KR20100036228A - 평판 ｕｖ 방전 램프, 그 사용 방법 및 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 UV 램프로 알려진, 자외선 영역에서 방사선을 투과하는 평판 램프(1)에 관한 것으로, 다음을 포함한다:
- 서로 직면하고, 충분히 평행하도록 유지하고, 서로, 밀봉되어, 이에 따라 가스(7)로 채워진 내부의 공간(10)을 한정하며, 제1 유전체 벽은 적어도 상기 UV 방사선을 투과하는 물질로 만들어진 제1 및 제2 평판 유전체 벽(2, 3);
- 벽 사이의 수직 방전을 위해, 다른 전위가 주어지고, 제1 전극은 적어도 전체적인 UV 투과를 허용하기 위해 배열된 층에 기초하는 제1 및 제2 전극(4, 5)으로 구성되는 전극; 및
- 가스 발산 또는 제1 및/또는 제2 유전체 벽(2, 3)의 하나의 주된 내부 면(22, 32)에 있는 인광물질 코팅(6), 인광물질은 가스를 통해 여기되는 것으로 상기 UV 방사선을 발산.
본 발명은 또한 그 용도 및 그 제조에 관한 것이다.
평판 UV 방전 램프, 인광물질, 유전체, 스트립, UV

Description

평판 ＵＶ 방전 램프, 그 사용 방법 및 제조 방법{FLAT UV DISCHARGE LAMP, USES AND MANUFACTURE}
본 발명은 평판 UV(ultravilolet, 자외선) 램프에 관한 것으로, 특히 평판 UV 방전 램프와 그러한 UV 램프의 사용 방법 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전통적인 UV 램프는 수은으로 채워진 UV 형광 튜브를 통해 형성되고 발산 표면을 형성하기 위해 나란히 놓인다. 이러한 튜브는 제한된 수명을 갖는다. 더욱이, 발산되는 UV 방사선의 균일성은 넓은 영역에서 획득하는 것을 어렵게 한다. 결국, 그러한 램프는 무겁고 부피가 크다.
US 4945290은 양방향으로 UV 방사선을 투과하는 평판 UV 방전 램프로서,
- 사파이어 또는 석영으로 제작되고, 충분히 평행하도록 유지하고, 서로, 밀봉되어, 이에 따라 UV 방사선의 원천이 되는 가스로 채워진 내부의 공간을 한정하는, 제1 및 제2 평판 벽: 및
- 석영에 결합되거나 제1 및 제2 평판 벽의 주된 외부 면에 있고 벽 사이의 수직 방전을 위해 다른 전위가 주어진 금속 그리드(grid) 형태의 두 개의 전극;
을 포함하는 평판 UV 방전 램프를 개시하고 있다.
US 4983881은 제1 및 제2 유전체 벽의 주된 내부 면에 인광물질(phosphor) 코팅을 구비하고, 플라스마 가스를 통해 여기되어(excited) 인광물질이 UV 방사선을 발산하는 유사한 평판 UV 램프를 개시하고 있다.
본 발명의 한 목적은 신뢰할 만한 성능을 가지고, 구성이 단순하고 바람직하게는 교류 작동하며, 제조가 용이하고, 적용 분야가 넓은 평판 UV 방전 램프를 제공하는 것이다.
이러한 목적을 위해, 본 발명은 자외선(UV) 영역에서 방사선을 투과하는 평판 방전 램프로서,
- 서로 마주하여 거의 평행하게 유지되고, 서로에 대해 밀봉되어, 가스로 채워진 내부 공간을 한정하는 제1 및 제2 평판 유전체 벽을 포함하고, 적어도 제1 유전체 벽은 UV 방사선을 투과하는 물질로 만들어지며;
- 상기 유전체 벽들("비-동일 평면 형태") 사이의 수직 방전을 위해, 다른 전위가 주어진, 제1 및 제2 전극(4, 5)을 포함하고;
- 상기 제1 유전체 벽의 외부면(21)에 배치되는 상기 제1 전극은, 적어도 불연속 층이고 이에 따라 (최적의) 전체적인 UV 투과를 허용하도록 배열되며,
- 상기 제2 전극은 상기 제2 유전체 벽에 매립되거나 또는 상기 제2 유전체 벽의 외부면에 배치되며; 및
- 가스 및/또는 상기 제1 및/또는 제2 유전체 벽의 내부면의 인광물질 코팅을 포함하는 UV 방사선 광원을 포함하고, 상기 인광물질은 가스에 의해 여기됨(excited)으로써 UV 방사선을 발산하는; 평판 방전 램프를 제공한다.
본 발명에 따른 평판 방전 램프는 제조가 더 단순하고, 특히 제1 전극 및 바람직하게는 제2 전극의 제조를 위하여 불투명 물질의 사용가능성을 제공한다.
불연속 층(단일 층 또는 복수 층)의 사용은 투과 한계(threshlod)를 조정 또는 더욱 향상할 수 있어서, 특히 균일성을 증가시킬 수 있다.
제1 전극(그리고 바람직하게는 제2 전극)은, 불연속적인(서로 떨어져 공간이 생긴) 전극 영역을 형성함으로써 및/또는 층이 없는 영역(절연 지역)을 가진 전기전도 층으로 형성함으로써 불연속으로 형성될 수 있다. 일-차원 또는 이-차원 전극 영역 배열(라인, 스트립(strip), 그리드 등으로 배열)을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 UV 램프는 현재 형광 튜브로 얻을 수 있는 차수(order)의 차원, 또는 그 이상으로, 예를 들면 최소 1 ㎡ 영역을 가질 수 있다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 램프의 투과 요소에 대한 상기 UV 방사선의 최고치는 50% 이상일 수 있고, 더욱 바람직하게는 70% 이상, 이보다 더 큰 80% 이상일 수 있다.
램프는 반드시 밀폐되어 밀봉되어야 하고, 가장자리 밀폐는 다양한 방법:
- 밀봉(실리콘 타입의 중합체(polymeric) 밀봉 또는 유리 원료(frit) 타입의 무기질 밀봉)을 통해; 및
- 예를 들면 유리로 만들어진, 유전체 벽에 연결되는 가장자리 프레임을 통해(접착을 통해 또는 다른 수단을 통해, 예를 들면 유리 원료에 기초한 필름); 실행될 수 있다:
프레임은 선택적으로 하나 또는 그 이상의 개별적인 스페이서(spacer)를 대체하는 스페이서로 작용할 수 있다.
유전체 벽은 전극의 이온 충격(bombardment)에 대한 용량 보호(capacitive protection)로 작용한다.
각각의 전극은 다양한 방법으로 본 유전체 벽의 외부 면과 연계될 수 있다: 즉, 외부 면에 직접 적층(deposition) 되거나(제1 전극에 바람직한 방법) 또는 전극이 외부 면에 가압되도록 유전체 벽에 결합된 유전체 베어링 요소에 놓인다.
이러한 유전체 베어링 요소는, 바람직하게는 얇은, 플라스틱 필름일 수 있고, 특히 기계적인 보호를 위한 유리 뒷받침(backing)을 구비한 적층형 중간층(lamination interlayer), 또는 적절한 부분에서 UV를 통과시키도록 바람직하게는 가장자리에서 예컨대 수지(resin) 또는 무기질 밀봉으로 접착된 유전체 시트(sheet)일 수 있다.
적당한 플라스틱은, 예를 들면 다음과 같다:
- 연질(soft)용 폴리우레탄(PU), 에틸렌/비닐 아세테이트 공중합체(EVA) 또는 폴리비닐 부티랄(PVB), 적층형 중간층으로 제공하는 플라스틱으로, 예를 들면 두께는 0.2 mm 와 1.1 mm 사이, 특히 0.3 과 0.7 mm 사이, 선택적으로 전극을 포함(바람직하게는 제2 전극);
- 경질 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA)와 같은 아크릴 산염, 특히 경화 플라스틱으로 사용되고, 선택적으로 전극을 포함(바람직하게는 제2 전극).
또한 PE, PEN 또는 PVC 또는 다른 폴레에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 사용할 수 있고, 후자는 얇을 수 있고, 특히 10 과 100 ㎛ 사이로, 그리고 제2 전극을 포함할 수 있다.
적절하다면, 당연히, 특히 양호한 부착성 관점에서, 사용되는 다양한 플라스틱 간의 호환성을 보장하는 것이 필요하다.
물론, 부가되는 유전체 구성요소는 UV 램프의 발산 면에 놓인다면 UV 방사선을 투과하도록 선택된다.
UV 방사선은 단일 면, 즉 제1 유전체 벽을 통하여 투과될 수 있다. 이러한 경우에, 완전히 반사하는 UV 층을 형성하는 제2 전극 및/또는 UV 방사선을 흡수하고 바람직하게는 제1 유전체 벽과 유사한 팽창 계수를 갖는 제2 유전체 벽을 선택하는 것이 가능하다. 또한 어떠한 유형의 전극 물질(불투명 또는 투명)을 선택하는 것도 가능하며, 예를 들면 전선(wire) 전극 또는 유리 뒷받침이나 경질 플라스틱을 구비한 제2 유전체 벽의 적층이 삽입된 층을 갖는 전극을 선택할 수 있다.
바람직하게는, UV 방사선은 이-차원적일 수 있고, 동일한 세기(intensity)이거나 램프 두 면의 세기가 다를 수 있다.
크기, 제조시간 및/또는 UV 투과를 절약하기 위하여, 제1 전극(및 바람직하게는 층 형태로 선택된 제2 전극)는 바람직하게는 외부 면에 (직접) 적층될 수 있고 유전체로 덮이지 않을 수 있다(특히 표면을 덮는 유전체(필름, 등)로).
선택적으로 층 위에 포개지는, 불연속 보호 상층(예를 들면 유전체 보호 상층)을 제공할 수 있다.
선택적으로 바람직하게는 불연속적이고 전극 층과 유사한 방법으로 제공되는, 전극 층 하부에 기능적인 하층(예를 들면 유전체, 장벽, 타이, 등의 하층)을 제공할 수 있다.
상기 UV 방사선을 투과하는 전극 물질로, 층의 불연속성에 따라 투과성을 증가하는 것은 당연히 가능하다. 특히 금으로 된, 예를 들면 약 10 nm의, 매우 얇은 층일 수 있고, 또는 예를 들면 0.1 내지 1 ㎛의, 칼륨, 루비듐, 세슘, 리튬 또는 칼륨과 같은 알칼리 금속일 수 있고, 또는 예를 들면 25% 나트륨과 75% 칼륨의 합금으로 만들어질 수 있다.
전극 물질은 UV 방사선을 충분히 투과할 필요는 없다. UV 방사선에 비교적 불투과성인 하나의 전극(제1 및 바람직하게는 제2 전극) 물질은, 예를 들면 다음과 같다:
- 불소-도핑된 주석 산화물(SnO2:F), 또는 안티몬-도핑된 주석 산화물, 또는 알루미늄, 갈륨, 인듐, 붕소, 주석 중 하나로 도핑되거나 합금된 아연 산화물 (예를 들면 ZnO:Al, ZnO:Ga, ZnO:In, ZnO:B, ZnSnO); 및
- 특히 아연(IZO), 갈륨 및 아연(IGZO), 또는 주석(ITO)으로 도핑되거나 합금된 인듐 산화물,
전도성 산화물은, 예를 들어, 진공에서 적층,
- 금속: 은, 구리 또는 알루미늄, 금, 몰리브덴, 텅스텐, 티타늄, 니켈, 크롬 또는 백금.
제1 및 바람직하게는 제2 전극을 형성하는 층은 액상 적층, 진공 적층(스퍼터링(sputtering), 특히 전자관(magnetron) 스퍼터링, 기화)과 같은, 어떠한 알려진 적층 수단, 열분해(가루 또는 가스 루트) 또는 스크린 인쇄, 잉크 제트, 닥터 블레이드의 적용 또는 더욱 일반적인 인쇄를 통해 적층될 수 있다.
상기 UV 방사선에 비교적 불투과성인 하나의 전극(제1 및 바람직하게는 제2 전극) 물질은, 예를 들면, 금속성 입자 또는 이미 인용한, 전도성 산화물에 기초한다.
특히 스크린 인쇄를 통해, 특히 10 에서 500 nm 사이의 크기를 갖고, 또는 100 nm 보다 작아서 얇은 형태의 적층/형성을 용이하게 하는(예를 들면 충분한 전체적 투과를 위해), 나노스케일 크기의(예를 들면 최대 나노스케일 치수 및/또는 나노스케일 D50), 나노입자를 선택할 수 있다.
금속성 (나노)입자(구형, 박편, 등)로, 특히, Ag, Au, Al, Pd, Pt, Cr, Cu, Ni에 기초한 (나노)입자를 선택할 수 있다.
(나노)입자는 바람직하게는 바인더(binder)에 있다. 저항은 바인더에 있는 (나노)입자의 집중도에 따라 조정된다.
바인더는 선택적으로 유기물일 수 있는데, 예를 들면, 폴리우레탄, 에폭시 또는 아크릴 수지이거나, 졸-겔 프로세스를 통해 생산될 수 있다(무기물, 또는 혼성 유기물-비유기물, 등).
(나노)입자는 용매(알코올, 케톤, 물, 글리콜, 등)에서 분산으로 적층될 수 있다.
제1 및/또는 제2 전극을 형성하여 사용되는 입자에 기초한 상업적인 제품은 이하의 Sumitomo Metal Mining Co. LTD에서 판매하는 제품이다:
- 케톤 용매로 수지 바인더(선택적)에 분산된 ITO의 X100®, X100®D 입자;
- 알코올 용매에 분산된 ITO의 X500® 입자;
- 알코올 용매에 금-코팅된 은의 CKR® 입자;
- 금의 그리고 은의 입자로 응집된 CKRF® 입자.
필요한 저항은 형태의 기능으로 조정된다.
입자는 또한 Cabot Corporation USA(예를 들면 제품 번호. AG-IJ-G-100-S1)로부터 또는 일본의 Harima Chemicals, Inc.(NP 시리즈)로부터 입수할 수 있다.
바람직하게는, 입자 및/또는 바인더는 본래 비유기물 이다.
제1 전극에 관하여 그리고 바람직하게는 제2 전극에 관하여(특히 이-차원적인 방사선이 요구되면) 다음을 선택할 수 있다:
- 스크린-인쇄 페이스트(paste), 특히:
- (나노)입자(이미 인용한 것과 같은, 바람직하게는 은 및/또는 금)로 채워진 페이스트: 전도성 에나멜(유리 원료가 용해된 은), 잉크, 전도성 유기물 페이스트(중합체 매트릭스를 갖는), PSS/PEDOT(Bayer, Agfa로부터) 및 폴리아닐린,
- 인쇄 후에 적층시키는 (금속성) 전도성 (나노)입자를 구비한 졸-겔 층; 및
- 잉크제트를 통해 적층되는 (나노)입자(이미 인용한 것과 같은, 바람직하게는 은 및/또는 금)로 채워진 전도성 잉크, 예를 들면 문서 US 2007/0283848에 서술된 잉크.
바람직하게는, 제1 전극(및 제2 전극)은 본래 비유기물 이다.
제1 전극의(그리고, 바람직하게는 적절한 제2 전극의) 배열은 제작 비용을 감소하기 위해 전기적으로 전도성 물질(들)을 적층하는 것을 통해 직접적으로 얻을 수 있다. 따라서, 이후-구조화 작업, 예를 들어 석판술 프로세스에서 흔히 요구하는, 건식 및 또는 습식 에칭 작업은 피하게 된다(방사 및 현상(development)에 저항하는 노출).
정렬로서 이러한 직접 배열은 하나 또는 그 이상의 적당한 적층 방법을 통해 직접적으로 얻을 수 있고, 바람직하게는 액상 루트를 통해, 인쇄, 특히 평면의 또는 회전하는 인쇄를 통해, 예를 들면 잉크 패드를 이용하거나, 잉크제트(적당한 노즐을 구비한)를 통해, 스크린 또는 실크 인쇄 또는 닥터 블레이드의 단순한 적용을 통해 얻을 수 있다.
스크린 또는 실크 인쇄를 통하여, 적당한 망(mesh) 폭과 적당한 망 세도(fineness)를 갖는 합성섬유, 실크, 폴리에스테르 또는 금속 천이 선택된다.
따라서 제1 및/또는 제2 전극은 대체로 일련(series)의 등거리 스트립의 형태이고, 이는 특히 공통 전력 공급을 위한 가장자리 스트립에 의해 연결될 수 있다. 스트립은 직선형 일 수 있고, 또는 더욱 복잡한, 비선형, 다른 형상들, 예를 들면 각이 있는, V-모양, 물결 모양 또는 지그재그 모양일 수 있다.
스트립은 직선형으로 실질적으로 평행하게 형성될 수 있으며, 적어도 50%의 전체적인 UV 투과성을 허용하기 위하여, 폭 l1 을 갖고 거리 d1으로 떨어져 배치되며, l1 과 d1의 비율은 10% 내지 50% 사이가 될 수 있고, l1/d1 비율은 또한 관련된 벽의 투과성의 기능에 따라 조정될 수 있다.
더 일반적으로, 제1 및/또는 제2 전극은, 예를 들면 짜인 직물, 천 또는 그리드로 구성되는, 중첩된 적어도 두 열의 스트립(또는 복수의 라인)일 수 있다.
예를 들면, 스트립의 모든 열에 대하여, 동일한 스트립 크기 및 인접한 스트립 사이의 간격이 선택된다.
더욱이, 각각의 스트립은 고체이거나 열린 구조일 수 있다.
제2 전극에 관하여, 고체 스트립은 특히 인접하는 전도성 전선(평행 전선, 편복선, 등)으로 또는 리본(구리로 되어, 묶이는, 등)으로 형성될 수 있다.
고체 스트립은 액상 적층, 진공 적층(전자관 스퍼터링, 기화)과 같은, 이 분야의 숙련된 사람에게 알려진 어떠한 적층 수단을 통해, 열분해(가루 또는 가스 루트)를 통해 또는 스크린 인쇄를 통해 적층되는 코팅으로 이루어질 수 있다.
특히 스트립을 형성하는데 있어서, 필요한 분산을 직접적으로 달성하기 위해 마스킹 시스템을 사용할 수 있고, 또는 레이저 제거를 통하거나 화학적인 또는 기계적인 에칭을 통해 균일한 코팅을 에칭할 수 있다.
각각의 스트립은 정렬을 형성하는, 전도성 형태의 하나 또는 그 이상의 열로 또한 형성될 수 있는 열린 구조를 갖는다. 형태는 특히 기하학적이고 길게 되거나 아닐 수 있다(정사각형, 원형, 등.).
형태들의 각 열은, 인접한 형태 사이의 피치가 p1으로 그리고 형태의 폭이 l2로 주어진, 등거리 형태로 한정될 수 있다. 형태의 두 열은 겹쳐질 수 있다. 이러한 정렬은 특히, 짜인 직물, 천과 같은 그리드로 구성될 수 있다. 이러한 형태들은, 예를 들면, 텅스텐, 구리 또는 니켈과 같은 금속으로 만들어질 수 있다.
각각의 스트립은 전도성 전선(제2 전극에 관한) 및/또는 전도성 트랙(track)에 기초하는 열린 구조를 갖는다.
따라서, 필요한 투과 기능으로서의 하나 또는 그 이상의 스트립 열의 l1과 d1의 비율을 적응시키는 것 및/또는 필요한 투과 기능으로서의, 열린 구조를 갖는 스트립의 폭 l2 및/또는 피치 p1을 적응시키는 것으로 전체적인 UV 투과성을 얻을 수 있다.
따라서, 폭 l2와 피치 p1의 비율은 바람직하게는 50% 이하이거나 같을 수 있고, 바람직하게는 10% 이하이거나 같을 수 있고, 더욱 바람직하게는 1% 이하이거나 같을 수 있다.
예를 들면, 피치 p1은 5 ㎛ 와 2 cm 사이일 수 있고, 바람직하게는 50 ㎛ 와 1.5 cm 사이이고, 더욱 바람직하게는 100 ㎛ 와 1 cm 사이이고, 폭 l2는 1 ㎛ 와 1 mm 사이일 수 있고, 바람직하게는 10 과 50 ㎛ 사이이다.
예로서, 피치 p1은 100 ㎛ 와 1 mm, 또는 300 ㎛까지의 사이로, 그리고 5 ㎛ 내지 200 ㎛의 폭 l2는, 50 ㎛ 이하이거나 같을 수 있고, 10 과 20 ㎛ 사이까지로 구비하는 전도성 트랙(그리드, 등으로서)의 정렬을 사용할 수 있다.
제2 전극에 관한 전도성 전선의 정렬은 1 과 10 mm, 특히 3 mm 사이의 피치 p1, 그리고 10 과 50 ㎛ 사이의, 특히 20 과 30 ㎛ 사이의 폭 l2를 가질 수 있다.
제2 전극에 관하여, 전선은 연관된 제2 유전체 벽에 적어도 부분적으로 결합될 수 있고, 또는 선택적으로, 특히 PVB 또는 PU로 만들어진, 적층형 중간층에 적어도 부분적으로 결합될 수 있다.
가스가 UV 광원일 때, 이제 UV 방사선을 변경하기 위해, 가스는 반드시 교체되어야 하고 이는 UV 발산 및 방전 상태(압력, 공급 전압, 가스 높이, 등)에 적응시킬 필요가 있다.
방전 상태에 독립적으로, 생산하는데 필요한 UV 방사선(들)의 기능으로 인광물질 코팅(들)이 선택되면, 이에 따라서 여기 가스의 변경은 필요하지 않다.
특히, 인광물질은 예를 들어 하나 또는 그 이상의 비활성(noble) 가스(Xe, Ar, Kr, 등)로 생산되는, VUV 방사선에 노출될 때 UVC에서 발산하도록 존재한다. 예를 들면, 200 nm보다 짧은 VUV 방사선을 통하여 여기된 후에 250 nm에서 UV 방사선은 인광물질을 통해 발산된다. 기술한 것은 Pr 또는 Pb로 도핑된: LaPo4:Pr, CaSO4:Pb, 등과 같은 물질로 만들어질 수 있다.
인광물질은 또한 VUV 방사선에 노출될 때 UVA에서 또는 UVB근처에서 발산하도록 존재한다. 기술한 것은 가돌리늄-도핑된: YBO3:Gd; YB2O5:Gd; LaP3O9:Gd; NaGdSiO4; YAl3(BO3)4:Gd; YPO4Gd; YAlO3:Gd; SrB4O7:Gd; LaPO4:Gd; LaMgB5O10:Gd,Pr; LaB3O8:Gd,Pr; (CaZn)3(PO4)2:Tl 과 같은 물질로 만들어질 수 있다.
부가적으로, 인광물질은 예를 들면 수은 또는 바람직하게는 비활성 및/또는 할로겐 가스(Hg, Xe/Br, Xe/I, Xe/F, Cl2, 등)와 같은 하나의(몇몇의) 가스(들)를 통해 생산되는, UVB 또는 UVC 방사에 노출될 때 UVA에서 발산하도록 존재한다. 기술한 것은, 예를 들면, LaPO4:Ce; (Mg,Ba)Al11O19:Ce; BaSi2O5:Pb; YPO4:Ce; (Ba,Sr,Mg)3Si2O7:Pb; SrB4O7:Eu 으로 만들어질 수 있다. 예를 들면, 약 250 nm의 UVC 방사를 통해 여기된 후에 300 nm 이상의, 특히 318 nm 와 380 nm 사이의 UV 방사는 인광물질을 통해 발산된다.
따라서, 가스는 비활성 가스 및/또는 할로겐으로부터 선택된 가스 또는 혼합물로 구성할 수 있다. 할로겐의 양(하나 또는 그 이상의 비활성 가스가 혼합된)은 10% 이하로, 예를 들어 4%로 선택될 수 있다. 이는 또한 할로겐화된 화합물을 사용할 수 있다. 비활성 가스 및 할로겐은 기후상의 상태에 영향을 받지 않는 이점이 있다.
이하의 표 1은 인광물질의 UV 발산 및/또는 여기 가스의 최고치를 나타낸다.
표 1
인광물질 UV-발산 및/또는 여기 가스 최고치(들) (nm)
Xe 172
F2 158
Br2 269
C 259
I2 342
XeI/KrI 253
ArBr/KrBr/XeBr 308/207/283
ArF/KrF/XeF 351/249/351
ArCl/KrCl/XeCl 351/222/308
Hg 185, 254, 310, 366
더욱 바람직하게는, 하나 또는 그 이상의 비활성 가스는, 특히 크세논이, 여기 가스로 선택된다.
당연히, 방전 지역을 최대로 하고 균일한 방전을 위해, 제1 및 제2 전극은, 연속적으로 또는 단편으로 나뉘어, 내부 공간에 새겨진 벽의 영역과 최소한 실질적으로 같은 크기 갖는 영역에 걸쳐 확장될 수 있다.
더욱 단순화하고 밀봉을 용이하게 하기 위하여, 제1 및 제2 유전체 벽은 동일한 물질 또는 적어도 유사한 팽창 계수를 갖는 물질로 만들어질 수 있다.
제1 또는 더욱이 제2 유전체 벽으로부터 상기 UV 방사선을 투과하는 물질은 바람직하게는 석영, 규토(silica), 불화 마그네슘(MgF2) 또는 불화 칼슘(CaF2), 붕규산염 유리, 또는 특히 0.05% 보다 적은 Fe2O3 를 갖는, 소다-석회-규토 유리로부터 선택될 수 있다.
3 mm의 두께에 관한 예:
- 80%, 또는 90% 이상으로, UV 대역의 전 영역에 걸쳐, 즉 UVA(315 와 380 nm 사이), UVB(280 과 315 nm 사이), UVC(200 과 280 nm 사이), VUV(약 10 과 200 nm 사이)에 투과하는 불화 마그네슘 또는 칼슘;
- 80%, 또는 90% 이상으로, UVA, UVB, 및 UVC 대역에 걸쳐 투과하는 석영 및 어떠한 고-순도 규토;
- 70% 이상으로 전체 UVA 대역에 걸쳐 투과하는, Schott으로부터의 Borofloat와 같은, 붕규산염 유리; 및
- 70%, 또는 80% 이상으로, 전체 UVA 대역에 걸쳐 투과하는, 특히 Saint-Gobain으로부터의 Diamant glass, Pilkington로부터의 Optiwhite glass, Schott으로부터의 B270과 같은, 0.05% 보다 적은 Fe(III) 또는 Fe2O3 를 갖는, 소다-석회-규토 유리.
Saint-Gobain에서 판매되는 Planilux glass와 같은, 소다-석회-규토 유리는, 360 nm 이상의 80% 보다 큰 투과성을 갖고 이는 어떠한 구조 및 어떠한 응용에도 충분할 수 있다.
본 발명에 따른 평판 UV 램프의 구조에 있어서, 내부 공간의 가스 압력은 약 0.05 내지 1 바(bar)가 될 수 있다.
유전체 벽은 어떠한 모양이라도 될 수 있다: 벽의 윤곽은 다각형, 오목형 또는 볼록형, 특히 정사각형 또는 직사각형, 또는 곡선형, 특히 원형 또는 타원형.
유전체 벽은 동일한 곡률의 반지름을 갖는, 약간 곡선형일 수 있고, 바람직하게는 예를 들어 스페이서(예를 들면 주변 프레임) 또는 주변에서의 스페이서(포인트 스페이서, 등) 또는 바람직하게는 내부 공간에 분산되어(일정하게, 균일하게) 일정하게 떨어진 거리가 유지된다. 예를 들면 이는 유리 구슬일 수 있다. 이러한 스페이서는, 그 크기가 유리벽의 크기보다 현저하게 작을 때 불연속 스페이서로 불릴 수 있고, 다양한 형태를 가지는데, 특히 구형, 평행하게-직면한 양끝이 잘린 구형, 원통형의 형태뿐만 아니라, 다각 단면의, 특히 문서 WO 99/56302에 기술된 것과 같은 십자형 단면의 평행 육면체일 수 있다.
두 유전체 벽 사이의 간격은 약 0.3 내지 5 mm의 값의 스페이서를 통해 고정될 수 있다. 진공 절연 유리 유닛에 스페이서를 적층하는 기술은 FR-A-2 787 133에서 알려져 있다. 이러한 프로세스에 따르면, 접착성 반점은 유리 플레이트에 적층되고, 특히 에나멜의 반점은, 스페이서의 지름과 동일하거나 작은 지름으로, 스크린 인쇄를 통해 적층되고, 이제 스페이서는 유리 플레이트를 구르게 되는데, 이는 바람직하게 경사져서, 단일 스페이서가 각각의 접착성 반점에 접착되도록 한다. 제2 유리 플레이트는 이제 스페이서 위에 놓이고 주변 밀봉 접합은 적층된다.
스페이서는 부전도성 물질로 만들어져 방전에 참여하지 않거나 단락(short) 회로의 원인이 되지 않도록 한다. 바람직하게는, 이는 유리로, 특히 소다-석회 타입으로 만들어진다. 스페이서 물질에서의 흡수를 통한 빛 손실을 막기 위하여, 스페이서의 표면을 투명하거나 UV에 반사적인 물질로, 또는 벽(들)에 사용되는 것과 동일하거나 다른 인광물질로 코팅할 수 있다.
일 실시 형태에 따르면, UV 램프는 먼저 중간의 비어있는 공기를 대기 압력으로 밀봉하여 둘러싸서 제조하는 것으로, 이후 진공을 생성하고 필요한 압력으로 플라스마 가스를 도입하는 것으로 생산된다. 이러한 실시형태에 따르면, 하나의 벽은 그 두께를 통하여 뚫린 적어도 하나의 구멍을 포함하고 밀봉 수단으로 차단된다.
UV 램프는 30 mm 보다 작거나 같은, 바람직하게는 20 mm 보다 작거나 같은 전체 두께를 가질 수 있다.
바람직하게는, 벽은 비유기물, 예를 들면 유리 원료에 기초한 주변 밀봉 접합으로 밀봉된다.
제1 전극은 400 V(전형적으로 피크 전압)보다 작거나 같은, 바람직하게는 220 V 보다 작거나 같은 전위일 수 있고, 더욱 바람직하게는 110 V 보다 작거나 같고 및/또는 주파수 f로 100 Hz 보다 작거나 같고, 바람직하게는 60 Hz 보다 작거나 같고 더욱 바람직하게는 50 Hz 보다 작거나 같을 수 있다.
V1은 바람직하게는 220 V 보다 작거나 같고 주파수 f는 바람직하게는 50 Hz 보다 작거나 같다.
제1 전극은 바람직하게는 접지될 수 있다.
UV 램프의 전력 공급은 교류의, 주기적인, 특히 사인파형의, 펄스형의, 또는 톱니 모양(구면-파, 등) 신호일 수 있다.
전술한 UV 램프는 예를 들면 미용, 전자공학 또는 식료 분야와 같은, 산업적인 부문과, 예를 들면 수돗물, 식수 또는 수영장 물, 공기의 정화와 관련한, UV 건조에 관련한 그리고 중합(polymerization)과 관련한, 가사적인 부문 모두에 사용될 수 있다.
UVA에서 또는 심지어 UVB에서 방사선을 선택하는 것으로, 전술한 UV 램프는 다음과 같이 사용될 수 있다:
- 특히 태닝(tanning) 부스 내에 설치되는 태닝 램프로서(실시 중인 표준에 따라 특히 99.3% UVA에 그리고 0.7% UVB에);
- 광화학 활성화 프로세스를 위하여, 예를 들면 특히 접착성의, 가교(crosslinking)를 위하여 또는 중합을 위하여 또는 종이 건조를 위하여;
- 젤 형태로 사용되는 브롬화 에티듐과 같은, 형광 물질의 활성화를 위하여, 핵산 또는 단백질 분석을 위하여; 및
- 광촉매 물질의 활성화를 위하여, 예를 들면 냉장고의 냄새 또는 먼지를 감소시키기 위한.
UVB에서 방사선을 선택하는 것으로, 램프는 피부의 비타민 D의 합성을 촉진한다.
UVC에서 방사선을 선택하는 것으로, 전술한 UV 램프는 특히 250 nm 와 260 nm 사이의, 살균 효과를 통한, 공기, 물 또는 표면 소독/멸균을 위해 사용된다.
먼(far) UVC에서 또는 바람직하게는 오존 생산을 위한 VUV에서 방사선을 선택하는 것으로, 전술한 UV 램프는 특히 전자공학, 컴퓨팅, 광학, 반도체 등에 관한 활성 필름의 적층 전에, 표면의 처리를 위해 특별히 사용된다.
램프는 예를 들면 냉장고 또는 주방 용품과 같은, 가구 전기 제품에 결합될 수 있다.
본 발명의 다른 목적은 UV 램프 제조에 관한 방법이고, 특히 전술한 타입으로, 불연속적인 전극(제1 전극 및/또는 제2 전극)은 전체적인 UV 투과성을 위해 유전체 벽의 주된 면에 액상 적층을 통해 직접적으로 형성되고 그 배열은 제1 벽의 외부 면에(하층으로 코팅되거나 아니거나) 액상 적층을 통해 직접적으로 형성된다.
특히, 인쇄 기술이 바람직하고(플렉소 인쇄(flexography), 패드(pad) 인쇄, 롤러 프린터, 등) 특히 스크린 인쇄 및/또는 잉크제트 인쇄가 바람직하다.
더욱이, 전극의 주변 전기 전력 공급 지역이 일반적으로 형성된다. 이러한 지역은, 예를 들면 스트립을 형성하는, "버스바(bus bar)"로 알려져 있고, 그 자체로, 예를 들면 납땜 또는 용접을 통해, 전력 공급 수단에 연결된다(포일(foil), 전선, 케이블 등을 통해). 이러한 지역은 하나의 또는 그 이상의 측면을 따라 연장될 수 있다.
이러한 전기 전력 공급 지역은 스크린 인쇄될 수 있고, 특히 은 에나멜로 만들어진다.
따라서, 스크린 인쇄(바람직하게는 전도성 에나멜로부터의)를 통하여 또는 잉크제트를 통하여 상기 전극을 적층하는 단계 중에 적어도 하나의 불연속적인 전극의 주변 전기 전력 공급 지역을 형성하는 것이 바람직할 수 있다. 이러한 UV 전극 제조에 관한 방법은 전술한 것과 같은 UV 램프에 대하여 또는 내부 면에, 또는 내부 면이 다른 곳에, 외부 면의 다른 곳에 전극을 구비한 UV 램프에 대하여 적당하다.
본 발명의 다른 세부사항 및 유익한 특징은 본 발명 일 실시형태에 따른 평판 UV 방전 램프 단면도를 도식적으로 나타낸 이하의 도 1을 참조한 평판 UV 램프의 실시예를 통하여 더 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 평판 UV 방전 램프의 단면도를 나타낸 것이다.
명확하게 설명하기 위하여 설명된, 본 명세서에 나타난 다양한 구성요소는 반드시 그 스케일대로 재생산될 필요가 없다.
도 1은, 예를 들면 직사각형이고, 각각 외부 면(21, 31)과 내부 면(22, 32)을 갖는 제1 및 제2 플레이트(2, 3)를 포함하는 평판 UV 방전 램프(1)를 나타낸다. 램프(1)는 그 외부 면(21, 31)을 통하여 양-방향적인 UV 방사선을 발산한다.
각각의 플레이트(2, 3)의 영역은, 예를 들면, 약 1 ㎡ 이고, 또는 더욱 넓을 수 있고, 그 두께는 약 3 mm 이다.
플레이트(2, 3)는 그 내부 면(22, 32)이 서로 직면하도록 함께 접합 되고, 예를 들어 플레이트(2. 3)의 열 팽창 계수에 근접한 계수를 갖는 유리 원료인, 여기에서의 밀봉 유리원료(8)로, 내부 공간을 한정하는 주변 밀봉을 통하여 구성된다.
변형으로서, 플레이트는 접착성으로, 예를 들면 실리콘 접착(밀봉을 형성) 또는 열-밀봉 유리 프레임으로 함께 접합 된다. 이러한 밀봉 방식은 플레이트(2, 3)가 과도하게 다른 팽창 계수로 선택되었을 때 바람직하다.
플레이트 사이의 간격(일반적으로 5 mmm 보다 작은 값)은 플레이트 사이에 위치한 유리 스페이서(9)를 통해 설정된다. 여기에서, 간격은 예를 들면 1 과 2 mm 사이이다.
스페이서(9)는 구형, 원통형 또는 입방형 또는 다른 다각형으로, 예를 들면 십자형, 단면을 가질 수 있다. 스페이서는, 플라스마 가스 환경에 노출되는 적어도 그 측면의 표면에, UV 방사선을 반사하는 물질로 코팅될 수 있다.
제1 플레이트(2)는, 주변 근처에, 수 밀리미터의 지름으로, 그 두께를 통하 여 뚫린 구멍(13)을 갖고, 그 외부로 뚫린 곳은 외부 면(21)에 용접된, 특히 구리로 만들어진, 밀봉 패드(12)로 차단된다.
플레이트(2, 3) 사이의 공간(10)에는 UVC에서 여기(exciting)하는 방사선을 발산하기 위해 크세논(7) 200 mbar의 감소된 압력이 존재한다.
램프(1)는, 예를 들면, 태닝 램프로 사용된다.
내부 면(22, 32)은, UVA에서 바람직하게는 350 mm 이상으로, YPO4:Ce (357 nm로 최고치) 또는 (Ba,Sr,Mg)3Si2O7:Pb (372 nm로 최고치) 또는 SrB4O7:Eu (386 nm로 최고치)와 같은 방사선을 발산하는 인광 물질의 코팅(6)을 포함한다.
Saint-Gobain에서 판매하는 Planilux와 같은, 소다-석회-규토 유리가 선택되고, 이는 적은 비용으로 약 350 nm 에서 80% 보다 큰 UVA 투과성을 제공한다. 이것의 팽창 계수는 약 90 × 10-8 K- 1 이다.
다른 변형으로, 가돌리늄-기반의 인광물질 및 붕규산염 유리(예를 들면 약 32 × 10-8 K- 1 의 팽창계수를 갖는) 또는 소다-석회-규토 유리로 0.05% 이하의 Fe2O3, 그리고 또한 크세논과 같은 비활성 가스를, 단독으로 또는 아르곤 및/또는 네온과의 혼합물, 이 선택된다.
당연히, 약 300-330 nm UVA에서 투과하는 다른 인광물질 및 붕규산염 유리가 선택될 수 있다.
다른 변형으로, 램프(1)는 UVC에서 살균 효과를 목적으로 발산하고, 이제 인 광물질로 LaPO4:Pr 또는 CaSO4:Pb 이 선택되고 벽으로 규토 또는 석영이 선택되고 또한 크세논과 같은 비활성 가스를, 바람직하게는 단독으로 또는 아르곤 및/또는 네온과의 혼합물, 이 선택된다.
제1 전극(4)은 제1 벽(2)(언제나 발산 면)의 외부 면(21)에 있다. 제2 전극(5)은 제2 벽(3)(선택적으로 발산 면)의 외부 면(31)에 있다.
각각의 전극(4, 5)은 고유한 전위의 불연속적인 층 형태이다. 각각의 전극(4, 5)은 적어도 하나의 열(series), 또는 예를 들면 고체 스트립인, 스트립(41, 51)의 겹쳐진 두 개의 열의 형태이다.
바람직하게는, 스트립(41, 51)은 폭 l1 및 유사한 내부-스트립 공간 d1을 갖는다.
제1 전극(적어도)의 물질은 UV에 비교적 불투명하고, 이러한 경우 스트립 l1의 폭과 내부-스트립 공간 d1의 폭의 비율은 결론적으로 전체적인 UV 투과성을 향상(각각의 열에 대해)시키도록 조정된다.
예를 들면, 폭 l1과 내부-스트립 공간의 폭 d1의 비율은 약 20% 또는 이보다 작도록 선택되고, 예를 들면 폭 l1은 4 mm 와 같고 내부-전극 공간의 폭 d1은 2 cm 와 같다.
전극(4, 5)의 물질은 예를 들어 바람직하게는 스크린 인쇄로 적층되는 은이다: 예를 들면 은 에나멜 또는 은 및/또는 금 나노입자의 잉크.
전극 물질은 선택적으로 스퍼터링을 통한 얇은 필름으로 적층될 수 있고 이 후 에칭될 수 있다.
따라서, 360 nm로 시작하여, 매우 만족하는 균일성을 유지하며 전체적으로 대략 85%의 투과성을 얻는 것이 가능한, 폭은 1 mm 이고 공간은 5mm 인 전극(4, 5)을 형성하기 위해 에칭된, 구리, 또는 은, 또는 불소-도핑된 주석 산화물의 층을 갖는 Planilux를 예를 들어 선택할 수 있다.
또한, 벽에 관하여, 360 nm로 시작하여, 매우 만족하는 균일성을 유지하며 전체적으로 대략 85%의 투과성을 얻는 것이 가능한, 폭은 1 mm 이고 공간은 5mm 인 전극(4, 5)을 형성하기 위해 에칭된, 각각의 불소-도핑된 주석 산화물의 층을 갖는 Planilux를 선택할 수 있다.
변형으로서, 각각의 스트립은 열린 구조(예를 들어 15 내지 50 ㎛의 폭을 갖고 500 ㎛ 간격이 떨어지고 스크린 인쇄를 통해 생산되는)이고, 예를 들어, 전체적인 UV 투과성을 더욱 증가시키도록, 예를 들어 기하학적인 형태(정사각형, 원, 등. 형태, 라인, 그리드)인, 전도성 형태의 정렬로부터 형성될 수 있다.
변형으로서, 전극(4, 5)은 면에 걸쳐 확장하는 불연속적인 층이고 예를 들어 15 와 50 ㎛ 사이의 트랙 폭을 갖고 500 ㎛ 간격이 떨어지고, 스크린 인쇄를 통해 생산되는, 그리드로서 배열된다. 예를 들면, InkTec Nano Silver Paste Inks의 TEC PA 030TM 잉크가 선택되거나 은-기반 유리 원료가 스크린 인쇄된다.
변형의 다른 실시형태로, 제2 전극(5)은 UV 반사경을 형성하는 알루미늄의 고체 층이다.
변형의 마지막 실시형태로, 제2 전극(5)은 벽(3)에 결합되는 그리드이거나 뒷받침 유리를 갖는 EVA 또는 PVB 타입 적층형 중간층에 내장된다.
각각의 전극(4. 5)은 유연한 포일(11, 11') 또는 용접된 전선의 변형으로 전원이 공급된다. 제1 전극(4)은 약 1100 V의 전위 VO 이고 10 과 100 kHz 사이의 주파수를 갖고, 예를 들면 40 kHz 이다. 제2 전극(5)은 접지된다.
선택적으로, 전극(4)과 전극(5)이 전원 공급되는데, 예를 들어, 각각 550 V 및 -550 V와 같이 반대 위상인 신호로 공급된다.
제1 전극은 바람직하게는 접지되고 제2 전극은 단일한 면이 발산체일 때 고-주파수 신호로 전원 공급된다. 변형으로서, 제2 전극은 이후 보호될 수 있다.
제1 전극(4)은 제1 벽(2)의 적어도 하나의 가장자리(예를 들면 세로의 가장자리) 주변에서 그리고 전선 또는 용접된 포일 위의, 겹쳐진 스트립(51)(또는 변형된 그리드)을 덮는 전류 공급 스트립(보통 "버스바"로 알려진)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 전극(5)은 제2 벽의 적어도 하나의 가장자리(예를 들면 세로의 가장자리) 주변에서 그리고 전선 또는 용접된 포일 위의, 겹쳐진 스트립(51)(또는 변형된 그리드)을 덮는 전류 공급 스트립(보통 "버스바"로 알려진)에 전기적으로 연결될 수 있다.
이러한 스트립은 스크린-인쇄된 은 에나멜로 만들어질 수 있고, 특히 전극과 동일한 시간에 잉크제트 인쇄를 통해 적층될 수 있다(고체 주변장치 그리고 충분하게 큰 스트립이 이에 따라 제공된다).

Claims (17)

  1. 자외선(UV) 영역에서 방사선을 투과하는 평판 방전 램프(1)로서,
    - 서로 마주하여 평행하게 유지되고, 서로에 대해 밀봉되어, 가스(7)로 채워진 내부 공간(10)을 한정하는 제1 및 제2 평판 유전체 벽(2, 3)을 포함하고, 적어도 제1 유전체 벽은 UV 방사선을 투과하는 물질로 만들어지며;
    - 상기 유전체 벽들 사이의 수직 방전을 위해, 다른 전위가 주어진, 제1 및 제2 전극(4, 5)을 포함하고;
    - 상기 제1 전극은 상기 제1 유전체 벽의 외부면(21)에 배치되고;
    - 상기 제2 전극(5)은 상기 제2 유전체 벽에 매립되거나 또는 상기 제2 유전체 벽의 외부면(31)에 배치되며; 및
    - 가스(7) 및/또는 상기 제1 및/또는 제2 유전체 벽(2, 3)의 내부면(22, 32)의 인광물질 코팅(6)을 포함하는 UV 방사선 광원을 포함하고, 상기 인광물질은 가스에 의해 여기됨(excited)으로써 UV 방사선을 발산하며;
    적어도 상기 제1 전극은 불연속 층으로, 전체적인 UV 투과를 허용하도록 배열되는 것을 특징으로 하는 UV 램프.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극(4)은 상기 외부면(21)에 적층되고, 바람직하게는 표면을 덮는 유전체로 덮이지 않는 것을 특징으로 하는 UV 램프(1).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 전극은 전체적인 UV 투과를 허용하도록 바람직하게 배열된 층인 것을 특징으로 하는 UV 램프(1).
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 UV 방사선은 이-차원 방사선, 즉 상기 램프의 두 면에서 방사되는 것을 특징으로 하는 UV 램프(1).
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 전극(4)은 등거리로 배열된 일련의 스트립(41)의 형태 또는 서로 중첩된 적어도 두 개의 평행 스트립 열 형태이고, 각 스트립은 폭 l1을 갖고 인접한 스트립에서 거리 d1으로 떨어져 배열되며, l1 과 d1의 비율은 10% 내지 50% 사이인 것을 특징으로 하는 UV 램프(1).
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 전극(5)은 불연속적이고, 특히 일 층으로서 등거리로 배열된 일련의 스트립(51)의 형태 또는 서로 중첩된 적어도 두 개의 평행 스트립 열 형태이고, 각 스트립은 폭 l1을 갖고 인접한 스트립에서 거리 d1으로 떨어져 배열되며, l1 과 d1의 비율은 10% 내지 50% 사이인 것을 특징으로 하는 UV 램프(1).
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 전극 및/또는 상기 제2 전극은 스트립들의 형태이고, 각 스트립은 전도성 트랙으로서, 전도성 물체의 하나 또는 그 이상의 열로 형성되고, 전도성 물체 사이의 주어진 피치 p1과 폭 l2로 한정되며, 상기 폭 l2 와 피치 p1의 비는 50% 보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 UV 램프(1).
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 전극은, 그리고 바람직하게는 제2 전극은, 그리드로 구성되는 것을 특징으로 하는 UV 램프(1).
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 전극은, 그리고 바람직하게는 제2 전극은, 전도성 입자에 기초하고, 특히 은 및/또는 금을 포함하는, 선택적으로 바인더에 있는 전도성 입자에 기초하는 것을 특징으로 하는 UV 램프(1).
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 전극은, 그리고 바람직하게는 제2 전극은, 전도성 에나멜 또는 특히 은 및/또는 금을 포함하는 전도성 잉크인 것을 특징으로 하는 UV 램프(1).
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 UV 방사선을 투과하는 물질은 석영, 규토, 불화 마그네슘 또는 불화 칼슘, 붕규산염 유리, 소다-석회-규토 유리, 특히 0.05% 미만의 Fe2O3 을 가진 소다-석회-규토 유리로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 UV 램프(1).
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스(7)는 비활성 가스, 특히 크세논, 또는 비활성 가스와 할로겐 가스로부터 선택된 가스의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 UV 램프(1).
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 UV 램프(1)를 미용, 전자 분야 또는 식품 분야에 사용하는 방법.
  14. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 UV 램프(1)를, 특히 태닝 부스 내에 설치되는 태닝 램프, 피부과적 치료, 표면, 공기, 수돗물, 식수, 또는 수영장 물의 소독 또는 멸균, 특히 활성층의 적층 전 표면 처리, 중합 또는 가교 타입의 광화학 프로세스 활성화, 종이 건조, 형광 물질을 이용한 분석, 또는 광촉매 물질의 활성화에 사용하는 방법.
  15. 유전체 벽의 주면에 직접 액상 적층함으로써 전체적인 UV 투과를 위한 불연 속적인 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 UV 램프 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 전극 배열은 인쇄를 통해, 특히 스크린 인쇄 또는 잉크제트를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 UV 램프 제조 방법.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서,
    스크린 인쇄 또는 잉크제트를 통한 제1 전극의 적층 단계 중에, 상기 불연속적인 전극의 적어도 하나의 가장자리 전원 공급 영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 UV 램프 제조 방법.
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