KR20100000781A - 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법, 이방법을 이용한 발광 다이오드 제조 방법, 및 이 방법에의해 제조된 발광 다이오드 - Google Patents
발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법, 이방법을 이용한 발광 다이오드 제조 방법, 및 이 방법에의해 제조된 발광 다이오드 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (31)
- (a) 기판 상에 질화 갈륨 박막을 형성하는 단계;(b) 상기 질화 갈륨 박막의 상부 표면을 다각형으로 노출시키는 개구 패턴을 정의하는 절연막 패턴을 형성하는 단계로서, 질화 갈륨의 자연 선호 결정 성장 방향([1000] 방향)이 상기 다각형의 중심과 꼭지점을 연결한 선의 방향과 일치하지 않도록 상기 절연막 패턴을 형성하는 단계;(c) 상기 절연막 패턴을 마스크로 하여 상기 개구 패턴의 꼭지점 부분에서 질화 갈륨의 새로운 결정면이 나타날 때까지 제1질화 갈륨층을 선택적으로 성장시키는 단계;(d) 상기 제1질화 갈륨층의 표면을 질화 열처리하는 단계; 및(e) 상기 제1질화 갈륨층 상에 수평 단면의 변 수가 제1질화 갈륨층의 변 수가 될 때까지 제2질화 갈륨층을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제1항에 있어서,상기 다각형 개구 패턴은 육각형 개구 패턴인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제1항에 있어서,상기 다각형 개구 패턴은 사각형 개구 패턴인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 제1질화 갈륨층은 5 um ~ 50 um의 두께로 성장시키고,상기 (e) 단계에서, 제2질화 갈륨층은 10 um ~ 70 um의 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (c) 단계는, 제1질화 갈륨층의 수평 단면의 변 수가 다각형 개구 패턴의 변 수의 2배가 될 때까지 제1질화 갈륨층을 성장시키는 단계임을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제5항에 있어서,상기 다각형 개구 패턴이 육각형 개구 패턴이고,상기 (c) 단계는, 제1질화 갈륨층의 수평 단면이 12각형이 될 때까지 제1질화 갈륨층을 성장시키는 단계임을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제5항에 있어서,상기 다각형 개구 패턴이 사각형 개구 패턴이고,상기 (c) 단계는, 제1질화 갈륨층의 수평 단면이 8각형이 될 때까지 제1질화 갈륨층을 성장시키는 단계임을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (b) 단계는,상기 기판 상에 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 및사진 식각 공정에 의해 실리콘 산화막을 패터닝하여 상기 질화 갈륨 박막의 상부 표면을 노출시키는 상기 다각형 개구 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (c) 및 (e) 단계에서,상기 제1 및 제2질화 갈륨층은 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)법에 의해 5 um ~ 100 um의 두께로 성장되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2질화 갈륨층 성장을 위한 HVPE법은,GaCl(g) 및 NH3(g)의 혼합 가스를 반응 소스로, N2(g) 및 H2(g)의 혼합 가스를 분위기 조성 가스로 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 제1질화 갈륨층의 표면을 질화 열처리하는 단계는,상기 제1질화 갈륨층의 성장 후, GaCl(g)의 공급을 차단한 상태에서 질소 소스 가스를 공급하여 제1질화 갈륨층의 표면을 질화 열처리하는 단계임을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제11항에 있어서,상기 질화 열처리 단계는 1000 ℃ ~ 1100 ℃의 온도 조건에서 1분 ~ 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제1항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판, (111)-Si 기판, SiC 기판 또는 ZnO 기판인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- (a) 기판 상에 질화 갈륨 박막을 형성하는 단계;(b) 사진 식각 공정에 의해 상기 질화 갈륨 박막을 다각형 패턴으로 패터닝하는 단계로서, 질화 갈륨의 자연 선호 결정 성장 방향([1000] 방향)이 상기 다각형의 중심과 꼭지점을 연결한 선의 방향과 일치하지 않도록 다각형 패턴을 패터닝하는 단계;(c) 상기 다각형 패턴 상에만 제1질화 갈륨층을 선택적으로 성장시키되, 다각형 패턴의 꼭지점 부분에서 질화 갈륨의 새로운 결정면이 나타날 때까지 제1질화 갈륨층을 성장시키는 단계;(d) 상기 제1질화 갈륨층의 표면을 질화 열처리하는 단계; 및(e) 상기 제1질화 갈륨층 상에 수평 단면의 변 수가 제1질화 갈륨층의 변 수가 될 때까지 제2질화 갈륨층을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제14항에 있어서,상기 다각형 패턴은 육각형 패턴인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제14항에 있어서,상기 다각형 패턴은 사각형 패턴인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제14항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 제1질화 갈륨층은 5 um ~ 50 um의 두께로 성장시키고,상기 (e) 단계에서, 제2질화 갈륨층은 10 um ~ 70 um의 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제14항에 있어서,상기 (c) 단계는, 제1질화 갈륨층의 수평 단면의 변 수가 다각형 패턴의 변수의 2배가 될 때까지 제1질화 갈륨층을 성장시키는 단계임을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제18항에 있어서,상기 다각형 패턴이 육각형 패턴이고,상기 (c) 단계는, 제1질화 갈륨층의 수평 단면이 12각형이 될 때까지 제1질화 갈륨층을 성장시키는 단계임을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제18항에 있어서,상기 다각형 패턴이 사각형 패턴이고,상기 (c) 단계는, 제1질화 갈륨층의 수평 단면이 8각형이 될 때까지 제1질화 갈륨층을 성장시키는 단계임을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 (c) 및 (e) 단계에서,상기 제1 및 제2질화 갈륨층은 HVPE법에 의해 5 um ~ 100 um의 두께로 성장 되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제21항에 있어서, 상기 제1 및 제2질화 갈륨층 성장을 위한 HVPE법은,GaCl(g) 및 NH3(g)의 혼합 가스를 반응 소스로, N2(g) 및 H2(g)의 혼합 가스를 분위기 조성 가스로 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제22항에 있어서, 상기 제1질화 갈륨층의 표면을 질화 열처리하는 단계는,상기 제1질화 갈륨층의 성장 후, GaCl(g)의 공급을 차단한 상태에서 질소 소스 가스를 공급하여 제1질화 갈륨층의 표면을 질화 열처리하는 단계임을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제23항에 있어서,상기 질화 열처리 단계는 1000 ℃ ~ 1100 ℃의 온도 조건에서 1분 ~ 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- 제14항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판, (111)-Si 기판, SiC 기판 또는 ZnO 기판인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법.
- (a) 기판 상에 질화 갈륨 박막을 형성하는 단계;(b) 상기 질화 갈륨 박막의 상부 표면을 다각형으로 노출시키는 개구 패턴을 정의하는 절연막 패턴을 형성하는 단계로서, 질화 갈륨의 자연 선호 결정 성장 방향([1000] 방향)이 상기 다각형의 중심과 꼭지점을 연결한 선의 방향과 일치하지 않도록 상기 절연막 패턴을 형성하는 단계;(c) 상기 절연막 패턴을 마스크로 하여 상기 개구 패턴의 꼭지점 부분에서 질화 갈륨의 새로운 결정면이 나타날 때까지 제1질화 갈륨층을 선택적으로 성장시키는 단계;(d) 상기 제1질화 갈륨층의 표면을 질화 열처리하는 단계;(e) 상기 제1질화 갈륨층 상에 수평 단면의 변 수가 제1질화 갈륨층의 변 수가 될 때까지 제2질화 갈륨층을 성장시키는 단계;(f) 상기 제2질화 갈륨층 상에 적어도 n형 반도체층, 양자 우물층 및 p형 반도체층을 포함하는 LED 구조물을 형성하는 단계; 및(g) 상기 LED 구조물의 n형 반도체층을 노출시키는 개구를 형성하여 n형-금속 전극을 형성하고 상기 LED 구조물의 p형-반도체층에 금속 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법.
- (a) 기판 상에 질화 갈륨 박막을 형성하는 단계;(b) 사진 식각 공정에 의해 상기 질화 갈륨 박막을 다각형 패턴으로 패터닝 하는 단계로서, 질화 갈륨의 자연 선호 결정 성장 방향([1000] 방향)이 상기 다각형의 중심과 꼭지점을 연결한 선의 방향과 일치하지 않도록 다각형 패턴을 패터닝하는 단계;(c) 상기 다각형 패턴 상에만 제1질화 갈륨층을 선택적으로 성장시키되, 다각형 패턴의 꼭지점 부분에서 질화 갈륨의 새로운 결정면이 나타날 때까지 제1질화 갈륨층을 성장시키는 단계;(d) 상기 제1질화 갈륨층의 표면을 질화 열처리하는 단계;(e) 상기 제1질화 갈륨층 상에 수평 단면의 변 수가 제1질화 갈륨층의 변 수가 될 때까지 제2질화 갈륨층을 성장시키는 단계;(f) 상기 제2질화 갈륨층 상에 적어도 n형 반도체층, 양자 우물층 및 p형 반도체층을 포함하는 LED 구조물을 형성하는 단계; 및(g) 상기 LED 구조물의 n형 반도체층을 노출시키는 개구를 형성하여 n형-금속 전극을 형성하고 상기 LDE 구조물의 p형-반도체층에 금속 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법.
- (a) 기판 상에 질화 갈륨 박막을 형성하는 단계;(b) 상기 질화 갈륨 박막의 상부 표면을 다각형으로 노출시키는 개구 패턴을 정의하는 절연막 패턴을 형성하는 단계로서, 질화 갈륨의 자연 선호 결정 성장 방향([1000] 방향)이 상기 다각형의 중심과 꼭지점을 연결한 선의 방향과 일치하지 않도록 상기 절연막 패턴을 형상하는 단계;(c) 상기 절연막 패턴을 마스크로 하여 상기 개구 패턴의 꼭지점 부분에서 질화 갈륨의 새로운 결정면이 나타날 때까지 제1반도체 타입의 제1질화 갈륨층을 선택적으로 성장시키는 단계;(d) 상기 제1질화 갈륨층의 표면을 질화 열처리하는 단계;(e) 상기 제1질화 갈륨층 상에 수평 단면의 변 수가 제1질화 갈륨층의 변 수가 될 때까지 제1반도체 타입의 제2질화 갈륨층을 성장시키는 단계;(f) 상기 제2질화 갈륨층 상에 적어도 양자 우물층과 상기 제1반도체 타입과 반대 극성의 제2반도체 타입을 갖는 반도체층을 포함하는 LED 구조물을 형성하는 단계; 및(g) 상기 제2질화 갈륨층의 상부 표면을 노출시키는 개구를 형성하여 금속 전극을 형성하고, LED 구조물에 포함된 제2반도체 타입의 반도체층에 금속 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법.
- (a) 기판 상에 질화 갈륨 박막을 형성하는 단계;(b) 사진 식각 공정에 의해 상기 질화 갈륨 박막을 다각형 패턴으로 패터닝하는 단계로서, 질화 갈륨의 자연 선호 결정 성장 방향([1000] 방향)이 상기 다각형의 중심과 꼭지점을 연결한 선의 방향과 일치하지 않도록 다각형 패턴을 패터닝하는 단계;(c) 상기 다각형 패턴 상에만 제1반도체 타입의 제1질화 갈륨층을 선택적으로 성장시키되, 다각형 패턴의 꼭지점 부분에서 질화 갈륨의 새로운 결정면이 나타 날 때까지 제1질화 갈륨층을 성장시키는 단계;(d) 상기 제1질화 갈륨층의 표면을 질화 열처리하는 단계;(e) 상기 제1질화 갈륨층 상에 수평 단면의 변 수가 제1질화 갈륨층의 변 수가 될 때까지 제1반도체 타입의 제2질화 갈륨층을 성장시키는 단계;(f) 상기 제2질화 갈륨층 상에 적어도 양자 우물층과 상기 제1반도체 타입과 반대 극성을 갖는 제2반도체 타입의 반도체층을 포함하는 LED 구조물을 형성하는 단계; 및(g) 상기 제2질화 갈륨층의 상부 표면을 노출시키는 개구를 형성하여 금속 전극을 형성하고, LED 구조물의 제2반도체 타입을 갖는 반도체층에 금속 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법.
- 아일랜드형 질화 갈륨층 패턴으로서 수평 단면 형상이 다각형인 제1 및 제2질화 갈륨층이 적층된 2중층 구조의 질화 갈륨층 패턴;적어도 n형 반도체층, 양자 우물층 및 p형 반도체층을 포함하도록 상기 질화 갈륨층 패턴 상에 형성된 LED 구조물; 및상기 LED 구조물의 n형 반도체층과 p형 반도체층에 각각 형성된 n형-금속 전극 및 p형-금속 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 아일랜드형 질화 갈륨층 패턴으로서 수평 단면 형상이 다각형인 제1반도체 타입의 제1 및 제2질화 갈륨층이 적층된 2중층 구조의 질화 갈륨층 패턴;적어도 양자 우물층과 상기 제1반도체 타입과 반대 타입인 제2반도체 타입의 반도체층을 포함하도록 상기 질화 갈륨층 패턴 상에 형성된 LED 구조물; 및상기 질화 갈륨층 패턴의 상부 표면과 상기 LED 구조물의 제2반도체 타입의 반도체층에 각각 형성된 금속 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
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JP5194334B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2013-05-08 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体デバイスの製造方法 |
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