KR20100013188A - Display - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Display; OLED) 및 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP) 등과 같은 평판 표시장치(Flat Panel Display: FPD)의 사용이 증가하고 있다.With the development of information technology, the market for a display device, which is a connection medium between a user and information, is growing. Accordingly, a flat panel display (FPD) such as a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting display (OLED), a plasma display panel (PDP), or the like. The use of is increasing.
이러한 평판 표시장치 중 액정표시장치와 유기전계발광표시장치는 표시패널에 위치하는 트랜지스터의 구동에 의해 서브 픽셀이 발광함으로써 영상을 표현할 수 있다.Among the flat panel displays, the liquid crystal display and the organic light emitting display may display an image by emitting light of a subpixel by driving a transistor positioned in the display panel.
액정표시장치는 수광형 표시장치로 분류된다. 이러한 액정표시장치는 표시패널의 하부에 위치하는 백라이트 유닛으로부터 광원을 제공받아 영상을 표현할 수 있다. 표시패널은 트랜지스터 어레이 기판과 컬러필터 기판으로 구성된다. 표시패널에는 매트릭스형태로 배치된 복수의 서브 픽셀이 위치한다. 하나의 서브 픽셀은 트랜지스터와 커패시터, 화소전극 및 공통전극을 포함할 수 있다. 또한, 서브 픽셀 은 각각의 서브 픽셀을 구분하는 블랙매트릭스와 액정층의 구동에 따라 출사된 광을 변환하는 컬러필터를 포함할 수 있다.Liquid crystal displays are classified into light receiving displays. Such a liquid crystal display may display an image by receiving a light source from a backlight unit positioned under the display panel. The display panel includes a transistor array substrate and a color filter substrate. In the display panel, a plurality of subpixels arranged in a matrix form is located. One subpixel may include a transistor, a capacitor, a pixel electrode, and a common electrode. In addition, the subpixel may include a black matrix for separating each subpixel and a color filter for converting the emitted light according to the driving of the liquid crystal layer.
유기전계발광표시장치는 자발광형 표시장치로 분류된다. 이러한 유기전계발광표시장치는 액정표시장치와 달리 광을 생성함으로써 영상을 표현할 수 있다. 표시패널은 트랜지스터 어레이 기판과 트랜지스터 어레이 기판 상에 위치하는 유기발광다이오드로 구성된다. 표시패널에는 매트릭스형태로 배치된 복수의 서브 픽셀이 위치한다. 하나의 서브 픽셀은 트랜지스터와 커패시터, 화소전극, 유기 발광층 및 공통전극을 포함할 수 있다.The organic light emitting display device is classified into a self-luminous display device. Unlike the liquid crystal display, the organic light emitting display may generate an image by generating light. The display panel includes a transistor array substrate and an organic light emitting diode positioned on the transistor array substrate. In the display panel, a plurality of subpixels arranged in a matrix form is located. One subpixel may include a transistor, a capacitor, a pixel electrode, an organic emission layer, and a common electrode.
한편, 종래 액정표시장치와 유기전계발광표시장치는 화소전극 및 공통전극 중 하나 이상의 재료를 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명전극을 사용하였다. ITO와 같은 투명전극은 투과성은 우수하나 제조원가가 상승하게 된다. 이를 대체하기 위해 종래에는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 대체 재료들이 개발되고 있지만 코스트 이노베이션(cost innovation)을 할 수 있을 만큼의 매력은 없었다.Meanwhile, the liquid crystal display and the organic light emitting display device use a transparent electrode such as indium tin oxide (ITO) as one or more materials of the pixel electrode and the common electrode. Transparent electrodes such as ITO are excellent in permeability, but the manufacturing cost is increased. In order to replace this, alternative materials such as indium zinc oxide (IZO) have been developed in the past, but they were not attractive enough for cost innovation.
따라서, 투과성과 전도성을 가짐은 물론 제조원가를 낮추고 제조공정에 이점을 줄 수 있는 대체 전극 재료 마련의 필요성이 있다.Therefore, there is a need for preparing an alternative electrode material that can have permeability and conductivity, as well as lower manufacturing costs and benefit manufacturing processes.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예는, 투과성과 전도성이 우수한 산화구리계 전극을 제공하여 종래 전극 재료를 대체함은 물론 제조단가를 낮춰 제조공정에 코스트 이노베이션(cost innovation)을 가능하게 할 수 있는 표시장치를 제공하는 것이다.Embodiments of the present invention for solving the above problems of the background technology, by providing a copper oxide-based electrode excellent in permeability and conductivity to replace the conventional electrode material as well as to reduce the manufacturing cost cost innovation (cost innovation) in the manufacturing process It is to provide a display device capable of enabling.
상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 실시예는, 표시패널; 및 표시패널에 위치하며 게이트, 소오스 및 드레인을 포함하는 트랜지스터와, 트랜지스터의 소오스 또는 드레인에 연결되며 산화구리계로 이루어진 화소전극을 포함하는 서브 픽셀을 포함하는 표시장치를 제공한다.Embodiment of the present invention by the above-described problem solving means, the display panel; And a subpixel positioned on a display panel, the transistor including a gate, a source, and a drain, and a subpixel connected to a source or a drain of the transistor and including a pixel electrode formed of a copper oxide system.
서브 픽셀은, 산화구리계로 이루어진 공통전극을 포함할 수 있다.The subpixel may include a common electrode made of copper oxide.
산화구리계는, CuOx 또는 CuyOx로 이루어질 수 있으며, y는 불순물 원소일 수 있다.The copper oxide system may be made of CuOx or CuyOx, and y may be an impurity element.
불순물 원소는, 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 몰리(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 은(Ag), 금(Au), 플래티늄(Pt), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 게르마늄(Ge)을 포함할 수 있다.Impurity elements include titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), vanadium (V), niobium (Nb), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), tungsten (W), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), palladium (Pd), ruthenium (Ru), iridium (Ir), and germanium (Ge).
게이트, 소오스 및 드레인 중 하나 이상은, 구리(Cu)로 이루어질 수 있다.At least one of the gate, source and drain may be made of copper (Cu).
게이트, 소오스 및 드레인 중 구리(Cu)로 이루어진 전극의 하부에 위치하는 확산방지막을 더 포함할 수 있다.The diffusion barrier layer may further include a diffusion barrier layer positioned below the electrode made of copper (Cu) among the gate, the source, and the drain.
확산방지막은, 몰리(Mo), 몰리 합금(Mo alloy), 티타늄(Ti) 또는 티타늄 합금(Ti alloy) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The diffusion barrier layer may be made of any one of Mo, Mo, Ti, Ti, or Ti alloy.
표시패널은, IPS(In-Plane Switching) 모드, VA(Vertical Align) 모드, TN(Twisted Nematic) 모드 중 어느 하나로 구동하는 액정층을 포함할 수 있다.The display panel may include a liquid crystal layer driven in any one of an in-plane switching (IPS) mode, a vertical alignment (VA) mode, and a twisted nematic (TN) mode.
본 발명의 실시예는, 투과성과 전도성이 우수한 산화구리계 전극을 제공하여 종래 전극 재료를 대체함은 물론 제조단가를 낮춰 제조공정에 코스트 이노베이션(cost innovation)을 가능하게 할 수 있는 표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 실시예는, 트랜지스터에 포함된 전극 또한 산화구리계 전극으로 대체하여 공정의 편의를 제공하는 효과가 있다.Embodiments of the present invention provide a display device capable of providing cost innovation in a manufacturing process by providing a copper oxide-based electrode having excellent transparency and conductivity, as well as replacing conventional electrode materials and lowering manufacturing costs. It is effective. In addition, the embodiment of the present invention has the effect of providing a convenience of the process by replacing the electrode included in the transistor with a copper oxide-based electrode.
이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the specific content for the practice of the present invention will be described.
도 1은 표시장치의 분해 사시도 이고, 도 2는 에지형 광원의 일 예시도 이다.1 is an exploded perspective view of a display device, and FIG. 2 is an exemplary view of an edge type light source.
도 1에 도시된 바와 같이, 표시장치는 광을 출사하는 광원(171)을 포함할 수 있다. 광원(171)의 경우 예를 들면, 냉음극관 형광램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp: CCFL), 열음극관 형광램프(Hot Cathode Fluorescent Lamp: HCFL), 외부전극 형광램프(External Electrode Fluorescent Lamp: EEFL) 및 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED) 중 어느 하나를 선택할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.As shown in FIG. 1, the display device may include a
또한, 광원(171)은 램프가 일 측면 외측에 위치하는 에지형, 램프가 양쪽 측면에 위치하는 듀얼형, 램프가 직선으로 다수 배열된 직하형 중 어느 하나를 선택할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 이와 같은 광원(171)은 인버터에 연결되어 전원을 공급받아 광을 출사할 수 있다.In addition, the
도 1에 도시된 광원(171)은 직하형을 일례로 나타낸 것이다. 이와는 달리 도 2를 참조하면, 에지형 광원(171)이 도시되어 있다. 도시된 바와 같은 에지형 광원(171)은 일 측면 외측에 램프(171a)와 램프(171a)로부터 출사된 광을 안내하는 도광판(171b)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The
또한, 표시장치는 광원(171)으로부터 출사되는 광을 인도하는 광학필름층(176)을 포함할 수 있다. 광학필름층(176)은 광원(171) 상에 위치하는 확산판(172), 확산시트(173), 광학시트(174) 및 보호시트(175)를 포함할 수 있다.In addition, the display device may include an
광학시트(174)의 경우, 도시된 바와 같이 프리즘 형상일 수 있으나, 렌티큘러 렌즈 또는 마이크로 렌즈 등과 같은 형상으로 위치할 수 있다. 그리고 이러한 광학시트(174)는 비드를 포함할 수도 있다.The
또한, 표시장치는 화상을 표시하는 표시패널(183) 및 광원(171)이 수납되는 상부 케이스(190) 및 하부 케이스(170)를 포함할 수 있다.In addition, the display device may include a
하부 케이스(170)는 광원(171)을 수납할 수 있다. 광원(171) 상에는 표시패널(183)이 일정 간격을 두고 위치할 수 있다. 표시패널(183) 및 광원(171)은 하부 케이스(170)와 체결되는 상부 케이스(190)에 의해 고정 및 보호될 수 있다.The
상부 케이스(190)의 상부 면에는 표시패널(183)의 화상 표시 영역을 노출시키는 개구부가 마련될 수 있다. 그리고 표시패널(183)과 광원(171) 사이에 위치하는 광학필름층(176)의 주변부가 안착 되는 몰드프레임(미도시)이 더 포함될 수도 있다.An opening for exposing an image display area of the
한편, 표시패널(183)은 트랜지스터 어레이가 형성된 제1기판(110)과 컬러필터가 형성된 제2기판(180)이 액정층을 사이에 두고 합착된 구조를 가질 수 있다. 표시패널(183)은 액정층의 구동 모드에 따라 IPS(In-Plane Switching) 모드, VA(Vertical Align) 모드, TN(Twisted Nematic) 모드로 구분될 수 있다.The
이러한 표시패널(183)은 트랜지스터에 의해 독립적으로 구동되는 서브 픽셀이 매트릭스 형태로 배열되고, 서브 픽셀 각각이 공통전극에 공급된 공통 전압과 트랜지스터에 연결된 화소전극에 공급된 데이터 신호와의 차전압에 따라 액정 배열을 제어하여 광 투과율을 조절함으로써 화상을 표시할 수 있다.In the
또한, 표시장치는 표시패널(183)의 제1기판(110)에는 접속된 구동부(189)를 포함할 수 있다. 구동부(189)는 표시패널(183)의 데이터 배선과 스캔 배선을 각각 구동하기 위한 데이터 구동부와 스캔 구동부를 실장하여 제1기판(110)과 일측부가 접속된 다수의 연성필름(120)과, 다수의 연성필름(120)의 타측부와 접속된 외부 회로기판(188)을 포함할 수 있다.In addition, the display device may include a
데이터 구동부와 스캔 구동부를 실장한 연성필름(120)은 COF(Chip On Film)나 TCP(Tape Carrier Package) 방식으로 위치할 수 있다. 그러나 데이터 구동부 또는 스캔 구동부 중 하나 이상은 COG(Chip On Glass) 방식으로 제1기판(110) 상에 직접 실장되거나, 트랜지스터 형성 공정에서 제1기판(110) 상에 형성되어 내장될 수도 있다.The
이하, 본 발명의 실시예에 따른 IPS 모드 표시패널(183)에 대해 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, the IPS
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 IPS 모드 표시패널의 개략적인 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view of an IPS mode display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 표시패널(183)은 제1기판(110)과 제2기판(180)을 포함할 수 있다. 제1기판(110)과 제2기판(180)은 소자를 형성하기 위한 재료로 기계적 강도나 치수 안정성이 우수한 것을 선택할 수 있다. 제1기판(110)과 제2기판(180)의 재료로는, 유리판, 금속판, 세라믹판 또는 플라스틱판(폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 염화비닐 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 불소수지 등) 등을 예로 들 수 있다.Referring to FIG. 3, the
제1기판(110) 상에는 게이트(101)가 위치할 수 있다. 게이트(101)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트(101)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 또한, 게이트(101)는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.The
게이트(101) 상에는 제1절연막(102)이 위치할 수 있다. 제1절연막(102)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first insulating
제1절연막(102) 상에는 액티브층(103)이 위치할 수 있다. 액티브층(103)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 액티브층(103)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 이러한 액티브층(103)은 a-Si 또는 p-Si 등으로 형성될 수 있다.The
액티브층(103) 상에는 전기 접촉저항을 줄이기 위해 오믹콘택층(104)이 위치할 수 있다.The
액티브층(103) 상에는 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 위치할 수 있다. 소오스(105a) 및 드레인(105b)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.The
소오스(105a) 및 드레인(105b) 상에는 제2절연막(106)이 위치할 수 있다. 제 2절연막(106)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2절연막(106)은 보호막일 수 있다.The second
제2절연막(106) 상에는 제2기판(180) 과의 셀갭을 유지할 수 있는 스페이서(116)가 위치할 수 있다. 스페이서(116)는 게이트(101)와 대응하는 제2절연막(106) 상에 위치할 수 있는데, 이 영역은 표시패널(183)의 하부에 위치하는 광원이 출사되지 않는 비 표시 영역에 해당할 수 있다.A
제2절연막(106) 상에는 소오스(105a) 또는 드레인(105b)에 연결되며 산화구리계로 이루어진 화소전극(107)이 위치할 수 있다. 또한, 제2절연막(106) 상에는 화소전극(107)과 이격 배치되며 공통전압 배선에 연결된 공통전극(108)이 위치할 수 있다. 공통전극(108)은 화소전극(107)과 동일한 산화구리계로 이루어질 수 있다.A
여기서, 산화구리계는 CuOx 또는 CuyOx로 이루어질 수 있으며, y는 불순물 원소일 수 있다. 불순물 원소는, 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 몰리(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 은(Ag), 금(Au), 플래티늄(Pt), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 게르마늄(Ge)을 포함할 수 있다.Here, the copper oxide system may be made of CuOx or CuyOx, and y may be an impurity element. Impurity elements include titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), vanadium (V), niobium (Nb), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), tungsten (W), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), palladium (Pd), ruthenium (Ru), iridium (Ir), and germanium (Ge).
화소전극(107) 및 공통전극(108) 중 하나 이상을 산화구리계로 형성하면, 종래 화소전극으로 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)를 대체할 수 있고 제조단가를 낮출 수 있어 공정 측면에 있어서 코스트 이노베이션(cost innovation)을 가능하게 할 수 있다. 산화구리계 전극은 반응성 스퍼터 링(reactive sputtering) 방법에 의해 형성될 수 있다. 산화구리계 전극은 트랜지션 산화물(transition oxide)로써 투과성과 전도성이 비교적 우수하다. 이러한 산화구리계 전극이 제1기판(110) 상에 위치하는 패드부의 노출 영역 표면에 위치하는 경우 보호막으로써의 역할을 할 수도 있다.When at least one of the
한편, 제1기판(110)과 대면하는 제2기판(180) 상에는 비 표시 영역에 블랙매트릭스(111)가 위치할 수 있다. 블랙매트릭스(111)는 검은색 안료가 첨가된 감광성 유기물질로 이루어져 있으며 검은색 안료로는 카본블랙이나 티타늄 옥사이드 등을 사용할 수 있다.On the other hand, the
또한, 제2기판(180) 상에 위치하는 블랙매트릭스(111) 사이에는 적색, 녹색 및 청색을 포함하는 컬러필터(112)가 위치할 수 있다. 컬러필터(112)는 적색, 녹색 및 청색뿐만 아니라 다른 색을 가질 수도 있다.In addition, a
또한, 블랙매트릭스(111) 및 컬러필터(112) 상에는 오버코팅층(113)이 위치할 수 있다. 그러나, 경우에 따라서는 오버코팅층(113)이 생략될 수도 있다.In addition, the
이와 같이 구성된 제1기판(110)과 제2기판(180)은 접착부재(116)에 의해 합착될 수 있으며, 합착된 제1기판(110)과 제2기판(180)에는 IPS 모드 동작 조건에 맞는 액정층(115)이 위치할 수 있다.The
이하, 도 4를 참조하여 도 3의 변형된 실시예에 대해 설명한다. 다만, 설명의 중복을 피하기 위해 도 4와 구분되는 부분에 대해서만 간략히 설명한다.Hereinafter, the modified embodiment of FIG. 3 will be described with reference to FIG. 4. However, in order to avoid duplication of description, only a part separated from FIG. 4 will be briefly described.
도 4는 도 3의 변형된 실시예에 따른 IPS 모드 표시패널의 개략적인 단면도 이다.4 is a schematic cross-sectional view of an IPS mode display panel according to a modified embodiment of FIG. 3.
도 4를 참조하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 IPS 모드 표시패널(183)은 트랜지스터를 구성하는 게이트(101), 소오스(105a) 및 드레인(105b) 중 하나 이상이 구리(Cu)로 이루어질 수 있다. 여기서, 게이트(101), 소오스(105a) 및 드레인(105b) 중 구리(Cu)로 이루어진 전극의 하부에는 확산방지막(109)이 위치할 수 있다. 다만, 본 실시예에서는 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 구리(Cu)로 이루어져 있는 것을 일례로 한다.Referring to FIG. 4, at least one of the
한편, 확산방지막(109)은 몰리(Mo), 몰리 합금(Mo alloy), 티타늄(Ti) 또는 티타늄 합금(Ti alloy) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The
그러나, 재료의 통일에 따른 공정의 편의를 고려했을 때, 확산방지막(109)은 앞서 화소전극(107) 및 공통전극(108)의 재료로 사용되는 산화구리계로 이루어질 수도 있다.However, in consideration of the convenience of the process due to the unification of the materials, the
이하, 본 발명의 실시예에 따른 VA 모드 표시패널(183)에 대해 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, the VA
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 VA 모드 표시패널의 개략적인 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view of a VA mode display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 표시패널(183)은 제1기판(110)과 제2기판(180)을 포함할 수 있다. 제1기판(110)과 제2기판(180)은 소자를 형성하기 위한 재료로 기계적 강도나 치수 안정성이 우수한 것을 선택할 수 있다.Referring to FIG. 5, the
제1기판(110) 상에는 게이트(101)가 위치할 수 있다. 게이트(101)는 몰리브 덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트(101)는 다중층일 수 있다. 또한, 게이트(101)는 2중층일 수 있다.The
게이트(101) 상에는 제1절연막(102)이 위치할 수 있다. 제1절연막(102)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first insulating
제1절연막(102) 상에는 액티브층(103)이 위치할 수 있다. 액티브층(103)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 액티브층(103)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 이러한 액티브층(103)은 a-Si 또는 p-Si 등으로 형성될 수 있다.The
액티브층(103) 상에는 전기 접촉저항을 줄이기 위해 오믹콘택층(104)이 위치할 수 있다.The
액티브층(103) 상에는 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 위치할 수 있다. 소오스(105a) 및 드레인(105b)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.The
소오스(105a) 및 드레인(105b) 상에는 제2절연막(106)이 위치할 수 있다. 제2절연막(106)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2절연막(106)은 보호막일 수 있다.The second
제2절연막(106) 상에는 제2기판(180) 과의 셀갭을 유지할 수 있는 스페이서(116)가 위치할 수 있다. 스페이서(116)는 게이트(101)와 대응하는 제2절연 막(106) 상에 위치할 수 있는데, 이 영역은 표시패널(183)의 하부에 위치하는 광원이 출사되지 않는 비 표시 영역에 해당할 수 있다.A
제2절연막(106) 상에는 소오스(105a) 또는 드레인(105b)에 연결되며 산화구리계로 이루어진 화소전극(107)이 위치할 수 있다.A
한편, 제1기판(110)과 대면하는 제2기판(180) 상에는 비 표시 영역에 블랙매트릭스(111)가 위치할 수 있다. 블랙매트릭스(111)는 검은색 안료가 첨가된 감광성 유기물질로 이루어져 있으며 검은색 안료로는 카본블랙이나 티타늄 옥사이드 등을 사용할 수 있다.On the other hand, the
또한, 제2기판(180) 상에 위치하는 블랙매트릭스(111) 사이에는 적색, 녹색 및 청색을 포함하는 컬러필터(112)가 위치할 수 있다. 컬러필터(112)는 적색, 녹색 및 청색뿐만 아니라 다른 색을 가질 수도 있다.In addition, a
또한, 블랙매트릭스(111) 및 컬러필터(112) 상에는 오버코팅층(113)이 위치할 수 있다. 그러나, 경우에 따라서는 오버코팅층(113)이 생략될 수도 있다.In addition, the
오버코팅층(113) 상에는 화소전극(107)과 대향 배치되며 공통전압 배선에 연결된 공통전극(108)이 위치할 수 있다. 공통전극(108)은 화소전극(107)과 동일한 산화구리계로 이루어질 수 있다.The
한편, 화소전극(107) 및 공통전극(108)을 구성하는 산화구리계는 CuOx 또는 CuyOx로 이루어질 수 있으며, y는 불순물 원소일 수 있다. 불순물 원소는, 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 몰리(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 은(Ag), 금(Au), 플래티 늄(Pt), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 게르마늄(Ge)을 포함할 수 있다.Meanwhile, the copper oxide system constituting the
화소전극(107) 및 공통전극(108) 중 하나 이상을 산화구리계로 형성하면, 종래 화소전극으로 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)를 대체할 수 있고 제조단가를 낮출 수 있어 공정 측면에 있어서 코스트 이노베이션(cost innovation)을 가능하게 할 수 있다. 산화구리계 전극은 반응성 스퍼터링(reactive sputtering) 방법에 의해 형성될 수 있다. 산화구리계 전극은 트랜지션 산화물(transition oxide)로써 투과성과 전도성이 비교적 우수하다. 이러한 산화구리계 전극이 제1기판(110) 상에 위치하는 패드부의 노출 영역 표면에 위치하는 경우 보호막으로써의 역할을 할 수도 있다.When at least one of the
이와 같이 구성된 제1기판(110)과 제2기판(180)은 접착부재(116)에 의해 합착될 수 있으며, 합착된 제1기판(110)과 제2기판(180)에는 VA 모드 동작 조건에 맞는 액정층(115)이 위치할 수 있다.The
이하, 도 6을 참조하여 도 5의 변형된 실시예에 대해 설명한다. 다만, 설명의 중복을 피하기 위해 도 5와 구분되는 부분에 대해서만 간략히 설명한다.Hereinafter, the modified embodiment of FIG. 5 will be described with reference to FIG. 6. However, in order to avoid duplication of description, only a part separated from FIG. 5 will be briefly described.
도 6은 도 5의 변형된 실시예에 따른 VA 모드 표시패널의 개략적인 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view of a VA mode display panel according to the modified embodiment of FIG. 5.
도 6을 참조하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 VA 모드 표시패널(183)은 트랜지스터를 구성하는 게이트(101), 소오스(105a) 및 드레인(105b) 중 하나 이상이 구리(Cu)로 이루어질 수 있다. 여기서, 게이트(101), 소오스(105a) 및 드레 인(105b) 중 구리(Cu)로 이루어진 전극의 하부에는 확산방지막(109)이 위치할 수 있다. 다만, 본 실시예에서는 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 구리(Cu)로 이루어져 있는 것을 일례로 한다.Referring to FIG. 6, in the VA
한편, 확산방지막(109)은 몰리(Mo), 몰리 합금(Mo alloy), 티타늄(Ti) 또는 티타늄 합금(Ti alloy) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The
그러나, 재료의 통일에 따른 공정의 편의를 고려했을 때, 확산방지막(109)은 앞서 화소전극(107) 및 공통전극(108)의 재료로 사용되는 산화구리계로 이루어질 수도 있다.However, in consideration of the convenience of the process due to the unification of the materials, the
이하, 본 발명의 실시예에 따른 TN 모드 표시패널(183)에 대해 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, the TN
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 TN 모드 표시패널의 개략적인 단면도이다.7 is a schematic cross-sectional view of a TN mode display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 표시패널(183)은 제1기판(110)과 제2기판(180)을 포함할 수 있다. 제1기판(110)과 제2기판(180)은 소자를 형성하기 위한 재료로 기계적 강도나 치수 안정성이 우수한 것을 선택할 수 있다.Referring to FIG. 7, the
제1기판(110) 상에는 게이트(101)가 위치할 수 있다. 게이트(101)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트(101)는 다중층일 수 있다. 또한, 게이트(101)는 2중층일 수 있다.The
게이트(101) 상에는 제1절연막(102)이 위치할 수 있다. 제1절연막(102)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first insulating
제1절연막(102) 상에는 액티브층(103)이 위치할 수 있다. 액티브층(103)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 액티브층(103)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 이러한 액티브층(103)은 a-Si 또는 p-Si 등으로 형성될 수 있다.The
액티브층(103) 상에는 전기 접촉저항을 줄이기 위해 오믹콘택층(104)이 위치할 수 있다.The
액티브층(103) 상에는 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 위치할 수 있다. 소오스(105a) 및 드레인(105b)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.The
소오스(105a) 및 드레인(105b) 상에는 제2절연막(106)이 위치할 수 있다. 제2절연막(106)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2절연막(106)은 보호막일 수 있다.The second
제2절연막(106) 상에는 제2기판(180) 과의 셀갭을 유지할 수 있는 스페이서(116)가 위치할 수 있다. 스페이서(116)는 게이트(101)와 대응하는 제2절연막(106) 상에 위치할 수 있는데, 이 영역은 표시패널(183)의 하부에 위치하는 광원이 출사되지 않는 비 표시 영역에 해당할 수 있다.A
제2절연막(106) 상에는 소오스(105a) 또는 드레인(105b)에 연결되며 산화구리계로 이루어진 화소전극(107)이 위치할 수 있다.A
한편, 제1기판(110)과 대면하는 제2기판(180) 상에는 비 표시 영역에 블랙매트릭스(111)가 위치할 수 있다. 블랙매트릭스(111)는 검은색 안료가 첨가된 감광성 유기물질로 이루어져 있으며 검은색 안료로는 카본블랙이나 티타늄 옥사이드 등을 사용할 수 있다.On the other hand, the
또한, 제2기판(180) 상에 위치하는 블랙매트릭스(111) 사이에는 적색, 녹색 및 청색을 포함하는 컬러필터(112)가 위치할 수 있다. 컬러필터(112)는 적색, 녹색 및 청색뿐만 아니라 다른 색을 가질 수도 있다.In addition, a
또한, 블랙매트릭스(111) 및 컬러필터(112) 상에는 오버코팅층(113)이 위치할 수 있다. 그러나, 경우에 따라서는 오버코팅층(113)이 생략될 수도 있다.In addition, the
오버코팅층(113) 상에는 화소전극(107)과 대향 배치되며 공통전압 배선에 연결된 공통전극(108)이 위치할 수 있다. 공통전극(108)은 화소전극(107)과 동일한 산화구리계로 이루어질 수 있다.The
한편, 화소전극(107) 및 공통전극(108)을 구성하는 산화구리계는 CuOx 또는 CuyOx로 이루어질 수 있으며, y는 불순물 원소일 수 있다. 불순물 원소는, 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 몰리(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 은(Ag), 금(Au), 플래티늄(Pt), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 게르마늄(Ge)을 포함할 수 있다.Meanwhile, the copper oxide system constituting the
화소전극(107) 및 공통전극(108) 중 하나 이상을 산화구리계로 형성하면, 종래 화소전극으로 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)를 대체할 수 있고 제조단가를 낮출 수 있어 공정 측면에 있어서 코스트 이노베이 션(cost innovation)을 가능하게 할 수 있다. 산화구리계 전극은 반응성 스퍼터링(reactive sputtering) 방법에 의해 형성될 수 있다. 산화구리계 전극은 트랜지션 산화물(transition oxide)로써 투과성과 전도성이 비교적 우수하다. 이러한 산화구리계 전극이 제1기판(110) 상에 위치하는 패드부의 노출 영역 표면에 위치하는 경우 보호막으로써의 역할을 할 수도 있다.When at least one of the
이와 같이 구성된 제1기판(110)과 제2기판(180)은 접착부재(116)에 의해 합착될 수 있으며, 합착된 제1기판(110)과 제2기판(180)에는 TN 모드 동작 조건에 맞는 액정층(115)이 위치할 수 있다.The
이하, 도 8을 참조하여 도 7의 변형된 실시예에 대해 설명한다. 다만, 설명의 중복을 피하기 위해 도 7과 구분되는 부분에 대해서만 간략히 설명한다.Hereinafter, the modified embodiment of FIG. 7 will be described with reference to FIG. 8. However, in order to avoid duplication of description, only a part separated from FIG. 7 will be briefly described.
도 8은 도 7의 변형된 실시예에 따른 TN 모드 표시패널의 개략적인 단면도이다.FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a TN mode display panel according to the modified embodiment of FIG. 7.
도 8을 참조하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 TN 모드 표시패널(183)은 트랜지스터를 구성하는 게이트(101), 소오스(105a) 및 드레인(105b) 중 하나 이상이 구리(Cu)로 이루어질 수 있다. 여기서, 게이트(101), 소오스(105a) 및 드레인(105b) 중 구리(Cu)로 이루어진 전극의 하부에는 확산방지막(109)이 위치할 수 있다. 다만, 본 실시예에서는 소오스(105a) 및 드레인(105b)이 구리(Cu)로 이루어져 있는 것을 일례로 한다.Referring to FIG. 8, at least one of the
한편, 확산방지막(109)은 몰리(Mo), 몰리 합금(Mo alloy), 티타늄(Ti) 또는 티타늄 합금(Ti alloy) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The
그러나, 재료의 통일에 따른 공정의 편의를 고려했을 때, 확산방지막(109)은 앞서 화소전극(107) 및 공통전극(108)의 재료로 사용되는 산화구리계로 이루어질 수도 있다.However, in consideration of the convenience of the process due to the unification of the materials, the
한편, 본 발명의 실시예는 표시장치가 액정표시장치인 것을 일례로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 유기전계발광표시장치에도 적용 가능하다.On the other hand, the embodiment of the present invention has been described as an example that the display device is a liquid crystal display device, the present invention is not limited to this, it is applicable to an organic light emitting display device.
일례로, 유기전계발광표시장치의 표시패널에 매트릭스형태로 배치된 서브 픽셀에 포함된 유기 발광다이오드가 화소전극(캐소드), 유기 발광층 및 공통전극(애노드) 형태로 형성된 인버티드 구조일 때, 화소전극을 산화구리계 전극으로 대체하면 종래 화소전극의 하부에 형성된 보조전극이나 반사전극을 생략할 수도 있다.For example, when an organic light emitting diode included in a subpixel arranged in a matrix form on a display panel of an organic light emitting display device has an inverted structure formed in the form of a pixel electrode (cathode), an organic light emitting layer, and a common electrode (anode), a pixel If the electrode is replaced with a copper oxide-based electrode, an auxiliary electrode or a reflective electrode formed under the conventional pixel electrode may be omitted.
이상 본 발명의 실시예는, 산화구리계 전극을 제공하여 종래 전극 재료를 대체함은 물론 제조단가를 낮춰 제조공정에 코스트 이노베이션(cost innovation)을 가능하게 할 수 있는 표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 실시예는, 트랜지스터에 포함된 전극 또한 산화구리계 전극으로 대체하여 공정의 편의를 제공하는 효과가 있다.Embodiments of the present invention have the effect of providing a display device capable of providing cost innovation in a manufacturing process by providing a copper oxide electrode and replacing a conventional electrode material as well as lowering manufacturing costs. . In addition, the embodiment of the present invention has the effect of providing a convenience of the process by replacing the electrode included in the transistor with a copper oxide-based electrode.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다 는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the technical configuration of the present invention described above may be modified in other specific forms by those skilled in the art to which the present invention pertains without changing its technical spirit or essential features. It will be appreciated that it may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is shown by the claims below, rather than the above detailed description. Also, it is to be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention.
도 1은 표시장치의 분해 사시도.1 is an exploded perspective view of a display device;
도 2는 에지형 광원의 일 예시도.2 is an exemplary view of an edge type light source.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 IPS 모드 표시패널의 개략적인 단면도.3 is a schematic cross-sectional view of an IPS mode display panel according to an embodiment of the present invention.
도 4는 도 3의 변형된 실시예에 따른 IPS 모드 표시패널의 개략적인 단면도.4 is a schematic cross-sectional view of an IPS mode display panel according to a modified embodiment of FIG. 3.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 VA 모드 표시패널의 개략적인 단면도.5 is a schematic cross-sectional view of a VA mode display panel according to an embodiment of the present invention.
도 6은 도 5의 변형된 실시예에 따른 VA 모드 표시패널의 개략적인 단면도.6 is a schematic cross-sectional view of a VA mode display panel according to the modified embodiment of FIG. 5.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 TN 모드 표시패널의 개략적인 단면도.7 is a schematic cross-sectional view of a TN mode display panel according to an embodiment of the present invention.
도 8은 도 7의 변형된 실시예에 따른 TN 모드 표시패널의 개략적인 단면도.FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a TN mode display panel according to the modified embodiment of FIG. 7.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>
110: 제1기판 101: 게이트110: first substrate 101: gate
103: 액티브층 104: 오믹콘택층103: active layer 104: ohmic contact layer
105a: 소오스 105b: 드레인105a:
107: 화소전극 108: 공통전극107: pixel electrode 108: common electrode
111: 블랙매트릭스 112: 컬러필터111: black matrix 112: color filter
113: 오버코팅층 115: 액정층113: overcoat layer 115: liquid crystal layer
116: 스페이서 180: 제2기판116: spacer 180: second substrate
Claims (8)
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