KR20100046536A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20100046536A
KR20100046536A KR1020080105410A KR20080105410A KR20100046536A KR 20100046536 A KR20100046536 A KR 20100046536A KR 1020080105410 A KR1020080105410 A KR 1020080105410A KR 20080105410 A KR20080105410 A KR 20080105410A KR 20100046536 A KR20100046536 A KR 20100046536A
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Abstract

본 발명은 기판안치대의 온도편차를 극복하기 위하여, 기판안치대에서 열축적 또는 열손실이 있는 부분과 대응하는 위치에 광학렌즈를 설치하는 기판처리장치에 관한 것으로, 기판처리장치는 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 반응공간에 위치하고 기판이 안치되는 기판안치대; 상기 챔버의 하부에 위치하며, 상기 기판안치대를 가열시키기 위한, 램프, 상기 램프의 출사광을 반사시키는 반사판, 및 상기 램프 상에 위치한 광학렌즈를 포함하는 가열수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
기판처리장치, 가열수단, 집광렌즈, 광확산렌즈

Description

기판처리장치{Appratus for treatmenting substrate}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기판안치대의 온도편차를 극복하기 위하여, 기판안치대에서 열축적 또는 열손실이 있는 부분과 대응하는 위치에 광학렌즈를 설치하는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자, 표시장치 및 박막 태양전지를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각공정 등을 거치게 된다. 이들 공정 중 박막증착공정 및 식각공정 등은 진공상태로 최적화된 기판처리장치에서 진행한다.
도 1은 종래기술에 따른 기판처리장치의 개략도이고, 도 2는 종래기술에 따른 온도측정을 위한 램프와 대상물의 배치도이고, 도 3은 도 2의 온도측정 결과도이다.
도 1과 같이, 반도체소자를 제조하기 위하여 사용되는 기판처리장치(10)는 반응공간을 제공하는 챔버(12), 챔버(12)의 측면에 설치되며 기판(14)을 출입시키는 게이트 밸브(gate valve)(16), 챔버(12) 내부의 기체를 배출하는 배출구(18), 기판(14)이 안치되는 기판안치대(20), 기판안치대(20)의 외주연을 따라 설치되는 에지 링(edge ring)(30) 및 챔버(12)의 상부 및 하부에 설치되며 기판(14)을 가열하기 위한 상부 및 하부 가열장치(22, 28)로 구성된다.
챔버(12)는 상부영역과 상부영역과 결합하는 하부영역으로 구분된다. 상부영역 및 하부영역은 각각 곡면을 가지는 상부 돔(upper dome)(24) 및 하부 돔(lower dome)(26)으로 구성된다. 챔버(12)의 내부를 고온으로 유지하기 위하여, 챔버(12)의 상부에는 상부 가열장치(22)로써 RF 전극(도시하지 않음)을 포함하는 벨자 히터(belljar heater)을 설치하고, 챔버(12)의 하부에는 하부가열장치(28)로써 램프 히터(lamp heater)를 설치한다. 기판처리장치(10)에는 기판안치대(14)를 지지하고 승하강시키기 위한 지지대(32)와, 지지대(30)를 구동시키기 위한 실린더 및 모터 등을 포함하는 구동장치(34)를 설치한다. 지지대(32)는 기판안치대(14)의 중앙을 지지하는 중앙지지대(36)와 기판안치대(14)의 주변부를 지지하는 다수의 주변지지대(38)를 포함한다.
하부 돔(26)은 챔버(12)의 외곽에서 지지대(32)의 주변까지 경사면을 형성하고, 챔버(12)의 하부를 내부영역(40)과 외부영역(42)으로 구분하여 하부가열장 치(28)를 설치한다. 하부가열장치(28)는 내부영역(40)에 설치되는 제 1 하부가열장치와 외부영역(42)에 설치되는 제 2 하부가열장치를 포함한다. 제 1 하부가열장치는 지지대(32)를 중심으로 한 내부영역(40)에 방사선으로 배치된 다수의 제 1 램프(44)와 다수의 제 1 램프(44)의 하부 및 측면에 설치되는 제 1 반사판(46)으로 구성된다. 제 2 하부가열장치는 지지대(32)를 중심으로 한 외부영역(42)에 방사선으로 배치된 다수의 제 2 램프(48)와 다수의 제 2 램프(48)의 하부 및 측면에 설치되는 제 2 반사판(50)으로 구성된다.
다수의 제 1 및 제 2 램프(44, 48)가 하부 돔(26)에 인접하여 배치되기 때문에, 기판안치대(20)와 다수의 제 1 및 제 2 램프(44, 48) 사이의 간격은 기판안치대(20)의 위치에 따라 서로 다르다. 제 1 및 제 2 반사판(46, 50)은 냉각을 위한 냉각유로(도시하지 않음)를 포함할 수 있다.
챔버(12)의 내부에서, 하부가열장치(28)에 의해 가열되는 기판안치대(20)의 온도를 측정하기 어렵기 때문에, 도 2와 같이, 테스트 램프(52)와, 테스트 램프(52)로부터 서로 다른 거리로 이격되는 제 1 내지 제 4 대상물(54a, 54b, 54c, 54d)을 배치하고, 제 1 내지 제 4 대상물(54a, 54b, 54c, 54d)의 각각에 설치되어 있는 온도측정장치(도시하지 않음), 예를 들면 열전쌍(thermo couple)에 의해 온도를 측정한다. 도 2와 같은 테스트 램프(52) 및 제 1 내지 제 4 대상물(54a, 54b, 54c, 54d)의 배치에 의해, 챔버(12) 내부의 기판안치대(20)의 온도분포를 예측할 수 있다.
테스트 램프(52)의 주변에 배치되는 제 1 내지 제 4 대상물(54a, 54b, 54c, 54d)의 위치는 도 2와 같이, 테스트 램프(52)의 중심을 기점으로, 테스트 램프(52)의 아래에서 수직으로 간격 A를 두고 제 1 대상물(54a), 제 1 대상물(54a)로부터 30cm의 거리를 두고 제 2 대상물(54b), 및 제 2 대상물(54b)로부터 30cm의 거리를 두고 제 3 대상물(54c)을 배치한다. 제 1 및 제 3 대상물(54a, 54b, 54)은 동일 수평면 상에 위치한다. 그리고, 제 4 대상물(54d)은 테스트 램프(52)의 수평으로 간격 A를 두고 배치된다.
표 1은 간격 A의 변화에 따른 제 1 및 제 4 대상물(54a, 54b, 54c, 54d)의 온도변화를 측정한 결과이다. 테스트 램프(52)에 의해서 제 1 내지 제 4 대상물(54a, 54b, 54c, 54d)을 가열하는 조건은, 200V/2000W의 테스트 램프(52)를 하나 사용하고, 주변온도는 20-24도이고, 습도는 50%이다.
표 1
간격 A(mm) 제 1 대상물(℃) 제 2 대상물(℃) 제 3 대상물(℃) 제 4 대상물(℃)
20 903.5 698.0 221.0 115.4
50 542.1 429.9 247.9 59.5
100 245.6 224.3 191.7 36.8
190 121.4 118.8 124.2 30.2
276 76.5 76.2 80.6 29.1
표 1에서, 제 1 및 제 4 대상물((54a, 54b, 54c, 54d)의 온도분포는 간격 A의 따라 변화하며, 테스트 램프(52)에서 광이 방사선으로 출사되기 때문에, 간격 A가 작으면, 온도의 편차가 커지고, 간격 A가 크면 온도분포가 균일하게 되는 것을 알 수 있다. 그런데, 테스트 램프(52)에서 수평으로 이격되어 배치되는 제 4 대상물(54d)은 제 1 내지 제 3 대상물(54a, 54b, 54c)와 비교하여 낮은 온도로 측정되어, 테스트 램프(52)와 수평방향이 가열하기 어려운 위치임을 알 수 있다. 도 3은 표 1의 그래프로 표시한 것으로, 간격 A의 변화에 따라 측정온도가 반비례하는 것을 알 수 있다. 간격 A가 작으면 측정온도가 높고 간격 A가 커지면 측정온도가 낮아진다.
도 1과 같은 종래기술의 기판처리장치(10)에서, 내부영역(40)의 다수의 제 1 램프(44)는 기판안치대(20)의 중심부분을 가열하고, 외부영역(42)의 다수의 제 2 램프(48)는 기판안치대(20)의 외곽부분과 에지링(30)을 가열한다. 그러나, 도 2 및 도 3에서 볼 수 있는 것과 같이, 테스트 램프(52)의 간격 및 수직 및 수평방향에 따라 온도편차가 발생하기 때문에, 종래기술의 기판처리장치(10)에서 기판안치대(20)의 온도를 균일하게 유지하기 어려운 문제가 발생된다.
도 1에서 사용하는 기판처리장치(10)에서, 외부영역(42)에 설치되는 다수의 제 2 램프(48)와 에지 링(30)의 간격은 180mm정도이고, 다수의 제 2 램프(48)과 기판안치대(20)의 간격은 270mm정도이다. 표 1 및 도 2-3에서 볼 수 있는 것과 같이, 간격 A가 100mm 이내에서는 제 1 내지 제 3 대상물(54a, 54b, 54c)의 온도편차가 심하고, 간격 A가 190mm 이상일 경우 온도편차가 거의 발생되지 않는다. 그런데, 도 1과 같이, 다수의 제 2 램프(48)와 에지 링(30)의 간격이 180mm정도이고, 다수의 제 2 램프(48)과 기판안치대(20)의 간격이 270mm정도인 경우, 기판안치대(20)의 중심부는 열축적가 지속되고, 기판안치대(20)의 외곽과 에지 링(30)은 열손실이 지속되어, 기판안치대(20)의 외곽과 중심부의 온도편차로 인해 기판(14) 상의 박막성장의 차이가 발생되어, 박막의 특성저하는 물론 생산성 저하를 야기할 수 있다.
상기와 같은 종래기술의 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 기판안치대의 온도 편차를 극복하기 위하여, 기판안치대에서 열축적 또는 열손실이 있는 부분과 대응되는 부분에 광학렌즈를 설치하는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 열손실이 있는 기판안치대의 외곽과 대응하는 위치에 집광렌즈를 설치하여 열손실을 보상하는 기판처리장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
본 발명은 열축적이 있는 기판안치대의 중심부와 대응하는 위치에 광확산렌즈를 설치하여 열축적을 분산시키는 기판처리장치를 제공하는 또 다른 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 반응공간에 위치하고 기판이 안치되는 기판안치대; 상기 챔버의 하부에 위치하며, 상기 기판안치대를 가열시키기 위한, 램프, 상기 램프의 출사광을 반사시키는 반사판, 및 상기 램프 상에 위치한 광학렌즈를 포함하는 가열수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 가열수단은, 상기 챔버의 중심부와 대응되는 내부영역에 설치되며, 다수의 제 1 램프 및 제 1 반사판으로 구성되는 제 1 가열수단; 상기 챔버의 외곽부와 상기 내부영역 사이에 대응되는 외부영역에 설치되며, 다수의 제 2 램프, 제 2 반사판, 및 집광렌즈로 구성되는 제 2 가열수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 외부영역은 상기 챔버의 중심부를 지나는 수직선, 수평선 및 대각선에 의해 8 개의 서브외부영역으로 구분되고, 상기 집광렌즈는 상기 서브외부영역과 동일한 형상을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 집광렌즈는 볼록렌즈인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 제 1 램프와 상기 기판안치대 사이의 수직간격은 상기 다수의 제 2 램프와 상기 기판안치대의 간격보다 큰 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 제 1 램프와 상기 기판안치대 사이의 수직간격은 상기 다수의 제 2 램프와 상기 기판안치대의 간격과 동일한 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 제 2 하부가열수단은 상기 집광렌즈의 고도를 조절하기 위한 고도조절수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 고도조절수단은 상기 집광렌즈를 지지하는 렌즈 지지대와 상기 렌즈 지지대를 상하로 이동시키는 고도조절기를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 렌즈 지지대에는 다수의 랙이 설 치되고, 상기 고도조절기에는 상기 다수의 랙에 삽입되는 다수의 유니언이 설치되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 집광렌즈의 외측은 상기 제 2 반사판에 의해 지지되고, 상기 집광렌즈의 내측은 상기 렌즈 지지대에 의해 지지되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 기판안치대와 상기 집광렌즈 사이의 각도는 0 내지 45도로 조절되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 상부영역과 상기 하부영역은 각각 상부 돔 및 하부 돔인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 상부영역은 돔이고, 상기 하부영역은 저면이 평탄한 본체인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 반사판은 냉각을 위하여 냉매가 유동할 수 있는 유로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 가열수단은, 상기 챔버의 중심부와 대응되는 내부영역에 설치되며, 다수의 제 1 램프 및 제 1 반사판, 및 광확산렌즈로 구성되는 제 1 가열수단; 상기 챔버의 외곽부와 상기 내부영역 사이에 대응되는 외부영역에 설치되며, 다수의 제 2 램프, 제 2 반사판로 구성되는 제 2 가열수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 내부영역은 상기 챔버의 중심부를 지나는 수직선, 수평선 및 대각선에 의해 4 개의 서브내부영역으로 구분되고, 상기 광확산렌즈는 상기 서브내부영역과 동일한 형상을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 광확산렌즈는 오목렌즈인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 가열수단은, 상기 챔버의 중심부와 대응되는 내부영역에 설치되며, 다수의 제 1 램프 및 제 1 반사판, 및 광확산렌즈로 구성되는 제 1 가열수단; 상기 챔버의 외곽부와 상기 내부영역 사이에 대응되는 외부영역에 설치되며, 다수의 제 2 램프, 제 2 반사판, 및 집광렌즈로 구성되는 제 2 가열수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 1 내지 제 4 실시예에 따른 기판처리장치는 다음과 같은 효과가 있다.
발열장치로써 램프를 사용하는 가열수단으로 기판안치대를 가열하는 기판처리장치에서, 기판안치대의 중앙부분은 열축적상태가 지속되고, 기판안치대의 외곽영역은 열손실상태가 지속되어, 기판안치대의 온도분포가 불균일한 것을 극복하기 위해, 중앙부분 및/또는 외곽부분의 각각에 대응하는 램프의 상부에 광확산렌즈 및/또는 집광렌즈를 설치하여, 열축적 상태를 분산하고 열손실상태를 보상하여 기판안치대가 균일한 온도분포를 유지하도록 할 수 있다.
광학렌즈의 고도를 조절하기 위한 고도제어수단을 설치하여, 광의 집속 및 분산위치를 조절가능하게 하여, 기판안치대의 온도분포를 적절하게 조절할 수 있다.
기판처리장치에서 챔버의 하부를 구성하는 본체를 평탄한 저면을 가지도록 형성하여, 기판안치대의 중앙부분에 대응되는 가열장치와 외곽부분에 대응되는 가열장치가 동일한 높이에 있도록 하여, 기판안치대의 온도분포를 균일하게 유지할 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 제 1 내지 제 4 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
제 1 실시예
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도이고, 도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 가열장치의 상세도이고, 도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 렌즈조절수단의 상세도이고, 도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가열장치의 평면도이다.
도 4와 같이, 반도체소자를 제조하기 위하여 사용되는 기판처리장치(110)는 반응공간을 제공하는 챔버(112), 챔버(112)의 측면에 설치되며 기판(114)을 출입시키는 게이트 밸브(gate valve)(116), 챔버(112) 내부의 기체를 배출하는 배출 구(118), 기판(114)이 안치되는 기판안치대(120), 기판안치대(120)의 외주연을 따라 설치되는 에지 링(edge ring)(130) 및 챔버(112)의 상부 및 하부에 설치되며 기판(114)을 가열하기 위한 상부 및 하부가열수단(122, 128)으로 구성된다.
챔버(112)는 상부영역과 상부영역과 결합하는 하부영역으로 구성한다. 상부영역은 곡면을 가진 상부 돔(upper dome)(124)으로 구성되고, 하부영역은 챔버(112)의 외곽에서 중심부로 경사를 가지는 하부 돔(lower dome)(126)으로 구성된다. 상부 돔(124) 및 하부 돔(126)은 빛이 투과할 수 있는 투명재질의 석영(quartz)으로 제작한다. 챔버(112)의 내부를 공정이 가능한 고온으로 유지하기 위하여, 챔버(112)의 상부에는 상부가열수단(122)로써 RF 전극(도시하지 않음)을 포함하는 벨자 히터(belljar heater)을 설치하고, 챔버(112)의 하부에는 하부가열수단(128)으로써 램프 히터(lamp heater) 및 반사판을 설치한다.
에지 링(130)은 기판안치대(120)의 외주연을 따라 설치되며, 상부 돔(124) 및 하부 돔(126) 사이에 개재되어 고정된다. 에지 링(130)은 가스공급장치(도시하지 않음)에 의해 챔버(112)의 내부로 공급되는 공정가스가 기판안치대(120)과 하부 돔(126) 사이로 유출되는 것을 최소화한다. 공정가스의 유출에 의해 하부 돔(126)의 표면에 박막이 형성되면, 하부 돔(126)의 하부에 위치한 램프 히터의 빛이 챔버(112) 내부로 투과하지 못하고, 이로 인해 기판안치대(120)가 가열되지 못하는 문제가 발생할 수 있다.
기판처리장치(110)에는 기판안치대(114)를 지지하고 승하강 및 회전시키기 위한 지지대(132)와, 지지대(130)를 구동시키기 위한 실린더 및 모터 등을 포함하는 구동장치(134)가 설치된다. 지지대(132)는 기판안치대(114)의 중앙을 지지하는 중앙지지대(136)와 기판안치대(114)의 주변부를 지지하는 다수의 주변지지대(138)를 포함한다.
하부 돔(126)은 챔버(112)의 외곽에서 지지대(132)의 주변까지 경사면을 가지고 있고, 하부가열장치(128)는 하부 돔(126)의 하부를 설치된다. 하부 돔(126)의 하부는 내부영역(140)과 외부영역(142)으로 구분되고, 내부영역(140)에 제 1 하부가열장치(162)와 외부영역(142)에 제 2 하부가열장치(162)가 설치된다. 제 1 하부가열장치(162)는 지지대(132)를 중심으로 내부영역(40)에서 방사선으로 배치된 다수의 제 1 램프(144)와 다수의 제 1 램프(144)의 하부 및 외측면에 설치되는 제 1 반사판(146)을 포함한다. 제 2 하부가열장치(164)는 지지대(132)를 중심으로 외부영역(164)에 방사선으로 배치되는 다수의 제 2 램프(148)와 다수의 제 2 램프(148)의 하부 및 외측면에 설치되는 제 2 반사판(150)을 포함한다.
내부영역(140)은 지지대(132)를 지나는 수직선 및 수평선에 의해 4 개의 서브내부영역으로 분할하여, 각각의 서브내부영역에 제 1 램프(144) 및 제 1 반사판(146)을 배치시키고, 외부영역(142)은 지지대(132)를 지나는 수직선, 수평선 및 대각선에 의해 8 개의 서브외부영역으로 분할하여, 각각의 외부영역에 제 2 램 프(148) 및 제 2 반사판(150)을 배치시킨다. 내부영역(140) 및 외부영역(142)의 분할영역은 필요에 의해 조정이 가능하다. 다수의 제 1 및 제 2 램프(144, 148)는 복사열을 방출하는 할로겐 램프를 사용한다. 제 1 및 제 2 반사판(146, 150)은 반사효율 및 내부식성이 높은 금속 예를 들면 알루미늄 및 스테인레스 스틸을 표면처리하여 사용한다.
다수의 제 1 및 제 2 램프(144, 148)는 하부 돔(126)과 인접하고 일정간격을 유지하면서 배치되기 때문에, 기판안치대(120)와 다수의 제 1 및 제 2 램프(144, 148) 사이의 간격은 기판안치대(120)의 위치에 따라 서로 다르다. 도 4와 같은 본 발명의 제 1 실시예의 기판처리장치(110)에서, 기판안치대(120)와 다수의 제 1 램프(144) 사이의 간격은 기판안치대(120)와 다수의 제 2 램프(148) 사이의 간격보다 크다. 제 1 및 제 2 반사판(146, 150)은 냉각을 위한 냉매가 유동할 수 있는 냉각유로(도시하지 않음)를 포함할 수 있다.
도 4에서 사용하는 기판처리장치(110)에서, 외부영역(142)에 설치되는 다수의 제 2 램프(148)와 에지 링(130)의 간격은 180mm정도이고, 다수의 제 2 램프(148)과 기판안치대(120)의 간격은 270mm정도이다. 종래기술의 도 2-3 및 표 1에서 설명한 바와 같이, 기판안치대(120)의 중심부는 열축적이 지속되는 상태이고, 기판안치대(120)의 외곽부 및 에지 링(130)은 열손실이 지속되는 상태이다. 따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판처리장치(110)에서, 기판안치대(120)과 에 지 링(130)의 열손실을 보상하기 위하여, 다수의 제 2 램프(148)의 각각의 상부에 광학렌즈로써 집광렌즈(160)를 설치한다. 집광렌즈(160)는 내열성을 가지는 석영재질의 볼록렌즈를 사용한다. 다수의 제 2 램프(148)의 출사광은 집광렌즈(160)를 통과하면서 굴절되고, 기판안치대(120)의 외곽부 및 에지 링(130)에서 집중된다.
집광렌즈(160)는 제 2 램프(148)에서 출사되는 광을 집속시키는 지점이 기판안치대(120)의 외곽부 및 에지 링(130)에 위치하도록 정렬시킨다. 집광렌즈(160)에 의해, 다수의 제 2 램프(148)에서 출사되는 광의 손실을 최소화하고, 기판안치대(120)의 외곽부 및 에지 링(130)에 집중할 수 있기 때문에, 기판안치대(120)의 중심부 및 외곽부의 온도차이를 보상할 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 집광렌즈(160)가 설치된 제 2 하부가열장치(164)의 단면도이다. 제 2 하부가열장치(164)는 제 2 램프(148), 제 2 램프(148)에서 출사되는 광을 반사하는 제 2 반사판(150), 제 2 램프(148)의 상부에 설치되는 집광렌즈(160), 및 집광렌즈(160)의 고도제어수단(166)으로 구성된다. 고도제어수단(166)은 집광렌즈(160)를 지지하는 렌즈 지지대(168)과 렌즈 지지대(168)를 상하로 이동시키는 고도조절기(170)로 구성된다. 렌즈 지지대(168)의 일 측면에는 도 6에서 도시한 바와 같이, 톱니 형상의 다수의 랙(rack)(172)이 형성되고, 고도조절기(170)의 단부에는 다수의 랙(172)에 삽입되어 렌즈 지지대(168)를 상하로 이동시킬 수 있는 돌출부와 같은 다수의 유니언(union)(174)이 설치된다.
고도조절기(170)는 원통형상의 봉으로 구성되고, 제 2 반사판(150)의 측면을 관통하여, 단부에 설치되어 있는 다수의 유니언(174)이 고도조절기(170)의 다수의 랙(172)과 결합되어 있다. 따라서, 고도조절기(170)의 회전에 의해, 렌즈 지지대(168)를 상부 또는 하부로 이동시키면서, 집광렌즈(160)의 각도를 조정할 수 있다. 집광렌즈(160)는 도 7과 같이, 8 개로 분할된 서브외부영역의 각각에 설치되며, 하나의 집광렌즈(160)는 하나의 서브외부영역을 모두 커버할 수 있는 크기를 가진다. 대략적으로, 집광렌즈(160)는 하나의 서브외부영역과 동일한 형상으로 형성되며, 8 개의 집광렌즈(160)에 의해 외부영역 전체를 커버한다. 각각의 집광렌즈(160)에는 독립적인 고도제어수단(166)을 구비하고 있어, 독립적인 각도 조절이 가능하다.
집광렌즈(160)의 외측은 제 2 반사판(150)의 외측면 상부에 의해 각도조절이 가능할 정도의 유동성을 가지고 결합되어 지지되고, 집광렌즈(160)의 내측은 렌즈 지지대(168)에 의해 지지된다. 집광렌즈(160)의 내측과 렌지 지지대(168)는 각도 조절이 가능할 정도의 유동성을 가지고 결합된다. 고도제어수단(166)에 의해 집광렌즈(160)의 각도가 변경되고, 광이 집속되는 위치가 변화한다. 따라서, 기판안치대(120)에서 열손실이 발생하는 부분에 집중적으로 온도를 상승시킬 수 있다. 또한, 집광렌즈(160)는 탈착이 가능하게 설치되어 있어, 필요에 따라, 장착 또는 제거하여 기판처리공정을 진행할 수 있다.
도 5a는 집광렌즈(166)의 각도조절을 하지 않은 상태이고, 도 5b는 제 2 램프(148)에서 출사된 광을 기판안치대(120) 및 에지 링(130)으로 집속시키기 위하여 집광렌즈(166)의 각도를 조절한 상태이다. 본 발명에서, 기판안치대(120)과 집광렌즈(166) 사이의 각도를 기준으로, 집광렌즈(166)의 각도조절범위는 0 내지 45도 정도이다. 집광렌즈(166)의 각도가 0인 경우는 도 5a와 같이, 집광렌즈(166)의 고도를 조절하지 않아, 집광렌즈(166)과 기판안치대(120)이 평행한 상태이고, 집광렌즈(166)의 각도를 조정한 경우는 도 5b와 같이, 집광렌즈(166)이 챔버(112)의 내측으로 기울어져 있는 상태이다.
제 2 실시예
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도이고, 도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 가열장치의 평면도이다.
본 발명의 제 2 실시예는 제 1 실시예와 비교하여, 기판안치대의 중앙영역에서 열축적이 되지 않도록 램프로부터 출사되는 광을 분산시키는 광확산렌즈를 설치하여, 기판안치대의 온도분포를 균일하게 한다는 점에 차이가 있다. 본 발명의 제 2 실시예에서는 제 1 실시에와 동일한 구성요소에 대하여 동일한 부호를 사용한다.
본 발명의 제 2 실시예는 제 1 실시예와 유사하게, 도 8과 같이, 반도체소자를 제조하기 위하여 사용되는 기판처리장치(110)는 반응공간을 제공하는 챔 버(112), 챔버(112)의 측면에 설치되며 기판(114)을 출입시키는 게이트 밸브(gate valve)(116), 챔버(112) 내부의 기체를 배출하는 배출구(118), 기판(114)이 안치되는 기판안치대(120), 기판안치대(120)의 외주연을 따라 설치되는 에지 링(edge ring)(130) 및 챔버(112)의 상부 및 하부에 설치되며 기판(114)을 가열하기 위한 상부 및 하부가열수단(122, 128)으로 구성된다.
챔버(112)는 상부영역과 상부영역과 결합하는 하부영역으로 구성한다. 상부영역은 곡면을 가진 상부 돔(upper dome)(124)으로 구성되고, 하부영역은 챔버(112)의 외곽에서 중심부로 경사를 가지는 하부 돔(lower dome)(126)으로 구성된다. 기판처리장치(110)에는 기판안치대(114)를 지지하고 승하강 및 회전시키기 위한 지지대(132)와, 지지대(130)를 구동시키기 위한 실린더 및 모터 등을 포함하는 구동장치(134)가 설치된다. 지지대(132)는 기판안치대(114)의 중앙을 지지하는 중앙지지대(136)와 기판안치대(114)의 주변부를 지지하는 다수의 주변지지대(138)를 포함한다.
하부 돔(126)은 챔버(112)의 외곽에서 지지대(132)의 주변까지 경사면을 가지고 있고, 하부가열장치(128)는 하부 돔(126)의 하부를 설치된다. 하부 돔(126)의 하부는 내부영역(140)과 외부영역(142)으로 구분되고, 내부영역(140)에 제 1 하부가열장치(162)와 외부영역(142)에 제 2 하부가열장치(162)가 설치된다. 제 1 하부가열장치(162)는 지지대(132)를 중심으로 내부영역(140)에서 방사선으로 배치된 다 수의 제 1 램프(144)와 다수의 제 1 램프(144)의 하부 및 외측면에 설치되는 제 1 반사판(146)을 포함한다. 제 2 하부가열장치(164)는 지지대(132)를 중심으로 외부영역(142)에 방사선으로 배치되는 다수의 제 2 램프(148)와 다수의 제 2 램프(148)의 하부 및 외측면에 설치되는 제 2 반사판(150)을 포함한다.
내부영역(140)은 지지대(132)를 지나는 수직선 및 수평선에 의해 4 개의 서브내부영역으로 분할하여, 각각의 서브내부영역에 제 1 램프(144) 및 제 1 반사판(146)을 배치시키고, 외부영역(142)은 지지대(132)를 지나는 수직선, 수평선 및 대각선에 의해 8 개의 서브외부영역으로 분할하여, 각각의 외부영역에 제 2 램프(148) 및 제 2 반사판(150)을 배치시킨다. 내부영역(140) 및 외부영역(142)의 분할영역의 개수는 필요에 의해 가감이 가능하다.
도 8에서 사용하는 기판처리장치(110)에서, 외부영역(142)에 설치되는 다수의 제 2 램프(148)와 에지 링(130)의 간격은 180mm정도이고, 다수의 제 2 램프(148)과 기판안치대(120)의 간격은 270mm정도이다. 종래기술의 도 2-3 및 표 1에서 설명한 바와 같이, 기판안치대(120)의 중심부는 열축적이 지속되고, 기판안치대(120)의 외곽부 및 에지 링(130)은 열손실이 지속되는 상태이다. 따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판처리장치(110)에서, 기판안치대(120)의 중앙영역의 열축적을 분산시키기 위하여, 다수의 제 1 램프(144)의 각각의 상부에 광학렌즈로써 광확산렌즈(190)를 설치한다. 광확산렌즈(190)는 내열성을 가지는 석영재질의 오목렌즈를 사용한다. 다수의 제 1 램프(144)의 출사광은 광확산렌즈(190)를 통과하면서 굴절되고, 광확산렌즈(190)를 설치하지 않았을 때와 비교하여 기판안치대(120)의 외곽부까지 확산된다.
광확산렌즈(190)는 제 1 램프(144)에서 출사되는 광을 확산시키는 영역을 가능하면 기판안치대(120)의 외곽부의 많은 부분을 포함시킬 수 있도록 정렬시킨다. 광확산렌즈(190)에 의해, 다수의 제 1 램프(144)에서 출사되는 광이 기판안치대(120)의 중앙영역에 집중되지 않고, 주변부로 확산될 수 있기 때문에, 기판안치대(120)의 중심부 및 외곽부의 온도차이를 보상할 수 있다. 본 발명의 제 2 실시예에서 사용되는 광확산렌즈(190)의 고도제어장치는 제 1 실시예와 동일한 형태를 사용한다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예의 집광렌즈(160)는 4 개로 분할된 서브내부영역에 각각에 설치되며, 하나의 광확산렌즈(190)는 하나의 서브내부영역을 모두 커버할 수 있는 크기를 가진다. 대략적으로, 광확산렌즈(190)은 하나의 서브내부영역과 동일한 형상으로 형성되며, 4 개의 광확산렌즈(190)는 내부영역 전체를 커버한다. 각각의 광확산렌즈(190)에는 본 발명의 제 1 실시예와 같은 독립적인 고도제어수단(166)을 구비하고 있어, 독립적인 각도 조절이 가능하다. 또한, 광확산렌즈(190)는 탈착이 가능하게 설치되어 있어, 필요에 따라, 장착 또는 제거하여 기판처리공정을 진행할 수 있다.
제 3 실시예
도 10은 본 발명의 제 3 실시예의 기판처리장치의 개략도이고, 도 11은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 가열장치의 평면도이다.
본 발명의 제 3 실시예는 기판안치대의 외곽영역을 가열시키는 램프 상에 열손실을 보상하도록 램프로부터 출사되는 광을 집광시키는 집광렌즈를 설치하고, 기판안치대의 중앙영역을 가열시키는 램프 상에 광을 분산시키는 광확산렌즈를 설치하여, 기판안치대의 온도분포를 균일하게 한다는 점이 특징이다. 본 발명의 제 3 실시예에서는 제 1 및 제 2 실시에와 동일한 구성요소에 대하여 동일한 부호를 사용한다.
본 발명의 제 3 실시예는 제 1 실시예와 유사하게, 도 10과 같이, 반도체소자를 제조하기 위하여 사용되는 기판처리장치(110)는 반응공간을 제공하는 챔버(112), 챔버(112)의 측면에 설치되며 기판(114)을 출입시키는 게이트 밸브(gate valve)(116), 챔버(112) 내부의 기체를 배출하는 배출구(118), 기판(114)이 안치되는 기판안치대(120), 기판안치대(120)의 외주연을 따라 설치되는 에지 링(edge ring)(130) 및 챔버(112)의 상부 및 하부에 설치되며 기판(114)을 가열하기 위한 상부 및 하부가열수단(122, 128)으로 구성된다.
챔버(112)는 상부영역과 상부영역과 결합하는 하부영역으로 구성한다. 상부 영역은 곡면을 가진 상부 돔(upper dome)(124)으로 구성되고, 하부영역은 챔버(112)의 외곽에서 중심부로 경사를 가지는 하부 돔(lower dome)(126)으로 구성된다. 기판처리장치(110)에는 기판안치대(114)를 지지하고 승하강 및 회전시키기 위한 지지대(132)와, 지지대(130)를 구동시키기 위한 실린더 및 모터 등을 포함하는 구동장치(134)가 설치된다. 지지대(132)는 기판안치대(114)의 중앙을 지지하는 중앙지지대(136)와 기판안치대(114)의 주변부를 지지하는 다수의 주변지지대(138)를 포함한다.
하부 돔(126)은 챔버(112)의 외곽에서 지지대(132)의 주변까지 경사면을 가지고 있고, 하부가열장치(128)는 하부 돔(126)의 하부를 설치된다. 하부 돔(126)의 하부는 내부영역(140)과 외부영역(142)으로 구분되고, 내부영역(140)에 제 1 하부가열장치(162)와 외부영역(142)에 제 2 하부가열장치(162)가 설치된다. 제 1 하부가열장치(162)는 지지대(132)를 중심으로 내부영역(140)에서 방사선으로 배치된 다수의 제 1 램프(144)와 다수의 제 1 램프(144)의 하부 및 외측면에 설치되는 제 1 반사판(146)을 포함한다. 제 2 하부가열장치(164)는 지지대(132)를 중심으로 외부영역(164)에 방사선으로 배치되는 다수의 제 2 램프(148)와 다수의 제 2 램프(148)의 하부 및 외측면에 설치되는 제 2 반사판(150)을 포함한다.
내부영역(140)은 지지대(132)를 지나는 수직선 및 수평선에 의해 4 개의 서브내부영역으로 분할하여, 각각의 서브내부영역에 제 1 램프(144) 및 제 1 반사 판(146)을 배치시키고, 외부영역(142)은 지지대(132)를 지나는 수직선, 수평선 및 대각선에 의해 8 개의 서브외부영역으로 분할하여, 각각의 외부영역에 제 2 램프(148) 및 제 2 반사판(150)을 배치시킨다. 내부영역(140) 및 외부영역(142)의 분할영역의 개수는 필요에 의해 가감이 가능하다.
도 10에서 사용하는 기판처리장치(110)에서, 외부영역(142)에 설치되는 다수의 제 2 램프(148)와 에지 링(130)의 간격은 180mm정도이고, 다수의 제 2 램프(148)과 기판안치대(120)의 간격은 270mm정도이다. 종래기술의 도 2-3 및 표 1에서 설명한 바와 같이, 기판안치대(120)의 중심부는 열축적이 지속되고, 기판안치대(120)의 외곽부 및 에지 링(130)은 열손실이 지속되는 상태이다. 따라서, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판처리장치(110)에서, 기판안치대(120)의 중앙영역의 열축적을 분산시키기 위하여, 다수의 제 1 램프(144)의 각각의 상부에 광학렌즈로써 광확산렌즈(190)를 설치하고, 기판안치대(120)의 외곽영역과 에지 링(130)의 열손실을 보상하기, 다수의 제 2 램프(148)의 각각의 상부에 광학렌즈로써 집광렌즈(160)를 설치한다.
집광렌즈(160) 및 광확산렌즈(190)는 각각 내열성을 가지는 석영재질의 볼록렌즈 및 오목렌즈를 사용한다. 다수의 제 1 램프(144)의 출사광은 광확산렌즈(190)를 통과하면서 굴절되고, 광확산렌즈(190)를 설치하지 않았을 때와 비교하여 기판안치대(120)의 외곽부까지 확산된다. 다수의 제 2 램프(148)의 출사광은 집광렌 즈(160)를 통과하면서 굴절되고, 기판안치대(120)의 외곽부 및 에지 링(130)에서 집중된다. 광확산렌즈(190)는 제 1 램프(144)에서 출사되는 광을 확산시키는 영역을 가능하면 기판안치대(120)의 외곽부의 많은 부분을 포함시킬 수 있도록 정렬시킨다.
광확산렌즈(190)에 의해, 다수의 제 1 램프(144)에서 출사되는 광이 기판안치대(120)의 중앙영역에 집중되지 않고, 주변부로 확산될 수 있고, 집광렌즈(160)에 의해, 다수의 제 2 램프(148)에서 출사되는 광이 기판안치대(120)의 외곽영역에 집중되기 때문에, 기판안치대(120)의 중심부 및 외곽부가 균일한 온도분포를 유지할 수 있다. 집광렌즈(160) 및 광확산렌즈(190)의 고도제어장치는 제 1 실시예와 동일한 형태를 사용한다.
도 11과 같이, 본 발명의 제 3 실시예의 광확산렌즈(190)는 4 개로 분할된 서브내부영역에 각각에 설치되며, 하나의 광확산렌즈(190)는 하나의 서브내부영역을 모두 커버할 수 있는 크기를 가진다. 대략적으로, 광확산렌즈(190)은 하나의 서브내부영역과 동일한 형상으로 형성되며, 4 개의 광확산렌즈(190)는 내부영역 전체를 커버한다. . 집광렌즈(160)는 8 개로 분할된 서브외부영역에 각각에 설치되며, 하나의 집광렌즈(160)는 하나의 서브외부영역을 모두 커버할 수 있는 크기를 가진다. 대략적으로, 집광렌즈(160)은 하나의 서브외부영역과 동일한 형상으로 형성되며, 8 개의 집광렌즈(160)는 외부영역 전체를 커버한다. 각각의 집광렌즈(160) 및 광확산렌즈(190)에는 독립적인 고도제어수단(166)을 구비하고 있어, 독립적인 각도 조절이 가능하다. 또한, 집광렌즈(160) 및 광확산렌즈(190)는 탈착이 가능하게 설치되어 있어, 필요에 따라, 장착 또는 제거하여 기판처리공정을 진행할 수 있다.
제 4 실시예
도 12는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도이다.
본 발명의 제 4 실시예는 제 1 내지 제 3 실시예와 다르게, 챔버(112)의 하부를 경사를 가진 하부 돔(126)을 사용하지 않고, 평면으로 형성한다는 점이다. 도 12와 같이, 챔버(112)의 하부를 평면으로 형성하면, 하부가열장치에서 사용하는 램프와 기판안치대의 간격의 편차가 제 1 내지 제 3 실시예의 기판처리장치보다 크지 않기 때문에, 기판안치대의 온도를 균일하게 유지할 수 있다. 본 발명의 제 4 실시예에서는 제 1 내지 제 3 실시예와 동일한 구성요소에 대하여 동일한 부호를 사용한다.
도 12와 같이, 반도체소자를 제조하기 위하여 사용되는 기판처리장치(110)는 반응공간을 제공하는 챔버(112), 챔버(112)의 측면에 설치되며 기판(114)을 출입시키는 게이트 밸브(gate valve)(116), 챔버(112) 내부의 기체를 배출하는 배출구(118), 기판(114)이 안치되는 기판안치대(120), 기판안치대(120)의 외주연을 따라 설치되는 에지 링(edge ring)(130) 및 챔버(112)의 상부 및 하부에 설치되며 기 판(114)을 가열하기 위한 상부 및 하부가열수단(122, 128)으로 구성된다.
챔버(112)는 상부영역과 상부영역과 결합하는 하부영역으로 구성한다. 상부영역은 곡면을 가진 돔(upper dome)(172)으로 구성되고, 하부영역은 평탄한 저면을 가지는 본체(174)로, 돔(172)와 본체(174)는 빛이 투과할 수 있는 투명재질의 석영(quartz)으로 제작한다. 챔버(112)의 내부를 공정이 가능한 고온으로 유지하기 위하여, 챔버(112)의 상부에는 상부가열수단(122)로써 RF 전극(도시하지 않음)을 포함하는 벨자 히터(belljar heater)을 설치하고, 챔버(112)의 하부에는 하부가열수단(128)로써 램프 히터(lamp heater) 및 반사판을 설치한다.
본체(174)는 평탄한 저면을 가지고 있으며, 본체(174)의 하부를 내부영역(140)과 외부영역(142)로 구분하여 하부가열장치(128)를 설치한다. 본체(174)의 하부는 내부영역(140)과 외부영역(142)으로 구분되고, 내부영역(140)에 제 1 하부가열장치(162)와 외부영역(142)에 제 2 하부가열장치(164)가 설치된다. 제 1 하부가열장치(162)는 지지대(132)를 중심으로 내부영역(40)에서 방사선으로 배치된 다수의 제 1 램프(144)와 다수의 제 1 램프(144)의 하부 및 외측면에 설치되는 제 1 반사판(146)을 포함한다. 제 2 하부가열장치(164)는 지지대(132)를 중심으로 외부영역(164)에 방사선으로 배치되는 다수의 제 2 램프(148)와 다수의 제 2 램프(148)의 하부 및 외측면에 설치되는 제 2 반사판(150)을 포함한다.
본체(174)가 평탄한 저면을 가지고 있으므로, 제 1 및 제 2 하부가열장치(162,164)는 동일한 높이에 위치하므로, 기판안치대(120)과 다수의 제 1 램프(144) 사이의 간격과 기판안치대(120)과 다수의 제 2 램프(148) 사이의 수직간격은 동일한다.
내부영역(140)은 지지대(132)를 지나는 수직선 및 수평선에 의해 4 개의 서브내부영역으로 분할하여, 각각의 서브내부영역에 제 1 램프(144) 및 제 1 반사판(146)을 배치시키고, 외부영역(142)은 지지대(132)를 지나는 수직선, 수평선 및 대각선에 의해 8 개의 서브외부영역으로 분할하여, 각각의 외부영역에 제 2 램프(148) 및 제 2 반사판(150)을 배치시킨다. 내부영역(140) 및 외부영역(142)의 분할영역의 개수는 필요에 의해 가감이 가능하다.
종래기술의 도 2-3 및 표 1에서 설명한 바와 같이, 기판안치대(120)의 중심부는 축열 상태이고, 기판안치대(120)의 외곽부 및 에지 링(130)은 열손실이 지속되는 상태이다. 따라서, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 기판처리장치(110)에서, 기판안치대(120)과 에지 링(130)의 열손실을 보상하기 위하여, 다수의 제 2 램프(148)의 각각의 상부에 광학렌즈로써 집광렌즈(160)를 설치하여, 열손실을 보상한다. 또한, 도 12에서는 구체적으로 도시하지 않았지만, 다수의 제 1 램프(144)의 각각의 상부에 광확산렌즈를 설치하여, 기판안치대(120)의 중앙영역에서 열축적을 분산시킬 수 있다.
본체(174)의 평탄한 저면으로 형성되어 있어, 다수의 제 1 램프(144)와 다수의 제 2 램프(148)이 동일한 높이를 유지할 수 있어, 제 1 및 제 2 하부가열장치(162, 164)와 기판안치대(120)의 수직간격이 실질적으로 동일하여, 제 1 내지 제 3 실시예의 기판처리장치보다 기판안치대(120)의 온도를 균일하게 유지할 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 기판처리장치의 개략도
도 2는 종래기술에 따른 온도측정을 위한 램프와 대상물의 배치도
도 3은 도 2의 온도측정 결과도
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 가열장치의 상세도
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 렌즈조절수단의 상세도
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가열장치의 평면도
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 가열장치의 평면도
도 10은 본 발명의 제 3 실시예의 기판처리장치의 개략도
도 11은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 가열장치의 평면도
도 12는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도

Claims (18)

  1. 반응공간을 제공하는 챔버;
    상기 반응공간에 위치하고 기판이 안치되는 기판안치대;
    상기 챔버의 하부에 위치하며, 상기 기판안치대를 가열시키기 위한, 램프, 상기 램프의 출사광을 반사시키는 반사판, 및 상기 램프 상에 위치한 광학렌즈를 포함하는 가열수단;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열수단은,
    상기 챔버의 중심부와 대응되는 내부영역에 설치되며, 다수의 제 1 램프 및 제 1 반사판으로 구성되는 제 1 가열수단;
    상기 챔버의 외곽부와 상기 내부영역 사이에 대응되는 외부영역에 설치되며, 다수의 제 2 램프, 제 2 반사판, 및 집광렌즈로 구성되는 제 2 가열수단;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 외부영역은 상기 챔버의 중심부를 지나는 수직선, 수평선 및 대각선에 의해 8 개의 서브외부영역으로 구분되고, 상기 집광렌즈는 상기 서브외부영역과 동일한 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 집광렌즈는 볼록렌즈인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 다수의 제 1 램프와 상기 기판안치대 사이의 수직간격은 상기 다수의 제 2 램프와 상기 기판안치대의 간격보다 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 다수의 제 1 램프와 상기 기판안치대 사이의 수직간격은 상기 다수의 제 2 램프와 상기 기판안치대의 간격과 동일한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 하부가열수단은 상기 집광렌즈의 고도를 조절하기 위한 고도조절수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 고도조절수단은 상기 집광렌즈를 지지하는 렌즈 지지대와 상기 렌즈 지지대를 상하로 이동시키는 고도조절기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 렌즈 지지대에는 다수의 랙이 설치되고, 상기 고도조절기에는 상기 다수의 랙에 삽입되는 다수의 유니언이 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 집광렌즈의 외측은 상기 제 2 반사판에 의해 지지되고, 상기 집광렌즈의 내측은 상기 렌즈 지지대에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판안치대와 상기 집광렌즈 사이의 각도는 0 내지 45도로 조절되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 상부영역과 상기 하부영역은 각각 상부 돔 및 하부 돔인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 상부영역은 돔이고, 상기 하부영역은 저면이 평탄한 본체인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사판은 냉각을 위하여 냉매가 유동할 수 있는 유로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열수단은,
    상기 챔버의 중심부와 대응되는 내부영역에 설치되며, 다수의 제 1 램프 및 제 1 반사판, 및 광확산렌즈로 구성되는 제 1 가열수단;
    상기 챔버의 외곽부와 상기 내부영역 사이에 대응되는 외부영역에 설치되며, 다수의 제 2 램프, 제 2 반사판로 구성되는 제 2 가열수단;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 내부영역은 상기 챔버의 중심부를 지나는 수직선, 수평선 및 대각선에 의해 4 개의 서브내부영역으로 구분되고, 상기 광확산렌즈는 상기 서브내부영역과 동일한 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 광확산렌즈는 오목렌즈인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열수단은,
    상기 챔버의 중심부와 대응되는 내부영역에 설치되며, 다수의 제 1 램프 및 제 1 반사판, 및 광확산렌즈로 구성되는 제 1 가열수단;
    상기 챔버의 외곽부와 상기 내부영역 사이에 대응되는 외부영역에 설치되며, 다수의 제 2 램프, 제 2 반사판, 및 집광렌즈로 구성되는 제 2 가열수단;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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