the first wiring pattern 14 are formed using the support substrate 11 having a multilayer structure. The second wiring bus 15a of the pattern 15 is formed in the inner layer, the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b are formed on the surface of the multilayer substrate, and the first bonding portion 14b and the first wiring bus 14a are connected to each other. The second bonding part 15b and the second wiring bus 15a may be electrically connected by through holes or vias, and may be electrically connected by through holes or vias.

<第2実施形態>
図8は、本発明の別の実施形態におけるLEDモジュール10の平面図である。図8に示すLEDモジュール10では、単層構造の支持基板11に設けられた第1配線パターン14の第1配線バス14aにおける長手方向の一方の端部に、支持基板11に設けられた第1スルーホール11aを介して、支持基板11の裏面に設けられた第1給電端子14cが電気的に接続されている。第1給電端子14cには、第1配線25aのみが設けられた第1FPC25の一方の端部が接続されている。第1FPC25の他方の端部には、コネクタ25cが設けられている。
Second Embodiment
FIG. 8 is a plan view of an LED module 10 according to another embodiment of the present invention. In the LED module 10 illustrated in FIG. 8, the first wiring pattern 14 provided on the support substrate 11 is provided at one end in the longitudinal direction of the first wiring bus 14 a of the first wiring pattern 14 provided on the support substrate 11 having a single layer structure. A first power supply terminal 14c provided on the back surface of the support substrate 11 is electrically connected through the through hole 11a. One end of the first FPC 25 provided with only the first wiring 25a is connected to the first power supply terminal 14c. A connector 25 c is provided at the other end of the first FPC 25.

また、支持基板11に設けられた第2配線パターン15の第2配線バス15aにおける長手方向の他方の端部(第1給電端子14cが配置された端部とは反対側の端部)に、支持基板11に設けられた第2スルーホール11bを介して、支持基板11の裏面に設けられた第2給電端子15cが電気的に接続されている。第2給電端子15cには、第1配線25aのみが設けられた第1FPC25の一方の端部が接続されている。第1FPC25の他方の端部には、コネクタ25cが設けられている。   Further, at the other end in the longitudinal direction of the second wiring bus 15a of the second wiring pattern 15 provided on the support substrate 11 (the end opposite to the end where the first power supply terminal 14c is arranged) A second power supply terminal 15 c provided on the back surface of the support substrate 11 is electrically connected through a second through hole 11 b provided in the support substrate 11. One end of the first FPC 25 provided with only the first wiring 25a is connected to the second power supply terminal 15c. A connector 25 c is provided at the other end of the first FPC 25.

支持基板11に設けられた第1配線パターン14の第1ボンディング部14b、および、第2配線パターン15の第2ボンディング部15bのそれぞれは、図7に示すLEDモジュール10と同様に、各LEDチップ12に向ってそれぞれ分岐しているが、第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bの幅寸法(支持基板11の長手方向に沿った寸法)は、支持基板11におけるそれぞれの配置位置によって異なっている。   Each of the first bonding portion 14b of the first wiring pattern 14 and the second bonding portion 15b of the second wiring pattern 15 provided on the support substrate 11 is similar to the LED module 10 shown in FIG. 12, the width dimensions (dimensions along the longitudinal direction of the support substrate 11) of the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b are different depending on the respective arrangement positions on the support substrate 11. Yes.

すなわち、支持基板11の長手方向の中央部に配置された第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bの幅寸法が最大になっており、長手方向の中央部から第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bまでの距離が長くなるほど、幅寸法が順次小さく(細く)なっている。LEDモジュール10におけるその他の構成は、図7に示すLEDモジュール10と同様になっている。   That is, the width dimension of the 1st bonding part 14b and the 2nd bonding part 15b arrange | positioned in the center part of the longitudinal direction of the support substrate 11 is the largest, and the 1st bonding part 14b and 2nd from the center part of a longitudinal direction. The longer the distance to the bonding part 15b, the smaller the width dimension becomes. Other configurations of the LED module 10 are the same as those of the LED module 10 shown in FIG.

このような構成のLEDモジュール10は、例えば、第1FPC25のコネクタ25cから第1配線25aに供給される電流が、第1給電端子14c、第1スルーホール11aを介して、第1配線パターン14の第1配線バス14aにおける長手方向の一方の端部に供給される。そして、第1配線バス14aに供給された電流は、長手方向の一方の端部から他方の端部に向って第1配線バス14a内を流れる。   In the LED module 10 having such a configuration, for example, a current supplied from the connector 25c of the first FPC 25 to the first wiring 25a is transmitted to the first wiring pattern 14 via the first power supply terminal 14c and the first through hole 11a. It is supplied to one end of the first wiring bus 14a in the longitudinal direction. Then, the current supplied to the first wiring bus 14a flows in the first wiring bus 14a from one end portion in the longitudinal direction toward the other end portion.

第1配線バス14a内を流れる電流は、電流が流れる方向に沿って順番に分岐する第1ボンディング部14bに対して順番に分流されて、各第1ボンディング部14bに接続された第1ボンディングワイヤー18aによってLEDチップ12へと供給され、各LEDチップ12を通過した後に、第2ボンディングワイヤー18bによって、第2配線パターン15の第2ボンディング部15bに流れる。LEDチップ12は、内部を電流が流れることによって光が生成され、生成された光が発光面から出射される。   The current flowing in the first wiring bus 14a is shunted in turn with respect to the first bonding portions 14b that branch in order along the direction in which the current flows, and the first bonding wires connected to the first bonding portions 14b. After being supplied to the LED chip 12 by 18a and passing through each LED chip 12, it flows to the second bonding portion 15b of the second wiring pattern 15 by the second bonding wire 18b. The LED chip 12 generates light when an electric current flows through the LED chip 12, and the generated light is emitted from the light emitting surface.

各LEDチップ12を通過して第2配線パターン15の第2ボンディング部15bに供給された電流は、第2配線バス15aへと流入する。第2配線バス15aに流入した電流は、第2配線バス15a内を、第2給電端子15cが配置された長手方向の端部に向って流れ、その端部において、第2スルーホール11bを介して第2給電端子15cに流れ、さらには、第2給電端子15cから第2FPC26の第2配線26aを通って、コネクタ26cへと供給される。   The current supplied to the second bonding portion 15b of the second wiring pattern 15 through each LED chip 12 flows into the second wiring bus 15a. The current flowing into the second wiring bus 15a flows in the second wiring bus 15a toward the end in the longitudinal direction where the second power supply terminal 15c is arranged, and at the end via the second through hole 11b. Then flows to the second power supply terminal 15c, and is further supplied from the second power supply terminal 15c to the connector 26c through the second wiring 26a of the second FPC 26.

従って、それぞれのLEDチップ12に対して第1配線パターン14および第2配線パターン15によって形成される電流経路の長さは、第1配線バス14aにおける第1給電端子14cに接続された一方の端部から、それぞれの第1ボンディング部14bの分岐部分までの距離と、第1ボンディング部14bの長さと、第2ボンディング部15bの長さと、それぞれの第2ボンディング部15bが分岐した第2配線バス15aの位置から第2給電端子15cに接続された第2配線バス15aの端部までの距離との合計になり、それぞれの電流経路の長さが等しくなっている。   Therefore, the length of the current path formed by the first wiring pattern 14 and the second wiring pattern 15 for each LED chip 12 is the one end connected to the first power supply terminal 14c in the first wiring bus 14a. To the branch portion of each first bonding portion 14b, the length of the first bonding portion 14b, the length of the second bonding portion 15b, and the second wiring bus from which each second bonding portion 15b branches. The distance from the position of 15a to the end of the second wiring bus 15a connected to the second power supply terminal 15c is the sum, and the lengths of the respective current paths are equal.

この場合、支持基板11の長手方向の中央部に配置された第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bの幅寸法がそれぞれ最大であり、長手方向の中央部から第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bまでの距離が長くなるほど幅寸法が小さくなっているために、各LEDチップ12に対するそれぞれの電流経路の全配線抵抗は、支持基板11の長手方向の中央部に配置されたLEDチップ12に対する電流経路において最も小さく、長手方向の中央部からの各LEDチップ12までの距離が長くなるほど、配線抵抗は順次増加することになる(図6(a)参照)。   In this case, the width dimensions of the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b disposed at the center portion in the longitudinal direction of the support substrate 11 are the largest, respectively, and the first bonding portion 14b and the second bonding portion 14b from the center portion in the longitudinal direction. Since the width dimension becomes smaller as the distance to the bonding portion 15 b becomes longer, the total wiring resistance of each current path with respect to each LED chip 12 is the LED chip 12 arranged at the center in the longitudinal direction of the support substrate 11. As the distance from the central portion in the longitudinal direction to each LED chip 12 becomes longer, the wiring resistance sequentially increases (see FIG. 6A).

その結果、図6(a)に示すように、各LEDチップ12の輝度は、長手方向の中央部に配置されたLEDチップ12が最大になり、長手方向の中央部から各LEDチップ12までの距離が長くなるほど、距離の増加に対して順次低下することになる。また、各LEDチップ12の放熱効率は、図6(b)に示すように、支持基板11の長手方向中央部において最低であり、長手方向の中央部からの距離が長くなったLEDチップ12ほど放熱効率が増加することから、各LEDチップ12の輝度は、支持基板11の長手方向中央部からの距離が長くなるほど、増加することになる。   As a result, as shown in FIG. 6A, the brightness of each LED chip 12 is maximized in the LED chip 12 arranged in the central part in the longitudinal direction, and from the central part in the longitudinal direction to each LED chip 12. As the distance becomes longer, the distance decreases with increasing distance. Further, as shown in FIG. 6B, the heat dissipation efficiency of each LED chip 12 is the lowest in the center portion in the longitudinal direction of the support substrate 11, and the LED chip 12 whose distance from the center portion in the longitudinal direction is longer. Since the heat dissipation efficiency increases, the luminance of each LED chip 12 increases as the distance from the central portion in the longitudinal direction of the support substrate 11 increases.

従って、本実施形態においても、支持基板11の長手方向に沿って配置されたそれぞれのLEDチップ12は、放熱による輝度の変化と、それぞれの電流経路の配線抵抗による輝度の変化とが相殺されることになり、それぞれのLEDチップ12の輝度分布は、図6(c)のグラフに示すように、ほぼ均一になる。これにより、LEDモジュール10から照射される光に、長手方向に沿って輝度ムラが発生することを抑制することができる。   Therefore, also in this embodiment, each LED chip 12 arranged along the longitudinal direction of the support substrate 11 cancels out the luminance change due to heat dissipation and the luminance change due to the wiring resistance of each current path. As a result, the luminance distribution of each LED chip 12 becomes substantially uniform as shown in the graph of FIG. Thereby, it can suppress that the brightness nonuniformity generate | occur | produces in the light irradiated from the LED module 10 along a longitudinal direction.

なお、本実施形態では、各LEDチップ12に対するそれぞれの電流経路の配線抵抗を、支持基板11の長手方向に沿ったそれぞれのLEDチップ12の位置に基づいて変化させるために、支持基板11の長手方向に沿った第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bの配置位置に基づいて、それぞれの幅寸法を異ならせる構成としたが、このような構成に限らず、例えば、支持基板11の長手方向に沿った第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bの配置位置に基づいて、それぞれの厚さを異ならせる構成としてもよい。   In this embodiment, in order to change the wiring resistance of each current path for each LED chip 12 based on the position of each LED chip 12 along the longitudinal direction of the support substrate 11, the longitudinal length of the support substrate 11 is changed. Based on the arrangement positions of the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b along the direction, the respective width dimensions are made different. However, the present invention is not limited to such a configuration, for example, the longitudinal direction of the support substrate 11 The thicknesses of the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b may be different from each other based on the arrangement positions of the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b.

すなわち、支持基板11の長手方向の中央部に配置されたLEDチップ12に通電するための第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bが最大の厚さになるように、長手方向の中央部からの第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bのそれぞれまでの距離が長くなるほど、それぞれの厚さを順次小さくするように構成してもよい。   That is, from the central portion in the longitudinal direction so that the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b for energizing the LED chip 12 disposed in the central portion in the longitudinal direction of the support substrate 11 have the maximum thickness. As the distance to each of the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b increases, the thickness may be sequentially reduced.

さらには、支持基板11の長手方向に沿った第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bの配置位置に基づいて、それぞれの配線抵抗が変化するように、導電率の異なる材料を用いる構成としてもよい。すなわち、支持基板11の長手方向の中央部に配置されたLEDチップ12に通電するための第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bが最小の配線抵抗になるように、大きな導電率の材料によって構成し、長手方向の中央部からの第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bのそれぞれまでの距離が長くなるほど、それぞれの配線抵抗が増加するように、導電率が順次小さくなる材料によって、第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bをそれぞれ構成してもよい。   Furthermore, it is also possible to use a material with different conductivity so that the respective wiring resistances change based on the arrangement positions of the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b along the longitudinal direction of the support substrate 11. Good. That is, a material having a high conductivity is used so that the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b for energizing the LED chip 12 disposed in the central portion in the longitudinal direction of the support substrate 11 have a minimum wiring resistance. The first and second bonding portions 14b and 15b from the central portion in the longitudinal direction are made longer by increasing the distance between the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b. Each of the first bonding part 14b and the second bonding part 15b may be configured.

さらに、第1ボンディング部14bのそれぞれは、通常、第1ボンディングワイヤー18aがボンディングされる表面にAuメッキ層が形成され、また、第1ボンディング部14bのそれぞれは、第1ボンディングワイヤー18aがボンディングされる表面にAuメッキ層が形成されるが、それぞれのAuメッキ層の厚さ(通常、0.3〜0.5μm程度)を、長手方向の中央部からの第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bのそれぞれまでの距離が長くなるほど、それぞれの抵抗が増加するように、Auメッキ層の厚さを順次薄くする構成としてもよい。   Furthermore, each of the first bonding portions 14b is usually formed with an Au plating layer on the surface to which the first bonding wire 18a is bonded, and each of the first bonding portions 14b is bonded to the first bonding wire 18a. An Au plating layer is formed on the surface of the first bonding portion 14b and the second bonding from the central portion in the longitudinal direction by changing the thickness of each Au plating layer (usually about 0.3 to 0.5 μm). The Au plating layer may be configured so that the thickness of the Au plating layer is sequentially reduced so that the resistance increases as the distance to each of the portions 15b increases.

なお、本実施形態においても、多層構造の支持基板11を使用して、第1配線パターン14の第1配線バス14aおよび第2配線パターン15の第2配線バス15aを内層に形成し、第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bを多層基板の表面に形成して、それぞれの第1ボンディング部14bと第1配線バス14aとをスルーホールまたはビアによって電気的に接続し、それぞれの第2ボンディング部15bと第2配線バス15aとをスルーホールまたはビアによって電気的に接続するように構成してもよい。   Also in this embodiment, the first wiring bus 14a of the first wiring pattern 14 and the second wiring bus 15a of the second wiring pattern 15 are formed in the inner layer using the support substrate 11 having a multilayer structure. A bonding portion 14b and a second bonding portion 15b are formed on the surface of the multilayer substrate, and the first bonding portion 14b and the first wiring bus 14a are electrically connected by a through hole or via, and the second bonding is performed. The part 15b and the second wiring bus 15a may be configured to be electrically connected by a through hole or a via.

この場合には、支持基板11の長手方向の中央部に配置されたLEDチップ12に通電するための第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bに接続されたスルーホールまたはビアが最小の抵抗になるように、スルーホールまたはビアの直径を大きくするか、長さを短くし、また、長手方向の中央部からの第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bのそれぞれまでの距離が長くなるほど、それぞれの抵抗が増加するように、スルーホールまたはビアの直径を順次小さくするか、長さを順次長くするように構成してもよい。   In this case, the through hole or via connected to the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b for energizing the LED chip 12 disposed in the center portion in the longitudinal direction of the support substrate 11 has a minimum resistance. In order to increase the diameter of the through hole or via or shorten the length, and the longer the distance from the central portion in the longitudinal direction to each of the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b, In order to increase the respective resistances, the diameters of the through holes or vias may be sequentially decreased, or the lengths may be sequentially increased.

<第3実施形態>
図9は、本発明のさらに別の実施形態におけるLEDモジュール10の平面図である。図9に示すLEDモジュール10では、第1配線パターン14の第1配線バス14aに接続される第1給電端子14cと、第2配線パターン15の第2配線バス15aに接続される第2給電端子15cとが、支持基板11における長手方向の片側の端部において並んで配置されている。
<Third Embodiment>
FIG. 9 is a plan view of an LED module 10 according to still another embodiment of the present invention. In the LED module 10 shown in FIG. 9, the first power supply terminal 14 c connected to the first wiring bus 14 a of the first wiring pattern 14 and the second power supply terminal connected to the second wiring bus 15 a of the second wiring pattern 15. 15c are arranged side by side at one end of the support substrate 11 in the longitudinal direction.

この場合、図8に示すLEDモジュール10と同様に、第1配線パターン14の第1配線バス14aと第1給電端子14cとは、支持基板11に設けられた第1スルーホール11aを介して接続されており、第2配線パターン15の第2配線バス15aと第2給電端子15cとは、支持基板11に設けられた第2スルーホール11bを介して接続されている。   In this case, similarly to the LED module 10 shown in FIG. 8, the first wiring bus 14 a and the first power supply terminal 14 c of the first wiring pattern 14 are connected via the first through hole 11 a provided in the support substrate 11. The second wiring bus 15a of the second wiring pattern 15 and the second power supply terminal 15c are connected via a second through hole 11b provided in the support substrate 11.

第1給電端子14cには、図7に示すLEDモジュール10における第1FPC25と同様の構成の第1FPC25が接続されており、第2給電端子15cにも、図7に示すLEDモジュール10における第2FPC26と同様の構成の第2FPC26が接続されている。
本実施形態では、LEDチップ12に通電するための第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bの幅寸法(支持基板11の長手方向に沿った長さ)が、それぞれ異なっており、それぞれのLEDチップ12に対する電流経路の長さと、支持基板11の長手方向における各LEDチップ12の配置位置とに基づいて、第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bそれぞれの幅寸法が設定されている。
The first power supply terminal 14c is connected to the first FPC 25 having the same configuration as the first FPC 25 in the LED module 10 shown in FIG. 7, and the second power supply terminal 15c is also connected to the second FPC 26 in the LED module 10 shown in FIG. A second FPC 26 having the same configuration is connected.
In this embodiment, the width dimensions (lengths along the longitudinal direction of the support substrate 11) of the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b for energizing the LED chip 12 are different from each other. Based on the length of the current path with respect to the chip 12 and the arrangement position of each LED chip 12 in the longitudinal direction of the support substrate 11, the width dimensions of the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b are set.

この場合、それぞれのLEDチップ12に対する電流経路の長さは、第1給電端子14cおよび第2給電端子15cが設けられた支持基板11の端部から、各LEDチップ12までの支持基板11の長手方向に沿った長さが長くなるほど、順次増加している。
これに対して、放熱効率に基づく各LEDチップ12の輝度は、支持基板11の長手方向の中央部に配置されたLEDチップ12が最大であり、当該中央部から両側に離れて配置されたLEDチップ12ほど低輝度になる。
In this case, the length of the current path for each LED chip 12 is the length of the support substrate 11 from the end of the support substrate 11 provided with the first power supply terminal 14 c and the second power supply terminal 15 c to each LED chip 12. As the length along the direction becomes longer, it gradually increases.
On the other hand, the brightness of each LED chip 12 based on the heat dissipation efficiency is the highest in the LED chip 12 arranged in the center part of the support substrate 11 in the longitudinal direction, and the LEDs arranged apart from the center part on both sides. As the chip 12 becomes brighter.

本実施形態では、電流経路の長さおよび放熱効率のそれぞれに関する各LEDチップ12の輝度の変化を考慮して、それぞれのLEDチップ12の輝度がほぼ等しくなるように、第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bそれぞれの幅寸法が設定されている。
このために、例えば、支持基板11の長手方向の中央部に配置されたLEDチップ12に通電するための第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bの幅寸法が最大になるように設定されており、当該中央部から第1給電端子14cおよび第2給電端子15cに接近する方向に離れて配置された第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bは、中央部からの距離が長くなるほど、それぞれの幅寸法が、順次小さくなっている。
In the present embodiment, the first bonding unit 14b and the first bonding unit 14b and the first bonding unit 14b are arranged so that the brightness of each LED chip 12 is substantially equal in consideration of the change in brightness of each LED chip 12 with respect to the length of the current path and the heat dissipation efficiency. The width dimension of each of the two bonding parts 15b is set.
For this purpose, for example, the width dimensions of the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b for energizing the LED chip 12 disposed in the center portion in the longitudinal direction of the support substrate 11 are set to be maximized. The first bonding part 14b and the second bonding part 15b arranged away from the central part in the direction approaching the first power supply terminal 14c and the second power supply terminal 15c are each increased as the distance from the central part becomes longer. The width dimension is gradually reduced.

同様に、支持基板11の長手方向の中央部から、第1給電端子14cおよび第2給電端子15cに対して離れる方向に配置された第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bは、中央部からの距離が長くなるほど、それぞれの幅寸法が、順次小さくなっているが、支持基板11の長手方向の中央部から第1給電端子14cおよび第2給電端子15cに接近する方向に順番に配置された第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bのそれぞれの幅寸法が順次短くなる割合よりも小さな割合で幅寸法が順次小さくなっている。   Similarly, the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b arranged in the direction away from the first power supply terminal 14c and the second power supply terminal 15c from the center portion in the longitudinal direction of the support substrate 11 are formed from the center portion. As the distance becomes longer, the respective width dimensions gradually decrease, but are arranged in order from the central portion in the longitudinal direction of the support substrate 11 in a direction approaching the first power supply terminal 14c and the second power supply terminal 15c. The width dimensions of the first bonding part 14b and the second bonding part 15b are successively reduced at a rate smaller than the rate of sequentially reducing the width dimension.

このような構成により、支持基板11の長手方向に沿って配置されたそれぞれのLEDチップ12は、放熱効率に基づく輝度分布と、それぞれの電流経路における配線抵抗に基づく輝度分布とが相殺されることになり、それぞれのLEDチップ12の輝度分布は、図6(c)のグラフに示すように均一化される。これにより、LEDモジュール10から照射される光に、長手方向に沿って輝度ムラが発生することが抑制される。   With such a configuration, each LED chip 12 arranged along the longitudinal direction of the support substrate 11 cancels out the luminance distribution based on the heat dissipation efficiency and the luminance distribution based on the wiring resistance in each current path. Thus, the luminance distribution of each LED chip 12 is made uniform as shown in the graph of FIG. Thereby, it is suppressed that the brightness nonuniformity occurs in the light irradiated from the LED module 10 along the longitudinal direction.

なお、本実施形態においても、このように、第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bの幅寸法を変化させる構成に限らず、全てのLEDチップ12における輝度ムラが抑制できるように、第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bの厚さを変化させる構成、第1ボンディング部14bおよび第2ボンディング部15bを構成する材料の導電率を変化させる構成等としてもよい。   In the present embodiment as well, the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b are not limited to the configuration in which the width dimensions of the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b are changed. A configuration in which the thicknesses of the bonding portion 14b and the second bonding portion 15b are changed, a configuration in which the conductivity of the material forming the first bonding portion 14b and the second bonding portion 15b is changed, or the like may be employed.

さらには、多層構造の支持基板11を使用することによって、前述したように、第1配線パターン14および第2配線パターン15のそれぞれが、スルーホールまたはビアを含む構成とし、スルーホールまたはビアの直径および長さのいずれか一方または両方を調整することによって、各LEDチップ12に対する電流経路の配線抵抗を設定するようにしてもよい。   Furthermore, by using the support substrate 11 having a multilayer structure, as described above, each of the first wiring pattern 14 and the second wiring pattern 15 includes a through hole or via, and the diameter of the through hole or via is set. The wiring resistance of the current path for each LED chip 12 may be set by adjusting one or both of the length and the length.

<変形例>
上記各実施形態においては、第1配線パターン14の第1配線バス14aと第1給電端子14cとを、支持基板11に設けられた第1スルーホール11aを介して接続し、第2配線パターン15の第2配線バス15aと第2給電端子15cとを、支持基板11に設けられた第2スルーホール11bを介して接続する構成であったが、第1配線バス14aと第1給電端子14c、第2配線バス15aと第2給電端子15cを、それぞれ、直接あるいは接着剤等を介して接続する構成としてもよい。
<Modification>
In each of the embodiments described above, the first wiring bus 14a of the first wiring pattern 14 and the first power supply terminal 14c are connected via the first through hole 11a provided in the support substrate 11, and the second wiring pattern 15 is connected. The second wiring bus 15a and the second power supply terminal 15c are connected via the second through hole 11b provided in the support substrate 11. However, the first wiring bus 14a and the first power supply terminal 14c, The second wiring bus 15a and the second power supply terminal 15c may be connected directly or via an adhesive or the like.

さらには、上記各実施形態においては、1つのLEDチップ12を、第1配線パターン14の第1ボンディング部14bと、第2配線パターン15の第1ボンディング部15bとの間に直列接続する構成であったが、このような構成に限らない。例えば、相互に隣り合う複数のLEDチップ12を、配線パターンによって直列接続して、その直列回路を、第1配線パターン14の第1ボンディング部14bと、第2配線パターン15の第1ボンディング部15bとに直列接続する構成としてもよい。   Furthermore, in each of the above embodiments, one LED chip 12 is connected in series between the first bonding portion 14b of the first wiring pattern 14 and the first bonding portion 15b of the second wiring pattern 15. Although there was, it is not restricted to such a structure. For example, a plurality of LED chips 12 adjacent to each other are connected in series by a wiring pattern, and the series circuit is connected to the first bonding part 14 b of the first wiring pattern 14 and the first bonding part 15 b of the second wiring pattern 15. It is good also as a structure connected in series.

本発明は、支持基板上に複数の半導体発光素子が1列に配列された発光モジュールにおいて、半導体発光素子による配列方向に沿った輝度ムラが発生すること抑制することができる。そのため、本発明に係る発光モジュールを使用した光源装置は、例えば、液晶テレビ、液晶ディスプレイのような画像表示装置の線状光源、および一般照明用の線状あるいは面状光源などとして有用である。   According to the present invention, in a light emitting module in which a plurality of semiconductor light emitting elements are arranged in a row on a support substrate, it is possible to suppress occurrence of luminance unevenness along the arrangement direction of the semiconductor light emitting elements. Therefore, the light source device using the light emitting module according to the present invention is useful as, for example, a linear light source of an image display device such as a liquid crystal television or a liquid crystal display, and a linear or planar light source for general illumination.

10 LEDモジュール
11 支持基板
11a 第1スルーホール
11b 第2スルーホール
12 LEDチップ
14 第1配線パターン
14a 第1配線バス
14b 第1ボンディング部
14c 第1給電端子
15 第2配線パターン
15a 第2配線バス
15b 第1ボンディング部
15c 第2給電端子
18a 第1ボンディングワイヤー
18b 第2ボンディングワイヤー
19 蛍光体含有樹脂
21 ヒートシンク
21a 凹部
22 FPC
25 第1FPC
26 第2FPC
30 導光板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 LED module 11 Support board 11a 1st through-hole 11b 2nd through-hole 12 LED chip 14 1st wiring pattern 14a 1st wiring bus 14b 1st bonding part 14c 1st electric power feeding terminal 15 2nd wiring pattern 15a 2nd wiring bus 15b 1st bonding part 15c 2nd electric power feeding terminal 18a 1st bonding wire 18b 2nd bonding wire 19 Phosphor containing resin 21 Heat sink 21a Recessed part 22 FPC
25 1st FPC
26 Second FPC
30 Light guide plate

Claims (13)

基板上に複数の半導体発光素子が列状に配列された発光モジュールであって、
前記基板上に、一対の給電端子を含む配線パターンが設けられており、
当該配線パターンは、1個または隣り合う複数個の半導体発光素子毎に、一方の給電端子から他方の給電端子まで電流が流れる複数の電流経路を含み、
前記複数の電流経路における配線抵抗は、配列方向の中央に位置する半導体発光素子に至る電流経路の配線抵抗が最も低く、当該中央からの距離が大きな半導体発光素子に至る電流経路ほど、配線抵抗が大きく設定されていることを特徴とする発光モジュール。
A light emitting module in which a plurality of semiconductor light emitting elements are arranged in a row on a substrate,
A wiring pattern including a pair of power supply terminals is provided on the substrate,
The wiring pattern includes a plurality of current paths through which current flows from one power supply terminal to the other power supply terminal for one or a plurality of adjacent semiconductor light emitting elements,
The wiring resistance in the plurality of current paths has the lowest wiring resistance in the current path leading to the semiconductor light emitting element located at the center in the arrangement direction, and the wiring resistance in the current path reaching the semiconductor light emitting element having a large distance from the center. A light emitting module characterized by being set large.
前記電流経路を形成する配線パターンは、単位長さ当たりの配線抵抗が一定であり、
前記一対の給電端子が、前記半導体発光素子の配列方向の中央部に対応する位置に設けられており、
前記複数の電流経路の経路長は、配列方向の中央に位置する半導体発光素子に至る電流経路の経路長が最も短く、当該中央からの距離が大きな半導体発光素子に至る電流経路ほど、経路長が長く設定されていることを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。
The wiring pattern forming the current path has a constant wiring resistance per unit length,
The pair of power supply terminals is provided at a position corresponding to a central portion in the arrangement direction of the semiconductor light emitting elements,
The path length of the plurality of current paths is the shortest path length of the current path to the semiconductor light emitting element located at the center in the arrangement direction, and the current path to the semiconductor light emitting element having a larger distance from the center has a path length of The light emitting module according to claim 1, wherein the light emitting module is set long.
前記一対の給電端子が、前記基板における前記半導体発光素子の配列方向に沿った片側の側縁部に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の発光モジュール。   The light emitting module according to claim 2, wherein the pair of power supply terminals are arranged on one side edge portion of the substrate along the arrangement direction of the semiconductor light emitting elements. 前記一対の給電端子のそれぞれが、前記基板における前記半導体発光素子の配列方向に沿った両側の側縁部に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の発光モジュール。   3. The light emitting module according to claim 2, wherein each of the pair of power supply terminals is disposed on both side edges of the substrate along the arrangement direction of the semiconductor light emitting elements. 前記電流経路が設けられた基板が単層構造であり、
前記複数の電流経路のそれぞれは、電流経路自体の長さ、幅、厚さ、電流経路を形成する材料の導電率のいずれか一つまたは複数を調整することによって、配線抵抗が調整されていることを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。
The substrate provided with the current path has a single layer structure,
Each of the plurality of current paths has a wiring resistance adjusted by adjusting one or more of the length, width, thickness of the current path itself, and the conductivity of the material forming the current path. The light-emitting module according to claim 1.
前記電流経路が設けられた基板が多層構造であり、
前記複数の電流経路のそれぞれは、前記基板の各層に設けられたビアまたはスルーホールを含み、
前記複数の電流経路のそれぞれは、電流経路自体の長さ、幅、厚さ、電流経路を形成する材料の導電率、前記ビアまたはスルーホールの直径および長さのいずれか一つまたは複数を調整することによって、配線抵抗が調整されていることを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。
The substrate provided with the current path has a multilayer structure,
Each of the plurality of current paths includes a via or a through hole provided in each layer of the substrate,
Each of the plurality of current paths adjusts one or more of the length, width and thickness of the current path itself, the conductivity of the material forming the current path, and the diameter and length of the via or through hole. The light emitting module according to claim 1, wherein the wiring resistance is adjusted.
前記一対の給電端子のそれぞれが、前記半導体発光素子の配列方向の両側端部に設けられていることを特徴とする請求項5または6に記載の発光モジュール。   7. The light emitting module according to claim 5, wherein each of the pair of power supply terminals is provided at both end portions in the arrangement direction of the semiconductor light emitting elements. 前記配線パターンは、一定の導電率を有する材料によって一定の厚さに形成されており、
前記複数の電流経路は、少なくとも一部の幅が、配列方向の中央に位置する半導体発光素子に至る電流経路が最も太く、当該中央からの距離が大きな半導体発光素子に至る電流経路ほど細く設定されていることを特徴とする請求項7に記載の発光モジュール。
The wiring pattern is formed with a certain thickness by a material having a certain conductivity,
The plurality of current paths are set such that at least a part of the width of the current path is the thickest in the current path to the semiconductor light emitting element located at the center in the arrangement direction, and the current path to the semiconductor light emitting element having a large distance from the center is narrower. The light-emitting module according to claim 7.
前記配線パターンは、一定の導電率を有する材料によって一定の幅に形成されており、前記複数の電流経路は、少なくとも一部の厚さが、配列方向の中央に位置する半導体発光素子に至る電流経路が最も厚く、当該中央からの距離が大きな半導体発光素子に至る電流経路ほど薄く設定されていることを特徴とする請求項7に記載の発光モジュール。   The wiring pattern is formed with a certain width by a material having a certain conductivity, and the plurality of current paths are currents that reach at least a part of the thickness of the semiconductor light emitting element located at the center in the arrangement direction. The light emitting module according to claim 7, wherein the current path reaching the semiconductor light emitting element having the thickest path and the large distance from the center is set to be thinner. 前記配線パターンは、一定の幅寸法および厚さに形成されており、
前記複数の電流経路は、少なくとも一部の導電率が、配列方向の中央に位置する半導体発光素子に至る電流経路が最も高く、当該中央からの距離が大きな半導体発光素子に至る電流経路ほど低く設定されていることを特徴とする請求項7に記載の発光モジュール。
The wiring pattern is formed in a certain width dimension and thickness,
The plurality of current paths are set such that at least a part of the conductivity is the highest in the current path to the semiconductor light emitting element located in the center of the arrangement direction, and the current path to the semiconductor light emitting element having a large distance from the center is set lower. The light emitting module according to claim 7, wherein the light emitting module is provided.
前記一対の給電端子のそれぞれが、前記半導体発光素子の配列方向の片側の端部に設けられており、
前記複数の電流経路の経路長は、当該端部に近接する半導体発光素子に至る電流経路の経路長が最も短く、当該端部からの距離が大きな半導体発光素子に至る電流経路ほど長くなっており、
前記複数の電流経路は、それぞれの電流経路における少なくとも一部の幅、厚さ、当該電流経路を形成する材料の導電率のいずれか一つまたは複数が異なっていることにより、それぞれの電流経路の配線抵抗が異なっていることを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。
Each of the pair of power supply terminals is provided at one end of the semiconductor light emitting element in the arrangement direction,
The path length of the plurality of current paths is the shortest in the path length of the current path to the semiconductor light emitting element close to the end, and is longer for the current path to the semiconductor light emitting element having a large distance from the end. ,
The plurality of current paths have different one or more of the width, thickness, and conductivity of the material forming the current path in each current path. The light emitting module according to claim 1, wherein the wiring resistance is different.
前記半導体発光素子は、前記基板上に一定の間隔で配列されていることを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。   The light emitting module according to claim 1, wherein the semiconductor light emitting elements are arranged on the substrate at regular intervals. 請求項1〜12のいずれか一項に記載の発光モジュールを有することを特徴とする光源装置。   It has a light emitting module as described in any one of Claims 1-12, The light source device characterized by the above-mentioned.
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