JP2004080550A - 電圧制御発振器 - Google Patents
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Abstract
【課題】集積回路に組み込む場合に必要なレイアウト面積が少なくなり小面積で、かつ従来に比べ、より安定な発振周波数を確保することができる電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】奇数個のCMOSインバータ9をリング状に連結したリングオシレータ12と、レベルシフト回路13と、制御電圧入力用の入力端子1、2を有する電圧電流変換回路7と、リングオシレータ12の電源VDDIに接続されたコンデンサ8とを備え、入力端子1からの入力電圧の増加に従い、バイアス制御用のNチャネルMOS型トランジスタ4が、飽和領域に遷移することにより、定電流源として動作する。
【選択図】 図1
【解決手段】奇数個のCMOSインバータ9をリング状に連結したリングオシレータ12と、レベルシフト回路13と、制御電圧入力用の入力端子1、2を有する電圧電流変換回路7と、リングオシレータ12の電源VDDIに接続されたコンデンサ8とを備え、入力端子1からの入力電圧の増加に従い、バイアス制御用のNチャネルMOS型トランジスタ4が、飽和領域に遷移することにより、定電流源として動作する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、入力電圧により発振周波数が制御される電圧制御発振器であり、特に集積回路に使用される電圧制御発振器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、入力電圧により発振周波数が制御される電圧制御発振器であり、特に集積回路に使用される電圧制御発振器の一つとして、入力電圧をNチャネルMOS型トランジスタによりゲート受けし、その入力電圧に応じて電流変換する電圧電流変換回路を持つ電圧制御発振器が広く知られている。
【0003】
このような従来の電圧制御発振器について、図面を用いて以下に説明する。
図2は従来の電圧制御発振器の一構成例を示す回路ブロック図である。図2に示すように、この電圧制御発振器17は、電圧電流変換回路16と、コンデンサ8と、奇数個のCMOSインバータ9をリング状に接続したリングオシレータ12と、レベルシフト回路13とで構成されている。
【0004】
この電圧制御発振器17において、リングオシレータ12を構成するCMOSインバータ9は、PチャネルMOS型トランジスタ11とNチャネルMOS型トランジスタ10のドレイン同士およびゲート同士を接続したものであり、CMOSインバータ9の電源端子VDDIには、電圧電流変換回路16の出力およびコンデンサ8が接続されている。
【0005】
以上のように構成された電圧制御発振器17では、入力端子1に入力電圧を印加し、その入力電圧を、電圧電流変換回路16にて電流に変換して出力し、この出力電流をさらにコンデンサ8により電圧に変換して、リングオシレータ12の電源端子VDDIに供給することにより、このリングオシレータ12の発振周波数を可変とすることを可能としたものである。
【0006】
なお、上記の電圧電流変換回路16の実現手段の一構成例として、図2に示すように、ゲート受けのNチャネルMOS型トランジスタを用い、入力端子1からの入力電圧を電流に変換するNチャネルMOS型トランジスタ3のドレイン・ソース間電流を、PチャネルMOS型トランジスタ5、6からなるカレントミラー回路により取り出す構成としたものがある。
【0007】
上記以外の電圧電流変換回路の実現手段の構成例として、図3に示すように、オペアンプ入力型の電圧電流変換回路20があり、オペアンプ19と、NチャネルMOS型トランジスタ3と、抵抗18と、PチャネルMOS型トランジスタ5、6からなるカレントミラー回路とで構成されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記のような従来の電圧制御発振器において、図2で示す電圧電流変換回路16を用いた電圧制御発振器17では、NチャネルMOS型トランジスタ3のプロセスバラツキや温度特性などにより、このNチャネルMOS型トランジスタ3のドレイン・ソース間電流が大きく変動し、この電流変動の影響により、図5に示す電圧制御発振器の入力電圧−発振周波数特性のように、発振周波数が最も低くなるworst条件と、発振周波数が最も高くなるbest条件では、発振周波数が大きく異なってしまうという問題点を有していた。
【0009】
これに対して、電圧制御発振器の設計においては、所望の発振周波数がworst条件でも得られる必要があるが、この時、best条件では所望の発振周波数以上の発振周波数が出力されることが分かる。これにより、電圧制御発振器の出力を入力とする後段の分周器等のディジタル回路が、best条件における高速な発振周波数には、追従することができず、回路が正しく動作しないという危険性がある。従って、電圧制御発振器の入力電圧−発振周波数特性のworst条件とbest条件の差が小さいことが望ましい。
【0010】
電流の変動が小さい電圧電流変換回路として、図3に示す電圧電流変換回路20がある。これは、入力端子1から入力される入力電圧と、抵抗18の抵抗値により、次式のように電流値が決定されるため、NチャネルMOS型トランジスタ3の温度特性による影響を受けないという特徴がある。
【0011】
電流値=入力電圧÷抵抗値
従って、電圧電流変換回路20は、電流の変動を小さくすることができ、これにより電圧制御発振器の発振周波数の変動も小さくなる。
【0012】
しかしながら、この電圧電流変換回路20は、図2に示す電圧電流変換回路16と比較し、オペアンプ19および抵抗18が追加されるため、集積回路のレイアウト面積が増大し、コストアップにつながってしまう。また、オペアンプ19の特性上、NチャネルMOS型トランジスタ単体での場合と比べて、入力端子1に入力可能な電圧範囲が狭くなってしまうという問題点をも有していた。
【0013】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、集積回路に組み込む場合に必要なレイアウト面積が少なくなり小面積で、かつ特定の発振周波数以上の発振を抑制することができ、従来に比べ、より安定な発振周波数を確保することができる電圧制御発振器を提供する。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明の請求項1に記載の電圧制御発振器は、CMOSインバータを奇数個リング状に連結したリングオシレータと、前記リングオシレータの出力レベルを変換するレベルシフト回路と、入力電圧により、前記リングオシレータの電源ラインに供給する電流を制御する電圧電流変換回路と、前記電圧電流変換回路から供給される電流を前記リングオシレータの電源電圧に変換するコンデンサとからなる電圧制御発振器において、前記電圧電流変換回路を、前記入力電圧により電流を制御する第1のNチャネルMOS型トランジスタと、前記第1のNチャネルMOS型トランジスタと直列に接続され、ゲートに所定のDC固定バイス電圧が与えられて、動作状態が飽和領域に遷移し、定電流源として動作する第2のNチャネルMOS型トランジスタと、前記第1、第2のNチャネルMOS型トランジスタのドレイン・ソース間を流れる電流を前記リングオシレータに供給する第3、第4のPチャネルMOS型トランジスタからなるカレントミラー回路とで構成したことを特徴とする。
【0015】
この構成により、第2のNチャネルMOS型トランジスタを飽和領域に遷移させて動作させることで定電流源とし、電圧電流変換回路の出力電流を特定の値に制限することにより、リングオシレータの発振周波数の変化を抑制することができる。
【0016】
また、本発明の請求項2に記載の電圧制御発振器は、請求項1に記載の電圧制御発振器であって、第2のNチャネルMOS型トランジスタ単体のゲート・ソース間電圧−ドレイン・ソース間電流特性に基づいて、温度特性的に、温度変化に対して前記ドレイン・ソース間電流の変化が最小となるゲート・ソース間電圧を求め、その電圧を、前記第2のNチャネルMOS型トランジスタのゲートに、DC固定バイアス電圧として与えるよう構成したことを特徴とする。
【0017】
この構成により、電圧電流変換回路の電流値に対して、温度特性的に温度変化に対する変動を最小限に抑えることにより、リングオシレータの発振周波数の変化を抑制することができる。
【0018】
また、本発明の請求項3に記載の電圧制御発振器は、請求項1に記載の電圧制御発振器であって、電圧電流変換回路にDAコンバータを設けるとともに、前記電圧電流変換回路を含め全回路を集積回路化し、前記電圧電流変換回路に対して、前記集積回路の外部端子より所定のディジタル信号を与えて、前記DAコンバータによりアナログ信号に変換し、そのアナログ信号を、第2のNチャネルMOS型トランジスタのゲートに、DC固定バイアス電圧として与えるよう構成したことを特徴とする。
【0019】
この構成により、集積回路の外部からディジタル値により、容易にDC固定バイアス電圧を与えることができ、集積回路のプロセスバラツキに起因する第2のNチャネルMOS型トランジスタの特性変動による電流値の変化にも対応することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を示す電圧制御発振器について、図面を参照しながら具体的に説明する。
(実施の形態1)
本発明の実施の形態1の電圧制御発振器を説明する。
【0021】
図1は本実施の形態1の電圧制御発振器の構成を示す回路ブロック図である。図1に示すように、本実施の形態1の電圧制御発振器15は、入力端子1からの入力電圧を電流に変換し、入力電圧が所定の電圧を超えると定電流状態となる電圧電流変換回路7と、電圧電流変換回路7からの出力電流を電圧に変換するコンデンサ8と、PチャネルMOS型トランジスタ11とNチャネルMOS型トランジスタのドレイン同士およびゲート同士が接続されたCMOSインバータ9が奇数個リング状に接続され、それらCMOSインバータ9の電源端子VDDIがコンデンサ8に接続されたリングオシレータ12と、リングオシレータ12の出力電圧を、出力端子14に接続される後段回路の電源電圧と等しくなるように、レベルシフトするレベルシフト回路13とで構成されており、リングオシレータ12の電源端子VDDIの電圧値に応じて、CMOSインバータ9の遅延時間が変化し、この遅延時間からリングオシレータ12の発振周波数が決定される。
【0022】
さらに電圧電流変換回路7は、入力端子1からの入力電圧によりドレイン・ソース間電流を変化させるNチャネルMOS型トランジスタ3と、これと直列に接続され、入力端子2に所定のDCバイアス電圧が与えられるNチャネルMOS型トランジスタ4と、NチャネルMOS型トランジスタ3、4のドレイン・ソース間電流を取り出すためのカレントミラー回路を形成するPチャネルMOS型トランジスタ5、6とで構成される。
【0023】
なお、NチャネルMOS型トランジスタ4のゲートを入力端子1とし、NチャネルMOS型トランジスタ3のゲートを入力端子2とする構成でもよい。
以上のように構成された電圧制御発振器15の電圧電流変換回路7においては、NチャネルMOS型トランジスタ4のドレイン・ソース間電圧をVDS4、ゲート・ソース間電圧をVGS4、しきい値電圧をVt4として、次式を満たすとき、このNチャネルMOS型トランジスタ4は、飽和状態で動作し、定電流源となる。
【0024】
VDS4>(VGS4−Vt4)
これに基き、入力端子1からの入力電圧を上昇させていくと、VDS4が増加し、上式の条件が満たされた場合に、NチャネルMOS型トランジスタ4は飽和状態になって、リングオシレータ12に供給される電流は定電流となり、リングオシレータ12の発振周波数は特定の周波数に固定され、これにより電圧制御発振器15からの出力信号も特定の周波数に固定される。
【0025】
図7は本実施の形態1の電圧制御発振器15における入力電圧−発振周波数出力特性を示す特性図である。本実施の形態1の電圧制御発振器15においては、図7に示すように、入力電圧が所定の電圧28になると、入力電圧の増大方向の変化に対して、発振周波数の変動はなくなり略一定となる。
【0026】
図6は本実施の形態1の電圧制御発振器15における電圧電流変換回路7を構成するバイアス制御用のNチャネルMOS型トランジスタ4のゲート・ソース間電圧−ドレイン・ソース間電流特性図である。本実施の形態1の電圧制御発振器15において、電圧電流変換回路7内のNチャネルMOS型トランジスタ4のドレイン・ソース間電流は、図6に示すように、ゲート・ソース間電圧が所定の電圧26より小さい範囲では、温度が高温で大きくなり低温で小さくなる。逆に、ゲート・ソース間電圧が所定電圧26より大きい場合は、温度が低温で大きくなり高温で小さくなる。
【0027】
以上のような温度特性を示すゲート・ソース間電圧−ドレイン・ソース間電流特性図に基いて、温度変化に対するドレイン・ソース間電流の変動が最小となるゲート・ソース間電圧26を、DCバイアス固定電圧としてNチャネルMOS型トランジスタ4の入力端子2に与えることにより、そのNチャネルMOS型トランジスタ4の温度特性において、ドレイン・ソース間電流として、温度変化に対する変動が最小となるドレイン・ソース間電流27を得ることができる。
【0028】
以上により、発振周波数が特定の周波数より上昇することが無く安定化することができ、過発振による後段の分周器等のディジタル回路の誤動作を防ぐことができる。
(実施の形態2)
本発明の実施の形態2の電圧制御発振器を説明する。
【0029】
図4は本実施の形態2の電圧制御発振器の構成を示す回路ブロック図である。本実施の形態2の電圧制御発振器25は、電圧電流変換回路24を含めて、半導体を用いた集積回路として構成され、図4に示すように、この電圧制御発振器25における電圧電流変換回路24には、DAコンバータ23が設けられ、集積回路の外部より、ディジタル値がDAコンバータ23の入力端子22に与えられ、この信号がDAコンバータ23によりDA変換され、DC固定バイアス電圧として、NチャネルMOS型トランジスタ4のゲートに接続されている入力端子2に与えられる。
【0030】
以上の構成により、集積回路の外部からディジタル値により、容易にDC固定バイアス電圧を与えることができ、集積回路のプロセスバラツキに起因するNチャネルMOS型トランジスタ4の特性変動による電流値の変化にも対応することができる。
【0031】
そのため、バイアス制御用のNチャネルMOS型トランジスタ4のプロセスバラツキによる電流値の変動を容易に補正することができ、発振周波数の安定化を容易に実現することができる。
【0032】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、第2のNチャネルMOS型トランジスタを飽和領域に遷移させて動作させることで定電流源とし、電圧電流変換回路の出力電流を特定の値に制限することにより、リングオシレータの発振周波数の変化を抑制することができる。
【0033】
そのため、発振周波数が特定の周波数より上昇することが無く安定化することができ、過発振による後段の分周器等のディジタル回路の誤動作を防ぐことができる。
【0034】
また、電圧電流変換回路の電流値に対して、温度特性的に温度変化に対する変動を最小限に抑えることにより、リングオシレータの発振周波数の変化を抑制することができる。
【0035】
そのため、発振周波数のより一層の安定化を図ることができる。
また、集積回路の外部からディジタル値により、容易にDC固定バイアス電圧を与えることができ、集積回路のプロセスバラツキに起因する第2のNチャネルMOS型トランジスタの特性変動による電流値の変化にも対応することができる。
【0036】
そのため、バイアス制御用のNチャネルMOS型トランジスタのプロセスバラツキによる電流値の変動を容易に補正することができ、発振周波数の安定化を容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1の電圧制御発振器の構成例を示す回路ブロック図
【図2】従来の電圧制御発振器の構成例1を示す回路ブロック図
【図3】従来の電圧制御発振器の構成例2を示す回路ブロック図
【図4】本発明の実施の形態2の電圧制御発振器の構成例を示す回路ブロック図
【図5】従来の電圧制御発振器の入力電圧−発振周波数特性図
【図6】本発明の実施の形態1の電圧制御発振器における電圧電流変換回路内のNチャネルMOS型トランジスタのゲート・ソース間電圧−ドレイン・ソース間電流特性図
【図7】同実施の形態1の電圧制御発振器における入力電圧−発振周波数特性図
【符号の説明】
1、2、22 入力端子
3、4、10 NチャネルMOS型トランジスタ
5、6、11 PチャネルMOS型トランジスタ
7、16、20、24 電圧電流変換回路
8 コンデンサ
9 CMOSインバータ
12 リングオシレータ
13 レベルシフト回路
14 出力端子
15、17、21、25 電圧制御発振器
18 抵抗
19 オペアンプ
23 DAコンバータ
【発明の属する技術分野】
本発明は、入力電圧により発振周波数が制御される電圧制御発振器であり、特に集積回路に使用される電圧制御発振器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、入力電圧により発振周波数が制御される電圧制御発振器であり、特に集積回路に使用される電圧制御発振器の一つとして、入力電圧をNチャネルMOS型トランジスタによりゲート受けし、その入力電圧に応じて電流変換する電圧電流変換回路を持つ電圧制御発振器が広く知られている。
【0003】
このような従来の電圧制御発振器について、図面を用いて以下に説明する。
図2は従来の電圧制御発振器の一構成例を示す回路ブロック図である。図2に示すように、この電圧制御発振器17は、電圧電流変換回路16と、コンデンサ8と、奇数個のCMOSインバータ9をリング状に接続したリングオシレータ12と、レベルシフト回路13とで構成されている。
【0004】
この電圧制御発振器17において、リングオシレータ12を構成するCMOSインバータ9は、PチャネルMOS型トランジスタ11とNチャネルMOS型トランジスタ10のドレイン同士およびゲート同士を接続したものであり、CMOSインバータ9の電源端子VDDIには、電圧電流変換回路16の出力およびコンデンサ8が接続されている。
【0005】
以上のように構成された電圧制御発振器17では、入力端子1に入力電圧を印加し、その入力電圧を、電圧電流変換回路16にて電流に変換して出力し、この出力電流をさらにコンデンサ8により電圧に変換して、リングオシレータ12の電源端子VDDIに供給することにより、このリングオシレータ12の発振周波数を可変とすることを可能としたものである。
【0006】
なお、上記の電圧電流変換回路16の実現手段の一構成例として、図2に示すように、ゲート受けのNチャネルMOS型トランジスタを用い、入力端子1からの入力電圧を電流に変換するNチャネルMOS型トランジスタ3のドレイン・ソース間電流を、PチャネルMOS型トランジスタ5、6からなるカレントミラー回路により取り出す構成としたものがある。
【0007】
上記以外の電圧電流変換回路の実現手段の構成例として、図3に示すように、オペアンプ入力型の電圧電流変換回路20があり、オペアンプ19と、NチャネルMOS型トランジスタ3と、抵抗18と、PチャネルMOS型トランジスタ5、6からなるカレントミラー回路とで構成されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記のような従来の電圧制御発振器において、図2で示す電圧電流変換回路16を用いた電圧制御発振器17では、NチャネルMOS型トランジスタ3のプロセスバラツキや温度特性などにより、このNチャネルMOS型トランジスタ3のドレイン・ソース間電流が大きく変動し、この電流変動の影響により、図5に示す電圧制御発振器の入力電圧−発振周波数特性のように、発振周波数が最も低くなるworst条件と、発振周波数が最も高くなるbest条件では、発振周波数が大きく異なってしまうという問題点を有していた。
【0009】
これに対して、電圧制御発振器の設計においては、所望の発振周波数がworst条件でも得られる必要があるが、この時、best条件では所望の発振周波数以上の発振周波数が出力されることが分かる。これにより、電圧制御発振器の出力を入力とする後段の分周器等のディジタル回路が、best条件における高速な発振周波数には、追従することができず、回路が正しく動作しないという危険性がある。従って、電圧制御発振器の入力電圧−発振周波数特性のworst条件とbest条件の差が小さいことが望ましい。
【0010】
電流の変動が小さい電圧電流変換回路として、図3に示す電圧電流変換回路20がある。これは、入力端子1から入力される入力電圧と、抵抗18の抵抗値により、次式のように電流値が決定されるため、NチャネルMOS型トランジスタ3の温度特性による影響を受けないという特徴がある。
【0011】
電流値=入力電圧÷抵抗値
従って、電圧電流変換回路20は、電流の変動を小さくすることができ、これにより電圧制御発振器の発振周波数の変動も小さくなる。
【0012】
しかしながら、この電圧電流変換回路20は、図2に示す電圧電流変換回路16と比較し、オペアンプ19および抵抗18が追加されるため、集積回路のレイアウト面積が増大し、コストアップにつながってしまう。また、オペアンプ19の特性上、NチャネルMOS型トランジスタ単体での場合と比べて、入力端子1に入力可能な電圧範囲が狭くなってしまうという問題点をも有していた。
【0013】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、集積回路に組み込む場合に必要なレイアウト面積が少なくなり小面積で、かつ特定の発振周波数以上の発振を抑制することができ、従来に比べ、より安定な発振周波数を確保することができる電圧制御発振器を提供する。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明の請求項1に記載の電圧制御発振器は、CMOSインバータを奇数個リング状に連結したリングオシレータと、前記リングオシレータの出力レベルを変換するレベルシフト回路と、入力電圧により、前記リングオシレータの電源ラインに供給する電流を制御する電圧電流変換回路と、前記電圧電流変換回路から供給される電流を前記リングオシレータの電源電圧に変換するコンデンサとからなる電圧制御発振器において、前記電圧電流変換回路を、前記入力電圧により電流を制御する第1のNチャネルMOS型トランジスタと、前記第1のNチャネルMOS型トランジスタと直列に接続され、ゲートに所定のDC固定バイス電圧が与えられて、動作状態が飽和領域に遷移し、定電流源として動作する第2のNチャネルMOS型トランジスタと、前記第1、第2のNチャネルMOS型トランジスタのドレイン・ソース間を流れる電流を前記リングオシレータに供給する第3、第4のPチャネルMOS型トランジスタからなるカレントミラー回路とで構成したことを特徴とする。
【0015】
この構成により、第2のNチャネルMOS型トランジスタを飽和領域に遷移させて動作させることで定電流源とし、電圧電流変換回路の出力電流を特定の値に制限することにより、リングオシレータの発振周波数の変化を抑制することができる。
【0016】
また、本発明の請求項2に記載の電圧制御発振器は、請求項1に記載の電圧制御発振器であって、第2のNチャネルMOS型トランジスタ単体のゲート・ソース間電圧−ドレイン・ソース間電流特性に基づいて、温度特性的に、温度変化に対して前記ドレイン・ソース間電流の変化が最小となるゲート・ソース間電圧を求め、その電圧を、前記第2のNチャネルMOS型トランジスタのゲートに、DC固定バイアス電圧として与えるよう構成したことを特徴とする。
【0017】
この構成により、電圧電流変換回路の電流値に対して、温度特性的に温度変化に対する変動を最小限に抑えることにより、リングオシレータの発振周波数の変化を抑制することができる。
【0018】
また、本発明の請求項3に記載の電圧制御発振器は、請求項1に記載の電圧制御発振器であって、電圧電流変換回路にDAコンバータを設けるとともに、前記電圧電流変換回路を含め全回路を集積回路化し、前記電圧電流変換回路に対して、前記集積回路の外部端子より所定のディジタル信号を与えて、前記DAコンバータによりアナログ信号に変換し、そのアナログ信号を、第2のNチャネルMOS型トランジスタのゲートに、DC固定バイアス電圧として与えるよう構成したことを特徴とする。
【0019】
この構成により、集積回路の外部からディジタル値により、容易にDC固定バイアス電圧を与えることができ、集積回路のプロセスバラツキに起因する第2のNチャネルMOS型トランジスタの特性変動による電流値の変化にも対応することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を示す電圧制御発振器について、図面を参照しながら具体的に説明する。
(実施の形態1)
本発明の実施の形態1の電圧制御発振器を説明する。
【0021】
図1は本実施の形態1の電圧制御発振器の構成を示す回路ブロック図である。図1に示すように、本実施の形態1の電圧制御発振器15は、入力端子1からの入力電圧を電流に変換し、入力電圧が所定の電圧を超えると定電流状態となる電圧電流変換回路7と、電圧電流変換回路7からの出力電流を電圧に変換するコンデンサ8と、PチャネルMOS型トランジスタ11とNチャネルMOS型トランジスタのドレイン同士およびゲート同士が接続されたCMOSインバータ9が奇数個リング状に接続され、それらCMOSインバータ9の電源端子VDDIがコンデンサ8に接続されたリングオシレータ12と、リングオシレータ12の出力電圧を、出力端子14に接続される後段回路の電源電圧と等しくなるように、レベルシフトするレベルシフト回路13とで構成されており、リングオシレータ12の電源端子VDDIの電圧値に応じて、CMOSインバータ9の遅延時間が変化し、この遅延時間からリングオシレータ12の発振周波数が決定される。
【0022】
さらに電圧電流変換回路7は、入力端子1からの入力電圧によりドレイン・ソース間電流を変化させるNチャネルMOS型トランジスタ3と、これと直列に接続され、入力端子2に所定のDCバイアス電圧が与えられるNチャネルMOS型トランジスタ4と、NチャネルMOS型トランジスタ3、4のドレイン・ソース間電流を取り出すためのカレントミラー回路を形成するPチャネルMOS型トランジスタ5、6とで構成される。
【0023】
なお、NチャネルMOS型トランジスタ4のゲートを入力端子1とし、NチャネルMOS型トランジスタ3のゲートを入力端子2とする構成でもよい。
以上のように構成された電圧制御発振器15の電圧電流変換回路7においては、NチャネルMOS型トランジスタ4のドレイン・ソース間電圧をVDS4、ゲート・ソース間電圧をVGS4、しきい値電圧をVt4として、次式を満たすとき、このNチャネルMOS型トランジスタ4は、飽和状態で動作し、定電流源となる。
【0024】
VDS4>(VGS4−Vt4)
これに基き、入力端子1からの入力電圧を上昇させていくと、VDS4が増加し、上式の条件が満たされた場合に、NチャネルMOS型トランジスタ4は飽和状態になって、リングオシレータ12に供給される電流は定電流となり、リングオシレータ12の発振周波数は特定の周波数に固定され、これにより電圧制御発振器15からの出力信号も特定の周波数に固定される。
【0025】
図7は本実施の形態1の電圧制御発振器15における入力電圧−発振周波数出力特性を示す特性図である。本実施の形態1の電圧制御発振器15においては、図7に示すように、入力電圧が所定の電圧28になると、入力電圧の増大方向の変化に対して、発振周波数の変動はなくなり略一定となる。
【0026】
図6は本実施の形態1の電圧制御発振器15における電圧電流変換回路7を構成するバイアス制御用のNチャネルMOS型トランジスタ4のゲート・ソース間電圧−ドレイン・ソース間電流特性図である。本実施の形態1の電圧制御発振器15において、電圧電流変換回路7内のNチャネルMOS型トランジスタ4のドレイン・ソース間電流は、図6に示すように、ゲート・ソース間電圧が所定の電圧26より小さい範囲では、温度が高温で大きくなり低温で小さくなる。逆に、ゲート・ソース間電圧が所定電圧26より大きい場合は、温度が低温で大きくなり高温で小さくなる。
【0027】
以上のような温度特性を示すゲート・ソース間電圧−ドレイン・ソース間電流特性図に基いて、温度変化に対するドレイン・ソース間電流の変動が最小となるゲート・ソース間電圧26を、DCバイアス固定電圧としてNチャネルMOS型トランジスタ4の入力端子2に与えることにより、そのNチャネルMOS型トランジスタ4の温度特性において、ドレイン・ソース間電流として、温度変化に対する変動が最小となるドレイン・ソース間電流27を得ることができる。
【0028】
以上により、発振周波数が特定の周波数より上昇することが無く安定化することができ、過発振による後段の分周器等のディジタル回路の誤動作を防ぐことができる。
(実施の形態2)
本発明の実施の形態2の電圧制御発振器を説明する。
【0029】
図4は本実施の形態2の電圧制御発振器の構成を示す回路ブロック図である。本実施の形態2の電圧制御発振器25は、電圧電流変換回路24を含めて、半導体を用いた集積回路として構成され、図4に示すように、この電圧制御発振器25における電圧電流変換回路24には、DAコンバータ23が設けられ、集積回路の外部より、ディジタル値がDAコンバータ23の入力端子22に与えられ、この信号がDAコンバータ23によりDA変換され、DC固定バイアス電圧として、NチャネルMOS型トランジスタ4のゲートに接続されている入力端子2に与えられる。
【0030】
以上の構成により、集積回路の外部からディジタル値により、容易にDC固定バイアス電圧を与えることができ、集積回路のプロセスバラツキに起因するNチャネルMOS型トランジスタ4の特性変動による電流値の変化にも対応することができる。
【0031】
そのため、バイアス制御用のNチャネルMOS型トランジスタ4のプロセスバラツキによる電流値の変動を容易に補正することができ、発振周波数の安定化を容易に実現することができる。
【0032】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、第2のNチャネルMOS型トランジスタを飽和領域に遷移させて動作させることで定電流源とし、電圧電流変換回路の出力電流を特定の値に制限することにより、リングオシレータの発振周波数の変化を抑制することができる。
【0033】
そのため、発振周波数が特定の周波数より上昇することが無く安定化することができ、過発振による後段の分周器等のディジタル回路の誤動作を防ぐことができる。
【0034】
また、電圧電流変換回路の電流値に対して、温度特性的に温度変化に対する変動を最小限に抑えることにより、リングオシレータの発振周波数の変化を抑制することができる。
【0035】
そのため、発振周波数のより一層の安定化を図ることができる。
また、集積回路の外部からディジタル値により、容易にDC固定バイアス電圧を与えることができ、集積回路のプロセスバラツキに起因する第2のNチャネルMOS型トランジスタの特性変動による電流値の変化にも対応することができる。
【0036】
そのため、バイアス制御用のNチャネルMOS型トランジスタのプロセスバラツキによる電流値の変動を容易に補正することができ、発振周波数の安定化を容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1の電圧制御発振器の構成例を示す回路ブロック図
【図2】従来の電圧制御発振器の構成例1を示す回路ブロック図
【図3】従来の電圧制御発振器の構成例2を示す回路ブロック図
【図4】本発明の実施の形態2の電圧制御発振器の構成例を示す回路ブロック図
【図5】従来の電圧制御発振器の入力電圧−発振周波数特性図
【図6】本発明の実施の形態1の電圧制御発振器における電圧電流変換回路内のNチャネルMOS型トランジスタのゲート・ソース間電圧−ドレイン・ソース間電流特性図
【図7】同実施の形態1の電圧制御発振器における入力電圧−発振周波数特性図
【符号の説明】
1、2、22 入力端子
3、4、10 NチャネルMOS型トランジスタ
5、6、11 PチャネルMOS型トランジスタ
7、16、20、24 電圧電流変換回路
8 コンデンサ
9 CMOSインバータ
12 リングオシレータ
13 レベルシフト回路
14 出力端子
15、17、21、25 電圧制御発振器
18 抵抗
19 オペアンプ
23 DAコンバータ
Claims (3)
- CMOSインバータを奇数個リング状に連結したリングオシレータと、前記リングオシレータの出力レベルを変換するレベルシフト回路と、入力電圧により、前記リングオシレータの電源ラインに供給する電流を制御する電圧電流変換回路と、前記電圧電流変換回路から供給される電流を前記リングオシレータの電源電圧に変換するコンデンサとからなる電圧制御発振器において、前記電圧電流変換回路を、前記入力電圧により電流を制御する第1のNチャネルMOS型トランジスタと、前記第1のNチャネルMOS型トランジスタと直列に接続され、ゲートに所定のDC固定バイス電圧が与えられて、動作状態が飽和領域に遷移し、定電流源として動作する第2のNチャネルMOS型トランジスタと、前記第1、第2のNチャネルMOS型トランジスタのドレイン・ソース間を流れる電流を前記リングオシレータに供給する第3、第4のPチャネルMOS型トランジスタからなるカレントミラー回路とで構成したことを特徴とする電圧制御発振器。
- 第2のNチャネルMOS型トランジスタ単体のゲート・ソース間電圧−ドレイン・ソース間電流特性に基づいて、温度特性的に、温度変化に対して前記ドレイン・ソース間電流の変化が最小となるゲート・ソース間電圧を求め、その電圧を、前記第2のNチャネルMOS型トランジスタのゲートに、DC固定バイアス電圧として与えるよう構成したことを特徴とする請求項1に記載の電圧制御発振器。
- 電圧電流変換回路にDAコンバータを設けるとともに、前記電圧電流変換回路を含め全回路を集積回路化し、前記電圧電流変換回路に対して、前記集積回路の外部端子より所定のディジタル信号を与えて、前記DAコンバータによりアナログ信号に変換し、そのアナログ信号を、第2のNチャネルMOS型トランジスタのゲートに、DC固定バイアス電圧として与えるよう構成したことを特徴とする請求項1に記載の電圧制御発振器。
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JP2009017556A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 周波数可変オシレータ |
CN104184469A (zh) * | 2014-08-25 | 2014-12-03 | 长沙瑞达星微电子有限公司 | 一种低功耗低温度系数的环形振荡器 |
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-
2002
- 2002-08-21 JP JP2002239982A patent/JP2004080550A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006121250A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Nec Kansai Ltd | 発振回路 |
JP4684616B2 (ja) * | 2004-10-20 | 2011-05-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 発振回路 |
JP2009017556A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 周波数可変オシレータ |
CN104184469A (zh) * | 2014-08-25 | 2014-12-03 | 长沙瑞达星微电子有限公司 | 一种低功耗低温度系数的环形振荡器 |
KR20180132359A (ko) * | 2017-06-02 | 2018-12-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 오실레이터 |
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