CN111223968A - 同一外延片上实现不同发光波长的led外延生长方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法，包括：在衬底上制备第一光刻版套刻对位图形；在衬底上依次生长GaN或AlN成核层、非掺杂的GaN缓冲层和掺Si的n型GaN层；沉积掩膜薄膜层；利用第二光刻版光刻、刻蚀露出第二光刻版中标定区域下面的n型GaN层；生长发光波长为W1的有源区发光层；沉积掩膜薄膜层；利用第三光刻版光刻、刻蚀露出第三光刻版中标定区域下面的n型GaN层；生长发光波长为W2的有源区发光层；重复交替沉积掩膜薄膜、生长不同发光波长的有源区发光层，得到不同发光波长的外延层区域；生长p型GaN层。本申请实现了同一外延片上多种发光波长的可控LED外延生长。

Description

同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法
技术领域
本发明涉及LED外延片生长技术领域，具体地说，涉及一种同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法。
背景技术
LED外延生长得到的LED结构影响着半导体照明的发展，GaN是宽禁带半导体材料，其三元合金InxGa1-xN的禁带宽度从0.7eV到3.4eV，相应的带间跃迁发射光谱覆盖从红外到紫外的范围。目前的半导体LED白光普通照明就是依靠GaN基蓝光LED加上黄色荧光粉得到白光。由于LED照明产品相比原来的照明产品具有高效节能、绿色环保、寿命长的突出优势，目前已大量代替传统的白炽灯和荧光灯等传统照明产品，GaN基LED的发明也被誉为照明领域的一次革命。
GaN基LED照明芯片具有广阔的应用领域，如室内外普通照明、景观照明、背光、显示、汽车照明以及植物照明等，实际应用中需要多种颜色的光源，相应需要各种发光波长的照明芯片。
GaN基LED芯片主要是利用MOCVD设备生长外延材料，之后加工成LED芯片。LED的发光波长是外延生长的发光区的材料及结构决定的，传统的LED外延片在一次外延生长过程制备的材料片内是均一的，由此外延片制备出的芯片的发光波长都是一致的，不能在同一外延片上可控生长及制备出不同目标波长的芯片。
为了在应用中得到不同发光波长LED芯片组合起来的光源，传统的制造工艺需要专门生长不同波长的单色LED外延材料及芯片，再把不同波长的单色芯片装配在一起形成彩色LED照明光源。这种方式增加了芯片封装和应用上的工艺步骤，增加了工艺流程和成本。
为适应彩色光源的多样性应用需求，亟需一种可以在一个外延片上实现多个波长的可控生长技术，简化多色LED照明光源的制备工艺，降低生产成本。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提供一种同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法，解决现有技术中没有在一个外延片上实现多个波长的可控生长问题。
本发明提供一种同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法，包括：
在Al2O3、Si、SiC等衬底材料上制备出光刻时对版用的标记点图形得到具有第一光刻版对位标记图形的衬底；
在所述具有第一光刻版图形的衬底上依次生长GaN或AlN成核层、非掺杂的GaN缓冲层和掺Si的n型GaN层；
沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层；
在设定的生长发光波长W1的外延层区域，设计第二光刻版；光刻、刻蚀去除所述第二光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，露出下面的n型GaN层；
在所述第二光刻版中标定区域，即露出的n型GaN层上生长发光波长为W1的有源区发光层；
沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层；
在设定的生长发光波长W2的外延层区域，设计第三光刻版；光刻、刻蚀去除所述第三光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，露出下面的n型GaN层；
在所述第三光刻版中标定区域，即露出的n型GaN层上生长发光波长为W2的有源区发光层；
重复沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层，设计光刻版刻蚀去除光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，再在所述光刻版中标定区域中生长不同发光波长的有源区发光层，得到不同发光波长的外延层区域；
在各个有源区发光层上生长p型GaN层，得到同一外延片上多区域不同发光波长的LED外延片。
可选地，其中，该方法还包括：
在生长完不同发光波长的外延层区域后，设计在不同发光波长的有源区发光层区域之间设有隔离区域的隔离光刻版；
刻蚀去除所述隔离光刻版的隔离区域之外的掩膜薄膜材料。
可选地，其中，所述沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层，为：
沉积50-300nm的氧化硅(SiO2)、氮化硅(SixNy)或其他掩膜薄膜材料。
可选地，其中，刻蚀去除所述第二光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，露出下面的n型GaN层，为：
利用光刻工艺，把第二光刻版与第一光刻版刻蚀后在衬底上形成的对位标记进行套刻，曝光显影后，开出第二光刻版中标定区域的窗口区；
利用湿法腐蚀溶液去除所述窗口区的掩膜薄膜材料，然后利用去胶液去除光刻胶，清洗甩干。
可选地，其中，在所述第二光刻版中标定区域中生长发光波长为W1的有源区发光层，为：
在所述第二光刻版中标定区域中生长发光波长为W1的有源区发光层后中止生长，此发光层为(InxAlyGa1-x-yN/InvAlwGa1-v-wN)*n的多量子阱结构，其中：InxAlyGa1-x-yN为量子阱，InvAlwGa1-v-wN为量子磊，量子磊材料带隙宽度大于量子阱材料，n为周期数，0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1，0≤v≤1，0≤w≤1，v+w≤1。
可选地，其中，光刻、刻蚀去除所述第三光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，露出下面的n型GaN层，为：
利用光刻工艺，把第三光刻版与第一光刻版、第二光刻版刻蚀后在衬底上形成的对位标记进行套刻，曝光显影后，开出第三光刻版中标定区域的窗口区；
利用湿法腐蚀溶液去除所述窗口区的掩膜薄膜材料，然后利用去胶液去除光刻胶，清洗甩干。
可选地，其中，在所述第三光刻版中标定区域中生长发光波长为W2的有源区发光层，为：
在所述第二光刻版中标定区域中生长发光波长为W2的有源区发光层后中止生长，此发光层为(IndAleGa1-d-eN/InfAlgGa1-f-gN)*n的多量子阱结构，其中：IndAleGa1-d-eN为量子阱，InfAlgGa1-f-gN为量子磊，量子磊材料带隙宽度大于量子阱材料，n为周期数，0≤d≤1，0≤e≤1，d+e≤1，0≤f≤1，0≤g≤1，f+g≤1。
可选地，其中，相邻光刻版的标定区域之间相隔5-30微米的间隙。
与现有技术相比，本发明提供的同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法，达到如下有益效果：
本发明在同一外延片上实现不同发光波长的可控LED外延生长方法：在LED外延衬底上先依次生长缓冲层，uGaN、nGaN层，然后分别生长多个特定发光波长的MQWs有源区，每个特定发光波长有源区利用掩蔽层工艺在外延片设定区域实现选择性生长，之后生长pGaN等其他外延层，实现同一外延片的不同区域得到多种目标发光波长的可控LED外延材料生长，改变了传统外延技术在一个LED外延片的生长中只能得到一种目标发光波长的限制。突破了目前外延生长技术只能生长一种发光波长外延材料的局限，可以根据需要在一个外延片上设计并生长出多发光波长的LED外延材料，为LED芯片提供更多的设计和应用空间。此外本发明提供的LED外延生长技术还具有工艺简便，生产方便，适于工业化生产的特点。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例1中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法的流程图；
图2为本发明实施例1中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法中衬底上的对位标记点位置示意图；
图3为本发明实施例1中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法中光刻版上的对位标记点位置示意图；
图4为本发明实施例1中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法中一种第一光刻版中标定区域的窗口区俯视示意图；
图5为本发明实施例1中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法中一种第二光刻版中标定区域的窗口区俯视示意图；
图6为本发明实施例2中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法的流程图；
图7为本发明实施例3中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法的流程图；
图8为本发明实施例3中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法中有源层隔离区的俯视示意图；
图9为本发明实施例3中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法生长完有源发光层并保留有源层隔离区掩膜薄膜材料的外延俯视示意图；
图10为本发明实施例3中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法生长LED外延材料的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。应注意到，所描述的实施例实际上仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，且实际上仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
实施例1：
本实施例的在同一外延片上实现不同发光波长的可控LED外延生长方法，在同一外延片上分别生长多个特定发光波长的MQWs有源区，每个特定发光波长有源区利用掩蔽层工艺在外延片设定区域实现选择性生长，之后生长pGaN等其他外延层。如图1至5所示，图1为本实施例中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法的流程图；图2为本实施例中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法中衬底上的对位标记点位置(斜划阴影区域)示意图；图3为本实施例中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法中光刻版上的对位标记点位置(横线阴影区域)示意图；图4为本实施例中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法中一种第一光刻版中标定区域的窗口区(黑实线阴影区域)俯视示意图；图5为本实施例中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法中一种第二光刻版中标定区域的窗口区俯视示意图(斜划阴影区域为W1有源层发光区，横线阴影区域为W2有源层发光区，空白区域为其他有源层发光区，黑实线为有源层掩膜材料隔离区)。
具体地，该同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法，包括如下步骤：
步骤101、在衬底上制备出光刻时对版用的标记点图形得到具有第一光刻版对位标记图形的衬底。
步骤102、在具有第一光刻版形的衬底上依次生长GaN或AlN成核层、非掺杂的GaN缓冲层和掺Si的n型GaN层。
步骤103、沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层。
步骤104、在设定的生长发光波长W1的外延层区域，设计第二光刻版；光刻、刻蚀去除第二光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，露出下面的n型GaN层。
步骤105、在第二光刻版中标定区域，即露出的n型GaN层上生长发光波长为W1的有源区发光层。
步骤106、沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层。
步骤107、在设定的生长发光波长W2的外延层区域，设计第三光刻版；光刻、刻蚀去除第三光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，露出下面的n型GaN层。
步骤108、在第三光刻版中标定区域，即露出的n型GaN层上生长发光波长为W2的有源区发光层。
步骤109、重复沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层，设计光刻版刻蚀去除光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，再在光刻版中标定区域中生长不同发光波长的有源区发光层，得到不同发光波长的外延层区域。
步骤110、在各个有源区发光层上生长p型GaN层，得到同一外延片上多区域不同发光波长的LED外延片。
实施例2：
如图6所示，为本实施例中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法的流程示意图，该方法包括：
步骤201、在衬底上制备出光刻时对版用的标记点图形得到具有第一光刻版对位标记图形的衬底。
步骤202、在具有第一光刻版图形的衬底上依次生长GaN或AlN成核层、非掺杂的GaN缓冲层和掺Si的n型GaN层。
步骤203、沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层。
步骤204、在设定的生长发光波长W1的外延层区域，设计第二光刻版；光刻、刻蚀去除第二光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，露出下面的n型GaN层。
步骤205、在第二光刻版中标定区域，即露出的n型GaN层生长发光波长为W1的有源区发光层。
步骤206、沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层。
步骤207、在设定的生长发光波长W2的外延层区域，设计第三光刻版；光刻、刻蚀去除第三光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，露出下面的n型GaN层。
步骤208、在第三光刻版中标定区域，即露出的n型GaN层生长发光波长为W2的有源区发光层。
步骤209、重复沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层，设计光刻版光刻、刻蚀去除光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，再在光刻版中标定区域中生长不同发光波长的有源区发光层，得到不同发光波长的外延层区域。
步骤210、在生长完不同发光波长的外延层区域后，设计在不同发光波长的有源区发光层区域之间设有隔离区域的隔离光刻版；刻蚀去除隔离光刻版的隔离区域之外的掩膜薄膜材料。
步骤211、在各个有源区发光层上生长p型GaN层，得到同一外延片上多区域不同发光波长的LED外延片。
实施例3：
如图7至10所示，图7为本实施例中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法的流程图；图8为本实施例中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法中有源层隔离区的俯视示意图；图9为本实施例中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法生长完有源发光层并保留有源层隔离区掩膜薄膜材料的外延俯视示意图；图10为本实施例中同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法生长LED外延材料的剖面结构示意图。
具体地，该方法包括：
步骤301、在衬底上制备出光刻时对版用的标记点图形得到具有第一光刻版对位标记图形的衬底。
在蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)或硅(Si)衬底上利用光刻和刻蚀工艺在衬底上制备出之后光刻时对版用的标记点图形。
步骤302、在具有第一光刻版图形的衬底上依次生长GaN或AlN成核层、非掺杂的GaN缓冲层和掺Si的n型GaN层。
利用MOCVD、MBE或HVPE等外延生长方法在以上制备了光刻标记点的衬底上依次生长GaN或AlN成核层，非故意掺杂GaN缓冲层(u1-GaN)和掺Si的n型GaN层。
步骤303、沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层：沉积50-300nm的氧化硅(SiO2)、氮化硅(SixNy)或其他掩膜薄膜材料。
利用化学或物理气相沉积方法，在步骤302完成后的外延材料上沉积50-300nm的氧化硅(SiO2)、氮化硅(SixNy)或其他高温稳定性好且GaN难以在其上成核的掩膜薄膜材料。
步骤304、在设定的生长发光波长W1的外延层区域，设计第二光刻版；利用光刻工艺，把第二光刻版与第一光刻版刻蚀后在衬底上形成的对位标记进行套刻，曝光显影后，开出第二光刻版中标定区域的窗口区；利用湿法腐蚀溶液去除窗口区的掩膜薄膜材料，然后利用去胶液去除光刻胶，清洗甩干。
对应设定的生长出发光波长W1的外延层区域，设计光刻版，记为第二光刻版，在示意图的标定区域(左划线阴影区)为光刻刻蚀后的窗口区，刻蚀去除此区域的掩膜薄膜材料，露出下面的n型GaN材料。即利用光刻工艺，把第二光刻版与第一次利用第一光刻刻蚀后在衬底上形成的对位标记进行套刻，曝光显影后，开出第二窗口区，利用湿法腐蚀溶液，如BOE等去除窗口区的掩膜薄膜材料，然后利用去胶液去除光刻胶，清洗甩干。
步骤305、在第二光刻版中标定区域中生长发光波长为W1的有源区发光层后中止生长，此发光层为(InxAlyGa1-x-yN/InvAlwGa1-v-wN)*n的多量子阱结构，其中：InxAlyGa1-x-yN为量子阱，InvAlwGa1-v-wN为量子磊，n为周期数，0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1，0≤v≤1，0≤w≤1，v+w≤1。发光层的发光波长取决于量子阱的禁带宽度，量子磊的禁带宽度大于量子阱。
步骤306、沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层：沉积50-300nm的氧化硅(SiO2)、氮化硅(SixNy)或其他掩膜薄膜材料。
步骤307、在设定的生长发光波长W2的外延层区域，设计第三光刻版；利用光刻工艺，把第三光刻版与第一光刻版、第二光刻版刻蚀后在衬底上形成的对位标记进行套刻，曝光显影后，开出第三光刻版中标定区域的窗口区；利用湿法腐蚀溶液去除窗口区的掩膜薄膜材料，然后利用去胶液去除光刻胶，清洗甩干。
在对应设定的生长出发光波长W2的外延层区域，设计光刻版，记为第三光刻版，在示意图的标定区域(横线阴影区)为光刻刻蚀后的窗口区(不与第二光刻版窗口区交叠)，第三窗口区与第三窗口区流5-30微米的间隙，避免不同发光波长的有源区在生长过程合并。刻蚀去除此区域的掩膜薄膜材料，露出下面的n型GaN材料。即利用光刻工艺，把第三光刻版与前面的光刻版形成的对位标记进行套刻，曝光显影后，开出第三光刻版窗口区，利用湿法腐蚀溶液，如BOE等去除窗口区的掩膜薄膜材料，然后利用去胶液去除光刻胶，清洗甩干。
步骤308、在第二光刻版中标定区域，即露出的n型GaN层上生长发光波长为W2的有源区发光层后中止生长，此发光层为(IndAleGa1-d-eN/InfAlgGa1-f-gN)*n的多量子阱结构，其中：IndAleGa1-d-eN为量子阱，InfAlgGa1-f-gN为量子磊，n为周期数，0≤d≤1，0≤e≤1，d+e≤1，0≤f≤1，0≤g≤1，f+g≤1。发光层的发光波长取决于量子阱的禁带宽度，量子磊的禁带宽度大于量子阱。
步骤309、重复沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层，设计光刻版刻蚀去除光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，再在光刻版中标定区域，即露出的n型GaN层上生长不同发光波长的有源区发光层，得到不同发光波长的外延层区域。
步骤310、在生长完不同发光波长的外延层区域后，设计在不同发光波长的有源区发光层区域之间设有隔离区域的隔离光刻版；刻蚀去除隔离光刻版的隔离区域之外的掩膜薄膜材料。
在生长完所设计的W1至Wn的多区域、多波长的有源层发光区后，设计光刻版，记为光刻版W(n+1)，在示意图的标定区域(横线阴影区)为光刻刻蚀后的窗口区(不与第二光刻版窗口区交叠)，第二光刻版窗口区与第一光刻版窗口区留5-30微米的间隙，即为有源层之间的隔离区，作用是避免不同发光波长的有源区外延层在生长过程中连接起来。利用光刻工艺，把W(n+1)光刻版与前面的光刻版形成的对位标记进行套刻，曝光显影后，把有源层之间的隔离区之外的所有区域利用湿法腐蚀溶液，如BOE等去除掩膜薄膜材料，保留隔离区位置的掩膜薄膜材料，然后利用去胶液去除光刻胶，清洗甩干。
步骤311、在各个有源区发光层上生长p型GaN层，得到同一外延片上多区域不同发光波长的LED外延片。
可选地，在上述实施例中，相邻光刻版的标定区域之间相隔5-30微米的间隙。
由上述方法生长LED外延材料的剖面结构包括：衬底1；缓冲层2；n-GaN层3；4-1、4-2、4-3和4-n：代表不同结构和发光波长W1、W2、W3和Wn的有源层；隔离区掩膜薄膜材料5；p型GaN层6。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (8)

1.一种同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法，其特征在于，包括：
在衬底上制备出光刻时对版用的标记点图形得到具有第一光刻版对位标记图形的衬底；
在所述具有第一光刻版图形的衬底上依次生长GaN或AlN成核层、非掺杂的GaN缓冲层和掺Si的n型GaN层；
沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层；
在设定的生长发光波长W1的外延层区域，设计第二光刻版；光刻、刻蚀去除所述第二光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，露出下面的n型GaN层；
在所述第二光刻版中标定区域，即露出的n型GaN层上生长发光波长为W1的有源区发光层；
沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层；
在设定的生长发光波长W2的外延层区域，设计第三光刻版；光刻、刻蚀去除所述第三光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，露出下面的n型GaN层；
在所述第三光刻版中标定区域，即露出的n型GaN层上生长发光波长为W2的有源区发光层；
重复沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层，设计光刻版刻蚀去除光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，再在所述光刻版中标定区域中生长不同发光波长的有源区发光层，得到不同发光波长的外延层区域；
在各个有源区发光层上生长p型GaN层，得到同一外延片上多区域不同发光波长的LED外延片。
2.根据权利要求1所述的同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法，其特征在于，还包括：
在生长完不同发光波长的外延层区域后，设计在不同发光波长的有源区发光层区域之间设有隔离区域的隔离光刻版；
刻蚀去除所述隔离光刻版的隔离区域之外的掩膜薄膜材料。
3.根据权利要求1所述的同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法，其特征在于，所述沉积掩膜薄膜材料得到掩膜薄膜层，为：
沉积50-300nm的氧化硅(SiO2)、氮化硅(SixNy)或其他掩膜薄膜材料。
4.根据权利要求1所述的同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法，其特征在于，刻蚀去除所述第二光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，露出下面的n型GaN层，为：
利用光刻工艺，把第二光刻版与第一光刻版刻蚀后在衬底上形成的对位标记进行套刻，曝光显影后，开出第二光刻版中标定区域的窗口区；
利用湿法腐蚀溶液去除所述窗口区的掩膜薄膜材料，然后利用去胶液去除光刻胶，清洗甩干。
5.根据权利要求1所述的同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法，其特征在于，在所述第二光刻版中标定区域中生长发光波长为W1的有源区发光层，为：
在所述第二光刻版中标定区域中生长发光波长为W1的有源区发光层后中止生长，此发光层为(InxAlyGa1-x-yN/InvAlwGa1-v-wN)*n的多量子阱结构，其中：InxAlyGa1-x-yN为量子阱，InvAlwGa1-v-wN为量子磊，量子磊材料带隙宽度大于量子阱材料，n为周期数，0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1，0≤v≤1，0≤w≤1，v+w≤1。
6.根据权利要求1所述的同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法，其特征在于，刻蚀去除所述第三光刻版中标定区域的掩膜薄膜材料，露出下面的n型GaN层，为：
利用光刻工艺，把第三光刻版与第一光刻版、第二光刻版刻蚀后在衬底上形成的对位标记进行套刻，曝光显影后，开出第三光刻版中标定区域的窗口区；
利用湿法腐蚀溶液去除所述窗口区的掩膜薄膜材料，然后利用去胶液去除光刻胶，清洗甩干。
7.根据权利要求1所述的同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法，其特征在于，在所述第三光刻版中标定区域中生长发光波长为W2的有源区发光层，为：
在所述第二光刻版中标定区域中生长发光波长为W2的有源区发光层后中止生长，此发光层为(IndAleGa1-d-eN/InfAlgGa1-f-gN)*n的多量子阱结构，其中：IndAleGa1-d-eN为量子阱，InfAlgGa1-f-gN为量子磊，量子磊材料带隙宽度大于量子阱材料，n为周期数，0≤d≤1，0≤e≤1，d+e≤1，0≤f≤1，0≤g≤1，f+g≤1。
8.根据权利要求1所述的同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法，其特征在于，相邻光刻版的标定区域之间相隔5-30微米的间隙。
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