KR20100046936A

KR20100046936A - 복합탈질시스템

Info

Publication number: KR20100046936A
Application number: KR1020080105984A
Authority: KR
Inventors: 장형석; 남덕현; 하금률
Original assignee: 대림산업 주식회사
Priority date: 2008-10-28
Filing date: 2008-10-28
Publication date: 2010-05-07

Abstract

본 발명은 황 독립영양 탈질과 전기화학적 탈질을 조합하여 하수고도처리공정에 적용함으로써 종래의 종속영양 탈질 방법에 비해 메탄올 약품 주입의 생략에 따른 비용을 절감하고, 황입자의 독립영양탈질시 알칼리제를 보충하는 방법보다 운전이 용이하게 할 수 있는 복합탈질 시스템에 관한 것이다.

본 발명은, 하수고도처리시스템에 연계되어 생물학적 처리가 완료된 처리수에 잔류하는 질소를 제거하기 위한 복합탈질시스템에 있어서, 2차 침전조로부터 방류된 생물학적 처리가 완료된 처리수를 저류하며, 황탈질반응과 전기화학적 탈질반응을 수행하여 상기 처리수에 잔류하는 질소를 제거하기 위한 복합 독립영양 탈질조를 포함하는 복합탈질시스템을 제공한다.

본 발명에 따르면, 황틸질공정을 이용한 질소제거시스템에서, 알칼리제 보충조 및 황독립영양 탈질조 대신에 황독립영양 탈질조와 전기화학적 탈질조로 조합한 구성을 부가함으로써 1 단계는 황독립영양탈질을 유도하고 2단계는 전기화학적 탈질을 유도하여 탈질의 성능을 효과적으로 개선 시킬 수 있다.

하폐수, 고도처리, 생물반응조, 황 독립영양탈질, 전기화학적 탈질, 복합탈질

Description

복합탈질시스템{Combined sulfur autotrophic denitrification and bioelectrochemical denitrification system}

본 발명은 하폐수의 생물학적 고도처리방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 하폐수를 생물학적 반응에 의한 고도처리 후 미처리된 질산성 질소를 최종적으로 처지할 수 있는 복합탈질 시스템에 관한 것이다.

일반적으로, 하수 및 오·폐수중의 제거대상 오염물중, 주 요소는 유기물(BOD, COD), 부유물(SS), 질소(N) 및 인(P)이며, 이러한 오염물질을 제거하기 위한 방법으로서 주로 생물학적 처리방법(activated sludge)이 이용된다. 또한, PH, 수온, 독성물질류 등은 생물학적 처리 환경에 영향을 주는 요소이기 때문에 필요시 전처리 또는 특수처리를 행하고 있다.

하수처리는 미생물을 이용한 활성슬러지공정의 개발과 함께 급격히 발전되었으며, 주로 유기물 및 부유고형물 제거를 목적으로 운용되고 있다. 현재에는 질소와 인의 제거가 가능한 고도처리공정으로 발전되면서 다양한 변법들이 개발되고 있 다. 현재 개발된 생물학적 고도처리공정의 원리를 살펴보면, 질소 제거는 질산화 미생물에 의해 NH⁴⁺-N을 NO^2--N 또는 NO^3--N으로 전환시키는 질산화 과정 후, 탈질 과정을 거쳐 N₂ 가스로 배출시킴으로써 이루어지며, 인 제거는 혐기성 조건하에서 용출된 인을 호기성 조건에서 미생물에 의해 인을 과잉 섭취시킨 다음, 슬러지를 제거함으로써 이루어진다. 이러한 원리를 이용하여 질소, 인을 제거하는 공법으로는 A₂/O, 수정 바덴포(Bardenpho), VIP(Virginia Initiative Plant) 및 UCT(University of Cape Town)공정 등이 있다.

상기와 같은 생물학적 고도처리공정들을 성공적으로 운영하기 위해서는 혐기, 무산소 및 호기 조건의 생물반응조를 기본적으로 구성해야 한다. 혐기 및 무산소 조건에서는 인방출 및 탈질을 위한 충분한 탄소원이 필요하며, 과잉의 인을 섭취한 슬러지의 일정량을 배출시켜야 하는 등 높은 수준의 기술적 노하우가 요구된다. 뿐만 아니라, 상기와 같이 질소와 인 등의 영양물질을 제거하기 위한 대부분의 하수고도처리 시스템은 혐기조, 호기조 또는 무산소조의 배열 및 운영에 따라 개발된 공법으로, 우리나라와 같이 겨울철의 수온 저하 및 유입수질이 설계수질 이하로 유입되는 경우가 빈번한 경우에는, 안정된 처리 수질을 유지할 수 없다. 즉, 질산화 미생물의 증식속도는 수온의 영향을 받기 때문에 저수온(13도 이하) 시에는 질산화 미생물이 충분한 반응을 하지 못하게 된다.

상기에서 제안된 여러 하수고도처리시스템은, 하수 및 폐수내 질소성분의 처 리는 암모니아성 질소를 질산성 질소(NO₃ ^--N)로 질산화시킨 후 질산성 질소를 유기탄소원을 기질로 하는 종속영양탈질에 의해 질소 가스로 전환 시키는 방식을 주로 이용하고 있다.

도1은 일반적인 종래기술에 따른 하수고도처리공정에 사용되는 종속영양탈질 시스템의 구성을 나타낸 개략도이다.

도면에 도시한 바와 같이, 본 종속영양탈질 시스템은 A₂O 공법의 대표적인 공정설비로서, 외부로부터 유입원수(100)와 함께 반송라인(110)을 통해 2차 침전지(108)의 반송 슬러지가 혼합되어 혐기조(102)에 투입되어 미생물에 의한 유기물 흡수가 일어나면서 인이 방출되며, 호기조(106)에서는 질산화가 가능하도록 운전하여 BOD를 대사함과 동시에 인의 급격한 흡수가 일어난다. 상기 포기조(106)와 혐기조(102) 사이에 설치된 무산소조(104)에서는 내부반송라인(105)을 통해 호기조(106)에서 질산화된 혼합슬러지액이 유입되어 질소를 제거하는 일련의 프로세스설비이다.

상기한 바와 같이, 본 A₂O공정은 기존의 A/O 공정의 인방출을 위한 혐기성조(102)와 질산화를 위한 호기성조(106) 사이에 탈질을 위한 무산소조(104)를 설치하여 질산화물과 인 등을 동시에 제거하는 고도처리 공법이다. 이는 반송슬러지의 질소산화물(NO₃ ^-)의 함량을 감소시켜 탈인 과정에서의 질소산화물의 영향을 줄일 수 있다. 호기성조(106)로부터 무산소조(104)로의 순환은 대개 유입수의 100∼300%에 달하며, 인 제거율은 50∼80%로 A/O공정에 비해 떨어지나 50∼70%의 질소를 제거 할 수 있다.

미설명부호 112는 슬러지 방출라인을 나타낸다.

상기한 일련의 과정을 거치는 종속영양 탈질 시스템에서 유기탄소원의 대부분이 유입원수 중에 함유되어 있는 유기물질로부터 얻어진다. 국내 하수에서와 같이 유입수 중의 질소농도에 비해 이를 처리하는데 소요되는 유기물량이 부족한 경우, 이러한 종속영양 탈질로부터 요구되는 수준의 탈질율을 달성하는데 어려움이 있으며, 이는 낮은 질소처리 효율의 주된 원인으로 작용하여 왔다.

이러한 종속영양탈질의 생화학적 반응식은 하기의 [반응식1]과 같다.

[반응식 1]

2NO₃ ^-+ 5H₂ → N₂ + 2OH^-+ 4H₂O

상기한 반응에서 H₂는 수소 공여체로서 기질로부터 주어지는데, 유입원수 중의 유기물질 등에서 얻을 수 있다. 이 유기물질은 1 mg/ℓ의 탈질시 2.86 mg/ℓ의 생물학적 산소 요구량(BOD)이 필요함을 의미한다. 그러나 이러한 유기탄소원이 부족할 경우, 메탄올과 같은 외부 유기탄소원을 사용해야 한다. 메탄올 사용시 탈질의 생화학적 반응식은 하기의 [반응식2]와 같다.

[반응식 2]

NO₃ ^-+ 1.08CH₃OH + 0.24H₂O₃→ 0.056C₅H₇NO₂ + 1.68H₂O + HCO₃

상기 반응식에서 1mg/ℓ의 질산성 질소를 탈질 시키는데 2.47mg/ℓ의 메탄올이 소요됨을 알 수 있다. 국내 하수와 같이 탄소원이 부족한 대부분의 고도처리 시스템의 경우, 질소처리 효율을 향상시키기 위해서는 메탄올과 같은 대체 외부탄소원 주입에 의한 추가적인 약품비용의 부담을 갖고 있다.

상기한 문제점을 극복하기 위하여, 도2에 도시한 바와 같이 A2O공정 설비에 황 탈질 공정을 이용한 질소제거 시스템이 부착된 변형 고도처리장치가 제안되어 있다. 이는 황입자 표면에 부착하여 성장하는 황산화 미생물에 의한 독립영양탈질이 종속영양탈질보다 더욱 경제적인 것에 착안한 것이다.

황탈질공정에서, 황탈질을 위한 조건이 갖추어지게 되면 티오바실러스 데니트리피칸스(Thiobacillus denitrificans), 티오마이크로스피라 데니트리피칸스(Thiomicorospira denitrificans)등과 같은 미생물이 황입자 표면에서 부착성장하게 된다. 이때, 미생물에 의해 황입자가 황산염으로 산화되면서 질산성 질소를 질소가스로 환원시켜 제거하는 황탈질 반응이 일어나게 된다. 황산화 미생물에 의한 황탈질 반응은 상술한 [반응식 1]과 같이 양론적으로 표현할 수 있다. 이 과정에서 1mg/ℓ의 질산성 질소를 처리하기 위하여 약 4.3mg/ℓ의 알칼리도(as CaCO₃)가 필요하게 된다.

도2는 종래 기술에 따른 황탈질을 이용한 질소제거시스템의 공정도를 나타내고 있다.

도면에 도시한 바와 같이, A₂O 공정 시스템의 구조에서 종속영양탈질을 일으 키는 무산소조(104)를 생략하고, 대신에 알칼리도 보충조(202)와 황독립영양탈질조(204)가 추가하고 알칼리제 보충수 반송라인(206)을 통해 호기조(106)로 알칼리제를 보충하는 구조가 제시되었다.

상기 알칼리도 보충조(202)는 2가지 방식이 있는데, 하나는 폐석고와 같은 알칼리 충진물질을 보충하는 방식이고 또 하나는 가성소다나 소석회를 직접 주입하는 방법이다.

전자의 경우 폐석고의 용출능에 따라 알칼리 제어가 매우 난해하며 대부분 충분한 알칼리제 공급이 부족하여 효과적 황독립영양탈질을 일으키는데 제약이 있다. 후자의 경우는 전자보다 반응성은 좋으나 응집주입장치에 따른 장비가 추가되고, 약품 사용에 대한 부담이 커지는 문제점을 내포하고 있을 뿐만 아니라, 주입배관에 따라 막힘에 대한 유지관리가 용이하지 않은 불편함이 있다.

따라서, 본 발명은 상기의 제반 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 황 독립영양 탈질과 전기화학적 탈질을 조합하여 하수고도처리공정에 적용함으로써 종래의 종속영양 탈질 방법에 비해 메탄올 약품 주입의 생략에 따른 비용을 절감하고, 황입자의 독립영양탈질시 알칼리제를 보충하는 방법보다 운전이 용이하게 할 수 있는 복합탈질 시스템을 제공함에 그 목적이 있다.

또한, 본 발명은 황독립영양 탈질시 소모되는 알칼리도를 전기화학적 탈질방 식을 통하여 소모된 알칼리도를 환원시킴으로써 별도의 알칼리제 보충조가 필요없이 독립영양탈질의 처리성능을 향상시킬 수 있는 복합탈질 시스템을 제공함에 다른 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 하수고도처리시스템에 연계되어 생물학적 처리가 완료된 처리수에 잔류하는 질소를 제거하기 위한 복합탈질시스템에 있어서, 2차 침전조로부터 방류된 생물학적 처리가 완료된 처리수를 저류하며, 황탈질반응과 전기화학적 탈질반응을 수행하여 상기 처리수에 잔류하는 질소를 제거하기 위한 복합 독립영양 탈질조를 포함하는 복합탈질시스템을 제공한다.

전술한 바와 같이 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.

첫째, A₂O공정시스템의 변형인 황틸질공정을 이용한 질소제거시스템에서, 독립영양 탈질을 유도함에 있어, 알칼리제 보충조 및 황독립영양 탈질조 대신에 황독립영양 탈질조와 전기화학적 탈질조로 조합한 구성을 부가함으로써 1 단계는 황독립영양탈질을 유도하고 2단계는 전기화학적 탈질을 유도하여 탈질의 성능을 효과적으로 개선 시킬 수 있다.

둘째, 독립영양탈질에서 발생한 수소이온을 이용하여 전기화학적 탈질을 일 으킬 뿐 아니라, 전기화학적 탈질에서 OH^-이온을 발생시켜 부족해 질 수 있는 알칼리도 및 pH를 증가시킬 수 있어 방류수 수질기준을 준수하기가 용이해진다.

셋째, 기존 황독립영양탈질시 알칼리제 용액 주입 운전보다 전력제어로 운영하므로 기존의 질소제거시스템에 비해 운전이 더욱 간편하다.

넷째, 기존 황독립영양탈질시 알칼리제 용출제를 충진하여 운전하는 것보다 탈질 성능이 더욱 탁월하다.

다섯째, 탈질 처리시 황독립영양탈질조에 충진해야 할 입상여재의 투입량을 감소시킬 수 있어 수리학적 제어가 더욱 용이해지고 입상여재의 충진 비용등을 절약할 수 있다.

이하, 첨부된 도3 및 4를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

본 발명에 의한 복합탈질시스템은 A₂O 공정의 변법으로 제안되어 있는 황탈질 공정을 이용한 독립영양탈질시스템에서 황 탈질공정과 전기화학적 탈질 공정을 이용하여 생물학적 고도처리공정 수행 후 미처리된 질산성 질소의 최종 처리를 수행할 수 있도록 구현한 것이다.

도3은 본 발명에 의한 복합탈질시스템의 일실시예 구성을 나타낸 개략적인 공정도이다.

본 발명은 도면에 도시한 바와 같이, 1차 침전지(도시하지 않음)를 거친 유 입원수(100)를 저류하되 포기를 실시하여 침전분리가 가능한 상태로 미생물을 배양하여 배출하는 생물반응조(2)와; 상기 생물반응조(2)로부터 배출된 활성슬러지가 포함된 오폐수를 저류하여 침전에 의한 부유물을 침적하되, 상등수는 월류하는 2차 침전조(4)와; 상기 2차 침전조(4)에 침적된 부유 슬러지중 일부를 유입원수에 포함시키기 위해 생물반응조로 반송하는 슬러지 반송펌프(6)와; 상기 2차 침전조(4)에 침적된 잉여슬럽지를 반출하기 위한 반출슬러지펌프(8)와; 상기 2차 침전조(4)로부터 방류된 생물학적 처리가 완료된 처리수를 저류하며, 황탈질반응과 전기화학적 탈질반응을 수행하여 상기 처리수에 잔류하는 질소를 최종 제거하기 위한 복합 독립영양 탈질조(10)와; 상기 복합 독립영양 탈질조(10)에서 방류된 질소처리수를 저류하기 위한 질소처리수조(12)를 포함한다.

상기 복합영양 탈질조(10)는 도4a에 도시한 바와 같이 하부에 황탈질조(22)가 위치되고 상부에 전기화학적 탈질조(24)가 위치된 반응탑식 탈질반응조(20) 또는 도4b에 도시한 바와 같이 선단부에 황탈질조(42)가 위치되고 후단부에 전기화학적 탈질조(44)가 위치된 횡열식 배열구조의 탈질반응조(40)로 이루어질 수 있다.

상기 반응탑식 탈질반응조(20)의 전기화학적 탈질조(24)는 내부 상측에 장착된 (+)전극판(24a)과, 반응탑의 외주면을 둘러싸는 (-)전극판(24b) 및 상기 (+)전극판(24a)과 (-)전극판(24b)에 연결되는 전원공급부(26)를 포함한다.

상기 (+)전극판(24a)은 티타늄 또는 이리듐이 코팅된 금속패널이고, 상기 (-)전극판(24b)은 서스(SUS)재질로 구성된다.

상기 횡열식 탈질 반응조(40)는 도시한 바와 같이, 상기 황탈질조(42) 내부 에 간격을 두고 설치된 (-)전극판(42a)과, 상기 전기화학적 탈질조(44)내에 설치된 (+)전극판(44a) 및 상기 황탈질조(42)와 전기화학적 탈질조 사이에 설치된 전류차폐판(46)을 포함한다.

상기 횡열식 탈질 반응조(40)에서, 상기 (-)전극판(42a) 및 (+)전극판(44a)은 망상형상의 패널로 이루어지며, (+)전극판(44a)은 티타늄 또는 이리듐이 코팅된 금속패널이고, 상기 (-)전극판(42a)은 서스(SUS)재질로 구성된다.

상기한 구성으로 이루어진 본 발명은 탄소원이 부족하여 종속영양 탈질을 효과적으로 일으킬 수 없는 시스템에 매우 유효한 시스템이다.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 하수고도처리방법을 설명한다.

외부로부터 반입된 하수 및 오폐수를 1차 침전지에 저류시켜 침전성이 양호한 부유물질을 물리적으로 제거한다. 그리고, 상기 1차 침전지로부터 배출된 유기물 및 영양염류가 포함된 오폐수를 생물반응조(2)에 저류하고 포기를 실시하여 고액분리가 가능한 상태로 만든 후 2차 침전조(4)로 배출한다. 상기 2차 침전조(4)에서는 침전을 통해 활성슬러지가 포함된 오폐수로부터 부유물을 침적시키고, 상등수는 월류시킨다.

상기 2차 침전조(4)에 침적된 부유 슬러지중 일부는 슬러지 반송펌프(6)를 통해 유입원수와 함께 생물반응조(2)로 유입된다. 상기 2차 침전조(4)에 침적된 부유 슬러지중 잉여분은 반출슬러지 펌프(8)를 통해 외부로 반출된다.

상기 2차 침전지(4)에서 월류되는 2차 처리수는 최종 방류되기 전에 복합탈질 반응조(10)를 거치게 된다.

상기 복합탈질 반응조(10)가 반응탑식 탈질반응조(20)일 경우에, 도4a에 도시한 바와 같이, 반응탑식 탈질반응조(20)의 황탈질조(22)의 하부를 통해 2차 처리수가 유입되며, 황 탈질조(22)를 거치면서 1차로 탈질반응을 수행하게 되고, 전기 화학적 탈질조(24)를 거쳐 2차 탈질반응을 수행한 후 질소처리수조(12)에 임시 저류되었다가 방출된다.

상기 복합탈질 반응조(10)가 횡열식 탈질반응조(40)일 경우에, 도4b에 도시한 바와 같이, 2차 처리수가 황 탈질조(42)로 유입하게 되면, 1차로 황을 매개로 한 탈질반응을 수행하게 되고, 상기 황 탈질조(42)에 설치된 (-)전극판(42a)과 전기 화학적 탈질조(44)에 설치된 (+)전극판(44a)을 거쳐 2차 탈질반응을 수행한 후 질소처리수조(12)에 임시 저류되었다가 방출된다.

즉, 상기한 구성의 복합탈질 반응조(10)에서는 침전조(4)로부터 월류된 2차 처리수를 황 탈질반응조(22 또는 42)에서 1차로 황 탈질반응공정을 수행하게 되며, 상기 황을 매개로 한 독립영양탈질반응시 수소이온이 발생하여 알칼리도를 소모시킨다. 그리고, 전기 화학적 탈질반응조(24 또는 44)에서는 황독립영양 탈질시 발생하는 수소이온을 수소분자로 변환시키며, 수소이온과 수소분자를 이용하여 추가탈질을 유도하게 된다. 이때 전기 화학적 탈질시에는 소모된 알칼리도를 환원시켜 독립영양탈질로 인한 알칼리도의 부족분을 보충하게 된다. 이러한 일련의 공정을 통해 별도의 알칼리도 보충조가 필요없게 된다.

상기 황탈질조(22 또는 42)에서의 황탈질 반응은 하기의 [반응식3]에 의하여 황독립영양탈질을 수행한다.

[반응식3]

55S + 50NO₃ ^- + 38H₂O + 20CO₂ + 4NH₄ ⁺ → 4C₅H₇O₂N + 25N₂ + 55SO₄ ^2-+ 64H⁺

상기한 [반응식3]에서 질산성 질소는 황독립영양탈질 미생물에 의해 약 25몰(mol)의 N₂가스를 발생시키고 약 64몰의 수소이온을 발생시켜 알칼리도를 저하시킨다.

전기화학적 탈질조(40)에서는 하기의 [반응식4] 내지 [반응식6]에서와 같은 일련의 단계를 통해 탈질반응이 일어난다.

즉, [반응식4]에서와 같이 수소이온(H⁺)의 감소 및 수소분자가 증가한다.

[반응식4]

2H⁺ +2e → H₂(e⁰= 0.000V)

다음, 음전극에서 수소가스가 발생한다

[반응식5]

2H₂O + 2e → H₂ +2OH^-(e⁰ = -0.828V)

최종적으로 황탈질반응과정에서 발생한 수소이온(H⁺)과 상기의 [분자식4] 및 [분자식5]에서 발생한 수소분자(H₂)를 이용하여 수소탈질을 발생한다.

[분자식6]

2NO₃ ^- + 5H₂ + 2H⁺→ N₂ + 6H₂O

상기에서의 반응식에서 보인 바와 같이 [반응식3]에서 발생된 수소이온(H⁺)이 전기화학적 탈질반응을 촉진시키고 [반응식3]에서 소모한 알칼리도를 전기화학적 탈질조(40)에서 환원하게 된다.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

도1은 종래기술에 따른 하수고도처리공정에 사용되는 종속영양탈질 시스템의 구성을 나타낸 개략도.

도2는 종래기술에 따른 황탈질을 이용한 하수고도처리 공정도.

도3은 본 발명의 요부인 복합탈질공정시스템의 일실시예 구성을 나타낸 공정도.

도4a 및 도4b는 본 발명의 요부인 황독립탈질 및 전기화학적 탈질기능을 수행하는 복합 탈질반응조의 구현예시도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

2: 생물반응조 4: 2차 침전조

6: 슬러지 반송펌프 8: 반출슬러지펌프

10: 복합 독립영양 탈질조 12: 질소처리수조

20 : 반응탑식 탈질반응조 22, 42: 황탈질조

24, 44: 전기화학식 탈질조 40: 횡열식 탈질반응조

Claims

하수고도처리시스템에 연계되어 생물학적 처리가 완료된 처리수에 잔류하는 질소를 제거하기 위한 복합탈질시스템에 있어서,

2차 침전조로부터 방류된 생물학적 처리가 완료된 처리수를 저류하며, 황탈질반응과 전기화학적 탈질반응을 수행하여 상기 처리수에 잔류하는 질소를 제거하기 위한 복합 독립영양 탈질조를 포함하는 복합탈질시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 복합 독립영양 탈질조는 하단부에 황탈질조가 위치되고 상단부에 전기화학적 탈질조가 위치된 반응탑으로 구성된 것을 특징으로 하는 복합탈질시스템.
제 2 항에 있어서,

상기 전기화학적 탈질조는

내부 상측에 장착된 (+)전극판과, 반응탑의 외주면을 둘러싸는 (-)전극판 및 상기 (+)전극판과 (-)전극판에 연결되는 전원공급부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 복합탈질시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 복합 독립영양 탈질조는 선단부에 황탈질조가 위치되고 후단부에 전기화학적 탈질조가 위치된 횡열식 배열구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 복합탈질시스템.
제 4 항에 있어서,

상기 황탈질조 내부에 간격을 두고 설치되며 간격을 두고 설치된 (-)전극판과, 상기 전기화학적 탈질조내에 설치된 (+)전극판 및 상기 황탈질조와 전기화학적 탈질조 사이에 설치된 전류차폐판을 포함하는 복합탈질시스템.
제 5 항에 있어서,

상기 (-)전극단자판 및 (+)전극단자판은 망상형상의 패널로 이루어진 것을 특징으로 하는 복합탈질시스템.
제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,

상기 (+)전극판은 티타늄 및 이리듐이 코팅된 금속패널이고, 상기 (-)전극판 은 서스(SUS)재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 복합탈질시스템.