KR20100002778A - Method for making ceramic package - Google Patents
Method for making ceramic package Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100002778A KR20100002778A KR1020080062803A KR20080062803A KR20100002778A KR 20100002778 A KR20100002778 A KR 20100002778A KR 1020080062803 A KR1020080062803 A KR 1020080062803A KR 20080062803 A KR20080062803 A KR 20080062803A KR 20100002778 A KR20100002778 A KR 20100002778A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cutting
- pattern
- ceramic substrate
- cut
- cavities
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
Abstract
Description
본 발명은, 세라믹 패키지 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 캐비티를 갖는 미소성(未塑性) 세라믹 기판으로부터, 절단 패턴 형성, 소성 및 절단의 단계를 거쳐, 발광다이오드 실장을 위한 세라믹 패키지를 제조하는 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a ceramic package, and more particularly, to a ceramic package for mounting a light emitting diode through a step of forming a cutting pattern, firing, and cutting from an unbaked ceramic substrate having a cavity. It relates to a manufacturing method.
발광다이오드가 실장되는 패키지로 세라믹 재질의 패키지가 많이 이용되고 있다. 세라믹 재질은 열 특성이 우수하며, 빛, 열, 수분에 대한 신뢰성이 우수한 장점이 있다.As a package in which the light emitting diodes are mounted, ceramic packages are frequently used. Ceramic material has excellent thermal characteristics, and has the advantage of excellent light, heat, and moisture reliability.
세라믹 패키지에는 발광다이오드가 수용될 수 있는 깊이의 캐비티를 구비한 것이 있다. 이러한 세라믹 패키지는, 세라믹 시트의 적층 구조로 이루어진 미소성의 세라믹 기판으로부터 제조된다. 세라믹 시트의 적층 전에, 캐비티 형성을 위한 펀칭 공정 및/또는 스크린 프린팅 공정 등이 수행된다. 펀칭 공정은 행과 열로 배열된 다수의 캐비티를 한정하는 구멍들을 형성하기 위한 것이다. Some ceramic packages have a cavity that is deep enough to accommodate a light emitting diode. Such a ceramic package is manufactured from an unbaked ceramic substrate having a laminated structure of ceramic sheets. Prior to lamination of the ceramic sheet, a punching process and / or a screen printing process for forming a cavity and the like are performed. The punching process is to form holes defining a plurality of cavities arranged in rows and columns.
세라믹 패키지를 만드는 방법에는 브레이킹 방법(breaking method)과 다이싱 방법(dicing method)이 공지되어 있다. Breaking methods and dicing methods are known for making ceramic packages.
브레이킹 방법은, 세라믹 기판을 고온에서 소성하기 전에, 캐비티들의 행과 열 사이 그리고, 캐비티 전체를 둘러싸는 아웃라인을 기판 두께의 1/2~2/3 정도의 절단선으로 부분 절단(또는, 프리커팅(precutting))하고, 소성이 완료된 후, 그 절단선을 따라 세라믹 기판을 캐비티 단위로 절단하는 방식이다. 또한, 다이싱 방법은, 소정 전의 부분 절단 공정을 생략하는 대신, 소성이 완료된 세라믹 기판을 날카로운 칼날로 완전 절단하는 방식이다. The braking method is to partially cut (or free) between the rows and columns of the cavities and the outline surrounding the entire cavity with a cut line of 1/2 to 2/3 of the substrate thickness before firing the ceramic substrate at high temperature. After cutting, and after firing is completed, the ceramic substrate is cut in the unit of cavity along the cutting line. In addition, the dicing method is a method of completely cutting the ceramic substrate on which baking was completed with a sharp blade instead of omitting a partial cutting process before a predetermined time.
종래의 브레이킹 방법은, 캐비티와 캐비티 사이의 얇은 부분이 소성 후 브레이킹 과정에서 깨어지기 쉬우며, 브레이킹에 의한 절단면이 깨끗하지 못하다는 문제점이 있다. 또한, 종래의 다이싱 방법은, 날카로운 칼날을 이용하여 절단한다고 하지만, 절단면에 많은 이물이 생기고, 두꺼운 세라믹 기판의 절단에는 적용하기 어려운 문제점이 있다.The conventional braking method has a problem in that a thin portion between the cavity and the cavity is easily broken in the braking process after firing, and the cut surface by the braking is not clean. Moreover, although the conventional dicing method cut | disconnects using a sharp blade, many foreign substances generate | occur | produce in a cut surface, and there exists a problem which is difficult to apply to cutting of a thick ceramic substrate.
더 나아가, 사이드뷰 타입의 발광다이오드 패키지에는 기다란 슬롯형의 캐비티가 요구되는데, 이를 위해, 슬롯형 캐비티들이 형성된 세라믹 기판을 캐비티 단위로 절단하는 경우, 이웃하는 캐비티의 두 긴 변 사이의 절단이 매우 어렵다.Furthermore, the side view type light emitting diode package requires an elongated slot type cavity. For this purpose, when cutting a ceramic substrate on which a slot type cavity is formed in a unit of cavity, cutting between two long sides of a neighboring cavity is very difficult. it's difficult.
따라서, 본 발명의 기술적 과제는, 미소성(未塑性) 세라믹 기판으로부터, 절단 패턴 형성, 소성 및 절단의 단계를 거쳐, 발광다이오드 실장을 위한 세라믹 패키지를 제조함에 있어서, 절단 패턴 형성 단계의 개선을 통해, 캐비티들 사이의 얇은 부분이 깨어지는 현상을 저감하는 것이다.Therefore, the technical problem of the present invention is to improve the cutting pattern forming step in manufacturing a ceramic package for mounting a light emitting diode through a step of forming a cutting pattern, firing and cutting from an unbaked ceramic substrate. Through this, the phenomenon of thinning between the cavities is reduced.
본 발명의 다른 기술적 과제는, 미소성(未塑性) 세라믹 기판으로부터, 절단 패턴 형성, 소성 및 절단의 단계를 거쳐, 발광다이오드 실장을 위한 세라믹 패키지를 제조함에 있어서, 절단 패턴 형성 단계의 개선을 통해, 깨끗한 절단면을 갖는 세라믹 패키지를 얻는 것이다. Another technical problem of the present invention is to improve the cutting pattern forming step in manufacturing a ceramic package for mounting a light emitting diode through a step of forming a cutting pattern, firing and cutting from an unbaked ceramic substrate. To obtain a ceramic package having a clean cut surface.
본 발명의 일 측면에 따라, 캐비티들이 행과 열로 형성된 미소성(未塑性) 세라믹 기판을 준비하는 단계와, 상기 세라믹 기판에 부분 절단 패턴과 완전 절단 패턴을 포함하는 절단 패턴을 형성하는 단계와, 상기 절단 패턴이 형성된 세라믹 기판을 소성하는 단계와, 상기 절단 패턴을 따라 상기 소성된 세라믹 기판을 절단하는 단계를 포함하는 세라믹 패키지의 제조방법이 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of preparing a non-ceramic ceramic substrate having cavities formed in rows and columns, forming a cutting pattern including a partial cutting pattern and a complete cutting pattern on the ceramic substrate; A method of manufacturing a ceramic package is provided, comprising: firing a ceramic substrate having the cut pattern formed thereon, and cutting the fired ceramic substrate along the cut pattern.
바람직하게는, 상기 절단 패턴을 형성하는 단계는, 상기 캐비티들의 열과 열 사이를 부분 절단 패턴으로 형성하고, 상기 캐비티들의 행과 행 사이를 완전 절단 패턴으로 형성한다.Preferably, the forming of the cutting pattern may include forming a partial cutting pattern between the columns and the columns of the cavities and forming a complete cutting pattern between the rows and the rows of the cavities.
바람직하게는, 상기 절단 패턴을 형성하는 단계는, 상기 캐비티들을 전체적으로 둘러싸는 외곽 라인을 상기 부분 절단 패턴으로 더 형성한다.Preferably, the forming of the cutting pattern further includes forming an outer line surrounding the cavities as the partial cutting pattern.
본 발명의 일 실시예에 따라 ,상기 완전 절단 패턴은 펀칭 가공에 의해 형성된 기다란 장공일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the complete cutting pattern may be an elongated hole formed by the punching process.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 완전 절단 패턴은 칼날 가공에 의해 형성 된 단일 절단선일 수 있다.According to one embodiment of the invention, the complete cutting pattern may be a single cutting line formed by the blade processing.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 완전 절단 패턴은 칼날 가공에 의해 형성된 이중 절단선일 수 있다.According to one embodiment of the invention, the complete cutting pattern may be a double cutting line formed by the blade processing.
본 발명의 다른 측면에 따라, 캐비티들이 행과 열로 형성된 미소성 세라믹 기판을 준비하는 단계와, 상기 세라믹 기판에 절단 패턴을 형성하는 단계와, 상기 절단 패턴이 형성된 세라믹 기판을 소성하는 단계와, 상기 절단 패턴을 따라 상기 소성된 세라믹 기판을 절단하는 단계를 포함하되, 상기 절단 패턴을 형성하는 단계는, 상기 캐비티들의 열과 열 사이를 단일 절단선으로 형성하고, 상기 캐비티들의 행과 행 사이를 이중 절단선을 형성하는 것인 세라믹 패키지의 제조방법이 제공된다. 이때, 상기 이중 절단선은 상기 세라믹 기판 두께보다 작은 깊이로 형성된 부분 절단 패턴인 것이 바람직하다.According to another aspect of the invention, preparing a unbaked ceramic substrate formed of rows and columns of cavities, forming a cut pattern on the ceramic substrate, firing the ceramic substrate formed with the cut pattern, and Cutting the fired ceramic substrate along a cutting pattern, wherein forming the cutting pattern includes forming a single cutting line between the columns and the columns of the cavities, and double cutting between the rows and the rows of cavities. Provided is a method of manufacturing a ceramic package that forms a line. In this case, the double cutting line is preferably a partial cutting pattern formed to a depth smaller than the thickness of the ceramic substrate.
본 발명에 따르면, 소성(未塑性) 세라믹 기판으로부터, 절단 패턴 형성, 소성 및 절단의 단계를 거쳐, 발광다이오드 실장을 위한 세라믹 패키지를 제조함에 있어서, 캐비티들 사이의 얇은 부분이 깨어지는 현상을 크게 저감할 수 있으며, 깨끗한 표면을 갖는 세라믹 패키지를 얻을 수 있다.According to the present invention, in the manufacture of a ceramic package for mounting a light emitting diode through a step of forming a cutting pattern, firing and cutting from a fired ceramic substrate, a phenomenon in which thin portions between cavities are broken is greatly increased. The ceramic package can be reduced and a clean surface can be obtained.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided as examples to ensure that the spirit of the present invention can be fully conveyed to those skilled in the art. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And, in the drawings, the width, length, thickness, etc. of the components may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.
도 1은 본 발명에 따른 세라믹 패키지 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a ceramic package according to the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 세라믹 패키지 제조방법은, 미소성 세라믹 기판을 준비하는 단계(S1)와, 상기 세라믹 기판에 절단 패턴을 형성하는 단계(S2)와, 상기 절단 패턴이 형성된 세라믹 기판을 소성하는 단계(S3)와, 상기 절단 패턴을 따라 상기 세라믹 기판을 절단하는 단계(S4)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the method of manufacturing a ceramic package according to the present invention includes preparing a unbaked ceramic substrate (S1), forming a cut pattern on the ceramic substrate (S2), and forming the cut pattern ceramic. Firing the substrate (S3) and cutting the ceramic substrate along the cutting pattern (S4).
단계 S1에서는 세라믹 시트들의 적층 구조이고 캐비티가 행과 열로 배열되어 형성된 미소성 세라믹 기판이 준비된다. 상기 세라믹 시트들 및 그것의 적층 구조인 기판은 소성 전의 무른 상태이다. 세라믹 시트들의 적층 전에, 그 세라믹 시트들 중 적어도 하나에는 캐비티 형성을 위한 펀칭 공정 및/또는 스크린 프린팅 공정 등이 수행된다. 상기 미소성 세라믹 기판은 캐비티들이 행과 열로 배열되어 형성된 구조를 포함한다. 또한, 준비된 미소성 세라믹 기판에는, 상기 캐비티들 외에, 전극용 도금 패턴 및/또는 비아 형성을 위한 자리들이 구멍 및/또는 홈의 형태로 미리 형성될 수 있다. In step S1, an unbaked ceramic substrate having a laminated structure of ceramic sheets and having a cavity arranged in rows and columns is prepared. The ceramic sheets and the laminated structure thereof are in a soft state before firing. Prior to lamination of the ceramic sheets, at least one of the ceramic sheets is subjected to a punching process and / or a screen printing process for forming a cavity and the like. The unbaked ceramic substrate includes a structure in which cavities are arranged in rows and columns. In addition, in the prepared unbaked ceramic substrate, in addition to the above-mentioned cavities, the positions for forming the plating pattern and / or the via for the electrode may be previously formed in the form of holes and / or grooves.
단계 S2에서는 미소성 세라믹 기판에 부분 절단 패턴과 완전 절단 패턴을 포함하는 절단 패턴들이 형성된다. 부분 절단 패턴은 세라믹 기판의 두께보다 작은 깊이(예컨대, 기판 두께의 1/2~2/3)로 날카로운 칼날을 이용하여 형성된 패턴이다. 완전 절단 패턴은 세라믹 기판의 두께와 같은 깊이로 펀치 또는 칼날 등을 이용하여 형성된 절단 패턴이다. In step S2, cutting patterns including a partial cutting pattern and a complete cutting pattern are formed on the unbaked ceramic substrate. The partial cut pattern is a pattern formed using a sharp blade at a depth smaller than the thickness of the ceramic substrate (eg, 1/2 to 2/3 of the substrate thickness). The complete cut pattern is a cut pattern formed by using a punch or a blade and the like at the same depth as the thickness of the ceramic substrate.
상기 부분 절단 패턴은, 완전 절단 패턴의 존재에도 불구하고, 미소성 세라믹 기판이 소성 단계 전까지는 완전히 절단됨 없이 유지될 수 있도록 해준다. 또한, 완전 절단 패턴은, 취약한 부분 및/또는 매끄러운 표면이 요구되는 부분에 대하여, 소성 전에 미리 형성되는 것이며, 따라서, 소성 후 절단 과정에서, 취약 부분, 특히, 캐비티와 캐비티 사이의 얇은 부분이 깨어지는 현상을 저감하고, 최종 제작된 세라믹 패키지에 매끄럽고 깨끗한 표면을 제공할 수 있다.The partial cut pattern allows the unbaked ceramic substrate to be maintained without being cut completely until the firing step, despite the presence of the complete cut pattern. In addition, the complete cut pattern is preformed before firing with respect to a weak part and / or a part where a smooth surface is required, and thus, during the post-firing cutting process, the thin part between the cavity and the cavity, in particular, breaks up. It can reduce drift and provide a smooth, clean surface to the finished ceramic package.
단계 S3은 절단 패턴이 형성된 세라믹 기판을 고온으로 굽는 소성 단계이다. 국내 특허 공개 제2006-0003491호에는 800~1000℃의 온도로 세라믹을 소성하는 기술이 개시되어 있다. 하지만, 세라믹 기판에 대한 소성 온도는 작업자에 의해 적절히 선택될 수 있는 것이다. 또한, 상기 소성 단계는 기존에 공지된 여러 기술에 따라 수행될 수 있는 것이다.Step S3 is a baking step of baking the ceramic substrate on which the cutting pattern is formed at a high temperature. Korean Patent Publication No. 2006-0003491 discloses a technique for firing ceramic at a temperature of 800 ~ 1000 ℃. However, the firing temperature for the ceramic substrate can be appropriately selected by the operator. In addition, the firing step may be performed according to various techniques known in the art.
단계 S4에서는 절단 패턴이 형성되고 소성 단계가 완료된 세라믹 기판에 대한 절단이 이루어진다. 상기 절단에 의해 하나의 캐비티를 포함하는 세라믹 패키지가 제조될 수 있다. 세라믹 패키지에는 이후의 다른 공정들에서 전극용 도금 패턴 및/또는 비아가 형성되고, 그 후, 발광다이오드가 예를 들면 칩의 형태로 캐비티 내에 수용되어 상기 도금 패턴과 연결된다.In step S4, a cutting pattern is formed and cutting is performed on the ceramic substrate on which the firing step is completed. The cutting can produce a ceramic package including one cavity. Plating patterns and / or vias for electrodes are formed in the ceramic package in subsequent processes, after which the light emitting diodes are housed in a cavity, for example in the form of a chip, and connected with the plating pattern.
본 발명에 따른 단계 4에서는, 단계 S2에서 형성된 절단 패턴을 따라 세라믹 기판에 대한 절단이 이루어진다. 부분 절단 패턴이 형성된 부분에 대해서는 브레이킹 또는 다이싱에 의한 추가적인 절단 작업이 요구되지만, 완전 절단 패턴이 형성된 부분은 이미 절단된 부분이므로 추가적인 절단작업이 요구되지 않는다. 그리고, 완전 절단 패턴에 의해 깨끗한 절단면이 얻어지며, 그 절단면 부근에서의 깨어짐 또한 실질적으로 없다.In step 4 according to the present invention, cutting of the ceramic substrate is made along the cutting pattern formed in step S2. For the part in which the partial cut pattern is formed, additional cutting work by braking or dicing is required, but the part in which the complete cut pattern is formed is already cut and no additional cutting work is required. And a clean cut surface is obtained by a complete cut pattern, and there is substantially no cracking in the vicinity of the cut surface.
위의 절단 단계(S4)가 완료되면, 비로소 캐비티를 하나씩 구비한 다수의 세라믹 패키지가 제작되며, 그와 같이 제작된 세라믹 패키지는, 예를 들면, 도금 패턴 및 비아(또는, 전극 연결부)의 형성, 발광다이오드의 실장, 와이어 본딩, 캐비티 내 봉지지 형성 등과 같은 후속 공정을 거쳐, 발광다이오드 패키지로 제작되어 판매될 수 있다. When the above cutting step (S4) is completed, a plurality of ceramic packages having one cavity are manufactured, and the ceramic packages thus manufactured are, for example, forming a plating pattern and vias (or electrode connections). The light emitting diode package may be manufactured and sold through a subsequent process such as mounting of the light emitting diode, wire bonding, and forming a sealing support in the cavity.
세라믹 기판에 절단 패턴을 형성하는 단계(S2)는 본 발명의 중요한 특징을 이루는 단계이며, 이하에서는, 그러한 절단 패턴을 형성하는 단계에 대해, 여러 실시예들을 예로 들어 보다 구체적으로 설명하기로 한다.Forming a cut pattern on the ceramic substrate (S2) is an important feature of the present invention, hereinafter, the step of forming such a cut pattern will be described in more detail with reference to various embodiments.
<실시예 1><Example 1>
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 절단 패턴 공정을 설명하기 위한 평면도이다.2 is a plan view illustrating a cutting pattern process according to a first exemplary embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 복수의 캐비티(102)가 행과 열로 배열되어 형성된 미소성의 세라믹 기판(100)이 도시되어 있다. 편의를 위해, 도 2에는 캐비티(102)들의 행 과 열이 2행 2열인 것처럼 도시되어 있지만, 실제로는 더 많은 행과 열로 캐비티들이 배열될 수 있다. 본 실시예에서, 캐비티(102)들은 긴 변을 갖는 슬롯 형태를 갖는데, 이는 사이드뷰 타입의 발광다이오드 패키지에 적합한 형태이다. 이웃하는 캐비티의 서로 마주하는 두 긴 변들 사이는 세라믹 기판 절단시 특히 취약한 부분이다.Referring to FIG. 2, an unbaked
이해의 편의를 위해, 도 2에서의 부분 절단 패턴(110, 112)은 점선으로 나타내었다. 본 실시예에서, 상기 부분 절단 패턴은, 상기 캐비티(102)들을 전체적으로 둘러싸는 사각형의 외곽라인인 제1 부분 절단 패턴(110)과, 상기 캐비티(102)들의 열과 열 사이에 형성된 제2 부분 절단 패턴(112)을 포함한다. 상기 제1 및 제2 부분 절단 패턴(110, 112)은 날카로운 칼날을 이용하여 상기 세라믹 기판(100)의 두께보다 작은 깊이로 형성된다.For ease of understanding, the
이해의 편의를 위해, 도 2에서의 완전 절단 패턴(120)은 해치로 나타내었다. 상기 완전 절단 패턴(120)은 캐비티들의 행과 행 사이에 길게 형성된다. 또한 상기 완전 절단 패턴(120)은 펀칭 가공에 의해 관통 형성된 소정 폭의 기다란 장공으로 되어 있다.For ease of understanding, the
상기 완전 절단 패턴, 즉, 상기 장공(120)은 서로 이웃하는 2행의 캐비티(102)들 사이에서 그 캐비티(102)들 각각의 긴 변들과 평행하게 형성되어 있다. 따라서, 상기 장공(120)의 폭을 넓게 할수록 캐비티(102)의 긴 변과 절단면 사이가 더욱 얇아질 수 있다. 캐비티의 긴 변과 절단면 사이가 얇아진다 하더라도, 절단면은 소성 전에 완전히 절단된 면이므로, 소성 단계 및 그 이후의 절단 단계 후에도, 그 부분에서의 깨짐 또는 손상은 실질적으로 발생하지 않는다. 또한, 상기 절단면은 세라믹 패키지의 외표면이 되므로, 위와 같은 방식의 절단 패턴 형성 단계를 이용하면 미려한 세라믹 패키지를 얻을 수 있다. The complete cutting pattern, ie, the
<실시예 2><Example 2>
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 절단 패턴 공정을 설명하기 위한 평면도이다.3 is a plan view illustrating a cutting pattern process according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 제1 및 제2 부분 절단 패턴(110, 112)은 상기 세라믹 기판(100)의 두께보다 작은 깊이로 캐비티(102)들을 둘러싸는 외곽 라인 그리고 캐비티(102)들의 열과 열 사이에 형성되며, 이는 앞선 제1 실시예와 같다.Referring to FIG. 3, the first and second
그에 반해, 본 실시예의 완전 절단 패턴(122)은, 캐비티(102)들의 행과 행 사이에 세라믹 기판(100)의 두께와 같은 깊이로 형성된 단일 절단선이다. 편의를 위해, 단일 절단선(122)은 실선으로 표시되어 있다. 상기 단일 절단선(122)은, 펀칭 가공에 의해 형성되었던 앞선 제1 실시예의 장공과 달리, 칼날 가공에 의해 형성된다. 상기 단일 절단선(122)은, 상기 세라믹 기판이 무른 상태의 소성 전 단계에서 형성되므로, 그 단일 절단선(122)에 의해 형성된 절단면과 캐비티(102)의 긴 변 사이를 얇게 하는 것이 가능하다. 또한, 상기 절단면은, 소성된 세라믹 기판의 실제 절단 단계 이전에 미리 절단된 면이다. 따라서, 상기 절단면은 추가의 브레이킹 공정이 필요 없고 또한 깨끗한 면이 될 수 있다.In contrast, the
<실시예 3><Example 3>
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 절단 패턴 공정을 설명하기 위한 평면도이다.4 is a plan view illustrating a cutting pattern process according to a third exemplary embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 본 실시예는 앞선 제2 실시예와 모든 것이 같되, 다만, 캐비티의 행과 행 사이에 형성되는 절단 패턴이 이중 절단선(124a, 124b)으로 되어 있다. 이중 절단선(124a, 124b)을 절단 패턴으로 채택한 본 실시예의 공정은 제품 두께가 얇은 세라믹 패키지를 제조하는데 앞선 제2 실시예에 비해 더 적합할 수 있다. 그 이유는, 소성 후에 이루어지는 세라믹 기판의 절단 단계에서, 이중 절단선(124a, 124b) 사이의 기다란 사각형 부분이 큰 충격을 받지 않고도 쉽게 떨어져 나가기 때문이다. Referring to Fig. 4, the present embodiment is the same as in the second embodiment, except that the cutting patterns formed between the rows and the rows of the cavities are
<실시예 4><Example 4>
상기 이중 절단선을 절단 패턴으로 이용할 경우, 그 이중 절단선을 완전 절단 패턴으로 하지 않고, 도 5의 점선으로 표시된, 부분 절단 패턴(125a, 125b), 즉, 세라믹 기판의 두께보다 작은 깊이로 형성된 이중 절단선으로 할 수 있다. 도 5는 이중 절단선(125a, 125b)을 부분 절단 패턴으로 형성한 미소성 세라믹 기판의 평면도이다. 상기 이중 절단선을 부분 절단 패턴으로 하면, 소성된 세라믹 기판을 절단하는 공정시 행과 행 사이의 영역에 전단 하중이 가해지더라도, 그 전단 하중이, 이중 절단선(125a, 125b)에 의해 막혀, 캐비티에는 제대로 전달되지 않는다. 따라서, 캐비티(102)의 긴 변과 절단면 사이를 보다 얇게 하면서도 깨어짐 없이 세 라믹 패키지를 제조하는 것이 가능하다. When the double cut line is used as the cut pattern, the double cut line is not formed as a complete cut pattern, and the
도 2 내지 도 5에는 기다란 슬롯 형태의 캐비티를 포함하는 세라믹 기판이 도시되어 있지만, 캐비티의 형상이 본 발명을 한정하는 것은 아니며, 그 캐비티는 원형, 타원형 또는 다른 기하학적 형상일 수 있다.2 to 5 show a ceramic substrate comprising an elongated slot shaped cavity, the shape of the cavity is not limiting of the invention and the cavity may be circular, elliptical or other geometrical shape.
도 1은 본 발명에 따른 세라믹 패키지 제조방법을 설명하기 위한 순서도.1 is a flow chart illustrating a method of manufacturing a ceramic package according to the present invention.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 절단 패턴 공정을 설명하기위한 평면도.2 is a plan view for explaining a cutting pattern process according to a first embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 절단 패턴 공정을 설명하기위한 평면도.3 is a plan view for explaining a cutting pattern process according to a second embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 절단 패턴 공정을 설명하기위한 평면도.4 is a plan view for explaining a cutting pattern process according to a third embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 절단 패턴 공정을 설명하기위한 평면도.5 is a plan view for explaining a cutting pattern process according to a fourth embodiment of the present invention.
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080062803A KR101518455B1 (en) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | Method for making ceramic package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080062803A KR101518455B1 (en) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | Method for making ceramic package |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140182232A Division KR101550041B1 (en) | 2014-12-17 | 2014-12-17 | Method for making ceramic package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100002778A true KR20100002778A (en) | 2010-01-07 |
KR101518455B1 KR101518455B1 (en) | 2015-05-18 |
Family
ID=41812769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080062803A KR101518455B1 (en) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | Method for making ceramic package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101518455B1 (en) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006147973A (en) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Kyocera Corp | Multi-pattern wiring board and its manufacturing method |
JP2006278761A (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Tdk Corp | Manufacturing method of green substrate, breaking method of ceramic substrate, and manufacturing method of chip electric component |
JP2007157880A (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Manufacturing method for ceramic plate board |
-
2008
- 2008-06-30 KR KR1020080062803A patent/KR101518455B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101518455B1 (en) | 2015-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8952269B2 (en) | Wiring substrate, multi-piece wiring substrate array, and manufacturing method therefor | |
CN115884952A (en) | Method for producing a cermet substrate and cermet substrate produced by means of said method | |
JP2010219400A (en) | Led light source and method of manufacturing the same | |
EP2701470B1 (en) | Wiring board, multi-pattern wiring board, and method for producing same | |
KR20100002778A (en) | Method for making ceramic package | |
CN107135601B (en) | Multiple substrate | |
KR101550041B1 (en) | Method for making ceramic package | |
JP2007242939A (en) | Manufacturing method of ceramic multilayer substrate | |
JP6005462B2 (en) | Ceramic parts and manufacturing method thereof | |
JP2007243088A (en) | Multilayer ceramic substrate and its manufacturing method | |
CN108428674B (en) | Composite substrate and method for manufacturing same | |
KR101068263B1 (en) | substrate strip | |
JP2006173368A (en) | Ceramic substrate | |
JP4760253B2 (en) | Manufacturing method of ceramic electronic component and fired ceramic mother substrate | |
US20220223325A1 (en) | Method for manufacturing resistor | |
US20240128199A1 (en) | Substrate processing and packaging | |
JP3115706B2 (en) | Mejiro placement wiring board manufacturing method | |
JP2003273272A (en) | Ceramic board and its manufacturing method | |
CN111710611A (en) | Method for reducing fracture of central area of copper-clad ceramic substrate | |
JP4057960B2 (en) | Multiple wiring board | |
JP2005086131A (en) | Method for manufacturing ceramic electronic component | |
JP4315293B2 (en) | Manufacturing method of aggregate substrate | |
JP2005340541A (en) | Multiple patterning ceramic substrate | |
JP2022139438A (en) | Manufacturing method for semiconductor device | |
JP2008192922A (en) | Method for manufacturing ceramic substrate, and ceramic substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |