KR20100058223A - Method of fabricating organic electro luminescent device - Google Patents

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KR20100058223A
KR20100058223A KR1020080116963A KR20080116963A KR20100058223A KR 20100058223 A KR20100058223 A KR 20100058223A KR 1020080116963 A KR1020080116963 A KR 1020080116963A KR 20080116963 A KR20080116963 A KR 20080116963A KR 20100058223 A KR20100058223 A KR 20100058223A
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노형구
김태형
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing an organic electroluminescent device is provided to implement high definition of a VGA(Video Graphics Array) class using a shadow mask with an opening width of 45 to 55 um. CONSTITUTION: A plurality of pixel regions is defined on a first substrate. A first electrode is formed on the first substrate. A buffer pattern is formed on the boundary of the pixel region by depositing and patterning the insulation materials on the first electrode. A partition(160) is formed on the buffer pattern. An organic light emitting layer(165) is formed on the first electrode using the shadow mask. The organic light emitting layer comprises red, green and blue organic light emitting patterns. A second electrode is formed on the organic light emitting layer.

Description

유기전계 발광소자의 제조 방법{Method of fabricating organic electro luminescent device} Manufacturing method of organic electroluminescent device {Method of fabricating organic electro luminescent device}

본 발명은 유기전계 발광소자(Organic Electro luminescent Device)에 관한 것이며, 특히 해상도 한계치가 있는 쉐도우 마스크를 이용하여 고정세의 유기전계 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to a method of manufacturing a high-definition organic electroluminescent device using a shadow mask having a resolution limit.

평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.The organic light emitting diode, which is one of the flat panel displays (FPDs), has high luminance and low operating voltage characteristics. In addition, the self-luminous self-illuminating type provides high contrast ratio, enables ultra-thin display, easy response time with several microsecond response time, no restriction on viewing angle, and stable at low temperatures. Since it is driven at a low voltage of 5 to 15V DC, it is easy to manufacture and design a driving circuit.

이러한 특성을 갖는 유기전계 발광소자는 크게 패시브 매트릭스 타입과 액티브 매트릭스 타입으로 나뉘어지는데, 패시브 매트릭스 방식에서는 주사선(scan line)과 신호선(signal line)이 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하고, 각각의 픽셀을 구동하기 위하여 주사선을 시간에 따라 순차적으로 구동하므로, 요구되는 평균 휘도를 나타내기 위해서는 평균 휘도에 라인수를 곱한 것 만큼의 순간 휘도를 내야만 한다. The organic light emitting diode having such characteristics is largely divided into a passive matrix type and an active matrix type. In the passive matrix method, a scan line and a signal line cross each other to form a device in a matrix form, and each pixel Since the scan lines are sequentially driven over time in order to drive, the instantaneous luminance must be equal to the average luminance multiplied by the number of lines in order to represent the required average luminance.

그러나, 액티브 매트릭스 방식에서는, 화소영역(pixel)을 온(on)/오프(off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)가 각 화소영역(pixel)별로 위치하고, 이러한 스위칭 박막트랜지스터의 일전극과 연결되며 구동 박막트랜지스터가 형성되고 있으며, 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 연결되어 있는 애노드 전극은 각 화소영역 단위로 온(on)/오프(off)되고, 이러한 애노드 전극과 대향하여 캐소드 전극이 기판 전면에 형성되고 있다.However, in the active matrix method, a thin film transistor, which is a switching element for turning on / off a pixel region, is positioned for each pixel region, and one electrode of the switching thin film transistor is provided. And a driving thin film transistor formed thereon, and an anode electrode connected to one electrode of the driving thin film transistor is turned on / off in each pixel region, and the cathode electrode is opposed to the anode electrode. It is formed on the whole substrate.

그리고, 상기 액티브 매트릭스 방식에서는 각 화소영역에 인가된 전압이 스토리지 캐패시터(storage capacitor)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전원을 인가해 주도록 함으로써, 주사선 수에 관계없이 한 화면을 계속해서 구동한다. 따라서, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가지므로 최근에는 액티브 매트릭스 방식의 유기전계 발광소자가 주로 이용되고 있다. In the active matrix method, a voltage applied to each pixel region is charged in a storage capacitor, and power is applied until the next frame signal is applied, thereby irrespective of the number of scan lines. Run one screen continuously. Accordingly, since low luminance, high definition, and large size can be obtained even when low current is applied, an active matrix type organic light emitting diode has been mainly used in recent years.

이하, 이러한 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 기본적인 구조 및 동작 특성에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. Hereinafter, the basic structure and operation characteristics of the active matrix organic light emitting diode will be described with reference to the drawings.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 간략한 회로도이다. 1 is a schematic circuit diagram of one pixel area of a general active matrix organic light emitting diode.

도시한 바와 같이 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 하나의 화소영역은 스위칭(switching) 박막트랜지스터(STr)와 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 커패시터(StgC), 그리고 유기전계발광 다이오드(E)로 이루어진다. As illustrated, one pixel area of the active matrix organic light emitting display device is a switching thin film transistor STr, a driving thin film transistor DTr, a storage capacitor StgC, and an organic light emitting diode E )

즉, 제 1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 형성되어 화소영역(P)을 정의하며 데이터 배선(DL)이 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다. That is, the gate line GL is formed in the first direction, is formed in the second direction crossing the first direction to define the pixel region P, and the data line DL is formed. A power supply wiring PL is spaced apart from the DL) to apply a power supply voltage.

또한, 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 일전극과 전기적으로 연결되며 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다. In addition, a switching thin film transistor STr is formed at a portion where the data line DL intersects the gate line GL, and is electrically connected to one electrode of the switching thin film transistor STr and is a driving thin film transistor DTr. ) Is formed.

이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 유기전계 발광 다이오드(E)와 전기적으로 연결되고 있다. 즉, 상기 유기전계발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고, 타측 단자인 제 2 전극은 전원배선(PL)과 연결되고 있다. 이때, 상기 전원배선(PL)은 전원전압을 상기 유기전계 발광 다이오드(E)로 전달하게 된다. In this case, the driving thin film transistor DTr is electrically connected to the organic light emitting diode E. That is, the first electrode, which is one terminal of the organic light emitting diode E, is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor DTr, and the second electrode, which is the other terminal, is connected to the power supply line PL. In this case, the power line PL transfers a power supply voltage to the organic light emitting diode E.

또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다. In addition, a storage capacitor StgC is formed between the gate electrode and the drain electrode of the driving thin film transistor DTr.

따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 스위칭 박막트랜지스터(STr)를 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구 동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. 이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.Therefore, when a signal is applied through the gate line GL, the switching thin film transistor STr is turned on, and the signal of the data line DL is turned on through the switching thin film transistor STr through the driving thin film transistor DTr. Since the driving thin film transistor DTr is turned on, the light is output through the organic light emitting diode E. At this time, when the driving thin film transistor DTr is in an on state, the level of the current flowing from the power supply line PL to the organic light emitting diode E is determined, and thus the organic light emitting diode E is The gray scale may be implemented, and the storage capacitor StgC maintains the gate voltage of the driving thin film transistor DTr constant when the switching thin film transistor STr is turned off. As a result, even when the switching thin film transistor STr is turned off, the level of the current flowing through the organic light emitting diode E may be maintained until the next frame.

이러한 유기전계 발광소자는 하나의 기판에 박막트랜지스터 등의 어레이 소자와 애노드 및 캐소드 전극과 유기 발광층을 포함하는 유기전계 발광 다이오드가 하나의 기판에 형성되는 것을 특징으로 하는 일반적인 유기전계 발광소자와, 어레이 소자와 유기전계 발광 다이오드가 각각 서로 다른 기판에 구성되어 이들을 기둥형태의 스페이서를 개재하여 연결전극으로 연결한 구조를 갖는 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자가 제안되고 있다. The organic light emitting device includes a general organic light emitting device comprising an array device such as a thin film transistor, an organic light emitting diode including an anode and a cathode electrode and an organic light emitting layer on one substrate, and an array. A dual panel type organic light emitting diode having a structure in which a device and an organic light emitting diode are formed on different substrates and connected to each other by a connecting electrode through a spacer having a columnar shape has been proposed.

도 2는 종래의 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of one pixel area of a conventional dual panel type organic light emitting diode.

도시한 바와 같이, 하부의 어레이 기판(10)의 전면에 서로 교차하는 게이트 및 데이터 배선(미도시)이 형성되어 있다. 또한 상기 두 배선(미도시)이 교차하여 구획되는 각 화소영역(P)에는 스위칭 또는 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)가 형 성되어 있으며, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)를 덮으며 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 소스 전극(18) 또는 드레인 전극(20)(도면에서는 드레인 전극(20)이 노출됨을 보이고 있음)을 노출시키는 콘택홀(27)을 갖는 보호층(25)이 형성되어 있다. 또한 상기 보호층(25)을 덮으며 상기 콘택홀(27)을 통해 노출된 상기 드레인 전극(20)과 접촉하며 연결전극(35)이 형성되어 있다. As illustrated, gates and data lines (not shown) that cross each other are formed on the front surface of the lower array substrate 10. In addition, a switching or driving thin film transistor (DTr) is formed in each pixel region P where the two wires (not shown) intersect each other, and the switching and driving thin film transistor (not shown, DTr) is formed. A protective layer 25 having a contact hole 27 covering the source electrode 18 or the drain electrode 20 (the drain electrode 20 is exposed in the drawing) of the driving thin film transistor DTr. Is formed. In addition, a connection electrode 35 is formed to cover the passivation layer 25 and contact the drain electrode 20 exposed through the contact hole 27.

전술한 구조를 갖는 어레이 기판(10)에 대응하는 유기전계 발광 다이오드 기판(50)의 내측면에는 제 1 전극(53)이 전면에 형성되어 있으며, 이때 상기 제 1 전극(53)의 도전 특성을 향상시키고자 상기 제 1 전극(53)과 상기 기판 사이에는 저저항 금속물질로 이루어진 보조전극(51)이 형성되고 있다. 또한 상기 제 1 전극(53) 하부로 각 화소영역(P)의 경계에 대응하여 버퍼패턴(57)이 형성되어 있으며, 각 화소영역(P)에는 기둥형태의 스페이서(55)가 형성되어 있다.The first electrode 53 is formed on the front surface of the organic light emitting diode substrate 50 corresponding to the array substrate 10 having the above-described structure, and at this time, the conductive characteristics of the first electrode 53 An auxiliary electrode 51 made of a low resistance metal material is formed between the first electrode 53 and the substrate for improvement. In addition, a buffer pattern 57 is formed below the first electrode 53 to correspond to the boundary of each pixel region P, and a columnar spacer 55 is formed in each pixel region P.

또한, 상기 버퍼패턴(57) 하부에는 그 단면이 상기 유기전계 발광 다이오드 기판(50)의 내측면을 기준으로 역테이퍼 구조로서 단일층의 격벽(60)이 형성되어 있으며, 각 화소영역(P)에는 상기 격벽(60)에 의해 각 화소영역(P)별로 분리되며 상기 제 1 전극(53) 위로 유기 발광물질로서 유기 발광층(65)과, 그 상부로 제 2 전극(70)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 전극(53)과 유기 발광층(65)과 제 2 전극(70)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다. In addition, a single layer of partition wall 60 is formed under the buffer pattern 57 as an inverse taper structure with respect to the inner surface of the organic light emitting diode substrate 50. The organic light emitting layer 65 is formed as an organic light emitting material on the first electrode 53, and the second electrode 70 is formed on the first electrode 53 by the partition wall 60. In this case, the first electrode 53, the organic emission layer 65, and the second electrode 70 form an organic light emitting diode (E).

그리고, 상기 두 기판(10, 50)의 가장자리부는 씰패턴(미도시)에 의해 봉지되고 있는데, 이때 상기 두 기판(10, 50)의 내부 영역은 수분 및 대기 중에 노출되지 않도록 불활성 기체나 또는 진공의 상태에서 합착되어 봉지되고 있다. The edges of the two substrates 10 and 50 are encapsulated by a seal pattern (not shown). At this time, the inner regions of the two substrates 10 and 50 are not exposed to moisture and the atmosphere so as not to be exposed to moisture or air. It is bonded in the state of and sealed.

한편, 전술한 구조를 갖는 유기전계 발광소자(1)를 제조하는데 있어 유기 발광층(65)은 주로 쉐도우 마스크를 통한 증착을 통해 형성하고 있다. 하지만, 도 3 (쉐도우 마스크의 평면도)을 참조하면, 이러한 쉐도우 마스크(90)는 차폐부(SA)를 이루는 금속판(미도시)에 대해 포토레지스트의 도포, 노광, 현상 및 식각의 일련의 단위 공정을 포함하는 마스크 공정을 진행하여 패터닝하여 개구부(OA)를 형성하기 때문에 개구부(OA)의 면적, 더욱 정확히는 그 폭이 제조 공정상 안정적으로 허용하는 오차범위 내에 들어오도록 하기 위해서는 최소 45㎛ 내지 55㎛ 정도가 되어야 한다. On the other hand, in manufacturing the organic light emitting device 1 having the above-described structure, the organic light emitting layer 65 is mainly formed through deposition through a shadow mask. However, referring to FIG. 3 (a plan view of the shadow mask), the shadow mask 90 is a series of unit processes of applying, exposing, developing, and etching photoresist to a metal plate (not shown) forming a shield SA. In order to form the opening OA by patterning the mask process including the opening, the area of the opening OA, more precisely, the width of the opening OA, to be within the tolerance range stably in the manufacturing process, at least 45 μm to 55 μm Should be enough.

따라서, 이러한 크기의 폭을 갖는 개구부(OA)를 포함하는 쉐도우 마스크(90)를 이용하여 유기 발광층을 형성할 경우, 최소한 각 화소영역의 폭은 45㎛ 내지 55㎛ 정도가 되어야 하며, 이정도 크기의 폭을 갖는 화소영역으로 이루어진 유기전계 발광소자는 QVGA급이 되고 있다. 이러한 QVGA급의 유기전계 발광소자는 3-7인치 정도의 화상크기를 갖는 개인용 핸드폰 또는 PDA 등에 이용되고 있다.Therefore, when the organic light emitting layer is formed by using the shadow mask 90 including the opening OA having such a width, the width of each pixel area should be at least about 45 μm to about 55 μm, Organic light-emitting devices consisting of pixel regions having a width are of QVGA class. Such QVGA-class organic light emitting devices are used in personal mobile phones or PDAs having image sizes of about 3 to 7 inches.

최근에는 유기전계 발광소자가 적용되는 표시매체의 범위가 확장되고 있으며, 최근에는 10인치 이상의 크기를 갖는 휴대용 컴퓨터 및 모니터 등에까지 그 사용범위기 확대되고 있는 실정이다.Recently, the range of display media to which the organic light emitting diode is applied has been expanded, and in recent years, the use range has been expanded to portable computers and monitors having a size of 10 inches or more.

하지만, 이렇게 유기전계 발광소자가 10인치 이상의 대면적을 갖는 휴대용 컴퓨터 및 모니터로서 사용되기 위해서는 더욱 작은 화소영역 크기를 갖는 VGA급 이상의 고정세화가 요구되고 있는 실정이다. 이러한 비교적 큰 사이즈를 요구하는 휴대용 컴퓨터나 모니터 및 텔레비전에는 액정표시장치가 이미 널리 선점하고 있으 며, 이러한 액정표시장치는 화소영역의 폭이 18㎛ 내지 35㎛ 정도인 VGA급 이상의 표시품질을 갖는 제품을 생산함으로써 사용자에게 선명한 화질을 제공하고 있다. 따라서 이러한 액정표시장치가 선점하고 있는 제품분야에서 경쟁력을 갖기 위해서는 최소 액정표시장치와 동등한 수준의 고화질 제품을 제공해야 하므로 해상도의 한계치를 갖는 쉐도우 마스크를 이용하면서도 VGA급의 표시품질을 갖는 고정세의 유기전계 발광소자를 제조하는 것이 필요로 되고 있는 실정이다. However, in order to use the organic light emitting device as a portable computer and a monitor having a large area of 10 inches or more, high resolution of VGA or higher having a smaller pixel area size is required. Liquid crystal displays are already preoccupied with portable computers, monitors, and televisions that require such a relatively large size. Such liquid crystal displays have a display quality of VGA or higher with a pixel area of about 18 μm to 35 μm. Providing a clear picture quality to users by producing. Therefore, in order to be competitive in the product field where the liquid crystal display device is preoccupied, it is necessary to provide a high-definition product equivalent to the minimum liquid crystal display device. Therefore, a high-definition display having a VGA display quality while using a shadow mask having a resolution limit There is a need to manufacture an organic light emitting device.

도 4는 종래의 개구부 폭이 45㎛ 내지 55㎛인 쉐도우 마스크와 대해 VGA급의 표시품질을 갖는 유기전계 발광소자의 각 화소영역 내에 형성된 유기 발광층을 대향한 것을 나타낸 도면이다. FIG. 4 is a view showing that a shadow mask having a width of an opening of 45 μm to 55 μm is opposed to an organic light emitting layer formed in each pixel area of an organic light emitting diode having VGA display quality.

도시한 바와 같이, 쉐도우 마스크(90)는 그 개구부(OA) 폭(w1)이 45㎛ 내지 55㎛이 되므로 각 화소영역(P1, P2, P3)의 폭(w2, w3)이 18㎛ 내지 35㎛인 VGA급 표시품질을 갖는 유기전계 발광소자(1)의 상기 각 화소영역(P)보다 큰 개구부(OA)가 구비됨으로써 3개의 연속하는 화소영역(P)에 대해 적(R), 녹(G), 청(B)색의 유기 발광 패턴(65a, 65b, 65c)이 순차 반복하는 형태의 유기 발광층(65)이 형성되는 VGA급 고정세의 유기전계 발광소자는 도저히 제조할 수 없는 실정이다. As shown in the drawing, the shadow mask 90 has a width w1 of the opening OA of 45 μm to 55 μm, so that the widths w2 and w3 of the pixel areas P1, P2, and P3 are 18 μm to 35. An opening OA larger than each pixel area P of the organic light emitting device 1 having a VGA-class display quality of 占 퐉 is provided so that red (R) and green ( G), the VGA class high-definition organic electroluminescent device in which the organic light emitting layer 65 of the blue (B) color organic light emitting patterns 65a, 65b, and 65c are repeatedly formed cannot be manufactured. .

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 45㎛ 내지 55㎛의 개구부 폭을 갖는 쉐도우 마스크를 이용하면서도 그 폭이 18㎛ 내지 35㎛ 정도인 고정세의 화소영역을 갖는 것을 특징으로 한 유기전계 발광소자의 구조 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다. The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to use a shadow mask having an opening width of 45 μm to 55 μm while having a high definition pixel area having a width of about 18 μm to 35 μm. It is an object of the present invention to provide a structure of the organic light emitting device and a method of manufacturing the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 유기전계 발광소자는, 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 내측면 전면에 형성된 제 1 전극과; 상기 제 1 전극 하부로 각 화소영역의 경계에 형성된 버퍼패턴과; 상기 버퍼패턴 하부로 각 화소영역을 테두리하며 그 단면이 상기 제 1 기판을 기준으로 역테이퍼 형태를 가지며 형성된 격벽과; 상기 화소영역 내의 상기 제 1 전극 하부에 형성되며 적, 녹, 청색을 각각 발광하는 유기 발광패턴으로 이루어진 유기 발광층과; 상기 각 화소영역 내의 유기 발광층 하부로 상기 격벽에 의해 각 화소영역별로 분리 형성된 제 2 전극과; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과; 상기 제 2 기판 상에 상기 각 화소영역별로 형성된 스위칭 박막트랜지스터 및 이와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터와; 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 구비하며 형성된 보호층과; 상기 보호층 위로 상기 각 화소영역별로 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 상기 드레인 콘택홀과 접촉하며 형성된 연결전극을 포함하며, 상기 제 2 전극과 상기 연결전극이 서로 접촉하며 구성되며, 상기 유기 발광패턴은 연속하는 2개의 화소영역에 대응하여 동일한 색을 발광하도록 형성되며, 상기 동일한 색을 발광하는 유기 발광패턴은 상기 연속하는 2개의 화소영역의 경계에 형 성된 상기 격벽에 의해 분리되는 것이 특징이다. An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention for achieving the above object comprises: a first substrate having a plurality of pixel regions defined; A first electrode formed on an entire surface of the inner surface of the first substrate; A buffer pattern formed at a boundary of each pixel area under the first electrode; Barrier ribs each pixel area below the buffer pattern and whose cross section has an inverse taper shape with respect to the first substrate; An organic light emitting layer formed under the first electrode in the pixel region and formed of an organic light emitting pattern emitting red, green, and blue, respectively; A second electrode formed below the organic light emitting layer in each pixel area by each of the pixel areas by the partition wall; A second substrate facing the first substrate; A switching thin film transistor formed on each of the pixel regions on the second substrate and a driving thin film transistor electrically connected thereto; A protective layer covering the switching and driving thin film transistor and having a drain contact hole exposing a drain electrode of the driving thin film transistor; And a connection electrode formed to contact the drain electrode and the drain contact hole of the driving thin film transistor for each pixel area on the passivation layer, wherein the second electrode and the connection electrode are in contact with each other, and the organic light emitting pattern Is formed to emit the same color corresponding to two consecutive pixel regions, and the organic light emitting pattern emitting the same color is separated by the partition wall formed at the boundary of the two consecutive pixel regions.

상기 2개의 연속하는 화소영역에 형성되는 유기 발광패턴은 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기 발광패턴 모두인 것이 특징이며, 이때, 연속하는 6개의 화소영역에는 적/적/녹/녹/청/청색 또는 적/적/청/청/녹/녹색 발광하는 유기 발광패턴이 순차 반복하는 형태로 형성되며, 상기 각 화소영역의 단축 폭은 모두 18㎛ 내지 35㎛가 되어 고정세의 VGA급 표시품질을 갖는 것이 특징이다. The organic light emitting patterns formed in the two consecutive pixel regions are all organic light emitting patterns emitting red, green, and blue colors. In this case, red, red, green, green, blue, The organic light emitting patterns emitting blue or red / red / blue / green / green light are sequentially formed, and the shortened widths of the pixel areas are all 18 μm to 35 μm, so that high-definition VGA display quality can be obtained. It is characterized by having.

상기 2개의 연속하는 화소영역에 형성되는 유기 발광패턴은 적, 녹, 청색을 발광하는 패턴 중 적 및 녹색을 발광하는 유기 발광패턴인 것이 특징이며, 이때, 연속하는 5개의 화소영역에는 적/적/녹/녹/청색 또는 적/적/청/녹/녹색 발광하는 유기 발광패턴이 순차 반복하는 형태로 형성되며, 상기 화소영역 중 적 및 녹색을 발광하는 유기 발광패턴이 형성된 화소영역의 단축폭은 18㎛ 내지 35㎛가 되며, 상기 청색을 발광하는 유기 발광패턴이 형성된 화소영역의 단축폭은 45㎛ 내지 55㎛인 고정세의 VGA급 표시품질을 갖는 것이 특징이다. The organic light emitting pattern formed in the two consecutive pixel areas is an organic light emitting pattern that emits red and green among the patterns emitting red, green, and blue light, wherein red / red is applied to the five consecutive pixel areas. A shorter width of the pixel area in which the organic light emitting patterns emitting green / green / green / blue or red / red / blue / green / green are sequentially repeated, and the organic light emitting patterns emitting red and green are formed among the pixel areas. Is 18 µm to 35 µm, and the short axis width of the pixel region in which the organic light emitting pattern for emitting blue light is formed is 45 µm to 55 µm, and has a high definition VGA display quality.

본 발명의 일실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법은, 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판 상의 전면에 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극 상부로 절연물질을 증착하고 패터닝하여 상기 다수의 각 화소영역의 경계에 버퍼패턴을 형성하는 단계와; 상기 버퍼패턴 상부에 상기 버퍼패턴 표면을 기준으로 역테이퍼 형태를 갖는 격벽을 형성하는 단계와; 그 단축폭이 45㎛ 내지 55㎛인 개구부를 갖는 쉐도우 마스크를 이용하여 연속하는 2개의 화소영역에 대응하여 상기 개구부가 위치하도록 한 후, 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기 발광 물질을 순차적 으로 열증착하여 연속하는 2개의 화소영역에 대응하여 이들 화소영역의 경계에 형성된 상기 격벽에 의해 자동 분리되는 동일한 색을 발광하는 유기 발광패턴을 갖는 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기 절연층 상부로 상기 격벽에 의해 각 화소영역 별로 분리된 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다. A method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes forming a first electrode on a front surface of a first substrate on which a plurality of pixel regions are defined; Depositing and patterning an insulating material on the first electrode to form a buffer pattern at a boundary of each of the plurality of pixel regions; Forming a partition wall having an inverse taper shape on the buffer pattern surface on the buffer pattern; Using a shadow mask having an opening having a short axis width of 45 µm to 55 µm, the openings are positioned corresponding to two consecutive pixel regions, and then the organic light emitting materials emitting red, green, and blue colors are sequentially opened. Forming an organic light emitting layer having an organic light emitting pattern which emits the same color which is automatically separated by the partition wall formed at the boundary of the pixel areas corresponding to two consecutive pixel areas by deposition; Forming a second electrode separated by each of the pixel regions by the barrier rib on the organic insulating layer.

상기 각 화소영역은 모두 동일한 단축폭을 가지며, 상기 단축폭은 18㎛ 내지 35㎛ 인 것이 특징이다. Each pixel area has the same short axis width, and the short axis width is 18 µm to 35 µm.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법은, 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판 상의 전면에 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극 상부로 절연물질을 증착하고 패터닝하여 상기 다수의 각 화소영역의 경계에 버퍼패턴을 형성하는 단계와; 상기 버퍼패턴 상부에 상기 버퍼패턴 표면을 기준으로 역테이퍼 형태를 갖는 격벽을 형성하는 단계와; 그 단축폭이 45㎛ 내지 55㎛인 개구부를 갖는 쉐도우 마스크를 이용하여 제 1 단축폭을 갖는 연속하는 2개의 화소영역에 대응하여 상기 개구부가 위치하도록 한 후, 적 및 녹색을 발광하는 유기 발광 물질을 순차적으로 열증착하여 연속하는 2개의 화소영역에 대응하여 이들 화소영역의 경계에 형성된 상기 격벽에 의해 자동 분리되는 동일한 색을 발광하는 적 및 녹색 유기 발광패턴을 형성하고, 청색을 발광하는 유기 발광물질은 상기 제 1 단축폭보다 큰 제 2 단축폭을 갖는 하나의 화소영역에 대응하여 상기 쉐도우 마스크의 개구부가 위치하도록 한 후 청색을 발광하는 유기 발광 물질을 열증착하여 청색 유기 발광패턴을 형성함으로써 연속하는 5개의 화소영역에 대해 적, 적, 녹, 녹, 청색의 유기 발광패턴을 갖는 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기 절연 층 상부로 상기 격벽에 의해 각 화소영역 별로 분리된 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다. According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display device, including: forming a first electrode on an entire surface of a first substrate on which a plurality of pixel regions are defined; Depositing and patterning an insulating material on the first electrode to form a buffer pattern at a boundary of each of the plurality of pixel regions; Forming a partition wall having an inverse taper shape on the buffer pattern surface on the buffer pattern; An organic light emitting material that emits red and green light after the openings are positioned corresponding to two consecutive pixel areas having a first short axis width by using a shadow mask having an opening part having a short axis width of 45 μm to 55 μm. Are sequentially thermally deposited to form red and green organic light emitting patterns that emit the same color automatically separated by the partitions formed at the boundary of these pixel areas corresponding to two consecutive pixel areas, and organic light emitting light emitting blue The material is positioned so that the opening of the shadow mask corresponds to one pixel area having a second short width larger than the first short width, and thermally deposits an organic light emitting material emitting blue to form a blue organic light emitting pattern. Forming an organic light emitting layer having red, red, green, green, and blue organic light emitting patterns for five consecutive pixel areas; And forming a second electrode separated by each of the pixel regions by the barrier rib on the organic insulating layer.

이때, 상기 제 1 단축폭은 18㎛ 내지 35㎛이며, 상기 제 2 단축폭은 45㎛ 내지 55㎛것이 특징이다. In this case, the first short axis width is 18㎛ to 35㎛, the second short width is characterized in that 45㎛ 55㎛.

상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판의 내측면에 서로 교차하는 다수의 게이트 및 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 다수의 게이트 및 데이터 배선의 교차하여 포획되는 영역에 스위칭 박막트랜지스터와 이와 연결된 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 덮으며, 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극을 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와; 상기 보호층 위로 상기 콘택홀을 통해 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 접촉하는 연결전극을 형성하는 단계와; 상기 제 2 전극과 상기 연결전극이 접촉하도록 상기 제 1 및 제 2 기판을 서로 대향시키고, 그 테두리에 씰패턴을 형성하여 합착하는 단계를 포함한다. Forming a plurality of gates and data wires intersecting each other on an inner surface of a second substrate facing the first substrate; Forming a switching thin film transistor and a driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor in an area captured by the plurality of gates and data lines; Forming a protective layer covering the switching and driving thin film transistor and having a contact hole exposing one electrode of the driving thin film transistor; Forming a connection electrode on the protective layer and in contact with one electrode of the driving thin film transistor through the contact hole; Opposing the first and second substrates so that the second electrode and the connection electrode are in contact with each other, and forming a seal pattern at an edge thereof and bonding the first and second substrates together.

이때, 상기 제 1 기판의 버퍼패턴과 접촉하며 기둥형태의 스페이서를 형성하거나, 또는 상기 제 2 기판의 상기 보호층과 접촉하며 기둥형태의 스페이서를 형성하는 단계를 포함함으로써 상기 제 2 전극과 상기 연결전극은 상기 스페이서를 개재하여 서로 접촉하는 것이 특징이다. In this case, forming the spacer in the form of a column in contact with the buffer pattern of the first substrate, or contacting the protective layer of the second substrate to form a spacer in the form of a column by connecting the second electrode and the connection The electrodes are in contact with each other via the spacer.

본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법은 45㎛ 내지 55㎛의 개구부 폭을 갖는 쉐도우 마스크를 이용하여 화소영역의 폭이 18㎛ 내지 35㎛ 정도인 VGA급 표시품질을 갖는 고정세의 유기전계 발광소자의 제조가 가능하도록 함으로써 상기 유기전계 발광소자를 대면적을 갖는 다양한 화상표시 제품에 적용시킬 수 있는 장점이 있다.In the method for manufacturing an organic light emitting device according to the present invention, a high-definition organic field having a VGA-class display quality having a width of a pixel region of about 18 μm to about 35 μm using a shadow mask having an opening width of 45 μm to 55 μm The manufacturing of the light emitting device enables the organic light emitting device to be applied to various image display products having a large area.

또한, VGA급의 고정세화를 실현시킴으로써 유기전계 발광소자의 표시품질을 향상시키는 효과가 있다. In addition, the display quality of the organic light emitting display device can be improved by realizing VGA-level high definition.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 5는 본 발명에 따른 VGA급의 표시품질을 갖는 유기전계 발광소자의 평면도 일부를 도시한 도면으로서 유기 발광층을 이루는 적, 녹, 청의 유기 발광패턴을 위주로 나타내었으며, 도 6은 본 발명에 따른 VGA급의 표시품질을 갖는 유기전계 발광소자와 이의 제조에 이용된 쉐도우 마스크를 대향하여 위치시킨 것을 도시한 평면도이며, 도 7은 도 5를 절단선 Ⅶ-Ⅶ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도이다. FIG. 5 is a view illustrating a part of a plan view of an organic light emitting diode having a display quality of a VGA level according to the present invention, mainly showing red, green, and blue organic light emitting patterns constituting the organic light emitting layer, and FIG. 6 according to the present invention. 7 is a plan view showing the organic EL device having a display quality of VGA class and a shadow mask used to manufacture the display panel facing each other, and FIG. 7 is a cross-sectional view of a portion taken along the line VII-VII of FIG. 5. .

우선, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 도시한 바와 같이, 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)가 형성된 제 1 기판(110)과, 이와 대응하여 제 1 전극(153)과 유기 발광층(165)과 제 2 전극(170)이 형성된 제 2 기판(150)으로 구성되고 있으며, 상기 제 2 전극(170)과 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(120)과 접촉하는 연결전극(138)은 스페이서(130)에 의해 서 로 접촉하고 있다. 이때 도 7에 있어서는 다수의 화소영역(P) 하나의 화소영역(P 대해서만 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성된 것을 보이고 있지만, 이는 편의를 위해 도면을 간소화하기 위한 것이며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 모든 화소영역(P) 각각에 대해 형성되고 있는 것이다. First, as illustrated, the organic light emitting diode 101 according to an embodiment of the present invention includes a first substrate 110 having a driving and switching thin film transistor DTr (not shown), and a first electrode corresponding thereto. 153, a second substrate 150 on which the organic emission layer 165 and the second electrode 170 are formed, and the drain electrode 120 of the second electrode 170 and the driving thin film transistor DTr. The connecting electrodes 138 are in contact with each other by the spacer 130. In FIG. 7, although the driving thin film transistor DTr is formed only in one pixel area P of the plurality of pixel regions P, the driving thin film transistor DTr is for simplicity. Each pixel area P is formed for each.

한편, 상기 제 1 기판(110)에는 다수의 게이트 및 데이터 배선(미도시, 115)이 그 사이에 게이트 절연막(112)을 개재하여 교차하며 구성되고 있으며, 상기 데이터 배선(115)과 나란하게 전원배선(미도시)이 형성되고 있다. 이때 도면에서는 상기 데이터 배선(115) 하부에는 제 1 및 제 2 패턴(114a, 114b)으로 구성된 더미 반도체 패턴(114)이 형성되고 있음을 보이고 있지만, 이는 제조 방법에 따라 생략될 수도 있다. On the other hand, a plurality of gates and data wires (not shown, 115) intersect the first substrate 110 with a gate insulating film 112 interposed therebetween, and the power source is parallel to the data wires 115. Wiring (not shown) is formed. In this case, although the dummy semiconductor pattern 114 including the first and second patterns 114a and 114b is formed under the data line 115, this may be omitted according to a manufacturing method.

또한, 상기 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(115)이 교차하는 부근에는 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)가 구비되고 있으며, 상기 게이트 및 데이터 배선(미도시, 115)이 교차하여 정의되는 영역(이하 제 1 영역이라 칭함)에는 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와 연결되며 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 구비되고 있다. In addition, the switching thin film transistor (not shown) is provided near the intersection of the gate line (not shown) and the data line 115, and is defined by crossing the gate and data line (not shown) 115. The first region is hereinafter referred to as the switching thin film transistor (not shown) and includes the driving thin film transistor DTr.

이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 게이트 전극(111)과, 상기 게이트 절연막(112)과, 액티브층(113a)과 서로 이격하는 오믹콘택층(113b)으로 이루어진 반도체층(113)과, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(118, 120)을 포함하여 구성됨으로써 보텀 게이트 구조를 이루는 것을 일례로 나타내었지만, 폴리실리콘의 반도체층과, 게이트 절연막과, 게이트 전극과, 층간절연막과, 상기 반도체층과 각각 접촉하며 이격하는 소스 및 드레인 전극의 적층 구조를 갖는 탑 게이트 구조를 이룰 수도 있다. 이때, 도면에 나타나지 않았지만, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 또한 상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 동일한 구조를 이룬다. In this case, the driving thin film transistor DTr includes a gate electrode 111, the gate insulating layer 112, and the semiconductor layer 113 including the ohmic contact layer 113b spaced apart from the active layer 113a. Although the bottom gate structure is shown as an example by including the source and drain electrodes 118 and 120 spaced apart from each other, the semiconductor layer of polysilicon, a gate insulating film, a gate electrode, an interlayer insulating film, and the semiconductor layer It is also possible to achieve a top gate structure having a stacked structure of source and drain electrodes that are in contact and spaced apart, respectively. In this case, although not shown in the drawing, the switching thin film transistor (not shown) also forms the same structure as the driving thin film transistor DTr.

한편, 전술한 구조를 갖는 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)를 덮으며 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(120)을 노출시키는 드레인 콘택홀(127)을 갖는 보호층(125)이 형성되어 있으며, 상기 보호층 상부로 각 화소영역(P)에는 기둥형태의 스페이서(130)가 형성되어 있다. 또한, 상기 보호층(125) 상부로 상기 스페이서(130)를 덮으며 상기 각 제 1 영역에 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(120)과 상기 드레인 콘택홀(127)을 통해 접촉하며 연결전극(138)이 형성되어 있다. On the other hand, the protective layer 125 having a drain contact hole 127 that covers the switching and driving thin film transistor (DTr) having the above-described structure and exposes the drain electrode 120 of the driving thin film transistor DTr. The spacer layer 130 having a columnar shape is formed in each pixel area P above the passivation layer. In addition, the spacer 130 is covered over the passivation layer 125, and the first electrode is in contact with the drain electrode 120 of the driving thin film transistor DTr through the drain contact hole 127. An electrode 138 is formed.

이때 상기 보호층(125)은 유기절연물질로 이루어짐으로써 그 표면이 평탄한 형태를 갖는 것을 보이고 있지만, 무기절연물질로 이루어짐으로써 그 하부에 위치한 구성요소의 단차를 반영하여 형성될 수도 있다. At this time, the protective layer 125 is made of an organic insulating material, but the surface is shown to have a flat shape, but made of an inorganic insulating material may be formed to reflect the step of the components located below.

한편, 전술한 구조를 갖는 제 1 기판(110)과 대향하는 제 2 기판(150)의 내측면에는 다수의 화소영역(P)이 구성되고 있다. 또한 상기 다수의 각 화소영역(P)을 둘러싸며 그 각각의 단면이 역테이퍼 형태를 갖는 격벽(160)이 형성되어 있다. 이때, 상기 화소영역(P)은 그 각각이 직사각형 형태를 가져 전체적으로 격자 형태를 이룰 수도 있으며, 또는 도면으로 나타내지 않았지만, 길쭉한 육각형을 가져 전체적으로 벌집(honey comb) 형태를 가질 수도 있다. On the other hand, a plurality of pixel regions P is formed on the inner surface of the second substrate 150 facing the first substrate 110 having the above-described structure. In addition, a partition wall 160 is formed to surround each of the plurality of pixel areas P, and each of the cross sections has an inverse taper shape. In this case, each of the pixel areas P may have a rectangular shape to form a lattice as a whole, or although not illustrated, the pixel areas P may have an elongated hexagon and have a honeycomb shape as a whole.

또한, 상기 격벽(160)으로 둘러싸인 각 화소영역(P)에는 순차 적층되며 유기 발광층(165) 및 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질로 이루어진 제 2 전극(170)이 형성되어 있다. 상기 유기 발광층(165)은 적, 녹, 청색을 발광하도록 서로 다른 유기 발광 물질로 이루어진 적, 녹, 청색 유기 발광패턴(165a, 165b, 165c)으로 구성되고 있다. In addition, a second electrode 170 is formed in each pixel area P surrounded by the partition wall 160 and is formed of an organic emission layer 165 and a metal material having a relatively low work function. The organic light emitting layer 165 is composed of red, green, and blue organic light emitting patterns 165a, 165b, and 165c made of different organic light emitting materials to emit red, green, and blue light.

이때, 본원발명의 가장 특징적인 것으로써 연속하는 5개의 화소영역(P(P1, P2, P3, P4, P5)에 대해 각각 적(R)/적(R)/청(B)/녹(G)/녹(G)색의 순으로 유기 발광 패턴(165a, 165a, 165c, 165c, 165b)이 형성되거나 또는 적(R)/적(R)/녹(G)/녹(G)/청(B)색의 순으로 유기 발광 패턴(165a, 165a, 165b, 165b, 165c)이 형성되고 있는 것이다. 이 경우, 상기 적(R)색 및 녹(G)색 유기 발광패턴(165a, 165b)이 형성된 화소영역((P1, P2), (P4, P5))은 그 폭(w4)이 VGA급인 18㎛ 내지 35㎛ 정도가 되며, 상기 청(B)색 유기 발광패턴(165c)이 형성된 화소영역(P3)은 그 폭(w5)이 QVGA급인 45㎛ 내지 55㎛ 정도가 되는 것이 특징이다. 이 경우 상기 적(R)색 및 녹색(G)의 유기 발광패턴(165a, 165b)은 그 폭이 18㎛ 내지 35㎛ 정도의 크기가 되지만, 이들 유기 발광패턴(165a, 165b) 각각은 이웃한 화소영역((P1, P2), (P4, P5))에 연속하여 형성됨으로써 연속된 2개의 화소영역((P1, P2), (P4, P5))의 폭은 36㎛ 내지 70㎛의 크기가 되며, 이웃한 2개의 화소영역(P1, P2), (P4, P5)간의 경계에 형성된 격벽(160)의 폭을 포함하면 실질적으로는 45㎛ 내지 80㎛ 정도의 폭을 갖게 됨을 알 수 있다. At this time, the most characteristic of the present invention is red (R) / red (R) / blue (B) / green (G) for each of five consecutive pixel areas (P (P1, P2, P3, P4, P5). The organic light emitting patterns 165a, 165a, 165c, 165c, and 165b are formed in order of the color (green) and green (G) or red (R) / red (R) / green (G) / green (G) / blue ( B) the organic light emitting patterns 165a, 165a, 165b, 165b, and 165c are formed in the order of color, in which case the red and green (G) organic light emitting patterns 165a and 165b are formed. The formed pixel regions (P1, P2, and P4, P5) have a width (w4) of about 18 µm to 35 µm having a VGA level, and the pixel region where the blue (B) color organic light emitting pattern 165c is formed. (P3) is characterized in that its width w5 is about 45 to 55 µm, which is QVGA level, in which case the red (R) and green (G) organic light emitting patterns 165a and 165b have a width thereof. The organic light emitting patterns 165a and 165b are formed in succession to neighboring pixel areas (P1, P2, and P4 and P5). As a result, the widths of the two consecutive pixel regions (P1, P2, P4, P5) have a size of 36 µm to 70 µm, and two adjacent pixel regions P1, P2, P4, P5 It can be seen that including the width of the partition wall 160 formed at the boundary between the substantially has a width of about 45㎛ to 80㎛.

따라서, 전술한 바와 같은 유기 발광 패턴(165a, 165b, 165c)의 배치 구조에 의해 해상도의 한계인 45㎛ 내지 55㎛ 정도 또는 이보다 더 큰 폭(w6)의 개구 부(OA)를 갖는 쉐도우 마스크(190)를 이용하여 고정세의 VGA급의 표시품질을 갖는 화소영역(P(P1, P2, P3, P4, P5))을 갖는 유기전계 발광소자(101)의 제조가 가능해짐을 알 수 있다. Accordingly, the shadow mask having the opening portion OA having a width w6 of about 45 μm to 55 μm or larger than the resolution limit due to the arrangement of the organic light emitting patterns 165a, 165b, and 165c as described above ( Using the 190, it can be seen that the organic light emitting device 101 having the pixel areas P (P1, P2, P3, P4, and P5) having high-definition VGA display quality can be manufactured.

이 경우 서로 이웃한 적(R)색과 적(R)색 또는 녹(G)색과 녹(G)색의 유기 발광 패턴(165a, 165b)은 이들 화소영역((P1, P2), (P4, P5))의 경계에 역테이퍼 형태를 하며 형성된 격벽(160)에 의해 자동적으로 분리됨으로써 각 화소영역(P)별 발광이 가능하도록 한 것이 특징이다. 따라서, 서로 색을 달리하는 화소영역(P1, P2, P3, P4, P5)간의 경계에 위치하는 격벽(160)에 대응해서는 쉐도우 마스크(190)의 차폐부(SA)가 위치하도록 함으로써 상기 격벽(160) 상에는 더미 발광패턴(166)이 형성되지 않지만, 서로 이웃하는 동일한 색을 발광하는 유기 발광패턴((P1, P2), (P4, P5)) 사이 즉, 적(R)색과 적(R)색 유기 발광패턴(165a) 사이에 위치하는 격벽(160) 또는 녹(G)색과 녹(G)색 유기 발광패턴(165b) 사이에 위치하는 격벽(160)에 대응해서는 적색 또는 녹색 유기 발광 물질로써 더미 발광패턴(166)이 형성되는 것이 특징이다. In this case, the organic light emitting patterns 165a and 165b of red (R) and red (R) or green (G) and green (G) colors that are adjacent to each other are formed in the pixel areas (P1, P2) and (P4). , P5) is automatically separated by the partition wall 160 formed in the form of an inverse taper at the boundary, so that light emission of each pixel region P is possible. Accordingly, the barrier wall SA of the shadow mask 190 is positioned to correspond to the partition wall 160 positioned at the boundary between the pixel areas P1, P2, P3, P4, and P5 that have different colors. Although the dummy light emitting pattern 166 is not formed on the 160, the organic light emitting patterns (P1, P2, and P4 and P5) emitting the same color adjacent to each other, that is, red (R) and red (R). Red or green organic light emission corresponding to the partition wall 160 positioned between the color organic light emitting pattern 165a or the partition wall 160 positioned between the green (G) color and the green (G) color organic light emitting pattern 165b. The dummy light emitting pattern 166 is formed of a material.

한편, 적(R)색 및 녹(G)색 유기 발광 패턴(165a, 165b)과 청(B)색의 유기 발광 패턴(165c)의 크기를 달리 형성한 이유는, 청(B)색 유기 발광 패턴(165c)을 이루는 유기 발광 물질이 다른 두색의 유기 발광 물질보다 그 수명이 짧기에 다른 색을 발광하는 유기 발광 패턴(165a, 165b)과의 수명 밸런스를 맞추고자 상기 청(B)색 유기 발광 패턴(165c)에 대해서는 저전류 구동을 하여 발광효율을 낮추는 대신 다른 두 색의 유기발광 패턴(165a, 165b)과 휘도 수준을 맞추기 위함이며, 따라서 그 면적을 적(R) 및 녹(G)색의 유기 발광 패턴(165a, 165b)대비 크게 형성한 것이다. On the other hand, the red (R) and green (G) organic light emitting patterns 165a and 165b and the blue (B) organic light emitting pattern 165c have different sizes. The organic light emitting material constituting the pattern 165c has a shorter lifespan than the other two organic light emitting materials, so that the blue (B) color organic light emission is to be balanced with the organic light emitting patterns 165a and 165b which emit different colors. The pattern 165c is designed to match the luminance level with the other two organic light emitting patterns 165a and 165b instead of lowering the luminous efficiency by driving low current. Therefore, the area of the pattern 165c is red and green. Is larger than the organic light emitting patterns 165a and 165b.

하지만, 이러한 청(B)색 유기 발광패턴(165c) 또한 적(R)색 및 녹(G)색 발광패턴(165a, 165b)과 동일한 면적 및 폭을 갖도록 형성할 수도 있으며, 이 경우 상기 청(B)색 유기 발광패턴(165c) 또한 연속한 2개의 화소영역(미도시)에 대해 형성함으로써 고정세의 유기전계 발광소자를 제조할 수 있다. 즉, 이웃한 6개의 연속되는 화소영역(미도시)에 대해 적(R)/적(R)/녹(G)/녹(G)/청(B)/청(B) 또는 적(R)/적(R)/청(B)/청(B)/녹(G)/녹(G)의 형태를 갖도록 유기 발광패턴(미도시)을 형성함으로써 45㎛ 내지 55㎛ 정도의 개구부 폭을 갖는 쉐도우 마스크를 이용하여 VGA급의 고정세의 유기 발광 소자를 형성할 수 있다. 이때, 상기 쉐도우 마스크의 개구부의 폭 제한에 의해 45㎛ 내지 55㎛정도의 폭을 갖는 적(R), 녹(G) 및 청(B)색 유기 발광패턴이 형성된다 하더라도 상기 각 색의 유기 발광패턴은 2개의 화소영역에 걸쳐 형성되며 이들 연속한 2개의 화소영역 사이 즉, 화소영역의 경계에 위치하는 역테이퍼 구조의 격벽에 의해 자동적으로 각 화소영역별로 분리됨으로써 각 화소영역 내에 18㎛ 내지 35㎛의 폭을 갖는 유기 발광패턴을 형성할 수 있는 것이다. However, the blue (B) organic light emitting pattern 165c may also be formed to have the same area and width as the red (R) and green (G) light emitting patterns 165a and 165b. B) The color organic light emitting pattern 165c is also formed in two consecutive pixel regions (not shown), whereby a high-definition organic EL device can be manufactured. That is, red (R) / red (R) / green (G) / green (G) / blue (B) / blue (B) or red (R) for six consecutive consecutive pixel regions (not shown). By forming an organic light emitting pattern (not shown) in the form of / red (R) / blue (B) / blue (B) / green (G) / green (G) has an opening width of about 45㎛ to 55㎛ Using a shadow mask, a high-definition organic light emitting diode having a VGA class can be formed. In this case, the red, green, and blue (B) organic light emitting patterns having a width of about 45 μm to 55 μm are formed due to the width limit of the opening of the shadow mask. The pattern is formed over two pixel areas, and is automatically separated by each pixel area by partition walls of two consecutive pixel areas, i.e., an inverse taper structure located at the boundary of the pixel areas, thereby forming 18 to 35 pixels in each pixel area. The organic light emitting pattern having a width of 占 퐉 can be formed.

한편, 상기 적, 녹, 청색의 유기 발광 패턴(165a, 165b, 165c)으로 이루어진 유기 발광층(165)은 도면에서는 단일층 구조로 도시되고 있지만, 발광 효율을 높이기 위해 다층 구조로 형성될 수도 있다. 예를들어 전자 주입층, 전자 수송층, 유기 발광 물질층, 정공 수송층 및 정공 주입층의 5중층 구조로 이루어질 수도 있으며, 또는 3중층 구조로 이루어질 수도 있다. Meanwhile, although the organic light emitting layer 165 including the red, green, and blue organic light emitting patterns 165a, 165b, and 165c is illustrated in a single layer structure in the drawing, the organic light emitting layer 165 may be formed in a multi-layered structure in order to increase luminous efficiency. For example, it may be made of a five-layer structure of an electron injection layer, an electron transport layer, an organic light emitting material layer, a hole transport layer and a hole injection layer, or may be formed of a triple layer structure.

또한, 상기 제 2 기판(150) 내측면 전면에는 일함수 값이 비교적 높은 도전성 물질로 이루어진 제 1 전극(153)이 형성되어 있다. 상기 제 2 기판(150)의 내측면을 기준으로 순차 적층된 상기 제 1 전극(153)과 유기 발광층(165)과 제 2 전극(170)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다. 이때, 상기 각 화소영역(P)의 경계에는 상기 전면에 형성되는 상기 제 1 전극(153)의 전도성을 높이기 위해 저저항 금속물질로써 격자형태의 보조전극(미도시)이 더욱 형성될 수도 있다. 이때 상기 제 1 전극(153)은 일함수 값이 비교적 높은 투명 도전성 물질로 상기 제 2 전극(170)은 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질로 이루어진다고 언급하고 있지만, 상기 제 1 및 제 2 전극(153, 170)을 이루는 물질은 서로 바뀌어 형성될 수도 있다.In addition, a first electrode 153 made of a conductive material having a relatively high work function is formed on the entire inner surface of the second substrate 150. The first electrode 153, the organic emission layer 165, and the second electrode 170 sequentially stacked on the inner surface of the second substrate 150 form an organic light emitting diode (E). In this case, in order to increase the conductivity of the first electrode 153 formed on the front surface, a grid-shaped auxiliary electrode (not shown) may be further formed at the boundary of each pixel region P. In this case, although the first electrode 153 is a transparent conductive material having a relatively high work function, the second electrode 170 is referred to as being made of a metal material having a relatively low work function, but the first and second electrodes ( The materials constituting the 153 and 170 may be formed interchangeably.

또한, 상기 제 1 전극(153)을 덮으며 각 화소영역(P)의 경계에는 상기 보조전극(미도시)과 중첩하며 절연물질로 이루어진 버퍼패턴(156)이 상기 격벽(160)보다 넓은 폭을 가지며 상기 격벽(160)과 제 1 전극(153) 사이에 형성되고 있다. 이때 상기 버퍼패턴(156)은 각 화소영역(P) 내에서 상기 제 1 전극(153)을 노출시키며 형성되고 있다. In addition, the buffer pattern 156 covering the first electrode 153 and overlapping the auxiliary electrode (not shown) at the boundary of each pixel region P has a width wider than that of the partition wall 160. And is formed between the partition wall 160 and the first electrode 153. In this case, the buffer pattern 156 is formed by exposing the first electrode 153 in each pixel area P. FIG.

한편, 본 발명의 실시예에 있어서는 상기 스페이서(130)는 제 1 기판(110)의 보호층(125) 상부에 형성된 것을 보이고 있지만, 변형예로서 상기 스페이서(130)는 상기 제 2 기판(150)의 상기 버퍼패턴(156) 표면과 접촉하며 형성될 수도 있다. 이 경우, 도면에 나타내지는 않았지만, 상기 스페이서는 상기 유기 발광층(165)과 상기 제 2 전극(170)보다는 먼저 형성됨으로써 그 표면에 상기 유기 발광층(165) 및 제 2 전극(170)이 형성되며, 이러한 스페이서 표면에 형성된 제 2 전극(170)은 하 부의 제 1 기판(110)의 연결전극(138)과 접촉함으로써 구동 박막트랜지스터(DTr)와 전기적으로 연결될 수도 있다. Meanwhile, in the embodiment of the present invention, the spacer 130 is formed on the passivation layer 125 of the first substrate 110, but as a modification, the spacer 130 is the second substrate 150. It may be formed in contact with the surface of the buffer pattern 156. In this case, although not shown in the drawing, the spacer is formed before the organic light emitting layer 165 and the second electrode 170, so that the organic light emitting layer 165 and the second electrode 170 are formed on the surface thereof. The second electrode 170 formed on the surface of the spacer may be electrically connected to the driving thin film transistor DTr by contacting the connection electrode 138 of the lower first substrate 110.

전술한 구성을 갖는 제 1 기판(110)과, 제 2 기판(150)은 서로 대향하며 각 화소영역(P)에 형성된 상기 연결전극(138)과 상기 제 2 전극(170)이 서로 접촉하도록 배치되고, 상기 표시영역의 외측으로 상기 표시영역을 테두리하며 상기 두 기판(110, 150)의 사이에 형성된 씰패턴(미도시)에 의해 진공의 분위기 또는 불활성 기체 분위기에서 접착됨으로써 본 발명에 따른 유기전계 발광 소자(101)를 이루고 있다. 이때, 상기 제 2 기판(150)의 상기 제 2 전극(170) 표면에는 각 화소영역(P)별로 습기 제거를 위한 흡습물질로 이루어진 게터패턴(미도시)이 더욱 형성될 수도 있다. 이 경우 상기 게터패턴(미도시)은 상기 씰패턴(미도시)의 내측으로 상기 표시영역을 테두리하는 형태로 형성될 수도 있다. The first substrate 110 and the second substrate 150 having the above-described configuration face each other and are disposed such that the connection electrode 138 and the second electrode 170 formed in each pixel region P come into contact with each other. And an organic electric field according to the present invention by being bonded in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere by a seal pattern (not shown) formed between the two substrates 110 and 150 and bordering the display area to the outside of the display area. The light emitting element 101 is formed. In this case, a getter pattern (not shown) made of a moisture absorbing material for removing moisture for each pixel region P may be further formed on a surface of the second electrode 170 of the second substrate 150. In this case, the getter pattern (not shown) may be formed to border the display area inside the seal pattern (not shown).

이후에는 간략하게 전술한 구조를 갖는 유기전계 발광소자의 제조 방법에 대해 설명한다. 이때 상기 어레이 기판의 제조는 일반적인 어레이 기판의 제조 방법과 동일하고, 본 발명은 유기전계 발광 다이오드가 형성되는 제 2 기판에 특징적인 부분이 있으므로 상기 유기전계 발광 다이오드가 형성되는 제 2 기판의 제조 방법을 위주로 형성한다. Hereinafter, a brief description will be given of a method of manufacturing an organic light emitting device having the above-described structure. At this time, the manufacturing of the array substrate is the same as the manufacturing method of the general array substrate, the present invention has a characteristic part of the second substrate on which the organic light emitting diode is formed, the method of manufacturing the second substrate on which the organic light emitting diode is formed Form mainly on.

도 8a 내지 도 8g는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도를 도시한 것으로, 본 발명의 가장 특징이 있는 유기전계 발광 다이오드가 형성된 제 2 기판에 대한 제조 단계별 공정 단면도이다. 8A to 8G are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of an organic light emitting diode according to the present invention, and are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of a second substrate on which an organic light emitting diode having the most characteristic of the present invention is formed.

우선, 도 8a에 도시한 바와 같이, 투명한 기판(150) 상에 투명 도전성 물질 이며, 일함수가 상대적으로 타 금속대비 높은 물질 중 하나인 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 전면에 증착함으로써 상기 기판 전면에 제 1 전극(153)을 형성한다. First, as shown in FIG. 8A, an indium-tin oxide (ITO), which is a transparent conductive material on a transparent substrate 150 and a work function is relatively higher than other metals, is deposited on the front surface of the substrate. The first electrode 153 is formed on the front surface.

한편, 도면에 나타나지 않았지만, 상기 제 1 전극(153) 위로 저저항 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금 및 크롬(Cr) 중 하나의 금속물질을 증착하고, 이를 포토레지스트의 도포, 노광, 현상 및 식각을 포함하는 마스크 공정을 통해 패터닝함으로써 상기 각 화소영역(P)의 경계에 보조전극(미도시)을 형성할 수도 있다. 이때 상기 보조전극(미도시)은 표시영역 전체에 대해 격자형태 또는 벌집 형태를 이룰 수도 있으며, 또는 일방향으로 배선 형태를 갖도록 형성될 수도 있다. 이러한 보조전극(미도시)은 그 하부에 형성된 상기 제 1 전극(153)의 전도성을 향상시켜 전면에 위치별 차이없이 고른 전압이 인가되도록 하기 위함이다. 이때 상기 보조전극(미도시)은 전술한 바와 같이, 상기 제 1 전극(153)을 형성한 이후에 형성함으로써 상기 제 1 전극(153) 상부에 형성되는 것을 일례로 나타내었으나. 상기 보조전극(미도시)은 상기 제 1 전극(153) 형성 전에 상기 기판(150) 상에 형성할 수도 있으며, 또는 도시한 바와 같이 생략될 수 있다. Although not shown in the drawings, a low-resistance metal material, for example, one of aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), copper alloy, and chromium (Cr) on the first electrode 153. And an auxiliary electrode (not shown) may be formed on the boundary of each pixel region P by patterning the same through a mask process including application, exposure, development, and etching of a photoresist. In this case, the auxiliary electrode (not shown) may form a lattice shape or a honeycomb shape with respect to the entire display area, or may be formed to have a wiring shape in one direction. The auxiliary electrode (not shown) is to improve the conductivity of the first electrode 153 formed at the lower portion so that a uniform voltage is applied to the front surface without any difference. In this case, the auxiliary electrode (not shown), as described above, is formed after the first electrode 153 is formed as an example that is formed on the first electrode 153. The auxiliary electrode (not shown) may be formed on the substrate 150 before the first electrode 153 is formed, or may be omitted as shown.

다음, 도 8b에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 전극(153)(또는 상기 보조전극(미도시)) 위로 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착하여 무기절연층(미도시)을 형성하고, 이를 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 각 화소영역(P)의 경계에 상기 보조전극(미도시)을 완전히 덮는 형태로 버퍼패턴(156)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 8B, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) is deposited on the first electrode 153 (or the auxiliary electrode (not shown)). By forming an insulating layer (not shown) and patterning the same, a buffer pattern 156 is formed to completely cover the auxiliary electrode (not shown) at the boundary of each pixel region P.

다음, 도 8c에 도시한 바와 같이, 상기 버퍼패턴(156) 위로 유기절연물질을 도포하여 제 1 유기절연물질층(미도시)을 형성하고, 이를 패터닝함으로써 상기 각 화소영역(P)의 경계를 따라 그 단면이 역테이퍼 형태를 갖는 격벽(160)을 형성한다. Next, as illustrated in FIG. 8C, an organic insulating material is coated on the buffer pattern 156 to form a first organic insulating material layer (not shown), and then patterned to form a boundary between the pixel areas P. FIG. Accordingly, the partition wall 160 having an inverted taper shape is formed.

이러한 역테이퍼 구조를 갖는 격벽(158)의 형성은 네가티브(negative)의 감광성 특징을 갖는 유기절연물질을 이용함으로써 가능하다. 빛을 받은 부분이 현상 시 남게되는 네가티브(negative) 감광성 물질은 조사되는 영역에 있어 빛이 조사되는 량과 시간에 따라 빛과의 화학적 반응이 강하게 발생하여 현상 시에 제거되지 않게 되는 것인데, 상기 제 1 유기절연물질층(미도시)에 빛이 조사되는 경우 그 표면과 그 저면에 도달하는 빛량의 차이가 발생한다. 따라서 이러한 특성에 의해 노광 후 현상하면 빛과의 반응 정도 차에 의해 그 단면 구조가 역테이퍼 구조를 갖게 되는 것이다.The formation of the partition wall 158 having such an inverse taper structure is possible by using an organic insulating material having negative photosensitive characteristics. The negative photosensitive material that remains when the lighted part is developed is a strong chemical reaction with light depending on the amount and time of light irradiation in the area to be irradiated so that it cannot be removed during development. 1 When light is irradiated onto the organic insulating material layer (not shown), a difference in the amount of light reaching the surface and the bottom thereof occurs. Therefore, when developed after exposure based on these characteristics, the cross-sectional structure has an inverse taper structure due to the difference in the degree of reaction with light.

다음, 도 8d에 도시한 바와 같이, 상기 격벽(160) 위로 45㎛ 내지 55㎛ 정도의 폭을 갖는 개구부(OA)를 구비한 쉐도우 마스크(190)를 위치시키고 적색의 유기 발광 물질을 열증착하여 도시한 바와 같이 연속하는 두 개의 제 1 및 제 2 화소영역(P1, P2)에 대응하여 위치하는 상기 쉐도우 마스크(190) 개구부(OA)를 통해 적색의 유기 발광 패턴(165a)을 형성한다. 이 경우 상기 두 개의 연속하는 제 1 및 제 2 화소영역(P1, P2)의 경계에 위치하는 격벽(160)에 대응해서도 상기 적색의 유기 발광 물질이 열증착되는 바, 상기 격벽(160)의 상부에도 상기 적색의 유기 발광 물질로 이루어진 더미 유기 발광패턴(166)이 형성된다. Next, as shown in FIG. 8D, a shadow mask 190 having an opening OA having a width of about 45 μm to 55 μm is positioned on the partition 160, and thermally evaporated a red organic light emitting material. As illustrated, a red organic emission pattern 165a is formed through the opening OA of the shadow mask 190 positioned corresponding to two consecutive first and second pixel regions P1 and P2. In this case, the red organic light emitting material is thermally vapor-deposited corresponding to the partition wall 160 positioned at the boundary between the two consecutive first and second pixel regions P1 and P2. A dummy organic light emitting pattern 166 formed of the red organic light emitting material is formed on the top.

다음, 도 8e에 도시한 바와 같이, 상기 적(R)색 유기 발광 패턴(165a)이 형성된 기판(150)에 대해 상기 적(R)색 유기발광 패턴을 형성한 바와 동일한 과정을 진행함으로서 상기 연속하는 제 4 및 5 화소영역(P4, P5)에 녹(G)색 유기 발광패턴(165b)을 형성한다. 이 경우 상기 제 4 및 제 4 화소영역(P4, P5) 경계에 위치한 격벽(160)의 상부에는 녹(R)색의 더미 발광패턴(166)이 형성된다.Next, as shown in FIG. 8E, the continuous process is performed by performing the same process as forming the red organic light emitting pattern on the substrate 150 on which the red organic light emitting pattern 165a is formed. A green (G) color organic light emitting pattern 165b is formed in the fourth and fifth pixel areas P4 and P5. In this case, a dummy light emitting pattern 166 of green (R) color is formed on an upper portion of the partition wall 160 positioned at the boundary between the fourth and fourth pixel areas P4 and P5.

다음, 도 8f에 도시한 바와 같이, 상기 적(R) 및 청(B)색 유기 발광패턴(165a, 165b)이 형성된 기판(150)에 대응하여 45㎛ 내지 55㎛ 정도의 폭을 갖는 개구부(OA)를 구비한 쉐도우 마스크(190)를 이용하여 순차적으로 제 3 화소영역(P3)에 대응하여 청색 유기 발광 물질을 열증착함으로써 청(B)색 유기 발광패턴(165c)을 형성한다. 이 경우 상기 청색 유기 발광패턴(165c)에 대응하는 상기 제 3 화소영역(P)은 그 폭이 45㎛ 내지 55㎛ 정도가 되도록 구성됨으로써 상기 쉐도우 마스크(190)의 개구부(OA)가 이웃하는 타 화소영역(P2, P4)으로 침범하지 않고 상기 제 3 화소영역(P)에 대해서만 대응되므로 하나의 제 3 화소영역(P3)에 대해서만 청(B)색 유기 발광패턴(165c)이 형성되게 된다. 이때 변형예로서 도면에 나타내지 않았지만, 상기 청색 유기 발광패턴이 형성되는 화소영역 또한 고정세의 폭을 갖도록 형성할 수도 있으며, 이 경우 상기 청색 유기 발광 패턴 또한 이웃한 2개의 화소영역에 걸쳐 형성되게 된다. Next, as shown in FIG. 8F, an opening having a width of about 45 μm to 55 μm corresponding to the substrate 150 on which the red (R) and blue (B) organic light emitting patterns 165a and 165b are formed ( The blue organic light emitting pattern 165c is formed by thermally depositing a blue organic light emitting material in response to the third pixel region P3 using the shadow mask 190 having the OA. In this case, the third pixel region P corresponding to the blue organic light emitting pattern 165c is configured to have a width of about 45 μm to 55 μm, so that the opening OA of the shadow mask 190 is adjacent to each other. Since it corresponds only to the third pixel area P without invading the pixel areas P2 and P4, a blue (B) color organic light emitting pattern 165c is formed only in one third pixel area P3. Although not shown in the drawings as a modification, the pixel region in which the blue organic light emitting pattern is formed may also be formed to have a high definition width, and in this case, the blue organic light emitting pattern is also formed over two neighboring pixel regions. .

한편, 전술한 실시예에 있어서는 적(R), 녹(G), 청(B)색의 순으로 유기 발광패턴(165a, 165b, 165c)을 형성한 것을 보이고 있지만, 어느 색의 유기 발광패턴(165a, 165b, 165c)을 먼저 형성해도 무방하다. On the other hand, in the above-described embodiment, although the organic light emitting patterns 165a, 165b, and 165c are formed in the order of red (R), green (G), and blue (B) colors, the organic light emitting patterns of any color ( 165a, 165b, and 165c) may be formed first.

한편, 도면에 나타내지 않았지만, 스페이서(미도시)가 상기 제 2 기판(150)에 형성되는 경우, 상기 격벽(160) 형성 후 상기 유기 발광패턴(165a, 165b, 165c)을 형성하기 전에 상기 격벽(160) 위로 전면에 포지티브 감광성 특성을 갖는 유기절연물질을 도포하여 제 2 유기절연층(미도시)을 형성하고, 이에 대해 노광을 실시하고 현상함으로써 상기 버퍼패턴(156) 표면으로부터 그 상부로 갈수록 점점 그 단면적인 작아지는 즉, 테이퍼 구조를 갖는 기둥형태의 스페이서(미도시)를 형성할 수도 있다. Although not shown in the drawings, when a spacer (not shown) is formed on the second substrate 150, the barrier ribs may be formed before the organic light emitting patterns 165a, 165b, and 165c are formed after the barrier rib 160 is formed. 160) a second organic insulating layer (not shown) is formed by applying an organic insulating material having a positive photosensitive property on the entire surface thereof, and then exposed and developed to the surface, gradually increasing from the surface of the buffer pattern 156 to the upper portion thereof. It is also possible to form a columnar spacer (not shown) having a smaller cross-sectional area, that is, a tapered structure.

다음, 도 8g 도시한 바와 같이, 상기 적(R), 녹(G), 청(B)색의 유기 발광패턴(165a, 165b, 165c)을 포함하는 유기 발광층(165) 위로 일함수가 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al) 또는 알루미늄합금(AlNd)을 전면에 증착하여 상기 격벽( 160)에 의해 각 화소영역(P)별로 분리된 형태의 제 2 전극(170)을 형성함으로써 본 발명에 따른 제 2 기판(150)을 완성한다. Next, as shown in FIG. 8G, a metal having a low work function over the organic light emitting layer 165 including the red, green, and blue (B) organic light emitting patterns 165a, 165b, and 165c. According to the present invention, a material, for example, aluminum (Al) or aluminum alloy (AlNd) is deposited on the entire surface to form a second electrode 170 separated by each pixel region P by the partition wall 160. The second substrate 150 is completed.

다음, 선택적으로 상기 제 2 전극(170) 위로 흡습물질을 쉐도우 마스크(미도시)를 이용하여 증착함으로써 각 화소영역(P) 내에 게터패턴(미도시)을 형성할 수도 있다. 이러한 게터패턴(미도시)은 상기 제 2 전극(170) 상부에 형성할 수도 있고, 또는 추후에 상기 제 2 기판(150)과 구도 박막트랜지스터 등이 구비된 제 1 기판(미도시)의 합착 시 표시영역의 테두리를 따라 형성되는 씰패턴(미도시)의 내측에 형성할 수도 있다. Next, a getter pattern (not shown) may be formed in each pixel region P by selectively depositing a hygroscopic material on the second electrode 170 using a shadow mask (not shown). The getter pattern (not shown) may be formed on the second electrode 170, or later, when the second substrate 150 and the first substrate (not shown) provided with the composition thin film transistor are provided. It may be formed inside the seal pattern (not shown) formed along the edge of the display area.

한편, 도 7을 참조하면, 전술한 바와 같이 제작된 제 2 기판(120)과, 일반적인 제조 방법에 의해 제작된 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)와 상 기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(120)과 접촉하는 연결전극(138)을 포함하는 상기 제 1 기판(110)을 서로 마주하도록 위치시킨 후, 상기 제 1 기판(110)의 상기 스페이서(130) 상부에 연장 형성된 상기 연결전극(138)과 상기 제 2 기판(150)의 제 2 전극(170)이 접촉하도록 한 후, 상기 두 기판(110, 150)의 테두리를 따라 씰패턴(미도시)을 형성하고, 진공의 분위기 또는 불활성 기체의 분위기에서 상기 두 기판(110, 150)을 합착함으로써 본 발명에 따른 유기전계 발광소자(101)를 완성한다. Meanwhile, referring to FIG. 7, the second substrate 120 manufactured as described above, the switching and driving thin film transistor (DTr) and the driving thin film transistor DTr manufactured by the general manufacturing method are shown. The first substrate 110 including the connection electrode 138 in contact with the drain electrode 120 is positioned to face each other, and then the connection is formed to extend over the spacer 130 of the first substrate 110. After contacting the electrode 138 and the second electrode 170 of the second substrate 150, a seal pattern (not shown) is formed along the edges of the two substrates 110 and 150, and a vacuum atmosphere is provided. Alternatively, the organic light emitting diode 101 according to the present invention is completed by bonding the two substrates 110 and 150 in an inert gas atmosphere.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 간략한 회로도.1 is a schematic circuit diagram of one pixel area of a general active matrix organic light emitting diode.

도 2는 종래의 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 단면도.2 is a cross-sectional view of one pixel area of a conventional dual panel type organic light emitting device.

도 3 일반적인 쉐도우 마스크의 평면도.3 is a top view of a typical shadow mask.

도 4는 종래의 개구부 폭이 45㎛ 내지 55㎛인 쉐도우 마스크와 대해 VGA급의 표시품질을 갖는 유기전계 발광소자의 각 화소영역 내에 형성된 유기 발광층을 대향한 것을 나타낸 도면.FIG. 4 is a view showing a conventional shadow mask facing an organic light emitting layer formed in each pixel region of an organic light emitting display device having VGA display quality with respect to a shadow mask having a conventional opening width of 45 μm to 55 μm.

도 5는 본 발명에 따른 VGA급의 표시품질을 갖는 유기전계 발광소자의 평면도 일부를 도시한 도면.5 is a view showing a part of a plan view of an organic light emitting display device having a display quality of VGA class according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 VGA급의 표시품질을 갖는 유기전계 발광소자와 이의 제조에 이용된 쉐도우 마스크를 대향하여 위치시킨 것을 도시한 평면도.Figure 6 is a plan view showing the organic EL device having a display quality of the VGA class according to the present invention and the shadow mask used for the manufacturing of the organic EL device facing each other facing each other.

도 7은 도 5를 절단선 Ⅶ-Ⅶ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도.FIG. 7 is a cross-sectional view of a portion taken along the line VII-VII of FIG. 5. FIG.

도 8a 내지 도 8g는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도를 도시한 것으로, 본 발명의 가장 특징이 있는 유기전계 발광 다이오드가 형성된 제 2 기판에 대한 제조 단계별 공정 단면도.8A to 8G are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the organic light emitting diode according to the present invention, and are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the second substrate on which the organic light emitting diode is characterized.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of the drawings>

101 : 유기전계 발광소자 160 : 격벽101 organic light emitting device 160 partition wall

165 : 유기 발광패턴 165a : 적색 유기 발광패턴165: organic light emitting pattern 165a: red organic light emitting pattern

165b : 녹색 유기 발광패턴 165c : 청색 유기 발광패턴165b: green organic light emitting pattern 165c: blue organic light emitting pattern

190 : 쉐도우 마스크 OA : 개구부190: shadow mask OA: opening

P1, P2, P3, P4, P5 : 제 1,2,3,4,5 화소영역P1, P2, P3, P4, P5: First 1,2,3,4,5 pixel areas

w4 : 적 및 녹색 유기 발광 패턴이 형성되는 화소영역의 폭w4: width of the pixel region where the red and green organic light emitting patterns are formed

w5 : 청색 유기 발광 패턴이 형성되는 화소영역의 폭w5: width of the pixel region where the blue organic light emitting pattern is formed

w6 : 쉐도우 마스크의 개구부 폭 w6: opening width of the shadow mask

Claims (13)

다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판과;A first substrate on which a plurality of pixel regions are defined; 상기 제 1 기판 내측면 전면에 형성된 제 1 전극과;A first electrode formed on an entire surface of the inner surface of the first substrate; 상기 제 1 전극 하부로 각 화소영역의 경계에 형성된 버퍼패턴과;A buffer pattern formed at a boundary of each pixel area under the first electrode; 상기 버퍼패턴 하부로 각 화소영역을 테두리하며 그 단면이 상기 제 1 기판을 기준으로 역테이퍼 형태를 가지며 형성된 격벽과;Barrier ribs each pixel area below the buffer pattern and whose cross section has an inverse taper shape with respect to the first substrate; 상기 화소영역 내의 상기 제 1 전극 하부에 형성되며 적, 녹, 청색을 각각 발광하는 유기 발광패턴으로 이루어진 유기 발광층과;An organic light emitting layer formed under the first electrode in the pixel region and formed of an organic light emitting pattern emitting red, green, and blue, respectively; 상기 각 화소영역 내의 유기 발광층 하부로 상기 격벽에 의해 각 화소영역별로 분리 형성된 제 2 전극과;A second electrode formed below the organic light emitting layer in each pixel area by each of the pixel areas by the partition wall; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과; A second substrate facing the first substrate; 상기 제 2 기판 상에 상기 각 화소영역별로 형성된 스위칭 박막트랜지스터 및 이와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터와;A switching thin film transistor formed on each of the pixel regions on the second substrate and a driving thin film transistor electrically connected thereto; 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 구비하며 형성된 보호층과;A protective layer covering the switching and driving thin film transistor and having a drain contact hole exposing a drain electrode of the driving thin film transistor; 상기 보호층 위로 상기 각 화소영역별로 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 상기 드레인 콘택홀과 접촉하며 형성된 연결전극A connection electrode formed to contact the drain electrode and the drain contact hole of the driving thin film transistor for each pixel area on the passivation layer; 을 포함하며, 상기 제 2 전극과 상기 연결전극이 서로 접촉하며 구성되며, 상기 유기 발광패턴은 연속하는 2개의 화소영역에 대응하여 동일한 색을 발광하도 록 형성되며, 상기 동일한 색을 발광하는 유기 발광패턴은 상기 연속하는 2개의 화소영역의 경계에 형성된 상기 격벽에 의해 분리되는 것이 특징인 유기전계 발광소자.And the second electrode and the connection electrode are in contact with each other, and the organic light emitting pattern is formed to emit the same color corresponding to two consecutive pixel areas, and emits the same color. And the pattern is separated by the barrier rib formed at the boundary of the two consecutive pixel regions. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 2개의 연속하는 화소영역에 형성되는 유기 발광패턴은 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기 발광패턴 모두인 것이 특징인 유기전계 발광소자.And an organic light emitting pattern formed in the two consecutive pixel areas is an organic light emitting pattern emitting red, green, and blue. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 연속하는 6개의 화소영역에는 적/적/녹/녹/청/청색 또는 적/적/청/청/녹/녹색 발광하는 유기 발광패턴이 순차 반복하는 형태로 형성되는 것이 특징인 유기전계 발광소자.The organic light emitting device is characterized in that the organic light emitting patterns emitting red, red, green, green, blue, blue or red, red, blue, blue, green, and green light are sequentially formed in six consecutive pixel areas. . 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 각 화소영역의 단축 폭은 모두 18㎛ 내지 35㎛가 되어 고정세의 VGA급 표시품질을 갖는 것이 특징인 유기전계 발광소자.An organic light emitting device according to claim 1, wherein the shortened widths of the pixel areas are all 18 µm to 35 µm. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 2개의 연속하는 화소영역에 형성되는 유기 발광패턴은 적, 녹, 청색을 발광하는 패턴 중 적 및 녹색을 발광하는 유기 발광패턴인 것이 특징인 유기전계 발광소자.And an organic light emitting pattern formed in the two consecutive pixel regions is an organic light emitting pattern emitting red and green among the patterns emitting red, green, and blue. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 연속하는 5개의 화소영역에는 적/적/녹/녹/청색 또는 적/적/청/녹/녹색 발광하는 유기 발광패턴이 순차 반복하는 형태로 형성되는 것이 특징인 유기전계 발광소자.An organic light emitting device according to claim 5, wherein organic light emitting patterns emitting red, red, green, green, blue or red, red, blue, green, and green light are sequentially formed in five consecutive pixel areas. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 화소영역 중 적 및 녹색을 발광하는 유기 발광패턴이 형성된 화소영역의 단축폭은 18㎛ 내지 35㎛가 되며, 상기 청색을 발광하는 유기 발광패턴이 형성된 화소영역의 단축폭은 45㎛ 내지 55㎛인 고정세의 VGA급 표시품질을 갖는 것이 특징인 유기전계 발광소자.The short axis width of the pixel region in which the organic light emitting patterns emitting red and green light are formed is 18 μm to 35 μm, and the short axis width of the pixel region in which the organic light emitting pattern emitting blue is formed is 45 μm to 55 μm. An organic light emitting display device having a high definition VGA display quality. 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판 상의 전면에 제 1 전극을 형성하는 단계와;Forming a first electrode on an entire surface of a first substrate on which a plurality of pixel regions are defined; 상기 제 1 전극 상부로 절연물질을 증착하고 패터닝하여 상기 다수의 각 화소영역의 경계에 버퍼패턴을 형성하는 단계와;Depositing and patterning an insulating material on the first electrode to form a buffer pattern at a boundary of each of the plurality of pixel regions; 상기 버퍼패턴 상부에 상기 버퍼패턴 표면을 기준으로 역테이퍼 형태를 갖는 격벽을 형성하는 단계와;Forming a partition wall having an inverse taper shape on the buffer pattern surface on the buffer pattern; 그 단축폭이 45㎛ 내지 55㎛인 개구부를 갖는 쉐도우 마스크를 이용하여 연속하는 2개의 화소영역에 대응하여 상기 개구부가 위치하도록 한 후, 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기 발광 물질을 순차적으로 열증착하여 연속하는 2개의 화소영역에 대응하여 이들 화소영역의 경계에 형성된 상기 격벽에 의해 자동 분리되는 동일한 색을 발광하는 유기 발광패턴을 갖는 유기 발광층을 형성하는 단계와; Using a shadow mask having an opening having a short axis width of 45 µm to 55 µm, the openings are positioned corresponding to two consecutive pixel regions, and then the organic light emitting materials emitting red, green, and blue colors are sequentially opened. Forming an organic light emitting layer having an organic light emitting pattern which emits the same color which is automatically separated by the partition wall formed at the boundary of the pixel areas corresponding to two consecutive pixel areas by deposition; 상기 유기 절연층 상부로 상기 격벽에 의해 각 화소영역 별로 분리된 제 2 전극을 형성하는 단계Forming a second electrode separated by each of the pixel regions by the barrier rib on the organic insulating layer; 를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조 방법.Method for manufacturing an organic light emitting device comprising a. 제 8 항에 있어서, The method of claim 8, 상기 각 화소영역은 모두 동일한 단축폭을 가지며, 상기 단축폭은 18㎛ 내지 35㎛ 인 것이 특징인 유기전계 발광소자의 제조 방법.The pixel areas all have the same short width, and the short width is 18 µm to 35 µm. 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판 상의 전면에 제 1 전극을 형성하는 단계와;Forming a first electrode on an entire surface of a first substrate on which a plurality of pixel regions are defined; 상기 제 1 전극 상부로 절연물질을 증착하고 패터닝하여 상기 다수의 각 화소영역의 경계에 버퍼패턴을 형성하는 단계와;Depositing and patterning an insulating material on the first electrode to form a buffer pattern at a boundary of each of the plurality of pixel regions; 상기 버퍼패턴 상부에 상기 버퍼패턴 표면을 기준으로 역테이퍼 형태를 갖는 격벽을 형성하는 단계와;Forming a partition wall having an inverse taper shape on the buffer pattern surface on the buffer pattern; 그 단축폭이 45㎛ 내지 55㎛인 개구부를 갖는 쉐도우 마스크를 이용하여 제 1 단축폭을 갖는 연속하는 2개의 화소영역에 대응하여 상기 개구부가 위치하도록 한 후, 적 및 녹색을 발광하는 유기 발광 물질을 순차적으로 열증착하여 연속하는 2개의 화소영역에 대응하여 이들 화소영역의 경계에 형성된 상기 격벽에 의해 자동 분리되는 동일한 색을 발광하는 적 및 녹색 유기 발광패턴을 형성하고, 청색을 발광하는 유기 발광물질은 상기 제 1 단축폭보다 큰 제 2 단축폭을 갖는 하나의 화소영역에 대응하여 상기 쉐도우 마스크의 개구부가 위치하도록 한 후 청색을 발광하는 유기 발광 물질을 열증착하여 청색 유기 발광패턴을 형성함으로써 연속하는 5개의 화소영역에 대해 적, 적, 녹, 녹, 청색의 유기 발광패턴을 갖는 유기 발광층을 형성하는 단계와; An organic light emitting material that emits red and green light after the openings are positioned corresponding to two consecutive pixel areas having a first short axis width by using a shadow mask having an opening part having a short axis width of 45 μm to 55 μm. Are sequentially thermally deposited to form red and green organic light emitting patterns that emit the same color automatically separated by the partitions formed at the boundary of these pixel areas corresponding to two consecutive pixel areas, and organic light emitting light emitting blue The material is positioned so that the opening of the shadow mask corresponds to one pixel area having a second short width larger than the first short width, and thermally deposits an organic light emitting material emitting blue to form a blue organic light emitting pattern. Forming an organic light emitting layer having red, red, green, green, and blue organic light emitting patterns for five consecutive pixel areas; 상기 유기 절연층 상부로 상기 격벽에 의해 각 화소영역 별로 분리된 제 2 전극을 형성하는 단계Forming a second electrode separated by each of the pixel regions by the barrier rib on the organic insulating layer; 를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조 방법.Method for manufacturing an organic light emitting device comprising a. 제 10 항에 있어서, The method of claim 10, 상기 제 1 단축폭은 18㎛ 내지 35㎛이며, 상기 제 2 단축폭은 45㎛ 내지 55㎛것이 특징인 유기전계 발광소자의 제조 방법.The first short width is 18㎛ to 35㎛, The second short width is 45㎛ 55 characterized in that the manufacturing method of the organic light emitting device. 제 8 항 또는 제 10 항에 있어서, The method according to claim 8 or 10, 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판의 내측면에 서로 교차하는 다수의 게이트 및 데이터 배선을 형성하는 단계와;Forming a plurality of gates and data wires intersecting each other on an inner surface of a second substrate facing the first substrate; 상기 다수의 게이트 및 데이터 배선의 교차하여 포획되는 영역에 스위칭 박막트랜지스터와 이와 연결된 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a switching thin film transistor and a driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor in an area captured by the plurality of gates and data lines; 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 덮으며, 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극을 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와;Forming a protective layer covering the switching and driving thin film transistor and having a contact hole exposing one electrode of the driving thin film transistor; 상기 보호층 위로 상기 콘택홀을 통해 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 접촉하는 연결전극을 형성하는 단계와;Forming a connection electrode on the protective layer and in contact with one electrode of the driving thin film transistor through the contact hole; 상기 제 2 전극과 상기 연결전극이 접촉하도록 상기 제 1 및 제 2 기판을 서로 대향시키고, 그 테두리에 씰패턴을 형성하여 합착하는 단계Opposing the first and second substrates so that the second electrode and the connection electrode are in contact with each other, and forming a seal pattern at an edge thereof and bonding them to each other; 를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조 방법. Method for manufacturing an organic light emitting device comprising a. 제 12 항에 있어서, 13. The method of claim 12, 상기 제 1 기판의 버퍼패턴과 접촉하며 기둥형태의 스페이서를 형성하거나, 또는 상기 제 2 기판의 상기 보호층과 접촉하며 기둥형태의 스페이서를 형성하는 단계를 포함함으로써 상기 제 2 전극과 상기 연결전극은 상기 스페이서를 개재하여 서로 접촉하는 것이 특징인 유기전계 발광소자의 제조 방법. Forming the spacer in the form of a column in contact with the buffer pattern of the first substrate, or forming the spacer in the form of a column in contact with the protective layer of the second substrate. A method of manufacturing an organic light emitting device, characterized in that the contact with each other via the spacer.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150032082A (en) * 2013-09-17 2015-03-25 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display and method for manufacturing organic light emitting diode display
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