KR20090130638A - Method of manufacturing led package - Google Patents

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KR20090130638A
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manufacturing
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최원길
박종원
이길선
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(주) 아모엘이디
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Abstract

PURPOSE: A method of manufacturing an LED package is provided to improve optical efficiency by forming a reflector with a white tiO2, znO, lithopone, znS, baSO4, siO2 and PTFE. CONSTITUTION: In a device, a sheet(10) for a lower plate and a white sheet(20) for a reflector are prepared. A via hole(10a) is formed by punching the sheet, and the via hole is filled with the conductor paste. Electrode patterns(12a,12b,12c) are formed on the sheet having a via hole. The sheet and electrode pattern are combined through a plastic process. A white sheet for the reflector is laminated on the sheet for the lower plate. The lower plate and a white sheet for reflector are rigidly combined through a thermal process. A plurality of unit elements are formed by a cutter.

Description

엘이디 패키지의 제조방법{Method of manufacturing LED package}Method of manufacturing LED package

본 발명은 엘이디 패키지의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반사판을 갖는 엘이디 패키지를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an LED package, and more particularly, to a method for manufacturing an LED package having a reflecting plate.

종래의 엘이디 패키지는, 도 1에 예시한 바와 같이 LED소자(105)의 실장영역(103)이 형성된 상면을 가지며, 실장영역(103)을 중심으로 소정의 도전성 패턴 전극이 형성된 제 1세라믹기판(101); 제 1세라믹기판(101) 상면의 실장영역(103)에 배치되어 와이어(107)에 의해 소정의 도전성 패턴 전극과 연결된 적어도 하나의 LED소자(105); 제 1세라믹기판(101) 상에 배치되며 LED소자(105)의 실장영역(103)에 상응하는 영역에 캐비티가 형성된 제 2세라믹기판(102); 및 적어도 하나의 LED(105)소자를 둘러싸도록 제 2세라믹기판(102)의 캐비티내에 형성되고 그 상단에 제 2세라믹기판(102) 상단에 걸칠 수 있는 걸림턱(120a)이 형성된 금속 반사판(120)을 포함하여 구성된다.In the conventional LED package, as illustrated in FIG. 1, a first ceramic substrate having an upper surface on which the mounting region 103 of the LED element 105 is formed and having a predetermined conductive pattern electrode formed around the mounting region 103 ( 101); At least one LED element 105 disposed in the mounting region 103 on the upper surface of the first ceramic substrate 101 and connected to a predetermined conductive pattern electrode by a wire 107; A second ceramic substrate 102 disposed on the first ceramic substrate 101 and having a cavity formed in a region corresponding to the mounting region 103 of the LED element 105; And a metal reflector plate 120 formed in a cavity of the second ceramic substrate 102 so as to surround the at least one LED 105 element, and having a latching jaw 120a formed on the top of the second ceramic substrate 102. It is configured to include).

도 1에서, 반사율을 높이기 위해 금속 반사판(120)의 내측면에 도금을 한다. 이와 같이 도금을 한 금속 반사판(120)을 사용함으로 인해 반사율을 높일 수 있지만, 도금 공정을 별도로 수행해야 하는 번거러움이 있다.In FIG. 1, the inner surface of the metal reflector 120 is plated to increase the reflectance. Although the reflectance can be increased by using the metal reflecting plate 120 plated in this way, there is a hassle to perform a plating process separately.

그리고, 금속 반사판(120)이 캐비티내에서 제위치를 제대로 유지하기 위해서는 걸림턱(120a) 이외로 접착부재(도시 생략)의 사용이 필요하다. 제 2세라믹기판(102)과 금속 반사판(120)은 서로 다른 재질이므로 접착부재를 사용한다고 하더라도 제 2세라믹기판(102)과 금속 반사판(120)간의 부분적인 분리 등이 발생되는 경우가 많다. 그로 인해 원하는 광 지향각을 제대로 얻지 못하게 된다. In addition, in order for the metal reflector 120 to properly maintain the position in the cavity, the use of an adhesive member (not shown) is required in addition to the locking step 120a. Since the second ceramic substrate 102 and the metal reflecting plate 120 are different materials, even if an adhesive member is used, partial separation between the second ceramic substrate 102 and the metal reflecting plate 120 often occurs. This makes it impossible to obtain the desired light directivity angle properly.

이와 같이 금속 반사판(120)을 사용하게 되면 반사율은 향상되지만, 반대로 패키지 제조공정이 복잡하고 제품 에러율이 높게 되는 문제점이 있다.When the metal reflector 120 is used as described above, the reflectance is improved, but on the contrary, the package manufacturing process is complicated and the product error rate is high.

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 제조가 간단하고 광효율을 증대시킨 엘이디 패키지의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to provide a method of manufacturing an LED package in which the manufacturing is simple and the light efficiency is increased.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 엘이디 패키지의 제조방법은, 하부 기판을 준비하는 제 1단계; 성형 금형에 백색의 반사물질을 주입하여 중앙이 천공되고 내향되게 라운드진 캐비티를 갖춘 백색의 반사판을 트랜스퍼 몰딩에 의해 만들어내는 제 2단계; 및 하부 기판의 상면에 백색의 반사판을 결합시키는 제 3단계를 포함한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing an LED package according to a preferred embodiment of the present invention, the first step of preparing a lower substrate; A second step of injecting a white reflective material into the molding die to produce a white reflective plate having a cavity rounded inwardly and rounded inwardly by transfer molding; And a third step of coupling the white reflector to the upper surface of the lower substrate.

제 1단계는 하부 기판의 상면에 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.The first step includes forming an electrode pattern on the upper surface of the lower substrate.

제 1단계는 하부 기판의 재질을 금속, 세라믹, 바리스터, 플라스틱중의 어느 한 재질로 한다.In the first step, the lower substrate is made of any one of metal, ceramic, varistor, and plastic.

제 2단계에서, 백색의 반사물질은 백색의 실리콘 에폭시 수지를 포함한다.In a second step, the white reflector comprises a white silicone epoxy resin.

제 2단계에서, 백색의 반사물질은 TiO2, ZnO, 리소폰(Lithopone), ZnS, BaSO4, SiO2, PTFE(폴리테트라플루오르에틸렌)중에서 적어도 하나를 포함한다.In a second step, the white reflector comprises at least one of TiO 2 , ZnO, Lithopone, ZnS, BaSO 4 , SiO 2 , PTFE (polytetrafluoroethylene).

제 2단계에서, 백색의 반사물질은 TiO2, ZnO, 리소폰(Lithopone), ZnS, BaSO4, SiO2, PTFE(폴리테트라플루오르에틸렌)중에서 적어도 하나를 주재료로 포함하되, 주재료를 5 ~ 60wt%으로 첨가한다.In the second step, the white reflective material includes at least one of TiO 2 , ZnO, lithopone, ZnS, BaSO 4 , SiO 2 , and PTFE (polytetrafluoroethylene) as the main material, and includes 5 to 60 wt% of the main material. Add in%

제 2단계에서, 백색의 반사물질은 실리콘 수지를 5 ~ 30wt%로 하고 에폭시 수지를 20 ~ 65wt%로 한 부재료를 주재료와 함께 사용한다.In the second step, the white reflective material is used with a main material of 5-30 wt% silicone resin and 20-65 wt% epoxy resin.

제 2단계는 캐비티의 라운드진 측면에, 하부 기판의 상면에 EMI필터를 장착시키기 위한 구멍을 형성시키는 단계를 포함한다.The second step includes forming a hole in the rounded side of the cavity for mounting the EMI filter on the upper surface of the lower substrate.

하부 기판상에 하나 이상의 엘이디 칩을 실장시키는 단계를 추가로 포함한다.And mounting at least one LED chip on the lower substrate.

이러한 구성의 본 발명에 따르면, 백색의 반사판용 시트를 트랜스터 몰딩에 의해 만들어냄에 따라 다수의 반사판을 신속하면서도 정확하게 만들어낼 수 있게 된다. 이는 별도의 도금 공정을 필요로 하지 않을 뿐만 아니라 전체적인 작업의 간편성을 제공하고 불량률을 줄여 준다. According to the present invention having such a configuration, it is possible to produce a large number of reflecting plates quickly and accurately by producing the sheet for white reflecting plates by the transfer molding. This not only requires a separate plating process, but also provides overall simplicity and reduces defect rates.

광 흡수도가 적고 반사율이 좋은 백색의 TiO2, ZnO, 리소폰(Lithopone), ZnS, BaSO4, SiO2, PTFE(폴리테트라플루오르에틸렌) 등을 선택해서 반사판을 만듬으로써 가시광선 영역에서의 광 흡수가 거의 없게 될 뿐만 아니라 발광소자 칩에서의 광을 거의 모두 반사시키게 되어 종래에 비해 광효율이 향상된다. Light in the visible range by selecting white TiO 2 , ZnO, lithopone, ZnS, BaSO 4 , SiO 2 , PTFE (polytetrafluoroethylene), etc. with low light absorption and good reflectance In addition to almost no absorption, almost all the light from the light emitting device chip is reflected, thereby improving light efficiency as compared with the related art.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지의 제조방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지의 제조방법을 순서적으로 나타낸 도면이고, 도 3은 도 2의 (h)에 도시된 다수의 엘이디 패키지중 어느 하나를 확대하여 나타낸 사시도이다.Figure 2 is a view showing a manufacturing method of the LED package according to an embodiment of the present invention in sequence, Figure 3 is an enlarged perspective view of any one of the plurality of LED packages shown in (h) of FIG.

먼저, 하부 기판용 시트(10) 및 백색의 반사판용 시트(20)를 준비한다. 하부 기판용 시트(10)는 다수의 하부 기판으로 분리가능할 정도의 크기로 제조된다. 백색의 반사판용 시트(20)는 다수의 반사판으로 분리가능할 정도의 크기로 제조된다. 하부 기판용 시트(10)는 추후의 소성 및 소잉 공정에 의해 다수의 하부 기판으로 분할(분리)된다. 이후에는 하부 기판의 참조부호를 하부 기판용 시트(10)와 동일하게 한다. 백색의 반사판용 시트(20)는 추후의 증착 및 소잉 공정에 의해 다수의 반사판으로 분할(분리)된다. 이후에는 반사판의 참조부호를 백색의 반사판용 시트(20)와 동일하게 한다.First, the lower substrate sheet 10 and the white reflector sheet 20 are prepared. The lower substrate sheet 10 is manufactured to a size that can be separated into a plurality of lower substrates. The white reflective plate sheet 20 is manufactured to a size that can be separated into a plurality of reflective plates. The lower substrate sheet 10 is divided (separated) into a plurality of lower substrates by a subsequent firing and sawing process. After that, the reference numerals of the lower substrates are the same as those of the lower substrate sheet 10. The white reflector sheet 20 is divided (separated) into a plurality of reflector plates by a later deposition and sawing process. After that, the reference numerals of the reflecting plates are the same as those of the white reflecting sheet 20.

특히, 시트(10)와 시트(20)를 결합시킨 후에 절단하게 되면 다수개의 단품의 엘이디 패키지로 분리되는데, 그 분리된 단품의 엘이디 패키지를 단위 소자라고 한다. 따라서, 시트(10)와 시트(20)에서 각각의 단위 소자에 상응하는 영역을 단위 소자 영역이라고 할 수 있다.In particular, when the sheet 10 and the sheet 20 are combined and then cut, the sheet 10 is separated into a plurality of LED packages. The separated LED package is called a unit device. Therefore, the region corresponding to each unit element in the sheet 10 and the sheet 20 may be referred to as a unit element region.

여기서, 하부 기판용 시트(10)를 준비한다는 것은 이하의 설명 즉 도 2의 (a) 내지 (c)까지의 공정을 거친 시트(10)를 제조해 낸다는 것을 의미한다. 백색의 반사판용 시트(20)를 준비한다는 것은 이하의 설명 즉 도 2의 (d)의 공정을 거친 시트(20)를 제조해 낸다는 것을 의미한다. 본 발명의 실시예에서 하부 기판이라 함 은 발광소자 칩을 고밀도로 실장할 수 있는 기판이면 어느 것이나 가능하다. 예를 들어, 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride), LTCC(low temperature co-fired ceramic), HTCC(High temperature co-fired ceramic), 플라스틱, 금속, 바리스터 등을 들 수 있다. 특히, ZnO계열의 바리스터는 열전도도가 높다. ZnO를 주성분으로 하는 바리스터 재료로 제조하게 되면 바리스터로서의 기능을 수행할 뿐만 아니라 바리스터 자체의 높은 열전도성으로 인해 엘이디 패키지의 온도를 신속하게 낮출 수 있게 된다. 하부 기판을 플라스틱으로 제조하였을 경우 보통 플라스틱은 열에 약하므로 장시간 사용하게 되면 하부 기판에 변형 등이 발생하여 제품의 효율이 저하된다. 그러나, 본 발명에서는 반사판이 하부 기판의 상면(즉, 전극을 제외한 영역)을 덮도록 함으로써 발광소자의 광이 하부 기판에 직접적으로 닿는 부분을 최소화시켰다. 이로 인해 발광소자의 광으로 인한 발열로 인해 발생되는 문제점을 해소시키게 된다. 즉, 본 발명은 하부 기판을 플라스틱으로 하더라도 기존의 구조와 비교하여 장시간 사용에 따른 발열로 인한 효율 저하 등을 해소시킨다.Here, the preparation of the lower substrate sheet 10 means that the sheet 10 which has been subjected to the following description, that is, the process of FIGS. 2A to 2C is manufactured. Preparing the white reflective plate sheet 20 means that the sheet 20 which has undergone the following description, that is, the process of FIG. In the embodiment of the present invention, the lower substrate may be any substrate capable of mounting the light emitting device chip at a high density. For example, alumina, quartz, calcium zirconate, forsterite, SiC, graphite, fusedsilica, mullite, cordierite, zirconia (zirconia), beryllia, aluminum nitride, low temperature co-fired ceramic (LTCC), high temperature co-fired ceramic (HTCC), plastics, metals, varistors, and the like. In particular, ZnO series varistors have high thermal conductivity. The production of ZnO-based varistor material not only functions as a varistor, but also allows the LED package to be rapidly cooled due to the high thermal conductivity of the varistor itself. When the lower substrate is made of plastic, plastic is generally weak to heat, and thus, when used for a long time, deformation of the lower substrate occurs, thereby reducing product efficiency. However, in the present invention, the reflective plate covers the upper surface of the lower substrate (that is, the region except the electrode) to minimize the portion where the light of the light emitting element directly contacts the lower substrate. This solves the problem caused by the heat generated by the light of the light emitting device. In other words, even if the lower substrate is made of plastic, the present invention eliminates efficiency deterioration due to heat generation due to long-term use compared to the existing structure.

하부 기판용 시트(10)를 제조하는 공정은 세라믹을 재료로 하여 제조하는 것으로 가정하고 설명한다. 먼저, 소정 중량의 유리 세라믹 분말을 준비하고 PVB계 바인더(binder)를 유리 세라믹 분말 대비 소정 중량부 측량한 후 톨루엔/알코 올(toluene/alcohol)계 솔벤트(solvent)에 용해시켜 그 유리 세라믹 분말에 함께 배합한다. The process of manufacturing the lower board | substrate 10 is assumed and manufactured using ceramic as a material. First, a glass ceramic powder having a predetermined weight is prepared, and PVB-based binder is weighed by a predetermined weight part with respect to the glass ceramic powder, and then dissolved in toluene / alcohol-based solvent to dissolve it in the glass ceramic powder. Blend together.

그리고 나서, 배합된 유리 세라믹 분말을 용기에 넣고 회전시켜 균일하게 섞는다. 예를 들어, 50rpm으로 20시간 정도 볼밀(ball mill)을 통해 원하는 입경의 유리 세라믹 분말을 얻는다. 상기 예로 든 50rpm과 20시간은 하나의 예시일 뿐, 볼밀내의 볼의 직경 및 양, 솔벤트 및 바인더의 양 등에 따라 가변된다. Then, the blended glass ceramic powder is placed in a container and rotated to mix uniformly. For example, a glass ceramic powder having a desired particle size is obtained through a ball mill at 50 rpm for about 20 hours. The above 50 rpm and 20 hours are just examples and vary depending on the diameter and amount of the balls in the ball mill, the amount of solvent and binder, and the like.

상기 볼밀에서의 밀링(milling)을 거치게 되면 최초로 배합된 유리 세라믹 분말이 슬러리(slurry) 형태로 토출되는데, 그 토출되는 슬러리에는 기포가 어느 정도 존재하기 때문에 그 토출되는 슬러리내의 기포를 제거하기 위해 탈포를 실시한다. 탈포시 슬러리 표면이 급속히 건조되는 것을 방지하기 위해 슬러리를 교반하면서 진공에서 소정 시간 유지하도록 한다. When milling in the ball mill, the first blended glass ceramic powder is discharged in the form of a slurry. Since the discharged slurry has some bubbles, it is degassed to remove bubbles in the discharged slurry. Is carried out. In order to prevent the slurry surface from drying rapidly during defoaming, the slurry is kept under vacuum for a predetermined time while stirring.

탈포 과정을 거친 섞여진 원재료(즉, 슬러리 형태임)를 시트 형태로 만든다. 즉, 테이프 캐스터에 필름과 블레이드(blade)를 설치한 후에 필름을 서서히 이송시키면서 탈포된 슬러리를 투입하고, 블레이드를 통과한 슬러리를 건조시켜서 원하는 두께(예컨대, 필름위에 20∼150μm)의 시트(즉, 세라믹 시트 또는 그린 시트라고도 함) 형태로 롤에 감는다.The mixed raw material (ie, in the form of a slurry) subjected to the defoaming process is formed into a sheet. That is, after installing the film and the blade (blade) in the tape caster, while slowly transferring the film, the degassed slurry is introduced, and the slurry passed through the blade is dried to obtain a sheet having a desired thickness (for example, 20 to 150 μm on the film). , Also known as ceramic sheets or green sheets).

그 롤에 감겨진 세라믹 시트를 일정한 크기(치수)로 절단하여 도 2의 (a)에서와 같은 시트(10)를 만든다. 여기서, 도 2의 (a)에 도시된 하나의 시트(10)가 본 발명에서 필요로 하는 하부 기판의 두께를 갖는 것으로 하여도 되고, 여러개의 시트(20)를 적층시킴으로 해서 하부 기판의 원하는 두께를 갖는 것으로 하여도 된다. The ceramic sheet wound on the roll is cut to a certain size (dimension) to make the sheet 10 as shown in Fig. 2A. Here, one sheet 10 shown in (a) of FIG. 2 may have a thickness of the lower substrate required by the present invention, and a desired thickness of the lower substrate is obtained by stacking several sheets 20. It may have a.

이후, 도 2의 (b)에서와 같이 시트(10)에 펀칭을 하여 비아 홀(10a)을 형성한 후 비아 홀(10a)에 도전체 페이스트를 충전시킨다. 비아 홀(10a)은 층간 회로를 연결하는 역할을 한다. 그리고, 도 2의 (c)에서와 같이 비아 홀(10a)이 형성된 시트(10)의 상면에 전극 패턴(12; 12a, 12b, 12c)을 형성시킨다. 전극 패턴(12)은 스크린 프린팅 등의 후막 제조법 혹은 스퍼터링법, 증발법, 기상화학증착법, 졸겔 코팅법 등의 박막제조법으로 Ag, Pt, Pd 등의 도전성 페이스트를 인쇄함에 의해 형성된다. 여기서, 전극 패턴(12a)은 애노드 또는 캐소드이고, 전극 패턴(12b)은 캐소드 또는 애노드이며, 전극 패턴(12c)은 EMI필터(예컨대, 제너 다이오드 등)가 실장되기 위한 전극 패턴이다.Thereafter, as shown in FIG. 2B, the sheet 10 is punched to form a via hole 10a, and then the conductor paste is filled into the via hole 10a. The via hole 10a serves to connect the interlayer circuit. As shown in FIG. 2C, electrode patterns 12 (12a, 12b, and 12c) are formed on the upper surface of the sheet 10 on which the via holes 10a are formed. The electrode pattern 12 is formed by printing conductive pastes such as Ag, Pt, and Pd by a thick film manufacturing method such as screen printing or thin film manufacturing methods such as sputtering, evaporation, vapor chemical vapor deposition, and sol-gel coating. Here, the electrode pattern 12a is an anode or a cathode, the electrode pattern 12b is a cathode or an anode, and the electrode pattern 12c is an electrode pattern for mounting an EMI filter (for example, a zener diode).

이어, 시트(10)와 전극 패턴(12)이 잘 결합되도록 소정 온도에서 소성한다.Subsequently, the sheet 10 and the electrode pattern 12 are baked at a predetermined temperature so as to be well bonded.

이와 같이 도 2의 (a) 내지 (c)까지의 공정에 의해 하부 기판용 시트(10)를 제조한다. Thus, the lower substrate sheet 10 is manufactured by the process of FIG. 2 (a)-(c).

이번에는 백색의 반사판용 시트(20)를 제조하는 공정에 대해 설명한다. 본 발명의 실시예에서는 백색의 반사판용 시트(20)를 제조하기 위해 백색의 반사물질을 사용한다. 여기서, 백색의 반사물질이라 함은 예를 들어, 90% 이상의 반사율을 갖는 백색의 실리콘 에폭시 수지(하기의 표 1 참조)를 포함한다. 백색의 반사물질의 재료로 사용하는 백색의 실리콘 에폭시 수지는 열경화성의 특성을 지닌다.The process of manufacturing the white reflector sheet 20 is demonstrated this time. In the embodiment of the present invention, a white reflective material is used to manufacture the white reflective sheet sheet 20. Here, the white reflective material includes, for example, a white silicone epoxy resin having a reflectance of 90% or more (see Table 1 below). White silicone epoxy resin, which is used as a material of white reflective material, has thermosetting properties.

(표 1)Table 1

재료             material 함량          content Titanium dioxide, Zinc Oxide, Lithopone(BaSO2 + ZnS) ZnS, BaSO4, SiO2, PTFE(폴리테트라플루오르에틸렌) Titanium dioxide, Zinc Oxide, Lithopone (BaSO 2 + ZnS) ZnS, BaSO 4 , SiO 2 , PTFE (polytetrafluoroethylene) 5 ~ 60중량%          5 to 60 wt% 실리콘 수지(Resin)    Silicone Resin 5 ~ 30중량%       5 to 30% by weight 솔벤트 등과 같은 첨가제, 에폭시 수지 등   Additives such as solvents, epoxy resins, etc. 20 ~ 65중량%       20 to 65 wt%

표 1에서는, 백색을 구현하기 위해 TiO2, ZnO, 리소폰(Lithopone), ZnS, BaSO4, PTFE(폴리테트라플루오르에틸렌) 등을 사용하였다. 물론, 표 1에서는 백색을 구현하기 위해 TiO2, ZnO, 리소폰(Lithopone), ZnS, BaSO4, PTFE(폴리테트라플루오르에틸렌) 등을 사용하였으나, 필요에 따라서는 백색 구현이 가능한 다른 재료를 추가적으로 사용할 수도 있고, 예를 들어 ZnS, BaSO4, PTFE(폴리테트라플루오르에틸렌) 대신에 다른 재료를 사용하여도 된다. 점도 및 점착성을 위해 실리콘 수지 및 에폭시 수지 등을 사용하였다. 표 1에서, TiO2, ZnO, 리소폰(Lithopone), ZnS, BaSO4, SiO2, PTFE(폴리테트라플루오르에틸렌) 등이 백색을 내기 위한 주재료가 되고, 실리콘 수지 및 에폭시 수지 등이 부재료가 된다. 표 1에서, TiO2, ZnO, 리소폰(Lithopone), ZnS, BaSO4, SiO2, PTFE(폴리테트라플루오르에틸렌)를 5중량% 미만 으로 사용하게 되면 백색 구현이 어렵다. TiO2, ZnO, 리소폰(Lithopone), ZnS, BaSO4, SiO2, PTFE(폴리테트라플루오르에틸렌)를 60중량%를 초과하여 사용하게 되면 실리콘 수지 및 에폭시 수지 등의 첨가량이 적게 되어 원하는 점도 및 점착성을 얻기 어렵다. 실리콘 수지를 5중량% 미만으로 사용하게 되면 점도가 너무 낮게 된다. 실리콘 수지를 30중량%를 초과하여 사용하게 되면 점도가 너무 높게 된다. 에폭시 수지 등을 20중량% 미만으로 사용하게 되면 점착력이 약해진다. 에폭시 수지 등을 65중량%를 초과하여 사용하게 되면 TiO2, ZnO, 리소폰(Lithopone), ZnS, BaSO4, SiO2, PTFE(폴리테트라플루오르에틸렌) 등이나 실리콘 수지의 함량이 미달되어 백색 구현이 어렵거나 원하는 점도를 얻지 못하게 된다. 광 흡수도가 적고 반사율이 좋은 백색의 TiO2, ZnO, 리소폰(Lithopone), ZnS, BaSO4, SiO2, PTFE(폴리테트라플루오르에틸렌) 등을 선택해서 반사판을 만듬으로써 가시광선 영역에서의 광 흡수가 거의 없게 될 뿐만 아니라 발광소자 칩(도시 생략)에서의 광을 거의 모두 반사시키게 되어 광효율이 향상된다. In Table 1, TiO 2 , ZnO, lithopone, ZnS, BaSO 4 , PTFE (polytetrafluoroethylene) and the like were used to implement white color. Of course, in Table 1, TiO 2 , ZnO, lithopone, ZnS, BaSO 4 , PTFE (polytetrafluoroethylene), etc. were used to implement white color. Other materials may be used instead of ZnS, BaSO 4 , PTFE (polytetrafluoroethylene), for example. Silicone resins and epoxy resins were used for the viscosity and tack. In Table 1, TiO 2 , ZnO, lithopone, ZnS, BaSO 4 , SiO 2 , PTFE (polytetrafluoroethylene) and the like are the main materials for whitening, and silicone resins, epoxy resins, and the like are materials. . In Table 1, the use of TiO 2 , ZnO, lithopone, ZnS, BaSO 4 , SiO 2 , PTFE (polytetrafluoroethylene) at less than 5% by weight is difficult to achieve white. When TiO 2 , ZnO, Lithopone (Lithopone), ZnS, BaSO 4 , SiO 2 , and PTFE (polytetrafluoroethylene) are used in excess of 60% by weight, the amount of addition of silicone resin and epoxy resin is reduced and the desired viscosity and Hard to get adhesiveness If the silicone resin is used at less than 5% by weight, the viscosity becomes too low. When the silicone resin is used in excess of 30% by weight, the viscosity becomes too high. When the epoxy resin is used in less than 20% by weight, the adhesive strength is weakened. When the epoxy resin is used in excess of 65% by weight, the content of TiO 2 , ZnO, lithopone, ZnS, BaSO 4 , SiO 2 , PTFE (polytetrafluoroethylene) or silicone resin is insufficient, resulting in white color. This makes it difficult to achieve the desired viscosity. Light in the visible range by selecting white TiO 2 , ZnO, lithopone, ZnS, BaSO 4 , SiO 2 , PTFE (polytetrafluoroethylene), etc. with low light absorption and good reflectance Not only is there almost no absorption, and almost all the light from the light emitting device chip (not shown) is reflected, thereby improving the light efficiency.

도 2의 (d)에서와 같은 백색의 반사판용 시트(20)를 제조하기 위해, 성형 금형(도시 생략)에 상술한 백색의 반사물질을 주입하여 중앙이 천공되고 내향되게 라운드진 캐비티(28)(예컨대, 원형의 형상)를 갖춘 백색의 반사판을 트랜스퍼 몰딩에 의해 만들어낸다. 여기서, 시트(20)는 트랜스퍼 몰딩 방식에 의해 만들어진 성형체이므로, 트랜스퍼 몰드(transfer mold)라고 칭할 수 있다. 트랜스퍼 몰딩 방식은 열경화성 수지의 사출성형의 한 변형으로서 이송성형 방식이라고도 한다. 트랜스퍼 몰딩 방식은 재료(즉, 백색의 반사물질)를 폐쇄된 가열금형 속에 주입한 뒤 이송시키는 과정에서 가소성을 띤 재료를 경화상태로 변화시킨다. 통상적으로, 트랜스퍼 몰딩 방식은 예비성형 → 예비가열 → 금형폐쇄 → 재료공급 → 경화 → 금형개방 → 성형품 빼내기의 순으로 이루어진다. 도 2의 (d)에서는 다수의 캐비티(28)를 갖춘 시트(20)가 제조된다. 각각의 캐비티(28)의 저면에는 천공된 구멍(22)이 있고, 각각의 캐비티(28)에는 하부 기판(10)에 EMI필터(예컨대, 제너 다이오드)를 실장시킬 수 있도록 하는 구멍(24) 및 와이어 본딩을 위한 구멍(26)이 함께 형성된다. 물론, 상황에 따라서는 구멍(24, 26)이 없는 형상으로 할 수도 있다. 구멍(22)의 직경이 캐비티(28)의 상부에 형성된 구멍의 직경에 비해 작다.In order to manufacture the white reflective plate sheet 20 as shown in FIG. 2 (d), the above-mentioned white reflective material is injected into a molding die (not shown), and the cavity 28 rounded and centered inward is formed. A white reflector plate (e.g., a circular shape) is produced by transfer molding. Here, since the sheet 20 is a molded body made by a transfer molding method, it may be called a transfer mold. The transfer molding method is a variation of the injection molding of the thermosetting resin and is also called a transfer molding method. The transfer molding method converts a plastic material into a cured state while injecting a material (ie, a white reflective material) into a closed heating mold and transferring the material. In general, the transfer molding method is performed in the order of preforming → preheating → mold closing → material supply → hardening → mold opening → removing the molded article. In FIG. 2D, a sheet 20 having a plurality of cavities 28 is manufactured. There is a perforated hole 22 in the bottom of each cavity 28, each cavity 28 has a hole 24 for mounting the EMI filter (e.g. Zener diode) on the lower substrate 10 and Holes 26 for wire bonding are formed together. Of course, depending on the situation, it can also be set as the shape without the holes 24 and 26. FIG. The diameter of the hole 22 is smaller than the diameter of the hole formed in the upper part of the cavity 28.

이와 같이 백색의 반사판용 시트(20)를 트랜스터 몰딩에 의해 만들어냄에 따라 다수의 반사판을 신속하면서도 정확하게 만들어낼 수 있게 된다. 이는 전체적인 작업의 간편성을 제공하고 불량률을 줄일 수 있게 된다. As described above, the white reflective plate sheet 20 is formed by the transfer molding, thereby making it possible to quickly and accurately produce a large number of reflective plates. This will provide overall simplicity of operation and reduce defect rates.

상기와 같이 도 2의 (a)에서부터 (d)까지의 공정을 순서대로 행하여 하부 기판용 시트(10) 및 백색의 반사판용 시트(20)를 제조할 수도 있고, 백색의 반사판용 시트(20)를 먼저 제조하는 것으로 하여도 된다. 다르게는, 하부 기판용 시트(10)를 제조하는 공정 및 백색의 반사판용 시트(20)를 제조하는 공정을 동시에 진행시켜도 무방하다. As described above, the steps from (a) to (d) of FIG. 2 may be performed in order to manufacture the lower substrate sheet 10 and the white reflector sheet 20, or the white reflector sheet 20 It may be prepared first. Alternatively, the process of manufacturing the lower substrate sheet 10 and the process of manufacturing the white reflector sheet 20 may be simultaneously performed.

이후, 도 2의 (e)에서와 같이 제조된 하부 기판용 시트(10)의 상면에 백색의 반사판용 시트(20)를 적층시킨 후에, 하부 기판용 시트(10)와 백색의 반사판용 시트(20)가 잘 결합되도록 소정 온도에서 열처리한다. 열처리에 의해 도 2의 (f)에서와 같이 하부 기판용 시트(10)와 백색의 반사판용 시트(20)는 단단히 결합된다.Subsequently, after laminating the white reflective plate sheet 20 on the upper surface of the lower substrate sheet 10 manufactured as shown in FIG. 2 (e), the lower substrate sheet 10 and the white reflective plate sheet ( 20) is heat-treated at a predetermined temperature to bond well. By the heat treatment, the lower substrate sheet 10 and the white reflector sheet 20 are firmly bonded as shown in FIG. 2 (f).

그리고 나서, 도 2의 (g)에서와 같이 절단기(도시 생략)로 가상의 절단선을 따라 절단하여 다수의 단위 소자로 분리해 낸다. 예를 들어, 칼날(30)을 이용하여 절단선을 따라 소잉함으로써 도 2의 (h)에서와 같이 다수개의 단위 소자(단품)(도 3 참조 가능)로 분리된다.Then, as shown in (g) of FIG. 2, a cutter (not shown) is cut along the imaginary cutting line and separated into a plurality of unit elements. For example, by sawing along the cutting line using the blade 30, it is separated into a plurality of unit elements (single item) (refer to FIG. 3) as shown in FIG.

이와 같이 하게 되면, 본 발명에서 원하는 엘이디 패키지를 완성할 수 있게 된다. 즉, 도 3에서와 같이 내향되게 라운드진 캐비티(28)를 갖춘 백색의 반사판(20)이 하부 기판(10)상에 형성된 엘이디 패키지(40)가 완성된다. In this way, it is possible to complete the desired LED package in the present invention. That is, the LED package 40 formed on the lower substrate 10 with the white reflective plate 20 having the rounded cavity 28 inwardly as shown in FIG. 3 is completed.

물론, 도 2 및 도 3에서는 발광소자를 도시하지 않았는데, 전극 패턴(12a)의 상면에 발광소자(예컨대, 칩형태의 엘이디)를 실장한 후에 와이어(도시 생략) 본딩을 실시한다. 칩형태의 발광소자는 와이어 본딩 방식에 의해 결선될 수도 있고, 공융점 본딩(eutectic bonding) 방식 또는 플립 본딩(flip bonding) 방식에 의해 결선될 수도 있다. 즉, 어떠한 본딩 방식이냐에 따라 와이어의 유무가 결정되고, 제너 다이오드는 필요한 경우에만 사용가능하므로 선택적이다. 그에 따라, 캐비티(도 3에서 28)의 구멍(24, 26)은 필요한 경우에만 형성되는 것으로 할 수 있다.Of course, although the light emitting device is not illustrated in FIGS. 2 and 3, wire (not shown) bonding is performed after the light emitting device (for example, a chip-shaped LED) is mounted on the upper surface of the electrode pattern 12a. The chip type light emitting device may be connected by a wire bonding method, or may be connected by eutectic bonding or flip bonding. That is, the presence or absence of a wire is determined according to the bonding method, and the zener diode is optional since it can be used only when necessary. Therefore, the holes 24 and 26 of the cavity (28 in Fig. 3) may be formed only when necessary.

한편, 본 발명은 상술한 실시예로만 한정되는 것이 아니라 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 수정 및 변형하여 실시할 수 있고, 그러한 수정 및 변형이 가해진 기술사상 역시 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다.On the other hand, the present invention is not limited only to the above-described embodiment, but can be modified and modified within the scope not departing from the gist of the present invention, the technical idea to which such modifications and variations are also applied to the claims Must see

도 1은 종래의 엘이디 패키지의 구성을 나타낸 도면이다.1 is a view showing the configuration of a conventional LED package.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지의 제조방법을 순서적으로 나타낸 도면이다.2 is a view sequentially showing a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 (h)에 도시된 다수의 엘이디 패키지중 어느 하나를 확대하여 나타낸 사시도이다.FIG. 3 is an enlarged perspective view of any one of a plurality of LED packages illustrated in FIG. 2H.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

10 : 하부 기판 20 : 반사판10: lower substrate 20: reflector

22, 24, 26 : 구멍 28 : 캐비티22, 24, 26: hole 28: cavity

30 : 칼날 40 : 엘이디 패키지30: blade 40: LED package

Claims (9)

하부 기판을 준비하는 제 1단계;Preparing a lower substrate; 성형 금형에 백색의 반사물질을 주입하여 중앙이 천공되고 내향되게 라운드진 캐비티를 갖춘 백색의 반사판을 트랜스퍼 몰딩에 의해 만들어내는 제 2단계; 및A second step of injecting a white reflective material into the molding die to produce a white reflective plate having a cavity rounded inwardly and rounded inwardly by transfer molding; And 상기 하부 기판의 상면에 상기 백색의 반사판을 결합시키는 제 3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조방법.And a third step of coupling the white reflective plate to an upper surface of the lower substrate. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1단계는 상기 하부 기판의 상면에 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조방법.The first step of manufacturing an LED package, characterized in that for forming an electrode pattern on the upper surface of the lower substrate. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1단계는 상기 하부 기판의 재질을 금속, 세라믹, 바리스터, 플라스틱중의 어느 한 재질로 하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조방법.The first step is a method of manufacturing an LED package, characterized in that the material of the lower substrate is any one of metal, ceramic, varistor, plastic. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 2단계에서, 상기 백색의 반사물질은 백색의 실리콘 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조방법.In the second step, the white reflective material is a manufacturing method of the LED package, characterized in that it comprises a white silicone epoxy resin. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 2단계에서, 상기 백색의 반사물질은 TiO2, ZnO, 리소폰(Lithopone), ZnS, BaSO4, SiO2, PTFE(폴리테트라플루오르에틸렌)중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조방법. In the second step, the white reflective material LED package, characterized in that at least one of TiO 2 , ZnO, Lithopone (Lithopone), ZnS, BaSO 4 , SiO 2 , PTFE (polytetrafluoroethylene) Manufacturing method. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 2단계에서, 상기 백색의 반사물질은 TiO2, ZnO, 리소폰(Lithopone), ZnS, BaSO4, SiO2, PTFE(폴리테트라플루오르에틸렌)중에서 적어도 하나를 주재료로 포함하되, 상기 주재료를 5 ~ 60wt%으로 첨가한 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조방법.In the second step, the white reflective material includes at least one of TiO 2 , ZnO, lithopone, ZnS, BaSO 4 , SiO 2 , and PTFE (polytetrafluoroethylene) as a main material, and includes the main material. Method for producing an LED package, characterized in that added in 5 ~ 60wt%. 청구항 6에 있어서,The method according to claim 6, 상기 제 2단계에서, 상기 백색의 반사물질은 실리콘 수지를 5 ~ 30wt%로 하고 에폭시 수지를 20 ~ 65wt%로 한 부재료를 상기 주재료와 함께 사용한 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조방법.In the second step, the white reflective material is a method of manufacturing an LED package, characterized in that the use of a subsidiary material with a silicone resin of 5 ~ 30wt% and an epoxy resin of 20 ~ 65wt% with the main material. 청구항 1 내지 청구항 7중의 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 7, 상기 제 2단계는, 상기 캐비티의 라운드진 측면에, 상기 하부 기판의 상면에 EMI필터를 장착시키기 위한 구멍을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하 는 엘이디 패키지의 제조방법. The second step is a method of manufacturing an LED package, characterized in that for forming a hole for mounting the EMI filter on the upper surface of the lower substrate, the rounded side of the cavity. 청구항 1 내지 청구항 7중의 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 7, 상기 하부 기판상에 하나 이상의 엘이디 칩을 실장시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조방법.And mounting at least one LED chip on the lower substrate.
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