KR20100013082A - 반도체 제조설비 - Google Patents

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KR20100013082A
KR20100013082A KR1020080074593A KR20080074593A KR20100013082A KR 20100013082 A KR20100013082 A KR 20100013082A KR 1020080074593 A KR1020080074593 A KR 1020080074593A KR 20080074593 A KR20080074593 A KR 20080074593A KR 20100013082 A KR20100013082 A KR 20100013082A
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 웨이퍼 세정장치를 개시한다. 그의 장치는 외부로부터 독립된 공간을 제공하는 챔버내에서 발생되는 플라즈마 반응에 윈도우를 국부적으로 노출시키고 상기 윈도우를 회전시키도록 형성하여 플라즈마 반응에 의해 상기 윈도우가 오염됨에 따라 수행되는 예방정비 주기를 증가시킬 수 있기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.
전극, 척(chuck), 윈도우, 광섬유, 어답터(adaptor)

Description

반도체 제조설비{Equipment for fabricating semiconductor devices}
본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 자세하게는 웨이퍼의 식각 공정에 사용되는 반도체 제조설비에 관한 것이다.
최근, 반도체 장치는 고도로 집적화되어 가고 있는 실정이다. 집적화에 추세에 따라 반도체 제조 공정의 미세한 변화도 반도체 장치의 성능에 크게 영향을 주게 되었다. 따라서, 최적의 공정 파라미터 관리가 생산수율에 중요하게 작용하고 있는 실정이다.
반도체 제조공정은 혼합 화합물을 대부분 균일한 조성물을 만들기 위해 챔버 내부에서 상기 혼합 화합물의 플라즈마 반응을 유도하여 진행되고 있다. 플라즈마 반응은 제조공정의 시간을 단축시킬 수 있을 뿐만 아니라, 주어지는 입력값에 따라 제어가 용이하게 이루어지는 장점을 가지고 있다.
플라즈마 반응은 식각 공정에서 어스펙트레이시오(aspect ratio)를 증가시키기 위해서는 건식 식각 공정에서 필수적으로 사용되는 중요한 것이다. 또한, 플라 즈마 반응을 통해 방출되는 적외선 영역의 빛으로부터 해당 박막의 식각 종말점(end point)을 검출할 수도 있다. 따라서, 식각 종말점 검출기는 건식 식각 공정이 이루어지는 챔버 내부에서 방출되는 적외선 영역의 빛을 검출토록 형성되어 있다.
종래 기술에 따른 반도체 제조설비는 챔버의 측벽에 형성된 뷰포트에 체결되는 윈도우를 통해 광섬유가 직접적으로 연결되도록 형성되어 있다. 그러나, 플라즈마 반응에 윈도우의 전면이 노출되어 상기 윈도우의 오염에 따른 예방정비 주기가 줄어들고 있는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 윈도우 오염에 따른 예방정비의 주기를 증가시켜 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조설비를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 윈도우의 전면을 플라즈마 반응에 노출시키지 않고 국부적으로 노출시켜 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조설비를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태에 따른 웨이퍼 세정장치는, 외부로부터 독립된 공간을 제공하는 챔버와; 상기 챔버의 상단에 형성된 상부 전극과; 상기 상부 전극에 대향되는 상기 챔버의 하단에 형성된 하부 전극과; 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 사이의 상기 챔버의 측벽에 형성된 뷰포트를 통해 상기 챔버의 내부에서 발생되는 플라즈마 반응의 빛을 투과시키는 윈도우와; 상기 윈도우에 노출되는 상기 빛이 통과되는 영역을 정의하면서 상기 뷰포트를 밀봉시키는 어답터와; 상기 어답터에 결합되면서 상기 윈도우에서 투과되는 상기 적외선 영역의 빛을 수집하도록 형성된 광섬유를 구비한 식각 종말점 검출기를 포함함을 특징으로 한다.
여기서, 상기 아답터는, 상기 윈도우의 전단에서 상기 적외선 영역의 빛을 통과시키는 개구홀이 형성된 프론트 캡과, 상기 윈도우를 사이에 두고 프론트 캡에 대향되도록 형성된 미들 인서트와, 상기 미들 인서트의 후단에서 상기 뷰포트를 밀봉시키는 엔드 캡을 포함함이 바람직하다.
상기한 바와 같은 본 발명의 실시 예적 구성에 따르면, 챔버의 측벽에 형성된 뷰포트에서 윈도우에 플라즈마 반응을 국부적으로 노출시키는 어답터를 이용하여 윈도우의 오염을 지연시키고 예방정비의 주기를 증가시킬 수 있기 때문에 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.
또한, 어답터에서 윈도우를 회전시킴에 따라 윈도우가 전체적으로 오염되는 것을 방지토록 할 수 있기 때문에 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 는 효과가 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조설비를 자세하게 설명하기로 한다. 이하의 실시예에서 많은 특정 상세 내용들이 도면을 따라 예를 들어 설명되고 있지만, 이는 본 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 보다 철저한 이해를 돕기 위한 의도 이외에는 다른 의도 없이 설명되었음을 주목(note)하여야 한다. 그렇지만, 본 발명이 이들 특정한 상세 내용들 없이도 실시될 수 있을 것임은 본 분야의 숙련된 자들에 의해 이해될 수 있을 것이다. 공지의 이미지 내에서 나타나는 패턴의 임계치수를 평가하는 방법에 대해서는 본 발명의 요지를 흐리지 않도록 하기 위해 상세히 설명되지 않는다.
우선, 후술되는 본 발명의 실시 예에 대한 기능 및 동작이 보다 철저히 이해되도록 하기 위해, 1 내지 도 8b를 참조하여, 보다 구체적으로 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조설비를 나타낸 다이아 그램이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조설비(10)는 챔버(20)의 내부에서 발생되는 플라즈마 반응으로부터 발생되는 적외선 영역의 빛을 검출하는 식각 종말점 검출기(62)의 광섬유(64)가 상기 챔버(20)의 측벽에 형성된 윈도우(60)에 근접하도록 형성되며, 상기 윈도우(60)가 어답터(70)에 의해 회전되면서 상기 플라즈마 반응에 국부적으로 노출되도록 형성되어 있다.
여기서, 식각 종말점 검출기(62)는 챔버(20) 내에서 식각 공정이 이루어지는 웨이퍼(40) 상의 박막이 희망하는 수준으로 식각되었는지를 검출하는 장치이다. 따라서, 식각 종말 검출기(62)는 챔버(20) 내부에서 유도되는 플라즈마 반응을 통해 방출되는 적외선 영역의 빛이 변화되는 것을 검출하여 해당 박막의 식각이 완료되었는지를 검출할 수 있다.
예컨대, 실리콘 질화막으로 이루어진 에치스토퍼(etch stoper)층 상에 형성된 실리콘 산화막을 제거하고자 할 경우, 식각 종말점 검출기(62)는 식각 초기에 마스크 패턴에 가려진 실리콘 산화막에서 방출되는 파장이 큰 적외선 영역의 빛을 검출하고 있다. 이후, 실리콘 산화막이 제거되고, 실리콘 질화막이 노출되면서 파장이 작은 적외선 영역의 빛을 검출하여 상기 실리콘 산화막의 식각이 종료되었음을 간접적으로 검출 할 수 있다.
식각 종말점 검출기(62)는 챔버(20)의 외부에서 별도로 구성되어 있기 때문에 광섬유(64)를 통해 챔버(20) 내부에서 발생되는 적외선 영역의 빛을 전달받을 수 있다. 광섬유(64)는 챔버(20) 측벽에 형성된 뷰포트의 내부에 형성된 윈도우(60)를 통해 상기 챔버(20) 내부에서 발생되는 플라즈마 반응으로부터의 적외선 영역의 빛을 전달받을 수 있다.
플라즈마 반응은 웨이퍼(40) 상부로 유동되는 반응 가스를 상부 전극(30) 및 하부 전극(32)에 인가되는 고주파 파워에 의해 발생될 수 있다. 상부 전극(30)은 웨이퍼(40) 상으로 유동되는 반응 가스를 여기시키는 고주파 파워가 인가되거나, 접지되어 있다. 도시되지는 않았지만, 상부 전극(30)은 챔버(20) 외부의 반응 가스 공급부에서 공급되는 반응 가스를 상기 챔버(20)의 내부에서 토출시키는 샤워헤드 의 내부 또는 외부에서 형성되어 있다.
상부 전극(30)에 대향되는 챔버(20) 하단에 형성된 하부 전극(32)은 정전척(50)의 내부에서 고주파 파워가 인가되어 상기 웨이퍼(40) 상으로 유동되는 반응 가스를 플라즈마 상태로 여기시키고, 상기 플라즈마 상태의 반응 가스를 웨이퍼(40) 표면의 수직 방향으로 집중시키도록 형성되어 있다. 도시되는 않았지만, 상부 전극(30)과 하부 전극(32)사이의 주변을 둘러싸면서 상기 플라즈마 반응의 영역을 정의하는 컨파인먼트 링이 형성되어 있다.
정전척(50)은 식각 공정 중에 웨이퍼(40)를 존슨-라벡 효과를 이용하여 정전기적으로 고정시키도록 형성되어 있다. 예컨대, 존슨-라벡 효과는 전도성 물질을 연마한 유전판과 인접한 금속 판이 고전압이 가해진 상태에서 단단하게 결합하는 현상으로 발견되었다. 전하가 없는 상태에서는 이러한 결합이 쉽게 끊어진다. 이 현상은 몇몇 점에서 약한 전도성 물질과 금속이 접촉하기 때문에 일어나는 것이다. 이는 전이 영역에서의 저항은 크고, 금속판의 횡단면 사이와 금속판 자체 내에서의 저항력은 작기 때문에 발생한다. 따라서 금속과 물체 사이의 전이 공간에 조금이라도 전기장이 존재한다면, 큰 전압이 발생한다. 금속과 물체사이의 거리는 거의 1nm정도로 작기 때문에, 이 공간 사이로 큰 전압이 발생하는 것이다. 상기 정전척(50)은 상기 존슨-라벡 효과에 의해 유도되는 정전력을 이용해 웨이퍼(40)와 접촉하지 않고도 웨이퍼(40)를 착탈할 수 있는 소모성 부분이다.
따라서, 챔버(20)는 이들의 외곽을 둘러싸며 내부에서 반도체 제조공정이 이루어질 수 있도록 독립된 공간을 제공하도록 형성되어 있다. 또한, 챔버(20)의 측 벽에는 내부의 플라즈마 반응을 작업자가 유관으로 확인할 수 있도록 적어도 하나 이상의 뷰포트(도 2a의 22)가 형성되어 있다.
또한, 윈도우(60)는 챔버(20)의 뷰포트를 차폐시키는 어답터(70)에 의해 매립되어 있으며, 상기 어답터(70) 내에서 적외선 영역의 빛을 국부적으로 통과시키도록 형성되어 있다. 즉, 광섬유(64)에 인접하는 윈도우(60)의 일부분만이 플라즈마 반응에 국부적으로 노출되어 있다. 왜냐하면, 챔버(20)의 뷰포트(22) 내부에서 윈도우(60)의 전면이 플라즈마 반응에 그대로 노출될 경우, 윈도우(60)의 오염에 따른 예방정비의 주기가 짧아질 수 있기 때문이다.
도 2a 및 도 2b는 종래의 반도체 제조설비(10)의 문제점을 보여주는 사시도 및 단면도로서, 종래의 반도체 제조설비(10)는 플라즈마 반응에 전면이 노출되는 윈도우(60)가 챔버(20)의 측벽에 형성된 뷰포트(22)를 밀폐시키면서 가로막히도록 형성되어 있다. 또한, 윈도우(60)의 후단에서 엔드 캡(76)이 광섬유(64)를 고정시키도록 형성되어 있다.
여기서, 윈도우(60)는 플라즈마 반응으로부터 발생되는 적외선 영역의 빛을 투과시키는 사파이어, 실리콘, 퀄츠 재질로 형성되어 있다. 윈도우(60)에 투과되는 적외선 영역의 대부분은 엔드 캡(76)에 의해 차폐되고 있고 일부분만이 광섬유(64)로 전달되도록 형성되어 있다. 따라서, 윈도우(60)는 광섬유(64)로 빛을 전달하는 부분이외에도 필요이상으로 플라즈마 반응에 노출되어 있다.
윈도우(60)는 플라즈마 반응에 노출된 시간이 증가됨에 따라 반응 가스 또는 폴리머 성분에 의해 누적되어 오염될 수 있다. 참조 번호 71은 윈도우(60)를 밀폐 시키는 오링이다.
도 3 및 도 4는 도 2a 및 도 2b의 반도체 제조설비(10)에서 검출되는 스펙트럼 시그널의 시간에 따른 변화를 보여주는 그래프이다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 제조설비(10)는 가동 시간이 증가됨에 따라 식각 종말점 검출기(62)를 통해 검출되는 스펙트럼 인텐서티가 줄어들고 있음을 알 수 있다.
여기서, 도 3의 가로축은 스펙트럼 파장 대역을 나타내고, 세로축은 각 파장대별로 검출되는 스펙트럼 인텐서티를 나타내고 있다. 예컨대, 3월 35일 스펙트럼 인텐서티가 낮아 예방정비를 마친 후 3월 26일 새로이 제일 높은 스펙트럼 인텐서티가 검출될 수 있다. 또한, 3월 28일부터 4월 4일까지 누적가동시간이 증가됨에 따라 스펙트럼 인텐서티가 순차적으로 낮아짐을 보이고 있다. 따라서, 반도체 제조설비(10)의 누적 가동시간이 증가됨에 따라 윈도우(60)가 플라즈마 반응에 노출됨에 따라 윈도우(60) 오염에 의해 스펙트럼 인텐서티가 낮아짐을 알 수 있다.
또한, 도 4의 가로축은 가동시간을 나타내고, 세로축은 인텐서티를 일반화(normalized) 하여 나타낸 값이다. 예컨대, 반도체 제조설비(10)의 예방정비 직후부터 가동시간이 증가함에 따라 스펙트럼 인텐서티가 계속하여 줄어들고 있다. 윈도우(60)의 오염이 발생됨에 따라 387nm 보다 283nm의 파장을 갖는 빛의 검출에서 더 많은 스펙트럼 인텐서티가 현격하게 줄어들고 있음을 알 수 있다. 종래 기술에 따른 반도체 제조설비(10)는 챔버(20) 측벽에 형성된 뷰포트(22)를 밀폐시키도록 형성된 윈도우(60) 전체가 플라즈마 반응에 노출됨에 따라 상기 윈도우(60)의 오염에 따른 예방정비의 주기가 짧아져야만 한다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비(10)는 뷰포트(22) 내에 형성된 윈도우(60)를 플라즈마 반응에 부분적으로 노출시키면서 누적 가동시간이 증가됨에 따라 상기 플라즈마 반응에 노출되는 부분을 변화시키도록 형성되어 있다. 예컨대, 윈도우(60)를 뷰포트(22) 내에서 회전시키면서 상기 뷰포트(22)를 밀폐시키는 어답터(70)를 통해 상기 윈도우(60)가 플라즈마 반응에 노출되는 부분을 제한시킬 수 있다. 따라서, 플라즈마 반응에 윈도우(60)가 국부적으로 노출되면서 뷰포트(22)를 밀폐시키도록 형성된 어답터(70)가 윈도우(60)를 회전시키는 방법에 대해 실시 예를 들어 설명하기로 한다.
도 5a 및 도 5b는 도 1에서 제시된 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 어답터(70)를 나타내는 사시도 및 단면도이고, 도 6은 도 5a 및 도 5b의 어답터(70)를 분해하여 나타낸 분해 단면도이다.
도 5a 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 어답터(70)는 엔드 캡(76)을 이용하여 뷰포트(22)를 밀봉시키면서 상기 엔드 캡(76) 내부에 윈도우(60) 및 상기 윈도우(60)를 회전시키는 회전체(80)와 상기 윈도우(60)에 플라즈마 반응을 국부적으로 노출시키는 프론트 캡(72)을 포함하여 이루어진다.
여기서, 프론트 캡(72)은 뷰포트(22)의 대부분을 차폐하면서 엔드 캡(76)에 고정되는 광섬유(64)에 대응되는 국부적인 부분으로 플라즈마 반응의 빛을 통과시키는 개구홀(90)이 형성되어 있다. 예컨대, 개구홀(90)은 광섬유(64)와 동일 또는 유사한 단면을 갖도록 형성된다. 또한, 프론트 캡(72)은 대부분의 플라즈마 반응의 빛을 흡수하는 흑색으로 형성되어 있다. 프론트 캡(72)은 챔버(20)의 뷰포트(22)와 채결되는 부분에서 제 1 오링(71)이 결합되도록 형성되어 있다. 제 1 오링(71)은 뷰포트(22)와 프론트 캡(72)사이의 유격된 부분에 삽입되어 상기 프론트 캡(72)이 고정되도록 할 수 있다.
프론트 캡(72) 내부에 윈도우(60)가 삽입되고 미들 인서트(74)가 상기 윈도우(60)를 상기 프론트 캡(72)으로 밀착시키도록 형성되어 있다. 윈도우(60)는 프론트 캡(72)과 미들 인서트(74)사이에서 자유롭게 회전될 수 있도록 형성되어 있다. 따라서, 윈도우(60)는 일정 가동시간이 경과되면 프론트캡의 개구홀(90)에 노출되는 부분을 달리하여 회전되도록 형성되어 있다.
미들 인서트(74)를 관통하여 윈도우(60)의 회전축(81)이 형성되어 있고, 상기 회전축(81)은 상기 미들 인서트(74)와 엔드 캡(76)사이에 형성된 회전체(80)에 연결되어 있다. 상기 회전체(80)는 외부에서 엔드 캡(76)의 내부로 연결되는 전원인입선(84)에서 인가되는 전원을 공급받아 회전동력을 생성시키는 모터로 이루어진다. 예컨대, 모터는 윈도우(60)를 소정의 방위각으로 회전시키는 스탭핑 모터를 포함하여 이루어진다. 모터는 뷰포트(22)의 중심에 형성되어 있다.
엔드 캡(76)은 뷰포트(22)에 제 2 오링(75)을 개재하여 밀봉시키도록 형성되어 있으며, 광섬유(64) 및 전원인입선(84)을 내부로 통과시키도록 형성되어 있다. 이때, 광섬유(64)가 통과되는 부분을 밀봉하기 위해 제 3 오링(77)과 함께 라인 캡(78)이 형성되어 있다. 광섬유(64)는 중심부에는 굴절률이 높은 유리, 바깥 부분은 굴절률이 낮은 유리를 사용하여 중심부 유리를 통과하는 빛이 전반사가 일어나 도록 한 광학적 섬유이다. 에너지 손실이 매우 적어 송수신하는 데이터의 손실률도 낮고 외부의 영향을 거의 받지 않는다는 장점이 있다. 또한, 광섬유(64)는 캡링의 후단에서 피복에 의해 커버링되어 외부의 영향으로부터의 영향을 배재토록 할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 어답터(70)는 프론트 캡(72)과 미들 인서트(74) 사이에 형성된 윈도우(60)를 회전시키는 회전축(81)이 상기 미들 인서트(74)에 관통되면서 회전체(80)에 직접연결됨에 따라 상기 회전체(80)가 상기 윈도우(60)를 직접적으로 회전시키도록 형성되어 있다.
도 7a 및 도 7b는 도 1에서 제시된 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 어답터(70)를 나타내는 사시도 및 단면도이고, 도 8은 도 7a 및 도 7b의 어답터(70)를 분해하여 나타낸 분해 단면도이다.
도 7a 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 어답터(70)는 상기 미들 인서트(74)와 엔드 캡(76) 사이에 형성된 회전체(80)에서 회전되는 영구자석(83, 85)으로 프론트 캡(72)과 미들 인서트(74) 사이에 형성된 윈도우(60)를 간접적으로 회전시키도록 형성되어 있다.
여기서, 영구자석(83, 85)은 강한 자화상태를 오래 보존하는 자석으로 외부로부터 전기에너지를 공급받지 않아도 자성을 안정되게 유지하는 것으로서, 미들 인서트(74)의 내부에서 회전체(80)에 의해 회전되는 제 1 영구자석(83)과, 상기 제 1 영구자석(83)과 반대되는 극성을 갖고 윈도우(60)에 형성된 제 2 영구자석(85)을 포함하여 이루어진다.
따라서, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 어답터(70)는 미들 인서트(74)를 중심으로 양측의 회전체(80)와 윈도우(60)에 각각 형성된 제 1 영구자석(83) 및 제 2 영구자석(85)을 이용하여 상기 윈도우(60)를 간접적으로 회전시키도록 형성되어 있다.
윈도우(60)의 전면에는 프론트 캡(72)이 형성되어 있다. 상술한 바와 같이, 프론트 캡(72)은 뷰포트(22)의 대부분을 차폐하면서 엔드 캡(76)에 고정되는 광섬유(64)에 대응되는 국부적인 부분으로 플라즈마 반응의 빛을 통과시키는 개구홀(90)이 형성되어 있다. 프론트 캡(72)은 챔버(20)의 뷰포트(22)와 채결되는 부분에서 제 1 오링(71)이 결합되도록 형성되어 있다.
또한, 프론트 캡(72) 내부에 윈도우(60)가 삽입되고 미들 인서트(74)가 상기 윈도우(60)를 상기 프론트 캡(72)으로 밀착시키도록 형성되어 있다. 윈도우(60)는 프론트 캡(72)과 미들 인서트(74)사이에서 회전체(80)에 형성된 제 1 영구자석(83)과 함께 제 2 영구자석(85)이 회전됨으로서 자유롭게 회전될 수 있도록 형성되어 있다. 따라서, 윈도우(60)는 일정 가동시간이 경과되면 프론트 캡(72)의 개구홀(90)에 노출되는 부분을 달리하여 회전되도록 형성되어 있다.
또한, 프론트 캡(72)에 대향되는 윈도우(60)의 후단에 미들 인서트(74)가 형성되어 있다. 미들 인서트(74)는 윈도우(60)와 회전체(80)를 독립시키도록 형성되어 있다. 즉, 제 1 영구자석(83) 및 제 2 영구자석(85)이 미들 인서트(74)에 의해 공간적으로 서로 분리되어 있다. 회전체(80)는 외부에서 엔드 캡(76)의 내부로 연결되는 전원인입선(84)에서 인가되는 전원을 공급받아 회전동력을 생성시키는 모터 로 이루어진다. 모터는 윈도우(60)를 소정의 방위각으로 회전시키는 스탭핑 모터를 포함하여 이루어진다.
엔드 캡(76)은 뷰포트(22)에 제 2 오링(75)을 개재하여 밀봉시키도록 형성되어 있으며, 광섬유(64) 및 전원인입선(84)을 내부로 통과시키도록 형성되어 있다. 이때, 광섬유(64)가 통과되는 부분을 밀봉하기 위해 제 3 오링(77)과 함께 라인 캡(78)이 형성되어 있다. 광섬유(64)는 캡링의 후단에서 피복에 의해 커버링되어 외부의 영향으로부터의 영향을 배재토록 할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 어답터(70)는 프론트 캡(72)과 미들 인서트(74) 사이에 형성된 윈도우(60)과 상기 윈도우(60)를 회전시키는 회전체(80)가 상기 미들 인서트(74)를 사이에 두고 분리되어 회전되는 영구자석(83, 85)을 이용하여 상기 윈도우(60)를 간접적으로 회전시키도록 형성되어 있다.
상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다.
그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조설비를 나타낸 다이아 그램.
도 2a 및 도 2b는 종래의 반도체 제조설비의 문제점을 보여주는 사시도 및 단면도.
도 3 및 도 4는 도 2a 및 도 2b의 반도체 제조설비에서 검출되는 스펙트럼 시그널의 시간에 따른 변화를 보여주는 그래프.
도 5a 및 도 5b는 도 1에서 제시된 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 어답터를 나타내는 사시도 및 단면도.
도 6은 도 5a 및 도 5b의 어답터를 분해하여 나타낸 분해 단면도.
도 7a 및 도 7b는 도 1에서 제시된 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 어답터를 나타내는 사시도 및 단면도.
도 8은 도 7a 및 도 7b의 어답터를 분해하여 나타낸 분해 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 반도체 제조설비 20 : 챔버
30 : 상부 전극 40 : 웨이퍼
50 : 하부 전극 60 : 윈도우
70 : 어답터 80 : 회전체
90 : 개구홀

Claims (10)

  1. 외부로부터 독립된 공간을 제공하는 챔버와;
    상기 챔버의 상단에 형성된 상부 전극과;
    상기 상부 전극에 대향되는 상기 챔버의 하단에 형성된 하부 전극과;
    상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 사이의 상기 챔버의 측벽에 형성된 뷰포트를 통해 상기 챔버의 내부에서 발생되는 플라즈마 반응의 빛을 투과시키는 윈도우와;
    상기 윈도우에 노출되는 상기 빛이 통과되는 영역을 정의하면서 상기 뷰포트를 밀봉시키는 어답터와;
    상기 어답터에 결합되면서 상기 윈도우에서 투과되는 상기 적외선 영역의 빛을 수집하도록 형성된 광섬유를 구비한 식각 종말점 검출기를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 아답터는,
    상기 윈도우의 전단에서 상기 적외선 영역의 빛을 통과시키는 개구홀이 형성된 프론트 캡과, 상기 윈도우를 사이에 두고 프론트 캡에 대향되도록 형성된 미들 인서트와, 상기 미들 인서트의 후단에서 상기 뷰포트를 밀봉시키는 엔드 캡을 포함 함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 미들 인서트와 상기 엔드 캡사이에서 상기 윈도우를 일방향으로 회전시키는 회전체를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 회전체는 외부에서 인가되는 전원전압에 의해 회전되는 모터를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 모터는 스텝핑 모터를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 회전체는 회전축이 상기 미들 인서트를 통과하여 상기 윈도우의 중심이 연결되도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 회전체는 영구자석을 이용하여 상기 윈도우를 회전시키도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 영구자석은 상기 회전체에 형성된 제 1 영구자석과, 상기 윈도우에 형성된 제 2 영구자석을 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 어답터는 상기 프론트 캡과 상기 뷰포트사이에 형성된 제 1 오링과, 상기 엔드캡과 상기 뷰포트사이에 형성된 제 2 오링을 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 엔드 캡은 광섬유를 통과시키는 부분을 밀봉하는 제 3 오링과, 라인 캡 을 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101103388B1 (ko) * 2010-12-22 2012-01-05 에버에스티 주식회사 블록형 합성목재 난간대
KR101410296B1 (ko) * 2013-04-18 2014-06-20 주식회사 나노텍 반도체 공정용 윈도우 오염 지연 장치
KR20160064401A (ko) * 2014-11-28 2016-06-08 주식회사 에스에프에이 하향식 기판 에칭 장치
KR20220123922A (ko) 2021-03-02 2022-09-13 주식회사 에스에프에이 하향식 기판 레이저 에칭 장치

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