KR101097456B1 - Method of manufacturing a LED package and LED package thereby - Google Patents

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Abstract

리플렉터의 균일성을 도모하고 공정의 단순화를 꾀한 엘이디 패키지의 제조방법 및 그에 의한 엘이디 패키지를 제시한다. 제시된 엘이디 패키지의 제조방법은 각각의 엘이디 패키지 생성 영역별로 캐비티를 포함하고 캐비티의 저면을 엘이디 칩 실장 영역으로 하는 복수의 엘이디 패키지 생성 영역을 갖춘 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 엘이디 칩 실장 영역에 마스크 용액을 디스펜싱하여 마스크층을 형성하는 마스크층 형성 단계; 마스크층의 형성 이후에, 스퍼터링에 의해 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 캐비티의 내부에 금속 박막을 증착하는 금속 박막 증착 단계; 및 금속 박막의 증착 이후에, 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 엘이디 칩 실장 영역의 마스크층을 제거하는 마스크층 제거 단계를 포함한다. 스퍼터링법을 이용하여 리플렉터를 형성하게 되므로 균일성 있는 리플렉터의 구현이 가능하다. 스퍼터링 장비에 의해서 리플렉터의 형성이 완성되므로, 기존의 공정에 비해 매우 단순하게 리플렉터를 형성하게 된다.A method of manufacturing an LED package aimed at uniformity of the reflector and a simplification of the process, and an LED package thereby. The present invention provides a method of manufacturing an LED package, comprising: a substrate preparation step of preparing a substrate having a plurality of LED package generation regions including a cavity for each LED package generation region and using a bottom surface of the cavity as an LED chip mounting region; A mask layer forming step of forming a mask layer by dispensing a mask solution in the LED chip mounting region of each LED package generation region; After the formation of the mask layer, a metal thin film deposition step of depositing a metal thin film inside the cavity of each LED package generation region by sputtering; And a mask layer removing step of removing the mask layer of the LED chip mounting region of each LED package generation region after the deposition of the metal thin film. Since the reflector is formed by the sputtering method, a uniform reflector can be realized. Since the formation of the reflector is completed by the sputtering equipment, the reflector is formed very simply compared to the existing process.

Description

엘이디 패키지의 제조방법 및 그에 의한 엘이디 패키지{Method of manufacturing a LED package and LED package thereby}Method of manufacturing a LED package and LED package according thereto

본 발명은 엘이디 패키지의 제조방법 및 그에 의한 엘이디 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 균일한 반사면을 갖도록 하는 엘이디 패키지의 제조방법 및 그에 의한 엘이디 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an LED package and an LED package thereby, and more particularly, to a method for manufacturing an LED package and a LED package thereby.

통상적으로, 조명기기 등에 사용되는 엘이디 패키지를 제조하는 경우 먼저 하부 기판과 상부 기판을 각각 제조한다. 하부 기판은 엘이디 칩 실장 영역을 포함하고, 상부 기판은 엘이디 칩 실장 영역에 대응되는 부위에 캐비티를 포함한다. 이후, 하부 기판상에 상부 기판을 적층하고 나서 동시소성한다. 그 후에 전기 도금을 통하여 반사면(또는 반사판)을 형성시키고서 LED칩 실장, 와이어 본딩, 형광체 충전 등을 행한다. 이하의 명세서에서는 반사면 또는 반사판을 리플렉터(reflector)로 통칭한다.In general, when manufacturing an LED package used for lighting equipment, etc., first, a lower substrate and an upper substrate are manufactured. The lower substrate includes an LED chip mounting region, and the upper substrate includes a cavity at a portion corresponding to the LED chip mounting region. Thereafter, the upper substrate is laminated on the lower substrate and then co-fired. Thereafter, a reflecting surface (or reflecting plate) is formed through electroplating, and the LED chip mounting, wire bonding, phosphor charging, and the like are performed. In the following description, the reflecting surface or the reflecting plate is collectively referred to as a reflector.

여기서, 전기 도금에 의해 캐비티의 내측면이 리플렉터로 된다. 보다 자세하게는, 도 1에서와 같이 캐비티의 내측면에 Ag 페이스트를 인쇄 소결한 후에 Ni 도금후에 Ag 도금을 하여 리플렉터(10)를 형성하게 된다.Here, the inner surface of the cavity becomes the reflector by electroplating. In more detail, as shown in FIG. 1, Ag paste is printed and sintered on the inner surface of the cavity and then Ag plated after Ni plating to form the reflector 10.

그런데, 이와 같은 통상적인 제조방법에 있어서 리플렉터(10)를 제조하는 공정은 Ag페이스트 인쇄, Ag 소결, Ni-Ag 도금 등과 같이 3가지의 별도의 공정이 진행되므로 공정이 매우 복잡하다. 다시 말해서, Ag페이스트를 인쇄하기 위한 인쇄 장비, Ag 소결을 위한 장비, 및 Ni-Ag를 도금하기 위한 장비와 같이 별도의 3가지 장비를 활용해야만이 리플렉터(10)의 제조가 가능하다. However, in the conventional manufacturing method, the process of manufacturing the reflector 10 is very complicated because three separate processes such as Ag paste printing, Ag sintering, and Ni-Ag plating are performed. In other words, the manufacture of the reflector 10 is possible only by utilizing three separate equipments, such as printing equipment for printing Ag paste, equipment for sintering Ag, and equipment for plating Ni-Ag.

특히, 도금 공정의 불균일성으로 인해 리플렉터(10)의 표면이 불균일하게 되는 공정불량이 자주 발생한다. 이로 인해 배광 특성에 대한 균일 조정이 어렵다. 또한, 습식 전해 도금 공정으로 인한 환경 오염이 발생한다.In particular, a process defect in which the surface of the reflector 10 is uneven due to nonuniformity of the plating process frequently occurs. This makes it difficult to uniformly adjust the light distribution characteristics. In addition, environmental pollution occurs due to the wet electroplating process.

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 리플렉터의 균일성을 도모하고 공정의 단순화를 꾀한 엘이디 패키지의 제조방법 및 그에 의한 엘이디 패키지를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to provide a method of manufacturing an LED package and a LED package thereby.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시양태에 따른 엘이디 패키지의 제조방법은, 각각의 엘이디 패키지 생성 영역별로 캐비티를 포함하고 캐비티의 저면을 엘이디 칩 실장 영역으로 하는 복수의 엘이디 패키지 생성 영역을 갖춘 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 엘이디 칩 실장 영역에 마스크 용액을 디스펜싱하여 마스크층을 형성하는 마스크층 형성 단계; 마스크층의 형성 이후에, 스퍼터링에 의해 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 캐비티의 내부에 금속 박막을 증착하는 금속 박막 증착 단계; 및 금속 박막의 증착 이후에, 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 엘이디 칩 실장 영역의 마스크층을 제거하는 마스크층 제거 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing an LED package according to a preferred embodiment of the present invention includes a plurality of LED package generation area including a cavity for each LED package generation area and the bottom surface of the cavity as an LED chip mounting area. Preparing a substrate having a substrate; A mask layer forming step of forming a mask layer by dispensing a mask solution in the LED chip mounting region of each LED package generation region; After the formation of the mask layer, a metal thin film deposition step of depositing a metal thin film inside the cavity of each LED package generation region by sputtering; And a mask layer removing step of removing the mask layer of the LED chip mounting region of each LED package generation region after the deposition of the metal thin film.

여기서, 기판 준비 단계에서 준비된 기판은 LTCC로 구성된다.Here, the substrate prepared in the substrate preparation step is composed of LTCC.

기판은 각각의 엘이디 패키지 생성 영역별로 전극 패턴이 형성된 하부 기판, 및 각각의 엘이디 패키지 생성 영역별로 캐비티가 형성된 상부 기판이 동시소결되어 형성된다.The substrate is formed by co-sintering a lower substrate on which an electrode pattern is formed for each LED package generation region and an upper substrate on which a cavity is formed for each LED package generation region.

마스크층 형성 단계는, 엘이디 칩 실장 영역에 형성시킨 전극 패턴을 덮도록 마스크 용액을 디스펜싱하는 단계; 및 디스펜싱된 마스크 용액을 경화시키는 단계를 포함한다.The mask layer forming step may include dispensing a mask solution to cover the electrode pattern formed in the LED chip mounting region; And curing the dispensed mask solution.

금속 박막 증착 단계는, 캐비티의 내부중 상기 마스크층을 제외한 나머지 부위에 점착 박막을 증착하는 단계; 점착 박막의 표면 및 마스크층의 표면에 제 1 금속 박막을 증착하는 단계; 및 제 1 금속 박막의 표면에 제 2 금속 박막을 증착하는 단계를 포함한다.The deposition of the metal thin film may include depositing an adhesive thin film on a portion of the cavity except for the mask layer; Depositing a first metal thin film on the surface of the adhesive thin film and the surface of the mask layer; And depositing a second metal thin film on the surface of the first metal thin film.

마스크층 제거 단계는 리프트 오프 방식에 의해 마스크층을 제거한다.The mask layer removing step removes the mask layer by a lift off method.

마스크층 제거 단계는 리프트 오프 방식에 의한 마스크층 제거시 초음파를 함께 가하여 마스크층의 상면의 중앙부의 금속 박막이 떨어져 나가게 한다.In the mask layer removing step, ultrasonic waves are applied together when removing the mask layer by the lift-off method so that the metal thin film in the center of the upper surface of the mask layer is separated.

본 발명의 다른 실시양태에 따른 엘이디 패키지의 제조방법은, 각각의 엘이디 패키지 생성 영역별로 캐비티를 포함하고 캐비티의 저면을 엘이디 칩 실장 영역 으로 하는 복수의 엘이디 패키지 생성 영역을 갖춘 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 엘이디 칩 실장 영역에 지그를 이용하여 마스크를 형성하는 마스킹 단계; 마스킹 단계 이후에, 스퍼터링법과 전자빔 증착법 및 열증착법중의 하나 이상의 방식에 의해 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 캐비티의 내부에 금속 박막을 증착하는 금속 박막 증착 단계; 및 금속 박막의 증착 이후에, 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 엘이디 칩 실장 영역에 형성된 마스크를 제거하는 마스크 제거 단계를 포함한다.In a method of manufacturing an LED package according to another embodiment of the present invention, a substrate preparation for preparing a substrate having a plurality of LED package generation regions including a cavity for each LED package generation region and the bottom surface of the cavity as an LED chip mounting region step; A masking step of forming a mask using a jig in the LED chip mounting area of each LED package generation area; After the masking step, a metal thin film deposition step of depositing a metal thin film inside the cavity of each LED package generation region by one or more of sputtering, electron beam evaporation and thermal evaporation; And a mask removing step of removing a mask formed in the LED chip mounting region of each LED package generation region after deposition of the metal thin film.

여기서, 기판 준비 단계에서 준비된 기판은 LTCC로 구성된다.Here, the substrate prepared in the substrate preparation step is composed of LTCC.

기판은 각각의 엘이디 패키지 생성 영역별로 전극 패턴이 형성된 하부 기판, 및 각각의 엘이디 패키지 생성 영역별로 캐비티가 형성된 상부 기판이 동시소결되어 형성된다.The substrate is formed by co-sintering a lower substrate on which an electrode pattern is formed for each LED package generation region and an upper substrate on which a cavity is formed for each LED package generation region.

금속 박막 증착 단계는, 캐비티의 내부중 마스크층을 제외한 나머지 부위에 점착 박막을 증착하는 단계; 점착 박막의 표면 및 마스크층의 표면에 제 1 금속 박막을 증착하는 단계; 및 제 1 금속 박막의 표면에 제 2 금속 박막을 증착하는 단계를 포함한다.The metal thin film deposition step may include depositing an adhesive thin film on the remaining portion of the cavity except for the mask layer; Depositing a first metal thin film on the surface of the adhesive thin film and the surface of the mask layer; And depositing a second metal thin film on the surface of the first metal thin film.

한편, 본 발명의 실시양태에 따른 엘이디 패키지는, 캐비티 및 엘이디 칩 실장 영역을 포함하는 기판; 및 캐비티의 내측면에 스퍼터링에 의해 형성되되, 엘이디 칩 실장 영역을 제외한 부위에 형성된 박막을 포함한다.On the other hand, the LED package according to an embodiment of the present invention, a substrate including a cavity and the LED chip mounting region; And a thin film formed on an inner side surface of the cavity by sputtering, except for an LED chip mounting region.

기판은 LTCC로 구성된다.The substrate is composed of LTCC.

기판은 엘이디 칩 실장 영역에 전극 패턴이 형성된 하부 기판, 및 엘이디 칩 실장 영역과 대응되는 위치에 캐비티가 형성된 상부 기판이 동시소결되어 형성된 것이다.The substrate is formed by co-sintering a lower substrate having electrode patterns formed in the LED chip mounting region and an upper substrate having a cavity formed at a position corresponding to the LED chip mounting region.

금속 박막은, 캐비티의 내부중 엘이디 칩 실장 영역을 제외한 나머지 부위에 스퍼터링에 의해 형성된 점착 박막; 점착 박막의 표면에 형성된 제 1 금속 박막; 및 제 1 금속 박막의 표면에 형성된 제 2 금속 박막을 포함한다.The metal thin film may include: an adhesive thin film formed by sputtering on a portion of the cavity except for the LED chip mounting region; A first metal thin film formed on the surface of the adhesive thin film; And a second metal thin film formed on the surface of the first metal thin film.

점착 박막은 니켈, 티타늄, 티타늄텅스텐, 크롬, 니켈크롬중의 하나로 구성된다.The adhesive thin film is composed of one of nickel, titanium, titanium tungsten, chromium and nickel chromium.

제 1 금속 박막은 Ag 또는 Al으로 구성되고, 제 2 금속 박막은 SiO2 또는 TiO2 로 구성된다.The first metal thin film is composed of Ag or Al, and the second metal thin film is composed of SiO 2 or TiO 2 .

이러한 구성의 본 발명에 따르면, 스퍼터링법을 이용하여 리플렉터를 형성하게 되므로, 균일성 있는 리플렉터의 구현이 가능하다(uniformity 10%미만).According to the present invention having such a configuration, since the reflector is formed using the sputtering method, a uniform reflector can be realized (less than 10% uniformity).

기존의 습식 도금에 비해 리플렉터의 거칠기의 감소로 인한 지향각 특성 조절이 용이하다.Compared to the conventional wet plating, it is easy to adjust the direction angle characteristic due to the reduction of the roughness of the reflector.

스퍼터링 장비에 의해서 리플렉터의 형성이 완성되므로, 기존의 공정에 비해 매우 간편하게 리플렉터를 형성하게 된다.Since the formation of the reflector is completed by the sputtering equipment, the reflector is formed very easily compared to the existing process.

기존의 습식 도금을 사용하지 않으므로 환경 오염을 줄일 수 있고, 마스크 용액의 디스펜싱 공정 도입으로 양산성 확보가 이루어진다.Since no conventional wet plating is used, environmental pollution can be reduced, and mass production is secured by introducing a dispensing process of a mask solution.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지의 제조방법 및 그에 의한 엘이디 패키지에 대하여 설명하면 다음과 같다. 본 발명의 상세한 설명에 앞서, 이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니된다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, a method of manufacturing an LED package and an LED package according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Prior to the detailed description of the present invention, the terms or words used in the specification and claims described below should not be construed as being limited to the ordinary or dictionary meanings. Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only one of the most preferred embodiments of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.

도 2 내지 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 엘이디 패키지의 구성을 설명하기 위한 도면이다.2 to 10 are views for explaining a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention and the configuration of the LED package manufactured thereby.

먼저, 도 2에서와 같은 하부 기판용 시트(20)와 중간 기판용 시트(22) 및 상부 기판용 시트(24)를 각각 제조하여 준비한다. 하부 기판용 시트(20)와 중간 기판용 시트(22) 및 상부 기판용 시트(24)는 복수의 엘이디 패키지 생성 영역을 포함할 수 있을 정도의 크기로 제조된다. 이하의 설명에서는 12개의 엘이디 패키지로 분리할 수 있을 정도의 크기로 제조되는 것으로 가정한다. 본 발명의 실시예에서는 시트(20, 22, 24)의 재질을 LTCC로 한 것으로 가정한다. 하부 기판용 시트(20)에는 전극 패턴(20a, 20b)이 각각의 엘이디 패키지 생성 영역별로 형성된다. 중간 기판용 시트(22)에는 구멍(22a)이 각각의 엘이디 패키지 생성 영역별로 형성된다. 상부 기판용 시트(24)에는 캐비티(26)가 각각의 엘이디 패키지 생성 영역별로 형성된다. 추후에 하부 기판용 시트(20)의 상면에 중간 기판용 시트(22)를 적층하고 중간 기판용 시트(22)의 상면에 상부 기판용 시트(24)를 적층한 경우 각각의 엘이디 패키지 생성 영역별로 상하로 연접된 구멍(22a)과 캐비티(26)를 캐비티로 통칭하는 것으로 한다.First, the lower substrate sheet 20, the intermediate substrate sheet 22, and the upper substrate sheet 24 as shown in FIG. 2 are manufactured and prepared, respectively. The lower substrate sheet 20, the intermediate substrate sheet 22, and the upper substrate sheet 24 are manufactured to a size sufficient to include a plurality of LED package generation regions. In the following description, it is assumed that the LED is manufactured to a size that can be separated into 12 LED packages. In the embodiment of the present invention, it is assumed that the material of the sheets 20, 22, and 24 is LTCC. In the lower substrate sheet 20, electrode patterns 20a and 20b are formed for each LED package generation region. In the intermediate substrate sheet 22, holes 22a are formed for each LED package generation region. In the upper substrate sheet 24, a cavity 26 is formed for each LED package generation region. Later, when the intermediate substrate sheet 22 is laminated on the upper surface of the lower substrate sheet 20, and the upper substrate sheet 24 is laminated on the upper surface of the intermediate substrate sheet 22, for each LED package generation area The cavity 22a and the cavity 26 joined up and down are called a cavity.

하부 기판용 시트(20)를 제조하는 공정은 LTCC를 재료로 하여 제조하는 것으로 가정하고 설명한다. 먼저, 소정 중량의 LTCC 분말을 준비하고 PVB계 바인더(binder)를 LTCC 분말 대비 소정 중량부 측량한 후 톨루엔/알코올(toluene/alcohol)계 솔벤트(solvent)에 용해시켜 그 LTCC 분말에 함께 배합한다. The process of manufacturing the lower board | substrate sheet 20 is demonstrated assuming that it manufactures using LTCC material. First, a predetermined weight of LTCC powder is prepared, PVB-based binder is weighed by a predetermined weight part compared to LTCC powder, and then dissolved in toluene / alcohol-based solvent and blended together in the LTCC powder.

그리고 나서, 배합된 LTCC 분말을 용기에 넣고 회전시켜 균일하게 섞는다. 예를 들어, 50rpm으로 20시간 정도 볼밀(ball mill)을 통해 원하는 입경의 LTCC 분말을 얻는다. 상기 예로 든 50rpm과 20시간은 하나의 예시일 뿐, 볼밀내의 볼의 직경 및 양, 솔벤트 및 바인더의 양 등에 따라 가변된다. The blended LTCC powder is then placed in a container and rotated to mix uniformly. For example, an LTCC powder having a desired particle size is obtained through a ball mill for about 20 hours at 50 rpm. The above 50 rpm and 20 hours are just examples and vary depending on the diameter and amount of the balls in the ball mill, the amount of solvent and binder, and the like.

상기 볼밀에서의 밀링(milling)을 거치게 되면 최초로 배합된 LTCC 분말이 슬러리(slurry) 형태로 토출되는데, 그 토출되는 슬러리에는 기포가 어느 정도 존재하기 때문에 그 토출되는 슬러리내의 기포를 제거하기 위해 탈포를 실시한다. 탈포시 슬러리 표면이 급속히 건조되는 것을 방지하기 위해 슬러리를 교반하면서 진공에서 소정 시간 유지하도록 한다. When milling in the ball mill, the first blended LTCC powder is discharged in the form of a slurry. Since the discharged slurry has some bubbles, defoaming is performed to remove bubbles in the discharged slurry. Conduct. In order to prevent the slurry surface from drying rapidly during defoaming, the slurry is kept under vacuum for a predetermined time while stirring.

탈포 과정을 거친 섞여진 원재료(즉, 슬러리 형태임)를 시트 형태로 만든다. 즉, 테이프 캐스터에 필름과 블레이드(blade)를 설치한 후에 필름을 서서히 이송시키면서 탈포된 슬러리를 투입하고, 블레이드를 통과한 슬러리를 건조시켜서 원하는 두께(예컨대, 필름위에 20∼150μm)의 그린 시트 형태로 롤에 감는다.The mixed raw material (ie, in the form of a slurry) subjected to the defoaming process is formed into a sheet. That is, after installing the film and the blade (blade) on the tape caster, while slowly transferring the film, the degassed slurry is introduced, and the slurry passed through the blade is dried to form a green sheet having a desired thickness (for example, 20 to 150 μm on the film). Roll into a roll.

그 롤에 감겨진 그린 시트를 일정한 크기(치수)로 절단하여 도 2에서와 같은 하부 기판용 시트(20)를 만든다. 여기서, 도 2에 도시된 시트(20)가 본 발명에서 필요로 하는 하부 기판의 두께를 갖는 것으로 하여도 되고, 여러 개의 시트(20)를 적층시킴으로 해서 원하는 두께의 하부 기판이 되는 것으로 하여도 된다. 이후, 시트(20)의 상면에 각각의 엘이디 패키지 생성 영역마다 전극 패턴(20a, 20b)을 형성시킨다. 전극 패턴(20a, 20b)은 스크린 프린팅 등의 후막 제조법 혹은 스퍼터링법, 증발법, 기상화학증착법, 졸겔 코팅법 등의 박막제조법으로 Ag, Pt, Pd 등의 도전성 페이스트를 인쇄함에 의해 형성된다. 여기서, 전극 패턴(20a)은 애노드 또는 캐소드이고, 전극 패턴(20b)은 캐소드 또는 애노드이다. 전극 패턴(20a, 20b)은 시트(20)의 비아홀을 통해 해당 시트(20)의 저면으로 연장된다.The green sheet wound on the roll is cut to a certain size (dimension) to make a lower substrate sheet 20 as shown in FIG. Here, the sheet 20 shown in FIG. 2 may have a thickness of the lower substrate required by the present invention, or may be a lower substrate having a desired thickness by stacking a plurality of sheets 20. . Subsequently, electrode patterns 20a and 20b are formed on each LED package generation region on the top surface of the sheet 20. The electrode patterns 20a and 20b are formed by printing conductive pastes such as Ag, Pt, and Pd by a thick film manufacturing method such as screen printing or thin film manufacturing methods such as sputtering, evaporation, vapor chemical vapor deposition, and sol-gel coating. Here, the electrode pattern 20a is an anode or a cathode, and the electrode pattern 20b is a cathode or an anode. The electrode patterns 20a and 20b extend to the bottom surface of the sheet 20 through the via holes of the sheet 20.

그리고, 중간 기판용 시트(22)의 제조는 전극 패턴(20a, 20b) 대신에 구멍(22a)을 펀칭한다는 것이 차이날 뿐 상술한 하부 기판용 시트(20)의 제조공정과 거의 유사하다. 상부 기판용 시트(24)의 제조는 수직한 구멍(22a) 대신에 테이퍼진 캐비티(26)를 형성한다는 것이 차이날 뿐 중간 기판의 시트(20)의 제조공정과 동일하다. 중간 기판용 시트(22) 및 상부 기판용 시트(24)의 제조공정에 대해서는 별도의 세부 설명이 없더라도 동종업계에 종사하는 자라면 충분히 이해가능하다.The manufacturing of the intermediate substrate sheet 22 is almost similar to the manufacturing process of the lower substrate sheet 20 described above, except that the holes 22a are punched instead of the electrode patterns 20a and 20b. The manufacturing of the upper substrate sheet 24 is the same as the manufacturing process of the sheet 20 of the intermediate substrate, except that the tapered cavity 26 is formed instead of the vertical hole 22a. The manufacturing process of the intermediate | middle board | substrate sheet 22 and the upper board | substrate sheet 24 is fully understandable if the person in the same industry does not have detailed description.

이후, 도 3에서와 같이 하부 기판용 시트(20)의 상면에 중간 기판용 시 트(22)를 적층하고, 중간 기판용 시트(22)의 상면에 상부 기판용 시트(24)를 적층한 다음에 동시 소결을 행한다. 그리고 나서, 전극 패턴(20a, 20b)에 대한 도금을 행한다. 여기서, 도금된 전극 패턴(20a, 20b)의 상면이 엘이디 칩 실장 영역이 된다. 동시 소결에 의해 시트(20, 22, 24)는 하나의 소결체(30)가 되므로, 이후의 설명에서 소결체(30)라 함은 동시 소결된 시트(20, 22, 24)를 통칭하는 것으로 이해하면 된다. 소결체(34)를 기판으로 칭하여도 무방하다.Thereafter, as shown in FIG. 3, the intermediate substrate sheet 22 is laminated on the upper surface of the lower substrate sheet 20, and the upper substrate sheet 24 is laminated on the upper surface of the intermediate substrate sheet 22. Simultaneous sintering is performed. Then, plating is performed on the electrode patterns 20a and 20b. Here, the upper surfaces of the plated electrode patterns 20a and 20b become LED chip mounting regions. Since the sheets 20, 22, and 24 become one sintered body 30 by the simultaneous sintering, in the following description, the sintered body 30 will be understood to refer to the co-sintered sheets 20, 22, and 24 collectively. do. The sintered compact 34 may be called a board | substrate.

이어, 도 4에서와 같이 소결체(30)의 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 엘이디 칩 실장 영역(즉, 캐비티의 저면)에 마스크 용액(42)을 디스펜싱한다. 마스크 용액(42)의 디스펜싱 공정은 전극 패턴(20a)과 전극 패턴(20b)간의 단락상태를 그대로 유지시키기 위해 필요하다. 보다 상세하게는, 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 엘이디 칩 실장 영역별로 디스펜서(40)에 의해 도팅되는 마스크 용액(42)은 전극 패턴(20a, 20b)을 덮게 된다. 여기서, 디스펜싱되는 마스크 용액(42)의 높이는 중간 기판용 시트(22)의 두께 이하로 함이 바람직하다. 디스펜싱된 마스크 용액(42)은 열처리 공정에 의해 경화되고, 경화된 마스크 용액(42)을 마스크층이라고 한다. 물론, 마스크 용액(42)의 디스펜싱이 여의치 않다면 지그를 이용하여 해당 부위(즉, 엘이디 칩 실장 영역)를 마스킹하여도 된다.Subsequently, as shown in FIG. 4, the mask solution 42 is dispensed into the LED chip mounting region (that is, the bottom of the cavity) of each LED package generation region of the sintered body 30. The dispensing process of the mask solution 42 is necessary to maintain the short circuit state between the electrode pattern 20a and the electrode pattern 20b. More specifically, the mask solution 42 doped by the dispenser 40 for each LED chip mounting region of each LED package generation region covers the electrode patterns 20a and 20b. Here, the height of the mask solution 42 to be dispensed is preferably equal to or less than the thickness of the intermediate substrate sheet 22. The dispensed mask solution 42 is cured by a heat treatment process, and the cured mask solution 42 is called a mask layer. Of course, if dispensing of the mask solution 42 is not sufficient, you may mask the site | part (namely, LED chip mounting area) using a jig | tool.

이후에는, 도 5에서와 같이 Ag 또는 Al 등과 같은 금속을 이용하여 스퍼터링에 의해 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 캐비티의 내부에 제 1 금속 박막(50)을 증착한다. 물론, 소결체(30)의 재질이 LTCC인데 여기에 직접적으로 스퍼터링에 의해 금속 박막을 증착시키는 것은 어렵다. 그에 따라, 캐비티의 내측면중에서 전극 패턴(20a, 20b)이 보이는 캐비티의 저면을 제외한 나머지 내측면(즉, 마스크층을 제외한 부위)에 대해 니켈, 티타늄, 티타늄텅스텐, 크롬, 니켈크롬중의 하나로 구성된 점착 박막(도시 생략)을 스퍼터링에 의해 형성한 후에 제 1 금속 박막(50)을 증착시킨다. 점착 박막이 도면에는 도시되지 않았지만 동종업계에 종사하는 자라면 상술한 설명으로 쉽게 이해가능하다. Thereafter, as shown in FIG. 5, the first metal thin film 50 is deposited inside the cavity of each LED package generation region by sputtering using a metal such as Ag or Al. Of course, the material of the sintered body 30 is LTCC, and it is difficult to deposit a metal thin film by sputtering directly thereto. Accordingly, one of nickel, titanium, titanium tungsten, chromium, and nickel chromium is applied to the inner surface of the cavity except for the bottom of the cavity where the electrode patterns 20a and 20b are visible (i.e., the portion except the mask layer). After the formed adhesive thin film (not shown) is formed by sputtering, the first metal thin film 50 is deposited. Although the adhesive thin film is not shown in the drawings, those skilled in the art can easily understand the above description.

그리고 나서, 도 6에서와 같이 제 1 금속 박막(50)의 표면에 SiO2 또는 TiO2를 이용한 스퍼터링에 의해 제 2 금속 박막(52)을 증착시킨다. 제 2 금속 박막(52)은 제 1 금속 박막(50)의 산화를 방지하는 역할을 수행한다.Then, as shown in FIG. 6, the second metal thin film 52 is deposited on the surface of the first metal thin film 50 by sputtering using SiO 2 or TiO 2 . The second metal thin film 52 serves to prevent oxidation of the first metal thin film 50.

상술한 도 5 및 도 6에서는 점착 박막, 제 1 금속 박막(50) 및 제 2 금속 박막(52)을 스퍼터링에 의해 형성하는 것으로 하였는데, 스퍼터링법 이외로 전자빔 증착법 또는 열증착법을 사용하여도 된다. 한편으로는 스퍼터링법과 열증착법을 복합하여 사용하거나 스퍼터링법과 전자빔 증착법을 복합하여 사용하여도 된다. 물론, 전자빔 증착법 및 열증착법을 복합하여 사용하여도 된다. 필요에 따라서는, 스퍼터링법과 전자빔 증착법 및 열증착법을 복합하여 사용하여도 된다.5 and 6 described above, the adhesive thin film, the first metal thin film 50, and the second metal thin film 52 are formed by sputtering. An electron beam vapor deposition method or a thermal vapor deposition method may be used in addition to the sputtering method. Alternatively, the sputtering method and the thermal vapor deposition method may be used in combination, or the sputtering method and the electron beam deposition method may be used in combination. Of course, you may use combining the electron beam vapor deposition method and the thermal evaporation method. As needed, you may use combining the sputtering method, the electron beam vapor deposition method, and the thermal evaporation method.

이후, 리프트 오프(lift off) 방식을 사용하여 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 마스크층을 제거한다. 즉, 도 7에서와 같이 마스크 용액 제거제(용제)가 들어 있는 용기(60)에 소결체(30)를 뒤집어서 집어 넣은 후에 꺼낸다. 용기(60)의 용제를 통해 소결체(30)에게로 초음파를 가한다. 그리하면, 마스크층은 마스크 용액 제거제에 의해 녹고 그 위의 금속(즉, 마스크층의 상면중 가장자리를 제외한 나머 지 부위에 형성된 점착 박막, 제 1 금속 박막(50) 및 제 2 금속 박막(52))은 가해진 초음파에 의해 떨어져 나가게 된다. 그에 의해, 도 8과 같이 된다. 도 8의 우측에 도시된 확대단면도는 이해를 돕기 위해 실제보다 상당히 크게 확대하여 도시한 것이다. 도 8의 우측에 도시된 확대단면도의 제 1 금속 박막(50)의 실제 두께는 대략 3㎛ 정도로 매우 얇고 제 2 금속 박막(52)의 실제 두께는 대략 0.2㎛ 정도로 매우 얇다. 도시하지 않은 점착 박막의 실제 두께는 대략 0.2㎛ 정도로 매우 얇다. Then, the mask layer of each LED package generation region is removed using a lift off method. That is, the sintered compact 30 is turned upside down in the container 60 containing the mask solution remover (solvent) as shown in FIG. 7, and then taken out. Ultrasonic waves are applied to the sintered compact 30 through the solvent of the container 60. Then, the mask layer is melted by the mask solution remover and the metal on it (ie, the adhesive thin film, the first metal thin film 50 and the second metal thin film 52 formed at the remaining portions except the edge of the upper surface of the mask layer). ) Is released by the applied ultrasound. Thereby, it becomes as shown in FIG. The enlarged cross-sectional view shown on the right side of FIG. 8 is shown to be greatly enlarged than actual to facilitate understanding. The actual thickness of the first metal thin film 50 of the enlarged cross-sectional view shown on the right side of FIG. 8 is very thin, approximately 3 μm, and the actual thickness of the second metal thin film 52 is very thin, approximately 0.2 μm. The actual thickness of the adhesive thin film which is not shown in figure is very thin as about 0.2 micrometer.

그리고 나서, 절단기로 가상의 절단선을 따라 절단하여 복수의 엘이디 패키지로 분리해 낸다. 예를 들어, 도 9에서와 같이 칼날(70)을 이용하여 절단선을 따라 소잉하게 되면 도 10에서와 같이 복수개의 엘이디 패키지(80)로 분리된다.Then, the cutter is cut along the imaginary cutting line and separated into a plurality of LED packages. For example, when sawing along the cutting line using the blade 70 as shown in Figure 9 is separated into a plurality of LED package 80 as shown in FIG.

이와 같이 하게 되면, 본 발명에서 원하는 엘이디 패키지를 완성할 수 있게 된다. 본 발명의 실시예에서는 스퍼터링법을 이용하여 리플렉터를 형성하므로, uniformity가 대략 10%미만인 균일성 있는 리플렉터의 구현이 가능하다.In this way, it is possible to complete the desired LED package in the present invention. In the embodiment of the present invention, since the reflector is formed using the sputtering method, it is possible to implement a uniform reflector having uniformity of less than about 10%.

그리고, 기존의 습식 도금에 비해 리플렉터의 거칠기의 감소로 인한 지향각 특성 조절이 용이하다. 또한, 하나의 스퍼터링 장비에 의해서 리플렉터의 형성이 완성되므로, 기존의 공정에 비해 매우 간편하게 리플렉터를 형성하게 된다.In addition, compared to the conventional wet plating, it is easy to adjust the orientation angle characteristic due to the reduction of the roughness of the reflector. In addition, since the formation of the reflector is completed by one sputtering equipment, the reflector is formed very simply compared to the existing process.

특히, 기존의 습식 도금을 사용하지 않으므로 환경 오염을 줄일 수 있고, 마스크 용액의 디스펜싱 공정 도입으로 양산성 확보가 이루어진다.In particular, since conventional wet plating is not used, environmental pollution can be reduced, and mass production is secured by introducing a dispensing process of a mask solution.

한편, 본 발명은 상술한 실시예로만 한정되는 것이 아니라 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 수정 및 변형하여 실시할 수 있고, 그러한 수정 및 변형이 가해진 기술사상 역시 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다.On the other hand, the present invention is not limited only to the above-described embodiments and can be carried out by modifications and variations within the scope not departing from the gist of the present invention, the technical idea that such modifications and variations are also within the scope of the claims Must see

도 1은 일반적인 엘이디 패키지의 리플렉터를 설명하는 도면이다.1 is a view illustrating a reflector of a general LED package.

도 2 내지 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 엘이디 패키지의 구성을 설명하기 위한 도면이다.2 to 10 are views for explaining a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention and the configuration of the LED package manufactured thereby.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >Description of the Related Art

20 : 하부 기판용 시트 22 : 중간 기판용 시트20: sheet for lower substrate 22: sheet for intermediate substrate

24 : 상부 기판용 시트 30 : 소결체24: upper substrate sheet 30: sintered body

40 : 디스펜서 42 : 마스크 용액40: dispenser 42: mask solution

50 : 제 1 금속 박막 52 : 제 2 금속 박막50: first metal thin film 52: second metal thin film

60 : 용기 70 : 칼날60 container 70 blade

80 : 엘이디 패키지80: LED package

Claims (15)

각각의 엘이디 패키지 생성 영역별로 캐비티를 포함하고 상기 캐비티의 저면을 엘이디 칩 실장 영역으로 하는 복수의 엘이디 패키지 생성 영역을 갖춘 기판을 준비하는 기판 준비 단계;A substrate preparation step of preparing a substrate having a plurality of LED package generation regions including a cavity for each LED package generation region and using a bottom surface of the cavity as an LED chip mounting region; 상기 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 엘이디 칩 실장 영역에 마스크 용액을 디스펜싱하여 마스크층을 형성하는 마스크층 형성 단계;A mask layer forming step of forming a mask layer by dispensing a mask solution in the LED chip mounting region of each LED package generation region; 상기 마스크층의 형성 이후에, 스퍼터링에 의해 상기 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 캐비티의 내부에 금속 박막을 증착하는 금속 박막 증착 단계; 및A metal thin film deposition step of depositing a metal thin film inside a cavity of each of said LED package generation regions by sputtering after formation of said mask layer; And 상기 금속 박막의 증착 이후에, 상기 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 엘이디 칩 실장 영역의 상기 마스크층을 제거하는 마스크층 제거 단계를 포함하며,After the deposition of the metal thin film, a mask layer removing step of removing the mask layer of the LED chip mounting region of each LED package generation region, 상기 금속 박막 증착 단계는,The metal thin film deposition step, 상기 캐비티의 내부 중 상기 마스크층을 제외한 나머지 부위에 점착 박막을 증착하는 단계;Depositing an adhesive thin film on a portion of the cavity other than the mask layer; 상기 점착 박막의 표면 및 상기 마스크층의 표면에 Ag 또는 Al로 이루어지는 제 1 금속 박막을 증착하는 단계; 및Depositing a first metal thin film made of Ag or Al on the surface of the adhesive thin film and the surface of the mask layer; And 상기 제 1 금속 박막의 표면에 SiO2 또는 TiO2로 이루어지는 제 2 금속 박막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조방법.And depositing a second metal thin film made of SiO 2 or TiO 2 on the surface of the first metal thin film. 각각의 엘이디 패키지 생성 영역별로 캐비티를 포함하고 상기 캐비티의 저면을 엘이디 칩 실장 영역으로 하는 복수의 엘이디 패키지 생성 영역을 갖춘 기판을 준비하는 기판 준비 단계;A substrate preparation step of preparing a substrate having a plurality of LED package generation regions including a cavity for each LED package generation region and using a bottom surface of the cavity as an LED chip mounting region; 상기 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 엘이디 칩 실장 영역에 지그를 이용하여 마스크층을 형성하는 마스킹 단계;A masking step of forming a mask layer on the LED chip mounting region of each of the LED package generation regions by using a jig; 상기 마스킹 단계 이후에, 스퍼터링법과 전자빔 증착법 및 열증착법중의 하나 이상의 방식에 의해 상기 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 캐비티의 내부에 금속 박막을 증착하는 금속 박막 증착 단계; 및After the masking step, depositing a metal thin film inside the cavity of each of the LED package generating regions by at least one of sputtering, electron beam deposition, and thermal evaporation; And 상기 금속 박막의 증착 이후에, 상기 각각의 엘이디 패키지 생성 영역의 엘이디 칩 실장 영역에 형성된 마스크층을 제거하는 마스크층 제거 단계를 포함하며,After the deposition of the metal thin film, a mask layer removing step of removing a mask layer formed in the LED chip mounting region of each LED package generation region, 상기 금속 박막 증착 단계는,The metal thin film deposition step, 상기 캐비티의 내부중 상기 마스크층을 제외한 나머지 부위에 점착 박막을 증착하는 단계;Depositing an adhesive thin film on a portion of the cavity except for the mask layer; 상기 점착 박막의 표면 및 상기 마스크층의 표면에 Ag 또는 Al로 이루어지는 제 1 금속 박막을 증착하는 단계; 및Depositing a first metal thin film made of Ag or Al on the surface of the adhesive thin film and the surface of the mask layer; And 상기 제 1 금속 박막의 표면에 SiO2 또는 TiO2로 이루어지는 제 2 금속 박막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조방법.And depositing a second metal thin film made of SiO 2 or TiO 2 on the surface of the first metal thin film. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 기판 준비 단계에서 준비된 기판은 LTCC로 구성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조방법.The method of manufacturing an LED package, characterized in that the substrate prepared in the substrate preparation step is composed of LTCC. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 기판은 상기 각각의 엘이디 패키지 생성 영역별로 전극 패턴이 형성된 하부 기판, 및 상기 각각의 엘이디 패키지 생성 영역별로 상기 캐비티가 형성된 상부 기판이 동시소결되어 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조방법.The substrate is a method of manufacturing an LED package, characterized in that the lower substrate formed with an electrode pattern for each LED package generation region, and the upper substrate formed with the cavity for each LED package generation region is co-sintered. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 마스크층 형성 단계는, The mask layer forming step, 상기 엘이디 칩 실장 영역에 형성시킨 전극 패턴을 덮도록 상기 마스크 용액을 디스펜싱하는 단계; 및 Dispensing the mask solution to cover an electrode pattern formed in the LED chip mounting region; And 상기 디스펜싱된 마스크 용액을 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조방법.And curing the dispensed mask solution. 삭제delete 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 마스크층 제거 단계는 리프트 오프 방식에 의해 상기 마스크층을 제거하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조방법.The mask layer removing method may include removing the mask layer by a lift-off method. 청구항 7에 있어서,The method of claim 7, 상기 마스크층 제거 단계는 상기 리프트 오프 방식에 의한 마스크층 제거시 초음파를 함께 가하여 상기 마스크층의 상면의 중앙부의 금속 박막이 떨어져 나가게 하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조방법.The mask layer removing method may include applying an ultrasonic wave to remove the mask layer by the lift-off method so that the metal thin film in the center portion of the upper surface of the mask layer is separated. 캐비티 및 엘이디 칩 실장 영역을 포함하는 기판; 및A substrate comprising a cavity and an LED chip mounting region; And 상기 캐비티의 내측면에 스퍼터링에 의해 형성되되, 상기 엘이디 칩 실장 영역을 제외한 부위에 형성된 금속 박막을 포함하며,Is formed on the inner surface of the cavity by sputtering, and includes a metal thin film formed on a portion excluding the LED chip mounting area, 상기 금속 박막은 The metal thin film 점착 박막;Adhesive thin film; 상기 점착 박막의 표면에 형성되며 Ag 또는 Al로 이루어지는 제 1 금속 박막; 및A first metal thin film formed on the surface of the adhesive thin film and formed of Ag or Al; And 상기 제 1 금속 박막의 표면에 형성되며 SiO2 또는 TiO2로 이루어지는 제 2 금속 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.LED package, characterized in that formed on the surface of the first metal thin film comprising a second metal thin film made of SiO 2 or TiO 2 . 청구항 9에 있어서,The method according to claim 9, 상기 기판은 LTCC로 구성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.LED package, characterized in that the substrate is composed of LTCC. 청구항 9에 있어서,The method according to claim 9, 상기 기판은 상기 엘이디 칩 실장 영역에 전극 패턴이 형성된 하부 기판, 및 상기 엘이디 칩 실장 영역과 대응되는 위치에 상기 캐비티가 형성된 상부 기판이 동시소결되어 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.And the substrate is formed by co-sintering a lower substrate having an electrode pattern formed in the LED chip mounting region and an upper substrate having the cavity formed at a position corresponding to the LED chip mounting region. 삭제delete 청구항 9에 있어서,The method according to claim 9, 상기 점착 박막은 니켈, 티타늄, 티타늄텅스텐, 크롬, 니켈크롬중의 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지.The adhesive thin film is an LED package, characterized in that consisting of one of nickel, titanium, titanium tungsten, chromium, nickel chromium. 삭제delete 삭제delete
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