KR20100050407A - Method of manufacturing photomask, lithography apparatus, method and apparatus for inspecting photomask - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method of manufacturing photomask, a lithography apparatus, a method and an apparatus for inspecting a photomask are provided to transfer a preset transfer pattern on a photoresist film of a photomask blank by writing and developing the transfer pattern on the photoresist film of a photomask blank. CONSTITUTION: A photomask blank(13) is fixed on a stage(10). A thin film(14) including a light-shielding layer is formed in one side of a photomask blank. A writing unit(11) writes the preset transfer pattern on the photomask blank. A height measurement unit(12) is arranged with the preset distance from the surface of the photomask blank. A writing data production unit(15) produces the writing data by correcting the design writing data.

Description

포토마스크의 제조 방법, 묘화 장치, 포토마스크의 검사 방법 및 포토마스크의 검사 장치{METHOD OF MANUFACTURING PHOTOMASK, LITHOGRAPHY APPARATUS, METHOD AND APPARATUS FOR INSPECTING PHOTOMASK}Photomask manufacturing method, drawing device, photomask inspection method and photomask inspection device {METHOD OF MANUFACTURING PHOTOMASK, LITHOGRAPHY APPARATUS, METHOD AND APPARATUS FOR INSPECTING PHOTOMASK}

본 발명은, LSI나 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display : 이하, LCD라고 부름) 등의 제조에 사용되는 포토마스크의 제조 방법, 묘화 장치, 포토마스크의 검사 방법 및 포토마스크의 검사 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a photomask, a drawing apparatus, a method for inspecting a photomask, and an apparatus for inspecting a photomask, for use in the manufacture of LSIs and liquid crystal displays (hereinafter referred to as LCDs).

박막 트랜지스터 액정 표시 장치(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display : 이하, TFT-LCD라고 부름)는, CRT(음극선관)와 비교하여, 박형으로 하기 쉽고 소비 전력이 낮다고 하는 이점으로부터, 현재 상품화되어, 대형화가 급속하게 진행되고 있다. TFT-LCD는, 매트릭스 형상으로 배열된 각 화소에 TFT가 배열된 구조의 TFT 기판과, 각 화소에 대응하여, 레드, 그린, 및 블루의 화소 패턴이 배열된 컬러 필터가 액정층의 개재 하에 서로 겹쳐진 개략 구조를 갖는다.Thin Film Transistor Liquid Crystal Display (hereinafter referred to as TFT-LCD) is currently commercialized in view of the advantages of being thinner and having lower power consumption than CRT (cathode ray tube). It is progressing rapidly. In the TFT-LCD, a TFT substrate having a structure in which TFTs are arranged in each pixel arranged in a matrix shape, and a color filter in which red, green, and blue pixel patterns are arranged in correspondence with each pixel under the interposition of the liquid crystal layer. It has an overlapping schematic structure.

TFT-LCD의 제조에서는，LSI의 제조와 마찬가지로, 투영 노광 기술에 의한 리소그래피 공정이 필수이다. 이 투영 노광을 행할 때에 마스크로서 이용되는 포토마스크는, 투명 기판 위에 박막을 형성하고, 패터닝을 거쳐, 투광부와 차광부를 포 함하는 노광용 전사 패턴을 형성한 것이다(또한 반투광부를 포함하는 경우도 있다). 이 전사 패턴은, 설계된 소정의 좌표에 대하여 개개의 패턴이 정확하게 소정의 위치 관계로 되어 있을 필요가 있다. 이 위치 관계의 정확성은 패턴의 보다 미세화, 고해상도화에 비례하여 보다 고도의 정확성이 요구된다.In the manufacture of a TFT-LCD, as in the manufacture of an LSI, a lithography process by a projection exposure technique is essential. The photomask used as a mask when performing this projection exposure is formed by forming a thin film on a transparent substrate, patterning, and forming an exposure transfer pattern including a light transmitting portion and a light shielding portion (even in the case of including a translucent portion). have). In this transfer pattern, it is necessary for each pattern to have a predetermined positional relationship with respect to the designed predetermined coordinates. The accuracy of this positional relationship requires a higher degree of accuracy in proportion to the finer and higher resolution of the pattern.

이 전사 패턴은, 통상적으로, 투광성 기판의 표면에 차광막, 및/또는 반투광막(이하, 간단히 박막이라고도 함)이 형성된 포토마스크 블랭크에 레지스트막을 형성하여, 레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크로 되고, 이 레지스트막에 레이저나 전자선 등의 에너지 빔으로 전사 패턴을 묘화한 후, 현상 후의 레지스트 패턴을 이용하여 에칭에 의해 형성된다. 이 묘화 공정에서는, 레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크를 스테이지에 유지하고, 묘화할 패턴을 설계 묘화 데이터로서 컴퓨터에 저장하고, 이 설계 묘화 데이터에 기초하여 묘화광 조사 위치 및/또는 스테이지의 위치를 제어하여 묘화를 행한다.This transfer pattern is usually formed into a photomask blank having a resist film by forming a resist film on a photomask blank on which a light shielding film and / or a translucent film (hereinafter, simply referred to as a thin film) are formed on the surface of the light transmissive substrate. After the transfer pattern is drawn on the resist film by an energy beam such as a laser or an electron beam, it is formed by etching using the developed resist pattern. In this drawing process, a photomask blank having a resist film is held on a stage, a pattern to be drawn is stored in a computer as design drawing data, and a drawing light irradiation position and / or a position of the stage is controlled based on the design drawing data. Draw.

여기서, 이 묘화에 의해 노광하고, 레지스트의 현상, 박막의 에칭에 의해 포토마스크에 실제로 형성한 전사 패턴과, 마스크 유저가 지정한, 설계 묘화 데이터로 나타내어지는 전사 패턴이 정확하게 일치하고 있을 필요가 있다고 생각되고 있다. 그리고, 이 마스크를 이용하여 피전사체(액정 패널 등의 디바이스) 위에 전사한 패턴이, 마스크 유저가 요구하는 사양을 만족시키는 것이 필요하다. 이 조건이 만족되지 않는 포토마스크를 이용하여 패턴 전사를 행한 경우, 대량의 불량 디바이스를 만들게 된다.Here, it is thought that the transfer pattern actually exposed to the photomask by exposure of the drawing and the development of the resist and the etching of the thin film and the transfer pattern represented by the design drawing data specified by the mask user need to be exactly matched. It is becoming. And it is necessary for the pattern transferred to the to-be-transferred body (device, such as a liquid crystal panel) using this mask to satisfy the specification which a mask user requires. When pattern transfer is performed using a photomask where this condition is not satisfied, a large number of defective devices are produced.

예를 들면, 일본 특개평 7-273160호 공보(특허 문헌 1)에는, 제조된 포토마 스크에 대하여, 실제로 형성된 전사 패턴과, 설계 묘화 데이터로 나타내어지는 전사 패턴이 소정 이상의 정밀도로 일치하고 있는지의 여부를 조사하여, 포토마스크 패턴의 평가를 하는 방법에 대하여 기재되어 있다.For example, Japanese Patent Laid-Open No. 7-273160 (Patent Document 1) describes whether a transfer pattern actually formed with respect to a manufactured photomask matches the transfer pattern represented by the design drawing data with a predetermined or more precision. The method of investigating whether or not and evaluating a photomask pattern is described.

또한, 일본 특표 2007-512551호 공보(특허 문헌 2)에는, 노광 장치에서 사용하는 표면에 패턴을 기입하는 방법으로서, 두께 T의 포토마스크 블랭크를 묘화기(묘화 장치)의 스테이지 위에 배치하고, 표면을 다수의 측정 포인트로 분할하고, 각 측정 포인트에서 표면의 구배를 측정하고, 각 포인트의 X-Y 평면에서의 2차원 국부 오프셋 d를 계산하고, 이 2차원 국부 오프셋 d를 사용하여, 패턴을 수정하는 방법이 기재되어 있다.In addition, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-512551 (Patent Document 2) discloses a method of writing a pattern on a surface used in an exposure apparatus, wherein a photomask blank having a thickness T is disposed on a stage of a writing apparatus (drawing apparatus), and the surface Is divided into a number of measurement points, the surface gradient is measured at each measurement point, the two-dimensional local offset d in the XY plane of each point is calculated, and the two-dimensional local offset d is used to correct the pattern. The method is described.

그런데, 특허 문헌 1에 의해, 패턴의 평가를 적확하게 행할 수 있도록은 되었지만, 포토마스크에 형성된 전사 패턴이 노광에 의해 피전사체에 전사되었을 때에, 그 좌표 정밀도 그 자체를 높게 할 수는 없다.By the way, although patent document 1 made it possible to evaluate a pattern correctly, when the transfer pattern formed in the photomask was transferred to the to-be-transferred body by exposure, the coordinate precision itself cannot be made high.

또한 특허 문헌 2에서는, 노광 시스템 등에서, 패턴을 기입할 때에 생기는 모든 물리적 변형과 무관하게 오브젝트에 패턴을 기입하는 방법으로 하고 있지만, 묘화 공정이나 노광 공정 등의 서로 다른 공정에서의, 오브젝트의 물리적 변형의 요인의 상위를 고려, 구별하고 있지 않기 때문에, 특허 문헌 2에서의 방법으로, 설계 묘화 데이터 대하여 충분한 정밀도의 패턴을 갖는 포토마스크를 형성하는 것은 곤란하다.In Patent Document 2, although the exposure system or the like is used as a method of writing a pattern on an object regardless of all physical deformations occurring when the pattern is written, the physical deformation of the object in different processes such as a drawing process or an exposure process. Since the difference between the factors is not considered and distinguished, it is difficult to form a photomask having a pattern of sufficient precision with respect to the design drawing data by the method in Patent Document 2.

여기서, 「설계 묘화 데이터」란, 얻고자 하는 디바이스의 패턴 형상을 반영한 설계상의 패턴 데이터를 말한다.Here, "design drawing data" means design pattern data reflecting the pattern shape of the device to be obtained.

본 발명은, LSI나 LCD 등 전자 디바이스의 제조에서, TFT 등의 디바이스 패턴을 보다 정밀도 좋게 제조할 수 있는 포토마스크의 제조 방법, 검사 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of this invention is to provide the manufacturing method, inspection method, and apparatus of the photomask which can manufacture device patterns, such as TFT, with high precision in manufacture of electronic devices, such as LSI and LCD.

통상적으로, 묘화기에 재치한 상태의 포토마스크 블랭크 막면은, 이상적인 평면 형상이 아니라, 다양한 요인에 의해 변형되어 있다. 또한, 포토마스크 블랭크를 묘화기에 배치하였을 때의 변형 요인과, 완성된 포토마스크를 노광할 때의 변형 요인은 동일하지는 않다. 즉, 상기한 바와 같이 이상적인 평면으로부터 변형된 막면에 묘화를 행하여, 형성된 마스크 패턴면이 노광 시에 묘화 시와는 상이한 형상으로 되면, 설계 묘화 데이터에 의해 정해진 원하는 패턴이, 정확하게 피전사체 위에 전사되지 않는 경우가 생긴다.Usually, the photomask blank film surface of the state mounted on the drawing machine is deformed by various factors rather than an ideal planar shape. Moreover, the deformation factor when the photomask blank is arrange | positioned at the drawing machine and the deformation factor when exposing the completed photomask are not the same. That is, as described above, drawing is performed on the film surface deformed from the ideal plane, and when the formed mask pattern surface becomes a shape different from that at the time of drawing, the desired pattern determined by the design drawing data is not accurately transferred onto the transfer object. If you do not.

본 발명자들은, 묘화기의 스테이지 위에 배치된 경우의 포토마스크 블랭크의 표면 형상의 변형 요인을 상세하게 분석하고, 그 변형 요인 중에서 포토마스크가 노광 장치에서 사용될 때에 잔존하는 변형 요인과 잔존하지 않는 변형 요인을 명백하게 하였다. 그리고, 노광 시에는 소실되는 요인에 기인하는 좌표 어긋남에 대해서만, 설계 묘화 데이터를 보정하여 묘화 데이터를 얻는 것을 생각하였다.The present inventors analyze in detail the deformation factors of the surface shape of the photomask blank in the case of being disposed on the stage of the drawing machine, and among the deformation factors, the deformation factors remaining when the photomask is used in the exposure apparatus and the deformation factors not remaining. Was made clear. In the case of exposure, only the coordinate shift caused by the disappearance factor was considered to correct the design drawing data to obtain drawing data.

포토레지스트를 갖는 포토마스크 블랭크에 묘화기에 의해 패턴을 묘화할 때에는, 포토마스크 블랭크는, 묘화기의 스테이지 위에 막면이 상향으로 배치된다. 그 때에, 포토마스크 블랭크의 막면의 표면 형상의, 이상적인 플랫면으로부터의 변형의 요인으로 되는 것은, (1) 스테이지의 불충분한 플랫니스, (2) 스테이지 위의 이물 끼워 넣기에 의한 기판의 휘어짐, (3) 포토마스크 블랭크의 기판의 표면의 요철, (4) 그 기판의 이면의 요철에 기인하는 변형의 4개가 있다고 생각된다. 즉, 이 상태에서의 포토마스크 블랭크의 표면 형상의 변형은, 상기 4개의 요인의 겹침에 의한 것이다. 그리고, 이 상태의 포토마스크 블랭크에 묘화가 행하여진다.When drawing a pattern on the photomask blank which has a photoresist by a drawing machine, the film surface is arrange | positioned upward on the stage of a drawing machine. At that time, the factor of deformation from the ideal flat surface of the surface shape of the film surface of the photomask blank is (1) insufficient flatness of the stage, (2) warpage of the substrate due to foreign matter insertion on the stage, (3) It is considered that there are four deformations due to the unevenness of the surface of the substrate of the photomask blank and (4) the unevenness of the back surface of the substrate. That is, the deformation of the surface shape of the photomask blank in this state is due to the overlap of the four factors. Then, drawing is performed on the photomask blank in this state.

한편, 포토마스크가 노광 장치에서 사용될 때는, 막면을 하향으로 하여 단부만을 지지함으로써 고정된다. 레지스트막을 형성한 피전사체를 포토마스크의 아래에 배치하고, 포토마스크 위로부터 노광광을 조사한다. 이 상태에서는, 상기 4개의 변형 요인 중，(1) 스테이지의 불충분한 플랫니스, 및 (2) 스테이지 위의 이물 끼워 넣기에 의한 기판의 휘어짐은 소실된다. 또한，(4) 기판의 이면의 요철은, 이 상태에서도 남지만, 패턴이 형성되어 있지 않은 이면의 표면 형상은, 표면(패턴 형성면)의 전사에는 영향을 주지 않는다. 한편，(3) 포토마스크 블랭크의 기판의 표면의 요철은, 포토마스크가 노광 장치에서 사용될 때에도 잔존하는 변형 요인이다. 또한, 포토마스크를 노광기에 세트할 때에는, 단부를 지지할 때에, 마스크 중량에 의한 휘어짐이 생기지만, 이 휘어짐 성분에 대해서는, 각 노광기에 탑재된 보상 방법에 의해, 일반적으로는 전사성에 악영향을 미치지 않는다고 생각할 수 있다.On the other hand, when a photomask is used in an exposure apparatus, it is fixed by supporting only an end part with the film surface downward. The transfer object on which the resist film is formed is disposed under the photomask, and the exposure light is irradiated from above the photomask. In this state, among the four deformation factors, (1) insufficient flatness of the stage and (2) warpage of the substrate due to the foreign matter sandwiched on the stage are lost. (4) Although the unevenness | corrugation of the back surface of a board | substrate remains in this state, the surface shape of the back surface on which the pattern is not formed does not affect transfer of the surface (pattern formation surface). On the other hand, (3) The unevenness of the surface of the substrate of the photomask blank is a deformation factor remaining even when the photomask is used in the exposure apparatus. When the photomask is set on the exposure machine, warpage occurs due to the weight of the mask when the end portion is supported. However, this warpage component generally does not adversely affect transferability by a compensation method mounted on each exposure machine. You can think of it.

따라서, 상기 예에서는, 막면을 상향으로 하여 묘화기의 스테이지 위에 배치된 상태에서의 포토마스크 블랭크의 상면측의 표면 형상을 측정하고, 그 표면 형상 중, 상기 (1), (2), (4)가 요인으로 되어 있는, 표면 형상의 이상 평면으로부터의 변화분에 대하여, 설계 묘화 데이터를 보정하여 묘화 데이터로 하는 한편，(3)이 요인으로 되어 있는 표면 형상 변화분은, 상기 보정에 반영시키지 않는 것으로 하면, 보다 정확한, 좌표 설계 데이터의 전사 성능을 갖는 포토마스크가 얻어지게 된다.Therefore, in the said example, the surface shape of the upper surface side of the photomask blank in the state arrange | positioned on the stage of a drawing machine with a film surface upward is measured, and, among the surface shapes, said (1), (2), (4 The design drawing data is corrected to the drawing data with respect to the change from the abnormal plane of the surface shape, which is a factor, and the surface shape change caused by (3) is not reflected in the correction. If not, a photomask having a more accurate transfer performance of coordinate design data can be obtained.

또한, 상기 표면 형상의 측정 시에는, 마스크로 될 때에는 박리되게 되는 레지스트막 위으로부터 측정하게 되지만, (1)∼(4)의 변형 요인에 의해 좌표 정밀도에 영향을 주는 변형에 대하여, 레지스트막의 막 두께는 극히 작고(통상 800∼1000㎚ 정도) 그 변동은 더욱 작은 것이므로, 레지스트막 위로부터의 표면 측정에서도 지장은 생기지 않는다.In the measurement of the surface shape, a measurement is made from a resist film that is to be peeled off when it becomes a mask. However, the film of the resist film is subjected to deformation that affects the coordinate accuracy by the deformation factors of (1) to (4). Since the thickness is extremely small (usually about 800 to 1000 nm) and the variation is smaller, no disturbance occurs even when measuring the surface from the resist film.

즉 본 발명에 따른 포토마스크의 제조 방법은, 투명 기판과 상기 투명 기판 위의 박막과 그 박막 위의 포토레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크에, 묘화기를 이용하여, 소정의 묘화 데이터에 따라서 에너지 빔을 조사함으로써, 소정의 전사 패턴을 묘화하는 묘화 공정을 포함하는 포토마스크의 제조 방법으로서, 상기 묘화 공정에서의 상기 포토마스크 블랭크의 막면측의 형상과 상기 포토마스크에 노광을 행할 때의 상기 포토마스크 블랭크의 막면측의 형상의 형상 변화분을 산정하고, 산정된 형상 변화분에 기초하여 상기 소정의 전사 패턴을 위한 설계 묘화 데이터를 보정함으로써 상기 소정의 묘화 데이터를 얻는다.That is, in the manufacturing method of the photomask which concerns on this invention, an energy beam is irradiated to the photomask blank which has a transparent substrate, the thin film on the said transparent substrate, and the photoresist film on this thin film using a drawing machine according to predetermined drawing data. Thereby, as a manufacturing method of the photomask which includes the drawing process which draws a predetermined transfer pattern, the shape of the film surface side of the said photomask blank in the said drawing process, and the said photomask blank at the time of exposing the said photomask. The predetermined drawing data is obtained by calculating the shape change of the shape on the membrane surface side and correcting the design drawing data for the predetermined transfer pattern based on the calculated shape change.

또한, 여기서 말하는 형상 변화분이란, 포토마스크를 노광기에 세트하였을 때에 생기는, 포토마스크 자중에 의한 휘어짐 성분을 포함하지 않아도 된다. 왜냐 하면, 이 휘어짐에 의한 패턴의 좌표 어긋남의 보상은, 노광 장치에 탑재된 방법에 의해 행해지기 때문에, 묘화 데이터를 얻을 때에는 고려하지 않는 것으로 할 수 있다.In addition, the shape change here does not need to contain the curvature component by the photomask self weight which arises when the photomask is set to an exposure machine. This is because compensation of the coordinate shift of the pattern due to the warping is performed by a method mounted on the exposure apparatus, and therefore, it may not be considered when obtaining the drawing data.

또한, 본 발명에 따른 포토마스크의 제조 방법은, 투명 기판과 상기 투명 기판 위의 박막과 상기 박막 위의 포토레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크에, 묘화기를 이용하여, 소정의 묘화 데이터에 따라서 에너지 빔을 조사함으로써, 소정의 전사 패턴을 묘화하는 공정을 포함하는 포토마스크의 제조 방법으로서, 상기 포토마스크 블랭크를, 상기 박막을 갖는 면을 상측으로 하여 묘화기의 스테이지에 재치한 상태에서, 상기 포토마스크 블랭크의 상측의 면의 높이 분포를 측정함으로써 얻어지는 블랭크면 높이 분포 데이터와, 미리 취득한 상기 포토마스크 블랭크의 막면 형상 데이터를 이용하여 상기 소정의 전사 패턴을 위한 설계 묘화 데이터를 보정함으로써 상기 소정의 묘화 데이터를 얻는 것이다.Moreover, the manufacturing method of the photomask which concerns on this invention uses the drawing machine to the photomask blank which has a transparent substrate, the thin film on the said transparent substrate, and the photoresist film on the said thin film, and uses an energy beam according to predetermined drawing data. A photomask manufacturing method comprising a step of drawing a predetermined transfer pattern by irradiating, wherein the photomask blank is placed on the stage of the drawing machine with the surface having the thin film placed upward. The predetermined drawing data is corrected by correcting the design drawing data for the predetermined transfer pattern using the blank surface height distribution data obtained by measuring the height distribution of the upper surface of the film and the film surface shape data of the photomask blank obtained in advance. To get.

또한, 본 발명에 따른 포토마스크의 제조 방법은, 투명 기판과 상기 투명 기판 위의 박막과 상기 박막 위의 포토레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과, 상기 포토마스크 블랭크를, 상기 박막을 갖는 면을 상측으로 하여 스테이지에 재치하는 공정과, 상기 스테이지 위의 상기 포토마스크 블랭크의 상측의 면의 높이 분포를 측정함으로써 블랭크면 높이 분포 데이터를 얻는 공정과, 미리 취득한 상기 포토마스크 블랭크의 막면 형상 데이터와 상기 블랭크면 높이 분포 데이터를 이용하여 소정의 전사 패턴을 위한 설계 묘화 데이터를 보정함으로써 소정의 묘화 데이터를 얻는 공정과, 상기 포토레지스트막에, 상기 소정의 묘화 데이터 에 따라서 에너지 빔을 조사함으로써, 상기 소정의 전사 패턴을 묘화하는 공정을 갖는 것이다.Moreover, the manufacturing method of the photomask which concerns on this invention is a process of preparing the photomask blank which has a transparent substrate, the thin film on the said transparent substrate, and the photoresist film on the said thin film, and the said photomask blank having the said thin film A step of placing the surface face up on the stage, a step of obtaining blank surface height distribution data by measuring a height distribution of the upper surface of the photomask blank on the stage, and a film surface shape data of the photomask blank obtained in advance And correcting design drawing data for a predetermined transfer pattern using the blank surface height distribution data to obtain predetermined drawing data, and irradiating an energy beam to the photoresist film in accordance with the predetermined writing data. It has a process of drawing the predetermined transfer pattern.

상기 본 발명에 따른 포토마스크의 제조 방법에서, 상기 설계 묘화 데이터의 보정은, 상기 블랭크면 높이 분포 데이터와 상기 막면 형상 데이터와의 차분을 구하는 것을 포함하면 바람직하다. 예를 들면, 상기 블랭크면 높이 분포 데이터로부터 상기 막면 형상 데이터를 뺀 것을 포함할 수 있다. 또한, 상기 본 발명에 따른 포토마스크의 제조 방법에서, 상기 설계 묘화 데이터의 보정 시에는, 상기 블랭크면 높이 분포 데이터와 상기 막면 형상 데이터와의 차분을 구하여 얻어진 차분 데이터를 이용하여, 상기 포토마스크 블랭크의 표면 상의 복수 위치에서의, 상기 포토마스크 블랭크의 높이 방향의 구배와, 상기 포토마스크 블랭크의 두께에 기초하여, 상기 설계 묘화 데이터의 좌표값을 변환하여 행할 수 있다. 또는, 상기 블랭크면 높이 분포 데이터와 상기 막면 형상 데이터와의 차분을 구하여 얻어진 차분 데이터를 이용하여, 상기 포토마스크 블랭크의 표면 상의 복수 위치에서의, 상기 포토마스크 블랭크의 높이 방향의 구배와, 상기 포토마스크 블랭크의 두께에 기초하여, 묘화기의 묘화 좌표계를 보정하여 행하여져도 된다. 즉, 본 발명에서, 「설계 묘화 데이터의 보정」이란, 설계 묘화 데이터 자체를 보정하는 경우뿐만 아니라, 묘화 시에, 묘화기가 갖는 묘화 좌표계를 보정함으로써도, 마찬가지의 효과를 얻는 경우를 포함하는 것으로 한다.In the method of manufacturing the photomask according to the present invention, the correction of the design drawing data preferably includes determining a difference between the blank surface height distribution data and the film surface shape data. For example, it may include subtracting the membrane surface shape data from the blank surface height distribution data. In the photomask manufacturing method according to the present invention, the photomask blank is obtained by using the difference data obtained by obtaining a difference between the blank surface height distribution data and the film surface shape data when correcting the design drawing data. Based on the gradient of the height direction of the said photomask blank and the thickness of the said photomask blank in the several position on the surface of, it can carry out by converting the coordinate value of the design drawing data. Alternatively, the gradient in the height direction of the photomask blank at a plurality of positions on the surface of the photomask blank using the difference data obtained by obtaining the difference between the blank surface height distribution data and the film surface shape data, and the photo The drawing coordinate system of the drawing machine may be corrected based on the thickness of the mask blank. That is, in the present invention, the "correction of design drawing data" includes a case where the same effect is obtained not only by correcting the design drawing data itself but also by correcting the drawing coordinate system of the drawing device at the time of drawing. do.

또한, 묘화된 상기 전사 패턴을 묘화하여 얻어진 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 박막을 에칭하는 공정을 더 가질 수 있다.Further, the method may further include a step of etching the thin film by using the resist pattern obtained by drawing the transferred transfer pattern as a mask.

또한, 본 발명에 따른 묘화 장치는, 표면에 포토레지스트막이 형성된 포토마스크 블랭크에 소정의 전사 패턴을 묘화하는 묘화 장치로서, 스테이지 위에 상기 포토레지스트막이 상향으로 배치된 상기 포토마스크 블랭크의 표면의 높이 분포를 측정함으로써 블랭크면 높이 분포 데이터를 얻는 높이 측정 수단과, 미리 취득한 상기 포토마스크 블랭크의 막면 형상 데이터와 상기 블랭크면 높이 분포 데이터를 이용하여 상기 소정의 전사 패턴을 위한 설계 묘화 데이터를 보정함으로써 소정의 묘화 데이터를 얻는 연산 수단과, 상기 포토레지스트막에, 상기 소정의 묘화 데이터에 따라서 에너지 빔을 조사하는 묘화 수단을 갖는 것이다. 여기서, 설계 묘화 데이터의 보정이란, 상기한 바와 같이, 설계 묘화 데이터 자체를 보정하는 경우 외에, 그 설계 묘화 데이터를 이용하여 묘화할 때의, 묘화 좌표계를 보정하는 경우를 포함한다. 이와 같은, 묘화 좌표계를 보정하는 수단(연산 수단)을 갖는 묘화 장치인 것이 보다 바람직하다.Moreover, the drawing apparatus which concerns on this invention is a drawing apparatus which draws a predetermined | prescribed transfer pattern on the photomask blank in which the photoresist film was formed in the surface, The height distribution of the surface of the photomask blank in which the said photoresist film was arrange | positioned upward on the stage. A height measurement means for obtaining blank surface height distribution data by measuring a predetermined value, and correcting design drawing data for the predetermined transfer pattern by using previously obtained film surface shape data of the photomask blank and the blank surface height distribution data. The calculation means which obtains drawing data, and the drawing means which irradiates an energy beam to the said photoresist film according to the said predetermined drawing data are provided. Here, correction of design drawing data includes the case of correcting the drawing coordinate system at the time of drawing using the design drawing data as well as the case of correcting the design drawing data itself. It is more preferable that it is a drawing apparatus which has a means (calculation means) which corrects such a drawing coordinate system.

또한, 본 발명에 따른 포토마스크의 검사 방법은, 투명 기판 위에 박막으로 이루어지는 전사 패턴을 갖는 포토마스크를 검사하는 포토마스크의 검사 방법으로서, 상기 포토마스크를, 상기 전사 패턴을 갖는 면을 상측으로 하여 스테이지에 재치하는 공정과, 상기 스테이지 위의 상기 포토마스크의 상측의 면의 높이 분포를 측정함으로써 마스크면 높이 분포 데이터를 얻는 공정과, 상기 스테이지 위의 상기 포토마스크의 상기 전사 패턴의 형상을 측정하여 패턴 길이 측정 데이터를 얻는 공정과, 미리 취득한 상기 포토마스크의 막면 형상 데이터와 상기 마스크면 높이 분포 데이터를 이용하여, 상기 패턴 길이 측정 데이터, 또는 상기 전사 패턴을 위한 설계 묘화 데이터를 보정하는 공정을 갖는 것이다.Moreover, the inspection method of the photomask which concerns on this invention is a inspection method of the photomask which inspects the photomask which has a transfer pattern which consists of a thin film on a transparent substrate, The said photomask is made into the upper surface which has the said transfer pattern. A step of placing on a stage, a step of obtaining mask surface height distribution data by measuring a height distribution of an upper surface of the photomask on the stage, and measuring a shape of the transfer pattern of the photomask on the stage, Obtaining pattern length measurement data, and correcting the pattern length measurement data or design drawing data for the transfer pattern by using previously obtained film surface shape data of the photomask and the mask surface height distribution data. will be.

예를 들면, 미리 취득한 상기 포토마스크의 막면 형상 데이터와 상기 마스크면 높이 분포 데이터를 이용하여 상기 패턴 길이 측정 데이터를 보정하고, 보정 후의 상기 패턴 길이 측정 데이터와 상기 설계 묘화 데이터를 비교하는 공정을 갖는 것으로 할 수 있다. 또는, 미리 취득한 상기 포토마스크의 막면 형상 데이터와, 상기 마스크면 높이 분포 데이터를 이용하여 상기 설계 묘화 데이터를 보정하고, 보정 후의 상기 설계 묘화 데이터와 상기 패턴 길이 측정 데이터를 비교하는 공정을 갖는 것으로 할 수 있다. 이 때에 이용하는 상기 막면 형상 데이터로서는, 상기 포토마스크부의 막면 형상 데이터를 이용하여 근사시킬 수 있다.For example, the pattern length measurement data is corrected using the film surface shape data and the mask surface height distribution data of the photomask acquired in advance, and the pattern length measurement data after the correction is compared with the design drawing data. It can be done. Alternatively, the design drawing data may be corrected using the film surface shape data of the photomask and the mask surface height distribution data acquired in advance, and the design drawing data after correction may be compared with the pattern length measurement data. Can be. As said film surface shape data used at this time, it can approximate using the film surface shape data of the said photomask part.

또한, 본 발명에 따른 포토마스크의 검사 장치는, 투명 기판 위에 박막으로 이루어지는 전사 패턴을 갖는 포토마스크를 검사하는 포토마스크의 검사 장치로서, 스테이지 위에 상기 전사 패턴이 상향으로 배치된 상기 포토마스크의 표면의 높이 분포를 측정함으로써 마스크면 높이 분포 데이터를 얻는 높이 측정 수단과, 상기 스테이지 위의 상기 포토마스크의 전사 패턴의 형상을 측정하여 패턴 길이 측정 데이터를 얻는 길이 측정 수단과, 미리 취득한 상기 포토마스크의 막면 형상 데이터와 상기 마스크면 높이 분포 데이터를 이용하여, 상기 패턴 길이 측정 데이터, 또는 상기 전사 패턴을 위한 설계 묘화 데이터를 보정하는 연산 수단을 가질 수 있다.In addition, an inspection apparatus for a photomask according to the present invention is a photomask inspection apparatus for inspecting a photomask having a transfer pattern made of a thin film on a transparent substrate, the surface of the photomask having the transfer pattern disposed upward on a stage. Height measuring means for obtaining mask surface height distribution data by measuring the height distribution of the optical signal, length measuring means for measuring the shape of the transfer pattern of the photomask on the stage to obtain pattern length measurement data, and the photomask obtained in advance. A calculation means for correcting the pattern length measurement data or the design drawing data for the transfer pattern may be provided using the film surface shape data and the mask surface height distribution data.

예를 들면, 미리 취득한 상기 포토마스크의 막면 형상 데이터와 상기 마스크면 높이 분포 데이터를 이용하여, 상기 패턴 길이 측정 데이터를 보정하는 연산 수 단과, 보정 후의 상기 패턴 길이 측정 데이터와 상기 설계 묘화 데이터를 비교하는 비교 수단을 갖는 포토마스크의 검사 장치를 포함한다.For example, a calculation step of correcting the pattern length measurement data using the film surface shape data and the mask surface height distribution data of the photomask acquired in advance, and the pattern length measurement data after correction and the design drawing data are compared. And a photomask inspection apparatus having a comparison means.

또한, 미리 취득한 상기 막면 형상 데이터와 상기 마스크면 높이 분포 데이터를 이용하여, 상기 설계 묘화 데이터를 보정하는 연산 수단과, 상기 보정 후의 설계 묘화 데이터와, 상기 패턴 길이 측정 데이터를 비교하는 비교 수단을 갖는 포토마스크의 검사 장치를 포함한다.Moreover, the calculation means which corrects the said design drawing data using the said film surface shape data and the said mask surface height distribution data acquired previously, and the design drawing data after the said correction, and the comparison means for comparing the said pattern length measurement data are provided. A photomask inspection apparatus.

본 발명에 따른 포토마스크의 제조 방법은, 묘화기의 스테이지 위에 배치된 상태에서의 포토마스크 블랭크의 막면측의 표면 형상을 측정하고, 그 표면 형상의 이상 평면으로부터의 변형 요인 중, 그 포토마스크 블랭크에 패턴이 형성된 포토마스크로 되어, 노광 장치에 설치된 상태에서, 상기 표면 형상이 변화되는 변화분에 대하여, 설계 묘화 데이터를 보정한다. 구체적으로는, 묘화 시의 막면 형상의 이상 평면으로부터의 변형 요인 중, 노광 시에도 잔류하는 분(막면의 요철)과, 노광 시에는 소실되는 분(이물에 의한 기판의 휘어짐 등)을 구별하고, 노광 시에는 소실되는 분에 상당하는 좌표 어긋남에 대하여, 설계 묘화 데이터를 보정하여, 소정의 묘화 데이터를 얻는다. 이에 의해, 마스크 사용 시에, 피전사체 위에 전사된 전사 패턴은, 얻고자 하는 디바이스 패턴의 설계 묘화 데이터를 정확하게 반영한 것으로 된다.The manufacturing method of the photomask which concerns on this invention measures the surface shape of the film surface side of the photomask blank in the state arrange | positioned on the stage of the drawing machine, and among the deformation factors from the abnormal plane of the surface shape, the photomask blank It becomes a photomask in which the pattern was formed, and the design drawing data is correct | amended about the change from which the said surface shape changes in the state provided in the exposure apparatus. Specifically, among the deformable factors from the abnormal plane of the film surface shape at the time of drawing, the one which remains even at the time of exposure (the unevenness | corrugation of a film surface), and the one which lose | disappears at the time of exposure (warping of the board | substrate by a foreign material etc.), At the time of exposure, design drawing data is correct | amended about the coordinate shift corresponding to the one lost, and predetermined | prescribed drawing data is obtained. Thereby, the transfer pattern transferred on the to-be-transferred body at the time of using a mask will reflect the design drawing data of the device pattern to obtain correctly.

또한, 그 마스크의 검사 공정에서도, 검사기의 스테이지 위에 재치된 상태에서 얻어진 길이 측정 데이터에 대하여, 이물에 의한 기판의 휘어짐 등, 노광 시에는 소실되는 변형분에 상당하는 좌표 어긋남에 대하여, 길이 측정 데이터 또는 설 계 묘화 데이터를 보정하고, 설계 묘화 데이터와 비교하여, 마스크를 평가한다. 이에 의해, 마스크에 형성된 패턴의 양부를 올바르게 평가할 수 있다.Moreover, also in the inspection process of the mask, with respect to the length measurement data obtained in the state mounted on the stage of a tester, length measurement data regarding the coordinate shift | deviation corresponding to the deformation | transformation lost at the time of exposure, such as the bending of the board | substrate by a foreign material, etc. Alternatively, the design drawing data is corrected, and the mask is evaluated by comparison with the design drawing data. Thereby, the quality of the pattern formed in the mask can be evaluated correctly.

이하에, 본 발명의 실시 형태를 도면, 실시예 등을 사용하여 설명한다. 또한, 이들 도면, 실시예 등 및 설명은 본 발명을 예시하는 것이며, 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다. 본 발명의 취지에 합치하는 한 다른 실시 형태도 본 발명의 범주에 속할 수 있는 것은 물론이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, embodiment of this invention is described using drawing, an Example, etc. In addition, these figures, Examples, and description are illustrative of the present invention, and do not limit the scope of the present invention. It goes without saying that other embodiments may fall within the scope of the present invention as long as they are in accordance with the spirit of the present invention.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 포토마스크의 제조 방법에서 이용되는 묘화 장치의 개념도이다. 이 묘화 장치는, 스테이지(10), 묘화 수단(11), 높이 측정 수단(12) 및 묘화 데이터 작성 수단(15)(연산 수단)을 적어도 갖고 있다. 스테이지(10) 위에는 포토마스크 블랭크(13)가 고정되어 있다. 포토마스크 블랭크는 편면에 적어도 차광막을 포함하는 박막(14)이 형성되어 있고, 박막(14)이 형성되어 있는 면이 상향으로 배치되어 있다. 묘화 수단(11)은, 예를 들면 레이저를 조사하여, 묘화 공정에서, 스테이지(10) 위에 고정된 포토레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크(13)에 소정의 전사 패턴을 묘화하기 위한 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a conceptual diagram of the drawing apparatus used by the manufacturing method of the photomask which concerns on embodiment of this invention. This drawing apparatus has at least the stage 10, the drawing means 11, the height measuring means 12, and the drawing data creation means 15 (computing means). The photomask blank 13 is fixed on the stage 10. As for the photomask blank, the thin film 14 containing the light shielding film is formed in the single side | surface, and the surface in which the thin film 14 is formed is arrange | positioned upward. The drawing means 11 irradiates a laser, for example, and draws a predetermined transfer pattern in the photomask blank 13 which has a photoresist film fixed on the stage 10 in a drawing process.

높이 측정 수단(12)은, 예를 들면 공기 쿠션 등에 의해, 포토마스크 블랭크(13)의 표면으로부터 일정한 거리를 두고 배치되어 있다. 높이 측정 수단(12)은, 포토마스크 블랭크(13)의 표면 형상에 의한 높이의 변화에 따라서, 높이가 상하하는 기구로 되어 있어, 포토마스크 블랭크(13)의 표면의 높이(Z방향)의 변화를 측정할 수 있다.The height measuring means 12 is arrange | positioned at the fixed distance from the surface of the photomask blank 13, for example by air cushion. The height measuring means 12 is a mechanism whose height rises and falls according to the change of the height by the surface shape of the photomask blank 13, and the change of the height (Z direction) of the surface of the photomask blank 13 is changed. Can be measured.

또한, 표면의 높이를 측정하는 방법으로서는, 상기 외에, 높이 측정 수단(12)과 마찬가지의 부재를 일정 위치에 유지하기 위한 공기의 유량을 이용하여 측정하는 방법이나, 갭간의 정전 용량, 레이저를 이용한 펄스 카운트, 광학적인 포커스에 의한 것 등도 사용할 수 있다.In addition, as a method of measuring the height of the surface, in addition to the above, a method of measuring by using a flow rate of air for maintaining a member similar to the height measuring means 12 at a predetermined position, a capacitance between gaps, and using a laser Pulse count, optical focus, etc. can also be used.

묘화 데이터 작성 수단(15)은, 포토마스크 블랭크(13)의 묘화 공정에서의 막면측의 형상과, 그 포토마스크 블랭크(13)에 의해 포토마스크를 제작할 때의 노광 시의 막면측의 형상의 형상 변화에 따라서, 묘화할 전사 패턴 형상을 특정하는 설계 묘화 데이터를 보정하여, 묘화 데이터를 작성한다. 예를 들면, 묘화 데이터 작성 수단(15)은, 포토마스크 블랭크(13)의 막면 형상 데이터 높이 측정 수단(12)으로부터의 포토마스크 블랭크(13)의 표면 형상의 높이 변화를 나타내는 데이터와, 미리 취득된, 포토마스크 블랭크(13)의 막면 형상 데이터에 기초하여, 설계 묘화 데이터를 보정하여 묘화 수단(11)에 의해 묘화하기 위한 묘화 데이터를 작성한다.The drawing data creation means 15 has a shape on the film surface side in the drawing process of the photomask blank 13 and a shape on the film surface side during exposure when the photomask is produced by the photomask blank 13. According to a change, design drawing data which specifies the shape of the transfer pattern to be drawn is corrected, and drawing data is created. For example, the drawing data creation means 15 acquires in advance the data which shows the height change of the surface shape of the photomask blank 13 from the film surface shape data height measuring means 12 of the photomask blank 13, and is acquired previously. Based on the film surface shape data of the photomask blank 13, design drawing data is corrected and drawing data for drawing by the drawing means 11 is created.

또한, 상기한 바와 같이, 이 묘화 데이터의 보정은, 보정된 묘화 데이터를 작성하는 경우뿐만 아니라, 묘화기가 갖는 묘화 좌표계에 대하여, 상기 데이터를 반영시키는 보정을 행하여도 되는 것은 물론이다.As described above, the correction of the drawing data may of course be corrected to reflect the data not only in the case of creating corrected drawing data but also in the drawing coordinate system of the drawing device.

묘화 수단(11) 및 높이 측정 수단(12)은 모두, 스테이지(10) 위를 x방향 및 y방향으로 이동하는 기구에 유지됨으로써, 스테이지와 평행한 면내를 이동 가능하다(도시하지 않음). 그 대신에, 묘화 수단(11) 및 높이 측정 수단(12)이 고정되고, 스테이지(10)를 x방향 및 y방향으로 평행 이동시키는 기구를 구비하여도 되고, 또는, 묘화 수단 등과 스테이지 중 한쪽을 x방향, 다른 쪽을 y방향으로 이동시켜, 상대 이동에 의해 묘화 수단 등을 스테이지 위의 원하는 위치로 이동시키는 기구를 구비하여도 된다.The drawing means 11 and the height measuring means 12 are both held by the mechanism which moves on the stage 10 in the x direction and the y direction, and can move in-plane parallel to a stage (not shown). Instead, the drawing means 11 and the height measuring means 12 may be fixed, and a mechanism for moving the stage 10 in parallel in the x and y directions may be provided, or one of the drawing means and the stage may be provided. You may be provided with the mechanism which moves x direction and the other direction to y direction, and moves drawing means etc. to a desired position on a stage by relative movement.

도 2는 묘화 장치의 스테이지(10) 위의 포토마스크 블랭크(13)의 단면의 확대도이다. 예를 들면 y축과 수직한 면에서의 단면(x축과 평행한 면)으로 한다. 박막(14)은 생략되어 있다. 스테이지(10) 위에 배치된 포토마스크 블랭크(13)의 표면(20)의 형상은, 상기한 바와 같이 복수의 요인에 의해 이상 평면으로부터 변형 된 것으로 되어 있다.2 is an enlarged view of a cross section of the photomask blank 13 on the stage 10 of the drawing apparatus. For example, it is set as the cross section (plane parallel to x-axis) in the surface perpendicular | vertical to ay axis. The thin film 14 is omitted. The shape of the surface 20 of the photomask blank 13 arrange | positioned on the stage 10 is deformed from the abnormal plane by several factors as mentioned above.

이하, 도 2를 이용하여 높이 측정 수단(12)에 의해, 스테이지(10) 위의 포토마스크 블랭크(13)의 표면 형상의 변형을 측정하는 방법을 설명한다. 변형이 없는 이상적인 평면이었던 경우의 포토마스크 블랭크(13)의 표면을 기준 표면(21)으로 한다. 소정의 측정 포인트(22)에서, 높이 측정 수단(12)에 의해 높이를 측정하고, 그 측정을 소정의 간격 Pitch로 반복한다. 높이 측정 수단(12)에 의해 측정된 높이와 기준 표면(21)의 차분을 블랭크면 높이 분포 데이터로 한다.Hereinafter, the method of measuring the deformation of the surface shape of the photomask blank 13 on the stage 10 by the height measuring means 12 is demonstrated using FIG. The surface of the photomask blank 13 in the case of an ideal plane without deformation is referred to as the reference surface 21. At the predetermined measuring point 22, the height is measured by the height measuring means 12, and the measurement is repeated at a predetermined interval pitch. The difference between the height measured by the height measuring means 12 and the reference surface 21 is defined as the blank surface height distribution data.

블랭크면 높이 분포 데이터가 0인 측정 포인트(즉, 높이가 기준 표면(21)과 일치하는 측정 포인트)에 인접하는 측정 포인트에서의 블랭크면 높이 분포 데이터가 H이었던 경우, 이 높이의 차이에 의한 포토마스크 블랭크(13)의 표면(20)과 기준 표면(21)이 이루는 각의 각도 φ는, 각도 φ가 충분히 작은 경우,When the blank surface height distribution data at the measurement point adjacent to the measurement point where the blank surface height distribution data is zero (that is, the measurement point whose height coincides with the reference surface 21) was H, the photo by the difference in height When the angle φ of the angle formed between the surface 20 of the mask blank 13 and the reference surface 21 is small enough,

[수학식 1][Equation 1]

Figure 112009066768387-PAT00001
Figure 112009066768387-PAT00001

로 표현된다. 또한, 상기에서, H/Pitch는, 포토마스크 블랭크 표면의 높이 방향의 구배라고 생각할 수도 있다.It is expressed as In addition, in the above, H / Pitch can also be considered as the gradient of the height direction of the photomask blank surface.

또한, φ의 값이 충분히 작으면 If the value of φ is small enough

[수학식 1'][Equation 1 ']

Figure 112009066768387-PAT00002
Figure 112009066768387-PAT00002

로 근사할 수도 있다. 이하의 설명에서는, 수학식 1을 이용한다.It can be approximated by In the following description, Equation 1 is used.

상기의 경우, 이 높이의 차이에 기인하는 측정 포인트의 x축 방향의 어긋남 d는, 일반적으로, In the above case, the deviation d in the x-axis direction of the measurement point due to the difference in height is generally

[수학식 2][Equation 2]

Figure 112009066768387-PAT00003
Figure 112009066768387-PAT00003

에 의해 구할 수 있다.Can be obtained by

또한, 상기에서도, φ가 충분히 작으면, Moreover, also in the above, if phi is small enough,

[수학식 2'][Equation 2 ']

Figure 112009066768387-PAT00004
Figure 112009066768387-PAT00004

로 근사할 수도 있다.It can be approximated by

또한, 여기서, t는 포토마스크 블랭크의 두께이다.Here, t is the thickness of the photomask blank.

상기의 측정을, 포토마스크 블랭크(13) 위의 x방향, y방향에 대하여, 소정의 간격 Pitch로 행함으로써, 각 측정 포인트에서의 표면 형상의 변화에 기인하는 측정 포인트의 어긋남을 측정할 수 있다.By performing the above measurement at a predetermined interval pitch in the x-direction and y-direction on the photomask blank 13, the deviation of the measurement point due to the change in the surface shape at each measurement point can be measured. .

이상의 측정에 의해 얻어진 결과에는, 상기한 바와 같이, (1) 스테이지(10)의 불충분한 플랫니스, (2) 스테이지(10) 위의 이물 끼워 넣기에 의한 기판의 휘어짐, (3) 포토마스크 블랭크(13)의 기판의 표면의 요철, (4) 포토마스크 블랭크(13)의 기판의 이면의 요철이라는 4개의 포토마스크 블랭크의 표면 형상의 이상 평면으로부터의 변형 요인에 의한 높이 변화가 포함되어 있다고 생각된다.According to the results obtained by the above measurement, as described above, (1) insufficient flatness of the stage 10, (2) warpage of the substrate due to foreign matter intercalation on the stage 10, and (3) photomask blanks. It is thought that the height change by the deformation factor from the abnormal plane of the surface shape of the four photomask blanks, the unevenness | corrugation of the surface of the board | substrate of (13), and the unevenness | corrugation of the back surface of the board | substrate of the photomask blank 13 is contained. do.

한편, 포토마스크 블랭크에 소정의 전사 패턴을 전사하여 제작한 포토마스크의 노광 장치에서의 사용예를 도 3에 도시한다. 도 3은 노광 장치의 개념도이다. 포토마스크(30)는, 양단이 지지체(31)로 지지되고, 막면(32)이 아래를 향하여 설치된다. 피전사체(33)는 포토마스크(30)의 아래에 배치된다. 광원(34)으로부터의 노광광은 포토마스크(30) 위로부터 조사되어, 포토마스크(30)를 통하여 피전사체에 조사된다.On the other hand, FIG. 3 shows an example of use of the photomask exposure apparatus which is obtained by transferring a predetermined transfer pattern onto a photomask blank. 3 is a conceptual diagram of an exposure apparatus. Both ends of the photomask 30 are supported by the support body 31, and the film surface 32 is provided downward. The transfer object 33 is disposed below the photomask 30. The exposure light from the light source 34 is irradiated from above the photomask 30 and irradiated to the transfer target object through the photomask 30.

또한, 실제로는 노광 장치 내에 지지된 포토마스크는, 그 중량에 의해 휘어진다. 그러나, 이 휘어짐에 의한 패턴의 좌표 어긋남의 보상 기구는 노광 장치에 탑재되어 있다.In addition, the photomask currently supported in the exposure apparatus is bent by the weight. However, the compensation mechanism of the coordinate shift of the pattern by this warpage is mounted in the exposure apparatus.

이 상태에서는，상기한 바와 같이, 상기 4개의 변형 요인 중，(3) 포토마스크 블랭크(13)의 기판의 표면(막면(32))의 요철만이 잔존하고, (1), (2) 및 (4)는 소실되어 있기 때문에, 패턴 형성에 영향을 주지 않는다. 따라서, 묘화 시와 노광 시의, 막면(패턴 형성면)의 형상 변화는, 상기 (1), (2), (4)의 합계로 되고, 그것에 기인하는 패턴의 좌표 어긋남도 이 변화분을 반영한 것으로 된다. 따라서, 전사 패턴을 묘화할 때에는, 상기 4개의 변형 요인에 의한 어긋남 중，(3)에 기인하 는 어긋남을 제외한, (1), (2) 및 (4)에 기인하는 어긋남분만큼, 전사 패턴의 설계 묘화 데이터를 보정할 필요가 있다.In this state, as described above, among the four deformation factors, only the unevenness of the surface (film surface 32) of the substrate of the photomask blank 13 remains, and (1), (2) and Since (4) is lost, it does not affect pattern formation. Therefore, the shape change of the film surface (pattern formation surface) at the time of drawing and exposure becomes the sum total of said (1), (2), (4), and the coordinate shift of the pattern resulting from it reflects this change. It becomes. Therefore, when drawing the transfer pattern, the transfer pattern is shifted only by the deviation caused by (1), (2) and (4) except for the deviation caused by (3) out of the deviation caused by the four deformation factors. It is necessary to correct the design drawing data.

본 발명에서는，(3) 포토마스크 블랭크의 기판의 표면의 요철에 대한 데이터(포토마스크 블랭크의 막면 플랫니스 데이터)를 미리 취득해 두는 것이 유효하다. 이 데이터는, 포토마스크 블랭크를 수직으로 세우고, 기판 중량에 의한 휘어짐을 배제한 상태에서, 포토마스크 블랭크의 표면 형상을 측정함으로써 구할 수 있다. 측정은, 일반적인 광학적인 측정 방법으로 행할 수 있다. 이 측정에 의해 구해진 측정 포인트에서의 높이 변동(높이의 실측값과 기준 표면과의 차분)을 막면 형상 데이터로 한다. 막면 형상 데이터를 H1로 하면，(1), (2) 및 (4)에 기인하는 높이 변동은, H-H1이며, 수학식 2로부터, (1), (2) 및 (4)에 기인하는 어긋남은, In the present invention, (3) it is effective to acquire data (concave surface flatness data of the photomask blank) on the unevenness of the surface of the substrate of the photomask blank in advance. This data can be calculated | required by setting a photomask blank vertically and measuring the surface shape of a photomask blank in the state to which curvature by a board | substrate weight was excluded. The measurement can be performed by a general optical measuring method. When the height fluctuations (difference between the measured value of height and a reference surface) at the measurement point calculated | required by this measurement are prevented, it is set as shape data. When the film surface shape data is H 1 , the height variation caused by (1), (2) and (4) is HH 1 , and from Equation 2, the height variation caused by (1), (2) and (4) can be obtained. Mismatch,

[수학식 3]&Quot; (3) "

Figure 112009066768387-PAT00005
Figure 112009066768387-PAT00005

에 의해 구할 수 있다. Can be obtained by

묘화 데이터 작성 수단(15)에서, 상기 d1을 이용하여 전사 패턴의 설계 묘화 데이터를 보정하여 묘화 데이터를 작성한다. 그 묘화 데이터에 기초하여 묘화 수단(11)을 이용하여 포토마스크 블랭크(13) 위의 포토레지스트막에 전사 패턴을 묘화하고, 현상 등의 처리를 행함으로써, 포토마스크 블랭크(13) 위의 포토레지스트막에 소정의 전사 패턴을 전사할 수 있다. 그 포토레지스트막을 마스크로 하여, 박막(14)을 에칭함으로써, 포토마스크를 얻을 수 있다.In the drawing data creating means 15, the design drawing data of the transfer pattern is corrected using the above d 1 to create the drawing data. Based on the drawing data, a transfer pattern is drawn on the photoresist film on the photomask blank 13 by using the drawing means 11, and processing such as development is performed to thereby perform photoresist on the photomask blank 13. A predetermined transfer pattern can be transferred to the film. The photomask can be obtained by etching the thin film 14 using this photoresist film as a mask.

이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the Example of this invention is described.

두께 13㎜이고, 크기 1220㎜×1400㎜의 글래스 기판을 준비하고, 그 기판에, Cr을 주성분으로 하는 차광막을 1250Å의 막 두께로 형성하여 포토마스크 블랭크를 제작하였다.A glass substrate having a thickness of 13 mm and a size of 1220 mm x 1400 mm was prepared, and a light shielding film containing Cr as a main component was formed at a film thickness of 1250 GPa to prepare a photomask blank.

상기 글래스 기판은, 수직으로 세운 상태에서 차광막 형성면측의 표면 형상을 통상의 광학 측정에 의해, 소정의 간격으로 측정하고, 각 측정 포인트에서의 막면 형상 데이터 H1을 얻은 것이다. 차광막은 스퍼터법에 의해 성막되며, Cr막의 표면 부분에 반사 방지 기능을 갖는 CrO가 형성된 것이다.The glass substrate is in the vertical state by set up as the surface shape of the surface-side light-shielding film formed in the conventional optical measurement, and the measurement at a predetermined interval, to obtain a film surface shape data H 1 at each measurement point. The light shielding film is formed by a sputtering method, and CrO having an antireflection function is formed on the surface portion of the Cr film.

또한, 상기 포토마스크 블랭크의 막면측의 표면 형상을 상기한 바와 같이 측정하여도 된다.In addition, you may measure the surface shape of the film surface side of the said photomask blank as mentioned above.

계속해서, 차광막 위에 막 두께 800㎚의 포지티브형 포토레지스트막을 캐피러리 코터에 의해 도포한 포토마스크 블랭크를, 도 1에 도시한 묘화 장치에, 차광막을 형성한 면을 상향으로 배치하였다. 이 묘화 장치가 갖는 높이 측정 수단(12)에 의해, 소정의 간격으로 높이 변동의 측정을 행하여 각 측정 포인트에서의 블랭크면 높이 분포 데이터 H를 얻었다. 측정 포인트는, 수직으로 세워 행한 표면 형상 측정과 동일한 포인트에서 행하였다.Subsequently, the photomask blank which apply | coated the positive photoresist film of 800 nm in thickness on the light shielding film by the capillary coater was arrange | positioned upward on the drawing apparatus shown in FIG. By the height measuring means 12 which this drawing apparatus has, the height fluctuation was measured at predetermined intervals, and the blank surface height distribution data H in each measuring point was obtained. The measurement point was performed at the same point as the surface shape measurement performed vertically.

각 측정 포인트에서의 높이 변동의 차분 H-H1을 구하고, 그 분포를 3차원 그 래프로 나타낸 도면을 도 4에 도시한다.Obtaining a difference HH 1 of the height variation in each measurement point, Figure 4 shown in a diagram illustrating the distribution of a three-dimensional graph.

도 4에서, 가로 방향이 포토마스크 블랭크 표면의 x축 방향이고 세로 방향이 y축 방향이며, 깊이가 포토마스크 블랭크의 두께 방향이다. 도 4에서, 영역 M1이 높이 변동의 차분 H-H1이 5㎛∼10㎛인 영역이다. 마찬가지로, 영역 M2가 0㎛∼5㎛의 영역이고, 영역 M3이 -5㎛∼0㎛의 영역이고, 영역 M4가 -10㎛∼-5㎛의 영역이고, 영역 M5가 -15㎛∼-10㎛의 영역이다. 도 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 포토마스크 블랭크의 중앙 부근에서는, 높이의 변동의 차분의 변화가 적고, y축 방향의 양단으로 될수록 변화가 급격한 것으로 되어 있다.In FIG. 4, the horizontal direction is the x-axis direction of the photomask blank surface, the vertical direction is the y-axis direction, and the depth is the thickness direction of the photomask blank. In FIG. 4, area | region M1 is an area | region whose difference HH1 of height fluctuation is 5 micrometers- 10 micrometers. Similarly, area M2 is an area of 0 µm to 5 µm, area M3 is an area of -5 µm to 0 µm, area M4 is an area of -10 µm to -5 µm, and area M5 is -15 µm to -10 It is an area of 탆. As can be seen from FIG. 4, in the vicinity of the center of the photomask blank, there is little change in the difference of the fluctuation in the height, and the change is abrupt as it becomes both ends in the y-axis direction.

다음으로，이 포토마스크의 마스크 블랭크에, 소정의 간격으로 패턴이 배치된 설계 묘화 데이터를 이용하여, 보정을 하지 않고 묘화하였다. 그 패턴의 좌표 측정한 결과와, 설계 묘화 데이터의 어긋남을 도 5에 도시한다. 도 5에서, 가로 방향이 x축 방향이고, 세로 방향이 y축 방향이다. 또한, 흰 동그라미가 묘화한 패턴의 실측 데이터이고, 검은 동그라미가 설계 묘화 데이터이다. 도 5로부터 알 수 있는 바와 같이, 포토마스크 블랭크의 중앙 부근에서는, 실측 데이터와 설계 묘화 데이터의 어긋남은 작기 때문에 검은 동그라미 부분이 거의 남아 있지 않지만, y축 방향의 양단에서는 어긋남이 크기 때문에 검은 동그라미 부분이 비교적 많이 남아 있다.Next, drawing was performed on the mask blank of this photomask without correction using design drawing data in which patterns were arranged at predetermined intervals. The deviation of the result of the coordinate measurement of the pattern and design drawing data is shown in FIG. In FIG. 5, the horizontal direction is the x-axis direction, and the vertical direction is the y-axis direction. In addition, the measurement data of the pattern which the white circle drawn is the drawing data, and the black circle is the design drawing data. As can be seen from FIG. 5, in the vicinity of the center of the photomask blank, almost no black circle part remains because the deviation between the measured data and the design drawing data is small, but the black circle part because the deviation is large at both ends in the y-axis direction. This remains relatively much.

이상과 같이, 도 4 및 도 5를 비교하여 알 수 있는 바와 같이, 도 4에서 구한 높이 변동의 차분 H-H1과, 묘화의 실측 데이터의 설계 묘화 데이터로부터의 어긋 남은 상관이 있는 것을 확인하였다. 따라서, 전사 패턴을 묘화할 때에, 4개의 변형 요인에 의한 어긋남 중, 노광 장치에서 포토마스크를 사용할 때에도 잔존하는 (3) 포토마스크 블랭크(13)의 기판의 표면의 요철에 기인하는 어긋남을 제외한, (1) 스테이지(10)의 플랫니스, (2) 스테이지(10) 위의 이물 끼워 넣기에 의한 기판의 휘어짐 및 (4) 포토마스크 블랭크(13)의 기판의 이면의 요철에 기인하는 어긋남분만큼, 전사 패턴의 설계 묘화 데이터를 보정하여 묘화 데이터로 함으로써, 실제로 포토마스크에 형성된 전사 패턴과 설계 묘화 데이터의 어긋남을 적게 할 수 있는 것을 확인하였다.As described above, as can be seen by comparing FIG. 4 and FIG. 5, it was confirmed that there is a difference between the difference HH 1 of the height fluctuation obtained in FIG. 4 and the deviation remaining from the design drawing data of the actual measurement data of the drawing. Therefore, when drawing a transfer pattern, except the shift | offset | difference which originates in the unevenness | corrugation of the surface of the board | substrate of the photomask blank 13 which remain | survives even when using a photomask in an exposure apparatus among the shift | offset | difference by four deformation factors, (1) the flatness of the stage 10, (2) the deflection of the substrate due to the foreign matter sandwiched on the stage 10, and (4) the misalignment caused by the unevenness of the back surface of the substrate of the photomask blank 13. By correcting the design drawing data of the transfer pattern to render the drawing data, it was confirmed that the deviation between the transfer pattern formed on the photomask and the design drawing data can be reduced.

또한, 상기 포토마스크의 제조 방법은, 포토마스크의 검사 방법에도 전용할 수 있다. 즉, 검사기(도 1에 도시한 묘화 장치의 기호를 이용하여 설명함)의 스테이지(10) 위에, 포토마스크를, 막면(패턴 형성면)을 위로 배치하고, 높이 측정 수단(12)에 의해 상기와 마찬가지로, 포토마스크의 마스크면 높이 분포 데이터를 얻는다. 이 마스크면 높이 분포 데이터에는, 상기의 블랭크면 높이 분포 데이터와 마찬가지로, 이상 평면으로부터의 4개의 변형 요인에 의한 표면 형상의 변형이 포함되어 있다. 계속해서, 그 포토마스크의 패턴 형상을 길이 측정하여, 패턴 길이 측정 데이터를 얻는다. 이 패턴 길이 측정 데이터에는, 4개의 변형 요인에 의한 표면 형상의 변형에 기인하는 어긋남이 포함되어 있다.In addition, the manufacturing method of the said photomask can be diverted also to the inspection method of a photomask. That is, on the stage 10 of the inspection machine (explained using the symbol of the drawing apparatus shown in FIG. 1), a photomask is arrange | positioned up the film surface (pattern formation surface), and the said height measurement means 12 makes the said Similarly, mask surface height distribution data of the photomask is obtained. This mask surface height distribution data contains the deformation | transformation of the surface shape by four deformation | transformation factors from an abnormal plane similarly to said blank surface height distribution data. Subsequently, the pattern shape of the photomask is measured for length to obtain pattern length measurement data. This pattern length measurement data includes shifts due to deformation of the surface shape due to four deformation factors.

또한, 그 포토마스크의 막면의 요철을, 포토마스크를 수직으로 세운 상태에서, 포토마스크의 막면의 표면 형상을 측정함으로써 구하여, 막면 형상 데이터로 한다. 측정은, 일반적인 광학적인 측정 방법에 의해 행할 수 있다. 이 막면 형상 데이터는, 상기한 바와 같이, (3) 포토마스크 표면의 요철에 기인하는 표면 형상의 변형이 포함된다. 또한, 이 막면 형상 데이터는, 포토마스크 제조 전의 단계(포토마스크 블랭크 또는 기판의 단계)에서 얻은, 상기 막면 형상 데이터를 사용하여도 된다.Moreover, the unevenness | corrugation of the film surface of this photomask is calculated | required by measuring the surface shape of the film surface of a photomask, in the state which made the photomask perpendicular | vertical, and is set as film surface shape data. The measurement can be performed by a general optical measuring method. As mentioned above, this film surface shape data includes (3) deformation of the surface shape resulting from the unevenness | corrugation of the photomask surface. In addition, this film surface shape data may use the said film surface shape data obtained in the step (photomask blank or board | substrate step) before photomask manufacture.

상기 마스크면 높이 분포 데이터로부터 막면 형상 데이터를 뺀 값에 의해 수학식 3을 이용하여 패턴 길이 측정 데이터를 보정함으로써, 그 포토마스크를 실제로 노광 장치에서 사용할 때의 패턴 형상을 계산할 수 있다. 이 보정 후의 패턴 길이 측정 데이터와, 패턴의 설계 묘화 데이터를 비교함으로써, 그 포토마스크의 실제의 어긋남을 어림할 수 있어, 포토마스크를 평가할 수 있다. 예를 들면, 어긋남이 특정한 범위 이내에 있었던 경우에만, 그 포토마스크를 합격품으로 할 수 있다.By correcting the pattern length measurement data by using Equation 3 by the value obtained by subtracting the film surface shape data from the mask surface height distribution data, the pattern shape when the photomask is actually used in the exposure apparatus can be calculated. By comparing the pattern length measurement data after this correction with the design drawing data of the pattern, the actual deviation of the photomask can be estimated, and the photomask can be evaluated. For example, the photomask can be used as a pass product only when the deviation is within a specific range.

또는, 마스크면 높이 분포 데이터로부터 막면 형상 데이터를 뺀 값에 의해 수학식 3을 이용하여 패턴의 설계 묘화 데이터를 보정할 수 있다. 이 보정 후의 설계 묘화 데이터와, 상기의 패턴 길이 측정 데이터를 비교함으로써, 포토마스크의 평가를 할 수 있다.Alternatively, the design drawing data of the pattern can be corrected using Equation 3 by subtracting the mask surface shape data from the mask surface height distribution data. The photomask can be evaluated by comparing the design drawing data after this correction with said pattern length measurement data.

또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 적절히 변경하여 실시할 수 있다. 예를 들면, 상기 실시 형태에서는, 묘화 장치의 묘화 수단으로서 레이저빔을 나타냈지만, 이에 한정되지 않고, 전자 빔 등의 에너지 빔이면 된다.In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change suitably and can implement. For example, in the said embodiment, although the laser beam was shown as drawing means of a drawing apparatus, it is not limited to this, What is necessary is just an energy beam, such as an electron beam.

또한, 포토마스크로서, 박막으로서 차광막이 1층 형성된 것에 대하여 설명하였지만, 차광막 이외에 반투광막을 갖는 다계조 포토마스크이어도 된다. 그 경우 에는, 필요한 전사 패턴의 수만큼, 포토레지스트막 형성, 묘화 공정, 에칭 공정을 반복한다.In addition, although the thing which formed one light shielding film as a thin film as a photomask was demonstrated, the multi-gradation photomask which has a semi-transmissive film other than a light shielding film may be sufficient. In that case, the photoresist film formation, the drawing process, and the etching process are repeated as many as necessary transfer patterns.

일반적으로, 2회 이상의 포토리소그래피 공정을 필요로 하는 포토마스크 제조 과정에서는, 항상 2회의 패터닝에 의한, 얼라인먼트 어긋남이 큰 과제로 된다. 그러나, 본 발명의 묘화 데이터의 보정을, 복수회의 묘화 공정마다 사용하면, 그 포토마스크를 노광하여 패턴을 피전사체에 전사할 때의, 패턴 상호의 얼라인먼트를 매우 정확하게 행할 수 있어, 바람직하다. 즉, 기판 위에 형성된, 복수의 차광막을 갖는 포토마스크 블랭크에 대하여, 복수회의 묘화, 레지스트 현상, 박막 에칭을 행하여, 최종적으로 원하는 전사 패턴을 갖는 포토마스크로 할 때, 각 묘화마다, 본 발명의 묘화 방법/묘화 장치를 적용할 수 있다.Generally, in the photomask manufacturing process which requires two or more photolithography processes, alignment misalignment by two patterning always becomes a big subject. However, when the correction of the drawing data of the present invention is used for each of a plurality of drawing steps, alignment between the patterns can be performed very accurately when the photomask is exposed and the pattern is transferred onto the transfer object, which is preferable. That is, when the photomask blank which has a some light shielding film formed on the board | substrate is plural drawing, resist development, and thin-film etching, and finally makes it the photomask which has a desired transfer pattern, each drawing of each drawing The method / drawing apparatus can be applied.

이 경우, 1회째의 묘화와 2회째의 묘화에서는, 블랭크 막면의 변형 요인은 서로 다르기 때문에, 묘화 데이터의 보정도 서로 다른 것으로 된다. 그리고, 결과적으로, 이 2회의 묘화를 거쳐 형성된, 포토마스크의 1개의 전사 패턴이, 피전사체에 대하여 원하는 패턴을 정확하게 형성한다.In this case, in the first drawing and the second drawing, since the deformation factors of the blank film surface are different from each other, correction of the drawing data is also different. As a result, one transfer pattern of the photomask formed through these two writings forms a desired pattern with respect to the transfer target.

또한, 검사 공정마다, 본 발명의 검사 방법/검사 장치를 적용할 수도 있다.Moreover, the inspection method / inspection apparatus of this invention can also be applied for every inspection process.

또한, 상기 실시 형태에서의 재료, 사이즈, 처리 수순 등은 일례이며, 다양하게 변경하여 실시하는 것이 가능하다.In addition, the material, size, processing procedure, etc. in the said embodiment are an example, It can change and implement in various ways.

도 1은 본 발명의 실시 형태에서의 묘화 장치의 외관을 도시하는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure which shows the external appearance of the drawing apparatus in embodiment of this invention.

도 2는 본 발명의 실시 형태에서의 포토마스크 블랭크의 단면을 도시하는 도면.FIG. 2 is a diagram showing a cross section of a photomask blank in the embodiment of the present invention. FIG.

도 3은 본 발명의 실시 형태에서의 포토마스크를 이용한 노광 장치의 외관을 도시하는 도면.3 is a diagram showing an appearance of an exposure apparatus using a photomask in the embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시 형태에서의 포토마스크 블랭크 표면의 높이 변동의 분포를 도시하는 도면.4 is a diagram showing a distribution of height fluctuations on the photomask blank surface in the embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시 형태에서의 실측 데이터와 설계 묘화 데이터의 어긋남을 도시하는 도면.FIG. 5 is a diagram showing a deviation between measured data and design drawing data in the embodiment of the present invention. FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 스테이지10: stage

11 : 묘화 수단11: drawing means

12 : 높이 측정 수단12 height measuring means

13 : 포토마스크 블랭크13: photomask blank

14 : 박막14: thin film

15 : 묘화 데이터 작성 수단15: drawing data creation means

Claims (15)

투명 기판과 상기 투명 기판 위의 박막과 상기 박막 위의 포토레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크에, 묘화기를 이용하여, 소정의 묘화 데이터에 따라서 에너지 빔을 조사함으로써, 소정의 전사 패턴을 묘화하는 묘화 공정을 포함하는 포토마스크의 제조 방법으로서,A drawing process of drawing a predetermined transfer pattern by irradiating an energy beam in accordance with predetermined drawing data to a photomask blank having a transparent substrate, a thin film on the transparent substrate, and a photoresist film on the thin film, using a drawing machine. As a manufacturing method of a photomask, including 상기 묘화 공정에서의 상기 포토마스크 블랭크의 막면측의 형상과 상기 포토마스크에 노광을 행할 때의 상기 포토마스크 블랭크의 막면측의 형상의 형상 변화 분을 산정하고, 상기 형상 변화분에 기초하여 상기 소정의 전사 패턴을 위한 설계 묘화 데이터를 보정함으로써 상기 소정의 묘화 데이터를 얻는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법.The shape change of the shape on the film surface side of the photomask blank in the drawing step and the shape on the film surface side of the photomask blank when the photomask is exposed are calculated, and the predetermined change is based on the shape change. The predetermined drawing data is obtained by correcting the design drawing data for the transfer pattern of the photomask. 투명 기판과 상기 투명 기판 위의 박막과 상기 박막 위의 포토레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크에, 묘화기를 이용하여, 소정의 묘화 데이터에 따라서 에너지 빔을 조사함으로써, 소정의 전사 패턴을 묘화하는 공정을 포함하는 포토마스크의 제조 방법으로서,And a step of drawing a predetermined transfer pattern by irradiating an energy beam in accordance with predetermined drawing data using a drawing device to a photomask blank having a transparent substrate, a thin film on the transparent substrate, and a photoresist film on the thin film. As a manufacturing method of a photomask to 상기 포토마스크 블랭크를, 상기 박막을 갖는 면을 상측으로 하여 묘화기의 스테이지에 재치한 상태에서, 상기 포토마스크 블랭크의 상측의 면의 높이 분포를 측정함으로써 얻어지는 블랭크면 높이 분포 데이터와,Blank surface height distribution data obtained by measuring the height distribution of the upper surface of the photomask blank in a state where the photomask blank is placed on the stage of the drawing machine with the surface having the thin film as an upper side; 미리 취득한 상기 포토마스크 블랭크의 막면 형상 데이터Film surface shape data of the photomask blank obtained in advance 를 이용하여 상기 소정의 전사 패턴을 위한 설계 묘화 데이터를 보정함으로써 상기 소정의 묘화 데이터를 얻는 포토마스크의 제조 방법.A method of manufacturing a photomask, in which the predetermined drawing data is obtained by correcting design drawing data for the predetermined transfer pattern using. 투명 기판과 상기 투명 기판 위의 박막과 상기 박막 위의 포토레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과,Preparing a photomask blank having a transparent substrate, a thin film on the transparent substrate, and a photoresist film on the thin film; 상기 포토마스크 블랭크를, 상기 박막을 갖는 면을 상측으로 하여 스테이지에 재치하는 공정과,Placing the photomask blank on a stage with the surface having the thin film as an upper side; 상기 스테이지 위의 상기 포토마스크 블랭크의 상측의 면의 높이 분포를 측정함으로써 블랭크면 높이 분포 데이터를 얻는 공정과,Obtaining the blank surface height distribution data by measuring the height distribution of the upper surface of the photomask blank on the stage; 미리 취득한 상기 포토마스크 블랭크의 막면 형상 데이터와 상기 블랭크면 높이 분포 데이터를 이용하여 소정의 전사 패턴을 위한 설계 묘화 데이터를 보정함으로써 소정의 묘화 데이터를 얻는 공정과,Obtaining predetermined drawing data by correcting design drawing data for a predetermined transfer pattern using the film surface shape data of the photomask blank and the blank surface height distribution data acquired in advance; 상기 포토레지스트막에, 상기 소정의 묘화 데이터에 따라서 에너지 빔을 조사함으로써, 상기 소정의 전사 패턴을 묘화하는 공정Drawing the predetermined transfer pattern by irradiating the photoresist film with an energy beam in accordance with the predetermined drawing data. 을 갖는 포토마스크의 제조 방법.Method for producing a photomask having a. 제2항 또는 제3항에 있어서,The method according to claim 2 or 3, 상기 설계 묘화 데이터의 보정은, 상기 블랭크면 높이 분포 데이터와 상기 막면 형상 데이터의 차분을 구하는 것을 포함하는 포토마스크의 제조 방법.The correction of the design drawing data includes obtaining a difference between the blank surface height distribution data and the film surface shape data. 제2항 또는 제3항에 있어서,The method according to claim 2 or 3, 상기 설계 묘화 데이터의 보정은, 상기 블랭크면 높이 분포 데이터와 상기 막면 형상 데이터의 차분을 구하여 얻어진 차분 데이터를 이용하여, 상기 포토마스크 블랭크의 표면 상의 복수 위치에서의, 상기 포토마스크 블랭크의 높이 방향의 구배와, 상기 포토마스크 블랭크의 두께에 기초하여 행해지는 포토마스크의 제조 방법.Correction of the design drawing data is performed in the height direction of the photomask blank at a plurality of positions on the surface of the photomask blank using difference data obtained by obtaining a difference between the blank surface height distribution data and the film surface shape data. A photomask manufacturing method performed based on a gradient and the thickness of the said photomask blank. 제2항 또는 제3항에 있어서,The method according to claim 2 or 3, 상기 설계 묘화 데이터를 보정하여 얻어진 묘화 데이터를 이용하여 묘화된, 상기 소정의 전사 패턴에 의해 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 박막을 에칭하는 공정을 더 갖는 포토마스크의 제조 방법.And a step of etching the thin film using a photoresist pattern formed by the predetermined transfer pattern as a mask, which is drawn using the drawing data obtained by correcting the design drawing data. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 박막을 상기 투명 기판 위에 복수 형성하고, 상기 복수의 박막의 각각에 대하여, 상기 소정의 묘화 데이터를 이용하여 묘화된 상기 소정의 전사 패턴에 의해 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 에칭하는 공정을 갖는 포토마스크의 제조 방법.Forming a plurality of the thin films on the transparent substrate, and etching each of the plurality of thin films using a photoresist pattern formed by the predetermined transfer pattern drawn using the predetermined drawing data as a mask. Method for producing a photomask. 표면에 포토레지스트막이 형성된 포토마스크 블랭크에 소정의 전사 패턴을 묘화하는 묘화 장치로서,A drawing apparatus for drawing a predetermined transfer pattern on a photomask blank having a photoresist film formed on its surface, 스테이지 위에 상기 포토레지스트막이 상향으로 배치된 상기 포토마스크 블랭크의 표면의 높이 분포를 측정함으로써 블랭크면 높이 분포 데이터를 얻는 높이 측정 수단과,Height measuring means for obtaining blank surface height distribution data by measuring a height distribution of the surface of the photomask blank on which the photoresist film is disposed upward on a stage; 미리 취득한 상기 포토마스크 블랭크의 막면 형상 데이터와 상기 블랭크면 높이 분포 데이터를 이용하여 상기 소정의 전사 패턴을 위한 설계 묘화 데이터를 보정함으로써 소정의 묘화 데이터를 얻는 연산 수단과,Calculation means for obtaining predetermined drawing data by correcting design drawing data for the predetermined transfer pattern using the film surface shape data of the photomask blank and the blank surface height distribution data acquired in advance; 상기 포토레지스트막에, 상기 소정의 묘화 데이터에 따라서 에너지 빔을 조사하는 묘화 수단Drawing means for radiating an energy beam onto the photoresist film in accordance with the predetermined drawing data; 을 갖는 묘화 장치.Writing device having a. 투명 기판 위에 박막으로 이루어지는 전사 패턴을 갖는 포토마스크를 검사하는 포토마스크의 검사 방법으로서,An inspection method of a photomask for inspecting a photomask having a transfer pattern made of a thin film on a transparent substrate, 상기 포토마스크를, 상기 전사 패턴을 갖는 면을 상측으로 하여 스테이지에 재치하는 공정과,Placing the photomask on a stage with the surface having the transfer pattern upward; 상기 스테이지 위의 상기 포토마스크의 상측의 면의 높이 분포를 측정함으로써 마스크면 높이 분포 데이터를 얻는 공정과,Obtaining mask surface height distribution data by measuring the height distribution of the upper surface of the photomask on the stage; 상기 스테이지 위의 상기 포토마스크의 상기 전사 패턴의 형상을 측정하여 패턴 길이 측정 데이터를 얻는 공정과,Measuring the shape of the transfer pattern of the photomask on the stage to obtain pattern length measurement data; 미리 취득한 상기 포토마스크의 막면 형상 데이터와 상기 마스크면 높이 분포 데이터를 이용하여, 상기 패턴 길이 측정 데이터, 또는 상기 전사 패턴을 위한 설계 묘화 데이터를 보정하는 공정Correcting the pattern length measurement data or the design drawing data for the transfer pattern by using the film surface shape data of the photomask and the mask surface height distribution data acquired in advance. 을 갖는 포토마스크의 검사 방법.Inspection method of a photomask having a. 투명 기판 위에 박막으로 이루어지는 전사 패턴을 갖는 포토마스크를 검사하는 포토마스크의 검사 방법으로서,An inspection method of a photomask for inspecting a photomask having a transfer pattern made of a thin film on a transparent substrate, 상기 포토마스크를, 상기 전사 패턴을 갖는 면을 상측으로 하여 스테이지에 재치하는 공정과,Placing the photomask on a stage with the surface having the transfer pattern upward; 상기 스테이지 위의 상기 포토마스크의 상측의 면의 높이 분포를 측정함으로써 마스크면 높이 분포 데이터를 얻는 공정과,Obtaining mask surface height distribution data by measuring the height distribution of the upper surface of the photomask on the stage; 상기 스테이지 위의 상기 포토마스크의 상기 전사 패턴의 형상을 측정하여 패턴 길이 측정 데이터를 얻는 공정과,Measuring the shape of the transfer pattern of the photomask on the stage to obtain pattern length measurement data; 미리 취득한 상기 포토마스크의 막면 형상 데이터와 상기 마스크면 높이 분포 데이터를 이용하여, 상기 패턴 길이 측정 데이터를 보정하는 공정과,Correcting the pattern length measurement data using the film surface shape data of the photomask and the mask surface height distribution data acquired in advance; 보정 후의 상기 패턴 길이 측정 데이터와 상기 전사 패턴을 위한 설계 묘화 데이터를 비교하는 공정A process of comparing the pattern length measurement data after correction with design drawing data for the transfer pattern 을 갖는 포토마스크의 검사 방법.Inspection method of a photomask having a. 투명 기판 위에 박막으로 이루어지는 전사 패턴을 갖는 포토마스크를 검사하는 포토마스크의 검사 방법으로서,An inspection method of a photomask for inspecting a photomask having a transfer pattern made of a thin film on a transparent substrate, 상기 포토마스크를, 상기 전사 패턴을 갖는 면을 상측으로 하여 스테이지에 재치하는 공정과,Placing the photomask on a stage with the surface having the transfer pattern upward; 상기 스테이지 위의 상기 포토마스크의 상측의 면의 높이 분포를 측정함으로써 마스크면 높이 분포 데이터를 얻는 공정과,Obtaining mask surface height distribution data by measuring the height distribution of the upper surface of the photomask on the stage; 상기 스테이지 위의 상기 포토마스크의 상기 전사 패턴의 형상을 측정하여 패턴 길이 측정 데이터를 얻는 공정과,Measuring the shape of the transfer pattern of the photomask on the stage to obtain pattern length measurement data; 미리 취득한 상기 포토마스크의 막면 형상 데이터와 상기 마스크면 높이 분포 데이터를 이용하여, 상기 전사 패턴을 위한 설계 묘화 데이터를 보정하는 공정과,Correcting design drawing data for the transfer pattern using the film surface shape data of the photomask and the mask surface height distribution data acquired in advance; 보정 후의 상기 설계 묘화 데이터와 상기 패턴 길이 측정 데이터를 비교하는 공정Process of comparing the design drawing data after the correction with the pattern length measurement data 을 갖는 포토마스크의 검사 방법.Inspection method of a photomask having a. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 9 to 11, 상기 포토마스크의 막면 형상 데이터로서, 미리 취득한, 상기 포토마스크 블랭크의 막면 형상 데이터를 이용하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 검사 방법.The film surface shape data of the said photomask blank acquired previously is used as film surface shape data of the said photomask, The inspection method of the photomask characterized by the above-mentioned. 투명 기판 위에 박막으로 이루어지는 전사 패턴을 갖는 포토마스크를 검사하는 포토마스크의 검사 장치로서,A photomask inspection apparatus for inspecting a photomask having a transfer pattern made of a thin film on a transparent substrate, 스테이지 위에 상기 전사 패턴이 상향으로 배치된 상기 포토마스크의 표면의 높이 분포를 측정함으로써 마스크면 높이 분포 데이터를 얻는 높이 측정 수단과,Height measuring means for obtaining mask surface height distribution data by measuring a height distribution of a surface of the photomask in which the transfer pattern is disposed upward on a stage; 상기 스테이지 위의 상기 전사 패턴의 형상을 측정하여 패턴 길이 측정 데이터를 얻는 길이 측정 수단과,Length measuring means for measuring a shape of the transfer pattern on the stage to obtain pattern length measurement data; 미리 취득한 상기 포토마스크의 막면 형상 데이터와 상기 마스크면 높이 분포 데이터를 이용하여, 상기 패턴 길이 측정 데이터, 또는 상기 전사 패턴을 위한 설계 묘화 데이터를 보정하는 연산 수단Calculation means for correcting the pattern length measurement data or the design drawing data for the transfer pattern by using the film surface shape data and the mask surface height distribution data of the photomask acquired in advance. 을 갖는 포토마스크의 검사 장치.Inspection apparatus of the photomask having a. 투명 기판 위에 박막으로 이루어지는 전사 패턴을 갖는 포토마스크를 검사하는 포토마스크의 검사 장치로서,A photomask inspection apparatus for inspecting a photomask having a transfer pattern made of a thin film on a transparent substrate, 스테이지 위에 상기 전사 패턴이 상향으로 배치된 상기 포토마스크의 표면의 높이 분포를 측정함으로써 마스크면 높이 분포 데이터를 얻는 높이 측정 수단과,Height measuring means for obtaining mask surface height distribution data by measuring a height distribution of a surface of the photomask in which the transfer pattern is disposed upward on a stage; 상기 스테이지 위의 상기 전사 패턴의 형상을 측정하여 패턴 길이 측정 데이터를 얻는 길이 측정 수단과,Length measuring means for measuring a shape of the transfer pattern on the stage to obtain pattern length measurement data; 미리 취득한 상기 포토마스크의 막면 형상 데이터와 상기 마스크면 높이 분포 데이터를 이용하여, 상기 패턴 길이 측정 데이터를 보정하는 연산 수단과,Calculation means for correcting the pattern length measurement data using the film surface shape data of the photomask and the mask surface height distribution data acquired in advance; 보정 후의 상기 패턴 길이 측정 데이터와 상기 전사 패턴을 위한 설계 묘화 데이터를 비교하는 비교 수단Comparison means for comparing the pattern length measurement data after correction with design drawing data for the transfer pattern 을 갖는 포토마스크의 검사 장치.Inspection apparatus of the photomask having a. 투명 기판 위에 박막으로 이루어지는 전사 패턴을 갖는 포토마스크를 검사하 는 포토마스크의 검사 장치로서,A photomask inspection apparatus for inspecting a photomask having a transfer pattern made of a thin film on a transparent substrate, 스테이지 위에 상기 전사 패턴이 상향으로 배치된 상기 포토마스크의 표면의 높이 분포를 측정함으로써 마스크면 높이 분포 데이터를 얻는 높이 측정 수단과,Height measuring means for obtaining mask surface height distribution data by measuring a height distribution of a surface of the photomask in which the transfer pattern is disposed upward on a stage; 상기 스테이지 위의 상기 전사 패턴의 형상을 측정하여 패턴 길이 측정 데이터를 얻는 길이 측정 수단과,Length measuring means for measuring a shape of the transfer pattern on the stage to obtain pattern length measurement data; 미리 취득한 상기 포토마스크의 막면 형상 데이터와 상기 마스크면 높이 분포 데이터를 이용하여, 상기 전사 패턴을 위한 설계 묘화 데이터를 보정하는 연산 수단과,Calculation means for correcting design drawing data for the transfer pattern by using previously obtained film surface shape data of the photomask and the mask surface height distribution data; 상기 보정 후의 설계 묘화 데이터와 상기 패턴 길이 측정 데이터를 비교하는 비교 수단Comparison means for comparing the design drawing data after the correction with the pattern length measurement data 을 갖는 포토마스크의 검사 장치.Inspection apparatus of the photomask having a.
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