KR20100000882A

KR20100000882A - Probe and method of manufacturing a probe

Info

Publication number: KR20100000882A
Application number: KR1020080060544A
Authority: KR
Inventors: 정재훈
Original assignee: 주식회사 코리아 인스트루먼트
Priority date: 2008-06-26
Filing date: 2008-06-26
Publication date: 2010-01-06
Also published as: KR100958070B1

Abstract

PURPOSE: A probe and a method of manufacturing a probe are provided to reduce time and costs required for manufacturing the probe by forming an uneven surface on the top of an elastic member and prevent reflection of light. CONSTITUTION: A probe(100) comprises an elastic member, a tip part, an alignment target, and an input-output part. The elastic member(110) has elasticity and has an uneven surface thereon. The tip part(120) is connected to a first end of the elastic member and is contacted with a target. The alignment target unit(130) is branched from the tip part and is an alignment reference through which the position of the tip part is aligned. The input-output part(140) is connected to the lower-part of the elastic member opposite to the first end, and an inspection signal is inputted/outputted through the input-output part.

Description

Probe and method of manufacturing a probe

본 발명은 탐침 및 탐침 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 소자의 패드와 접촉하여 검사 신호를 전달하는 탐침 및 탐침 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a probe and a method for manufacturing the probe, and more particularly, to a probe and a method for manufacturing the probe in contact with the pad of the semiconductor device to transmit a test signal.

일반적으로 반도체 소자는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 소자들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 소자들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.In general, a semiconductor device includes a Fab process for forming an electrical circuit including electrical devices on a silicon wafer used as a semiconductor substrate, and an EDS (electrical) for inspecting electrical characteristics of the semiconductor devices formed in the fab process. die sorting) and a package assembly process for encapsulating and individualizing the semiconductor devices with an epoxy resin.

상기 EDS 공정을 수행하여 상기 반도체 소자들 중에서 불량 반도체 소자를 판별한다. 상기 EDS 공정은 프로브 카드 등의 전기적 검사 장치를 이용하여 수행된다. 상기 전기적 검사 장치는 상기 반도체 소자들에 탐침을 접촉한 상태에서 전기적 신호를 인가하고, 상기 인가된 전기적 신호로부터 체크되는 신호에 의해 불량을 판정한다.The EDS process is performed to determine a defective semiconductor device among the semiconductor devices. The EDS process is performed using an electrical inspection device such as a probe card. The electrical inspection device applies an electrical signal while the probe is in contact with the semiconductor elements, and determines a failure by a signal checked from the applied electrical signal.

상기 EDS 공정이 정상적으로 이루어지기 위해서는 상기 전기적 검사 장치의 탐침들과 상기 반도체 소자들의 패드들이 정확하게 정렬되어야 한다. 상기 탐침의 위치들을 비전을 통해 인식하고 상기 인식된 탐침의 위치들을 기준으로 상기 반도체 소자를 이동하여 상기 탐침들과 상기 반도체 소자들의 패드들을 정렬한다. In order for the EDS process to be performed normally, the probes of the electrical test apparatus and the pads of the semiconductor devices must be correctly aligned. The positions of the probes are recognized through vision and the semiconductor elements are moved based on the recognized positions of the probes to align the probes with the pads of the semiconductor elements.

그러나, 상기 탐침에서 상기 반도체 소자의 패드들과 직접 접촉하는 팁부 주의에 평탄면이 존재하여 상기 비전을 통한 인식시 빛이 반사된다. 따라서, 상기 비전을 통해 상기 팁부의 위치를 정확하게 인식하기 어렵다.However, a flat surface exists in the tip portion of the probe in direct contact with the pads of the semiconductor device, so that light is reflected upon recognition through the vision. Therefore, it is difficult to accurately recognize the position of the tip portion through the vision.

상기 평탄면에서의 빛 반사를 방지하기 위해 상기 평탄면에 스크래치를 형성하거나 빛 반사를 방지하기 위한 코팅층을 형성한다. 그러나, 상기 스크래치를 형성하는 공정시 상기 탐침이 휘어지는 등의 손상이 발생할 수 있다. 또한, 상기 스크래치 형성 공정을 추가적으로 수행하므로, 상기 탐침 제조 공정 시간이 늘어날 수 있다. 상기 코팅층을 형성하기 위해서는 추가적인 비용이 발생하므로 탐침의 원가가 상승하는 원인이 된다. 또한, 상기 코팅층 형성 공정을 추가적으로 수행하므로, 상기 탐침 제조 공정 시간이 증가한다.In order to prevent light reflection on the flat surface, a scratch is formed on the flat surface or a coating layer is formed to prevent light reflection. However, in the process of forming the scratch, damage such as bending of the probe may occur. In addition, since the scratch forming process is additionally performed, the probe manufacturing process time may be increased. Since the additional cost is generated to form the coating layer, the cost of the probe increases. In addition, since the coating layer forming process is additionally performed, the probe manufacturing process time increases.

본 발명은 비전을 통한 탐침의 인식율을 향상시킬 수 있는 탐침을 제공한다. The present invention provides a probe that can improve the recognition rate of the probe through vision.

본 발명은 상기 탐침을 제조하기 위한 탐침 제조 방법을 제공한다. The present invention provides a method for producing a probe for producing the probe.

본 발명에 따른 탐침은 검사 대상물과 접촉하는 팁부, 상기 팁부로부터 분기되고, 상기 팁부의 위치를 정렬하기 위한 정렬 기준이 되는 정렬 타겟부, 상면 제1 단부에 상기 팁부가 연결되며, 상기 상면에 요철을 갖는 탄성부 및 상기 제1 단부와 반대되는 상기 탄성부의 제2 단부 하면에 연결되고, 상기 검사 대상물을 검사하기 위한 검사 신호가 입출력되는 입출력부를 포함할 수 있다. Probe according to the present invention is a tip portion in contact with the test object, an alignment target portion which is branched from the tip portion, which is an alignment criterion for aligning the position of the tip portion, the tip portion is connected to the first end of the upper surface, and the irregularities on the upper surface And an input / output unit connected to a lower surface of the elastic part having a second end and opposite to the first end of the elastic part, and configured to input / output an inspection signal for inspecting the inspection object.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 정렬 타켓부는 단부에 평탄면을 가질 수 있다. According to one embodiment of the invention, the alignment target portion may have a flat surface at the end.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 팁부의 단부가 상기 정렬 타겟부의 단부보다 높을 수 있다. According to another embodiment of the present invention, an end portion of the tip portion may be higher than an end portion of the alignment target portion.

본 발명에 따른 탐침 제조 방법은 희생 기판 상에 검사 대상물과 접촉하는 팁부, 상기 팁부로부터 분기되고 상기 팁부의 위치를 정렬하기 위한 정렬 기준이 되는 정렬 타겟부, 상면 제1 단부에 상기 팁부가 연결되며 상기 상면에 요철을 갖는 탄성부 및 상기 제1 단부와 반대되는 상기 탄성부의 제2 단부 하면에 연결되고 상기 검사 대상물을 검사하기 위한 검사 신호가 입출력되는 입출력부를 포함하는 탐침 형태의 개구를 갖는 패턴층을 형성하고, 상기 개구를 채우도록 도전성 패턴을 형성하고, 상기 패턴층 및 상기 희생 기판을 제거하여 상기 팁부, 정렬 타겟부, 탄성부 및 입출력부를 포함하는 탐침을 형성한다. In the method of manufacturing a probe according to the present invention, a tip portion contacting an object to be inspected on a sacrificial substrate, an alignment target portion branched from the tip portion, and an alignment target for aligning the position of the tip portion, and the tip portion is connected to an upper surface first end portion. A pattern layer having an opening in a probe shape including an elastic part having irregularities on the upper surface and an input / output part connected to a lower surface of the second end of the elastic part opposite to the first end and to which input and output of an inspection signal for inspecting the inspection object are input and output; And a conductive pattern to fill the opening, and remove the pattern layer and the sacrificial substrate to form a probe including the tip portion, the alignment target portion, the elastic portion, and the input / output portion.

본 발명에 따른 탐침은 탄성부의 상면에 요철을 형성하여 빛의 반사를 방지한다. 따라서, 비전의 이용하여 정렬 타켓부를 정확하게 인식할 수 있다. The probe according to the present invention forms irregularities on the upper surface of the elastic portion to prevent reflection of light. Therefore, it is possible to accurately recognize the alignment target portion by using the vision.

또한, 패턴층 형성시 측벽에 요철을 갖는 개구를 형성하여 탐침 형성시 상기 탄성부에 요철을 형성할 수 있다. 추가 공정없이 팁부가 연결된 면에 요철을 갖는 탄성부를 포함하는 탐침을 형성할 수 있으므로, 탐침 제조 공정의 소요되는 비용과 시간을 줄일 수 있다. In addition, when the pattern layer is formed, openings having irregularities on the sidewalls may be formed to form irregularities on the elastic part when the probe is formed. Since it is possible to form a probe including an elastic part having irregularities on a surface to which the tip part is connected without an additional process, the cost and time required for the probe manufacturing process can be reduced.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 탐침 및 탐침 제조 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a probe and a method for manufacturing a probe according to an embodiment of the present invention. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나 의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 탐침(100)을 설명하기 위한 사시도이다. 1 is a perspective view for explaining a probe 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 탐침(100)은 검사 대상물인 반도체 소자의 패드와 직접 접촉하기 위한 것으로, 팁부(110), 정렬 타겟부(120), 탄성부(130) 및 입출력부(140)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the probe 100 is for directly contacting a pad of a semiconductor device, which is an inspection object, and includes a tip part 110, an alignment target part 120, an elastic part 130, and an input / output part 140. Include.

상기 팁부(110)는 뾰족한 형태를 가지며, 상기 검사 대상물인 반도체 소자의 패드와 직접 접촉한다.The tip part 110 has a pointed shape and directly contacts the pad of the semiconductor device to be inspected.

상기 정렬 타겟부(120)는 상기 팁부(110)의 측면으로부터 분기된다. 상기 정렬 타켓부(120)는 단부에 평탄면을 갖는다. 상기 팁부(110)는 뾰족한 형태를 가지므로, 상기 탐침(100)의 정렬을 확인하기 위한 비전 검사시 상기 팁부(110)를 인식하기 어렵다. 그러나, 상기 정렬 타겟부(120)는 평탄면을 가지므로, 상기 비전 검사시 상기 정렬 타겟부(120)를 용이하게 인식할 수 있다. 그러므로, 상기 정렬 타겟부(120)를 이용하여 상기 탐침(100)과 상기 반도체 소자의 패드를 정확하게 정렬할 수 있다The alignment target portion 120 branches from the side of the tip portion 110. The alignment target portion 120 has a flat surface at the end. Since the tip part 110 has a pointed shape, it is difficult to recognize the tip part 110 during vision inspection for confirming the alignment of the probe 100. However, since the alignment target unit 120 has a flat surface, the alignment target unit 120 may be easily recognized during the vision inspection. Therefore, the pads of the probe 100 and the semiconductor device may be accurately aligned using the alignment target part 120.

상기 팁부(110)의 단부 높이가 상기 정렬 타겟부(120)의 단부 높이와 같은 경우, 상기 팁부(110)가 상기 반도체 소자의 패드와 접촉할 뿐만 아니라 상기 정렬 타겟부(120)도 상기 패드와 접촉하거나 상기 반도체 소자와 접촉할 수 있다. 따라서, 상기 정렬 타겟부(120)가 상기 팁부(110)와 상기 패드의 접촉을 방해할 수 있다. When the end height of the tip portion 110 is equal to the end height of the alignment target portion 120, the tip portion 110 is not only in contact with the pad of the semiconductor device, but the alignment target portion 120 also contacts the pad. Contact with the semiconductor device. Therefore, the alignment target part 120 may interfere with the contact between the tip part 110 and the pad.

상기 팁부(110)의 단부 높이가 상기 정렬 타겟부(120)의 단부 높이보다 낮은 경우, 상기 정렬 타겟부(120)가 상기 패드와 접촉하거나 상기 반도체 소자와 접촉하므로, 상기 팁부(110)가 상기 패드가 접촉할 수 없다.When the end height of the tip portion 110 is lower than the end height of the alignment target portion 120, the tip portion 110 is in contact with the pad or the semiconductor element. The pads cannot touch.

그러므로, 상기 팁부(110)의 단부 높이는 상기 정렬 타겟부(120)의 단부 높이보다 높은 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 정렬 타겟부(120)가 상기 패드 또는 반도체 소자와 접촉하지 않으므로, 상기 정렬 타겟부(120)의 방해없이 상기 팁 부(110)가 상기 패드와 접촉할 수 있다. Therefore, it is preferable that the end height of the tip portion 110 is higher than the end height of the alignment target portion 120. In this case, since the alignment target unit 120 does not contact the pad or the semiconductor device, the tip unit 110 may contact the pad without disturbing the alignment target unit 120.

상기 탄성부(130)는 제1 단부의 상면에 상기 정렬 타겟부(120)가 분기되는 팁부(110)가 연결된다. 상기 탄성부(130)는 탄성 재질로 이루어진다. 상기 탄성부(130)는 상기 팁부(110)를 가압하여 상기 팁부(110)와 상기 패드의 접촉을 유지시킨다. The elastic portion 130 is connected to the tip portion 110 is the alignment target portion 120 is branched to the upper surface of the first end. The elastic portion 130 is made of an elastic material. The elastic part 130 pressurizes the tip part 110 to maintain contact between the tip part 110 and the pad.

일 예로, 도 1에 도시된 바와 같이 상기 탄성부(123)는 빔(beam) 형태를 가질 수 있다. 다른 예로, 상기 탄성부(123)는 호(arc) 형태를 가질 수 있다. For example, as shown in FIG. 1, the elastic part 123 may have a beam shape. As another example, the elastic part 123 may have an arc shape.

상기 탄성부(130)는 상기 팁부(110)가 연결된 상면에 요철(132)을 갖는다. 일 예로, 상기 요철(132)은 상기 탄성부(130)의 연장 방향을 따라 배치될 수 있다. 다른 예로, 상기 요철(132)은 상기 탄성부(130)의 연장 방향과 수직한 방향을 따라 배치될 수 있다. The elastic part 130 has an unevenness 132 on the upper surface to which the tip part 110 is connected. For example, the unevenness 132 may be disposed along an extension direction of the elastic portion 130. As another example, the unevenness 132 may be disposed along a direction perpendicular to the extending direction of the elastic portion 130.

상가 탐침(100)의 정렬을 확인하기 위한 비전 검사시 상기 탄성부(130)의 상면에 수직하게 빛이 입사된다. 입사된 빛은 상기 요철(132)로 인해 상기 상면에 수직하게 반사되지 않고 경사지도록 반사된다. 따라서, 상기 상면에 수직한 반사광으로 인해 상기 비전 검사시 상기 정렬 타겟부(120)를 인식하지 못하는 현상을 방지할 수 있다. 즉, 상기 상면에 수직한 반사광을 방지하여 상기 비전 검사시 상기 정렬 타겟부(120)를 정확하게 인식할 수 있다.During the vision inspection to confirm the alignment of the mall probe 100, light is incident on the upper surface of the elastic unit 130. The incident light is reflected to be inclined instead of being perpendicular to the upper surface due to the unevenness 132. Therefore, the phenomenon of not recognizing the alignment target unit 120 during the vision inspection due to the reflected light perpendicular to the upper surface may be prevented. That is, the alignment target unit 120 may be accurately recognized during the vision inspection by preventing the reflected light perpendicular to the upper surface.

상기 입출력부(140)는 상기 제1 단부와 반대되는 상기 빔부(130)의 제2 단부에 연결된다. 예를 들면, 상기 입출력부(140)는 상기 제2 단부의 하면에 연결된다. 상기 입출력부(140)는 상기 반도체 소자를 검사하기 위한 전기 신호를 제공하는 외 부 신호 라인과 연결되어 상기 전기 신호가 입출력될 수 있다. 상기 입출력부(140)는 상기 외부 신호 라인을 갖는 기판에 고정될 수 있다. The input / output unit 140 is connected to the second end of the beam unit 130 opposite to the first end. For example, the input / output unit 140 is connected to the lower surface of the second end. The input / output unit 140 may be connected to an external signal line that provides an electrical signal for inspecting the semiconductor device to input and output the electrical signal. The input / output unit 140 may be fixed to a substrate having the external signal line.

도 2a 내지 도 2d는 도 1에 도시된 탐침(100)을 제조하기 위한 탐침 제조 방법을 설명하기 위한 사시도들이다.2A to 2D are perspective views illustrating a probe manufacturing method for manufacturing the probe 100 shown in FIG. 1.

도 2a를 참조하면, 희생 기판(210) 상에 도 1에 도시된 탐침(100)의 두께와 동일한 두께를 갖는 포토레지스트층(220)을 형성한다. 상기 희생 기판(210)의 예로는 실리콘 기판, 유리 기판 등을 들 수 있다.Referring to FIG. 2A, a photoresist layer 220 having the same thickness as that of the probe 100 illustrated in FIG. 1 is formed on the sacrificial substrate 210. Examples of the sacrificial substrate 210 may include a silicon substrate and a glass substrate.

도 2b를 참조하면, 상기 포토레지스트층(220)을 선택적으로 노광 및 현상하여 포토레지스트층 패턴(230)을 형성한다. 상기 포토레지스트층 패턴(230)은 도 1에 도시된 탐침(100) 형상의 개구(232)를 갖는다. 즉, 상기 개구(232)는 뾰족한 팁부(110), 상기 팁부(110)로부터 분기되는 정렬 타켓부(120), 상면 제1 단부에 상기 팁부(110)가 연결되며, 상기 상면에 요철(132)을 갖는 탄성부(130) 및 상기 제1 단부와 반대되는 상기 탄성부(130)의 제2 단부 하면에 연결되는 입출력부(140) 형상을 갖는다.Referring to FIG. 2B, the photoresist layer 220 is selectively exposed and developed to form a photoresist layer pattern 230. The photoresist layer pattern 230 has an opening 232 in the shape of the probe 100 shown in FIG. 1. That is, the opening 232 is a pointed tip portion 110, the alignment target portion 120 branching from the tip portion 110, the tip portion 110 is connected to the first end of the upper surface, irregularities 132 on the upper surface It has an shape of the input and output unit 140 connected to the elastic portion 130 having a second end and the lower end of the elastic portion 130 opposite to the first end.

도 2c를 참조하면, 상기 포토레지스트층 패턴(230)의 개구(232)가 채워지도록 상기 포토레지스트층 패턴(230) 상에 탄성을 가지며 도전성 물질로 이루어진 도전층(미도시)을 형성한다. 예를 들면, 상기 도전층은 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD) 또는 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)에 의해 형성될 수 있다. 다른 예로, 상기 도전층은 전기 도금에 의해 형성될 수 있다. 이때, 상기 희생 기판(210)에 씨드층(seed layer)을 형성하는 공정이 선행된다. 상기 도전층은 니켈(Ni) 또는 니켈합금(Ni-Co, Ni-W-Co) 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2C, a conductive layer (not shown) having elasticity and made of a conductive material is formed on the photoresist layer pattern 230 to fill the opening 232 of the photoresist layer pattern 230. For example, the conductive layer may be formed by physical vapor deposition (PVD) or chemical vapor deposition (CVD). As another example, the conductive layer may be formed by electroplating. In this case, a process of forming a seed layer on the sacrificial substrate 210 is preceded. The conductive layer may include nickel (Ni) or nickel alloys (Ni-Co, Ni-W-Co).

이어서, 상기 포토레지스트층 패턴(230)의 상부 표면이 노출되도록 상기 도전층을 제거하여 도전성 패턴(240)을 형성한다. 상기 도전층의 제거 공정의 예로는 화학 기계적 연마(CMP), 에치백(etch back), 그라인딩(grinding) 등을 들 수 있다. Subsequently, the conductive layer is removed to form the conductive pattern 240 so that the upper surface of the photoresist layer pattern 230 is exposed. Examples of the conductive layer removal process include chemical mechanical polishing (CMP), etch back, grinding, and the like.

도 2d를 참조하면, 상기 도전성 패턴(240)이 노출되도록 상기 포토레지스트층 패턴(230)을 제거한다. 상기 포토레지스트층 패턴(230)의 제거 공정의 예로는 습식 식각, 애싱 등을 들 수 있다.Referring to FIG. 2D, the photoresist layer pattern 230 is removed to expose the conductive pattern 240. Examples of the process of removing the photoresist layer pattern 230 may include wet etching and ashing.

다음으로, 습식 식각 공정을 이용하여 상기 희생 기판(210)을 제거하여 팁부(110), 정렬 타겟부(120), 빔부(130) 및 입출력부(140)를 포함하는 탐침(100)을 완성한다. Next, the sacrificial substrate 210 is removed using a wet etching process to complete the probe 100 including the tip part 110, the alignment target part 120, the beam part 130, and the input / output part 140. .

상기 탐침(100) 제조 방법에 따르면, 상기 개구(232) 형성시 상기 탄성부(130)의 상면에 대응하는 측벽에 요철을 형성함으로써 추가 공정없이 팁부(110)가 연결된 면에 요철을 갖는 탄성부를 포함하는 탐침을 형성할 수 있다. According to the method of manufacturing the probe 100, when the opening 232 is formed, an uneven portion is formed on the side wall corresponding to the top surface of the elastic portion 130 to form an elastic portion having unevenness on the surface to which the tip portion 110 is connected without further processing. It may form a probe containing.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 탐침은 탄성부의 상면에 요철을 형성하여 빛의 반사를 방지한다. 따라서, 비전 검사시 정렬 타켓부를 정확하게 인식하여 상기 탐침과 반도체 소자를 정확하게 정렬할 수 있다. As described above, the probe according to the embodiments of the present invention to form irregularities on the upper surface of the elastic portion to prevent the reflection of light. Accordingly, the vision target may be accurately recognized to accurately align the probe and the semiconductor device.

또한, 패턴층 형성시 측벽에 요철을 갖는 개구를 형성하여 탐침 형성시 상기 탄성부에 요철을 형성할 수 있다. 추가 공정없이 팁부가 연결된 면에 요철을 갖는 탄성부를 포함하는 탐침을 형성할 수 있으므로, 탐침 제조 공정의 소요되는 비용과 시간을 줄일 수 있다. 따라서, 상기 탐침 제조 공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, when the pattern layer is formed, openings having irregularities on the sidewalls may be formed to form irregularities on the elastic part when the probe is formed. Since it is possible to form a probe including an elastic part having irregularities on a surface to which the tip part is connected without an additional process, the cost and time required for the probe manufacturing process can be reduced. Therefore, productivity of the said probe manufacturing process can be improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 탐침을 설명하기 위한 사시도이다. 1 is a perspective view for explaining a probe according to an embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 2d는 도 1에 도시된 탐침을 제조하기 위한 탐침 제조 방법을 설명하기 위한 사시도들이다.2A to 2D are perspective views illustrating a probe manufacturing method for manufacturing the probe shown in FIG. 1.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 탐침 110 : 탄성부100: probe 110: elastic portion

120 : 팁부 130 : 정렬 타겟부120: tip portion 130: alignment target portion

140 : 입출력부 210 : 희생기판140: input and output unit 210: sacrificial substrate

220 : 패턴층 222 : 개구220: pattern layer 222: opening

230 : 도전성 패턴230: conductive pattern

Claims

A tip part in contact with the inspection object;

An alignment target portion branched from the tip portion and serving as an alignment criterion for aligning the position of the tip portion;

An elastic portion having a tip portion connected to a first end of an upper surface and having irregularities on the upper surface; And

And an input / output unit connected to a lower surface of the second end of the elastic part opposite to the first end and configured to input / output an inspection signal for inspecting the inspection object.

The probe of claim 1, wherein the alignment target portion has a flat surface at an end thereof.

The probe of claim 1 wherein the end height of the tip portion is higher than the end height of the alignment target portion.

A tip portion contacting an object to be inspected on a sacrificial substrate, an alignment target portion branched from the tip portion and serving as an alignment reference for aligning the position of the tip portion, and an elastic portion having an unevenness on the upper surface with the tip portion connected to a first end of the upper surface And a pattern layer having an opening in the shape of a probe including an input / output unit connected to a lower surface of the second end of the elastic part opposite to the first end and configured to input / output an inspection signal for inspecting the inspection object.

Forming a conductive pattern to fill the opening; And

And removing the pattern layer and the sacrificial substrate to form a probe including the tip part, the alignment target part, the elastic part, and the input / output part.