KR20100047085A - 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기에 관한 것으로, 전원전압단에 연결되어, 사전에 결정되는 공진 주파수를 갖는 신호를 생성하는 공진부; 게이트-드레인 교차 결합된 제1 및 제2 MOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 및 제2 MOS 트랜지스터에 의해 생성되는 부성저항을 상기 공진부에 제공하여, 상기 공진부에 발진 조건을 형성하는 부성 저항부; 상기 공진부 및 부성 저항부에 흐르는 전류를 일정하게 조절하는 전류원; 및 상기 전원전압에 따라 문턱전압을 생성하여 상기 부성 저항부의 제1,제2 트랜지스터의 바디에 공급하는 문턱전압 생성부를 포함한다.
전압 제어 발진기, VCO, 문턱전압, 조절, 안정, 동작

Description

문턱전압 조절형 전압 제어 발진기{VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR OF THRESHOLD VOLTAGE ADJUSTMENT TYPE}
본 발명은 저전력 시스템의 RF 주파수 합성기에 적용될 수 있는 전압 제어 발진기에 관한 것으로, 특히 간단한 구조로 전원전압의 변화에 따라 선형적으로 트랜지스터의 문턱전압을 조절하도록 함으로써, 출력노드 노이즈나 기판 노이즈의 영향을 줄이고, 전원전압의 변화에 신속하게 응답하여 발진의 안정성을 향상시킬 수 있는 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기에 관한 것이다.
일반적으로, RF 주파수 합성기에서 발진 주파수 생성을 위해서는 인덕터(Inductor)와 커패시터(Capacitor)를 이용한 전압제어발진기(VCO)를 이용한다.
통상 전압제어발진기(VCO)는 전압에 의해 가변되지만, 온도 변화나 전압 불안정과 같은 외부적 영향에 약하다는 문제점이 있다.
즉, 원하는 발진 주파수가 고정되지 않고 흔들리게 되는데, 원천적인 소오스(Source)가 흔들리면 시스템이 정상동작 할 수 없게 된다.
따라서 전압제어발진기(VCO)의 주파수 안정성을 향상시키기 위한 각종 기술 적 요소들이 제안되어 왔으며, 그 중 한 가지가 CMOS 트랜지스터의 문턱전압(VTH)을 제어하는 방법이다.
그런데, 종래 전압제어발진기에서는, 출력 노드에 직접 연결된 문턱전압 생성기에서 임의의 문턱전압(VTH)을 생성한다. 이에 따라, 출력 전압에 따라 문턱전압(VTH)이 변화하게 되는 문제점이 있다. 즉, 이러한 종래 문턱전압 생성 방식은, 전압제어발진기의 소오스에 영향 주어 최종 발진 주파수의 전압 변화를 일으키므로, 출력 노드의 노이즈가 전압제어발진기의 노이즈 소오스에 가해져 전압제어발진기의 안정성에 직접적으로 영향을 줄 수 있는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해서 제안된 것으로써, 그 목적은, 간단한 구조로 전원전압의 변화에 따라 선형적으로 트랜지스터의 문턱전압을 조절하도록 함으로써, 출력노드 노이즈나 기판 노이즈의 영향을 줄이고, 전원전압의 변화에 신속하게 응답하여 발진의 안정성을 향상시킬 수 있는 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기를 제공하는데 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나의 기술적인 측면은, 전원전압단에 연결되어, 사전에 결정되는 공진 주파수를 갖는 신호를 생성하는 공진부; 게이트-드레인 교차 결합된 제1 및 제2 MOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 및 제2 MOS 트랜지스터에 의해 생성되는 부성저항을 상기 공진부에 제공하여, 상기 공진부에 발진 조건을 형성하는 부성 저항부; 상기 공진부 및 부성 저항부에 흐르는 전류를 일정하게 조절하는 전류원; 및 상기 전원전압에 따라 문턱전압을 생성하여 상기 부성 저항부의 제1,제2 트랜지스터의 바디에 공급하는 문턱전압 생성부를 포함하는 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기를 제안한다.
상기 전류원은, 상기 부성 저항부와 접지 사이에 연결되어, 상기 공진부 및 부성 저항부에 흐르는 전류를 일정하게 조절하는 제1 전류원을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 전류원은, 상기 부성 저항부와 접지 사이에 연결되어, 상기 공진부 및 부성 저항부에 흐르는 전류를 일정하게 조절하는 제1 전류원; 및 상기 전원전압단과 상기 공진부 사이에 형성되어, 상기 공진부 및 부성 저항부에 흐르는 전류를 일정하게 조절하는 제2 전류원 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 문턱전압 생성부는, 상기 전원전압에 따라 문턱전압을 생성하여 상기 부성 저항부의 제1 트랜지스터의 바디에 공급하는 제1 문턱전압 생성기; 및 상기 전원전압에 따라 문턱전압을 생성하여 상기 부성 저항부의 제2 트랜지스터의 바디에 공급하는 제2 문턱전압 생성부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 문턱전압 생성기는, 상기 전원전압단에 연결된 드레인과, 상기 제1 전류원과 상기 부성 저항부간의 공통 접속 노드에 연결된 소오스와, 상기 소오스에 연결된 게이트와, 상기 소오스에 연결된 바디를 갖고, 상기 소오스에서 문턱전압을 공급하는 제1 조절 트랜지스터를 포함하는 제1 문턱전압 조절부; 및
상기 제1 문턱전압 조절부의 제1 조절 트랜지스터의 드레인과 게이트 사이에 연결되어, 상기 전원전압단으로부터의 전류에 상승하는 전압을 충전하는 제1 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
제5항에 있어서, 상기 제1 문턱전압 생성기는, 상기 전원전압단과 상기 제1 조절 MOS 트랜지스터 사이에 연결되어, 상기 제1 조절 트랜지스터에 흐르는 전류를 조절하는 제3 전류원을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제2 문턱전압 생성기는, 상기 전원전압단에 연결된 드레인과, 상기 제1 전류원과 상기 부성 저항부간의 공통 접속 노드에 연결된 소오스와, 상기 소오스에 연결된 게이트와, 상기 소오스에 연결된 바디를 갖고, 상기 소오스에서 문턱전압을 공급하는 제2 조절 트랜지스터를 포함하는 제2 문턱전압 조절부; 및 상기 제2 문턱전압 조절부의 제2 조절 트랜지스터의 드레인과 게이트 사이에 연결되어, 상기 전원전압단으로부터의 전류에 상승하는 전압을 충전하는 제2 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제2 문턱전압 생성기는, 상기 전원전압단과 상기 제2 조절 MOS 트랜지스터 사이에 연결되어, 상기 제2 조절 트랜지스터에 흐르는 전류를 조절하는 제4 전류원을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 공진부는, 공진 주파수 결정을 위한 인덕턴스를 제공하는 인덕터; 상기 인덕터와 협력하여, 공진 주파수를 결정하기 위해, 튜닝 전압에 따라 결정되는 커패시턴스 및 인덕턴스를 제공하는 LC 탱크부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이와같은 본 발명에 의하면, 간단한 구조로 전원전압의 변화에 따라 선형적으로 트랜지스터의 문턱전압을 조절하도록 함으로써, 출력노드 노이즈나 기판 노이즈의 영향을 줄이고, 전원전압의 변화에 신속하게 응답하여 발진의 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명은 설명되는 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 실시예는 본 발명의 기술적 사상에 대한 이해를 돕기 위해서 사용된다. 본 발명에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기의 회로 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기는, 전원전압(VDD)단에 연결되어, 사전에 결정되는 공진 주파수를 갖는 신호를 생성하는 공진부(100)와, 게이트-드레인 교차 결합된 제1 및 제2 MOS 트랜지스터(M11,M12)를 포함하고, 상기 제1 및 제2 MOS 트랜지스터(M11,M12)에 의해 생성되는 부성저항을 상기 공진부(100)에 제공하여, 상기 공진부(100)에 발진 조건을 형성하는 부성 저항부(200)와, 상기 공진부(100) 및 부성 저항부(200)에 흐르는 전류를 일정하게 조절하는 전류원(300)와, 상기 전원전압(VDD)에 따라 문턱전압(VTH)을 생성하여 상기 부성 저항부(200)의 제1,제2 트랜지스터(M11,M12)의 바디에 공급하는 문턱전압 생성부(400)를 포함한다.
상기 전류원(300)은, 상기 부성 저항부(200)와 접지 사이에 연결되어, 상기 공진부(100) 및 부성 저항부(200)에 흐르는 전류를 일정하게 조절하는 제1 전류원(310)을 포함할 수 있다.
이와 달리, 상기 전류원(300)은, 상기 부성 저항부(200)와 접지 사이에 연결되어, 상기 공진부(100) 및 부성 저항부(200)에 흐르는 전류를 일정하게 조절하는 제1 전류원(310)와, 상기 전원전압(VDD)단과 상기 공진부(100) 사이에 형성되어, 상기 공진부(100) 및 부성 저항부(200)에 흐르는 전류를 일정하게 조절하는 제2 전류원(320)을 포함할 수 있다.
상기 문턱전압 생성부(400)는, 상기 전원전압(VDD)에 따라 문턱전압(VTH)을 생성하여 상기 부성 저항부(200)의 제1 트랜지스터(M11)의 바디에 공급하는 제1 문턱전압 생성기(410)와, 상기 전원전압(VDD)에 따라 문턱전압(VTH)을 생성하여 상기 부성 저항부(200)의 제2 트랜지스터(M12)의 바디에 공급하는 제2 문턱전압 생성부(420)를 포함한다.
도 2는 본 발명의 제1 문턱전압 생성기의 회로 구성도이다.
도 2를 참조하면, 상기 제1 문턱전압 생성기(410)는, 상기 전원전압(VDD)단에 연결된 드레인과, 상기 제1 전류원(310)과 상기 부성 저항부(200)간의 공통 접속 노드(Ncom)에 연결된 소오스와, 상기 소오스에 연결된 게이트와, 상기 소오스에 연결된 바디를 갖고, 상기 소오스에서 문턱전압을 공급하는 제1 조절 트랜지스터(M21)를 포함하는 제1 문턱전압 조절부(411)와, 상기 제1 문턱전압 조절부(411)의 제1 조절 트랜지스터(M21)의 드레인과 게이트 사이에 연결되어, 상기 전원전압(VDD)단으로부터의 전류에 상승하는 전압을 충전하는 제1 커패시터(C11)를 포함한다.
상기 제1 문턱전압 생성기(410)는, 상기 전원전압(VDD)단과 상기 제1 조절 MOS 트랜지스터(M21) 사이에 연결되어, 상기 제1 조절 트랜지스터(M21)에 흐르는 전류를 조절하는 제3 전류원(412)을 더 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2 문턱전압 생성기의 회로 구성도이다.
도 3을 참조하면, 상기 제2 문턱전압 생성기(420)는, 상기 전원전압(VDD)단에 연결된 드레인과, 상기 제1 전류원(310)과 상기 부성 저항부(200)간의 공통 접속 노드(Ncom)에 연결된 소오스와, 상기 소오스에 연결된 게이트와, 상기 소오스에 연결된 바디를 갖고, 상기 소오스에서 문턱전압을 공급하는 제2 조절 트랜지스터(M31)를 포함하는 제2 문턱전압 조절부(421)와, 상기 제2 문턱전압 조절부(421)의 제2 조절 트랜지스터(M31)의 드레인과 게이트 사이에 연결되어, 상기 전원전압(VDD)단으로부터의 전류에 상승하는 전압을 충전하는 제2 커패시터(C21)를 포함한다.
상기 제2 문턱전압 생성기(420)는, 상기 전원전압(VDD)단과 상기 제2 조절 MOS 트랜지스터(M31) 사이에 연결되어, 상기 제2 조절 트랜지스터(M31)에 흐르는 전류를 조절하는 제4 전류원(422)을 더 포함한다.
또한, 도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 공진부(100)는, 공진 주파수 결정을 위한 인덕턴스를 제공하는 인덕터(L11,L12)와, 상기 인덕터(L11,L12)와 협력하여, 공진 주파수를 결정하기 위해, 튜닝 전압(VT)에 따라 결정되는 커패시턴스 및 인덕 턴스를 제공하는 LC 탱크부(110)를 포함한다.
도 4는 본 발명의 전원전압 및 문턱전압의 관계 그래프로서, 도 4에서, VDD는 동작전압으로, 그 전압 변화 범위가 1.62V ~ 1.98V일 경우, 본 발명의 제1 조절 트랜지스터(M21)의 게이트-드레인 전압(VGD) 또는 제2 조절 트랜지스터(M31)의 게이트-드레인 전압(VGD)의 변화 범위는 대략 1.164V ~ 1.356V이고, 문턱전압(VTH)의 변화 범위는 대략 319.5mV ~ 436.7mV 임을 알 수 있다.
이하, 본 발명의 작용 및 효과를 첨부한 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기를 설명하면, 도 1에서, 본 발명의 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기는, 전원전압의 변화에 따라 선형적으로 트랜지스터의 문턱전압을 조절하기 위해, 공진부(100), 부성 저항부(200), 전류원(300) 및 문턱전압 생성부(400)를 포함할 수 있다.
먼저, 상기 공진부(100)는, 전원전압(VDD)단에 연결되어, 사전에 결정되는 공진 주파수를 갖는 신호를 생성한다.
상기 부성 저항부(200)는, 게이트-드레인 교차 결합된 제1 및 제2 MOS 트랜지스터(M11,M12)를 포함하고, 상기 제1 및 제2 MOS 트랜지스터(M11,M12)에 의해 생성되는 부성저항을 상기 공진부(100)에 제공하여, 상기 공진부(100)에 발진 조건을 형성한다.
이에 따라, 상기 공진부(100) 및 부성 저항부(200)에 의해, 사전에 설정된 공진 주파수를 갖는 발진 신호가 생성된다.
이때, 상기 전류원(300)은, 상기 공진부(100) 및 부성 저항부(200)에 흐르는 전류를 일정하게 조절하여, 상기 공진부(100) 및 부성 저항부(200)가 보다 안정된 동작을 수행할 수 있다.
일예로, 상기 전류원(300)은, 상기 부성 저항부(200)와 접지 사이에 연결된 제1 전류원(310)을 포함할 수 있고, 이때, 상기 제1 전류원(310)는, 상기 공진부(100) 및 부성 저항부(200)에 흐르는 전류를 일정하게 조절할 수 있다.
다른 일예로, 상기 전류원(300)은, 상기 부성 저항부(200)와 접지 사이에 연결된 제1 전류원(310)과, 상기 전원전압(VDD)단과 상기 공진부(100) 사이에 형성된 제2 전류원(320)을 포함하는 경우, 상기 제1 전류원(310) 및 제2 전류원(320)은 상기 공진부(100) 및 부성 저항부(200)에 흐르는 전류를 일정하게 조절할 수 있다.
예를 들어, 상기 공진부(100)는, 인덕터(L11,L12) 및 LC 탱크부(110)를 포함하는 경우, 상기 인덕터(L11,L12)는 공진 주파수 결정을 위한 인덕턴스를 제공하고, 상기 LC 탱크부(110)는, 상기 인덕터(L11,L12)와 협력하여, 공진 주파수를 결정하기 위해, 튜닝 전압(VT)에 따라 결정되는 커패시턴스 및 인덕턴스를 제공한다. 이에 따라, 상기 튜닝전압(VT)에 따라 공진 주파수를 가변시킬 수 있다.
이러한 동작중에, 상기 문턱전압 생성부(400)는, 상기 전원전압(VDD)에 따라 문턱전압(VTH)을 생성하여 상기 부성 저항부(200)의 제1,제2 트랜지스터(M11,M12) 의 바디에 공급한다.
보다 구체적인 예로, 상기 문턱전압 생성부(400)는, 제1 문턱전압 생성기(410)와 제2 문턱전압 생성부(420)를 포함할 수 있다.
이떼, 상기 제1 문턱전압 생성기(410)는 상기 전원전압(VDD)에 따라 문턱전압(VTH)을 생성하여 상기 부성 저항부(200)의 제1 트랜지스터(M11)의 바디에 공급할 수 있다.
상기 제2 문턱전압 생성부(420)는, 상기 전원전압(VDD)에 따라 문턱전압(VTH)을 생성하여 상기 부성 저항부(200)의 제2 트랜지스터(M12)의 바디에 공급할 수 있다.
도 2의 제1 문턱전압 생성기(410)와 도 3의 제2 문턱전압 생성기(420)는 동일한 구성으로 동일하게 동작하므로, 상기 제1 문턱전압 생성기(410)에 대해 동작을 설명하고, 상기 제2 문턱전압 생성기(420)에 대한 동작을 생략한다.
도 2를 참조하여 상기 제1 문턱전압 생성기(410)에 대해 자세히 설명한다.
도 2를 참조하면, 상기 제1 문턱전압 생성기(410)는, 전원전압 변화에 따라 선형적으로 문턱전압(VTH)을 제어하기 위해, 제3 전류원(412), 제1 조절 트랜지스터(M21) 및 제1 커패시터(C11)를 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 상기 동작전압(VDD)이 상승하면, 상기 제3 전류 원(412)에 의한 전류가 상승하므로 상기 제1 조절 트랜지스터(M21)의 게이트-드레인 전S압(VGD)이 상승하고, 이에 따라 문턱전압(VTH)이 선형적으로 상승한다.
이와 달리, 상기 동작전압(VDD)이 하강하면, 상기 제3 전류원(412)에 의한 전류가 하강하므로 상기 제1 조절 트랜지스터(M21)의 게이트-드레인 전압(VGD)이 하강하고, 이에 따라 문턱전압(VTH)이 선형적으로 하강한다.
따라서, 전원전압 변화에 따른 발진 주파수의 특성을 선형적으로 가져갈 수 있다.
전술한 바와 같은 본 발명에 의하면, 출력노드 노이즈나 기판 노이즈의 영향을 줄이고, 전원전압의 변화에 신속하게 응답하여 발진의 안정성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기의 회로 블럭도.
도 2는 본 발명의 제1 문턱전압 생성기의 회로 구성도.
도 3은 본 발명의 제2 문턱전압 생성기의 회로 구성도.
도 4는 본 발명의 전원전압 및 문턱전압의 관계 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 공진부 110 : LC 탱크부
200 : 부성 저항부 300 : 전류원
310 : 제1 전류원 320 : 제2 전류원
400 : 문턱전압 생성부 410 : 제1 문턱전압 생성기
411 : 제1 문턱전압 조절부 412 : 제3 전류원
420 : 제2 문턱전압 생성부 421 : 제2 문턱전압 조절부
422 : 제4 전류원 M11 : 제1 MOS 트랜지스터
M12 : 제2 MOS 트랜지스터 M21 ; 제1 조절 트랜지스터
M31 ; 제2 조절 트랜지스터 VDD : 전원전압
VTH : 문턱전압 VT : 튜닝전압
L11,L12 : 인덕터 C11 : 제1 커패시터
C21 : 제2 커패시터

Claims (9)

  1. 전원전압단에 연결되어, 사전에 결정되는 공진 주파수를 갖는 신호를 생성하는 공진부;
    게이트-드레인 교차 결합된 제1 및 제2 MOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 및 제2 MOS 트랜지스터에 의해 생성되는 부성저항을 상기 공진부에 제공하여, 상기 공진부에 발진 조건을 형성하는 부성 저항부;
    상기 공진부 및 부성 저항부에 흐르는 전류를 일정하게 조절하는 전류원; 및
    상기 전원전압에 따라 문턱전압을 생성하여 상기 부성 저항부의 제1,제2 트랜지스터의 바디에 공급하는 문턱전압 생성부
    를 포함하는 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전류원은,
    상기 부성 저항부와 접지 사이에 연결되어, 상기 공진부 및 부성 저항부에 흐르는 전류를 일정하게 조절하는 제1 전류원을 포함하는 것을 특징으로 하는 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전류원은,
    상기 부성 저항부와 접지 사이에 연결되어, 상기 공진부 및 부성 저항부에 흐르는 전류를 일정하게 조절하는 제1 전류원; 및
    상기 전원전압단과 상기 공진부 사이에 형성되어, 상기 공진부 및 부성 저항부에 흐르는 전류를 일정하게 조절하는 제2 전류원
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기.
  4. 제2항에 있어서, 상기 문턱전압 생성부는,
    상기 전원전압에 따라 문턱전압을 생성하여 상기 부성 저항부의 제1 트랜지스터의 바디에 공급하는 제1 문턱전압 생성기; 및
    상기 전원전압에 따라 문턱전압을 생성하여 상기 부성 저항부의 제2 트랜지스터의 바디에 공급하는 제2 문턱전압 생성부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 문턱전압 생성기는,
    상기 전원전압단에 연결된 드레인과, 상기 제1 전류원과 상기 부성 저항부간의 공통 접속 노드에 연결된 소오스와, 상기 소오스에 연결된 게이트와, 상기 소오스에 연결된 바디를 갖고, 상기 소오스에서 문턱전압을 공급하는 제1 조절 트랜지스터를 포함하는 제1 문턱전압 조절부; 및
    상기 제1 문턱전압 조절부의 제1 조절 트랜지스터의 드레인과 게이트 사이에 연결되어, 상기 전원전압단으로부터의 전류에 상승하는 전압을 충전하는 제1 커패시터
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 문턱전압 생성기는,
    상기 전원전압단과 상기 제1 조절 MOS 트랜지스터 사이에 연결되어, 상기 제1 조절 트랜지스터에 흐르는 전류를 조절하는 제3 전류원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제2 문턱전압 생성기는,
    상기 전원전압단에 연결된 드레인과, 상기 제1 전류원과 상기 부성 저항부간의 공통 접속 노드에 연결된 소오스와, 상기 소오스에 연결된 게이트와, 상기 소오스에 연결된 바디를 갖고, 상기 소오스에서 문턱전압을 공급하는 제2 조절 트랜지스터를 포함하는 제2 문턱전압 조절부; 및
    상기 제2 문턱전압 조절부의 제2 조절 트랜지스터의 드레인과 게이트 사이에 연결되어, 상기 전원전압단으로부터의 전류에 상승하는 전압을 충전하는 제2 커패시터
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2 문턱전압 생성기는,
    상기 전원전압단과 상기 제2 조절 MOS 트랜지스터 사이에 연결되어, 상기 제2 조절 트랜지스터에 흐르는 전류를 조절하는 제4 전류원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기.
  9. 제1항에 있어서, 상기 공진부는,
    공진 주파수 결정을 위한 인덕턴스를 제공하는 인덕터;
    상기 인덕터와 협력하여, 공진 주파수를 결정하기 위해, 튜닝 전압에 따라 결정되는 커패시턴스 및 인덕턴스를 제공하는 LC 탱크부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 문턱전압 조절형 전압 제어 발진기.
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