KR20100009861A - Method for plating substrate - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for plating a substrate is provided to form a plating layer on the substrate by successively dipping a plurality of basses. CONSTITUTION: It is decided that a substrate is loaded on a first rack(S100). It is decided that the substrate is loaded on a second rack dipped in a plating bath(S200). It is decided that a target location of the first track is seed bass, if the substrate is not loaded on the first and second rack(S300). If the target location of the first track is seed bass, the target location of the first track is changed to the bass near the plating bath(S400). The first rack is carried to the target location of the readjusted first rack(S600). A cleaning bath is located between the seed bass and the plating bath.

Description

기판 도금 방법{Method for plating substrate}Method for plating substrate

본 발명은 기판 도금 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate plating method.

기판 제조 방법의 발달과 함께, 기판의 외부와 접속의 신뢰성을 확보하는 것이 중요한 문제로 대두되고 있다. 이를 위해, 기판의 외부와 전기적 연결을 제공하는 부분에 금(Au)도금층을 형성함으로써, 기판의 외부와 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있게 되었다. With the development of the substrate manufacturing method, securing the reliability of the connection with the outside of the substrate has emerged as an important problem. To this end, by forming a gold (Au) plating layer on a portion that provides electrical connection with the outside of the substrate, it is possible to improve the connection reliability with the outside of the substrate.

도 1은 종래기술에 따른 기판 도금 방법을 나타낸 도면이다. 기판(10)에 도금층을 형성하기 위해, 랙(rack, 11))에 기판(10)을 로딩하고, 캐리어(carrier, 미도시)를 이용하여 랙(11, 12)을 순차적으로 도금배스(bath, 2, 5))에 디핑(dipping)시킴으로써, 도금 공정이 진행되었다. 도금 공정은 전해 도금 또는 무전해 도금을 이용하여 이루어 질 수 있다.1 is a view showing a substrate plating method according to the prior art. In order to form a plating layer on the substrate 10, the substrate 10 is loaded on a rack 11, and the racks 11 and 12 are sequentially bathed using a carrier (not shown). , 2, 5)), the plating process was performed by dipping. The plating process may be performed using electrolytic plating or electroless plating.

특히 금도금층을 형성하기 위해, 금시드(Au seed)층을 형성할 수 있는 금시드배스(2), 기판(10)을 세정하기 위한 세정액이 수용되어 있는 세정배스(1, 3 ~ 4, 6 ~ 9) 및 금시드층 상에 금도금층을 형성하기 위한 금도금배스(5) 등에 순차적으 로 기판(10)이 로딩된 랙(11, 12)을 디핑함으로써, 금도금층을 형성하였다. In particular, in order to form a gold plating layer, a gold seed bath (2) capable of forming an Au seed layer, and a cleaning bath (1, 3 to 4, 6, containing a cleaning liquid for cleaning the substrate 10) are contained. 9) and the gold plated layer 5 was formed by dipping the racks 11 and 12 loaded with the substrate 10 sequentially in a gold plated bath 5 to form a gold plated layer on the gold seed layer.

그러나, 이러한 도금공정은 정기적인 장비 관리, 고장, 기판의 품질관리 등의 요인들로 인해 랙에 기판이 로딩되지 않은 상태로 자동 운전되는 경우가 발생할 수 있다. 기판이 로딩되지 않은 빈 랙을 정상상태와 같이 순차적 디핑을 하도록 자동운전 되는 경우, 빈 랙에 금도금액이 묻어 불필요한 금의 소모가 발생할 수 있었다. 또한, 빈 랙이 금도금배스에 투입되는 경우, 랙에 묻어 있던 불순물이 금도금액에 투입되어, 금 소모량이 추가적으로 증가할 수 있는 소지가 있었다. However, such a plating process may occur when the substrate is not loaded in the rack automatically due to factors such as regular equipment management, failure, quality control of the substrate. In the case where the empty rack without substrate loading is automatically operated to sequential dipping as in the normal state, gold plating solution may be buried in the empty rack, causing unnecessary consumption of gold. In addition, when the empty rack is added to the gold plating bath, impurities buried in the rack is added to the gold plating solution, which may increase the consumption of gold.

결국, 기판에 금도금층을 형성하는 방법은 기판의 외부와 접속 신뢰성의 문제는 해결하였으나, 기판 제조 원가의 상승의 문제를 내포하게 되었다. As a result, the method of forming the gold-plated layer on the substrate solves the problem of the reliability of connection with the outside of the substrate, but has a problem of the increase in the cost of manufacturing the substrate.

본 발명은 기판에 금도금층을 형성하는데 있어서, 불필요한 도금 금속의 소모를 감소시킬 수 있는 기판 도금 방법을 제공하는 것이다.The present invention provides a substrate plating method that can reduce the consumption of unnecessary plating metal in forming a gold plated layer on the substrate.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 랙에 로딩하고, 랙을 시드배스(seed bath) 및 도금배스를 포함하는 복수 개의 배스에 순차적으로 디핑(dipping)하여, 기판에 도금층을 형성하는 방법으로서, 제1 랙에 기판이 로딩(loading)되어 있는지 여부를 판단하는 단계, 도금배스에 디핑되어 있는 제2 랙에 기판이 로딩되어 있는지 여부를 판단하는 단계, 제1 랙 및 제2 랙에 기판이 로딩되지 않은 경우 제1 랙 의 목표위치가 시드배스인지 여부를 판단하는 단계, 제1 랙의 목표위치가 시드배스인 경우 제1 랙의 목표위치를 도금배스와 인접한 배스로 수정하는 단계 및 제1 랙을 수정된 제1 랙의 목표위치로 이동하는 단계를 포함하는 기판 도금 방법이 제공된다.According to an aspect of the present invention, a method of forming a plating layer on a substrate by loading the substrate in a rack, and sequentially dipping the rack into a plurality of baths including a seed bath and a plating bath, Determining whether the substrate is loaded in the first rack; determining whether the substrate is loaded in the second rack dipped in the plating bath; loading the substrate in the first rack and the second rack. If not, determining whether the target position of the first rack is a seed bath, if the target position of the first rack is a seed bath, modifying the target position of the first rack to a bath adjacent to the plating bath and the first rack There is provided a substrate plating method comprising moving to a target position of the modified first rack.

여기서, 기판 도금 방법은 시드배스와 도금배스 사이에는 세정배스가 개재되며, 제1 랙의 목표위치를 도금배스와 인접한 배스로 수정하는 단계는 제1 랙의 목표위치를 세정배스로 수정하는 것을 특징으로 하며, 제1 랙을 수정된 제1 랙의 목표위치로 이동하는 단계 이후에, 제1 랙을 도금배스 이후의 배스로 이동하는 단계를 더 포함할 수 있다. Here, in the substrate plating method, the cleaning bath is interposed between the seed bath and the plating bath, and the step of modifying the target position of the first rack to the bath adjacent to the plating bath is to modify the target position of the first rack to the cleaning bath. After the step of moving the first rack to the target position of the modified first rack, it may further comprise the step of moving the first rack to the bath after the plating bath.

또한, 시드배스 및 도금배스에는 금(Au)을 함유하는 도금액이 수용되는 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the seed bath and the plating bath may be characterized by containing a plating liquid containing gold (Au).

상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따르면, 기판에 도금층 형성 과정에서 발생할 수 있는 불필요한 도금 금속의 소모를 방지하여, 기판 제조 원가를 절감시킬 수 있다. 또한, 도금 과정에서 빈 랙이 순차적으로 디핑되는 것을 방지하여, 불필요한 공정 운영으로 인한, 동력 소모를 절감시킬 수 있다. As described above, according to the embodiment of the present invention, it is possible to prevent unnecessary consumption of plated metal that may occur in the process of forming a plating layer on the substrate, thereby reducing the cost of manufacturing the substrate. In addition, the empty racks are prevented from being sequentially dipped in the plating process, thereby reducing power consumption due to unnecessary process operations.

본 발명의 특징, 이점이 이하의 도면과 발명의 상세한 설명으로부터 명확해 질 것이다.The features and advantages of the present invention will become apparent from the following drawings and detailed description of the invention.

이하, 본 발명에 따른 기판 도금 방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of a substrate plating method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in the following description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals and are duplicated thereto. The description will be omitted.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 공정을 나타낸 도면이고, 도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 방법을 나타낸 흐름도이며, 도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 방법을 나타낸 도면이다. 도 4 내지 도 7에서는 도 2의 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 공정의 일부를 도시하였다. 도 2 내지 도 7을 참고하면, 금시드배스(22), 금도금배스(26), 랙(rack, 101 ~ 112), 캐리어(carrier, 201 ~ 204), 세정배스(3 ~ 5, 7 ~ 9, 11 ~ 12, 14 ~ 16, 18 ~ 21, 23 ~ 24, 27 ~ 30)가 도시되어 있다. 2 is a view showing a substrate plating process according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a flow chart showing a substrate plating method according to an embodiment of the present invention, Figures 4 to 7 is an embodiment of the present invention Figure is a diagram showing a substrate plating method according to. 4 to 7 illustrate a part of the substrate plating process according to the exemplary embodiment of FIG. 2. 2 to 7, gold seed bath 22, gold-plated bath 26, rack (101-112), carrier (carrier, 201 ~ 204), cleaning bath (3 ~ 5, 7 ~ 9) , 11 to 12, 14 to 16, 18 to 21, 23 to 24, 27 to 30).

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 방법은, 기판을 랙에 로딩하고, 랙을 시드배스(seed bath) 및 도금배스를 포함하는 복수 개의 배스에 순차적으로 디핑(dipping)하여, 기판에 도금층을 형성하는 방법으로서, 제1 랙에 기판이 로딩(loading)되어 있는지 여부를 판단하는 단계, 도금배스에 디핑되어 있는 제2 랙에 기판이 로딩되어 있는지 여부를 판단하는 단계, 제1 랙 및 제2 랙에 기판이 로딩되지 않은 경우 제1 랙의 목표위치가 시드배스인지 여부를 판단하는 단계, 제1 랙의 목표위치가 시드배스인 경우 제1 랙의 목표위치를 도금배스와 인접한 배스로 수정하는 단계 및 제1 랙을 수정된 제1 랙의 목표위치로 이동하는 단계를 포함함으 로써, 기판에 도금층 형성 과정에서 발생할 수 있는 불필요한 도금 금속의 소모를 방지하여, 기판 제조 원가를 절감시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a substrate plating method includes loading a substrate into a rack, and sequentially dipping the rack into a plurality of baths including a seed bath and a plating bath, thereby forming a plating layer on the substrate. A method of forming, comprising: determining whether a substrate is loaded in a first rack, determining whether a substrate is loaded in a second rack dipped in a plating bath, a first rack and a second Determining whether the target position of the first rack is a seed bath when the substrate is not loaded in the rack; and correcting the target position of the first rack to a bath adjacent to the plating bath when the target position of the first rack is the seed bath. And moving the first rack to a target position of the modified first rack, thereby preventing unnecessary consumption of plated metal that may occur in the process of forming a plating layer on the substrate, thereby reducing the cost of manufacturing the substrate. have.

도 2에 도시된 바와 같이, 기판 도금 공정은, 기판을 랙(101 ~ 112)에 로딩하고, 일렬로 배치되는 도금배스(6, 13, 26) 및 도금배스(6, 13, 26) 사이에 개재되는 순수세(3 ~ 5, 7~8, 11 ~ 12, 14 ~ 16, 19 ~ 21, 24, 30), 산세(9, 18), 회수세(23), 회수온수세(27, 28), 탕세(29) 등의 세정액을 함유하는 세정배스에 순차적으로 기판을 디핑하여 진행될 수 있다. As shown in FIG. 2, the substrate plating process loads the substrate into the racks 101 to 112, and is arranged between the plating baths 6, 13 and 26 and the plating baths 6, 13 and 26 arranged in a line. Pure water tax (3 to 5, 7 to 8, 11 to 12, 14 to 16, 19 to 21, 24, 30), pickling (9, 18), recovery tax (23), recovery hot water tax (27, 28) ), The substrate may be sequentially dipped into a cleaning bath containing a cleaning liquid such as hot water 29.

기판 도금 공정은 기판 도금 장치에 의해 수행될 수 있으며, 기판 도금 장치는, 기판을 로딩하는 랙(101 ~ 112), 랙(101 ~ 112)을 이동시키는 캐리어(201 ~ 204), 도금액 등을 수용하는 배스(3 ~ 30) 및 캐리어(201 ~ 204)의 동작을 제어함으로써 도금공정을 진행하는 제어부(미도시)를 포함할 수 있다. The substrate plating process may be performed by a substrate plating apparatus, and the substrate plating apparatus accommodates racks 101 to 112 for loading a substrate, carriers 201 to 204 for moving the racks 101 to 112, a plating solution, and the like. A control unit (not shown) for performing a plating process may be included by controlling operations of the baths 3 to 30 and the carriers 201 to 204.

랙(101 ~ 112)은 기판은 로딩할 수 있는 구성으로, 캐리어(201 ~ 204)에 의해 각 배스(3 ~ 30)에 디핑될 수 잇다. 도 2에서는 각 배스(3 ~ 30)에 디핑되어 있는 랙(101 ~ 112)의 위치를 나타내고 있으며, 기판 도금 공정의 최초 운행 시 또는 기판 도금 공정이 진행되는 가운데 도 2와 같은 랙(101 ~ 112)의 배치를 이룰 수 있다. The racks 101 to 112 may be dipped into the respective baths 3 to 30 by the carriers 201 to 204 in a configuration in which the substrate can be loaded. FIG. 2 shows the positions of the racks 101 to 112 dipped in the baths 3 to 30, and the racks 101 to 112 shown in FIG. 2 during the initial operation of the substrate plating process or while the substrate plating process is in progress. ) Can be arranged.

캐리어(201 ~ 204)는 랙(101 ~ 112)을 이동시키는 구성으로, 제1 내지 제4 캐리어(201 ~ 204)를 포함할 수 있으며, 각각의 캐리어(201 ~ 204)는 이동거리의 한계에 따라 담당하는 배스(3 ~ 30)의 개수가 정해질 수 있다. The carriers 201 to 204 are configured to move the racks 101 to 112, and may include first to fourth carriers 201 to 204, and each of the carriers 201 to 204 is limited to the moving distance. Accordingly, the number of baths 3 to 30 in charge can be determined.

제1 캐리어(201)는 로드(1)에서 순수세(11) 내의 랙(101 ~ 106)을 이동시킬 수 있으며, 제2 캐리어(202)는 순수세(11)에서 산세(18) 내의 랙(106 ~ 109)을 이동시킬 수 있으며, 제3 캐리어(203)는 산세(18)에서 순수세(24) 내의 랙(110)을 이동시킬 수 있으며, 제4 캐리어(204)는 회수온수세(23)에서 순수세(30) 내의 랙(111 ~ 112)을 이동시킬 수 있다. 도 2는 캐리어(201 ~ 204)의 위치를 나타내고 있으며, 기판 도금 공정의 최초 운행 시 또는 기판 도금 공정이 진행되는 가운데 도 2와 같은 캐리어(201 ~ 204)의 배치를 이룰 수 있다.The first carrier 201 can move the racks 101-106 in the pure water 11 in the rod 1, and the second carrier 202 can move the racks in the pickling 18 in the pure water 11. 106 to 109, and the third carrier 203 may move the rack 110 in the pure water 24 from pickling 18, and the fourth carrier 204 may recover the recovery hot water 23. ), The racks 111 to 112 in the pure water 30 can be moved. FIG. 2 illustrates the positions of the carriers 201 to 204, and may arrange the carriers 201 to 204 as shown in FIG. 2 during the initial operation of the substrate plating process or during the substrate plating process.

배스(3 ~ 30)는 도금액 또는 세정액 등이 수용될 수 있는 구성으로, 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au)을 함유하는 도금액이 수용되는 도금배스(6, 13, 26)와 순수세(3 ~ 5, 7~8, 11 ~ 12, 14 ~ 16, 19 ~ 21, 24, 30), 산세(9, 18), 회수세(23), 회수온수세(27, 28), 탕세(29) 등의 세정액이 수용되는 세정배스를 포함할 수 있다. The baths 3 to 30 are configured to accommodate a plating solution or a cleaning solution, and the plating baths 6, 13, and 26 to accommodate the plating solution containing copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Au) and Pure water tax (3 to 5, 7 to 8, 11 to 12, 14 to 16, 19 to 21, 24, 30), pickling (9, 18), recovery tax (23), recovery hot water (27, 28), It may include a cleaning bath in which a cleaning liquid such as hot water 29 is accommodated.

로드(1)에서는 랙(101)에 기판을 로딩할 수 있으며, 클리너(2)에서는 기판의 이물질을 제거할 수 있다. 중계배스(10, 17, 25)는 각각의 캐리어(201 ~ 204) 사이에 개재될 수 있으며, 랙(101 ~ 112)을 다음 캐리어(201 ~ 204)로 넘기기 위해 디핑할 수 있는 배스일 수 있다.The rod 1 may load the substrate into the rack 101, and the cleaner 2 may remove foreign substances from the substrate. The relay baths 10, 17, and 25 may be interposed between the respective carriers 201 to 204, and may be baths that can be dipped to pass the racks 101 to 112 to the next carriers 201 to 204. .

여기서 금을 함유하는 도금액이 수용되는 배스(22, 26)는, 기판 상에 얇은 금시드(Au-seed)층을 형성하기 위한 금시드배스(22)와 금시드층 상에 금도금층을 형성하는 금도금배스(26)로 나누어 질 수 있다. Here, the baths 22 and 26 in which the plating solution containing gold is accommodated include a gold seed bath 22 for forming a thin Au-seed layer on a substrate and a gold plating layer on the gold seed layer. It can be divided into gold-plated bath (26).

제어부는 미리 설정된 운영체계에 의해 캐리어(201 ~ 204)를 제어함으로써 기판을 순차적으로 각 배스(3 ~ 30)에 디핑하여 기판 도금 공정을 자동으로 진행시 킬 수 있다. 제어부는 미리 저장된 데이터 또는 입력에 의해 각각의 랙(101 ~ 112)의 제품데이터를 인식할 수 있다. The controller may automatically advance the substrate plating process by dipping the substrates sequentially into the baths 3 to 30 by controlling the carriers 201 to 204 by a preset operating system. The controller may recognize product data of each rack 101 to 112 by pre-stored data or input.

제품데이터는 랙(101 ~ 112)에 로딩되는 기판의 관리번호, 전기 도금이 수행되는 도금배스(6, 13, 22, 26)에 인가되는 전류값을 포함할 수 있으며, 전류값은 각각의 도금 금속에 따라 별도로 포함될 수 있다.The product data may include a management number of the substrate loaded in the racks 101 to 112, and a current value applied to the plating baths 6, 13, 22, and 26 where electroplating is performed, and the current value is the respective plating. It may be included separately depending on the metal.

제어부는 기본적으로 기판이 로딩된 랙(101 ~ 112)이 순차적으로 각 배스(3 ~ 30)에 디핑되도록 캐리어(201 ~ 204)를 제어할 수 있으며, 본 실시예에 따른 기판 도금 방법을 수행할 수 있는 프로그램이 미리 저장되고, 그에 따라 캐리어(201 ~ 204)를 제어할 수 있다. The controller may basically control the carriers 201 to 204 such that the racks 101 to 112 on which the substrates are loaded are sequentially dipped into the baths 3 to 30, and the substrate plating method according to the present embodiment may be performed. The program can be stored in advance, thereby controlling the carrier (201 ~ 204).

한편, 제어부는 도 2에 도시된 바와 같이, 캐리어(201 ~ 204)와 랙(101 ~ 112)이 각각의 배스(3 ~ 30)에 배치되는 경우, 자동 운행을 시작할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 2, when the carriers 201 to 204 and the racks 101 to 112 are disposed in the respective baths 3 to 30, the controller may start automatic driving.

본 실시예에 따른 기판 도금 방법은, 랙(101 ~ 112)에 기판이 로딩되지 않은 경우, 금을 함유하는 도금액이 수용되는 배스(22, 26)를 스킵(skip)하여 랙(101 ~ 112)을 디핑함으로써, 불필요하게 소모되는 금을 줄일 수 있음을 예로 들어 설명하고 있으며, 금 이외의 금속에 대해 불필요한 공정의 생략을 위해 이용될 수 있음은 물론이다. In the substrate plating method according to the present embodiment, when the substrates are not loaded in the racks 101 to 112, the racks 101 and 112 are skipped by skipping the baths 22 and 26 in which the plating liquid containing gold is accommodated. It is described by dipping to reduce the unnecessary consumption of gold, for example, it can be used to omit unnecessary processes for metals other than gold.

본 실시예에 따른 기판 도금 방법을 수행하기 위해, 먼저 제1 랙(110)에 기판이 로딩되 있는지 여부를 판단할 수 있다. (S100) 제1 랙(110)은 기판 도금 공정 중에 있는 어느 하나의 랙을 지칭할 수 있다. In order to perform the substrate plating method according to the present embodiment, first, it may be determined whether the substrate is loaded in the first rack 110. The first rack 110 may refer to any one rack in the substrate plating process.

제1 랙(110)에 기판이 로딩되어 있는지 여부는, 제어부에서 제1 랙(110)의 제품데이터를 이용하여, 관리번호의 유무 또는 전류값의 유무를 인식함으로써 수행될 수 있다. Whether or not the substrate is loaded in the first rack 110 may be performed by the controller to recognize whether there is a management number or whether there is a current value using the product data of the first rack 110.

한편, 제1 랙(110)에 기판이 로딩되어 있는 경우에는 제어부는 제1 랙(110)을 순차적으로 이동할 수 있다. (S600)Meanwhile, when a substrate is loaded in the first rack 110, the controller may move the first rack 110 sequentially. (S600)

다음으로, 금도금배스(26)에 디핑되어 있는 제2 랙(111)에 기판이 로딩되어 있는지 여부를 판단할 수 있다. (S200) 제2 랙(111)은 시드배스 이후에 배치되는 도금배스 즉, 본 실시예에서는 금도금배스(26)에 디핑되어 있는 랙일 수 있다. 제2 랙(111)에 기판의 로딩여부는 제1 랙(110)의 기판의 로딩여부는 판단하는 방법과 동일하게 수행될 수 있다. Next, it may be determined whether the substrate is loaded in the second rack 111 dipped in the gold plating bath 26. The second rack 111 may be a plating bath disposed after the seed bath, that is, a rack dipped in the gold plating bath 26 in the present embodiment. Whether the substrate is loaded in the second rack 111 may be performed in the same manner as the method of determining whether the substrate is loaded in the first rack 110.

제1 랙(110) 및 제2 랙(111)에 기판이 로딩되어 있는지 여부를 판단하는 단계는 기판 도금 공정의 각 사이클(cycle)의 동작을 수행하기 전에 이루어질 수 있다. Determining whether the substrate is loaded in the first rack 110 and the second rack 111 may be performed before performing each cycle of the substrate plating process.

다음으로, 제1 랙(110) 및 제2 랙(111)에 기판이 로딩되지 않은 경우, 제1 랙(110)의 목표위치가 시드배스인지 여부를 판단할 수 있다. (S300) 기판 도금 공정은 기본적으로 각 배스에 제1 랙(110)을 순차적으로 디핑하여 진행되므로, 제1 랙(110)의 목표위치는 현재 제1 랙(110)이 디핑되어 있는 배스의 다음 배스가 될 수 있다. Next, when the substrate is not loaded in the first rack 110 and the second rack 111, it may be determined whether the target position of the first rack 110 is the seed bath. Since the substrate plating process is basically performed by sequentially dipping the first rack 110 in each bath, the target position of the first rack 110 is next to the bath in which the first rack 110 is dipped. It can be a bath.

도 4에 도시된 바와 같이, 제1 랙(110)이 현재 순수세(21)에 디핑되어 있는 경우, 제1 랙(110)의 목표위치는 다음 배스인 시드배스가 될 수 있다. 본 실시예에서 시드배스는 금을 함유하는 도금액이 수용되는 금시드배스(22)일 수 있다. As shown in FIG. 4, when the first rack 110 is currently dipped in the pure water 21, the target position of the first rack 110 may be a seed bath that is the next bath. In this embodiment, the seed bath may be a gold seed bath 22 in which a plating solution containing gold is accommodated.

한편, 제1 랙(110)의 목표위치가 금시드배스(22)가 아닌 경우 제어부는 제1 랙(110)을 순차적으로 이동할 수 있다. (S600)Meanwhile, when the target position of the first rack 110 is not the gold seed bath 22, the controller may sequentially move the first rack 110. (S600)

다음으로, 제1 랙(110)의 목표위치가 금시드배스(22)인 경우, 제1 랙(110)의 목표위치를 금도금배스(26)와 인접한 배스로 수정할 수 있다. (S400) 금도금배스(26)와 인접한 배스는 순차적으로 배치되는 배스 가운데 금도금배스(26)의 전 또는 후에 배치되는 배스를 말할 수 있으며, 결국 금시드배스(22)와 금도금배스(26) 이외의 배스를 말할 수 있다. Next, when the target position of the first rack 110 is the gold seed bath 22, the target position of the first rack 110 may be modified to a bath adjacent to the gold plating bath 26. The bath adjacent to the gold plating bath 26 may refer to a bath disposed before or after the gold plating bath 26 among the sequentially disposed baths, and thus, other than the gold seed bath 22 and the gold plating bath 26. I can say bass.

도 4에 도시된 바와 같이, 기판 도금 고정에는 금시드배스(22)와 금도금배스(26) 사이에 회수세(23), 순수세(24) 등을 포함하는 세정배스(301)가 개재될 수 있다. 이 경우, 제1 랙(110)의 목표위치를 도금배스와 인접한 배스로 수정하는 단계는 금시드배스(22)와 금도금배스(26) 사이의 세정배스(301)로 수정할 수 있다. 금시드배스(22)와 금도금배스(26) 사이에는 회수세(23)와 순수세(24)를 포함하는 세정배스(301)를 포함할 수 있고, 본 실시예에서는 회수세(23)로 제1 랙(110)의 목표위치를 수정할 수 있다. As shown in FIG. 4, the substrate plating fixing may include a cleaning bath 301 including a recovery tax 23, a pure water 24, and the like between the gold seed bath 22 and the gold plating bath 26. have. In this case, the step of modifying the target position of the first rack 110 to the bath adjacent to the plating bath may be modified by the cleaning bath 301 between the gold seed bath 22 and the gold plating bath 26. Between the gold seed bath 22 and the gold-plated bath 26 may include a cleaning bath 301 including a recovery tax 23 and a pure tax 24, and in this embodiment, the recovery tax 23 is removed. 1 The target position of the rack 110 can be modified.

다음으로, 제1 랙(110)을 수정된 제1 랙(110)의 목표위치, 즉 회수세(23)로 이동할 수 있다. (S500) 결국, 기판이 로딩되지 않은 제1 랙(110)을 순차적으로 금도금조에 디핑하지 않고, 금시드배스(22) 및 금도금배스(26) 이외의 배스로 제1 랙(110)을 점프(jump)하여 이동시킴으로써, 기판이 로딩되지 않은 랙에 금이 부착되어 발생하는 불필요한 금의 소모를 방지할 수 있다. Next, the first rack 110 may be moved to the target position of the modified first rack 110, that is, the recovery tax 23. (S500) In the end, the first rack 110, which is not loaded with the substrate, is not sequentially dipped in the gold plating bath, and the first rack 110 is jumped to a bath other than the gold seed bath 22 and the gold plating bath 26 ( By jumping and moving, it is possible to prevent unnecessary consumption of gold caused by adhesion of gold to the rack in which the substrate is not loaded.

그리고, 이러한 불필요한 공정을 수행하기 위해 소모되는 동력도 함께 절약 할 수 있다. 한편, 제1 랙(110)을 회수세(23)를 포함하는 세정배스(301)로 이동시키는 것은 제3 캐리어(203)에 의해 수행될 수 있다. In addition, the power consumed to perform such an unnecessary process can also be saved. Meanwhile, moving the first rack 110 to the cleaning bath 301 including the recovery tax 23 may be performed by the third carrier 203.

다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 랙(110)을 금도금배스(26) 이후의 배스(27 ~ 30)로 이동할 수 있다. 금도금배스(26) 이후의 배스(27 ~ 30)는 순차적으로 배치되는 배스(1 ~ 30) 가운데 금도금배스(26) 다음에 배치되는 배스(27 ~ 30)일 수 있으며, 본 실시예에서는 순수세(30)일 수 있다. Next, as shown in FIG. 6, the first rack 110 may be moved to the baths 27 to 30 after the gold plating bath 26. The baths 27 to 30 after the gold plating bath 26 may be the baths 27 to 30 disposed after the gold plating bath 26 among the baths 1 to 30 sequentially disposed. (30).

결국, 기판이 로딩되지 않은 제1 랙(110)이 금시드배스(22) 전에 디핑되어 있고, 기판을 로딩하지 않은 제2 랙(111)이 금도금배스(26)에 디핑되어 있는 경우, 제1 랙(110)을 금도금배스(26)의 전 또는 후의 배스 가운데 금도금배스(26) 전의 배스로 이동시킬 수 있고, 이 때는 제1 랙(110)을 금도금배스(26) 다음의 배스(27 ~ 30)로 이동시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 배스(27 ~ 30)은 회수세(27, 28), 탕세(29), 순수세(30)을 포함하는 세정배스(302)일 수 있다. As a result, when the first rack 110 without the substrate is dipped before the gold seed bath 22 and the second rack 111 without the substrate is dipped in the gold plating bath 26, The rack 110 may be moved to a bath before the gold plating bath 26 among the baths before or after the gold plating bath 26, in which case the first rack 110 may be placed after the gold plating bath 26 (27 to 30). The method may further include moving to). The baths 27 to 30 may be cleaning baths 302 including recovery taxes 27 and 28, hot water 29, and pure water 30.

본 단계는 제4 캐리어(204)에 의해 수행될 수 있으며, 도 5에 도시된 바와 같이, 제어부는 제4 캐리어(204)를 이용하여 제1 랙(110)을 순수세(30)로 이동시키기 이전에, 순수세(30)의 랙(112)을 기판 도금 공정의 외부로 이동시킬 수 있다. This step may be performed by the fourth carrier 204, and as shown in FIG. 5, the controller moves the first rack 110 to the pure water 30 using the fourth carrier 204. Previously, the rack 112 of pure water 30 may be moved out of the substrate plating process.

제1 랙(110)을 금도금배스(26) 이후의 배스(27 ~ 30)로 이동하는 단계 이후에, 제어부는 기판 도금 공정의 기본 프로세스로 돌아가 제1 랙(110)을 순차적으로 각 배스(1 ~ 30)에 디핑하여 기판 도금 공정을 진행할 수 있으며, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 랙(110)이 기판 도금 공정의 마지막 배스(30)에 있는 경우, 제어부는 제4 캐리어를 이용하여 제1 랙(110)을 순차적으로 이동시켜, 기판 도금 공정의 외부로 이동시킬 수 있다. After moving the first rack 110 to the baths 27 to 30 after the gold plating bath 26, the controller returns to the basic process of the substrate plating process and sequentially moves the first rack 110 to each bath 1. 30 to proceed with the substrate plating process, and as shown in FIG. 7, when the first rack 110 is in the last bath 30 of the substrate plating process, the controller uses a fourth carrier. The first rack 110 may be sequentially moved to move out of the substrate plating process.

결국 본 실시예의 기판 도금 방법은, 금시드배스(22) 이전의 제1 랙(110)에 기판이 로딩되어 있지 않고, 기판이 로딩되어 있지 않은 제2 랙(111)이 금도금배스(26)에 디핑되어 있는 경우, 제2 랙(111)을 금도금배스(26)에서 추출하지 않고, 제1 랙(110)을 금시드배스(22) 및 금도금배스(26)에 디핑하지 않음으로써, 기판이 로딩되지 않은 랙이 금시드배스(22) 및 금도금배스(26)의 금을 소모하는 것을 방지할 수 있다.As a result, in the substrate plating method of the present embodiment, the substrate is not loaded in the first rack 110 before the gold seed bath 22, and the second rack 111 in which the substrate is not loaded is applied to the gold plating bath 26. When dipped, the substrate is loaded by not dipping the second rack 111 from the gold plating bath 26 and not dipping the first rack 110 into the gold seed bath 22 and the gold plating bath 26. Unracked racks can be prevented from consuming gold in the gold seed bath 22 and the gold plating bath 26.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below It will be appreciated that modifications and variations can be made.

도 1은 종래기술에 따른 기판 도금 방법을 나타낸 도면.1 is a view showing a substrate plating method according to the prior art.

도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 공정을 나타낸 도면.2 is a view showing a substrate plating process according to an embodiment of the present invention.

도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 방법을 나타낸 흐름도.3 is a flow chart showing a substrate plating method according to an embodiment of the present invention.

도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 방법을 나타낸 도면.4 to 7 is a view showing a substrate plating method according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1 ~ 30: 배스(bath) 101 ~ 112: 랙(rack)1 to 30 bath 101 to 112 rack

110: 제1 랙 201 ~ 204: 캐리어(carrier) 110: first rack 201 to 204: carrier

111: 제2 랙111: second rack

Claims (3)

기판을 랙에 로딩하고, 상기 랙을 시드배스(seed bath) 및 도금배스를 포함하는 복수 개의 배스에 순차적으로 디핑(dipping)하여, 상기 기판에 도금층을 형성하는 방법으로서,A method of loading a substrate into a rack and sequentially dipping the rack into a plurality of baths including a seed bath and a plating bath to form a plating layer on the substrate, 제1 랙에 기판이 로딩(loading)되어 있는지 여부를 판단하는 단계;Determining whether a substrate is loaded in the first rack; 상기 도금배스에 디핑되어 있는 제2 랙에 기판이 로딩되어 있는지 여부를 판단하는 단계;Determining whether a substrate is loaded in a second rack dipped in the plating bath; 상기 제1 랙 및 제2 랙에 기판이 로딩되지 않은 경우, 상기 제1 랙의 목표위치가 시드배스인지 여부를 판단하는 단계;Determining whether a target position of the first rack is a seed bath when the substrate is not loaded in the first rack and the second rack; 상기 제1 랙의 목표위치가 상기 시드배스인 경우, 상기 제1 랙의 목표위치를 상기 도금배스와 인접한 배스로 수정하는 단계; 및If the target position of the first rack is the seed bath, modifying the target position of the first rack to a bath adjacent to the plating bath; And 상기 제1 랙을 상기 수정된 제1 랙의 목표위치로 이동하는 단계를 포함하는 기판 도금 방법.Moving the first rack to a target position of the modified first rack. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 시드배스와 상기 도금배스 사이에는 세정배스가 개재되며,A cleaning bath is interposed between the seed bath and the plating bath, 상기 제1 랙의 목표위치를 상기 도금배스와 인접한 배스로 수정하는 단계는Correcting the target position of the first rack to a bath adjacent to the plating bath 상기 제1 랙의 목표위치를 상기 세정배스로 수정하는 것을 특징으로 하며,Characterized in that for modifying the target position of the first rack to the cleaning bath, 상기 제1 랙을 상기 수정된 제1 랙의 목표위치로 이동하는 단계 이후에,After moving the first rack to a target position of the modified first rack, 상기 제1 랙을 상기 도금배스 이후의 배스로 이동하는 단계를 더 포함하는 기판 도금 방법.Moving the first rack to a bath after the plating bath. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 시드배스 및 상기 도금배스에는 금(Au)을 함유하는 도금액이 수용되는 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 도금 방법.And the plating bath containing gold (Au) is contained in the seed bath and the plating bath.
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